JP3204230B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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- JP3204230B2 JP3204230B2 JP31722598A JP31722598A JP3204230B2 JP 3204230 B2 JP3204230 B2 JP 3204230B2 JP 31722598 A JP31722598 A JP 31722598A JP 31722598 A JP31722598 A JP 31722598A JP 3204230 B2 JP3204230 B2 JP 3204230B2
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- JP
- Japan
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- film
- electrode
- magnetoresistive
- head
- gap
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置、ある
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
いはＶＴＲ等の磁気テープ装置用の再生専用磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】最近の磁気記録装置の記憶容量の増大に
伴い、例えば磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍ
になりつつある。また、装置は小型になり低周速度にな
っている。このように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに
検出するヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁
気抵抗効果型ヘッドの開発が進められている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、例えば第３図に示したような構造をし
ている。（例えば第１３回日本応用磁気学会学術講演概
要集（１９８９）ｐｐ２２８）この図はシャントバイア
ス型ヘッドとよばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘ
ッドは基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャ
ップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、
電極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８よ
り構成される。各膜厚は上下部シールド膜２、８を除
き、一般に非常に薄い。例えば、磁気抵抗効果膜４は数
１０ｎｍ、上部、下部ギャップ膜３、７は０．２μｍ程
度である。
伴い、例えば磁気ディスク装置ではトラック幅は数μｍ
になりつつある。また、装置は小型になり低周速度にな
っている。このように狭く記録された信号を高Ｓ／Ｎに
検出するヘッドとして、従来の誘導型ヘッドに代わり磁
気抵抗効果型ヘッドの開発が進められている。磁気抵抗
効果型ヘッドは、例えば第３図に示したような構造をし
ている。（例えば第１３回日本応用磁気学会学術講演概
要集（１９８９）ｐｐ２２８）この図はシャントバイア
ス型ヘッドとよばれるヘッドである。磁気抵抗効果型ヘ
ッドは基板１に積層された下部シールド膜２、下部ギャ
ップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、
電極６、上部ギャップ膜７、および上部シールド膜８よ
り構成される。各膜厚は上下部シールド膜２、８を除
き、一般に非常に薄い。例えば、磁気抵抗効果膜４は数
１０ｎｍ、上部、下部ギャップ膜３、７は０．２μｍ程
度である。
【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、さらに高
密度に記録された信号を高Ｓ／Ｎに再生しようとする
と、磁気抵抗効果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の
膜厚をより小さくしなければならない。このように薄膜
化されると、パターニングにより下地膜がエッチングさ
れ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こ
りうる。特に、被エッチング膜が厚い場合に顕著とな
る。第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエ
ッチング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギ
ャップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが
問題となる。
密度に記録された信号を高Ｓ／Ｎに再生しようとする
と、磁気抵抗効果膜４、上部、下部ギャップ膜７、３の
膜厚をより小さくしなければならない。このように薄膜
化されると、パターニングにより下地膜がエッチングさ
れ、最悪の場合下地膜がなくなってしまうことさえ起こ
りうる。特に、被エッチング膜が厚い場合に顕著とな
る。第３図に示したヘッドでは、上部シールド膜８のエ
ッチング時における上部ギャップ膜７、さらには上部ギ
ャップ膜７の下に形成されている電極６のエッチングが
問題となる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、高密
度に記録された信号の再生に用いる磁気抵抗効果型ヘッ
ドを、高い歩留まりで作製可能なヘッド構造を提供する
ことである。一般に基板内、基板間の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布等のために、被エッチング膜の下に形成
されている薄膜も多少なりともエッチングされてしま
う。特に、ヘッドの作製に多用されているイオンミリン
グ法等の物理的エッチングを主とするエッチング法では
顕著である。上述したように磁気抵抗効果ヘッドは非常
に薄い膜から構成されており、下地膜のエッチングは歩
留まりを著しく低下させる。
度に記録された信号の再生に用いる磁気抵抗効果型ヘッ
ドを、高い歩留まりで作製可能なヘッド構造を提供する
ことである。一般に基板内、基板間の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布等のために、被エッチング膜の下に形成
されている薄膜も多少なりともエッチングされてしま
う。特に、ヘッドの作製に多用されているイオンミリン
グ法等の物理的エッチングを主とするエッチング法では
顕著である。上述したように磁気抵抗効果ヘッドは非常
に薄い膜から構成されており、下地膜のエッチングは歩
留まりを著しく低下させる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明では被エッチング膜の下に保護膜を形成し
た。保護膜の厚さを被エッチング膜の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布を考慮して十分に厚くしておくことで、
上述の目的は達せられる。
めに、本発明では被エッチング膜の下に保護膜を形成し
た。保護膜の厚さを被エッチング膜の膜厚分布、エッチ
ング速度の分布を考慮して十分に厚くしておくことで、
上述の目的は達せられる。
【０００６】
【作用】以下、本発明の作用を第１図を用いて説明す
る。第１図は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面に対応する図
である。初めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャ
ップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、
電極６、上部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜
９を形成する。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面に
は達しておらず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆
している。続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜
し、パターニングする。上部シールド膜８の一端は保護
膜９に達するように形成する。このようにすることによ
り、上部シールド膜８のエッチング時において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止でき
る。電極６は外部の配線と接続しなければならないが、
保護膜の一部を除去することで可能となる。保護膜の厚
さは、上部シールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の
分布を考慮して決めるが、通常１μｍもあれば十分であ
る。また、保護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、
特に熱処理に耐えるものであればＡｌ2Ｏ3等の無機材
料、あるいはホトレジストのような有機材料のどちらで
あってもかまわない。
る。第１図は第３図（ｂ）のＡ−Ａ’断面に対応する図
である。初めに、基板１上に下部シールド２、下部ギャ
ップ膜３、磁気抵抗効果膜４、シャントバイアス膜５、
電極６、上部ギャップ膜７を形成する。その後、保護膜
９を形成する。保護膜９は電気的絶縁材料で、摺動面に
は達しておらず、かつ上部ギャップ膜７、電極６を被覆
している。続いて保護膜９上に上部シールド膜８を成膜
し、パターニングする。上部シールド膜８の一端は保護
膜９に達するように形成する。このようにすることによ
り、上部シールド膜８のエッチング時において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止でき
る。電極６は外部の配線と接続しなければならないが、
保護膜の一部を除去することで可能となる。保護膜の厚
さは、上部シールド膜８の膜厚分布、エッチング速度の
分布を考慮して決めるが、通常１μｍもあれば十分であ
る。また、保護膜９の材質は保護膜９形成後の工程の、
特に熱処理に耐えるものであればＡｌ2Ｏ3等の無機材
料、あるいはホトレジストのような有機材料のどちらで
あってもかまわない。
【０００７】
【実施例】以下本発明を実施例を用いて詳細に説明す
る。
る。
【０００８】〔実施例１〕第１図を用いて述べる。基板
１はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ板である。先ず、基板１上に下部
シールド膜２を成膜する。下部シールド膜２はＮｉＦｅ
合金薄膜で、スパッタリング法で成膜した。膜厚は３μ
ｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクとし
てイオンミリング法で行った。続いて下部ギャップ膜３
としてＡｌ2Ｏ3をスパッタリング法で成膜した。膜厚は
０.１９μｍである。下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効
果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ、
Ｎｂ膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法で行っ
た。それぞれの膜厚は２５ｎｍ、３６ｎｍである。両膜
のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオ
ンミリング法で一括して行った。この工程においても下
部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ
程度であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およ
びシャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜
に比較し下部ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3のミリング速度
が小さいためである。次に、電極６を形成する。ここで
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は
下地膜との付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の
他に工程中でのＣｕの酸化を防止するための膜である。
膜厚はそれぞれ０．０２、０．４、０．０２μｍとし
た。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行った。この工程ではシャントバイ
アス膜５、および下部ギャップ膜３の両膜がエッチング
されるが、その量はわずかである。これはＣｒ膜が非常
に薄いこと、Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３で
あるＡｌ2Ｏ3、シャント膜であるＮｂに比較し大きいた
めにである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同
じＡｌ2Ｏ3で形成した。膜厚は０．１５μｍである。す
なわち、上部、下部シールド間隔で約０．４μｍとな
る。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパタ
ーニングでは電極６のエッチングが問題となる。この工
程では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７で
あるＡｌ2Ｏ3よりミリング速度が大きい。電極５がエッ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時
間の約１０％程度であった。Ａｌ2Ｏ3に対するＣｕのミ
リング速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍエ
ッチングされるが、上述したように電極５の膜厚は約
０．４μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成
する。保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、
東京応化社製）を用いた。ホトレジスタ膜は回転塗布法
で成膜し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、
ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ
膜７の一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０
℃、３時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐
えるようにした。次に、上部シールド膜８となるＮｉＦ
ｅ膜をスパッタリング法で成膜する。膜厚は１μｍであ
る。パターニングはホトレジスト膜をマスクにイオンミ
リング法で行った。上部シールド膜のエッチングでは保
護膜９がエッチングされる。保護膜９がエッチングされ
る時間は、上記同様上部シールド膜８のエッチング時間
の約１０％程度である。上部シールド膜であるＮｉＦｅ
膜と保護膜９であるホトレジスト膜のミリング速度はほ
ぼ同じであるから、保護膜９のエッチング量は約０．１
μｍ程度である。保護膜９の初期の膜厚は１μｍである
から、十分に電極５、および上部ギャップ膜７を保護で
きる。ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとしたが、上部
シールド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ
膜７を保護できればよく、最小では０．１μｍでもよ
い。ただし、プロセスのマージンを考慮すれば０．２μ
ｍ以上が好ましい。最後に外部との接続を行うために保
護膜９にスルーホールを形成する。ここでは、レジスト
膜をマスクに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
法でパターニングした。
１はＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ板である。先ず、基板１上に下部
シールド膜２を成膜する。下部シールド膜２はＮｉＦｅ
合金薄膜で、スパッタリング法で成膜した。膜厚は３μ
ｍである。パターニングはホトレジスト膜をマスクとし
てイオンミリング法で行った。続いて下部ギャップ膜３
としてＡｌ2Ｏ3をスパッタリング法で成膜した。膜厚は
０.１９μｍである。下部ギャップ膜３上に磁気抵抗効
果膜４、およびシャントバイアス膜５となるＮｉＦｅ、
Ｎｂ膜を連続的に成膜する。成膜は真空蒸着法で行っ
た。それぞれの膜厚は２５ｎｍ、３６ｎｍである。両膜
のパターニングは、ホトレジスト膜をマスクとしたイオ
ンミリング法で一括して行った。この工程においても下
部ギャップ膜３がエッチングされるが、その量は数ｎｍ
程度であり問題はない。これは磁気抵抗効果膜４、およ
びシャントバイアス膜５の膜厚が薄いこと、さらに両膜
に比較し下部ギャップ膜であるＡｌ2Ｏ3のミリング速度
が小さいためである。次に、電極６を形成する。ここで
は、Ｃｒ／Ｃｕ／Ｃｒ積層膜を用いた。下層のＣｒ膜は
下地膜との付着力を高め、上層のＣｒ膜は付着力向上の
他に工程中でのＣｕの酸化を防止するための膜である。
膜厚はそれぞれ０．０２、０．４、０．０２μｍとし
た。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行った。この工程ではシャントバイ
アス膜５、および下部ギャップ膜３の両膜がエッチング
されるが、その量はわずかである。これはＣｒ膜が非常
に薄いこと、Ｃｕのミリング速度が下部ギャップ膜３で
あるＡｌ2Ｏ3、シャント膜であるＮｂに比較し大きいた
めにである。上部ギャップ膜７は下部ギャップ膜３と同
じＡｌ2Ｏ3で形成した。膜厚は０．１５μｍである。す
なわち、上部、下部シールド間隔で約０．４μｍとな
る。パターニングは上記同様ホトレジスト膜をマスクに
イオンミリング法で行なった。上部ギャップ膜７のパタ
ーニングでは電極６のエッチングが問題となる。この工
程では、下地膜である電極５の方が上部ギャップ膜７で
あるＡｌ2Ｏ3よりミリング速度が大きい。電極５がエッ
チングされる時間は、上部ギャップ膜７のエッチング時
間の約１０％程度であった。Ａｌ2Ｏ3に対するＣｕのミ
リング速度比は約５であるから、電極５は約７５ｎｍエ
ッチングされるが、上述したように電極５の膜厚は約
０．４μｍあり問題にはならない。次に保護膜９を形成
する。保護膜９にはホトレジスト膜（ＯＦＰＲ８００、
東京応化社製）を用いた。ホトレジスタ膜は回転塗布法
で成膜し、膜厚は１μｍとした。露光、現像を行ない、
ホトレジスト膜で電極５および電極５上の上部ギャップ
膜７の一部を被覆する。また、ホトレジスト膜は２５０
℃、３時間の熱処理を行ない、後の工程での熱処理に耐
えるようにした。次に、上部シールド膜８となるＮｉＦ
ｅ膜をスパッタリング法で成膜する。膜厚は１μｍであ
る。パターニングはホトレジスト膜をマスクにイオンミ
リング法で行った。上部シールド膜のエッチングでは保
護膜９がエッチングされる。保護膜９がエッチングされ
る時間は、上記同様上部シールド膜８のエッチング時間
の約１０％程度である。上部シールド膜であるＮｉＦｅ
膜と保護膜９であるホトレジスト膜のミリング速度はほ
ぼ同じであるから、保護膜９のエッチング量は約０．１
μｍ程度である。保護膜９の初期の膜厚は１μｍである
から、十分に電極５、および上部ギャップ膜７を保護で
きる。ここでは保護膜９の膜厚を１μｍとしたが、上部
シールド膜８のエッチングに対し電極５、上部ギャップ
膜７を保護できればよく、最小では０．１μｍでもよ
い。ただし、プロセスのマージンを考慮すれば０．２μ
ｍ以上が好ましい。最後に外部との接続を行うために保
護膜９にスルーホールを形成する。ここでは、レジスト
膜をマスクに酸素ガスを用いた反応性イオンエッチング
法でパターニングした。
【０００９】本実施例ではシャントバイアス型のヘッド
について述べたが、ソフトバイアス型、シャントバイア
ス型とソフトバイアス型を組合せた複合バイアス型等の
他のバイアス方式のヘッドでも本発明は有効である。
について述べたが、ソフトバイアス型、シャントバイア
ス型とソフトバイアス型を組合せた複合バイアス型等の
他のバイアス方式のヘッドでも本発明は有効である。
【００１０】また、磁気抵抗効果膜４の両端に磁区制御
用の膜、が形成されたヘッドでも、同様な効果がある。
なお、磁区制御膜としてはＦｅＭｎ反強磁性膜などがあ
る。
用の膜、が形成されたヘッドでも、同様な効果がある。
なお、磁区制御膜としてはＦｅＭｎ反強磁性膜などがあ
る。
【００１１】〔実施例２〕他の実施例として以下の方法
もある。本実施例はヘッドノイズの低減、およびプロセ
スの簡略化を目的にしている。ヘッドノイズを下げるた
めには電極６の電気抵抗を小さくすることが有効であ
る。第２図に本実施例によるヘッドの断面構造を示す。
本図は第３図のＡ−Ａ’断面に相当する図である。本実
施例では、電極６の上に電極６の電気抵抗を低減するた
めに導体層１０を形成した。導体層１０は電極６より若
干大きくしておくほうが望ましい。導体層１０としては
上部シールド膜８で兼用させることが有効で、工程数を
増すことなく電気抵抗を低減できる。また、上記実施例
１では保護膜９で電極６上の全面を被覆した後、スルー
ホールを形成した。しかし、本実施例では露光、現像工
程ではじめから、スルーホールを形成しておき、かつ上
部シールド膜８で形成される導体層１０が保護膜９の一
部を覆うように形成した。このようにすることにより、
上部シールド膜８のエッチング工程で電極６および上部
ギャップ膜７がエッチングされるのを防止できるととも
に、保護膜９のスルーホール形成工程を省略できる。電
極６の下に導体層を形成することも有効である。例え
ば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにすれ
ば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
もある。本実施例はヘッドノイズの低減、およびプロセ
スの簡略化を目的にしている。ヘッドノイズを下げるた
めには電極６の電気抵抗を小さくすることが有効であ
る。第２図に本実施例によるヘッドの断面構造を示す。
本図は第３図のＡ−Ａ’断面に相当する図である。本実
施例では、電極６の上に電極６の電気抵抗を低減するた
めに導体層１０を形成した。導体層１０は電極６より若
干大きくしておくほうが望ましい。導体層１０としては
上部シールド膜８で兼用させることが有効で、工程数を
増すことなく電気抵抗を低減できる。また、上記実施例
１では保護膜９で電極６上の全面を被覆した後、スルー
ホールを形成した。しかし、本実施例では露光、現像工
程ではじめから、スルーホールを形成しておき、かつ上
部シールド膜８で形成される導体層１０が保護膜９の一
部を覆うように形成した。このようにすることにより、
上部シールド膜８のエッチング工程で電極６および上部
ギャップ膜７がエッチングされるのを防止できるととも
に、保護膜９のスルーホール形成工程を省略できる。電
極６の下に導体層を形成することも有効である。例え
ば、下部シールド膜２で導体層を構成するようにすれ
ば、工程数を増すことなく電気抵抗を低減できる。
【００１２】
【発明の効果】本発明によれば、電極６および上部ギャ
ップ膜７は保護膜９で被覆されている。このために、厚
い上部シールド膜８のエッチング工程において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止でき
る。特に電極６、上部ギャップ膜７が薄い場合にその効
果は顕著であった。例えば、上記実施例１の膜厚を持つ
ヘッドの歩留まりは、保護膜９がないと約３０％であっ
たが、保護膜９を形成した本発明によるヘッドでは１０
０％であった。
ップ膜７は保護膜９で被覆されている。このために、厚
い上部シールド膜８のエッチング工程において電極６、
上部ギャップ膜７がエッチングされることを防止でき
る。特に電極６、上部ギャップ膜７が薄い場合にその効
果は顕著であった。例えば、上記実施例１の膜厚を持つ
ヘッドの歩留まりは、保護膜９がないと約３０％であっ
たが、保護膜９を形成した本発明によるヘッドでは１０
０％であった。
【００１３】また、電極６上に上部シールド膜８を積層
した結果、約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極
を兼用させるよにすれば、その効果はさらに顕著とな
る。
した結果、約２Ω低減できた。下部シールド膜でも電極
を兼用させるよにすれば、その効果はさらに顕著とな
る。
第１図、第２図はそれぞれ本発明によるシャントバイア
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。
ス型の磁気抵抗効果型ヘッドの断面図、第３図は従来の
シャントバイアス型磁気抵抗効果型ヘッドの平面図及び
断面図である。
１・・基板、２・・下部シールド膜、３・・下部ギャッ
プ膜、４・・磁気抵抗効果膜、５・・シャントバイアス
膜、６・・電極、７・・上部ギャップ膜、８・・上部シ
ールド膜、９・・保護膜、１０・・導体膜、
プ膜、４・・磁気抵抗効果膜、５・・シャントバイアス
膜、６・・電極、７・・上部ギャップ膜、８・・上部シ
ールド膜、９・・保護膜、１０・・導体膜、
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 小山 直樹 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 北田 正弘 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (56)参考文献 特開 平４−182912（ＪＰ，Ａ) 特開 平10−143823（ＪＰ，Ａ) 特開 平11−213352（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) G11B 5/39
Claims (2)
- 【請求項１】 下部シールド膜、該下部シールド膜上に形
成された下部ギャップ膜、該下部ギャップ膜上に形成さ
れた磁気抵抗効果膜、該磁気抵抗効果膜に電気的に接続
された電極、前記磁気抵抗効果膜上に形成された上部ギ
ャップ膜及び該上部ギャップ膜上に形成された上部シー
ルド膜を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドにおいて、前
記電極及び前記上部ギャップ膜上の一部に無機材料膜が
形成され、前記上部シールド膜の一部が前記無機材料膜
上に形成され、前記無機材料膜の一部を覆うように導体
層が形成され、該導体層が前記上部シールド膜と兼用さ
れていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 前記無機材料膜がＡｌあるいはＳｉの酸化
物またはＡｌあるいはＳｉの窒化物であることを特徴と
する請求項１記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31722598A JP3204230B2 (ja) | 1990-11-19 | 1998-11-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31722598A JP3204230B2 (ja) | 1990-11-19 | 1998-11-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2311492A Division JP2901749B2 (ja) | 1990-11-19 | 1990-11-19 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11213353A JPH11213353A (ja) | 1999-08-06 |
| JP3204230B2 true JP3204230B2 (ja) | 2001-09-04 |
Family
ID=18085881
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31722598A Expired - Lifetime JP3204230B2 (ja) | 1990-11-19 | 1998-11-09 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3204230B2 (ja) |
-
1998
- 1998-11-09 JP JP31722598A patent/JP3204230B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11213353A (ja) | 1999-08-06 |
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