JP2901749B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- G11—INFORMATION STORAGE
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- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- Y10T29/49021—Magnetic recording reproducing transducer [e.g., tape head, core, etc.]
- Y10T29/49032—Fabricating head structure or component thereof
- Y10T29/49048—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing]
- Y10T29/49052—Machining magnetic material [e.g., grinding, etching, polishing] by etching
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Description
本発明は磁気ディスク装置、あるいはVTR等の磁気テ
ープ装置用の再生専用磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
ープ装置用の再生専用磁気抵抗効果型ヘッドに関する。
最近の磁気記録装置の記憶容量の増大に伴い、例えば
磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍになりつつあ
る。また、装置は小型になり低周速度になっている。こ
のように狭く記録された信号を高S/Nに検出するヘッド
として、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型ヘ
ッドの開発が進められている。磁気抵抗効果型ヘッド
は、例えば第３図に示したような構造をしている。（例
えば第13回目本応用磁気学会学術講演概要集（1989）pp
228）この図はシャントバイアス型ヘッドとよばれるヘ
ッドである。磁気抵抗効果型ヘッドは基板１に積層され
た下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気抵抗効果
膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギャップ膜
７、および上部シールド膜８より構成される。各膜厚は
上下部シールド膜２、８を除き、一般に非常に薄い。例
えば、磁気抵抗効果膜４は数10nm、上部、下部ギャップ
膜３、７は0.2μｍ程度である。 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高密度に記録
された信号を高S/Nに再生しようとすると、磁気抵抗効
果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の膜厚をより小さ
くしなければならない。このように薄膜化されると、パ
ターニングにより下地膜がエッチングされ、最悪の場合
下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。特に、
被エッチング膜が厚い場合に顕著となる。第３図に示し
たヘッドでは、上部シールド膜８のエッチング時におけ
る上部ギャップ膜７、さらには上部ギャップ膜７の下に
形成されている電極６のエッチングが問題となる。
磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍになりつつあ
る。また、装置は小型になり低周速度になっている。こ
のように狭く記録された信号を高S/Nに検出するヘッド
として、従来の誘導型ヘッドに代わり磁気抵抗効果型ヘ
ッドの開発が進められている。磁気抵抗効果型ヘッド
は、例えば第３図に示したような構造をしている。（例
えば第13回目本応用磁気学会学術講演概要集（1989）pp
228）この図はシャントバイアス型ヘッドとよばれるヘ
ッドである。磁気抵抗効果型ヘッドは基板１に積層され
た下部シールド膜２、下部ギャップ膜３、磁気抵抗効果
膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上部ギャップ膜
７、および上部シールド膜８より構成される。各膜厚は
上下部シールド膜２、８を除き、一般に非常に薄い。例
えば、磁気抵抗効果膜４は数10nm、上部、下部ギャップ
膜３、７は0.2μｍ程度である。 磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高密度に記録
された信号を高S/Nに再生しようとすると、磁気抵抗効
果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の膜厚をより小さ
くしなければならない。このように薄膜化されると、パ
ターニングにより下地膜がエッチングされ、最悪の場合
下地膜がなくなってしまうことさえ起こりうる。特に、
被エッチング膜が厚い場合に顕著となる。第３図に示し
たヘッドでは、上部シールド膜８のエッチング時におけ
る上部ギャップ膜７、さらには上部ギャップ膜７の下に
形成されている電極６のエッチングが問題となる。
本発明の目的は、高密度に記録された信号の再生に用
いる磁気抵抗効果型ヘッドを、高い歩留まりで作製可能
なヘッド構造を提供することである。一般に基板内、基
板間の膜厚分布、エッチング速度の分布等のために、被
エッチング膜の下に形成されている薄膜も多少なりとも
エッチングされてしまう。特に、ヘッドの作製に多用さ
れているイオンミリング法等の物理的エッチングを主と
するエッチング法では顕著である。上述したように磁気
抵抗効果ヘッドは非常に薄い膜から構成されており、下
地膜のエッチングは歩留まりを著しく低下させる。
いる磁気抵抗効果型ヘッドを、高い歩留まりで作製可能
なヘッド構造を提供することである。一般に基板内、基
板間の膜厚分布、エッチング速度の分布等のために、被
エッチング膜の下に形成されている薄膜も多少なりとも
エッチングされてしまう。特に、ヘッドの作製に多用さ
れているイオンミリング法等の物理的エッチングを主と
するエッチング法では顕著である。上述したように磁気
抵抗効果ヘッドは非常に薄い膜から構成されており、下
地膜のエッチングは歩留まりを著しく低下させる。
上記問題点を解決するために、本発明では被エッチン
グ膜の下に保護膜を形成した。保護膜の厚さを被エッチ
ング膜の膜厚分布、エッチング速度の分布を考慮して十
分に厚くしておくことで、上述の目的は達せられる。
グ膜の下に保護膜を形成した。保護膜の厚さを被エッチ
ング膜の膜厚分布、エッチング速度の分布を考慮して十
分に厚くしておくことで、上述の目的は達せられる。
以下、本発明の作用を第１図を用いて説明する。第１
図は第３図（ｂ）のＡ−Ａ′断面に対応する図である。
初めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜
３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極
６、上部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を
形成する。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面には達
しておらず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆して
いる。続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、
パターニングする。上部シールド膜８の一端は保護膜９
に達するように形成する。このようにすることにより、
上部シールド膜８のエッチング時において電極６、上部
ギャップ膜７がエッチングされることを防止できる。電
極６は外部の配線と接続しなければならないが、保護膜
の一部を除去することで可能となる。保護膜の厚さは、
上部シールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の分布を
考慮して決めるが、通常１μｍもあれば十分である。ま
た、保護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、特に熱
処理に耐えるものであればAl2O3等の無機材料、あるい
はホトレジストのような有機材料のどちらであってもか
まわない。
図は第３図（ｂ）のＡ−Ａ′断面に対応する図である。
初めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜
３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極
６、上部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を
形成する。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面には達
しておらず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆して
いる。続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、
パターニングする。上部シールド膜８の一端は保護膜９
に達するように形成する。このようにすることにより、
上部シールド膜８のエッチング時において電極６、上部
ギャップ膜７がエッチングされることを防止できる。電
極６は外部の配線と接続しなければならないが、保護膜
の一部を除去することで可能となる。保護膜の厚さは、
上部シールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の分布を
考慮して決めるが、通常１μｍもあれば十分である。ま
た、保護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、特に熱
処理に耐えるものであればAl2O3等の無機材料、あるい
はホトレジストのような有機材料のどちらであってもか
まわない。
以下本発明を実施例を用いて詳細に説明する。 〔実施例１〕 第１図を用いて述べる。基板１はAl2O3‐TiC板であ
る。先ず、基板１上に下部シールド膜２を成膜する。下
部シールド膜２はNiFe合金薄膜で、スパッタリング法で
成膜した。膜厚は３μｍである。パターニングはホトレ
ジスト膜をマスクとしてイオンミリング法で行った。続
いて下部ギャップ膜３としてAl2O3をスパッタリング法
で成膜した。膜厚は0.19μｍである。下部ギャップ膜３
上に磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５と
なるNiFe、Nb膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法
で行った。それぞれの膜厚は25nm、36nmである。両膜の
パターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオン
ミリング法で一括して行った。この工捏においても下部
ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数nm程度
であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およぴシ
ャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜に比
較し下部ギャップ膜であるAl2O3のミリング速度が小さ
いためである。次に、電極６を形成する。ここでは、Cr
/Cu/Cp積層膜を用いた。下層のCr膜は下地膜との付着力
を高め、上層のCr膜は付着力向上の他に工程中でのCuの
酸化を防止するための膜である。膜厚はそれぞれ0.02、
0.4、0.02μｍとした。パターニングは上記同様ホトレ
ジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。この工
程ではシャントバイアス膜５、および下部ギャップ膜３
の両膜がエッチングされるが、その量はわずかである。
これはCr膜が非常に薄いこと、Cuのミリング速度が下部
ギャップ膜３であるAl2O3、シャント膜であるNbに比較
し大きいためにである。上部ギャップ膜７は下部ギャッ
プ膜３と同じAl2O3で形成した。膜厚は0.15μｍであ
る。すなわち、上部、下部シールド間隔で約0.4μｍと
なる。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスク
にイオンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパ
ターニングでは電極６のエッチングが問題となる。この
工程では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７
であるAl2O3よりミリング速度が大きい。電極５がエッ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時
間の約10％程度であった。Al2O3に対するCuのミリング
速度比は約５であるから、電極５は約75nmエッチングさ
れるが、上述したように電極５の膜厚は約0.4μｍあり
問題にはならない。次に保護膜９を形成する。保護膜９
にはホトレジスト膜（OFPR800、東京応化社製）を用い
た。ホトレジスト膜は回転塗布法で成膜し、膜厚は１μ
ｍとした。露光、現像を行ない、ホトレジスト膜で電極
５および電極５上の上部ギャップ膜７の一部を被覆す
る。また、ホトレジスト膜は250℃、３時間の熱処理を
行ない、後の工程での熱処理に耐えるようにした。次
に、上部シールド膜８となるNiFe膜をスパッタリング法
で成膜する。膜厚は１μｍである。パターニングはホト
レジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。上部
シールド膜のエッチングでは保護膜９がエッチングされ
る。保護膜９がエッチングされる時間は、上記同様上部
シールド膜８のエッチング時間の約10％程度である。上
部シールド膜であるNiFe膜と保護膜９であるホトレジス
ト膜のミリング速度はほぼ同じであるから、保護膜９の
エッチング量は約0.1μｍ程度である。保護膜９の初期
の膜厚は１μｍであるから、十分に電極５、および上部
ギャップ膜７を保護できる。ここでは保護膜９の膜厚を
１μｍとしたが、上部シールド膜８のエッチングに対し
電極５、上部ギャップ膜７を保護できればよく、最小で
は0.1μｍでもよい。ただし、プロセスのマージンを考
慮すれば0.2μｍ以上が好ましい。最後に外部との接続
を行うために保護膜９にスルーホールを形成する。ここ
では、レジスト膜をマスクに酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチング法でパターニングした。 本実施例ではシャントバイアス型のヘッドについて述
べたが、ソフトバイアス型、シャントバイアス型とソフ
トバイアス型を組合せた複合バイアス型等の他のバイア
ス方式のヘッドでも本発明は有効である。 また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御用の膜、が
形成されたヘッドでも、同様な効果がある。なお、磁区
制御膜としてはFeMn反強磁性膜などがある。 〔実施例２〕 他の実施例として以下の方法もある。本実施例はヘッ
ドノイズの低減、およびプロセスの簡略化を目的にして
いる。ヘッドノイズを下げるためには電極６の電気抵抗
を小さくすることが有効である。第２図に本実施例によ
るヘッドの断面構造を示す。本図は第３図のＡ−Ａ′断
面に相当する図である。本実施例では、電極６の上に電
極６の電気抵抗を低減するために導体層10を形成した。
導体層10は電極６より若干大きくしておくほうが望まし
い。導体層10としては上部シールド膜８で兼用させるこ
とが有効で、工程数を増すことなく電気抵抗を低減でき
る。また、上記実施例１では保護膜９で電極６上の全面
を被覆した後、スルーホールを形成した。しかし、本実
施例では露光、現像工程ではじめからスルーホールを形
成しておき、かつ上部シールド膜８で形成される導体層
10が保護膜９の一部を覆うように形成した。このように
することにより、上部シールド膜８のエッチング工程で
電極６および上部ギャップ膜７がエッチングされるのを
防止できるとともに、保護膜９のスルーホール形成工程
を省略できる。電極５の電気抵抗をより下げるために
は、電極６の下に導体層を形成することも有効である。
例えば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにす
れば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
る。先ず、基板１上に下部シールド膜２を成膜する。下
部シールド膜２はNiFe合金薄膜で、スパッタリング法で
成膜した。膜厚は３μｍである。パターニングはホトレ
ジスト膜をマスクとしてイオンミリング法で行った。続
いて下部ギャップ膜３としてAl2O3をスパッタリング法
で成膜した。膜厚は0.19μｍである。下部ギャップ膜３
上に磁気抵抗効果膜４、およびシャントバイアス膜５と
なるNiFe、Nb膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法
で行った。それぞれの膜厚は25nm、36nmである。両膜の
パターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオン
ミリング法で一括して行った。この工捏においても下部
ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数nm程度
であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およぴシ
ャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜に比
較し下部ギャップ膜であるAl2O3のミリング速度が小さ
いためである。次に、電極６を形成する。ここでは、Cr
/Cu/Cp積層膜を用いた。下層のCr膜は下地膜との付着力
を高め、上層のCr膜は付着力向上の他に工程中でのCuの
酸化を防止するための膜である。膜厚はそれぞれ0.02、
0.4、0.02μｍとした。パターニングは上記同様ホトレ
ジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。この工
程ではシャントバイアス膜５、および下部ギャップ膜３
の両膜がエッチングされるが、その量はわずかである。
これはCr膜が非常に薄いこと、Cuのミリング速度が下部
ギャップ膜３であるAl2O3、シャント膜であるNbに比較
し大きいためにである。上部ギャップ膜７は下部ギャッ
プ膜３と同じAl2O3で形成した。膜厚は0.15μｍであ
る。すなわち、上部、下部シールド間隔で約0.4μｍと
なる。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスク
にイオンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパ
ターニングでは電極６のエッチングが問題となる。この
工程では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７
であるAl2O3よりミリング速度が大きい。電極５がエッ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時
間の約10％程度であった。Al2O3に対するCuのミリング
速度比は約５であるから、電極５は約75nmエッチングさ
れるが、上述したように電極５の膜厚は約0.4μｍあり
問題にはならない。次に保護膜９を形成する。保護膜９
にはホトレジスト膜（OFPR800、東京応化社製）を用い
た。ホトレジスト膜は回転塗布法で成膜し、膜厚は１μ
ｍとした。露光、現像を行ない、ホトレジスト膜で電極
５および電極５上の上部ギャップ膜７の一部を被覆す
る。また、ホトレジスト膜は250℃、３時間の熱処理を
行ない、後の工程での熱処理に耐えるようにした。次
に、上部シールド膜８となるNiFe膜をスパッタリング法
で成膜する。膜厚は１μｍである。パターニングはホト
レジスト膜をマスクにイオンミリング法で行った。上部
シールド膜のエッチングでは保護膜９がエッチングされ
る。保護膜９がエッチングされる時間は、上記同様上部
シールド膜８のエッチング時間の約10％程度である。上
部シールド膜であるNiFe膜と保護膜９であるホトレジス
ト膜のミリング速度はほぼ同じであるから、保護膜９の
エッチング量は約0.1μｍ程度である。保護膜９の初期
の膜厚は１μｍであるから、十分に電極５、および上部
ギャップ膜７を保護できる。ここでは保護膜９の膜厚を
１μｍとしたが、上部シールド膜８のエッチングに対し
電極５、上部ギャップ膜７を保護できればよく、最小で
は0.1μｍでもよい。ただし、プロセスのマージンを考
慮すれば0.2μｍ以上が好ましい。最後に外部との接続
を行うために保護膜９にスルーホールを形成する。ここ
では、レジスト膜をマスクに酸素ガスを用いた反応性イ
オンエッチング法でパターニングした。 本実施例ではシャントバイアス型のヘッドについて述
べたが、ソフトバイアス型、シャントバイアス型とソフ
トバイアス型を組合せた複合バイアス型等の他のバイア
ス方式のヘッドでも本発明は有効である。 また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御用の膜、が
形成されたヘッドでも、同様な効果がある。なお、磁区
制御膜としてはFeMn反強磁性膜などがある。 〔実施例２〕 他の実施例として以下の方法もある。本実施例はヘッ
ドノイズの低減、およびプロセスの簡略化を目的にして
いる。ヘッドノイズを下げるためには電極６の電気抵抗
を小さくすることが有効である。第２図に本実施例によ
るヘッドの断面構造を示す。本図は第３図のＡ−Ａ′断
面に相当する図である。本実施例では、電極６の上に電
極６の電気抵抗を低減するために導体層10を形成した。
導体層10は電極６より若干大きくしておくほうが望まし
い。導体層10としては上部シールド膜８で兼用させるこ
とが有効で、工程数を増すことなく電気抵抗を低減でき
る。また、上記実施例１では保護膜９で電極６上の全面
を被覆した後、スルーホールを形成した。しかし、本実
施例では露光、現像工程ではじめからスルーホールを形
成しておき、かつ上部シールド膜８で形成される導体層
10が保護膜９の一部を覆うように形成した。このように
することにより、上部シールド膜８のエッチング工程で
電極６および上部ギャップ膜７がエッチングされるのを
防止できるとともに、保護膜９のスルーホール形成工程
を省略できる。電極５の電気抵抗をより下げるために
は、電極６の下に導体層を形成することも有効である。
例えば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにす
れば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
本発明によれば、電極６および上部ギャップ膜７は保
護膜９で被覆されている。このために、厚い上部シール
ド膜８のエッチング工程において電極６、上部ギャップ
膜７がエッチングされることを防止でる。特に電極６、
上部ギャップ膜７が薄い場合にその効果は顕著であっ
た。例えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッドの歩留ま
りは、保護膜９がないと約30％であったが、保護膜９を
形成した本発明によるヘッドでは100％であった。 また、電極６上に上部シールド膜８を積層した結果、
約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極を兼用させ
るよにすれば、その効果はさらに顕著となる。
護膜９で被覆されている。このために、厚い上部シール
ド膜８のエッチング工程において電極６、上部ギャップ
膜７がエッチングされることを防止でる。特に電極６、
上部ギャップ膜７が薄い場合にその効果は顕著であっ
た。例えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッドの歩留ま
りは、保護膜９がないと約30％であったが、保護膜９を
形成した本発明によるヘッドでは100％であった。 また、電極６上に上部シールド膜８を積層した結果、
約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極を兼用させ
るよにすれば、その効果はさらに顕著となる。
第１図、第２図はそれぞれ本発明によるシャントバイア
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。 符号の説明 １……基板 ２……下部シールド膜 ３……下部ギャップ膜 ４……磁気抵抗効果膜 ５……シャントバイアス膜 ６……電極 ７……上部ギャップ膜 ８……上部シールド膜 ９……保護膜 10……導体膜
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。 符号の説明 １……基板 ２……下部シールド膜 ３……下部ギャップ膜 ４……磁気抵抗効果膜 ５……シャントバイアス膜 ６……電極 ７……上部ギャップ膜 ８……上部シールド膜 ９……保護膜 10……導体膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 直樹 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 北田 正弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.6，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (7)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜に電気
的に接続された電極、前記磁気抵抗効果膜の上部及び下
部に形成されたギャップ膜、該ギャップ膜の上部及び下
部に形成されたシールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、前記上部シールド膜の摺動面と反対側の端
部下の前記上部ギャップ膜及び前記電極を保護するよう
に保護膜を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜に電気
的に接続された電極、前記磁気抵抗効果膜の上部及び下
部に形成されたギャップ膜、該ギャップ膜の上部及び下
部に形成されたシールド膜を有する磁気抵抗効果型ヘッ
ドにおいて、前記上部ギャップ膜及び前記電極を保護す
るように保護膜が設けられ、該保護膜上に前記上部シー
ルド膜の摺動面側と反対側の端部が形成されることを特
徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記電極及び前記保護
膜上に電気的導体層が形成されていることを特徴とする
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】特許請求の範囲第３項記載の磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記電気的導体層の少なくとも一部
が前記上部シールド膜と同じ元素組成で構成されている
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記保護膜が無機材料
であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】特許請求の範囲第５項記載の磁気抵抗効果
型ヘッドにおいて、前記保護膜がAlあるいはSiの酸化物
またはAlあるいはSiの窒化物であることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】特許請求の範囲第１項または第２項記載の
磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、前記保護膜が有機高分
子材料であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311492A JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
| US07/792,630 US5212609A (en) | 1990-11-19 | 1991-11-15 | Magnetoresistive head |
| US07/927,955 US5371643A (en) | 1990-11-19 | 1992-08-11 | Magnetoresistive head structure that prevents under film from undesirable etching |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2311492A JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
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