JPH09116209A - 磁気抵抗効果素子 - Google Patents
磁気抵抗効果素子Info
- Publication number
- JPH09116209A JPH09116209A JP7274451A JP27445195A JPH09116209A JP H09116209 A JPH09116209 A JP H09116209A JP 7274451 A JP7274451 A JP 7274451A JP 27445195 A JP27445195 A JP 27445195A JP H09116209 A JPH09116209 A JP H09116209A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- magnetic
- magnetic field
- field detection
- detection region
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y25/00—Nanomagnetism, e.g. magnetoimpedance, anisotropic magnetoresistance, giant magnetoresistance or tunneling magnetoresistance
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F10/00—Thin magnetic films, e.g. of one-domain structure
- H01F10/32—Spin-exchange-coupled multilayers, e.g. nanostructured superlattices
- H01F10/324—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer
- H01F10/3268—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn
- H01F10/3281—Exchange coupling of magnetic film pairs via a very thin non-magnetic spacer, e.g. by exchange with conduction electrons of the spacer the exchange coupling being asymmetric, e.g. by use of additional pinning, by using antiferromagnetic or ferromagnetic coupling interface, i.e. so-called spin-valve [SV] structure, e.g. NiFe/Cu/NiFe/FeMn only by use of asymmetry of the magnetic film pair itself, i.e. so-called pseudospin valve [PSV] structure, e.g. NiFe/Cu/Co
Abstract
(57)【要約】
【課題】 第１の磁性層２と第２の磁性層４の間に非磁
性層３を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果素子
において、磁界検出領域近傍での積層構造における段差
を小さくすることができ、記録ヘッド部などの平坦性が
改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性を高めることができる
とともに、狭トラック化及び狭ギャップ化を図ることが
できる構造を得る。 【解決手段】 第１の磁性層２及び第２の磁性層４のう
ちの少なくとも一方が磁界検出領域内にのみ形成されて
いるか、あるいは磁界検出領域の非磁性層３の膜厚が、
磁界検出領域以外の膜厚よりも薄くなるように形成され
ていることを特徴としている。
性層３を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果素子
において、磁界検出領域近傍での積層構造における段差
を小さくすることができ、記録ヘッド部などの平坦性が
改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性を高めることができる
とともに、狭トラック化及び狭ギャップ化を図ることが
できる構造を得る。 【解決手段】 第１の磁性層２及び第２の磁性層４のう
ちの少なくとも一方が磁界検出領域内にのみ形成されて
いるか、あるいは磁界検出領域の非磁性層３の膜厚が、
磁界検出領域以外の膜厚よりも薄くなるように形成され
ていることを特徴としている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気抵抗効果素子
に関するものであり、特に第１の磁性層と第２の磁性層
の間に非磁性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗
効果素子に関するものである。
に関するものであり、特に第１の磁性層と第２の磁性層
の間に非磁性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗
効果素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果素子は、外部磁界の変化に
対応して素子内の電気伝導状態が変化する現象を利用し
たものであり、波形歪みの少ない高い出力特性が得られ
ることから、磁気ヘッド用再生ヘッドとしてその利用が
検討されている。
対応して素子内の電気伝導状態が変化する現象を利用し
たものであり、波形歪みの少ない高い出力特性が得られ
ることから、磁気ヘッド用再生ヘッドとしてその利用が
検討されている。
【０００３】近年、磁気記録における高密度化が急速に
進んでおり、このため磁気ヘッドにおいても、微小領域
から高精度に目的とする磁束だけを読み取る技術開発が
急速に進んでいる。このような観点から、磁気ヘッドの
狭トラック化及び狭ギャップ化が検討されている。
進んでおり、このため磁気ヘッドにおいても、微小領域
から高精度に目的とする磁束だけを読み取る技術開発が
急速に進んでいる。このような観点から、磁気ヘッドの
狭トラック化及び狭ギャップ化が検討されている。
【０００４】一方、感度の高い磁気抵抗効果素子とし
て、巨大磁気抵抗変化すなわち大きなＭＲ比を示す磁気
抵抗効果素子の開発が進められており、このようなもの
として磁性層と非磁性層とを積層させた磁性膜を備える
ものが知られている。
て、巨大磁気抵抗変化すなわち大きなＭＲ比を示す磁気
抵抗効果素子の開発が進められており、このようなもの
として磁性層と非磁性層とを積層させた磁性膜を備える
ものが知られている。
【０００５】このような巨大磁気抵抗変化を示す磁気抵
抗素子の１つとして、Ｃｏ層とＣｕ層とを交互に積層さ
せ、Ｃｏ−Ｃｕ層間に反強磁性結合を形成させた磁気抵
抗素子が知られている。このような磁気抵抗素子では、
非磁性体層であるＣｕ層を挟み、ほぼ同じ組成でほぼ同
じ保磁力を有する磁性層であるＣｏ層が存在している。
このような磁気抵抗効果素子は、一般に人工格子型と呼
ばれている。
抗素子の１つとして、Ｃｏ層とＣｕ層とを交互に積層さ
せ、Ｃｏ−Ｃｕ層間に反強磁性結合を形成させた磁気抵
抗素子が知られている。このような磁気抵抗素子では、
非磁性体層であるＣｕ層を挟み、ほぼ同じ組成でほぼ同
じ保磁力を有する磁性層であるＣｏ層が存在している。
このような磁気抵抗効果素子は、一般に人工格子型と呼
ばれている。
【０００６】また、巨大磁気抵抗変化を示す他の磁気抵
抗効果素子として、非磁性層であるＣｕ層を挟み、異な
る保磁力の磁性層を両側に設けたサンドイッチ構造のも
のが知られている。このような磁性膜では、非磁性層を
挟む両側の磁性層間に磁性結合が存在していない。この
ような磁気抵抗効果素子は、一般にスピンバルブ型と呼
ばれている。
抗効果素子として、非磁性層であるＣｕ層を挟み、異な
る保磁力の磁性層を両側に設けたサンドイッチ構造のも
のが知られている。このような磁性膜では、非磁性層を
挟む両側の磁性層間に磁性結合が存在していない。この
ような磁気抵抗効果素子は、一般にスピンバルブ型と呼
ばれている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】このような磁気抵抗効
果素子においては、磁性層と非磁性層を積層した磁気抵
抗効果膜に、磁気抵抗効果膜よりも低い磁気抵抗を有す
る一対の電極リード層を所定の間隔離して形成し、この
電極リード層の間の領域を磁界検出領域として規定して
いた。しかしながら、このような方法で磁界検出領域を
形成する場合、磁界検出領域の近傍に膜厚の厚い電極リ
ード層が接近して形成され、電極リード層の上部に形成
される絶縁層、及び記録ヘッド部の平坦性が阻害される
という問題があった。従って、再生ＭＲヘッドの狭ギャ
ップ化などの目的で絶縁層を薄くしようとする場合、絶
縁層においてピンホールが発生し、十分な絶縁性を得る
ことができないなどの問題を生じた。
果素子においては、磁性層と非磁性層を積層した磁気抵
抗効果膜に、磁気抵抗効果膜よりも低い磁気抵抗を有す
る一対の電極リード層を所定の間隔離して形成し、この
電極リード層の間の領域を磁界検出領域として規定して
いた。しかしながら、このような方法で磁界検出領域を
形成する場合、磁界検出領域の近傍に膜厚の厚い電極リ
ード層が接近して形成され、電極リード層の上部に形成
される絶縁層、及び記録ヘッド部の平坦性が阻害される
という問題があった。従って、再生ＭＲヘッドの狭ギャ
ップ化などの目的で絶縁層を薄くしようとする場合、絶
縁層においてピンホールが発生し、十分な絶縁性を得る
ことができないなどの問題を生じた。
【０００８】また狭トラック化を図るためには、一対の
電極リード層間の距離を狭くする必要があるが、電極リ
ード層間の距離を狭くすると、積層構造における段差の
問題がさらに大きくなり、記録ヘッド部などの平坦性が
悪くなるとともに、絶縁層の耐絶縁性がより大きな問題
となった。
電極リード層間の距離を狭くする必要があるが、電極リ
ード層間の距離を狭くすると、積層構造における段差の
問題がさらに大きくなり、記録ヘッド部などの平坦性が
悪くなるとともに、絶縁層の耐絶縁性がより大きな問題
となった。
【０００９】従って、従来の磁気抵抗素子の構造におい
ては、狭トラック化及び狭ギャップ化を達成することが
困難であった。本発明の目的は、このような従来の問題
点を解消し、磁界検出領域近傍での積層構造における段
差を小さくすることができ、記録ヘッド部などの平坦性
が改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性を高めることができ
るとともに、狭トラック化及び狭ギャップ化を図ること
ができる磁気抵抗効果素子を提供することにある。
ては、狭トラック化及び狭ギャップ化を達成することが
困難であった。本発明の目的は、このような従来の問題
点を解消し、磁界検出領域近傍での積層構造における段
差を小さくすることができ、記録ヘッド部などの平坦性
が改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性を高めることができ
るとともに、狭トラック化及び狭ギャップ化を図ること
ができる磁気抵抗効果素子を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に従う第１の局面
の磁気抵抗効果素子は、第１の磁性層と第２の磁性層の
間に非磁性層を介在させた積層構造を有し、第１の磁性
層及び第２の磁性層のうちの少なくとも一方が磁界検出
領域内にのみ実質的に形成されている。
の磁気抵抗効果素子は、第１の磁性層と第２の磁性層の
間に非磁性層を介在させた積層構造を有し、第１の磁性
層及び第２の磁性層のうちの少なくとも一方が磁界検出
領域内にのみ実質的に形成されている。
【００１１】第１の局面において、磁界検出領域内にの
み形成される磁性層は、基板上に形成される場合、基板
側、すなわち下層の磁性層であってもよいし、基板から
離れた側、すなわち上層の磁性層であってもよい。また
第１の磁性層及び第２の磁性層の両方ともに磁界検出領
域内にのみ形成されていてもよい。なお、本発明におい
て「磁界検出領域内にのみ実質的に形成されている」と
は、磁界検出領域以外の領域に、第１の磁性層及び第２
の磁性層のうちの少なくとも一方がわずかな領域で、あ
るいはわずかな厚みで形成されていてもよいことを意味
している。すなわち、磁界検出領域以外の領域で実質的
に磁気抵抗効果膜として機能するような構造になってい
なければ、第１の磁性層または第２の磁性層が形成され
ていてもよいことを意味している。
み形成される磁性層は、基板上に形成される場合、基板
側、すなわち下層の磁性層であってもよいし、基板から
離れた側、すなわち上層の磁性層であってもよい。また
第１の磁性層及び第２の磁性層の両方ともに磁界検出領
域内にのみ形成されていてもよい。なお、本発明におい
て「磁界検出領域内にのみ実質的に形成されている」と
は、磁界検出領域以外の領域に、第１の磁性層及び第２
の磁性層のうちの少なくとも一方がわずかな領域で、あ
るいはわずかな厚みで形成されていてもよいことを意味
している。すなわち、磁界検出領域以外の領域で実質的
に磁気抵抗効果膜として機能するような構造になってい
なければ、第１の磁性層または第２の磁性層が形成され
ていてもよいことを意味している。
【００１２】第１の局面に従えば、第１の磁性層及び第
２の磁性層のうちの少なくとも一方が磁界検出領域内に
のみ実施的に形成されている。従って、磁界検出領域内
では、第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介
在させた積層構造が形成されており、大きな磁気抵抗変
化、すなわち大きなＭＲ比を示すが、磁界検出領域以外
の領域では、第１の磁性層または第２の磁性層が形成さ
れていないので、大きなＭＲ比を示す磁気抵抗効果膜の
構造とはなっていない。従って、磁界検出領域内でのみ
実質的に磁気抵抗効果素子として機能する。従って、従
来のように、電極リード層でトラック幅方向の磁界検出
領域を規定する必要がなく、電極リード層を磁界検出領
域から離れた位置に形成することができる。
２の磁性層のうちの少なくとも一方が磁界検出領域内に
のみ実施的に形成されている。従って、磁界検出領域内
では、第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介
在させた積層構造が形成されており、大きな磁気抵抗変
化、すなわち大きなＭＲ比を示すが、磁界検出領域以外
の領域では、第１の磁性層または第２の磁性層が形成さ
れていないので、大きなＭＲ比を示す磁気抵抗効果膜の
構造とはなっていない。従って、磁界検出領域内でのみ
実質的に磁気抵抗効果素子として機能する。従って、従
来のように、電極リード層でトラック幅方向の磁界検出
領域を規定する必要がなく、電極リード層を磁界検出領
域から離れた位置に形成することができる。
【００１３】本発明に従う第２の局面の磁気抵抗効果素
子は、第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介
在させた積層構造を有し、非磁性層の磁界検出領域内の
膜厚が、磁界検出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に
薄くなるように形成されている。
子は、第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介
在させた積層構造を有し、非磁性層の磁界検出領域内の
膜厚が、磁界検出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に
薄くなるように形成されている。
【００１４】第１の磁性層と第２の磁性層の間に介在す
る非磁性層の膜厚には、大きなＭＲ比を与える最適な厚
みが存在する。従って、非磁性層の磁界検出領域内の膜
厚をこのような厚みとし、磁界検出領域以外の領域の膜
厚を磁界検出領域内の膜厚よりも相対的に厚くなるよう
に構成することにより、磁界検出領域内でのみ大きなＭ
Ｒ比を示す磁気抵抗効果素子とすることができる。従っ
て、従来のように電極リード層でトラック幅方向の磁界
検出領域を規定する必要がなく、電極リード層の位置を
磁界検出領域から離れた位置にすることができる。な
お、後述するように、磁界検出領域以外の領域の非磁性
層の膜厚は、磁界検出領域内の膜厚の２倍以上であるこ
とが好ましい。
る非磁性層の膜厚には、大きなＭＲ比を与える最適な厚
みが存在する。従って、非磁性層の磁界検出領域内の膜
厚をこのような厚みとし、磁界検出領域以外の領域の膜
厚を磁界検出領域内の膜厚よりも相対的に厚くなるよう
に構成することにより、磁界検出領域内でのみ大きなＭ
Ｒ比を示す磁気抵抗効果素子とすることができる。従っ
て、従来のように電極リード層でトラック幅方向の磁界
検出領域を規定する必要がなく、電極リード層の位置を
磁界検出領域から離れた位置にすることができる。な
お、後述するように、磁界検出領域以外の領域の非磁性
層の膜厚は、磁界検出領域内の膜厚の２倍以上であるこ
とが好ましい。
【００１５】本発明に従う第３の局面の磁気抵抗効果素
子は、上記本発明の第１の局面及び第２の局面の構成を
組み合わせた磁気抵抗効果素子である。すなわち、第１
の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積
層構造を有し、第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの
少なくとも一方が磁界検出領域内にのみ実施的に形成さ
れており、かつ非磁性層の磁界検出領域内の膜厚が、磁
界検出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるよ
うに形成されている。
子は、上記本発明の第１の局面及び第２の局面の構成を
組み合わせた磁気抵抗効果素子である。すなわち、第１
の磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積
層構造を有し、第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの
少なくとも一方が磁界検出領域内にのみ実施的に形成さ
れており、かつ非磁性層の磁界検出領域内の膜厚が、磁
界検出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるよ
うに形成されている。
【００１６】第３の局面に従えば、磁界検出領域内にの
み第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの少なくとも一
方が形成されるので、これにより磁界検出領域の厚みは
磁界検出領域以外の領域よりも厚くなる。しかしなが
ら、一方、非磁性層の磁界検出領域内の膜厚は、磁界検
出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるように
形成されるので、膜厚増加分が相殺され、磁界検出領域
の境界部分における段差はより小さくなる。
み第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの少なくとも一
方が形成されるので、これにより磁界検出領域の厚みは
磁界検出領域以外の領域よりも厚くなる。しかしなが
ら、一方、非磁性層の磁界検出領域内の膜厚は、磁界検
出領域以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるように
形成されるので、膜厚増加分が相殺され、磁界検出領域
の境界部分における段差はより小さくなる。
【００１７】さらに、第１の局面による効果と第２の局
面による効果とが組み合わされ、磁界検出領域内での磁
気抵抗変化が、磁界検出領域以外の領域に比べ非常に大
きなものとなり、より検出感度を高めることができる。
面による効果とが組み合わされ、磁界検出領域内での磁
気抵抗変化が、磁界検出領域以外の領域に比べ非常に大
きなものとなり、より検出感度を高めることができる。
【００１８】以下、本発明の第１の局面、第２の局面、
及び第３の局面に共通の構成について説明する。本発明
における第１の磁性層及び第２の磁性層は、強磁性を示
す磁性体であれば、特に限定されるものではなく、例え
ば鉄族（３ｄ）の遷移金属を少なくとも１種類含む材料
から構成される。具体的には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち
の少なくとも１種類の成分を含んだ材料から構成され
る。また、例えば、ＣｏＰｔ合金などのように鉄族（３
ｄ）元素以外の元素をその構成要素とすることを妨げる
ものではない。
及び第３の局面に共通の構成について説明する。本発明
における第１の磁性層及び第２の磁性層は、強磁性を示
す磁性体であれば、特に限定されるものではなく、例え
ば鉄族（３ｄ）の遷移金属を少なくとも１種類含む材料
から構成される。具体的には、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｎｉのうち
の少なくとも１種類の成分を含んだ材料から構成され
る。また、例えば、ＣｏＰｔ合金などのように鉄族（３
ｄ）元素以外の元素をその構成要素とすることを妨げる
ものではない。
【００１９】本発明において、第１の磁性層と第２の磁
性層は、ほぼ同じ組成でほぼ同じ保磁力を有する磁性体
から形成されていてもよいし、互いに異なる保磁力を有
する磁性体から形成されていてもよい。
性層は、ほぼ同じ組成でほぼ同じ保磁力を有する磁性体
から形成されていてもよいし、互いに異なる保磁力を有
する磁性体から形成されていてもよい。
【００２０】本発明における非磁性層は、電気伝導率に
おいて、第１の磁性層及び第２の磁性層よりも高い電気
伝導率を有する非磁性金属材料を少なくとも含む材料か
ら構成される。具体的には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの元
素が挙げられる。
おいて、第１の磁性層及び第２の磁性層よりも高い電気
伝導率を有する非磁性金属材料を少なくとも含む材料か
ら構成される。具体的には、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕなどの元
素が挙げられる。
【００２１】第１の磁性層／非磁性層／第２の磁性層の
具体的な組み合わせの例としては、例えば、ＮｉＦｅ／
Ｃｕ／Ｃｏ，ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ，Ｆｅ／Ａｇ／
Ｆｅ，Ｃｏ／Ａｕ／Ｃｏ，ＮｉＦｅＣｏ／Ｃｕ／Ｃｏ，
ＮｉＦｅＣｒ／Ｃｕ／Ｃｏ，ＣｏＰｔ／Ｃｕ／ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＺｒＭｏＮｉ／Ｃｕ／Ｃｏなどが挙げられる。
具体的な組み合わせの例としては、例えば、ＮｉＦｅ／
Ｃｕ／Ｃｏ，ＣｏＦｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ，Ｆｅ／Ａｇ／
Ｆｅ，Ｃｏ／Ａｕ／Ｃｏ，ＮｉＦｅＣｏ／Ｃｕ／Ｃｏ，
ＮｉＦｅＣｒ／Ｃｕ／Ｃｏ，ＣｏＰｔ／Ｃｕ／ＮｉＦ
ｅ，ＣｏＺｒＭｏＮｉ／Ｃｕ／Ｃｏなどが挙げられる。
【００２２】また本発明の磁気抵抗効果素子において
は、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性層を介して交
互に積層されており、それによって第１の磁性層と第２
の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層ユニットが複
数ユニット形成されていてもよい。
は、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性層を介して交
互に積層されており、それによって第１の磁性層と第２
の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層ユニットが複
数ユニット形成されていてもよい。
【００２３】
【発明の実施の形態】図１は、本発明に従う第１の局面
の磁気抵抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。
図１を参照して、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材
料からなる基板１上の磁界検出領域には、第１の磁性層
であるＮｉＦｅ層２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。
さらにＮｉＦｅ層２と基板１上を覆うように、非磁性層
であるＣｕ層３（膜厚３ｎｍ）が形成されている。Ｃｕ
層３の上には、第２の磁性層であるＣｏ層４が形成され
ている。Ｃｏ層４の上には、一対の電極リード層５，６
が互いに所定距離離れるように設けられている。電極リ
ード層はＣｕから形成され、膜厚１００ｎｍとなるよう
に形成されている。本実施形態では、電極リード層を第
２の磁性層であるＣｏ層４の上に形成しているが、電極
リード層は、第１の磁性層、第２の磁性層、及び非磁性
層のいずれかの層に接触するように設けられればよく、
電極リード層の下地層となる層は特に限定されるもので
はない。
の磁気抵抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。
図１を参照して、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材
料からなる基板１上の磁界検出領域には、第１の磁性層
であるＮｉＦｅ層２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。
さらにＮｉＦｅ層２と基板１上を覆うように、非磁性層
であるＣｕ層３（膜厚３ｎｍ）が形成されている。Ｃｕ
層３の上には、第２の磁性層であるＣｏ層４が形成され
ている。Ｃｏ層４の上には、一対の電極リード層５，６
が互いに所定距離離れるように設けられている。電極リ
ード層はＣｕから形成され、膜厚１００ｎｍとなるよう
に形成されている。本実施形態では、電極リード層を第
２の磁性層であるＣｏ層４の上に形成しているが、電極
リード層は、第１の磁性層、第２の磁性層、及び非磁性
層のいずれかの層に接触するように設けられればよく、
電極リード層の下地層となる層は特に限定されるもので
はない。
【００２４】ＮｉＦｅ層２は、磁界検出領域の幅である
３μｍの幅となるように形成されている。本実施形態で
は、磁界検出領域にのみＮｉＦｅ層２が形成されている
ため、磁界検出領域にのみ第１の磁性層と第２の磁性層
の間に非磁性層を介在させた磁気抵抗効果を示す積層構
造が形成されている。従って、本実施形態では、ＮｉＦ
ｅ層２を磁界検出領域にのみ形成することにより、磁界
検出領域が規定されている。このため、電極リード層
５，６は、磁界検出領域から離れた位置に形成すること
ができる。
３μｍの幅となるように形成されている。本実施形態で
は、磁界検出領域にのみＮｉＦｅ層２が形成されている
ため、磁界検出領域にのみ第１の磁性層と第２の磁性層
の間に非磁性層を介在させた磁気抵抗効果を示す積層構
造が形成されている。従って、本実施形態では、ＮｉＦ
ｅ層２を磁界検出領域にのみ形成することにより、磁界
検出領域が規定されている。このため、電極リード層
５，６は、磁界検出領域から離れた位置に形成すること
ができる。
【００２５】図２は、本発明に従う第１の局面の磁気抵
抗効果素子の他の実施形態を示す断面図である。図２を
参照して、ガラスまたはシリコンなどからなる基板１１
の上には、第１の磁性層であるＮｉＦｅ層１２（膜厚６
ｎｍ）が形成されており、このＮｉＦｅ層１２の上に非
磁性層であるＣｕ層１３（膜厚３ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層１３上の磁界検出領域の部分には、第２の磁
性層であるＣｏ層１４（膜厚５ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層１３上の磁界検出領域から離れた位置には、
一対の電極リード層１５，１６が設けられている。電極
リード層１５，１６は、Ｃｕからなり、膜厚１００ｎｍ
となるように形成されている。
抗効果素子の他の実施形態を示す断面図である。図２を
参照して、ガラスまたはシリコンなどからなる基板１１
の上には、第１の磁性層であるＮｉＦｅ層１２（膜厚６
ｎｍ）が形成されており、このＮｉＦｅ層１２の上に非
磁性層であるＣｕ層１３（膜厚３ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層１３上の磁界検出領域の部分には、第２の磁
性層であるＣｏ層１４（膜厚５ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層１３上の磁界検出領域から離れた位置には、
一対の電極リード層１５，１６が設けられている。電極
リード層１５，１６は、Ｃｕからなり、膜厚１００ｎｍ
となるように形成されている。
【００２６】本実施形態では、第２の磁性層であるＣｏ
層１４が磁界検出領域のみに形成されることにより、磁
界検出領域内に磁気抵抗効果膜の積層構造が形成されて
いる。従って、Ｃｏ層１４を磁界検出領域にのみ形成す
ることにより、磁界検出領域が規定されている。このた
め、電極リード層１５，１６は、磁界検出領域から離れ
た位置に形成することができる。
層１４が磁界検出領域のみに形成されることにより、磁
界検出領域内に磁気抵抗効果膜の積層構造が形成されて
いる。従って、Ｃｏ層１４を磁界検出領域にのみ形成す
ることにより、磁界検出領域が規定されている。このた
め、電極リード層１５，１６は、磁界検出領域から離れ
た位置に形成することができる。
【００２７】図３は、図１に示す実施形態を製造する工
程を示す断面図である。図３（ａ）を参照して、基板１
の上に第１の磁性層であるＮｉＦｅ層２を、イオンビー
ムスパッタリング法により形成する。イオンビームスパ
ッタ条件は、到達真空度６×１０-6Ｐａ、スパッタリン
グ時のＡｒガス圧は８×１０-3Ｐａ、イオン加速電圧３
００Ｖとし、ターゲットとしてＮｉＦｅのターゲットを
用いた。
程を示す断面図である。図３（ａ）を参照して、基板１
の上に第１の磁性層であるＮｉＦｅ層２を、イオンビー
ムスパッタリング法により形成する。イオンビームスパ
ッタ条件は、到達真空度６×１０-6Ｐａ、スパッタリン
グ時のＡｒガス圧は８×１０-3Ｐａ、イオン加速電圧３
００Ｖとし、ターゲットとしてＮｉＦｅのターゲットを
用いた。
【００２８】次に、図３（ｂ）を参照して、ＮｉＦｅ層
２の磁界検出領域となる部分の上にマスクカバー７を載
せ、イオンビームを照射するイオンビームエッチングに
より磁界検出領域以外のＮｉＦｅ層２を除去し、磁界検
出領域にのみＮｉＦｅ層２を残した。
２の磁界検出領域となる部分の上にマスクカバー７を載
せ、イオンビームを照射するイオンビームエッチングに
より磁界検出領域以外のＮｉＦｅ層２を除去し、磁界検
出領域にのみＮｉＦｅ層２を残した。
【００２９】次に、マスクカバー７を取り除いた後、図
３（ｃ）を参照して、ＮｉＦｅ層２及び基板１の上に、
ＮｉＦｅ層２形成時のイオンビームスパッタ条件と同一
の条件で、イオンビームスパッタリングすることによ
り、Ｃｕ層３及びＣｏ層４を連続して形成した。ターゲ
ットとしては、それぞれＣｕのターゲット及びＣｏのタ
ーゲットを用いた。
３（ｃ）を参照して、ＮｉＦｅ層２及び基板１の上に、
ＮｉＦｅ層２形成時のイオンビームスパッタ条件と同一
の条件で、イオンビームスパッタリングすることによ
り、Ｃｕ層３及びＣｏ層４を連続して形成した。ターゲ
ットとしては、それぞれＣｕのターゲット及びＣｏのタ
ーゲットを用いた。
【００３０】次に、図３（ｄ）を参照して、Ｃｏ層４の
上に電極リード層となるＣｕ層をイオンビームスパッタ
リング法により形成した後、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、磁界検出領域近傍の部分を除去するこ
とにより、一対の電極リード層５，６として残るように
形成した。
上に電極リード層となるＣｕ層をイオンビームスパッタ
リング法により形成した後、フォトリソグラフィ法によ
りパターン化し、磁界検出領域近傍の部分を除去するこ
とにより、一対の電極リード層５，６として残るように
形成した。
【００３１】図４は、図２に示す実施形態を製造する工
程を示す断面図である。図４（ａ）を参照して、基板１
１の上に、ＮｉＦｅ層１２、Ｃｕ層１３、及びＣｏ層１
４を、イオンビームスパッタリング法により同一真空下
で連続して成膜することにより形成した。スパッタリン
グ条件は、図３を参照して説明した製造工程と同様の条
件で行った。
程を示す断面図である。図４（ａ）を参照して、基板１
１の上に、ＮｉＦｅ層１２、Ｃｕ層１３、及びＣｏ層１
４を、イオンビームスパッタリング法により同一真空下
で連続して成膜することにより形成した。スパッタリン
グ条件は、図３を参照して説明した製造工程と同様の条
件で行った。
【００３２】次に、図４（ｂ）に示すように、Ｃｏ層１
４の磁界検出領域の上に、マスクあるいはレジスト膜な
どのカバー１７を設け、イオンビーム照射することによ
り、イオンビームエッチングで、磁界検出領域以外の領
域のＣｏ層１４の部分を除去した。
４の磁界検出領域の上に、マスクあるいはレジスト膜な
どのカバー１７を設け、イオンビーム照射することによ
り、イオンビームエッチングで、磁界検出領域以外の領
域のＣｏ層１４の部分を除去した。
【００３３】次に、カバー１７を取り除き、図４（ｃ）
に示すように、Ｃｕ層１３の上に一対の電極リード層１
５，１６を形成した。電極リード層１５，１６は、Ｃｕ
層を形成した後、フォトリソグラフィ法により磁界検出
領域近傍の部分を除去するようにパターン化して形成し
た。
に示すように、Ｃｕ層１３の上に一対の電極リード層１
５，１６を形成した。電極リード層１５，１６は、Ｃｕ
層を形成した後、フォトリソグラフィ法により磁界検出
領域近傍の部分を除去するようにパターン化して形成し
た。
【００３４】図１及び図２に示す実施形態の磁気抵抗効
果素子について、素子特性（オフトラック特性）を評価
した。磁界を発生する被検出物に対し、磁気抵抗効果素
子を幅方向に移動させ、このとき得られる素子電圧を測
定し、その結果を図５に示した。また比較として、図１
２に示す従来例の構造の磁気抵抗効果素子についても同
様にして評価し、図５に従来例として示した。図１２に
示す従来例の磁気抵抗効果素子は、ガラスまたはシリコ
ンなどの基板６１の上に、第１の磁性層であるＮｉＦｅ
層６２（膜厚６ｎｍ）、非磁性層であるＣｕ層６３（膜
厚２．５ｎｍ）、第２の磁性層であるＣｏ層６４（膜厚
５ｎｍ）を順次形成した後、Ｃｏ層６４の上にＣｕから
なる一対の電極リード層６５，６６（膜厚０．２μｍ）
を形成し、この電極リード層６５，６６の間の距離を、
磁界検出領域の幅である３μｍとしている。さらにこの
上にアルミナ絶縁層６７（膜厚０．１μｍ）及び磁場シ
ールド層として機能するＮｉＦｅ層６８（膜厚２．５μ
ｍ）を形成している。
果素子について、素子特性（オフトラック特性）を評価
した。磁界を発生する被検出物に対し、磁気抵抗効果素
子を幅方向に移動させ、このとき得られる素子電圧を測
定し、その結果を図５に示した。また比較として、図１
２に示す従来例の構造の磁気抵抗効果素子についても同
様にして評価し、図５に従来例として示した。図１２に
示す従来例の磁気抵抗効果素子は、ガラスまたはシリコ
ンなどの基板６１の上に、第１の磁性層であるＮｉＦｅ
層６２（膜厚６ｎｍ）、非磁性層であるＣｕ層６３（膜
厚２．５ｎｍ）、第２の磁性層であるＣｏ層６４（膜厚
５ｎｍ）を順次形成した後、Ｃｏ層６４の上にＣｕから
なる一対の電極リード層６５，６６（膜厚０．２μｍ）
を形成し、この電極リード層６５，６６の間の距離を、
磁界検出領域の幅である３μｍとしている。さらにこの
上にアルミナ絶縁層６７（膜厚０．１μｍ）及び磁場シ
ールド層として機能するＮｉＦｅ層６８（膜厚２．５μ
ｍ）を形成している。
【００３５】なお、図１及び図２には、図１２に示すよ
うなアルミナ絶縁層及びその上に形成されるＮｉＦｅ層
を図示していないが、素子特性の評価にあたっては、ア
ルミナ絶縁層及びＮｉＦｅ層を形成したものについて行
った。
うなアルミナ絶縁層及びその上に形成されるＮｉＦｅ層
を図示していないが、素子特性の評価にあたっては、ア
ルミナ絶縁層及びＮｉＦｅ層を形成したものについて行
った。
【００３６】図５において、本発明例として示す曲線
は、いずれも図１及び図２に示す実施形態の磁気抵抗効
果素子の素子電圧の変化を示しており、従来例は図１２
に示す従来の磁気抵抗効果素子の素子電圧の変化を示し
ている。図５に示されるように、本発明例においては、
従来例と比較して、最大素子電圧変化の半値幅が約２０
％小さくなっていることがわかる。従って、本実施形態
の磁気抵抗効果素子においては、幅方向の磁界検出精度
が向上していることがわかる。
は、いずれも図１及び図２に示す実施形態の磁気抵抗効
果素子の素子電圧の変化を示しており、従来例は図１２
に示す従来の磁気抵抗効果素子の素子電圧の変化を示し
ている。図５に示されるように、本発明例においては、
従来例と比較して、最大素子電圧変化の半値幅が約２０
％小さくなっていることがわかる。従って、本実施形態
の磁気抵抗効果素子においては、幅方向の磁界検出精度
が向上していることがわかる。
【００３７】また、図１及び図２に示されるように、第
１の局面に従えば、電極リード層を磁界検出領域から離
れた位置に形成することができるので、電極リード層を
設けることによる磁界検出領域近傍での積層構造におけ
る段差を小さくすることができる。従って、ＭＲヘッド
の上に形成される記録ヘッド部などの平坦性も改善され
る。また磁界検出領域近傍での積層構造による段差を小
さくすることができるので、絶縁層の薄膜化を図ること
ができ、狭ギャップ化を達成することができる。
１の局面に従えば、電極リード層を磁界検出領域から離
れた位置に形成することができるので、電極リード層を
設けることによる磁界検出領域近傍での積層構造におけ
る段差を小さくすることができる。従って、ＭＲヘッド
の上に形成される記録ヘッド部などの平坦性も改善され
る。また磁界検出領域近傍での積層構造による段差を小
さくすることができるので、絶縁層の薄膜化を図ること
ができ、狭ギャップ化を達成することができる。
【００３８】図６は、本発明に従う第１の局面の磁気抵
抗効果素子のさらに他の実施形態を示す断面図である。
本実施形態では、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性
層を介して交互に積層されており、これによって第１の
磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層
ユニットが複数ユニット形成されている。ガラスなどの
非磁性材料からなる基板２１の磁界検出領域の上に、第
１の磁性層であるＮｉＦｅ層２２（膜厚６ｎｍ）が形成
されている。ＮｉＦｅ層２２及び基板２１の上には、非
磁性層であるＣｕ層２３（膜厚３ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層２３の上には、第２の磁性層であるＣｏ層２
４（膜厚５ｎｍ）、及び非磁性層であるＣｕ層２５（膜
厚３ｎｍ）が形成されている。
抗効果素子のさらに他の実施形態を示す断面図である。
本実施形態では、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性
層を介して交互に積層されており、これによって第１の
磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層
ユニットが複数ユニット形成されている。ガラスなどの
非磁性材料からなる基板２１の磁界検出領域の上に、第
１の磁性層であるＮｉＦｅ層２２（膜厚６ｎｍ）が形成
されている。ＮｉＦｅ層２２及び基板２１の上には、非
磁性層であるＣｕ層２３（膜厚３ｎｍ）が形成されてい
る。Ｃｕ層２３の上には、第２の磁性層であるＣｏ層２
４（膜厚５ｎｍ）、及び非磁性層であるＣｕ層２５（膜
厚３ｎｍ）が形成されている。
【００３９】Ｃｕ層２５の磁界検出領域の上には、再び
第１の磁性層であるＮｉＦｅ層２６（膜厚６ｎｍ）が形
成されている。ＮｉＦｅ層２６及びＣｕ層２５の上に
は、非磁性層であるＣｕ層２７（膜厚３ｎｍ）及び第２
の磁性層であるＣｏ層２８（膜厚５ｎｍ）が積層されて
いる。
第１の磁性層であるＮｉＦｅ層２６（膜厚６ｎｍ）が形
成されている。ＮｉＦｅ層２６及びＣｕ層２５の上に
は、非磁性層であるＣｕ層２７（膜厚３ｎｍ）及び第２
の磁性層であるＣｏ層２８（膜厚５ｎｍ）が積層されて
いる。
【００４０】以上のようにして、本実施形態では、磁界
検出領域において、第１の磁性層／非磁性層／第２の磁
性層の積層構造からなるユニットが複数ユニット積み重
ねられた磁気抵抗効果膜を構成している。また本実施形
態では、磁界検出領域以外の領域でＣｕ層２５及び２７
が積層され、膜厚６ｎｍのＣｕ層となっている。このよ
うに磁界検出領域以外の領域で非磁性層の膜厚が厚くな
ることからも、検出領域とそれ以外の領域とで、ＭＲ比
の差が大きくなっている。従って、磁界検出領域での
み、大きなＭＲ比の磁気抵抗効果を発揮することがで
き、ＭＲ素子として有効に働く。
検出領域において、第１の磁性層／非磁性層／第２の磁
性層の積層構造からなるユニットが複数ユニット積み重
ねられた磁気抵抗効果膜を構成している。また本実施形
態では、磁界検出領域以外の領域でＣｕ層２５及び２７
が積層され、膜厚６ｎｍのＣｕ層となっている。このよ
うに磁界検出領域以外の領域で非磁性層の膜厚が厚くな
ることからも、検出領域とそれ以外の領域とで、ＭＲ比
の差が大きくなっている。従って、磁界検出領域での
み、大きなＭＲ比の磁気抵抗効果を発揮することがで
き、ＭＲ素子として有効に働く。
【００４１】Ｃｏ層２８の上には、Ｃｕからなる一対の
電極リード層２９，３０（膜厚１００ｎｍ）が形成され
ている。これらの電極リード層２９，３０は、磁界検出
領域から離れた位置に形成されている。
電極リード層２９，３０（膜厚１００ｎｍ）が形成され
ている。これらの電極リード層２９，３０は、磁界検出
領域から離れた位置に形成されている。
【００４２】本実施形態においても、ＮｉＦｅ層２２，
２６を磁界検出領域にのみ形成することにより、磁界検
出領域を規定している。従って、磁界検出領域近傍での
積層構造における段差を小さくすることができ、記録ヘ
ッド部などの平坦性が改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性
を高めることができる。従って、狭トラック化及び狭ギ
ャップ化を達成することができる。
２６を磁界検出領域にのみ形成することにより、磁界検
出領域を規定している。従って、磁界検出領域近傍での
積層構造における段差を小さくすることができ、記録ヘ
ッド部などの平坦性が改善され、かつ絶縁層の耐絶縁性
を高めることができる。従って、狭トラック化及び狭ギ
ャップ化を達成することができる。
【００４３】図７は、本発明に従う第２の局面の磁気抵
抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。図７を参
照して、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材料などか
らなる基板３１の上には、第１の磁性層であるＮｉＦｅ
層３２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。ＮｉＦｅ層３
２の上には、非磁性層であるＣｕ層３３が形成されてい
る。Ｃｕ層３３において、磁界検出領域のＣｕ層３３ａ
の膜厚は２．５ｎｍであり、それ以外の領域の膜厚は１
０ｎｍとなるように形成されている。Ｃｕ層３３の上に
は、第２の磁性層であるＣｏ層３４（膜厚５ｎｍ）が形
成されている。
抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。図７を参
照して、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材料などか
らなる基板３１の上には、第１の磁性層であるＮｉＦｅ
層３２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。ＮｉＦｅ層３
２の上には、非磁性層であるＣｕ層３３が形成されてい
る。Ｃｕ層３３において、磁界検出領域のＣｕ層３３ａ
の膜厚は２．５ｎｍであり、それ以外の領域の膜厚は１
０ｎｍとなるように形成されている。Ｃｕ層３３の上に
は、第２の磁性層であるＣｏ層３４（膜厚５ｎｍ）が形
成されている。
【００４４】Ｃｏ層３４の上には、Ｃｕからなる一対の
電極リード層３５，３６（膜厚０．２μｍ）が形成され
ている。電極リード層３５，３６は、磁界検出領域から
離れた位置に形成されている。電極リード層３５，３６
及びこれらの間の領域のＣｏ層３６の上には、アルミナ
絶縁層３７（膜厚０．１μｍ）が形成され、さらにその
上に磁場シールド層となるＮｉＦｅ層３８（膜厚２．５
μｍ）が形成されている。本実施形態において、トラッ
ク幅すなわち磁界検出領域の幅は２μｍとしている。ま
た電極リード層３５，３６間の距離は６μｍとなるよう
に形成している。
電極リード層３５，３６（膜厚０．２μｍ）が形成され
ている。電極リード層３５，３６は、磁界検出領域から
離れた位置に形成されている。電極リード層３５，３６
及びこれらの間の領域のＣｏ層３６の上には、アルミナ
絶縁層３７（膜厚０．１μｍ）が形成され、さらにその
上に磁場シールド層となるＮｉＦｅ層３８（膜厚２．５
μｍ）が形成されている。本実施形態において、トラッ
ク幅すなわち磁界検出領域の幅は２μｍとしている。ま
た電極リード層３５，３６間の距離は６μｍとなるよう
に形成している。
【００４５】本実施形態では、非磁性層であるＣｕ層３
３の磁界検出領域に対応する部分３３ａの膜厚が他の領
域の膜厚よりも薄くなるように形成されている。第１の
磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層
構造の磁気抵抗効果素子においては、非磁性層の膜厚に
より、そのＭＲ比が変化する。図８は、非磁性層である
Ｃｕ層の膜厚とＭＲ比との関係を示す図である。ここで
は、基板上に第１の磁性層／非磁性層／第２の磁性層の
積層構造の磁気抵抗効果膜を形成し、非磁性層であるＣ
ｕ層の膜厚を変化させている。なお、第１の磁性層はＮ
ｉＦｅ層（膜厚６ｎｍ）とし、第２の磁性層はＣｏ層
（膜厚５ｎｍ）としている。図８に示されるように、膜
厚２ｎｍの近傍でＭＲ比が高くなり、膜厚がこれよりも
厚くなるにつれて、ＭＲ比が減少することがわかる。ま
た図７に示すＣｕ層の膜厚２．５ｎｍにおいて、高いＭ
Ｒ比が得られることがわかる。
３の磁界検出領域に対応する部分３３ａの膜厚が他の領
域の膜厚よりも薄くなるように形成されている。第１の
磁性層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層
構造の磁気抵抗効果素子においては、非磁性層の膜厚に
より、そのＭＲ比が変化する。図８は、非磁性層である
Ｃｕ層の膜厚とＭＲ比との関係を示す図である。ここで
は、基板上に第１の磁性層／非磁性層／第２の磁性層の
積層構造の磁気抵抗効果膜を形成し、非磁性層であるＣ
ｕ層の膜厚を変化させている。なお、第１の磁性層はＮ
ｉＦｅ層（膜厚６ｎｍ）とし、第２の磁性層はＣｏ層
（膜厚５ｎｍ）としている。図８に示されるように、膜
厚２ｎｍの近傍でＭＲ比が高くなり、膜厚がこれよりも
厚くなるにつれて、ＭＲ比が減少することがわかる。ま
た図７に示すＣｕ層の膜厚２．５ｎｍにおいて、高いＭ
Ｒ比が得られることがわかる。
【００４６】従って、図７に示す実施形態の磁気抵抗効
果素子において、Ｃｕ層の膜厚が２．５ｎｍである磁界
検出領域の部分において高いＭＲ比を示す磁気抵抗効果
素子が構成されることが理解される。また磁界検出領域
以外の領域では、ＭＲ比が低下するため、有効な磁気抵
抗効果が得られないことがわかる。
果素子において、Ｃｕ層の膜厚が２．５ｎｍである磁界
検出領域の部分において高いＭＲ比を示す磁気抵抗効果
素子が構成されることが理解される。また磁界検出領域
以外の領域では、ＭＲ比が低下するため、有効な磁気抵
抗効果が得られないことがわかる。
【００４７】次に、図７に示す実施形態では、磁界検出
領域以外のＣｕ層３３の膜厚を１０ｎｍとしているが、
磁界検出領域以外の領域のＣｕ層の膜厚の影響を検討す
るため、Ｃｕ層の膜厚を４ｎｍ、５ｎｍ及び６ｎｍと変
化させ、素子電圧特性を評価した。評価方法は、トラッ
ク幅２μｍで予め書き込まれた磁化パターンに対し磁気
抵抗効果素子を幅方向に移動させたときに得られる素子
電圧特性、すなわちオフトラック再生特性を評価した。
図９に、この結果を示す。図９から明らかなように、Ｃ
ｕ層の膜厚が４ｎｍの場合に比べ、Ｃｕ層の膜厚が５ｎ
ｍ及び６ｎｍの場合には高い磁界検出精度を示すことが
わかる。従って、磁界検出領域以外の領域の非磁性層の
膜厚は、磁界検出領域の膜厚の２倍以上とすることが好
ましいことがわかる。すなわち、本発明に従う第２の局
面においては、磁界検出領域の非磁性層の膜厚を、高い
ＭＲ比が得られる最適な膜厚に設定し、磁界検出領域以
外の領域の非磁性層の膜厚をその２倍以上にすることが
望ましいことがわかる。
領域以外のＣｕ層３３の膜厚を１０ｎｍとしているが、
磁界検出領域以外の領域のＣｕ層の膜厚の影響を検討す
るため、Ｃｕ層の膜厚を４ｎｍ、５ｎｍ及び６ｎｍと変
化させ、素子電圧特性を評価した。評価方法は、トラッ
ク幅２μｍで予め書き込まれた磁化パターンに対し磁気
抵抗効果素子を幅方向に移動させたときに得られる素子
電圧特性、すなわちオフトラック再生特性を評価した。
図９に、この結果を示す。図９から明らかなように、Ｃ
ｕ層の膜厚が４ｎｍの場合に比べ、Ｃｕ層の膜厚が５ｎ
ｍ及び６ｎｍの場合には高い磁界検出精度を示すことが
わかる。従って、磁界検出領域以外の領域の非磁性層の
膜厚は、磁界検出領域の膜厚の２倍以上とすることが好
ましいことがわかる。すなわち、本発明に従う第２の局
面においては、磁界検出領域の非磁性層の膜厚を、高い
ＭＲ比が得られる最適な膜厚に設定し、磁界検出領域以
外の領域の非磁性層の膜厚をその２倍以上にすることが
望ましいことがわかる。
【００４８】次に、図７に示す実施形態におけるアルミ
ナ絶縁層３７の耐絶縁性を評価した。耐絶縁性の評価
は、ＮｉＦｅ層３８と電極リード層３５，３６との間
に、０．５Ｖの電圧を印加し、このときにアルミナ絶縁
層３７中を流れるリーク電流を測定することにより行っ
た。また比較として、図１２に示す従来の磁気抵抗効果
素子においても同様にしてアルミナ絶縁層の耐絶縁性を
評価した。なお図１２に示す従来の磁気抵抗効果素子に
おいて、トラック幅は図７に示す磁気抵抗効果素子と同
様に２μｍとした。
ナ絶縁層３７の耐絶縁性を評価した。耐絶縁性の評価
は、ＮｉＦｅ層３８と電極リード層３５，３６との間
に、０．５Ｖの電圧を印加し、このときにアルミナ絶縁
層３７中を流れるリーク電流を測定することにより行っ
た。また比較として、図１２に示す従来の磁気抵抗効果
素子においても同様にしてアルミナ絶縁層の耐絶縁性を
評価した。なお図１２に示す従来の磁気抵抗効果素子に
おいて、トラック幅は図７に示す磁気抵抗効果素子と同
様に２μｍとした。
【００４９】この結果、図１２に示す従来例の磁気抵抗
効果素子においては、リーク電極値が１０-2Ａであった
のに対し、図７に示す実施形態の磁気抵抗効果素子にお
いてはリーク電流値が１０-5Ａであった。従って、本発
明に従うことにより、絶縁層の耐絶縁性を大幅に向上で
きることがわかる。
効果素子においては、リーク電極値が１０-2Ａであった
のに対し、図７に示す実施形態の磁気抵抗効果素子にお
いてはリーク電流値が１０-5Ａであった。従って、本発
明に従うことにより、絶縁層の耐絶縁性を大幅に向上で
きることがわかる。
【００５０】図７に示す実施形態の磁気抵抗効果素子の
磁気抵抗効果膜の製造は、例えば以下のようにして行う
ことができる。上記第１の局面に従う実施形態と同様
に、イオンビームスパッタリング法により基板３１の上
にＮｉＦｅ層３２を形成した後、まず第１段階として、
膜厚２．５ｎｍのＣｕ層を全面に形成する。次に、磁界
検出領域に対応するＣｕ層３３の部分をマスクで覆い、
磁界検出領域以外の領域に選択的にＣｕ層を形成する。
磁界検出領域以外の領域におけるＣｕ層の膜厚が１０ｎ
ｍとなるまで形成した後、マスクを取り外す。これによ
り、磁界検出領域以外の領域の膜厚が１０ｎｍで、磁界
検出領域の膜厚が２．５ｎｍであるようなＣｕ層３３を
形成することができる。このようなＣｕ層の形成も、イ
オンビームスパッタリング法により行うことができる。
このようにして形成したＣｕ層３３の上に、イオンビー
ムスパッタリング法によりＣｏ層３４を形成する。
磁気抵抗効果膜の製造は、例えば以下のようにして行う
ことができる。上記第１の局面に従う実施形態と同様
に、イオンビームスパッタリング法により基板３１の上
にＮｉＦｅ層３２を形成した後、まず第１段階として、
膜厚２．５ｎｍのＣｕ層を全面に形成する。次に、磁界
検出領域に対応するＣｕ層３３の部分をマスクで覆い、
磁界検出領域以外の領域に選択的にＣｕ層を形成する。
磁界検出領域以外の領域におけるＣｕ層の膜厚が１０ｎ
ｍとなるまで形成した後、マスクを取り外す。これによ
り、磁界検出領域以外の領域の膜厚が１０ｎｍで、磁界
検出領域の膜厚が２．５ｎｍであるようなＣｕ層３３を
形成することができる。このようなＣｕ層の形成も、イ
オンビームスパッタリング法により行うことができる。
このようにして形成したＣｕ層３３の上に、イオンビー
ムスパッタリング法によりＣｏ層３４を形成する。
【００５１】また別の製造方法としては、ＮｉＦｅ層３
２の上に膜厚１０ｎｍとなるようにＣｕ層３３を全面に
形成した後、磁界検出領域以外の領域の上にレジスト膜
等を設け、磁界検出領域のＣｕ層の膜厚が２．５ｎｍと
なるまで、磁界検出領域のみをエッチング除去する方法
を挙げることができる。
２の上に膜厚１０ｎｍとなるようにＣｕ層３３を全面に
形成した後、磁界検出領域以外の領域の上にレジスト膜
等を設け、磁界検出領域のＣｕ層の膜厚が２．５ｎｍと
なるまで、磁界検出領域のみをエッチング除去する方法
を挙げることができる。
【００５２】なお、本発明に従う第２の局面の磁気抵抗
効果膜の製造方法は、以上のような方法に限定されるも
のではなく、その他の方法により形成されてもよいこと
は言うまでもない。
効果膜の製造方法は、以上のような方法に限定されるも
のではなく、その他の方法により形成されてもよいこと
は言うまでもない。
【００５３】図１０は、本発明に従う第２の局面の磁気
抵抗効果素子の他の実施形態を示す断面図である。本実
施形態では、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性層を
介して交互に積層されており、これによって第１の磁性
層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層ユニ
ットが複数ユニット形成されている。図１０を参照し
て、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材料からなる基
板４１の上に、第１の磁性層であるＣｏ層４２（膜厚６
ｎｍ）が形成されている。Ｃｏ層４２の上には、非磁性
層であるＣｕ層４３が形成されている。Ｃｕ層４３の磁
界検出領域に対応するＣｕ層４３ａの膜厚は２．５ｎｍ
となるように形成されており、それ以外の領域は膜厚１
０ｎｍとなるように形成されている。Ｃｕ層４３の上に
は第２の磁性層であるＣｏ層４４（膜厚５ｎｍ）が形成
されている。
抵抗効果素子の他の実施形態を示す断面図である。本実
施形態では、第１の磁性層と第２の磁性層が非磁性層を
介して交互に積層されており、これによって第１の磁性
層と第２の磁性層の間に非磁性層を介在させた積層ユニ
ットが複数ユニット形成されている。図１０を参照し
て、ガラスまたはシリコンなどの非磁性材料からなる基
板４１の上に、第１の磁性層であるＣｏ層４２（膜厚６
ｎｍ）が形成されている。Ｃｏ層４２の上には、非磁性
層であるＣｕ層４３が形成されている。Ｃｕ層４３の磁
界検出領域に対応するＣｕ層４３ａの膜厚は２．５ｎｍ
となるように形成されており、それ以外の領域は膜厚１
０ｎｍとなるように形成されている。Ｃｕ層４３の上に
は第２の磁性層であるＣｏ層４４（膜厚５ｎｍ）が形成
されている。
【００５４】Ｃｏ層４４の上には、非磁性層であるＣｕ
層４５が形成されている。このＣｕ層４５においても、
磁界検出領域に対応するＣｕ層４５ａの部分において
は、膜厚が２．５ｎｍとなるように形成されており、そ
の他の領域においては膜厚が１０ｎｍとなるように形成
されている。Ｃｕ層４５の上には、再び第１の磁性層と
なるＣｏ層４６（膜厚５ｎｍ）が形成されている。
層４５が形成されている。このＣｕ層４５においても、
磁界検出領域に対応するＣｕ層４５ａの部分において
は、膜厚が２．５ｎｍとなるように形成されており、そ
の他の領域においては膜厚が１０ｎｍとなるように形成
されている。Ｃｕ層４５の上には、再び第１の磁性層と
なるＣｏ層４６（膜厚５ｎｍ）が形成されている。
【００５５】Ｃｏ層４６の上には、Ｃｕからなる一対の
電極リード層４７，４８（膜厚０．２μｍ）が形成され
ている。電極リード層４７，４８は、磁界検出領域の近
傍から離れた位置に形成されている。電極リード層４
７，４８の上、及びこれらの間の領域のＣｏ層４６の上
には、アルミナ絶縁層４９（膜厚０．１μｍ）が形成さ
れ、さらにその上に磁場シールド層として機能するＮｉ
Ｆｅ層５０（膜厚２．５μｍ）が形成されている。
電極リード層４７，４８（膜厚０．２μｍ）が形成され
ている。電極リード層４７，４８は、磁界検出領域の近
傍から離れた位置に形成されている。電極リード層４
７，４８の上、及びこれらの間の領域のＣｏ層４６の上
には、アルミナ絶縁層４９（膜厚０．１μｍ）が形成さ
れ、さらにその上に磁場シールド層として機能するＮｉ
Ｆｅ層５０（膜厚２．５μｍ）が形成されている。
【００５６】本実施形態においては、トラック幅すなわ
ち磁界検出領域の幅は２μｍとなるように構成されてい
る。図７に示す実施形態と同様に、本実施形態において
も、磁界検出領域においてのみ非磁性層であるＣｕ層４
３ａ及びＣｕ層４５ａの膜厚が、高いＭＲ比となるよう
な膜厚に設定されている。従って、このような膜厚の設
定により磁界検出領域が規定されている。このため、電
極リード層４７，４８を形成する領域を磁界検出領域か
ら離すことができ、磁界検出領域近傍での積層構造によ
る段差を小さくすることができる。また記録ヘッド部な
どの平坦性が改善され、絶縁層の耐絶縁性を高めること
ができる。従って、狭トラック化及び狭ギャップ化を達
成することができる。
ち磁界検出領域の幅は２μｍとなるように構成されてい
る。図７に示す実施形態と同様に、本実施形態において
も、磁界検出領域においてのみ非磁性層であるＣｕ層４
３ａ及びＣｕ層４５ａの膜厚が、高いＭＲ比となるよう
な膜厚に設定されている。従って、このような膜厚の設
定により磁界検出領域が規定されている。このため、電
極リード層４７，４８を形成する領域を磁界検出領域か
ら離すことができ、磁界検出領域近傍での積層構造によ
る段差を小さくすることができる。また記録ヘッド部な
どの平坦性が改善され、絶縁層の耐絶縁性を高めること
ができる。従って、狭トラック化及び狭ギャップ化を達
成することができる。
【００５７】図１１は、本発明に従う第３の局面の磁気
抵抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。本発明
に従う第３の局面は、本発明に従う第１の局面及び第２
の局面の構成を組み合わせたことを特徴としている。従
って、第１の局面及び第２の局面についての上述の説明
をこの第３の局面においてもそのまま適用することがで
きる。図１１を参照して、ガラスまたはシリコンなどの
非磁性材料からなる基板５１の上には、第１の磁性層で
あるＮｉＦｅ層５２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。
ＮｉＦｅ層５２の上には、非磁性層であるＣｕ層５３が
形成されている。Ｃｕ層５３においては、磁界検出領域
に対応する領域のＣｕ層５３ａの膜厚が２．５ｎｍとな
るように形成され、その他の領域の膜厚が１０ｎｍとな
るように形成されている。Ｃｕ層５３の磁界検出領域に
対応する領域、すなわちＣｕ層５３ａの上にのみ、第２
の磁性層であるＣｏ層５４（膜厚５ｎｍ）が形成されて
いる。従って、Ｃｏ層５４は、Ｃｕ層５３の磁界検出領
域に形成された凹部を埋めるような形態で形成されてい
る。
抵抗効果素子の一実施形態を示す断面図である。本発明
に従う第３の局面は、本発明に従う第１の局面及び第２
の局面の構成を組み合わせたことを特徴としている。従
って、第１の局面及び第２の局面についての上述の説明
をこの第３の局面においてもそのまま適用することがで
きる。図１１を参照して、ガラスまたはシリコンなどの
非磁性材料からなる基板５１の上には、第１の磁性層で
あるＮｉＦｅ層５２（膜厚６ｎｍ）が形成されている。
ＮｉＦｅ層５２の上には、非磁性層であるＣｕ層５３が
形成されている。Ｃｕ層５３においては、磁界検出領域
に対応する領域のＣｕ層５３ａの膜厚が２．５ｎｍとな
るように形成され、その他の領域の膜厚が１０ｎｍとな
るように形成されている。Ｃｕ層５３の磁界検出領域に
対応する領域、すなわちＣｕ層５３ａの上にのみ、第２
の磁性層であるＣｏ層５４（膜厚５ｎｍ）が形成されて
いる。従って、Ｃｏ層５４は、Ｃｕ層５３の磁界検出領
域に形成された凹部を埋めるような形態で形成されてい
る。
【００５８】Ｃｕ層５３の上には、Ｃｕからなる一対の
電極リード層５５，５６が形成されている。電極リード
層５５，５６は、磁界検出領域から離れた位置に形成さ
れている。電極リード層５５，５６及びその間のＣｕ層
５３及びＣｏ層５４の上には、アルミナ絶縁層５７（膜
厚０．１μｍ）が形成され、さらにその上には、磁場シ
ールド層として機能するＮｉＦｅ層５８（膜厚２．５μ
ｍ）が形成されている。
電極リード層５５，５６が形成されている。電極リード
層５５，５６は、磁界検出領域から離れた位置に形成さ
れている。電極リード層５５，５６及びその間のＣｕ層
５３及びＣｏ層５４の上には、アルミナ絶縁層５７（膜
厚０．１μｍ）が形成され、さらにその上には、磁場シ
ールド層として機能するＮｉＦｅ層５８（膜厚２．５μ
ｍ）が形成されている。
【００５９】本実施形態では、Ｃｕ層５３の凹部である
磁界検出領域の上にＣｏ層５４が埋めるように形成され
ている。従って、ＮｉＦｅ層５２、Ｃｕ層５３、及びＣ
ｏ層５４からなる磁気抵抗効果膜の上方部がより平坦化
されて形成される。従って、磁界検出領域近傍での積層
構造における段差をさらに小さくすることができる。従
って、記録ヘッド部などの平坦性がさらに改善され、絶
縁層の耐絶縁性をさらに高めることができる。
磁界検出領域の上にＣｏ層５４が埋めるように形成され
ている。従って、ＮｉＦｅ層５２、Ｃｕ層５３、及びＣ
ｏ層５４からなる磁気抵抗効果膜の上方部がより平坦化
されて形成される。従って、磁界検出領域近傍での積層
構造における段差をさらに小さくすることができる。従
って、記録ヘッド部などの平坦性がさらに改善され、絶
縁層の耐絶縁性をさらに高めることができる。
【００６０】また、磁界検出領域におけるＭＲ比と、磁
界検出領域以外の領域におけるＭＲ比の差をさらに大き
くすることができ、磁界検出領域における検出感度をさ
らに向上させることができる。
界検出領域以外の領域におけるＭＲ比の差をさらに大き
くすることができ、磁界検出領域における検出感度をさ
らに向上させることができる。
【００６１】本実施形態の磁気抵抗効果素子における磁
気抵抗効果膜の製造方法は、上記第１の局面に従う実施
形態及び第２の局面に従う実施形態の製造工程に準じて
製造することができる。
気抵抗効果膜の製造方法は、上記第１の局面に従う実施
形態及び第２の局面に従う実施形態の製造工程に準じて
製造することができる。
【００６２】上記本発明に従う第１の局面、第２の局
面、及び第３の局面の実施形態においては、第１及び第
２の磁性層並びに非磁性層として特定の組成を開示して
説明したが、本発明の磁気抵抗効果素子は、これらの組
成に限定されるものではなく、またその構造も上記実施
形態のものに限定されるものではない。本発明における
磁気抵抗効果膜は、第１の磁性層／非磁性層／第２の磁
性層の積層構造を有する磁気抵抗効果膜であれば、全て
のものに適用することができ、人工格子型、スピンバル
ブ型などと呼ばれている磁気抵抗効果膜を含み、より広
い範囲で適用されるものである。また第１の磁性層と第
２の磁性層の間には、磁気的結合が形成されていてもよ
いし、磁気的結合が形成されていなくともよい。
面、及び第３の局面の実施形態においては、第１及び第
２の磁性層並びに非磁性層として特定の組成を開示して
説明したが、本発明の磁気抵抗効果素子は、これらの組
成に限定されるものではなく、またその構造も上記実施
形態のものに限定されるものではない。本発明における
磁気抵抗効果膜は、第１の磁性層／非磁性層／第２の磁
性層の積層構造を有する磁気抵抗効果膜であれば、全て
のものに適用することができ、人工格子型、スピンバル
ブ型などと呼ばれている磁気抵抗効果膜を含み、より広
い範囲で適用されるものである。また第１の磁性層と第
２の磁性層の間には、磁気的結合が形成されていてもよ
いし、磁気的結合が形成されていなくともよい。
【００６３】
【発明の効果】本発明に従うことにより、磁界検出領域
近傍での積層構造における段差を小さくすることがで
き、記録ヘッド部などの平坦性を改善することができ
る。また段差を小さくすることができるため、磁気抵抗
効果膜の上に形成される絶縁層の耐絶縁性を高めること
ができる。従って、磁界検出領域の幅を従来例よりも狭
めることが可能となり、狭トラック化を達成することが
できる。また絶縁層の厚みを薄くすることができるの
で、狭ギャップ化を達成することができる。
近傍での積層構造における段差を小さくすることがで
き、記録ヘッド部などの平坦性を改善することができ
る。また段差を小さくすることができるため、磁気抵抗
効果膜の上に形成される絶縁層の耐絶縁性を高めること
ができる。従って、磁界検出領域の幅を従来例よりも狭
めることが可能となり、狭トラック化を達成することが
できる。また絶縁層の厚みを薄くすることができるの
で、狭ギャップ化を達成することができる。
【図１】本発明に従う第１の局面の磁気抵抗効果素子の
一実施形態を示す断面図。
一実施形態を示す断面図。
【図２】本発明に従う第１の局面の磁気抵抗効果素子の
他の実施形態を示す断面図。
他の実施形態を示す断面図。
【図３】図１に示す実施形態の製造工程を示す断面図。
【図４】図２に示す実施形態の製造工程を示す断面図。
【図５】図１及び図２に示す実施形態の磁気抵抗効果素
子のオフトラック特性を示す図。
子のオフトラック特性を示す図。
【図６】本発明に従う第１の局面の磁気抵抗効果素子の
さらに他の実施形態を示す断面図。
さらに他の実施形態を示す断面図。
【図７】本発明に従う第２の局面の磁気抵抗効果素子の
一実施形態を示す断面図。
一実施形態を示す断面図。
【図８】第１の磁性層／非磁性層／第２の磁性層の積層
構造における非磁性層の膜厚とＭＲ比の関係を示す図。
構造における非磁性層の膜厚とＭＲ比の関係を示す図。
【図９】非磁性層の膜厚とオフトラック特性との関係を
示す図。
示す図。
【図１０】本発明に従う第２の局面の磁気抵抗効果素子
の他の実施形態を示す断面図。
の他の実施形態を示す断面図。
【図１１】本発明に従う第３の局面の磁気抵抗効果素子
の一実施形態を示す断面図。
の一実施形態を示す断面図。
【図１２】従来の磁気抵抗効果素子の一例を示す断面
図。
図。
１，１１…基板 ２，１２…第１の磁性層であるＮｉＦｅ層 ３，１３…非磁性層であるＣｕ層 ４，１４…第２の磁性層であるＣｏ層 ５，６，１５，１６…電極リード層
Claims (6)
- 【請求項１】 第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁
性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果素子に
おいて、 前記第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの少なくとも
一方が磁界検出領域内にのみ実質的に形成されている磁
気抵抗効果素子。 - 【請求項２】 第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁
性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果素子に
おいて、 前記非磁性層の磁界検出領域内の膜厚が、磁界検出領域
以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるように形成さ
れている磁気抵抗効果素子。 - 【請求項３】 第１の磁性層と第２の磁性層の間に非磁
性層を介在させた積層構造を有する磁気抵抗効果素子に
おいて、 前記第１の磁性層及び第２の磁性層のうちの少なくとも
一方が磁界検出領域内にのみ実質的に形成されており、
かつ前記非磁性層の磁界検出領域内の膜厚が、磁界検出
領域以外の領域の膜厚よりも相対的に薄くなるように形
成されている磁気抵抗効果素子。 - 【請求項４】 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層が
ほぼ同じ組成でほぼ同じ保磁力を有する磁性体から形成
されている請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵
抗効果素子。 - 【請求項５】 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層が
互いに異なる保磁力を有する磁性体から形成されている
請求項１〜３のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果素
子。 - 【請求項６】 前記第１の磁性層と前記第２の磁性層が
非磁性層を介して交互に積層されており、それによって
前記第１の磁性層と前記第２の磁性層の間に前記非磁性
層を介在させた積層ユニットが複数ユニット形成されて
いる請求項１〜５のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果
素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7274451A JPH09116209A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7274451A JPH09116209A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09116209A true JPH09116209A (ja) | 1997-05-02 |
Family
ID=17541880
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7274451A Pending JPH09116209A (ja) | 1995-10-23 | 1995-10-23 | 磁気抵抗効果素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09116209A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6433969B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same |
| US6724585B2 (en) | 1998-09-18 | 2004-04-20 | Nec Corporation | Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect |
-
1995
- 1995-10-23 JP JP7274451A patent/JPH09116209A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6724585B2 (en) | 1998-09-18 | 2004-04-20 | Nec Corporation | Magnetoresistive element and device utilizing magnetoresistance effect |
| US6433969B1 (en) | 1999-05-31 | 2002-08-13 | Nec Corporation | Compound magnetoresistive head and method for manufacturing same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6258470B1 (en) | Exchange coupling film, magnetoresistance effect device, magnetoresistance effective head and method for producing exchange coupling film | |
| KR100650534B1 (ko) | 자기 저항 효과 소자, 자기 헤드 및 이것을 사용하는 자기재생 장치 | |
| JP3291208B2 (ja) | 磁気抵抗効果型センサおよびその製造方法とそのセンサを備えた磁気ヘッド | |
| US6198378B1 (en) | Magnetoresisitive sensor and manufacturing method therefor | |
| JP2001126219A (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗センサ及び薄膜磁気ヘッド | |
| US5327313A (en) | Magnetoresistance effect type head having a damage immune film structure | |
| JP3995555B2 (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH11134620A (ja) | 強磁性トンネル接合素子センサ及びその製造方法 | |
| US6721147B2 (en) | Longitudinally biased magnetoresistance effect magnetic head and magnetic reproducing apparatus | |
| JP2003045011A (ja) | スピンバルブ型磁気抵抗効果再生ヘッドおよびその製造方法 | |
| US6563682B1 (en) | Magneto resistive element | |
| JP2002163809A (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法と磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造方法 | |
| US6556391B1 (en) | Biasing layers for a magnetoresistance effect magnetic head using perpendicular current flow | |
| JP2003298138A (ja) | 磁気検出素子及びその製造方法 | |
| JP3537723B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッド及び浮上式磁気ヘッド | |
| JP3181512B2 (ja) | デュアルスピンバルブ型素子および薄膜磁気ヘッド | |
| JPH09116209A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JP3382866B2 (ja) | 磁気抵抗効果素子の製造方法 | |
| JPH10163545A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP2000163717A (ja) | 磁気抵抗効果素子 | |
| JPH10163544A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JP4283169B2 (ja) | 磁気抵抗ヘッド | |
| JP3475867B2 (ja) | 研磨用センサ、該センサを備えた薄膜素子用バーブロック及び該センサを備えた薄膜素子用ウエハ基板 | |
| JP4079271B2 (ja) | 磁気抵抗センサの製造方法 | |
| JP2000113419A (ja) | 磁気抵抗効果素子を備えた磁気ヘッド |