JPS60127513A - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JPS60127513A JPS60127513A JP23579883A JP23579883A JPS60127513A JP S60127513 A JPS60127513 A JP S60127513A JP 23579883 A JP23579883 A JP 23579883A JP 23579883 A JP23579883 A JP 23579883A JP S60127513 A JPS60127513 A JP S60127513A
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- electrode
- magnetic head
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
-
- G—PHYSICS
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- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
- G11B5/3106—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing where the integrated or assembled structure comprises means for conditioning against physical detrimental influence, e.g. wear, contamination
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の利用分野〕
本発明は薄膜磁気ヘッドの製造方法に関し、特に電極部
の形成方法を改良した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
の形成方法を改良した薄膜磁気ヘッドの製造方法に関す
るものである。
薄膜磁気ヘッドは、基板上に絶縁膜、下部磁性体、゛ギ
ヤツブ膜、導体コイル、層間絶縁膜、上部磁性体、電極
部および保護膜等を、薄膜技術を用いて順次積層して行
き、最後に必要な形状に加工して作成する。以下、従来
の薄膜磁気ヘッド製造プロセスにおける上記電極部の形
成方法を図面を用いて詳細に説明する。
ヤツブ膜、導体コイル、層間絶縁膜、上部磁性体、電極
部および保護膜等を、薄膜技術を用いて順次積層して行
き、最後に必要な形状に加工して作成する。以下、従来
の薄膜磁気ヘッド製造プロセスにおける上記電極部の形
成方法を図面を用いて詳細に説明する。
第１図（Ａ）は電極部の形成過程における素子部の縦断
面図、同（Ｂ）は電極部の横断面図である。
面図、同（Ｂ）は電極部の横断面図である。
図において、■は基板、２は絶縁膜、３は下部磁性体、
４はギャップ膜、５は導体コイル、６は層間絶縁膜、７
は上部磁性体、８はめっき下地［ｉ１膜、９は通電用下
地膜、ＩＯはホトレジスト１そして１３は電極を示して
いる。
４はギャップ膜、５は導体コイル、６は層間絶縁膜、７
は上部磁性体、８はめっき下地［ｉ１膜、９は通電用下
地膜、ＩＯはホトレジスト１そして１３は電極を示して
いる。
両図に示される如く、従来の方法では、上部磁性体７を
形成した後、めっき下地保護膜８を堆積し、導体コイル
５との接続がとれるように電極部の該めっき下地保護膜
８のみをエツチングにより除去する。次に１通電用下地
膜９を堆積し、ホトレジストパターン１０を形成した後
、電気めっきにより電極１３を堆積する。
形成した後、めっき下地保護膜８を堆積し、導体コイル
５との接続がとれるように電極部の該めっき下地保護膜
８のみをエツチングにより除去する。次に１通電用下地
膜９を堆積し、ホトレジストパターン１０を形成した後
、電気めっきにより電極１３を堆積する。
第２図は電極部形成後における素子部の縦断面図、同（
Ｂ）は電極部の横断面図である。上述の如く電極１３を
形成した素子のホトレジスト１ｉ）を除去した後、通電
用下地膜９をエツチングすることにより、電極部が完成
する。ここで、めっき下地保護膜８は通電用下地膜９の
エツチングの際に、上部磁性体７等の素子部の損傷を防
止するためのものである。
Ｂ）は電極部の横断面図である。上述の如く電極１３を
形成した素子のホトレジスト１ｉ）を除去した後、通電
用下地膜９をエツチングすることにより、電極部が完成
する。ここで、めっき下地保護膜８は通電用下地膜９の
エツチングの際に、上部磁性体７等の素子部の損傷を防
止するためのものである。
上述の如く、従来は、電極部を形成するために、新たに
２Ｍの薄膜の堆積、エツチングを行う必要がありＩＩＥ
ＩＩ造プロセスが煩雑になるという問題があった。
２Ｍの薄膜の堆積、エツチングを行う必要がありＩＩＥ
ＩＩ造プロセスが煩雑になるという問題があった。
また、上記通電用下地膜９のエツチングには。
素子部へのエッチャントの浸込みを防止するため、イオ
ンミリング、スパッタエツチング等のドライエツチング
法を用いる必要がある。これらの方法を用いる場合には
、第２図（Ａ）のＡ−Ａ断面図である第３図に示す如く
、フロントギャップ部の上部磁性体側面付近にエツチン
グ残り９Ａが発生し易い、そして、上記エツチング残り
９Ａは、基板を磁気へラドスライダに加工した際に媒体
対向面に露出し、耐蝕性の劣化、スライダの摺動性の劣
化の原因となるという問題があった。
ンミリング、スパッタエツチング等のドライエツチング
法を用いる必要がある。これらの方法を用いる場合には
、第２図（Ａ）のＡ−Ａ断面図である第３図に示す如く
、フロントギャップ部の上部磁性体側面付近にエツチン
グ残り９Ａが発生し易い、そして、上記エツチング残り
９Ａは、基板を磁気へラドスライダに加工した際に媒体
対向面に露出し、耐蝕性の劣化、スライダの摺動性の劣
化の原因となるという問題があった。
本発明は上記事情に鑑みてなされたもので、その目的と
するところは、電極部の形成方法を簡略化するとともに
、磁気へラドスライダに加工し、た場合の摺動特性の劣
化を防止可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とにある。
するところは、電極部の形成方法を簡略化するとともに
、磁気へラドスライダに加工し、た場合の摺動特性の劣
化を防止可能な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するこ
とにある。
本発明の上記目的は、基板上に下部磁性体、ギャップ膜
、導体コイル、層間絶縁膜を形成した上に磁性膜を形成
する工程と、前記磁性膜を通電用下地膜として電極部を
形成する工程と、前記電極部を形成した後、前記磁性膜
をエツチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法によって達成される。
、導体コイル、層間絶縁膜を形成した上に磁性膜を形成
する工程と、前記磁性膜を通電用下地膜として電極部を
形成する工程と、前記電極部を形成した後、前記磁性膜
をエツチングする工程とを含むことを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法によって達成される。
すなわち、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、基板
全面に堆積した磁性膜上に電極を形成した後、上記磁性
膜をエツチングして上部磁性体を形成するようにするこ
とにより、従来の電極部形成プロセスで用いていためっ
き下地保護膜および通電用下地膜を不要としたものであ
る。
全面に堆積した磁性膜上に電極を形成した後、上記磁性
膜をエツチングして上部磁性体を形成するようにするこ
とにより、従来の電極部形成プロセスで用いていためっ
き下地保護膜および通電用下地膜を不要としたものであ
る。
以下１本発明の実施例を図面に基づいて詳細に説明する
。
。
第４図〜第７図は本発明の一実施例である薄膜磁気ヘッ
ドの製造工程を示すものである。なお、各回の（Ａ）は
素子部の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図であり、
記号は第１図〜第３図に準じて用いている。
ドの製造工程を示すものである。なお、各回の（Ａ）は
素子部の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図であり、
記号は第１図〜第３図に準じて用いている。
まず、第４図（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、基板１上にア
ルミナ等の金ＩｉＸ酸化物から成る絶縁膜２．パーマロ
イ等の磁性材料から成る下部磁性体３．アルミナ等の金
属酸化物から成るギャップ膜４．銅（Ｃｕ ）あるいは
金（Ａ ｕ ）等から成る導体コイル５および有機材料
から成る層間絶縁膜６を順次形成する。次いで、この上
に、スパッタリング、蒸着あるいは電気めっき等により
上部磁性体となる、パーマロイ等の導電性を有する磁性
膜７Ａを堆積する。゛ 次に、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、電極部となる
部分のみが露出するホトレジストパターン】０を形成し
、電気めっきによりＡｕまたはＣｕを堆積して電極１３
を形成する。上記ホトレジスト１ｏを除去した後新たに
ホトレジストを塗布し、非接触方式の露光装置を用いて
露光し、第６図（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、上部磁性体
の形状を有するホトレジストパターン１４を形成する。
ルミナ等の金ＩｉＸ酸化物から成る絶縁膜２．パーマロ
イ等の磁性材料から成る下部磁性体３．アルミナ等の金
属酸化物から成るギャップ膜４．銅（Ｃｕ ）あるいは
金（Ａ ｕ ）等から成る導体コイル５および有機材料
から成る層間絶縁膜６を順次形成する。次いで、この上
に、スパッタリング、蒸着あるいは電気めっき等により
上部磁性体となる、パーマロイ等の導電性を有する磁性
膜７Ａを堆積する。゛ 次に、第５図（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、電極部となる
部分のみが露出するホトレジストパターン】０を形成し
、電気めっきによりＡｕまたはＣｕを堆積して電極１３
を形成する。上記ホトレジスト１ｏを除去した後新たに
ホトレジストを塗布し、非接触方式の露光装置を用いて
露光し、第６図（Ａ）、（Ｂ）に示す如く、上部磁性体
の形状を有するホトレジストパターン１４を形成する。
次に、上記ホトレジスト１４をマスクとして前記磁性膜
７Ａをエツチングし、上部磁性体７を形成する。この際
、エツチングにはイオンビームエツチングあるいはスパ
ッタエツチング等のドライエツチング法を用いることに
より、高精度のエツチングが可能となる。また、前記磁
性膜７Ａのエツチングの際には電極１３もエツチングさ
れ、膜厚が減少するが、これには予め電極を厚く形成し
ておくことで対処することが可能である。
７Ａをエツチングし、上部磁性体７を形成する。この際
、エツチングにはイオンビームエツチングあるいはスパ
ッタエツチング等のドライエツチング法を用いることに
より、高精度のエツチングが可能となる。また、前記磁
性膜７Ａのエツチングの際には電極１３もエツチングさ
れ、膜厚が減少するが、これには予め電極を厚く形成し
ておくことで対処することが可能である。
この後、ホトレジストＩ４を除去してから、第７図（Ａ
）、（Ｂ）に示す如く、アルミナ等の化学的に安定゛な
金属酸化物から成る保護膜１５をスパッタリング等の方
法により基板全面に堆積し、ラッピングにより電極の先
端を保護膜表面に露出させた後、成形加工を行って薄膜
磁気ヘッドが完成する。
）、（Ｂ）に示す如く、アルミナ等の化学的に安定゛な
金属酸化物から成る保護膜１５をスパッタリング等の方
法により基板全面に堆積し、ラッピングにより電極の先
端を保護膜表面に露出させた後、成形加工を行って薄膜
磁気ヘッドが完成する。
上記実施例によれば、上部磁性体のエツチング゛を電極
の堆積後に行うことにより、磁性膜を通電用下地膜とし
て電極を形成することができ、製造工程が簡略化できる
とともに、エツチング残り等の発生することもなくなる
という効果がある。
の堆積後に行うことにより、磁性膜を通電用下地膜とし
て電極を形成することができ、製造工程が簡略化できる
とともに、エツチング残り等の発生することもなくなる
という効果がある。
次に、本発明の別の実施例を第８図〜第１０図に基づい
て説明する。なお、第８図〜第１０図の各回の（Ａ）は
素子部の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図であり、
記号は第１図〜第７図に準じて用いている。
て説明する。なお、第８図〜第１０図の各回の（Ａ）は
素子部の縦断面図、（Ｂ）は電極部の横断面図であり、
記号は第１図〜第７図に準じて用いている。
第８図（Ａ）、ＣＢ）に示す如く、基板１上に絶縁膜２
．下部磁性体３．ギャップ膜４．導体コイル５およぞ層
間絶縁膜６を形成した上に前記磁性膜７Ａを堆積し、更
に、アルミナあるいはチタニア等の金属酸化物膜１１Ａ
を堆積する。次に、第９図（Ａ）に示す如く、上部磁性
体形状を有するホトレジストパターン１２を形成した後
、ＣＦ、ガスを用いた反応性イオンビームエツチング法
によって上記金属酸化物＄ １１’Ａを高精度にエツチ
ングし、磁性膜７Ａをエツチングする際のマスクパター
ンｌｌを形成する。
．下部磁性体３．ギャップ膜４．導体コイル５およぞ層
間絶縁膜６を形成した上に前記磁性膜７Ａを堆積し、更
に、アルミナあるいはチタニア等の金属酸化物膜１１Ａ
を堆積する。次に、第９図（Ａ）に示す如く、上部磁性
体形状を有するホトレジストパターン１２を形成した後
、ＣＦ、ガスを用いた反応性イオンビームエツチング法
によって上記金属酸化物＄ １１’Ａを高精度にエツチ
ングし、磁性膜７Ａをエツチングする際のマスクパター
ンｌｌを形成する。
以下、前記実施例と同様にして、電極を形成した後、ア
ルゴンガスを用いたイオンビームエツチングあるいはス
パッタエツチング等により磁性膜７Ａをエツチングし、
第１０図（Δ）、 （＋１）に示す如く、上部磁性体７
を形成する。次いで、第１１図に斜線を施して示す領域
Ｂのみが露出するホトレジストパターンを形成し、アル
ゴンガスを用いたイオンビームエツチングを用いて下部
磁性体３をトリミングする。
ルゴンガスを用いたイオンビームエツチングあるいはス
パッタエツチング等により磁性膜７Ａをエツチングし、
第１０図（Δ）、 （＋１）に示す如く、上部磁性体７
を形成する。次いで、第１１図に斜線を施して示す領域
Ｂのみが露出するホトレジストパターンを形成し、アル
ゴンガスを用いたイオンビームエツチングを用いて下部
磁性体３をトリミングする。
第１２図はトリミング加工後の媒体対向面側断面を示し
ており、下部磁性体３と上部磁性体７とを、略等しくす
ることができることを示している。この後、前記実施例
と同様に、保護膜の堆積、電極の先端出しおよび成形加
工を行って薄膜磁気ヘッドが完成する。
ており、下部磁性体３と上部磁性体７とを、略等しくす
ることができることを示している。この後、前記実施例
と同様に、保護膜の堆積、電極の先端出しおよび成形加
工を行って薄膜磁気ヘッドが完成する。
本実施例によれば、磁性膜を通電用下地膜として電極を
形成するとともに、上部磁性体形成時のマスク材に金属
酸化物を用いることにより、磁気ヘッド［；加工した後
の媒体対向面に磁性体以外の不要な金属が露出すること
なく、また、下部磁性体と上部磁性体のトラック幅を概
略等しくすることができ、高性能、高信頼性の磁気ヘッ
ドを製造することができるという効果がある。
形成するとともに、上部磁性体形成時のマスク材に金属
酸化物を用いることにより、磁気ヘッド［；加工した後
の媒体対向面に磁性体以外の不要な金属が露出すること
なく、また、下部磁性体と上部磁性体のトラック幅を概
略等しくすることができ、高性能、高信頼性の磁気ヘッ
ドを製造することができるという効果がある。
−上記各実施例において用いた材料は一例を示すもので
あり、本発明はこれらに拘束されるべきものではない。
あり、本発明はこれらに拘束されるべきものではない。
〔発明の効果〕
以上述べた如く、本発明によれば、薄膜磁気ヘッドの製
造方法を、基板上に下部磁性体、ギャップ膜、導体コイ
ル、層間絶縁膜を形成した上に磁性膜を形成する工程と
、前記磁性膜を通電用下地膜として電極部を形成する工
程と、前記電極部を形成した後、前記磁性膜をエツチン
グする工程とを含む如く構成したので、電極部の形成工
程を簡略化するとともに、磁気ヘッドに加工した場合の
摺動”特性の劣化を防止し、高性能かつ高信頼性を有す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるという顕著な
効果を奏するものである。
造方法を、基板上に下部磁性体、ギャップ膜、導体コイ
ル、層間絶縁膜を形成した上に磁性膜を形成する工程と
、前記磁性膜を通電用下地膜として電極部を形成する工
程と、前記電極部を形成した後、前記磁性膜をエツチン
グする工程とを含む如く構成したので、電極部の形成工
程を簡略化するとともに、磁気ヘッドに加工した場合の
摺動”特性の劣化を防止し、高性能かつ高信頼性を有す
る薄膜磁気ヘッドの製造方法を実現できるという顕著な
効果を奏するものである。
第１図〜第３図は従来の製造方法で製造された薄膜磁気
ヘッドの断面図、第４図〜第７図は本発明の第１の実施
例を示す薄膜磁気ヘッドの断面図、第８図〜第１０図お
よび第１２図は本発明の第２の実施例を示す薄膜磁気ヘ
ッドの断面図、第ｔｔｇ ｔよ同平面図である。 に基板、２：絶縁膜、３：下部磁性体、４：ギャップ材
、５：導体コイル、６：層間絶縁膜、７：上部磁性体、
１０．１２．１４：ホトレジスト、１１：金属酸化物
膜、１３：電極、１５：保護膜。 第 １ 図 囚′ 第２図 囚 第 ３ 図 第４図 囚 （Ｂ） ７Ａ、 ５ 第５図 込） 第６図 （Ａ） 第 ７ 図 （イ） ５ 第８図 （Ａ） 第 ９ 図 ωＯ 第 １０ 図 囚
ヘッドの断面図、第４図〜第７図は本発明の第１の実施
例を示す薄膜磁気ヘッドの断面図、第８図〜第１０図お
よび第１２図は本発明の第２の実施例を示す薄膜磁気ヘ
ッドの断面図、第ｔｔｇ ｔよ同平面図である。 に基板、２：絶縁膜、３：下部磁性体、４：ギャップ材
、５：導体コイル、６：層間絶縁膜、７：上部磁性体、
１０．１２．１４：ホトレジスト、１１：金属酸化物
膜、１３：電極、１５：保護膜。 第 １ 図 囚′ 第２図 囚 第 ３ 図 第４図 囚 （Ｂ） ７Ａ、 ５ 第５図 込） 第６図 （Ａ） 第 ７ 図 （イ） ５ 第８図 （Ａ） 第 ９ 図 ωＯ 第 １０ 図 囚
Claims (1)
- （１）Ｍ板上に下部磁性体、ギャップ膜、導体コイル、
層間絶縁膜を形成した上に磁性膜を形成する工程と、前
記磁性膜を通電用下地膜として電極部を形成する工程と
、前記電極部を形成した後、前記磁性膜をエツチングす
る工程とを含むことを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23579883A JPS60127513A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23579883A JPS60127513A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS60127513A true JPS60127513A (ja) | 1985-07-08 |
Family
ID=16991409
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23579883A Pending JPS60127513A (ja) | 1983-12-14 | 1983-12-14 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS60127513A (ja) |
-
1983
- 1983-12-14 JP JP23579883A patent/JPS60127513A/ja active Pending
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