JP3854031B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特にサイドフリンジングを適切に低減させることができ、また高い再現性で製造可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２４は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図２５は、図２４の薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。
【０００３】
図２４及び図２５に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の両側には絶縁層３が形成されている。
【０００４】
図２４に示すように、前記下部コア層１上には、ギャップ層４と上部磁極層５とがトラック幅Ｔｗで形成され、しかも記録媒体との対向面に露出形成されている。前記ギャップ層４は図２５に示すように、下部コア層１上を後述する上部コア層１０の基端部１０ｂと前記下部コア層１とが接触する位置まで長く延ばされて形成され、一方前記上部磁極層５は、前記ギャップ層４上に形成されたＧｄ決め絶縁層６上にまで延ばされて形成されている。なお前記ギャップ層４は例えばＳｉＯ2等の非金属絶縁材料で形成されている。
【０００５】
図２４及び図２５に示すように、前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト側（図示Ｙ方向）には、絶縁層７が形成されている。
【０００６】
そして前記絶縁層７上にはコイル層１３が螺旋状にパターン形成されており、前記コイル層１３上は、有機絶縁材料で形成された絶縁層９によって埋められている。
【０００７】
前記絶縁層９上には、例えばフレームメッキ法で形成された上部コア層１０が形成されており、前記上部コア層１０の先端部１０ａは、上部磁極層５と磁気的に接続され、しかも記録媒体との対向面に露出形成される。また前記上部コア層１０の基端部１０ｂは下部コア層１上に磁気的に接続されている。
【０００８】
図２４に示すように、前記上部コア層１０の先端面１０ｃは、その全面が記録媒体との対向面に露出形成される。
【０００９】
次に図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について図２６ないし図３２を用いて以下に説明する。
【００１０】
図２６に示すように、下部コア層１上の全面に例えばＳｉＯ2等の絶縁材料で形成されたギャップ層４を形成し、前記ギャップ層４上にトラック幅Ｔｗの溝１１ａを有するレジスト層１１を形成する。前記溝１１ａは記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成されている。そして前記溝１１ａ内に例えばＮｉＦｅ系合金で形成された上部磁極層５をメッキ形成し、前記レジスト層１１を除去する。
【００１１】
図２７に示すように、前記上部磁極層５の幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗは例えば０．４５μｍ、高さ寸法ｈ１は３．５〜３．８μｍ程度で形成される。
【００１２】
図２７では、前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側を、イオンミリングにてエッチングする（トリミング工程）。前記イオンミリングにより、図２８に示すように前記上部磁極層５の幅寸法からトラック幅方向にはみ出すギャップ層４の部分は削り取られ、さらに下部コア層１の両側上面が削られ、前記下部コア層１の上面に突起部１ｂと傾斜面１ａが形成される。
【００１３】
図２９では、前記下部コア層１上であって上部磁極層５の両側及び前記上部磁極層５上をＡｌ2Ｏ3等の絶縁層７で埋め、さらに前記絶縁層７をＡ−Ａ線からＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する。その状態を示したのが図３０である。
【００１４】
次に前記絶縁層７上に、図２５に示すコイル層１３及び絶縁層９を形成した後、図３１（部分平面図）に示すように、前記絶縁層７，９、及び上部磁極層５上にレジスト層１２を形成する。そして前記レジスト層１２のパターン１２ａの部分を露光し、さらに現像して前記パターン１２ａの部分を除去する。
【００１５】
そして前記パターン１２ａ内に磁性材料をメッキし、前記レジスト層１２を除去すると上部コア層１０が完成し、薄膜磁気ヘッドの先端付近の形状は図３２に示す構造になる。
【００１６】
なお上記したトリミング工程は、通常２回行なわれ、一回目のトリミング工程では、下部コア層１の膜面方向に対し、より垂直に近い傾きをもってイオン照射が行なわれる。この工程により、上部磁極層５の下面の両側に延びるギャップ層４が削られ、さらに、前記ギャップ層４下の下部コア層１の一部も削られ、前記下部コア層１に突起部１ｂが形成される。なおこの工程の際、削られたギャップ層４及び下部コア層１の磁粉が上部磁極層５の側面に再付着する不具合が発生するため、二回目のトリミング工程では、一回目のトリミング工程に比べてより斜め方向からイオン照射が行なわれ、前記磁粉を取り除くと同時に、前記下部コア層１の両側上面に傾斜面１ａ，１ａが形成されることになる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの構造では、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法を有する上部コア層１０の先端面１０ｃが記録媒体との対向面に露出形成されているので、前記上部コア層１０と上部磁極層５との間での磁気漏れによりサイドフリンジングが発生し、前記サイドフリンジングが発生すると面記録密度が低下するといった問題が生じる。
【００１８】
従って今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造するには、トラック幅Ｔｗの狭小化と同時にサイドフリンジングの発生を低減させる必要がある。
【００１９】
また図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法では、トリミング工程を行っているが、このトリミング工程により、トラック幅Ｔｗや形状のバラツキの発生、さらには上部磁極層５の高さの減少が激しい等の問題が生じる。
【００２０】
前記トリミング工程を行う理由は、図２７に示す状態では、上部磁極層５の下面の両側にギャップ層４及び下部コア層１が延びて形成されているので、前記上部磁極層５と下部コア層１間でサイドフリンジングが発生し易いからであり、図２８に示すように前記トリミング工程により、前記上部磁極層５の下面の両側に広がるギャップ層４を削り、さらに下部コア層１に、突起部１ｂと傾斜面１ａを形成することにより、前記上部磁極層５と下部コア層１間の距離を離すことができ、サイドフリンジングの発生を適切に低減できるものと考えられていた。
【００２１】
しかしながらトミリング工程を行なった場合、上部磁極層５の両側に付着する磁粉量のバラツキや前記磁粉除去の際のバラツキ、さらには上記したように一回目のトリミング工程が下部コア層１の膜面方向に対し、より垂直に近い方向からイオン照射が行なわれることにより、上部磁極層５の高さの著しい減少等が生じ、この結果、トラック幅Ｔｗや上部磁極層５の形状にバラツキが発生しやすく、さらに上部磁極層５の高さ寸法の著しい減少や前記高さ寸法のバラツキが発生する。
【００２２】
このためトリミング工程を行うと薄膜磁気ヘッドの製造の際における再現性が悪化し、また上部磁極層５の高さ寸法の減少により、前記上部磁極層５のボリュームが小さくなり、前記上部磁極層５が磁気飽和に達し易く、記録特性の悪化を招く。
【００２３】
本発明は、上記従来の問題を解決するためのものであり、特にサイドフリンジングを適切に防止することができると同時に、再現性良く製造可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
下部コア層と、
前記下部コア層上に下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、あるいはギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する記録コアと、
前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層と、
前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁界を誘導するコイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録コアは、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有し、
前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面は、記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体は、下部コア層側から上部コア層側に向けてハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面であるとともに、トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に深くなる曲面形状で形成され、
前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面までの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下であるとともに、前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成され、
前記上部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層は、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００２５】
このように本発明では、前記上部コア層の先端面が、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成され、しかも下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されているので、従来のように上部コア層の先端面が露出形成されることはなく、従って本発明によれば、サイドフリンジングの発生を適切に防止することができると同時に、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
また本発明では、前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向へ徐々に後退する曲面形状であることが好ましい。この構成により、よりサイドフリンジングの発生を抑制することができる。
また前記上部コア層の先端面が曲面形状で形成されていることにより、前記上部磁極層上に上部コア層をパターン形成する際に、前記上部コア層の形成位置が前記上部磁極層に対し、所定位置から多少ずれて形成されたとしてもサイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることが可能である。
【００２６】
本発明では、前記後退距離Ｌ３は、０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが好ましい。
【００２７】
また本発明では、前記上部コア層には、前記先端面よりもハイト側に位置するする背面が形成されており、前記背面は、下部コア層側から上部コア層側に向けて、ハイト方向へ徐々に深くなる曲面あるいは傾斜面であり、
前記背面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ１、
前記上部コア層の前記先端面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ２としたときに、
前記θ２が前記θ１よりも大きいことが好ましい。
【００２８】
この構成により、上部コア層からの磁束を効率良く上部磁極層に流すことができ、記録特性の向上を図ることができる。
【００２９】
なお前記傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０であることが好ましい。
【００３１】
上記構成の場場合、前記曲面形状のトラック幅方向での終端部に接する接線を仮想線としたときに、前記トラック幅方向に対する前記仮想線の傾きが、３０°以上６０°以下であることが好ましい。
【００３２】
また本発明では、前記上部コア層は、前記先端面の曲面形状の終端部からハイト方向へ延び且つトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有することが好ましい。
【００３３】
本発明では、前記上部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい。この構成により、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良く流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能である。
【００３４】
また本発明では、前記記録コアは、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有している。このようにトラック幅Ｔｗの広い後端領域が形成されていると、前記記録コアと上部コア層との接触面積を大きくすることができる。なお前記上部コア層は、前記記録コアの前記後端部に重ねられて形成されている。
【００３５】
なお上記構成の場合、前記上部コア層は、前記記録コアの少なくとも前記後端部に重ねられて形成されていることが好ましい。
【００３６】
なお本発明では、前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましく、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
【００３７】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）下部コア層上の上に、下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記下部磁極層と上部磁極層のトラック幅方向の寸法を決め、またはギャップ層及び上部磁極層が順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法を決めるとともに、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有する記録コアを形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の工程の前にまたは前記（ａ）の工程の後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記レジスト層の前記パターン以外の領域を露光し、その後に現像することで、前記パターンの前記上部コア層の先端面となる面の全体を、下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とするとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状とし、このとき前記先端面となる面を記録媒体との対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形成するとともに、前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面となる面までの最短の後退距離Ｌ３を、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下に、且つ前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成し、さらに前記上部磁極層上に接合される端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層が、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されているように、前記パターンの幅寸法を規定する工程と、
（ｅ）前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成し、前記パターンにしたがって、先端面が記録媒体との対向面からハイト方向に後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体が下部コア層側から離れるにしたがってハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面または曲面となるとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状となる上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００３９】
また本発明では、前記ギャップ層を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成することが好ましく、具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。
【００４０】
本発明における製造方法によれば、記録コアのトラック幅Ｔｗや高さ寸法のバラツキがなく再現性良く薄膜磁気ヘッドを製造でき、しかもサイドフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを容易に形成することができる。
【００４１】
また、上部コア層のパターン形成の際に使用するレジスト層を露光現像する際に、前記パターン以外の領域を露光現像することで、パターン形成された上部コア層の先端面に、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面を形成することが可能である。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッドを２−２線から切断し矢印方向から見た部分断面図、図３，４は、本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図の一例である。
【００４３】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００４４】
図１及び図２に示す符号２０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００４５】
図１に示すように前記下部コア層２０の両側には、絶縁層２３が形成される。また図１に示すように、後述する下部磁極層２１の基端から延びる下部コア層２０の上面２０ａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層２６から離れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。前記下部コア層２０の上面に傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されることで、サイドフリンジングの発生をより適切に低減させることができる。
【００４６】
図１、２に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４が形成され、前記記録コア２４は記録媒体との対向面に露出形成されている。この実施例において前記記録コア２４はトラック幅Ｔｗで形成された、いわばトラック幅規制部である。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【００４７】
図１および図２に示す実施例では、前記記録コア２４は、下部磁極層２１、ギャップ層２２、および上部磁極層３５の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層２１、３５およびギャップ層２２について説明する。
【００４８】
図１および図２に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４の最下層となる下部磁極層２１がメッキ形成されている。前記下部磁極層２１は、下部コア層２０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層２１は、前記下部コア層２０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記下部磁極層２１の高さ寸法は、例えば０．３μｍ程度で形成される。
【００４９】
また図１及び図２に示すように、前記下部磁極層２１上には、非磁性のギャップ層２２が積層されている。
【００５０】
本発明では、前記ギャップ層２２は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。なお前記ギャップ層２２の高さ寸法は、例えば０．２μｍ程度で形成される。
【００５１】
次に前記ギャップ層２２上には、後述する上部コア層２６と磁気的に接続する上部磁極層３５がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層３５は、上部コア層２６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記上部磁極層３５の高さ寸法は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度で形成されている。
【００５２】
上記したようにギャップ層２２が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層２１、ギャップ層２２および上部磁極層３５を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００５３】
なお本発明では前記記録コア２４は、上記３層膜の積層構造に限らない。前記記録コア２４は、ギャップ層２２と上部磁極層３５からなる２層膜で形成されていてもよい。
【００５４】
また上記したように、記録コア２４を構成する下部磁極層２１および上部磁極層３５は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層２２に対向する下部磁極層２１および上部磁極層３５は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層２１および上部磁極層３５が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００５５】
なお図２に示すように、下部磁極層２１と下部コア層２０間には、メッキ下地層２５が形成されている。
【００５６】
前記記録コア２４は、図２に示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されている。
【００５７】
図２に示すように、下部コア層２０上には、例えばレジスト等で形成されたＧｄ決め絶縁層２７が形成されており、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の表面は、例えば曲面形状で形成されている。そして図２に示すように、前記曲面上に、上部磁極層３５が延びて形成されている。
【００５８】
図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２７上における上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２は、例えば１．４μｍ〜１．７μｍ程度で形成される。従来にあっては、前記高さ寸法ｈ２よりも小さく形成されてしまい、前記上部磁極層のボリュームを稼ぐことができなかったが、本発明では、上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２を高く形成でき、前記上部磁極層３５のボリュームを大きくすることができる。
【００５９】
その理由は、本発明では、後述する製造方法で説明するように、下部コア層２０の膜面に対して垂直方向からのトリミング工程を不要としているからである。
【００６０】
またＧｄ決め絶縁層２７上に上部磁極層３５を形成することで、前記上部磁極層３５の長さ寸法Ｌ１を長く形成できるから、さらに前記上部磁極層３５のボリュームを稼ぐことができ、高記録密度化においても前記上部磁極層３５の磁気飽和を低減でき、記録特性の向上を図ることができる。
【００６１】
また図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面から記録媒体との対向面までの長さ寸法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００６２】
図２の実施例では、前記ギャップデプスＧｄは、下部コア層２０上に形成されたＧｄ決め絶縁層２７の形成位置によって規制されることになる。
【００６３】
図２に示すように、前記記録コア２４のハイト方向（図示Ｙ方向）の後方であって下部コア層２０上には絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。前記絶縁下地層２８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００６４】
さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は、絶縁層３０によって埋められている。前記絶縁層３０は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【００６５】
前記絶縁層３０は、図１に示すように、前記記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成され、前記絶縁層３０は記録媒体との対向面に露出形成されている。
【００６６】
図２に示すように、前記絶縁層３０上には、レジストやポリイミド等の有機絶縁料で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１上には、第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【００６７】
図２に示すように、前記第２のコイル層３３は、レジストやポリイミド等の有機材料で形成された絶縁層３２によって覆われ、前記絶縁層３２上には、ＮｉＦｅ合金等で形成された上部コア層２６が例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。
【００６８】
図２に示すように、前記上部コア層２６の先端部２６ａは、前記上部磁極層３５上に磁気的に接続されて形成され、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上にＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成された持上げ層３６上に磁気的に接続されて形成されている。なお前記持上げ層３６は形成されていなくても良く、この場合、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に直接接続されることになる。
【００６９】
なお図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層が２層積層されているが、１層で形成されていてもよい。この場合、例えば前記下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方は絶縁層３０によって埋められ、前記絶縁層３０上にコイル層が形成されることになる。あるいは図２に示す第２のコイル層３３が形成されず、絶縁層３１上に沿って上部コア層２６が形成されることになる。
【００７０】
ところで本発明では図１及び２に示すように、上部コア層２６の先端面２６ｃが、記録媒体との対向面に露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されている。
【００７１】
このように本発明では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが前記記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されることにより、サイドフリンジングの発生を適正に低減することが可能となっている。
【００７２】
図１に示すように前記上部コア層２６の先端面２６ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴ１であり、この幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。このため前記上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出形成されると、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での漏れ磁束によりサイドフリンジングが発生しやすく、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができない。
【００７３】
そこで本発明では、上記したように前記上部コア層２６の先端面２６ｃを記録媒体との対向面からハイト方向に後退させて、前記記録媒体との対向面に前記先端面２６ｃが露出しないようにしている。
【００７４】
これにより記録媒体との対向面に露出する上部磁極層３５と、前記上部コア層２６との間で、サイドフリンジングの発生を適切に防止でき、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７５】
なお図２、３に示すように、記録媒体との対向面から上部コア層２６の先端面２６ｃまでの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法（＝Ｌ１）以下であり、さらに０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが好ましい。
【００７６】
前記後退距離Ｌ３を、０．８μｍ以下にすることにより、上部コア層２６の磁束を比較的損失なくして、上部磁極層３５に流入させることができる。
【００７７】
また図２に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけて、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面で形成されている。あるいは前記先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけて、ハイト方向に徐々に深くなる曲面で形成されていてもよい。
【００７８】
すなわち前記先端面２６ｃのハイト方向（図示Ｙ方向）に対する傾き角度θ２、あるいは前記先端面２６ｃが曲面で形成されている場合には、前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度θ２が、少なくとも９０°より小さく形成されているのである。
【００７９】
このように前記傾き角度θ２を９０°よりも小さくする利点は、以下の通りである。すなわち図２に示すように前記上部コア層２６上は、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料で形成された保護層３４によって覆われるが、前記傾き角度θ２を９０°よりも小さくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａと記録媒体との対向面間Ｂを、空洞が形成されることなく前記保護層３４によって完全に埋めることができるからである。
【００８０】
このように上部コア層２６の先端面２６ｃの傾き角度θ２は９０°より小さいことが好ましいが、どれだけ小さく形成されてもよいというわけではなく、本発明では、前記上部コア層２６は、前記先端面２６ｃに対する背面２６ｄが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる曲面あるいは傾斜面で形成され、ハイト方向に対する前記傾斜面の傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ１としたとき、前記傾き角度θ２は、前記傾き角度θ１よりも大きいことが好ましいとしている。
【００８１】
このように、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りを防止でき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上を図ることができる。
【００８２】
さらに本発明では、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°の範囲内であることが好ましい。前記先端面２６ｃの傾き角度θ２が、６０°よりも小さく形成されると、上記した前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りが顕著になり、前記先端部２６ａのボリュームが小さくなり、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率が悪化しやすいからである。
【００８３】
なお前記先端面２６ｃが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる曲面で形成される場合、前記曲面は凸形状で形成されてもよいし、あるいは凹形状で形成されていてもよい。
【００８４】
次に図３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向に向かうにしたがって、ハイト方向に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【００８５】
このように前記上部コア層２６の先端面２６ｃはトラック幅方向に、従来のように平面形状で形成されず、曲面形状で形成されることで、前記先端面２６ｃと側面間に角が無くなり、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れをさらに低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【００８６】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００８７】
なお本発明では、前記曲面形状のトラック幅方向での終端部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【００８８】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率を落とすことなく、また上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ一致しても、前記先端面２６ｃからのサイドフリンジングをほぼゼロに抑えることができる。
【００８９】
また図３に示すように前記上部コア層２６は、前記先端面２６ｃの曲面形状の終端部２６ｅ，２６ｅからハイト方向へ延び、且つトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｇとで構成されるが、この形状に限られない。
【００９０】
例えば前記先端領域Ｆが、上記した仮想線Ｅによって幅寸法がハイト方向にかけて広がるように形成されていてもよい。
【００９１】
以上のように、図１及び２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層２６の先端部２６ａが記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、さらに、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【００９２】
次に図３に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での上部コア層２６の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっていることがわかる。これにより、前記上部コア層２６からの磁束を、効率よく前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることができる。
【００９３】
本発明では、上部コア層２６と記録コア２４とが重なる部分において、前記上部コア層２６のトラック幅方向における幅寸法は、前記記録コア２４のトラック幅方向における幅寸法の２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。この範囲内であれば、上部コア層２６を記録コア２４上に形成する際、前記記録コア２４の上面を、上部コア層２６の幅寸法内にて確実に重ねやすく、また上部コア層２６からの磁束を上部磁極層３５に効率良く流すことができる。
【００９４】
また図３に示すように、下部磁極層２１、ギャップ層２２及び上部磁極層３５の３層膜で形成された記録コア２４、あるいはギャップ層２２と上部磁極層３５の２層膜で形成された記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されている。
【００９５】
このように前記記録コア２４が、トラック幅Ｔｗよりも広い幅寸法で形成された後端領域Ｄを有することで、上部コア層２６との接触面積を大きくすることができ、前記上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５へ効率よく流すことが可能になっている。
【００９６】
このため記録コア２４上に形成される上部コア層２６は、前記記録コア２４の少なくとも後端領域Ｄに接合されていることが、上部コア層２６と記録コア２４との接触面積を大きくすることができて好ましい。
【００９７】
なお本発明では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
【００９８】
上記範囲内よりも小さく形成されると、前記記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法があまりにも短くなりすぎ、記録媒体との対向面から露出する記録コア２４の幅寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで規制することが困難となる。
【００９９】
一方、上記範囲内よりも長く形成されると、前記上部コア層２６が、上部磁極層３５の後端領域Ｄ上で重なりにくく、前記上部磁極層３５の先端領域Ｃでの重なりが多くなることにより、上部コア層２６と上部磁極層３５との接触面積を大きくするといった利点を生かすことができなくなる。
【０１００】
図４は、前記記録コア２４の別の形状を示す本発明の薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１０１】
図４に示すように、前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法Ｌ５で形成されている。すなわち図４に示す実施例では、図３に示す実施例のように、前記記録コア２４にトラック幅Ｔｗよりも幅寸法の大きい後端領域Ｄは形成されていない。
【０１０２】
図４に示す記録コア２４の形状では、図３に示す記録コア２４の形状に比べて、上部コア層２６との接触面積が小さくなるものの、適切にトラック幅Ｔｗを規制できるといった利点がある。
【０１０３】
なお前記記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。前記長さ寸法Ｌ５が０．８μｍ以上であると、上部コア層２６と上部磁極層３５との接触面積を十分に取れるために、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率を落とすことがない。また前記長さ寸法Ｌ５が６．０μｍより大きいと、記録コア２４をメッキで成長させて形成する際に、均一に各層を形成できず、内側の端部で膜厚が先細り、あるいは曲面となり、磁気ギャップ、ギャップデプスＧｄのバラツキが大きくなり好ましくない。
【０１０４】
図４に示す実施例においても図３に示す実施例と同様に、上部磁極層３５上に接合される端部での上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、これにより、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができる。
【０１０５】
また図４に示す上部コア層２６と記録コア２４との重なりの部分の大小比や、前記上部コア層２６の形状等については、図３で説明したのと同じである。
【０１０６】
図５及び図６は、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
図５に示す実施例では、図３と同様に、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面から露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面から前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間には、図２に示す保護層３４が埋められている。
【０１０７】
また図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、図２に示す薄膜磁気ヘッドと同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが下部コア層側から上部コア層側にかけて、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１０８】
このように、上部コア層２６を記録媒体との対向面からハイト方向に後退させて形成し、しかも前記先端面２６ｃを、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することにより、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間でサイドフリンジングの発生を適切に低減することができ、また上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことができ、さらに前記上部コア層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向面間を、空洞が形成されることなく保護層３４によって完全に埋めることができる。
【０１０９】
なお図５に示す実施例では、図３、４に示す実施例のように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向に深くなる曲面形状で形成されておらず、前記先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びる平面形状で形成されている。
【０１１０】
このように図５に示す実施例では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、トラック幅方向において平面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃが、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されることで、前記先端面２６ｃが記録媒体との対向面から露出形成されないため、サイドフリンジングの発生を抑制するには、効果的な構造となっている。
【０１１１】
なお図５に示す実施例では、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状は、図３に示す記録コア２４の形状と同じになっている。
【０１１２】
すなわち前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成される。このように幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも広がる後端領域Ｄが形成されることにより、前記上部磁極層３５と上部コア層２６との接触面積を大きくすることが可能になる。
【０１１３】
そして図５に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能になる。
【０１１４】
図６は、別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分平面図である。
図６に示す実施例では、図５に示す実施例と同様に、上部コア層２６が記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、前記上部コア層２６の下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１１５】
従ってサイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることができると同時に、記録媒体との対向面から前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間を保護層３４によって適切に埋めることができ、さらに前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能である。
【０１１６】
またこの実施例においても図５に示す実施例と同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に平面的に形成されているが、このような形状であっても前記上部コア層２６が記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されることで、サイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることが可能である。
【０１１７】
図６に示す実施例では、記録コア２４が、トラック幅で記録媒体との対向面からハイト方向へ所定の長さ寸法Ｌ５で形成されている。このように前記記録コア２４の幅寸法がトラック幅Ｔｗでのみ形成される場合には、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすい。
【０１１８】
なおこの実施例においても、図６に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向における幅寸法よりも大きくなっており、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能になる。
【０１１９】
また図５及び図６に示すように、上部コア層２６は、一定の幅寸法を有する先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に向けてトラック幅方向の幅寸法が漸次的に広がる後端領域Ｇとで構成されているが、これ以外の形状であってもかまわない。例えば、前記先端領域Ｆは、ハイト方向に向けて幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもよい。
【０１２０】
図７は、本発明の別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図８は、図７に示す８−８線からの断面を矢印方向から見た部分断面図、図９、１０は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１２１】
図７ないし図１０における薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア層２６の形状が異なるものの、それ以外の部分においては同じである。
【０１２２】
すなわち図８に示すように、下部コア層２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層３５の２層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。
【０１２３】
図８に示すように、下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との対向面に露出形成されている。
【０１２４】
また前記コイル層２９上には、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【０１２５】
前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にされている。
【０１２６】
この実施例においては、図１ないし６に示す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されていない。前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体との対向面に位置している。
【０１２７】
図８に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、前記上部コア層２６の下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１２８】
また図８に示すように、前記先端面２６ｃよりもハイト側に位置する背面２６ｄが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されるが、前記背面２６ｄのハイト方向に対する傾きをθ１（前記背面２６ｄが曲面で形成されている場合には、前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度θ１）とし、前記先端面２６ｃのハイト方向に対する傾きをθ２としたときに、前記傾き角度θ２は、前記傾き角度θ１よりも大きいことが好ましい。
【０１２９】
このように、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りを防止でき、前記先端部２６ａのボリュームを有効に大きくでき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上を図ることができる。
【０１３０】
また本発明では、上記条件に加えて、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°の範囲内であることが好ましい。前記先端面２６ｃの傾き角度θ２が、６０°よりも小さく形成されると、上記した前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状が先細って形成されやすくなり、よって前記先端部２６ａのボリュームが小さくなり、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束の効率が悪化しやすいからである。
【０１３１】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することにより、次に説明する前記先端面２６ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における曲面形状と相俟って、サイドフリンジングの発生を適切に抑制できるものとなっている。
【０１３２】
本発明では、図９に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【０１３３】
このように前記上部コア層２６の先端面２６ｃがトラック幅方向（図示Ｘ方向）にて、ハイト方向に後退する曲面形状で形成されることで、記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃは、図７に示すように符号２６ｈの部分だけであり、わずかに上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出する構成となる。
【０１３４】
すなわち本発明では前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうに従ってハイト方向に後退する曲面形状で形成し、しかも前記先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することで、上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面にわずかに露出するだけとなり、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れを低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【０１３５】
なお記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｈの部分は、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。これにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止することが可能である。
【０１３６】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向（図示Ｘ方向）にて曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向にて平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１３７】
なお本発明では、前記先端面２６ｃのトラック幅方向での終端部２６ｅ，２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【０１３８】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていてもサイドフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１３９】
図１０に示す実施例においても、図９に示す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に両側に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる曲面形状で形成されている。
【０１４０】
図９と図１０の相違点は、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、図９では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側
終端を起点としてハイト方向にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されているのに対し、図１０では前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形成されていない。
【０１４１】
図９に示す記録コア２４の形状では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が短すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体との対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが所定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後端領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を大きくできるという利点があり、一方、図１０に示す記録コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積は、図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点がある。
【０１４２】
なお図９における記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内であることが好ましく、図１０に示す記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内であることが好ましい。理由は上述した通りである。
【０１４３】
また図９及び図１０に示すように、上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従って前記上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能になっている。なお、重ねられる部分の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対する上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。理由は上述した通りである。
【０１４４】
また図９及び図１０に示すように、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に漸次的にトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成されているが、本発明では、この形状に限られず、他の形状で形成されていてもかまわない。例えば図９に示す仮想線Ｅに沿って、前記上部コア層２６の先端領域Ｆの幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもかまわない。
【０１４５】
図１１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施形態を示す部分正面図、図１２は、図１１に示す１２−１２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図、図１３，１４は薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１４６】
図１１ないし図１４における薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア層２６の形状が異なるものの、それ以外の部分においては同じである。
【０１４７】
すなわち図１２に示すように、下部コア層２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層３５の２層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。
【０１４８】
図１２に示すように、下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との対向面に露出形成されている。なお図１に示すように前記下部コア層２０の上面には傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。これによりサイドフリンジングの発生をより適正に防止することができる。
【０１４９】
また前記コイル層２９上には、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【０１５０】
前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にされている。
【０１５１】
この実施例においては、図１ないし６に示す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されていない。前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体との対向面に位置している。
【０１５２】
本発明では、図１３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、両側端部に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形状で形成されている。
【０１５３】
なおこの実施例においては、図１ないし６に示す実施例、及び図７ないし１０に示す実施例にように、上部コア層２６の先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されておらず、前記先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に沿って形成されている。
【０１５４】
このため図１１に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面において、その下部コア層側から上部コア層側にかけて一定の幅寸法を有する符号２６ｉの部分が露出する。
【０１５５】
以上のように、上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されているから、前記先端面２６ｃが記録媒体との対向面に位置しても、前記記録媒体との対向面からの露出部分は、図１１に示す符号２６ｉの部分だけであり、わずかに上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出する構成となる。
【０１５６】
したがって、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れを低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【０１５７】
なお記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｉの部分は、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。これにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止することが可能である。
【０１５８】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１５９】
なお本発明では、前記先端面２６ｃの終端部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【０１６０】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていてもサイドフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１６１】
図１４に示す実施例においても、図１３に示す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形状で形成されているが、図１ないし図６に示す実施例、及び図７ないし図１０に示す実施例のように、前記先端面２６ｃには、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面は形成されていない。
【０１６２】
図１３と図１４の相違点は、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、図１３では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端からハイト方向にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されているのに対し、図１４では前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形成されていない。
【０１６３】
図１３に示す記録コア２４の形状では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が短すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体との対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが所定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後端領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を大きくできるという利点があり、一方、図１４に示す記録コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積は、図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点がある。
【０１６４】
なお図１３に示す記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内であることが好ましく、また図１４に示す記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内であることが好ましい。理由は上記した通りである。
【０１６５】
また図１３及び図１４に示すように、上部磁極層３５上に接合される端部での上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従って前記上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能になっている。前記重ねられる部分の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対する上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。理由は上記した通りである。
【０１６６】
また図１３及び図１４に示すように、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端からハイト方向に漸次的にトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成されているが、本発明では、この形状に限られず、他の形状で形成されていてもかまわない。
【０１６７】
例えば図１３に示す仮想線Ｅに沿って、前記上部コア層２６の先端領域Ｆの幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもかまわない。
【０１６８】
以上のように本発明における薄膜磁気ヘッドによれば、上部コア層２６を、記録媒体との対向面からハイト方向に後退させ、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成し、さらに前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、あるいは、前記上部コア層２６を、記録媒体との対向面からハイト方向に後退させ、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することで、または前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成し、しかも前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、または前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、従来に比べてサイドフリンジングの発生を抑制することができ、さらに上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１６９】
次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０１７０】
図１５ないし図２１に示す図は、図１ないし図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図である。図１５ないし図１８では、左側に薄膜磁気ヘッドの部分正面図が、右側にその部分断面図が示されている。
【０１７１】
図１５では、右図に示されているように下部コア層２０上にＧｄ決め絶縁層２７を形成した後、前記下部コア層２０上に高さ寸法ｈ３を有するレジスト層４０を形成する。前記高さ寸法ｈ３は、例えば４．０μｍ程度で形成される。
【０１７２】
次に前記レジスト層４０に露光現像によって、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さ寸法Ｌ６を有する溝部４０ａを形成する。前記溝部４０ａの幅寸法ｔ２は、例えば０．４５μｍ程度で形成される。なお前記幅寸法ｔ２は、トラック幅Ｔｗとして規制される幅であるので、できる限り小さく形成されることが好ましく、例えば前記幅寸法は露光の際に使用されるｉ線の限界値で形成されることが好ましい。
【０１７３】
次に図１５の左図に示すように、前記溝部４０ａ内に、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５を連続メッキして積層する。このように連続メッキするには、前記ギャップ層２２を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成する必要がある。具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。
【０１７４】
そして前記溝部４０ａ内に形成された３層膜により、記録コア２４が構成される。なお前記記録コア２４は３層膜に限られない。例えば前記記録コア２４はギャップ層２２と上部磁極層３５とで構成されていてもかまわない。
【０１７５】
そして前記レジスト層４０を除去する。その状態を示したのが図１６である。下部コア層２０に形成された記録コア２４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規制され、前記トラック幅Ｔｗは０．７μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【０１７６】
また前記記録コア２４の高さ寸法ｈ４は、１μｍ≦ｈ４≦４μｍの範囲内であることが好ましい。例えば下部磁極層２１の高さ寸法は、０．３μｍ程度で形成され、ギャップ層２２の高さ寸法は、０．２μｍ程度で形成され、また上部磁極層３５の高さ寸法は、３．０μｍ〜３．３μｍ程度で形成される。
【０１７７】
次に図１７に示すように、下部コア層２０上、さらには記録コア２４上を絶縁層３０によって埋める。前記絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、無機絶縁材料であることが好ましい。具体的には、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【０１７８】
このように前記絶縁層３０を無機絶縁材料で形成する理由は、次に行なわれるＣＭＰ技術によって前記絶縁層３０の表面を研磨加工し易くするためである。
【０１７９】
図１７に示すように前記絶縁層３０をＨ−Ｈ線から、ＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。これによって前記絶縁層３０の表面は平坦化され、また前記絶縁層３０の表面からは上部磁極層３５の表面が露出する。その状態を示したのが図１８である。
【０１８０】
図１７工程で、ＣＭＰ技術によって記録コア２４の表面が削られたことにより、図１８に示すように、記録コア２４の高さ寸法は、ｈ５になり、前記高さ寸法ｈ５は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度になる。また図１８の右図に示すように、Ｇｄ決め絶縁層２７上での上部磁極層３５の高さ寸法はｈ６であり、前記高さ寸法ｈ６は、１．４μｍ〜１．７μｍ程度である。
【０１８１】
ところで本発明の製造方法によれば、記録コア２４の高さ寸法ｈ５、及びＧｄ決め絶縁層２７上での上部磁極層３５の高さ寸法ｈ６を所定寸法内に形成しやすく、再現性の高い薄膜磁気ヘッドの製造が可能になっている。
【０１８２】
その理由は、従来のように下部コア層２０の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工程を行っていないからである。従来では、サイドフリンジングの発生を抑制するために前記トリミング工程は欠かせない工程となっており、しかしながら前記トリミング工程によって、上部磁極層３５の高さ寸法の著しい減少や、トラック幅Ｔｗのバラツキ等が発生し、製造時における再現性は非常に低いものとなっていた。
【０１８３】
一方、本発明においては、記録コア２４を構成するギャップ層２２をメッキ可能な非磁性金属材料で形成することによって、図１５に示すレジスト層４０の溝部４０ａ内に、下から順に下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５を連続してメッキ形成することができる。
【０１８４】
このため本発明では、下部コア層２０上からトラック幅Ｔｗで突出する下部磁極層２１と、さらにその上にトラック幅Ｔｗのギャップ層２２を、下部コア層２０の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工程を行わずとも形成できるので、上部磁極層３５と下部コア層２０間でのサイドフリンジングが発生しにくい構造の薄膜磁気ヘッドを、トリミング工程を行わず形成することが可能になる。
【０１８５】
ただし本発明において図１６に示す工程の際に、トリミング工程を行っても良い。ただし前記トリミング工程は、下部コア層２０の膜面に対し、斜め方向からイオン照射が行なわれ、前記イオン照射角度は、前記膜面の垂直方向に対し４５°〜７５°、より好ましくは６０°〜７５°の範囲内であることが好ましい。
【０１８６】
上記したイオン照射角度を有するトリミング工程では、従来のように、イオン照射によって削られた磁粉が記録コア２４の両側に付着することがなく、また本発明では、下部コア層２０の膜面に対してより垂直方向に近いイオン照射角度を有するイオンミリングを行わないため、本発明では、上記した下部コア層２０の膜面に対し斜め方向からのトリミング工程を行っても、記録コア２４の形状にばらつき等が発生しにくく、また記録コア２４の高さ寸法が著しく減少するといった問題も発生しない。
【０１８７】
本発明では、前記トリミング工程により、記録コア２４のトラック幅Ｔｗを、さらに小さくでき今後の狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造でき、しかも前記記録コア２４の下面の両側から延びる下部コア層２０の両側上面に、傾斜面２０ｂ，２０ｂ（図１参照）を形成することができ、さらにサイドフリンジングの発生を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８８】
次に、前記絶縁層３０上にコイル層や前記コイル層を覆う絶縁層３２を形成する。そして前記上部磁極層３５及び絶縁層３０、さらに前記絶縁層３２の表面に図１９に示すレジスト層４１を形成する。なお図１９は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１８９】
図１９に示すように前記レジスト層４１に、上部コア層２６の抜きパターン４１ａを形成する。
【０１９０】
図１９に示すように、前記パターン４１ａの先端面４１ｂは、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されており、しかも前記先端面４１ｂは、トラック幅方向の両側端部４１ｃ，４１ｃに向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されている。
【０１９１】
上記パターン４１ａを形成するには、本発明では、以下のような工夫がなされている。すなわち本発明では、露光の際に光を照射する部分は、レジスト層４１のうちパターン４１ａ以外の部分４１ｄであり、光の照射されたレジスト層４１ｄの部分を現像し、前記レジスト層４１ｄを残して、パターン４１ａのレジスト層４１を除去する（イメージリバース）。
【０１９２】
これは従来とは逆の露光現像のやり方であり、従来では、上部コア層２６のパターンとなる４１ａの部分に光を照射していた。
【０１９３】
本発明において、パターン４１ａ以外のレジスト層４１ｄに光を照射し現像して、光が照射されていないパターン４１ａの部分を除去する理由は、残されるレジスト層４１ｄの形状に関係している。
【０１９４】
図２０は、本発明における薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。なお図２０では、薄膜磁気ヘッドの先端付近の形状のみが示されている。
【０１９５】
図２０に示すように、絶縁層３０及び上部磁極層３５上には、レジスト層４１ｄが残されている。このうち、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で残されるレジスト層４１ｄ１は、その背面４１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけて（図示Ｚ方向）、ハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは曲面で残される。
【０１９６】
前記レジスト層４１ｄ１が、上記のような形状で残される理由は、露光現像によって残されるレジスト層４１ｄに光りを当てているからであり、逆に、除去されるパターン４１ａの部分に光りを当てて、前記レジスト層４１ｄの部分に光りを当てないと、残されるレジスト層４１ｄ１は、図２２に示すように、その背面４１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に傾く傾斜面あるいは曲面として残されるのである。
【０１９７】
図２０に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で残されるレジスト層４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは曲面が形成されていると、前記パターン４１ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキ形成することによって、図２１に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面を形成することが可能になっている。
【０１９８】
図２２に示すように、残されたレジスト層４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に傾く傾斜面あるいは鏡面が形成されていると、パターン４１ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキしたとき、図２３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃには、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向とは逆方向の傾斜面あるいは曲面が形成されることになる。
【０１９９】
図２３に示す薄膜磁気ヘッドの場合では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向面間Ｂの部分に、Ａｌ2Ｏ3等の保護層３４を形成する際、前記Ｂの部分を完全に前記保護層３４によって埋め難く、前記Ｂの部分に空洞が形成されやくなる。
【０２００】
このため、本発明では前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面が形成されるのように、図１９に示す工程で、上部コア層２６のパターン４１ａ以外の部分のレジスト層４１ｄに光を照射しその後現像し、これによって除去されるパターン４１ａの先端面を、下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面としているのである。
【０２０１】
なお、図１５ないし図２１に示す工程図は、上記したように、上部コア層２６が、記録媒体との対向面からハイト方向に後退し、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造工程は以下の通りである。
【０２０２】
図５及び６に示す実施例では、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、しかも上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されるが、前記先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）にて曲面形状で形成されておらず前記先端面２６ｃは、トラック幅方向に平面形状で形成されている。
【０２０３】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図５あるいは６に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンをレジスト層４１に形成するために、前記パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像することで、除去されるパターンの部分の先端面を下部コア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体との対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形成する。そして前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図５あるいは６に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２０４】
次に図７ないし図１０に示す実施例では、上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、さらに前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されている。
【０２０５】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図９または図１０に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンをレジスト層４１に形成するために、前記パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像することで、除去されるパターンの部分の先端面を下部コア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体との対向面の形成位置と同じ位置に合わせる。そして前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図９あるいは１０に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２０６】
次に図１１ないし図１４に示す実施例では、上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されておらず、記録媒体との対向面に沿って形成されている。
【０２０７】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図１３または図１４に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンを露光現像によってレジスト層４１に形成する。
【０２０８】
前記露光現像の際、前記パターンの部分に光りを照射してもよいし、あるいは前記パターン以外の部分に光を照射してもどちらでも良い。上記構成の場合、先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されないから、露光現像の際における光の照射の箇所は、上部コア層２６のパターンの部分でもよいし、前記パターン以外の部分でもどちらでもよいのである。
【０２０９】
そして露光現像によって上部コア層２６のパターンを形成した後、前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図１３あるいは１４に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２１０】
以上のように本発明の製造方法によれば、下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２及び上部磁極層３５の２層膜で構成されるトラック幅Ｔｗを規制する記録コア２４を、連続メッキで形成することができ、よって従来のように下部コア層２０の膜面に対して垂直方向に近い方向からのイオン照射角度を有するトリミング工程の必要性がなく、再現性が高い薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１１】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上部コア層２６をパターン形成する際に使用するレジスト層を、上部コア層２６のパターンとなる部分以外のレジスト層に光を照射しその後現像することによって、前記パターンの先端面を下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面あるいは曲面とすることができ、よって、上部コア層２６の先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面を形成することが可能である。
【０２１２】
なお本発明では、図１５ないし図１８に示すように、下部コア層２０上にまず記録コア２４を形成し、その後、前記記録コア２４の周囲を絶縁層３０によって埋めているが、この方法に限るものではない。
【０２１３】
例えば下部コア層２０上にまず絶縁層３０を形成し、前記絶縁層３０に溝を形成した後、前記溝内に記録コア２４を形成する方法であってもよい。
【０２１４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明によれば、上部コア層の先端面を、ハイト方向から後退した位置に形成し、しかもその下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成することにより、サイドフリンジングの発生を抑制することができると同時に、上部コア層からの磁束を効率良く上部磁極層に流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１５】
また上部コア層の先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することが最も好ましい形態であり、これによりさらにサイドフリンジングの発生を抑制することができる。
【０２１６】
また本発明の製造方法によれば、下部コア層に対し垂直方向に近い方向のイオン照射角度を有するトリミング工程を必要としなくても、サイドフリンジングの発生の抑制に適した薄膜磁気ヘッドを製造することができるので、再現性良く薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１７】
また前記上部コア層を形成するために必要なレジスト層に露光現像する際に、前記上部コア層のパターンとなる部分以外のレジスト層に光を照射することにより、パターン形成される上部コア層の先端面に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面を容易に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図３】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図４】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図５】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図６】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図７】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図８】図７に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図９】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１０】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図１１】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図１２】図１１に示す１２−１２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図１３】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１４】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１５】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す部分平面図と部分断面図、
【図１６】図１５工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１７】図１６工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１８】図１７工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１９】図１８工程の次に行なわれる工程を示す部分平面図、
【図２０】図１９工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２１】図２０工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２２】図１９工程の次に行なわれる他の形態を示す部分断面図、
【図２３】図２２工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２５】図２４に示す薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図２６】従来における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す部分正面図、
【図２７】図２６工程の次に行なわれる部分正面図、
【図２８】図２７工程の次に行なわれる部分正面図、
【図２９】図２８工程の次に行なわれる部分正面図、
【図３０】図２９工程の次に行なわれる部分正面図、
【図３１】図３０工程の次に行なわれる部分平面図、
【図３２】図３１工程の次に行なわれる部分断面図、
【符号の説明】
２０ 下部コア層
２１ 下部磁極層
２２ ギャップ層
２４ 記録コア
２６ 上部コア層
２６ａ 先端部
２６ｂ 基端部
２６ｃ 先端面
２６ｄ 背面
２６ｅ 終端部
２７ Ｇｄ決め絶縁層
３４ 保護層
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えば浮上式磁気ヘッドなどに使用される記録用の薄膜磁気ヘッドに係り、特にサイドフリンジングを適切に低減させることができ、また高い再現性で製造可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図２４は、従来における薄膜磁気ヘッド（インダクティブヘッド）の構造を示す部分正面図、図２５は、図２４の薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。
【０００３】
図２４及び図２５に示す符号１は、パーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層であり、この下部コア層１の両側には絶縁層３が形成されている。
【０００４】
図２４に示すように、前記下部コア層１上には、ギャップ層４と上部磁極層５とがトラック幅Ｔｗで形成され、しかも記録媒体との対向面に露出形成されている。前記ギャップ層４は図２５に示すように、下部コア層１上を後述する上部コア層１０の基端部１０ｂと前記下部コア層１とが接触する位置まで長く延ばされて形成され、一方前記上部磁極層５は、前記ギャップ層４上に形成されたＧｄ決め絶縁層６上にまで延ばされて形成されている。なお前記ギャップ層４は例えばＳｉＯ2等の非金属絶縁材料で形成されている。
【０００５】
図２４及び図２５に示すように、前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側及びハイト側（図示Ｙ方向）には、絶縁層７が形成されている。
【０００６】
そして前記絶縁層７上にはコイル層１３が螺旋状にパターン形成されており、前記コイル層１３上は、有機絶縁材料で形成された絶縁層９によって埋められている。
【０００７】
前記絶縁層９上には、例えばフレームメッキ法で形成された上部コア層１０が形成されており、前記上部コア層１０の先端部１０ａは、上部磁極層５と磁気的に接続され、しかも記録媒体との対向面に露出形成される。また前記上部コア層１０の基端部１０ｂは下部コア層１上に磁気的に接続されている。
【０００８】
図２４に示すように、前記上部コア層１０の先端面１０ｃは、その全面が記録媒体との対向面に露出形成される。
【０００９】
次に図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法について図２６ないし図３２を用いて以下に説明する。
【００１０】
図２６に示すように、下部コア層１上の全面に例えばＳｉＯ2等の絶縁材料で形成されたギャップ層４を形成し、前記ギャップ層４上にトラック幅Ｔｗの溝１１ａを有するレジスト層１１を形成する。前記溝１１ａは記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で形成されている。そして前記溝１１ａ内に例えばＮｉＦｅ系合金で形成された上部磁極層５をメッキ形成し、前記レジスト層１１を除去する。
【００１１】
図２７に示すように、前記上部磁極層５の幅寸法、すなわちトラック幅Ｔｗは例えば０．４５μｍ、高さ寸法ｈ１は３．５〜３．８μｍ程度で形成される。
【００１２】
図２７では、前記上部磁極層５のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側を、イオンミリングにてエッチングする（トリミング工程）。前記イオンミリングにより、図２８に示すように前記上部磁極層５の幅寸法からトラック幅方向にはみ出すギャップ層４の部分は削り取られ、さらに下部コア層１の両側上面が削られ、前記下部コア層１の上面に突起部１ｂと傾斜面１ａが形成される。
【００１３】
図２９では、前記下部コア層１上であって上部磁極層５の両側及び前記上部磁極層５上をＡｌ2Ｏ3等の絶縁層７で埋め、さらに前記絶縁層７をＡ−Ａ線からＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する。その状態を示したのが図３０である。
【００１４】
次に前記絶縁層７上に、図２５に示すコイル層１３及び絶縁層９を形成した後、図３１（部分平面図）に示すように、前記絶縁層７，９、及び上部磁極層５上にレジスト層１２を形成する。そして前記レジスト層１２のパターン１２ａの部分を露光し、さらに現像して前記パターン１２ａの部分を除去する。
【００１５】
そして前記パターン１２ａ内に磁性材料をメッキし、前記レジスト層１２を除去すると上部コア層１０が完成し、薄膜磁気ヘッドの先端付近の形状は図３２に示す構造になる。
【００１６】
なお上記したトリミング工程は、通常２回行なわれ、一回目のトリミング工程では、下部コア層１の膜面方向に対し、より垂直に近い傾きをもってイオン照射が行なわれる。この工程により、上部磁極層５の下面の両側に延びるギャップ層４が削られ、さらに、前記ギャップ層４下の下部コア層１の一部も削られ、前記下部コア層１に突起部１ｂが形成される。なおこの工程の際、削られたギャップ層４及び下部コア層１の磁粉が上部磁極層５の側面に再付着する不具合が発生するため、二回目のトリミング工程では、一回目のトリミング工程に比べてより斜め方向からイオン照射が行なわれ、前記磁粉を取り除くと同時に、前記下部コア層１の両側上面に傾斜面１ａ，１ａが形成されることになる。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの構造では、トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法を有する上部コア層１０の先端面１０ｃが記録媒体との対向面に露出形成されているので、前記上部コア層１０と上部磁極層５との間での磁気漏れによりサイドフリンジングが発生し、前記サイドフリンジングが発生すると面記録密度が低下するといった問題が生じる。
【００１８】
従って今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造するには、トラック幅Ｔｗの狭小化と同時にサイドフリンジングの発生を低減させる必要がある。
【００１９】
また図２４及び図２５に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法では、トリミング工程を行っているが、このトリミング工程により、トラック幅Ｔｗや形状のバラツキの発生、さらには上部磁極層５の高さの減少が激しい等の問題が生じる。
【００２０】
前記トリミング工程を行う理由は、図２７に示す状態では、上部磁極層５の下面の両側にギャップ層４及び下部コア層１が延びて形成されているので、前記上部磁極層５と下部コア層１間でサイドフリンジングが発生し易いからであり、図２８に示すように前記トリミング工程により、前記上部磁極層５の下面の両側に広がるギャップ層４を削り、さらに下部コア層１に、突起部１ｂと傾斜面１ａを形成することにより、前記上部磁極層５と下部コア層１間の距離を離すことができ、サイドフリンジングの発生を適切に低減できるものと考えられていた。
【００２１】
しかしながらトミリング工程を行なった場合、上部磁極層５の両側に付着する磁粉量のバラツキや前記磁粉除去の際のバラツキ、さらには上記したように一回目のトリミング工程が下部コア層１の膜面方向に対し、より垂直に近い方向からイオン照射が行なわれることにより、上部磁極層５の高さの著しい減少等が生じ、この結果、トラック幅Ｔｗや上部磁極層５の形状にバラツキが発生しやすく、さらに上部磁極層５の高さ寸法の著しい減少や前記高さ寸法のバラツキが発生する。
【００２２】
このためトリミング工程を行うと薄膜磁気ヘッドの製造の際における再現性が悪化し、また上部磁極層５の高さ寸法の減少により、前記上部磁極層５のボリュームが小さくなり、前記上部磁極層５が磁気飽和に達し易く、記録特性の悪化を招く。
【００２３】
本発明は、上記従来の問題を解決するためのものであり、特にサイドフリンジングを適切に防止することができると同時に、再現性良く製造可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を提供することを目的としている。
【００２４】
【課題を解決するための手段】
下部コア層と、
前記下部コア層上に下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、あるいはギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する記録コアと、
前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層と、
前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁界を誘導するコイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録コアは、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有し、
前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面は、記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体は、下部コア層側から上部コア層側に向けてハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面であるとともに、トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に深くなる曲面形状で形成され、
前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面までの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下であるとともに、前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成され、
前記上部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層は、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【００２５】
このように本発明では、前記上部コア層の先端面が、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成され、しかも下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されているので、従来のように上部コア層の先端面が露出形成されることはなく、従って本発明によれば、サイドフリンジングの発生を適切に防止することができると同時に、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
また本発明では、前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向へ徐々に後退する曲面形状であることが好ましい。この構成により、よりサイドフリンジングの発生を抑制することができる。
また前記上部コア層の先端面が曲面形状で形成されていることにより、前記上部磁極層上に上部コア層をパターン形成する際に、前記上部コア層の形成位置が前記上部磁極層に対し、所定位置から多少ずれて形成されたとしてもサイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることが可能である。
【００２６】
本発明では、前記後退距離Ｌ３は、０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが好ましい。
【００２７】
また本発明では、前記上部コア層には、前記先端面よりもハイト側に位置するする背面が形成されており、前記背面は、下部コア層側から上部コア層側に向けて、ハイト方向へ徐々に深くなる曲面あるいは傾斜面であり、
前記背面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ１、
前記上部コア層の前記先端面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ２としたときに、
前記θ２が前記θ１よりも大きいことが好ましい。
【００２８】
この構成により、上部コア層からの磁束を効率良く上部磁極層に流すことができ、記録特性の向上を図ることができる。
【００２９】
なお前記傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０であることが好ましい。
【００３１】
上記構成の場場合、前記曲面形状のトラック幅方向での終端部に接する接線を仮想線としたときに、前記トラック幅方向に対する前記仮想線の傾きが、３０°以上６０°以下であることが好ましい。
【００３２】
また本発明では、前記上部コア層は、前記先端面の曲面形状の終端部からハイト方向へ延び且つトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有することが好ましい。
【００３３】
本発明では、前記上部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きい。この構成により、上部コア層からの磁束を、上部磁極層に効率良く流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能である。
【００３４】
また本発明では、前記記録コアは、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有している。このようにトラック幅Ｔｗの広い後端領域が形成されていると、前記記録コアと上部コア層との接触面積を大きくすることができる。なお前記上部コア層は、前記記録コアの前記後端部に重ねられて形成されている。
【００３５】
なお上記構成の場合、前記上部コア層は、前記記録コアの少なくとも前記後端部に重ねられて形成されていることが好ましい。
【００３６】
なお本発明では、前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されていることが好ましく、前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものであることが好ましい。
【００３７】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法は、
（ａ）下部コア層上の上に、下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記下部磁極層と上部磁極層のトラック幅方向の寸法を決め、またはギャップ層及び上部磁極層が順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法を決めるとともに、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有する記録コアを形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の工程の前にまたは前記（ａ）の工程の後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記レジスト層の前記パターン以外の領域を露光し、その後に現像することで、前記パターンの前記上部コア層の先端面となる面の全体を、下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とするとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状とし、このとき前記先端面となる面を記録媒体との対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形成するとともに、前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面となる面までの最短の後退距離Ｌ３を、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下に、且つ前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成し、さらに前記上部磁極層上に接合される端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層が、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されているように、前記パターンの幅寸法を規定する工程と、
（ｅ）前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成し、前記パターンにしたがって、先端面が記録媒体との対向面からハイト方向に後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体が下部コア層側から離れるにしたがってハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面または曲面となるとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状となる上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とするものである。
【００３９】
また本発明では、前記ギャップ層を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成することが好ましく、具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。
【００４０】
本発明における製造方法によれば、記録コアのトラック幅Ｔｗや高さ寸法のバラツキがなく再現性良く薄膜磁気ヘッドを製造でき、しかもサイドフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッドを容易に形成することができる。
【００４１】
また、上部コア層のパターン形成の際に使用するレジスト層を露光現像する際に、前記パターン以外の領域を露光現像することで、パターン形成された上部コア層の先端面に、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面を形成することが可能である。
【００４２】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図２は図１に示す薄膜磁気ヘッドを２−２線から切断し矢印方向から見た部分断面図、図３，４は、本発明における薄膜磁気ヘッドの部分平面図の一例である。
【００４３】
図１に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層されていてもよい。
【００４４】
図１及び図２に示す符号２０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお、前記下部コア層２０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層２０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層２０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００４５】
図１に示すように前記下部コア層２０の両側には、絶縁層２３が形成される。また図１に示すように、後述する下部磁極層２１の基端から延びる下部コア層２０の上面２０ａはトラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びて形成されていてもよく、あるいは、前記上部コア層２６から離れる方向に傾斜する傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。前記下部コア層２０の上面に傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されることで、サイドフリンジングの発生をより適切に低減させることができる。
【００４６】
図１、２に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４が形成され、前記記録コア２４は記録媒体との対向面に露出形成されている。この実施例において前記記録コア２４はトラック幅Ｔｗで形成された、いわばトラック幅規制部である。前記トラック幅Ｔｗは、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【００４７】
図１および図２に示す実施例では、前記記録コア２４は、下部磁極層２１、ギャップ層２２、および上部磁極層３５の３層膜の積層構造で構成されている。以下、前記磁極層２１、３５およびギャップ層２２について説明する。
【００４８】
図１および図２に示すように、前記下部コア層２０上には、記録コア２４の最下層となる下部磁極層２１がメッキ形成されている。前記下部磁極層２１は、下部コア層２０と磁気的に接続されており、前記下部磁極層２１は、前記下部コア層２０と同じ材質でも異なる材質で形成されていてもどちらでもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記下部磁極層２１の高さ寸法は、例えば０．３μｍ程度で形成される。
【００４９】
また図１及び図２に示すように、前記下部磁極層２１上には、非磁性のギャップ層２２が積層されている。
【００５０】
本発明では、前記ギャップ層２２は、非磁性金属材料で形成されて、下部磁極層２１上にメッキ形成されることが好ましい。なお本発明では、前記非磁性金属材料として、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、ＮｉＲｈ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上を選択することが好ましく、前記ギャップ層２２は、単層膜で形成されていても多層膜で形成されていてもどちらであってもよい。なお前記ギャップ層２２の高さ寸法は、例えば０．２μｍ程度で形成される。
【００５１】
次に前記ギャップ層２２上には、後述する上部コア層２６と磁気的に接続する上部磁極層３５がメッキ形成されている。なお前記上部磁極層３５は、上部コア層２６と同じ材質で形成されていてもよいし、異なる材質で形成されていてもよい。また単層膜でも多層膜で形成されていてもどちらでもよい。なお前記上部磁極層３５の高さ寸法は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度で形成されている。
【００５２】
上記したようにギャップ層２２が、非磁性金属材料で形成されていれば、下部磁極層２１、ギャップ層２２および上部磁極層３５を連続してメッキ形成することが可能になる。
【００５３】
なお本発明では前記記録コア２４は、上記３層膜の積層構造に限らない。前記記録コア２４は、ギャップ層２２と上部磁極層３５からなる２層膜で形成されていてもよい。
【００５４】
また上記したように、記録コア２４を構成する下部磁極層２１および上部磁極層３５は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよいが、記録密度を向上させるためには、ギャップ層２２に対向する下部磁極層２１および上部磁極層３５は、それぞれの磁極層が磁気的に接続されるコア層の飽和磁束密度よりも高い飽和磁束密度を有していることが好ましい。このように下部磁極層２１および上部磁極層３５が高い飽和磁束密度を有していることにより、ギャップ近傍に記録磁界を集中させ、記録密度を向上させることが可能になる。
【００５５】
なお図２に示すように、下部磁極層２１と下部コア層２０間には、メッキ下地層２５が形成されている。
【００５６】
前記記録コア２４は、図２に示すように、記録媒体との対向面（ＡＢＳ面）からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて長さ寸法Ｌ１で形成されている。
【００５７】
図２に示すように、下部コア層２０上には、例えばレジスト等で形成されたＧｄ決め絶縁層２７が形成されており、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の表面は、例えば曲面形状で形成されている。そして図２に示すように、前記曲面上に、上部磁極層３５が延びて形成されている。
【００５８】
図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２７上における上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２は、例えば１．４μｍ〜１．７μｍ程度で形成される。従来にあっては、前記高さ寸法ｈ２よりも小さく形成されてしまい、前記上部磁極層のボリュームを稼ぐことができなかったが、本発明では、上部磁極層３５の高さ寸法ｈ２を高く形成でき、前記上部磁極層３５のボリュームを大きくすることができる。
【００５９】
その理由は、本発明では、後述する製造方法で説明するように、下部コア層２０の膜面に対して垂直方向からのトリミング工程を不要としているからである。
【００６０】
またＧｄ決め絶縁層２７上に上部磁極層３５を形成することで、前記上部磁極層３５の長さ寸法Ｌ１を長く形成できるから、さらに前記上部磁極層３５のボリュームを稼ぐことができ、高記録密度化においても前記上部磁極層３５の磁気飽和を低減でき、記録特性の向上を図ることができる。
【００６１】
また図２に示すように、前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面から記録媒体との対向面までの長さ寸法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されており、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電気特性に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００６２】
図２の実施例では、前記ギャップデプスＧｄは、下部コア層２０上に形成されたＧｄ決め絶縁層２７の形成位置によって規制されることになる。
【００６３】
図２に示すように、前記記録コア２４のハイト方向（図示Ｙ方向）の後方であって下部コア層２０上には絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。前記絶縁下地層２８は、例えば、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種からなる絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００６４】
さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は、絶縁層３０によって埋められている。前記絶縁層３０は、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【００６５】
前記絶縁層３０は、図１に示すように、前記記録コア２４のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側に形成され、前記絶縁層３０は記録媒体との対向面に露出形成されている。
【００６６】
図２に示すように、前記絶縁層３０上には、レジストやポリイミド等の有機絶縁料で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１上には、第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【００６７】
図２に示すように、前記第２のコイル層３３は、レジストやポリイミド等の有機材料で形成された絶縁層３２によって覆われ、前記絶縁層３２上には、ＮｉＦｅ合金等で形成された上部コア層２６が例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。
【００６８】
図２に示すように、前記上部コア層２６の先端部２６ａは、前記上部磁極層３５上に磁気的に接続されて形成され、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上にＮｉＦｅ合金等の磁性材料で形成された持上げ層３６上に磁気的に接続されて形成されている。なお前記持上げ層３６は形成されていなくても良く、この場合、前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に直接接続されることになる。
【００６９】
なお図２に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層が２層積層されているが、１層で形成されていてもよい。この場合、例えば前記下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方は絶縁層３０によって埋められ、前記絶縁層３０上にコイル層が形成されることになる。あるいは図２に示す第２のコイル層３３が形成されず、絶縁層３１上に沿って上部コア層２６が形成されることになる。
【００７０】
ところで本発明では図１及び２に示すように、上部コア層２６の先端面２６ｃが、記録媒体との対向面に露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されている。
【００７１】
このように本発明では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが前記記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されることにより、サイドフリンジングの発生を適正に低減することが可能となっている。
【００７２】
図１に示すように前記上部コア層２６の先端面２６ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はＴ１であり、この幅寸法Ｔ１はトラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。このため前記上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出形成されると、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での漏れ磁束によりサイドフリンジングが発生しやすく、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができない。
【００７３】
そこで本発明では、上記したように前記上部コア層２６の先端面２６ｃを記録媒体との対向面からハイト方向に後退させて、前記記録媒体との対向面に前記先端面２６ｃが露出しないようにしている。
【００７４】
これにより記録媒体との対向面に露出する上部磁極層３５と、前記上部コア層２６との間で、サイドフリンジングの発生を適切に防止でき、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００７５】
なお図２、３に示すように、記録媒体との対向面から上部コア層２６の先端面２６ｃまでの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法（＝Ｌ１）以下であり、さらに０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍであることが好ましい。
【００７６】
前記後退距離Ｌ３を、０．８μｍ以下にすることにより、上部コア層２６の磁束を比較的損失なくして、上部磁極層３５に流入させることができる。
【００７７】
また図２に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけて、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面で形成されている。あるいは前記先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけて、ハイト方向に徐々に深くなる曲面で形成されていてもよい。
【００７８】
すなわち前記先端面２６ｃのハイト方向（図示Ｙ方向）に対する傾き角度θ２、あるいは前記先端面２６ｃが曲面で形成されている場合には、前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度θ２が、少なくとも９０°より小さく形成されているのである。
【００７９】
このように前記傾き角度θ２を９０°よりも小さくする利点は、以下の通りである。すなわち図２に示すように前記上部コア層２６上は、例えばＡｌ2Ｏ3等の絶縁材料で形成された保護層３４によって覆われるが、前記傾き角度θ２を９０°よりも小さくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａと記録媒体との対向面間Ｂを、空洞が形成されることなく前記保護層３４によって完全に埋めることができるからである。
【００８０】
このように上部コア層２６の先端面２６ｃの傾き角度θ２は９０°より小さいことが好ましいが、どれだけ小さく形成されてもよいというわけではなく、本発明では、前記上部コア層２６は、前記先端面２６ｃに対する背面２６ｄが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる曲面あるいは傾斜面で形成され、ハイト方向に対する前記傾斜面の傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ１としたとき、前記傾き角度θ２は、前記傾き角度θ１よりも大きいことが好ましいとしている。
【００８１】
このように、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りを防止でき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上を図ることができる。
【００８２】
さらに本発明では、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°の範囲内であることが好ましい。前記先端面２６ｃの傾き角度θ２が、６０°よりも小さく形成されると、上記した前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りが顕著になり、前記先端部２６ａのボリュームが小さくなり、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率が悪化しやすいからである。
【００８３】
なお前記先端面２６ｃが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる曲面で形成される場合、前記曲面は凸形状で形成されてもよいし、あるいは凹形状で形成されていてもよい。
【００８４】
次に図３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向に向かうにしたがって、ハイト方向に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【００８５】
このように前記上部コア層２６の先端面２６ｃはトラック幅方向に、従来のように平面形状で形成されず、曲面形状で形成されることで、前記先端面２６ｃと側面間に角が無くなり、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れをさらに低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【００８６】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００８７】
なお本発明では、前記曲面形状のトラック幅方向での終端部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【００８８】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率を落とすことなく、また上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ一致しても、前記先端面２６ｃからのサイドフリンジングをほぼゼロに抑えることができる。
【００８９】
また図３に示すように前記上部コア層２６は、前記先端面２６ｃの曲面形状の終端部２６ｅ，２６ｅからハイト方向へ延び、且つトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向（図示Ｙ方向）へ向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｇとで構成されるが、この形状に限られない。
【００９０】
例えば前記先端領域Ｆが、上記した仮想線Ｅによって幅寸法がハイト方向にかけて広がるように形成されていてもよい。
【００９１】
以上のように、図１及び２に示す薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層２６の先端部２６ａが記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、さらに、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【００９２】
次に図３に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での上部コア層２６の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっていることがわかる。これにより、前記上部コア層２６からの磁束を、効率よく前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることができる。
【００９３】
本発明では、上部コア層２６と記録コア２４とが重なる部分において、前記上部コア層２６のトラック幅方向における幅寸法は、前記記録コア２４のトラック幅方向における幅寸法の２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。この範囲内であれば、上部コア層２６を記録コア２４上に形成する際、前記記録コア２４の上面を、上部コア層２６の幅寸法内にて確実に重ねやすく、また上部コア層２６からの磁束を上部磁極層３５に効率良く流すことができる。
【００９４】
また図３に示すように、下部磁極層２１、ギャップ層２２及び上部磁極層３５の３層膜で形成された記録コア２４、あるいはギャップ層２２と上部磁極層３５の２層膜で形成された記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されている。
【００９５】
このように前記記録コア２４が、トラック幅Ｔｗよりも広い幅寸法で形成された後端領域Ｄを有することで、上部コア層２６との接触面積を大きくすることができ、前記上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５へ効率よく流すことが可能になっている。
【００９６】
このため記録コア２４上に形成される上部コア層２６は、前記記録コア２４の少なくとも後端領域Ｄに接合されていることが、上部コア層２６と記録コア２４との接触面積を大きくすることができて好ましい。
【００９７】
なお本発明では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。
【００９８】
上記範囲内よりも小さく形成されると、前記記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法があまりにも短くなりすぎ、記録媒体との対向面から露出する記録コア２４の幅寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで規制することが困難となる。
【００９９】
一方、上記範囲内よりも長く形成されると、前記上部コア層２６が、上部磁極層３５の後端領域Ｄ上で重なりにくく、前記上部磁極層３５の先端領域Ｃでの重なりが多くなることにより、上部コア層２６と上部磁極層３５との接触面積を大きくするといった利点を生かすことができなくなる。
【０１００】
図４は、前記記録コア２４の別の形状を示す本発明の薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１０１】
図４に示すように、前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）へ所定の長さ寸法Ｌ５で形成されている。すなわち図４に示す実施例では、図３に示す実施例のように、前記記録コア２４にトラック幅Ｔｗよりも幅寸法の大きい後端領域Ｄは形成されていない。
【０１０２】
図４に示す記録コア２４の形状では、図３に示す記録コア２４の形状に比べて、上部コア層２６との接触面積が小さくなるものの、適切にトラック幅Ｔｗを規制できるといった利点がある。
【０１０３】
なお前記記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内で形成されることが好ましい。前記長さ寸法Ｌ５が０．８μｍ以上であると、上部コア層２６と上部磁極層３５との接触面積を十分に取れるために、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率を落とすことがない。また前記長さ寸法Ｌ５が６．０μｍより大きいと、記録コア２４をメッキで成長させて形成する際に、均一に各層を形成できず、内側の端部で膜厚が先細り、あるいは曲面となり、磁気ギャップ、ギャップデプスＧｄのバラツキが大きくなり好ましくない。
【０１０４】
図４に示す実施例においても図３に示す実施例と同様に、上部磁極層３５上に接合される端部での上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、これにより、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができる。
【０１０５】
また図４に示す上部コア層２６と記録コア２４との重なりの部分の大小比や、前記上部コア層２６の形状等については、図３で説明したのと同じである。
【０１０６】
図５及び図６は、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
図５に示す実施例では、図３と同様に、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面から露出形成されておらず、前記記録媒体との対向面から前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間には、図２に示す保護層３４が埋められている。
【０１０７】
また図５に示す薄膜磁気ヘッドでは、図２に示す薄膜磁気ヘッドと同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが下部コア層側から上部コア層側にかけて、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１０８】
このように、上部コア層２６を記録媒体との対向面からハイト方向に後退させて形成し、しかも前記先端面２６ｃを、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することにより、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間でサイドフリンジングの発生を適切に低減することができ、また上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことができ、さらに前記上部コア層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向面間を、空洞が形成されることなく保護層３４によって完全に埋めることができる。
【０１０９】
なお図５に示す実施例では、図３、４に示す実施例のように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向に深くなる曲面形状で形成されておらず、前記先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に延びる平面形状で形成されている。
【０１１０】
このように図５に示す実施例では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、トラック幅方向において平面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃが、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されることで、前記先端面２６ｃが記録媒体との対向面から露出形成されないため、サイドフリンジングの発生を抑制するには、効果的な構造となっている。
【０１１１】
なお図５に示す実施例では、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状は、図３に示す記録コア２４の形状と同じになっている。
【０１１２】
すなわち前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成される。このように幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも広がる後端領域Ｄが形成されることにより、前記上部磁極層３５と上部コア層２６との接触面積を大きくすることが可能になる。
【０１１３】
そして図５に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能になる。
【０１１４】
図６は、別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分平面図である。
図６に示す実施例では、図５に示す実施例と同様に、上部コア層２６が記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、前記上部コア層２６の下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１１５】
従ってサイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることができると同時に、記録媒体との対向面から前記上部コア層２６の先端面２６ｃ間を保護層３４によって適切に埋めることができ、さらに前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能である。
【０１１６】
またこの実施例においても図５に示す実施例と同様に、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）と平行な方向に平面的に形成されているが、このような形状であっても前記上部コア層２６が記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されることで、サイドフリンジングの発生を従来に比べて低減させることが可能である。
【０１１７】
図６に示す実施例では、記録コア２４が、トラック幅で記録媒体との対向面からハイト方向へ所定の長さ寸法Ｌ５で形成されている。このように前記記録コア２４の幅寸法がトラック幅Ｔｗでのみ形成される場合には、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすい。
【０１１８】
なおこの実施例においても、図６に示すように、前記上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向における幅寸法よりも大きくなっており、前記上部コア層２６からの磁束を、効率良く前記上部磁極層３５に流すことができ、記録特性の向上を図ることが可能になる。
【０１１９】
また図５及び図６に示すように、上部コア層２６は、一定の幅寸法を有する先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に向けてトラック幅方向の幅寸法が漸次的に広がる後端領域Ｇとで構成されているが、これ以外の形状であってもかまわない。例えば、前記先端領域Ｆは、ハイト方向に向けて幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもよい。
【０１２０】
図７は、本発明の別の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図８は、図７に示す８−８線からの断面を矢印方向から見た部分断面図、図９、１０は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１２１】
図７ないし図１０における薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア層２６の形状が異なるものの、それ以外の部分においては同じである。
【０１２２】
すなわち図８に示すように、下部コア層２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層３５の２層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。
【０１２３】
図８に示すように、下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との対向面に露出形成されている。
【０１２４】
また前記コイル層２９上には、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【０１２５】
前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にされている。
【０１２６】
この実施例においては、図１ないし６に示す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されていない。前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体との対向面に位置している。
【０１２７】
図８に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、前記上部コア層２６の下部コア層側から上部コア層側（図示Ｚ方向）にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されている。
【０１２８】
また図８に示すように、前記先端面２６ｃよりもハイト側に位置する背面２６ｄが、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されるが、前記背面２６ｄのハイト方向に対する傾きをθ１（前記背面２６ｄが曲面で形成されている場合には、前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度θ１）とし、前記先端面２６ｃのハイト方向に対する傾きをθ２としたときに、前記傾き角度θ２は、前記傾き角度θ１よりも大きいことが好ましい。
【０１２９】
このように、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２を、背面２６ｄの傾き角度θ１よりも大きくすることで、前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状の先細りを防止でき、前記先端部２６ａのボリュームを有効に大きくでき、上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことが可能になり、記録特性の向上を図ることができる。
【０１３０】
また本発明では、上記条件に加えて、前記先端面２６ｃの傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０°の範囲内であることが好ましい。前記先端面２６ｃの傾き角度θ２が、６０°よりも小さく形成されると、上記した前記上部コア層２６の先端部２６ａ形状が先細って形成されやすくなり、よって前記先端部２６ａのボリュームが小さくなり、前記上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束の効率が悪化しやすいからである。
【０１３１】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃを下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することにより、次に説明する前記先端面２６ｃのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における曲面形状と相俟って、サイドフリンジングの発生を適切に抑制できるものとなっている。
【０１３２】
本発明では、図９に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に徐々に後退する曲面形状で形成されている。
【０１３３】
このように前記上部コア層２６の先端面２６ｃがトラック幅方向（図示Ｘ方向）にて、ハイト方向に後退する曲面形状で形成されることで、記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃは、図７に示すように符号２６ｈの部分だけであり、わずかに上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出する構成となる。
【０１３４】
すなわち本発明では前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうに従ってハイト方向に後退する曲面形状で形成し、しかも前記先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することで、上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面にわずかに露出するだけとなり、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れを低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【０１３５】
なお記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｈの部分は、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。これにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止することが可能である。
【０１３６】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向（図示Ｘ方向）にて曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向にて平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１３７】
なお本発明では、前記先端面２６ｃのトラック幅方向での終端部２６ｅ，２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【０１３８】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていてもサイドフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１３９】
図１０に示す実施例においても、図９に示す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に両側に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に深くなる曲面形状で形成されている。
【０１４０】
図９と図１０の相違点は、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、図９では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側
終端を起点としてハイト方向にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されているのに対し、図１０では前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形成されていない。
【０１４１】
図９に示す記録コア２４の形状では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が短すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体との対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが所定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後端領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を大きくできるという利点があり、一方、図１０に示す記録コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積は、図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点がある。
【０１４２】
なお図９における記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内であることが好ましく、図１０に示す記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内であることが好ましい。理由は上述した通りである。
【０１４３】
また図９及び図１０に示すように、上部磁極層３５上に接合されている端部での前記上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従って前記上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能になっている。なお、重ねられる部分の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対する上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。理由は上述した通りである。
【０１４４】
また図９及び図１０に示すように、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端を起点としてハイト方向に漸次的にトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成されているが、本発明では、この形状に限られず、他の形状で形成されていてもかまわない。例えば図９に示す仮想線Ｅに沿って、前記上部コア層２６の先端領域Ｆの幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもかまわない。
【０１４５】
図１１は、本発明の薄膜磁気ヘッドの別の実施形態を示す部分正面図、図１２は、図１１に示す１２−１２線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分断面図、図１３，１４は薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１４６】
図１１ないし図１４における薄膜磁気ヘッドは、図１ないし図６に示す薄膜磁気ヘッドと上部コア層２６の形状が異なるものの、それ以外の部分においては同じである。
【０１４７】
すなわち図１２に示すように、下部コア層２０上には、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さ寸法Ｌ１で形成された記録コア２４が形成されており、前記記録コア２４は、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２、及び上部磁極層３５の２層膜で構成されている。また前記下部コア層２０と記録コア２４との間には、Ｇｄ決め絶縁層２７が形成され、記録媒体との対向面から前記Ｇｄ決め絶縁層２７の前面までの長さ寸法Ｌ２がギャップデプス（Ｇｄ）として規制される。
【０１４８】
図１２に示すように、下部コア層２０上であって、記録コア２４のハイト方向後方には、絶縁下地層２８を介してコイル層２９が螺旋状に巻回形成されている。さらに前記コイル層２９の各導体部のピッチ間は無機絶縁材料等で形成された絶縁層３０によって覆われ、前記絶縁層３０は図１に示すように、記録媒体との対向面に露出形成されている。なお図１に示すように前記下部コア層２０の上面には傾斜面２０ｂ，２０ｂが形成されていてもよい。これによりサイドフリンジングの発生をより適正に防止することができる。
【０１４９】
また前記コイル層２９上には、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３１が形成され、前記絶縁層３１の上には第２のコイル層３３が螺旋状に巻回形成されている。
【０１５０】
前記第２のコイル層３３上は、有機絶縁材料等で形成された絶縁層３２に覆われ、さらに前記絶縁層３２上には上部コア層２６が、例えばフレームメッキ法等によりパターン形成されている。前記上部コア層２６の先端部２６ａは、上部磁極層３５上に重ねられて形成され、前記上部コア層２６と上部磁極層３５とが磁気的に接続された状態にされる。また前記上部コア層２６の基端部２６ｂは、下部コア層２０上に形成された磁性材料製の持上げ層３６上に磁気的に接続された状態にされている。
【０１５１】
この実施例においては、図１ないし６に示す実施例のように、前記上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に後退して形成されていない。前記上部コア層２６の先端面２６ｃは記録媒体との対向面まで延ばされて形成され、その一部が前記記録媒体との対向面に位置している。
【０１５２】
本発明では、図１３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃが、両側端部に向かうにしたがって、ハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形状で形成されている。
【０１５３】
なおこの実施例においては、図１ないし６に示す実施例、及び図７ないし１０に示す実施例にように、上部コア層２６の先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されておらず、前記先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に沿って形成されている。
【０１５４】
このため図１１に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面において、その下部コア層側から上部コア層側にかけて一定の幅寸法を有する符号２６ｉの部分が露出する。
【０１５５】
以上のように、上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されているから、前記先端面２６ｃが記録媒体との対向面に位置しても、前記記録媒体との対向面からの露出部分は、図１１に示す符号２６ｉの部分だけであり、わずかに上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面に露出する構成となる。
【０１５６】
したがって、前記上部コア層２６と上部磁極層３５間での磁束漏れを低減させることができ、サイドフリンジングの発生をより低減させることが可能である。
【０１５７】
なお記録媒体との対向面に露出する上部コア層２６の先端面２６ｃの符号２６ｉの部分は、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも小さいことが好ましい。これにより、サイドフリンジングの発生をより適切に防止することが可能である。
【０１５８】
また前記上部コア層２６の先端面２６ｃをトラック幅方向に曲面形状にすることで、上部磁極層３５に対する前記上部コア層２６の形成位置が、多少トラック幅方向（図示Ｘ方向）にずれても、前記先端面２６ｃがトラック幅方向に平面形状で形成されている場合に比べてサイドフリンジングの影響を少なくすることができる。よって上部コア層２６の上部磁極層３５に対するアライメント精度が、多少低下してもサイドフリンジングの発生を適切に低減させることができる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１５９】
なお本発明では、前記先端面２６ｃの終端部２６ｅに接する接線を仮想線Ｅとしたときに、前記トラック幅方向（図示Ｘ方向）に対する前記仮想線Ｅの傾きθ４が、３０°以上６０°以下となっていることが好ましい。
【０１６０】
前記傾きθ４を３０°以上６０°以下とすることで、上部コア層２６から上部磁極層３５へ流れる磁束伝達効率の維持と、上部コア層２６の先端面２６ｃが記録媒体との対向面とほぼ同じ位置に形成されていてもサイドフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１６１】
図１４に示す実施例においても、図１３に示す実施例と同様に、上部コア層２６の先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向（図示Ｙ方向）に後退する曲面形状で形成されているが、図１ないし図６に示す実施例、及び図７ないし図１０に示す実施例のように、前記先端面２６ｃには、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面は形成されていない。
【０１６２】
図１３と図１４の相違点は、前記上部コア層２６の下側に形成される記録コア２４の形状にあり、図１３では前記記録コア２４は、記録媒体との対向面からハイト方向にトラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃと、前記先端領域Ｃのハイト側終端からハイト方向にかけてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域Ｄとで構成されているのに対し、図１４では前記記録コア２４は、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面からハイト方向に所定長さＬ５で形成され、後端領域Ｄは形成されていない。
【０１６３】
図１３に示す記録コア２４の形状では、トラック幅Ｔｗで形成された先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４が短すぎると、薄膜磁気ヘッドの製造時における記録媒体との対向面への加工等によって、前記トラック幅Ｔｗが所定寸法よりも広がってしまう可能性があるものの、後端領域Ｄの存在により、上部コア層２６との接触面積を大きくできるという利点があり、一方、図１４に示す記録コア２４の形状では、上部コア層２６との接触面積は、図９に示す実施例に比べて小さくなるものの、トラック幅Ｔｗを所定寸法内に規制しやすいといった利点がある。
【０１６４】
なお図１３に示す記録コア２４の先端領域Ｃの長さ寸法Ｌ４は、０．２μｍ＜Ｌ４≦３．０μｍの範囲内であることが好ましく、また図１４に示す記録コア２４の長さ寸法Ｌ５は、０．８μｍ≦Ｌ５≦６．０μｍの範囲内であることが好ましい。理由は上記した通りである。
【０１６５】
また図１３及び図１４に示すように、上部磁極層３５上に接合される端部での上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層３５のトラック幅方向の幅寸法よりも大きくなっており、従って前記上部コア層２６からの磁束を効率良く前記上部磁極層３５に流すことが可能になっている。前記重ねられる部分の記録コア２４のトラック幅方向の幅寸法に対する上部コア層２６のトラック幅方向の幅寸法は、２倍〜２．５倍程度であることが好ましい。理由は上記した通りである。
【０１６６】
また図１３及び図１４に示すように、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向に一定の幅寸法で形成された先端領域Ｆと、前記先端領域Ｆのハイト側終端からハイト方向に漸次的にトラック幅方向の幅寸法が広がる後端領域Ｇとで構成されているが、本発明では、この形状に限られず、他の形状で形成されていてもかまわない。
【０１６７】
例えば図１３に示す仮想線Ｅに沿って、前記上部コア層２６の先端領域Ｆの幅寸法が徐々に広がるように形成されていてもかまわない。
【０１６８】
以上のように本発明における薄膜磁気ヘッドによれば、上部コア層２６を、記録媒体との対向面からハイト方向に後退させ、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成し、さらに前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、あるいは、前記上部コア層２６を、記録媒体との対向面からハイト方向に後退させ、しかも前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成することで、または前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成し、しかも前記先端面２６ｃをトラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、または前記上部コア層２６の先端面２６ｃを、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することで、従来に比べてサイドフリンジングの発生を抑制することができ、さらに上部コア層２６からの磁束を、上部磁極層３５に効率良く流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０１６９】
次に本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法について図面を参照しながら説明する。
【０１７０】
図１５ないし図２１に示す図は、図１ないし図４に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す工程図である。図１５ないし図１８では、左側に薄膜磁気ヘッドの部分正面図が、右側にその部分断面図が示されている。
【０１７１】
図１５では、右図に示されているように下部コア層２０上にＧｄ決め絶縁層２７を形成した後、前記下部コア層２０上に高さ寸法ｈ３を有するレジスト層４０を形成する。前記高さ寸法ｈ３は、例えば４．０μｍ程度で形成される。
【０１７２】
次に前記レジスト層４０に露光現像によって、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定長さ寸法Ｌ６を有する溝部４０ａを形成する。前記溝部４０ａの幅寸法ｔ２は、例えば０．４５μｍ程度で形成される。なお前記幅寸法ｔ２は、トラック幅Ｔｗとして規制される幅であるので、できる限り小さく形成されることが好ましく、例えば前記幅寸法は露光の際に使用されるｉ線の限界値で形成されることが好ましい。
【０１７３】
次に図１５の左図に示すように、前記溝部４０ａ内に、下から下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５を連続メッキして積層する。このように連続メッキするには、前記ギャップ層２２を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成する必要がある。具体的には、前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択することが好ましい。
【０１７４】
そして前記溝部４０ａ内に形成された３層膜により、記録コア２４が構成される。なお前記記録コア２４は３層膜に限られない。例えば前記記録コア２４はギャップ層２２と上部磁極層３５とで構成されていてもかまわない。
【０１７５】
そして前記レジスト層４０を除去する。その状態を示したのが図１６である。下部コア層２０に形成された記録コア２４の幅寸法はトラック幅Ｔｗとして規制され、前記トラック幅Ｔｗは０．７μｍ以下であることが好ましく、より好ましくは０．５μｍ以下である。
【０１７６】
また前記記録コア２４の高さ寸法ｈ４は、１μｍ≦ｈ４≦４μｍの範囲内であることが好ましい。例えば下部磁極層２１の高さ寸法は、０．３μｍ程度で形成され、ギャップ層２２の高さ寸法は、０．２μｍ程度で形成され、また上部磁極層３５の高さ寸法は、３．０μｍ〜３．３μｍ程度で形成される。
【０１７７】
次に図１７に示すように、下部コア層２０上、さらには記録コア２４上を絶縁層３０によって埋める。前記絶縁層３０を形成する絶縁材料としては、無機絶縁材料であることが好ましい。具体的には、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種から選択されることが好ましい。
【０１７８】
このように前記絶縁層３０を無機絶縁材料で形成する理由は、次に行なわれるＣＭＰ技術によって前記絶縁層３０の表面を研磨加工し易くするためである。
【０１７９】
図１７に示すように前記絶縁層３０をＨ−Ｈ線から、ＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。これによって前記絶縁層３０の表面は平坦化され、また前記絶縁層３０の表面からは上部磁極層３５の表面が露出する。その状態を示したのが図１８である。
【０１８０】
図１７工程で、ＣＭＰ技術によって記録コア２４の表面が削られたことにより、図１８に示すように、記録コア２４の高さ寸法は、ｈ５になり、前記高さ寸法ｈ５は、例えば２．４μｍ〜２．７μｍ程度になる。また図１８の右図に示すように、Ｇｄ決め絶縁層２７上での上部磁極層３５の高さ寸法はｈ６であり、前記高さ寸法ｈ６は、１．４μｍ〜１．７μｍ程度である。
【０１８１】
ところで本発明の製造方法によれば、記録コア２４の高さ寸法ｈ５、及びＧｄ決め絶縁層２７上での上部磁極層３５の高さ寸法ｈ６を所定寸法内に形成しやすく、再現性の高い薄膜磁気ヘッドの製造が可能になっている。
【０１８２】
その理由は、従来のように下部コア層２０の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工程を行っていないからである。従来では、サイドフリンジングの発生を抑制するために前記トリミング工程は欠かせない工程となっており、しかしながら前記トリミング工程によって、上部磁極層３５の高さ寸法の著しい減少や、トラック幅Ｔｗのバラツキ等が発生し、製造時における再現性は非常に低いものとなっていた。
【０１８３】
一方、本発明においては、記録コア２４を構成するギャップ層２２をメッキ可能な非磁性金属材料で形成することによって、図１５に示すレジスト層４０の溝部４０ａ内に、下から順に下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５を連続してメッキ形成することができる。
【０１８４】
このため本発明では、下部コア層２０上からトラック幅Ｔｗで突出する下部磁極層２１と、さらにその上にトラック幅Ｔｗのギャップ層２２を、下部コア層２０の膜面に対し垂直に近い方向からのトリミング工程を行わずとも形成できるので、上部磁極層３５と下部コア層２０間でのサイドフリンジングが発生しにくい構造の薄膜磁気ヘッドを、トリミング工程を行わず形成することが可能になる。
【０１８５】
ただし本発明において図１６に示す工程の際に、トリミング工程を行っても良い。ただし前記トリミング工程は、下部コア層２０の膜面に対し、斜め方向からイオン照射が行なわれ、前記イオン照射角度は、前記膜面の垂直方向に対し４５°〜７５°、より好ましくは６０°〜７５°の範囲内であることが好ましい。
【０１８６】
上記したイオン照射角度を有するトリミング工程では、従来のように、イオン照射によって削られた磁粉が記録コア２４の両側に付着することがなく、また本発明では、下部コア層２０の膜面に対してより垂直方向に近いイオン照射角度を有するイオンミリングを行わないため、本発明では、上記した下部コア層２０の膜面に対し斜め方向からのトリミング工程を行っても、記録コア２４の形状にばらつき等が発生しにくく、また記録コア２４の高さ寸法が著しく減少するといった問題も発生しない。
【０１８７】
本発明では、前記トリミング工程により、記録コア２４のトラック幅Ｔｗを、さらに小さくでき今後の狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造でき、しかも前記記録コア２４の下面の両側から延びる下部コア層２０の両側上面に、傾斜面２０ｂ，２０ｂ（図１参照）を形成することができ、さらにサイドフリンジングの発生を抑制可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８８】
次に、前記絶縁層３０上にコイル層や前記コイル層を覆う絶縁層３２を形成する。そして前記上部磁極層３５及び絶縁層３０、さらに前記絶縁層３２の表面に図１９に示すレジスト層４１を形成する。なお図１９は、薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１８９】
図１９に示すように前記レジスト層４１に、上部コア層２６の抜きパターン４１ａを形成する。
【０１９０】
図１９に示すように、前記パターン４１ａの先端面４１ｂは、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成されており、しかも前記先端面４１ｂは、トラック幅方向の両側端部４１ｃ，４１ｃに向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されている。
【０１９１】
上記パターン４１ａを形成するには、本発明では、以下のような工夫がなされている。すなわち本発明では、露光の際に光を照射する部分は、レジスト層４１のうちパターン４１ａ以外の部分４１ｄであり、光の照射されたレジスト層４１ｄの部分を現像し、前記レジスト層４１ｄを残して、パターン４１ａのレジスト層４１を除去する（イメージリバース）。
【０１９２】
これは従来とは逆の露光現像のやり方であり、従来では、上部コア層２６のパターンとなる４１ａの部分に光を照射していた。
【０１９３】
本発明において、パターン４１ａ以外のレジスト層４１ｄに光を照射し現像して、光が照射されていないパターン４１ａの部分を除去する理由は、残されるレジスト層４１ｄの形状に関係している。
【０１９４】
図２０は、本発明における薄膜磁気ヘッドの部分断面図である。なお図２０では、薄膜磁気ヘッドの先端付近の形状のみが示されている。
【０１９５】
図２０に示すように、絶縁層３０及び上部磁極層３５上には、レジスト層４１ｄが残されている。このうち、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で残されるレジスト層４１ｄ１は、その背面４１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけて（図示Ｚ方向）、ハイト方向（図示Ｙ方向）に傾く傾斜面あるいは曲面で残される。
【０１９６】
前記レジスト層４１ｄ１が、上記のような形状で残される理由は、露光現像によって残されるレジスト層４１ｄに光りを当てているからであり、逆に、除去されるパターン４１ａの部分に光りを当てて、前記レジスト層４１ｄの部分に光りを当てないと、残されるレジスト層４１ｄ１は、図２２に示すように、その背面４１ｄ２が、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に傾く傾斜面あるいは曲面として残されるのである。
【０１９７】
図２０に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に所定の長さ寸法で残されるレジスト層４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に傾く傾斜面あるいは曲面が形成されていると、前記パターン４１ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキ形成することによって、図２１に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面を形成することが可能になっている。
【０１９８】
図２２に示すように、残されたレジスト層４１ｄ１の背面４１ｄ２に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向（図示Ｙ方向）と逆方向に傾く傾斜面あるいは鏡面が形成されていると、パターン４１ａ内に上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキしたとき、図２３に示すように、前記上部コア層２６の先端面２６ｃには、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向とは逆方向の傾斜面あるいは曲面が形成されることになる。
【０１９９】
図２３に示す薄膜磁気ヘッドの場合では、前記上部コア層２６の先端面２６ｃと記録媒体との対向面間Ｂの部分に、Ａｌ2Ｏ3等の保護層３４を形成する際、前記Ｂの部分を完全に前記保護層３４によって埋め難く、前記Ｂの部分に空洞が形成されやくなる。
【０２００】
このため、本発明では前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面が形成されるのように、図１９に示す工程で、上部コア層２６のパターン４１ａ以外の部分のレジスト層４１ｄに光を照射しその後現像し、これによって除去されるパターン４１ａの先端面を、下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面としているのである。
【０２０１】
なお、図１５ないし図２１に示す工程図は、上記したように、上部コア層２６が、記録媒体との対向面からハイト方向に後退し、前記上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成される薄膜磁気ヘッドの製造方法について説明したが、他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの製造工程は以下の通りである。
【０２０２】
図５及び６に示す実施例では、上部コア層２６は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）に後退して形成され、しかも上部コア層２６の先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成されるが、前記先端面２６ｃは、トラック幅方向（図示Ｘ方向）にて曲面形状で形成されておらず前記先端面２６ｃは、トラック幅方向に平面形状で形成されている。
【０２０３】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図５あるいは６に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンをレジスト層４１に形成するために、前記パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像することで、除去されるパターンの部分の先端面を下部コア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体との対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形成する。そして前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図５あるいは６に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２０４】
次に図７ないし図１０に示す実施例では、上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面で形成され、さらに前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されている。
【０２０５】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図９または図１０に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンをレジスト層４１に形成するために、前記パターン以外の部分の領域に光を照射し、その後現像することで、除去されるパターンの部分の先端面を下部コア層側から上昇するにしたがてハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とし、このとき前記先端面を記録媒体との対向面の形成位置と同じ位置に合わせる。そして前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図９あるいは１０に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２０６】
次に図１１ないし図１４に示す実施例では、上部コア層２６の先端面２６ｃは、記録媒体との対向面に位置し、しかも前記先端面２６ｃは、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成されているが、前記先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されておらず、記録媒体との対向面に沿って形成されている。
【０２０７】
上記構成の場合、図１９に示す工程の際に、図１３または図１４に示す上部コア層２６と同じ形状となるパターンを露光現像によってレジスト層４１に形成する。
【０２０８】
前記露光現像の際、前記パターンの部分に光りを照射してもよいし、あるいは前記パターン以外の部分に光を照射してもどちらでも良い。上記構成の場合、先端面２６ｃは、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成されないから、露光現像の際における光の照射の箇所は、上部コア層２６のパターンの部分でもよいし、前記パターン以外の部分でもどちらでもよいのである。
【０２０９】
そして露光現像によって上部コア層２６のパターンを形成した後、前記パターン内に、上部コア層２６の材質となる磁性材料をメッキすると、図１３あるいは１４に示す形状の上部コア層２６を形成することができる。
【０２１０】
以上のように本発明の製造方法によれば、下部磁極層２１、ギャップ層２２、及び上部磁極層３５の３層膜、あるいはギャップ層２２及び上部磁極層３５の２層膜で構成されるトラック幅Ｔｗを規制する記録コア２４を、連続メッキで形成することができ、よって従来のように下部コア層２０の膜面に対して垂直方向に近い方向からのイオン照射角度を有するトリミング工程の必要性がなく、再現性が高い薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１１】
また本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法によれば、上部コア層２６をパターン形成する際に使用するレジスト層を、上部コア層２６のパターンとなる部分以外のレジスト層に光を照射しその後現像することによって、前記パターンの先端面を下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面あるいは曲面とすることができ、よって、上部コア層２６の先端面２６ｃに、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面あるいは曲面を形成することが可能である。
【０２１２】
なお本発明では、図１５ないし図１８に示すように、下部コア層２０上にまず記録コア２４を形成し、その後、前記記録コア２４の周囲を絶縁層３０によって埋めているが、この方法に限るものではない。
【０２１３】
例えば下部コア層２０上にまず絶縁層３０を形成し、前記絶縁層３０に溝を形成した後、前記溝内に記録コア２４を形成する方法であってもよい。
【０２１４】
【発明の効果】
以上、詳細に説明した本発明によれば、上部コア層の先端面を、ハイト方向から後退した位置に形成し、しかもその下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面で形成することにより、サイドフリンジングの発生を抑制することができると同時に、上部コア層からの磁束を効率良く上部磁極層に流すことができ、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１５】
また上部コア層の先端面は、トラック幅方向の両側に向かうにしたがってハイト方向に後退する曲面形状で形成することが最も好ましい形態であり、これによりさらにサイドフリンジングの発生を抑制することができる。
【０２１６】
また本発明の製造方法によれば、下部コア層に対し垂直方向に近い方向のイオン照射角度を有するトリミング工程を必要としなくても、サイドフリンジングの発生の抑制に適した薄膜磁気ヘッドを製造することができるので、再現性良く薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１７】
また前記上部コア層を形成するために必要なレジスト層に露光現像する際に、前記上部コア層のパターンとなる部分以外のレジスト層に光を照射することにより、パターン形成される上部コア層の先端面に、その下部コア層側から上部コア層側にかけてハイト方向に深くなる傾斜面または曲面を容易に形成することが可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】図１に示す２−２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図３】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図４】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図５】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図６】図１及び図２に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図７】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図８】図７に示す８−８線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図９】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１０】図７及び図８に示す薄膜磁気ヘッドの他の形状を示す部分平面図、
【図１１】本発明における他の実施の形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図１２】図１１に示す１２−１２線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図１３】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１４】図１１及び図１２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図１５】本発明における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す部分平面図と部分断面図、
【図１６】図１５工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１７】図１６工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１８】図１７工程の次に行なわれる工程を示す部分正面図と部分断面図、
【図１９】図１８工程の次に行なわれる工程を示す部分平面図、
【図２０】図１９工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２１】図２０工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２２】図１９工程の次に行なわれる他の形態を示す部分断面図、
【図２３】図２２工程の次に行なわれる工程を示す部分断面図、
【図２４】従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２５】図２４に示す薄膜磁気ヘッドの部分断面図、
【図２６】従来における薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す部分正面図、
【図２７】図２６工程の次に行なわれる部分正面図、
【図２８】図２７工程の次に行なわれる部分正面図、
【図２９】図２８工程の次に行なわれる部分正面図、
【図３０】図２９工程の次に行なわれる部分正面図、
【図３１】図３０工程の次に行なわれる部分平面図、
【図３２】図３１工程の次に行なわれる部分断面図、
【符号の説明】
２０ 下部コア層
２１ 下部磁極層
２２ ギャップ層
２４ 記録コア
２６ 上部コア層
２６ａ 先端部
２６ｂ 基端部
２６ｃ 先端面
２６ｄ 背面
２６ｅ 終端部
２７ Ｇｄ決め絶縁層
３４ 保護層
Claims (11)
- 下部コア層と、
前記下部コア層上に下部磁極層、ギャップ層、及び上部磁極層の順に積層され、あるいはギャップ層及び上部磁極層の順に積層されて、記録媒体との対向面に露出する記録コアと、
前記記録コアの前記上部磁極層の上に磁気的に接合される上部コア層と、
前記下部コア層、記録コア及び上部コア層に記録用の磁界を誘導するコイルとを有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記記録コアは、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有し、
前記上部コア層の記録媒体との対向側に向く先端面は、記録媒体との対向面からハイト方向へ後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体は、下部コア層側から上部コア層側に向けてハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面あるいは曲面であるとともに、トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に深くなる曲面形状で形成され、
前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面までの最短の後退距離Ｌ３は、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下であるとともに、前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成され、
前記上部磁極層上に接合されている端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法は、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層は、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されていることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記後退距離Ｌ３は、０μｍ＜Ｌ３≦０．８μｍである請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記上部コア層には、前記先端面よりもハイト側に位置するする背面が形成されており、前記背面は、下部コア層側から上部コア層側に向けて、ハイト方向へ徐々に深くなる曲面あるいは傾斜面であり、
前記背面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ１、
前記上部コア層の前記先端面に形成されている前記傾斜面のハイト方向に対する傾き角度、あるいは前記曲面の下部コア層側の終端と上部コア層側の終端との中点における接線のハイト方向に対する傾き角度をθ２としたときに、
前記θ２が前記θ１よりも大きい請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。 - 前記傾き角度θ２は、６０°≦θ２＜９０である請求項３記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記曲面形状のトラック幅方向での終端部に接する接線を仮想線としたときに、前記トラック幅方向に対する前記仮想線の傾きが、３０°以上６０°以下である請求項１ないし４のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記上部コア層は、前記先端面の曲面形状の終端部からハイト方向へ延び且つトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有する請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記ギャップ層は、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成されている請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記非磁性金属材料は、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択されたものである請求項７記載の薄膜磁気ヘッド。
- （ａ）下部コア層上の上に、下部磁極層、ギャップ層及び上部磁極層の順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記下部磁極層と上部磁極層のトラック幅方向の寸法を決め、またはギャップ層及び上部磁極層が順に積層され且つ記録媒体との対向面で前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法を決めるとともに、記録媒体との対向面からハイト方向へ向けてトラック幅方向の幅寸法が一定の先端領域と、前記先端領域のハイト側終端を起点としてハイト方向へトラック幅方向の幅寸法が徐々に広がる後端領域とを有する記録コアを形成する工程と、
（ｂ）前記（ａ）の工程の前にまたは前記（ａ）の工程の後に、前記記録コアの周囲に絶縁層を形成し、前記記録コアと前記絶縁層の上面を同一平面にする工程と、
（ｃ）前記記録コアと前記絶縁層の上にレジスト層を形成する工程と、
（ｄ）前記レジスト層に、上部コア層を形成するための抜きパターンを形成し、このとき、前記レジスト層の前記パターン以外の領域を露光し、その後に現像することで、前記パターンの前記上部コア層の先端面となる面の全体を、下部コア層側から上昇するにしたがってハイト方向へ後退する傾斜面または曲面とするとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状とし、このとき前記先端面となる面を記録媒体との対向面の形成位置からハイト方向へ後退した位置に形成するとともに、前記記録媒体との対向面から前記上部コア層の先端面となる面までの最短の後退距離Ｌ３を、前記記録コアの前記対向面からハイト方向への最長長さ寸法以下に、且つ前記記録コアの前記先端領域の長さ寸法よりも短く形成し、さらに前記上部磁極層上に接合される端部での前記上部コア層のトラック幅方向の幅寸法が、前記上部磁極層のトラック幅方向の幅寸法よりも大きく、前記上部コア層が、前記記録コアの前記後端領域の全面に接合されているように、前記パターンの幅寸法を規定する工程と、
（ｅ）前記パターン内に、磁性材料をメッキ形成し、前記パターンにしたがって、先端面が記録媒体との対向面からハイト方向に後退した位置にあり、且つ前記先端面の全体が下部コア層側から離れるにしたがってハイト方向へ徐々に深くなる傾斜面または曲面となるとともに、前記トラック幅方向の両側に向うにしたがってハイト方向に徐々に後退する曲面形状となる上部コア層を形成する工程と、
を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記ギャップ層を、メッキ形成可能な非磁性金属材料で形成する請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記非磁性金属材料を、ＮｉＰ、ＮｉＰｄ、ＮｉＷ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒのうち１種または２種以上から選択する請求項１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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