JP3008909B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ある
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の磁気記録装置の記憶容量の増大に
伴い、例えば磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍ
になりつつある。また、装置は小型になり低周速度にな
っている。このように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに
検出するヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁
気抵抗効果型ヘッドの開発が進められている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、例えば図３に示したような構造をして
いる。（例えば第１３回日本応用磁気学会学術講演概要
集（１９８９）ｐｐ２２８）この図はシャントバイアス
型ヘッドとよばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘッ
ドは基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャッ
プ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電
極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８より
構成される。各膜厚は上下部シールド膜２、８を除き、
一般に非常に薄い。例えば、磁気抵抗効果膜４は数１０
ｎｍ、上部、下部ギャップ膜３、７は０.２μｍ程度で
ある。
伴い、例えば磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍ
になりつつある。また、装置は小型になり低周速度にな
っている。このように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに
検出するヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁
気抵抗効果型ヘッドの開発が進められている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、例えば図３に示したような構造をして
いる。（例えば第１３回日本応用磁気学会学術講演概要
集（１９８９）ｐｐ２２８）この図はシャントバイアス
型ヘッドとよばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘッ
ドは基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャッ
プ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電
極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８より
構成される。各膜厚は上下部シールド膜２、８を除き、
一般に非常に薄い。例えば、磁気抵抗効果膜４は数１０
ｎｍ、上部、下部ギャップ膜３、７は０.２μｍ程度で
ある。
【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高
密度に記録された信号を高Ｓ／Ｎに再生しようとする
と、磁気抵抗効果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の
膜厚をより小さくしなければならない。このように薄膜
化されると、パターニングにより下地膜がエッチングさ
れ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こ
りうる。特に、被エッチング膜が熱い場合に顕著とな
る。図３に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエッ
チング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャ
ップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが問
題となる。
密度に記録された信号を高Ｓ／Ｎに再生しようとする
と、磁気抵抗効果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の
膜厚をより小さくしなければならない。このように薄膜
化されると、パターニングにより下地膜がエッチングさ
れ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こ
りうる。特に、被エッチング膜が熱い場合に顕著とな
る。図３に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエッ
チング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギャ
ップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが問
題となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高密
度に記録された信号の再生に用いる磁気抵抗効果型ヘッ
ドを、高い歩留まりで、作製可能なヘッド構造を提供す
ることである。一般に基板内、基板間の膜厚分布、エッ
チング速度の分布等のために、被エッチング膜の下に形
成されている薄膜も多少なりともエッチングされてしま
う。特に、ヘッドの作製に多用されているイオンミリン
グ法等の物理的エッチングを主とするエッチング法では
顕著である。上述したように磁気抵抗効果ヘッドは非常
に薄い膜から構成されており、下地膜のエッチングは歩
留まりを著しく低下させる。
度に記録された信号の再生に用いる磁気抵抗効果型ヘッ
ドを、高い歩留まりで、作製可能なヘッド構造を提供す
ることである。一般に基板内、基板間の膜厚分布、エッ
チング速度の分布等のために、被エッチング膜の下に形
成されている薄膜も多少なりともエッチングされてしま
う。特に、ヘッドの作製に多用されているイオンミリン
グ法等の物理的エッチングを主とするエッチング法では
顕著である。上述したように磁気抵抗効果ヘッドは非常
に薄い膜から構成されており、下地膜のエッチングは歩
留まりを著しく低下させる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では被エッチング膜の下に保護膜を形成し
た。保護膜の厚さを被エッチング膜の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布を考慮して十分に厚くしておくことで、
上述の目的は達せられる。
めに、本発明では被エッチング膜の下に保護膜を形成し
た。保護膜の厚さを被エッチング膜の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布を考慮して十分に厚くしておくことで、
上述の目的は達せられる。
【０００６】
【作用】以下、本発明の作用を図１を用いて説明する。
図１は図３（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応する図である。初
めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜３、
磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上
部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を形成す
る。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面には達してお
らず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆している。
続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、パター
ニングする。上部シールド膜８の一端は保護膜９に達す
るように形成する。このようにすることにより、上部シ
ールド膜８のエッチング時において電極６、上部ギャッ
プ膜７がエッチングされることを防止できる。電極６は
外部の配線と接続しなければならないが、保護膜の一部
を除去することで可能となる。保護膜の厚さは、上部シ
ールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の分布を考慮し
て決めるが、通常１μｍもあれば十分である。また、保
護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、特に熱処理に
耐えるものであればＡｌ2Ｏ3等の無機材料、あるいはホ
トレジストのような有機材料のどちらであってもかまわ
ない。
図１は図３（ｂ）のＡ−Ａ断面に対応する図である。初
めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャップ膜３、
磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、電極６、上
部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜９を形成す
る。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面には達してお
らず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆している。
続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜し、パター
ニングする。上部シールド膜８の一端は保護膜９に達す
るように形成する。このようにすることにより、上部シ
ールド膜８のエッチング時において電極６、上部ギャッ
プ膜７がエッチングされることを防止できる。電極６は
外部の配線と接続しなければならないが、保護膜の一部
を除去することで可能となる。保護膜の厚さは、上部シ
ールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の分布を考慮し
て決めるが、通常１μｍもあれば十分である。また、保
護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、特に熱処理に
耐えるものであればＡｌ2Ｏ3等の無機材料、あるいはホ
トレジストのような有機材料のどちらであってもかまわ
ない。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
【０００８】（実施例１）図１を用いて述べる。基板１
はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ板である。先ず、基板１上に下部シ
ールド膜２を成膜する。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合
金薄膜で、スパッタリング法で成膜した。膜厚は３μｍ
である。パターニングはホトレジスト膜をマスクとして
イオンミリング法で行った。続いて下部ギャップ膜３と
してＡｌ2Ｏ3をスパッタリング法で成膜した。膜厚は
０.１９μｍである。下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効
果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ、
Ｎｂ膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法で行っ
た。それぞれの膜厚は２５ｎｍ、３６ｎｍである。両膜
のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオ
ンミリング法で一括して行った。この工程においても下
部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ
程度であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およ
びシャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜
に比較し下部ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3のミリング速度
が小さいためである。次に、電極６を形成する。ここで
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は
下地膜との付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の
他に工程中でのＣｕの酸化を防止するための膜である。
膜厚はそれぞれ０.０２、０.０４、０.０２μｍとし
た。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行った。この工程ではシャントバイ
アス膜５、および下部ギャップ膜３の両膜がエッチング
されるが、その量はわずかである。これはＣｒ膜が非常
に薄いこと。Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３で
あるＡｌ2Ｏ3、シャント膜であるＮｂに比較し大きいた
めである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同じ
Ａｌ2Ｏ3で形成した。膜厚は０.１５μｍである。すな
わち、上部、下部シールド間隔で約０.４μｍとなる。
パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオ
ンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパターニ
ングでは電極６のエッチングが問題となる。この工程で
は、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７である
Ａｌ2Ｏ3よりミリング速度が大きい。電極５がエッチン
グされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時間の
約１０％程度であった。Ａｌ2Ｏ3に対するＣｕのミリン
グ速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍエッチ
ングされるが、上述したように電極５の膜厚は約０.４
μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成する。
保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、東京応
化社製）を用いた。ホトレジスト膜は回転塗布法で成膜
し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、ホトレ
ジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ膜７の
一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０℃、３
時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐えるよ
うにした。次に、上部シールド膜８となるＮｉＦｅ膜を
スパッタリング法で成膜する。膜厚は１μｍである。パ
ターニングはホトレジスト膜をマスクにイオンミリング
法で行った。上部シールド膜のエッチングでは保護膜９
がエッチングされる。保護膜９がエッチングされる時間
は、上記同様上部シールド膜８のエッチング時間の約１
０％程度である。上部シールド膜であるＮｉＦｅ膜と保
護膜９であるホトレジスト膜のミリング速度はほぼ同じ
であるから、保護膜９のエッチング量は約０.１μｍ程
度である。保護膜９の初期の膜厚は１μｍであるから、
十分に電極５、および上部ギャップ膜７を保護できる。
ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとしたが、上部シール
ド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ膜７を
保護できればよく、最小では０.１μｍでもよい。ただ
し、プロセスのマージンを考慮すれば０.２μｍ以上が
好ましい。最後に外部との接続を行うために保護膜９に
スルーホールを形成する。ここでは、レジスト膜をマス
クに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング法でパタ
ーニングした。
はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ板である。先ず、基板１上に下部シ
ールド膜２を成膜する。下部シールド膜２はＮｉＦｅ合
金薄膜で、スパッタリング法で成膜した。膜厚は３μｍ
である。パターニングはホトレジスト膜をマスクとして
イオンミリング法で行った。続いて下部ギャップ膜３と
してＡｌ2Ｏ3をスパッタリング法で成膜した。膜厚は
０.１９μｍである。下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効
果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ、
Ｎｂ膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法で行っ
た。それぞれの膜厚は２５ｎｍ、３６ｎｍである。両膜
のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオ
ンミリング法で一括して行った。この工程においても下
部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ
程度であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およ
びシャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜
に比較し下部ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3のミリング速度
が小さいためである。次に、電極６を形成する。ここで
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は
下地膜との付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の
他に工程中でのＣｕの酸化を防止するための膜である。
膜厚はそれぞれ０.０２、０.０４、０.０２μｍとし
た。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行った。この工程ではシャントバイ
アス膜５、および下部ギャップ膜３の両膜がエッチング
されるが、その量はわずかである。これはＣｒ膜が非常
に薄いこと。Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３で
あるＡｌ2Ｏ3、シャント膜であるＮｂに比較し大きいた
めである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同じ
Ａｌ2Ｏ3で形成した。膜厚は０.１５μｍである。すな
わち、上部、下部シールド間隔で約０.４μｍとなる。
パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクにイオ
ンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパターニ
ングでは電極６のエッチングが問題となる。この工程で
は、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７である
Ａｌ2Ｏ3よりミリング速度が大きい。電極５がエッチン
グされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時間の
約１０％程度であった。Ａｌ2Ｏ3に対するＣｕのミリン
グ速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍエッチ
ングされるが、上述したように電極５の膜厚は約０.４
μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成する。
保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、東京応
化社製）を用いた。ホトレジスト膜は回転塗布法で成膜
し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、ホトレ
ジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ膜７の
一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０℃、３
時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐えるよ
うにした。次に、上部シールド膜８となるＮｉＦｅ膜を
スパッタリング法で成膜する。膜厚は１μｍである。パ
ターニングはホトレジスト膜をマスクにイオンミリング
法で行った。上部シールド膜のエッチングでは保護膜９
がエッチングされる。保護膜９がエッチングされる時間
は、上記同様上部シールド膜８のエッチング時間の約１
０％程度である。上部シールド膜であるＮｉＦｅ膜と保
護膜９であるホトレジスト膜のミリング速度はほぼ同じ
であるから、保護膜９のエッチング量は約０.１μｍ程
度である。保護膜９の初期の膜厚は１μｍであるから、
十分に電極５、および上部ギャップ膜７を保護できる。
ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとしたが、上部シール
ド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ膜７を
保護できればよく、最小では０.１μｍでもよい。ただ
し、プロセスのマージンを考慮すれば０.２μｍ以上が
好ましい。最後に外部との接続を行うために保護膜９に
スルーホールを形成する。ここでは、レジスト膜をマス
クに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング法でパタ
ーニングした。
【０００９】本実施例ではシャントバイアス型のヘッド
について述べたが、ソフトバイアス型、シャントバイア
ス型とソフトバイアス型を組合せた複合バイアス型等の
他のバイアス方式のヘッドでも本発明は有効である。
について述べたが、ソフトバイアス型、シャントバイア
ス型とソフトバイアス型を組合せた複合バイアス型等の
他のバイアス方式のヘッドでも本発明は有効である。
【００１０】また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御
用の膜、が形成されたヘッドでも、同様な効果がある。
なお、磁区制御膜としてはＦｅＭｎ反強磁性膜などがあ
る。
用の膜、が形成されたヘッドでも、同様な効果がある。
なお、磁区制御膜としてはＦｅＭｎ反強磁性膜などがあ
る。
【００１１】（実施例２）他の実施例として以下の方法
もある。本実施例はヘッドノイズの低減、およびプロセ
スの簡略化を目的にしている。ヘッドノイズを下げるた
めには電極６の電気抵抗を小さくすることが有効であ
る。図２に本実施例によるヘッドの断面構造を示す。本
図は図３のＡ−Ａ断面に相当する図である。本実施例で
は、電極６の上に電極６の電気抵抗を低減するために導
体層１０を形成した。導体層１０は電極６より若干大き
くしておくほうが望ましい。導体層１０としては上部シ
ールド膜８で兼用されることが有効で、工程数を増すこ
となく電気抵抗を低減できる。また、上記実施例１では
保護膜９で電極６上の全面を被覆した後、スルーホール
を形成した。しかし、本実施例では露光、現像工程では
じめからスルーホールを形成しておき、かつ上部シール
ド膜８で形成される導体層１０が保護膜９の一部を覆う
ように形成した。このようにすることにより、上部シー
ルド膜８のエッチング工程で電極６および上部ギャップ
膜７がエッチングされるのを防止できるとともに、保護
膜９のスルーホール形成工程を省略できる。
もある。本実施例はヘッドノイズの低減、およびプロセ
スの簡略化を目的にしている。ヘッドノイズを下げるた
めには電極６の電気抵抗を小さくすることが有効であ
る。図２に本実施例によるヘッドの断面構造を示す。本
図は図３のＡ−Ａ断面に相当する図である。本実施例で
は、電極６の上に電極６の電気抵抗を低減するために導
体層１０を形成した。導体層１０は電極６より若干大き
くしておくほうが望ましい。導体層１０としては上部シ
ールド膜８で兼用されることが有効で、工程数を増すこ
となく電気抵抗を低減できる。また、上記実施例１では
保護膜９で電極６上の全面を被覆した後、スルーホール
を形成した。しかし、本実施例では露光、現像工程では
じめからスルーホールを形成しておき、かつ上部シール
ド膜８で形成される導体層１０が保護膜９の一部を覆う
ように形成した。このようにすることにより、上部シー
ルド膜８のエッチング工程で電極６および上部ギャップ
膜７がエッチングされるのを防止できるとともに、保護
膜９のスルーホール形成工程を省略できる。
【００１２】電極５の電気抵抗をより下げるためには、
電極６の下に導体層を形成することも有効である。例え
ば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにすれ
ば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
電極６の下に導体層を形成することも有効である。例え
ば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにすれ
ば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
【００１３】
【発明の効果】本発明によれば、電極６および上部ギャ
ップ膜７は保護膜９で被覆されている。このために、厚
い上部シールド膜８のエッチング工程において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止する。
特に電極６、上部ギャップ膜７が薄い場合にその効果は
顕著であった。例えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッ
ドの歩留まりは、保護膜９がないと約３０％であった
が、保護膜９を形成した本発明によるヘッドでは１００
％であった。
ップ膜７は保護膜９で被覆されている。このために、厚
い上部シールド膜８のエッチング工程において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止する。
特に電極６、上部ギャップ膜７が薄い場合にその効果は
顕著であった。例えば、上記実施例１の膜厚を持つヘッ
ドの歩留まりは、保護膜９がないと約３０％であった
が、保護膜９を形成した本発明によるヘッドでは１００
％であった。
【００１４】また、電極６上に上部シールド膜８を積層
した結果、約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極
を兼用させるようにすれば、その効果はさらに顕著とな
る。
した結果、約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極
を兼用させるようにすれば、その効果はさらに顕著とな
る。
【図１】本発明によるシャントバイアス型の磁気抵抗効
果型ヘッドの断面図。
果型ヘッドの断面図。
【図２】本発明によるシャントバイアス型の磁気抵抗効
果型ヘッドの断面図。
果型ヘッドの断面図。
【図３】従来のシャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッ
ドの平面図及び断面図である。
ドの平面図及び断面図である。
１…基板、２…下部シールド膜、３…下部ギャップ膜、
４…磁気抵抗効果膜、５…シャントバイアス膜、６…電
極、７…上部ギャップ膜、８…上部シールド膜、９…保
護膜、１０…導体膜。
４…磁気抵抗効果膜、５…シャントバイアス膜、６…電
極、７…上部ギャップ膜、８…上部シールド膜、９…保
護膜、１０…導体膜。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 直樹 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 北田 正弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (6)
- 【請求項１】基板上に形成された上部、下部シールド
膜、磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜にバイアス磁界
を印加するバイアス膜、上記磁気抵抗効果膜に電気的に
接続された電極、上記磁気抵抗効果膜および電極と上記
上部、下部シールド膜間に形成された上部、下部ギャッ
プ膜よりなる磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、上記上部
ギャップ膜、および電極の少なくとも１部に保護膜が形
成され、かつ上記上部シールド膜の１部が上記保護膜上
に形成されていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記電極上に電気的導体層が積層され、かつ該導
体層の一部が前記保護膜上に形成されていることを特徴
とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項３】請求項２記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記電気的導体層の少なくとも一部が前記上部シ
ールド膜と同じ元素組成で構成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記保護膜が無機材料であることを特徴とする磁
気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】請求項４記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記保護膜がＡｌ、あるいはＳｉの酸化物、ある
いは窒化物であることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項６】請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッドにお
いて、前記保護膜が有機高分子材料であることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313106A JP3008909B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9313106A JP3008909B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311492A Division JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10143823A JPH10143823A (ja) | 1998-05-29 |
| JP3008909B2 true JP3008909B2 (ja) | 2000-02-14 |
Family
ID=18037231
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9313106A Expired - Fee Related JP3008909B2 (ja) | 1997-11-14 | 1997-11-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3008909B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11845298B2 (en) | 2022-03-17 | 2023-12-19 | Micro Co., Ltd. | Writing instrument having color indication-changeable grip |
-
1997
- 1997-11-14 JP JP9313106A patent/JP3008909B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11845298B2 (en) | 2022-03-17 | 2023-12-19 | Micro Co., Ltd. | Writing instrument having color indication-changeable grip |
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| JPH10143823A (ja) | 1998-05-29 |
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