JPH09153406A - 平面コイルおよびそれを用いた平面磁気素子およびそれらの製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子機器の電源部に必須であるインダクタや
トランス等の磁気部品については小型化のため、平面コ
イルを適用した磁気素子が用いられているが、小型化の
要求を全て満足するまでには至っていない。 【解決手段】 絶縁性支持体に導体を渦巻状に形成して
なる平面コイルであって、コイルを構成する導体の絶縁
性支持体に接する基部の幅をその表面部の幅より小さく
して構成した平面コイルである。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、絶縁性支持体に薄
膜形成技術等を用いて渦巻き状の導体を形成した平面コ
イルおよびそれを用いた平面磁気素子およびそれらの製
造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、各種電子機器の小型化が盛んに進
められているが、電子機器の電源部の小型化はそれに比
較して遅れている。このため、電源部が機器全体に占め
る容積比率は増大する傾向にある。電子機器の小型化は
各種回路のＬＳＩ化により進んでいるが、電源部に必須
であるインダクタやトランス等の磁気部品については小
型化・集積化が遅れており、このことが機器全体の小型
化を阻害する要因となっている。

【０００３】このような課題を解決するために、平面コ
イル状の導体と磁性膜とを組み合わせた平面型のインダ
クタ等の平面磁気素子が提案されその高性能化の検討が
進められている。平面コイル状の導体で構成されるイン
ダクタ素子等は、絶縁性支持体に薄膜形成技術や厚膜形
成技術を用いて導体を形成するもので、導線を巻回して
形成するインダクタ素子に比べ、小型化や薄型化が容易
である。また、集積回路の製造技術を用いて形成するた
めに、集積回路と組合わせて実装する際の整合性が良
い。

【０００４】このようなインダクタ素子等においては、
電源回路等の比較的大電流を流す回路に用いる場合が多
く直流抵抗の低いことが望ましい。そのため、インダク
タ素子等の主要部分であるコイル状の導体の厚みは数１
０μｍ以上に厚くすることが行われている。導体の材料
としては体積抵抗率の低いＣｕが多く用いられる。この
ような厚みの大きな配線パターンを作る方法としては、
レジスト被覆部分を除き選択的にＣｕを成長させる事の
できるＣｕ電解メッキ技術がー般的に多く用いられてい
る。そのため、インダク夕素子等のコイル状の導体形成
にもＣｕ電解メッキ技術が採用されている。

【０００５】図３により、従来技術での平面インダクタ
または平面トランスのコイルとなる厚膜導体を形成する
工程を説明する。なお、この工程のレジストは全てポジ
型レジストを使用した場合である。まず、絶縁性の支持
基板３１上に、付着力改善用の下層金属膜３２と上層金
属膜３３を積層して形成する（図３（ａ））。上層金属
膜３３の材料としては、後工程のメッキと同じ材料のＣ
ｕを用いるのがー般的である。次に、厚膜導体の厚みと
同程度のレジスト膜３４を形成する。その後メッキ部分
に対応するレジスト膜３４を除去するため、メッキしな
い部分はマスク３５で遮光して露光を行なう（図３
（ｂ））。露光の際には紫外線などの平行光３６を用い
るが、平行光３６であってもレジスト膜３４の側面は光
の回折や散乱が発生するため、現像すると図３（ｃ）に
示すように順テーパの形状となる。この傾向はレジスト
膜が厚くなるほど顕著に現われる。−般的には、レジス
ト膜３４下部の幅がほぼ遮光したマスク３５の幅とな
り、レジスト膜３４の上部の幅がマスク３５より狭くな
る。

【０００６】その後、積層した下層金属膜３２と上層金
属膜３３をＣｕ電解メッキのメッキ電極３７としてメッ
キを行う。レジスト膜３４を除去した部分に電解メッキ
によりＣｕの厚膜導体３８を形成する（図３（ｄ））。
横方向のメッキ成長はレジスト膜３４によって制限され
るため、厚膜導体３８の側面はレジスト膜３４とは逆の
テーパとなる。次いでレジスト膜３４を剥離するが隣接
する厚膜導体３８間はメッキ電極３７であった下層金属
膜３２と上層金属膜３３によって短絡しているため（図
３（ｅ））、厚膜導体３８間の金属膜３２、３３の除去
を行う。まず、厚膜導体３８の側面を被覆するレジスト
膜３９を形成した後（図３（ｆ））、厚膜導体３８部分
をマスク４０で遮光してレジスト膜３９を露光する（図
３（ｇ））。露光により厚膜導体３８の上面と側面を覆
うレジスト膜３９が残る（図３（ｈ））。なお、このレ
ジスト膜３９の側面も、メッキ用のレジスト形成と同じ
様に光の回折や散乱のため順テーパとなる。

【０００７】その後、レジスト膜３９に覆われていない
厚膜導体３８間部分の上層金属膜３３をエッチングで除
去し（図３（ｉ））、さらに下層金属膜３２もエッチン
グで除去する（図３（ｊ））。最後にレジスト膜３９を
剥離する事で隣接する厚膜導体間が短絡していない厚膜
導体３８が形成され（図３（ｋ））、コイルとして完成
する。以上に示すように、レジスト膜はいずれも側面が
順テーパとなるため、レジスト膜の厚さが大きい場合
は、順テーパによる寸法上の余裕を大きく確保する必要
があった。このことが、従来技術で厚膜導体を形成する
場合での、設計上の問題となっていた。

【０００８】ここで、厚膜導体下部の間隔について図４
により説明する。厚膜導体３８下部の間隔Ａには、メッ
キ用レジスト膜のテーパによる厚膜導体上部の拡大幅Ｂ
と、厚膜導体間エッチング保護用のレジスト膜のテーパ
によるレジスト膜下部の拡大幅Ｃを考慮する必要があ
る。これらの拡大幅Ｂ，Ｃは、例えばレジスト膜の厚さ
を２０μｍ、レジスト膜（および厚膜導体）のテーパ角
度θを１０度とすると、いずれも約３．５μｍとなる。
そのため、レジスト膜テーパのために、合計１４μｍほ
ど厚膜導体３８下部の間隔を広げなければならなかっ
た。

【０００９】さらに従来技術の形成工程では、プロセス
効率においても問題があつた。図３（ｈ）に示すよう
に、レジスト膜３９の厚みが大きくギャップ底部の幅が
狭い場合のエッチングでは、ギャップ底部にエッチャン
トが滞留しやすく、そのためこの部分のエッチャントが
交換されにくくエッチングが遅くなる。エッチング速度
がギャップ底部の深さと幅に依存するため、ギャップの
幅を狭めると更にエッチングが遅くなる。このように、
パ夕一ン密度によってエッチング終了時間が異なるた
め、全体にわたる適正なエッチング時間の設定が難しく
なる。

【００１０】コイルの小型化を進めるには、厚膜導体の
間隔を狭める事が有効である。しかし従来技術ではこの
様に間隔を狭める事は、レジスト膜のテーパによる設計
上の制限や、エッチング速度を均一化するためのプロセ
ス効率上の制限のために難しかった。

【００１１】また、これらのコイルを用いて平面磁気素
子などの多層積層構造を形成する際には、シリカ、アル
ミナ、窒化アルミニウムなどの無機絶縁材料あるいはレ
ジスト、ポリイミドなどの有機絶縁材料がコイル間およ
びコイル上に充填、塗布され、さらにその上に導体膜な
どの機能膜が形成される。この場合、導体膜などの機能
層の信頼性、歩留まり向上には、絶縁材料上面の平坦化
が必要である。このために、絶縁材料を塗布した後に、
気相法、液相法などによるエッチバック、あるいはドラ
イフィルムによる研磨などによる平坦化処理を実施して
いる。従来のコイル高さが１０μｍ未満の場合では、１
〜２回の塗布工程で十分な絶縁材料上面の平坦性が確保
出来る。しかし、前述のように大容量の電流を要求され
る磁気素子のようにコイル高さが１０μｍ以上、特に２
０μｍを超えると３回以上の必要量以上の塗布工程が必
要となるか、あるいは十分な平坦化を確保できないまま
その上に機能膜を成膜するために必要とする機能特性を
得ることが出来なかった。この様に従来のプロセスで
は、導体の厚さが増加した場合この上に塗布する絶縁材
料の平坦な表面を実現するためには過剰な膜厚の絶縁膜
を形成する必要があるというような問題点があった。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上記した問題
点を解決するために成されたものであり、設計上および
プロセス効率上の制限を受けずにコイルの小形化を達成
できる平面コイルおよびそれを用いた平面磁気素子およ
びそれらの製造方法を提供することを目的とする。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本発明の平面コイルは、
請求項１に記載したように、絶縁性支持体に導体を渦巻
状に形成してなる平面コイルであってコイルを構成する
導体の絶縁性支持体に接する基部の幅をその表面部の幅
より小さくしたこと、あるいは請求項２に記載したよう
に、絶縁性支持体に導体を渦巻状に形成してなる平面コ
イルであってコイルを構成する導体の絶縁性支持体に接
する基部の幅をその表面部の幅より小さくした逆テーパ
状としかつそのテーパ角度を５度以上３５度以下とした
こと、あるいは請求項３に記載したように導体は電気メ
ッキ技術で形成したこと、あるいは請求項４に記載した
ように導体は絶縁性支持体との接合強化層と良導電層と
を含む複合層で形成したことを特徴としている。また、
本発明の平面コイルの製造方法は、請求項６に記載した
ように、絶縁性支持体表面に絶縁性支持体との接合強化
層を介して導電金属層を形成する工程、導電金属層をエ
ッチングで所定のパターンとする工程、前記パターンに
形成された導電金属層をメッキ電極として電解メッキ技
術で良導電層を形成する工程および良導電層をレジスト
として前記接合強化層を前記所定のパターンに形成する
工程とを具備することを特徴としている。

【００１４】本発明の平面コイルでは、コイルを構成す
る導体の絶縁性支持体に接する基部の幅をその表面部の
幅より小さくしたことにより、厚膜導体の間隔を狭める
事が容易になり平面コイルの小型化が可能となる。ま
た、本発明の平面コイルの製造方法においては、絶縁性
支持体表面に接合強化層を介して導電金属層を形成し、
導電金属層をエッチングで所定のパターンとした後、こ
のパターンに形成された導電金属層をメッキ電極として
電解メッキ技術で厚膜配線となる良導電層を形成し、得
られた良導電層をレジスト（マスク）として前記接合強
化層を前記所定のパターンにエッチングで形成する。こ
のように厚膜配線を積層膜の下層のエッチングマスクと
して使用できるため、マスク用のレジスト膜が不要とな
り、エッチングマスク用レジスト膜のテーパによる設計
上の制限を受けない。また、厚膜配線をマスクとした事
で厚膜導体下部の幅がマスクとして有効になり、メッキ
用レジスト膜のテーパによる設計上の制限も受けない。
さらに上層より薄くする事が可能な積層膜の下層のエッ
チングであるため、エッチング終了時間が場所によって
異なってもオーバーエッチングが小さくなるため、エッ
チングのプロセス効率確保が容易になる。

【００１５】また、コイルを構成する導体の絶縁性支持
体に接する基部の幅をその表面部の幅より小さくした逆
テーパ状としかつ導体のテーパ角度を５５度以上８５度
以下とすることにより、絶縁材料などの充填材料が効果
的に凹部に充填され、表面の凹凸を減少させ平坦状態を
得るために必要な充填材料の総塗布厚さを従来より低減
することができる。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００１７】図１は、本発明の平面コイルの実施形態の
一部を示した断面図であり、これらは平面インダクタや
平面トランス等のコイルとして用いられるものである。
図１（ａ）は、コイルを構成する厚膜導体１の下部の幅
より厚膜導体コイルの下位にある接合強化層２の幅が広
い場合、図１（ｂ）はこれらの幅が同じ場合を示す。い
ずれの場合でも、本発明では厚膜導体１の上部表面部の
幅より厚膜導体１の基部の幅を小さくした断面構造を有
する。

【００１８】図１の実施例で示したインダクタ素子の製
造方法を図２を用いて説明する。まず絶縁性の支持基板
３上に付着力改善するための接合強化層（下層金属膜）
４と、Ｃｕ電解メッキする際のメッキ電極となる良導電
層（上層金属膜）５を積層して形成する（図２
（ａ））。次に、上層金属膜５のエッチング用マスクを
形成するために、上層金属膜５上にレジスト膜６を形成
し、導体（コイル）と略同一形状のマスク７を用いて紫
外線８で露光する（図２（ｂ））。このレジスト膜６は
上層金属膜５のエッチングマスクに用いるだけなので、
例えば厚みが１μｍ程度でも良い。そのため、レジスト
膜側面でテーパがあっても、パターン寸法への影響は小
さい。これを現像することで、レジスト膜６によるエッ
チング用マスクが形成できる（図２（ｃ））。次いで、
酸などのエッチャントで上層金属膜５のコイル間部分を
エッチング除去する（図２（ｄ））。そして、レジスト
膜６で形成したエッチング用マスクを剥離することで、
コイル間部分に下層金属膜４が露出しているメッキ電極
９が出来上がる（図２（ｅ））。

【００１９】上層金属膜５の材料としては、後工程での
メッキ材料と同じＣｕを用いるのがー般的である。ま
た、下層金属膜４の材料としては、Ｃｕよりウエットエ
ッチングがされにくく、またドライエッチングの容易な
高融点金属が望ましい。例えばΜｏ、Ｎｂ，Ｗ，Τａな
どが上げられる。なお、本発明では下層金属膜４を付着
力改善だけではなく、パターン化した上層金属膜５間を
つなぐ配線としても用いているため、配線の低抵抗化が
必要になる。そのために下層金属膜４の膜厚を増す事
や、上層金属膜５間のギャップを狭くする等のパターン
設計上の工夫をすることで、配線抵抗の低減を図ること
ができる。

【００２０】メッキ電極９を形成した後に、メッキ用の
レジストパターンを作成する。ほぼコイルの厚みに相当
する厚みのレジスト膜１０を形成し、コイルパターンと
反転したマスク１１で遮光して露光する（図２
（ｆ））。その後、現像することによってメッキする部
分のレジスト膜１０が除去され、パターン化した上層金
属膜５が露出する（図２（ｇ））。なお、このレジスト
膜１０の側面は、光の回折や散乱によって図に示すよう
な順テーパとなる。次に、メッキ電極９を負電位側とし
てメッキを行い、レジスト膜１０のない部分のみ選択的
にメッキＣｕの厚膜導体１２を形成する（図２
（ｈ））。厚膜導体12の側面はレジスト膜１０によって
制限されるため、レジスト膜１０とは逆の逆テーパ形状
となる。次いで、レジスト膜１０を剥離することで厚膜
導体１２の形成が終了するが（図２（ｉ））、隣接する
厚膜導体１２間は下層金属膜４によって短絡しているた
め、次ぎに厚膜導体１２間の下層金属膜４の除去を行な
う。

【００２１】従来技術ではメッキによって形成された厚
膜導体１２と同じ材質の上層金属膜５が厚膜導体１２間
の上層にあったため、厚膜導体１２間をエッチングする
際にはレジストで厚膜導体１２を保護する必要があっ
た。しかし、本発明で厚膜導体１２間にあるのは、厚膜
導体１２とは異なる材質の下層金属膜４のみである。そ
のため、厚膜導体１２をマスクとして、厚膜導体１２が
エッチングされにくい手段で下層金属膜１２をエッチン
グすれば、レジストの保護膜が不要になる。そこで、本
実施例では厚膜導体１２と下層金属膜４とのエッチング
選択比を大きくとるＣＤＥ（ケミカル・ドライ・エッチ
ング）技術を用いた。なお、下層金属膜４のエッチング
手段として、大きなエッチング選択比を確保できれば、
他のドライエッチング技術やウェットエッチング技術で
あっても良い。図２（ｊ）が厚膜導体１２間の下層金属
膜４を除去を行った後で、ＣＤＥ技術を用いる事で厚膜
導体１２をエッチングする事なく、容易に厚膜導体１２
間の下層金属膜４だけをエッチングできる。この工程で
コイルの作成が終了する。

【００２２】なお、図２（ｇ）において示したメッキ用
のレジスト膜１０の開口部と上層金属膜５とは、大きさ
を揃えることが望ましい。ただし、同図のように、メッ
キ用のレジスト膜１０の開口部より上層金属膜５が広い
場合でも良い。また、レジスト膜１０の開口部より上層
金属膜５が小さくても良い。上層金属膜５が広い場合は
コイルの断面が図１（ａ）に示す様になり、上層金属膜
５が小さい場合はコイルの断面が図１（ｂ）に示す様に
なる。

【００２３】上述した実施形態においては、メッキ電極
として異なる金属を２層以上積層した積層膜を形成し、
前記積層膜の上層をエッチングでパターン化した後にメ
ッキレジストのパターンを形成し、次に前記積層膜を電
極として電解メッキ技術で厚膜配線を形成した。さら
に、この厚膜配線をマスクとして、前記積層膜の下層を
エッチングで除去した。そのため、厚膜配線を下層の金
属膜のエッチングマスクとして使用可能になり、マスク
用のレジスト膜が不要となった。また、厚膜配線をマス
クとした事で、厚膜導体下部の幅がマスクとして有効に
なり、レジスト膜を形成する場合より狭いマスク幅を実
現できる。

【００２４】更に、本発明の特長として、メッキ用のレ
ジスト膜パタ−ニングにおいて、レジスト膜の形状を改
善する効果もある。例えば図２（ｆ）に示したレジスト
膜１０の露光の際、上層金属膜５であるＣｕより光の反
射率の低い材料を下層金属膜４に用いれば、レジスト膜
１０を除去したい上層金属膜５部分以外は実質的に露光
量を下げたことになる。そのため、光の回折や散乱が起
きても、レジスト膜１０側面のテーパーはレジスト膜１
０の下地金属がー様な場合に比べて改善する。本発明で
は、下層金属膜４としてＣｕより光の反射率の低いＭｏ
やＮｂなどが適しているため、容易に上記効果が得られ
る。

【００２５】次に、コイルに対する絶縁材料等の充填材
の充填性を確認した。まずコイル形状は順テーパとし、
コイル高さ４０μｍ、Ｌ／Ｓ＝５０／２０μｍとして、
マスクのＬ／Ｓ比を変えてその影響を調べた。充填材料
はポリイミド（ＣＴ４２０Ｈ：東芝ケミカル製）を使用
し、一回８μｍ塗布（ベタ膜作製時）の塗布工程を８回
繰り返して充填を行なった後、凹凸を表面粗さ計により
測定した。その結果を表１に示す。表１から明らかなよ
うにマスクのＬ／Ｓが変化しても、充填性はほとんど変
わらなかった。

【００２６】

【表１】 前記した条件により、テーパ角度と充填材表面平坦化に
必要な塗布厚さとの関係を調べた。この結果を図５に示
す。図５では、コイル高さ４０μｍの凹凸を５μｍ凹凸
に減少させるのに必要な塗布厚さを縦軸に、テーパ角度
を横軸に示す。また、テーパ角度は順テーパをマイナ
ス、逆テーパの場合をプラスで表している。をとしてい
る。図から明らかなようにテーパ角度が逆テーパ５度付
近から必要な塗布厚さが小さくなっている。このことか
ら、充填材表面を平坦化するためには、コイルの側面形
状を逆テーパ状としその角度を５度以上とすることで効
果が期待される。

【００２７】しかし、逆テーパ角度が大きくなると充填
時に充填材料が空気を巻き込みやすくなるため、気泡が
入りやすくなる。気泡が入ると均一性を損ないデバイス
の各種ディメンジョンを均一にすることが困難となるた
め、コイル形状としては気泡の入りにくい構造が望まし
い。図６にテーパ角度と気泡発生との関係を示す。この
データはコイル高さ２０μｍ、Ｌ／Ｓ＝８０／４０μｍ
のものを用いて測定した。気泡は同様のパターン内で観
察された数を表しており、相対的な気泡数を示してい
る。図から明らかなようにテーパ角度３５度付近から急
激に気泡数が増加している。このことから、逆テーパ角
度は３５度以下が望ましい。

【００２８】次ぎに、本発明の平面コイルを平面磁気素
子に適用した実施例を図７に示す。前述した実施形態に
より得られた平面コイルを用いて、図７に示す平面イン
ダクタを作製した。ここで示す平面インダクタ２１は、
ダブルスパイラル型の平面コイル２４を、支持体２６表
面に設けた下部軟磁性膜２２および絶縁層２５ａの上に
設けたものである。平面コイルは、絶縁層２５ｂ及び上
部軟磁性膜２３により被覆されている。本発明の平面コ
イルによれば、このような平面インダクタにおいて平面
コイルの間隙を小さくすることができより一層の小形化
が実現出来る。

【００２９】本発明による平面磁気素子の具体例を示
す。表２に主なデータを示す。この場合、絶縁材料は一
回に１０μｍ厚さのポリイミド（ＣＴ−４１５０：東芝
ケミカル製）を塗布する工程を４回繰り返したもので、
表面凹凸は〜１．５μｍとなった。この結果、この上に
形成された磁性膜の異方性磁界は約１０Ａ／ｍ（約１
％）の増加に止まり凹凸の形状効果による素子特性への
影響はほとんどなかった。

【００３０】

【表２】

【００３１】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、コ
イルを構成する導体の絶縁性支持体に接する基部の幅を
その表面部の幅より小さくした平面コイルを得ることが
でき、より小形の平面インダクタ、平面トランス等の平
面磁気素子を提供することができる。そして、このよう
な小形の平面インダクタ、平面トランス等を用いること
により、電子機器の小型化、高性能化を達成することが
できる。また、プロセスにおいては、マスク用のレジス
ト膜が一部不要となり、エッチングマスク用レジスト膜
のテーパによる設計上の制限を受けない。さらに、厚膜
配線をマスクとした事で、メッキ用レジスト膜のテーパ
による設計上の制限も受けない。これらの結果、厚膜配
線の間隔を狭められるためより小形の平面コイルを実現
できる。この他本発明によれば、厚膜導体形成後にエッ
チングするのが、上層より薄くする事が可能な積層膜の
下層だけであるため、エッチング終了時間が場所によっ
て異なってもオーバーエッチングが小さくなる。そのた
め、エッチングのプロセス効率が向上する。

【００３２】さらに本発明のコイル導体形状を用いるこ
とにより、絶縁材料によるコイル埋め込み、充填、平坦
化プロセスは、過剰な膜厚の絶縁膜を形成する必要がな
いので、デバイスのスループット、コストを低減するこ
とができる。また、充填材料により発生する応力を低減
できるので、プロセス途中で試料に対して発生する応力
を低減できる。このことにより、例えばウエハの変形に
より発生する搬送エラーなどのプロセス上のトラブルを
回避することができる。さらに、十分平坦な絶縁膜表面
を実現できるので、その上に形成した機能膜は形状の影
響による特性劣化を起こさず、信頼性の高い素子特性を
得ることが可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の平面コイルの一実施形態を示す断面図
である。

【図２】本発明の平面コイルの製造方法の一実施形態を
示す図である。

【図３】従来技術による平面コイルの製造方法の例を示
す図である。

【図４】従来技術による平面コイルの断面図を示す図で
ある。

【図５】充填材の塗布膜厚と表面凹凸量との関係を表す
図である。

【図６】コイルのテーパ角度と平坦化に必要な塗布厚さ
との関係を示す図である。

【図７】本発明の平面コイルを適用した平面インダクタ
の一実施形態を示す図である。

【符号の説明】

１、１２……厚膜導体 ２ ………接合強化層 ３ ………支持基板 ４ ………下層金属膜 ５ ………上層金属膜 ６ ………レジスト膜 ７、１１……マスク ８ ………紫外線 ９ ………メッキ電極 １０ ……レジスト膜 ２１ ………平面インダクタ２１ ２２、２３…軟磁性膜 ２４ ………平面コイル ２５ ………絶縁層２５

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 溝口 徹彦 神奈川県川崎市幸区小向東芝町１番地 株 式会社東芝研究開発センター内

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁性支持体に導体を渦巻状に形成して
   なる平面コイルであって、コイルを構成する導体の絶縁
   性支持体に接する基部の幅をその表面部の幅より小さく
   したことを特徴とする平面コイル。
2. 【請求項２】 絶縁性支持体に導体を渦巻状に形成して
   なる平面コイルであって、コイルを構成する導体の絶縁
   性支持体に接する基部の幅をその表面部の幅より小さく
   した逆テーパ状としかつそのテーパ角度が５度以上３５
   度以下であることを特徴とする平面コイル。
3. 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の平面コ
   イルにおいて、導体は電気メッキ技術で形成したことを
   特徴とする平面コイル。
4. 【請求項４】 請求項１または請求項２に記載の平面コ
   イルにおいて、導体は絶縁性支持体との接合強化層と良
   導電層とを含む複合層で形成したことを特徴とする平面
   コイル。
5. 【請求項５】 請求項１ないし請求項４のいずれか１項
   記載の平面コイルを構成要素として具備することを特徴
   とする平面磁気素子。
6. 【請求項６】 絶縁性支持体表面に絶縁性支持体との接
   合強化層を介して導電金属層を形成する工程、導電金属
   層をエッチングで所定のパターンとする工程、前記パタ
   ーンに形成された導電金属層をメッキ電極として電解メ
   ッキ技術で良導電層を形成する工程および良導電層をレ
   ジストとして前記接合強化層を前記所定のパターンに形
   成する工程とを具備することを特徴とする平面コイルの
   製造方法。