JP4784695B2 - 磁気ヘッドサスペンションおよび製造方法 - Google Patents
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Description
本発明は、ハードディスクドライブ（ＨＤＤ）に用いられる磁気ヘッドサスペンション組立体の技術分野に属し、特に、磁気ヘッドと制御回路基板とを接続するための配線が一体的に形成されてなるサスペンション用基板、サスペンション、ヘッド付サスペンション、ハードディスクドライブ、及びサスペンション用基板の製造方法に関するものである。また、本発明は、ビア端子による素子への悪影響を防止できる回路基板に関する。
近年、インターネットの普及等によりパーソナルコンピュータの情報処理量の増大や情報処理速度の高速化が要求されてきており、それに伴って、パーソナルコンピュータに組み込まれているハードディスクドライブ（ＨＤＤ）も大容量化や情報伝達速度の高速化が必要となってきている。そして、このＨＤＤに用いられる磁気ヘッドを支持している磁気ヘッドサスペンションと呼ばれる部品も、従来の金ワイヤ等の信号線を接続するタイプから、ステンレスのばねに直接銅配線等の信号線が形成されている、いわゆるワイヤレスサスペンションと呼ばれる配線一体型のものに移行している。
このような配線一体型サスペンションの製造方法の一つとして、〔特許文献１〕には、ステンレス（ＳＵＳ）等のばね性金属層／絶縁層／導電層からなる積層板を用い、ばね性金属層と導電層に所定のパターンを施した後、絶縁層の一部をプラズマエッチングにより除去する方法が記載されている。これにより、ばね性を有する金属薄板上に磁気ヘッドと制御回路基板を接続するための複数本の配線が絶縁層を介して一体的に形成された磁気ヘッドサスペンションが得られる。
上記したように、磁気ヘッドサスペンションは、ばね性を有する金属薄板上に磁気ヘッドと制御回路基板とを接続するための複数本の配線が絶縁層を介して一体的に形成された構造をしている。そして、サスペンション（フレクシャ）の基材を構成する金属薄板は、使用時にばねとしての機能を発揮するように可撓性のあるＳＵＳ等の金属が用いられている。ところが、金属薄板はベースであると同時にばねとしての機能を発揮するものであるが、それ以外には特別な役目を果たしてはいない。したがって、金属薄板に磁気ヘッドサスペンションに何らかの付加的な機能を持たせることができれば好都合であり、しかもそれが簡単に出来るのであればなおさら好都合である。
上記を目的にして、〔特許文献２〕には、バネ性を有する金属薄板上に磁気ヘッドと制御回路基板とを接続するための複数本の配線が絶縁層を介して一体的に形成されてなる磁気ヘッドサスペンションにおいて、配線と同じ金属層からなる金属パッドを配線とは独立して形成し、その金属パッドの一部から絶縁層を貫通して金属薄板に至る開孔を設け、その開孔に金属メッキによる導通部分を設けることにより、金属パッドと金属薄板とを電気的に接続したことを特徴とする磁気ヘッドサスペンションが記載されている。
しかし、この方法では、金属パッドの開孔部に金属接続層を電解メッキする際に、金属支持体から金属導体層までメッキが成長した時点で、開孔部以外の露出している金属導体層表面からもメッキが成長するため、レジストを剥離すると金属導体層表面よりもメッキにより形成された金属接続層が突き出た形状となり、磁気ヘッドの実装において支障をきたすという問題があった。
しかし、この方法では、金属パッドの開孔部に金属接続層を電解メッキする際に、金属支持体から金属導体層までメッキが成長した時点で、開孔部以外の露出している金属導体層表面からもメッキが成長するため、レジストを剥離すると金属導体層表面よりもメッキにより形成された金属接続層が突き出た形状となり、磁気ヘッドの実装において支障をきたすという問題があった。
また、例えば、ＨＤＤ（ハードディスクドライブ）に用いられる回路基板として、磁気ヘッドスライダ等の素子を実装するサスペンション用基板が知られている。サスペンション用基板は、通常、第一金属層（例えばＳＵＳ）、絶縁層（例えばポリイミド）、第二金属層（例えばＣｕ）がこの順に積層された基本構造を有し、通常は、一方の先端に素子を実装するための素子実装領域を有し、他方の先端に他の回路基板との接続を行うための接続領域を有する。
一方、静電気による素子の特性変化を抑制することや、電気信号のノイズを低減すること等を目的として、サスペンション用基板の素子実装領域の近傍に、第一金属層の一部を構成する第一金属部と、第二金属層の一部を構成する第二金属部とを電気的に接続するビア端子を設けることが知られている。例えば、特許文献２の図１においては、金属パッド６を素子の搭載部５の近傍に設け、金属パッド（第二金属部）６および金属薄板（第一金属部）１を、絶縁層２の開口８を介して、めっきからなるビア端子により電気的に接続した磁気ヘッドサスペンションが開示されている。
金属支持体上に絶縁層を介して積層された磁気ヘッドサスペンション用基板において、導体接続材が配線層の表面よりも突き出す高さを低減し、磁気ヘッド実装での問題を解消した磁気ヘッドサスペンションとその製造方法を提供することを主目的にする。
また、特許文献２のように、めっき法によりビア端子を形成すると、通常、ビア端子の頂部の位置が、第二金属部（またはカバー部）の頂部の位置よりも高くなり、ビア端子が突出した形状となる（後述する図１４（ｂ）、図２２参照）。このような場合であっても、特許文献２のように、ビア端子が、素子実装領域内ではなく、素子と接触しない程度に離れた位置にある場合は、大きな問題は生じない。
これに対して、回路基板の高機能化を目的とした場合、デザイン上、ビア端子を、素子実装領域内に配置せざるを得ない場合がある。このような場合に、ビア端子が突出していると、回路基板に素子を実装した場合に、素子が傾き、素子と回路基板との接続が良好に行えないという問題がある。さらに、ビア端子と素子とが点接触しているため、点接触の箇所に応力集中が生じた場合に、素子にダメージが生じるという可能性もある。
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたものであり、ビア端子による素子への悪影響を防止できる回路基板を提供することを主目的とする。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層された磁気ヘッドサスペンション用基板において、該磁気ヘッドサスペンション用基板は上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、該開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層の上記開口内面部を接続し、上記配線層の層表面に接続部を持たない導体接続材を設けたことを特徴とするサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第２は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層された磁気ヘッドサスペンション用基板において、該磁気ヘッドサスペンション用基板は上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、該開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、上記開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層を接続する導体接続材を設けたことを特徴とするサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第３は、上記開口周辺部は、エッチングにより他の配線層の表面より低く形成されることを特徴とする要旨の第２に記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第４は、上記配線層が２層の導体層により構成され、上記絶縁層と配線層を貫通する開口の配線層の開口は、上記２層の導体層の下層の開口と、該下層の開口より大きい上層の開口により形成されることにより、上記開口周辺部が他の配線層の表面より低く形成されることを特徴とする要旨の第２に記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第５は、上記導体接続材の高さは、上記配線層の層表面と同一もしくはそれ以下であることを特徴とする要旨の第１又は２に記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第６は、上記導体接続材と上記配線層の接続は、配線層の層表面より低い部分のみで行われていることを特徴とする要旨の第１乃至５のいずれかに記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第７は、上記導体接続材が金属メッキにより形成されていることを特徴とする要旨の第１乃至６のいずれかに記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第８は、上記金属メッキがニッケルメッキであることを特徴とする要旨の第７に記載のサスペンション用基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第９は、上記導体接続材がグランド端子又は信号伝送端子であることを特徴とする要旨の第１乃至８のいずれかに記載のサスペンション基板である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１０は、本発明の要旨の第１乃至９のいずれかに記載のサスペンション用基板を用いたことを特徴とするサスペンションである。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１１は、本発明の要旨の第１０に記載のサスペンションと、該サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーを有することを特徴とするヘッド付サスペンションである。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１２は、本発明の要旨の第１１に記載のヘッド付サスペンションを用いたことを特徴とするハードディスクドライブである。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１３は、
金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層された基材において、
該絶縁層と配線層を貫通する開口を形成し金属支持体表面を露出させる工程と、
上記配線層の層表面を露出させずに上記配線層の開口部を露出させるレジスト層を形成する工程と、
上記金属支持体から給電して金属メッキし、導体接続材を形成する工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層された基材において、
該絶縁層と配線層を貫通する開口を形成し金属支持体表面を露出させる工程と、
上記配線層の層表面を露出させずに上記配線層の開口部を露出させるレジスト層を形成する工程と、
上記金属支持体から給電して金属メッキし、導体接続材を形成する工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１４は、
金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層され、該絶縁層と配線層を開口し金属支持体表面を露出するように開口部を形成した配線付き基材を準備する工程と、
上記配線層の上記開口部周辺の高さを他の配線層よりも低くなるように形成する工程と、
上記開口及び開口周辺部に金属メッキすることで、金属支持体層と配線層を接続する導体接続材を形成する工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層され、該絶縁層と配線層を開口し金属支持体表面を露出するように開口部を形成した配線付き基材を準備する工程と、
上記配線層の上記開口部周辺の高さを他の配線層よりも低くなるように形成する工程と、
上記開口及び開口周辺部に金属メッキすることで、金属支持体層と配線層を接続する導体接続材を形成する工程と、
を有することを特徴とするサスペンション用基板の製造方法である。
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１５は、
上記開口部周辺の配線層の高さを他の配線層よりも低く形成する工程は、
上記配線層の開口部及び上記開口部周辺を除いてドライフィルムレジストを形成し、エッチングすることにより形成することを特徴とする要旨の第１４に記載のサスペンション用基板の製造方法である
上記開口部周辺の配線層の高さを他の配線層よりも低く形成する工程は、
上記配線層の開口部及び上記開口部周辺を除いてドライフィルムレジストを形成し、エッチングすることにより形成することを特徴とする要旨の第１４に記載のサスペンション用基板の製造方法である
上記課題を解決するための本発明の要旨の第１６は、
上記導体接続材を形成する工程は、上記配線層の層表面を露出させずに上記配線層の開口部及び開口周辺部を露出させるレジスト層を形成するとともに、金属メッキを上記開口部及び配線層の開口周辺部まで形成することで、上記導体接続材の高さを配線層の高さと同一もしくはそれ以下になるように形成することを特徴とする要旨の第１３乃至１５のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法である。
上記導体接続材を形成する工程は、上記配線層の層表面を露出させずに上記配線層の開口部及び開口周辺部を露出させるレジスト層を形成するとともに、金属メッキを上記開口部及び配線層の開口周辺部まで形成することで、上記導体接続材の高さを配線層の高さと同一もしくはそれ以下になるように形成することを特徴とする要旨の第１３乃至１５のいずれかに記載のサスペンション用基板の製造方法である。
上記要旨の第１乃至第６の発明によれば、導体接続材に突出部がないため磁気ヘッドスライダーを精度良く接続することができ、接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。このため、磁気スライダー等、本発明のサスペンション用基板上に搭載される部品との接続を容易なものとすることができる。
また、上記導体接続材に突出部がないため、磁気ヘッドスライダーの金属支持体に対する平行性を保持し実装することができ、
本発明のサスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
また、上記導体接続材に突出部がないため、磁気ヘッドスライダーの金属支持体に対する平行性を保持し実装することができ、
本発明のサスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
上記要旨の第７の発明によれば、微細な開口内において金属支持体層と配線層を電気的に確実に接続することができ、要旨の第８の発明によれば、ニッケル（Ｎｉ）を用いるため、導電性に優れ、かつ安価であり、さらに耐腐食性に優れた材料特性を有する。
上記要旨の第９の発明によれば、上記導体接続材が磁気ヘッドスライダーに溜まる電荷を金属支持体に逃し静電気を除去する機能、信号用配線に含まれるノイズを抑制する機能、電気信号を伝送する機能を有するため、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
上記要旨の第１０の発明によれば、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。本発明によれば、上記サスペンションをハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
上記要旨の第１１の発明によれば、上記サスペンションと、上記サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーとを有することを特徴とするヘッド付サスペンションを提供する。本発明によれば、上記ヘッド付サスペンションをハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
上記要旨の第１２の発明によれば、上記ヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。本発明によれば、上記ヘッド付サスペンションを含むハードディスクドライブであるため、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができ、その結果、データ信頼性等に優れたものとすることができる。
上記要旨の第１３乃至第１６の発明によれば、要旨の第１乃至第９の発明の特徴を備えたサスペンション用基板を製造することができる。
また、上記課題を解決するために、本発明においては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板であって、上記第二金属部は上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部を有し、上記薄肉部の頂部表面は上記ビア端子により覆われ、上記ビア端子が、上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状であることを特徴とする回路基板を提供する。
本発明によれば、ビア端子がビア部から突出しない形状であることから、回路基板に素子を実装した場合に、素子が傾くことを防止することができる。これにより、素子と回路基板との接続を良好に行うことができる。
上記発明においては、上記ビア部は、上記第二金属部上に、上記ビア端子が露出するように形成された開口部を有するカバー部を備えていることが好ましい。カバー部の厚さがビア部の厚さとして加わることで、ビア部から突出しない形状を有するビア端子を形成しやすくなるからである。
上記発明においては、上記カバー部の開口部の端部は、上記薄肉部により形成される外側端部よりも内側に位置していることが好ましい。これにより、カバー部に突起部が形成され、突起部によるめっき厚の制御ができるからである。
また、本発明においては、上述した回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板を提供する。
本発明によれば、上述した回路基板をサスペンション用基板として用いることで、素子を実装した場合に、素子の傾きを防止でき、素子とサスペンション用基板との接続を良好に行うことができる。
また、本発明においては、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンションを提供する。
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、素子との接続性が良好なサスペンションとすることができる。
また、本発明においては、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンションを提供する。
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、素子とサスペンションとの接続性が良好な素子付サスペンションとすることができる。
また、本発明においては、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブを提供する。
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
また、本発明においては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板の製造方法であって、上記第一金属部、上記絶縁部および上記第二金属部を有し、上記第二金属部には上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、上記第二金属部上に上記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する被めっき部材形成工程と、上記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、上記ビア端子を形成するめっき工程と、を有し、上記めっき工程の際に、上記薄肉部の頂部表面を上記ビア端子により覆い、かつ、上記ビア端子を上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを特徴とする回路基板の製造方法を提供する。
本発明によれば、薄肉部を有する被めっき部材を用いることにより、ビア部から突出しない形状のビア端子を容易に形成することができる。その結果、回路基板に素子を実装した場合に、素子が傾くことを防止することができ、素子と回路基板との接続を良好に行うことができる。
上記発明においては、上記マスク部が、カバー部またはドライフィルムレジスト部であることが好ましい。従来の製造方法を大幅に変更することなく、所望の回路基板を得ることができるからである。
本発明では導体接続材形成の形状や製法を上記のように規定することで、導体接続材の高さが、配線層の表面に対して同一もしくはそれ以下の位置にある導体接続材を形成することができ、これにより磁気ヘッドスライダーを実装するエリアにおいて、導体接続材が磁気ヘッドスライダー実装の妨げにならないようにできる。このため、磁気ヘッドスライダーを任意の位置に配置することが可能となるなど、配線のデザイン自由度が高くなることで高密度実装が可能となり、装置の小型化や低コスト化、データ信頼性の向上などの利点が得られる。
また、本発明においては、ビア端子による素子への悪影響を防止できるという効果を奏する。
本発明は、サスペンション用基板、これを用いたサスペンション、ヘッド付サスペンション、およびハードディスクドライブに関するものである。以下、これらについて詳細に説明する。さらに、本発明の回路基板、回路基板の製造方法、サスペンション用基板、サスペンション、素子付サスペンション、およびハードディスクドライブについても詳細に説明する。
Ａ．サスペンション用基板
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口により露出する金属支持体の表面部と、上記配線層の上記開口内面部を接続し、上記配線層の層表面に接続部を持たない導体接続材を設けたことを特徴とする態様（第１態様）と、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、上記開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層を接続する導体接続材を設けたことを特徴とする態様（第２態様）に分けることができる。以下、本発明のサスペンション用基板を各態様に分けて説明する。
まず、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口により露出する金属支持体の表面部と、上記配線層の上記開口内面部を接続し、上記配線層の層表面に接続部を持たない導体接続材を設けたことを特徴とする態様（第１態様）と、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、上記開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層を接続する導体接続材を設けたことを特徴とする態様（第２態様）に分けることができる。以下、本発明のサスペンション用基板を各態様に分けて説明する。
１．第１態様
まず、本発明のサスペンション用基板の第１態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口により露出する金属支持体の表面部と、上記配線層の上記開口内面部を接続し、上記配線層の層表面に接続部を持たない導体接続材を設けたことを特徴とする態様である。
まず、本発明のサスペンション用基板の第１態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口により露出する金属支持体の表面部と、上記配線層の上記開口内面部を接続し、上記配線層の層表面に接続部を持たない導体接続材を設けたことを特徴とする態様である。
このような本態様のサスペンション用基板を、図１を参照しながら説明する。図１は本態様のサスペンション用基板の一例を示す断面図である。本態様のサスペンション用基板は、金属支持体１と上記支持体１上に形成された絶縁層２と、上記絶縁層２を介して積層された配線層３と、上記金属支持体１と配線層３を接続する導体接続材４を有するものである。ここで、本態様のサスペンション用基板は、導体接続材４が開口部７により露出する金属支持体１の表面部６２と上記配線層３の上記開口内面部６１を接続し、上記配線層３の層表面５に接続部を持たないように形成されている。
上記導体接続材４の高さは、上記配線層３の層表面５と同一もしくはそれ以下であるように形成されている。ここで、同一もしくはそれ以下であるように形成されているとは、図１より上記配線層３の厚みをX３、上記絶縁層２の厚みをX２とし、金属支持体の表面部６２から導体接続材４の接続材表面６までの導体接続材４の高さをYとすると、X２＜Y≦X
２＋X３の範囲を満たす高さで形成されていることを示している。なかでもX２＋（X３）/２≦Y≦X２＋X３の範囲を満たす高さで導体接続材４が形成されていることが好ましい。なぜなら、上記範囲の高さで、導体接続材４を形成すれば、より接続信頼性が向上するからである。
２＋X３の範囲を満たす高さで形成されていることを示している。なかでもX２＋（X３）/２≦Y≦X２＋X３の範囲を満たす高さで導体接続材４が形成されていることが好ましい。なぜなら、上記範囲の高さで、導体接続材４を形成すれば、より接続信頼性が向上するからである。
上記導体接続材４が上記の高さで形成されることにより、上記導体接続材４と上記配線層３との接続は、上記配線層３の層表面５には接続部を持たず、上記配線層３の層表面５より低い部分のみで行なわれている。
従来のサスペンション用基板は、図１１に例示する断面図のように、金属支持体１上に絶縁層７２を介して配線層７３が積層されており、上記絶縁層７２と配線層７３を貫通する開口７７を有し、上記開口７７により露出する金属支持体７１の表面部７６２と、上記配線層７３の上記開口内面部７６１を接続し、上記配線層７３の層表面７５にも導体接続材７４が形成されている。このため、磁気ヘッドスライダー位置に導体接続材７４が形成される場合に、導体接続材７４の表面７６が配線層７３の層表面７５よりも突き出た形状となり、磁気ヘッドスライダーの実装において支障をきたすという問題があった。
一方、本態様によれば、上記導体接続材４が上記配線層３の層表面５に接続部を持たないように形成されているため、導体接続材４が突き出た形状とならず、磁気ヘッドスライダーを精度良く実装でき、接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。
本態様のサスペンション用基板は、金属支持体、絶縁層、配線、および導体接続材を少なくとも有するものである。以下、本態様のサスペンション用基板の各構成について説明する。
（１）配線
本態様に用いられる配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明のサスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合に、上記配線層は、スライダーを介してディスクに書き込まれるデータや、ディスクから読み出されたデータを、電気信号として伝送するための信号用配線層であり、磁気ヘッドスライダーに溜まる電荷を金属支持体に逃すほか、上記信号用配線に含まれるノイズを低減させるための接地用配線層である。
本態様に用いられる配線層は、絶縁層上に形成されるものである。本発明のサスペンション用基板をハードディスクドライブに用いた場合に、上記配線層は、スライダーを介してディスクに書き込まれるデータや、ディスクから読み出されたデータを、電気信号として伝送するための信号用配線層であり、磁気ヘッドスライダーに溜まる電荷を金属支持体に逃すほか、上記信号用配線に含まれるノイズを低減させるための接地用配線層である。
本発明に用いられる配線層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）などを挙げることができる。
本発明に用いられる配線層の厚みとしては、所望の導電性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常、４μｍ〜１８μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも５μｍ〜１４μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、本発明のサスペンション用基板に、スライダー等の部品を搭載する際に障害とならないものとすることができるからである。
本発明に用いられる配線層の線幅としては、所望の導電性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではないが、１０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも１５μｍ〜５０μｍの範囲内であることが好ましい。上記範囲であることにより、上記配線層が、高密度化によりピッチが狭く形成される場合であっても、安定的に形成することができるからである。
本発明に用いられる配線層のピッチ幅としては、最も狭い箇所において、３０μｍ〜２００μｍの範囲内であることが好ましく、なかでも３０μｍ〜１００μｍの範囲内であることが好ましい。
本発明に用いられる配線層は、通常、その表面にニッケル（Ｎｉ）や、金（Ａｕ）による保護めっき層が形成されていることが好ましい。配線層を腐食に強いものとすることができるからである。
また、上記保護めっき層の膜厚としては、耐食性を確保できれば限定されるものではないが、５μｍ以下であることが好ましく、なかでも１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。
また、上記配線層は、上記保護めっき層に比べ絶縁信頼性により優れたカバーレイにより部分的に被覆されるものとしても良い。
また、上記保護めっき層の膜厚としては、耐食性を確保できれば限定されるものではないが、５μｍ以下であることが好ましく、なかでも１μｍ〜２μｍの範囲内であることが好ましい。
また、上記配線層は、上記保護めっき層に比べ絶縁信頼性により優れたカバーレイにより部分的に被覆されるものとしても良い。
（２）導体接続材
本態様に用いられる導体接続材は、金属支持体の表面と上記配線層を接続するものである。上記導体接続材は、グランド端子であることのほか、信号伝送用端子であることを特徴とする。
本態様に用いられる導体接続材は、金属支持体の表面と上記配線層を接続するものである。上記導体接続材は、グランド端子であることのほか、信号伝送用端子であることを特徴とする。
上記導体接続材が、上記接地用配線と接続する場合、グランド端子としての機能を有する。ここで、グランド端子の主たる機能は、上記サスペンション用基板の磁気ヘッドスライダー設置位置内に形成される場合には、磁気ヘッドスライダーに溜まる電荷を金属支持体に逃すための静電気除去機能であり、また、上記サスペンション用基板の先端部に形成される場合、および、サスペンション用基板の先端部以外の信号用配線間に形成され、磁気ヘッドスライダーと接続されない位置に形成される場合には、上記信号用配線に含まれるノイズを低減させるためのノイズ抑制機能である。
上記導体接続材が、上記信号用配線と接続する場合、信号伝送用端子としての機能を有する。信号伝送用端子の主たる機能は、磁気ヘッドスライダーを介してディスクに書き込まれるデータや、ディスクから読み出されたデータを電気信号として、金属支持体と信号用配線を接続し伝送する機能である。
本発明に用いられる導体接続材を形成する導体接続材用金属は、導電性を有する金属であれば、特に限定されるものではないが、金属支持体との密着性に優れた金属であることが好ましい。具体的には、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）、銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）等を用いることができ、なかでも銅（Ｃｕ）、ニッケル（Ｎｉ）を好ましく用いることができ、特にニッケル（Ｎｉ）を好ましく用いることができる。導電性に優れ、かつ安価だからである。また、耐腐食性に優れた材料だからである。
なお、これらの材料は、ＸＰＳ(X-ray Photoelectron Spectroscopy)により同定することができる。
これにより接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができ、ハードディスクドライブ等に用いた場合には、上記スライダーを介したデータの読み取り等を安定的に行うことができるものとすることができる。
なお、これらの材料は、ＸＰＳ(X-ray Photoelectron Spectroscopy)により同定することができる。
これにより接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができ、ハードディスクドライブ等に用いた場合には、上記スライダーを介したデータの読み取り等を安定的に行うことができるものとすることができる。
また、上記導体接続材用金属としてニッケルを用い、後述する製造方法に示すような電解めっき法により導体接続材を形成する場合、電解Ｎｉめっき液としては、所望の形状に導体接続材を形成することができるものであれば良いが、ワット浴、スルファミン酸浴等を用いることができる。また、めっき浴には、適宜、添加剤を入れることにより、光沢度や皮膜応力を調整することが可能である。
（３）絶縁層
本発明に用いられる絶縁層は、金属支持体上に形成されるものである。
本発明に用いられる絶縁層は、金属支持体上に形成されるものである。
上記絶縁層の材料としては、例えばポリイミド（ＰＩ）等を挙げることができる。
上記絶縁層の厚みとしては、所望の絶縁性を発揮することができれば、特に限定されるものではないが、通常５μｍ〜３０μｍ程度である。
（４）金属支持体
本発明に用いられる金属支持体は、導電性を有し、さらにサスペンション用途に用いられるため、通常、適度なばね性を有するものである。
本発明に用いられる金属支持体は、導電性を有し、さらにサスペンション用途に用いられるため、通常、適度なばね性を有するものである。
上記金属支持体の材料としては、例えば、ＳＵＳ等を挙げることができる。
本発明においては、上記金属支持体が、導体接続材が形成される表面側に、導電層を有していることが好ましい。導電層を設けることにより、導体接続材による導通がより効率的になるからである。上記導電層の材料としては、具体的には、銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。上記導電層は、例えばめっき法等により形成することができる。
上記金属支持体の厚さとしては、所望のばね特性を発揮することができるものであれば特に限定されるものではなく、金属支持体の材料等により異なるものであるが、通常、１０μｍ〜３０μｍの範囲内であるが、なかでも１５μｍ〜２５μｍの範囲内であることが好ましい。
次に、本態様のサスペンション用基板の製造方法の一例について図４を参照しながら説明する。上記サスペンション用基板の各構成を所望の位置に精度良く配置することができるものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、図４（ａ）に示すように、金属支持体１と、上記金属支持体１上に形成され、絶縁層を構成する材料からなる絶縁層２および信号用配線および接地用配線を構成する材料からなる配線層３とを有する積層体を形成する。次いで、上記積層体にＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、所定の形状にパターニングする（図４（ｂ））。その後、上記配線層３をエッチングによりパターニングし、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、開口部７を有する接地用配線と信号用配線を形成する（図４（ｃ））。その後、ＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、所定の形状にパターニング（図４（ｄ））し、次いで上記絶縁層２をエッチングによりパターニングし、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、上記絶縁層２と上記配線層３を貫通する開口部７を有し、上記金属支持体１の表面部６２が露出する絶縁層２を形成する（図４（ｅ））。
続いて、ＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、上記配線層３の層表面５を露出させずに、上記配線層の開口部７を露出させるようにパターニングする（図４（ｆ））。次いで、上記金属支持体１を給電層として用いて、上記グランド端子もしくは信号伝送用端子として金属めっきにより配線層３の層表面５と同一もしくはそれ以下の高さで導体接続材４を形成する。次いで、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、本態様のサスペンションを作製することができる（図４（ｇ））。
２．第２態様
次に、本発明のサスペンション用基板の第２態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、上記開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層を接続する導体接続材を設けたことを特徴とする態様である。
次に、本発明のサスペンション用基板の第２態様について説明する。本態様のサスペンション用基板は、金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層されており、上記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、上記開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、上記開口により露出する上記金属支持体の表面部と、上記配線層を接続する導体接続材を設けたことを特徴とする態様である。
このような本態様のサスペンション用基板を、図２を参照しながら説明する。図２は本発明の磁気ヘッドサスペンション基板の導体接続材の一例を示す断面図である。金属支持体１と上記支持体１上に形成された絶縁層２と、上記絶縁層２を介して積層された配線層３と、上記金属支持体１と配線層３を接続する導体接続材４を有するものである。ここで、本態様のサスペンション用基板は、導体接続材４が開口部７に接する配線層３の層表面５より低い開口周辺部６０と、開口部７により露出する金属支持体１の表面部６２を接続し、上記配線層３の層表面５に接続部を持たないように形成されている。
ここで、本態様のサスペンション基板は、上記開口周辺部６０が、エッチングにより配線層３の表面５より低く形成されていることを特徴とする。ここで、上記配線層３の厚みをX３とし、配線層の層表面５とエッチングにより形成された開口周辺部６０の中で最も低い位置にある開口周辺底部６３までの深さをZとすると、０＜Z＜X３の範囲を満たす深さで配線層３の層表面５より低い開口周辺部６０が形成されていることが好ましい。なかでも（X３）/６≦Z≦５（X３）/６の範囲を満たす深さで形成されていることが好ましい。なぜなら、上記範囲の深さで、配線層表面５より低い開口周辺部６０を形成すれば、導体接続材４が配線層３の内面部６１に接続する面積が大きくなり、接続信頼性が向上するからである。
また、図３は、エッチングにより開口周辺部が他の配線層の表面より低く形成されている上記図２以外の例として説明する断面図であり、第２の態様は本形態であっても良い。図３（ａ）は配線層３が金属３ａと金属３ｂの２層で構成され、上層の金属３ｂの開口７周囲に配線層の層表面より低い開口周辺部６０が形成されている。図３（ｂ）は配線層３が金属３ａと金属３ｂの２層で構成され、上層の金属３ｂの開口径が下層の金属３ａの開口径より大きく設定され、この開口径の差により開口７周囲に配線層の層表面より低い開口周辺部６０が形成されている。図３（ｃ）は配線層３の開口部７周囲がテーパー形状の例、図３（ｄ）は配線層３の開口部７周囲が深さの異なる段差のある凹部が形成されている例を示す。上記の何れの開口部の例も、レジストパターン形成とエッチング加工やメッキ加工の組み合わせで形状を形成することができる。
上記導体接続材４の高さは、上記配線層３の層表面５と同一もしくはそれ以下であるように形成されている。ここで、同一もしくはそれ以下であるように形成されているとは、図２より上記配線層３の厚みをX３、上記絶縁層２の厚みをX２とし、金属支持体の表面部６２から導体接続材４の接続材表面６までの導体接続材４の高さをYとすると、X２＜Y≦X２＋X３の範囲を満たす高さで形成されていることを示している。なかでもX２＋（X３）/２≦Y≦X２＋X３の範囲を満たす高さで導体接続材４が形成されていることが好ましい。なぜなら、上記範囲の高さで、導体接続材４を形成すれば、より接続信頼性が向上するからである。
上記導体接続材４が上記の高さで形成されることにより、上記導体接続材４と上記配線層３との接続は、配線層３の層表面５には接続部を持たず、配線層３の層表面５より低い部分のみで行なわれている。
従来のサスペンション用基板は、上記「１．第１態様」の項に記載したように、磁気ヘッドスライダー位置に導体接続材が形成される場合に、導体接続材が配線層表面よりも突き出た形状となり、磁気ヘッドスライダーの実装において支障をきたすという問題があった。
本態様においても、上記「１．第１態様」の項に記載したように、上記導体接続材が上記配線層の層表面に接続部を持たないように形成されているため、導体層が突き出た形状とならず、磁気ヘッドスライダーを精度良く実装でき、接続不良による歩留まりの低下を防ぐことができる。
本態様のサスペンション基板は、金属基板、絶縁層、配線、および導体接続材を少なくとも有するものであり、上記「１．第１態様」の項に記載したものと同様の内容であるので、ここでの記載は省略する。
次に、本態様のサスペンション基板の製造方法の一例について図５を参照しながら説明する。上記サスペンション用基板の各構成を所望の位置に精度良く配置することができるものであれば、特に限定されるものではなく、例えば、図５（ａ）に示すように、金属支持体１と、上記金属支持体１上に形成され、絶縁層を構成する材料からなる絶縁層２および信号用配線および接地用配線を構成する材料からなる配線層３とを有する積層体を形成する。次いで、上記積層体にＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、所定の形状にパターニングする（図５（ｂ））。その後、上記配線層３をエッチングによりパターニングし、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、開口部７を有する接地用配線と信号用配線を形成する（図５（ｃ））。
その後、ＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、上記配線層の開口７および上記開口部周辺６０を除くようにパターニング（図５（ｄ））する。次いで、化学エッチングや電解エッチング処理、もしくは電解エッチング処理にともなって発生するバイポーラ現象により、配線層の開口周辺部６０の高さを配線層３よりも低くなるように形成する（図５（ｅ））。次いで、上記絶縁層２をエッチングによりパターニングし、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、上記開口部７において、上記絶縁層２と上記配線層３を貫通する開口部７を有し、上記金属支持体１の表面部６２が露出する絶縁層２を形成する（図５（ｆ））。
続いて、ＤＦＲなどのフォトレジスト８ｂを設け、上記配線層３の層表面５を露出させずに上記配線層３の開口部７および開口周辺部６０を露出させるようにパターニング（図５（ｇ））し、次いで、上記金属支持体１を給電層として用いて、上記グランド端子もしくは信号伝送用端子として金属めっきにより上記開口部７および配線層３の開口周辺部６０まで形成することで、配線層３の層表面５と同一もしくはそれ以下の高さで導体接続材４を形成する。次いで、上記フォトレジスト８ｂを剥離することにより、本態様のサスペンションを作製することができる（図５（ｈ））。
Ｂ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
このような本発明のサスペンションを図を参照して説明する。図８は、本発明のサスペンションの一例を示す概略図である。図８に例示するように、本発明のサスペンション３０は、上記サスペンション用基板１０と、ロードビーム３１とを有するものであり、ロードビーム３１は上記サスペンション基板１０のうち磁気ヘッドスライダーが設置されるスライダー設置位置２０が形成されていない側の表面に接着されている。
ここで、上記サスペンション用基板は、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載のサスペンション用基板である。
ここで、上記サスペンション用基板は、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載のサスペンション用基板である。
本発明によれば、上記サスペンション用基板を含むものであるため、ハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を少なくとも有するものである。このようなサスペンション用基板としては、上記「Ａ．サスペンション用基板」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
本発明のサスペンションは、上記サスペンション用基板を少なくとも有するものであるが、通常、ロードビームを有するものである。このようなロードビームとしては、本発明のサスペンションをハードディスクドライブに用いた際に、上記サスペンションに所望の剛性を付与することができるものであれば良く、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。
本発明のサスペンションの用途としては、ハードディスクドライブのヘッド付サスペンションを挙げることができ、なかでも、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いことを要求されるヘッド付サスペンションに好適に用いられる。
Ｃ．ヘッド付サスペンション
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上記サスペンションと、上記サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーとを有することを特徴とするものである。
次に、本発明のヘッド付サスペンションについて説明する。本発明のヘッド付サスペンションは、上記サスペンションと、上記サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーとを有することを特徴とするものである。
このような本発明のヘッド付サスペンションを図を参照して説明する。図９は、本発明のヘッド付サスペンションの一例を示す概略図である。図９に例示するように、本発明のヘッド付サスペンション４０は、上記サスペンション３０と、上記サスペンション３０上のスライダー設置位置上に搭載された磁気ヘッドスライダー４１とを有するものである。
ここで、上記サスペンションは、上記「Ｂ．サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
なお、図９中の符号については、図８のものと同一のものである。
ここで、上記サスペンションは、上記「Ｂ．サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
なお、図９中の符号については、図８のものと同一のものである。
本発明によれば、上記サスペンションを含むものであるため、ハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。
本発明のヘッド付サスペンションは、上記サスペンションおよび磁気ヘッドスライダーを少なくとも有するものである。
上記サスペンションとしては、上記「Ｂ．サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
上記サスペンションとしては、上記「Ｂ．サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
本発明に用いられる磁気ヘッドスライダーとしては、本発明のヘッド付サスペンションをハードディスクドライブに用いた際に、ディスク上へのデータの書き込みおよび読み込みを行なえるものであれば良く、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。
本発明のヘッド付サスペンションの用途としては、ハードディスクドライブを挙げることができ、なかでも、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いことが要求されるハードディスクドライブに好適に用いられる。
Ｄ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
このような本発明のハードディスクドライブを図を参照して説明する。図１０は、本発明のハードディスクドライブの内部構造の一例を示す概略平面図である。図１０に例示するように、本発明のハードディスクドライブ５０は、上記ヘッド付サスペンション４０と、上記ヘッド付サスペンション４０にデータの書き込みおよび読み込みがされるディスク５１と、上記ディスク５１を回転させるスピンドルモータ５２と、上記ヘッド付サスペンション４０に接続されたアーム５３と、上記アーム５３を移動することにより上記ヘッド付サスペンション４０のスライダーを、上記ディスク５１上の所望の位置に移動させるボイスコイルモータ５４と、上記各構成を密閉するケース５５とを有するものである。
ここで、上記ヘッド付サスペンションは、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
ここで、上記ヘッド付サスペンションは、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」の項に記載のサスペンションである。
本発明によれば、上記ヘッド付サスペンションを含むものであるため、ハードディスクドライブに用いた場合、データの読み取りおよび書き込みの精度が高いものとすることができる。その結果、データ信頼性等に優れたものとすることができる。
本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを少なくとも有するものである。
このようなヘッド付サスペンションとしては、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
このようなヘッド付サスペンションとしては、上記「Ｃ．ヘッド付サスペンション」の項に記載の内容と同様であるため、ここでの説明は省略する。
本発明のハードディスクドライブは、上記ヘッド付サスペンションを少なくとも有するものであるが、通常、ディスク、スピンドルモータ、アーム、およびボイスコイルモータを有するものである。このようなディスク、スピンドルモータ、アーム、およびボイスコイルモータとしては、ハードディスクドライブに一般的に使用されるものを用いることができる。
Ｅ．回路基板
次に、本発明の回路基板について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板であって、上記第二金属部は上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部を有し、上記薄肉部の頂部表面は上記ビア端子により覆われ、上記ビア端子が、上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状であることを特徴とするものである。
次に、本発明の回路基板について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板であって、上記第二金属部は上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部を有し、上記薄肉部の頂部表面は上記ビア端子により覆われ、上記ビア端子が、上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状であることを特徴とするものである。
本発明によれば、ビア端子がビア部から突出しない形状であることから、回路基板に素子を実装した場合に、素子が傾くことを防止することができる。これにより、素子と回路基板との接続を良好に行うことができる。また、ビア端子が突出しない形状であることから、ビア端子と素子とは点接触せず、応力集中による素子のダメージを防止することができる。また、本発明によれば、ビア部が薄肉部を有していることから、ビア端子が突出しない形状であっても、第一金属部と第二金属部とを確実に接続することができる。
図１２は、本発明の回路基板の一例を示す概略平面図である。より具体的には、ＨＤＤに用いられるサスペンション用基板の一例を示す概略平面図である。なお、便宜上、カバー層の記載は省略している。図１２に示されるサスペンション用基板２１０は、一方の先端には、素子を実装するための素子実装領域２０１を有し、他方の先端には、他の回路基板との接続を行うための接続領域２０２を有する。さらに、サスペンション用基板２１０は、素子実装領域２０１および接続領域２０２を接続するための配線２０３（配線２０３ａ〜２０３ｄ）を有する。配線２０３ａおよび２０３ｂ、並びに、配線２０３ｃおよび２０３ｄはそれぞれ配線対を形成し、一方が記録用であり、他方が再生用である。図１３に示すように、本発明においては、ビア部１１０のビア端子１０４が、素子実装領域２０１の領域内（またはその近傍）に形成されていることを一つの特徴とする。
図１４は、本発明におけるビア部と、従来におけるビア部とを比較する概略断面図である。また、図１４は図１３のＡ−Ａ´断面に対応する断面図である。図１４（ａ）に示すように、本発明におけるビア部１１０は、第一金属部１０１と、第一金属部１０１が露出するように形成された絶縁層開口部１０２ａを有する絶縁部１０２と、絶縁層開口部１０２ａから第一金属部１０１が露出するように形成された第二金属層開口部１０３ａを有する第二金属部１０３と、絶縁層開口部１０２ａおよび第二金属層開口部１０３ａを介して、第一金属部１０１および第二金属部１０３を電気的に接続するめっきからなるビア端子１０４とを有するものである。また、第二金属部１０３は第二金属層開口部１０３ａの端部に沿って薄肉部１０５を有し、薄肉部１０５の頂部表面はビア端子１０４により覆われている。さらに、ビア端子１０４が、ビア部１１０（ビア端子１０４を除く）から突出しない形状であることを一つの特徴とする。その場合、ビア端子１０４の厚さＸは、ビア端子１０４および第一金属部１０１を除くビア部１１０の厚さＹ以下になる。なお、図１４（ａ）においては、ＸおよびＹの値が同一であるが、後述するように、第二金属部１０３上にカバー部等が設けられると、Ｘの値は、Ｙの値よりも小さくなる。
上記のように、本発明においては、ビア端子１０４が、ビア部１１０（ビア端子１０４を除く）から突出しない形状であることを一つの特徴とする。ビア部１１０からビア端子１０４を除く理由は、ビア端子１０４自体がビア部１１０の構成要素だからである。すなわち、ビア端子１０４が第二金属部１０３等から突出した形状であっても、ビア端子１０４自体がビア部１１０の構成要素なので、ビア端子１０４の頂部と、ビア部１１０の頂部とは必ず一致し、ビア端子１０４がビア部１１０から突出することは有り得ない。図１４（ａ）においては、ビア端子１０４の頂部が、第二金属部１０３の頂部（ビア部１１０からビア端子１０４を除いた部材の頂部）よりも低い形状になる。また、図示しないが、第二金属部１０３上に後述するカバー部が形成されている場合には、ビア部がカバー部を有する構成になることから、ビア端子１０４の頂部が、カバー部の頂部（ビア部１１０からビア端子１０４を除いた部材の頂部）よりも低い形状になる。
一方、図１４（ｂ）に示すように、従来におけるビア部１１０は、第二金属部１０３が薄肉部１０５を有しないため、ビア端子１０４が、ビア部１１０（ビア端子１０４を除く）から突出した形状になる。具体的には、ビア端子１０４の頂部が、第二金属部１０３の頂部（ビア部１１０からビア端子１０４を除いた部材の頂部）よりも高い形状になる。また、ビア端子１０４の厚さＸは、ビア端子１０４および第一金属部１０１を除くビア部１１０の厚さＹよりも大きくなる。なお、従来のビア部の形成方法については、後述する図２２で説明する。
次に、図１５を用いて本発明の効果について説明する。図１５は、ビア部１１０を有する素子実装領域２０１に、素子１２０を実装させた場合の概略断面図である。図１５（ａ）は、素子実装領域２０１に、従来のビア部１１０と、配線部１１１とが形成された態様である。この場合、ビア部１１０においては、ビア端子１０４が突出した形状となっており、その頂部の位置は、配線部１１１の第二金属部１０３よりも高くなる。そのため、素子実装領域２０１に接着部１１５を介して素子１２０を実装すると、素子１２０に傾きが生じる。その結果、素子１２０と回路基板との接続を良好に行えないという問題がある。さらに、ビア端子１０４と素子１２０とが点接触しているため、点接触の箇所に応力集中が生じた場合に、素子１２０にダメージが生じるという可能性もある。
また、図１５（ｂ）は、素子実装領域２０１に、２つの従来のビア部１１０が形成された態様である。回路基板の高機能化に伴い、素子実装領域２０１に、複数のビア部１１０が形成される場合がある。この場合、２つのビア部１１０は、共にビア端子１０４が突出した形状となっている。ビア端子１０４の厚さは、通常、めっきの際に露出する金属部の面積に大きく依存する。そして、露出する金属部の面積は、ドライフィルムレジスト等のパターニングの精度に依存する。また、ビア端子１０４の厚さは、ビア部を形成するめっき時の電気抵抗値にも依存する。以上の要因から、複数のビア部１１０を形成する場合、それぞれのビア端子の高さには、多少のバラつきが生じ、その結果、上記図１５（ａ）と同様に、素子１２０に傾きが生じる等の問題がある。
これに対して、図１５（ｃ）に示すように、本発明におけるビア部１１０は、薄肉部１０５を有し、ビア端子１０４が突出しない形状であるため、素子１２０の傾きを防止することができ、素子１２０と回路基板との接続を良好に行うことができるのである。
以下、本発明の回路基板について、回路基板の部材と、回路基板の構成とに分けて説明する。
以下、本発明の回路基板について、回路基板の部材と、回路基板の構成とに分けて説明する。
１．回路基板の部材
まず、本発明の回路基板の部材について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を有するものである。さらに、本発明の回路基板は、第一金属部、絶縁部、第二金属部、ビア端子を少なくとも有するビア部を備えるものである。
まず、本発明の回路基板の部材について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を有するものである。さらに、本発明の回路基板は、第一金属部、絶縁部、第二金属部、ビア端子を少なくとも有するビア部を備えるものである。
（１）第一金属層および第二金属層
本発明における第一金属層および第二金属層は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、回路基板の種類に応じて適宜選択されるものである。なお、本発明においては、第一金属層の中でも、ビア部を構成する部分を第一金属部と称する。同様に、第二金属層の中でも、ビア部を構成する部分を第二金属部と称する。
本発明における第一金属層および第二金属層は、導電性を有するものであれば特に限定されるものではなく、回路基板の種類に応じて適宜選択されるものである。なお、本発明においては、第一金属層の中でも、ビア部を構成する部分を第一金属部と称する。同様に、第二金属層の中でも、ビア部を構成する部分を第二金属部と称する。
例えば、本発明の回路基板がサスペンション用基板である場合、第一金属層は、通常、支持基板としての機能を有する。さらに、このような支持基板は所定のばね性を有するものである。第一金属層の材料としては、例えばＳＵＳ等を挙げることができる。また、第一金属層の厚さとしては、その材料等により異なるが、通常１０μｍ〜２０μｍの範囲内である。また、本発明の回路基板がサスペンション用基板である場合、第二金属層は、通常、配線としての機能を有する。第二金属層の材料としては、例えば銅（Ｃｕ）等を挙げることができる。また、第二金属層の厚さとしては、例えば５μｍ〜１８μｍの範囲内であり、中でも９μｍ〜１２μｍの範囲内であることが好ましい。
本発明において、第二金属層の一部を配線として用いる場合、その表面に金めっき層が形成されていることが好ましい。配線の腐食を抑制することができるからである。金めっき層の厚さは、例えば０．１μｍ〜４．０μｍの範囲内である。また、本発明においては、配線および金めっき層の間に、Ｎｉめっき層を有していても良い。
（２）絶縁層
本発明における絶縁層は、第一金属層および第二金属層の間に形成されるものである。絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を発揮することができれば特に限定されるものではない。例えば、本発明の回路基板がサスペンション用基板である場合、絶縁層の材料として、例えばポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。また、絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜１０μｍの範囲内である。
本発明における絶縁層は、第一金属層および第二金属層の間に形成されるものである。絶縁層の材料としては、所望の絶縁性を発揮することができれば特に限定されるものではない。例えば、本発明の回路基板がサスペンション用基板である場合、絶縁層の材料として、例えばポリイミド（ＰＩ）等を用いることができる。また、絶縁層の厚さは、例えば５μｍ〜１０μｍの範囲内である。
（３）ビア端子
本発明におけるビア端子は、ビア部において、第一金属部および第二金属部を電気的に接続するめっきからなるものである。ビア端子の材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）等を挙げることができ、中でもニッケル（Ｎｉ）が好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。特にニッケルを用いて、電解めっき法によりビア端子を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。なお、これらのめっき浴には、適宜、添加剤を用いることにより、光沢度や皮膜応力を調整することができる。
本発明におけるビア端子は、ビア部において、第一金属部および第二金属部を電気的に接続するめっきからなるものである。ビア端子の材料としては、例えばニッケル（Ｎｉ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）および銅（Ｃｕ）等を挙げることができ、中でもニッケル（Ｎｉ）が好ましい。導電性および耐腐食性に優れ、かつ、安価だからである。特にニッケルを用いて、電解めっき法によりビア端子を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。なお、これらのめっき浴には、適宜、添加剤を用いることにより、光沢度や皮膜応力を調整することができる。
（４）カバー層
また、本発明の回路基板は、第二金属層上に、カバー層を有していても良い。カバー層を設けることで、露出する絶縁層や第二金属層を保護することができる。カバー層の材料としては、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性樹脂であっても良く、非感光性樹脂であっても良い。カバー層の厚さとしては、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも４μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。なお、本発明においては、カバー層の中でも、ビア部を構成する部分をカバー部と称する。
また、本発明の回路基板は、第二金属層上に、カバー層を有していても良い。カバー層を設けることで、露出する絶縁層や第二金属層を保護することができる。カバー層の材料としては、例えばポリイミド等を挙げることができる。また、カバー層の材料は、感光性樹脂であっても良く、非感光性樹脂であっても良い。カバー層の厚さとしては、例えば２μｍ〜３０μｍの範囲内であり、中でも４μｍ〜１５μｍの範囲内であることが好ましい。なお、本発明においては、カバー層の中でも、ビア部を構成する部分をカバー部と称する。
２．回路基板の構成
次に、本発明の回路基板の構成について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を有する。さらに、上述したように、第二金属層上に、カバー層が形成されていても良い。また、第一金属層および第二金属層の間には、少なくとも絶縁層が一層形成されていれば良い。そのため、第一金属層および第二金属層の間は、絶縁層のみを有する単層構造であっても良く、絶縁層とその他の金属層とを有する複層構造であっても良い。なお、後者の場合は、通常、複数の絶縁層を有する。
次に、本発明の回路基板の構成について説明する。本発明の回路基板は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を有する。さらに、上述したように、第二金属層上に、カバー層が形成されていても良い。また、第一金属層および第二金属層の間には、少なくとも絶縁層が一層形成されていれば良い。そのため、第一金属層および第二金属層の間は、絶縁層のみを有する単層構造であっても良く、絶縁層とその他の金属層とを有する複層構造であっても良い。なお、後者の場合は、通常、複数の絶縁層を有する。
また、本発明におけるビア端子は、素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成される。ここで、本発明における「素子実装領域」とは、平面視上、素子が実装される領域と一致する回路基板の領域をいう（図１３の点線部分）。また、「素子実装領域の近傍」とは、素子実装領域の領域外であって、ビア端子が実装される素子と接触可能な位置をいう。例えば、回路基板がばね性を有する場合、ビア部が素子実装領域外に形成されていても、回路基板が撓むことにより、ビア端子と素子とが接触する場合がある。また、実際に素子を実装する際に、実装される位置に微少なズレ（誤差）が生じる場合がある。このような場合であっても、本発明の回路基板を用いることで、ビア端子が素子に悪影響を与えることを防止することができる。また、ビア端子が素子実装領域の近傍にある場合、ビア端子と素子実装領域との平面視上の最短距離は、例えば１００μｍ以下であることが好ましい。
次に、本発明におけるビア部について、上記図１４（ａ）を参照しながら説明する。本発明にビア部１１０は、第一金属部１０１上に絶縁部１０２を有する。さらに、絶縁部１０２は第一金属部１０１が露出するように形成された絶縁層開口部１０２ａを有する。絶縁層開口部１０２ａの平面視形状は、所定のビア端子を形成可能なものであれば特に限定されるものではないが、例えば、円状；楕円状；四角形、五角形等の任意の多角形状、櫛状、十字状および棒状等を挙げることができる。なお、絶縁層開口部の形状としては円状が一般的であり、その場合、直径は例えば３０μｍ〜２００μｍの範囲内である。
また、本発明におけるビア部１１０は、絶縁部１０２上に第二金属部１０３を有する。さらに、第二金属部１０３は、絶縁層開口部１０２ａから第一金属部１０１が露出するように形成された第二金属層開口部１０３ａを有する。第二金属層開口部１０３ａの平面視形状については、上述した絶縁層開口部１０２ａと同様である。また、第二金属層開口部１０３ａの径についても、第一金属部１０１が露出すれば特に限定されるものではない。
ここで、絶縁層開口部１０２ａを化学エッチングにより形成する時、エッチング条件によっては、第二金属層開口部１０３ａの開口よりも大きい範囲で絶縁部１０２がエッチングされ、絶縁層開口部１０２ａの径が第二金属層開口部１０３ａの径よりも大きくなる。すなわち、第二金属層開口部１０３ａの端部が、絶縁層開口部１０２ａの端部よりも内側に位置するようになり、第二金属部１０３に突起部が形成される（図１４（ｂ）参照）。従来におけるビア部１１０は、図１４（ｂ）に示すように、第二金属部１０３の突起部が形成されるが、本発明におけるビア部１１０は、後述する図２３および図２４で説明するように、薄肉部を形成する際に、第二金属部１０３の突起部が消失するため、通常、このような突起部を有しない。その結果、本発明における第二金属層開口部１０３ａの径は、通常、絶縁層開口部１０２ａの径と同じかそれよりも大きくなる。
また、第二金属部１０３は、第二金属層開口部１０３ａの端部に沿って薄肉部１０５を有する。薄肉部１０５は、通常の第二金属部１０３よりも薄い部分である。この薄肉部１０５を形成することにより、ビア端子１０４の突出を防止するとともに、良好な接続性を有するビア端子１０４を得ることができる。薄肉部１０５は、後述するように、第二金属部１０３を化学エッチングすることにより形成することができる。ここで、図１６に示すように、第二金属部１０３の厚さをＴ、薄肉部１０５を形成するためにエッチングされた厚さをＴ１とすると、Ｔ１／Ｔの値は、例えば０．３〜０．８の範囲内、中でも０．４〜０．７の範囲内、特に０．４〜０．６の範囲内であることが好ましい。Ｔ１／Ｔの値が小さすぎると、ビア端子がビア部（ビア端子を除く）から突出しない形状を形成するように、めっきを制御することが困難になる可能性があり、Ｔ１／Ｔの値が大きすぎると、薄肉部の機械的強度が低くなり、薄肉部の破損が生じる可能性があるからである。また、Ｔ１の値は、第二金属部１０３の厚さによって異なるものであるが、例えば４μｍ〜１０μｍの範囲内、中でも５μｍ〜８μｍの範囲内であることが好ましい。一方、図１６に示すように、薄肉部１０５の幅をＷとすると、Ｗの値は、例えば３μｍ〜３０μｍの範囲内、中でも４μｍ〜２０μｍの範囲内であることが好ましい。なお、薄肉部１０５は、第二金属層開口部１０３ａの端部に沿って形成されるものであり、その端部の周囲に対して少なくとも一部に形成されていれば良く、中でも端部の全周にわたって形成されていることが好ましい。めっき厚の制御がさらに容易になるからである。
また、本発明におけるビア部１１０は、第二金属部１０３上に、ビア端子１０４が露出するように形成された開口部を有するカバー部を有していることが好ましい。このようなカバー部を有するビア部１１０の一例を図１７に示す。図１７においては、第二金属部１０３上に、ビア端子１０４が露出するように形成された開口部１０６ａを有するカバー部１０６が形成されている。開口部１０６ａの平面視形状については、上述した絶縁層開口部１０２ａと同様である。また、本発明においては、図１７に示すように、カバー部１０６の開口部１０６ａの端部は、薄肉部１０５により形成される外側端部１０５ａよりも内側に位置していることが好ましい。これにより、カバー部１０６に突起部が形成され、突起部によるめっき厚の制御ができるからである。突起部によるめっき厚の制御については、後述する「Ｆ．回路基板の製造方法」で説明する。ここで、図１７に示すように、カバー部１０６の突起部の幅をＺとすると、Ｚの値は、例えば３μｍ以上であり、中でも４μｍ〜８μｍの範囲内であることが好ましい。Ｚの値が小さすぎると、突起部によるめっき厚の制御が困難になる可能性があり、Ｚの値が大きすぎると、めっき（ビア端子）とカバー層との密着性が低下する可能性があるからである。
また、本発明においては、ビア端子１０４の厚さＸは、ビア端子１０４および第一金属部１０１を除くビア部１１０の厚さＹ以下になる。上記図１７のように、第二金属部１０３上にカバー部１０６が形成されている場合は、厚さＹは、絶縁部１０２、第二金属部１０３およびカバー部１０６の厚さの合計になる。このように、ビア部の構成によって、厚さＹは変化するものである。また、本発明においては、図１８に示すように、ビア端子１０４の表面に金めっき部１０７を有していても良い。この場合におけるビア端子１０４の厚さＸは、金めっき部１０７の厚さを含むものとする。
３．回路基板
本発明の回路基板は、上述した部材および構成を有するものである。さらに、上記のように、本発明の回路基板は、素子実装領域を有する。素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。
本発明の回路基板は、上述した部材および構成を有するものである。さらに、上記のように、本発明の回路基板は、素子実装領域を有する。素子実装領域に実装される素子としては、例えば、磁気ヘッドスライダ、アクチュエータ、半導体等を挙げることができる。また、上記アクチュエータは、磁気ヘッドを有するものであっても良く、磁気ヘッドを有しないものであっても良い。
本発明の回路基板は、可撓性を有するフレキシブル基板であることが好ましい。また、回路基板の用途としては、具体的には、ＨＤＤ等に用いられるサスペンション用基板（フレキシャー）、半導体パッケージ基板、フレキシブルプリント基板等を挙げることができる。
Ｆ．回路基板の製造方法
次に、本発明の回路基板の製造方法について説明する。本発明の回路基板の製造方法は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板の製造方法であって、上記第一金属部、上記絶縁部および上記第二金属部を有し、上記第二金属部には上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、上記第二金属部上に上記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する被めっき部材形成工程と、上記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、上記ビア端子を形成するめっき工程と、を有し、上記めっき工程の際に、上記薄肉部の頂部表面を上記ビア端子により覆い、かつ、上記ビア端子を上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを特徴とするものである。
次に、本発明の回路基板の製造方法について説明する。本発明の回路基板の製造方法は、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、上記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、上記絶縁層の一部を構成し、上記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、上記第二金属層の一部を構成し、上記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、上記絶縁層開口部および上記第二金属層開口部を介して、上記第一金属部および上記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、上記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板の製造方法であって、上記第一金属部、上記絶縁部および上記第二金属部を有し、上記第二金属部には上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、上記第二金属部上に上記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する被めっき部材形成工程と、上記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、上記ビア端子を形成するめっき工程と、を有し、上記めっき工程の際に、上記薄肉部の頂部表面を上記ビア端子により覆い、かつ、上記ビア端子を上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを特徴とするものである。
本発明によれば、薄肉部を有する被めっき部材を用いることにより、ビア部から突出しない形状のビア端子を容易に形成することができる。その結果、回路基板に素子を実装した場合に、素子が傾くことを防止することができ、素子と回路基板との接続を良好に行うことができる。また、ビア端子が突出しない形状であることから、ビア端子と素子とは点接触せず、応力集中による素子のダメージを防止することができる。
図１９は、本発明の回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。なお、図１９は、マスク部がカバー部１０６である態様である。図１９においては、まず、第一金属部１０１と、第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部１０２ａを有する絶縁部１０２と、絶縁層開口部１０２ａから第一金属部１０１が露出するように形成された第二金属層開口部１０３ａを有する第二金属部１０３とを有し、かつ、第二金属部１０３は第二金属層開口部１０３ａの端部に沿って薄肉部１０５を有するビア設置部１１０ａを備えた被めっき部材２１０ａを形成する（図１９（ａ））。特に図１９（ａ）においては、第二金属部１０３上に開口部１０６ａを有するカバー部１０６がマスク部として形成されている。
次に、被めっき部材２１０ａの第一金属部１０１からの給電によってめっきを成長させる。めっき開始時には、絶縁層開口部１０２ａを埋めるようにめっきが形成される。その後、成長しためっき部１０４ａが第二金属部１０３に接触した瞬間に、第一金属部１０１および第二金属部１０３が導通する（図１９（ｂ））。その結果、第二金属部１０３のめっきが開始され、薄肉部１０５の頂部表面がめっき部１０４ａで覆われる（図１９（ｃ））。その後、めっきをさらに成長させることにより、ビア部１１０から突出しない形状を有するビア端子１０４を備えた回路基板が得られる（図１９（ｄ））。
図２０は、本発明の回路基板の製造方法の他の例を示す概略断面図である。なお、図２０は、マスク部がドライフィルムレジスト部（ＤＦＲ部）１３１である態様である。図２０においては、まず、上記図１９（ａ）と同様の被めっき部材２１０ａを形成する（図２０（ａ））。ただし、図２０（ａ）においては、第二金属部１０３上に、カバー部１０６ではなく、開口部１３１ａを有するＤＦＲ部１３１がマスク部として形成されている。
次に、被めっき部材２１０ａの第一金属部１０１からの給電によってめっきを成長させる。めっき開始時には、絶縁層開口部１０２ａを埋めるようにめっきが形成される。その後、成長しためっき部１０４ａが第二金属部１０３に接触した瞬間に、第一金属部１０１および第二金属部１０３が導通する（図２０（ｂ））。その結果、第二金属部１０３のめっきが開始され、薄肉部１０５の頂部表面がめっき部１０４ａで覆われる（図２０（ｃ））。その後、めっきをさらに成長させることにより、ビア端子１０４が得られ（図２０（ｄ））、最後にＤＦＲ部を剥離することにより、ビア部１１０から突出しない形状を有するビア端子１０４を備えた回路基板が得られる（図２０（ｅ））。
なお、図２０（ａ）には、カバー部を有しない被めっき部材２１０ａが示されているが、本発明においては、図２１に示すように、ビア設置部１１０ａが、第二金属部１０３とＤＦＲ部１３１との間にカバー部１０６を有していても良い。
これに対して、図２２は、従来における回路基板の製造方法の一例を示す概略断面図である。図２２においては、まず、上記図２０（ａ）と同様の被めっき部材２１０ａを形成する（図２２（ａ））。ただし、図２２（ａ）において、第二金属部１０３は薄肉部１０５を有しないものである。次に、被めっき部材２１０ａの第一金属部１０１からの給電によってめっきを成長させる。めっき開始時には、絶縁層開口部１０２ａを埋めるようにめっきが形成される。その後、成長しためっき部１０４ａが第二金属部１０３に接触した瞬間に、第一金属部１０１および第二金属部１０３が導通する（図２２（ｂ））。その結果、第二金属部１０３のめっきが開始される（図２２（ｃ））。その後、めっきをさらに成長させることにより、ビア端子１０４が得られ（図２２（ｄ））、最後にＤＦＲ部を剥離することにより、回路基板が得られる（図２２（ｅ））。従来の製造方法により得られた回路基板は、ビア部１１０が薄肉部１０５を有していないため、ビア端子１０４が第二金属部１０３上に形成され、ビア部１１０から突出した形状になる。以上のように、本発明においては、ビア部１１０が薄肉部１０５を有することで、ビア部１１０から突出しない形状を有するビア端子１０４を得ることができるのである。
以下、本発明の回路基板の製造方法について、工程毎に説明する。
以下、本発明の回路基板の製造方法について、工程毎に説明する。
１．被めっき部材形成工程
まず、本発明における被めっき部材形成工程について説明する。本工程は、上記第一金属部、上記絶縁部および上記第二金属部を有し、上記第二金属部には上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、上記第二金属部上に上記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する工程である。
まず、本発明における被めっき部材形成工程について説明する。本工程は、上記第一金属部、上記絶縁部および上記第二金属部を有し、上記第二金属部には上記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、上記第二金属部上に上記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する工程である。
本発明における被めっき部材は、上述した第一金属部、絶縁部、第二金属部、薄肉部およびマスク部を有するものであれば特に限定されるものではない。これらの部材の中で、マスク部以外の部材については、上記「Ｅ．回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
また、本発明におけるマスク部は、第二金属部上に形成され、ビア端子を形成する場所以外の第二金属部の表面をマスクするものである。このようなマスク部としては、具体的にはカバー部およびドライフィルムレジスト部を挙げることができる。以下、被めっき部材の形成方法について、マスク部の態様ごとに説明する。
（１）マスク部がカバー部である態様
この場合における被めっき部材形成工程の一例としては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された積層体を用意する工程と、上記第二金属層のエッチングを行い、第二金属層開口部を有する第二金属部を形成する工程と、上記第二金属部上に、薄肉部を形成するための上記第二金属部の表面が露出する開口部を有するカバー部を形成する工程と、上記第二金属層開口部から露出する絶縁層のエッチングを行い、絶縁層開口部を有する絶縁部を形成する工程と、上記カバー部から露出する上記第二金属部のエッチングを行い、上記薄肉部を形成する工程と、を有するものを挙げることができる。
この場合における被めっき部材形成工程の一例としては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された積層体を用意する工程と、上記第二金属層のエッチングを行い、第二金属層開口部を有する第二金属部を形成する工程と、上記第二金属部上に、薄肉部を形成するための上記第二金属部の表面が露出する開口部を有するカバー部を形成する工程と、上記第二金属層開口部から露出する絶縁層のエッチングを行い、絶縁層開口部を有する絶縁部を形成する工程と、上記カバー部から露出する上記第二金属部のエッチングを行い、上記薄肉部を形成する工程と、を有するものを挙げることができる。
このような被めっき部材形成工程を、図２３を参照しながら説明する。図２３においては、まず、第一金属層１０１ｂ、絶縁層１０２ｂおよび第二金属層１０３ｂがこの順に積層された積層体を用意する（図２３（ａ））。次に、第二金属層１０３ｂの表面にドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、第二金属部を形成するためのレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する第二金属層１０３ｂをエッチング液によりエッチングし、レジストパターンを剥離することにより、第二金属層開口部１０３ａを有する第二金属部１０３を形成する（図２３（ｂ））。また、図示しないが、第一金属層１０１ｂの表面にもレジストパターンを設けることで、第二金属部１０３と同時に第一金属部１０１を形成することができる。エッチング液の種類は、第一金属層１０１ｂおよび第二金属層１０３ｂの材料に応じて適宜選択することが好ましい。例えば、第一金属層１０１ｂの材料がＳＵＳであり、第二金属層１０３ｂの材料がＣｕである場合は、エッチング液として、塩化鉄系エッチング液等を用いることができる。
次に、第二金属部１０３を覆うように、感光性のカバー部形成材料（例えば感光性ポリイミド）を塗工し、露光現像を行うことにより、カバー部１０６を形成する（図２３（ｃ））。この際、薄肉部を形成するための第二金属部の表面が露出する開口部１０６ａを有するように、カバー部１０６を形成する。また、本発明においては、カバー部１０６の形成に、非感光性のカバー部形成材料を用いても良い。この場合は、通常、ドライフィルムレジストおよびエッチング液によるパターニングによりカバー部１０６を形成する。
次に、第二金属部１０３およびカバー部１０６を覆うように、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、絶縁部を形成するためのレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する絶縁層１０２ｂをエッチング液によりエッチングし、レジストパターンを剥離することにより、絶縁層開口部１０２ａを有する絶縁部１０２を形成する（図２３（ｄ））。エッチング液の種類は、絶縁層１０２ｂの種類に応じて適宜選択することが好ましい。
次に、カバー部１０６から露出する第二金属部１０３の表面をエッチング液によりエッチングし、薄肉部１０５を形成する（図２３（ｅ））。この際、上述した第二金属部１０３の突起部は、通常、消失する。これにより、カバー部１０６をマスク部とした被めっき部材２１０ａを得ることができる。本発明においては、薄肉部１０５を形成する際に、通常、第一金属部１０１をエッチングせず、第二金属部１０３をエッチングする選択性エッチング液を用いる。選択性エッチング液の種類は、第一金属部１０１および第二金属部１０３の種類に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、第一金属部１０１がＳＵＳであり、第二金属部１０３の材料がＣｕである場合は、選択性エッチング液として、過酸化水素および硫酸の混合溶液、硫酸水素カリウム系溶液、過硫酸ナトリウム系溶液、過硫酸カリウム系溶液、過硫酸アンモニウム系溶液、塩化アンモニウム系溶液等を用いることができる。また、めっきの前処理（例えば電解脱脂）により、第二絶縁部の膜減りが生じる可能性があるため、薄肉部を形成する際のエッチング量は、膜減り等を考慮して設定することが好ましい。
次に、上記方法により得られる被めっき部材について説明する。上記方法により得られる被めっき部材（図２３（ｅ）に示される被めっき部材２１０ａ）は、上記図１７と同様に、カバー部１０６の開口部１０６ａの端部が、薄肉部１０５により形成される外側端部１０５ａよりも内側に位置することとなる（カバー部１０６をマスクとしてハーフエッチングする場合、サイドエッチが入るため、通常は内側に位置することとなる）。これにより、カバー部１０６に突起部が形成され、突起部によるめっき厚の制御ができるからである。より具体的には、上記図１９（ｄ）に示すように、カバー部１０６の突起部が、めっきが成長する際のストッパーとして機能することで、めっき厚の制御が容易になる。また、カバー部１０６の突起部の形成方法としては、例えば、薄肉部１０５を形成する際のエッチング条件を適宜選択し、サイドエッチングを生じさせる方法を挙げることができる。
（２）マスク部がドライフィルムレジスト部である態様
この場合における被めっき部材形成工程の一例としては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された積層体を用意する工程と、上記第二金属層のエッチングを行い、第二金属層開口部を有する第二金属部を形成する工程と、上記第二金属層開口部から露出する絶縁層のエッチングを行い、絶縁層開口部を有する絶縁部を形成する工程と、薄肉部を形成するための上記第二金属部の表面が露出する開口部を有するレジストパターンを形成し、露出する上記第二金属部のエッチングを行い、薄肉部を形成する工程と、上記薄肉部以外の上記第二金属部の表面上に、ドライフィルムレジスト部を形成する工程と、を有するものを挙げることができる。
この場合における被めっき部材形成工程の一例としては、第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された積層体を用意する工程と、上記第二金属層のエッチングを行い、第二金属層開口部を有する第二金属部を形成する工程と、上記第二金属層開口部から露出する絶縁層のエッチングを行い、絶縁層開口部を有する絶縁部を形成する工程と、薄肉部を形成するための上記第二金属部の表面が露出する開口部を有するレジストパターンを形成し、露出する上記第二金属部のエッチングを行い、薄肉部を形成する工程と、上記薄肉部以外の上記第二金属部の表面上に、ドライフィルムレジスト部を形成する工程と、を有するものを挙げることができる。
このような被めっき部材形成工程を、図２４を参照しながら説明する。図２４においては、まず、第一金属層１０１ｂ、絶縁層１０２ｂおよび第二金属層１０３ｂがこの順に積層された積層体を用意する（図２４（ａ））。次に、第二金属層１０３ｂの表面にドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、第二金属部を形成するためのレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する第二金属層１０３ｂをエッチング液によりエッチングし、レジストパターンを剥離することにより、第二金属層開口部１０３ａを有する第二金属部１０３を形成する（図２４（ｂ））。また、図示しないが、第一金属層１０１ｂの表面にもレジストパターンを設けることで、第二金属部１０３と同時に第一金属部１０１を形成することができる。
なお、図２４では、カバー部を有しない被めっき部材を例示しているが、通常は、被めっき部材のビア設置部以外の場所にカバー層を形成する必要があるため、上記図２３（ｃ）と同様にして、パターニングされたカバー層を形成する。また、カバー部を有するビア設置部を備えた被めっき部を形成する場合は、第一金属部１０１および第二金属部１０２を形成した後、上記図２３（ｃ）と同様にして、カバー部を形成することができる。この場合は、上記図２１に示すような被めっき部材を得ることができる。
次に、第二金属部１０３を覆うように、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、絶縁部を形成するためのレジストパターンを形成する。その後、レジストパターンから露出する絶縁層１０２ｂをエッチング液によりエッチングし、レジストパターンを剥離することにより、絶縁層開口部１０２ａを有する絶縁部１０２を形成する（図２４（ｃ））。
次に、絶縁部１０２および第二金属部１０３を覆うように、ドライフィルムレジストをラミネートし、露光現像を行うことにより、薄肉部を形成するためのＤＦＲ部１３１を形成する（図２４（ｄ））。その後、ＤＦＲ部１３１から露出する第二金属部１０３の表面をエッチング液によりエッチングし、薄肉部１０５を形成する（図２４（ｅ））。この際、上述した第二金属部１０３の突起部は、通常、消失する。これにより、ＤＦＲ部１３１をマスク部とした被めっき部材２１０ａを得ることができる。本発明においては、薄肉部１０５を形成する際に、通常、第一金属部１０１をエッチングせず、第二金属部１０３をエッチングする選択性エッチング液を用いる。選択性エッチング液については、上述した通りである。
次に、上記方法により得られる被めっき部材について説明する。上記方法により得られる被めっき部材（図２４（ｅ）に示される被めっき部材２１０ａ）は、ＤＦＲ部１３１の開口部１３１ａの端部が、薄肉部１０５により形成される外側端部１０５ａよりも内側に位置することとなる。これにより、ＤＦＲ部１３１に突起部が形成され、突起部によるめっき厚の制御ができるからである。より具体的には、上記図２０（ｄ）に示すように、ＤＦＲ部１３１の突起部が、めっきが成長する際のストッパーとして機能することで、めっき厚の制御が容易になる。また、ＤＦＲ部１３１の突起部の形成方法としては、例えば、ドライフィルムレジストの露光現像条件を適宜する方法を挙げることができる。また、ＤＦＲ部１３１の突起部の幅は、上記図１７に示すカバー部１０６の突起部の幅Ｚと同様であることが好ましい。
２．めっき工程
次に、本発明におけるめっき工程について説明する。本工程は、上記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、上記ビア端子を形成する工程である。さらに、本発明においては、めっき工程の際に、上記薄肉部の頂部表面を上記ビア端子により覆い、かつ、上記ビア端子を上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを一つの特徴とする。
次に、本発明におけるめっき工程について説明する。本工程は、上記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、上記ビア端子を形成する工程である。さらに、本発明においては、めっき工程の際に、上記薄肉部の頂部表面を上記ビア端子により覆い、かつ、上記ビア端子を上記ビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを一つの特徴とする。
めっき浴の種類は、上記「Ｅ．回路基板」に記載した金属の種類に応じて、適宜選択することが好ましい。例えば、Ｎｉめっきからなるビア端子を形成する場合、用いられる電解Ｎｉめっき浴としては、例えば、ワット浴およびスルファミン酸浴等を挙げることができる。また、ビア端子をビア部（上記ビア端子を除く）から突出しない形状とするためには、通常、めっき条件（例えばめっき時間や印加電圧）を調整する必要がある。所望のめっき条件は、予備試験を繰り返すことにより、設定することができる。
３．その他の工程
本発明において、上述したＤＦＲ部をマスク部として用いた場合、上述した被めっき部材形成工程およびめっき工程の後に、通常ＤＦＲ部を剥離するＤＦＲ部剥離工程を有する。また、本発明においては、金めっき部形成工程等を有していても良く、その際、ビア端子の表面に金めっき部を形成しても良い。また、ビア部以外の回路基板の製造方法については、一般的な回路基板の製造方法と同様である。
本発明において、上述したＤＦＲ部をマスク部として用いた場合、上述した被めっき部材形成工程およびめっき工程の後に、通常ＤＦＲ部を剥離するＤＦＲ部剥離工程を有する。また、本発明においては、金めっき部形成工程等を有していても良く、その際、ビア端子の表面に金めっき部を形成しても良い。また、ビア部以外の回路基板の製造方法については、一般的な回路基板の製造方法と同様である。
Ｇ．サスペンション用基板
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、上述した回路基板であることを特徴とするものである。
次に、本発明のサスペンション用基板について説明する。本発明のサスペンション用基板は、上述した回路基板であることを特徴とするものである。
本発明によれば、上述した回路基板をサスペンション用基板として用いることで、素子を実装した場合に、素子の傾きを防止でき、素子とサスペンション用基板との接続を良好に行うことができる。
本発明のサスペンション用基板は、上記「Ｅ．回路基板」に記載した特徴を有し、所定のばね性を有するものであれば特に限定されるものではない。本発明のサスペンション用基板は、第一金属層がＳＵＳであることが好ましく、絶縁層がポリイミド（ＰＩ）であることが好ましく、第二金属層がＣｕであることが好ましい。また、本発明のサスペンション用基板は、上述した素子を、素子実装領域に実装したものであっても良い。
Ｈ．サスペンション
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
次に、本発明のサスペンションについて説明する。本発明のサスペンションは、上述したサスペンション用基板を含むことを特徴とするものである。
本発明によれば、上述したサスペンション用基板を用いることで、素子との接続性が良好なサスペンションとすることができる。
本発明のサスペンションの具体例については、上述した図８に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、サスペンション用基板については、上記「Ｇ．サスペンション用基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
Ｉ．素子付サスペンション
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
次に、本発明の素子付サスペンションについて説明する。本発明の素子付サスペンションは、上述したサスペンションと、上記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とするものである。
本発明によれば、上述したサスペンションを用いることで、素子とサスペンションとの接続性が良好な素子付サスペンションとすることができる。
本発明の素子付サスペンションの具体例については、磁気ヘッドを素子に変更したこと以外は、上述した図９に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、サスペンションについては、上記「Ｈ．サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子については、上記「Ｅ．回路基板」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。
また、上記図１５で説明したように、サスペンションおよび素子は、接着部を介して接着剤を用いて接着することができる。本発明に用いられる接着剤は、導電性接着剤であっても良く、非導電性接着剤であっても良いが、導電性接着剤であることが好ましい。また、本発明に用いられる接着剤は、熱硬化性接着剤であっても良い。
Ｊ．ハードディスクドライブ
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
次に、本発明のハードディスクドライブについて説明する。本発明のハードディスクドライブは、上述した素子付サスペンションを含むことを特徴とするものである。
本発明によれば、上述した素子付サスペンションを用いることで、より高機能化されたハードディスクドライブとすることができる。
本発明のサスペンションの具体例については、上述した図１０に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、素子付サスペンションについては、上記「Ｉ．素子付サスペンション」に記載した内容と同様であるので、ここでの記載は省略する。また、その他の部材についても、一般的なハードディスクドライブに用いられる部材と同様のものを用いることができる。
なお、本発明は、上記実施形態に限定されるものではない。上記実施形態は例示であり、本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想と、実質的に同一の構成を有し、同様
な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
な作用効果を奏するものは、いかなる場合であっても本発明の技術的範囲に包含される。
以下、実施例を用いて、本発明をさらに具体的に説明する。
［実施例１］
図６は本発明の磁気ヘッドサスペンションの第１の実施例を説明する説明図である。
図６（ａ）は本発明で使用するＣｕ（銅）／ＰＩ（ポリイミド）／ＳＵＳ（ステンレススチール）の３層材を示す。金属支持体１は厚み２０μｍのＳＵＳ３０４材、絶縁層２は厚さ１０μｍのポリイミド、配線層３は厚み９μｍの電解銅であり、この順に積層された積層体を用いた。
図６（ｂ）は配線層３上にＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの標準的な条件でパターン露光、現像処理を行い、導体接続材を形成する開口の径が約７０μｍとなる様パターニングする。
図６（ｃ）は塩化鉄エッチング液で配線層３をエッチングして開口を形成した状態を示す。
図６（ｄ）は水酸化ナトリウム溶液にてＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図６（ｅ）は配線層３上に２回目のＤＦＲ８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口径は配線層３に形成した開口径より２０ｕｍ大きく設定する。
図６（ｆ）は２回目のエッチングをした状態を示す。ＤＦＲ製版で露出した開口周辺部
を硫酸と過酸化水素水を含むエッチング液で４．５μｍの深さでエッチングし、凹部を形成する。エッチングは等方的に進行するためサイドエッチングが入って凹部が形成され、ＤＦＲ開口の周囲はオーバーハング状態となる。
図６（ｇ）は配線層３をマスクにして絶縁層２をエッチングして開口部７を形成した状態を示す。これにより金属支持体１の表面を露出した開口が得られる。
図６（ｈ）はＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図６は本発明の磁気ヘッドサスペンションの第１の実施例を説明する説明図である。
図６（ａ）は本発明で使用するＣｕ（銅）／ＰＩ（ポリイミド）／ＳＵＳ（ステンレススチール）の３層材を示す。金属支持体１は厚み２０μｍのＳＵＳ３０４材、絶縁層２は厚さ１０μｍのポリイミド、配線層３は厚み９μｍの電解銅であり、この順に積層された積層体を用いた。
図６（ｂ）は配線層３上にＤＦＲ（ドライフィルムレジスト）８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの標準的な条件でパターン露光、現像処理を行い、導体接続材を形成する開口の径が約７０μｍとなる様パターニングする。
図６（ｃ）は塩化鉄エッチング液で配線層３をエッチングして開口を形成した状態を示す。
図６（ｄ）は水酸化ナトリウム溶液にてＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図６（ｅ）は配線層３上に２回目のＤＦＲ８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口径は配線層３に形成した開口径より２０ｕｍ大きく設定する。
図６（ｆ）は２回目のエッチングをした状態を示す。ＤＦＲ製版で露出した開口周辺部
を硫酸と過酸化水素水を含むエッチング液で４．５μｍの深さでエッチングし、凹部を形成する。エッチングは等方的に進行するためサイドエッチングが入って凹部が形成され、ＤＦＲ開口の周囲はオーバーハング状態となる。
図６（ｇ）は配線層３をマスクにして絶縁層２をエッチングして開口部７を形成した状態を示す。これにより金属支持体１の表面を露出した開口が得られる。
図６（ｈ）はＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図６（ｉ）は配線層３にＡｕメッキ層９を形成した状態を示す。図３（ｈ）の配線層３のみに給電して下地にＮｉメッキをした後、Ａｕメッキ９で配線層を被覆する。次工程以降はＡｕメッキ層９も配線層３に含める。
図６（ｊ）は導体接続材４となるＮｉメッキをするためにＤＦＲを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口は配線層表面５が露出しないよう開口内周が配線層３の凹部に位置するよう設定する。これにより導体接続材４は配線層表面５には接続せず配線層３の開口周辺部６０と接続する。
図６（ｋ）は導体接続材４をＮｉメッキで形成した状態を示す。Ｎｉメッキは金属支持体１に給電して行う。Ｎｉメッキは開口部７で露出した金属支持体１の表面に析出し、厚さが絶縁層２と等しくなった時点で配線層３と導通し、配線層３の露出面にもメッキが成長する。メッキの厚さは導体接続材表面６の高さが配線層表面５と等しくなるように設定する。
図６（ｌ）はＤＦＲを剥膜し導体接続材４の形成が完成した状態を示す。
図６（ｊ）は導体接続材４となるＮｉメッキをするためにＤＦＲを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口は配線層表面５が露出しないよう開口内周が配線層３の凹部に位置するよう設定する。これにより導体接続材４は配線層表面５には接続せず配線層３の開口周辺部６０と接続する。
図６（ｋ）は導体接続材４をＮｉメッキで形成した状態を示す。Ｎｉメッキは金属支持体１に給電して行う。Ｎｉメッキは開口部７で露出した金属支持体１の表面に析出し、厚さが絶縁層２と等しくなった時点で配線層３と導通し、配線層３の露出面にもメッキが成長する。メッキの厚さは導体接続材表面６の高さが配線層表面５と等しくなるように設定する。
図６（ｌ）はＤＦＲを剥膜し導体接続材４の形成が完成した状態を示す。
［実施例２］
図７は本発明の磁気ヘッドサスペンションの第２の実施例を説明する説明図である。
図７（ａ）は図６（ｈ）と同じ状態の基材を示す。
図７（ｂ）は導体接続材４となるＣｕメッキをするためにＤＦＲ８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口は配線層表面５が露出しないよう開口内周が配線層３の凹部に位置するよう設定する。これにより導体接続材４は配線層表面５には接続せず配線層３の開口周辺部６０と接続する。
図７（ｃ）は導体接続材４をＣｕメッキで形成した状態を示す。Ｃｕメッキは金属支持体１に給電して行う。Ｃｕメッキは開口部７で露出した金属支持体１の表面に析出し、厚さが絶縁層２と等しくなった時点で配線層３と導通し、配線層３の露出面にもメッキが成長する。メッキの厚さは導体接続材表面６の高さが配線層表面５と等しくなるように設定する。
図７（ｄ）はＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図７（ｅ）は金属支持体１の下面にＤＦＲによるマスキングをした状態を示す。
図７（ｆ）は配線層３に金メッキ層９形成した状態を示す。
図７（ｇ）はＤＦＲによるマスキングを剥膜しＣｕメッキによる導体接続材４の形成が完成した状態を示す。
図７は本発明の磁気ヘッドサスペンションの第２の実施例を説明する説明図である。
図７（ａ）は図６（ｈ）と同じ状態の基材を示す。
図７（ｂ）は導体接続材４となるＣｕメッキをするためにＤＦＲ８ａを製版した状態を示す。ＤＦＲの開口は配線層表面５が露出しないよう開口内周が配線層３の凹部に位置するよう設定する。これにより導体接続材４は配線層表面５には接続せず配線層３の開口周辺部６０と接続する。
図７（ｃ）は導体接続材４をＣｕメッキで形成した状態を示す。Ｃｕメッキは金属支持体１に給電して行う。Ｃｕメッキは開口部７で露出した金属支持体１の表面に析出し、厚さが絶縁層２と等しくなった時点で配線層３と導通し、配線層３の露出面にもメッキが成長する。メッキの厚さは導体接続材表面６の高さが配線層表面５と等しくなるように設定する。
図７（ｄ）はＤＦＲを剥膜した状態を示す。
図７（ｅ）は金属支持体１の下面にＤＦＲによるマスキングをした状態を示す。
図７（ｆ）は配線層３に金メッキ層９形成した状態を示す。
図７（ｇ）はＤＦＲによるマスキングを剥膜しＣｕメッキによる導体接続材４の形成が完成した状態を示す。
［製造例］
まず、図２３（ａ）に示す３層材を用意した。ここで、第一金属層１０１ｂは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１０２ｂは厚さ１０μｍのポリイミド層であり、第二金属層１０３ｂは厚さ１２μｍの電解銅箔である。次に、図２３（ｂ）〜（ｄ）に示すように、第二金属層１０３ｂのエッチング、ポリイミドからなるカバー部１０６の形成、絶縁層１０２ｂのエッチングを行い、図２５に示すように、薄肉部を形成する前の被めっき部材２０１ｂを得た。絶縁層開口部１０２ａ、第二金属層開口部１０３ａ、開口部１０６ａは、いずれも平面形状が円状の開口部であり、開口径は、それぞれ７０μｍ、７０μｍ、９５μｍであった。
まず、図２３（ａ）に示す３層材を用意した。ここで、第一金属層１０１ｂは厚さ２０μｍのＳＵＳ３０４であり、絶縁層１０２ｂは厚さ１０μｍのポリイミド層であり、第二金属層１０３ｂは厚さ１２μｍの電解銅箔である。次に、図２３（ｂ）〜（ｄ）に示すように、第二金属層１０３ｂのエッチング、ポリイミドからなるカバー部１０６の形成、絶縁層１０２ｂのエッチングを行い、図２５に示すように、薄肉部を形成する前の被めっき部材２０１ｂを得た。絶縁層開口部１０２ａ、第二金属層開口部１０３ａ、開口部１０６ａは、いずれも平面形状が円状の開口部であり、開口径は、それぞれ７０μｍ、７０μｍ、９５μｍであった。
次に、薄肉部を形成する前の被めっき部材２０１ｂを用いて、薄肉部の形成を行った。具体的には、図２３（ｄ）に示すように、カバー部１０６から露出する第二金属部１０３を、下記条件でエッチングすることにより、薄肉部１０５を形成した。その結果を表１に示す。
＜エッチング条件＞
・処理液 ：硫酸水素カリウム系溶液（１５０ｇ／ｌ）
：硫酸（１０ｍｌ／ｌ）
・液温 ：３０℃、２５℃
・処理時間：１分、２分、３分、５分
＜エッチング条件＞
・処理液 ：硫酸水素カリウム系溶液（１５０ｇ／ｌ）
：硫酸（１０ｍｌ／ｌ）
・液温 ：３０℃、２５℃
・処理時間：１分、２分、３分、５分
表１におけるｔ１は、図２６に示すように、カバー部１０６の頂部から薄肉部１０５の頂部までの距離をいう。なお、薄肉部１０５の頂部には、最もエッチングされた部分の頂部を選択した。また、０分におけるｔ１はカバー部の厚さに相当する。さらに、１分、２分、３分、５分におけるｔ１の値と、０分におけるｔ１の値との差分から第二金属部１０３のエッチング量が算出され、そのエッチング量を処理時間で除することで、エッチング速度が算出される。表１に示されるように、３０℃でのエッチング速度の平均値は１．７３μｍ／ｍｉｎであり、２５℃でのエッチング速度の平均値は０．７７μｍ／ｍｉｎであった。このように、処理温度および処理時間を調整することで、所望の厚さを有する薄肉部を形成できることが確認された。
［実施例３］
製造例に記載した処理温度３０℃、処理時間２分の条件で薄肉部を形成した被めっき部材に、Ｎｉめっきからなるビア端子（グランド端子）を形成した。Ｎｉめっきは下記条件で行った。
＜めっき条件＞
・めっき浴：スルファミン酸Ｎｉめっき浴
・めっき方法：電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分）
製造例に記載した処理温度３０℃、処理時間２分の条件で薄肉部を形成した被めっき部材に、Ｎｉめっきからなるビア端子（グランド端子）を形成した。Ｎｉめっきは下記条件で行った。
＜めっき条件＞
・めっき浴：スルファミン酸Ｎｉめっき浴
・めっき方法：電解浸漬めっき（０．２Ａ、１４分）
ビア端子を形成した後、図２７に示すように、カバー部１０６の頂部からビア端子１０４の頂部までの距離ｔ２を測定した。なお、ビア端子１０４の頂部には、最も厚い部分の頂部を選択した。２４個のサンプルにおいて、ｔ２の値を測定したところ、最大は６．９４μｍであり、最小は１．９０μｍであり、平均は４．０７μｍであった。いずれの場合においても、ｔ２の値が負になること（ビア端子が突出すること）はなかった。
また、得られたビア部の断面写真を図２８に示す。図２８に示すように、得られたビア部は、第一金属部と、絶縁部と、薄肉部を有する第二金属部と、カバー部と、ビア端子とを有している。さらに、ビア端子は、ビア部（ビア端子を除く）から突出しない形状であることが確認された。また、カバー部１０６が突起部を有することにより、ビア端子の厚さが制御されていることが確認された。
１…金属支持体、２…絶縁層、３…配線層、３ａ、３ｂ…金属層、４…導体接続材、５…配線層表面、６…導体接続材表面、７…開口部、８ａ…ＤＦＲ、８ｂ…フォトレジスト、９…金メッキ層、１０…サスペンション基板、２０…スライダー設置位置、３０…サスペンション、３１…ロードビーム、４０…ヘッド付サスペンション、４１…磁気ヘッドスライダー、５０…ハードディスクドライブ、５１…ディスク、５２…スピンドルモータ、５３…アーム、５４…ボイスコイルモータ、５５…密閉ケース、６０…開口周辺部、６１…開口内面部、６２…開口により露出する金属支持体表面、６３…開口周辺底部、Ｘ２…絶縁層２の厚み、Ｘ３…配線層３の厚み、Ｙ…金属支持体の表面部６２から導体接続材４の接続材表面６までの導体接続材の高さ、Ｚ…配線層の層表面５と開口周辺底部６３までの深さ、１０１…第一金属部、１０１ｂ…第一金属層、１０２…絶縁部、１０２ａ…絶縁層開口部、１０２ｂ…絶縁層、１０３…第二金属部、１０３ａ…第二金属層開口部、１０３ｂ…第二金属層、１０４…ビア端子、１０５…薄肉部、１０５ａ…薄肉部の外側端部、１０６…カバー部、１０６ａ…カバー部の開口部、１０７…金めっき部、１１０…ビア部、１１０ａ…ビア設置部、１１１…配線部、１１５…接着部、１２０…素子、１３１…ドライフィルムレジスト部、１３１ａ…ドライフィルムレジスト部の開口部、２０１…素子実装領域、２０２…接続領域、２０３…配線、２１０…回路基板、２１０ａ…被めっき部材
Claims (23)
- 金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層された磁気ヘッドサスペンション用基板において、該磁気ヘッドサスペンション用基板は前記絶縁層と配線層を貫通する開口を有し、該開口に接する配線層には他の配線層の表面より低く形成された開口周辺部を有し、前記開口により露出する前記金属支持体の表面部と、前記配線層を接続する導体接続材を設け、前記導体接続材の高さは、前記配線層の層表面と同一もしくはそれ以下であることを特徴とするサスペンション用基板。
- 前記開口周辺部は、エッチングにより他の配線層の表面より低く形成されることを特徴とする請求項１記載のサスペンション用基板。
- 前記配線層が２層の導体層により構成され、前記絶縁層と配線層を貫通する開口の配線層の開口は、前記２層の導体層の下層の開口と、該下層の開口より大きい上層の開口により形成されることにより、前記開口周辺部が他の配線層の表面より低く形成されることを特徴とする請求項１記載のサスペンション用基板。
- 前記導体接続材と前記配線層の接続は、配線層の層表面より低い部分のみで行われていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれかに記載のサスペンション用基板。
- 前記導体接続材が金属メッキにより形成されていることを特徴とする請求項１乃至４のいずれかに記載のサスペンション用基板。
- 前記金属メッキがニッケルメッキであることを特徴とする請求項５記載のサスペンション用基板。
- 前記導体接続材がグランド端子又は信号伝送端子であることを特徴とする請求項１乃至６記載のサスペンション用基板。
- 請求項１乃至７の何れかの請求項に記載のサスペンション基板を用いたことを特徴とするサスペンション。
- 請求項８に記載のサスペンションと、該サスペンション上に搭載された磁気ヘッドスライダーを有することを特徴とするヘッド付サスペンション。
- 請求項９記載のヘッド付サスペンションを用いたことを特徴とするハードディスクドライブ。
- 金属支持体上に絶縁層を介して配線層が積層され、該絶縁層と配線層を開口し金属支持体表面を露出するように開口部を形成した配線付き基材を準備する工程と、
前記配線層の前記開口部周辺の高さを他の配線層よりも低くなるように形成する工程と、
前記開口及び開口周辺部に金属メッキすることで、金属支持体層と配線層を接続する導体接続材を形成する工程と、
を有し、
前記導体接続材の高さを、前記配線層の層表面と同一もしくはそれ以下にすることを特徴とするサスペンション用基板の製造方法。 - 前記開口部周辺の配線層の高さを他の配線層よりも低く形成する工程は、
前記配線層の開口部及び前記開口部周辺を除いてドライフィルムレジストを形成し、エッチングすることにより形成することを特徴とする請求項１１記載のサスペンション用基板の製造方法。 - 前記導体接続材を形成する工程は、前記配線層の層表面を露出させずに前記配線層の開口部及び開口周辺部を露出させるレジスト層を形成するとともに、金属メッキを前記開口部及び配線層の開口周辺部まで形成することで、前記導体接続材の高さを配線層の高さと同一もしくはそれ以下になるように形成することを特徴とする請求項１１または請求項１２に記載のサスペンション用基板の製造方法。
- 第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、
前記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、前記絶縁層の一部を構成し、前記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、前記第二金属層の一部を構成し、前記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、前記絶縁層開口部および前記第二金属層開口部を介して、前記第一金属部および前記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、
前記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板であって、
前記第二金属部は前記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部を有し、前記薄肉部の頂部表面は前記ビア端子により覆われ、
前記ビア端子が、前記ビア部（前記ビア端子を除く）から突出しない形状であることを特徴とする回路基板。 - 前記ビア部は、前記第二金属部上に、前記ビア端子が露出するように形成された開口部を有するカバー部を備えていることを特徴とする請求項１４に記載の回路基板。
- 前記カバー部の開口部の端部は、前記薄肉部により形成される外側端部よりも内側に位置していることを特徴とする請求項１５に記載の回路基板。
- 請求項１４から請求項１６までのいずれかの請求項に記載の回路基板であることを特徴とするサスペンション用基板。
- 請求項１７に記載のサスペンション用基板を含むことを特徴とするサスペンション。
- 請求項１８に記載のサスペンションと、前記サスペンションの素子実装領域に実装された素子と、を有することを特徴とする素子付サスペンション。
- 請求項１９に記載の素子付サスペンションを含むことを特徴とするハードディスクドライブ。
- 第一金属層、絶縁層および第二金属層がこの順に積層された基本構造を備え、
前記第一金属層の一部を構成する第一金属部と、前記絶縁層の一部を構成し、前記第一金属部が露出するように形成された絶縁層開口部を有する絶縁部と、前記第二金属層の一部を構成し、前記絶縁層開口部から第一金属部が露出するように形成された第二金属層開口部を有する第二金属部と、前記絶縁層開口部および前記第二金属層開口部を介して、前記第一金属部および前記第二金属部を電気的に接続するめっきからなるビア端子とを有するビア部を備え、
前記ビア端子が素子を実装するための素子実装領域内またはその近傍に形成された回路基板の製造方法であって、
前記第一金属部、前記絶縁部および前記第二金属部を有し、前記第二金属部には前記第二金属層開口部の端部に沿って薄肉部が形成され、前記第二金属部上に前記ビア部を形成する際のめっきをマスクするマスク部を有するビア設置部を備えた被めっき部材を形成する被めっき部材形成工程と、
前記被めっき部材の第一金属部からの給電によってめっきを成長させることにより、前記ビア端子を形成するめっき工程と、を有し、
前記めっき工程の際に、前記薄肉部の頂部表面を前記ビア端子により覆い、かつ、前記ビア端子を前記ビア部（前記ビア端子を除く）から突出しない形状とすることを特徴とする回路基板の製造方法。 - 前記マスク部が、カバー部であることを特徴とする請求項２１に記載の回路基板の製造方法。
- 前記マスク部が、ドライフィルムレジスト部であることを特徴とする請求項２１に記載の回路基板の製造方法。
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