JP2000099921A - 磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型複合ヘッドおよびその製造方法Info
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- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 再生用磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドと記録用
インダクティブ（ＩＤ）ヘッドとが積層された構造の複
合型ヘッドにおいて、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとのウエ
ハ上での位置ずればらつきを低減でき、高密度記録に対
応した良好な狭幅記録とサイドフリンジ特性が得られる
複合型ヘッドを提供する。 【解決手段】 積層された磁気シールド膜１０、磁気的
分離層１１、１６、磁気シールドを兼ねる磁極膜１７、
磁気ギャップ１８、磁極膜１９とを備え、また、磁気的
分離層１１、１６の間には磁気抵抗素子１５を備え、更
に、磁極膜１７、磁気ギャップ１８及び磁極膜１９の両
隣に所定の間隔を隔てて設けられる第１及び第２の凹部
２０と、第１及び第２の凹部２０の位置決めをするため
の形状である凹部８を備える。
インダクティブ（ＩＤ）ヘッドとが積層された構造の複
合型ヘッドにおいて、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとのウエ
ハ上での位置ずればらつきを低減でき、高密度記録に対
応した良好な狭幅記録とサイドフリンジ特性が得られる
複合型ヘッドを提供する。 【解決手段】 積層された磁気シールド膜１０、磁気的
分離層１１、１６、磁気シールドを兼ねる磁極膜１７、
磁気ギャップ１８、磁極膜１９とを備え、また、磁気的
分離層１１、１６の間には磁気抵抗素子１５を備え、更
に、磁極膜１７、磁気ギャップ１８及び磁極膜１９の両
隣に所定の間隔を隔てて設けられる第１及び第２の凹部
２０と、第１及び第２の凹部２０の位置決めをするため
の形状である凹部８を備える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記憶装置に用い
られる、磁気抵抗効果を利用した再生ヘッドと、インダ
クティブ記録ヘッドとからなる複合ヘッドに関する。
られる、磁気抵抗効果を利用した再生ヘッドと、インダ
クティブ記録ヘッドとからなる複合ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録媒体の小型化、大容量化にとも
なって、磁気媒体上の記録ビットの寸法が急速に微細化
されていることから、大きな出力を得ることが出来る磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）
が実用化されている。このＭＲヘッドについては、「IE
EE Transaction on Magnetics,MAG7(1971) 150」におい
て「A Magnetoresistivity Readout Transducer」とし
て論じられている。
なって、磁気媒体上の記録ビットの寸法が急速に微細化
されていることから、大きな出力を得ることが出来る磁
気抵抗効果型ヘッド（以下、「ＭＲヘッド」という。）
が実用化されている。このＭＲヘッドについては、「IE
EE Transaction on Magnetics,MAG7(1971) 150」におい
て「A Magnetoresistivity Readout Transducer」とし
て論じられている。
【０００３】図１０及び図１１に従来技術１による再生
用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッド（以
下、「ＩＤヘッド」という。）とから成る磁気抵抗効果
型複合ヘッド（以下、「ＭＲ複合ヘッド」という。）の
図を示す。図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）
は図１１（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、図１０は左側
面図である。この左側面は、記録媒体と対向する記録媒
体対向面であり、エアベアリング面と称される。
用のＭＲヘッドと記録用のインダクティブヘッド（以
下、「ＩＤヘッド」という。）とから成る磁気抵抗効果
型複合ヘッド（以下、「ＭＲ複合ヘッド」という。）の
図を示す。図１１（ａ）は平面図であり、図１１（ｂ）
は図１１（ａ）のＡ−Ａ’断面図であり、図１０は左側
面図である。この左側面は、記録媒体と対向する記録媒
体対向面であり、エアベアリング面と称される。
【０００４】図１１を参照すると、３１，３２は絶縁体
であり、３３はコイルパターンである。図１１（ａ）に
おいてコイルパターン３３が見えるのは、絶縁体３１が
半透明であるからである。
であり、３３はコイルパターンである。図１１（ａ）に
おいてコイルパターン３３が見えるのは、絶縁体３１が
半透明であるからである。
【０００５】図１０を参照すると、ＭＲヘッドは、二枚
の対向する磁気シールド膜Ｓ１（１０）およびＳ２（１
７）と、絶縁体からなる３（１１）（１６）と、Ｓ１お
よびＳ２間に磁気的分離層（１１）（１６）を介して存
在する磁気抵抗効果素子（１５）とを備える。ＩＤヘッ
ドは、磁極膜Ｐ１（１７）と、磁極膜Ｐ２（１９）と磁
気ギャップ１８とを備える。従って、符号１７の部分は
磁気シールド膜Ｓ２と磁極膜Ｐ１とを兼ねている。
の対向する磁気シールド膜Ｓ１（１０）およびＳ２（１
７）と、絶縁体からなる３（１１）（１６）と、Ｓ１お
よびＳ２間に磁気的分離層（１１）（１６）を介して存
在する磁気抵抗効果素子（１５）とを備える。ＩＤヘッ
ドは、磁極膜Ｐ１（１７）と、磁極膜Ｐ２（１９）と磁
気ギャップ１８とを備える。従って、符号１７の部分は
磁気シールド膜Ｓ２と磁極膜Ｐ１とを兼ねている。
【０００６】このＭＲ複合ヘッドでは、記録中にかなり
大きいサイドフリンジ磁界が生じる。この磁界は、磁極
膜Ｐ１（１７）が磁極膜Ｐ２（１９）に比べて幅広なた
め、Ｐ２の幅で規定される幅を越えたＰ１の部分への磁
束の漏れによって生じる。このサイドフリンジ磁界は、
達成できる最小トラック幅を制限するために、トラック
密度の上限を制限する。よって、上記のＭＲ複合ヘッド
を用いて高密度記録を達成するためには、このサイドフ
リンジ磁界を小さくすることが必要である。
大きいサイドフリンジ磁界が生じる。この磁界は、磁極
膜Ｐ１（１７）が磁極膜Ｐ２（１９）に比べて幅広なた
め、Ｐ２の幅で規定される幅を越えたＰ１の部分への磁
束の漏れによって生じる。このサイドフリンジ磁界は、
達成できる最小トラック幅を制限するために、トラック
密度の上限を制限する。よって、上記のＭＲ複合ヘッド
を用いて高密度記録を達成するためには、このサイドフ
リンジ磁界を小さくすることが必要である。
【０００７】従来の記録再生を行うＩＤヘッドは、磁極
膜Ｐ１およびＰ２の、エアベアリング面におけるトラッ
ク幅を規定するおのおのの磁極膜の側面が、実質的に一
致するように形成されていたため、サイドフリンジ磁界
は最小に抑えられていた。しかしながら、上記ＭＲ複合
ヘッドでは、トラック幅を規定するＰ２の幅に比べて、
Ｐ１の幅は、ＭＲ素子をシールドするための機能を必要
とするために、非常に広い。この幅の相違がＰ２の幅を
越えて横方向にのびるサイドフリンジ磁束をもたらす。
膜Ｐ１およびＰ２の、エアベアリング面におけるトラッ
ク幅を規定するおのおのの磁極膜の側面が、実質的に一
致するように形成されていたため、サイドフリンジ磁界
は最小に抑えられていた。しかしながら、上記ＭＲ複合
ヘッドでは、トラック幅を規定するＰ２の幅に比べて、
Ｐ１の幅は、ＭＲ素子をシールドするための機能を必要
とするために、非常に広い。この幅の相違がＰ２の幅を
越えて横方向にのびるサイドフリンジ磁束をもたらす。
【０００８】このサイドフリンジ磁界を従来のＩＤヘッ
ドのように低減する構成のＭＲ複合ヘッドが特開平７−
２６２５１９号公報（従来技術２）に開示されている。
このＭＲ複合ヘッドでは、図８に示すように、記録ＩＤ
ヘッドの磁極膜Ｐ１（１７）とこの磁気ギャップＧ（１
８）との間に、Ｐ１の膜面に平行で、かつＰ２（１９）
の幅を規定するＰ２の側面と一致したＰ１面に垂直な側
面を持ち、磁気的にＰ１と連続な磁極膜Ｐ３（１７’）
を設ける。これによって、記録磁界がＰ２とＰ３間に発
生するため、サイドフリンジが従来のＩＤヘッド並に抑
制される。
ドのように低減する構成のＭＲ複合ヘッドが特開平７−
２６２５１９号公報（従来技術２）に開示されている。
このＭＲ複合ヘッドでは、図８に示すように、記録ＩＤ
ヘッドの磁極膜Ｐ１（１７）とこの磁気ギャップＧ（１
８）との間に、Ｐ１の膜面に平行で、かつＰ２（１９）
の幅を規定するＰ２の側面と一致したＰ１面に垂直な側
面を持ち、磁気的にＰ１と連続な磁極膜Ｐ３（１７’）
を設ける。これによって、記録磁界がＰ２とＰ３間に発
生するため、サイドフリンジが従来のＩＤヘッド並に抑
制される。
【０００９】このＰ３を形成する方法は図９の通りであ
る。すなわち、まずＭＲヘッドの一方の磁気シールドＳ
２と兼用される磁極膜Ｐ１（１７）上に磁気ギャップＧ
（１８）を形成し、フォトレジストで絶縁されたコイル
を形成した後に、フォトレジストフレーム（２３）で規
定されたフレームメッキ処理により、所定の幅を持つＰ
２（１９）を形成し、このＰ２をマスクとして、イオン
ビームミリングによりＰ１を所望の深さエッチングする
ことによって前記Ｐ３（１７’）を形成する。このと
き、イオンビームの入射角度を最適に設定することによ
って、Ｐ２およびＰ３の側面をＰ１面と垂直とすること
ができる。そして、Ｐ３の高さを所望の高さとすること
によって、実質的に記録磁束はＰ２とＰ３間で規定さ
れ、サイドフリンジが従来のＩＤヘッド並に抑制され
る。
る。すなわち、まずＭＲヘッドの一方の磁気シールドＳ
２と兼用される磁極膜Ｐ１（１７）上に磁気ギャップＧ
（１８）を形成し、フォトレジストで絶縁されたコイル
を形成した後に、フォトレジストフレーム（２３）で規
定されたフレームメッキ処理により、所定の幅を持つＰ
２（１９）を形成し、このＰ２をマスクとして、イオン
ビームミリングによりＰ１を所望の深さエッチングする
ことによって前記Ｐ３（１７’）を形成する。このと
き、イオンビームの入射角度を最適に設定することによ
って、Ｐ２およびＰ３の側面をＰ１面と垂直とすること
ができる。そして、Ｐ３の高さを所望の高さとすること
によって、実質的に記録磁束はＰ２とＰ３間で規定さ
れ、サイドフリンジが従来のＩＤヘッド並に抑制され
る。
【００１０】このように、従来技術２のＭＲ複合ヘッド
の製造方法では、磁極膜Ｐ３を形成するためにイオンビ
ームミリングを駆使している。このとき、磁極膜Ｐ２が
マスクとしての機能を果たすため、ミリングの進行に伴
ってＰ２の膜厚が減少する。すなわち、所望のＰ３を形
成した後に、所望のＰ２を得るためには、イオンミリン
グによるＰ２の膜厚減少を見込んだ初期のＰ２の形成が
必要である。また、従来技術２のＭＲ複合ヘッドの製造
方法では、フレームメッキ処理による初期のＰ２の形成
のために、フレーム（２３）の高さを従来に比べて大幅
に高くする必要があった。すなわち、ミリング後のＰ２
（１９）は、ミリング前のＰ２に比べて大幅に膜厚が減
少するため、ミリング後のＰ２の厚さを記録特性に十分
に確保するためには、ミリング前のＰ２を相当分厚くし
なければならない。このときに十分なＰ２厚を確保する
ためにフレーム（２３）を高くすると、フレーム間隔を
狭くすることが困難となる。従来技術２ではこのフレー
ム間隔の限界を２μｍとしている。すなわち、従来技術
２の製造方法ではトラック幅２μｍ以下の高密度記録を
実現するＭＲ複合ヘッドの実現は困難であった。
の製造方法では、磁極膜Ｐ３を形成するためにイオンビ
ームミリングを駆使している。このとき、磁極膜Ｐ２が
マスクとしての機能を果たすため、ミリングの進行に伴
ってＰ２の膜厚が減少する。すなわち、所望のＰ３を形
成した後に、所望のＰ２を得るためには、イオンミリン
グによるＰ２の膜厚減少を見込んだ初期のＰ２の形成が
必要である。また、従来技術２のＭＲ複合ヘッドの製造
方法では、フレームメッキ処理による初期のＰ２の形成
のために、フレーム（２３）の高さを従来に比べて大幅
に高くする必要があった。すなわち、ミリング後のＰ２
（１９）は、ミリング前のＰ２に比べて大幅に膜厚が減
少するため、ミリング後のＰ２の厚さを記録特性に十分
に確保するためには、ミリング前のＰ２を相当分厚くし
なければならない。このときに十分なＰ２厚を確保する
ためにフレーム（２３）を高くすると、フレーム間隔を
狭くすることが困難となる。従来技術２ではこのフレー
ム間隔の限界を２μｍとしている。すなわち、従来技術
２の製造方法ではトラック幅２μｍ以下の高密度記録を
実現するＭＲ複合ヘッドの実現は困難であった。
【００１１】以上に述べたように、ＭＲヘッドとＩＤヘ
ッドとの複合による複合ヘッドでは、ＩＤヘッドの記録
磁界のサイドフリンジを小さくする構造とすると、逆に
狭トラックヘッドの作製が困難になるといった問題を抱
えている。これらの解決策として、ウエハ工程によりＩ
Ｄ磁極膜のＰ２幅を規定したりＰ１上にＰ２との同一側
面を持つＰ３を形成するのではなく、ウエハ工程を終了
した後のバー加工工程で、エアベアリング面からイオン
ビームエッチングによりＰ２幅規定や、Ｐ３形成を行う
方法が挙げられる。
ッドとの複合による複合ヘッドでは、ＩＤヘッドの記録
磁界のサイドフリンジを小さくする構造とすると、逆に
狭トラックヘッドの作製が困難になるといった問題を抱
えている。これらの解決策として、ウエハ工程によりＩ
Ｄ磁極膜のＰ２幅を規定したりＰ１上にＰ２との同一側
面を持つＰ３を形成するのではなく、ウエハ工程を終了
した後のバー加工工程で、エアベアリング面からイオン
ビームエッチングによりＰ２幅規定や、Ｐ３形成を行う
方法が挙げられる。
【００１２】図５はこの方法によってＩＤヘッドの記録
磁界のサイドフリンジを小さくする構造を形成した例
（従来技術３）を示す。図５において、磁極膜Ｐ２ １
９の幅はウエハ工程を終了した後のバー加工工程で、エ
アベアリング面からのイオンビームエッチングにより形
成された凹部２０により規定されている。さらにこのと
き、磁極膜Ｐ１ １７上にも磁極膜Ｐ２ １９と同様の
側面をもつ凸部部２０をエアベアリング面からのイオン
ビームエッチングにより同時に形成することにより、サ
イドフリンジを小さくする構造が容易に実現される。
磁界のサイドフリンジを小さくする構造を形成した例
（従来技術３）を示す。図５において、磁極膜Ｐ２ １
９の幅はウエハ工程を終了した後のバー加工工程で、エ
アベアリング面からのイオンビームエッチングにより形
成された凹部２０により規定されている。さらにこのと
き、磁極膜Ｐ１ １７上にも磁極膜Ｐ２ １９と同様の
側面をもつ凸部部２０をエアベアリング面からのイオン
ビームエッチングにより同時に形成することにより、サ
イドフリンジを小さくする構造が容易に実現される。
【００１３】図４は、図５に示す複合ヘッドを搭載した
スライダのベアリング面から見た平面図である。図４に
おいて、２２は、スライダ、２２はアルミナ部を示す。
スライダのベアリング面から見た平面図である。図４に
おいて、２２は、スライダ、２２はアルミナ部を示す。
【００１４】「IEEE Trans.on Magn.,Vol.29,No.6(199
3)3837」の「Edge Eliminated Head」には、ＩＤヘッド
により記録再生を行う従来の薄膜ヘッドの製造方法の１
つとして、再生波形のアンダーシュートを抑制する構造
を持たせるためにエアベアリング面からイオンビームエ
ッチングを実施する製造方法（従来技術４）が記載され
ている。しかしながら、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとの複
合ヘッドのように高密度記録に用いられるヘッドにこの
製造方法を適用しようとすると、ヘッドと媒体との間隙
が極度に小さくなるため、イオンビームエッチングによ
り形成された凹部にゴミが溜まり、最悪の場合にはヘッ
ドクラッシュを引き起こす原因となる。
3)3837」の「Edge Eliminated Head」には、ＩＤヘッド
により記録再生を行う従来の薄膜ヘッドの製造方法の１
つとして、再生波形のアンダーシュートを抑制する構造
を持たせるためにエアベアリング面からイオンビームエ
ッチングを実施する製造方法（従来技術４）が記載され
ている。しかしながら、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとの複
合ヘッドのように高密度記録に用いられるヘッドにこの
製造方法を適用しようとすると、ヘッドと媒体との間隙
が極度に小さくなるため、イオンビームエッチングによ
り形成された凹部にゴミが溜まり、最悪の場合にはヘッ
ドクラッシュを引き起こす原因となる。
【００１５】この問題を解決する複合ヘッドとして、特
開平１０−１６２３１５号公報には、イオンビームエッ
チングにより形成された凹部に非磁性体を埋め込んだ構
造を有する複合ヘッド（従来技術５）が開示されてい
る。また、特開平１０−１６２３１５号公報には、前記
イオンビームエッチングを精度良く行うために、フォー
カスイオンビーム（ＦＩＢ）を用いたエッチングが開示
されている。
開平１０−１６２３１５号公報には、イオンビームエッ
チングにより形成された凹部に非磁性体を埋め込んだ構
造を有する複合ヘッド（従来技術５）が開示されてい
る。また、特開平１０−１６２３１５号公報には、前記
イオンビームエッチングを精度良く行うために、フォー
カスイオンビーム（ＦＩＢ）を用いたエッチングが開示
されている。
【００１６】
【発明が解決しようとする課題】ウエハ工程を終了した
後のバー加工工程で、エアベアリング面からイオンビー
ムエッチングによりＰ２幅規定や、Ｐ３形成を行う方法
は簡便で確実な方法であるが、特に、記録磁極膜幅が１
μｍ未満と狭くなるにつれて、幅決めされた記録ＩＤヘ
ッドと再生ＭＲヘッドとの相対位置のばらつきが顕著な
問題として浮かび上がってきた。すなわち、磁気ディス
ク装置への適用を考えた場合、ＭＲヘッドとＩＤヘッド
との相対位置がある範囲内でないと、ロータリアクチュ
エータによりあるトラックに位置決めされた時のＩＤヘ
ッドとＭＲヘッドの角度が大きくずれてしまい、有効な
記録再生が出来なくなるためである。
後のバー加工工程で、エアベアリング面からイオンビー
ムエッチングによりＰ２幅規定や、Ｐ３形成を行う方法
は簡便で確実な方法であるが、特に、記録磁極膜幅が１
μｍ未満と狭くなるにつれて、幅決めされた記録ＩＤヘ
ッドと再生ＭＲヘッドとの相対位置のばらつきが顕著な
問題として浮かび上がってきた。すなわち、磁気ディス
ク装置への適用を考えた場合、ＭＲヘッドとＩＤヘッド
との相対位置がある範囲内でないと、ロータリアクチュ
エータによりあるトラックに位置決めされた時のＩＤヘ
ッドとＭＲヘッドの角度が大きくずれてしまい、有効な
記録再生が出来なくなるためである。
【００１７】特開平１０−１６２３１５号公報に開示さ
れたＦＩＢを用いて磁極膜Ｐ２幅を規定する方法であっ
ても、この磁極膜幅を規定する凹部の位置決めについ
て、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとの位置ずれを修正する内
容については何ら開示されていない。実際には、磁極膜
Ｐ２（１９）を基準として位置決めを行った後に、磁極
膜幅を規定する凹部を加工するのが一般的である。この
ことから、ＭＲヘッドにとっては、ウエハ上でＩＤヘッ
ドを位置決めする際のばらつきに加えて、磁極膜幅をエ
アベアリング面から規定する凹部を形成する際の位置決
めばらつきが加わることとなっていた。このことによ
り、特に高密度記録に対応した記録磁極膜幅が１μｍ未
満と狭くなる場合、上記のＭＲヘッドとＩＤヘッドとの
相対位置のばらつきが大きくなり、結果として製造歩留
まりの低下をもたらしていた。
れたＦＩＢを用いて磁極膜Ｐ２幅を規定する方法であっ
ても、この磁極膜幅を規定する凹部の位置決めについ
て、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとの位置ずれを修正する内
容については何ら開示されていない。実際には、磁極膜
Ｐ２（１９）を基準として位置決めを行った後に、磁極
膜幅を規定する凹部を加工するのが一般的である。この
ことから、ＭＲヘッドにとっては、ウエハ上でＩＤヘッ
ドを位置決めする際のばらつきに加えて、磁極膜幅をエ
アベアリング面から規定する凹部を形成する際の位置決
めばらつきが加わることとなっていた。このことによ
り、特に高密度記録に対応した記録磁極膜幅が１μｍ未
満と狭くなる場合、上記のＭＲヘッドとＩＤヘッドとの
相対位置のばらつきが大きくなり、結果として製造歩留
まりの低下をもたらしていた。
【００１８】本発明は、以上に述べたエアベアリング面
から記録磁極膜の幅を決める加工をその製造工程に持ち
ＭＲヘッドとＩＤヘッドとを複合させた複合ヘッドのＭ
ＲヘッドとＩＤヘッドとの間の相対位置ずれのばらつき
を記録磁極膜幅が１μｍ以下の領域で低減させることを
目的とする。また、このような複合ヘッドを高い歩留ま
りで製造することを可能とする製造方法を提供すること
を目的とする。
から記録磁極膜の幅を決める加工をその製造工程に持ち
ＭＲヘッドとＩＤヘッドとを複合させた複合ヘッドのＭ
ＲヘッドとＩＤヘッドとの間の相対位置ずれのばらつき
を記録磁極膜幅が１μｍ以下の領域で低減させることを
目的とする。また、このような複合ヘッドを高い歩留ま
りで製造することを可能とする製造方法を提供すること
を目的とする。
【００１９】
【課題を解決するための手段】本発明による磁気抵抗効
果型複合ヘッドは、エアベアリング面に、互いに対向す
る第１と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁
気シールド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して
存在し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中
央領域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備
える磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッド
と、前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１と
し、前記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層され
る磁気ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の
磁極膜とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る
磁束を発生させる手段を備えるインダクティブヘッド
と、を備える磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前記
第２の磁極の幅を規定するために前記第２の磁極の両脇
に配設される凹部と、該凹部の位置決めをするための形
状とを前記エアベアリング面に備えることを特徴とす
る。
果型複合ヘッドは、エアベアリング面に、互いに対向す
る第１と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁
気シールド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して
存在し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中
央領域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備
える磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッド
と、前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１と
し、前記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層され
る磁気ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の
磁極膜とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る
磁束を発生させる手段を備えるインダクティブヘッド
と、を備える磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前記
第２の磁極の幅を規定するために前記第２の磁極の両脇
に配設される凹部と、該凹部の位置決めをするための形
状とを前記エアベアリング面に備えることを特徴とす
る。
【００２０】また、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹部の位置決めをするための形状が、前記第１の磁気
シールドに形成された凹凸形状であることを特徴とす
る。
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹部の位置決めをするための形状が、前記第１の磁気
シールドに形成された凹凸形状であることを特徴とす
る。
【００２１】また、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子の端部領域の下部
の前記第１の磁気シールドに形成されていることを特徴
とする。
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子の端部領域の下部
の前記第１の磁気シールドに形成されていることを特徴
とする。
【００２２】また、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子の端部領域の外延
の下部の前記第１の磁気シールドに形成されていること
を特徴とする。
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子の端部領域の外延
の下部の前記第１の磁気シールドに形成されていること
を特徴とする。
【００２３】また、本発明による磁気抵抗効果型複合ヘ
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹部によって規定された前記第２の磁極の幅が１μｍ
以下であることを特徴とする。
ッドは、上記の磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前
記凹部によって規定された前記第２の磁極の幅が１μｍ
以下であることを特徴とする。
【００２４】本発明による磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法は、エアベアリング面に、互いに対向する第１
と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁気シー
ルド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して存在
し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中央領
域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備える
磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッドと、
前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１とし、前
記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層される磁気
ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の磁極膜
とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る磁束を
発生させる手段を備えるインダクティブヘッドと、を備
える磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法において、ウ
エハ上に前記第１の磁気シールドを形成する工程と、該
第１の磁気シールドにアライメントマークと前記凹部の
位置決めをするための形状を同時に形成する工程と、前
記ウエハ上に前記アライメントマークを位置の基準とし
て前記磁気抵抗効果ヘッドを完成させる工程と、該磁気
抵抗効果ヘッド上に前記アライメントマークを位置の基
準として前記インダクティブヘッドを形成する工程と、
前記ウエハからバーを切り出す工程と、前記バーをエア
ベアリング面から研磨する工程と、前記エアベアリング
面に前記凹部の位置決めをするための形状を位置の基準
として前記凹部を形成する工程と、前記バーからチップ
を切り出す工程と、前記チップをサスペンションに組み
込む工程と、を有することを特徴とする。
製造方法は、エアベアリング面に、互いに対向する第１
と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁気シー
ルド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して存在
し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中央領
域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備える
磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッドと、
前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１とし、前
記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層される磁気
ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の磁極膜
とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る磁束を
発生させる手段を備えるインダクティブヘッドと、を備
える磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法において、ウ
エハ上に前記第１の磁気シールドを形成する工程と、該
第１の磁気シールドにアライメントマークと前記凹部の
位置決めをするための形状を同時に形成する工程と、前
記ウエハ上に前記アライメントマークを位置の基準とし
て前記磁気抵抗効果ヘッドを完成させる工程と、該磁気
抵抗効果ヘッド上に前記アライメントマークを位置の基
準として前記インダクティブヘッドを形成する工程と、
前記ウエハからバーを切り出す工程と、前記バーをエア
ベアリング面から研磨する工程と、前記エアベアリング
面に前記凹部の位置決めをするための形状を位置の基準
として前記凹部を形成する工程と、前記バーからチップ
を切り出す工程と、前記チップをサスペンションに組み
込む工程と、を有することを特徴とする。
【００２５】また、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法は、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法において、前記凹部を形成する工程はイオンビーム
エッチング法で行うことを特徴とする。
の製造方法は、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法において、前記凹部を形成する工程はイオンビーム
エッチング法で行うことを特徴とする。
【００２６】更に、本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッド
の製造方法は、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法において、前記イオンビームエッチング法はフォー
カスイオンビームを用いて行うことを特徴とする。
の製造方法は、上記の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法において、前記イオンビームエッチング法はフォー
カスイオンビームを用いて行うことを特徴とする。
【００２７】
【発明の実施の形態】以下、図を用いて本発明の実施形
態を説明する。
態を説明する。
【００２８】［実施形態１］図１は本発明の実施形態１
によるＭＲヘッド／ＩＤヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の概略図である。
によるＭＲヘッド／ＩＤヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の概略図である。
【００２９】図１において、１０および１７はＭＲ素子
の磁気シールドであり、１０は下シールドＳ１、１７は
上シールドＳ２である。下シールドＳ１には、凹形状が
形成され、この凹形状が最終的にヘッドとなった際にエ
アベアリング面に露出する。凹形状は、複合ヘッドをウ
エハ上に形成する工程中の、種々のマスクを目合わせす
るためのアライメントマークを形成する工程で作成され
る。下シールド１０及び上シールド１７は、ＮｉＦｅ合
金（パーマロイ）より成り、下シールド１０の膜厚Ｓ１
は２μｍ、上シールド１７の膜厚Ｓ２は３μｍである。
下シールド１０と上シールド１０との間に、感磁部であ
る中央領域１２と、中央領域に電流と縦バイアスとを供
給する機能を有する端部領域１３，１４とからなるＭＲ
素子１５が形成される。
の磁気シールドであり、１０は下シールドＳ１、１７は
上シールドＳ２である。下シールドＳ１には、凹形状が
形成され、この凹形状が最終的にヘッドとなった際にエ
アベアリング面に露出する。凹形状は、複合ヘッドをウ
エハ上に形成する工程中の、種々のマスクを目合わせす
るためのアライメントマークを形成する工程で作成され
る。下シールド１０及び上シールド１７は、ＮｉＦｅ合
金（パーマロイ）より成り、下シールド１０の膜厚Ｓ１
は２μｍ、上シールド１７の膜厚Ｓ２は３μｍである。
下シールド１０と上シールド１０との間に、感磁部であ
る中央領域１２と、中央領域に電流と縦バイアスとを供
給する機能を有する端部領域１３，１４とからなるＭＲ
素子１５が形成される。
【００３０】ＭＲ素子１５の中央領域１２は、一般にス
ピンバルブと呼ばれるＭＲ効果を有する積層膜からな
る。つまり、中央領域１２は、膜厚５ｎｍのＴａ膜、膜
厚２５ｎｍのＰｔＭｎ膜、膜厚４ｎｍのＣｏＦｅ膜、膜
厚２．７ｎｍのＣｕ膜、膜厚１ｎｍのＣｏＦｅ膜、膜厚
８ｎｍのＮｉＦｅ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜からなる。中
央領域１２の幅は０．４μｍである。端部領域１３，１
４は中央領域１２と電気的に接合されており、中央領域
１２に縦バイアスを供給する膜厚２５ｎｍのＣｏＰｔＣ
ｒ膜と、中央領域１２に電流を供給するＡｕ膜との積層
膜からなる。以上の中央領域１２および端部領域１３，
１４からなるＭＲ素子は、アルミナ膜１１，１６を介し
て上下シールド１０，１７間に配設され、上下シールド
１０，１７とは絶縁されている。アルミナ膜１１の膜厚
は６０ｎｍ、アルミナ膜１６の膜厚は８０ｎｍである。
ピンバルブと呼ばれるＭＲ効果を有する積層膜からな
る。つまり、中央領域１２は、膜厚５ｎｍのＴａ膜、膜
厚２５ｎｍのＰｔＭｎ膜、膜厚４ｎｍのＣｏＦｅ膜、膜
厚２．７ｎｍのＣｕ膜、膜厚１ｎｍのＣｏＦｅ膜、膜厚
８ｎｍのＮｉＦｅ膜、膜厚３ｎｍのＴａ膜からなる。中
央領域１２の幅は０．４μｍである。端部領域１３，１
４は中央領域１２と電気的に接合されており、中央領域
１２に縦バイアスを供給する膜厚２５ｎｍのＣｏＰｔＣ
ｒ膜と、中央領域１２に電流を供給するＡｕ膜との積層
膜からなる。以上の中央領域１２および端部領域１３，
１４からなるＭＲ素子は、アルミナ膜１１，１６を介し
て上下シールド１０，１７間に配設され、上下シールド
１０，１７とは絶縁されている。アルミナ膜１１の膜厚
は６０ｎｍ、アルミナ膜１６の膜厚は８０ｎｍである。
【００３１】下シールド１０には図１に示すように凹部
８が形成されている。
８が形成されている。
【００３２】上シールド１７は、ＩＤヘッドの一方の磁
極膜Ｐ１でもある。上シールド１７（磁極膜Ｐ１）１７
上には、アルミナによる磁気ギャップ１８を介してもう
一方の磁極膜Ｐ２ １９が形成されている。磁極膜Ｐ２
１９はＮｉＦｅより成る。磁極膜Ｐ２ １９の幅が
０．６μｍとなるように、Ｐ２の幅を規定する凹部２０
がＰ２の側面に沿って形成されている。この凹部２０を
形成するときの位置決めは、下シールド１０上に形成さ
れた凹部８を基準として行われる。凹部２０の深さは
０．８μｍ、幅ｗ２は２μｍ、Ｐ２厚さ方向の高さｈ２
は４μｍである。また、磁極膜Ｐ２ １９の厚さｈ１は
３．５μｍ、磁気ギャップ長ｇは０．２μｍである。
極膜Ｐ１でもある。上シールド１７（磁極膜Ｐ１）１７
上には、アルミナによる磁気ギャップ１８を介してもう
一方の磁極膜Ｐ２ １９が形成されている。磁極膜Ｐ２
１９はＮｉＦｅより成る。磁極膜Ｐ２ １９の幅が
０．６μｍとなるように、Ｐ２の幅を規定する凹部２０
がＰ２の側面に沿って形成されている。この凹部２０を
形成するときの位置決めは、下シールド１０上に形成さ
れた凹部８を基準として行われる。凹部２０の深さは
０．８μｍ、幅ｗ２は２μｍ、Ｐ２厚さ方向の高さｈ２
は４μｍである。また、磁極膜Ｐ２ １９の厚さｈ１は
３．５μｍ、磁気ギャップ長ｇは０．２μｍである。
【００３３】磁極膜Ｐ１ １７及び磁極膜Ｐ２ １９の
エアベアリング面から約２μｍ奥にはフォトレジスト材
料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、このコイ
ルに電流を流すことによって、磁極膜Ｐ１ １７ 及び
磁極膜Ｐ２ １９間に記録磁界を発生させる。
エアベアリング面から約２μｍ奥にはフォトレジスト材
料によって絶縁されたＣｕコイルが形成され、このコイ
ルに電流を流すことによって、磁極膜Ｐ１ １７ 及び
磁極膜Ｐ２ １９間に記録磁界を発生させる。
【００３４】以上の複合ヘッドの製造方法を以下に述べ
る。図６及び図７を参照して説明すると、まず、下シー
ルドＳ１ １０となる膜上に、ウエハ上に磁気抵抗効果
素子１５ならびにインダクティブ素子１７，１８，１９
を形成するためのマスクを位置合わせするための基準と
なるアライメントマークを形成する（Ｓ７０１）。この
時に、前記アライメントマークを形成すると同一のフォ
トマスクを用いて、下シールドＳ１ １０上に、後に磁
極膜Ｐ２ １９の幅を規定する凹部２０の位置決めをす
る凹部８を同時に形成する。この後、順に、再生用磁気
抵抗効果素子１５、記録用インダクティブ素子１７，１
８，１９、更には電極端子（図６の６１）をアライメン
トマークを位置基準として形成する（図６（ａ））（Ｓ
７０２、Ｓ７０３、Ｓ７０４）。その後、ウエハからバ
ーを切り出し（図６（ｂ））、研磨する（図６（ｃ））
（Ｓ７０５）。更に、下シールドＳ１ １０上に形成さ
れた凹部８を基準として記録磁極膜幅ｗ１を規定する凹
部２０をＦＩＢによるエッチングにより形成する（図６
（ｄ））（Ｓ７０６）。なお、この際、加工する凹部２
０の位置を決めるために、凹部８を基準として目合わせ
を行う。最後に、バーからチップを切り出しサスペンシ
ョンに組み込み完成させる（Ｓ７０７）。
る。図６及び図７を参照して説明すると、まず、下シー
ルドＳ１ １０となる膜上に、ウエハ上に磁気抵抗効果
素子１５ならびにインダクティブ素子１７，１８，１９
を形成するためのマスクを位置合わせするための基準と
なるアライメントマークを形成する（Ｓ７０１）。この
時に、前記アライメントマークを形成すると同一のフォ
トマスクを用いて、下シールドＳ１ １０上に、後に磁
極膜Ｐ２ １９の幅を規定する凹部２０の位置決めをす
る凹部８を同時に形成する。この後、順に、再生用磁気
抵抗効果素子１５、記録用インダクティブ素子１７，１
８，１９、更には電極端子（図６の６１）をアライメン
トマークを位置基準として形成する（図６（ａ））（Ｓ
７０２、Ｓ７０３、Ｓ７０４）。その後、ウエハからバ
ーを切り出し（図６（ｂ））、研磨する（図６（ｃ））
（Ｓ７０５）。更に、下シールドＳ１ １０上に形成さ
れた凹部８を基準として記録磁極膜幅ｗ１を規定する凹
部２０をＦＩＢによるエッチングにより形成する（図６
（ｄ））（Ｓ７０６）。なお、この際、加工する凹部２
０の位置を決めるために、凹部８を基準として目合わせ
を行う。最後に、バーからチップを切り出しサスペンシ
ョンに組み込み完成させる（Ｓ７０７）。
【００３５】凹部２０をＦＩＢによるエッチングにより
形成する代わりに、凹部８に目合わせされたフォトマス
クを形成し、このマスクを用いてイオンビームエッチン
グすることにより形成することもできる。凹部２０をＦ
ＩＢによるエッチングにより形成する場合は、素子１個
ずつ加工することになるが、マスクを用いてイオンビー
ムすることにより形成する場合は、複数の素子を同時に
加工することになる。
形成する代わりに、凹部８に目合わせされたフォトマス
クを形成し、このマスクを用いてイオンビームエッチン
グすることにより形成することもできる。凹部２０をＦ
ＩＢによるエッチングにより形成する場合は、素子１個
ずつ加工することになるが、マスクを用いてイオンビー
ムすることにより形成する場合は、複数の素子を同時に
加工することになる。
【００３６】以上の本発明の実施形態による複合ヘッド
と比較するために、本発明の複合ヘッドと同様な寸法、
材料を用いた従来型の複合ヘッドを作製した。従来型の
複合ヘッドは図３に示すように、下シールドＳ１ １０
には、エアベアリング面から記録磁極膜Ｐ２ １９の幅
を規定する凹部２０を形成する時の基準となる凹部８が
形成されていない。よって、磁極膜Ｐ２ １９の幅を規
定する凹部２０を形成する時には磁極膜Ｐ２ １９自体
を基準に凹部２０の位置を決めた。
と比較するために、本発明の複合ヘッドと同様な寸法、
材料を用いた従来型の複合ヘッドを作製した。従来型の
複合ヘッドは図３に示すように、下シールドＳ１ １０
には、エアベアリング面から記録磁極膜Ｐ２ １９の幅
を規定する凹部２０を形成する時の基準となる凹部８が
形成されていない。よって、磁極膜Ｐ２ １９の幅を規
定する凹部２０を形成する時には磁極膜Ｐ２ １９自体
を基準に凹部２０の位置を決めた。
【００３７】本発明の複合ヘッドと、従来型の複合ヘッ
ドの再生ＭＲヘッドと記録ＩＤヘッドとの位置のずれを
評価した結果、ずれの標準偏差σの３倍値が本発明の実
施形態の複合ヘッドでは０．１μｍ、従来型の複合ヘッ
ドでは０．４μｍであり、本発明の実施形態での改善効
果が顕著であった。従来型の複合ヘッドでは、アライメ
ントマークに対するＭＲヘッドの位置ずれによるばらつ
きと、アライメントマークに対するＩＤヘッドの位置ず
れによるばらつきにエアベアリング面に凹部２０を形成
するときの加工位置ずれによるばらつきが加算されるの
に対して、本発明の実施形態による複合ヘッドでは、ア
ライメントマークに対するＭＲヘッドの位置ずれによる
ばらつきにエアベアリング面に凹部２０を形成するとき
の加工位置ずれによるばらつきが加算され、アライメン
トマークに対するＩＤヘッドの位置ずれによるばらつき
が加算されないので、上記の数値比較に示したように、
合計されたばらつきは従来型の複合ヘッドに較べ、本発
明の実施形態による複合ヘッドは抑えられる。従って、
製造歩留まりが改善される。
ドの再生ＭＲヘッドと記録ＩＤヘッドとの位置のずれを
評価した結果、ずれの標準偏差σの３倍値が本発明の実
施形態の複合ヘッドでは０．１μｍ、従来型の複合ヘッ
ドでは０．４μｍであり、本発明の実施形態での改善効
果が顕著であった。従来型の複合ヘッドでは、アライメ
ントマークに対するＭＲヘッドの位置ずれによるばらつ
きと、アライメントマークに対するＩＤヘッドの位置ず
れによるばらつきにエアベアリング面に凹部２０を形成
するときの加工位置ずれによるばらつきが加算されるの
に対して、本発明の実施形態による複合ヘッドでは、ア
ライメントマークに対するＭＲヘッドの位置ずれによる
ばらつきにエアベアリング面に凹部２０を形成するとき
の加工位置ずれによるばらつきが加算され、アライメン
トマークに対するＩＤヘッドの位置ずれによるばらつき
が加算されないので、上記の数値比較に示したように、
合計されたばらつきは従来型の複合ヘッドに較べ、本発
明の実施形態による複合ヘッドは抑えられる。従って、
製造歩留まりが改善される。
【００３８】［実施形態２］図２は本発明の実施形態２
によるＭＲヘッド／ＩＤヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の概略図である。
によるＭＲヘッド／ＩＤヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の概略図である。
【００３９】図２を参照すると、実施形態２による複合
ヘッドは、下シールドＳ１ １０に形成された凹部８の
上方にはＭＲ素子１５の端部領域１３，１４がない構造
を有する。実施形態１では、端部領域１３，１４は、中
央領域１２に電流を供給するために絶縁膜１１，１６に
挟まれてはいるものの、下シールドＳ１ １０の上方に
あるので、凹部８の両端の段差部での絶縁膜１１，１６
の被覆性が完全でない場合には、端部領域１３，１４が
下シールドＳ１ １０及び上シールド１７と短絡する可
能性がある。そこで、図２の構造とすることにより、こ
のような短絡の問題が解決される。
ヘッドは、下シールドＳ１ １０に形成された凹部８の
上方にはＭＲ素子１５の端部領域１３，１４がない構造
を有する。実施形態１では、端部領域１３，１４は、中
央領域１２に電流を供給するために絶縁膜１１，１６に
挟まれてはいるものの、下シールドＳ１ １０の上方に
あるので、凹部８の両端の段差部での絶縁膜１１，１６
の被覆性が完全でない場合には、端部領域１３，１４が
下シールドＳ１ １０及び上シールド１７と短絡する可
能性がある。そこで、図２の構造とすることにより、こ
のような短絡の問題が解決される。
【００４０】
【発明の効果】再生用磁気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドと記
録用インダクティブ（ＩＤ）ヘッドとが積層された構造
の複合ヘッドにおいて、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとのウ
エハ上での位置ずれのばらつきが抑制でき、高密度記録
に対応した良好な狭幅記録とサイドフリンジ特性を持つ
複合ヘッドが実現する。特に、記録磁極膜幅が１μｍ以
下の超高密度記録ヘッドにおいて本発明は有効である。
録用インダクティブ（ＩＤ）ヘッドとが積層された構造
の複合ヘッドにおいて、ＭＲヘッドとＩＤヘッドとのウ
エハ上での位置ずれのばらつきが抑制でき、高密度記録
に対応した良好な狭幅記録とサイドフリンジ特性を持つ
複合ヘッドが実現する。特に、記録磁極膜幅が１μｍ以
下の超高密度記録ヘッドにおいて本発明は有効である。
【図１】本発明の実施形態１による磁気抵抗効果ヘッド
／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング
面の平面図である。
／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング
面の平面図である。
【図２】本発明の実施形態２による磁気抵抗効果ヘッド
／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング
面の平面図である。
／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング
面の平面図である。
【図３】本発明と比較するために作成した磁気抵抗効果
ヘッド／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の平面図である。
ヘッド／インダクティブヘッドの複合ヘッドのエアベア
リング面の平面図である。
【図４】本発明及び従来例によるスライダに搭載された
複合ヘッドの斜視図である。
複合ヘッドの斜視図である。
【図５】本発明及び従来例による複合ヘッドを搭載した
スライダのエアベアリング面の平面図である。
スライダのエアベアリング面の平面図である。
【図６】本発明の実施形態による磁気抵抗効果ヘッド／
インダクティブヘッドの複合ヘッドの製造方法を示す。
インダクティブヘッドの複合ヘッドの製造方法を示す。
【図７】図６に示す電極素子６１、素子部６２の拡大図
である。
である。
【図８】本発明の実施形態による磁気抵抗効果ヘッド／
インダクティブヘッドの複合ヘッドの製造方法の工程を
示す。
インダクティブヘッドの複合ヘッドの製造方法の工程を
示す。
【図９】従来例による磁気抵抗効果ヘッド／インダクテ
ィブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング面の平面図で
ある。
ィブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング面の平面図で
ある。
【図１０】従来例による磁気抵抗効果ヘッド／インダク
ティブヘッドの複合ヘッドの製造方法を示す図である。
ティブヘッドの複合ヘッドの製造方法を示す図である。
【図１１】従来例による磁気抵抗効果ヘッド／インダク
ティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング面の平面図
である。
ティブヘッドの複合ヘッドのエアベアリング面の平面図
である。
【図１２】従来例による磁気抵抗効果ヘッド／インダク
ティブヘッドの複合ヘッドの平面図及び平面図における
切断面Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
ティブヘッドの複合ヘッドの平面図及び平面図における
切断面Ａ−Ａ’に沿った断面図である。
８ 凹部 １０ 磁気シールド膜Ｓ１ １１、１６ 磁気的分離層 １２ 中央領域 １３、１４ 端部領域 １５ 磁気抵抗効果素子 １７ 磁気シールド膜Ｓ２兼磁極膜Ｐ１ １８ 磁気ギャップＧ １９ 磁極膜Ｐ２ ２０ 凹部
Claims (8)
- 【請求項１】 エアベアリング面に、互いに対向する第
１と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁気シ
ールド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して存在
し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中央領
域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備える
磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッドと、
前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１とし、前
記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層される磁気
ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の磁極膜
とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る磁束を
発生させる手段を備えるインダクティブヘッドと、を備
える磁気抵抗効果型複合ヘッドにおいて、前記第２の磁
極の幅を規定するために前記第２の磁極膜の両脇に配設
される凹部と、該凹部の位置決めをするための形状とを
前記エアベアリング面に備えることを特徴とする磁気抵
抗効果型複合ヘッド。 - 【請求項２】 前記凹部の位置決めをするための形状
が、前記第１の磁気シールドに形成された凹凸形状であ
ることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型複
合ヘッド。 - 【請求項３】 前記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子
の端部領域の下部の前記第１の磁気シールドに形成され
ていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗効果型
複合ヘッド。 - 【請求項４】 前記凹凸形状が、前記磁気抵抗効果素子
の端部領域の外延の下部の前記第１の磁気シールドに形
成されていることを特徴とする請求項２記載の磁気抵抗
効果型複合ヘッド。 - 【請求項５】 前記凹部によって規定された前記第２の
磁極の幅が１μｍ以下であることを特徴とする請求項１
乃至４のいずれか１項に記載の磁気抵抗効果型複合ヘッ
ド。 - 【請求項６】 エアベアリング面に、互いに対向する第
１と第２の磁気シールド膜と、前記第１と第２の磁気シ
ールド膜間に絶縁体からなる磁気的分離層を介して存在
し、記録媒体の磁界を検出する中央領域と、前記中央領
域にバイアス磁界と電流を供給する端部領域とを備える
磁気抵抗効果素子と、を備える磁気抵抗効果ヘッドと、
前記第２の磁気シールド膜を第１の磁極膜Ｐ１とし、前
記エアベアリング面に該第１の磁極膜に積層される磁気
ギャップと、該磁気ギャップに積層される第２の磁極膜
とを備え、更に、前記第１と第２の磁極膜を通る磁束を
発生させる手段を備えるインダクティブヘッドと、 を備える磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法におい
て、 ウエハ上に前記第１の磁気シールドを形成する工程と、 該第１の磁気シールドにアライメントマークと前記凹部
の位置決めをするための形状を同時に形成する工程と、 前記ウエハ上に前記アライメントマークを位置の基準と
して前記磁気抵抗効果ヘッドを完成させる工程と、 該磁気抵抗効果ヘッド上に前記アライメントマークを位
置の基準として前記インダクティブヘッドを形成する工
程と、 前記ウエハからバーを切り出す工程と、 前記バーをエアベアリング面から研磨する工程と、 前記エアベアリング面に前記凹部の位置決めをするため
の形状を位置の基準として前記凹部を形成する工程と、 前記バーからチップを切り出す工程と、 前記チップをサスペンションに組み込む工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
製造方法。 - 【請求項７】 請求項６に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法において、 前記凹部を形成する工程はイオンビームエッチング法で
行うことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッドの製造
方法。 - 【請求項８】 請求項７に記載の磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法において、 前記イオンビームエッチング法はフォーカスイオンビー
ムを用いて行うことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッドの製造方法。
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