JP2015168120A - 積層配線の形成方法、液体噴射ヘッドの製造方法、配線実装構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】ウェットエッチングにより第１配線上に第２配線を形成する際に第１配線の剥離を抑えることができる積層配線の形成方法、液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。さらに、ウェットエッチングにより第２配線が形成される第１配線の剥離を抑えて信頼性が向上した配線実装構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。
【解決手段】流路形成基板１０上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層１３１上に、断面形状が第１密着層側の幅Ｗ１よりも第１密着層１３１とは反対側の幅Ｗ２が広い接続端子９１形成し、第１密着層１３１と同じ材料からなる第２密着層１３２で接続端子９１を覆い、エッチング液を用いたウェットエッチングによって接続端子９１上に傾斜配線１１０を形成する。
【選択図】図１０

Description

本発明は、積層配線の形成方法、液体噴射ヘッドの製造方法、配線実装構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関し、特に液体としてインクを噴射するインクジェット式記録ヘッドに用いられる積層配線の形成方法及び配線実装構造、インクジェット式記録ヘッドの製造方法、インクジェット式記録ヘッド並びにインクジェット式記録装置に関する。

液滴を噴射する液体噴射ヘッドは、液体の一例としてインクを噴射するインクジェット式記録ヘッドが知られている。インクジェット式記録ヘッドは、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板（第２基体）と、流路形成基板の一方面側に設けられた圧電アクチュエーターと、流路形成基板の圧電アクチュエーター側に接合された保護基板（第１基体）とを具備し、圧電アクチュエーターによって圧力発生室内の液体に圧力変化を生じさせることでノズル開口からインクを噴射する。

このようなインクジェット式記録ヘッドでは、保護基板の流路形成基板に接合された面とは反対面に駆動ＩＣ（半導体素子）を設け、保護基板に貫通孔を形成して、貫通孔内に圧電アクチュエーターに接続されたリード電極（第１配線）を露出させている。貫通孔は、リード電極の形成面に対して傾斜している。そして、貫通孔の傾斜した側壁を経由して、駆動ＩＣの配線端子と圧電アクチュエーターのリード電極とが傾斜配線（第２配線）を介して電気的に接続されている（例えば、特許文献１参照）。

このようなリード電極と傾斜配線とは、例えば、次のように形成される。まず、流路形成基板上に密着層を設け、該密着層上に金などの金属からなるリード電極を形成する。そして、リード電極を密着層と同じ材料からなる保護層で覆う。次に、リード電極上の保護層上に傾斜配線をウェットエッチングにより形成する。

特開２００６−２８９９４３号公報

しかしながら、傾斜配線をウェットエッチングにより形成する際に、エッチング液が密着層をサイドエッチングしてしまう虞がある。このように密着層がエッチングされると、リード電極が流路形成基板から剥離する虞があり、リード電極と傾斜配線との導通不良を引き起こす。また液体噴射ヘッドとしても導通不良を起こした部分に対応した圧電アクチュエーターが動作せず、インクの吐出不良を引き起こす虞がある。

なお、このような問題はインクジェット式記録ヘッドの製造方法だけではなく、液体噴射ヘッドの製造方法においても同様に存在し、さらに、液体噴射ヘッドだけではなく、他のデバイスに用いられる積層配線の形成方法においても同様に存在する。また、このような問題はインクジェット式記録ヘッドだけではなく、液体噴射ヘッド及び該液体噴射ヘッドを備えた液体噴射装置においても同様に存在し、さらに、液体噴射ヘッドだけではなく、他のデバイスに用いられる配線実装構造においても同様に存在する。

本発明はこのような事情に鑑み、ウェットエッチングにより第１配線上に第２配線を形成する際に第１配線の剥離を抑えることができる積層配線の形成方法、液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。さらに、本発明は、ウェットエッチングにより第２配線が形成される第１配線の剥離を抑えて信頼性が向上した配線実装構造、液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の態様は、基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い第１配線を形成し、前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層で前記第１配線を覆い、前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記第１配線上に前記第２密着層を介して第２配線を形成することを特徴とする積層配線の形成方法にある。
かかる態様では、第１密着層がサイドエッチングされることを抑制し、第１配線が基体から剥離することを抑制することができる。

ここで、前記基板上に前記第１密着層の材料で第１層を形成し、前記第１層上に前記第１配線の材料で第２層を形成し、前記第２層の前記第１配線が形成される領域上にレジストパターンを形成し、ウェットエッチングにより、前記第１層及び前記第２層にオーバーエッチングを施し、前記第２層の断面形状が、前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線を形成することが好ましい。これによれば、オーバーエッチングとなるようにウェットエッチングを実施する時間を調整することで、煩雑な工程を採用することなく、容易に逆台形状の第１配線を形成することができる。

また、前記基板上に前記第１密着層の材料で第１層を形成し、前記第１層上に前記第１配線の材料で第２層を形成し、フォトレジスト法により形成されて、前記基板の表面に対して傾斜した側面を有し、対向する側面間の幅が前記第２層から離れる方向に向けて拡張した開口部を有するレジストパターンを、前記第２層の前記第１配線となる領域が当該開口部に露出するように前記第２層上に形成し、めっきにより、前記開口部内に前記第１配線の材料でめっき層を形成し、前記レジストパターンを除去することで、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広く、前記めっき層及び前記第１層の間に設けられた前記第２層と、前記めっき層とによって構成された前記第１配線を形成することが好ましい。これによれば、フォトレジスト法により高精度に開口部を形成することができるので、開口部に形成しためっき層からなる第１配線を高精度に形成することができる。

また、本発明の他の態様は、半導体素子が電気的に接続される第１主面、前記第１主面とは反対の裏面とされる第２主面、及び前記第１主面と前記第２主面との間で傾斜して設けられた斜面を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面に接続される第３主面、及び前記第３主面に設けられた第１配線を有する第２基体と、前記半導体素子と前記第１配線とを電気的に接続し、前記斜面から前記第１配線に連続して形成された第２配線とを備え、前記第２基体には、液体を噴射するノズル開口に連通する流路、及び該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段が設けられており、前記半導体素子によって前記圧力発生手段が駆動される液体噴射ヘッドの製造方法であって、前記第２基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線を形成し、前記第２基体の前記第３主面上に前記第１基体を接合し、前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層で前記第１配線を覆い、前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記斜面上から前記第１配線上に前記第２配線を形成することを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法にある。
かかる態様では、第１密着層がサイドエッチングされることを抑制し、第１配線が第２基体から剥離することを抑制することができ、半導体素子と第１配線とを第２配線でより確実に導通して信頼性の高い液体の噴射を行える液体噴射ヘッドを製造することができる。

さらに本発明の他の態様は、基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い第１配線と、前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層上に前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記第１配線上に形成された第２配線とを備えることを特徴とする配線実装構造にある。
かかる態様では、第１密着層がサイドエッチングされることを抑制し、第１配線が基体から剥離することが抑制された信頼性の高い配線実装構造が提供される。

さらに、本発明の他の態様は、半導体素子が電気的に接続される第１主面、前記第１主面とは反対の裏面とされる第２主面、及び前記第１主面と前記第２主面との間で傾斜して設けられた斜面を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面に接続される第３主面、及び前記第３主面に設けられた第１配線を有する第２基体と、前記半導体素子と前記第１配線とを電気的に接続し、前記斜面から前記第１配線に連続して形成された第２配線と、を備え、前記第２基体には、液体を噴射するノズル開口に連通する流路、及び該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段が設けられており、前記半導体素子によって前記圧力発生手段が駆動される液体噴射ヘッドであって、前記第２基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線と、前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層上に前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記斜面上から前記第１配線上に形成された前記第２配線とを備えることを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、第１密着層がサイドエッチングされることを抑制し、第１配線が第２基体から剥離することを抑制することができ、半導体素子と第１配線とを第２配線でより確実に導通して信頼性の高い液体の噴射を行える液体噴射ヘッドが提供される。

さらに、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを備えることを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、ウェットエッチングにより第２配線が形成される第１配線の剥離を抑えて信頼性が向上した液体噴射装置が提供される。

実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの平面図である。 図２のＡ−Ａ′線断面図である。 実施形態１に係る保護基板の平面図である。 図４の保護基板の要部を拡大した平面図である。 図５のＢ−Ｂ′線断面図である。 図５のＣ−Ｃ′線断面図である。 実施形態１に係る積層配線の断面図である。 実施形態１に係る積層配線の断面図である。 実施形態１に係る積層配線の断面図である。 実施形態２に係る積層配線の断面図である。 実施形態３に係る積層配線の断面図である。 インクジェット式記録装置の概略斜視図である。

〈実施形態１〉
以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。インクジェット式記録ヘッドは液体噴射ヘッドの一例であり、単に記録ヘッドとも言う。

図１は実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は記録ヘッドの平面図であり、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図であり、図４は保護基板の平面図であり、図５は図４の保護基板の要部を拡大した平面図である。

本実施形態に係る記録ヘッド１は、流路形成基板１０、連通板１５、ノズルプレート２０、保護基板３０、コンプライアンス基板４５、ケース部材４０等の複数の部材を備える。また、記録ヘッド１は、配線実装構造を備えている。配線実装構造は、詳細は後述するが、第１基体の一例として保護基板３０と、第２基体の一例として流路形成基板１０と、第１配線の一例として接続端子９１と、第２配線の一例として傾斜配線１１０とを備えている。

流路形成基板１０は、ステンレス鋼やＮｉなどの金属、ＺｒＯ_２あるいはＡｌ_２Ｏ_３を代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ_３のような酸化物などを用いることができる。本実施形態では、流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなる。この流路形成基板１０には、一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された圧力発生室１２がインクを吐出する複数のノズル開口２１が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室１２の並設方向、又は第１の方向Ｘと称する。また、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が第１の方向Ｘに並設された列が複数列、本実施形態では、２列設けられている。この圧力発生室１２が第１の方向Ｘに沿って形成された圧力発生室１２の列が複数列並べられた方向を、以降、第２の方向Ｙと称する。さらに、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙに交差する方向を第３の方向Ｚと称する。なお、本実施形態では、説明理解を容易にするために各方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の関係を直交とするが、各構成の配置関係が必ずしも直交するものに限定されるべきものでないことを言及しておく。

流路形成基板１０には、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの一端部側に、当該圧力発生室１２よりも開口面積が狭く、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を付与する供給路等が設けられていてもよい。

流路形成基板１０の一方面側（積層方向であって−Ｚ方向）には、連通板１５とノズルプレート２０とが順次積層されている。すなわち、記録ヘッド１は、流路形成基板１０の一方面に設けられた連通板１５と、連通板１５の流路形成基板１０とは反対面側に設けられたノズル開口２１を有するノズルプレート２０とを具備する。

連通板１５には、圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６が設けられている。連通板１５は、流路形成基板１０よりも大きな面積を有し、ノズルプレート２０は流路形成基板１０よりも小さい面積を有する。このように連通板１５を設けることによってノズルプレート２０のノズル開口２１と圧力発生室１２とを離せるため、圧力発生室１２の中にあるインクは、ノズル開口２１付近のインクで生じるインク中の水分の蒸発による増粘の影響を受け難くなる。また、ノズルプレート２０は圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６の開口を覆うだけで良いので、ノズルプレート２０の面積を比較的小さくすることができ、コストの削減を図ることができる。なお、本実施形態では、ノズルプレート２０の両面のうちインク滴を吐出する面、すなわち圧力発生室１２とは反対側の面を液体噴射面２０ａと称する。

また、連通板１５には、マニホールド１００の一部を構成する第１マニホールド部１７と、第２マニホールド部１８（絞り流路、オリフィス流路）とが設けられている。

第１マニホールド部１７は、連通板１５を厚さ方向（連通板１５と流路形成基板１０との積層方向）に貫通して設けられている。

第２マニホールド部１８は、連通板１５を厚さ方向に貫通することなく、連通板１５のノズルプレート２０側に開口して設けられている。

さらに、連通板１５には、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの一端部に連通する供給連通路１９が、圧力発生室１２毎に独立して設けられている。この供給連通路１９は、第２マニホールド部１８と圧力発生室１２とを連通する。

このような連通板１５としては、ステンレスやＮｉなどの金属、またはジルコニウムなどのセラミックなどを用いることができる。なお、連通板１５は、流路形成基板１０と線膨張係数が同等の材料が好ましい。すなわち、連通板１５として流路形成基板１０と線膨張係数が大きく異なる材料を用いた場合、加熱や冷却されることで、流路形成基板１０と連通板１５との線膨張係数の違いにより反りが生じてしまう。本実施形態では、連通板１５として流路形成基板１０と同じ材料、すなわち、シリコン単結晶基板を用いることで、熱による反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。

ノズルプレート２０には、各圧力発生室１２とノズル連通路１６を介して連通するノズル開口２１が形成されている。このようなノズル開口２１は、第１の方向Ｘに並設され、この第１の方向Ｘに並設されたノズル開口２１の列が第２の方向Ｙに２列形成されている。

このようなノズルプレート２０としては、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属、ポリイミド樹脂のような有機物、又はシリコン単結晶基板等を用いることができる。なお、ノズルプレート２０としてシリコン単結晶基板を用いることで、ノズルプレート２０と連通板１５との線膨張係数を同等として、加熱や冷却されることによる反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。

一方、流路形成基板１０の連通板１５とは反対面側には、振動板５０が形成されている。本実施形態では、振動板５０として、流路形成基板１０側に設けられた酸化シリコンからなる弾性膜５１と、弾性膜５１上に設けられた酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５２と、を設けるようにした。なお、圧力発生室１２等の液体流路は、流路形成基板１０を一方面側（ノズルプレート２０が接合された面側）から異方性エッチングすることにより形成されており、圧力発生室１２等の液体流路の他方面は、弾性膜５１によって画成されている。

流路形成基板１０の振動板５０上には、本実施形態の圧力発生手段である、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とを有する圧電アクチュエーター３００が設けられている。ここで、圧電アクチュエーター３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を複数の圧電アクチュエーター３００に亘って連続して設けることで共通電極とし、第２電極８０を圧電アクチュエーター３００毎に独立して設けることで個別電極としている。もちろん、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、振動板５０が弾性膜５１及び絶縁体膜５２で構成されたものを例示したが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２の何れか一方を設けたものであってもよく、また、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２を設けずに、第１電極６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。

圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される分極構造を有する酸化物の圧電材料からなり、例えば、一般式ＡＢＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物からなることができ、鉛を含む鉛系圧電材料や鉛を含まない非鉛系圧電材料などを用いることができる。

圧電アクチュエーター３００の各第１電極６０、第２電極８０には、引き出し配線であるリード電極９０の一端がそれぞれ接続されている。リード電極９０の他端部は、振動板５０上であって、第２の方向Ｙで隣り合う圧電アクチュエーター３００の列の間に引き出されている。ここで、引き出されたリード電極９０の他端部が、詳しくは後述する半導体素子である駆動回路１２０に接続される第１配線の一例である接続端子９１となっている。本実施形態では、圧電アクチュエーター３００の列毎に接続端子９１が本実施形態の基準方向である第１の方向Ｘに並設された接続端子列が形成されている。すなわち、接続端子９１が第１の方向Ｘに並設されて構成された接続端子列は、第２の方向Ｙに２列並設されている。

また、このように接続端子９１を有するリード電極９０が設けられた流路形成基板１０が第２基体に相当し、流路形成基板１０の保護基板３０側の面、すなわち振動板５０の保護基板３０側の面を第３主面３０３と称する。

流路形成基板１０の圧電アクチュエーター３００側の面には、流路形成基板１０と略同じ大きさを有する保護基板３０が接合されている。本実施形態では、保護基板３０が第１基体に相当し、保護基板３０の流路形成基板１０に接合される面とは反対側の面を第１主面３０１と称し、流路形成基板１０に接合される面を第２主面３０２と称する。すなわち、第２基体である流路形成基板１０の第３主面３０３は、第１基体の第２主面３０２と接合されている。

このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、流路形成基板１０と保護基板３０との接合方法は特に限定されず、例えば、本実施形態では、流路形成基板１０と保護基板３０とを接着剤３５を介して接合されている。

保護基板３０は、第２主面３０２の側に圧電アクチュエーター３００を保護して収容するための空間である保持部３１を有する。保持部３１は、保護基板３０を厚さ方向である第３の方向Ｚに貫通することなく、流路形成基板１０側に開口する凹形状を有する。また、保持部３１は、本実施形態では、第１の方向Ｘに並設された圧電アクチュエーター３００の列毎に独立して設けられている。すなわち、保持部３１は、圧電アクチュエーター３００の第１の方向Ｘに並設された列に亘って連続して設けられており、圧電アクチュエーター３００の列毎、すなわち２つが第２の方向Ｙに並設されている。このような保持部３１は、圧電アクチュエーター３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。

保護基板３０は、厚さ方向である第３の方向Ｚに貫通した貫通孔３２を有する。貫通孔３２は、第２の方向Ｙに並設された２つの保持部３１の間に複数の圧電アクチュエーター３００の並設方向である第１の方向Ｘに亘って連続して設けられている。つまり、貫通孔３２は、複数の圧電アクチュエーター３００の並設方向に長辺を有した開口とされている。

貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側の壁面である第１側壁部３２１は、第１主面３０１と第２主面３０２との間で傾斜して設けられた斜面となっている。すなわち、斜面である第１側壁部３２１は、第１の方向Ｘに延在している。第１側壁部３２１が斜面になっているとは、第１主面３０１及び第２主面３０２に対して傾斜して設けられていることを言う。すなわち、第１側壁部３２１は、第１主面３０１及び第２主面３０２に平行ではなく、かつ、第１主面３０１及び第２主面３０２に直交する第３の方向Ｚに平行でないことを言う。つまり、第１側壁部３２１は、第３の方向Ｚに対しても傾斜して設けられている。このような傾斜面の傾斜角度は特に限定されないが、例えば、保護基板３０をシリコン単結晶基板で形成した場合、シリコン単結晶基板の面方位にもよるが、例えば、第１側壁部３２１は、第２主面３０２に対して５４．７度となる。また、第２の方向Ｙで相対向する２つの第１側壁部３２１の間隔は、第３の方向Ｚにおいて流路形成基板１０とは離れる方向に向かって拡がっている。

なお、本実施形態では、貫通孔３２の第１の方向Ｘの両側の壁面である２つの第２側壁部３２２についても第１側壁部３２１と同様に第１主面３０１及び第２主面３０２に対して傾斜して設けられている。このように第１側壁部３２１と第２側壁部３２２とを傾斜して設けることにより、貫通孔３２を例えばエッチングによって容易に高精度に形成することができる。

このような保護基板３０に貫通孔３２内には、流路形成基板（第２基体）１０の第３主面３０３の一部（振動板５０の一部）が露出され、その領域の中に圧電アクチュエーター３００から引き出されたリード電極９０の端部である接続端子９１が露出して設けられている。

具体的には、リード電極９０の貫通孔３２の内側の領域に導出されて露出した部分が接続端子９１となっている。流路形成基板１０の第３主面３０３上に、第１の方向Ｘに並設された複数の接続端子９１からなる群を接続端子列９４と称する。本実施形態では、第３主面３０３の貫通孔３２によって露出された部分（貫通孔３２の内側の領域）において、２つの接続端子列９４が第２の方向Ｙに並設されている。

また、保護基板３０の第１主面３０１上には、半導体素子である駆動回路１２０が実装されている。本実施形態では、駆動回路１２０は、保護基板３０の第１主面３０１に、貫通孔３２の一部を覆って塞ぐように相対向して配置されている。すなわち、駆動回路１２０は、第２の方向Ｙの幅が貫通孔３２よりも大きく、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって配置されている。このような駆動回路１２０は、第１の方向Ｘに２つ並設されている。

駆動回路１２０には、保護基板３０側の面に端子１２１が設けられている。端子１２１は、各圧電アクチュエーター３００に対応して複数個設けられており、第１の方向Ｘに並設されて端子列１２３を形成している（図５参照）。本実施形態では、駆動回路１２０には、２つの端子列１２３が第２の方向Ｙに並設されている。

保護基板３０には、駆動回路１２０と第１配線の一例である接続端子９１（リード電極９０）とを電気的に接続する第２配線の一例である傾斜配線１１０が形成されている。

具体的には、傾斜配線１１０は、第１主面３０１に設けられた第１配線部１１１と、第１配線部１１１に連続して、第１側壁部３２１上に形成された傾斜配線部１１２と、傾斜配線部１１２に連続して接続端子９１上に形成された第２配線部１１３と、を具備する。

第１配線部１１１の一端部が、駆動回路１２０の端子１２１に電気的に接続される配線端子１１４となっている。第１主面３０１上に、第１の方向Ｘに並設された複数の配線端子１１４からなる群を配線端子列１１６と称する。本実施形態では、第１主面３０１上に、第２の方向Ｙにおいて貫通孔３２を挟んだ両側に、配線端子列１１６がそれぞれ設けられている。

傾斜配線１１０は、駆動回路１２０の端子１２１と接続端子９１との組ごとに複数本設けられている。すなわち、各傾斜配線１１０は、配線端子１１４が駆動回路１２０の端子１２１に電気的に接続され、第２配線部１１３が接続端子９１に電気的に接続されている。このような傾斜配線１１０により、駆動回路１２０が接続端子９１に電気的に接続されている。

駆動回路１２０の端子１２１には、金属バンプである接続部１２２が備えられている。接続部１２２と配線端子１１４との接続は、半田接続などの溶接、異方性導電性接着剤（ＡＣＰ、ＡＣＦ）、非導電性接着剤（ＮＣＰ、ＮＣＦ）等を介在させて圧着することで確実に電気的な接続が図られる。

上述した流路形成基板１０、保護基板３０、連通板１５及びノズルプレート２０の接合体には、複数の圧力発生室１２に連通するマニホールド１００を形成するケース部材４０が固定されている。ケース部材４０は、平面視において上述した連通板１５と略同一形状を有し、保護基板３０に接合されると共に、上述した連通板１５にも接合されている。具体的には、ケース部材４０は、保護基板３０側に流路形成基板１０及び保護基板３０が収容される深さの凹部４１を有する。この凹部４１は、保護基板３０の流路形成基板１０に接合された面よりも広い開口面積を有する。そして、凹部４１に流路形成基板１０等が収容された状態で凹部４１のノズルプレート２０側の開口面が連通板１５によって封止されている。これにより、流路形成基板１０及び保護基板３０とケース部材４０との間には第３マニホールド部４２が画成されている。そして、連通板１５に設けられた第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８と、ケース部材４０によって画成された第３マニホールド部４２と、によって本実施形態のマニホールド１００が構成されている。

なお、ケース部材４０の材料としては、例えば、樹脂や金属等を用いることができる。ちなみに、ケース部材４０として、樹脂材料を成形することにより、低コストで量産することができる。

また、連通板１５の第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８が開口する面には、コンプライアンス基板４５が設けられている。このコンプライアンス基板４５が、第１マニホールド部１７と第２マニホールド部１８の液体噴射面２０ａ側の開口を封止している。このようなコンプライアンス基板４５は、本実施形態では、封止膜４６と、固定基板４７と、を具備する。封止膜４６は、可撓性を有する薄膜（例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）やステンレス鋼（ＳＵＳ）等により形成された厚さが２０μｍ以下の薄膜）からなり、固定基板４７は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属等の硬質の材料で形成される。この固定基板４７のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４８となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４６のみで封止された可撓部であるコンプライアンス部４９となっている。

なお、ケース部材４０には、マニホールド１００に連通して各マニホールド１００にインクを供給するための導入路４４が設けられている。また、ケース部材４０には、保護基板３０の第１主面３０１を露出させて駆動回路１２０を内部に収容する接続口４３が設けられている。駆動回路１２０を駆動させる信号及び電源の外部からの供給は、可撓性基板等を接続口４３内に挿入して実装し、接続口４３内で駆動回路１２０と電気的に接続する、又は保護基板３０上に形成された図示しない配線等を介して接続される。

このような構成の記録ヘッド１では、インクを噴射する際に、インクが貯留された液体貯留手段から導入路４４を介してインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで流路内部をインクで満たす。その後、駆動回路１２０からの信号に従い、圧力発生室１２に対応する各圧電アクチュエーター３００に電圧を印加することにより、圧電アクチュエーター３００と共に振動板５０をたわみ変形させる。これにより、圧力発生室１２内の圧力が高まり所定のノズル開口２１からインク滴が噴射される。

ここで、図５〜図７を用いて、第１配線の一例である接続端子９１と、第２配線の一例である傾斜配線１１０とが積層された積層配線１３０について詳細に説明する。図６は図５のＢ−Ｂ′線断面図であり、図７は図５のＣ−Ｃ′線断面図である。

流路形成基板１０の振動板５０、すなわち第３主面３０３と、接続端子９１との間には、第１密着層１３１が形成されている。本実施形態では、第１密着層１３１は、接続端子９１を含むリード電極９０全体と第３主面３０３との間に形成されている。

第１密着層１３１は、エッチング液によりエッチングされる材料からなる。当該エッチング液は後述する傾斜配線１１０をウェットエッチングにより形成する際に用いられるものである。

また、第１密着層１３１は、導電性を有し、第３主面３０３と接続端子９１（リード電極９０）との密着性を向上させる材料からなる。例えば、接続端子９１が金から形成されている場合、第１密着層１３１の材料としては、ニッケルやニッケル・クロムの合金（ニクロム）などを用いることができる。

このような第１密着層１３１を設けることで、第３主面３０３と接続端子９１（リード電極９０）との密着性を向上させることができる。

第１密着層１３１の上面（第３主面３０３とは反対側の面）上には、第１配線の一例である接続端子９１が設けられている。本実施形態では、接続端子９１を含むリード電極９０は、圧電アクチュエーター３００に接続された部分を除いて、第１密着層１３１上に設けられている。以下、接続端子９１の形状について言及するが、接続端子９１を含むリード電極９０も同様の形状である。

図７に示すように、接続端子９１の断面形状は、第１密着層１３１側の幅Ｗ１よりも第１密着層１３１とは反対側の幅Ｗ２が広い。ここでいう接続端子９１の断面形状は、接続端子９１が延設された方向に交差する方向の断面形状である。本実施形態における接続端子９１の断面形状は、接続端子９１が延設された方向であるＹ方向（図５参照）に交差するＸ方向に平行な断面形状である。

また、第１密着層１３１側の幅とは、接続端子９１の断面形状において第３主面３０３に面した下面９１ａ及び第３主面３０３とは反対側に面した上面９１ｂのうち、下面９１ａの幅Ｗ１をいう。第１密着層１３１とは反対側の幅とは、前記上面９１ｂの幅Ｗ２をいう。

本実施形態に係る接続端子９１は、下面９１ａ側から上面９１ｂ側に向けて幅が拡大した逆台形状に形成されている。また、接続端子９１は、例えば金などの導電性がある材料からなり、ウェットエッチングにより形成されている。このような接続端子９１の製造方法については後述する。

接続端子９１の上面９１ｂと、傾斜配線１１０との間には、第２密着層１３２が形成されている。本実施形態では、第２密着層１３２は、接続端子９１の上面９１ｂと、傾斜配線１１０の一部である第２配線部１１３との間に形成されている。

第２密着層１３２は、第１密着層１３１と同様に、エッチング液によりエッチングされる材料からなる。また、詳細は後述するが、第２密着層１３２は、傾斜配線１１０をウェットエッチングで形成する際に、それより前に形成された接続端子９１をエッチング液から保護するために設けられたものである。すなわち、第２密着層１３２は接続端子９１全体を覆うように形成された後、ウェットエッチングによりエッチングされ、接続端子９１と傾斜配線１１０との間に残ったものが第２密着層１３２となっている。

また、第２密着層１３２は、導電性を有し、接続端子９１と傾斜配線１１０との密着性を向上させる材料からなる。例えば、傾斜配線１１０が金から形成されている場合、第２密着層１３２の材料としては、ニッケルやニッケル・クロムの合金（ニクロム）などを用いることができる。

このような第２密着層１３２を設けることで、接続端子９１と傾斜配線１１０との密着性を向上させることができる。

第２密着層１３２上には、傾斜配線１１０が設けられている。上述したように、傾斜配線１１０は、第１配線部１１１、傾斜配線部１１２及び第２配線部１１３とから構成されている。

第１配線部１１１は、第１主面３０１上に、貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側に第１の方向Ｘに並設されて設けられている。本実施形態では、第１配線部１１１は、第２の方向Ｙに直線状に延設されている。第１配線部１１１の一端部が、配線端子１１４となっており、駆動回路１２０の接続部１２２に電気的に接続される。第１配線部１１１は、接続端子９１のピッチよりも狭いピッチで第１の方向Ｘに並設されている。

第２配線部１１３は、リード電極９０のうち、貫通孔３２内に導出されて露出した部分である接続端子９１の上面９１ｂの第２密着層１３２上に設けられている。接続端子９１の上面とは、接続端子９１に対して流路形成基板１０とは反対側の面である。第２配線部１１３は、第２の方向Ｙに直線状に延設されている。第２配線部１１３の第１の方向Ｘのピッチは、リード電極９０の第１の方向Ｘのピッチと同じとなっている。

傾斜配線部１１２は、第１配線部１１１と第２配線部１１３とを繋ぐように形成されている。言い換えると、傾斜配線部１１２は、配線端子１１４とリード電極９０の接続端子９１とを電気的に接続する。

本実施形態では、傾斜配線部１１２は、第２配線部１１３側（斜面である第１側壁部３２１上において、第３主面３０３を平面ししたときの第１側壁部３２１と第３主面３０３との境界部分１１５側の端部）に設けられた直線部１１２ａと、直線部１１２ａに連続して第１配線部１１１側に設けられた傾斜部１１２ｂと、を具備する。このような直線部１１２ａは、第２の方向Ｙに沿った直線状に延設されている。また、傾斜部１１２ｂは直線部１１２ａに対して傾斜して直線状に延設されている。

第１の方向Ｘで隣接する直線部１１２ａ同士の間隔、すなわち接続端子９１同士の間隔と、第１の方向Ｘで隣接する配線端子１１４同士の間隔とは異なっている。すなわち、 なお、端子列１２３を構成する端子１２１同士の第１の方向Ｘの間隔（ピッチ）は、接続端子列９４を構成する接続端子９１同士の第１の方向Ｘの間隔（ピッチ）よりも狭くなっている。

本実施形態では、全ての傾斜配線部１１２の傾斜部１１２ｂは、同じ傾斜角度で形成されている。ここでいう傾斜角度は、図５の平面視における第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙに対する角度である。したがって、傾斜配線１１０は、直線部１１２ａの第２の方向Ｙの長さを調整することで、各接続端子９１と配線端子１１４とを電気的に接続することができる。換言すれば、傾斜配線１１０は、間隔が異なる端子列（金属バンプ列）１２３及び接続端子列９４について各端子１２１（接続部１２２）と接続端子９１とを接続することができる。

第１配線部１１１、第２配線部１１３及び傾斜配線部１１２は、本実施形態では、同じ幅で形成されている。これにより、傾斜配線１１０の抵抗が高くなることを抑制すると共に、第１配線部１１１、第２配線部１１３及び傾斜配線部１１２の接続部分での断線等を抑制することができる。もちろん、傾斜配線１１０を構成する第１配線部１１１、第２配線部１１３及び傾斜配線部１１２の幅を同じ幅で形成しなくてもよい。

また、傾斜配線１１０の第２配線部１１３の幅Ｗ３は、接続端子９１の上面９１ｂ側の幅Ｗ２よりも狭くなっているがこれに限定されない。幅Ｗ３は、幅Ｗ２と同じ又は幅Ｗ２よりも広くなっていてもよい。

上述したように、本実施形態に係る積層配線１３０は、流路形成基板１０の第３主面３０３上に第１密着層１３１を介して設けられた接続端子９１と、接続端子９１上に第２密着層１３２を介して設けられた傾斜配線１１０とを備えている。

傾斜配線１１０は、ウェットエッチングにより形成されており、この傾斜配線１１０の形成と同時に第２密着層１３２が形成されている。この傾斜配線１１０と第２密着層１３２をウェットエッチングする際には、第１密着層１３１はサイドエッチングにより幅がＷ１よりも狭くなることが抑制されている。

すなわち、第１密着層１３１は、接続端子９１の下面９１ａと同じ幅を有しており、接続端子９１の下面９１ａ全体を第３主面３０３に密着させている。これにより、接続端子９１が第３主面３０３から剥離することが抑制され、積層配線１３０は、駆動回路１２０と圧電アクチュエーター３００とを電気的により確実に接続することができる。したがって、このような積層配線１３０を有する配線実装構造としては、駆動回路１２０と圧電アクチュエーター３００との電気的な接続をより確実にして信頼性が向上したものとなる。そして、記録ヘッド１としては、駆動回路１２０と圧電アクチュエーター３００との電気的な接続をより確実にし、圧電アクチュエーターの動作不良を抑制して信頼性が向上したものとなる。

ちなみに、従来技術では、このような第１密着層１３１は、ウェットエッチング時にサイドエッチングが進行して、接続端子９１の下面９１ａよりも狭くなってしまう。すなわち、接続端子９１のＸ方向の両端は、第１密着層１３１が密着しておらず、第３主面３０３に接合されていない状態となる。この結果、接続端子９１は第３主面から剥離しやすくなり、積層配線１３０としては、駆動回路１２０と圧電アクチュエーター３００との電気的な接続を維持することができなくなってしまう。

なお、第１密着層１３１の幅は、接続端子９１の下面９１ａの幅Ｗ１と同じである必要はなく、幅Ｗ１よりも広くてもよい。また、第２密着層１３２は、側面が若干サイドエッチングされるが、接続端子９１と傾斜配線１１０とは金属同士の接合であるので、密着性の低下はほとんど無視することができる。

以下、本実施形態に係る積層配線の製造方法及び記録ヘッドの製造方法について、図８〜図１０を参照して説明する。図８〜図１０は、接続端子９１及び傾斜配線１１０を備える積層配線の断面図である。なお、積層配線以外の記録ヘッドの製造工程については図示を省略する。

まず、例えばシリコン単結晶からなる流路形成基板１０の表面に弾性膜を構成する酸化膜を形成する。例えば、流路形成基板１０の表面を熱酸化することにより、二酸化シリコンからなる酸化膜を形成する。次いで、弾性膜（酸化膜）上に、弾性膜とは異なる材料の酸化膜からなる絶縁体膜を形成する。具体的には、弾性膜（酸化膜）上に、例えば、スパッタ法等によりジルコニウム（Ｚｒ）層を形成後、このジルコニウム層を熱酸化することにより酸化ジルコニウム（ＺｒＯ_２）からなる絶縁体膜を形成する。

次いで、例えば、白金とイリジウムとを絶縁体膜上に積層することにより第１電極膜を形成した後、この第１電極膜を所定形状にパターニングする。次に、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等からなる圧電体層と、例えば、イリジウム（Ｉｒ）からなる第２電極膜を形成し、これら圧電体層及び第２電極膜をパターニングすることによって圧電アクチュエーターを形成する。

圧電体層の材料としては、例えば、チタン酸ジルコン酸鉛（ＰＺＴ）等の強誘電性圧電性材料や、これにニオブ、ニッケル、マグネシウム、ビスマス又はイットリウム等の金属を添加したリラクサ強誘電体等が用いられる。また、圧電体層の形成方法は、本実施形態では、金属有機物を溶媒に溶解・分散したいわゆるゾルを塗布乾燥してゲル化し、さらに高温で焼成することで金属酸化物からなる圧電体層を得る、いわゆるゾル−ゲル法を用いて圧電体層を形成した。なお、圧電体層の形成方法は、特に限定されず、例えば、ＭＯＤ法やスパッタリング法等を用いるようにしてもよい。

次に、第１密着層１３１及び接続端子９１を形成する。具体的には、図８（ａ）に示すように、流路形成基板１０上の振動板５０の全面に亘って、例えば、ニクロムからなる第１層２３１を形成する。第１層２３１は、第１密着層１３１の材料で形成されている。さらに第１層２３１上に、例えば金からなる第２層１９０を形成する。第２層１９０は接続端子９１の材料で形成されている。後述するように第２層１９０は、ウェットエッチングされて接続端子９１が形成されるが、第１層２３１も当該ウェットエッチングに用いるエッチング液によりエッチングされる材料である。

次に、図８（ｂ）に示すように、圧電アクチュエーターごとに、第２層１９０の接続端子９１（リード電極９０）が形成される領域上に、レジストパターン１５０を形成する。そして、第１層２３１及び第２層１９０をウェットエッチングする。このとき、エッチング液に浸漬する時間等を調整することで、オーバーエッチングとなるようにする。ここでいうオーバーエッチングとは、レジストパターン１５０の幅（平面視におけるＸ方向及びＹ方向の幅）よりも狭くなるように第１層２３１及び第２層１９０が幅方向にエッチングされることをいう。

上述したように、第１層２３１及び第２層１９０は、エッチング液に対してエッチングされる材料からなるので、レジストパターン１５０の第３主面３０３側を残して除去され、接続端子９１とともに、第１密着層１３１が形成される。このようなオーバーエッチングにより、第２層１９０は、レジストパターン１５０よりも内側にエッチングされ、逆台形状となった接続端子９１（リード電極９０）が形成される。また、第１層２３１は、接続端子９１と接合した領域以外は除去され、隣接する接続端子９１とは絶縁される。

このように、本実施形態に係る積層配線の形成方法によれば、ウェットエッチングを実施する時間を調整することで、煩雑な工程を採用することなく、容易に逆台形状の接続端子９１を形成することができる。

次に、図８（ｃ）に示すように、レジストパターン１５０を除去することで、図９（ａ）に示すように、第１密着層１３１上に逆台形状の接続端子９１が形成される。

次に、特に図示しないが、流路形成基板１０の第３主面３０３上に、保護基板３０を接着剤３５で接合する（図６参照）。なお、保護基板３０には、保持部３１や貫通孔３２が予め形成されている。これにより、保護基板３０の貫通孔３２内に、リード電極９０の一部が導出されて露出する。その貫通孔３２内に露出したリード電極９０の一部が接続端子９１となる。

次に、第１密着層１３１と同じ材料からなる第２密着層１３２を形成し、さらに、第２密着層１３２上に傾斜配線１１０を形成する。具体的には、図９（ｂ）に示すように、第１密着層１３１と同じ材料からなり、第２密着層１３２となる第３層２３２を保護基板３０の第１主面３０１（図６参照）、第１側壁部３２１及び接続端子９１の上面に形成する。本実施形態では、貫通孔３２内に露出した第３主面３０３と接続端子９１とが覆われるように第３層２３２を形成した。また、第１主面３０１及び第１側壁部３２１についても、それらの全面に第３層２３２を形成している。

第３層２３２は、接続端子９１と傾斜配線１１０との間の第２密着層１３２となるが、製造工程中においては、接続端子９１全体を覆う保護膜として機能する。すなわち、第３層２３２は、傾斜配線１１０をウェットエッチングにより形成する際に、接続端子９１をエッチングから保護する。

また、第３層２３２は、本実施形態ではニクロムからなりスパッタ法により形成されている。このとき、接続端子９１は断面形状が逆台形状となっているため、接続端子９１の側面にはスパッタ法による第３層２３２が形成されにくくなっている。すなわち、第３層２３２の膜厚は第３主面３０３に平行な面と当該面に交差する面とで異なっている。

第３主面３０３及び接続端子９１の上面９１ｂ上に設けられた第３層２３２の一部を平面部２３２ａとし、接続端子９１の側面に形成された第３層２３２の一部を側面部２３２ｂとする。平面部２３２ａの膜厚をαとし、側面部２３２ｂの膜厚をβとすると、膜厚αは膜厚βよりも厚い。

そして、さらに第３層２３２上に、傾斜配線１１０となる第４層２１０を形成する。第４層２１０は、ウェットエッチング可能な材料、本実施形態では例えば金からなり、スパッタ法により形成されている。本実施形態では、第３層２３２全体を覆うように第４層２１０が形成されている。

次に、図９（ｃ）に示すように、第４層２１０の傾斜配線１１０が形成される領域上にレジストパターン１５０を形成する。そして、ウェットエッチングにより第４層２１０をウェットエッチングすることで傾斜配線１１０を形成する。図には、第３層２３２が露出するまで第４層２１０をウェットエッチングした状態を示している。

次に、図１０（ａ）に示すように、第４層２１０をウェットエッチングする際に用いたエッチング液と同種のものを用いて、第３層２３２をウェットエッチングする。

ここで、隣接する接続端子９１の対向する側面部２３２ｂ同士の間の空間を空間部Ｓとする。この空間部Ｓのうち、側面部２３２ｂよりもＺ方向に沿った第３主面３０３側の部分を第１空間部Ｓ１とする。空間部Ｓのうち第１空間部Ｓ１以外の部分、すなわち、Ｚ方向において第３主面３０３とは反対側に開放された部分を第２空間部Ｓ２とする。

各接続端子９１は、上述したように逆台形状に形成されているため、第１空間部Ｓ１においては、第３主面３０３と側面部２３２ｂとが近接し、第２空間部Ｓ２よりも狭い空間となっている。

したがって、第１空間部Ｓ１においてはエッチング液が流れにくく、例えば、矢印Ａに示すように滞留する傾向にある。一方、第２空間部Ｓ２においては、Ｚ方向において第３主面３０３とは反対側に開放されているため、エッチング液が流れやすく、例えば、矢印Ｂに示すように循環する傾向にある。

このため、第１空間部Ｓ１においては、エッチング液が流れにくいため側面部２３２ｂのエッチングレートが相対的に低くなる。一方、第２空間部Ｓ２及び接続端子９１の上面９１ｂ近傍においては、エッチング液が流れやすいため平面部２３２ａのエッチングレートが相対的に高くなる。

このように、側面部２３２ｂに面した第１空間部Ｓ１においては、エッチングレートが低くなるため、平面部２３２ａが除去されても側面部２３２ｂを残すことができる。すなわち、側面部２３２ｂが第１密着層１３１をエッチングから保護する保護膜として機能する。このため、第１密着層１３１にまでエッチング液が達し、第１密着層１３１がサイドエッチングされることを抑制できる。

上述した逆台形状の接続端子９１を形成し、該接続端子９１にウェットエッチングにより傾斜配線１１０を形成することで、第３層２３２のうち、接続端子９１と傾斜配線１１０との間の部分を残して第２密着層１３２とするとともに、第３主面３０３上に設けられた第３層２３２を除去して隣接する第１密着層１３１、接続端子９１を絶縁することができる。

ちなみに、第３主面３０３上に第３層２３２の一部である平面部２３２ａが形成されたままであると、各第１密着層１３１や各接続端子９１が導通してしまう。第３主面３０３上に形成された平面部２３２ａは、隣接する第１密着層１３１同士を絶縁するために、必ず除去されなければならない。

本実施形態に係る積層配線の形成方法によれば、第３層２３２の一部である第３主面３０３上の平面部２３２ａを除去することで、隣接する第１密着層１３１間を確実に絶縁するとともに、第１密着層１３１がサイドエッチングされることを抑制することができる。

第１密着層１３１のサイドエッチングが抑制されることで、接続端子９１が第３主面３０３から剥離することを抑制し、駆動回路１２０と圧電アクチュエーター３００とをより確実に導通して信頼性の高いインクの噴射を行える記録ヘッド１を製造することができる。

上述したように、第３層２３２のうち平面部２３２ａと側面部２３２ｂとはエッチングレートが異なるが、平面部２３２ａの膜厚αは側面部２３２ｂの膜厚βよりも厚くなっている。すなわち、エッチングレートは異なるものの、膜厚αが膜厚βよりも厚いため、平面部２３２ａと側面部２３２ｂの除去に要する時間が極端に異なることが回避されている。したがって、図１０（ａ）に示すように、平面部２３２ａを除去した際に、側面部２３２ｂが若干残るか、図１０（ｂ）に示すように、平面部２３２ａと側面部２３２ｂとがほぼ同時に除去させることができる。

ちなみに、接続端子９１の断面形状が逆台形状ではなく、例えば長方形状である場合、平面部２３２ａと側面部２３２ｂに対するエッチングレートはほとんど相違無い。したがって、接続端子９１の側面にスパッター法により形成される側面部２３２ｂの膜厚が薄い分、側面部２３２ｂが速く除去され、第１密着層１３１が露出するおそれがある。このため、第１密着層１３１がサイドエッチングされてしまう。

以降、特に図示しないが、レジストパターン１５０を除去することで積層配線１３０を形成することができる。

そして、流路形成基板１０の第３主面３０３とは反対面側を加工して、流路形成基板１０を所定の厚みとする。次いで、流路形成基板１０の第３主面３０３とは反対面側に、圧力発生室１２を形成する際のマスクとなる所定パターンの保護膜を形成する。すなわち、圧力発生室１２に対向する領域に開口部を有する保護膜を形成する。次に、当該保護膜をマスクとして流路形成基板１０を異方性エッチング（ウェットエッチング）する。これにより、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が形成される。

さらに、流路形成基板１０の第３主面３０３とは反対面側に、連通板１５を接合する。連通板１５には、予めノズル連通路１６、第１マニホールド部１７、第２マニホールド部１８、及び供給連通路１９が形成されている。圧力発生室１２にノズル連通路１６及び供給連通路１９が連通するようにして連通板１５を流路形成基板１０に接合する。

また、ノズル開口２１が設けられたノズルプレート２０を、ノズル開口がノズル連通路１６に連通するように連通板１５の流路形成基板１０とは反対側の面に接合する。

次に、コンプライアンス基板４５を連通板１５の流路形成基板１０とは反対側の面に接合する。このとき、封止膜４６が連通板１５の第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８を塞ぐようにする。

次に、保護基板３０の第１主面３０１上に駆動回路１２０を載置するとともに、配線端子１１４と接続部１２２とを電気的に接続する。そして、予め凹部４１や第３マニホールド部４２を有するケース部材４０を保護基板３０及び連通板１５に接着剤等で接着することで記録ヘッド１を製造することができる。

なお、本実施形態では、保護基板３０及び流路形成基板１０として説明したが、特にこれに限定されず、１枚のウェハーに保護基板３０を複数一体的に形成すると共に、１枚のウェハーに流路形成基板１０を複数一体的に形成し、これらを接合した後で、図３に示すサイズに分割するようにしてもよい。

また、本実施形態に係る記録ヘッド１では、駆動回路１２０が、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって配置されている。すなわち、平面視（図４参照）において貫通孔３２が存在する領域も駆動回路１２０の配置スペースとすることができる。これにより、保護基板３０の第１主面３０１において駆動回路１２０を配置するスペースを抑え、記録ヘッド１の平面方向の小型化を図ることができる。

また、駆動回路１２０は、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって設けられているため、貫通孔３２によって剛性が低下した保護基板３０を駆動回路１２０によって補強することができる。

さらに、２つの駆動回路１２０が第１の方向Ｘにおいて占める幅は、貫通孔３２よりも短い。すなわち、第１の方向Ｘにおいて、各駆動回路１２０の両側に貫通孔３２が外部と連通している。これにより、貫通孔３２内の放熱を行うことができる。したがって、駆動回路１２０や傾斜配線１１０からの発熱が貫通孔３２内にこもることを抑制することができる。

もちろん、駆動回路１２０の配置は、本実施形態に限定されず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で、第１の方向Ｘにおける貫通孔３２の片方に偏って配置されていてもよい。また駆動回路１２０の個数も特に制限はない。

さらに、一つの貫通孔３２に２列の接続端子列９４が露出するようにしたが、このような態様に限定されない。接続端子列９４ごとに貫通孔３２を設け、傾斜配線１１０を接続させてもよい。また、接続端子列９４は、圧電アクチュエーター３００の列数に合わせて２列としたが、これに限定されず、１列又は３列以上であってもよい。

〈実施形態２〉
本実施形態では、第１配線の一例である接続端子９１を逆台形状に形成する製造方法の別態様について説明する。図１１は、接続端子及び傾斜配線を備える積層配線の断面図である。なお、実施形態１と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

図１１（ａ）に示すように、流路形成基板１０上に振動板５０を形成する。振動板５０、すなわち第３主面３０３の全面に亘って、例えば、ニクロムからなる第１層２３１Ａを形成し、第１層２３１Ａ上に、例えば金からなる第２層１９０Ａを形成する。さらに、第２層１９０Ａの全面に亘ってレジストパターン１５０を形成する。

次に、図１１（ｂ）に示すように、第２層１９０Ａの接続端子９１（リード電極９０）となる領域が露出するように、フォトレジスト法によりネガレジストでオーバー露光する。ここでいうオーバー露光とは、適正露光量の露光秒数よりも大きい秒数で露光することをいう。適性露光量とは、例えば線画を焼き付ける場合は、透過する原稿の線幅に対して露光現像処理で得られた導電性材料の線幅が同一に得られる露光秒数の範囲を求め、その範囲の中心の露光秒数で露光した時の露光量をいう。

これにより、第２層１９０Ａの一部がＺ方向に貫通した貫通孔である開口部１９１が形成され、開口部１９１の底部に第２層１９０Ａが露出する。この開口部１９１は、オーバー露光により形成したことで、開口部１９１の側面１９２が傾斜し、側面１９２間の幅Ｗ４が第２層１９０Ａから離れる方向に向かって拡張している。

次に、図１１（ｃ）に示すように、レジストパターン１５０Ａをマスクとして、めっき処理を行う。具体的には第２層１９０Ａと同じ材料、本実施形態では金めっき層１９０Ｂを開口部１９１内に形成する。

次に図１１（ｄ）に示すように、レジストパターン１５０Ａを除去し、さらに、第２層１９０Ａ及び第１層２３１Ａの不要な部分を除去することで、金めっき層１９０Ｂ及び第１層２３１Ａの間に設けられた第２層１９０Ａと、金めっき層１９０Ｂとによって構成された逆台形状の接続端子９１（リード電極９０）を第１密着層１３１（第１層２３１Ａの不要な部分を除去した層）上に形成することができる。

以降は、実施形態１に説明したように、上記接続端子９１上に第２配線の一例である傾斜配線１１０を設けることで積層配線１３０を製造することができる。

本実施形態に係る積層配線の形成方法によれば、フォトレジスト法により高精度に開口部１９１を形成することができるので、開口部１９１に形成した金めっき層１９０Ｂからなる接続端子９１を高精度に形成することができる。

〈実施形態３〉
実施形態１に記載する第１配線の一例である接続端子９１は、逆台形状に形成されていたがこのような態様に限定されない。図１２は、接続端子及び傾斜配線を備える積層配線の断面図である。なお、実施形態１と同一のものには同一の符号を付し、重複する説明は省略する。

本実施形態に係る接続端子９１Ａの断面形状は、第１密着層１３１側の下部密着層９２と、下部密着層９２上に設けられた上部密着層９３とを備えている。下部密着層９２は断面形状が長方形状であり、上部密着層９３も断面形状が長方形状である。上部密着層９３のＸ方向の幅Ｗ６は、下部密着層９２のＸ方向の幅Ｗ５よりも広い。

すなわち、接続端子９１Ａは、断面形状のＸ方向の幅が第３主面３０３から離れるにしたがって徐々に拡がる構成ではなく、下部密着層９２と上部密着層９３との境界で階段状に拡幅している。

このような構成の接続端子９１Ａでは、下部密着層９２のＸ方向の両外側であり、かつ上部密着層９３のＺ方向の下方（第３主面３０３側）の第１空間部Ｓ１’が形成さている。この第１空間部Ｓ１’は実施形態１の第１空間部Ｓ１に相当する。すなわち、第１空間部Ｓ１’では、ウェットエッチングの際にエッチング液が滞留する傾向にあり、実施形態１と同様に、第１空間部Ｓ１’におけるエッチング液によるエッチングレートを低くすることができる。そして、実施形態１に係る積層配線の形成方法と同様に、第１密着層１３１がエッチング液によりエッチングされ、第３主面３０３から剥離することを抑制することができる。

〈他の実施形態〉
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。

例えば、上述した実施形態１では、保護基板３０に貫通孔３２を設け、貫通孔３２内に斜面である第１側壁部３２１を設けるようにしたが、特にこれに限定されない。例えば、保護基板３０には、貫通孔３２を設けずに、２つの保護基板３０を第２の方向Ｙに所定距離離して設け、この第２の方向Ｙで相対向する面に傾斜面である第１側壁部３２１を形成してもよい。このような構成であっても、上述した実施形態１と同様の作用効果を奏する。

また、上述した実施形態１では、傾斜配線部１１２として、直線部１１２ａと傾斜部１１２ｂとを設けるようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、直線部１１２ａを設けずに、傾斜部１１２ｂのみを設けるようにしてもよい。

もちろん、１本の傾斜配線部１１２に対して２つ以上の直線部１１２ａや２つ以上の傾斜部１１２ｂを設けてもよく、１本の傾斜配線部１１２に傾斜角度の異なる傾斜部１１２ｂを複数設けるようにしてもよい。

さらに、上述した実施形態１では、保護基板３０上に駆動回路１２０が実装された構成を例示したが、特にこれに限定されず、駆動回路１２０をフレキシブル基板等に実装し、フレキシブル基板を保護基板３０の配線端子１１４に電気的に接続するようにしてもよい。

また、上述した各実施形態では、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧力発生手段として、薄膜型の圧電アクチュエーター３００を用いて説明したが、特にこれに限定されず、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の圧電アクチュエーターや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電アクチュエーターなどを使用することができる。また、圧力発生手段として、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエーターなどを使用することができる。

また、これら各実施形態の記録ヘッド１は、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備するインクジェット式記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図１３は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。

インクジェット式記録装置Ｉにおいて、記録ヘッド１は、インク供給手段を構成するカートリッジ２が着脱可能に設けられ、記録ヘッド１を搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に沿って軸方向（主走査方向）に移動可能に設けられている。

そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、記録ヘッド１を搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４には搬送手段としての搬送ローラー８が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートＳが搬送ローラー８により主走査方向とは直交する副走査方向に搬送されるようになっている。なお、記録シートＳを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限られずベルトやドラム等であってもよい。

なお、上述したインクジェット式記録装置Ｉでは、記録ヘッド１がキャリッジ３に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、例えば、記録ヘッド１が固定されて、紙等の記録シートＳを副走査方向に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式記録装置にも本発明を適用することができる。

また、上述した例では、インクジェット式記録装置Ｉは、液体貯留手段であるカートリッジ２がキャリッジ３に搭載された構成であるが、特にこれに限定されず、例えば、インクタンク等の液体貯留手段を装置本体４に固定して、貯留手段と記録ヘッド１とをチューブ等の供給管を介して接続してもよい。また、液体貯留手段がインクジェット式記録装置に搭載されていなくてもよい。

さらに、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式記録ヘッド等の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも適用することができる。

また、本発明は、広く配線実装構造全般を対象としたものであり、液体噴射ヘッド以外の他のデバイスに適用することができる。

Ｉ インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、 １ インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、 １０ 流路形成基板、 ２０ ノズルプレート、 ２０ａ 液体噴射面、 ２１ ノズル開口、 ９０ リード電極、 ９１ 接続端子（第１配線）、 １００ マニホールド、 １１０ 傾斜配線（第２配線）、 １１４ 配線端子、 １２０ 駆動回路（半導体素子）、 １２１ 端子、 １３０ 積層配線、 １３１ 第１密着層、 １３２ 第２密着層、 １５０、１５０Ａ レジストパターン、 １９０、１９０Ａ 第２層、 １９０Ｂ 金めっき層、 １９１ 開口部、 ２１０ 第４層、 ２３１、２３１Ａ 第１層、 ３００ 圧電アクチュエーター、 ３０１ 第１主面、 ３０２ 第２主面、 ３０３ 第３主面、 ３２１ 第１側壁部（斜面）

Claims (7)

1. 基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い第１配線を形成し、
   前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層で前記第１配線を覆い、
   前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記第１配線上に前記第２密着層を介して第２配線を形成する
   ことを特徴とする積層配線の形成方法。
2. 請求項１に記載する積層配線の形成方法において、
   前記基板上に前記第１密着層の材料で第１層を形成し、
   前記第１層上に前記第１配線の材料で第２層を形成し、
   前記第２層の前記第１配線が形成される領域上にレジストパターンを形成し、
   ウェットエッチングにより、前記第１層及び前記第２層にオーバーエッチングを施し、前記第２層の断面形状が、前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線を形成する
   ことを特徴とする積層配線の形成方法。
3. 請求項１に記載する積層配線の形成方法において、
   前記基板上に前記第１密着層の材料で第１層を形成し、
   前記第１層上に前記第１配線の材料で第２層を形成し、
   フォトレジスト法により形成されて、前記基板の表面に対して傾斜した側面を有し、対向する側面間の幅が前記第２層から離れる方向に向けて拡張した開口部を有するレジストパターンを、前記第２層の前記第１配線となる領域が当該開口部に露出するように前記第２層上に形成し、
   めっきにより、前記開口部内に前記第１配線の材料でめっき層を形成し、
   前記レジストパターンを除去することで、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広く、前記めっき層及び前記第１層の間に設けられた前記第２層と、前記めっき層とによって構成された前記第１配線を形成する
   ことを特徴とする積層配線の形成方法。
4. 半導体素子が電気的に接続される第１主面、前記第１主面とは反対の裏面とされる第２主面、及び前記第１主面と前記第２主面との間で傾斜して設けられた斜面を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面に接続される第３主面、及び前記第３主面に設けられた第１配線を有する第２基体と、
   前記半導体素子と前記第１配線とを電気的に接続し、前記斜面から前記第１配線に連続して形成された第２配線とを備え、
   前記第２基体には、液体を噴射するノズル開口に連通する流路、及び該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段が設けられており、前記半導体素子によって前記圧力発生手段が駆動される液体噴射ヘッドの製造方法であって、
   前記第２基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線を形成し、
   前記第２基体の前記第３主面上に前記第１基体を接合し、
   前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層で前記第１配線を覆い、
   前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記斜面上から前記第１配線上に前記第２配線を形成する
   ことを特徴とする液体噴射ヘッドの製造方法。
5. 基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い第１配線と、
   前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層上に前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記第１配線上に形成された第２配線と、を備える
   ことを特徴とする配線実装構造。
6. 半導体素子が電気的に接続される第１主面、前記第１主面とは反対の裏面とされる第２主面、及び前記第１主面と前記第２主面との間で傾斜して設けられた斜面を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面に接続される第３主面、及び前記第３主面に設けられた第１配線を有する第２基体と、
   前記半導体素子と前記第１配線とを電気的に接続し、前記斜面から前記第１配線に連続して形成された第２配線と、を備え、
   前記第２基体には、液体を噴射するノズル開口に連通する流路、及び該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段が設けられており、前記半導体素子によって前記圧力発生手段が駆動される液体噴射ヘッドであって
   前記第２基体上に形成されてエッチング液によりエッチングされる第１密着層上に、断面形状が前記第１密着層側の幅よりも前記第１密着層とは反対側の幅が広い前記第１配線と、
   前記第１密着層と同じ材料からなる第２密着層上に前記エッチング液を用いたウェットエッチングによって前記斜面上から前記第１配線上に形成された前記第２配線とを備える
   ことを特徴とする液体噴射ヘッド。
7. 請求項６に記載する液体噴射ヘッドを備えることを特徴とする液体噴射装置。

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