JPH08339513A - 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH08339513A JPH08339513A JP14852895A JP14852895A JPH08339513A JP H08339513 A JPH08339513 A JP H08339513A JP 14852895 A JP14852895 A JP 14852895A JP 14852895 A JP14852895 A JP 14852895A JP H08339513 A JPH08339513 A JP H08339513A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- magnetic
- recording
- film
- magnetic pole
- reproducing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】記録ヘッドと再生ヘッドのトラック位置ずれを
なくし、良好な記録再生特性を有する記録再生分離型ヘ
ッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果膜４上に成膜された電極膜の上の
信号検出領域位置が凹部となる非磁性層８のパターンを
形成する。非磁性層８をマスクとして用い電極膜をエッ
チングして信号検出領域を形成する。非磁性層８及び磁
気抵抗効果膜４上に絶縁膜及び下部磁極膜を順次成膜
し、下部磁極膜が所定の下部磁極の厚さになるように下
部磁極膜と絶縁膜と必要ならば非磁性層８も研削、もし
くはエッチバックして記録トラック幅を規定する下部磁
極を形成する。再生素子である磁気抵抗効果素子のトラ
ック幅を規定する電極を加工，形成した非磁性層８を用
いて、記録素子である電磁誘導型素子のトラック幅を規
定する磁極を形成する。
なくし、良好な記録再生特性を有する記録再生分離型ヘ
ッドを提供する。 【構成】磁気抵抗効果膜４上に成膜された電極膜の上の
信号検出領域位置が凹部となる非磁性層８のパターンを
形成する。非磁性層８をマスクとして用い電極膜をエッ
チングして信号検出領域を形成する。非磁性層８及び磁
気抵抗効果膜４上に絶縁膜及び下部磁極膜を順次成膜
し、下部磁極膜が所定の下部磁極の厚さになるように下
部磁極膜と絶縁膜と必要ならば非磁性層８も研削、もし
くはエッチバックして記録トラック幅を規定する下部磁
極を形成する。再生素子である磁気抵抗効果素子のトラ
ック幅を規定する電極を加工，形成した非磁性層８を用
いて、記録素子である電磁誘導型素子のトラック幅を規
定する磁極を形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、記憶媒体に情報を磁気
的に記録及び再生する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する
的に記録及び再生する薄膜磁気ヘッドおよびその製造方
法に関する
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスク装置の小型化に伴い、ディ
スクとヘッドの相対速度に依存せずに高い再生出力電圧
が得られる磁気抵抗効果素子が注目されている。磁気抵
抗効果素子は素子が感受する磁束によって抵抗が変化す
ることを利用した磁気センサであり、磁気媒体から情報
を再生することはできるが、媒体に情報を記録すること
はできない。そのため、記録素子に従来の電磁誘導型素
子，再生素子に磁気抵抗効果素子を用いた記録再生分離
型磁気ヘッドの開発が行われている。記録再生分離型磁
気ヘッドとして電磁誘導型素子の上、もしくは下に磁気
抵抗効果素子を配置したヘッドや電磁誘導型素子の磁気
ギャップ内に磁気抵抗効果素子を配置したヘッドが検討
されている。電磁誘導型素子の下、もしくは上に磁気抵
抗効果素子を配置した公知例として特開平1−96814号，
特開平6−274830 号公報がある。
スクとヘッドの相対速度に依存せずに高い再生出力電圧
が得られる磁気抵抗効果素子が注目されている。磁気抵
抗効果素子は素子が感受する磁束によって抵抗が変化す
ることを利用した磁気センサであり、磁気媒体から情報
を再生することはできるが、媒体に情報を記録すること
はできない。そのため、記録素子に従来の電磁誘導型素
子，再生素子に磁気抵抗効果素子を用いた記録再生分離
型磁気ヘッドの開発が行われている。記録再生分離型磁
気ヘッドとして電磁誘導型素子の上、もしくは下に磁気
抵抗効果素子を配置したヘッドや電磁誘導型素子の磁気
ギャップ内に磁気抵抗効果素子を配置したヘッドが検討
されている。電磁誘導型素子の下、もしくは上に磁気抵
抗効果素子を配置した公知例として特開平1−96814号，
特開平6−274830 号公報がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来技術で
は、記録トラックと再生トラックの位置ずれに関して考
慮されていない。一般に記録再生分離型磁気ヘッドは電
磁誘導型素子と磁気抵抗効果素子の記録トラック部，再
生トラック部の加工をそれぞれ別々のマスク及びパター
ンを用いるために記録トラックと再生トラックの位置ず
れが生じる。このずれの大きさは、電磁誘導型素子の上
もしくは下に磁気抵抗効果素子を作製する場合には０.
５μｍ 程度，電磁誘導型素子の磁気ギャップ内に磁気
抵抗効果素子を作製する場合には０.３μｍ 程度と見積
られる。これにより、再生出力電圧の低下，Ｓ／Ｎの低
下が生じ、良好な記録再生特性が得られない。この位置
ずれの影響はトラック幅が狭くなるほど顕著になるた
め、高記録密度でも良好な記録再生特性を示す磁気ヘッ
ドを安定に作製することは困難である。
は、記録トラックと再生トラックの位置ずれに関して考
慮されていない。一般に記録再生分離型磁気ヘッドは電
磁誘導型素子と磁気抵抗効果素子の記録トラック部，再
生トラック部の加工をそれぞれ別々のマスク及びパター
ンを用いるために記録トラックと再生トラックの位置ず
れが生じる。このずれの大きさは、電磁誘導型素子の上
もしくは下に磁気抵抗効果素子を作製する場合には０.
５μｍ 程度，電磁誘導型素子の磁気ギャップ内に磁気
抵抗効果素子を作製する場合には０.３μｍ 程度と見積
られる。これにより、再生出力電圧の低下，Ｓ／Ｎの低
下が生じ、良好な記録再生特性が得られない。この位置
ずれの影響はトラック幅が狭くなるほど顕著になるた
め、高記録密度でも良好な記録再生特性を示す磁気ヘッ
ドを安定に作製することは困難である。
【０００４】本発明の目的は記録トラックと再生トラッ
クの位置ずれがなく、良好な記録再生特性を安定に示す
記録再生分離型磁気ヘッドを提供することにある。
クの位置ずれがなく、良好な記録再生特性を安定に示す
記録再生分離型磁気ヘッドを提供することにある。
【０００５】
【課題を解決するための手段】磁気抵抗効果素子の上に
電磁誘導型素子を配置した記録再生分離型磁気ヘッドで
は、電磁誘導型素子の上部磁極の媒体対向面における記
録磁気ギャップ側の磁極幅をＷu1とし、下部磁極の媒体
対向面における記録磁気ギャップ側の磁極幅及び磁気抵
抗効果素子側の磁極幅を各々Ｗl1及びＷl2とし、磁気抵
抗効果素子の電極間隔をＷreadとしたとき、Ｗread≧Ｗ
l2かつＷu1＞Ｗl1なる関係を満たす構造とする。好まし
くは、媒体対向面で、前記電磁誘導型素子の上部磁極の
記録磁気ギャップ側磁極幅をＷu1を幅とする基板面に垂
直な領域内に下部磁極の記録磁気ギャップ側磁極幅Ｗl1
が存在し、Ｗl1を幅とする基板面に垂直な領域内に、前
記磁気抵抗効果素子の電極間隔Ｗreadを配置しＷl1より
もＷreadを狭くする。高い再生出力電圧を得るために
は、磁気抵抗効果素子の電極の間隔を縦バイアス印加層
の間隔Ｗbiasと等しいかまたはそれ以下とする。
電磁誘導型素子を配置した記録再生分離型磁気ヘッドで
は、電磁誘導型素子の上部磁極の媒体対向面における記
録磁気ギャップ側の磁極幅をＷu1とし、下部磁極の媒体
対向面における記録磁気ギャップ側の磁極幅及び磁気抵
抗効果素子側の磁極幅を各々Ｗl1及びＷl2とし、磁気抵
抗効果素子の電極間隔をＷreadとしたとき、Ｗread≧Ｗ
l2かつＷu1＞Ｗl1なる関係を満たす構造とする。好まし
くは、媒体対向面で、前記電磁誘導型素子の上部磁極の
記録磁気ギャップ側磁極幅をＷu1を幅とする基板面に垂
直な領域内に下部磁極の記録磁気ギャップ側磁極幅Ｗl1
が存在し、Ｗl1を幅とする基板面に垂直な領域内に、前
記磁気抵抗効果素子の電極間隔Ｗreadを配置しＷl1より
もＷreadを狭くする。高い再生出力電圧を得るために
は、磁気抵抗効果素子の電極の間隔を縦バイアス印加層
の間隔Ｗbiasと等しいかまたはそれ以下とする。
【０００６】製造方法として、前記磁気抵抗効果膜上に
成膜された電極膜の上の信号検出領域位置に前記電磁誘
導型素子の下部磁極の厚さよりも厚いレジストパターン
を形成し、前記電極膜及び前記レジストパターンの上に
非磁性層を成膜後、前記非磁性層と必要ならば前記レジ
ストパターンも研削、もしくはエッチバックする。その
後、前記レジストパターンを除去し、残った前記非磁性
層を用いて前記電極膜をエッチングして信号検出領域を
形成し、前記非磁性層及び前記磁気抵抗効果膜上に絶縁
膜及び下部磁極膜を順次成膜する。そして、前記下部磁
極膜が所定の下部磁極の厚さになるように前記下部磁極
膜と前記絶縁膜と必要ならば前記非磁性層も研削、もし
くはエッチバックし、その後、記録磁気ギャップ膜，記
録素子コイル部，上部磁極を順次形成する。
成膜された電極膜の上の信号検出領域位置に前記電磁誘
導型素子の下部磁極の厚さよりも厚いレジストパターン
を形成し、前記電極膜及び前記レジストパターンの上に
非磁性層を成膜後、前記非磁性層と必要ならば前記レジ
ストパターンも研削、もしくはエッチバックする。その
後、前記レジストパターンを除去し、残った前記非磁性
層を用いて前記電極膜をエッチングして信号検出領域を
形成し、前記非磁性層及び前記磁気抵抗効果膜上に絶縁
膜及び下部磁極膜を順次成膜する。そして、前記下部磁
極膜が所定の下部磁極の厚さになるように前記下部磁極
膜と前記絶縁膜と必要ならば前記非磁性層も研削、もし
くはエッチバックし、その後、記録磁気ギャップ膜，記
録素子コイル部，上部磁極を順次形成する。
【０００７】
【作用】記録，再生トラック部を別々のマスクパターン
を用いて形成することによって、記録，再生トラックの
ずれが生じ、その結果、再生出力電圧の低下，Ｓ／Ｎの
低下等が起きる。記録トラックと再生トラックにずれが
生じない構造、並びに製造方法を以下に述べる。
を用いて形成することによって、記録，再生トラックの
ずれが生じ、その結果、再生出力電圧の低下，Ｓ／Ｎの
低下等が起きる。記録トラックと再生トラックにずれが
生じない構造、並びに製造方法を以下に述べる。
【０００８】磁気抵抗効果素子の上に電磁誘導型素子を
配置した記録再生分離型磁気ヘッドで、前記磁気抵抗効
果素子の電極膜の上の信号検出領域位置が凹となる非磁
性のパターンを用いて前記電極膜をエッチングして信号
検出領域位置を形成し、その後、前記非磁性パターンを
用いて、絶縁層を介し、前記電磁誘導型素子の下部磁極
を形成する。このとき、媒体対向面で電磁誘導型素子の
記録磁気ギャップ側の下部磁極の幅Ｗl1を記録磁気ギャ
ップ側の上部磁極の幅Ｗu1よりも狭くすると記録トラッ
ク幅は下部磁極の幅Ｗl1で決まる。以上ように、記録，
再生トラック部を同一のパターンを用いて形成している
ため、記録トラックと再生トラックの位置ずれのない磁
気ヘッドが得られる。磁気抵抗効果素子の電極間隔をＷ
readとし、電磁誘導型素子の磁気抵抗効果素子側の下部
磁極の幅をＷl2とすると、Ｗread≧Ｗl2かつＷu1＞Ｗl1
なる関係が成り立つ。さらに、Ｗu1≧Ｗreadなる関係も
成り立つ構造にすることにより、再生トラック幅は記録
トラック幅よりも狭くなりＳ／Ｎが向上する。
配置した記録再生分離型磁気ヘッドで、前記磁気抵抗効
果素子の電極膜の上の信号検出領域位置が凹となる非磁
性のパターンを用いて前記電極膜をエッチングして信号
検出領域位置を形成し、その後、前記非磁性パターンを
用いて、絶縁層を介し、前記電磁誘導型素子の下部磁極
を形成する。このとき、媒体対向面で電磁誘導型素子の
記録磁気ギャップ側の下部磁極の幅Ｗl1を記録磁気ギャ
ップ側の上部磁極の幅Ｗu1よりも狭くすると記録トラッ
ク幅は下部磁極の幅Ｗl1で決まる。以上ように、記録，
再生トラック部を同一のパターンを用いて形成している
ため、記録トラックと再生トラックの位置ずれのない磁
気ヘッドが得られる。磁気抵抗効果素子の電極間隔をＷ
readとし、電磁誘導型素子の磁気抵抗効果素子側の下部
磁極の幅をＷl2とすると、Ｗread≧Ｗl2かつＷu1＞Ｗl1
なる関係が成り立つ。さらに、Ｗu1≧Ｗreadなる関係も
成り立つ構造にすることにより、再生トラック幅は記録
トラック幅よりも狭くなりＳ／Ｎが向上する。
【０００９】磁気抵抗効果膜は縦バイアス印加層と近接
する領域では外部磁界に対する感度が低いため、磁気抵
抗効果素子電極間隔Ｗreadを縦バイアス印加層の間隔Ｗ
biasと等しいかそれ以下とすることにより、再生トラッ
ク領域内の低感度領域が小さくなり出力が向上する。
する領域では外部磁界に対する感度が低いため、磁気抵
抗効果素子電極間隔Ｗreadを縦バイアス印加層の間隔Ｗ
biasと等しいかそれ以下とすることにより、再生トラッ
ク領域内の低感度領域が小さくなり出力が向上する。
【００１０】
【実施例】本発明を用いた一実施例について述べる。図
１はヘッド先端部を媒体対向面から見た説明図、図２は
ヘッド先端部を上から見た説明図、図３は図２中のＡ−
Ａ′の断面図である。非磁性基板１の上に再生素子の下
部シールド２としてNiFe、下部ギャップ３としてアルミ
ナ等の絶縁膜を形成後、磁気抵抗効果膜４としてＮｉＦ
ｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ、縦バイアス印加層５と
してCoCrPtを形成する。再生素子電極６としてＣｒ／Ａ
ｕ／Ｃｒを成膜し、再生トラック幅を規定する以外の部
分をイオンミリング，ドライエッチング等であらかじめ
加工する。記録素子の下部磁極の膜厚よりも厚く下部磁
極のレジストパターン７を形成し、非磁性層８として下
部磁極の膜厚よりも厚くアルミナを積層させる。その
後、イオンミリング、もしくは研磨でレジストパターン
が表面に出るまで非磁性層８，レジスト７を平坦化し、
レジストパターン７を剥離する。このようにして作製し
た記録素子の下部磁極のレジストパターンの反転パター
ンとなった非磁性層８をマスクとして用いて再生素子電
極６の再生トラック部をイオンミリング，ドライエッチ
ング等で加工し、上部ギャップ９としてアルミナを形成
後、記録素子下部磁極１０としてＮｉＦｅをめっき法、
もしくはスパッタリング法で成膜し、非磁性層８の下部
磁極パターン部が出るまでイオンミリング、もしくは研
磨で平坦化する。その後、記録素子ギャップ１１として
アルミナ等の絶縁層を形成後、記録ヘッド用コイル部１
２をレジスト、Ｃｕ，記録素子上部磁極１３をＮｉＦｅ
で形成する。
１はヘッド先端部を媒体対向面から見た説明図、図２は
ヘッド先端部を上から見た説明図、図３は図２中のＡ−
Ａ′の断面図である。非磁性基板１の上に再生素子の下
部シールド２としてNiFe、下部ギャップ３としてアルミ
ナ等の絶縁膜を形成後、磁気抵抗効果膜４としてＮｉＦ
ｅ／Ｃｕ／ＮｉＦｅ／ＦｅＭｎ、縦バイアス印加層５と
してCoCrPtを形成する。再生素子電極６としてＣｒ／Ａ
ｕ／Ｃｒを成膜し、再生トラック幅を規定する以外の部
分をイオンミリング，ドライエッチング等であらかじめ
加工する。記録素子の下部磁極の膜厚よりも厚く下部磁
極のレジストパターン７を形成し、非磁性層８として下
部磁極の膜厚よりも厚くアルミナを積層させる。その
後、イオンミリング、もしくは研磨でレジストパターン
が表面に出るまで非磁性層８，レジスト７を平坦化し、
レジストパターン７を剥離する。このようにして作製し
た記録素子の下部磁極のレジストパターンの反転パター
ンとなった非磁性層８をマスクとして用いて再生素子電
極６の再生トラック部をイオンミリング，ドライエッチ
ング等で加工し、上部ギャップ９としてアルミナを形成
後、記録素子下部磁極１０としてＮｉＦｅをめっき法、
もしくはスパッタリング法で成膜し、非磁性層８の下部
磁極パターン部が出るまでイオンミリング、もしくは研
磨で平坦化する。その後、記録素子ギャップ１１として
アルミナ等の絶縁層を形成後、記録ヘッド用コイル部１
２をレジスト、Ｃｕ，記録素子上部磁極１３をＮｉＦｅ
で形成する。
【００１１】以上のプロセスに従い作製した記録再生分
離型磁気ヘッドの媒体対向面から見たヘッド先端部を図
４に示す。上述したプロセスにより作製した記録素子の
下部磁極のレジストパターンの反転パターンとなった非
磁性層８をマスクとして加工した電極６の幅Ｗreadで再
生トラック幅は決定され、記録トラック幅も同じ非磁性
層８上に絶縁膜９を介して形成された下部磁極のＷl1と
なる。
離型磁気ヘッドの媒体対向面から見たヘッド先端部を図
４に示す。上述したプロセスにより作製した記録素子の
下部磁極のレジストパターンの反転パターンとなった非
磁性層８をマスクとして加工した電極６の幅Ｗreadで再
生トラック幅は決定され、記録トラック幅も同じ非磁性
層８上に絶縁膜９を介して形成された下部磁極のＷl1と
なる。
【００１２】次に、記録トラックと再生トラックの位置
ずれ量をΔＸと定義したとき、種々のΔＸを有する従来
の記録再生分離型磁気ヘッドと本発明を用いた記録再生
分離型磁気ヘッドの特性を測定した結果について述べ
る。図５（ａ）は、従来の記録再生分離型磁気ヘッド図
５（ｂ）と本発明を用いた記録再生分離型磁気ヘッド図
５（ｃ）を用いた場合の各記録，再生トラック幅Ｗｗ，
Ｗｒにおける記録，再生トラックの位置ずれ量ΔＸによ
る相対出力の低下を示したものである。なお、各記録，
再生トラック幅Ｗｗ（μｍ）／Ｗｒ（μｍ）は、３.０
／２.５，２.０／１.６，１.５／１.２ である。相対出
力は、ΔＸ＝０の時の再生出力Ｖ０とΔＸ≠０の時の再
生出力Ｖｘの比である。プロセスにおける記録，再生ト
ラックの位置ずれを０.５μｍ とすると、記録，再生ト
ラック幅が小さくなるほどトラックの位置ずれによる相
対出力の低下が約１０％，２０％，３０％と大きくな
る。本発明の構造は図５（ｃ）のようにΔＸ＝０が常に
得られるため、従来例の図５（ｂ）の構造，製造方法の
ような相対出力の低下は見られなくなる。
ずれ量をΔＸと定義したとき、種々のΔＸを有する従来
の記録再生分離型磁気ヘッドと本発明を用いた記録再生
分離型磁気ヘッドの特性を測定した結果について述べ
る。図５（ａ）は、従来の記録再生分離型磁気ヘッド図
５（ｂ）と本発明を用いた記録再生分離型磁気ヘッド図
５（ｃ）を用いた場合の各記録，再生トラック幅Ｗｗ，
Ｗｒにおける記録，再生トラックの位置ずれ量ΔＸによ
る相対出力の低下を示したものである。なお、各記録，
再生トラック幅Ｗｗ（μｍ）／Ｗｒ（μｍ）は、３.０
／２.５，２.０／１.６，１.５／１.２ である。相対出
力は、ΔＸ＝０の時の再生出力Ｖ０とΔＸ≠０の時の再
生出力Ｖｘの比である。プロセスにおける記録，再生ト
ラックの位置ずれを０.５μｍ とすると、記録，再生ト
ラック幅が小さくなるほどトラックの位置ずれによる相
対出力の低下が約１０％，２０％，３０％と大きくな
る。本発明の構造は図５（ｃ）のようにΔＸ＝０が常に
得られるため、従来例の図５（ｂ）の構造，製造方法の
ような相対出力の低下は見られなくなる。
【００１３】図６，図７に他の実施例を示す。図６は下
部磁極リフトオフパターンを用いて磁気抵抗効果膜４の
端部をイオンミリングにて加工した後、縦バイアス印加
層５，再生素子電極６，非磁性層８を形成、その後は図
１と同様に上部ギャップ，下部磁極，記録素子コイル
部，上部磁極を形成する。このように製造すると磁気抵
抗効果膜の幅とＷread，Ｗbiasが等しいためオフトラッ
ク特性の優れた、かつ記録トラックの下部磁極Ｗl1との
位置ずれもない記録再生分離型ヘッドが得られる。
部磁極リフトオフパターンを用いて磁気抵抗効果膜４の
端部をイオンミリングにて加工した後、縦バイアス印加
層５，再生素子電極６，非磁性層８を形成、その後は図
１と同様に上部ギャップ，下部磁極，記録素子コイル
部，上部磁極を形成する。このように製造すると磁気抵
抗効果膜の幅とＷread，Ｗbiasが等しいためオフトラッ
ク特性の優れた、かつ記録トラックの下部磁極Ｗl1との
位置ずれもない記録再生分離型ヘッドが得られる。
【００１４】図７は、図１，図２で示した方法により作
製した下部磁極の反転パターンとなった非磁性層８をマ
スクとして再生素子電極６をドライエッチングにてアン
ダーカットが生じるまで加工する。その後は図１，図２
と同様に上部ギャップ，下部磁極，記録素子コイル部，
上部磁極を形成する。このように製造すると、再生素子
電極と下部磁極間距離を大きくすることが出来るため、
Ｇlrの狭ギャップ化に伴う再生素子電極，下部磁極間の
絶縁破壊を防ぐことが出来る。
製した下部磁極の反転パターンとなった非磁性層８をマ
スクとして再生素子電極６をドライエッチングにてアン
ダーカットが生じるまで加工する。その後は図１，図２
と同様に上部ギャップ，下部磁極，記録素子コイル部，
上部磁極を形成する。このように製造すると、再生素子
電極と下部磁極間距離を大きくすることが出来るため、
Ｇlrの狭ギャップ化に伴う再生素子電極，下部磁極間の
絶縁破壊を防ぐことが出来る。
【００１５】
【発明の効果】記録素子，再生素子のトラックの位置ず
れのない記録再生分離型磁気ヘッドの構造，製造方法で
あるため、基板面内、さらにはロット間でも安定した記
録再生特性を有する記録再生分離型磁気ヘッドが作製で
きる。得に、高記録密度に伴う狭トラック化によりさら
に位置ずれの影響は大きくなるが、本発明は狭トラック
でも記録素子，再生素子のトラックがセルフアライメン
トによりずれそのものを生じないため、ずれのばらつき
もなく、安定した記録再生特性を持つ記録再生分離型磁
気ヘッドが提供できる。
れのない記録再生分離型磁気ヘッドの構造，製造方法で
あるため、基板面内、さらにはロット間でも安定した記
録再生特性を有する記録再生分離型磁気ヘッドが作製で
きる。得に、高記録密度に伴う狭トラック化によりさら
に位置ずれの影響は大きくなるが、本発明は狭トラック
でも記録素子，再生素子のトラックがセルフアライメン
トによりずれそのものを生じないため、ずれのばらつき
もなく、安定した記録再生特性を持つ記録再生分離型磁
気ヘッドが提供できる。
【図１】本発明の一実施例の記録再生分離型ヘッド先端
部を作製プロセスに従い媒体対向面から見た説明図。
部を作製プロセスに従い媒体対向面から見た説明図。
【図２】本発明の一実施例の記録再生分離型ヘッド先端
部を作製プロセスに従い上部から見た説明図。
部を作製プロセスに従い上部から見た説明図。
【図３】図２におけるＡ−Ａ′断面図。
【図４】本発明の一実施例のヘッド先端部を媒体対向面
から見た説明図。
から見た説明図。
【図５】記録再生分離型ヘッドのトラック位置ずれと再
生出力の関係を示した説明図。
生出力の関係を示した説明図。
【図６】本発明の他の実施例の記録再生分離型ヘッド先
端部を媒体対向面から見た説明図。
端部を媒体対向面から見た説明図。
【図７】本発明の別の実施例の記録再生分離型ヘッド先
端部を媒体対向面から見た説明図。
端部を媒体対向面から見た説明図。
１…非磁性基板、２…再生素子下部シールド、３…下部
ギャップ、４…磁気抵抗効果膜、５…縦バイアス印加
層、６…再生素子電極、８…非磁性層、９…上部ギャッ
プ、１０…記録素子下部磁極、１１…記録素子ギャッ
プ、１２…記録素子コイル部、１３…記録素子上部磁
極。
ギャップ、４…磁気抵抗効果膜、５…縦バイアス印加
層、６…再生素子電極、８…非磁性層、９…上部ギャッ
プ、１０…記録素子下部磁極、１１…記録素子ギャッ
プ、１２…記録素子コイル部、１３…記録素子上部磁
極。
Claims (6)
- 【請求項１】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウゼンノイ
ズを抑止するために前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁
界を印加する縦バイアス印加層と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流すための一対の電極とを有する磁気
抵抗効果素子を再生素子とし、下部磁極と上部磁極と記
録磁気ギャップとからなる磁気コアと、前記磁気コアと
鎖交するコイルとを有する電磁誘導型素子を記録素子と
する記録再生分離型磁気ヘッドにおいて、 前記磁気抵抗効果素子の上に前記電磁誘導型素子が形成
されており、前記電磁誘導型素子の上部磁極の媒体対向
面における記録磁気ギャップ側磁極幅をＷu1とし、前記
下部磁極の媒体対向面における記録磁気ギャップ側磁極
幅及び磁気抵抗効果素子側磁極幅を各々Ｗl1及びＷl2と
し、前記磁気抵抗効果素子の電極間隔をＷreadとしたと
き、Ｗread≧Ｗl2かつＷu1＞Ｗl1なる関係を満たすこと
を特徴とする記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項２】前記磁気抵抗効果膜が、非磁性導電性薄膜
を中間層として磁性薄膜が複数層積層されており、外部
磁界を印加しない状態で隣合う磁性層の磁化の方向が互
いに逆向きであり、互いの磁化の相対的な角度によって
抵抗が変化する請求項１に記載の記録再生分離型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項３】前記磁気抵抗効果膜が、非磁性導電性薄膜
を中間層として第１の磁性薄膜と第２の磁性薄膜が積層
されており、第１の磁性薄膜の磁化の方向が第１の磁性
薄膜と隣接して設けられた反強磁性層によって固定され
ており、外部磁界を印加しない状態で第２の磁性薄膜の
磁化の方向と第１の磁性薄膜の磁化の方向の相対的な角
度が直角である請求項１に記載の記録再生分離型磁気ヘ
ッド。 - 【請求項４】媒体対向面において、前記電磁誘導型素子
の上部磁極の記録磁気ギャップ側磁極幅をＷu1を幅とす
る基板面に垂直な領域内に下部磁極の記録磁気ギャップ
側磁極幅Ｗl1が存在し、Ｗl1を幅とする基板面に垂直な
領域内に、前記磁気抵抗効果素子の電極間隔Ｗreadが存
在する請求項１に記載の記録再生分離型磁気ヘッド。 - 【請求項５】前記磁気抵抗効果素子の電極間隔Ｗread
が、前記縦バイアス印加層の間隔Ｗbiasと等しいか、そ
れ以下である請求項１に記載の記録再生分離型磁気ヘッ
ド。 - 【請求項６】磁気抵抗効果を用いて磁気的信号を電気的
信号に変換する磁気抵抗効果膜と、バルクハウゼンノイ
ズを抑止するために前記磁気抵抗効果膜に縦バイアス磁
界を印加する縦バイアス印加層と、前記磁気抵抗効果膜
に信号検出電流を流すための一対の電極とを有する磁気
抵抗効果素子を再生素子とし、下部磁極と上部磁極と記
録磁気ギャップとからなる磁気コアと、前記磁気コアと
鎖交するコイルとを有する電磁誘導型素子を記録素子と
する記録再生分離型磁気ヘッドの製造方法において、 基板上に前記磁気抵抗効果素子の下部シールド，第１の
絶縁膜，磁気抵抗効果膜，縦バイアス印加層を順次形成
する工程の後、前記磁気抵抗効果膜上に成膜された電極
膜の上の信号検出領域位置に前記電磁誘導型素子の下部
磁極の厚さよりも厚い略逆台形状のレジストパターンを
形成する工程と、前記電極膜及び前記レジストパターン
の上に非磁性層を成膜する工程と、前記非磁性層と必要
ならば前記レジストパターンも研削、もしくはエッチバ
ックし、前記非磁性層が研削，エッチバック後でも下部
磁極の厚さよりも厚くなっている工程と、前記レジスト
パターンを除去し、残った前記非磁性層を用いて前記電
極膜をエッチングして信号検出領域を形成する工程と、
前記非磁性層及び前記磁気抵抗効果膜上に第２の絶縁膜
及び下部磁極膜を順次成膜する工程と、前記下部磁極膜
が所定の下部磁極の厚さになるように前記下部磁極膜と
前記第２の絶縁膜と必要ならば前記非磁性層も研削、も
しくはエッチバックする工程と、記録磁気ギャップ膜，
記録素子コイル部，上部磁極を順次形成する工程を含む
ことを特徴とする記録再生分離型磁気ヘッドの製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14852895A JPH08339513A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14852895A JPH08339513A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08339513A true JPH08339513A (ja) | 1996-12-24 |
Family
ID=15454804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14852895A Pending JPH08339513A (ja) | 1995-06-15 | 1995-06-15 | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08339513A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
-
1995
- 1995-06-15 JP JP14852895A patent/JPH08339513A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6282776B1 (en) | 1998-06-30 | 2001-09-04 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
| US6510024B2 (en) | 1998-06-30 | 2003-01-21 | Fujitsu Limited | Magnetic head and method of manufacturing the same |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5668686A (en) | Magneto-resistive reading head with reduced side-lobe | |
| US4954920A (en) | Thin film magnetic head | |
| US5274520A (en) | Thin film magnetic head | |
| JP2002289944A (ja) | 磁気抵抗効果素子、磁気ヘッド、磁気再生装置及び磁気記憶装置 | |
| US5880910A (en) | Magneto-resistive reading head with two slanted longitudinal bias films and two slanted leads | |
| JP2822646B2 (ja) | 磁気抵抗型ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
| US5959809A (en) | Magnetoresistive head and method of manufacturing the same and magnetic recording apparatus | |
| JP3131575B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及び製造方法並びにそれを用いた磁気記録再生装置 | |
| JPH08339513A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| EP0613120B1 (en) | Magnetoresistance thin film magnetic head | |
| JP2001167408A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| EP0482642B1 (en) | Composite magnetoresistive thin-film magnetic head | |
| US6317300B1 (en) | Magnetoresistive device having magnetoresistive film and magnetic bias film with side-end faces with different angles of inclination and having insulating film made of electrically insulating material | |
| JPH11232616A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 | |
| JP4010702B2 (ja) | 薄膜磁気ヘッドの製造方法 | |
| JPH08339512A (ja) | 記録再生分離型磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| JP2001084531A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| KR100668405B1 (ko) | 자기 저항 헤드 | |
| JP3082347B2 (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜磁気ヘッド | |
| JP3233115B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドとその製造方法 | |
| JPH0981916A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH07110921A (ja) | 磁気抵抗効果型薄膜ヘッド | |
| JP2000099921A (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0750007A (ja) | 磁気抵抗効果型再生ヘッドおよび記録再生分離型ヘッドおよび磁気記録再生装置 |