JPH06334237A - 磁気抵抗読取りトランスジューサ - Google Patents
磁気抵抗読取りトランスジューサInfo
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- JPH06334237A JPH06334237A JP6038812A JP3881294A JPH06334237A JP H06334237 A JPH06334237 A JP H06334237A JP 6038812 A JP6038812 A JP 6038812A JP 3881294 A JP3881294 A JP 3881294A JP H06334237 A JPH06334237 A JP H06334237A
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- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3906—Details related to the use of magnetic thin film layers or to their effects
- G11B5/3929—Disposition of magnetic thin films not used for directly coupling magnetic flux from the track to the MR film or for shielding
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/31—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive using thin films
- G11B5/3103—Structure or manufacture of integrated heads or heads mechanically assembled and electrically connected to a support or housing
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 高い分解能と絶縁信頼性を兼ね備えた磁気抵
抗（ＭＲ）読取りヘッドを提供すること。 【構成】 ＭＲ読取りトランスジューサは、誘電体基板
１２上の第１の磁気シールドＳ１、第１の間隙絶縁層Ｇ
１、ＭＲ素子１４、導電性リード１６、第２の間隙絶縁
層Ｇ２、及び第２の磁気シールドＳ２から構成される。
高い分解能のＭＲヘッドを作製するために、絶縁材料の
バックフィル（back-fill）層２０、２２が第１の間隙
絶縁層及び／又は第２の間隙絶縁層の上に蒸着される。
その厚さは、処理過程において除去された絶縁材料の少
なくとも一部に置換わるために十分な厚さであり、それ
によってＭＲ素子の短絡を確実に防ぐ。ＭＲ層は、好適
には３層構造であり、軟磁性ＭＲセンサ層と、素子の長
手方向に垂直に固定された磁化を有する軟磁性又は硬磁
性層と、これら２つの層を分離するスペーサ層とからな
る。
抗（ＭＲ）読取りヘッドを提供すること。 【構成】 ＭＲ読取りトランスジューサは、誘電体基板
１２上の第１の磁気シールドＳ１、第１の間隙絶縁層Ｇ
１、ＭＲ素子１４、導電性リード１６、第２の間隙絶縁
層Ｇ２、及び第２の磁気シールドＳ２から構成される。
高い分解能のＭＲヘッドを作製するために、絶縁材料の
バックフィル（back-fill）層２０、２２が第１の間隙
絶縁層及び／又は第２の間隙絶縁層の上に蒸着される。
その厚さは、処理過程において除去された絶縁材料の少
なくとも一部に置換わるために十分な厚さであり、それ
によってＭＲ素子の短絡を確実に防ぐ。ＭＲ層は、好適
には３層構造であり、軟磁性ＭＲセンサ層と、素子の長
手方向に垂直に固定された磁化を有する軟磁性又は硬磁
性層と、これら２つの層を分離するスペーサ層とからな
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク記憶装置
に関し、特に、シールドと導電性リード間の絶縁保護を
強化し、出力信号を改善することを可能にする高い分解
能をもつ磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスジューサに関
する。
に関し、特に、シールドと導電性リード間の絶縁保護を
強化し、出力信号を改善することを可能にする高い分解
能をもつ磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスジューサに関
する。
【０００２】
【従来の技術】米国特許第４６６３６８５号は、中央能
動領域及び両末端受動領域を有する磁気抵抗（ＭＲ）読
取りヘッドを開示している。各末端受動領域は、それぞ
れの導電性リードと、ヘッドに縦方向にバイアスをかけ
る適切な手段を含む。軟磁性膜は、ＭＲ層の中央能動領
域内に約４５度で横切るバイアスを与えるため、薄いス
ペーサ層によりＭＲ層から離されている。両磁気シール
ドは、絶縁材料によって導電性リード及びＭＲヘッドか
ら離されているが、それぞれ、読取り信号の分解能を低
下させる浮遊磁束の影響を最小限にする。このＭＲヘッ
ド構成の動作は、非常に高い線記録密度が要求されない
場合には十分満足できる。
動領域及び両末端受動領域を有する磁気抵抗（ＭＲ）読
取りヘッドを開示している。各末端受動領域は、それぞ
れの導電性リードと、ヘッドに縦方向にバイアスをかけ
る適切な手段を含む。軟磁性膜は、ＭＲ層の中央能動領
域内に約４５度で横切るバイアスを与えるため、薄いス
ペーサ層によりＭＲ層から離されている。両磁気シール
ドは、絶縁材料によって導電性リード及びＭＲヘッドか
ら離されているが、それぞれ、読取り信号の分解能を低
下させる浮遊磁束の影響を最小限にする。このＭＲヘッ
ド構成の動作は、非常に高い線記録密度が要求されない
場合には十分満足できる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、間隙絶
縁層とＭＲ素子の結合厚さは、ヘッドの線形ビット解像
度を決定する。従って、線記録密度の高いヘッドを作製
するためには、これらの間隙層の厚さを本質的に薄くし
なければならない。この間隙絶縁層の電気的絶縁特性
は、蒸着された時点ではＭＲ素子とシールドとを絶縁す
るために適当なものであろう。しかし、これらのアルミ
ナ間隙層の厚さ（非常に薄い膜として蒸着されている）
は、ＭＲ素子のパターン化過程におけるエッチング（例
えばイオン・ミリング）で削り取られることにより、ま
た、導電性リードを形成するフォト処理過程における現
像剤によるエッチングにより薄くなる。除去される全ア
ルミナの量は、これらの２つの過程において適切なパタ
ーン形成を保証するために必要な過エッチングの程度に
依存する。
縁層とＭＲ素子の結合厚さは、ヘッドの線形ビット解像
度を決定する。従って、線記録密度の高いヘッドを作製
するためには、これらの間隙層の厚さを本質的に薄くし
なければならない。この間隙絶縁層の電気的絶縁特性
は、蒸着された時点ではＭＲ素子とシールドとを絶縁す
るために適当なものであろう。しかし、これらのアルミ
ナ間隙層の厚さ（非常に薄い膜として蒸着されている）
は、ＭＲ素子のパターン化過程におけるエッチング（例
えばイオン・ミリング）で削り取られることにより、ま
た、導電性リードを形成するフォト処理過程における現
像剤によるエッチングにより薄くなる。除去される全ア
ルミナの量は、これらの２つの過程において適切なパタ
ーン形成を保証するために必要な過エッチングの程度に
依存する。
【０００４】間隙層の初期厚さは、より高い分解能を得
るために薄くされてしまうので、導電性リードをそれぞ
れのシールドから分離しているアルミナ薄膜の厚さが、
必要とする電気絶縁性を与えるに不十分なものになりや
すいことは明白である。もしそうなってしまった場合、
ＭＲ素子がいずれかの又は両方のシールドと短絡してし
まうことになり、ＭＲヘッドが動作不能になる。
るために薄くされてしまうので、導電性リードをそれぞ
れのシールドから分離しているアルミナ薄膜の厚さが、
必要とする電気絶縁性を与えるに不十分なものになりや
すいことは明白である。もしそうなってしまった場合、
ＭＲ素子がいずれかの又は両方のシールドと短絡してし
まうことになり、ＭＲヘッドが動作不能になる。
【０００５】
【課題を解決するための手段】本発明を実施する磁気デ
ィスク記憶システムはＭＲ読取りトランスジューサ又は
ヘッドを有し、これは、第１の磁気シールド、第１の間
隙絶縁層、ＭＲ縞状素子、導電性リード、第２の間隙絶
縁層、及び第２の磁気シールドを誘電体基板上に構成し
たものである。線形性の良い高い分解能のＭＲヘッドを
作製可能にするために、絶縁材料のバックフィル（back
-fill）層 が第１の間隙絶縁層及び／又は第２の間隙絶
縁層の上に蒸着される。その厚さは、種々の処理過程に
おいて除去された絶縁材料の少なくとも一部分に置換わ
るために実質上十分な厚さであり、それによってＭＲ素
子の回路の短絡を確実に防ぐためのものである。
ィスク記憶システムはＭＲ読取りトランスジューサ又は
ヘッドを有し、これは、第１の磁気シールド、第１の間
隙絶縁層、ＭＲ縞状素子、導電性リード、第２の間隙絶
縁層、及び第２の磁気シールドを誘電体基板上に構成し
たものである。線形性の良い高い分解能のＭＲヘッドを
作製可能にするために、絶縁材料のバックフィル（back
-fill）層 が第１の間隙絶縁層及び／又は第２の間隙絶
縁層の上に蒸着される。その厚さは、種々の処理過程に
おいて除去された絶縁材料の少なくとも一部分に置換わ
るために実質上十分な厚さであり、それによってＭＲ素
子の回路の短絡を確実に防ぐためのものである。
【０００６】さらに特定するならば、一方のバックフィ
ル絶縁層がリードとＭＲ素子に隣接する第１の間隙絶縁
層との間に挿置され、そして他方のバックフィル絶縁層
が第２の間隙絶縁層とＭＲ素子に隣接する第２のシール
ドとの間に挿置される。
ル絶縁層がリードとＭＲ素子に隣接する第１の間隙絶縁
層との間に挿置され、そして他方のバックフィル絶縁層
が第２の間隙絶縁層とＭＲ素子に隣接する第２のシール
ドとの間に挿置される。
【０００７】ＭＲ素子は、好適には、素子の長手方向に
対して鋭角（好適には約４５度）をなす方向にバイアス
を与えられているが、かけられた磁場の大きさと方向に
従ってその磁化方向を自由に回転できる軟磁性ＭＲ層
と、ＭＲ素子の長手方向に対して垂直な方向に固定され
た磁化を有する軟磁性層又は硬磁性層と、これら２つの
層を分離するスペーサ層とから構成される。スペーサ層
は非磁性金属材料であってもよい。また、他の２つの層
を通る分岐電流（shunting current）を無くして読取り
電流が確実に軟磁性ＭＲ層のみを通るようにすることに
よりＭＲヘッドの出力信号を著しく改善するため、絶縁
材料であってもよい。
対して鋭角（好適には約４５度）をなす方向にバイアス
を与えられているが、かけられた磁場の大きさと方向に
従ってその磁化方向を自由に回転できる軟磁性ＭＲ層
と、ＭＲ素子の長手方向に対して垂直な方向に固定され
た磁化を有する軟磁性層又は硬磁性層と、これら２つの
層を分離するスペーサ層とから構成される。スペーサ層
は非磁性金属材料であってもよい。また、他の２つの層
を通る分岐電流（shunting current）を無くして読取り
電流が確実に軟磁性ＭＲ層のみを通るようにすることに
よりＭＲヘッドの出力信号を著しく改善するため、絶縁
材料であってもよい。
【０００８】
【実施例】図１に示すように、本発明を実施する磁気デ
ィスク記憶システム１は、軸３で支持されディスク駆動
モータ４により回転する、回転可能な磁気ディスク２を
有する。複合体である磁気誘導書込み／磁気抵抗読取り
ヘッド５は、ディスク上のトラック（図示せず）に磁気
データを書込み且つ読取るため、アクチュエータ手段に
よりディスクに対して動くことができる。図示の通り、
アクチュエータ手段は、アクチュエータ・アームを介し
て作動するボイスコイル・モータ６、サスペンション
８、及びディスクの径方向にヘッド５を移動させるスラ
イダ９から構成される。
ィスク記憶システム１は、軸３で支持されディスク駆動
モータ４により回転する、回転可能な磁気ディスク２を
有する。複合体である磁気誘導書込み／磁気抵抗読取り
ヘッド５は、ディスク上のトラック（図示せず）に磁気
データを書込み且つ読取るため、アクチュエータ手段に
よりディスクに対して動くことができる。図示の通り、
アクチュエータ手段は、アクチュエータ・アームを介し
て作動するボイスコイル・モータ６、サスペンション
８、及びディスクの径方向にヘッド５を移動させるスラ
イダ９から構成される。
【０００９】図２及び図３に示すように、複合体ヘッド
５は磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド１０を有し、これ
は、磁気シールドＳ１、第１の間隙絶縁層Ｇ１、ＭＲ層
又はＭＲ縞状素子１４を形成する３層、導電性リード１
６ａと１６ｂ、第２の間隙絶縁層Ｇ２、及び磁気シール
ドＳ２を誘電体基板１２上に構成したものである。
５は磁気抵抗（ＭＲ）読取りヘッド１０を有し、これ
は、磁気シールドＳ１、第１の間隙絶縁層Ｇ１、ＭＲ層
又はＭＲ縞状素子１４を形成する３層、導電性リード１
６ａと１６ｂ、第２の間隙絶縁層Ｇ２、及び磁気シール
ドＳ２を誘電体基板１２上に構成したものである。
【００１０】本発明の特徴によれば、バックフィル絶縁
層２０がリード１６ａ、１６ｂとＭＲ素子１４に接する
間隙絶縁層Ｇ１との間に挿置される。さらに、バックフ
ィル絶縁層２２が間隙絶縁層Ｇ２とシールドＳ２との間
に挿置される。これらのバックフィル絶縁層２０、２２
の目的は、種々の処理過程において除去された絶縁材料
を補償する、あるいはその少なくとも一部に置換わるこ
とであり、それによって、ＭＲ素子の回路の短絡を防ぐ
ためである。
層２０がリード１６ａ、１６ｂとＭＲ素子１４に接する
間隙絶縁層Ｇ１との間に挿置される。さらに、バックフ
ィル絶縁層２２が間隙絶縁層Ｇ２とシールドＳ２との間
に挿置される。これらのバックフィル絶縁層２０、２２
の目的は、種々の処理過程において除去された絶縁材料
を補償する、あるいはその少なくとも一部に置換わるこ
とであり、それによって、ＭＲ素子の回路の短絡を防ぐ
ためである。
【００１１】ＭＲヘッド１０は、基板１２上に、先ず第
１のシールド層Ｓ１、次に間隙絶縁層Ｇ１、次に好適に
はＭＲ素子となる単層又は多層１４を蒸着することによ
って作製される。その後、フォトレジスト、好適には２
層フォトレジストが、最後の単層又は多層の上に適用さ
れる。
１のシールド層Ｓ１、次に間隙絶縁層Ｇ１、次に好適に
はＭＲ素子となる単層又は多層１４を蒸着することによ
って作製される。その後、フォトレジスト、好適には２
層フォトレジストが、最後の単層又は多層の上に適用さ
れる。
【００１２】フォトレジストの露光及び現像によりＭＲ
縞状素子１４を形成した後、エッチング（例えばイオン
・ミリング）を利用してＭＲ層（あるいはＭＲ多層）を
削り取ることによりＭＲ素子の精密な形状を決定する。
ＭＲ素子１４の下の領域は、間隙層Ｇ１による絶縁厚み
を有することになる。しかしながら、適切で精確なＭＲ
素子を確実に形成できるように十分な深さまでエッチン
グする結果、導電性リード１６ａ及び１６ｂ並びに他の
パターンが配置されるＭＲ素子１４の隣接領域及び外側
領域の絶縁厚みが削られることになる。
縞状素子１４を形成した後、エッチング（例えばイオン
・ミリング）を利用してＭＲ層（あるいはＭＲ多層）を
削り取ることによりＭＲ素子の精密な形状を決定する。
ＭＲ素子１４の下の領域は、間隙層Ｇ１による絶縁厚み
を有することになる。しかしながら、適切で精確なＭＲ
素子を確実に形成できるように十分な深さまでエッチン
グする結果、導電性リード１６ａ及び１６ｂ並びに他の
パターンが配置されるＭＲ素子１４の隣接領域及び外側
領域の絶縁厚みが削られることになる。
【００１３】本発明の特徴の１つによれば、付加的なア
ルミナ絶縁材料のバックフィル層２０が、形成されたば
かりのＭＲ素子１４の外側領域に蒸着される。好適に
は、２層リフトオフ・レジストの形式のマスクを用いて
行う。この付加的な材料は、ＭＲ素子１４のパターン化
過程において間隙層Ｇ１から除去された絶縁材料に置換
わる。この付加的絶縁材料の厚さは、除去された量と少
なくとも等しいことが好ましい。その後、リフトオフ・
レジストが取除かれる。
ルミナ絶縁材料のバックフィル層２０が、形成されたば
かりのＭＲ素子１４の外側領域に蒸着される。好適に
は、２層リフトオフ・レジストの形式のマスクを用いて
行う。この付加的な材料は、ＭＲ素子１４のパターン化
過程において間隙層Ｇ１から除去された絶縁材料に置換
わる。この付加的絶縁材料の厚さは、除去された量と少
なくとも等しいことが好ましい。その後、リフトオフ・
レジストが取除かれる。
【００１４】その後、フォトレジスト、好適には２層フ
ォトレジストがＭＲ層１４及びバックフィル絶縁層２０
に適用されて、交換（硬磁性）バイアスをもつ領域及び
リード１６ａと１６ｂがフォトレジストの現像エッチン
グにより形成されることになる。フォトレジストの露光
及び現像の結果、アルミナの厚みは現像された領域にお
いて薄くなる。しかしながら、絶縁の信頼性は、これら
の領域において絶縁材料の厚みが増していることにより
保持されるであろう。交換バイアス及びリード材が蒸着
された後、アルミナ等の絶縁材料が導電性リード１６
ａ、１６ｂ及びＭＲ素子１４の上に蒸着されて第２の間
隙絶縁層Ｇ２を形成する。
ォトレジストがＭＲ層１４及びバックフィル絶縁層２０
に適用されて、交換（硬磁性）バイアスをもつ領域及び
リード１６ａと１６ｂがフォトレジストの現像エッチン
グにより形成されることになる。フォトレジストの露光
及び現像の結果、アルミナの厚みは現像された領域にお
いて薄くなる。しかしながら、絶縁の信頼性は、これら
の領域において絶縁材料の厚みが増していることにより
保持されるであろう。交換バイアス及びリード材が蒸着
された後、アルミナ等の絶縁材料が導電性リード１６
ａ、１６ｂ及びＭＲ素子１４の上に蒸着されて第２の間
隙絶縁層Ｇ２を形成する。
【００１５】本発明の別の特徴によれば、付加的絶縁材
料の層２２が、ＭＲ素子１４に隣合う（すなわち、外側
の）層Ｇ２の部分の上にのみ、２層リフトオフ・レジス
トを利用して蒸着される。その後、レジストは取除かれ
る。付加的絶縁層２２は、蒸着された時点では、ピンホ
ールや不適当な末端形成による電気的短絡路を防いで絶
縁の信頼性を確保するに十分な厚さである。最終的に、
磁気シールド材が第２の間隙層Ｇ２及び付加的層２２の
上に蒸着されて、第２のシールド層Ｓ２を形成する。シ
ールド層Ｓ１及びＳ２は、従来技術と同様に、絶縁材料
によりＭＲ素子１４及びリード１６ａ、１６ｂからそれ
ぞれ離されており、それによってヘッド１０からの読取
り信号の分解能を低下させる浮遊磁束の影響を最小限に
する。
料の層２２が、ＭＲ素子１４に隣合う（すなわち、外側
の）層Ｇ２の部分の上にのみ、２層リフトオフ・レジス
トを利用して蒸着される。その後、レジストは取除かれ
る。付加的絶縁層２２は、蒸着された時点では、ピンホ
ールや不適当な末端形成による電気的短絡路を防いで絶
縁の信頼性を確保するに十分な厚さである。最終的に、
磁気シールド材が第２の間隙層Ｇ２及び付加的層２２の
上に蒸着されて、第２のシールド層Ｓ２を形成する。シ
ールド層Ｓ１及びＳ２は、従来技術と同様に、絶縁材料
によりＭＲ素子１４及びリード１６ａ、１６ｂからそれ
ぞれ離されており、それによってヘッド１０からの読取
り信号の分解能を低下させる浮遊磁束の影響を最小限に
する。
【００１６】従って、ＭＲ素子１４が、間隙層Ｇ１とリ
ード１６ａ、１６ｂとの間に挿置され且つ直接接触して
いることは自明であろう。さらに、ＭＲ素子を取巻く領
域２６（図３）においては付加された絶縁材料の層２０
が無いことがわかる。
ード１６ａ、１６ｂとの間に挿置され且つ直接接触して
いることは自明であろう。さらに、ＭＲ素子を取巻く領
域２６（図３）においては付加された絶縁材料の層２０
が無いことがわかる。
【００１７】好適には、ＭＲ素子１４は、３層の材料か
ら形成される。図４に示すように、３層ＭＲ素子１４
は、絶縁層Ｇ１上に蒸着されるＮｉＦｅＲｈ等の強磁性
材料の層３０、その上に蒸着されるＴａ等の非磁性スペ
ーサ材料の層３２、及びさらにその上に蒸着されるＮｉ
Ｆｅ等の軟強磁性材料のＭＲ層３４からなる。軟ＭＲ層
３４は、矢印３６で示されるように素子１４の長手方向
に対して約４５度でバイアスが与えられ、そしてかけら
れる磁場の方向と強度に従って磁化の方向が自由に回転
することができる。層３０は、矢印３８の方向の固定さ
れた磁化を有している。
ら形成される。図４に示すように、３層ＭＲ素子１４
は、絶縁層Ｇ１上に蒸着されるＮｉＦｅＲｈ等の強磁性
材料の層３０、その上に蒸着されるＴａ等の非磁性スペ
ーサ材料の層３２、及びさらにその上に蒸着されるＮｉ
Ｆｅ等の軟強磁性材料のＭＲ層３４からなる。軟ＭＲ層
３４は、矢印３６で示されるように素子１４の長手方向
に対して約４５度でバイアスが与えられ、そしてかけら
れる磁場の方向と強度に従って磁化の方向が自由に回転
することができる。層３０は、矢印３８の方向の固定さ
れた磁化を有している。
【００１８】さらに本発明の別の特徴によれば、図５に
示されたＭＲ素子１４´は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の
絶縁材料のスペーサ層４０が図４の非磁性金属Ｔａ層３
２に置換わっている点で図４のＭＲ素子１４と異なる。
そして、層２０が露出した層３０、４０及び３４の末端
を覆っている。
示されたＭＲ素子１４´は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）等の
絶縁材料のスペーサ層４０が図４の非磁性金属Ｔａ層３
２に置換わっている点で図４のＭＲ素子１４と異なる。
そして、層２０が露出した層３０、４０及び３４の末端
を覆っている。
【００１９】この構成によるＭＲ素子１４´において
は、読取り電流が、層３０及び４０を通る分岐電流無し
にＭＲ層３４のみを確実に通るようにすることにより、
ＭＲヘッド１０の出力信号が著しく改善される。ＭＲヘ
ッド１０のラッピング加工されたエアベアリング面（Ａ
ＢＳ）４２（図２）を、高い電気抵抗を有する塗料４６
で被覆することによりＮｉＦｅのＭＲ層３４とＮｉＦｅ
Ｒｈ層３０との間の分岐電流をさらに確実に防ぐことが
できる。
は、読取り電流が、層３０及び４０を通る分岐電流無し
にＭＲ層３４のみを確実に通るようにすることにより、
ＭＲヘッド１０の出力信号が著しく改善される。ＭＲヘ
ッド１０のラッピング加工されたエアベアリング面（Ａ
ＢＳ）４２（図２）を、高い電気抵抗を有する塗料４６
で被覆することによりＮｉＦｅのＭＲ層３４とＮｉＦｅ
Ｒｈ層３０との間の分岐電流をさらに確実に防ぐことが
できる。
【００２０】バックフィル絶縁層２０、２２のいずれか
又は両方を蒸着可能であることは自明である。これらの
各々の厚さは、種々の処理過程の間に間隙絶縁層Ｇ１及
び／又はＧ２から除去される絶縁材料の厚さに依存す
る。
又は両方を蒸着可能であることは自明である。これらの
各々の厚さは、種々の処理過程の間に間隙絶縁層Ｇ１及
び／又はＧ２から除去される絶縁材料の厚さに依存す
る。
【００２１】さらにアルミナ以外の絶縁材料、ＮｉＦｅ
もしくはＮｉＦｅＲｈ以外の強磁性材料、及びＴａ以外
の非磁性スペーサ材料も、好ましければ使用可能であ
る。
もしくはＮｉＦｅＲｈ以外の強磁性材料、及びＴａ以外
の非磁性スペーサ材料も、好ましければ使用可能であ
る。
【００２２】以上、本発明を好適例に基づいて説明し開
示したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲において形
状及び詳細について変更が可能であることは、当業者に
は自明であろう。従って、ここに開示されたＭＲヘッド
及びその作製方法は、単に説明のためのものと見なすべ
きであり、本発明は特許請求の範囲の記載によってのみ
特定されるべきである。
示したが、本発明の要旨から逸脱しない範囲において形
状及び詳細について変更が可能であることは、当業者に
は自明であろう。従って、ここに開示されたＭＲヘッド
及びその作製方法は、単に説明のためのものと見なすべ
きであり、本発明は特許請求の範囲の記載によってのみ
特定されるべきである。
【００２３】
【発明の効果】本発明の構成を有することにより、高い
分解能と絶縁信頼性を兼ね備えた磁気抵抗読取りヘッド
を提供することができる。
分解能と絶縁信頼性を兼ね備えた磁気抵抗読取りヘッド
を提供することができる。
【図１】本発明を実施する磁気ディスク記憶システムの
概略図である。
概略図である。
【図２】図１の磁気記憶システムの部分を形成するＭＲ
読取りヘッドの断面図である。
読取りヘッドの断面図である。
【図３】図２に示されたＭＲヘッドの主要部を示した平
面図である。
面図である。
【図４】図２及び図３に示されたＭＲヘッドで使用する
３層ＭＲ素子の別の構成を示した拡大断片図である。
３層ＭＲ素子の別の構成を示した拡大断片図である。
【図５】図２及び図３に示されたＭＲヘッドで使用する
３層ＭＲ素子の別の構成を示した拡大断片図である。
３層ＭＲ素子の別の構成を示した拡大断片図である。
１０ ＭＲヘッド １２ 誘電体基板 １４ ＭＲ素子 １６ａ、１６ｂ 導電性リード ２０、２２ バックフィル絶縁層 Ｓ１、Ｓ２ 磁気シールド Ｇ１、Ｇ２ 間隙絶縁層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 モハマド・トーフィック・クラウンビ アメリカ合衆国95120 カリフォルニア州、 サン・ノゼ、パソ・ロス・セリトス 6238
Claims (9)
- 【請求項１】磁気シールド層と、 前記磁気シールド層に接する間隙絶縁層と、 前記間隙絶縁層上のパターン化されたＭＲ素子と、 前記ＭＲ素子に接する１対の導電性リードと、 前記ＭＲ素子が不十分な絶縁材料のために前記シールド
層へ短絡されないよう、前記ＭＲ素子のパターン化過程
中に前記間隙絶縁層から除去された絶縁材料に置換える
ために前記間隙絶縁層と前記ＭＲ素子外側の導電性リー
ドとの間に挿置された絶縁材料によるバックフィル層と
を基板上に有する、 磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスジューサ。 - 【請求項２】前記導電性リード及び前記ＭＲ素子の上の
別の間隙絶縁層と、 前記別の間隙絶縁層により与えられる絶縁性を高めるた
めに、もう一方のシールド層と前記ＭＲ素子の外側の前
記別の間隙絶縁層との間に挿置された絶縁材料による別
のバックフィル層と、 前記間隙絶縁層の上の別の磁気シールド層とを有する、 請求項１のトランスジューサ。 - 【請求項３】前記ＭＲ素子が、 １つの方向に固定された磁化方向を有する磁気材料によ
る第１の層と、 通常前記１つの方向に対して鋭角をなすが、かけられた
磁場の大きさに従ってその方向から回転可能な磁化方向
を有する軟磁性ＭＲ材料による第２の層と、 前記第１の層への分岐電流を防ぐことにより前記ＭＲ素
子の性能を高めるために前記第１の層と前記第２の層と
の間に挿置された絶縁材料による層とを有する、 請求項１のトランスジューサ。 - 【請求項４】前記ＭＲ素子が、 １つの方向に固定された磁化方向を有する磁気材料によ
る第１の層と、 通常前記１つの方向に対して鋭角をなすが、かけられた
磁場の大きさに従ってその方向から回転可能な磁化方向
を有する軟磁性ＭＲ材料による第２の層と、 前記第１の層と前記第２の層との間に挿置された非磁性
材料によるスペーサ層とを有する、 請求項１のトランスジューサ。 - 【請求項５】基板上に、磁気シールド層、第１の間隙絶
縁層及びＭＲ素子となる材料を蒸着し、 前記ＭＲ素子を形成するために前記材料をパターン化
し、 前記ＭＲ素子の外側の前記第１の間隙絶縁層上に、前記
パターン化の過程中に除去された絶縁材料に少なくとも
部分的に置換わるために付加的な絶縁材料を蒸着するこ
とを含む、 磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスジューサを作製する方
法。 - 【請求項６】１対の導電性リードを形成するために、前
記ＭＲ素子の上と、前記第１の間隙絶縁層上の前記付加
的絶縁材料の上とに導電性リードの層を蒸着し、 前記導電性リードと前記ＭＲ素子との上に第２の間隙絶
縁層を蒸着し、 絶縁の信頼性を高めるために、前記ＭＲ素子の外側の前
記第２の間隙絶縁層の上に付加的な絶縁材料を蒸着し、 前記第２の間隙絶縁層の上と、その上に蒸着された前記
付加的な材料の上とに第２の磁気シールド層を形成する
ことを含む、 請求項５のトランスジューサを作製する方法。 - 【請求項７】前記ＭＲ素子となる材料を蒸着する過程に
おいて、 前記第１の間隙絶縁層の上に、ＮｉＦｅＲｈによる軟磁
性層と、Ｔａによる層と、ＮｉＦｅによる軟磁性ＭＲ層
とを順次蒸着することを含む、 請求項５のトランスジューサを作製する方法。 - 【請求項８】前記ＭＲ素子となる材料を蒸着する過程に
おいて、 前記第１の間隙絶縁層の上に、ＮｉＦｅＲｈによる層
と、絶縁材料によるスペーサ層と、ＮｉＦｅによる軟磁
性ＭＲ層とを順次蒸着することを含み、 前記付加的な絶縁材料は、前記スペーサ層と前記ＮｉＦ
ｅＲｈ層とを通る分岐電流を防ぐことにより前記ＭＲ素
子の性能を高めるために前記ＭＲトランスジューサの露
出した末端を覆っている、 請求項５のトランスジューサを作製する方法。 - 【請求項９】基板上に、磁気シールド層、第１の間隙絶
縁層及びＭＲ素子となる材料を蒸着し、 前記ＭＲ素子を形成するために前記材料をパターン化
し、 前記ＭＲ素子の外側の前記第１の間隙絶縁層上に、前記
パターン化の過程中に除去された絶縁材料に置換わるた
めに付加的な絶縁材料を蒸着し、 前記ＭＲ素子に接触する１対の導電性リードを形成する
ために、前記ＭＲ素子の上と前記第１の間隙絶縁層の上
とに導電性リードの層を蒸着し、 前記導電性リードと前記ＭＲ素子との上に第２の間隙絶
縁層を蒸着し、 絶縁の信頼性を高めるために、前記ＭＲ素子の外側の前
記第２の間隙絶縁層の上に付加的な絶縁材料を蒸着し、 前記第２の間隙絶縁層の上と、その上に蒸着された前記
付加的な材料の上とに第２の磁気シールド層を形成する
ことを含む、 磁気抵抗（ＭＲ）読取りトランスジューサを作製する方
法。
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