JP2595218B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JP2595218B2 JP2595218B2 JP61299111A JP29911186A JP2595218B2 JP 2595218 B2 JP2595218 B2 JP 2595218B2 JP 61299111 A JP61299111 A JP 61299111A JP 29911186 A JP29911186 A JP 29911186A JP 2595218 B2 JP2595218 B2 JP 2595218B2
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- coil
- magnetic head
- conductor coil
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘッドの製造法に係り、特に薄膜磁
気ヘッドのコイル及び絶縁膜の形成に好適な薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
気ヘッドのコイル及び絶縁膜の形成に好適な薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法に関する。
磁気記録においてビット密度とトラック密度を高めて
記録密度を高めるため、薄膜磁気ヘッドが用いられてい
る。第４図に一層スパイラル・マルチターン・コイルを
用いた薄膜磁気ヘッドの代表的な構成図を示す。同図
（ａ）は正面図で、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面の
拡大図である。コイル20はスパイラル状となっており、
その両端はコイル引出し端子25を介して、外部電気回路
と接続される。このコイル20な下部磁性膜21、上部磁性
膜23、ギャップ絶縁層22から成る磁気回路と鎖交してい
る。書込み時には、書込み信号電流がコイル引出し端子
25を介してコイル20を流れ、書込み信号に応じた磁場を
発生させる。すると、コイル20に近接する磁性膜21,23
中に磁束が生じるが、この磁気回路の開口部であるギャ
ップ近傍に漏えい磁束を作ることになり、エアベアリン
グ面24を介して、ギャップに対面する磁性媒体に磁気書
込みを行なう。一方、読み出し時には、磁性媒体に記録
され、漏えいする磁束は、エアベアリング面24を介し
て、上記磁気回路中を貫通し、磁束変化に応じた誘導電
流がコイル中を流れる。
記録密度を高めるため、薄膜磁気ヘッドが用いられてい
る。第４図に一層スパイラル・マルチターン・コイルを
用いた薄膜磁気ヘッドの代表的な構成図を示す。同図
（ａ）は正面図で、同図（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ断面の
拡大図である。コイル20はスパイラル状となっており、
その両端はコイル引出し端子25を介して、外部電気回路
と接続される。このコイル20な下部磁性膜21、上部磁性
膜23、ギャップ絶縁層22から成る磁気回路と鎖交してい
る。書込み時には、書込み信号電流がコイル引出し端子
25を介してコイル20を流れ、書込み信号に応じた磁場を
発生させる。すると、コイル20に近接する磁性膜21,23
中に磁束が生じるが、この磁気回路の開口部であるギャ
ップ近傍に漏えい磁束を作ることになり、エアベアリン
グ面24を介して、ギャップに対面する磁性媒体に磁気書
込みを行なう。一方、読み出し時には、磁性媒体に記録
され、漏えいする磁束は、エアベアリング面24を介し
て、上記磁気回路中を貫通し、磁束変化に応じた誘導電
流がコイル中を流れる。
第５図（１）〜（７）は従来のこのような一層スパイ
ラル・マルチ・ターン・コイルの製造プロセスを示す。
基板１の上に、先ず、下部磁極21を形成し、その上にヘ
ッド・ギャップを形成するためのギャップ絶縁層22を設
け、さらに下部絶縁層２を重ねた上、コイル20をパター
ニングし、これを上部絶縁層６で包んだ後に上部磁極23
を形成するものである。（以上、日経エレクトロニクス
1980年７月７日号110頁〜111頁参照。） コイル20と磁極21,23との電気的絶縁等のために用い
られる上記絶縁層2,6として、フォトレジストを硬化し
たものが用いられていた。しかし、フォトレジストは耐
熱性が悪いという問題がある。そこで、耐熱性を向上さ
せるため、ポリイミド樹脂を絶縁膜に用いた例がアイ・
イー・イー・イー，トランザクション オン マグネテ
ィックス，エム エー ジー15（1979年）第1616頁から
第1618頁（I.E.E.E.Trans.Mag.MAG−15p.1616〜1618（1
979）,M.Hanazono et al.,“Fabrication of8 Turn Mul
ti−track Thin Film Head"）に示されている。
ラル・マルチ・ターン・コイルの製造プロセスを示す。
基板１の上に、先ず、下部磁極21を形成し、その上にヘ
ッド・ギャップを形成するためのギャップ絶縁層22を設
け、さらに下部絶縁層２を重ねた上、コイル20をパター
ニングし、これを上部絶縁層６で包んだ後に上部磁極23
を形成するものである。（以上、日経エレクトロニクス
1980年７月７日号110頁〜111頁参照。） コイル20と磁極21,23との電気的絶縁等のために用い
られる上記絶縁層2,6として、フォトレジストを硬化し
たものが用いられていた。しかし、フォトレジストは耐
熱性が悪いという問題がある。そこで、耐熱性を向上さ
せるため、ポリイミド樹脂を絶縁膜に用いた例がアイ・
イー・イー・イー，トランザクション オン マグネテ
ィックス，エム エー ジー15（1979年）第1616頁から
第1618頁（I.E.E.E.Trans.Mag.MAG−15p.1616〜1618（1
979）,M.Hanazono et al.,“Fabrication of8 Turn Mul
ti−track Thin Film Head"）に示されている。
高密度記録を行なうためには、コイルのターン数を増
やし、また各ヘッドの寸法の縮小が必要となる。したが
ってコイル及びコイル間隙の数が増え、コイル幅及びコ
イルの間隔が狭まる。前記フォトレジストやポリイミド
樹脂はいずれも塗布されるものであるが、コイル間隔が
狭まると、上部絶縁層塗布の際に気泡が抜けにくく、上
部絶縁層中に気泡が残存しやすくなり、磁気ヘッドの信
頼性が低下するという問題があった。
やし、また各ヘッドの寸法の縮小が必要となる。したが
ってコイル及びコイル間隙の数が増え、コイル幅及びコ
イルの間隔が狭まる。前記フォトレジストやポリイミド
樹脂はいずれも塗布されるものであるが、コイル間隔が
狭まると、上部絶縁層塗布の際に気泡が抜けにくく、上
部絶縁層中に気泡が残存しやすくなり、磁気ヘッドの信
頼性が低下するという問題があった。
また、従来は、コイル上面とコイル間との高さの差が
ある部分の上に上部絶縁層を塗布、充填するので、形成
した上部絶縁層の外表面は凹凸が大となる。この凹凸の
大きな表面に上部磁性膜形成すると、膜厚のばらつきが
大きくなり、膜厚が一様にならず、磁気ヘッドの特性劣
化を招くことになる。そこで、従来は上部絶縁層外表面
の平坦化の工程が必要であり、工程が複雑になって経済
性が悪化していた。
ある部分の上に上部絶縁層を塗布、充填するので、形成
した上部絶縁層の外表面は凹凸が大となる。この凹凸の
大きな表面に上部磁性膜形成すると、膜厚のばらつきが
大きくなり、膜厚が一様にならず、磁気ヘッドの特性劣
化を招くことになる。そこで、従来は上部絶縁層外表面
の平坦化の工程が必要であり、工程が複雑になって経済
性が悪化していた。
本発明の目的は、残存気泡がなく、かつ上部絶縁層の
外表面が平坦な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するに
ある。
外表面が平坦な薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供するに
ある。
上記目的を達成するため、本発明の薄膜磁気ヘッドの
製造方法は、複数回巻かれた構造の導体コイルを下部絶
縁膜と上部絶縁膜とで包囲した薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法であって、下部絶縁膜に導体コイルを中に形成す
べき溝を形成し、前記溝の内面にあらかじめ活性化処理
膜を形成するとともに前記内面以外に形成された前記活
性化処理膜を除去した後に、無電解めっきにより前記導
体コイルを前記溝の中に前記下部絶縁膜上面に対して平
坦になるように形成し、前記導体コイル及び前記下部絶
縁膜上に上部絶縁膜を形成することを特徴とする。
製造方法は、複数回巻かれた構造の導体コイルを下部絶
縁膜と上部絶縁膜とで包囲した薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法であって、下部絶縁膜に導体コイルを中に形成す
べき溝を形成し、前記溝の内面にあらかじめ活性化処理
膜を形成するとともに前記内面以外に形成された前記活
性化処理膜を除去した後に、無電解めっきにより前記導
体コイルを前記溝の中に前記下部絶縁膜上面に対して平
坦になるように形成し、前記導体コイル及び前記下部絶
縁膜上に上部絶縁膜を形成することを特徴とする。
まず、外表面の平坦な下部絶縁層を形成する。続い
て、コイル幅、コイル高さ及びコイル間隔に応じた溝を
下部絶縁層外表面に形成する。その溝の中にコイルを形
成する。コイル形成後は、コイル上端と外部絶縁層外表
面とは、ほぼ同一平面上となる。この平坦な外表面上に
上部絶縁層を塗布する。
て、コイル幅、コイル高さ及びコイル間隔に応じた溝を
下部絶縁層外表面に形成する。その溝の中にコイルを形
成する。コイル形成後は、コイル上端と外部絶縁層外表
面とは、ほぼ同一平面上となる。この平坦な外表面上に
上部絶縁層を塗布する。
上部絶縁層はこの平坦な面上に形成するため、塗布の
際に気泡が残りにくく、空隙の少ない上部絶縁層が得ら
れ、また上部絶縁層の外表面は平坦になる。
際に気泡が残りにくく、空隙の少ない上部絶縁層が得ら
れ、また上部絶縁層の外表面は平坦になる。
第１図（１）〜（７）は本発明の絶縁層及びコイルの
製造工程を示すものである。説明の都合上、基板上に形
成されている磁性膜等は図面では基板１に含まれるもの
とし、導体コイル及び導体コイルの埋め込まれる絶縁層
のみ図示してある。
製造工程を示すものである。説明の都合上、基板上に形
成されている磁性膜等は図面では基板１に含まれるもの
とし、導体コイル及び導体コイルの埋め込まれる絶縁層
のみ図示してある。
（１）の工程では基板１の上に下部絶縁膜２を所定膜
厚形成する。
厚形成する。
（２）の工程では下部絶縁膜２の表面にフォトレジス
トパターン３を形成する。
トパターン３を形成する。
（３）の工程ではフォトレジストパターン３をマスク
にして、ドライ法で下部絶縁膜２にコイルに対応した所
定の形状・寸法の溝を形成する。
にして、ドライ法で下部絶縁膜２にコイルに対応した所
定の形状・寸法の溝を形成する。
（４）の工程では無電解めっきの前処理である活性化
処理をする。活性化処理による皮膜４は、溝の内壁のみ
ならず、フォトレジストパターン３の表面にも形成され
る。
処理をする。活性化処理による皮膜４は、溝の内壁のみ
ならず、フォトレジストパターン３の表面にも形成され
る。
（５）の工程ではフォトレジストパターン３を除去す
る。フォトレジストパターン３上に形成されていた活性
化処理による皮膜４も同時に除去される。即ち、活性化
処理による皮膜４は溝の内壁のみに残存する。
る。フォトレジストパターン３上に形成されていた活性
化処理による皮膜４も同時に除去される。即ち、活性化
処理による皮膜４は溝の内壁のみに残存する。
（６）の工程では化学めっき液中に浸漬し、コイルと
しての導体めっき膜５を形成する。活性化処理による皮
膜４は溝の内壁のみに存在するので、めっき膜５は溝の
内壁上で成長し、溝内部を充填する。従って、コイル形
成後は、コイル５の上面とコイル間の部分との高さはほ
ぼ同一となる。
しての導体めっき膜５を形成する。活性化処理による皮
膜４は溝の内壁のみに存在するので、めっき膜５は溝の
内壁上で成長し、溝内部を充填する。従って、コイル形
成後は、コイル５の上面とコイル間の部分との高さはほ
ぼ同一となる。
（７）の工程では、上記の同一高さの面上に上部絶縁
層６を形成する。
層６を形成する。
上記のように（６）の工程でのコイル形成が終った状
態ではコイル５とコイル間の部分との高さはほぼ同一と
なり、平坦な外面を呈しているので、その後の（７）の
工程において上部絶縁層６を形成する際には気泡が存在
することがなくなり、また該上部絶縁層６の外面はほぼ
平坦となる。
態ではコイル５とコイル間の部分との高さはほぼ同一と
なり、平坦な外面を呈しているので、その後の（７）の
工程において上部絶縁層６を形成する際には気泡が存在
することがなくなり、また該上部絶縁層６の外面はほぼ
平坦となる。
次に本発明の実施例を、第２図を用いて説明する。第
２図（１）〜（３）は、基板11上に絶縁膜として有機樹
脂であるポリイミド系樹脂を用い、これにドライ法で溝
形成する工程を示したものである。ここでドライ法とし
ては、プラズマエッチング法やイオンビームエッチング
法などの手法があげられるが、いずれも、溶液を用いた
化学エッチングにより溝を形成する方法に比べパターン
の幅を狭く高密度に導体コイル用溝を形成できるという
特徴がある。
２図（１）〜（３）は、基板11上に絶縁膜として有機樹
脂であるポリイミド系樹脂を用い、これにドライ法で溝
形成する工程を示したものである。ここでドライ法とし
ては、プラズマエッチング法やイオンビームエッチング
法などの手法があげられるが、いずれも、溶液を用いた
化学エッチングにより溝を形成する方法に比べパターン
の幅を狭く高密度に導体コイル用溝を形成できるという
特徴がある。
第２図（１）では基板11上にポリイミド系樹脂12を形
成し、次に、（２）に示すようにフォトレジストパター
ン13を形成する。ここで用いられるフォトレジストとし
ては、パターン精度の良いことから、ノボラック系ポジ
型のフォトレジストを使用することができる。このフォ
トレジストパターンの断面形はポリイミド樹脂に近い方
が広い台形になる。
成し、次に、（２）に示すようにフォトレジストパター
ン13を形成する。ここで用いられるフォトレジストとし
ては、パターン精度の良いことから、ノボラック系ポジ
型のフォトレジストを使用することができる。このフォ
トレジストパターンの断面形はポリイミド樹脂に近い方
が広い台形になる。
このようにして形成したフォトレジストパターンをマ
スクとして、（３）のようにドライ法でポリイミド樹脂
12をエッチングする。この時のエッチング法としては、
O2ガスを用いたイオンビームエッチングがパターン精度
が良く、安定してエッチングできる。この時、ポリイミ
ド樹脂膜がエッチングされると同時に、マスク材として
用いたフォトレジストもエッチングされるので、高さ及
び幅がエッチングに応じて減少する。フォトレジストも
ポリイミド樹脂もほぼ同一のエッチング速度なので、フ
ォトレジストの当初の膜厚はポリイミド樹脂の溝の深さ
よりも厚く形成し、イオンビームエッチング後にもフォ
トレジストがポリイミド樹脂上に残存させるようにす
る。
スクとして、（３）のようにドライ法でポリイミド樹脂
12をエッチングする。この時のエッチング法としては、
O2ガスを用いたイオンビームエッチングがパターン精度
が良く、安定してエッチングできる。この時、ポリイミ
ド樹脂膜がエッチングされると同時に、マスク材として
用いたフォトレジストもエッチングされるので、高さ及
び幅がエッチングに応じて減少する。フォトレジストも
ポリイミド樹脂もほぼ同一のエッチング速度なので、フ
ォトレジストの当初の膜厚はポリイミド樹脂の溝の深さ
よりも厚く形成し、イオンビームエッチング後にもフォ
トレジストがポリイミド樹脂上に残存させるようにす
る。
次に、第２図（４）に示すように無電解めっき法の前
処理としての活性化処理を行なう。
処理としての活性化処理を行なう。
たとえば、 SnCl2−2H2O 40 g/ HCl 20 ml/ の溶液に、基板ごと２分間入れた後に、 PdCl2−2H2O 0.4g/ HCl ４ ml/ の溶液に、基板ごと２分間入れることにより、（４）に
示すように基板表面全面にPdを析出させ、無電解めっき
の活性化処理をする。
示すように基板表面全面にPdを析出させ、無電解めっき
の活性化処理をする。
次に第２図（５）に示すように、フォトレジストを除
去し、同時に、フォトレジスト上のPdを除去することに
より、ポリイミド樹脂の溝の内部にのみ活性化処理によ
り皮膜を残存させる。
去し、同時に、フォトレジスト上のPdを除去することに
より、ポリイミド樹脂の溝の内部にのみ活性化処理によ
り皮膜を残存させる。
次に（６）に示すように、この基板を無電解めっき液
中に入れることにより、活性化処理のされている溝の内
部にコイル導体としての金属膜を選択的に析出させる。
そして、この上に絶縁層を塗布する。（７）は上部絶縁
層の塗布完了時の状態を表わす。
中に入れることにより、活性化処理のされている溝の内
部にコイル導体としての金属膜を選択的に析出させる。
そして、この上に絶縁層を塗布する。（７）は上部絶縁
層の塗布完了時の状態を表わす。
前記の活性化処理により析出させる金属は、Pd以外
に、Au,Ag,Ptなどを用いることができる。特に、ポリイ
ミド樹脂の耐熱性の向上のためにはAu,Pt等の金属が望
ましい。
に、Au,Ag,Ptなどを用いることができる。特に、ポリイ
ミド樹脂の耐熱性の向上のためにはAu,Pt等の金属が望
ましい。
また、活性化処理法として、溶液を用いる方法を述べ
たが、真空蒸着法あるいはスパッタリング法で金属膜を
（４）に示すように基板全面に形成した後、（５）に示
すようにフォトレジストを除去し、溝の内部にのみ活性
化処理の金属膜を残属する方法を採用することもでき
る。この方法によれば、一種類の金属だけを析出させる
のでなく、２種以上の金属膜を積層して活性化処理膜と
して形成することができ、また、10nm以上の厚い膜を形
成することも容易であるので、ポリイミド樹脂が導体コ
イルの金属たとえばCuと反応して耐熱性が劣化するの
を、この活性化処理膜を残存させることにより、防止す
ることができる。
たが、真空蒸着法あるいはスパッタリング法で金属膜を
（４）に示すように基板全面に形成した後、（５）に示
すようにフォトレジストを除去し、溝の内部にのみ活性
化処理の金属膜を残属する方法を採用することもでき
る。この方法によれば、一種類の金属だけを析出させる
のでなく、２種以上の金属膜を積層して活性化処理膜と
して形成することができ、また、10nm以上の厚い膜を形
成することも容易であるので、ポリイミド樹脂が導体コ
イルの金属たとえばCuと反応して耐熱性が劣化するの
を、この活性化処理膜を残存させることにより、防止す
ることができる。
導体コイルの金属膜としては、CuあるいはAuなど比抵
抗の小さい金属が選択されることが望ましい。
抗の小さい金属が選択されることが望ましい。
前述のコイル導体としての金属膜とポリイミド樹脂と
の反応によるポリイミド樹脂の耐熱性劣化を防止する他
の方法としては、活性化処理した溝の中に直接無電解め
っき膜を形成する前に、反応防止層としてのめっき膜を
あらかじめ形成した後に無電解めっき膜を形成する方法
を採ることができる。導体パターンとしての金属膜とし
てCuを用いる場合、反応防止層としてNi,Au,Pt等の、Cu
よりも反応性の小さい金属を用いる。
の反応によるポリイミド樹脂の耐熱性劣化を防止する他
の方法としては、活性化処理した溝の中に直接無電解め
っき膜を形成する前に、反応防止層としてのめっき膜を
あらかじめ形成した後に無電解めっき膜を形成する方法
を採ることができる。導体パターンとしての金属膜とし
てCuを用いる場合、反応防止層としてNi,Au,Pt等の、Cu
よりも反応性の小さい金属を用いる。
また、導体コイル上にポリイミド樹脂を形成する場
合、導体コイル上に直接それを形成すると、導体コイル
とポリイミド樹脂が着接接触してポリイミド樹脂の耐熱
性が劣化するという問題があるので、導体コイルをめっ
きした後、導体コイル上に反応防止層を設けることによ
り、耐熱性の劣化を防止することが可能である。すなわ
ち、第２図（１）〜（５）の工程に沿って導体コイル15
を形成した後に、第３図（ａ）に示すように導体コイル
15の上部外表面上に反応防止層７を形成し、その後に絶
縁層を塗布する。第３図（ｂ）は上部絶縁層６の塗布完
了時の状態を表わす。したがって、コイルが反応防止層
でくるまれた様な構造になる。
合、導体コイル上に直接それを形成すると、導体コイル
とポリイミド樹脂が着接接触してポリイミド樹脂の耐熱
性が劣化するという問題があるので、導体コイルをめっ
きした後、導体コイル上に反応防止層を設けることによ
り、耐熱性の劣化を防止することが可能である。すなわ
ち、第２図（１）〜（５）の工程に沿って導体コイル15
を形成した後に、第３図（ａ）に示すように導体コイル
15の上部外表面上に反応防止層７を形成し、その後に絶
縁層を塗布する。第３図（ｂ）は上部絶縁層６の塗布完
了時の状態を表わす。したがって、コイルが反応防止層
でくるまれた様な構造になる。
ポリイミドに形成された溝中にめっき膜を形成した
時、そのめっき膜の高さはポリイミド樹脂の表面とほぼ
同じにすることが望ましい。このようにすれば上部にポ
リイミド樹脂膜を形成するとき、塗布面の凹凸を小さく
することができるので、上部に形成したポリイミド樹脂
の表面の凹凸を小さくなめらかに形成することができ
る。
時、そのめっき膜の高さはポリイミド樹脂の表面とほぼ
同じにすることが望ましい。このようにすれば上部にポ
リイミド樹脂膜を形成するとき、塗布面の凹凸を小さく
することができるので、上部に形成したポリイミド樹脂
の表面の凹凸を小さくなめらかに形成することができ
る。
以上の実施例においては、絶縁膜としてポリイミド樹
脂を用いて説明してきたが、絶縁膜としては他の有機樹
脂も、その使用条件によっては用いることができる。す
なわち、従来例にあるように絶縁膜としてフォトレジス
トの硬化膜を使用することもできる。
脂を用いて説明してきたが、絶縁膜としては他の有機樹
脂も、その使用条件によっては用いることができる。す
なわち、従来例にあるように絶縁膜としてフォトレジス
トの硬化膜を使用することもできる。
また以上の実施例において、導体コイルは無電解めっ
き法で形成したものを述べたが、活性化処理をした後に
電気めっき用の薄膜の下地膜として活性化処理膜あるい
は活性化処理膜上に形成した無電解めっき膜を使用しま
た電気的接続をすることにより、電気めっき法により導
体コイルを形成することも可能である。
き法で形成したものを述べたが、活性化処理をした後に
電気めっき用の薄膜の下地膜として活性化処理膜あるい
は活性化処理膜上に形成した無電解めっき膜を使用しま
た電気的接続をすることにより、電気めっき法により導
体コイルを形成することも可能である。
〔発明の効果〕 本発明によれば、高密度の導体コイルをその間に気泡
・空隙などなしに絶縁膜で完全に充填することができる
と共に、コイル上に形成する絶縁膜の表面の凹凸も殆ど
なくして平坦にできるので、薄膜磁気ヘッドの特性向
上、信頼性向上が可能となる。
・空隙などなしに絶縁膜で完全に充填することができる
と共に、コイル上に形成する絶縁膜の表面の凹凸も殆ど
なくして平坦にできるので、薄膜磁気ヘッドの特性向
上、信頼性向上が可能となる。
第１図（１）〜（７）は本発明の工程を示す断面図、第
２図（１）〜（７）は本発明実施例の工程を示す断面
図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例の一部
工程を示す断面図、第４図（ａ），（ｂ）は薄膜磁気ヘ
ッドの正面図およびＡ−Ａ断面図、第５図（１）〜
（７）は従来の薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図
である。 １……基板、２……下部絶縁膜、 ３……フォトレジスト、 ４……活性化処理による皮膜、 ５……コイル導体、６……上部絶縁膜、 ７……反応防止層。
２図（１）〜（７）は本発明実施例の工程を示す断面
図、第３図（ａ），（ｂ）は本発明の他の実施例の一部
工程を示す断面図、第４図（ａ），（ｂ）は薄膜磁気ヘ
ッドの正面図およびＡ−Ａ断面図、第５図（１）〜
（７）は従来の薄膜磁気ヘッドの製作工程を示す断面図
である。 １……基板、２……下部絶縁膜、 ３……フォトレジスト、 ４……活性化処理による皮膜、 ５……コイル導体、６……上部絶縁膜、 ７……反応防止層。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川辺 隆 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 吉成 恒男 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 三郎 小田原市国府津2880番地 株式会社日立 製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭60−45921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−156509（ＪＰ，Ａ) 特開 昭59−31041（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−48130（ＪＰ，Ａ)
Claims (4)
- 【請求項１】複数回巻かれた構造の導体コイルを下部絶
縁膜と上部絶縁膜とで包囲した薄膜磁気ヘッドを製造す
る方法であって、下部絶縁膜に導体コイルを中に形成す
べき溝を形成し、前記溝の内面にあらかじめ活性化処理
膜を形成するとともに前記内面以外に形成された前記活
性化処理膜を除去した後に、無電解めっきにより前記導
体コイルを前記溝の中に前記下部絶縁膜上面に対して平
坦になるように形成し、前記導体コイル及び前記下部絶
縁膜上に上部絶縁膜を形成することを特徴とする薄膜磁
気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】前記活性化処理膜を厚目に形成し、これに
より、前記絶縁膜と導体コイルとを分離して該絶縁膜と
導体コイルとの間の反応を防止する特許請求の範囲第１
項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】活性化処理膜を形成した後に、前記絶縁層
と導体コイルとの間の反応防止層として金属膜をめっき
した後に、無電解めっきにより導体コイルを形成する特
許請求の範囲第１項記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】無電解めっきにより導体コイルを形成した
後、その導体コイルの表面に反応防止層を設けることを
特徴とする特許請求の範囲第１項乃至第３項のいずれか
１項に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299111A JP2595218B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61299111A JP2595218B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63152010A JPS63152010A (ja) | 1988-06-24 |
| JP2595218B2 true JP2595218B2 (ja) | 1997-04-02 |
Family
ID=17868267
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61299111A Expired - Lifetime JP2595218B2 (ja) | 1986-12-16 | 1986-12-16 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2595218B2 (ja) |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5931041A (ja) * | 1982-08-13 | 1984-02-18 | Seiko Epson Corp | 薄膜半導体装置 |
| JPS6045921A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS6148130A (ja) * | 1984-08-10 | 1986-03-08 | Fuji Electric Co Ltd | 磁性薄膜形成法 |
| JPS61156509A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘツドのコイルの製作法 |
-
1986
- 1986-12-16 JP JP61299111A patent/JP2595218B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63152010A (ja) | 1988-06-24 |
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