JP2015150812A - 配線実装構造及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置 - Google Patents

Abstract

【課題】接続配線を高精度に形成して、接続配線の断線や短絡を抑制した配線実装構造及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供する。【解決手段】接続配線３３が、第１基体３０及び第２基体１０側に設けられた第１層３３Ａと、第１層３３Ａに形成された第２層３３Ｂとを少なくとも具備し、少なくとも斜面３２１上に形成された接続配線３３（３３３）において、第２層３３Ｂの第１層３３Ａとは反対側の表面の表面粗さは、第１層３３Ａの第２層３３Ｂ側の表面粗さに比べて大きい。【選択図】図４

Description

本発明は、配線と半導体素子とを接続する配線実装構造及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置に関する。

液滴を噴射する液体噴射ヘッドとしては、ノズル開口に連通する圧力発生室が形成された流路形成基板（第２基体）と、流路形成基板の一方面側に設けられた圧電アクチュエーターと、流路形成基板の圧電アクチュエーター側に接合された保護基板（第１基体）とを具備し、圧電アクチュエーターによって圧力発生室内の液体に圧力変化を生じさせることで、ノズル開口から液体を噴射する。

このようなインクジェット式記録ヘッドでは、保護基板の流路形成基板に接合された面とは反対面に駆動回路（半導体素子）を設け、保護基板に開口部を形成して、開口部内に圧電アクチュエーターに接続された配線部を露出させ、駆動回路と圧電アクチュエーターとを、保護基板の開口部の側壁上に設けられた接続配線を介して電気的に接続するようにしたものが提案されている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００７−２９０２３２号公報

しかしながら、高さの異なる面及び段差となるその側壁上に連続して接続配線を形成する場合、接続配線をパターニングする際に用いるレジストを露光する際の光が斜面上の積層配線の表面に反射し、反射した光によって反射光が照射された領域がオーバー露光となって、レジストを所望の形状に形成することができずに、接続配線を高精度に形成することができないという問題がある。

特に、ポジ型のレジストを用いた場合には、オーバー露光によってレジストが他の領域よりも細く形成される。このため、レジストを用いて接続配線をパターニングすると、接続配線が細くなってしまい、接続配線が断線し易くなると共に接続配線の電気抵抗値が高くなってしまうという問題がある。

また、ネガ型のレジストを用いた場合には、オーバー露光によってレジストが他の領域よりも太く形成され、レジストを用いたパターニングによって接続配線が太くなってしまい、隣り合う接続配線間での短絡やマイグレーションが発生し易くなるという問題がある。

なお、このような問題は液体噴射ヘッドだけではなく、他のデバイスに用いられる配線実装構造においても同様に存在する。

本発明はこのような事情に鑑み、接続配線を高精度に形成して、接続配線の断線や短絡を抑制した配線実装構造及びその製造方法、並びに液体噴射ヘッド及び液体噴射装置を提供することを目的とする。

上記課題を解決する本発明の態様は、第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、を備え、前記接続配線が、前記第１基体及び前記第２基体側に設けられた第１層と、該第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に設けられた第２層とを少なくとも具備し、少なくとも前記斜面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の前記第１層とは反対側の表面の表面粗さは、前記第１層の前記第２層側の表面粗さに比べて大きいことを特徴とする配線実装構造にある。
かかる態様では、第１層の表面粗さを第２層の表面粗さに比べて小さくすることで、第１基体や第２基体と接続配線との密着性を向上することができる。また、第２層の表面粗さを第１層の表面粗さよりも大きくすることで、接続配線をパターニングする際のレジストを露光する際に、光が接続配線の表面に反射して、反射光が照射されることでオーバー露光になるのを抑制することができる。これにより、オーバー露光による接続配線の幅が細く形成されることや、逆に接続配線が太く形成されることを抑制して、設計値に近い接続配線を高精度に形成することができる。

ここで、前記第１層の表面粗さＲａが、０．０１μｍ以下であることが好ましい。これによれば、接続配線の密着性を向上することができると共に、これよりも大きな表面粗さの第２層とすることで、レジストの露光時の光を効率的に散乱させることができる。

また、前記第１主面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の表面粗さは、前記第１層とは反対側の表面粗さに比べて大きいことが好ましい。これによれば、第２層に実装される半導体素子や基板などの実装部品との接合強度を向上することができる。

また、本発明の他の態様は、第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、を備える配線実装構造の製造方法であって、前記第１基体と前記第２基体とを接合した後、前記第１基体の前記第１主面、前記斜面及び前記第３主面上に亘って第１層と、前記第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に第２層を形成する工程と、該第２層の表面を粗面化する粗面化加工を行う工程と、前記第２層上にレジストを形成し、該レジストをフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、パターニングした前記レジストを介して前記第１層及び前記第２層をエッチングして前記接続配線を形成する工程と、を具備することを特徴とする配線実装構造の製造方法にある。
かかる態様では、第１層の表面粗さを第２層の表面粗さに比べて小さくすることで、第１基体や第２基体と接続配線との密着性を向上することができる。また、第２層の表面粗さを第１層の表面粗さよりも大きくすることで、接続配線をパターニングする際のレジストを露光する際に、光が接続配線の表面に反射して、反射光が照射されることでオーバー露光になるのを抑制することができる。これにより、オーバー露光による接続配線の幅が細く形成されることや、逆に接続配線が太く形成されることを抑制して、設計値に近い接続配線を高精度に形成することができる。

ここで、前記粗面化加工は、ドライエッチング、ブラスト加工、及びウェットエッチングから選択される少なくとも一種であることが好ましい。これによれば、第２層の表面を容易に粗面化することができる。

さらに、本発明の他の態様は、第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、を備える配線実装構造の製造方法であって、前記第１基体と前記第２基体とを接合した後、前記第１基体の前記第１主面、前記斜面及び前記第３主面上に亘ってスパッタリング法によって第１層を成膜する工程と、前記第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に前記第１層の表面よりも大きい表面粗さを有する第２層を成膜する工程と、前記第２層上にレジストを形成し、該レジストをフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、パターニングした前記レジストを介して前記第１層及び前記第２層をエッチングして前記接続配線を形成する工程と、を具備することを特徴とする配線実装構造の製造方法にある。
かかる態様では、第１層の表面粗さを第２層の表面粗さに比べて小さくすることで、第１基体や第２基体と接続配線との密着性を向上することができる。また、第２層の表面粗さを第１層の表面粗さよりも大きくすることで、接続配線をパターニングする際のレジストを露光する際に、光が接続配線の表面に反射して、反射光が照射されることでオーバー露光になるのを抑制することができる。これにより、オーバー露光による接続配線の幅が細く形成されることや、逆に接続配線が太く形成されることを抑制して、設計値に近い接続配線を高精度に形成することができる。

ここで、前記第２層を成膜する工程では、めっきによって当該第２層を形成することが好ましい。これによれば、表面が粗面化された第２層を容易に形成することができる。

また、本発明の他の態様は、第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、液体を噴射するノズル開口に連通する流路と、該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段と、前記第３主面に設けられて前記圧力発生手段に電気的に接続された接続端子と、を有する第２基体と、前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、を備え、前記接続配線が、前記第１基体及び前記第２基体側に設けられた第１層と、該第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に設けられた第２層とを少なくとも具備し、少なくとも前記斜面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の前記第１層とは反対側の表面の表面粗さは、前記第１層の前記第２層側の表面粗さに比べて大きいことを特徴とする液体噴射ヘッドにある。
かかる態様では、第１層の表面粗さを第２層の表面粗さに比べて小さくすることで、第１基体や第２基体と接続配線との密着性を向上することができる。また、第２層の表面粗さを第１層の表面粗さよりも大きくすることで、接続配線をパターニングする際のレジストを露光する際に、光が接続配線の表面に反射して、反射光が照射されることでオーバー露光になるのを抑制することができる。これにより、オーバー露光による接続配線の幅が細く形成されることや、逆に接続配線が太く形成されることを抑制して、設計値に近い接続配線を高精度に形成することができる。

さらに、本発明の他の態様は、上記態様の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置にある。
かかる態様では、接続配線の断線や短絡などを抑制して信頼性を向上した液体噴射装置を実現できる。

実施形態１に係る記録ヘッドの分解斜視図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの平面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの要部平面図である。 実施形態１に係る接続配線を示す平面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。 実施形態１に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。 比較例の記録ヘッドの断面図及び平面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。 実施形態２に係る記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係る記録装置の概略図である。

以下に本発明を実施形態に基づいて詳細に説明する。
（実施形態１）
図１は、本発明の実施形態１に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの分解斜視図であり、図２は、インクジェット式記録ヘッドの平面図である。また、図３は図２のＡ−Ａ′線断面図であり、図４は、図３の要部を拡大した図であり、図５は、保護基板の平面図である。

図示するように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッド１は、流路形成基板１０、連通板１５、ノズルプレート２０、保護基板３０、コンプライアンス基板４５等の複数の部材を備える。

流路形成基板１０は、ステンレス鋼やＮｉなどの金属、ＺｒＯ_２あるいはＡｌ_２Ｏ_３を代表とするセラミック材料、ガラスセラミック材料、ＭｇＯ、ＬａＡｌＯ_３のような酸化物などを用いることができる。本実施形態では、流路形成基板１０は、シリコン単結晶基板からなる。この流路形成基板１０には、一方面側から異方性エッチングすることにより、複数の隔壁によって区画された圧力発生室１２がインクを吐出する複数のノズル開口２１が並設される方向に沿って並設されている。以降、この方向を圧力発生室１２の並設方向、又は第１の方向Ｘ（基準方向）と称する。また、流路形成基板１０には、圧力発生室１２が第１の方向Ｘに並設された列が複数列、本実施形態では、２列設けられている。この圧力発生室１２が第１の方向Ｘに沿って形成された圧力発生室１２の列が複数列設された列設方向を、以降、第２の方向Ｙと称する。さらに、第１の方向Ｘ及び第２の方向Ｙの双方に交差する方向を本実施形態では、第３の方向Ｚと称する。なお、本実施形態では、説明理解を容易にするために各方向（Ｘ、Ｙ、Ｚ）の関係を直交とするが、各構成の配置関係が必ずしも直交するものに限定されるべきものでないことを言及しておく。

また、流路形成基板１０には、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの一端部側に、当該圧力発生室１２よりも開口面積が狭く、圧力発生室１２に流入するインクの流路抵抗を付与する供給路等が設けられていてもよい。

また、流路形成基板１０の一方面側（積層方向であって−Ｚ方向）には、連通板１５とノズルプレート２０とが順次積層されている。すなわち、流路形成基板１０の一方面に設けられた連通板１５と、連通板１５の流路形成基板１０とは反対面側に設けられたノズル開口２１を有するノズルプレート２０と、を具備する。

連通板１５には、圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６が設けられている。連通板１５は、流路形成基板１０よりも大きな面積を有し、ノズルプレート２０は流路形成基板１０よりも小さい面積を有する。このように連通板１５を設けることによってノズルプレート２０のノズル開口２１と圧力発生室１２とを離せるため、圧力発生室１２の中にあるインクは、ノズル開口２１付近のインクで生じるインク中の水分の蒸発による増粘の影響を受け難くなる。また、ノズルプレート２０は圧力発生室１２とノズル開口２１とを連通するノズル連通路１６の開口を覆うだけで良いので、ノズルプレート２０の面積を比較的小さくすることができ、コストの削減を図ることができる。なお、本実施形態では、ノズルプレート２０のノズル開口２１が開口されて、インク滴が吐出される面を液体噴射面２０ａと称する。

また、連通板１５には、マニホールド１００の一部を構成する第１マニホールド部１７と、第２マニホールド部１８（絞り流路、オリフィス流路）とが設けられている。

第１マニホールド部１７は、連通板１５を厚さ方向（連通板１５と流路形成基板１０との積層方向）に貫通して設けられている。

また、第２マニホールド部１８は、連通板１５を厚さ方向に貫通することなく、連通板１５のノズルプレート２０側に開口して設けられている。

さらに、連通板１５には、圧力発生室１２の第２の方向Ｙの一端部に連通する供給連通路１９が、圧力発生室１２毎に独立して設けられている。この供給連通路１９は、第２マニホールド部１８と圧力発生室１２とを連通する。

このような連通板１５としては、ステンレスやＮｉなどの金属、またはジルコニウムなどのセラミックなどを用いることができる。なお、連通板１５は、流路形成基板１０と線膨張係数が同等の材料が好ましい。すなわち、連通板１５として流路形成基板１０と線膨張係数が大きく異なる材料を用いた場合、加熱や冷却されることで、流路形成基板１０と連通板１５との線膨張係数の違いにより反りが生じてしまう。本実施形態では、連通板１５として流路形成基板１０と同じ材料、すなわち、シリコン単結晶基板を用いることで、熱による反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。

ノズルプレート２０には、各圧力発生室１２とノズル連通路１６を介して連通するノズル開口２１が形成されている。このようなノズル開口２１は、第１の方向Ｘに並設され、この第１の方向Ｘに並設されたノズル開口２１の列が第２の方向Ｙに２列形成されている。

このようなノズルプレート２０としては、例えば、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属、ポリイミド樹脂のような有機物、又はシリコン単結晶基板等を用いることができる。なお、ノズルプレート２０としてシリコン単結晶基板を用いることで、ノズルプレート２０と連通板１５との線膨張係数を同等として、加熱や冷却されることによる反りや熱によるクラック、剥離等の発生を抑制することができる。

一方、流路形成基板１０の連通板１５とは反対面側には、振動板５０が形成されている。本実施形態では、振動板５０として、流路形成基板１０側に設けられた酸化シリコンからなる弾性膜５１と、弾性膜５１上に設けられた酸化ジルコニウムからなる絶縁体膜５２と、を設けるようにした。なお、圧力発生室１２等の液体流路は、流路形成基板１０を一方面側（ノズルプレート２０が接合された面側）から異方性エッチングすることにより形成されており、圧力発生室１２等の液体流路の他方面は、弾性膜５１によって画成されている。

また、流路形成基板１０の振動板５０上には、本実施形態の圧力発生手段である、第１電極６０と圧電体層７０と第２電極８０とを有する圧電アクチュエーター３００が設けられている。なお、本実施形態の圧力発生手段である圧電アクチュエーター３００が駆動素子に相当する。ここで、圧電アクチュエーター３００は、第１電極６０、圧電体層７０及び第２電極８０を含む部分をいう。一般的には、圧電アクチュエーター３００の何れか一方の電極を共通電極とし、他方の電極を圧力発生室１２毎にパターニングして構成する。本実施形態では、第１電極６０を複数の圧電アクチュエーター３００に亘って連続して設けることで共通電極とし、第２電極８０を圧電アクチュエーター３００毎に独立して設けることで個別電極としている。もちろん、駆動回路や配線の都合でこれを逆にしても支障はない。なお、上述した例では、振動板５０が弾性膜５１及び絶縁体膜５２で構成されたものを例示したが、勿論これに限定されるものではなく、例えば、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２の何れか一方を設けたものであってもよく、また、振動板５０として弾性膜５１及び絶縁体膜５２を設けず に、第１電極６０のみが振動板として作用するようにしてもよい。また、圧電アクチュエーター３００自体が実質的に振動板を兼ねるようにしてもよい。

圧電体層７０は、第１電極６０上に形成される分極構造を有する酸化物の圧電材料からなり、例えば、一般式ＡＢＯ_３で示されるペロブスカイト型酸化物からなることができ、鉛を含む鉛系圧電材料や鉛を含まない非鉛系圧電材料などを用いることができる。

また、圧電アクチュエーター３００の第２電極８０の各々には、引き出し配線であるリード電極９０の一端部が接続されている。リード電極９０は、第２電極８０の端部から振動板５０上に引き出されており、他端部が第２の方向Ｙで隣り合う圧電アクチュエーター３００の列の間に延設されている。ここで、引き出されたリード電極９０の他端部が、詳しくは後述する半導体素子である駆動回路に接続される接続端子９１となっている。本実施形態では、圧電アクチュエーター３００の列毎に接続端子９１が本実施形態の基準方向である第１の方向Ｘに並設された接続端子列９１Ａが形成されている。すなわち、接続端子９１が第１の方向Ｘに並設されて構成された接続端子列９１Ａは、第２の方向Ｙに２列並設されている。本実施形態では、図６に示すように、接続端子９１は、圧電アクチュエーター３００のピッチと同じ第２のピッチｄ２で第１の方向Ｘに並設されている。なお、本実施形態の第２のピッチｄ２とは、第１の方向Ｘで隣り合う２つの接続端子９１の中心線間の距離である。すなわち、本実施形態では、リード電極９０は、圧電アクチュエーター３００の端部から第１の方向Ｘに直線上に沿って延設されている。また、このように接続端子９１が設けられた流路形成基板１０が第２基体に相当し、流路形成基板１０の保護基板３０側の面、すなわち振動板５０の保護基板３０側の面を第３主面１０１と称する。

また、流路形成基板１０の圧電アクチュエーター３００側の面には、流路形成基板１０と略同じ大きさを有する保護基板３０が接合されている。本実施形態では、保護基板３０が第１基体に相当し、保護基板３０の流路形成基板１０と接合された面とは反対側の面を第１主面３０１と称し、流路形成基板１０に接合される面を第２主面３０２と称する。すなわち、第２基体である流路形成基板１０の第３主面１０１は、第１基体である保護基板３０の第２主面３０２と接合されている。

このような保護基板３０としては、流路形成基板１０の熱膨張率と略同一の材料、例えば、ガラス、セラミック材料等を用いることが好ましく、本実施形態では、流路形成基板１０と同一材料のシリコン単結晶基板を用いて形成した。また、流路形成基板１０と保護基板３０との接合方法は特に限定されず、例えば、本実施形態では、流路形成基板１０と保護基板３０とを接着剤３５を介して接合されている。

また、保護基板３０は、第２主面３０２の側に圧電アクチュエーター３００を保護して収容するための空間である保持部３１を有する。保持部３１は、保護基板３０を厚さ方向である第３の方向Ｚに貫通することなく、流路形成基板１０側に開口する凹形状を有する。また、保持部３１は、本実施形態では、第１の方向Ｘに並設された圧電アクチュエーター３００の列毎に独立して設けられている。すなわち、保持部３１は、圧電アクチュエーター３００の第１の方向Ｘに並設された列に亘って連続して設けられており、圧電アクチュエーター３００の列毎、すなわち２つが第２の方向Ｙに並設されている。このような保持部３１は、圧電アクチュエーター３００の運動を阻害しない程度の空間を有していればよく、当該空間は密封されていても、密封されていなくてもよい。

また、保護基板３０は、厚さ方向である第３の方向Ｚに貫通した本実施形態の開口部である貫通孔３２を有する。貫通孔３２は、第２の方向Ｙに並設された２つの保持部３１の間に複数の圧電アクチュエーター３００の並設方向である第１の方向Ｘに亘って連続して設けられている。すなわち、貫通孔３２は、第１の方向Ｘに沿って溝状に形成されている。つまり、貫通孔３２は、複数の圧電アクチュエーター３００の並設方向に長辺を有した開口とされている。

このような貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側の壁面である第１側壁部３２１は、図４に示すように、第１主面３０１と第２主面３０２との間で傾斜して設けられた斜面となっている。すなわち、斜面である第１側壁部３２１は、基準方向である第１の方向Ｘに延在している。ここで、第１側壁部３２１が斜面になっているとは、第１主面３０１及び第２主面３０２に対して傾斜して設けられていることを言う。すなわち、第１側壁部３２１が第１主面３０１及び第２主面３０２と同じ面方向で形成されておらず、また、第１側壁部３２１が第１主面３０１及び第２主面３０２に直交する第３の方向Ｚと同じ面方向に設けられていないことを言う。つまり、第１側壁部３２１は、第３の方向Ｚに対しても傾斜して設けられている。このような第１側壁部３２１の傾斜角度は特に限定されないが、例えば、保護基板３０をシリコン単結晶基板で形成した場合、シリコン単結晶基板の面方位にもよるが、例えば、第１側壁部３２１は、第２主面３０２に対して５４．７度となる。また、第２の方向Ｙで相対向する２つの第１側壁部３２１の間隔は、第３の方向Ｚにおいて流路形成基板１０とは離れる方向に向かって漸大して設けられている。

なお、本実施形態では、貫通孔３２の第１の方向Ｘの両側の壁面である２つの第２側壁部３２２についても第１側壁部３２１と同様に第１主面３０１及び第２主面３０２に対して傾斜して設けられている。このように第１側壁部３２１と第２側壁部３２２とを傾斜して設けることにより、貫通孔３２を例えばエッチングによって容易に高精度に形成することができる。

このような保護基板３０に貫通孔３２内には、流路形成基板（第２基体）１０の第３主面１０１の一部（振動板５０の一部）が露出され、その領域の中に圧電アクチュエーター３００から引き出されたリード電極９０の端部である接続端子９１が露出して設けられている。

具体的には、リード電極９０の貫通孔３２の内側の領域に導出されて露出した部分が接続端子９１となっている。流路形成基板１０の第３主面１０１上に、第１の方向Ｘに並設された複数の接続端子９１からなる群を接続端子列９１Ａと称する。本実施形態では、第３主面１０１の貫通孔３２によって露出された部分（貫通孔３２の内側の領域）において、２つの接続端子列９１Ａが第２の方向Ｙに並設されている。

また、本実施形態では、貫通孔３２内には、圧電アクチュエーター３００の第１電極６０が露出して設けられている。ここで、第１電極６０は、圧電アクチュエーター３００の並設方向である第１の方向Ｘの両端部において、２列の圧電アクチュエーター３００に共通して連続して設けられている。

また、保護基板３０には、配線である接続配線３３が形成されている。接続配線３３について、さらに図６を参照して詳細に説明する。なお、図６は、接続配線を示す平面図である。

接続配線３３は、第１主面３０１上から第１側壁部３２１上を介して第３主面１０１に設けられたリード電極９０の接続端子９１上にまで延設されている。具体的には、接続配線３３は、リード電極９０毎に設けられており、第１主面３０１に設けられた第１接続配線３３１と、第３主面１０１側に設けられて、リード電極９０上に形成された第２接続配線３３２と、第１側壁部３２１及び接着剤３５上に跨がって形成されて第１接続配線３３１と第２接続配線３３２とを接続する傾斜面配線３３３と、を具備する。

接続配線３３は、リード電極９０の接続端子９１列毎に第１の方向Ｘに複数並設されている。本実施形態では、リード電極９０の接続端子列９１Ａが第２の方向Ｙに２列設けられているため、接続配線３３は、貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側に、接続端子列９１Ａに対応してそれぞれ設けられている。

ここで、第１接続配線３３１は、貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側の第１主面３０１上に第１の方向Ｘに並設されて設けられている。また、第１接続配線３３１は、第２の方向Ｙに直線上に延設されている。このような第１接続配線３３１の第１主面３０１上の一端部が、半導体素子である駆動回路２００に電気的に接続される第１配線端子３３４となっている。第１配線端子３３４を有する第１接続配線３３１は、リード電極９０の隣り合う接続端子９１の第２のピッチｄ２よりも狭い第１のピッチｄ１で第１の方向Ｘに沿って並設されている。言い換えると、接続端子９１の第２のピッチｄ２は、第１配線端子３３４の第１のピッチｄ１よりも広い。

第２接続配線３３２は、リード電極９０上に、すなわち、リード電極９０の流路形成基板１０とは反対側の面に設けられて、リード電極９０の接続端子９１と電気的に接続されている。すなわち、第２接続配線３３２は、第２の方向Ｙに直線上に延設されている。このような第２接続配線３３２は、リード電極９０と同じ第２のピッチｄ２で第１の方向Ｘに並設されている。この第２接続配線３３２が、リード電極９０の接続端子９１と電気的に接続される第２配線端子となっている。

傾斜面配線３３３は、第１接続配線３３１と第２接続配線３３２とを繋ぐように形成されている。傾斜面配線３３３は、第２接続配線３３２側に設けられた直線部３３３ａと、直線部３３３ａに連続して第１接続配線３３１側に設けられた傾斜部３３３ｂと、を具備する。このような直線部３３３ａは、第２の方向Ｙに沿った直線上に延設されている。また、傾斜部３３３ｂは直線部３３３ａに対して傾斜した、すなわち、第２の方向Ｙに対して角度θで傾斜した方向に直線上に延設されている。ここで、直線部３３３ａは、第２のピッチｄ２で形成されており、傾斜部３３３ｂの第１接続配線３３１側の端部は、第１のピッチｄ１で形成されている。本実施形態では、全ての傾斜面配線３３３の傾斜部３３３ｂは、同じ傾斜角度で形成されており、直線部３３３ａの第２の方向Ｙの長さを調整することで、直線部３３３ａの第２のピッチｄ２を傾斜部３３３ｂの第１接続配線３３１側の端部、すなわち第１配線端子３３４の第１のピッチｄ１にピッチ変換している。

このような第１接続配線３３１、第２接続配線３３２及び傾斜面配線３３３は、本実施形態では、同じ幅ｗで形成されている。すなわち、第１接続配線３３１、第２接続配線３３２及び傾斜面配線３３３は、第１の方向の幅（傾斜面配線３３３の傾斜部３３３ｂについては延設方向に直交する方向の幅）が同じ幅ｗで形成されている。これにより、接続配線３３の抵抗が高くなるのを抑制することができると共に、第１接続配線３３１、第２接続配線３３２及び傾斜面配線３３３の接続部分での断線等を抑制することができる。また、接続配線３３の一部を幅広に形成すると、第１の方向Ｘで隣り合う接続配線３３の間隔が狭くなり、短絡やマイグレーションが発生する虞がある。本実施形態では、接続配線３３を同じ幅ｗで形成することで、断線や短絡、マイグレーションを抑制することができる。もちろん、接続配線３３を構成する第１接続配線３３１、第２接続配線３３２及び傾斜面配線３３３の幅ｗを同じ幅で形成しなくてもよく、第１接続配線３３１、第２接続配線３３２及び傾斜面配線３３３の幅を途中で異なる幅に変更してもよい。

このような接続配線３３は、流路形成基板１０及び保護基板３０側に設けられた最下層である密着層３３Ａと、密着層３３Ａ上に形成された最上層である導電層３３Ｂとを具備する。本実施形態では、最下層である密着層３３Ａが、第１層に相当し、最上層である導電層３３Ｂが第２層に相当する。

密着層３３Ａは、導電層３３Ｂと流路形成基板１０及び保護基板３０側との密着性を向上させるためのものであり、例えば、ニッケル（Ｎｉ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）、タングステン（Ｗ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等が挙げられる。このような密着層３３Ａは、詳しくは後述するが、スパッタリング法によってその表面、すなわち、流路形成基板１０及び保護基板３０とは反対側の表面の表面粗さが小さく形成される。なお、スパッタリング法によって密着層３３Ａを形成することで、流路形成基板１０の振動板５０やリード電極９０、保護基板３０の表面との密着性を向上することができる。ちなみに保護基板３０として単結晶シリコンを用いた場合には、その表面には、二酸化シリコン等の酸化膜等の保護膜を形成するのが一般的であり、密着層３３Ａをスパッタリング法によって形成することで、酸化膜等の保護膜との密着性を向上することができる。このように、スパッタリング法によって形成される金属膜の表面粗さＲａは、一般的には、例えば、０．０１μｍ以下である。もちろん、密着層３３Ａの形成方法は、スパッタリング法に限定されるものではなく、蒸着、めっき等によって形成してもよい。ただし、密着層３３Ａをスパッタリング法によって形成することで、より高い密着性を有する膜を形成することができる。

導電層３３Ｂは、導電性に優れた材料、例えば、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）等が挙げられる。このような導電層３３Ｂは、密着層３３Ａとは反対側の表面の表面粗さが、密着層３３Ａの導電層３３Ｂ側の表面の表面粗さに比べて大きい。このような表面粗さの大きい導電層３３Ｂは、詳しくは後述するが、粗面化加工や、成膜時の条件（成膜方法や、出力等の調整）などによって製造することができる。なお、粗面化加工としては、イオンミリングなどのドライエッチング、サンドブラストに代表されるブラスト加工等の機械加工、ウェットエッチングなどが挙げられる。なお、これらの加工は、単独で行っても複数組み合わせて行ってもよい。また、粗面化された導電層３３Ｂを成膜する方法としては、例えば、めっきが挙げられる。もちろん、スパッタリング法によって導電層３３Ｂを形成する際に、温度や出力等の成膜条件を調整することでも表面粗さを調整することができる。

なお、導電層３３Ｂの表面粗さは、詳しくは後述するが、導電層３３Ｂをパターニングする際にマスクとしてレジストを用いるが、このレジストをフォトリソグラフィー法によってパターニングする際に用いる露光時の光源に基づいて適宜選定すればよい。すなわち、導電層３３Ｂの表面粗さは、レジストを露光する光を散乱させることができる程度の大きさで形成すればよい。つまり、レジストを露光する光はレジストを透過して導電層３３Ｂにまで達する。このとき、導電層３３Ｂの表面が鏡面だと、導電層３３Ｂの表面に反射した光は一定の方向性を有し、他の領域に照射される。他の領域には、光源から直接照射された光と、導電層３３Ｂによって反射した光との両方が照射されて、オーバー露光してしまう。本実施形態では、導電層３３Ｂの表面の凹凸によって露光時の光を散乱させて、導電層３３Ｂに反射した光が他の領域に反射されるのを抑制することができる程度の大きさで形成すればよい。なお、導電層３３Ｂを例えば、スパッタリング法によって形成すると、上述のように表面粗さＲａは０．０１μｍ以下となり、導電層３３Ｂの表面で露光の光を散乱させることができないため、導電層３３Ｂの表面粗さＲａは、０．０１μｍよりも大きいのが好ましく、例えば、０．０５μｍ以上が好適である。

このように、接続配線３３の最上層である導電層３３Ｂの表面粗さを粗くすることで、接続配線３３をパターニングする際に用いるレジストの露光時のオーバー露光を抑制することができる。したがって、レジストの幅を所望の幅で、すなわち、オーバー露光によって予期せぬ幅にならないように形成することができるため、このレジストをマスクとしてパターニングされた接続配線３３の幅を高精度に形成することができる。したがって、接続配線３３の幅ｗが細く形成されることによる断線や、接続配線３３の幅ｗが広く形成されることによる短絡やマイグレーションの発生を抑制することができる。

なお、表面が粗面化された導電層３３Ｂは、露光時の反射光を抑制するためのものであるため、少なくとも第１側壁部３２１上に形成された接続配線３３、すなわち、傾斜面配線３３３のみが行われていればよい。すなわち、第１主面３０１上の第１接続配線３３１やリード電極９０上の第２接続配線３３２等の表面は粗面化されていなくてもよい。ただし、第１接続配線３３１の表面を粗面化することで、詳しくは後述するが、接続配線３３の第１接続配線３３１上に駆動回路２００を実装する際に、接続配線３３の表面が粗面化されていれば、アンカー効果によって接合強度を向上することができる。本実施形態では、接続配線３３の一部を選択的に粗面化するのはコストが高くなるため、接続配線３３の全ての表面が粗面化されている。

このような保護基板３０の第１主面３０１には、本実施形態の半導体素子である駆動回路２００が実装されている。駆動回路２００は、保護基板３０の第１主面３０１に、少なくとも貫通孔３２の一部を覆って塞ぐように配置されている。すなわち、駆動回路２００は、第３の方向Ｚにおいて貫通孔３２に相対向する位置に設けられている。このような駆動回路２００は、第２の方向Ｙの幅が貫通孔３２の第１主面３０１の開口幅よりも大きく、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって配置されている。また、本実施形態では、駆動回路２００は、第１の方向Ｘの長さが貫通孔３２の第１主面３０１の開口長さよりも短い。そして、駆動回路２００は、第１の方向Ｘの両側に貫通孔３２の一部が露出するように、貫通孔３２の略中央に配置されている。

この駆動回路２００には、接続配線３３の第１配線端子３３４に電気的に接続される端子２０１が設けられている。端子２０１は、駆動回路２００の保護基板３０側の面に設けられている。そして、端子２０１は、駆動回路２００の第２の方向Ｙの両側に、第１の方向Ｘに並設されている。これにより、駆動回路２００の端子２０１と第１配線端子３３４とは第３の方向Ｚにおいて相対向して接続されている。なお、駆動回路２００の端子２０１には、金属バンプである接続部２１１が備えられており、接続部２１１と第１配線端子３３４との接続は、半田接続などの溶接、異方性導電性接着剤（ＡＣＰ、ＡＣＦ）、非導電性接着剤（ＮＣＰ、ＮＣＦ）を介在させて圧着することで確実に電気的な接続が図られる。

このように、本実施形態では、駆動回路２００が、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって配置されているため、保護基板３０の第１主面３０１において、駆動回路２００を配置するスペースをできる限り抑えることができる。これによりインクジェット式記録ヘッド１の小型化を図ることができる。

特に、本実施形態では、接続配線３３によってピッチ変換を行っているため、駆動回路２００を小型化することができる。したがって、保護基板３０上の駆動回路２００を配置するスペースをさらに減少させることができ、インクジェット式記録ヘッド１のさらなる小型化を図ることができる。

また、駆動回路２００は、貫通孔３２を第２の方向Ｙに跨がって設けられているため、貫通孔３２によって剛性が低下した保護基板３０を駆動回路２００によって補強することができる。

さらに、駆動回路２００は、第１の方向Ｘにおいて、貫通孔３２よりも短いため、第１の方向Ｘにおいて、駆動回路２００の両側で貫通孔３２が外部と連通して貫通孔３２内の放熱を行うことができる。したがって、駆動回路２００や接続配線３３からの発熱が貫通孔３２内にこもるのを抑制することができる。

なお、このような流路形成基板１０、保護基板３０、連通板１５及びノズルプレート２０の接合体には、複数の圧力発生室１２に連通するマニホールド１００を形成するケース部材４０が固定されている。ケース部材４０は、平面視において上述した連通板１５と略同一形状を有し、保護基板３０に接合されると共に、上述した連通板１５にも接合されている。具体的には、ケース部材４０は、保護基板３０側に流路形成基板１０及び保護基板３０が収容される深さの凹部４１を有する。この凹部４１は、保護基板３０の流路形成基板１０に接合された面よりも広い開口面積を有する。そして、凹部４１に流路形成基板１０等が収容された状態で凹部４１のノズルプレート２０側の開口面が連通板１５によって封止されている。これにより、流路形成基板１０及び保護基板３０とケース部材４０との間には第３マニホールド部４２が画成されている。そして、連通板１５に設けられた第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８と、ケース部材４０によって画成された第３マニホールド部４２と、によって本実施形態のマニホールド１００が構成されている。

なお、ケース部材４０の材料としては、例えば、樹脂や金属等を用いることができる。ちなみに、ケース部材４０として、樹脂材料を成形することにより、低コストで量産することができる。

また、連通板１５の第１マニホールド部１７及び第２マニホールド部１８が開口する面には、コンプライアンス基板４５が設けられている。このコンプライアンス基板４５が、第１マニホールド部１７と第２マニホールド部１８の液体噴射面２０ａ側の開口を封止している。このようなコンプライアンス基板４５は、本実施形態では、封止膜４６と、固定基板４７と、を具備する。封止膜４６は、可撓性を有する薄膜（例えば、ポリフェニレンサルファイド（ＰＰＳ）やステンレス鋼（ＳＵＳ）等により形成された厚さが２０μｍ以下の薄膜）からなり、固定基板４７は、ステンレス鋼（ＳＵＳ）等の金属等の硬質の材料で形成される。この固定基板４７のマニホールド１００に対向する領域は、厚さ方向に完全に除去された開口部４８となっているため、マニホールド１００の一方面は可撓性を有する封止膜４６のみで封止された可撓部であるコンプライアンス部４９となっている。

なお、ケース部材４０には、マニホールド１００に連通して各マニホールド１００にインクを供給するための導入路４４が設けられている。また、ケース部材４０には、保護基板３０の第１主面３０１を露出させて駆動回路２００を内部に収容する接続口４３が設けられている。駆動回路２００を駆動させる信号及び電源の外部からの供給は、可撓性基板等を接続口４３内に挿入して実装し、接続口４３内で駆動回路２００と電気的に接続する、又は保護基板３０上に形成された図示しない配線等を介して接続される。

このような構成のインクジェット式記録ヘッド１では、インクを噴射する際に、インクが貯留された液体貯留手段から導入路４４を介してインクを取り込み、マニホールド１００からノズル開口２１に至るまで流路内部をインクで満たす。その後、駆動回路２００からの信号に従い、圧力発生室１２に対応する各圧電アクチュエーター３００に電圧を印加することにより、圧電アクチュエーター３００と共に振動板５０をたわみ変形させる。これにより、圧力発生室１２内の圧力が高まり所定のノズル開口２１からインク滴が噴射される。

ここで、このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について、図７〜図１１を参照して説明する。なお、図７〜図１０は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図であり、図１１は、本発明の実施形態１に係るインクジェット式記録ヘッドの比較例を示す断面図及び平面図である。

まず、図７（ａ）に示すように、予め保持部３１及び貫通孔３２が形成された保護基板３０を、予め圧電アクチュエーター３００及びリード電極９０等が形成された流路形成基板１０に接着剤３５を介して接合する。

次に、図７（ｂ）に示すように、保護基板３０の第１主面３０１、第１側壁部３２１及び流路形成基板１０の第３主面１０１上の全面に亘って、密着層３３Ａと導電層３３Ｂとを形成する。本実施形態では、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）からなる密着層３３Ａをスパッタリング法によって形成した。このように密着層３３Ａをスパッタリング法によって形成することで、保護基板３０、流路形成基板１０等との密着性を向上することができる。また、本実施形態では、金（Ａｕ）からなる導電層３３Ｂをスパッタリング法によって形成した。なお、導電層３３Ｂの成膜方法は、スパッタリング法に限定されず、例えば、蒸着法、めっき等を用いてもよい。

次に、図７（ｃ）に示すように、導電層３３Ｂの表面を粗面化する粗面化加工を行う。粗面化加工としては、イオンミリングなどのドライエッチング、サンドブラストに代表されるブラスト加工等の機械加工、ウェットエッチングなどが挙げられる。これにより、導電層３３Ｂの表面は、密着層３３Ａの表面に比べて粗面化される。

次に、図８（ａ）に示すように、流路形成基板１０と保護基板３０との導電層３３Ｂ上に亘ってレジスト４００を形成する。

次に、図８（ｂ）に示すように、レジスト４００をフォトリソグラフィー法によってパターニングする。具体的には、図示しない露光マスクを介してレジストを露光し、現像することで露光された領域を除去することでパターニングする。すなわち、本実施形態のレジストはポジ型であり、露光されると現像液に対して溶解性が増大し、露光された領域が除去されてパターニングされる。

このようにレジスト４００をパターニングする際に、露光する光はレジストを通過して、導電層３３Ｂの表面にまで達する。このとき、図１０に示すように、導電層３３Ｂの表面が粗面化されているため、導電層３３Ｂの表面で光は散乱する。したがって、導電層３３Ｂの表面に反射した光が他の領域に集中することがなく、レジスト４００のオーバー露光を抑制することができる。

これに対して、例えば、導電層３３Ｂの表面が鏡面、すなわち、表面粗さＲａが０．０１μｍ以下で形成されている場合、図１１（ａ）に示すように、導電層３３Ｂの表面に反射した光は、一定の方向性を持って反射する。この反射角度は、第１側壁部３２１の角度によって決まる。つまり、第３の方向Ｚから光を照射すると、傾斜して設けられた一方の第１側壁部３２１上の導電層３３Ｂ、つまり傾斜面配線３３３となる導電層３３Ｂの表面に反射して、他方の第１側壁部３２１上の傾斜面配線３３３となる導電層３３Ｂや、第２接続配線３３２となる領域に反射した光が照射される。図１１（ｂ）において、傾斜面配線３３３となる導電層３３Ｂに反射された光の照射領域をＳで表している。このように照射領域Ｓには、光源から照射された光と、導電層３３Ｂに反射された光との両方が照射されるため、光の露光量が他の領域、すなわち、領域Ｓ以外の領域よりも多くなってしまう。このようにオーバー露光された領域Ｓでは、レジスト４００の露光部の幅が大きくなり、現像することで他の領域よりも広い幅が除去される。したがって、オーバー露光されたレジスト４００によって接続配線３３をパターニングにより形成すると、領域Ｓにおいて、接続配線３３は、細く形成されてしまう。

ちなみに、ネガ型のレジストを用いた場合には、オーバー露光によって接続配線３３は、その幅が太く（幅広に）形成される。接続配線３３が設計値よりも幅広に形成されると、隣り合う接続配線３３の間隔が設計値よりも狭くなり、接続配線３３同士の短絡やマイグレーションが発生する虞がある。

本実施形態では、オーバー露光を抑制することで、接続配線３３を所望の幅で、すなわち、設計値に限りなく近い値で高精度に形成することができる。したがって、接続配線３３の断線や短絡、マイグレーションの発生を抑制することができる。

次に、図８（ｃ）に示すように、パターニングされたレジストを用いて導電層３３Ｂ及び密着層３３Ａをエッチングによりパターニングする。例えば、本実施形態の金（Ａｕ）からなる導電層３３Ｂは、ヨウ素系のエッチング液を用いたウェットエッチングによりパターニングした。また、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）からなる密着層３３Ａは、硝酸系又は塩酸系のエッチング液を用いたウェットエッチングによりパターニングした。なお、導電層３３Ｂ及び密着層３３Ａのエッチングは、ウェットエッチングに限定されず、ドライエッチングであってもよい。

次に、図８（ｄ）に示すように、流路形成基板１０に圧力発生室１２を形成する。本実施形態では、流路形成基板１０の第３主面１０１とは反対面側から異方性エッチング（ウェットエッチング）することで、圧力発生室１２を形成した。

次に、図９（ａ）に示すように、流路形成基板１０の第３主面１０１とは反対面側に、ノズル連通路１６、第１マニホールド部１７、第２マニホールド部１８等が形成された連通板１５と、ノズル開口２１が形成されたノズルプレート２０とを接合する。

次に、図９（ｂ）に示すように、保護基板３０の第１主面３０１上に駆動回路２００を実装する。本実施形態では、駆動回路２００を接続部材２２１を介して接続配線３３に接続する。なお、接続配線３３の導電層３３Ｂの表面は粗面化されているため、駆動回路２００の端子２０１と接続配線３３の第１配線端子３３４との接続をアンカー効果によって強固に行うことができる。したがって、駆動回路２００の剥離等を抑制することができる。

なお、本実施形態では、保護基板３０及び流路形成基板１０として説明したが、特にこれに限定されず、１枚のウェハーに保護基板３０を複数一体的に形成すると共に、１枚のウェハーに流路形成基板１０を複数一体的に形成し、これらを接合した後で、図１に示すチップサイズに分割するようにしてもよい。このような分割は、例えば、図８（ｄ）に示す圧力発生室１２等を形成した後に行うようにすれば、同時に複数の流路形成基板１０及び保護基板３０を形成することができる。

なお、本実施形態では、導電層３３Ｂを形成した後、導電層３３Ｂの表面を粗面化加工するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、導電層３３Ｂをめっきにより形成することで、表面が粗面化された導電層３３Ｂを形成するようにしてもよい。すなわち、導電層３３Ｂを成膜した後で粗面化するだけではなく、導電層３３Ｂを形成する際に表面が粗面化された膜を形成するようにしてもよい。なお、めっきは、電解めっきでも無電解めっきでもよいが、無電解めっきの方が密着層３３Ａと電極を接続する必要がないため、バッチ処理によって同時に複数処理することができコストを低減することができる。

（実施形態２）
図１２は、本発明の実施形態２に係る液体噴射ヘッドの一例であるインクジェット式記録ヘッドの要部を拡大した断面図である。なお、上述した実施形態と同様の部材には同一の符号を付して重複する説明は省略する。

図１２に示すように、本実施形態のインクジェット式記録ヘッドを構成する保護基板３０に設けられた接続配線３３は、密着層３３Ａと、導電層３３Ｂとを具備する。

密着層３３Ａは、保護基板３０の第１主面３０１上及び第１側壁部３２１上のみに形成されている。

また、導電層３３Ｂは、密着層３３Ａ上と、第３主面１０１上、すなわち、リード電極９０の接続端子９１上とに亘って連続して設けられている。

このような構成であっても、導電層３３Ｂは、密着層３３Ａによって保護基板３０との密着性が向上される。また、リード電極９０は金属で形成されているため、リード電極９０と導電層３３Ｂとの間に密着層３３Ａが形成されていなくても、両者の密着性は高く、剥離が発生し難い。

そして、導電層３３Ｂは、上述した実施形態１と同様に、その表面粗さは、密着層３３Ａの表面粗さよりも大きい。

このような本実施形態のインクジェット式記録ヘッドの製造方法について図１３を参照して説明する。なお、図１３は、インクジェット式記録ヘッドの製造方法を示す断面図である。また、上述した実施形態１と同様の工程は上述した実施形態１の図７〜図９を参照して重複する説明は省略する。

図１３（ａ）に示すように、予め保持部３１及び貫通孔３２が形成された保護基板３０の第１主面３０１及び第１側壁部３２１の全面に亘って密着層３３Ａを形成する。なお、密着層３３Ａは、２層でもよく、第１側壁部３２１との密着層と、導電層３３Ｂとの密着層とに分けてもよい。本実施形態では、ニッケルクロム（ＮｉＣｒ）からなる密着層３３Ａ上に図示しない第２の密着層として金（Ａｕ）からなる層をスパッタリング法によって形成した。

次に、図１３（ｂ）に示すように、保護基板３０を、予め圧電アクチュエーター３００及びリード電極９０等が形成された流路形成基板１０に接着剤３５を介して接合する。

次に、図１３（ｃ）に示すように、保護基板３０及び流路形成基板１０の第１主面３０１、第３主面１０１及び第１側壁部３２１上の全面に亘って導電層３３Ｂを形成する。

本実施形態では、金（Ａｕ）からなる導電層３３Ｂをめっきにより形成することで、表面が粗面化された導電層３３Ｂを形成した。なお、めっきは、電解めっきであっても、無電解めっきであってもよい。

その後は、上述した実施形態１の図８（ａ）及び図８（ｂ）と同様に、導電層３３Ｂ上にレジストを形成すると共にフォトリソグラフィー法によりレジストをパターニングする。このとき、上述した実施形態１と同様に、導電層３３Ｂの表面が粗面化されていることから、光の反射によるオーバー露光を抑制することができる。したがって、レジストを所望の形状に形成することができる。

そして、上述した実施形態１の図８（ｃ）と同様に、レジストを介して導電層３３Ｂ及び密着層３３Ａをパターニングすることで、接続配線３３を形成する。

その後は、上述した実施形態１の図８（ｄ）〜図９（ｃ）と同様に、流路形成基板１０に圧力発生室１２を形成し、流路形成基板１０に連通板１５、ノズルプレート２０を接合した後、保護基板３０の第１主面３０１に駆動回路２００を実装することで、本実施形態のインクジェット式記録ヘッド１を製造することができる。

なお、本実施形態では、導電層３３Ｂをめっきにより形成することで表面が粗面化された導電層３３Ｂとしたが、特にこれに限定されず、上述した実施形態１と同様に、導電層３３Ｂをめっき以外の方法で成膜した後、粗面化加工を行うようにしてもよい。

（他の実施形態）
以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明の基本的な構成は上述したものに限定されるものではない。

例えば、上述した各実施形態では、接続配線３３を第１層である密着層３３Ａと第２層である導電層３３Ｂとの２層で形成するようにしたが、特にこれに限定されず、例えば、３層以上で形成されていてもよい。このとき、流路形成基板１０や保護基板３０とは反対側の最上層を第２層として、この最上層の表面粗さが、最下層を第２層として、この最下層の表面粗さよりも粗ければ、レジスト４００のオーバー露光を抑制して、接続配線３３を所望の幅で形成することができる。

また、上述した各実施形態では、駆動回路２００を保護基板３０上に貫通孔３２を跨いで実装するようにしたが、特にこれに限定されず、駆動回路２００を保護基板３０の貫通孔３２の第２の方向Ｙの両側の何れか一方又は両側に実装するようにしてもよい。また、駆動回路２００が実装されたフレキシブル基板やリジット基板等を保護基板３０に実装するようにしてもよい。いずれにしても、接続配線３３に駆動回路２００や基板等の実装部品を実装する際に、接続配線３３の実装される表面を粗面化していれば、アンカー効果によって他の実装部品との接合強度を向上することができる。もちろん、駆動回路２００の数は、２個以上の複数個であってもよい。

また、例えば、上述した各実施形態では、保護基板３０に貫通孔３２を設け、貫通孔３２内に斜面である第１側壁部３２１を設けるようにしたが、特にこれに限定されず、１つの流路形成基板１０に対して、２つの保護基板３０を離して設け、２つの保護基板３０の相対向する端面を斜面としてもよい。

さらに、上述した各実施形態では、圧力発生室１２に圧力変化を生じさせる圧力発生手段として、薄膜型の圧電アクチュエーター３００を用いて説明したが、特にこれに限定されず、例えば、グリーンシートを貼付する等の方法により形成される厚膜型の圧電アクチュエーターや、圧電材料と電極形成材料とを交互に積層させて軸方向に伸縮させる縦振動型の圧電アクチュエーターなどを使用することができる。また、圧力発生手段として、圧力発生室内に発熱素子を配置して、発熱素子の発熱で発生するバブルによってノズル開口から液滴を吐出するものや、振動板と電極との間に静電気を発生させて、静電気力によって振動板を変形させてノズル開口から液滴を吐出させるいわゆる静電式アクチュエーターなどを使用することができる。

また、これら各実施形態のインクジェット式記録ヘッド１は、インクカートリッジ等と連通するインク流路を具備するインクジェット式記録ヘッドユニットの一部を構成して、インクジェット式記録装置に搭載される。図１４は、そのインクジェット式記録装置の一例を示す概略図である。

図１４に示すインクジェット式記録装置Ｉにおいて、インクジェット式記録ヘッド１は、液体貯留手段を構成するインクカートリッジ２が着脱可能に設けられ、インクジェット式記録ヘッド１を搭載したキャリッジ３は、装置本体４に取り付けられたキャリッジ軸５に軸方向移動自在に設けられている。

そして、駆動モーター６の駆動力が図示しない複数の歯車およびタイミングベルト７を介してキャリッジ３に伝達されることで、インクジェット式記録ヘッド１を搭載したキャリッジ３はキャリッジ軸５に沿って移動される。一方、装置本体４には搬送手段としての搬送ローラー８が設けられており、紙等の記録媒体である記録シートＳが搬送ローラー８により搬送されるようになっている。なお、記録シートＳを搬送する搬送手段は、搬送ローラーに限られずベルトやドラム等であってもよい。

なお、上述したインクジェット式記録装置Ｉでは、インクジェット式記録ヘッド１がキャリッジ３に搭載されて主走査方向に移動するものを例示したが、特にこれに限定されず、例えば、インクジェット式記録ヘッド１が固定されて、紙等の記録シートＳを副走査方向に移動させるだけで印刷を行う、所謂ライン式記録装置にも本発明を適用することができる。

また、上述した例では、インクジェット式記録装置Ｉは、液体貯留手段であるインクカートリッジ２がキャリッジ３に搭載された構成であるが、特にこれに限定されず、例えば、インクタンク等の液体貯留手段を装置本体４に固定して、貯留手段とインクジェット式記録ヘッド１とをチューブ等の供給管を介して接続してもよい。また、液体貯留手段がインクジェット式記録装置に搭載されていなくてもよい。

さらに、本発明は、広く液体噴射ヘッド全般を対象としたものであり、例えば、プリンター等の画像記録装置に用いられる各種のインクジェット式記録ヘッド等の記録ヘッド、液晶ディスプレイ等のカラーフィルターの製造に用いられる色材噴射ヘッド、有機ＥＬディスプレイ、ＦＥＤ（電界放出ディスプレイ）等の電極形成に用いられる電極材料噴射ヘッド、バイオｃｈｉｐ製造に用いられる生体有機物噴射ヘッド等にも適用することができる。

また、本発明は、広く配線実装構造全般を対称としたものであり、液体噴射ヘッド以外の他のデバイスに適用することができる。

Ｉ インクジェット式記録装置（液体噴射装置）、 １ インクジェット式記録ヘッド（液体噴射ヘッド）、 １０ 流路形成基板（第２基体）、 １０１ 第３主面、 １５ 連通板、 ２０ ノズルプレート、 ２０ａ 液体噴射面、 ２１ ノズル開口、 ３０ 保護基板（第１基体）、 ３０１ 第１主面（主面）、 ３０２ 第２主面、 ３１ 保持部、 ３２ 貫通孔（凹部）、 ３２１ 第１側壁部（斜面）、 ３２２ 第２側壁部、 ３３ 接続配線、 ３３Ａ 密着層（最下層、第１層）、 ３３Ｂ 導電層（最上層、第２層）、 ３３１ 第１接続配線、 ３３２ 第２接続配線（第２配線端子）、 ３３３ 傾斜面配線、 ３３３ａ 直線部、 ３３３ｂ 傾斜部、 ３３４ 第１配線端子、 ４０ ケース部材、 ４５ コンプライアンス基板、 ５０ 振動板、 ６０ 第１電極、 ７０ 圧電体層、 ８０ 第２電極、 ９０ リード電極、 ９１ 接続端子、 ９１Ａ 接続端子列、 １００ マニホールド、 ２００ 駆動回路（半導体素子）、 ２０１ 端子、 ２１１ 接続部材、 ３００ 圧電アクチュエーター、 ４００ レジスト

Claims (9)

1. 第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、
   前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、
   を備え、
   前記接続配線は、前記第１基体及び前記第２基体側に設けられた第１層と、該第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に設けられた第２層と、を少なくとも具備し、
   少なくとも前記斜面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の前記第１層とは反対側の表面の表面粗さは、前記第１層の前記第２層側の表面粗さに比べて大きいことを特徴とする配線実装構造。
2. 前記第１層の表面粗さＲａが、０．０１μｍ以下であることを特徴とする請求項１記載の配線実装構造。
3. 前記第１主面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の表面粗さは、前記第１層とは反対側の表面粗さに比べて大きいことを特徴とする請求項１又は２記載の配線実装構造。
4. 第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、
   前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、
   を備える配線実装構造の製造方法であって、
   前記第１基体と前記第２基体とを接合した後、前記第１基体の前記第１主面、前記斜面及び前記第３主面上に亘って第１層と、該第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に第２層を形成する工程と、
   前記第２層の表面を粗面化する粗面化加工を行う工程と、
   前記第２層上にレジストを形成し、該レジストをフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、
   パターニングした前記レジストを介して前記第１層及び前記第２層をエッチングして前記接続配線を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする配線実装構造の製造方法。
5. 前記粗面化加工は、ドライエッチング、ブラスト加工、及びウェットエッチングから選択される少なくとも一種であることを特徴とする請求項４記載の配線実装構造の製造方法。
6. 第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、該第３主面に形成された接続端子と、を有する第２基体と、
   前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、
   を備える配線実装構造の製造方法であって、
   前記第１基体と前記第２基体とを接合した後、前記第１基体の前記第１主面、前記斜面及び前記第３主面上に亘ってスパッタリング法によって第１層を成膜する工程と、
   前記第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に前記第１層の表面よりも大きい表面粗さを有する第２層を成膜する工程と、
   前記第２層上にレジストを形成し、該レジストをフォトリソグラフィー法によりパターニングする工程と、
   パターニングした前記レジストを介して前記第１層及び前記第２層をエッチングして前記接続配線を形成する工程と、
   を具備することを特徴とする配線実装構造の製造方法。
7. 前記第２層を成膜する工程では、めっきによって当該第２層を形成することを特徴とする請求項６記載の配線実装構造の製造方法。
8. 第１主面と、前記第１主面と反対の裏面とされる第２主面と、前記第１主面と前記第２主面との間に形成される斜面と、を有する第１基体と、
   前記第１基体の前記第２主面と接合される第３主面と、液体を噴射するノズル開口に連通する流路と、該流路に圧力変化を生じさせる圧力発生手段と、前記第３主面に設けられて前記圧力発生手段に電気的に接続された接続端子と、を有する第２基体と、
   前記第２基体の前記第３主面上の前記接続端子と電気的に接続されて、前記第１基体の前記第１主面と前記斜面とに連続して形成された接続配線と、
   を備え、
   前記接続配線が、前記第１基体及び前記第２基体側に設けられた第１層と、該第１層の前記第１基体及び前記第２基体とは反対面側に設けられた第２層とを少なくとも具備し、
   少なくとも前記斜面上に形成された前記接続配線において、前記第２層の前記第１層とは反対側の表面の表面粗さは、前記第１層の前記第２層側の表面粗さに比べて大きいことを特徴とする液体噴射ヘッド。
9. 請求項８記載の液体噴射ヘッドを具備することを特徴とする液体噴射装置。