KR910015969A - 박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법. - Google Patents

박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법. Download PDF

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Abstract

내용 없음

Description

박막 자기헤드내에 자극선단을 정렬시키는 방법.
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제1도는 박막자기해독/기록헤드의 평면도, 제2도는 선 2-2를 따라서 절취한, 박막 자기헤드의 측단면도.

Claims (35)

  1. 기판상에 박막자기헤드를 제조하는 방법으로서 : 기판상에 하부자극층을 증착시키는 단계;하부자극층상에 간극층을 증착시키는 단계; 간극층상에 상부 자극층을 증착시키는 단계; 및 상부자극층상에 선택적으로 에칭 및 도금 가능한 희생마스크층을 전기도금하는 단계;를 구성됨을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  2. 제1항에 있어서, 금속희생 마스크층을 증착시킨후에, 하부자극층을 이온 밀링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  3. 제 2항에 있어서, 하부자극층을 이온 밀링하는 단계후에, 금속희생 마스크층을 선택적으로 화학에칭하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  4. 제 1항에 있어서, 금속희생마스크층을 증착시키는 단계가 구리를 증착시키는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  5. 제 1항에 있어서, 금속희생마스크층을 증착시키는 단계가 금을 증착시키는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  6. 제 1항에 있어서, 금속희생 마스크층을 증착시키는 단계가 아연을 증착시키는것 으로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  7. 제 1항에 있어서, 금속희생마스크층상에 상부희생마스크층을 증착시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  8. 제 7항에 있어서, 상부희생 마스크층을 증착시킨후에 하부 자극층을 이온 밀링시키는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  9. 제8항에 있어서, 하부자극층을 이온밀링시키는 단계후에 금속희생 마스크층을 선택적으로 화학 에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  10. 제 7항에 있어서, 상부희생마스크층을 증착시키는 단계가 니켈-철 합금을 증착시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기 헤드 제조방법.
  11. 제 7항에 있어서, 상부희생마스크층을 증착시키는 단계가 포토레지스트층을 증착시키는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  12. 제 11항에 있어서, 음의 기울기를 유도하기 위해서 포토레지스트층을 교정시키는 것을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  13. 박막자기헤드가 제 3항의 방법에 의해 형성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  14. 기판상에 박막자기헤드를 제조하는 방법으로서 :기판상에 하부자극층을 증착시키는 단계; 하부자극층상에 간극층을 증착시키는 단계;간극층상에 코일 및 절연층을 증착시키는 단계; 간극층상에 포토레지스트 마스크를 통해서 상부 자극층을 전기 도금시키는 단계; 상부 자극층상에 동일한 포토레지스트 마스크를 통해서 금속으로 구성된 제 1 희생마스크층을 전기도금시키는 단계; 로 구성됨을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  15. 제 15항에 있어서, 제 1희생 마스크층을 전기도금시킨후에, 포토레지스트 마스크를 벗겨내는 스트립팽 단계와, 간극층 및 하부자극층을 이온 밀링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  16. 제 16항에 있어서, 간극층 및 하부자극층을 이온밀링 시킨후에 제1 희생마스크층을 선택적으로 화학에 칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  17. 제 15항에 있어서, 금속으로 구성된 제 1희생 마스크층을 전기도금시키는 단계가 Cu, Au, Sn, Zn, Cd, In, Pd, Os, Rh, 및 Pt 이 그룹으로부터의 금속으로 구성된 제 1희생마스크층을 전기도금 시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  18. 제 15항에 있어서, 금속으로 구성된 제 1희생 마스크층을 전기도금시키는 단계가 Cu, Au, Sn, Zn, Cd, In, Pd, Os, Rh, 및 Pt 의 그룹으로부터의 합금으로 구성된 제 1희생마스크층을 전기도금 시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  19. 제 15항에 있어서, 동일 포토레지스트마스크를 통해서 제 1희생마스크층위에 연속적인 하나이상의 상부 희생마스크층을 적기도금시키는 단계와 포토레지스트 마스크로 벗겨내는 스트립핑 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  20. 제 20항에 있어서, 포토레지스트 마스크의 스트립핑 단계후에 간극층 및 하부자극층을 이온밀링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  21. 제 20항에 있어서, 연속적인 하나이상의 상부희생 마스크층이 Ai-Fe, Cu, Au, Zn, Sn, Cd, In, Pd, Os, Rh, 및 Pt 의 그룹으로부터의 금속을 도금시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  22. 제 20항에 있어서, 연속적인 하나이상의 상부희생 마스크층이 Ai-Fe, Cu, Au, Zn, Sn, Cd, In, Pd, Os, Rh, 및 Pt 의 그룹으로부터의금속을 도금시키는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  23. 제 20항에 있어서, 연속적인 상부마스크층을 전기도금 시키는 단계가 니켈-철 희생마스크층을 증착시키는 것으로 구성됨을 특징으로 하는 박막 자기헤드 제조방법.
  24. 제 15항에 있어서, 희생마스크층을 전기도금시키는 단계후에 포토레지스트층을 벗겨내는 스트립핑단계와, 간극층을 화학에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  25. 제 20항에 있어서, 포토레지스트 마스크의 스트립핑 단계후에 간극층을 화학에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  26. 제 25항 또는 제 26항에 있어서, 간극층을 화학에칭한후에 하부작극층을 이온밀링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  27. 제 27항에 있어서, 하부자극층을 이온밀링시키는 단계후에 제 1희생 마스크층을 선택적으로 화학에칭하는단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  28. 제 15항 또는 제 26항에 있어서, 간극층을 화확에칭하는 단계가 간극층을 HF-H2O로 화학에칭하는 단계로 구성됨을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  29. 제 21항에 있어서, 이온밀링 단계후에 제 1희생 마스크층을 에칭하기에 앞서서 연속적인 상부 희생마스크층을 화학에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  30. 제 29항에 있어서, 이온밀링 단계후에 제 1희생 마스크층을 에칭하기에 앞서서 연속적인 상부 희생마스크층을 화학에칭하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  31. 제 21항에 있어서, 이온밀링 단계후에 제 1희생 마스크층을 선택적으로 화학에칭함으로써 연속적인 상부 희생마스크층을 제거하는 리프트-오프단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  32. 제 27항에 있어서, 이온밀링 단계후에 제 1희생 마스크층을 선택적으로 화학에칭함으로써 연속적인 상부 희생마스크층을 제거하는 리프트-오프단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  33. 제 20항에 있어서, 연속적인 상부희생마스크층을 증착시키는 단계가 포토레지스트 마스크의 스트립핑 단계와, 상부 포토레지스트 희생마스크층을 증착시키는 단계로 구성되며, 하부자극층을 이온밀링시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  34. 제 26항에 있어서 이온밀링 단계후에 상부 포토레지스트 희생 마스크층을 화학적으로 벗겨내는 스트립핑 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
  35. 제 26항에 있어서 이온밀링 단계후에 제 1희생 마스크층을 선택적으로 화학에칭함으로써 상부포토레지스트 희생마스크층을 제거하는 리프트-오프단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 박막자기헤드 제조방법.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개되는 것임.
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