JPH03252907A - 薄膜磁気ヘッドの製法 - Google Patents
薄膜磁気ヘッドの製法Info
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- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 37
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 32
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 50
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims abstract description 40
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 33
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 claims abstract description 25
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 20
- 238000003801 milling Methods 0.000 claims abstract description 19
- 230000008569 process Effects 0.000 claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 32
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 27
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 26
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 25
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 23
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 claims description 17
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 10
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 7
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 6
- UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N iron nickel Chemical compound [Fe].[Ni] UGKDIUIOSMUOAW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 claims description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims 13
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims 5
- 239000011701 zinc Substances 0.000 claims 5
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000011135 tin Substances 0.000 claims 4
- 230000008021 deposition Effects 0.000 claims 3
- 229910003271 Ni-Fe Inorganic materials 0.000 claims 2
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 abstract description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 abstract 5
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 abstract 5
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 abstract 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 12
- 230000004907 flux Effects 0.000 description 7
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 7
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000873 masking effect Effects 0.000 description 4
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 3
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000640 Fe alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 2
- 238000004070 electrodeposition Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 2
- -1 A2□O Chemical class 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- FBOZXECLQNJBKD-ZDUSSCGKSA-N L-methotrexate Chemical group C=1N=C2N=C(N)N=C(N)C2=NC=1CN(C)C1=CC=C(C(=O)N[C@@H](CCC(O)=O)C(O)=O)C=C1 FBOZXECLQNJBKD-ZDUSSCGKSA-N 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N ammonium sulfate Chemical compound N.N.OS(O)(=O)=O BFNBIHQBYMNNAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052921 ammonium sulfate Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000011130 ammonium sulphate Nutrition 0.000 description 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000013500 data storage Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 230000001939 inductive effect Effects 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 239000008213 purified water Substances 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000011232 storage material Substances 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 238000005019 vapor deposition process Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
- G11B5/3166—Testing or indicating in relation thereto, e.g. before the fabrication is completed
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
- Y10T29/49044—Plural magnetic deposition layers
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- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49036—Fabricating head structure or component thereof including measuring or testing
- Y10T29/49043—Depositing magnetic layer or coating
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-
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- Y10T29/49—Method of mechanical manufacture
- Y10T29/49002—Electrical device making
- Y10T29/4902—Electromagnet, transformer or inductor
- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
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- Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、薄膜磁気ヘッドの製法に関するものである。
評言すれば、本発明は、犠牲マスク層を用いる薄膜磁気
ヘッドにおいて、上部と下部の磁極チップを整列させる
ことに関している。
ヘッドにおいて、上部と下部の磁極チップを整列させる
ことに関している。
従来技術と発明が解決しようとする課題薄膜磁気読出し
／書込みヘッドは、磁気ディスク又は磁気テープ等の磁
性記憶媒体から情報を磁気的に読出したり書込んだりす
るのに利用される。
／書込みヘッドは、磁気ディスク又は磁気テープ等の磁
性記憶媒体から情報を磁気的に読出したり書込んだりす
るのに利用される。
磁性記憶材料には高密度に情報が記憶されることが極め
て望ましい。
て望ましい。
記録システムの記憶密度を増大させるには、所与の記憶
面の面積当りの密度を出来るだけ高くすることが必要で
ある。回転ディスク・ドライブの場合（フロッピ、ハー
ドディスクいずれの場合も）、面積当り密度は、トラッ
クに沿った単位長さ当りの磁束の反転数（２，５４ｃｍ
当りの磁束反転単位での線形密度）に、半径方向での単
位長さ当りに得られるトラック数（２，５４ｃｍ当りの
トラック単位でのトラック密度）を乗することで得られ
る。
面の面積当りの密度を出来るだけ高くすることが必要で
ある。回転ディスク・ドライブの場合（フロッピ、ハー
ドディスクいずれの場合も）、面積当り密度は、トラッ
クに沿った単位長さ当りの磁束の反転数（２，５４ｃｍ
当りの磁束反転単位での線形密度）に、半径方向での単
位長さ当りに得られるトラック数（２，５４ｃｍ当りの
トラック単位でのトラック密度）を乗することで得られ
る。
磁性記憶媒体の記憶密度を増大させる要求の結果、磁気
ヘッド寸法は小さくされた。磁気ヘッドは、電子工業で
半導体集積回路の場合に用いられるのと似た形式で製作
される。
ヘッド寸法は小さくされた。磁気ヘッドは、電子工業で
半導体集積回路の場合に用いられるのと似た形式で製作
される。
製作中、多くの薄膜磁気ヘッドが、ウェーハ（又は基板
）の全表面にわたり蒸着される。複数層が蒸着されたの
ち、ウェーハは、“ダイ゛にされるか、多くの個別の薄
膜ヘッドにスライスされる。これら各ヘッドは、ウェー
ハの一部分に保持され、この結果、上部の磁極チップと
、下部の磁極チップと、ギャップとが、それぞれ露出さ
れる。
）の全表面にわたり蒸着される。複数層が蒸着されたの
ち、ウェーハは、“ダイ゛にされるか、多くの個別の薄
膜ヘッドにスライスされる。これら各ヘッドは、ウェー
ハの一部分に保持され、この結果、上部の磁極チップと
、下部の磁極チップと、ギャップとが、それぞれ露出さ
れる。
磁極チップとギャップ（及びこれらの下の基板部分）と
は、次に、内方へ、薄膜ヘッド中心へ向って包み込まれ
、所望寸法にされる。この包込み過程は研摩工程であり
、この工程では、表面と底部の磁極チップとギャップの
露出部分が、ダイヤモンド・スラリ等の研摩材にかけら
れる。電気的な接点は、導電コイルに接続されている。
は、次に、内方へ、薄膜ヘッド中心へ向って包み込まれ
、所望寸法にされる。この包込み過程は研摩工程であり
、この工程では、表面と底部の磁極チップとギャップの
露出部分が、ダイヤモンド・スラリ等の研摩材にかけら
れる。電気的な接点は、導電コイルに接続されている。
完成したヘッドは、次に、コンピュータのディスク等の
磁気記憶媒体にデータを書込んだり、読出したりするの
に用いるため、取付は具に取付けられる。
磁気記憶媒体にデータを書込んだり、読出したりするの
に用いるため、取付は具に取付けられる。
操作時には、磁気記憶媒体は、露出した上側と下側の磁
極デツプの近くに配置される。読出し操作時には、動く
記憶媒体の変化する磁束が、上下の磁極チップに、変化
する磁束を印加する。この磁束は、磁極チップと、導電
コイルの周囲の継鉄コアとを通して伝えられる。この変
化する磁束は、導電コイルに電圧を生しさせ、この電圧
は、電気式検知回路を用いることで検知される。この電
圧は、磁性記憶媒体の運動により生しる磁束の変化を表
わす。
極デツプの近くに配置される。読出し操作時には、動く
記憶媒体の変化する磁束が、上下の磁極チップに、変化
する磁束を印加する。この磁束は、磁極チップと、導電
コイルの周囲の継鉄コアとを通して伝えられる。この変
化する磁束は、導電コイルに電圧を生しさせ、この電圧
は、電気式検知回路を用いることで検知される。この電
圧は、磁性記憶媒体の運動により生しる磁束の変化を表
わす。
書込み操作中、電流は、導電コイル内を流れるようにさ
れる。この電流により、表面と底部の磁極内に磁場が生
ぜしめられ、また、上下の磁極チップの間のギャップを
横切る磁場を発生させる。
れる。この電流により、表面と底部の磁極内に磁場が生
ぜしめられ、また、上下の磁極チップの間のギャップを
横切る磁場を発生させる。
フリンジ域は、磁極チップの境界を越えたところまで拡
がり、磁性記憶媒体近くまで達する。このフリンジ域は
、記憶媒体に磁場を印加し、情報を書込むのに用いられ
る。
がり、磁性記憶媒体近くまで達する。このフリンジ域は
、記憶媒体に磁場を印加し、情報を書込むのに用いられ
る。
磁気薄膜ヘッドを製造するのに利用される方法は２つあ
る。すなわち、加法又は減法である。加法による製法は
基本の方法で、薄膜ヘッドの種々の層がウェーハ基板に
蒸着される一連の処理工程を含んでいる。達成可能の最
大のトラック密度は、上下の磁極チップとその幅の正確
な整列に著しく影響される。磁極チップは、通例、設計
基準に応して約１ミクロンから５ミクロンの範囲の厚さ
である。厚いほうの磁極はオーバライド効果を高め、薄
いほうの磁極は、リードバック操作中の分解能を増大せ
しめる。上下の磁極及びギャップの物理的形状は、磁気
フリンジ域の形状を変えることにより、薄膜の読出し／
書込み性能に有意な影響を与える。
る。すなわち、加法又は減法である。加法による製法は
基本の方法で、薄膜ヘッドの種々の層がウェーハ基板に
蒸着される一連の処理工程を含んでいる。達成可能の最
大のトラック密度は、上下の磁極チップとその幅の正確
な整列に著しく影響される。磁極チップは、通例、設計
基準に応して約１ミクロンから５ミクロンの範囲の厚さ
である。厚いほうの磁極はオーバライド効果を高め、薄
いほうの磁極は、リードバック操作中の分解能を増大せ
しめる。上下の磁極及びギャップの物理的形状は、磁気
フリンジ域の形状を変えることにより、薄膜の読出し／
書込み性能に有意な影響を与える。
トラック密度が増大し、インチ当り２４（１０ ）ラッ
クに近づき、これを超えると、読出し／書込みヘッド内
での上下磁極チップ間の整列は臨界的となる。このよう
な高い記憶密度では、設計基準により、磁気変換器が要
求される。この変換器では、底部磁極チップ幅が表面磁
極チップ幅とほとんど等しくなる。表面及び底部の磁極
チップは、また、精確に整列していなければならない。
クに近づき、これを超えると、読出し／書込みヘッド内
での上下磁極チップ間の整列は臨界的となる。このよう
な高い記憶密度では、設計基準により、磁気変換器が要
求される。この変換器では、底部磁極チップ幅が表面磁
極チップ幅とほとんど等しくなる。表面及び底部の磁極
チップは、また、精確に整列していなければならない。
このように寸法が小さい場合、ヘッドの複数チップの間
の整列は、決定的に重要である。特に、磁極チップの寸
法が、蒸着技術の公差や明せき度の限界に近づくにつれ
て、臨界的となる。磁界の整列を改善する技術は、表面
磁極、底部磁極、これら双方を分離するギャップ域を、
すべて所望の寸法より十分に幅広に造っておくことが前
提となる。したがって、表面の磁極には、まり幅狭のマ
スク層が蒸着されることになる。この構成物を、次に、
イオン・ミリング又は反応イオン・ミリング等の材料除
去（“ミリング”）処理を用いて整列させるのである。
の整列は、決定的に重要である。特に、磁極チップの寸
法が、蒸着技術の公差や明せき度の限界に近づくにつれ
て、臨界的となる。磁界の整列を改善する技術は、表面
磁極、底部磁極、これら双方を分離するギャップ域を、
すべて所望の寸法より十分に幅広に造っておくことが前
提となる。したがって、表面の磁極には、まり幅狭のマ
スク層が蒸着されることになる。この構成物を、次に、
イオン・ミリング又は反応イオン・ミリング等の材料除
去（“ミリング”）処理を用いて整列させるのである。
これらの処理では、高エネルギーのイオンが磁極チップ
区域に衝撃を与え、マスク層のふちからはみ出している
余分の材料（表面磁極、底部磁極、ギャップ材料）を除
去する。マスク層は、双方の磁極とギャップ部分のみを
保護するので、完成した磁極チップの幅は、はぼ、マス
ク層の幅と等しくなる。
区域に衝撃を与え、マスク層のふちからはみ出している
余分の材料（表面磁極、底部磁極、ギャップ材料）を除
去する。マスク層は、双方の磁極とギャップ部分のみを
保護するので、完成した磁極チップの幅は、はぼ、マス
ク層の幅と等しくなる。
この公知の整列技術には、いくつかの欠点がある。その
１つは、ミリング処理に続いて行なわれる、磁極チップ
構成物からマスク層を除去する処理が難しいことである
。また、ミリングの間に磁極チップの適当な保護を確実
にするには、マスクを十分に厚くして、ごリング加工に
耐えるようにしなければならない。しかし、マスクを厚
くすると、達成可能な最大分解能が低下する。更に、ま
た、ミリング後に残ったマスク材料を剥ぎ取ると、薄膜
ヘッドのデリケートな構成物が損傷されることがある。
１つは、ミリング処理に続いて行なわれる、磁極チップ
構成物からマスク層を除去する処理が難しいことである
。また、ミリングの間に磁極チップの適当な保護を確実
にするには、マスクを十分に厚くして、ごリング加工に
耐えるようにしなければならない。しかし、マスクを厚
くすると、達成可能な最大分解能が低下する。更に、ま
た、ミリング後に残ったマスク材料を剥ぎ取ると、薄膜
ヘッドのデリケートな構成物が損傷されることがある。
他面、マスク層を薄＜シて、分解能を高め、マスクの除
去を容易にしようとすれば、ミリング中に磁極チップ構
成物が損傷される危険が高くなる。
去を容易にしようとすれば、ミリング中に磁極チップ構
成物が損傷される危険が高くなる。
こうしたことから、選択的なエンチングによりマスク層
の除去を制御可能かつ容易に行いうるようにすることは
、この整列技術に対する重要な寄与となるはずである。
の除去を制御可能かつ容易に行いうるようにすることは
、この整列技術に対する重要な寄与となるはずである。
課題を解決するための手段
本発明によれば、データ記憶密度の高い薄膜磁気変換器
内の複数磁極チップを精密に整列させることができる。
内の複数磁極チップを精密に整列させることができる。
本発明の場合、表面磁極と整列させるためにトリミング
されるのは底部磁極とギャップ層のみである。底部磁極
及び（又は）ギャップ層のイオン・ミリング又は乾式エ
ツチングの間、表面磁極は、十分に厚い犠牲マスク層で
保護される。このマスク層は、簡単に取付けられ、ミリ
ング処理後、選択的に除去できるように設計されている
。犠牲マスク自体は、表面磁極を蒸着させるのと同じホ
トレジスト・マスクにより蒸着されることで、表面磁極
に整列せしめられる。
されるのは底部磁極とギャップ層のみである。底部磁極
及び（又は）ギャップ層のイオン・ミリング又は乾式エ
ツチングの間、表面磁極は、十分に厚い犠牲マスク層で
保護される。このマスク層は、簡単に取付けられ、ミリ
ング処理後、選択的に除去できるように設計されている
。犠牲マスク自体は、表面磁極を蒸着させるのと同じホ
トレジスト・マスクにより蒸着されることで、表面磁極
に整列せしめられる。
本発明を利用するさいには、まず、最終形態に必要とな
るより幅広のチップを有する底部磁極が基板に蒸着され
る。次いで、ギャップ材料がその上に蒸着される。コイ
ルと絶縁材は、更にその上に蒸着される。コイルと絶縁
材は、ヨーク区域に限定され、底部磁極とギャップ全体
をカバーするのではない。最後に、表面磁極層が蒸着さ
れる。
るより幅広のチップを有する底部磁極が基板に蒸着され
る。次いで、ギャップ材料がその上に蒸着される。コイ
ルと絶縁材は、更にその上に蒸着される。コイルと絶縁
材は、ヨーク区域に限定され、底部磁極とギャップ全体
をカバーするのではない。最後に、表面磁極層が蒸着さ
れる。
この磁極層は、ホトレジスト・マスクにより覆われる。
このマスクは、最終的な形態では、トラック幅を決定す
る磁極チップ幅を有している。ミリングに先立って、磁
極チップを完全に整列させる必要はない。しかし、表面
磁極チップは、底部磁極チップより狭く、その突出部は
、底部磁極チップにより完全に包まれなければならない
。
る磁極チップ幅を有している。ミリングに先立って、磁
極チップを完全に整列させる必要はない。しかし、表面
磁極チップは、底部磁極チップより狭く、その突出部は
、底部磁極チップにより完全に包まれなければならない
。
次に、別の金属層が、表面磁極層を蒸着するのに用いら
れたのと同じホトレジスト・マスクにより表面磁極層の
上に蒸着される。この金属層は、磁極に用いた材料と異
なる金属又は合金であれば何でもよいが、磁極材料が侵
食されないように、選択的にエツチング可能なものでな
ければならない。また、磁極層の上に蒸着するのに適合
するものでなければならない。本発明の好適実施例によ
れば、この金属は、銅又は金であるが、これらの金属は
、いずれも既に薄膜ヘッドの製造に用いられている。そ
れゆえ、表面磁極の幾何形状（及び金属の犠牲マスク層
）は、ミリング後の底部磁極チップの形状を決めるもの
となる。銅は、経済性、イオン・ミリング率、簡便性の
点で最も好適な金属である。
れたのと同じホトレジスト・マスクにより表面磁極層の
上に蒸着される。この金属層は、磁極に用いた材料と異
なる金属又は合金であれば何でもよいが、磁極材料が侵
食されないように、選択的にエツチング可能なものでな
ければならない。また、磁極層の上に蒸着するのに適合
するものでなければならない。本発明の好適実施例によ
れば、この金属は、銅又は金であるが、これらの金属は
、いずれも既に薄膜ヘッドの製造に用いられている。そ
れゆえ、表面磁極の幾何形状（及び金属の犠牲マスク層
）は、ミリング後の底部磁極チップの形状を決めるもの
となる。銅は、経済性、イオン・ミリング率、簡便性の
点で最も好適な金属である。
金属の犠牲マスク層は、ベース層として用いることがで
きる。この上に、単数又は複数の付加犠牲マスク層が、
表面磁極層と第１の犠牲金属マスク層の蒸着に用いたの
と同じホトレジスト・マスクにより蒸着される。本発明
の１実施例によれば、ニッケル・鉄の合金層が、金属の
犠牲ベース層の上に蒸着されている。ニッケル・鉄の合
金は、通例、表面及び底部の磁極層に用いられるので、
容易に製造過程に統合することができる。更に、この合
金マスクは、ミリング率が、底部磁極層のそれと等しい
ので（同じ材料から戒るため）、適宜の厚さのニッケル
・鉄犠牲層が容易に蒸着できる。
きる。この上に、単数又は複数の付加犠牲マスク層が、
表面磁極層と第１の犠牲金属マスク層の蒸着に用いたの
と同じホトレジスト・マスクにより蒸着される。本発明
の１実施例によれば、ニッケル・鉄の合金層が、金属の
犠牲ベース層の上に蒸着されている。ニッケル・鉄の合
金は、通例、表面及び底部の磁極層に用いられるので、
容易に製造過程に統合することができる。更に、この合
金マスクは、ミリング率が、底部磁極層のそれと等しい
ので（同じ材料から戒るため）、適宜の厚さのニッケル
・鉄犠牲層が容易に蒸着できる。
犠牲マスク層が蒸着されたのち、ホトレジスト・マスク
（このマスクを介して表面磁極層と犠牲金属層が蒸着さ
れる）が剥ぎ取られ、シード層が除去され、ギャップ材
料が湿式エツチング、又はイオン・ミリングを施され、
磁極チップ構成物にはイオン・ミリングが行なわれ、高
いエネルギー・イオンがチップ表面に衝撃を与える。マ
スクは、磁極チップ及びギャップの区域を保護する。高
いエネルギー・イオンにさらされるこれらの区域は、イ
オンによる衝撃力によって削り去られる。
（このマスクを介して表面磁極層と犠牲金属層が蒸着さ
れる）が剥ぎ取られ、シード層が除去され、ギャップ材
料が湿式エツチング、又はイオン・ミリングを施され、
磁極チップ構成物にはイオン・ミリングが行なわれ、高
いエネルギー・イオンがチップ表面に衝撃を与える。マ
スクは、磁極チップ及びギャップの区域を保護する。高
いエネルギー・イオンにさらされるこれらの区域は、イ
オンによる衝撃力によって削り去られる。
ミリング処理が終ると、両磁極チップとギャップ層とは
整列状態にあり、余分の犠牲マスク層が表面磁極チップ
の上に残った状態となる。ウェーハには、次に、選択的
な化学式エツチングが施される。これにより、表面磁極
チップから単一金属又は合金の犠牲層が除去される。し
かし、ニッケル・鉄合金の磁極又はギャップ層は侵食さ
れず、薄膜ヘッド構成物は、無傷で残る。複数層の犠牲
マスク内に余分のニッケル・鉄合金の犠牲層が、第１の
金属犠牲層上に残っている場合は、“リフト・オブ゛に
より除去する。すなわち、下にある金属層（銅など）が
選択的に化学式エツチングによって下から侵食され、ニ
ッケル・鉄の犠牲層の残りが除去される。
整列状態にあり、余分の犠牲マスク層が表面磁極チップ
の上に残った状態となる。ウェーハには、次に、選択的
な化学式エツチングが施される。これにより、表面磁極
チップから単一金属又は合金の犠牲層が除去される。し
かし、ニッケル・鉄合金の磁極又はギャップ層は侵食さ
れず、薄膜ヘッド構成物は、無傷で残る。複数層の犠牲
マスク内に余分のニッケル・鉄合金の犠牲層が、第１の
金属犠牲層上に残っている場合は、“リフト・オブ゛に
より除去する。すなわち、下にある金属層（銅など）が
選択的に化学式エツチングによって下から侵食され、ニ
ッケル・鉄の犠牲層の残りが除去される。
本発明による別の実施例では、硬化されたフォトレジス
ト表面犠牲層が、標準的な写真石版及びマスキングの技
術を用いて蒸着される。フォトレジスト層は、犠牲ニッ
ケル・鉄合金層に代えて用いられる。フォトレジストは
、現在、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられ、したがって
、フォトレジスト犠牲層は、現在の製造過程に容易に製
造できる。イオン・ミリング処理に続いて、フォトレジ
ストは、フォトレジスト・ストリンパにより剥取られ、
銅の層は既述のように銅のエツチングにより除去される
。銅層の上に残る余分の犠牲マスク・フォトレジストは
“リフト・オフ“′処理により除去される。
ト表面犠牲層が、標準的な写真石版及びマスキングの技
術を用いて蒸着される。フォトレジスト層は、犠牲ニッ
ケル・鉄合金層に代えて用いられる。フォトレジストは
、現在、薄膜磁気ヘッドの製造に用いられ、したがって
、フォトレジスト犠牲層は、現在の製造過程に容易に製
造できる。イオン・ミリング処理に続いて、フォトレジ
ストは、フォトレジスト・ストリンパにより剥取られ、
銅の層は既述のように銅のエツチングにより除去される
。銅層の上に残る余分の犠牲マスク・フォトレジストは
“リフト・オフ“′処理により除去される。
複数金属層の犠牲マスクが好ましいのは、カラーの異な
る第２金属層により終了時点の検知（すなわち、ニッケ
ル・鉄のミリングが完了し、下の銅製カラーマスク層が
見えるようになる）が容易だからである。銅の犠牲層を
カバーするニッケル・鉄合金の第２犠牲層の厚さは、底
部磁極チップの厚さと等しくするか、又は僅かに薄くす
る。また、ニッケル・鉄合金は銅よりミリング速度が遅
いので、マスクの全体厚を低減するのに役立つ。
る第２金属層により終了時点の検知（すなわち、ニッケ
ル・鉄のミリングが完了し、下の銅製カラーマスク層が
見えるようになる）が容易だからである。銅の犠牲層を
カバーするニッケル・鉄合金の第２犠牲層の厚さは、底
部磁極チップの厚さと等しくするか、又は僅かに薄くす
る。また、ニッケル・鉄合金は銅よりミリング速度が遅
いので、マスクの全体厚を低減するのに役立つ。
実施例
次に図面につき、本発明の詳細な説明する。
第１図と第２図には、マルチ・ターンの誘導薄膜磁気ヘ
ッド１０が略示されている。第１図は、薄膜ヘッド１０
の平面図であり、第２図は側断面図である。ヘッド１０
は、磁気薄膜コアの表面磁極１２と底部磁極１４とを有
している。これらの磁極はニッケル・鉄合金を有してい
る。フォトリソグラフィ技術は、磁気コアの双方の磁極
１２．１４の幾何形状を定めるのに用いられる。導電コ
イル１６．１８は、磁極１２．１４の間に延び、絶縁層
２０により磁気コアの磁極１２．１４から電気絶縁され
ている。薄膜ヘッド１０は、Ａ２□Ｏ，−ＴｉＣ等のセ
ラミック・コンパウンドを含む非磁性基板２２とＡＩ！
、２０ｆｆのアンダーコートとの上に蒸着されている。
ッド１０が略示されている。第１図は、薄膜ヘッド１０
の平面図であり、第２図は側断面図である。ヘッド１０
は、磁気薄膜コアの表面磁極１２と底部磁極１４とを有
している。これらの磁極はニッケル・鉄合金を有してい
る。フォトリソグラフィ技術は、磁気コアの双方の磁極
１２．１４の幾何形状を定めるのに用いられる。導電コ
イル１６．１８は、磁極１２．１４の間に延び、絶縁層
２０により磁気コアの磁極１２．１４から電気絶縁され
ている。薄膜ヘッド１０は、Ａ２□Ｏ，−ＴｉＣ等のセ
ラミック・コンパウンドを含む非磁性基板２２とＡＩ！
、２０ｆｆのアンダーコートとの上に蒸着されている。
薄膜ヘッド１０を製造するさい、基板２２とアンダーコ
ート２３の上にヘッド１０を蒸着するのに用いられるい
くつかの別個のパターン転写処理が用いられる。これら
の転写処理には、化学的なエツチング、めっき、スパッ
タが含まれている。
ート２３の上にヘッド１０を蒸着するのに用いられるい
くつかの別個のパターン転写処理が用いられる。これら
の転写処理には、化学的なエツチング、めっき、スパッ
タが含まれている。
代表的なヘッド製造法は、１ダ一ス以上のマスキング・
レベルと３０以上の処理工程を有している。
レベルと３０以上の処理工程を有している。
第３Ａ図から第３■図までは、本発明に用いられる磁極
チップを整列させる複数工程を示したものである。
チップを整列させる複数工程を示したものである。
第３Ａ図は、蒸着処理が行なわれる基板２２とアンダコ
ート２３の断面図を示したものである。
ート２３の断面図を示したものである。
基板２２とアンダコート２３は、通例、薄膜ヘッド１０
に対し極めて大きいので、ヘッド１０の多くの複製は基
板２２とアンダコート２３の全表面を横断して蒸着され
る。基板は、通例、Ａ ｌ ２（１３ＴｉＣの基板２２
とＡＡ２（１３のアンダコート２３を有している。
に対し極めて大きいので、ヘッド１０の多くの複製は基
板２２とアンダコート２３の全表面を横断して蒸着され
る。基板は、通例、Ａ ｌ ２（１３ＴｉＣの基板２２
とＡＡ２（１３のアンダコート２３を有している。
第３Ｂ図は、第３Ａ図の基板２２とアンダコート２３に
、フォトリソグラフィ技術を用いて下方の磁極チップ２
６ （ＮｉＦｅ合金）を蒸着されたところを示した図で
ある。第３Ｂ図から、チップ２６の幅が分かる。
、フォトリソグラフィ技術を用いて下方の磁極チップ２
６ （ＮｉＦｅ合金）を蒸着されたところを示した図で
ある。第３Ｂ図から、チップ２６の幅が分かる。
第３Ｃ図は、下方磁極アンダ２６と、基板２２及びシー
ド層２７を被覆しているギャップ材料層２８とを示した
ものである。シード層２７はニッケル・鉄合金を含んで
いる。シード層はスパッタにより蒸着され、電気蒸着の
ベース層として役立つ。
ド層２７を被覆しているギャップ材料層２８とを示した
ものである。シード層２７はニッケル・鉄合金を含んで
いる。シード層はスパッタにより蒸着され、電気蒸着の
ベース層として役立つ。
第３Ｄ図は、フォトレジストのダム２９が、ギャップ材
料２８とシード層２７に蒸着され、上方の磁極チップ２
４が蒸着される予定の区域が被覆されずに残されている
状態を示したものである。
料２８とシード層２７に蒸着され、上方の磁極チップ２
４が蒸着される予定の区域が被覆されずに残されている
状態を示したものである。
フォトレジスト２９は、標準的なフォトリソグラフィ及
びマスキング技術を用いて蒸着される。次にチップ２４
（ＮｉＦｅを含む）が、フォトレジストのダム２９の
間の、ギヤノブ材料２８とシード層２７が露出している
区域に蒸着される（第３Ｅ図）。
びマスキング技術を用いて蒸着される。次にチップ２４
（ＮｉＦｅを含む）が、フォトレジストのダム２９の
間の、ギヤノブ材料２８とシード層２７が露出している
区域に蒸着される（第３Ｅ図）。
第３Ｆ図は、犠牲マスク層３０．３２を蒸着させたあと
の磁極チップ区域を示したものである。第３Ｆ図には２
つの犠牲マスクが示されているが、本発明では単一の犠
牲層を用いている。本発明の１好適実施例では、犠牲マ
スク層３０は、上方の磁極チップ２４に蒸着（電着法）
された銅の層を有している。次に、犠牲マスク層３２が
銅の犠牲マスク層３０の上に蒸着される。この犠牲マス
ク層には、他の金属又は合金も用いることができる。
の磁極チップ区域を示したものである。第３Ｆ図には２
つの犠牲マスクが示されているが、本発明では単一の犠
牲層を用いている。本発明の１好適実施例では、犠牲マ
スク層３０は、上方の磁極チップ２４に蒸着（電着法）
された銅の層を有している。次に、犠牲マスク層３２が
銅の犠牲マスク層３０の上に蒸着される。この犠牲マス
ク層には、他の金属又は合金も用いることができる。
しかし、好ましいのは銅とニッケル・鉄である。
これは、薄膜ヘッド製造過程と適合するからである。
次ニ、フォトレジストのダム２９は、第３Ｇ図に示され
ているように除去される。１実施例では、ダム区域下の
シード層２７が、スパッタによりエツチングされるが、
ミリングされ、ダム区域下のギャップ層が１０％の希１
１Ｆ（１：１０の重量比）で化学的にエツチングされる
。あるいは又、シード層も化学的にエツチングできる。
ているように除去される。１実施例では、ダム区域下の
シード層２７が、スパッタによりエツチングされるが、
ミリングされ、ダム区域下のギャップ層が１０％の希１
１Ｆ（１：１０の重量比）で化学的にエツチングされる
。あるいは又、シード層も化学的にエツチングできる。
別の実施例では、シード層２７、ギャップ層２８、下方
の磁極２６が、すべて単一工程でミリングされる。シー
ド層２７とギャップ層２８のいずれか一方、又は双方を
化学的にエツチングする利点は、犠牲マスクの厚さを低
減することにある。第３Ｇ図は、イオン・ミリングの作
業を示したものである。この場合、イオンは、帯電グリ
ッドにより加速され、矢印で示したように電極チップ構
成物の表面に衝撃を与える。高エネルギーのイオンは、
まず、ギャップ層２８、下方の電極層２６、表面の犠牲
マスク層３２に当たる。本発明の１好適実施例では、表
面犠牲マスク層３２はニッケル・鉄合金を含んでいる。
の磁極２６が、すべて単一工程でミリングされる。シー
ド層２７とギャップ層２８のいずれか一方、又は双方を
化学的にエツチングする利点は、犠牲マスクの厚さを低
減することにある。第３Ｇ図は、イオン・ミリングの作
業を示したものである。この場合、イオンは、帯電グリ
ッドにより加速され、矢印で示したように電極チップ構
成物の表面に衝撃を与える。高エネルギーのイオンは、
まず、ギャップ層２８、下方の電極層２６、表面の犠牲
マスク層３２に当たる。本発明の１好適実施例では、表
面犠牲マスク層３２はニッケル・鉄合金を含んでいる。
この場合、マスク層３２と下方電極層２６のミリング速
度は、実質的に等しい。ξリング条件は下記の通りであ
る： 電 圧 ８５０ ボルトハ
ックグラウンド圧 ２Ｘ１０−６１−ルアル
ゴンガス圧 ２Ｘ１０−’トル電流密度
０．４５ ｍＡ／ｃｔｄ傾斜角
１５度 銅のミリング速度 ８１０オングストロ一ム／ｍｉｎニ
ッケル・鉄合金の ミリング率 ５（１０オングストロ一ム／ｍｉｎミ
リング時間合計 ５０分下方及び上方の電
極の厚さは２μｍ〜４μｍの範囲で変化する。アルミナ
のギャップ層の厚さは、０．４５μｍ−０，６５μｍの
範囲である。フォトレジストの除去には、ＥＭココ−レ
ーションによるＥＭＴ １３０か、又はアセトンを用い
る。磁極の厚さが２．５μｍで、ギャップ層の厚さが０
．６μｍの場合、銅及びニッケル・鉄合金の犠牲マスク
層の厚さは、それぞれ２μｍと２．５μｍにするのがよ
い。
度は、実質的に等しい。ξリング条件は下記の通りであ
る： 電 圧 ８５０ ボルトハ
ックグラウンド圧 ２Ｘ１０−６１−ルアル
ゴンガス圧 ２Ｘ１０−’トル電流密度
０．４５ ｍＡ／ｃｔｄ傾斜角
１５度 銅のミリング速度 ８１０オングストロ一ム／ｍｉｎニ
ッケル・鉄合金の ミリング率 ５（１０オングストロ一ム／ｍｉｎミ
リング時間合計 ５０分下方及び上方の電
極の厚さは２μｍ〜４μｍの範囲で変化する。アルミナ
のギャップ層の厚さは、０．４５μｍ−０，６５μｍの
範囲である。フォトレジストの除去には、ＥＭココ−レ
ーションによるＥＭＴ １３０か、又はアセトンを用い
る。磁極の厚さが２．５μｍで、ギャップ層の厚さが０
．６μｍの場合、銅及びニッケル・鉄合金の犠牲マスク
層の厚さは、それぞれ２μｍと２．５μｍにするのがよ
い。
銅のマスク層は、メテックス（Ｍｅｔｅｘ） Ｍｕ−Ａ
とＭｕ−Ｂ （マダーミンドＭａｃＤｅｒｍｉｄ社の商
品名）の混合液、すなわち銅の腐食液を用いて、選択的
にエツチングされた。この混合液は、エツチング速度を
緩慢にするため、浄水で希釈する（１ ： １０）。
とＭｕ−Ｂ （マダーミンドＭａｃＤｅｒｍｉｄ社の商
品名）の混合液、すなわち銅の腐食液を用いて、選択的
にエツチングされた。この混合液は、エツチング速度を
緩慢にするため、浄水で希釈する（１ ： １０）。
第３Ｈ図は、イオン・ミリング処理後の磁極チップ構成
物を示している。上方の磁極チップ２４の上には銅の層
３０が残っている。第３Ｈ図に示されているように、稟
リング処理により下方電極２６の、整列していない部分
が除去されたのである。ニッケル・鉄層が残っているよ
うなら、リフト・オフ処理により除去する。この処理で
は、銅の犠牲マスク層３０が、銅腐食液を用いて除去さ
れる。こうすることにより、第３Ｉ図に示した磁極チッ
プ構成物が残される。適当な、選択性の銅腐食液はマク
ダーミッド社製のＭｕ−ＡとＭｕ−Ｂとの混合液（２：
１）である。中性ｐＨの硫酸アンモニウム（１２０ｇ／
ｌ）も、銅腐食液として適当である。
物を示している。上方の磁極チップ２４の上には銅の層
３０が残っている。第３Ｈ図に示されているように、稟
リング処理により下方電極２６の、整列していない部分
が除去されたのである。ニッケル・鉄層が残っているよ
うなら、リフト・オフ処理により除去する。この処理で
は、銅の犠牲マスク層３０が、銅腐食液を用いて除去さ
れる。こうすることにより、第３Ｉ図に示した磁極チッ
プ構成物が残される。適当な、選択性の銅腐食液はマク
ダーミッド社製のＭｕ−ＡとＭｕ−Ｂとの混合液（２：
１）である。中性ｐＨの硫酸アンモニウム（１２０ｇ／
ｌ）も、銅腐食液として適当である。
第３１図は、第１図の３ Ｉ−３Ｉ線に沿った断面図で
ある。
ある。
ギャップ層は、ＨＦ−Ｈ２Ｏ（１： １０ ）を用いて
エツチングにより除去される。このエツチング処理は短
時間なので（約１分から３分）、薄膜ヘット構成物内の
金属、たとえばニッケル・鉄合金は、損傷されない。フ
ォトレジスト・ストリッパは、フォトレジストの除去に
用いる。
エツチングにより除去される。このエツチング処理は短
時間なので（約１分から３分）、薄膜ヘット構成物内の
金属、たとえばニッケル・鉄合金は、損傷されない。フ
ォトレジスト・ストリッパは、フォトレジストの除去に
用いる。
本発明の別の実施例によれば、表面犠牲マスク層は、負
の勾配を生せしめる熱放射又は紫外線放射により固化さ
れたフォトレジストを含んでいる。
の勾配を生せしめる熱放射又は紫外線放射により固化さ
れたフォトレジストを含んでいる。
たとえば、表面磁極チップ厚が２μｍであり、ギャップ
層厚が０．６μｍであれば、銅とフォトレジストの犠牲
層は、それぞれ２μｍと５〜６μｍである。
層厚が０．６μｍであれば、銅とフォトレジストの犠牲
層は、それぞれ２μｍと５〜６μｍである。
底部犠牲マスク層を選択する場合に有用な基準は、次の
通りである： ａ、底部犠牲マスク層は、下の磁極層にニッケル・鉄合
金）とは異なる（すなわち化学的に明瞭に）ものでなけ
ればならない。
通りである： ａ、底部犠牲マスク層は、下の磁極層にニッケル・鉄合
金）とは異なる（すなわち化学的に明瞭に）ものでなけ
ればならない。
ｂ、下の磁極層にニッケル・鉄合金）を侵食しない選択
性化学腐食液を用いねばならない。
性化学腐食液を用いねばならない。
Ｃ９底部犠牲マスク層の材料は、表面磁極層のめっきに
用いたのと同じフォトレジスト・マスクによるめっきと
適合可能なものでなければならない。
用いたのと同じフォトレジスト・マスクによるめっきと
適合可能なものでなければならない。
ｄ、底部犠牲層のめっきに用いる電解液は、表面磁極層
にッケル・鉄合金）と適合性をもつものでなければなら
ず、有意な、もしくは自発的な反応を生じるものであっ
てはならない。
にッケル・鉄合金）と適合性をもつものでなければなら
ず、有意な、もしくは自発的な反応を生じるものであっ
てはならない。
ｅ、緩慢なイオン・ミリング率を有する材料であること
が望ましい。
が望ましい。
ｆ、下の層と異なるカラーを有する底部犠牲マスク層を
用いること。これは、犠牲マスク層のエツチングのさい
、終了時点の検知を容易にするためである。
用いること。これは、犠牲マスク層のエツチングのさい
、終了時点の検知を容易にするためである。
ｇ、薄膜ヘッド製造中に利用可能の材料は、最低限の複
雑さであるのが望ましい。
雑さであるのが望ましい。
連続犠牲マスク層の基準は次の通りである：ａ、単数又
は複数のこの種の層は、下のマスク層と異なる（すなわ
ち化学的に明瞭に）ものでなければならない。
は複数のこの種の層は、下のマスク層と異なる（すなわ
ち化学的に明瞭に）ものでなければならない。
ｂ、単数又は複数の連続的犠牲マスク層の材料は、底部
マスク層をめっきするのに用いたのと同じフォトレジス
ト・マスクによるめっきと適合性を有するものでなけれ
ばならない。
マスク層をめっきするのに用いたのと同じフォトレジス
ト・マスクによるめっきと適合性を有するものでなけれ
ばならない。
Ｃ１単数又は複数の連続的な犠牲マスク層には、下のマ
スク層と有意かつ自発性の反応を生しることのない、適
合性のあるめっき電解液を用いねばならない。
スク層と有意かつ自発性の反応を生しることのない、適
合性のあるめっき電解液を用いねばならない。
ｄ、材料は、緩慢なイオン・ミリング速度を有するもの
であるのが望ましい。
であるのが望ましい。
ｅ、連続的犠牲マスク層は、下のマスク層と異なるカラ
ーを有するようにして、終了時点の検知を容易にする。
ーを有するようにして、終了時点の検知を容易にする。
ｆ、薄膜ヘッド製造の間にすでに利用可能な材料は、最
低限の複雑さであるのが望ましい。
低限の複雑さであるのが望ましい。
本発明を利用することにより、単一金属の、もしくは合
金の犠牲マスク層を、薄膜ヘッドの磁極チップに整列さ
せることができる。多層マスクを用いる場合、余剰マス
ク材料は、化学腐食剤又はリフト・オフ処理により選択
的に除去できる。リフト・オフ処理では、単一金属又は
合金の下方犠牲マスク層が選択的に化学的にエツチング
により除去される。このリフト・オフ処理により、通例
は、磁極ヘッド構成物を損傷せずには除去が難しい犠牲
層の使用が可能となる。
金の犠牲マスク層を、薄膜ヘッドの磁極チップに整列さ
せることができる。多層マスクを用いる場合、余剰マス
ク材料は、化学腐食剤又はリフト・オフ処理により選択
的に除去できる。リフト・オフ処理では、単一金属又は
合金の下方犠牲マスク層が選択的に化学的にエツチング
により除去される。このリフト・オフ処理により、通例
は、磁極ヘッド構成物を損傷せずには除去が難しい犠牲
層の使用が可能となる。
以上、本発明を好適実施例について説明したが、当業者
であれば、本発明の思想と枠を逸脱することなしに、そ
の形状や細部の変更が可能であることが分かるであろう
。たとえば、金属犠牲層は、たとえば、Ｓｎ ｌＺｎ
、 Ｃｄ ＋ Ｉｎ ｌＰｄ 、 Ｏｓ 、 Ｒｈ。
であれば、本発明の思想と枠を逸脱することなしに、そ
の形状や細部の変更が可能であることが分かるであろう
。たとえば、金属犠牲層は、たとえば、Ｓｎ ｌＺｎ
、 Ｃｄ ＋ Ｉｎ ｌＰｄ 、 Ｏｓ 、 Ｒｈ。
ｐｔ及びこれらの合金を用いることが可能である。
第１図は薄膜磁気読出し／書込みヘッドの平面図、第２
図は第１図の薄膜磁気変換器の２−２線断面図、第３Ａ
図、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ図、第３Ｅ図、第３Ｆ
図、第３Ｇ図、第３Ｈ図、第３Ｉ図は、本発明による薄
膜磁気読出し／書込みヘッドの製作工程を示した図であ
る。 １０・・・薄膜磁気ヘッド、１２・・・表面磁極層、１
４・・・底部磁極層、１６．１８・・・導電コイル、２
０・・・絶縁層、２２・・・非磁性基板、２３・・・ア
ンダコート、２４・・・上方の磁極チップ、２６・・・
下方磁極チップ、２７・・・シード層、２８・・・ギャ
ップ材料層、２９・・・フォトレジストのダム、３０．
３２・・・犠牲マスク層。
図は第１図の薄膜磁気変換器の２−２線断面図、第３Ａ
図、第３Ｂ図、第３Ｃ図、第３Ｄ図、第３Ｅ図、第３Ｆ
図、第３Ｇ図、第３Ｈ図、第３Ｉ図は、本発明による薄
膜磁気読出し／書込みヘッドの製作工程を示した図であ
る。 １０・・・薄膜磁気ヘッド、１２・・・表面磁極層、１
４・・・底部磁極層、１６．１８・・・導電コイル、２
０・・・絶縁層、２２・・・非磁性基板、２３・・・ア
ンダコート、２４・・・上方の磁極チップ、２６・・・
下方磁極チップ、２７・・・シード層、２８・・・ギャ
ップ材料層、２９・・・フォトレジストのダム、３０．
３２・・・犠牲マスク層。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （１）基板（２２）上に薄膜磁気ヘッド（１０）を製造
する方法において、基板上に底部磁極層（１４）を蒸着
する工程と、底部磁極層にすきま材料層（２８）を蒸着
する工程と、すきま材料層に上部磁極層を蒸着する工程
と、上部磁極層（２４）に選択的にエッチング可能で、
めっき可能な犠牲マスク層を電気めっきする工程とを有
することを特徴とする基板上への薄膜磁気ヘッドの製法
。 （２）金属の犠牲マスク層（３０）の蒸着に続いて底部
磁極層（１４）をイオン・ミリングする工程を有するこ
とを特徴とする請求項１記載の製法。 （３）底部磁極層（１４）のイオン・ミリング工程に続
いて金属の犠牲マスク層（３０）を選択的に化学的にエ
ッチングする工程を有することを特徴とする請求項２記
載の方法。（４）金属の犠牲マスク層（３０）を蒸着す
る工程が銅の蒸着工程を含むことを特徴とする請求項１
記載の製法。 （５）金属の犠牲マスク層（３０）の蒸着工程が金の蒸
着工程を含むことを特徴とする請求項１記載の製法。 （６）金属の犠牲マスク層（３０）の蒸着工程が亜鉛の
蒸着工程を含むことを特徴とする請求項１記載の製法。 （７）金属の犠牲マスク層（３０）に表面犠牲マスク層
を蒸着する工程を有することを特徴とする請求項１記載
の製法。 （８）表面の犠牲マスク層（３２）の蒸着に続き、底部
磁極層のイオン・ミリング工程を含むことを特徴とする
請求項７記載の製法。 （９）底部磁極層（１４）のイオン・ミリング工程に続
き、選択的に、金属の犠牲マスク層（３０）を化学的に
エッチングする工程を有することを特徴とする請求項８
記載の製法。 （１０）表面の犠牲マスク層（３２）の蒸着工程がニッ
ケル鉄合金を蒸着する工程を含むことを特徴とする請求
項７記載の製法。 （１１）表面の犠牲マスク層（３２）の蒸着工程が、ホ
トレジスト層の蒸着工程を含むことを特徴とする請求項
７記載の製法。 （１２）負の勾配を生じさせるために、ホトレジスト層
の固化を行なうことを特徴とする請求項１１記載の製法
。 （１３）請求項３記載の製法により形成されることを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 （１４）請求項９記載の製法により製造されたことを特
徴とする薄膜磁気ヘッド。 （１５）基板（２２）上に薄膜磁気ヘッド（１０）を製
造する方法において、基板上に底部磁極層を蒸着する工
程と、底部磁極層にすきま材料層（２８）を蒸着する工
程と、すきま材料層にコイル絶縁層を蒸着する工程と、
すきま材料層（２８）に上部磁極層をホトレジスト・マ
スクにより電気めっきする工程と、金属を含む第１の犠
牲マスク層を同じホトレジスト・マスクにより上部磁極
層（１２）の上に電気めっきする工程とを有することを
特徴とする基板上への薄膜磁気ヘッドの製法。 （１６）第１の犠牲マスク層の電気めっきに続いて、ホ
トレジスト・マスクの除去工程と、すきま材料層（２８
）及び底部磁極層（１４）のイオン・ミリング工程とを
有することを特徴とする請求項１５記載の方法。 （１７）ギャップ材料層（２８）と底部磁極層とのイオ
ン・ミリング工程に続いて、第１の犠牲マスク層を選択
的に化学的にエッチングする工程を含むことを特徴とす
る請求項１６記載の製法。 （１８）Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔのグループから成る金属を含む第１犠
牲マスク層を電気めっきする工程が、金属を含む第１犠
牲マスク層の電気めっき工程に含まれることを特徴とす
る請求項１５記載の製法。 （１９）Ｃｕ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｄ、Ｉｎ、Ｐｄ、
Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔのグループから成る合金を含む第１犠
牲マスク層を電気めっきする工程が、金属を含む第１犠
牲マスク層の電気めっき工程に含まれることを特徴とす
る請求項１５記載の製法。 （２０）第１の犠牲マスク層の上に、同じホトレジスト
・マスクにより１つ又は２つ以上の連続的な犠牲マスク
層を電気めっきする工程と、ホトレジスト・マスクを除
去する工程とを有することを特徴とする請求項１５記載
の製法。 （２１）ホトレジスト・マスクを除去する工程に続き、
ギャップ材料層（２８）と底部磁極層とをイオン・ミリ
ングする工程を有することを特徴とする請求項２０記載
の製法。 （２２）Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、
Ｉｎ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔのグループから成る金属
をめっきする工程が、１つ又はそれ以上の連続的な犠牲
マスク層を電気めっきする工程に含まれることを特徴と
する請求項２０記載の製法。 （２３）Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｕ、Ａｕ、Ｚｎ、Ｓｎ、Ｃｄ、
Ｉｎ、Ｐｄ、Ｏｓ、Ｒｈ、Ｐｔのグループから成る合金
のめっき工程が、１つ又は２つ以上の連続的な犠牲マス
ク層の電気めっき工程に含まれることを特徴とする請求
項２０記載の製法。 （２４）ニッケル・鉄の犠牲マスク層の蒸着工程が連続
的な犠牲マスク層の電気めっき工程に含まれることを特
徴とする請求項２０記載の製法。 （２５）犠牲マスク層の電気めっき工程に続いて、ホト
レジスト・マスクの除去工程とすきま層の化学的なエッ
チング工程が行なわれることを特徴とする請求項１５記
載の製法。（２６）ホトレジスト・マスクの除去工程に
続き、すきま層（２８）の化学的なエッチング工程が行
なわれることを特徴とする請求項２０記載の製法。 （２７）すきま材料層（２８）の化学的なエッチング工
程に続いて、底部磁極層（１４）のイオン・ミリング工
程が行なわれることを特徴とする請求項２５又は２６記
載の製法。（２８）底部磁極層（１４）のイオン・ミリ
ング工程に続き、第１の犠牲マスク層に選択的に化学的
なエッチング工程を行なうことを特徴とする請求項２７
記載の製法。 （２９）ＨＦ−Ｈ＿２Ｏによるすきま層（２８）の化学
的エッチング工程が、すきま層の化学的エッチング工程
に含まれていることを特徴とする請求項１５又は２６記
載の製法。（３０）イオン・ミリング工程に続いて、第
１の犠牲マスク層のエッチングによる除去に先立って、
連続的な犠牲マスク層のエッチングによる除去を連続し
て行なう工程を有することを特徴とする請求項２１記載
の製法。 （３１）イオン・ミリング工程に続いて、第１の犠牲マ
スク層のエッチングによる除去に先立って、連続的な犠
牲マスク層のエッチングによる除去を連続して行なう工
程を有することを特徴とする請求項２７記載の製法。 （３２）イオン・ミリングの工程に続いて、第１犠牲マ
スク層を選択的に化学的にエッチングにより除去するこ
とにより、連続的な犠牲マスク層をリフト・オフする工
程を含むことを特徴とする請求項２１記載の製法。 （３３）イオン・ミリング工程に続く第１犠牲マスク層
を選択的にエッチングにより除去することにより、連続
的な犠牲マスク層をリフト・オフする工程を有すること
を特徴とする請求項２７記載の製法。 （３４）連続的な犠牲マスク層蒸着工程が、フォトレジ
スト・マスクを除去して、表面フォトレジスト犠牲マス
ク層を蒸着する工程と、底部磁極層（１４）をイオン・
ミリングする工程とを含むことを特徴とする請求項２０
記載の製法。 （３５）イオン・ミリング工程に続き、表面ホトレジス
ト犠牲マスク層を化学的に除去する工程を有することを
特徴とする請求項２６記載の製法。 （３６）イオン・ミリング工程に続き、第１犠牲マスク
層を選択的に化学的にエッチングにより除去することに
より、表面フォトレジスト犠牲マスク層を除去する工程
を有することを特徴とする請求項２６記載の製法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US480558 | 1990-02-15 | ||
| US07/480,558 US5141623A (en) | 1990-02-15 | 1990-02-15 | Method for aligning pole tips in a thin film head |
Publications (2)
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|---|---|
| JPH03252907A true JPH03252907A (ja) | 1991-11-12 |
| JPH07105004B2 JPH07105004B2 (ja) | 1995-11-13 |
Family
ID=23908427
Family Applications (1)
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Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5141623A (ja) |
| EP (1) | EP0442214B1 (ja) |
| JP (1) | JPH07105004B2 (ja) |
| KR (1) | KR100212386B1 (ja) |
| DE (1) | DE69032936T2 (ja) |
| HK (1) | HK1012463A1 (ja) |
| SG (1) | SG47666A1 (ja) |
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