JPS62291713A - 複合型薄膜磁気ヘツド - Google Patents
複合型薄膜磁気ヘツドInfo
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- JPS62291713A JPS62291713A JP13532086A JP13532086A JPS62291713A JP S62291713 A JPS62291713 A JP S62291713A JP 13532086 A JP13532086 A JP 13532086A JP 13532086 A JP13532086 A JP 13532086A JP S62291713 A JPS62291713 A JP S62291713A
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
-
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- G11B5/1278—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive specially adapted for magnetisations perpendicular to the surface of the record carrier
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
発明の詳細な説明
（産業上の利用分野）
この発明は、高効率で作製プロセスが容易な薄膜インダ
クティブヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドの複合型薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
クティブヘッドと磁気抵抗効果型ヘッドの複合型薄膜磁
気ヘッドに関するものである。
（従来の技術）
磁気ファイル装置の高密度化、小形化のため、磁気抵抗
効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）が脚光を浴びてい
る。ＭＲヘッドは電流の方向と磁化のなす角度によって
抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼
ぶ）を用い、信号磁界の変化を抵抗変化として検出する
ヘッドである。そのため、ＭＲヘッドの大きな特徴とし
て、センス電流と抵抗変化の積となる再生出力電圧が媒
体ヘッドの相対速度に依存せず、またバイアスレベルを
適切に設定すれば、センス電流に比例した大きな再生出
力電圧を得ることができる。ＭＲヘッドは再生専用ヘッ
ドであるため、記録用としてインダクティブ型薄膜ヘッ
ドを用い、記録・再生ヘッドを一体化した複合薄膜磁気
ヘッドの検討が行なわれている。
効果ヘッド（以下ＭＲヘッドと呼ぶ）が脚光を浴びてい
る。ＭＲヘッドは電流の方向と磁化のなす角度によって
抵抗値が変化する磁気抵抗効果素子（以下ＭＲ素子と呼
ぶ）を用い、信号磁界の変化を抵抗変化として検出する
ヘッドである。そのため、ＭＲヘッドの大きな特徴とし
て、センス電流と抵抗変化の積となる再生出力電圧が媒
体ヘッドの相対速度に依存せず、またバイアスレベルを
適切に設定すれば、センス電流に比例した大きな再生出
力電圧を得ることができる。ＭＲヘッドは再生専用ヘッ
ドであるため、記録用としてインダクティブ型薄膜ヘッ
ドを用い、記録・再生ヘッドを一体化した複合薄膜磁気
ヘッドの検討が行なわれている。
（発明が解決しようとする問題点）
複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、作製プロセスを簡略
化し、製造コストを下げるために、記録・再生部で共通
化できるものは極力共通化子ることが望ましい。しかし
ながら、共通化により、記録・再生の機能が低下するよ
うな構造では、複合化の意味がなくなってしまう。
化し、製造コストを下げるために、記録・再生部で共通
化できるものは極力共通化子ることが望ましい。しかし
ながら、共通化により、記録・再生の機能が低下するよ
うな構造では、複合化の意味がなくなってしまう。
第４図は、従来の複合型薄膜磁気ヘッドの断面図であり
、記録・再生部の共通化により機能が低下した例を示し
ている。第４図において、１は基板、２は下部ヨーク、
３は上部ヨーク、４はコイル、５はＭＲ素子、６はギャ
ップである。第４図に示した複合型薄膜磁気ヘッドでは
下部ヨーク２を分断し、その間にＭＲ素子５を挿入する
ことにより、記録時にコイル４を流れる電流によって磁
化され、ギャップ６で工己録磁界を発生するヨークと、
再生時に媒体からの信号磁束をＭＲ素子５に導くための
ヨークを共通化している。しかしながら、記録時にはヨ
ーク２がＭＲ素子５を挾んで分かれているため、この部
分での磁化レベルが小さくなり、十分な記録磁界を発生
させることができない。また、再生時には、ＭＲ素子５
はヨーク２および３を通る磁束量そのものを検出するた
め、その微分値を検出するリング型インダクティブヘッ
ドや、媒体からの垂直磁界を検出するシールド型ＭＲヘ
ッドに比較して、再生感度の波長依存性が劣ることにな
る。
、記録・再生部の共通化により機能が低下した例を示し
ている。第４図において、１は基板、２は下部ヨーク、
３は上部ヨーク、４はコイル、５はＭＲ素子、６はギャ
ップである。第４図に示した複合型薄膜磁気ヘッドでは
下部ヨーク２を分断し、その間にＭＲ素子５を挿入する
ことにより、記録時にコイル４を流れる電流によって磁
化され、ギャップ６で工己録磁界を発生するヨークと、
再生時に媒体からの信号磁束をＭＲ素子５に導くための
ヨークを共通化している。しかしながら、記録時にはヨ
ーク２がＭＲ素子５を挾んで分かれているため、この部
分での磁化レベルが小さくなり、十分な記録磁界を発生
させることができない。また、再生時には、ＭＲ素子５
はヨーク２および３を通る磁束量そのものを検出するた
め、その微分値を検出するリング型インダクティブヘッ
ドや、媒体からの垂直磁界を検出するシールド型ＭＲヘ
ッドに比較して、再生感度の波長依存性が劣ることにな
る。
このように複合型薄膜磁気ヘッドにおいては、単に記録
・再生部を共通化するだけでなく、共通化によりその機
能が劣化しない様な構成にすることが重要である。本発
明の目的は、記録・再生部が共通化され作製プロセスが
簡略化されており、かつ記録・再生の機能が劣化するこ
とのない複合型薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
・再生部を共通化するだけでなく、共通化によりその機
能が劣化しない様な構成にすることが重要である。本発
明の目的は、記録・再生部が共通化され作製プロセスが
簡略化されており、かつ記録・再生の機能が劣化するこ
とのない複合型薄膜磁気ヘッドを提供することにある。
（問題点を解決するたの手段）
本発明によれば、ＭＲ素子とこのＭＲ素子に対して媒体
対向面の反対側で磁気的に結合し、ＭＲ素子の上方およ
び下方を通して媒体対向面に磁束を導く２本のリターン
パスとなるヨーク部と、このヨーク部の間にスパイラル
状に巻かれたコイルを有する薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
対向面の反対側で磁気的に結合し、ＭＲ素子の上方およ
び下方を通して媒体対向面に磁束を導く２本のリターン
パスとなるヨーク部と、このヨーク部の間にスパイラル
状に巻かれたコイルを有する薄膜磁気ヘッドを得ること
ができる。
（作用）
第３図は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの動作原理
を示す模式図であり、６はギャップ、７はＭＲ素子に磁
束を導くヨークである。第３図において、記録時にはコ
イル４を流れる電流により、上部ヨーク２および下部ヨ
ーク３が磁化される。またＭＲ素子５およびヨーク７も
磁化されるが、ＭＲ素子５の膜厚が小さいことおよびヨ
ーク７が分かれていることにより、実質的には第３図に
示した複合型薄膜磁気ヘッドは記録時には、上部ヨーク
２および下部ヨーク３を磁気回路とするリング型ヘッド
のごとく動作する。
を示す模式図であり、６はギャップ、７はＭＲ素子に磁
束を導くヨークである。第３図において、記録時にはコ
イル４を流れる電流により、上部ヨーク２および下部ヨ
ーク３が磁化される。またＭＲ素子５およびヨーク７も
磁化されるが、ＭＲ素子５の膜厚が小さいことおよびヨ
ーク７が分かれていることにより、実質的には第３図に
示した複合型薄膜磁気ヘッドは記録時には、上部ヨーク
２および下部ヨーク３を磁気回路とするリング型ヘッド
のごとく動作する。
また、再生時には、ヨーク７によって導かれる媒体から
の信号磁束はＭＲ素子５を通過した後、上部ヨーク２お
よび下部ヨーク３を通って媒体に戻る。
の信号磁束はＭＲ素子５を通過した後、上部ヨーク２お
よび下部ヨーク３を通って媒体に戻る。
すなわち、上部ヨーク２および下部ヨーク３は、ＭＲ素
子５のシールド兼信号磁界のリターンパスとして動作す
る。従って、ＭＲ素子５は媒体からの垂直磁界を検出す
るので高分解能であり、リターンパスを有しているので
、高効率となる。また、コイル４に小さな電流を供給す
ることによりＭＲ素子５にバイアス磁界を与えることが
できる。
子５のシールド兼信号磁界のリターンパスとして動作す
る。従って、ＭＲ素子５は媒体からの垂直磁界を検出す
るので高分解能であり、リターンパスを有しているので
、高効率となる。また、コイル４に小さな電流を供給す
ることによりＭＲ素子５にバイアス磁界を与えることが
できる。
（実施例）
第１図は本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第１の実
施例を示す断面図である。第１図を参照してその作製方
法を簡単に示すと、まず、非磁性基板上にフォトリソグ
ラフィー技術およびイオンエツチング技術により、深さ
５１１ｍの溝８を作製した。この溝８の形状は、イオン
エツチング時に基板を回転させながら、イオンビーム入
射角を基板に対して垂直に選ぶことにより、溝８の両側
の傾斜部の角度は略４５°になった。次に下部ヨーク２
となるＣｏＺｒＮｂアモルファス薄膜をスパッタ法によ
り厚さ３ｐｍ成膜し、フォトリソグラフィー技術とイオ
ンエツチング技術により所定の形状に加工した。その上
に溝８の深さと同じ薄膜のＳｉＯ２膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトレジストと斜め入射イオンエツチング
技術を用いた平坦化処理により、溝８以外の部分の５ｉ
０２膜を除去し、溝８を５ｉ０２膜により平坦化した。
施例を示す断面図である。第１図を参照してその作製方
法を簡単に示すと、まず、非磁性基板上にフォトリソグ
ラフィー技術およびイオンエツチング技術により、深さ
５１１ｍの溝８を作製した。この溝８の形状は、イオン
エツチング時に基板を回転させながら、イオンビーム入
射角を基板に対して垂直に選ぶことにより、溝８の両側
の傾斜部の角度は略４５°になった。次に下部ヨーク２
となるＣｏＺｒＮｂアモルファス薄膜をスパッタ法によ
り厚さ３ｐｍ成膜し、フォトリソグラフィー技術とイオ
ンエツチング技術により所定の形状に加工した。その上
に溝８の深さと同じ薄膜のＳｉＯ２膜をスパッタ法によ
り成膜し、フォトレジストと斜め入射イオンエツチング
技術を用いた平坦化処理により、溝８以外の部分の５ｉ
０２膜を除去し、溝８を５ｉ０２膜により平坦化した。
次に、ギャップ層６となる５ｉ０２膜をスパッタ法によ
り厚さ０．２ｐｍ成膜し、ＭＲ素子５となるパーマロイ
膜を真空蒸着法により厚さ０．０Ｑｍで成膜した後、フ
ォトリソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用い
て所定の形状に加工した。
り厚さ０．２ｐｍ成膜し、ＭＲ素子５となるパーマロイ
膜を真空蒸着法により厚さ０．０Ｑｍで成膜した後、フ
ォトリソグラフィー技術とイオンエツチング技術を用い
て所定の形状に加工した。
さらにギャップ層６となる５ｉ０２膜をスパッタ法によ
り厚さ０．２ｐｍ成膜し、ＭＲ素子５の近傍を除き下部
ヨークが露出するよう、５ｉ０２膜を化学エツチングに
より除去した後、ヨーク７となるパーマロイ膜をスパッ
タ法により厚さｌｐｍ成膜した。次に、ヨーク７とＭＲ
素子５の重なりが３ｐｍとなる様フォトリソグラフィー
技術とイオンエツチング技術を用いて加工した。次に、
下部ヨーク２およびヨーク７の段差を平坦化するために
フォトレジストを塗布し焼成した後、レジストフレーム
を用いた電気めっき法によりコイル４となる銅薄膜を３
ｐｍ成膜した。電気めっきに用いたレジストフレームお
よび下地層を除去後、再びフォトレジストの塗布、焼成
による段差の平坦化を用ない、上部ヨーク３となるＣｏ
ＮｂＺｒアモルファス薄膜を厚さ３１１ｍ成膜した。次
にフォトリソグラフィー技術とイオンエツチング技術を
用いて所定の形状にエツチングした。最後に保護層とな
る５ｉ０２膜をスパッタ法により２０ｐｍ成膜し、機械
加工を用いて磁気へラドスライダとした。
り厚さ０．２ｐｍ成膜し、ＭＲ素子５の近傍を除き下部
ヨークが露出するよう、５ｉ０２膜を化学エツチングに
より除去した後、ヨーク７となるパーマロイ膜をスパッ
タ法により厚さｌｐｍ成膜した。次に、ヨーク７とＭＲ
素子５の重なりが３ｐｍとなる様フォトリソグラフィー
技術とイオンエツチング技術を用いて加工した。次に、
下部ヨーク２およびヨーク７の段差を平坦化するために
フォトレジストを塗布し焼成した後、レジストフレーム
を用いた電気めっき法によりコイル４となる銅薄膜を３
ｐｍ成膜した。電気めっきに用いたレジストフレームお
よび下地層を除去後、再びフォトレジストの塗布、焼成
による段差の平坦化を用ない、上部ヨーク３となるＣｏ
ＮｂＺｒアモルファス薄膜を厚さ３１１ｍ成膜した。次
にフォトリソグラフィー技術とイオンエツチング技術を
用いて所定の形状にエツチングした。最後に保護層とな
る５ｉ０２膜をスパッタ法により２０ｐｍ成膜し、機械
加工を用いて磁気へラドスライダとした。
第１図に示した実施例１の複合型薄膜磁気ヘッドを用い
て、記録・再生特性の評価を行なったところ、記録時に
は、コイルに０．５ＡＴの電流を供給することにより、
磁気記録媒体に飽和記録を行なうことができ、ＭＲ素子
５がギャップ内にあることによる悪影響は検知されなか
った。また、再生時には、上部ヨーク３と下部ヨーク２
をシールドとするシールド型ＭＲヘッドとして、高分解
能を有することを確認した。さらに、ヨーク７の効果に
より、同一ギャップ長を有する従来型のシールド型ＭＲ
ヘッドと比較し、高い再生出力を得ることができた。
て、記録・再生特性の評価を行なったところ、記録時に
は、コイルに０．５ＡＴの電流を供給することにより、
磁気記録媒体に飽和記録を行なうことができ、ＭＲ素子
５がギャップ内にあることによる悪影響は検知されなか
った。また、再生時には、上部ヨーク３と下部ヨーク２
をシールドとするシールド型ＭＲヘッドとして、高分解
能を有することを確認した。さらに、ヨーク７の効果に
より、同一ギャップ長を有する従来型のシールド型ＭＲ
ヘッドと比較し、高い再生出力を得ることができた。
この時、ＭＲ素子５に対するバイアスはコイルに０．０
５ＡＴの電流を供給し、ヨーク７およびＭＲ素子５を磁
化させることにより与えた。
５ＡＴの電流を供給し、ヨーク７およびＭＲ素子５を磁
化させることにより与えた。
尚、第１図に示した第１の実施例の複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、下部ヨーク２、上部ヨーク３、ヨーク７の
材料として、他にＣｏＴａＺｒをはじめとするＣｏ系ア
モルファス軟磁性材料、センダスト合金、パーマロイ合
金などを用いることができ、ギャップ６の材料として、
他にＡｌ２Ｏ３膜を用いることができる。また、ＭＲ素
子５の材料として、他にＮｉＣｏ膜を用いることができ
、保護層９の材料として他にＡｌ２Ｏ３膜を用いること
ができる。
ドにおいて、下部ヨーク２、上部ヨーク３、ヨーク７の
材料として、他にＣｏＴａＺｒをはじめとするＣｏ系ア
モルファス軟磁性材料、センダスト合金、パーマロイ合
金などを用いることができ、ギャップ６の材料として、
他にＡｌ２Ｏ３膜を用いることができる。また、ＭＲ素
子５の材料として、他にＮｉＣｏ膜を用いることができ
、保護層９の材料として他にＡｌ２Ｏ３膜を用いること
ができる。
第２図は、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第２の
実施例を示す１折面図である。第２図を参照してその作
製方法を簡単に示すと、まず、ＮｉＺｎ軟磁性フェライ
トよりなる基板１上にフォトリソグラフィー技術および
イオンエツチング技術により、深さ５ｐｍの溝８を作製
した。この溝８の形状は第１図に示した第１の実施例と
同一の方法により、傾斜部の角度として略４５°が得ら
れた。次に溝８の深さと同じ膜厚の５ｉ０２膜をスパッ
タ法により成膜し、フォトレジストと斜め入射イオンエ
ツチング技術を用いた平坦化処理により、溝８以外の部
分の５ｉ０２膜を除去し、溝８の部分を５ｉ０２膜によ
り平坦化した。次にＭＲ素子５となるパーマロイ膜を真
空蒸着法により厚さ０．０４μｍ成膜し、溝８の上にパ
ターンが形成される様、フォトリソグツイー技術とイオ
ンエツチング技術を用いて加工した。その上にギャップ
６となる５ｉ０２膜をスパッタ法により厚さ ０．２ｐ
ｍ成膜した後、ヨーク７となるパーマロイ膜７をスパッ
タ法により厚さ０．５ｐｍ成ｊ漠した。次に、ギャップ
６がらＭＲ素子５までの部分とＭＲ素子５がら基板１ま
でのそれぞれの部分のヨーク７を、ＭＲ素子５との重な
りが３μｍずつとなる様にフォトリソグラフィー技術と
イオンエチング技術により加工した。次にギヤ７１層６
をスパッタ法により厚さ０．２μｍ成膜した後、焼成フ
ォトレジストによる段差平坦化層、銅薄）瑛によるコイ
ルチ、ＣｏＮｂＺｒアモルファス薄膜による上部ヨーク
３を、第１の実施例と同様の方法により成膜、加工し、
最後に保護層９として５ｉ０２薄１漢を厚さ３０ｐｍス
パッタ法により成膜した。その後、機械加工により基板
１を切断し、磁気へラドスライダに成形した。
実施例を示す１折面図である。第２図を参照してその作
製方法を簡単に示すと、まず、ＮｉＺｎ軟磁性フェライ
トよりなる基板１上にフォトリソグラフィー技術および
イオンエツチング技術により、深さ５ｐｍの溝８を作製
した。この溝８の形状は第１図に示した第１の実施例と
同一の方法により、傾斜部の角度として略４５°が得ら
れた。次に溝８の深さと同じ膜厚の５ｉ０２膜をスパッ
タ法により成膜し、フォトレジストと斜め入射イオンエ
ツチング技術を用いた平坦化処理により、溝８以外の部
分の５ｉ０２膜を除去し、溝８の部分を５ｉ０２膜によ
り平坦化した。次にＭＲ素子５となるパーマロイ膜を真
空蒸着法により厚さ０．０４μｍ成膜し、溝８の上にパ
ターンが形成される様、フォトリソグツイー技術とイオ
ンエツチング技術を用いて加工した。その上にギャップ
６となる５ｉ０２膜をスパッタ法により厚さ ０．２ｐ
ｍ成膜した後、ヨーク７となるパーマロイ膜７をスパッ
タ法により厚さ０．５ｐｍ成ｊ漠した。次に、ギャップ
６がらＭＲ素子５までの部分とＭＲ素子５がら基板１ま
でのそれぞれの部分のヨーク７を、ＭＲ素子５との重な
りが３μｍずつとなる様にフォトリソグラフィー技術と
イオンエチング技術により加工した。次にギヤ７１層６
をスパッタ法により厚さ０．２μｍ成膜した後、焼成フ
ォトレジストによる段差平坦化層、銅薄）瑛によるコイ
ルチ、ＣｏＮｂＺｒアモルファス薄膜による上部ヨーク
３を、第１の実施例と同様の方法により成膜、加工し、
最後に保護層９として５ｉ０２薄１漢を厚さ３０ｐｍス
パッタ法により成膜した。その後、機械加工により基板
１を切断し、磁気へラドスライダに成形した。
第２図に示した本発明による複合型薄膜磁気ヘッドの第
２の実施例では下部ヨークを基板１が兼ねているため、
下部ヨークの成膜・加工に要する工数を削減できた。こ
の複合型薄膜磁気ヘッドを用いて、記録、再生特性の評
価を行なったところ、記録時には第１の実施例の複合型
薄膜磁気ヘッドと同様、コイルに０．５ＡＴの電流を供
給することにより磁気記録媒体に飽和記録を行なうこと
ができ、ヨーク７がギャップ内にあることによる悪影響
は検知されなかった。また、再生時には、上部ヨーク３
と基板１をシールドとしてヨーク７より媒体からの信号
磁束をＭＲ素子５に導くので、再生応答はシールド型Ｍ
Ｒヘッドと同様に媒体からの磁界の垂直成分に対応した
形となった。従って、高分解能を得ることができ、また
、上部ヨーク３および基板１がリターンバスとして動作
するため高効率を得ることができた。ここでＭＲ素子５
にバイアス磁界を与えるため、コイル４に０．０３ＡＴ
の電流を供給した。
２の実施例では下部ヨークを基板１が兼ねているため、
下部ヨークの成膜・加工に要する工数を削減できた。こ
の複合型薄膜磁気ヘッドを用いて、記録、再生特性の評
価を行なったところ、記録時には第１の実施例の複合型
薄膜磁気ヘッドと同様、コイルに０．５ＡＴの電流を供
給することにより磁気記録媒体に飽和記録を行なうこと
ができ、ヨーク７がギャップ内にあることによる悪影響
は検知されなかった。また、再生時には、上部ヨーク３
と基板１をシールドとしてヨーク７より媒体からの信号
磁束をＭＲ素子５に導くので、再生応答はシールド型Ｍ
Ｒヘッドと同様に媒体からの磁界の垂直成分に対応した
形となった。従って、高分解能を得ることができ、また
、上部ヨーク３および基板１がリターンバスとして動作
するため高効率を得ることができた。ここでＭＲ素子５
にバイアス磁界を与えるため、コイル４に０．０３ＡＴ
の電流を供給した。
尚、第２図に示した第２の実施例の複合型薄膜磁気ヘッ
ドにおいて、基板１の材料として他にＭｎＺｎフェライ
トを用いることができ、上部ヨーク３およびヨーク７の
材料として、他に、ＣｏＴａＺｒをはじめとするｃｏ系
軟磁性材料、センダスト合金、パーマロイなどを用いる
ことができ、ギャップ６の材料として、他にＡｌ２Ｏ３
膜を用いることができる。
ドにおいて、基板１の材料として他にＭｎＺｎフェライ
トを用いることができ、上部ヨーク３およびヨーク７の
材料として、他に、ＣｏＴａＺｒをはじめとするｃｏ系
軟磁性材料、センダスト合金、パーマロイなどを用いる
ことができ、ギャップ６の材料として、他にＡｌ２Ｏ３
膜を用いることができる。
また、ＭＲ素子５の材料として、他にＮｉＣｏ膜を用い
ることができ、保護層９の材料として、他にＡｌ２Ｏ３
膜を用いることができる。
ることができ、保護層９の材料として、他にＡｌ２Ｏ３
膜を用いることができる。
（発明の効果）
このように、本発明による複合型薄膜磁気ヘッドにおい
ては、従来個別に作製していた薄膜インダクティブ型ヘ
ッドおよびシールド型ＭＲヘッドの機能を低下させるこ
となく、両者の一部を共通化し、一体化したものであり
、特に、再生時において、リターンパスの効果により従
来のシールド型ＭＲヘッドに比較して、高い効率を有す
るという大きな特徴を有している。この複合型薄膜磁気
ヘッドを用いることにより、記録時には薄膜インダクテ
ィプヘッドの鋭い記録磁界分布、再生時にはリターンパ
ス付シールド型ＭＲヘッドの高分解能、高出力が得られ
、かつ、一体化により製造プロセスの大幅な簡略化が可
能であるので、小型、高性能で安価な磁気ディスク装置
あるいはフロッピーディスク装置を得ることができる。
ては、従来個別に作製していた薄膜インダクティブ型ヘ
ッドおよびシールド型ＭＲヘッドの機能を低下させるこ
となく、両者の一部を共通化し、一体化したものであり
、特に、再生時において、リターンパスの効果により従
来のシールド型ＭＲヘッドに比較して、高い効率を有す
るという大きな特徴を有している。この複合型薄膜磁気
ヘッドを用いることにより、記録時には薄膜インダクテ
ィプヘッドの鋭い記録磁界分布、再生時にはリターンパ
ス付シールド型ＭＲヘッドの高分解能、高出力が得られ
、かつ、一体化により製造プロセスの大幅な簡略化が可
能であるので、小型、高性能で安価な磁気ディスク装置
あるいはフロッピーディスク装置を得ることができる。
第１図および第２図は本発明による複合型薄膜磁気ヘッ
ドの実施例を示す断面図、第３図は本発明による複合型
薄膜磁気ヘッドの作用を示す模式図、第４図は従来の複
合型薄膜磁気ヘッドの例を示す断面図であり、１・・・
基板、２・・・下部ヨーク、３・・・上部ヨーク、４・
・・コイル、５・・・ＭＲ素子、６・・・ギャップ、７
・・・オ １ 口 ５ＭＲ素子 １基板 オ ２ 図 ；７３図
ドの実施例を示す断面図、第３図は本発明による複合型
薄膜磁気ヘッドの作用を示す模式図、第４図は従来の複
合型薄膜磁気ヘッドの例を示す断面図であり、１・・・
基板、２・・・下部ヨーク、３・・・上部ヨーク、４・
・・コイル、５・・・ＭＲ素子、６・・・ギャップ、７
・・・オ １ 口 ５ＭＲ素子 １基板 オ ２ 図 ；７３図
Claims (3)
- （１）、媒体対向面またはその近傍に形成される磁気抵
抗効果素子と、該磁気抵抗効果素子の両側に所定の間隔
をおいて形成され媒体対向面から所定の距離をおいた位
置で磁気的に結合したヨークであって、かつその一部が
前記磁気抵抗効果素子と磁気的に結合するように形成さ
れ該磁気抵抗効果素子を通じて磁束を媒体対向面に導く
２本のリターンパスとなるヨークと、該ヨークの間にス
パイラル状に巻かれたコイルを有することを特徴とする
複合型薄膜磁気ヘッド。 - （２）、前記磁気抵抗効果素子が媒体対向面からリセス
しており、磁気抵抗効果素子と媒体対向面の間に軟磁性
体からなるヨークが配置されている特許請求の範囲第１
項に記載の複合型薄膜磁気ヘッド。 - （３）、ヨークの少なくとも一部が軟磁性フェライト基
板である特許請求の範囲第１項または第２項に記載の複
合型薄膜磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13532086A JPS62291713A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 複合型薄膜磁気ヘツド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13532086A JPS62291713A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 複合型薄膜磁気ヘツド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62291713A true JPS62291713A (ja) | 1987-12-18 |
Family
ID=15148992
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13532086A Pending JPS62291713A (ja) | 1986-06-10 | 1986-06-10 | 複合型薄膜磁気ヘツド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62291713A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | ||
| EP0376459A2 (en) * | 1988-12-30 | 1990-07-04 | Quantum Corporation | Recording heads with side shields |
| EP0404332A2 (en) * | 1989-06-22 | 1990-12-27 | Quantum Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| US5583726A (en) * | 1991-10-21 | 1996-12-10 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head using flux guide |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164416A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
-
1986
- 1986-06-10 JP JP13532086A patent/JPS62291713A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS57164416A (en) * | 1981-03-31 | 1982-10-09 | Fujitsu Ltd | Magnetic head |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6352108U (ja) * | 1986-09-22 | 1988-04-08 | ||
| EP0376459A2 (en) * | 1988-12-30 | 1990-07-04 | Quantum Corporation | Recording heads with side shields |
| EP0404332A2 (en) * | 1989-06-22 | 1990-12-27 | Quantum Corporation | Three-pole magnetic head with reduced flux leakage |
| JPH0330110A (ja) * | 1989-06-22 | 1991-02-08 | Digital Equip Corp <Dec> | 磁束漏洩を減少せしめた３極磁気ヘッド |
| US5583726A (en) * | 1991-10-21 | 1996-12-10 | Fujitsu Limited | Magneto-resistive head using flux guide |
| US5777827A (en) * | 1991-10-21 | 1998-07-07 | Fujitsu Limited | Horizontal type magneto-resistive head using flux guide |
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