JPS5829116A - 磁気電気信号変換装置 - Google Patents
磁気電気信号変換装置Info
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- JPS5829116A JPS5829116A JP12667681A JP12667681A JPS5829116A JP S5829116 A JPS5829116 A JP S5829116A JP 12667681 A JP12667681 A JP 12667681A JP 12667681 A JP12667681 A JP 12667681A JP S5829116 A JPS5829116 A JP S5829116A
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- magnetic flux
- magnetic
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-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３本発明は、磁気電気信号変換装置に関し特に磁気抵抗
効果を有する導電性の強磁性薄膜を媒体対向面から奥に
引込めたときの良好な磁気抵−抗効果型磁気ヘッドに関
する。
効果を有する導電性の強磁性薄膜を媒体対向面から奥に
引込めたときの良好な磁気抵−抗効果型磁気ヘッドに関
する。
磁気抵抗効果型ヘッドは第１図ａに示すごとく記録媒体
１の対向面に磁気抵抗効果素子（凧素子）２の先端が露
出した構造と、ｂに示す様に磁束誘導膜５を設けて、皿
素子２を記録媒体１の対向面より奥に設置した２種類の
構造が提案されている。例えば特°開昭５０−５９０２
５号及び特公昭５３−２５４８８号によって公知である
。
１の対向面に磁気抵抗効果素子（凧素子）２の先端が露
出した構造と、ｂに示す様に磁束誘導膜５を設けて、皿
素子２を記録媒体１の対向面より奥に設置した２種類の
構造が提案されている。例えば特°開昭５０−５９０２
５号及び特公昭５３−２５４８８号によって公知である
。
第１図ａに示す構造は■素子２の先端が露出するためヘ
ッドの摩耗により■素子２も摩耗し特性が大きく変化す
る欠点を有する。一方ｂＶｃ示す三脚型と呼ばれる構造
は製造工程が複雑でかつ、感度が低い欠点を有している
。三脚型の飄素子２近傍の拡大断面図を第２図に示す。
ッドの摩耗により■素子２も摩耗し特性が大きく変化す
る欠点を有する。一方ｂＶｃ示す三脚型と呼ばれる構造
は製造工程が複雑でかつ、感度が低い欠点を有している
。三脚型の飄素子２近傍の拡大断面図を第２図に示す。
第２図により従来の三脚型の欠点をさらに説−明すると
、平滑な基板Ｂ上に磁気シールド材４を濤成し１．その
上に非磁性で電気的に絶縁された材料６を形成し、さら
Ｋそあ上に■素子２を形成する。そして電気的に絶縁さ
れた材料７を介して惑素子２上に磁束誘導膜５を形成す
る。
、平滑な基板Ｂ上に磁気シールド材４を濤成し１．その
上に非磁性で電気的に絶縁された材料６を形成し、さら
Ｋそあ上に■素子２を形成する。そして電気的に絶縁さ
れた材料７を介して惑素子２上に磁束誘導膜５を形成す
る。
さらに磁束誘導膜５上に電気的に絶縁された材料６を形
成し；（この上に磁気シールド材３を形成し三脚型ヘッ
ド素子を得る。
成し；（この上に磁気シールド材３を形成し三脚型ヘッ
ド素子を得る。
この構造では、磁束誘導膜５に設けられた溝９す訊素子
２の相対位置ズレが発生する。このため■素子２０幅は
磁束誘導膜５の溝幅９に対し、上記位置ズレ分を見込ん
でその分広くしなければならなかりた。例えば溝幅９を
３趣とし位置ズレ量を±２μｍとした場合少なくとも、
端面が重なるか一致させるよ５にするには飄素子２０幅
を７１ＪｗｔｌｌＣ選ぶ必要がある。この場合溝幅９の
部分の凪素子２は磁束誘導膜５からの磁束が嫌とんど通
るため出力は大きい。しかし溝幅９の部分以外の風素子
２は磁束誘導膜からの磁束がはとんと通らないため出力
は小さいものどなる。したがって■素子２の全体の感度
は震幅９の１ＩＩｓの出力大の部分と溝幅９以外の４／
１ｍの出力小の部分の平均値となるため、■素子２全体
の出力は低下する欠点を有していた。
２の相対位置ズレが発生する。このため■素子２０幅は
磁束誘導膜５の溝幅９に対し、上記位置ズレ分を見込ん
でその分広くしなければならなかりた。例えば溝幅９を
３趣とし位置ズレ量を±２μｍとした場合少なくとも、
端面が重なるか一致させるよ５にするには飄素子２０幅
を７１ＪｗｔｌｌＣ選ぶ必要がある。この場合溝幅９の
部分の凪素子２は磁束誘導膜５からの磁束が嫌とんど通
るため出力は大きい。しかし溝幅９の部分以外の風素子
２は磁束誘導膜からの磁束がはとんと通らないため出力
は小さいものどなる。したがって■素子２の全体の感度
は震幅９の１ＩＩｓの出力大の部分と溝幅９以外の４／
１ｍの出力小の部分の平均値となるため、■素子２全体
の出力は低下する欠点を有していた。
本発明の目的は、高感度の三脚型構造磁気抵抗効果型磁
気電気信号変換装置を提供することである。
気電気信号変換装置を提供することである。
本発明の特徴とするところは三脚型磁気抵抗効果型磁気
ヘッドにおいて、磁束誘導膜の空部と飄素子λ幅をほぼ
同じ大きさにするととｋより、゛凧素子幅全体で、磁束
誘導膜からの磁束を感知するととｋある。
ヘッドにおいて、磁束誘導膜の空部と飄素子λ幅をほぼ
同じ大きさにするととｋより、゛凧素子幅全体で、磁束
誘導膜からの磁束を感知するととｋある。
本発明の詳細を以下の図面に従い説明する。
第３図は本発明の一実施例を示す、第５図暑を参照する
に、平滑な基板８例えばガラスあるいはセミラック材を
用い、その基板上に磁気シールドとして用いる強磁性体
４例えばパーマ四イなどをスパッタあるいは真空蒸着等
の手法により約１μｍ程度堆積し、ウェットエッチある
いはイオンシーリング等の手法により所望形状に形成し
、さらｋこの上に非磁性で電気的に絶縁された材料６例
えばＡＪ、 Ｏ，膜などをスパッタ等の手法により堆積
しごウエットエ゛ツチや反応性プーラズ！エッチ等の手
法により所望形状に形成し、そして電気絶縁材料６の上
に段差部をもうけるための材料として上記絶縁材料６Ｖ
ｃ対し選択性のある電気絶縁材料７例えば８Ｘへ膜ある
いは少なくとも表面が電気的に絶縁された膜等をスパッ
タなどの手法により形成する。さらに上記絶縁材料７を
所望形状にするためのホトレジスト１０を塗布し所望形
状に形成する。
に、平滑な基板８例えばガラスあるいはセミラック材を
用い、その基板上に磁気シールドとして用いる強磁性体
４例えばパーマ四イなどをスパッタあるいは真空蒸着等
の手法により約１μｍ程度堆積し、ウェットエッチある
いはイオンシーリング等の手法により所望形状に形成し
、さらｋこの上に非磁性で電気的に絶縁された材料６例
えばＡＪ、 Ｏ，膜などをスパッタ等の手法により堆積
しごウエットエ゛ツチや反応性プーラズ！エッチ等の手
法により所望形状に形成し、そして電気絶縁材料６の上
に段差部をもうけるための材料として上記絶縁材料６Ｖ
ｃ対し選択性のある電気絶縁材料７例えば８Ｘへ膜ある
いは少なくとも表面が電気的に絶縁された膜等をスパッ
タなどの手法により形成する。さらに上記絶縁材料７を
所望形状にするためのホトレジスト１０を塗布し所望形
状に形成する。
第３図すは第３図１により所望形状に形成されたホト；
・レジスト１０をマスクとし、絶縁材料７を反応性グツ
ズ！エッチなどの手法によりエツチング端爾部を急峻に
形成しホトレジスト１０を除去したところを示す。第３
図Ｃは電気絶縁材料６と７上に導電性強磁性体例えばパ
ーマ四イ膜等を（ＬＯ！ｌｊｉｍないしα１μｍ程度ス
パッタあるいは真空蒸着等により堆積した図であり、本
発明の要点である。
・レジスト１０をマスクとし、絶縁材料７を反応性グツ
ズ！エッチなどの手法によりエツチング端爾部を急峻に
形成しホトレジスト１０を除去したところを示す。第３
図Ｃは電気絶縁材料６と７上に導電性強磁性体例えばパ
ーマ四イ膜等を（ＬＯ！ｌｊｉｍないしα１μｍ程度ス
パッタあるいは真空蒸着等により堆積した図であり、本
発明の要点である。
少なくとも表面が電気的に絶縁された材料７０段差部に
より導電性強磁性膜に段切れを発生させ、電気′絶縁材
料６上には磁束誘導膜５を形成し、少なくとも表面が電
気的に絶縁された材料７ｆＫは皿素子２を一回の工程に
より導電性強磁性膜を分離して形成する。第３図ｄは、
第３図Ｃの工１１により形成された凧素子２と磁束誘導
膜５上に非磁性で電気的に絶縁された材料１１例えば８
−へ膜などをスパッタ等の手法により堆積し、その後反
応性グツズｉエッチ等の手法により所望の形状に、形成
し、その上に磁気シールドとして用いる強磁性体３例え
ばパーマｐイなどをスパッタあるいは真空蒸着等の手法
により堆積し、その後ウェットエッチあるいはイオンシ
ーリング等の手法により形状形成し、さらにこれらの膜
を保護する材料に例えばＡｊ、ｏ。
より導電性強磁性膜に段切れを発生させ、電気′絶縁材
料６上には磁束誘導膜５を形成し、少なくとも表面が電
気的に絶縁された材料７ｆＫは皿素子２を一回の工程に
より導電性強磁性膜を分離して形成する。第３図ｄは、
第３図Ｃの工１１により形成された凧素子２と磁束誘導
膜５上に非磁性で電気的に絶縁された材料１１例えば８
−へ膜などをスパッタ等の手法により堆積し、その後反
応性グツズｉエッチ等の手法により所望の形状に、形成
し、その上に磁気シールドとして用いる強磁性体３例え
ばパーマｐイなどをスパッタあるいは真空蒸着等の手法
により堆積し、その後ウェットエッチあるいはイオンシ
ーリング等の手法により形状形成し、さらにこれらの膜
を保護する材料に例えばＡｊ、ｏ。
膜などをスパッタ等の手法により形成することによりヘ
ッド素子のためのウェハーが完成した図である。このウ
ェハーはそれぞれ切断されヘッド・アッセンブリをなす
。また、第４図ａ、ｂに示すように第３図ａ、ｂで説明
した形成法を凹凸を逆にして形成することも可能である
。そして第４図ＣＫ示すよ５に電気絶縁材料６と少なく
とも表面が電気的に絶縁された材料７上に導電性の強磁
性体を堆積するととｋより、前述の説明と同様の工程で
風素子２と磁束誘導膜５を形成できることが容易に理解
できる。
ッド素子のためのウェハーが完成した図である。このウ
ェハーはそれぞれ切断されヘッド・アッセンブリをなす
。また、第４図ａ、ｂに示すように第３図ａ、ｂで説明
した形成法を凹凸を逆にして形成することも可能である
。そして第４図ＣＫ示すよ５に電気絶縁材料６と少なく
とも表面が電気的に絶縁された材料７上に導電性の強磁
性体を堆積するととｋより、前述の説明と同様の工程で
風素子２と磁束誘導膜５を形成できることが容易に理解
できる。
上述により、凧素子２と磁束誘導膜５の形成工１！にお
いて、相互の位置合せの工程がなくなることが理解でき
よう。さらに朧素子２と磁束誘導膜５は電気絶縁材料６
と少なくとも表面が電気的に絶縁された材料７゛の段差
部による段切れを利用して形成するため、■素子２の幅
と磁束誘導膜５の溝幅は―とんど等しい幅となり、この
ため、磁束誘導膜からの磁束は効率よく凧素子２を通る
ことになり、従来のように出力を低下させる部分がなく
なる。従って従来よりも高感度の三脚屋磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供することができる。
いて、相互の位置合せの工程がなくなることが理解でき
よう。さらに朧素子２と磁束誘導膜５は電気絶縁材料６
と少なくとも表面が電気的に絶縁された材料７゛の段差
部による段切れを利用して形成するため、■素子２の幅
と磁束誘導膜５の溝幅は―とんど等しい幅となり、この
ため、磁束誘導膜からの磁束は効率よく凧素子２を通る
ことになり、従来のように出力を低下させる部分がなく
なる。従って従来よりも高感度の三脚屋磁気抵抗効果型
磁気ヘッドを提供することができる。
本発明の他の実施例を第５図を用いて詳細に説明する。
第５図ａは平滑な基板８例えばガラスあるいはセミラッ
ク材などの基板上に磁気シールド゛として用いる強磁、
柱体４例えばパーマロイなどをスパッタあるいは貢空蒸
着等の手法により約 ・１μｍ程度堆積し、ウェットエ
ッチあるいはイオンミーリング等の手法により所望形状
に形成し、さらにこのよに非磁性で電気的に絶縁された
材料６例えばＡＪ、 ｏＱ膜などをスパッタ等の手法に
より堆積し、ウェットエッチあるいは反応性プラズマエ
ッチ等の手法により所望形状に形成−さらにどの絶縁材
料６１に本発明の要点である少なくとも２種類の材料を
順次積層堆積するわけであるが、上層の膜より下層の膜
をわずかに小さく形成するための下層の膜として、電気
絶縁材料６に対し選択性のある非磁性で電気的に絶縁さ
れた材料１３例えばＳｉへ膜などをスパッタ等の手法に
より堆積し、さらｋこの上に段差部をもうける上記上層
の膜として、非磁性で少なくとも狭面が電気的に絶縁さ
れた材料７例えばＡｊ、 Ｏｓ膜などをスパッタ等の手
法により堆積し、そしてさらにこの少なくとも表面が電
気的に絶縁された材料７を所望形状に形成するためのホ
トレジスト１０を塗布し所望形状に形成した図を示す。
ク材などの基板上に磁気シールド゛として用いる強磁、
柱体４例えばパーマロイなどをスパッタあるいは貢空蒸
着等の手法により約 ・１μｍ程度堆積し、ウェットエ
ッチあるいはイオンミーリング等の手法により所望形状
に形成し、さらにこのよに非磁性で電気的に絶縁された
材料６例えばＡＪ、 ｏＱ膜などをスパッタ等の手法に
より堆積し、ウェットエッチあるいは反応性プラズマエ
ッチ等の手法により所望形状に形成−さらにどの絶縁材
料６１に本発明の要点である少なくとも２種類の材料を
順次積層堆積するわけであるが、上層の膜より下層の膜
をわずかに小さく形成するための下層の膜として、電気
絶縁材料６に対し選択性のある非磁性で電気的に絶縁さ
れた材料１３例えばＳｉへ膜などをスパッタ等の手法に
より堆積し、さらｋこの上に段差部をもうける上記上層
の膜として、非磁性で少なくとも狭面が電気的に絶縁さ
れた材料７例えばＡｊ、 Ｏｓ膜などをスパッタ等の手
法により堆積し、そしてさらにこの少なくとも表面が電
気的に絶縁された材料７を所望形状に形成するためのホ
トレジスト１０を塗布し所望形状に形成した図を示す。
そし【第５図すに示すように第５図麿により所望形状に
形成されたホトレジスト１０をマスクとして、少なくと
も表面が電気的に絶縁された材料７を反応性プラズマエ
ッチあるいはスパッタエッチ等の手法によりエツチング
端爾部を急峻に形成する。次にこの少なくとも表置が電
気的に絶縁された材料７の形状に対して絶縁材料１３を
ウェットエッチ等の手法によりわスカに小さく形成し、
ホトレジスト１０を除去する。第５図Ｃは第５図すによ
り形成されたバタ・−ン上に強磁性体例えばパーマロイ
などをα０３〜αＩ Ｊｈｓｓ租度スパッタあるい’１
１真空蒸着等の手法により堆積した図である。第１の段
差膜１５と第２の段差膜７の２ｓ類の材料を用いて堆積
しその幅を変えることにより、第１の段差膜１３と第２
の段差膜７０段差部による段切れをさらに確実にするも
のである。第５図ｄは第５図ｃＫ・より形成された胤素
子と磁束誘導膜５上に非磁性体の絶縁材料１１例えば８
ｉｏｖ膜などをスパッタ等の手法により堆積し、その後
反応性グツズ！エッチ等の手法により形状形成し、その
上に磁気シールドとして用いる強 柱体３例えばパーマ
ロイなどをスパッタあるいは真空蒸着等の手法により堆
積し、その後ウェットエッチあるいはイオンミーリング
等の手法により形状形成し、さらにこれらの膜を保護す
る材料１２例えばＡ４ ｏｎ膜などをスパッ、り等の手
法により形成することによりヘッド素４のためのウエノ
・−が完成した図である。このウェハーはそれぞれ切断
されてヘッド・アセンブリを成す。また第４図ａ、ｂに
示すように第５図ａ、ｂで説明した形成法を凹凸を逆に
して形成することも可能であり、そして第６図Ｃに示す
よ５に電気絶縁材料６と少なくとも表面が電気的に絶縁
された材料７上に導電性の強磁性体を堆積することＫよ
り、上記説明と同様の工程で風素子２と磁束誘導膜５を
形成できることが容易に理解できる。
形成されたホトレジスト１０をマスクとして、少なくと
も表面が電気的に絶縁された材料７を反応性プラズマエ
ッチあるいはスパッタエッチ等の手法によりエツチング
端爾部を急峻に形成する。次にこの少なくとも表置が電
気的に絶縁された材料７の形状に対して絶縁材料１３を
ウェットエッチ等の手法によりわスカに小さく形成し、
ホトレジスト１０を除去する。第５図Ｃは第５図すによ
り形成されたバタ・−ン上に強磁性体例えばパーマロイ
などをα０３〜αＩ Ｊｈｓｓ租度スパッタあるい’１
１真空蒸着等の手法により堆積した図である。第１の段
差膜１５と第２の段差膜７の２ｓ類の材料を用いて堆積
しその幅を変えることにより、第１の段差膜１３と第２
の段差膜７０段差部による段切れをさらに確実にするも
のである。第５図ｄは第５図ｃＫ・より形成された胤素
子と磁束誘導膜５上に非磁性体の絶縁材料１１例えば８
ｉｏｖ膜などをスパッタ等の手法により堆積し、その後
反応性グツズ！エッチ等の手法により形状形成し、その
上に磁気シールドとして用いる強 柱体３例えばパーマ
ロイなどをスパッタあるいは真空蒸着等の手法により堆
積し、その後ウェットエッチあるいはイオンミーリング
等の手法により形状形成し、さらにこれらの膜を保護す
る材料１２例えばＡ４ ｏｎ膜などをスパッ、り等の手
法により形成することによりヘッド素４のためのウエノ
・−が完成した図である。このウェハーはそれぞれ切断
されてヘッド・アセンブリを成す。また第４図ａ、ｂに
示すように第５図ａ、ｂで説明した形成法を凹凸を逆に
して形成することも可能であり、そして第６図Ｃに示す
よ５に電気絶縁材料６と少なくとも表面が電気的に絶縁
された材料７上に導電性の強磁性体を堆積することＫよ
り、上記説明と同様の工程で風素子２と磁束誘導膜５を
形成できることが容易に理解できる。
上記説明で理解できるよ５に段差部を形成する膜を少な
くとも２種類の材料を用いることｋより、風素子２を磁
束誘導膜５から完全に分離することができる。
くとも２種類の材料を用いることｋより、風素子２を磁
束誘導膜５から完全に分離することができる。
他の実施例として第５図に示す材料１３を絶縁材料６１
／Ｃ対し選択性のある非磁性体１４例えば人ｕ、Ｃｕ、
Ａｊなとの良導電体に変えることにより、ＭＲ４！性の
直線性を改善する電流バイアス方式の導体として利用す
ることができる。またこの非磁性体１４を絶縁材料６に
対し選択性のある永久磁石膜１５例えばＣｏ −Ｎ ｉ
、Ｃ０−Ｐなどの導電体あるいはＰｇ、αなどの絶縁体
に変えることｋより、永久磁石バイアス方式の永久磁石
膜として利用することができる。
／Ｃ対し選択性のある非磁性体１４例えば人ｕ、Ｃｕ、
Ａｊなとの良導電体に変えることにより、ＭＲ４！性の
直線性を改善する電流バイアス方式の導体として利用す
ることができる。またこの非磁性体１４を絶縁材料６に
対し選択性のある永久磁石膜１５例えばＣｏ −Ｎ ｉ
、Ｃ０−Ｐなどの導電体あるいはＰｇ、αなどの絶縁体
に変えることｋより、永久磁石バイアス方式の永久磁石
膜として利用することができる。
このように段差部を形成する第１層の膜を独特性の直線
性を改善するための電流バイアス膜あるいは永久磁石バ
イアス膜として用いることが出来る。
性を改善するための電流バイアス膜あるいは永久磁石バ
イアス膜として用いることが出来る。
以上の説明の如く本発明によれば、■１子と磁束誘導膜
の形成工程において、相互の位置合せの工程がなくなる
。さらに朧素子と磁束誘導膜は完全に分離され、しかも
風素子の幅と磁束誘導膜の溝幅はほとんど等しくなるた
め、磁束誘導膜からの磁束は効率よく飄素子を通ること
になり、従来のヘッドのように出力を低下させる部分が
無くなる。従って高感度の三脚型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供することができム
の形成工程において、相互の位置合せの工程がなくなる
。さらに朧素子と磁束誘導膜は完全に分離され、しかも
風素子の幅と磁束誘導膜の溝幅はほとんど等しくなるた
め、磁束誘導膜からの磁束は効率よく飄素子を通ること
になり、従来のヘッドのように出力を低下させる部分が
無くなる。従って高感度の三脚型磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドを提供することができム
第１図ａは従来の両側シールド付皿素子先端型又ツドの
断面図、第１図すは従来の三脚型凪ヘッドの断面図、第
２図は従来の三脚型風ヘッドの構成図、第５図及び第４
図は本発明の一実施例の製造工程図、第５図及び第６図
は本発明の他の実施例の製造工程図を示す。 ２・・・磁気抵抗効果素子（朧素子） ３．４・・・強磁性膜 ５・・・磁束誘導膜 ６．７，１１．１３・・・絶縁膜 ８・・・基 板 １２・・・保護膜 １４・・・導電膜 １５・・・永久磁石膜 才 １ 図 ！ 才２図 −＋３ （Ａ） δ （ｂ） （Ｃ） 才５ 畝） δ ＜ｂ＞ （Ｃ） ｆ 乙 （０，＞ ｌθ ご （ｂ、） （Ｃ）
断面図、第１図すは従来の三脚型凪ヘッドの断面図、第
２図は従来の三脚型風ヘッドの構成図、第５図及び第４
図は本発明の一実施例の製造工程図、第５図及び第６図
は本発明の他の実施例の製造工程図を示す。 ２・・・磁気抵抗効果素子（朧素子） ３．４・・・強磁性膜 ５・・・磁束誘導膜 ６．７，１１．１３・・・絶縁膜 ８・・・基 板 １２・・・保護膜 １４・・・導電膜 １５・・・永久磁石膜 才 １ 図 ！ 才２図 −＋３ （Ａ） δ （ｂ） （Ｃ） 才５ 畝） δ ＜ｂ＞ （Ｃ） ｆ 乙 （０，＞ ｌθ ご （ｂ、） （Ｃ）
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 ｔ 磁気抵抗効果を有する強磁性薄膜から作られた磁気
抵抗効果素子及び強磁性体で作られた磁束誘導膜をもっ
た磁気電気信号変換装置において、非磁性で少なくとも
表面が電気的に絶縁されかつ段差部分をもった膜上に付
着された強磁性薄膜が前記段差部分にて分離され一方を
磁気抵抗効果素子、他方を磁束誘導膜として用いること
を特徴とする磁気電気信号変換装置。 λ 非磁性で少なくとも表面が電気的に絶縁された膜は
、少なくとも２種類の材料を順次積層堆積し、上層の膜
を所望形状になした後に下層の膜を上層の膜よりもわず
かに小さく形成することを特徴とする特許請求の範囲第
１項記載の磁気電気信号変換装置。 五 下層の膜を磁気抵抗効果素子に対しバイアスを与え
る材料とすることを特徴とする特許請求の範囲第２項記
載の磁気電気信号変換製置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667681A JPS5829116A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 磁気電気信号変換装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12667681A JPS5829116A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 磁気電気信号変換装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS5829116A true JPS5829116A (ja) | 1983-02-21 |
Family
ID=14941094
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12667681A Pending JPS5829116A (ja) | 1981-08-14 | 1981-08-14 | 磁気電気信号変換装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5829116A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60158879A (ja) * | 1984-01-31 | 1985-08-20 | 秀工電子株式会社 | 玉貨機 |
| JPS6120574A (ja) * | 1984-07-06 | 1986-01-29 | 秀工電子株式会社 | 玉貸機 |
| JPS61149184A (ja) * | 1984-12-22 | 1986-07-07 | ダイコク電機株式会社 | パチンコホ−ルの台間貸出機 |
| JPH06334237A (ja) * | 1993-05-18 | 1994-12-02 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取りトランスジューサ |
-
1981
- 1981-08-14 JP JP12667681A patent/JPS5829116A/ja active Pending
Cited By (7)
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