JPH06301931A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法Info
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- JPH06301931A JPH06301931A JP8597393A JP8597393A JPH06301931A JP H06301931 A JPH06301931 A JP H06301931A JP 8597393 A JP8597393 A JP 8597393A JP 8597393 A JP8597393 A JP 8597393A JP H06301931 A JPH06301931 A JP H06301931A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁束検知領域において均一な磁気シールド間
距離を得て、高記録密度においても高分解能を得ること
ができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
を提供すること。 【構成】 磁気抵抗素子部３の膜厚と同等の下部絶縁層
２を設けそれを磁気抵抗素子部３を食刻した食刻阻止材
１０の除去と同時に磁気抵抗素子部３上の中間絶縁層１
１を取り除き、更に、磁気抵抗素子保護絶縁層４と同等
の導体層５を設けそれを磁気抵抗素子保護絶縁層４を食
刻した食刻阻止材１２の除去と同時に磁気抵抗素子部３
上の中間絶縁層１１を取り除いて磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとする。
距離を得て、高記録密度においても高分解能を得ること
ができる磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法
を提供すること。 【構成】 磁気抵抗素子部３の膜厚と同等の下部絶縁層
２を設けそれを磁気抵抗素子部３を食刻した食刻阻止材
１０の除去と同時に磁気抵抗素子部３上の中間絶縁層１
１を取り除き、更に、磁気抵抗素子保護絶縁層４と同等
の導体層５を設けそれを磁気抵抗素子保護絶縁層４を食
刻した食刻阻止材１２の除去と同時に磁気抵抗素子部３
上の中間絶縁層１１を取り除いて磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドとする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気記録再生装置に用い
られる磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法に
関するものである。
られる磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法に
関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、コンピュータの外部記録装置は、
小型大容量化が益々望まれるようになってきた。この磁
気記録を用いた外部記録装置の小型高容量化を実現する
ために、線記録密度の向上以外に、トラック密度の向上
も必要になっている。現在では媒体速度に出力が依存せ
ず高出力が得られ、さらに高トラック密度が得られる磁
気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドが利用さ
れるようになってきた。以下に従来の磁気抵抗素子を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法につ
いて説明する。
小型大容量化が益々望まれるようになってきた。この磁
気記録を用いた外部記録装置の小型高容量化を実現する
ために、線記録密度の向上以外に、トラック密度の向上
も必要になっている。現在では媒体速度に出力が依存せ
ず高出力が得られ、さらに高トラック密度が得られる磁
気抵抗素子を用いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドが利用さ
れるようになってきた。以下に従来の磁気抵抗素子を用
いた磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法につ
いて説明する。
【０００３】図７，図８はそれぞれ磁気記録媒体側から
みた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成図及び斜視図であ
る。図において、１は下部シールドで少なくとも磁気抵
抗素子の磁束検知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダ
スト等の軟磁性材料を真空成膜法あるいはメッキ法によ
り成膜したものか、フェライト等の軟磁性材料が用いら
れる。下部シールド１上の下部絶縁層２は磁気抵抗素子
部３と下部シールド１を磁気的に分離する役目を持ち、
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を蒸着あるいはスパ
ッタ等の真空成膜法により成膜される。これらの下部絶
縁層２の上に磁気抵抗素子部３を蒸着あるいはスパッタ
等の真空成膜法により成膜する。磁気抵抗素子部３は外
部磁界に対し抵抗変化を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合
金やＣｏ−Ｎｉの合金が使用され、これらの膜は外部磁
界に対し感度を高めるために数十ｎｍ以下の特に薄い膜
が用いられる。これらの薄膜は真空蒸着法、スパッタ
法、イオンビームスパッタ法などの真空成膜法によって
成膜される。
みた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成図及び斜視図であ
る。図において、１は下部シールドで少なくとも磁気抵
抗素子の磁束検知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダ
スト等の軟磁性材料を真空成膜法あるいはメッキ法によ
り成膜したものか、フェライト等の軟磁性材料が用いら
れる。下部シールド１上の下部絶縁層２は磁気抵抗素子
部３と下部シールド１を磁気的に分離する役目を持ち、
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を蒸着あるいはスパ
ッタ等の真空成膜法により成膜される。これらの下部絶
縁層２の上に磁気抵抗素子部３を蒸着あるいはスパッタ
等の真空成膜法により成膜する。磁気抵抗素子部３は外
部磁界に対し抵抗変化を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合
金やＣｏ−Ｎｉの合金が使用され、これらの膜は外部磁
界に対し感度を高めるために数十ｎｍ以下の特に薄い膜
が用いられる。これらの薄膜は真空蒸着法、スパッタ
法、イオンビームスパッタ法などの真空成膜法によって
成膜される。
【０００４】この磁気抵抗素子部３にはこれに電流を供
給しその電圧変化を検知するための導体層５が磁束検知
幅外の部分で接触している。導体層５には抵抗値の低い
良導体としてＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗあるいはそれらの積
層膜などが用いられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法によって
成膜される。
給しその電圧変化を検知するための導体層５が磁束検知
幅外の部分で接触している。導体層５には抵抗値の低い
良導体としてＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗあるいはそれらの積
層膜などが用いられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオン
ビームスパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法によって
成膜される。
【０００５】これら磁気抵抗素子保護絶縁層４および導
体層５の上に上部絶縁層６としてＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3
などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法に
より成膜する。その後、これら上部絶縁層６の上に上部
シールド７として少なくとも磁気抵抗素子部３の磁束検
知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性
材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメ
ッキ法により成膜する。またこれらの上部シールド７の
上面に記録ギャップ８をＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3などの酸
化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜
する。この記録ギャップ８の上に記録コア９をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ
等の真空蒸着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の
形状に物理的あるいは化学的方法によって食刻される。
体層５の上に上部絶縁層６としてＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3
などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法に
より成膜する。その後、これら上部絶縁層６の上に上部
シールド７として少なくとも磁気抵抗素子部３の磁束検
知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性
材料を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメ
ッキ法により成膜する。またこれらの上部シールド７の
上面に記録ギャップ８をＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3などの酸
化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜
する。この記録ギャップ８の上に記録コア９をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ
等の真空蒸着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の
形状に物理的あるいは化学的方法によって食刻される。
【０００６】再生を行う磁気抵抗素子部３の磁束検知幅
はＡで示される幅であり、記録を行う記録コア幅はＢで
記録はこの記録コア幅ＢのＣで示される磁束検知領域で
行われる。この構造では磁気抵抗素子部３および導体層
５の厚みによって発生する段差によっておよび磁気抵抗
素子部３の磁束検知幅Ａにおいて周波数特性を左右する
磁気シールド間距離がＤの場合とＥの場合が混在する事
になる。さらに記録は記録コア幅ＢのＣの磁束検知領域
で行うが、図中に示されるように記録ギャップ８は一直
線にはなっていない。
はＡで示される幅であり、記録を行う記録コア幅はＢで
記録はこの記録コア幅ＢのＣで示される磁束検知領域で
行われる。この構造では磁気抵抗素子部３および導体層
５の厚みによって発生する段差によっておよび磁気抵抗
素子部３の磁束検知幅Ａにおいて周波数特性を左右する
磁気シールド間距離がＤの場合とＥの場合が混在する事
になる。さらに記録は記録コア幅ＢのＣの磁束検知領域
で行うが、図中に示されるように記録ギャップ８は一直
線にはなっていない。
【０００７】これらの素子部の製造方法は図９，図１０
に示す通りである。図９（ａ）に示される様に下部シー
ルド１の上に下部絶縁層２を設けその上に磁気抵抗素子
部３を形成し、（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示される様に磁気
抵抗素子保護絶縁層４を設け、導体層５を成膜し、その
後上部絶縁層６を設け、次に図１０（ａ）に示すように
上部シールド７を成膜する。次に図１０（ｂ）（ｃ）に
示すようにその上に記録ギャップ８を成膜し、記録コア
９をその上に形成する。
に示す通りである。図９（ａ）に示される様に下部シー
ルド１の上に下部絶縁層２を設けその上に磁気抵抗素子
部３を形成し、（ｂ）（ｃ）（ｄ）に示される様に磁気
抵抗素子保護絶縁層４を設け、導体層５を成膜し、その
後上部絶縁層６を設け、次に図１０（ａ）に示すように
上部シールド７を成膜する。次に図１０（ｂ）（ｃ）に
示すようにその上に記録ギャップ８を成膜し、記録コア
９をその上に形成する。
【０００８】この磁気抵抗型磁気ヘッドにより記録再生
を行い出力の線記録密度依存性を測定した結果を図６の
ａに示す。磁気記録媒体には保磁力１６００エルステッ
ドの３．５インチのハードディスク媒体を用い、周速１
２ｍ／ｓ，浮上量０．２μｍで測定した結果を示す。こ
の際のシールド間距離はＤ＝０．８μｍ，Ｅ＝０．９μ
ｍである。
を行い出力の線記録密度依存性を測定した結果を図６の
ａに示す。磁気記録媒体には保磁力１６００エルステッ
ドの３．５インチのハードディスク媒体を用い、周速１
２ｍ／ｓ，浮上量０．２μｍで測定した結果を示す。こ
の際のシールド間距離はＤ＝０．８μｍ，Ｅ＝０．９μ
ｍである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成では、磁束検知領域において導体層５の段差によ
り、図７にＤおよびＥで示される２種類の磁気シールド
間距離が存在し、この構造において再生される波形は２
種類の再生波形の重畳により得られるため、高記録密度
において波形干渉のため出力が著しく減少する。また磁
気抵抗素子部３の段差により発生する段差Ｆ（図７）は
記録コア９が幅広くなり段差部にかかると磁束検知領域
Ｃ上の段差と共に記録ギャップの直線性を阻害し、やは
り高記録密度において波形干渉のため出力が著しく減少
するという問題点を有していた。
の構成では、磁束検知領域において導体層５の段差によ
り、図７にＤおよびＥで示される２種類の磁気シールド
間距離が存在し、この構造において再生される波形は２
種類の再生波形の重畳により得られるため、高記録密度
において波形干渉のため出力が著しく減少する。また磁
気抵抗素子部３の段差により発生する段差Ｆ（図７）は
記録コア９が幅広くなり段差部にかかると磁束検知領域
Ｃ上の段差と共に記録ギャップの直線性を阻害し、やは
り高記録密度において波形干渉のため出力が著しく減少
するという問題点を有していた。
【００１０】本発明は前記従来の課題を解決するもの
で、高記録密度においても高分解能を得ることができる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
で、高記録密度においても高分解能を得ることができる
磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法を提供す
ることを目的とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】このために本発明の磁気
抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型素子の近傍に
導体あるいは絶縁体を磁気抵抗効果型素子と同じ高さま
で成膜したものである。
抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果型素子の近傍に
導体あるいは絶縁体を磁気抵抗効果型素子と同じ高さま
で成膜したものである。
【００１２】
【作用】本発明は上記構成により、磁気抵抗素子部の磁
束検知領域における磁気シールド間距離を一定に保つこ
とが出来、しかもその上部に形成する記録ギャップを直
線的に形成でき、これにより高記録密度において高い分
解能を得ることができる。
束検知領域における磁気シールド間距離を一定に保つこ
とが出来、しかもその上部に形成する記録ギャップを直
線的に形成でき、これにより高記録密度において高い分
解能を得ることができる。
【００１３】
【実施例】次に、本発明の実施例を図面を参照しながら
説明する。
説明する。
【００１４】図１，図２はそれぞれ磁気記録媒体側から
みた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成図及び斜視図であ
る。１は下部シールドで少なくとも磁気抵抗素子部３の
磁束検知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の
軟磁性材料を真空成膜法あるいはメッキ法により成膜し
たものか、フェライト等の軟磁性材料が用いられる。こ
れらの下部シールド１上の下部絶縁層２は磁気抵抗素子
部３と下部シールド１を磁気的に分離する役目を持ち、
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を蒸着あるいはスパ
ッタ等の真空蒸着法により成膜される。これらの下部絶
縁層２の上に磁気抵抗素子部３を蒸着あるいはスパッタ
等の真空成膜法により成膜する。
みた磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成図及び斜視図であ
る。１は下部シールドで少なくとも磁気抵抗素子部３の
磁束検知幅以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の
軟磁性材料を真空成膜法あるいはメッキ法により成膜し
たものか、フェライト等の軟磁性材料が用いられる。こ
れらの下部シールド１上の下部絶縁層２は磁気抵抗素子
部３と下部シールド１を磁気的に分離する役目を持ち、
ＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を蒸着あるいはスパ
ッタ等の真空蒸着法により成膜される。これらの下部絶
縁層２の上に磁気抵抗素子部３を蒸着あるいはスパッタ
等の真空成膜法により成膜する。
【００１５】磁気抵抗素子部３は外部磁界に対し抵抗変
化を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合
金が使用され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高め
るために数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる。これ
らの薄膜は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法などの真空成膜法によって成膜される。その後磁
気抵抗素子部３と同等の厚みの中間絶縁層１１のＳｉＯ
2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を磁気抵抗素子部３と同じ
高さまで蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により成
膜する。
化を示す素子でありＦｅ−Ｎｉの合金やＣｏ−Ｎｉの合
金が使用され、これらの膜は外部磁界に対し感度を高め
るために数十ｎｍ以下の特に薄い膜が用いられる。これ
らの薄膜は真空蒸着法、スパッタ法、イオンビームスパ
ッタ法などの真空成膜法によって成膜される。その後磁
気抵抗素子部３と同等の厚みの中間絶縁層１１のＳｉＯ
2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物を磁気抵抗素子部３と同じ
高さまで蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法により成
膜する。
【００１６】磁気抵抗素子部３にはこれに電流を供給し
その電圧変化を検知するための導体層５が磁束検知幅外
の部分で接触している。導体層５には抵抗値の低い良導
体としてＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗあるいはそれらの積層膜
などが用いられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビー
ムスパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法によって成膜
される。この導体層５は磁気抵抗素子保護絶縁層４と同
じ高さに成膜される。
その電圧変化を検知するための導体層５が磁束検知幅外
の部分で接触している。導体層５には抵抗値の低い良導
体としてＡｕ，Ａｌ，Ｃｕ，Ｗあるいはそれらの積層膜
などが用いられ、真空蒸着法、スパッタ法、イオンビー
ムスパッタ法、ＣＶＤ法などの真空成膜法によって成膜
される。この導体層５は磁気抵抗素子保護絶縁層４と同
じ高さに成膜される。
【００１７】これら磁気抵抗素子保護絶縁層４および導
体層５の上に上部絶縁層６としてＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3
などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法に
より成膜する。その後、これら上部絶縁層６の上に上部
シールド７として少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅
以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料
を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメッキ
法により成膜する。またこれらの上部シールド７の上面
に記録ギャップ８をＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物
を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜す
る。この記録ギャップ８の上に記録コア９をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ
等の真空蒸着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の
形状に物理的あるいは化学的方法によって食刻される。
体層５の上に上部絶縁層６としてＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3
などの酸化物を蒸着あるいはスパッタ等の真空成膜法に
より成膜する。その後、これら上部絶縁層６の上に上部
シールド７として少なくとも磁気抵抗素子の磁束検知幅
以上の幅を持ちパーマロイ、センダスト等の軟磁性材料
を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法あるいはメッキ
法により成膜する。またこれらの上部シールド７の上面
に記録ギャップ８をＳｉＯ2 やＡｌ2 Ｏ3 などの酸化物
を蒸着あるいはスパッタ等の真空蒸着法により成膜す
る。この記録ギャップ８の上に記録コア９をパーマロ
イ、センダスト等の軟磁性材料を蒸着あるいはスパッタ
等の真空蒸着法あるいはメッキ法により成膜し、所定の
形状に物理的あるいは化学的方法によって食刻される。
【００１８】この図１において、再生を行う磁気抵抗素
子部３の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録を行
う記録コア幅はＢで記録はこの記録コア幅Ｂと上部シー
ルド７間のＣで示される磁束検知領域で行われる。この
構造では磁気抵抗素子部３および導体層５の厚みによっ
て発生する段差および磁束検知幅Ａにおいて周波数特性
を左右する磁気シールド間距離がＤの均一な距離とな
る。さらに記録は記録コア幅Ｂの磁束検知領域Ｃで行う
が、図中に示されるように記録ギャップ８は一直線であ
る。
子部３の磁束検知幅はＡで示される幅であり、記録を行
う記録コア幅はＢで記録はこの記録コア幅Ｂと上部シー
ルド７間のＣで示される磁束検知領域で行われる。この
構造では磁気抵抗素子部３および導体層５の厚みによっ
て発生する段差および磁束検知幅Ａにおいて周波数特性
を左右する磁気シールド間距離がＤの均一な距離とな
る。さらに記録は記録コア幅Ｂの磁束検知領域Ｃで行う
が、図中に示されるように記録ギャップ８は一直線であ
る。
【００１９】これらの素子部の製造方法は図３，図４，
図５に示す通りである。まず図３（ａ）に示される様に
下部シールド１の上に下部絶縁層２を設け、その上に磁
気抵抗素子部３を形成し、食刻阻止材１０により磁気抵
抗素子部３を物理的あるいは化学的に食刻する。この食
刻阻止材１０には一般に写真製版技術に使用される感光
性樹脂が用いられる。
図５に示す通りである。まず図３（ａ）に示される様に
下部シールド１の上に下部絶縁層２を設け、その上に磁
気抵抗素子部３を形成し、食刻阻止材１０により磁気抵
抗素子部３を物理的あるいは化学的に食刻する。この食
刻阻止材１０には一般に写真製版技術に使用される感光
性樹脂が用いられる。
【００２０】次に図３（ｂ）に示される様に磁気抵抗素
子部３の食刻阻止材１０を残した状態で磁気抵抗素子部
３の膜厚と同等の中間絶縁層１１を磁気抵抗素子部３と
同じ高さに成膜する。その後磁気抵抗素子部３上の中間
絶縁層１１を食刻阻止材１０と共に除去すると、磁気抵
抗素子部３と中間絶縁層１１によって段差の無い平面が
得られる。その後図３（ｃ）に示すように磁気抵抗素子
保護絶縁層４を成膜する。次に図３（ｄ）に示すように
磁束検知幅を規制するための食刻阻止材１２を形成し、
次に図４（ａ）に示すように磁気抵抗素子保護絶縁層４
を物理的あるいは化学的に食刻する。次に図４（ｂ）に
示すように磁気抵抗素子保護絶縁層４の食刻阻止材１２
を残した状態で磁気抵抗素子保護絶縁層４と同等の厚み
を持つ導体層５を成膜する。次に磁気抵抗素子保護絶縁
層４上の導体層５を食刻阻止材１２と共に除去すると磁
気抵抗素子保護絶縁層４と導体層５上面により平坦面が
得られる（図４（ｃ））。その後上部絶縁層６を設け
（図５（ａ））、上部シールド７を成膜する（図５
（ｂ））。次にその上に記録ギャップ８を成膜し、記録
コア９をその上に形成する（図５（ｃ））。
子部３の食刻阻止材１０を残した状態で磁気抵抗素子部
３の膜厚と同等の中間絶縁層１１を磁気抵抗素子部３と
同じ高さに成膜する。その後磁気抵抗素子部３上の中間
絶縁層１１を食刻阻止材１０と共に除去すると、磁気抵
抗素子部３と中間絶縁層１１によって段差の無い平面が
得られる。その後図３（ｃ）に示すように磁気抵抗素子
保護絶縁層４を成膜する。次に図３（ｄ）に示すように
磁束検知幅を規制するための食刻阻止材１２を形成し、
次に図４（ａ）に示すように磁気抵抗素子保護絶縁層４
を物理的あるいは化学的に食刻する。次に図４（ｂ）に
示すように磁気抵抗素子保護絶縁層４の食刻阻止材１２
を残した状態で磁気抵抗素子保護絶縁層４と同等の厚み
を持つ導体層５を成膜する。次に磁気抵抗素子保護絶縁
層４上の導体層５を食刻阻止材１２と共に除去すると磁
気抵抗素子保護絶縁層４と導体層５上面により平坦面が
得られる（図４（ｃ））。その後上部絶縁層６を設け
（図５（ａ））、上部シールド７を成膜する（図５
（ｂ））。次にその上に記録ギャップ８を成膜し、記録
コア９をその上に形成する（図５（ｃ））。
【００２１】この様な工法をとることにより磁束検知幅
Ａにおいてシールド間距離が均一な構造が得られ、さら
にその上方に形成される記録ギャップ８を直線状に形成
出来るようになる。この磁気抵抗型磁気ヘッドにより記
録再生を行い、出力の線記録密度特性を測定した結果を
図６のｂに示す。磁気記録媒体には保磁力１６００エル
ステッドの３．５インチのハードディスク媒体を用い、
周速１２ｍ／ｓ，浮上量０．２μｍで測定した結果を示
す。この際のシールド間距離はＤ＝０．８μｍ，Ｅ＝
０．９μｍである。
Ａにおいてシールド間距離が均一な構造が得られ、さら
にその上方に形成される記録ギャップ８を直線状に形成
出来るようになる。この磁気抵抗型磁気ヘッドにより記
録再生を行い、出力の線記録密度特性を測定した結果を
図６のｂに示す。磁気記録媒体には保磁力１６００エル
ステッドの３．５インチのハードディスク媒体を用い、
周速１２ｍ／ｓ，浮上量０．２μｍで測定した結果を示
す。この際のシールド間距離はＤ＝０．８μｍ，Ｅ＝
０．９μｍである。
【００２２】
【発明の効果】本発明によれば、磁気抵抗素子部の磁束
検知領域が直線であり、その上に形成される記録ギャッ
プ部も直線となる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する
ことができ、それにより高記録密度において高い分解能
を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを実現できる。
検知領域が直線であり、その上に形成される記録ギャッ
プ部も直線となる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを製造する
ことができ、それにより高記録密度において高い分解能
を有する磁気抵抗効果型磁気ヘッドを実現できる。
【図１】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの構成図
ヘッドの構成図
【図２】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの斜視図
ヘッドの斜視図
【図３】（ａ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｄ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｄ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
【図４】（ａ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
【図５】（ａ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
型磁気ヘッドの製造工程図 （ｂ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図 （ｃ）本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造工程図
【図６】本発明の一実施例と従来例における磁気抵抗効
果型磁気ヘッドの出力の線記録密度依存性を示す特性図
果型磁気ヘッドの出力の線記録密度依存性を示す特性図
【図７】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの構成図
【図８】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの斜視図
【図９】（ａ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
工程図 （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｃ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｄ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図
工程図 （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｃ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｄ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図
【図１０】（ａ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製
造工程図 （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｃ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図
造工程図 （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図 （ｃ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造工程図
２ 下部絶縁層 ３ 磁気抵抗素子部 ４ 磁気抵抗素子保護絶縁層 ５ 導体層 ６ 上部絶縁層 １０，１２ 食刻阻止材 １１ 中間絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】磁気抵抗効果型素子の近傍に導体あるいは
絶縁体を磁気抵抗効果型素子と同じ高さまで成膜するこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】記録コアの一部が磁気抵抗素子のシールド
として機能する事を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗
効果型磁気ヘッド。 - 【請求項３】磁気抵抗効果型素子膜上に食刻阻止材を設
け、所定の形状に食刻を施した後に、導電体あるいは絶
縁体を成膜し、その後食刻阻止材と共に導電体あるいは
絶縁体を除去することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】下部シールド上に下部絶縁層を設け、次に
この下部絶縁層上に磁気抵抗素子部を形成して、食刻阻
止材によりこの磁気抵抗素子部を食刻し、次に中間絶縁
層をこの磁気抵抗素子部と同じ高さに成膜し、次にこの
中間絶縁層を食刻阻止材と共に除去した後、磁気抵抗素
子保護絶縁層を成膜するとともに、磁束検知幅を規制す
るための食刻阻止材を形成し、次にこの磁気抵抗素子保
護絶縁層と同等の厚みを有する導体層を形成し、次にこ
の磁気抵抗素子保護絶縁層上の中間絶縁層を食刻阻止材
と共に除去した後、上部絶縁層と上部シールドを成膜す
ることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05085973A JP3089886B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP05085973A JP3089886B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06301931A true JPH06301931A (ja) | 1994-10-28 |
| JP3089886B2 JP3089886B2 (ja) | 2000-09-18 |
Family
ID=13873671
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP05085973A Expired - Lifetime JP3089886B2 (ja) | 1993-04-13 | 1993-04-13 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3089886B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334237A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りトランスジューサ |
| US6525912B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin magnetic head with intermediate gap layer, magnetoresistive layer and electrode layers disposed between upper and lower gap layers |
-
1993
- 1993-04-13 JP JP05085973A patent/JP3089886B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06334237A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りトランスジューサ |
| US6525912B2 (en) | 1997-12-09 | 2003-02-25 | Alps Electric Co., Ltd. | Thin magnetic head with intermediate gap layer, magnetoresistive layer and electrode layers disposed between upper and lower gap layers |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3089886B2 (ja) | 2000-09-18 |
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