JP2588392B2 - 薄膜磁気ヘツドの製造方法 - Google Patents
薄膜磁気ヘツドの製造方法Info
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- JP2588392B2 JP2588392B2 JP61259198A JP25919886A JP2588392B2 JP 2588392 B2 JP2588392 B2 JP 2588392B2 JP 61259198 A JP61259198 A JP 61259198A JP 25919886 A JP25919886 A JP 25919886A JP 2588392 B2 JP2588392 B2 JP 2588392B2
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は薄膜磁気ヘツドの製造方法に係り、特に薄膜
磁気ヘツドのコイル及び絶縁膜の形成に関する。
磁気ヘツドのコイル及び絶縁膜の形成に関する。
従来の磁気デイスク装置用薄膜磁気ヘツドは、日経エ
レクトロニクス、1980年７月７日号、110頁から111頁に
記述されているように、導体コイルをめつき法により形
成し、絶縁膜を、有機樹脂であるフオトレジストを熱硬
化したもので形成している。このような磁気デイスク装
置用薄膜磁気ヘツドにおいて、高密度磁気記録を達成す
るためには、限られた部分に高密度なコイルを形成する
必要がある。コイルの高密度を達成するには、たとえ
ば、多巻のコイルの各巻のスペース部の距離が２μｍ以
下となるような微細な構造が必要である。この構成の場
合、絶縁膜としてフオトレジストを硬化させたものを使
用しているため、その樹脂の熱流動性等の性質により、
コイル各巻間に形成されたスペース部に樹脂が充填さ
れ、薄膜磁気ヘツドが構成されている。
レクトロニクス、1980年７月７日号、110頁から111頁に
記述されているように、導体コイルをめつき法により形
成し、絶縁膜を、有機樹脂であるフオトレジストを熱硬
化したもので形成している。このような磁気デイスク装
置用薄膜磁気ヘツドにおいて、高密度磁気記録を達成す
るためには、限られた部分に高密度なコイルを形成する
必要がある。コイルの高密度を達成するには、たとえ
ば、多巻のコイルの各巻のスペース部の距離が２μｍ以
下となるような微細な構造が必要である。この構成の場
合、絶縁膜としてフオトレジストを硬化させたものを使
用しているため、その樹脂の熱流動性等の性質により、
コイル各巻間に形成されたスペース部に樹脂が充填さ
れ、薄膜磁気ヘツドが構成されている。
しかしながら、フオトレジストを硬化した膜は耐熱性
が悪いという問題がある。
が悪いという問題がある。
耐熱性を向上させた絶縁膜としてポリイミド系樹脂を
用いた例が、アイ・イー・イー・イー，トランザクシヨ
ン オン マグネチツクス、エムエージー15,第1616頁
〜第1618頁（1979年）（IEEE Trans.Magn,MAG−15,1616
〜1618（1979））に示されている。
用いた例が、アイ・イー・イー・イー，トランザクシヨ
ン オン マグネチツクス、エムエージー15,第1616頁
〜第1618頁（1979年）（IEEE Trans.Magn,MAG−15,1616
〜1618（1979））に示されている。
しかし、本発明者らが検討したところ上記従来技術
は、コイルの高密度化に対する配慮がされておらず、コ
イルのスペース間に気泡なく絶縁層であるポリイミド系
樹脂を充填することは困難となる。樹脂の流動性が悪い
ためである。したがつて、充填残りによる絶縁層内の気
泡により、磁気ヘツドの信頼性を低下するという問題が
あつた。
は、コイルの高密度化に対する配慮がされておらず、コ
イルのスペース間に気泡なく絶縁層であるポリイミド系
樹脂を充填することは困難となる。樹脂の流動性が悪い
ためである。したがつて、充填残りによる絶縁層内の気
泡により、磁気ヘツドの信頼性を低下するという問題が
あつた。
また、コイル及びコイル間に絶縁層を形成するため、
形成した絶縁層の表面にコイルの段差を原因とする絶縁
層の凹凸が生じ、そのままでは、その上部に形成する磁
性膜の磁気特性の劣化を引き起こす。したがつて、上記
従来技術では表面を平坦化する工程が必要となり、工程
が複雑となるという問題がある。
形成した絶縁層の表面にコイルの段差を原因とする絶縁
層の凹凸が生じ、そのままでは、その上部に形成する磁
性膜の磁気特性の劣化を引き起こす。したがつて、上記
従来技術では表面を平坦化する工程が必要となり、工程
が複雑となるという問題がある。
本発明の目的は、コイル線間に絶縁層が確実に充填で
きることにより信頼性が高く、かつ、高密度化された薄
膜磁気ヘツドを簡易な工程で製造することができる方法
を提供することにある。
きることにより信頼性が高く、かつ、高密度化された薄
膜磁気ヘツドを簡易な工程で製造することができる方法
を提供することにある。
上記目的を達成するために本発明は、基板上に絶縁膜
を形成し、前記絶縁膜上に所定形状の導体コイルと同一
パターンのフォトレジストを形成し、前記フォトレジス
トをマスク材としてドライエッチング法により当該絶縁
膜上に前記導体コイルと同一パターンの溝を形成し、前
記フォトレジストを除去し、前記溝内を含む前記絶縁膜
上の全面にめっき法により金属膜を形成し、前記金属膜
の表面をエッチバック法または機械的に研磨することに
より溝内以外の金属膜を除去して溝内に所定形状の導体
コイルを形成し、当該導体コイルを有する前記絶縁膜上
に第２の絶縁膜を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
ある。
を形成し、前記絶縁膜上に所定形状の導体コイルと同一
パターンのフォトレジストを形成し、前記フォトレジス
トをマスク材としてドライエッチング法により当該絶縁
膜上に前記導体コイルと同一パターンの溝を形成し、前
記フォトレジストを除去し、前記溝内を含む前記絶縁膜
上の全面にめっき法により金属膜を形成し、前記金属膜
の表面をエッチバック法または機械的に研磨することに
より溝内以外の金属膜を除去して溝内に所定形状の導体
コイルを形成し、当該導体コイルを有する前記絶縁膜上
に第２の絶縁膜を形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法で
ある。
本発明によれば、絶縁膜上に導体コイルと同一パター
ンの溝を形成した後、フォトレジストを除去し、当該溝
内を含む前記絶縁膜上の全面にめっき法により金属膜を
形成する。その後、その金属膜の表面をエッチバック法
等により研磨することにより溝内以外の金属膜を除去
し、表面を平坦化すると共に、当該溝内に所定形状の導
体コイルを形成するようにしたものである、従って、コ
イル間の絶縁膜中に気泡のない薄膜磁気ヘッドを簡単に
作成することができる。
ンの溝を形成した後、フォトレジストを除去し、当該溝
内を含む前記絶縁膜上の全面にめっき法により金属膜を
形成する。その後、その金属膜の表面をエッチバック法
等により研磨することにより溝内以外の金属膜を除去
し、表面を平坦化すると共に、当該溝内に所定形状の導
体コイルを形成するようにしたものである、従って、コ
イル間の絶縁膜中に気泡のない薄膜磁気ヘッドを簡単に
作成することができる。
更に、エッチバック法等により研磨することにより溝
内以外の金属膜を除去して表面を容易に平坦化すること
ができるので、導体コイルを形成した後にその絶縁膜表
面に第２の絶縁膜を形成するに際し、塗布した第２の絶
縁膜の表面も凹凸がほとんど無い平坦な表面とすること
ができ、次工程でその上に形成される磁性膜の特性を良
好なものに保つことができる。
内以外の金属膜を除去して表面を容易に平坦化すること
ができるので、導体コイルを形成した後にその絶縁膜表
面に第２の絶縁膜を形成するに際し、塗布した第２の絶
縁膜の表面も凹凸がほとんど無い平坦な表面とすること
ができ、次工程でその上に形成される磁性膜の特性を良
好なものに保つことができる。
図面を用いて、本発明に係る実施例について説明す
る。第１図は、本発明における導体コイルの形成に関す
る工程の概略を示したものである。図においては、磁気
ヘツドの断面図を示す。なお、説明上、基板上に形成さ
れている磁性膜等は、図面上の基板１に含まれるものと
し、導体コイル及び導体コイルの埋め込まれる絶縁層を
示してある。工程は次の順序に従う。
る。第１図は、本発明における導体コイルの形成に関す
る工程の概略を示したものである。図においては、磁気
ヘツドの断面図を示す。なお、説明上、基板上に形成さ
れている磁性膜等は、図面上の基板１に含まれるものと
し、導体コイル及び導体コイルの埋め込まれる絶縁層を
示してある。工程は次の順序に従う。
（１）基板１上に絶縁膜２を所定膜厚形成する（第１図
（１））。
（１））。
（２）絶縁膜２上にフオトレジストパターン３を形成す
る。この絶縁膜として有機樹脂又は無機膜を使用するこ
とができる（第１図（２））。
る。この絶縁膜として有機樹脂又は無機膜を使用するこ
とができる（第１図（２））。
（３）フオトレジストパターン３をマスク材にしてドラ
イ法で絶縁膜２上に溝20を形成する（第１図（３））。
この溝は導体コイルのパターンと同一のパターンとなる
ように形成する。
イ法で絶縁膜２上に溝20を形成する（第１図（３））。
この溝は導体コイルのパターンと同一のパターンとなる
ように形成する。
フオトレジストとそのエツチングにより溝20を所望の
形態（大きさ，高さ，厚さ等）にすることができる。機
械的加工により溝20を形成することもできるが、それで
は微細はパターンを形成する上で十分でない。よつて通
常はエツチング加工が望ましい。
形態（大きさ，高さ，厚さ等）にすることができる。機
械的加工により溝20を形成することもできるが、それで
は微細はパターンを形成する上で十分でない。よつて通
常はエツチング加工が望ましい。
（４）フオトレジストを剥離液で除去する（第１図
（４））。
（４））。
（５）絶縁膜２表面全面にめつき下地膜４を形成する
（第１図（５））。
（第１図（５））。
（６）全面にめつき法で導体コイルとなる金属膜５を形
成する（第１図（６））。これにより、溝20中を含み絶
縁膜上すべてに金属膜が形成されるとともに、その表面
の凹凸は絶縁膜の凹凸に比較して小さくなり、平坦にな
る。全面に金属膜５を形成するのは、次の理由による。
溝20内に限定して金属膜を形成することもできるが、そ
れは通常難しい。そこで、後述するように全面に金属膜
を形成し、この金属膜をいわゆるエツチバツク法により
除去して、コイルパターンを形成するようにした。
成する（第１図（６））。これにより、溝20中を含み絶
縁膜上すべてに金属膜が形成されるとともに、その表面
の凹凸は絶縁膜の凹凸に比較して小さくなり、平坦にな
る。全面に金属膜５を形成するのは、次の理由による。
溝20内に限定して金属膜を形成することもできるが、そ
れは通常難しい。そこで、後述するように全面に金属膜
を形成し、この金属膜をいわゆるエツチバツク法により
除去して、コイルパターンを形成するようにした。
（７）この全面をエツチバツクで絶縁層形成部分まで除
去する。かつ溝の上部に形成されている導体の接続部分
を除去して各導体間が金属膜でつながつていないように
し、コイルパターンを形成する（第１図（７））。
去する。かつ溝の上部に形成されている導体の接続部分
を除去して各導体間が金属膜でつながつていないように
し、コイルパターンを形成する（第１図（７））。
（８）このようにして形成した導体コイル上に絶縁膜21
を形成して、導体コイル形成工程を終了する（第１図
（８））。
を形成して、導体コイル形成工程を終了する（第１図
（８））。
以上の工程によれば、めつきした金属膜間（コイル
間）に樹脂を充填させず、溝20内に金属膜を形成してい
るために、樹脂の流動性不良に基づく気泡の巻き込み等
を防止できる。
間）に樹脂を充填させず、溝20内に金属膜を形成してい
るために、樹脂の流動性不良に基づく気泡の巻き込み等
を防止できる。
次に具体的な実施例について説明する。
第２図は、基板１上に絶縁膜２として有機樹脂である
ポリイミド系樹脂を形成した実施例を示す（第２図
（２））。ポリイミド系樹脂として、PIQ（ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン商品名，日立化成株式会
社）を用いた。次いで、ドライ法を用いてコイルを形成
する溝を形成する。ここで、ドライ法とは、プラズマエ
ツチング法やイオンビームエツチング法などの手法があ
げられる。いずれの方法についても、溶液を用いてエツ
チングする化学エツチング法の場合よりもパターン幅を
狭く、また、深く形成することができるので、高密度に
コイルを形成することができるという特徴がある。
ポリイミド系樹脂を形成した実施例を示す（第２図
（２））。ポリイミド系樹脂として、PIQ（ポリイミド
イソインドロキナゾリンジオン商品名，日立化成株式会
社）を用いた。次いで、ドライ法を用いてコイルを形成
する溝を形成する。ここで、ドライ法とは、プラズマエ
ツチング法やイオンビームエツチング法などの手法があ
げられる。いずれの方法についても、溶液を用いてエツ
チングする化学エツチング法の場合よりもパターン幅を
狭く、また、深く形成することができるので、高密度に
コイルを形成することができるという特徴がある。
第２図（１）は、基板１上にPIQからなる絶縁膜を形
成している。次に、（２）に示すようにフオトレジスト
パターン３を形成する。ここに用いられるフオトレジス
トとしては、パターン精度の良いことから、ノボラツク
系ポジ型のフオトレジストであるマイクロポジツト1300
（商品名，ジプレイフアースト株式会社）を使用するこ
とができるが、このフオトレジストパターンの断面形状
では絶縁膜２表面に近い方が幅の広い台形になる。
成している。次に、（２）に示すようにフオトレジスト
パターン３を形成する。ここに用いられるフオトレジス
トとしては、パターン精度の良いことから、ノボラツク
系ポジ型のフオトレジストであるマイクロポジツト1300
（商品名，ジプレイフアースト株式会社）を使用するこ
とができるが、このフオトレジストパターンの断面形状
では絶縁膜２表面に近い方が幅の広い台形になる。
このようにして形成したフオトレジストパターン３を
マスクとして、ドライ法でPIQをエツチングする。この
時のエツチング法としては、O2ガスを用いたイオンビー
ムエツチングがパターン精度が良く、安定してエツチン
グできる。この時、PIQ膜がエツチングされると同時に
マスク材として用いられるフオトレジストもエツチング
されるので、高さ及び幅が減少する（第２図（３））。
フオトレジストもPIQも同時にエツチングされるので、
フオトレジストの当初の膜厚を、絶縁膜の溝20の深さよ
りも厚く形成して、イオンビームエツチング後にもフオ
トレジストが絶縁膜２上に残存させる膜厚とする。続い
て、フオトレジスト22だけをフオトレジスト剥離液で除
去し、絶縁膜２上にコイルを形成する溝20を形成する
（第２図（４））。
マスクとして、ドライ法でPIQをエツチングする。この
時のエツチング法としては、O2ガスを用いたイオンビー
ムエツチングがパターン精度が良く、安定してエツチン
グできる。この時、PIQ膜がエツチングされると同時に
マスク材として用いられるフオトレジストもエツチング
されるので、高さ及び幅が減少する（第２図（３））。
フオトレジストもPIQも同時にエツチングされるので、
フオトレジストの当初の膜厚を、絶縁膜の溝20の深さよ
りも厚く形成して、イオンビームエツチング後にもフオ
トレジストが絶縁膜２上に残存させる膜厚とする。続い
て、フオトレジスト22だけをフオトレジスト剥離液で除
去し、絶縁膜２上にコイルを形成する溝20を形成する
（第２図（４））。
この時、マスク材としてフオトレジストのみを使う
と、エツチング中にフオトレジストの側壁も同時にエツ
チングされるため、絶縁膜２中の溝20の断面形状は第２
図（４）に示すようにテーパのついた形状となる。した
がつて、高密度のコイルを形成するには困難である場合
を生じる。すなわち、高密度コイルパターンを形成する
場合は、隣接する溝どおしがつながつてしまうこともあ
る。
と、エツチング中にフオトレジストの側壁も同時にエツ
チングされるため、絶縁膜２中の溝20の断面形状は第２
図（４）に示すようにテーパのついた形状となる。した
がつて、高密度のコイルを形成するには困難である場合
を生じる。すなわち、高密度コイルパターンを形成する
場合は、隣接する溝どおしがつながつてしまうこともあ
る。
そこで、絶縁膜の断面形状のテーパ角を立てることに
より、高密度コイルを形成するためには、フオトレジス
トをマスクとするだけでなく、金属膜をマスクとして絶
縁膜２をエツチングする方法が良い。第３図にその一例
を示す。第３図（１）の絶縁膜上に金属膜14を形成し、
その上にフオトレジストパターン３を形成する。第３図
（２）に示すようにこのフオトレジストパターンをマス
クとして、最初にマスクとする金属膜14をエツチングす
る。絶縁膜２をドライ法でエツチングする場合、有機膜
であるPIQをエツチングするための、O2ガスを用いたイ
オンビームエツチング法を用いることが、パターン精度
を良くするために有効な方法である。この時のマスク材
としての金属膜14としては、耐酸素イオンビームエツチ
ング性の高いクロム，モリブデン，ニツケル等，各種の
金属を用いることができる。
より、高密度コイルを形成するためには、フオトレジス
トをマスクとするだけでなく、金属膜をマスクとして絶
縁膜２をエツチングする方法が良い。第３図にその一例
を示す。第３図（１）の絶縁膜上に金属膜14を形成し、
その上にフオトレジストパターン３を形成する。第３図
（２）に示すようにこのフオトレジストパターンをマス
クとして、最初にマスクとする金属膜14をエツチングす
る。絶縁膜２をドライ法でエツチングする場合、有機膜
であるPIQをエツチングするための、O2ガスを用いたイ
オンビームエツチング法を用いることが、パターン精度
を良くするために有効な方法である。この時のマスク材
としての金属膜14としては、耐酸素イオンビームエツチ
ング性の高いクロム，モリブデン，ニツケル等，各種の
金属を用いることができる。
このように金属膜パターンを形成した後、第３図
（３）のようにO2ガスイオンビームエツチング法を用い
て、絶縁膜に溝20を形成し、その後、残存したフオトレ
ジスト及びマスク材の金属膜を除去することにより、第
３図（４）に示すように絶縁膜上に溝を形成する。
（３）のようにO2ガスイオンビームエツチング法を用い
て、絶縁膜に溝20を形成し、その後、残存したフオトレ
ジスト及びマスク材の金属膜を除去することにより、第
３図（４）に示すように絶縁膜上に溝を形成する。
次に、第４図に示すように、PIQ上に形成された溝の
中にコイルを形成する。
中にコイルを形成する。
電気めつき法でコイルの金属膜を形成する方法につい
て述べる。第４図（１）に示すように、溝を形成したPI
Qから絶縁膜上全面にめつき下地膜４を形成する。
て述べる。第４図（１）に示すように、溝を形成したPI
Qから絶縁膜上全面にめつき下地膜４を形成する。
めつき下地膜はPIQと、導体コイルとなる金属膜との
密着性が悪いため、金属膜をめっき下地膜を介してPIQ
に接着させるために設けるものである。このめっき下地
膜は、例えば、CrをPIQ（基板）上に蒸着法である例え
ばスパッタリング法を用いて蒸着し、続いて、CuをCrの
上に蒸着法である例えばスパッタリング法を用いて蒸着
することにより形成する。この時Crは、PIQとCuとを接
着させ、また、CuはCrと導体コイルとなる金属膜とを接
着させるためのものである。めっき下地膜の内、前者の
ものとして、Crの他、Ti,Ni,Mo,Ta等を用いることがで
きる。また、めっき下地膜の内、後者のものとして、Cu
の他、Ni,Au等を用いることができる。
密着性が悪いため、金属膜をめっき下地膜を介してPIQ
に接着させるために設けるものである。このめっき下地
膜は、例えば、CrをPIQ（基板）上に蒸着法である例え
ばスパッタリング法を用いて蒸着し、続いて、CuをCrの
上に蒸着法である例えばスパッタリング法を用いて蒸着
することにより形成する。この時Crは、PIQとCuとを接
着させ、また、CuはCrと導体コイルとなる金属膜とを接
着させるためのものである。めっき下地膜の内、前者の
ものとして、Crの他、Ti,Ni,Mo,Ta等を用いることがで
きる。また、めっき下地膜の内、後者のものとして、Cu
の他、Ni,Au等を用いることができる。
このめっき下地膜上に導体金属例えばCuを電気めつき
する。Cuの他、Au,Niであっても良い。
する。Cuの他、Au,Niであっても良い。
金属膜５すなわちめっき膜形成の時、このめつき膜
（Cu膜）のつきまわりによりPIQの溝20の段差に比較し
て金属膜５の表面の凹凸を小さくすることができる。次
に、このめつき膜全体をエッチバックする。すなわち、
第４図（３）に示すように、絶縁層表面23が現われるま
で金属全面をエッチングし、コイルの相互間が絶縁さ
れ、また、表面が平坦化されるようにする。最後にPIQ
膜を表面に形成し、コイルパターンの形成を終わる。こ
の時、コイル上面と絶縁層表面23との間が平坦化されて
いるので、上部に形成したPIQの表面は平坦に形成さ
れ、後工程でその上に形成される磁性膜の磁気特性の劣
化を防止することができる。
（Cu膜）のつきまわりによりPIQの溝20の段差に比較し
て金属膜５の表面の凹凸を小さくすることができる。次
に、このめつき膜全体をエッチバックする。すなわち、
第４図（３）に示すように、絶縁層表面23が現われるま
で金属全面をエッチングし、コイルの相互間が絶縁さ
れ、また、表面が平坦化されるようにする。最後にPIQ
膜を表面に形成し、コイルパターンの形成を終わる。こ
の時、コイル上面と絶縁層表面23との間が平坦化されて
いるので、上部に形成したPIQの表面は平坦に形成さ
れ、後工程でその上に形成される磁性膜の磁気特性の劣
化を防止することができる。
第４図（３）に示したエツチバツク法について以下に
説明する。
説明する。
ドライ法によるエツチバツクとしては、スパツタエツ
チング法あるいは、イオンビームエツチング法が用いら
れる。エツチバツグ法は、第４図に説明したように、金
属膜表面を平坦になるまで形成した上で、全面をエツチ
ングして後退させることである。しかしながら、金属膜
５表面が平坦になるまで金属膜を形成するには、金属膜
を厚く形成する必要がある。金属膜を厚くしないですむ
方法としては、第５図に示す方法がある。すなわち第５
図（１）に示すように金属膜５表面の凹凸があつても、
その上に流動性の良い有機樹脂17を積層形成して、第５
図（２）に示すように全面を平坦化し、その後、全面を
エツチバツクすることにより第５図（３）に示すように
絶縁膜に埋め込まれたコイルの表面を平坦に作ることが
できる。この時、塗布した有機樹脂の平坦性をそのまま
コイル形成まで転写するには、有機樹脂と金属膜とのエ
ツチング速度を同等にすることが良い。
チング法あるいは、イオンビームエツチング法が用いら
れる。エツチバツグ法は、第４図に説明したように、金
属膜表面を平坦になるまで形成した上で、全面をエツチ
ングして後退させることである。しかしながら、金属膜
５表面が平坦になるまで金属膜を形成するには、金属膜
を厚く形成する必要がある。金属膜を厚くしないですむ
方法としては、第５図に示す方法がある。すなわち第５
図（１）に示すように金属膜５表面の凹凸があつても、
その上に流動性の良い有機樹脂17を積層形成して、第５
図（２）に示すように全面を平坦化し、その後、全面を
エツチバツクすることにより第５図（３）に示すように
絶縁膜に埋め込まれたコイルの表面を平坦に作ることが
できる。この時、塗布した有機樹脂の平坦性をそのまま
コイル形成まで転写するには、有機樹脂と金属膜とのエ
ツチング速度を同等にすることが良い。
例えば、金属膜としてCuを用い、絶縁膜としてPIQを
用いたエツチング速度について説明する。第６図には、
イオンビームエツチング法、反応ガスとしてアルゴンと
酸素の混合ガスを用いた場合のCuとPIQのエツチング速
度の差を示す。
用いたエツチング速度について説明する。第６図には、
イオンビームエツチング法、反応ガスとしてアルゴンと
酸素の混合ガスを用いた場合のCuとPIQのエツチング速
度の差を示す。
第６図によれば、酸素量が増すに従い、PIQのエツチ
ング速度が増加し、Cuのエツチング速度が低下して、Cu
とPIQのエツチング速度とを一定とすることができる。
このような条件を選定することにより、エツチバツク後
の表面を平坦にすることができる。
ング速度が増加し、Cuのエツチング速度が低下して、Cu
とPIQのエツチング速度とを一定とすることができる。
このような条件を選定することにより、エツチバツク後
の表面を平坦にすることができる。
エツチバツク法以外の他の方法として、機械的に研磨
する方法も考えることができる。例えば、第７図（１）
に示すように、表面の凹凸のある金属面でも、基板表面
を研摩することにより、第７図（２）に示すように金属
膜表面を平坦にでき、さらに第７図（３）に示すよう
に、絶縁層表面23が現われるまで研摩することにより、
導体コイル24を完成することができる。この方法によれ
ば、ドライ法等の真空装置を用いることによる工程数の
増加及び製造コスト高をさけることができるという効果
がある。
する方法も考えることができる。例えば、第７図（１）
に示すように、表面の凹凸のある金属面でも、基板表面
を研摩することにより、第７図（２）に示すように金属
膜表面を平坦にでき、さらに第７図（３）に示すよう
に、絶縁層表面23が現われるまで研摩することにより、
導体コイル24を完成することができる。この方法によれ
ば、ドライ法等の真空装置を用いることによる工程数の
増加及び製造コスト高をさけることができるという効果
がある。
以上述べた本実施例では、絶縁膜２として有機樹脂を
用いた例を述べたが、同様に溝を形成するエツチング条
件及びエツチバツクに用いられるエツチング方法を選定
することにより無機膜を用いることができる。
用いた例を述べたが、同様に溝を形成するエツチング条
件及びエツチバツクに用いられるエツチング方法を選定
することにより無機膜を用いることができる。
第４図に示したように、金属膜５の形成法としては電
気めつき法を用いたが、他の方法も可能である。例え
ば、第８図に示すように、化学めつき法で金属膜５を形
成して、導体コイル24を形成することが可能である。
気めつき法を用いたが、他の方法も可能である。例え
ば、第８図に示すように、化学めつき法で金属膜５を形
成して、導体コイル24を形成することが可能である。
第８図（１）に示すように、溝20を形成した絶縁膜２
の表面全体に化学めつき膜を形成するための活性化処理
をほどこす。この処理の一例を次に示す。
の表面全体に化学めつき膜を形成するための活性化処理
をほどこす。この処理の一例を次に示す。
SnCl2・2H2O 40g/ HCl 20ml/ の溶液に２分間浸した後、 PdCl2・2H2O 0.4g/ HCl 4ml/ の溶液に２分間浸すことにより、絶縁膜２の表面全面に
Pd25を析出させる。ここでは、Pdを析出させる活性化処
理をしたが、他にAu,Ag,Ptなどの金属を用いることがで
きる。
Pd25を析出させる。ここでは、Pdを析出させる活性化処
理をしたが、他にAu,Ag,Ptなどの金属を用いることがで
きる。
このようにして活性化処理をほどこした基板を化学銅
めつき液中に浸すことにより、活性化処理のほどこされ
た絶縁膜表面全面に銅めつき膜５を形成することが可能
である。もちろん化学銅めつきだけでなく、化学めつき
である金属であれば、銅に限らず金，ニツケル等のどん
な金属を用いることも可能である。
めつき液中に浸すことにより、活性化処理のほどこされ
た絶縁膜表面全面に銅めつき膜５を形成することが可能
である。もちろん化学銅めつきだけでなく、化学めつき
である金属であれば、銅に限らず金，ニツケル等のどん
な金属を用いることも可能である。
この方法によれば、電気めつきのように基板上に電気
を与えるための端子を形成する必要がなく活性化処理を
すれば、どんな部分にでも導体コイルを形成することが
可能である。
を与えるための端子を形成する必要がなく活性化処理を
すれば、どんな部分にでも導体コイルを形成することが
可能である。
また、他の方法として、前記したとおり、真空蒸着法
やスパツタリング法を用いる方法がある。この方法を用
いた場合、絶縁膜表面の凹凸は、上記しためつき法の場
合のようには小さくならないので、エツチバツク法とし
ては、第５図で示したように有機樹脂で平坦化する方法
を採ることが望ましい。
やスパツタリング法を用いる方法がある。この方法を用
いた場合、絶縁膜表面の凹凸は、上記しためつき法の場
合のようには小さくならないので、エツチバツク法とし
ては、第５図で示したように有機樹脂で平坦化する方法
を採ることが望ましい。
本発明によれば、薄膜磁気ヘツドの高密度の導体コイ
ルを形成する際に、絶縁膜中にコイル間に気泡が取り込
まれるのを防止することによつて、磁気ヘツドの信頼性
の低下を防止することができる。さらに、コイル上に形
成する絶縁膜の表面の凹凸をも小さくすることができる
ので、後工程でその上に形成する磁性膜の磁気特性の劣
化を防止することができ、高密度化された薄膜磁気ヘツ
ドの特性の向上と信頼性の向上を簡易な工程で達成でき
るという効果を有する。
ルを形成する際に、絶縁膜中にコイル間に気泡が取り込
まれるのを防止することによつて、磁気ヘツドの信頼性
の低下を防止することができる。さらに、コイル上に形
成する絶縁膜の表面の凹凸をも小さくすることができる
ので、後工程でその上に形成する磁性膜の磁気特性の劣
化を防止することができ、高密度化された薄膜磁気ヘツ
ドの特性の向上と信頼性の向上を簡易な工程で達成でき
るという効果を有する。
第１図は本発明にかかる薄膜磁気ヘツドの製造方法の一
実施例を示す概略工程図、第２図ないし第５図は本発明
にかかる薄膜磁気ヘツドの製造方法の具体的実施例を示
す工程図、第６図はAr−O2の混合割合と絶縁膜のエツチ
ング速度との関係を示すグラフ、第７図は本発明にかか
る薄膜磁気ヘツドの製造方法の具体的実施例を示す工程
図、第８図は他の具体的実施例を示す工程図である。 １……基板、２……絶縁膜、３……フオトレジストパタ
ーン、４……めつき下地膜、５……金属膜。
実施例を示す概略工程図、第２図ないし第５図は本発明
にかかる薄膜磁気ヘツドの製造方法の具体的実施例を示
す工程図、第６図はAr−O2の混合割合と絶縁膜のエツチ
ング速度との関係を示すグラフ、第７図は本発明にかか
る薄膜磁気ヘツドの製造方法の具体的実施例を示す工程
図、第８図は他の具体的実施例を示す工程図である。 １……基板、２……絶縁膜、３……フオトレジストパタ
ーン、４……めつき下地膜、５……金属膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 川辺 隆 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 ▲吉▼成 恒男 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 華園 雅信 日立市久慈町4026番地 株式会社日立製 作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 三郎 小田原市国府津2880番地 株式会社日立 製作所小田原工場内 (56)参考文献 特開 昭60−45921（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−19716（ＪＰ，Ａ) 特開 昭61−156509（ＪＰ，Ａ)
Claims (1)
- 【請求項１】基板上に絶縁膜を形成し、 前記絶縁膜上に所定形状の導体コイルと同一パターンの
フォトレジストを形成し、 前記フォトレジストをマスク材としてドライエッチング
法により当該絶縁膜上に前記導体コイルと同一パターン
の溝を形成し、 前記フォトレジストを除去し、 前記溝内を含む前記絶縁膜上の全面にめっき法により金
属膜を形成し、 前記金属膜の表面をエッチバック法または機械的に研磨
することにより溝内以外の金属膜を除去して溝内に所定
形状の導体コイルを形成し、 当該導体コイルを有する前記絶縁膜上に第２の絶縁膜を
形成する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259198A JP2588392B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61259198A JP2588392B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63113812A JPS63113812A (ja) | 1988-05-18 |
| JP2588392B2 true JP2588392B2 (ja) | 1997-03-05 |
Family
ID=17330742
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61259198A Expired - Lifetime JP2588392B2 (ja) | 1986-10-30 | 1986-10-30 | 薄膜磁気ヘツドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2588392B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2995170B2 (ja) | 1998-03-12 | 1999-12-27 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| JP3415432B2 (ja) | 1998-03-31 | 2003-06-09 | ティーディーケイ株式会社 | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |
| KR100378541B1 (ko) * | 2001-06-27 | 2003-04-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고효율의 코일 제조방법 |
| JP2004355669A (ja) | 2003-05-27 | 2004-12-16 | Hitachi Ltd | 磁気記録ヘッド及びその製造方法 |
| US7275306B2 (en) | 2003-12-12 | 2007-10-02 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Damascene method for forming write coils of magnetic heads |
| JP2005191408A (ja) * | 2003-12-26 | 2005-07-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コイル導電体とその製造方法およびこれを用いた電子部品 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5819716A (ja) * | 1981-07-27 | 1983-02-04 | Hitachi Ltd | 薄膜磁気ヘツドおよびその製造方法 |
| JPS6045921A (ja) * | 1983-08-23 | 1985-03-12 | Nec Kansai Ltd | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
| JPS61156509A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-16 | Victor Co Of Japan Ltd | 薄膜磁気ヘツドのコイルの製作法 |
-
1986
- 1986-10-30 JP JP61259198A patent/JP2588392B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS63113812A (ja) | 1988-05-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| EXPY | Cancellation because of completion of term |