JPH08241508A - 読取り／書込み磁気抵抗（ｍｒ）ヘッド - Google Patents
読取り／書込み磁気抵抗（ｍｒ）ヘッドInfo
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- JPH08241508A JPH08241508A JP7336940A JP33694095A JPH08241508A JP H08241508 A JPH08241508 A JP H08241508A JP 7336940 A JP7336940 A JP 7336940A JP 33694095 A JP33694095 A JP 33694095A JP H08241508 A JPH08241508 A JP H08241508A
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- G11B5/3163—Fabrication methods or processes specially adapted for a particular head structure, e.g. using base layers for electroplating, using functional layers for masking, using energy or particle beams for shaping the structure or modifying the properties of the basic layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明の一目的は、より効率的な組合せ式の
書込み読取りヘッドを提供することである。 【解決手段】 第１および第２のシールド層が磁極端領
域のすぐ後ろで絶縁体スタック領域において削除されま
たは薄くなっている、複合型沈下磁気抵抗（ＭＲ）読取
り／書込みヘッドを提供する。これにより、磁極端領域
の後ろの、書込みヘッドの書込みコイル、絶縁体スタッ
ク、磁極片などのヘッド構成要素が配置された場所に凹
部が形成される。ヘッドのＭＲセンサ用のリードは、空
気軸受け面（ＡＢＳ）と平行に延び、そこでシールド層
の範囲を越えて第１および第２の導体に接続する。導体
は、シールド層に短絡する危険なしに、空気軸受け面に
対して垂直にヘッド内に戻る。
書込み読取りヘッドを提供することである。 【解決手段】 第１および第２のシールド層が磁極端領
域のすぐ後ろで絶縁体スタック領域において削除されま
たは薄くなっている、複合型沈下磁気抵抗（ＭＲ）読取
り／書込みヘッドを提供する。これにより、磁極端領域
の後ろの、書込みヘッドの書込みコイル、絶縁体スタッ
ク、磁極片などのヘッド構成要素が配置された場所に凹
部が形成される。ヘッドのＭＲセンサ用のリードは、空
気軸受け面（ＡＢＳ）と平行に延び、そこでシールド層
の範囲を越えて第１および第２の導体に接続する。導体
は、シールド層に短絡する危険なしに、空気軸受け面に
対して垂直にヘッド内に戻る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、誘導性磁極片、コ
イル層、絶縁体層などの構成要素を含む、沈下した絶縁
体スタック領域を有するマージ型またはピギーバック型
の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドに関する。
イル層、絶縁体層などの構成要素を含む、沈下した絶縁
体スタック領域を有するマージ型またはピギーバック型
の磁気抵抗（ＭＲ）ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】マージ型またはピギーバック型のＭＲヘ
ッドは、読取りヘッド部分と書込みヘッド部分を有し、
書込みヘッド部分が読取りヘッド部分の上に配置され
る。読取りヘッド部分は、第１と第２のギャップ層の間
に挟まれ、かつ第１と第２のシールド層の間に挟まれ
た、ＭＲセンサを有する。ＭＲセンサは、回転磁気ディ
スクなどの移動磁気媒体からデータを読み取るための、
空気軸受け面（ＡＢＳ）で露出した外縁部を備える。回
転磁気ディスク上の磁化領域の変化は、それと対応する
ＭＲセンサの抵抗変化を引き起こし、センス電流がＭＲ
センサ中を流れたときにそれが電圧の変化の形で検出さ
れる。書込みヘッド部分は、絶縁体層の間に挟まれ、か
つ第１と第２の磁極片の間に挟まれた、コイル層（書込
みコイル）を有する。磁極片は、磁極端において終端
し、後部ギャップにおいて磁気的に接続され、磁極端
は、ＡＢＳにおいて薄いギャップ層で分離されて変換ギ
ャップを形成する。磁極端の割れ目は、「書込みギャッ
プ」と呼ばれる。書込みギャップを横切るフラックス
が、回転磁気ディスクの円形トラック上に情報として記
録される。
ッドは、読取りヘッド部分と書込みヘッド部分を有し、
書込みヘッド部分が読取りヘッド部分の上に配置され
る。読取りヘッド部分は、第１と第２のギャップ層の間
に挟まれ、かつ第１と第２のシールド層の間に挟まれ
た、ＭＲセンサを有する。ＭＲセンサは、回転磁気ディ
スクなどの移動磁気媒体からデータを読み取るための、
空気軸受け面（ＡＢＳ）で露出した外縁部を備える。回
転磁気ディスク上の磁化領域の変化は、それと対応する
ＭＲセンサの抵抗変化を引き起こし、センス電流がＭＲ
センサ中を流れたときにそれが電圧の変化の形で検出さ
れる。書込みヘッド部分は、絶縁体層の間に挟まれ、か
つ第１と第２の磁極片の間に挟まれた、コイル層（書込
みコイル）を有する。磁極片は、磁極端において終端
し、後部ギャップにおいて磁気的に接続され、磁極端
は、ＡＢＳにおいて薄いギャップ層で分離されて変換ギ
ャップを形成する。磁極端の割れ目は、「書込みギャッ
プ」と呼ばれる。書込みギャップを横切るフラックス
が、回転磁気ディスクの円形トラック上に情報として記
録される。
【０００３】ピギーバック型ＭＲヘッドでは、第２のシ
ールド層と第１の磁極片が別の層であり、一方マージ型
ＭＲヘッドでは、第２のシールド層と第１の磁極片が、
書込み動作中は書込み磁極として働き、読取り動作中は
第２のシールドとして働く、共通層に合体されている。
ピギーバック型ヘッドでもマージ型ＭＲヘッドでも、シ
ールド層が、ＭＲセンサを、磁気ディスク・ドライブの
重要な構成要素である隣接するデータ・トラックや処理
回路からの磁界などの漂遊磁界から保護する。
ールド層と第１の磁極片が別の層であり、一方マージ型
ＭＲヘッドでは、第２のシールド層と第１の磁極片が、
書込み動作中は書込み磁極として働き、読取り動作中は
第２のシールドとして働く、共通層に合体されている。
ピギーバック型ヘッドでもマージ型ＭＲヘッドでも、シ
ールド層が、ＭＲセンサを、磁気ディスク・ドライブの
重要な構成要素である隣接するデータ・トラックや処理
回路からの磁界などの漂遊磁界から保護する。
【０００４】残念ながら、ピギーバック型ＭＲヘッドの
両方のシールド層とマージ型ＭＲヘッドの第１のシール
ド層が、書込みヘッドの動作に不都合な影響を及ぼすこ
とがある。書込みコイルと１つまたは複数のシールド層
は共に、磁極端領域と後部ギャップとの間にあり書込み
コイルの上下の絶縁体層によって画定される、絶縁スタ
ック領域内に配置される。書込みコイルと１つまたは複
数のシールド層との間には強い誘導結合があり、これが
書込みコイルの磁気抵抗を著しく増加させる。電流が書
込みコイル中を流れるとき、１つまたは複数のシールド
層中に誘起されるフラックスは、書込みコイルが生成す
るフラックス場に対抗する逆フラックス場を生じさせ
る。書込みコイルが、受容可能な大きさのフラックス場
を生成するためには、逆フラックス場の作用に対処する
ために書込みコイルを大きくしなければならない。これ
は、さらに別の問題を引き起こす。１つまたは複数のシ
ールド層がピーク値の大きいフラックス場にさらされる
とき、シールド層内の磁区が、磁化容易軸から大きく回
転されることがある。フラックス場の大きさが減少した
とき、これらの磁区がその本来の配向を回復しないこと
がある。シールド層の磁区の配向の狂いが相当に大きい
場合は、シールド層とＭＲセンサとの間の静磁気結合の
ために、ＭＲセンサのバイアス点が変化することがあ
る。バイアス点の変化により、リードバック信号が弱ま
るほどＭＲセンサの応答が変化することがある。
両方のシールド層とマージ型ＭＲヘッドの第１のシール
ド層が、書込みヘッドの動作に不都合な影響を及ぼすこ
とがある。書込みコイルと１つまたは複数のシールド層
は共に、磁極端領域と後部ギャップとの間にあり書込み
コイルの上下の絶縁体層によって画定される、絶縁スタ
ック領域内に配置される。書込みコイルと１つまたは複
数のシールド層との間には強い誘導結合があり、これが
書込みコイルの磁気抵抗を著しく増加させる。電流が書
込みコイル中を流れるとき、１つまたは複数のシールド
層中に誘起されるフラックスは、書込みコイルが生成す
るフラックス場に対抗する逆フラックス場を生じさせ
る。書込みコイルが、受容可能な大きさのフラックス場
を生成するためには、逆フラックス場の作用に対処する
ために書込みコイルを大きくしなければならない。これ
は、さらに別の問題を引き起こす。１つまたは複数のシ
ールド層がピーク値の大きいフラックス場にさらされる
とき、シールド層内の磁区が、磁化容易軸から大きく回
転されることがある。フラックス場の大きさが減少した
とき、これらの磁区がその本来の配向を回復しないこと
がある。シールド層の磁区の配向の狂いが相当に大きい
場合は、シールド層とＭＲセンサとの間の静磁気結合の
ために、ＭＲセンサのバイアス点が変化することがあ
る。バイアス点の変化により、リードバック信号が弱ま
るほどＭＲセンサの応答が変化することがある。
【０００５】したがって、読取りヘッドのシールド層が
書込みヘッドの動作に及ぼす影響を小さくし、書込みヘ
ッドがシールド層を介して読取りヘッドの動作に及ぼす
影響を小さくする必要が強く感じられている。
書込みヘッドの動作に及ぼす影響を小さくし、書込みヘ
ッドがシールド層を介して読取りヘッドの動作に及ぼす
影響を小さくする必要が強く感じられている。
【０００６】従来技術によるピギーバック型およびマー
ジ型ＭＲヘッドは、その構造上、その製作が難しい。こ
の点に関して、書込みギャップの上の絶縁スタックが高
いため、第２の磁極片の垂直プロフィルが著しく増大す
る。第２の磁極片上の垂直プロフィルが高いため、製作
中に、第２の磁極端の縦横比（幅対厚さ）を小さくし
て、第２の磁極端の側壁の滑らかさと垂直性（「精細
度」）を制御するのは困難である。
ジ型ＭＲヘッドは、その構造上、その製作が難しい。こ
の点に関して、書込みギャップの上の絶縁スタックが高
いため、第２の磁極片の垂直プロフィルが著しく増大す
る。第２の磁極片上の垂直プロフィルが高いため、製作
中に、第２の磁極端の縦横比（幅対厚さ）を小さくし
て、第２の磁極端の側壁の滑らかさと垂直性（「精細
度」）を制御するのは困難である。
【０００７】縦横比は、第２の磁極端を作るために必要
なフォトレジスト・マスク層の高さと第２の磁極端の幅
の比によって決定される。高いデータ伝送速度で書き込
むためには、第２の磁極端の幅はサブミクロン単位でな
ければならない。第２の磁極端の所望の幅が１ミクロン
で、第２の磁極端を作成するためのフォトレジストの高
さが１０ミクロンならば、縦横比は１０である。周知の
ように、十分に画定された第２の磁極端を縦横比１０で
製作するのは極めて難しい。第２の磁極端の側壁の精細
度が悪いと、書込みデータの分解能が悪化することがあ
る。したがって、一緒に合体された高分解能の読取りヘ
ッドと調和する高分解能で高データ伝送速度の書込みヘ
ッドを製作できるように、第２の磁極端の縦横比を小さ
くする必要性が強く感じられる。
なフォトレジスト・マスク層の高さと第２の磁極端の幅
の比によって決定される。高いデータ伝送速度で書き込
むためには、第２の磁極端の幅はサブミクロン単位でな
ければならない。第２の磁極端の所望の幅が１ミクロン
で、第２の磁極端を作成するためのフォトレジストの高
さが１０ミクロンならば、縦横比は１０である。周知の
ように、十分に画定された第２の磁極端を縦横比１０で
製作するのは極めて難しい。第２の磁極端の側壁の精細
度が悪いと、書込みデータの分解能が悪化することがあ
る。したがって、一緒に合体された高分解能の読取りヘ
ッドと調和する高分解能で高データ伝送速度の書込みヘ
ッドを製作できるように、第２の磁極端の縦横比を小さ
くする必要性が強く感じられる。
【０００８】ピギーバック型／マージ型ＭＲヘッドの動
作に関するもう１つの重要なことは、読取りヘッドの絶
縁体層が薄く、それによって絶縁破壊が生じる可能性が
あることである。
作に関するもう１つの重要なことは、読取りヘッドの絶
縁体層が薄く、それによって絶縁破壊が生じる可能性が
あることである。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明の一目的は、よ
り効率的な組合せ式の書込み読取りヘッドを提供するこ
とである。
り効率的な組合せ式の書込み読取りヘッドを提供するこ
とである。
【００１０】本発明の他の目的は、書込みコイルの磁気
抵抗を減少させた、ピギーバック型またはマージ型ＭＲ
ヘッドを提供することである。
抵抗を減少させた、ピギーバック型またはマージ型ＭＲ
ヘッドを提供することである。
【００１１】本発明の他の目的は、コイルの磁気抵抗を
減少させ、書込みコイルの大きさを小さくし、ＭＲヘッ
ドの書込み動作中に１つまたは複数のシールド層内にお
ける磁区の移動を小さくすることである。
減少させ、書込みコイルの大きさを小さくし、ＭＲヘッ
ドの書込み動作中に１つまたは複数のシールド層内にお
ける磁区の移動を小さくすることである。
【００１２】本発明の他の目的は、上記目的のいずれか
を達成し、かつヘッドの縦横比を小さくすることであ
る。
を達成し、かつヘッドの縦横比を小さくすることであ
る。
【００１３】本発明の他の目的は、上記目的のいずれか
を達成し、かつ導体リードとシールド層との間の電気的
短絡を最小限に抑える、ＭＲセンサまでの導体リード用
経路を提供することである。
を達成し、かつ導体リードとシールド層との間の電気的
短絡を最小限に抑える、ＭＲセンサまでの導体リード用
経路を提供することである。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本発明では、ピギーバッ
ク型またはマージ型のＭＲヘッドの絶縁体スタック領域
において１つまたは複数のシールド層をなくするかまた
は１つまたは複数のシールド層を薄くすることによっ
て、従来技術のＭＲヘッドの限界を克服する。ピギーバ
ック型ＭＲヘッドでは、絶縁スタック領域において、シ
ールド層の一方または両方をなくするかまたは薄くする
ことができる。マージ型ＭＲヘッドでは、絶縁体スタッ
ク領域において、第１のシールド層をなくするかまたは
薄くすることができる。絶縁体スタック領域内の１つま
たは複数のシールド層をなくすと、書込みコイルの磁気
抵抗が大幅に減少する。絶縁体スタック領域内の１つま
たは複数のシールド層をなくする代わりに薄くする場合
も、磁気抵抗の低減が、大幅にではないが達成される。
この構成により、書込み磁極とＭＲセンサのバランスが
とれる。一方または両方のシールド層の薄くした部分を
確保することによって、ＭＲセンサを漂遊磁界から十分
に保護することができる。
ク型またはマージ型のＭＲヘッドの絶縁体スタック領域
において１つまたは複数のシールド層をなくするかまた
は１つまたは複数のシールド層を薄くすることによっ
て、従来技術のＭＲヘッドの限界を克服する。ピギーバ
ック型ＭＲヘッドでは、絶縁スタック領域において、シ
ールド層の一方または両方をなくするかまたは薄くする
ことができる。マージ型ＭＲヘッドでは、絶縁体スタッ
ク領域において、第１のシールド層をなくするかまたは
薄くすることができる。絶縁体スタック領域内の１つま
たは複数のシールド層をなくすと、書込みコイルの磁気
抵抗が大幅に減少する。絶縁体スタック領域内の１つま
たは複数のシールド層をなくする代わりに薄くする場合
も、磁気抵抗の低減が、大幅にではないが達成される。
この構成により、書込み磁極とＭＲセンサのバランスが
とれる。一方または両方のシールド層の薄くした部分を
確保することによって、ＭＲセンサを漂遊磁界から十分
に保護することができる。
【００１５】一方または両方のシールド層の削除または
薄化は、ＭＲセンサのすぐ後ろにおいて後部ギャップの
方向に行なわれる。これにより、絶縁体スタック領域が
載る面が低くなり、その結果「沈下」プロフィルが得ら
れる。
薄化は、ＭＲセンサのすぐ後ろにおいて後部ギャップの
方向に行なわれる。これにより、絶縁体スタック領域が
載る面が低くなり、その結果「沈下」プロフィルが得ら
れる。
【００１６】通常ＭＲセンサの磁気シールドの臨界領域
が、磁極端領域であることに留意されたい。この領域で
は、本発明の実施形態はすべて、完全な厚さの第１およ
び第２のシールド層を有する。このため、ＭＲセンス電
流を導く第１および第２のリードの経路を独特に方向付
ける機会が与えられる。リードは、ＡＢＳと平行にＭＲ
センサに対して直交方向にシールド層を越える場所まで
延び、さらにヘッドの後ろに向かい、そこでリードをパ
ッドに接続できるようになっている。従来技術のＭＲ読
取りヘッドにおいては、これらのリードは通常、ＭＲセ
ンサへの接続部からヘッド中に直接戻る。第１および第
２のギャップ層が、リードをシールド層から絶縁する。
これらの層は読取りヘッドの分解能を高めるためにでき
るだけ薄く保たれるので、ギャップ層内のピン・ホール
のために、リードとシールドの間で電気的に短絡する可
能性が大きい。本発明によれば、短絡の可能性は、ＡＢ
Ｓと平行なリードの短い横方向の延長範囲だけで生じ、
ヘッドの後ろまでの長い延長範囲では生じない。
が、磁極端領域であることに留意されたい。この領域で
は、本発明の実施形態はすべて、完全な厚さの第１およ
び第２のシールド層を有する。このため、ＭＲセンス電
流を導く第１および第２のリードの経路を独特に方向付
ける機会が与えられる。リードは、ＡＢＳと平行にＭＲ
センサに対して直交方向にシールド層を越える場所まで
延び、さらにヘッドの後ろに向かい、そこでリードをパ
ッドに接続できるようになっている。従来技術のＭＲ読
取りヘッドにおいては、これらのリードは通常、ＭＲセ
ンサへの接続部からヘッド中に直接戻る。第１および第
２のギャップ層が、リードをシールド層から絶縁する。
これらの層は読取りヘッドの分解能を高めるためにでき
るだけ薄く保たれるので、ギャップ層内のピン・ホール
のために、リードとシールドの間で電気的に短絡する可
能性が大きい。本発明によれば、短絡の可能性は、ＡＢ
Ｓと平行なリードの短い横方向の延長範囲だけで生じ、
ヘッドの後ろまでの長い延長範囲では生じない。
【００１７】本発明の絶縁体スタック領域において１つ
または複数のシールド層の厚さをゼロにするかまたは最
小にすることによって、ピギーバック型またはマージ型
ＭＲヘッドの書込みヘッド部分の作成中に、凹んだ部分
が形成される。これにより縦横比が大幅に小さくなり、
書込みヘッド部分用の、十分に画定された高いデータ伝
送速度の第２の磁極端を作成することができる。本発明
において、縦横比を、１０以上からを約４にまで小さく
することができる。
または複数のシールド層の厚さをゼロにするかまたは最
小にすることによって、ピギーバック型またはマージ型
ＭＲヘッドの書込みヘッド部分の作成中に、凹んだ部分
が形成される。これにより縦横比が大幅に小さくなり、
書込みヘッド部分用の、十分に画定された高いデータ伝
送速度の第２の磁極端を作成することができる。本発明
において、縦横比を、１０以上からを約４にまで小さく
することができる。
【００１８】本発明のその他の目的および利点は、添付
図面を参照し以下の詳細な説明を読むことによって、当
業者にはより明らかになるであろう。
図面を参照し以下の詳細な説明を読むことによって、当
業者にはより明らかになるであろう。
【００１９】
【発明の実施の形態】次に、図面を参照すると、いくつ
かの図にわたって同じ参照番号は同じまたは類似した部
分を指す。図１に、磁気ディスク・ドライブ２０を示
す。ドライブ２０は、磁気ディスク２４を支持して回転
させるスピンドル２２を有する。スピンドル２２は、モ
ータ制御機構２８によって制御されるモータ２６によっ
て回転される。磁気ヘッド３０は、ディスク２４の記録
および読取り用のピギーバック型またはマージ型ＭＲヘ
ッドでよく、サスペンション・アクチュエータ・アセン
ブリ３４で支持されるスライダ３２に取り付けられてい
る。サスペンション・アクチュエータ・アセンブリ３４
は、磁気ヘッド３０が磁気ディスク２４の表面に対して
変換位置になるようにスライダ３２を位置決めする。デ
ィスク２４がモータ２６によって回転されるとき、ディ
スク表面によって空気が動かされ、その結果スライダが
ディスクの表面からわずかに離れて空気のクッション
（空気軸受け）上に乗る。その後、磁気ヘッド３０は、
ディスク２４の表面の多数の円形トラックに情報を書き
込み、かつそこからデータおよびサーボ情報を読み取る
ために使用される。駆動電子回路３６は、情報を書き込
むための駆動信号を提供し、ディスク２４からのリード
バック信号およびサーボ信号を処理する。
かの図にわたって同じ参照番号は同じまたは類似した部
分を指す。図１に、磁気ディスク・ドライブ２０を示
す。ドライブ２０は、磁気ディスク２４を支持して回転
させるスピンドル２２を有する。スピンドル２２は、モ
ータ制御機構２８によって制御されるモータ２６によっ
て回転される。磁気ヘッド３０は、ディスク２４の記録
および読取り用のピギーバック型またはマージ型ＭＲヘ
ッドでよく、サスペンション・アクチュエータ・アセン
ブリ３４で支持されるスライダ３２に取り付けられてい
る。サスペンション・アクチュエータ・アセンブリ３４
は、磁気ヘッド３０が磁気ディスク２４の表面に対して
変換位置になるようにスライダ３２を位置決めする。デ
ィスク２４がモータ２６によって回転されるとき、ディ
スク表面によって空気が動かされ、その結果スライダが
ディスクの表面からわずかに離れて空気のクッション
（空気軸受け）上に乗る。その後、磁気ヘッド３０は、
ディスク２４の表面の多数の円形トラックに情報を書き
込み、かつそこからデータおよびサーボ情報を読み取る
ために使用される。駆動電子回路３６は、情報を書き込
むための駆動信号を提供し、ディスク２４からのリード
バック信号およびサーボ信号を処理する。
【００２０】図２に、図１のスライダ３２上の磁気ヘッ
ド３０として使用できる従来技術によるマージ型ＭＲヘ
ッド３０Ａを示す。ヘッド３０Ａは、第１と第２のシー
ルド層Ｓ１とＳ２の間に挟まれた第１と第２のギャップ
層Ｇ１およびＧ２の間に挟まれたＭＲセンサ（ＭＲ）を
有する。リード層（その１つを図２にＬ１で示す）が、
ＭＲセンサに接続され、やはり第１と第２のギャップ層
Ｇ１とＧ２の間に挟まれている。リード層Ｌ１およびＬ
２は、図２の破断部分の右側にある端子パッド（図示せ
ず）に接続されている。パッドは、駆動電子回路３６
（図１参照）の外部電気接点を提供する。ヘッドの読取
り部分は、前述の構成要素を含む。図１の磁気ディスク
２４がＭＲセンサに隣接して回転するとき、ディスク上
の磁気領域が、ＭＲセンサによって検出され、センス電
流はその抵抗が変化して、リードを介してＭＲセンサ中
を流れ、その結果ＭＲセンサの抵抗の変化に対応するＭ
Ｒセンサの両端間電位の変化が生じる。その後、これら
の電位変化は、図１に示した駆動電子回路３６によって
リードバック信号として処理される。
ド３０として使用できる従来技術によるマージ型ＭＲヘ
ッド３０Ａを示す。ヘッド３０Ａは、第１と第２のシー
ルド層Ｓ１とＳ２の間に挟まれた第１と第２のギャップ
層Ｇ１およびＧ２の間に挟まれたＭＲセンサ（ＭＲ）を
有する。リード層（その１つを図２にＬ１で示す）が、
ＭＲセンサに接続され、やはり第１と第２のギャップ層
Ｇ１とＧ２の間に挟まれている。リード層Ｌ１およびＬ
２は、図２の破断部分の右側にある端子パッド（図示せ
ず）に接続されている。パッドは、駆動電子回路３６
（図１参照）の外部電気接点を提供する。ヘッドの読取
り部分は、前述の構成要素を含む。図１の磁気ディスク
２４がＭＲセンサに隣接して回転するとき、ディスク上
の磁気領域が、ＭＲセンサによって検出され、センス電
流はその抵抗が変化して、リードを介してＭＲセンサ中
を流れ、その結果ＭＲセンサの抵抗の変化に対応するＭ
Ｒセンサの両端間電位の変化が生じる。その後、これら
の電位変化は、図１に示した駆動電子回路３６によって
リードバック信号として処理される。
【００２１】従来技術によるマージ型ＭＲヘッド３０Ａ
はまた、書込み部分も備えている。書込み部分は、絶縁
体層Ｉ１とＩ３の間に挟まれた、書込みコイル層Ｃ（書
込みコイル）と絶縁体層Ｉ２とを有する。この領域は普
通、絶縁体スタック領域と呼ばれる。絶縁体層Ｉ１およ
びＩ３は、第１と第２の磁極片Ｐ１とＰ２の間に挟まれ
ている。磁極片Ｐ１およびＰ２は、絶縁体スタック領域
の左側で磁極端ＰＴ１およびＰＴ２を形成し、それらの
磁極端は、そこで厚さ０．２μｍ程度の薄いギャップ層
Ｇによって分離される。磁極片Ｐ１およびＰ２は、後部
ギャップＢＧにおいて絶縁体スタックの右側で磁気的に
接続される。したがって、信号電流が書込みコイル中を
流れるとき、第１および第２の磁極片Ｐ１およびＰ２中
にフラックスが誘導され、空気軸受け面（ＡＢＳ）にお
いてギャップＧの両側にまたがるフリンジ・フラックス
が生じる。このフリンジ・フラックスによって、図１に
示した駆動電子回路３６から供給される書込み信号に応
答して回転磁気ディスク２４に情報が書き込まれる。ヘ
ッド３０Ａは、１つの層が第２のシールド層Ｓ２として
も第１の磁極片Ｐ１としても働くので、マージ型ＭＲヘ
ッドと呼ばれる。この層は、書込み動作中は第１の磁極
片Ｐ１として働き、読取り動作中は第２のシールド層Ｓ
２として働く。
はまた、書込み部分も備えている。書込み部分は、絶縁
体層Ｉ１とＩ３の間に挟まれた、書込みコイル層Ｃ（書
込みコイル）と絶縁体層Ｉ２とを有する。この領域は普
通、絶縁体スタック領域と呼ばれる。絶縁体層Ｉ１およ
びＩ３は、第１と第２の磁極片Ｐ１とＰ２の間に挟まれ
ている。磁極片Ｐ１およびＰ２は、絶縁体スタック領域
の左側で磁極端ＰＴ１およびＰＴ２を形成し、それらの
磁極端は、そこで厚さ０．２μｍ程度の薄いギャップ層
Ｇによって分離される。磁極片Ｐ１およびＰ２は、後部
ギャップＢＧにおいて絶縁体スタックの右側で磁気的に
接続される。したがって、信号電流が書込みコイル中を
流れるとき、第１および第２の磁極片Ｐ１およびＰ２中
にフラックスが誘導され、空気軸受け面（ＡＢＳ）にお
いてギャップＧの両側にまたがるフリンジ・フラックス
が生じる。このフリンジ・フラックスによって、図１に
示した駆動電子回路３６から供給される書込み信号に応
答して回転磁気ディスク２４に情報が書き込まれる。ヘ
ッド３０Ａは、１つの層が第２のシールド層Ｓ２として
も第１の磁極片Ｐ１としても働くので、マージ型ＭＲヘ
ッドと呼ばれる。この層は、書込み動作中は第１の磁極
片Ｐ１として働き、読取り動作中は第２のシールド層Ｓ
２として働く。
【００２２】従来技術のマージ型ＭＲヘッドの大きな問
題は、書込みコイルの近くでシールド層Ｓ１およびＳ２
の寸法が大きくなることである。第１および第２のシー
ルド層Ｓ１およびＳ２は、センダストやパーマロイ、窒
化鉄などの強磁性体材料から製作される。書込みコイル
に電圧が加えられるとき、第１のシールド層Ｓ１は、イ
ンダクタンスとして作用し、書込みコイルの起電力（Ｅ
ＭＦ）と対抗する逆起電力（ＣＥＭＦ）を発生させる。
コイルの周波数またはデータ伝送速度が高くなるほど、
シールド層Ｓ１のインダクタンスは大きくなる。
題は、書込みコイルの近くでシールド層Ｓ１およびＳ２
の寸法が大きくなることである。第１および第２のシー
ルド層Ｓ１およびＳ２は、センダストやパーマロイ、窒
化鉄などの強磁性体材料から製作される。書込みコイル
に電圧が加えられるとき、第１のシールド層Ｓ１は、イ
ンダクタンスとして作用し、書込みコイルの起電力（Ｅ
ＭＦ）と対抗する逆起電力（ＣＥＭＦ）を発生させる。
コイルの周波数またはデータ伝送速度が高くなるほど、
シールド層Ｓ１のインダクタンスは大きくなる。
【００２３】従来技術のマージ型ＭＲヘッド３０Ａのも
う１つの問題は、第２の磁極片Ｐ２の垂直プロフィルが
高いために、ＡＢＳにおいて第２の磁極端ＰＴ２が精細
度に欠けることである。これは、絶縁体スタック（絶縁
体層Ｉ１、Ｉ２、およびＩ３）が高いためである。その
結果、第２の磁極片Ｐ２のトポグラフィが高くなり、望
ましくない高い縦横比になる。高密度ヘッドでは、ＡＢ
Ｓにおける磁極端ＰＴ２の幅は極めて狭くなければなら
ず、１μｍ以下が好ましい。第２の磁極片Ｐ２を製作す
るために必要なフォトレジスト４０の厚さと、ＡＢＳに
おける磁極端ＰＴ２の幅の比によって、縦横比が設定さ
れる。フォトレジストの厚さが１０μｍで第２の磁極端
ＰＴ２の幅が１μｍならば、縦横比は１０である。第２
の磁極片Ｐ２およびＡＢＳにおける磁極端を構成するた
めに必要な従来技術のフォトレジスト層の厚さは、通常
１０μｍ以上である。フォトレジストはスピン・オンす
るとき、図２に二点鎖線４０で示した構成をとる。フォ
トレジスト層をマスクし露光するとき、フォトレジスト
が厚いために、光によってＡＢＳにおいて精細度の不十
分な磁極端ＰＴ２ができる。この結果、本来ならば精細
度を良好にするためにほぼ垂直でかつ厳密に寸法が決定
されるべきなのに、不ぞろいな側壁を有し十分に画定さ
れない磁極端ＰＴ２が得られる。
う１つの問題は、第２の磁極片Ｐ２の垂直プロフィルが
高いために、ＡＢＳにおいて第２の磁極端ＰＴ２が精細
度に欠けることである。これは、絶縁体スタック（絶縁
体層Ｉ１、Ｉ２、およびＩ３）が高いためである。その
結果、第２の磁極片Ｐ２のトポグラフィが高くなり、望
ましくない高い縦横比になる。高密度ヘッドでは、ＡＢ
Ｓにおける磁極端ＰＴ２の幅は極めて狭くなければなら
ず、１μｍ以下が好ましい。第２の磁極片Ｐ２を製作す
るために必要なフォトレジスト４０の厚さと、ＡＢＳに
おける磁極端ＰＴ２の幅の比によって、縦横比が設定さ
れる。フォトレジストの厚さが１０μｍで第２の磁極端
ＰＴ２の幅が１μｍならば、縦横比は１０である。第２
の磁極片Ｐ２およびＡＢＳにおける磁極端を構成するた
めに必要な従来技術のフォトレジスト層の厚さは、通常
１０μｍ以上である。フォトレジストはスピン・オンす
るとき、図２に二点鎖線４０で示した構成をとる。フォ
トレジスト層をマスクし露光するとき、フォトレジスト
が厚いために、光によってＡＢＳにおいて精細度の不十
分な磁極端ＰＴ２ができる。この結果、本来ならば精細
度を良好にするためにほぼ垂直でかつ厳密に寸法が決定
されるべきなのに、不ぞろいな側壁を有し十分に画定さ
れない磁極端ＰＴ２が得られる。
【００２４】小さな縦横比を有する十分に画定された第
２の磁極端ＰＴ２を得るために、様々な従来技術の技法
が利用されてきた。そのような２つの技法を、図３、図
４、図５、および図６に示す。図３および図４では、第
２の磁極片Ｐ２の第１の部分４２が、ＡＢＳにおいて低
い平面プロフィルで形成される。これは、約４μｍの薄
くてほぼ平坦なフォトレジスト層をもたらす。フォトレ
ジストの付着に続いて、イオン・ビーム・ミリングまた
は反応性イオン・エッチングを利用して、磁極端の側壁
を画定する。絶縁体スタックおよび書込みコイルを形成
した後、第２の磁極片の第２の大きな部分４４を、図４
に４５で示したように部分４２に接合する。
２の磁極端ＰＴ２を得るために、様々な従来技術の技法
が利用されてきた。そのような２つの技法を、図３、図
４、図５、および図６に示す。図３および図４では、第
２の磁極片Ｐ２の第１の部分４２が、ＡＢＳにおいて低
い平面プロフィルで形成される。これは、約４μｍの薄
くてほぼ平坦なフォトレジスト層をもたらす。フォトレ
ジストの付着に続いて、イオン・ビーム・ミリングまた
は反応性イオン・エッチングを利用して、磁極端の側壁
を画定する。絶縁体スタックおよび書込みコイルを形成
した後、第２の磁極片の第２の大きな部分４４を、図４
に４５で示したように部分４２に接合する。
【００２５】図５および図６では、磁極端ＰＴ２は、部
分４６および４８から形成される。部分４６は、薄いフ
ォトレジスト層によるパターニングと、それに続くイオ
ン・ビーム・ミリングまたは反応性イオン・エッチング
によって構成し、側壁を画定する。次に、飽和の問題を
最小限に抑えるために、大きい方の部分４８を、ＡＢＳ
に隣接する４９において部分４６上に接合する。図３、
図４、図５、および図６に示した製作方法はどちらも、
コストが高くかつ生産ベースで一貫して実行するのが難
しい多数の追加の処理段階を要する。
分４６および４８から形成される。部分４６は、薄いフ
ォトレジスト層によるパターニングと、それに続くイオ
ン・ビーム・ミリングまたは反応性イオン・エッチング
によって構成し、側壁を画定する。次に、飽和の問題を
最小限に抑えるために、大きい方の部分４８を、ＡＢＳ
に隣接する４９において部分４６上に接合する。図３、
図４、図５、および図６に示した製作方法はどちらも、
コストが高くかつ生産ベースで一貫して実行するのが難
しい多数の追加の処理段階を要する。
【００２６】図７は、図１に示したスライダ上で磁気ヘ
ッド３０として使用できる、本発明の第１の実施形態３
０Ｂを構成するマージ型ＭＲヘッドを示す。ヘッド３０
Ｂは、磁極端領域、絶縁体スタック領域およびコイル領
域を有し、磁極端領域は、ＡＢＳから絶縁体スタック領
域まで延び、絶縁体スタック領域は、磁極端から後部ギ
ャップ（図２）まで延び、コイル領域は、絶縁体スタッ
ク領域内に磁極端領域から離して配置される。実施形態
３０Ｂでは、ＭＲセンサの保護のために、第１および第
２のシールド層Ｓ１およびＳ２が磁極端領域に配置され
る。本発明の実施形態３０Ｂと、図２に示した従来技術
の実施形態３０Ａとの大きな違いは、実施形態３０Ｂで
は、第１のシールドＳ１が、磁極端領域とコイル領域と
の間で斜面５０に沿って終端していることである。これ
によって、絶縁体スタックを構成するヘッドの後続の薄
膜層用の、沈下したまたは凹んだ部分５１ができる。第
２のギャップ層Ｇ２が、第１のシールド層Ｓ１の斜面５
０に沿って延び、そこからＡＢＳに対して垂直にヘッド
の後部領域の方に延びる。リードが、図２の従来技術の
ヘッドで示した経路と同じ経路に沿っていないことに留
意されたい。ヘッド３０Ｂのリードは、後でより詳しく
説明する異なる経路をとることができる。
ッド３０として使用できる、本発明の第１の実施形態３
０Ｂを構成するマージ型ＭＲヘッドを示す。ヘッド３０
Ｂは、磁極端領域、絶縁体スタック領域およびコイル領
域を有し、磁極端領域は、ＡＢＳから絶縁体スタック領
域まで延び、絶縁体スタック領域は、磁極端から後部ギ
ャップ（図２）まで延び、コイル領域は、絶縁体スタッ
ク領域内に磁極端領域から離して配置される。実施形態
３０Ｂでは、ＭＲセンサの保護のために、第１および第
２のシールド層Ｓ１およびＳ２が磁極端領域に配置され
る。本発明の実施形態３０Ｂと、図２に示した従来技術
の実施形態３０Ａとの大きな違いは、実施形態３０Ｂで
は、第１のシールドＳ１が、磁極端領域とコイル領域と
の間で斜面５０に沿って終端していることである。これ
によって、絶縁体スタックを構成するヘッドの後続の薄
膜層用の、沈下したまたは凹んだ部分５１ができる。第
２のギャップ層Ｇ２が、第１のシールド層Ｓ１の斜面５
０に沿って延び、そこからＡＢＳに対して垂直にヘッド
の後部領域の方に延びる。リードが、図２の従来技術の
ヘッドで示した経路と同じ経路に沿っていないことに留
意されたい。ヘッド３０Ｂのリードは、後でより詳しく
説明する異なる経路をとることができる。
【００２７】層Ｓ２／Ｐ１、書込みギャップ、絶縁体層
Ｉ１、書込みコイル、絶縁体層Ｉ２とＩ３、および第２
の磁極片Ｐ２はすべて、絶縁体スタック領域において、
第１のシールド層Ｓ１によって形成される凹部によって
へこみ、それによって書込みギャップ面の上の第２の磁
極片の高さが低くなって、第２の磁極端ＰＴ２の平坦性
が高まっている。これにより、磁極端ＰＴ２の製作中に
レジストの縦横比が大幅に小さくなり、その結果、図７
のＡＢＳでのレジスト層４０の厚さを見ると分かるよう
に、ＡＢＳにおいて約４μｍの薄いレジスト層によって
磁極端の作成が可能になる。レジスト層が薄いため、よ
り狭い磁極端を良好な精細度で精密に作成することがで
き、それによりヘッドのビット密度を高くすることがで
きる。さらに重要なことは、第１のシールド層Ｓ１の大
きな部分がなくなり、それにより書込みコイルの動作を
妨害する誘導が減少することである。第１のシールド層
Ｓ１の残りの部分は書込みコイルから離れており、した
がって、高周波数の電流が書込みコイル中を流れるとき
に、第１のシールド層Ｓ１の逆起電力によってその起電
力が打ち消されることが少なくなる。したがって、実施
形態３０Ｂは、従来技術のマージ型ＭＲヘッドに勝る大
きな改善を提供する。第１のシールド層Ｓ１の斜面５０
は、図８に示したように、負の斜面５２を有するレジス
ト層によって作成することができる。その後、負の斜面
に隣接してパーマロイをメッキし、レジストを除去する
と、図７に示したような第１のシールド層Ｓ１の斜面５
０が形成される。
Ｉ１、書込みコイル、絶縁体層Ｉ２とＩ３、および第２
の磁極片Ｐ２はすべて、絶縁体スタック領域において、
第１のシールド層Ｓ１によって形成される凹部によって
へこみ、それによって書込みギャップ面の上の第２の磁
極片の高さが低くなって、第２の磁極端ＰＴ２の平坦性
が高まっている。これにより、磁極端ＰＴ２の製作中に
レジストの縦横比が大幅に小さくなり、その結果、図７
のＡＢＳでのレジスト層４０の厚さを見ると分かるよう
に、ＡＢＳにおいて約４μｍの薄いレジスト層によって
磁極端の作成が可能になる。レジスト層が薄いため、よ
り狭い磁極端を良好な精細度で精密に作成することがで
き、それによりヘッドのビット密度を高くすることがで
きる。さらに重要なことは、第１のシールド層Ｓ１の大
きな部分がなくなり、それにより書込みコイルの動作を
妨害する誘導が減少することである。第１のシールド層
Ｓ１の残りの部分は書込みコイルから離れており、した
がって、高周波数の電流が書込みコイル中を流れるとき
に、第１のシールド層Ｓ１の逆起電力によってその起電
力が打ち消されることが少なくなる。したがって、実施
形態３０Ｂは、従来技術のマージ型ＭＲヘッドに勝る大
きな改善を提供する。第１のシールド層Ｓ１の斜面５０
は、図８に示したように、負の斜面５２を有するレジス
ト層によって作成することができる。その後、負の斜面
に隣接してパーマロイをメッキし、レジストを除去する
と、図７に示したような第１のシールド層Ｓ１の斜面５
０が形成される。
【００２８】図９は、第２のシールド層Ｓ２と第１の磁
極片Ｐ１とがスペーサ６０によって分離された別々の層
であること以外は図２に示したマージ型ＭＲヘッドと同
じ、従来技術のピギーバック型ヘッド３０Ｃの図であ
る。ピギーバック型ヘッドのマージ型ＭＲヘッドに勝る
利点は、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２
が、高起電力書込み動作後の磁壁の再配向の影響を受け
ることが少なく、そのためＭＲセンサのバイアス点が一
定になることである。しかしながら、実施形態３０Ｃに
は、図２に示した従来技術の実施形態と同じ欠点があ
る。すなわち、（１）書込みコイルに近接するシールド
層Ｓ１およびＳ２が大きいため、データ伝送速度が高い
ときに大きなインダクタンスが生じること、および
（２）第２の磁極片Ｐ２の垂直プロフィルが高いことで
ある。
極片Ｐ１とがスペーサ６０によって分離された別々の層
であること以外は図２に示したマージ型ＭＲヘッドと同
じ、従来技術のピギーバック型ヘッド３０Ｃの図であ
る。ピギーバック型ヘッドのマージ型ＭＲヘッドに勝る
利点は、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２
が、高起電力書込み動作後の磁壁の再配向の影響を受け
ることが少なく、そのためＭＲセンサのバイアス点が一
定になることである。しかしながら、実施形態３０Ｃに
は、図２に示した従来技術の実施形態と同じ欠点があ
る。すなわち、（１）書込みコイルに近接するシールド
層Ｓ１およびＳ２が大きいため、データ伝送速度が高い
ときに大きなインダクタンスが生じること、および
（２）第２の磁極片Ｐ２の垂直プロフィルが高いことで
ある。
【００２９】図１０に、本発明のもう１つの改善された
ピギーバック型ヘッドの実施形態３０Ｄを示す。この実
施形態では、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ
２が共に磁極領域とコイル領域の間の７０と７２でそれ
ぞれ終端し、その結果ギャップ層Ｇ１およびＧ２が、第
１のシールド層の後部７０に沿って下に傾斜し、ヘッド
の後部に向かって延びる。ギャップ層Ｇ１およびＧ２と
第１の磁極片Ｐ１との間に、大きなスペーサ層７４を設
けることができる。第１の磁極片Ｐ１、第１の絶縁体層
Ｉ１、第２の絶縁体層Ｉ２と書込みコイル、第３の絶縁
体層Ｉ３、および第２の磁極片Ｐ２のトポグラフィは、
第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２が終端する
ことによって生じる凹部によって減少し、これにより、
絶縁体スタックが「沈下」する。実施形態３０Ｄは、第
２のシールド層Ｓ２と第１の磁極片Ｐ１に共通の層を使
用しないという点で、図７に示した実施形態３０Ｂに勝
る利点を有する。したがって、磁極片Ｐ１およびＰ２の
書込み動作中に生じる大きな起電磁界が、シールド層Ｓ
１およびＳ２の磁区構造およびそのＭＲセンサとの関係
に及ぼす影響は小さい。実施形態３０Ｄのリード層はギ
ャップ層Ｇ１およびＧ２と一緒に延びないことに留意さ
れたい。この実施形態のリード層については、後でさら
に詳しく説明する。
ピギーバック型ヘッドの実施形態３０Ｄを示す。この実
施形態では、第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ
２が共に磁極領域とコイル領域の間の７０と７２でそれ
ぞれ終端し、その結果ギャップ層Ｇ１およびＧ２が、第
１のシールド層の後部７０に沿って下に傾斜し、ヘッド
の後部に向かって延びる。ギャップ層Ｇ１およびＧ２と
第１の磁極片Ｐ１との間に、大きなスペーサ層７４を設
けることができる。第１の磁極片Ｐ１、第１の絶縁体層
Ｉ１、第２の絶縁体層Ｉ２と書込みコイル、第３の絶縁
体層Ｉ３、および第２の磁極片Ｐ２のトポグラフィは、
第１および第２のシールド層Ｓ１およびＳ２が終端する
ことによって生じる凹部によって減少し、これにより、
絶縁体スタックが「沈下」する。実施形態３０Ｄは、第
２のシールド層Ｓ２と第１の磁極片Ｐ１に共通の層を使
用しないという点で、図７に示した実施形態３０Ｂに勝
る利点を有する。したがって、磁極片Ｐ１およびＰ２の
書込み動作中に生じる大きな起電磁界が、シールド層Ｓ
１およびＳ２の磁区構造およびそのＭＲセンサとの関係
に及ぼす影響は小さい。実施形態３０Ｄのリード層はギ
ャップ層Ｇ１およびＧ２と一緒に延びないことに留意さ
れたい。この実施形態のリード層については、後でさら
に詳しく説明する。
【００３０】図１１は、第１および第２のシールド層Ｓ
１およびＳ２の厚さの減少した部分８０および８２が、
それら自体の厚さの減少によって生じた凹部において、
図１１に示したような沈下した絶縁体スタック領域を通
って延びること以外は実施形態３０Ｄと類似している、
本発明の実施形態３０Ｅを示す。部分８０および８２の
厚さは、磁極端領域における第１および第２のシールド
層Ｓ１およびＳ２の厚さの約４分の１でよい。凹部の部
分８０および８２は、ＭＲセンサを書込みコイルの起電
磁界およびアクチュエータ・モータや他の電子回路など
の他の外部ソースからさらに保護する。その欠点は、こ
れらの層８０および８２が、書込みコイルと誘導結合さ
れていることである。しかしながら、これらの層は、Ｐ
１層およびスペーサ層８４によって分離されているため
に、書込みコイルから離れている。したがって、このピ
ギーバック型ヘッドでは、書込みコイルの書込み動作に
大きな影響を与えずに、Ｓ１およびＳ２層８０および８
２をより薄くすることが可能である。
１およびＳ２の厚さの減少した部分８０および８２が、
それら自体の厚さの減少によって生じた凹部において、
図１１に示したような沈下した絶縁体スタック領域を通
って延びること以外は実施形態３０Ｄと類似している、
本発明の実施形態３０Ｅを示す。部分８０および８２の
厚さは、磁極端領域における第１および第２のシールド
層Ｓ１およびＳ２の厚さの約４分の１でよい。凹部の部
分８０および８２は、ＭＲセンサを書込みコイルの起電
磁界およびアクチュエータ・モータや他の電子回路など
の他の外部ソースからさらに保護する。その欠点は、こ
れらの層８０および８２が、書込みコイルと誘導結合さ
れていることである。しかしながら、これらの層は、Ｐ
１層およびスペーサ層８４によって分離されているため
に、書込みコイルから離れている。したがって、このピ
ギーバック型ヘッドでは、書込みコイルの書込み動作に
大きな影響を与えずに、Ｓ１およびＳ２層８０および８
２をより薄くすることが可能である。
【００３１】図１２に、第２のシールド層Ｓ２が９０で
終端し、第１のシールド層Ｓ１が沈下した絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳと垂直に延びる厚さの減少した部
分９２を有すること以外は実施形態３０Ｅと類似してい
る、本発明の実施形態３０Ｆを示す。厚さの減少した部
分９２とスペーサ層９４の間には、リード層（その１つ
を９６で示す）があり、このリード層は、第１と第２の
ギャップ層Ｇ１およびＧ２の間に挟まれ、絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳに対して垂直に延びる。実施形態
３０Ｆは、書込みコイルに誘導結合されている強磁性体
材料がより少ない点で、実施形態３０Ｅに勝る利点を有
する。
終端し、第１のシールド層Ｓ１が沈下した絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳと垂直に延びる厚さの減少した部
分９２を有すること以外は実施形態３０Ｅと類似してい
る、本発明の実施形態３０Ｆを示す。厚さの減少した部
分９２とスペーサ層９４の間には、リード層（その１つ
を９６で示す）があり、このリード層は、第１と第２の
ギャップ層Ｇ１およびＧ２の間に挟まれ、絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳに対して垂直に延びる。実施形態
３０Ｆは、書込みコイルに誘導結合されている強磁性体
材料がより少ない点で、実施形態３０Ｅに勝る利点を有
する。
【００３２】図１３に示した本発明の実施形態３０Ｇ
は、第２のシールド層Ｓ２と第１の磁極片Ｐ１が共通層
であるマージ型ＭＲヘッドである。この実施形態では、
第１のシールド層Ｓ１は、絶縁体スタック領域において
ＡＢＳに対して垂直に延びる厚さの減少した部分１００
を有し、層Ｓ２／Ｐ１は、ＡＢＳからヘッドの後部領域
まで完全な厚さの層である。第１のシールド層Ｓ１は、
書込みコイルの近くで厚さが減少するので、書込みコイ
ルの動作に対する誘導性抵抗は小さい。この実施形態で
は、ギャップ層Ｇ１とＧ２の間に挟まれ、絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳに対して垂直に延びる、リード
（その１つを１０２で示す）を使用する。
は、第２のシールド層Ｓ２と第１の磁極片Ｐ１が共通層
であるマージ型ＭＲヘッドである。この実施形態では、
第１のシールド層Ｓ１は、絶縁体スタック領域において
ＡＢＳに対して垂直に延びる厚さの減少した部分１００
を有し、層Ｓ２／Ｐ１は、ＡＢＳからヘッドの後部領域
まで完全な厚さの層である。第１のシールド層Ｓ１は、
書込みコイルの近くで厚さが減少するので、書込みコイ
ルの動作に対する誘導性抵抗は小さい。この実施形態で
は、ギャップ層Ｇ１とＧ２の間に挟まれ、絶縁体スタッ
ク領域においてＡＢＳに対して垂直に延びる、リード
（その１つを１０２で示す）を使用する。
【００３３】図１４に、マージ型ＭＲヘッドの本発明の
さらに他の実施形態３０Ｈを示す。この実施形態では、
第１のシールド層Ｓ１が１１０で終端し、共通層Ｓ２／
Ｐ１は、絶縁体スタック領域においてＡＢＳに対して垂
直に延びる厚さの減少した部分１１２を有する。この実
施態様は、書込みコイルに対する誘導効果が実施形態３
０Ｄよりも小さくなるが、漂遊起電磁界に対するＭＲセ
ンサの保護も弱い。ＭＲセンサのリードは、ギャップ層
Ｇ１／Ｇ２と一緒にへッドに戻らない。さらに詳しくは
後で説明する。
さらに他の実施形態３０Ｈを示す。この実施形態では、
第１のシールド層Ｓ１が１１０で終端し、共通層Ｓ２／
Ｐ１は、絶縁体スタック領域においてＡＢＳに対して垂
直に延びる厚さの減少した部分１１２を有する。この実
施態様は、書込みコイルに対する誘導効果が実施形態３
０Ｄよりも小さくなるが、漂遊起電磁界に対するＭＲセ
ンサの保護も弱い。ＭＲセンサのリードは、ギャップ層
Ｇ１／Ｇ２と一緒にへッドに戻らない。さらに詳しくは
後で説明する。
【００３４】図１５に、マージ型ＭＲヘッドの形の本発
明のもう１つの実施形態３０Ｉを示す。この実施形態で
は、完全な長さのシールド層Ｓ１が、磁極端領域を貫い
て絶縁体スタック領域まで続いている。共通層Ｓ２／Ｐ
１は、磁極端領域では際立った高さに設けられるが、絶
縁体スタック領域内の１２０において大幅に薄くなり、
絶縁体スタック領域の厚さ１２０は、磁極端領域のＳ２
／Ｐ１層の厚さの約１／８である。これにより、ヘッド
構造内部で絶縁体層Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、および書込みコ
イルをへこませるための追加の高さがもたらされ、それ
により第２の磁極端ＰＴ２をさらに平坦化することがで
きる。この実施形態では、絶縁体スタック領域におい
て、リード層（その１つを１２２で示す）が、ＡＢＳに
対して垂直にギャップ層Ｇ１およびＧ２と共に延びる。
明のもう１つの実施形態３０Ｉを示す。この実施形態で
は、完全な長さのシールド層Ｓ１が、磁極端領域を貫い
て絶縁体スタック領域まで続いている。共通層Ｓ２／Ｐ
１は、磁極端領域では際立った高さに設けられるが、絶
縁体スタック領域内の１２０において大幅に薄くなり、
絶縁体スタック領域の厚さ１２０は、磁極端領域のＳ２
／Ｐ１層の厚さの約１／８である。これにより、ヘッド
構造内部で絶縁体層Ｉ１、Ｉ２、Ｉ３、および書込みコ
イルをへこませるための追加の高さがもたらされ、それ
により第２の磁極端ＰＴ２をさらに平坦化することがで
きる。この実施形態では、絶縁体スタック領域におい
て、リード層（その１つを１２２で示す）が、ＡＢＳに
対して垂直にギャップ層Ｇ１およびＧ２と共に延びる。
【００３５】図１６、図１７および図１８は、図７、図
１０および図１４に示した本発明の実施形態３０Ｂ、３
０Ｄおよび３０Ｈ用のリードＬ１およびＬ２を提供する
本発明の実施形態３０Ｊを示す。図１６では、書込みコ
イルＣが、後部ギャップＢＧの周りにある。実施形態３
０Ｊでは、第１および第２のギャップ事前充填層Ｇ１Ｐ
およびＧ２Ｐを使用する。第１のギャップ事前充填層Ｇ
１Ｐは、第１のギャップ層Ｇ１の上にあり、第２のギャ
ップ事前充填層Ｇ２Ｐは、第２のギャップ層Ｇ２の上に
ある。すべてのギャップ層は、ＭＲセンサからヘッドと
直交して（ＡＢＳと平行に）延び、ギャップ層Ｇ１およ
びＧ２は、ＭＲの下面と上面を覆ってシールド層Ｓ１と
Ｓ２の間に狭い読取りギャップを確立する。ギャップ層
Ｇ１ＰおよびＧ２Ｐは、図１８に示したようにＭＲセン
サをわずかに（約１μｍ）越えて、１２４と１２６で終
端する。リードＬ１およびＬ２は、ＭＲセンサに連続的
に接続することができ、ギャップ層Ｇ１ＰとＧ２の間に
挟まれ、第１のシールド層Ｓ１の上をヘッドと直交して
Ｓ２／Ｐ１層の境界を越えてギャップ層と共に延びる。
ギャップ層Ｇ２およびＧ２Ｐは、リードＬ１およびＬ２
をそれぞれ導体Ｃ１およびＣ２に接続するバイア１３０
および１３２を有する。導体Ｃ１およびＣ２は、シール
ド層から離れてヘッド内に戻り、パッド１３４および１
３６と接続される。パッド１３４および１３６は、図１
に示した駆動電子回路３６に接続することができる。リ
ードＬ１およびＬ２は、二重のギャップ層によって、ほ
ぼその長さ全体にわたってシールド層Ｓ１およびＳ２と
の短絡から保護されることに留意されたい。したがっ
て、ギャップ層Ｇ１およびＧ２は、読取り分解能を良く
するために薄くすることができ、ギャップ層Ｇ１Ｐおよ
びＧ２Ｐは、ギャップ層Ｇ１およびＧ２の潜在的ピン・
ホールによってリードがシールド層Ｓ１またはＳ２に短
絡されないようにする。プロフィル・ギャップ層Ｇ１Ｐ
およびＧ２Ｐの詳細に関しては、参照により本明細書に
組み込まれた、本出願人に譲渡された、同出願の、Ｒ．
Ｅ．Ｆｏｎｔａｎａ他の"Narrow Gap Magnetoresistive
Read Head"と題する同時係属出願、整理番号を参照さ
れたい。
１０および図１４に示した本発明の実施形態３０Ｂ、３
０Ｄおよび３０Ｈ用のリードＬ１およびＬ２を提供する
本発明の実施形態３０Ｊを示す。図１６では、書込みコ
イルＣが、後部ギャップＢＧの周りにある。実施形態３
０Ｊでは、第１および第２のギャップ事前充填層Ｇ１Ｐ
およびＧ２Ｐを使用する。第１のギャップ事前充填層Ｇ
１Ｐは、第１のギャップ層Ｇ１の上にあり、第２のギャ
ップ事前充填層Ｇ２Ｐは、第２のギャップ層Ｇ２の上に
ある。すべてのギャップ層は、ＭＲセンサからヘッドと
直交して（ＡＢＳと平行に）延び、ギャップ層Ｇ１およ
びＧ２は、ＭＲの下面と上面を覆ってシールド層Ｓ１と
Ｓ２の間に狭い読取りギャップを確立する。ギャップ層
Ｇ１ＰおよびＧ２Ｐは、図１８に示したようにＭＲセン
サをわずかに（約１μｍ）越えて、１２４と１２６で終
端する。リードＬ１およびＬ２は、ＭＲセンサに連続的
に接続することができ、ギャップ層Ｇ１ＰとＧ２の間に
挟まれ、第１のシールド層Ｓ１の上をヘッドと直交して
Ｓ２／Ｐ１層の境界を越えてギャップ層と共に延びる。
ギャップ層Ｇ２およびＧ２Ｐは、リードＬ１およびＬ２
をそれぞれ導体Ｃ１およびＣ２に接続するバイア１３０
および１３２を有する。導体Ｃ１およびＣ２は、シール
ド層から離れてヘッド内に戻り、パッド１３４および１
３６と接続される。パッド１３４および１３６は、図１
に示した駆動電子回路３６に接続することができる。リ
ードＬ１およびＬ２は、二重のギャップ層によって、ほ
ぼその長さ全体にわたってシールド層Ｓ１およびＳ２と
の短絡から保護されることに留意されたい。したがっ
て、ギャップ層Ｇ１およびＧ２は、読取り分解能を良く
するために薄くすることができ、ギャップ層Ｇ１Ｐおよ
びＧ２Ｐは、ギャップ層Ｇ１およびＧ２の潜在的ピン・
ホールによってリードがシールド層Ｓ１またはＳ２に短
絡されないようにする。プロフィル・ギャップ層Ｇ１Ｐ
およびＧ２Ｐの詳細に関しては、参照により本明細書に
組み込まれた、本出願人に譲渡された、同出願の、Ｒ．
Ｅ．Ｆｏｎｔａｎａ他の"Narrow Gap Magnetoresistive
Read Head"と題する同時係属出願、整理番号を参照さ
れたい。
【００３６】本発明の多くの修正および変形例は、明ら
かに上記の教示に照らせば可能であり、併記した特許請
求の範囲の範囲内でのみ解釈されるものとする。
かに上記の教示に照らせば可能であり、併記した特許請
求の範囲の範囲内でのみ解釈されるものとする。
【００３７】まとめとして、本発明の構成に関して以下
の事項を開示する。
の事項を開示する。
【００３８】（１）第１と第２のギャップ層の間に挟ま
れたＭＲ読取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込
みコイルとを備え、前記ギャップ層が第１と第２のシー
ルド層に挟まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の
磁極片との間に挟まれ、前記磁極片が、磁極端において
終端し、前記磁極端が、空気軸受け面（ＡＢＳ）におい
てギャップ層によって分離され、後部ギャップにおいて
磁気的に結合され、さらに、磁極端領域と絶縁体スタッ
ク領域とコイル領域を備え、磁極端領域がＡＢＳから絶
縁体スタック領域まで延び、絶縁体スタック領域が磁極
端領域から後部ギャップまで延び、コイル領域が絶縁体
スタック領域内に磁極端領域から離して配置されてい
る、読取り／書込みＭＲ（磁気抵抗）ヘッドであって、
第１および第２のシールド層が、磁極端領域に配置さ
れ、絶縁体スタック領域に凹部を形成するように、第１
および第２のシールド層の少なくとも一方が、絶縁体ス
タック領域において削除されまたは薄くなっており、書
込みコイルおよび絶縁体層が前記凹部内に配置され、第
２の磁極片が書込みコイルおよび絶縁体層の上に配置さ
れている、読取り／書込みＭＲヘッド。 （２）磁気記憶デバイスを移動させる手段と、磁気記憶
デバイスに隣接して読取り／書込みＭＲヘッドを支持す
る手段と、読取り／書込みＭＲヘッドに接続され、読取
り／書込みＭＲヘッドに信号を送り、読取り／書込みＭ
Ｒヘッドから信号を受け取る手段とを有することを特徴
とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド
を備える駆動装置。 （３）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセン
サの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続された
第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第２
のシールド層を越えて配置された第１および第２の導電
体とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサ
からＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを
介してそれぞれ第１および第２の導体に接続されている
ことを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 （４）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、第
２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層の
間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギャ
ップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、第
２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリードを
第１および第２の導体に接続するバイアを備え、第１お
よび第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延びて第
１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻り、第１
および第２のパッドに接続された終端部を有することを
特徴とする、上記（３）に記載の読取り／書込みＭＲヘ
ッド。 （５）第１のシールド層と第１の磁極片が、別々の層で
あることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （６）第１のシールド層と第１の磁極片が、共通の層で
あることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （７）第１と第２のシールド層の一方が、磁極端領域と
コイル領域との間にある後壁において終端することを特
徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （８）第１と第２のシールド層の前記一方が、前記第１
のシールド層であることを特徴とする、上記（７）に記
載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （９）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセン
サの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続された
第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第２
のシールド層を越えて配置された第１および第２の導体
とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサか
らＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを介
してそれぞれ第１および第２の導体に接続されているこ
とを特徴とする、上記（８）に記載の読取り／書込みＭ
Ｒヘッド。 （１０）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、
第２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層
の間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギ
ャップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、
第２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリード
を第１および第２の導体に接続するバイアを備え、第１
および第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延びて
第１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻り、第
１および第２のパッドに接続された終端部を有すること
を特徴とする、上記（９）に記載の読取り／書込みＭＲ
ヘッド。 （１１）第２のシールド層が、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを有し、傾斜部分
が、第１のシールド層の後壁に面した傾斜前壁と、前記
凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有することを特徴と
する、上記（１０）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （１２）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、第２のシールド層と
第１の磁極片が単一層を構成することを特徴とする、上
記（１１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１３）第２のシールド層の第２の部分が、第２のシー
ルド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とする、上記
（１１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１４）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （１５）第２のシールド層が、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内にある第２の部分と、第１
と第２の部分を相互接続する傾斜部分とを有し、傾斜部
分が、第１のシールド層の後壁に対向する傾斜前壁と、
前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有することを特
徴とする、上記（１４）に記載の読取り／書込みＭＲヘ
ッド。 （１６）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、第２のシールド層と
第１の磁極片が共通の層を構成することを特徴とする、
上記（１５）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１７）第２のシールド層の第２の部分が、第２のシー
ルド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とする、上記
（１５）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１８）前記第１と第２のシールド層の一方が、前記第
２のシールド層であることを特徴とする、上記（７）に
記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１９）第１のシールド層が、磁極端領域と絶縁体スタ
ック領域でほぼ同じ厚さであることを特徴とする、上記
（１８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２０）第１と第２のシールド層が共に、磁極端領域と
絶縁体スタック領域の間で終端することを特徴とする、
上記（７）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２１）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセ
ンサの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続され
た第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第
２のシールド層を越えて配置された第１および第２の導
体とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサ
からＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを
介してそれぞれ第１および第２の導体に接続されている
ことを特徴とする、上記（２０）に記載の読取り／書込
みＭＲヘッド。 （２２）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、
第２のギャップ層が、第ＭＲ領域を除き第１と第２のギ
ャップ事前充填層の間に挟まれ、第１および第２のリー
ド層が、第１のギャップ事前充填層と第２のギャップ層
との間に挟まれ、第２のギャップ事前充填層も、第１お
よび第２のリードを第１および第２の導体に接続するバ
イアを備え、第１および第２の導体が、ＡＢＳに対して
直交方向に延びて第１および第２のシールド層を越えて
ヘッドに戻り、第１および第２のパッドに接続された終
端部を有することを特徴とする、上記（２１）に記載の
読取り／書込みＭＲヘッド。 （２３）第１と第２のシールド層の少なくとも一方が、
磁極端領域内にある第１の部分と、絶縁体スタック領域
内にある第２の部分とを有し、絶縁体領域内に凹部を形
成するために、第２の部分が第１の部分よりも薄くなっ
ていることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／
書込みＭＲヘッド。 （２４）第１のシールド層が、磁極端領域内よりも絶縁
スタック領域内で薄くなっていることを特徴とする、上
記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２５）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （２６）第２のシールド層が、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄くなっていることを特徴とする、
上記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２７）第２のシールド層と第１の磁極片が、共通の層
を構成することを特徴とする、上記（２６）に記載の読
取り／書込みＭＲヘッド。 （２８）前記第１と第２のシールド層がそれぞれ、磁極
端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領域内にあ
る第２の部分とを有し、第１と第２のシールド層の少な
くとも一方の第２部分が、第１部分よりも薄いことを特
徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （２９）第１のシールド層の第２部分が、第１のシール
ド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、上記（２
８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３０）第２のシールド層の第１と第２の部分がほぼ同
じ厚さを有し、第２のシールド層と第１の磁極片が共通
の層を構成することを特徴とする、上記（２９）に記載
の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３１）第２のシールド層の第２部分が、第２のシール
ド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、上記（２
８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３２）第１および第２のシールド層の第２部分が、そ
れぞれ第１および第２のシールド層の第１部分よりも薄
いことを特徴とする、上記（２８）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （３３）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（３２）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （３４）第１と第２のギャップ層の間に挟まれたＭＲ読
取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込みコイルと
を備え、前記ギャップ層が第１と第２のシールド層に挟
まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の磁極片との
間に挟まれ、前記磁極片が磁極端で終端し、前記磁極端
が、空気軸受け面（ＡＢＳ）においてギャップ層で分離
され、後部ギャップにおいて磁気的に結合され、さら
に、磁極端領域と絶縁体スタック領域とコイル領域を備
え、磁極端領域がＡＢＳから絶縁体スタック領域まで延
び、絶縁体スタック領域が磁極端領域から後部ギャップ
まで延び、コイル領域が絶縁体スタック領域内に磁極端
領域から離して配置されている、読取り／書込みＭＲ
（磁気抵抗）ヘッドを作成する方法であって、第１およ
び第２のシールド層を、絶縁体スタック領域に凹部を形
成するために、各シールド層を絶縁体スタック領域内で
削除されまたは薄くなるように付着させる段階と、前記
凹部内に書込みコイルと絶縁体層を形成する段階と、書
込みコイルおよび絶縁層の上に第２の磁極片を形成する
段階とを含む方法。 （３５）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１と第２のリー
ド層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対側の端に
接続する段階と、ＭＲセンサを横切り第２のシールド層
を越えて第１および第２の導体を形成する段階と、第１
と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを介し
てそれぞれ第１と第２の導体に接続する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（３４）に記載の方法。 （３６）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
鋏まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続された終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（３
５）に記載の方法。 （３７）第２のシールド層と第１の磁極片を、別々の層
として形成する段階を含むことを特徴とする、上記（３
４）に記載の方法。 （３８）第２のシールド層と第１の磁極片を、共通の層
として形成する段階を含むことを特徴とする、上記（３
４）に記載の方法。 （３９）第１と第２のシールド層の一方を、磁極端領域
とコイル領域との間にある後壁において終端させる段階
を含むことを特徴とする、上記（３４）に記載の方法。 （４０）第１のシールド層を前記後壁において終端させ
る段階を含むことを特徴とする、上記（３９）に記載の
方法。 （４１）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１および第２の
リード層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対側の
端に接続する段階と、ＭＲセンサを横切り第２のシール
ド層を越えて第１および第２の導体を形成する段階と、
第１と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを
介して第１と第２の導体に接続する段階とを含むことを
特徴とする、上記（４０）に記載の方法。 （４２）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
挟まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続された終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（４
１）に記載の方法。 （４３）第２のシールド層に、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを形成する段階を含
み、傾斜部分が、第１のシールド層の後壁に面する傾斜
前壁と、前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有する
ことを特徴とする、上記（４２）に記載の方法。 （４４）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分をほぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシ
ールド層と第１の磁極片を単一層として形成する段階と
を含むことを特徴とする、上記（４３）に記載の方法。 （４５）第２のシールド層の第２部分を第２のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（４３）に記載の方法。 （４６）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の傾斜後壁に
沿って下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上
記（４０）に記載の方法。 （４７）第２のシールド層に、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを形成する段階を含
み、傾斜部分が、第１のシールド層の後壁に面する傾斜
前壁と、前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有する
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の方法。 （４８）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分をほぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシ
ールド層および第１の磁極片を単一層として形成する段
階とを含むことを特徴とする、上記（４７）に記載の方
法。 （４９）第２のシールド層の第２部分を、第２のシール
ド層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特
徴とする、上記（４７）に記載の方法。 （５０）第２のシールド層を、前記後壁で終端させる段
階を含むことを特徴とする、上記（３９）に記載の方
法。 （５１）第１のシールド層を、磁極端領域と絶縁体スタ
ック領域でほぼ同じ厚さに形成する段階を含むことを特
徴とする、上記（５０）に記載の方法。 （５２）第１と第２のシールド層を共に、磁極端領域と
絶縁体スタック領域との間で終端させることを特徴とす
る、上記（３９）に記載の方法。 （５３）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１と第２のリー
ド層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対の端に接
続する段階と、第１および第２の導体を、ＭＲセンサを
横切り第２のシールド層を越えて形成する段階と、第１
と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを介し
てそれぞれ第１と第２の導体に接続する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（５２）に記載の方法。 （５４）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
挟まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続される終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（５
０）に記載の方法。 （５５）前記第１と第２のシールド層の少なくとも一方
に、磁極端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領
域内にある第２の部分とを形成する段階と、絶縁体スタ
ック領域内に前記凹部を設けるため、第２の部分を第１
の部分よりも薄く形成する段階とを含むことを特徴とす
る、上記（３４）に記載の方法。 （５６）第１のシールド層を、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（５５）に記載の方法。 （５７）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の後壁に沿っ
て下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上記
（５５）に記載の方法。 （５８）第２のシールド層を、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（５５）に記載の方法。 （５９）第２のシールド層と第１の磁極片を共通の層と
して形成する段階を含むことを特徴とする、上記（５
８）に記載の方法。 （６０）前記第１と第２のシールド層のそれぞれに、磁
極端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領域内に
ある第２の部分とを形成する段階と、第１と第２のシー
ルド層の少なくとも一方の第２部分を、第１部分よりも
薄く形成する段階とを含むことを特徴とする、上記（６
０）に記載の方法。 （６１）第１のシールド層の第２部分を第１のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（６０）に記載の方法。 （６２）第２のシールド層の第１および第２の部分をほ
ぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシールド層および
第１の磁極片を共通の層として形成する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（６１）に記載の方法。 （６３）第２のシールド層の第２部分を第２のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（６０）に記載の方法。 （６４）第１および第２のシールド層の第２部分を、そ
れぞれ第１と第２のシールド層の第１部分よりも薄く形
成する段階を含むことを特徴とする、上記（６０）に記
載の方法。 （６５）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の傾斜後壁に
沿って下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上
記（６４）に記載の方法。
れたＭＲ読取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込
みコイルとを備え、前記ギャップ層が第１と第２のシー
ルド層に挟まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の
磁極片との間に挟まれ、前記磁極片が、磁極端において
終端し、前記磁極端が、空気軸受け面（ＡＢＳ）におい
てギャップ層によって分離され、後部ギャップにおいて
磁気的に結合され、さらに、磁極端領域と絶縁体スタッ
ク領域とコイル領域を備え、磁極端領域がＡＢＳから絶
縁体スタック領域まで延び、絶縁体スタック領域が磁極
端領域から後部ギャップまで延び、コイル領域が絶縁体
スタック領域内に磁極端領域から離して配置されてい
る、読取り／書込みＭＲ（磁気抵抗）ヘッドであって、
第１および第２のシールド層が、磁極端領域に配置さ
れ、絶縁体スタック領域に凹部を形成するように、第１
および第２のシールド層の少なくとも一方が、絶縁体ス
タック領域において削除されまたは薄くなっており、書
込みコイルおよび絶縁体層が前記凹部内に配置され、第
２の磁極片が書込みコイルおよび絶縁体層の上に配置さ
れている、読取り／書込みＭＲヘッド。 （２）磁気記憶デバイスを移動させる手段と、磁気記憶
デバイスに隣接して読取り／書込みＭＲヘッドを支持す
る手段と、読取り／書込みＭＲヘッドに接続され、読取
り／書込みＭＲヘッドに信号を送り、読取り／書込みＭ
Ｒヘッドから信号を受け取る手段とを有することを特徴
とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド
を備える駆動装置。 （３）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセン
サの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続された
第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第２
のシールド層を越えて配置された第１および第２の導電
体とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサ
からＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを
介してそれぞれ第１および第２の導体に接続されている
ことを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 （４）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、第
２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層の
間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギャ
ップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、第
２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリードを
第１および第２の導体に接続するバイアを備え、第１お
よび第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延びて第
１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻り、第１
および第２のパッドに接続された終端部を有することを
特徴とする、上記（３）に記載の読取り／書込みＭＲヘ
ッド。 （５）第１のシールド層と第１の磁極片が、別々の層で
あることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （６）第１のシールド層と第１の磁極片が、共通の層で
あることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （７）第１と第２のシールド層の一方が、磁極端領域と
コイル領域との間にある後壁において終端することを特
徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （８）第１と第２のシールド層の前記一方が、前記第１
のシールド層であることを特徴とする、上記（７）に記
載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （９）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセン
サの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続された
第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第２
のシールド層を越えて配置された第１および第２の導体
とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサか
らＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを介
してそれぞれ第１および第２の導体に接続されているこ
とを特徴とする、上記（８）に記載の読取り／書込みＭ
Ｒヘッド。 （１０）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、
第２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層
の間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギ
ャップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、
第２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリード
を第１および第２の導体に接続するバイアを備え、第１
および第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延びて
第１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻り、第
１および第２のパッドに接続された終端部を有すること
を特徴とする、上記（９）に記載の読取り／書込みＭＲ
ヘッド。 （１１）第２のシールド層が、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを有し、傾斜部分
が、第１のシールド層の後壁に面した傾斜前壁と、前記
凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有することを特徴と
する、上記（１０）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （１２）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、第２のシールド層と
第１の磁極片が単一層を構成することを特徴とする、上
記（１１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１３）第２のシールド層の第２の部分が、第２のシー
ルド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とする、上記
（１１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１４）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （１５）第２のシールド層が、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内にある第２の部分と、第１
と第２の部分を相互接続する傾斜部分とを有し、傾斜部
分が、第１のシールド層の後壁に対向する傾斜前壁と、
前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有することを特
徴とする、上記（１４）に記載の読取り／書込みＭＲヘ
ッド。 （１６）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、第２のシールド層と
第１の磁極片が共通の層を構成することを特徴とする、
上記（１５）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１７）第２のシールド層の第２の部分が、第２のシー
ルド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とする、上記
（１５）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１８）前記第１と第２のシールド層の一方が、前記第
２のシールド層であることを特徴とする、上記（７）に
記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （１９）第１のシールド層が、磁極端領域と絶縁体スタ
ック領域でほぼ同じ厚さであることを特徴とする、上記
（１８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２０）第１と第２のシールド層が共に、磁極端領域と
絶縁体スタック領域の間で終端することを特徴とする、
上記（７）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２１）第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、ＭＲセ
ンサの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続され
た第１および第２のリード層と、ＭＲセンサを横切り第
２のシールド層を越えて配置された第１および第２の導
体とを備え、第１および第２のリード層が、ＭＲセンサ
からＡＢＳに平行に延び、第２のギャップ層のバイアを
介してそれぞれ第１および第２の導体に接続されている
ことを特徴とする、上記（２０）に記載の読取り／書込
みＭＲヘッド。 （２２）第１および第２のギャップ事前充填層を備え、
第２のギャップ層が、第ＭＲ領域を除き第１と第２のギ
ャップ事前充填層の間に挟まれ、第１および第２のリー
ド層が、第１のギャップ事前充填層と第２のギャップ層
との間に挟まれ、第２のギャップ事前充填層も、第１お
よび第２のリードを第１および第２の導体に接続するバ
イアを備え、第１および第２の導体が、ＡＢＳに対して
直交方向に延びて第１および第２のシールド層を越えて
ヘッドに戻り、第１および第２のパッドに接続された終
端部を有することを特徴とする、上記（２１）に記載の
読取り／書込みＭＲヘッド。 （２３）第１と第２のシールド層の少なくとも一方が、
磁極端領域内にある第１の部分と、絶縁体スタック領域
内にある第２の部分とを有し、絶縁体領域内に凹部を形
成するために、第２の部分が第１の部分よりも薄くなっ
ていることを特徴とする、上記（１）に記載の読取り／
書込みＭＲヘッド。 （２４）第１のシールド層が、磁極端領域内よりも絶縁
スタック領域内で薄くなっていることを特徴とする、上
記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２５）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （２６）第２のシールド層が、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄くなっていることを特徴とする、
上記（２３）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （２７）第２のシールド層と第１の磁極片が、共通の層
を構成することを特徴とする、上記（２６）に記載の読
取り／書込みＭＲヘッド。 （２８）前記第１と第２のシールド層がそれぞれ、磁極
端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領域内にあ
る第２の部分とを有し、第１と第２のシールド層の少な
くとも一方の第２部分が、第１部分よりも薄いことを特
徴とする、上記（１）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （２９）第１のシールド層の第２部分が、第１のシール
ド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、上記（２
８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３０）第２のシールド層の第１と第２の部分がほぼ同
じ厚さを有し、第２のシールド層と第１の磁極片が共通
の層を構成することを特徴とする、上記（２９）に記載
の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３１）第２のシールド層の第２部分が、第２のシール
ド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、上記（２
８）に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 （３２）第１および第２のシールド層の第２部分が、そ
れぞれ第１および第２のシールド層の第１部分よりも薄
いことを特徴とする、上記（２８）に記載の読取り／書
込みＭＲヘッド。 （３３）第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さらに、
ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、上記（３２）に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 （３４）第１と第２のギャップ層の間に挟まれたＭＲ読
取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込みコイルと
を備え、前記ギャップ層が第１と第２のシールド層に挟
まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の磁極片との
間に挟まれ、前記磁極片が磁極端で終端し、前記磁極端
が、空気軸受け面（ＡＢＳ）においてギャップ層で分離
され、後部ギャップにおいて磁気的に結合され、さら
に、磁極端領域と絶縁体スタック領域とコイル領域を備
え、磁極端領域がＡＢＳから絶縁体スタック領域まで延
び、絶縁体スタック領域が磁極端領域から後部ギャップ
まで延び、コイル領域が絶縁体スタック領域内に磁極端
領域から離して配置されている、読取り／書込みＭＲ
（磁気抵抗）ヘッドを作成する方法であって、第１およ
び第２のシールド層を、絶縁体スタック領域に凹部を形
成するために、各シールド層を絶縁体スタック領域内で
削除されまたは薄くなるように付着させる段階と、前記
凹部内に書込みコイルと絶縁体層を形成する段階と、書
込みコイルおよび絶縁層の上に第２の磁極片を形成する
段階とを含む方法。 （３５）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１と第２のリー
ド層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対側の端に
接続する段階と、ＭＲセンサを横切り第２のシールド層
を越えて第１および第２の導体を形成する段階と、第１
と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを介し
てそれぞれ第１と第２の導体に接続する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（３４）に記載の方法。 （３６）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
鋏まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続された終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（３
５）に記載の方法。 （３７）第２のシールド層と第１の磁極片を、別々の層
として形成する段階を含むことを特徴とする、上記（３
４）に記載の方法。 （３８）第２のシールド層と第１の磁極片を、共通の層
として形成する段階を含むことを特徴とする、上記（３
４）に記載の方法。 （３９）第１と第２のシールド層の一方を、磁極端領域
とコイル領域との間にある後壁において終端させる段階
を含むことを特徴とする、上記（３４）に記載の方法。 （４０）第１のシールド層を前記後壁において終端させ
る段階を含むことを特徴とする、上記（３９）に記載の
方法。 （４１）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１および第２の
リード層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対側の
端に接続する段階と、ＭＲセンサを横切り第２のシール
ド層を越えて第１および第２の導体を形成する段階と、
第１と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを
介して第１と第２の導体に接続する段階とを含むことを
特徴とする、上記（４０）に記載の方法。 （４２）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
挟まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続された終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（４
１）に記載の方法。 （４３）第２のシールド層に、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを形成する段階を含
み、傾斜部分が、第１のシールド層の後壁に面する傾斜
前壁と、前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有する
ことを特徴とする、上記（４２）に記載の方法。 （４４）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分をほぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシ
ールド層と第１の磁極片を単一層として形成する段階と
を含むことを特徴とする、上記（４３）に記載の方法。 （４５）第２のシールド層の第２部分を第２のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（４３）に記載の方法。 （４６）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の傾斜後壁に
沿って下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上
記（４０）に記載の方法。 （４７）第２のシールド層に、磁極端領域内の第１の部
分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第１と第
２の部分を相互接続する傾斜部分とを形成する段階を含
み、傾斜部分が、第１のシールド層の後壁に面する傾斜
前壁と、前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有する
ことを特徴とする、上記（４６）に記載の方法。 （４８）第２のシールド層の第１部分、第２部分、およ
び傾斜部分をほぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシ
ールド層および第１の磁極片を単一層として形成する段
階とを含むことを特徴とする、上記（４７）に記載の方
法。 （４９）第２のシールド層の第２部分を、第２のシール
ド層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特
徴とする、上記（４７）に記載の方法。 （５０）第２のシールド層を、前記後壁で終端させる段
階を含むことを特徴とする、上記（３９）に記載の方
法。 （５１）第１のシールド層を、磁極端領域と絶縁体スタ
ック領域でほぼ同じ厚さに形成する段階を含むことを特
徴とする、上記（５０）に記載の方法。 （５２）第１と第２のシールド層を共に、磁極端領域と
絶縁体スタック領域との間で終端させることを特徴とす
る、上記（３９）に記載の方法。 （５３）第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと平行に
第１および第２のリード層を形成し、第１と第２のリー
ド層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対の端に接
続する段階と、第１および第２の導体を、ＭＲセンサを
横切り第２のシールド層を越えて形成する段階と、第１
と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを介し
てそれぞれ第１と第２の導体に接続する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（５２）に記載の方法。 （５４）第１および第２のギャップ事前充填層を、第２
のギャップ層が第１と第２のギャップ事前充填層の間に
挟まれ、第１および第２のリード層が第１のギャップ・
プロフィル層と第２のギャップ層との間に挟まれるよう
に形成する段階と、第２のギャップ事前充填層に、第１
および第２のリード層を第１および第２の導体に接続す
るためのバイアを形成する段階と、ＡＢＳに対して直交
方向に延びて第１および第２のシールド層を越えてヘッ
ドに戻る第１および第２の導体を形成し、第１および第
２の導体に、第１および第２のパッドに接続される終端
部を設ける段階とを含むことを特徴とする、上記（５
０）に記載の方法。 （５５）前記第１と第２のシールド層の少なくとも一方
に、磁極端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領
域内にある第２の部分とを形成する段階と、絶縁体スタ
ック領域内に前記凹部を設けるため、第２の部分を第１
の部分よりも薄く形成する段階とを含むことを特徴とす
る、上記（３４）に記載の方法。 （５６）第１のシールド層を、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（５５）に記載の方法。 （５７）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の後壁に沿っ
て下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上記
（５５）に記載の方法。 （５８）第２のシールド層を、磁極端領域内よりも絶縁
体スタック領域内で薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（５５）に記載の方法。 （５９）第２のシールド層と第１の磁極片を共通の層と
して形成する段階を含むことを特徴とする、上記（５
８）に記載の方法。 （６０）前記第１と第２のシールド層のそれぞれに、磁
極端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領域内に
ある第２の部分とを形成する段階と、第１と第２のシー
ルド層の少なくとも一方の第２部分を、第１部分よりも
薄く形成する段階とを含むことを特徴とする、上記（６
０）に記載の方法。 （６１）第１のシールド層の第２部分を第１のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（６０）に記載の方法。 （６２）第２のシールド層の第１および第２の部分をほ
ぼ同じ厚さに形成する段階と、第２のシールド層および
第１の磁極片を共通の層として形成する段階とを含むこ
とを特徴とする、上記（６１）に記載の方法。 （６３）第２のシールド層の第２部分を第２のシールド
層の第１部分よりも薄く形成する段階を含むことを特徴
とする、上記（６０）に記載の方法。 （６４）第１および第２のシールド層の第２部分を、そ
れぞれ第１と第２のシールド層の第１部分よりも薄く形
成する段階を含むことを特徴とする、上記（６０）に記
載の方法。 （６５）第１のシールド層に傾斜後壁を形成する段階
と、第１および第２のリードをＭＲセンサに接続し、第
１および第２のリードを第１のシールド層の傾斜後壁に
沿って下方に延ばす段階とを含むことを特徴とする、上
記（６４）に記載の方法。
【図１】本発明の磁気ヘッドを使用するディスク・ドラ
イブの概略図である。
イブの概略図である。
【図２】従来技術のＭＲヘッドの垂直横断面図である。
【図３】十分に画定された第２の磁極端を得るための従
来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドのＡＢＳにおける
垂直横断面図である。
来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドのＡＢＳにおける
垂直横断面図である。
【図４】十分に画定された第２の磁極端を得るための従
来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドの垂直横断面図で
ある。
来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドの垂直横断面図で
ある。
【図５】十分に画定された第２の磁極端を得るための別
の従来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドのＡＢＳにお
ける垂直横断面図である。
の従来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドのＡＢＳにお
ける垂直横断面図である。
【図６】十分に画定された第２の磁極端を得るための別
の従来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドの垂直横断面
図である。
の従来の方式を示す、マージ型ＭＲヘッドの垂直横断面
図である。
【図７】本発明の第１の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図８】図７に示した第１の実施形態の第１のシールド
層の傾斜した後縁を得るための処理段階で使用される層
の垂直横断面図である。
層の傾斜した後縁を得るための処理段階で使用される層
の垂直横断面図である。
【図９】従来技術のピギーバック型ＭＲヘッドの垂直横
断面図である。
断面図である。
【図１０】本発明の第２の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１１】本発明の第３の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１２】本発明の第４の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１３】本発明の第５の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１４】本発明の第６の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１５】本発明の第７の実施形態の垂直横断面図であ
る。
る。
【図１６】ＭＲセンサからのリードの経路を決めるため
の独特な方式を示す、本発明のマージ型ＭＲヘッドの前
部の概略平面図である。
の独特な方式を示す、本発明のマージ型ＭＲヘッドの前
部の概略平面図である。
【図１７】ＭＲセンサから第１および第２のリード（見
えない線）がとる経路を示すために一部分を除去した、
マージ型ＭＲヘッドの等角投影図である。
えない線）がとる経路を示すために一部分を除去した、
マージ型ＭＲヘッドの等角投影図である。
【図１８】図１７の左前側部分の、一部分を切除してそ
の細部を示した等角投影図である。
の細部を示した等角投影図である。
２０ ディスク・ドライブ ２２ スピンドル ２４ 磁気ディスク ２６ モータ ２８ モータ制御機構 ３０ 磁気ヘッド ３２ スライダ ３４ サスペンション・アクチュエータ・アセンブリ ３６ 駆動電子回路 ５０ 斜面 Ｓ１ 第１のシールド層 Ｓ２ 第２のシールド層 Ｇ１ 第１のギャップ層 Ｇ２ 第２のギャップ層 Ｐ１ 第１の磁極片 Ｐ２ 第２の磁極片 ＰＴ１ 第１の磁極端 ＰＴ２ 第２の磁極端 Ｉ１ 絶縁体層 Ｉ２ 絶縁体層 Ｉ３ 絶縁体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ロドニー・エドガー・リー アメリカ合衆国93907 カリフォルニア州 サリナスノースウッド・プレース 17845 (72)発明者 ヒューゴー・アルベルト・エミリオ・サン ティーニ アメリカ合衆国95119 カリフォルニア州 サン・ノゼ ボデガ・ウェイ 339 (72)発明者 チン・ホワ・ツァン アメリカ合衆国94087 カリフォルニア州 サニーヴェール ヘレナ・ドライブ 882
Claims (35)
- 【請求項１】第１と第２のギャップ層の間に挟まれたＭ
Ｒ読取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込みコイ
ルとを備え、前記ギャップ層が第１と第２のシールド層
に挟まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の磁極片
との間に挟まれ、前記磁極片が、磁極端において終端
し、前記磁極端が、空気軸受け面（ＡＢＳ）においてギ
ャップ層によって分離され、後部ギャップにおいて磁気
的に結合され、さらに、磁極端領域と絶縁体スタック領
域とコイル領域を備え、磁極端領域がＡＢＳから絶縁体
スタック領域まで延び、絶縁体スタック領域が磁極端領
域から後部ギャップまで延び、コイル領域が絶縁体スタ
ック領域内に磁極端領域から離して配置されている、読
取り／書込みＭＲ（磁気抵抗）ヘッドであって、 第１および第２のシールド層が、磁極端領域に配置さ
れ、 絶縁体スタック領域に凹部を形成するように、第１およ
び第２のシールド層の少なくとも一方が、絶縁体スタッ
ク領域において削除されまたは薄くなっており、 書込みコイルおよび絶縁体層が前記凹部内に配置され、 第２の磁極片が書込みコイルおよび絶縁体層の上に配置
されている、 読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２】磁気記憶デバイスを移動させる手段と、 磁気記憶デバイスに隣接して読取り／書込みＭＲヘッド
を支持する手段と、 読取り／書込みＭＲヘッドに接続され、読取り／書込み
ＭＲヘッドに信号を送り、読取り／書込みＭＲヘッドか
ら信号を受け取る手段とを有することを特徴とする、請
求項１に記載の読取り／書込みＭＲヘッドを備える駆動
装置。 - 【請求項３】第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、Ｍ
Ｒセンサの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続
された第１および第２のリード層と、 ＭＲセンサを横切り第２のシールド層を越えて配置され
た第１および第２の導電体とを備え、 第１および第２のリード層が、ＭＲセンサからＡＢＳに
平行に延び、第２のギャップ層のバイアを介してそれぞ
れ第１および第２の導体に接続されていることを特徴と
する、請求項１に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項４】第１および第２のギャップ事前充填層を備
え、 第２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層
の間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギ
ャップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、 第２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリード
を第１および第２の導体に接続するバイアを備え、 第１および第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延
びて第１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻
り、第１および第２のパッドに接続された終端部を有す
ることを特徴とする、請求項３に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 - 【請求項５】第１のシールド層と第１の磁極片が、別々
の層であることを特徴とする、請求項１に記載の読取り
／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項６】第１のシールド層と第１の磁極片が、共通
の層であることを特徴とする、請求項１に記載の読取り
／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項７】第１と第２のシールド層の一方が、磁極端
領域とコイル領域との間にある後壁において終端するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の読取り／書込みＭＲ
ヘッド。 - 【請求項８】第１と第２のシールド層の前記一方が、前
記第１のシールド層であることを特徴とする、請求項７
に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項９】第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、Ｍ
Ｒセンサの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接続
された第１および第２のリード層と、 ＭＲセンサを横切り第２のシールド層を越えて配置され
た第１および第２の導体とを備え、 第１および第２のリード層が、ＭＲセンサからＡＢＳに
平行に延び、第２のギャップ層のバイアを介してそれぞ
れ第１および第２の導体に接続されていることを特徴と
する、請求項８に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項１０】第１および第２のギャップ事前充填層を
備え、 第２のギャップ層が、第１と第２のギャップ事前充填層
の間に挟まれ、第１および第２のリード層が、第１のギ
ャップ事前充填層と第２のギャップ層との間に挟まれ、 第２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリード
を第１および第２の導体に接続するバイアを備え、 第１および第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延
びて第１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻
り、第１および第２のパッドに接続された終端部を有す
ることを特徴とする、請求項９に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 - 【請求項１１】第２のシールド層が、磁極端領域内の第
１の部分と、絶縁体スタック領域内の第２の部分と、第
１と第２の部分を相互接続する傾斜部分とを有し、傾斜
部分が、第１のシールド層の後壁に面した傾斜前壁と、
前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有することを特
徴とする、請求項１０に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 - 【請求項１２】第２のシールド層の第１部分、第２部
分、および傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、 第２のシールド層と第１の磁極片が単一層を構成するこ
とを特徴とする、請求項１１に記載の読取り／書込みＭ
Ｒヘッド。 - 【請求項１３】第２のシールド層の第２の部分が、第２
のシールド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とす
る、請求項１１に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項１４】第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さ
らに、 ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、請求項８に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項１５】第２のシールド層が、磁極端領域内の第
１の部分と、絶縁体スタック領域内にある第２の部分
と、第１と第２の部分を相互接続する傾斜部分とを有
し、傾斜部分が、第１のシールド層の後壁に対向する傾
斜前壁と、前記凹部の前壁を形成する傾斜後壁とを有す
ることを特徴とする、請求項１４に記載の読取り／書込
みＭＲヘッド。 - 【請求項１６】第２のシールド層の第１部分、第２部
分、および傾斜部分がほぼ同じ厚さであり、 第２のシールド層と第１の磁極片が共通の層を構成する
ことを特徴とする、請求項１５に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 - 【請求項１７】第２のシールド層の第２の部分が、第２
のシールド層の第１の部分よりも薄いことを特徴とす
る、請求項１５に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項１８】前記第１と第２のシールド層の一方が、
前記第２のシールド層であることを特徴とする、請求項
７に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項１９】第１のシールド層が、磁極端領域と絶縁
体スタック領域でほぼ同じ厚さであることを特徴とす
る、請求項１８に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２０】第１と第２のシールド層が共に、磁極端
領域と絶縁体スタック領域の間で終端することを特徴と
する、請求項７に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２１】第１と第２のギャップ層の間に挟まれ、
ＭＲセンサの第１および第２の反対側の端にそれぞれ接
続された第１および第２のリード層と、 ＭＲセンサを横切り第２のシールド層を越えて配置され
た第１および第２の導体とを備え、 第１および第２のリード層が、ＭＲセンサからＡＢＳに
平行に延び、第２のギャップ層のバイアを介してそれぞ
れ第１および第２の導体に接続されていることを特徴と
する、請求項２０に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２２】第１および第２のギャップ事前充填層を
備え、 第２のギャップ層が、第ＭＲ領域を除き第１と第２のギ
ャップ事前充填層の間に挟まれ、第１および第２のリー
ド層が、第１のギャップ事前充填層と第２のギャップ層
との間に挟まれ、 第２のギャップ事前充填層も、第１および第２のリード
を第１および第２の導体に接続するバイアを備え、 第１および第２の導体が、ＡＢＳに対して直交方向に延
びて第１および第２のシールド層を越えてヘッドに戻
り、第１および第２のパッドに接続された終端部を有す
ることを特徴とする、請求項２１に記載の読取り／書込
みＭＲヘッド。 - 【請求項２３】第１と第２のシールド層の少なくとも一
方が、磁極端領域内にある第１の部分と、絶縁体スタッ
ク領域内にある第２の部分とを有し、 絶縁体領域内に凹部を形成するために、第２の部分が第
１の部分よりも薄くなっていることを特徴とする、請求
項１に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２４】第１のシールド層が、磁極端領域内より
も絶縁スタック領域内で薄くなっていることを特徴とす
る、請求項２３に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２５】第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さ
らに、 ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、請求項２３に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 - 【請求項２６】第２のシールド層が、磁極端領域内より
も絶縁体スタック領域内で薄くなっていることを特徴と
する、請求項２３に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２７】第２のシールド層と第１の磁極片が、共
通の層を構成することを特徴とする、請求項２６に記載
の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２８】前記第１と第２のシールド層がそれぞ
れ、磁極端領域内にある第１の部分と絶縁体スタック領
域内にある第２の部分とを有し、 第１と第２のシールド層の少なくとも一方の第２部分
が、第１部分よりも薄いことを特徴とする、請求項１に
記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項２９】第１のシールド層の第２部分が、第１の
シールド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、請
求項２８に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項３０】第２のシールド層の第１と第２の部分が
ほぼ同じ厚さを有し、 第２のシールド層と第１の磁極片が共通の層を構成する
ことを特徴とする、請求項２９に記載の読取り／書込み
ＭＲヘッド。 - 【請求項３１】第２のシールド層の第２部分が、第２の
シールド層の第１部分よりも薄いことを特徴とする、請
求項２８に記載の読取り／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項３２】第１および第２のシールド層の第２部分
が、それぞれ第１および第２のシールド層の第１部分よ
りも薄いことを特徴とする、請求項２８に記載の読取り
／書込みＭＲヘッド。 - 【請求項３３】第１のシールド層が傾斜後壁を有し、さ
らに、 ＭＲセンサに接続され、第１のシールド層の傾斜後壁を
下に延びる第１および第２のリードを有することを特徴
とする、請求項３２に記載の読取り／書込みＭＲヘッ
ド。 - 【請求項３４】第１と第２のギャップ層の間に挟まれた
ＭＲ読取りセンサと、絶縁体層の間に挟まれた書込みコ
イルとを備え、前記ギャップ層が第１と第２のシールド
層に挟まれ、前記絶縁体層が第１の磁極片と第２の磁極
片との間に挟まれ、前記磁極片が磁極端で終端し、前記
磁極端が、空気軸受け面（ＡＢＳ）においてギャップ層
で分離され、後部ギャップにおいて磁気的に結合され、
さらに、磁極端領域と絶縁体スタック領域とコイル領域
を備え、磁極端領域がＡＢＳから絶縁体スタック領域ま
で延び、絶縁体スタック領域が磁極端領域から後部ギャ
ップまで延び、コイル領域が絶縁体スタック領域内に磁
極端領域から離して配置されている、読取り／書込みＭ
Ｒ（磁気抵抗）ヘッドを作成する方法であって、 第１および第２のシールド層を、絶縁体スタック領域に
凹部を形成するために、各シールド層を絶縁体スタック
領域内で削除されまたは薄くなるように付着させる段階
と、 前記凹部内に書込みコイルと絶縁体層を形成する段階
と、 書込みコイルおよび絶縁層の上に第２の磁極片を形成す
る段階とを含む方法。 - 【請求項３５】第１と第２のギャップ層の間にＡＢＳと
平行に第１および第２のリード層を形成し、第１と第２
のリード層をそれぞれＭＲセンサの第１と第２の反対側
の端に接続する段階と、 ＭＲセンサを横切り第２のシールド層を越えて第１およ
び第２の導体を形成する段階と、 第１と第２のリード層を、第２のギャップ層のバイアを
介してそれぞれ第１と第２の導体に接続する段階とを含
むことを特徴とする、請求項３４に記載の方法。
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