JP3866472B2 - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア層間にコイル層が形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に上部コア層の形成を適正に行うことができ、狭トラック化と共に、オーバーライト特性を向上させることができ、しかもライトフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３０は、従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
この薄膜磁気ヘッドは、ハードディスクなどの記録媒体に対向する浮上式磁気ヘッドのスライダのトレーリング側端面に設けられており、記録用のインダクティブヘッドである。
【０００３】
符号１は、例えばＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部コア層である。前記下部コア層１の上には、例えばＡｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの非磁性材料で形成されたギャップ層２が設けられている。さらに前記ギャップ層２上には、レジスト材料やその他の有機材料で形成された絶縁層９が形成されている。
【０００４】
前記絶縁層９上には、Ｃｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によりコイル層４が螺旋状に形成されている。なお前記コイル層４は、後述する上部コア層６の基端部６ｂの周囲を周回するように形成されているが、図３０では前記コイル層４の一部のみが現れている。
【０００５】
そして前記コイル層４は、有機材料などの絶縁層５によって覆われており、前記絶縁層５の上に、パーマロイなどの磁性材料によってメッキされて上部コア層６が形成されている。上部コア層６の先端部６ａは、記録媒体との対向部において、下部コア層１上に前記ギャップ層２を介して接合され、ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部コア層６の基端部６ｂは、ギャップ層２に形成された穴を介して、下部コア層１に磁気的に接続されている。
【０００６】
前記上部コア層６の先端部６ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成され、近年の高記録密度化に伴い、前記トラック幅Ｔｗはより小さく形成される必要性がある。
【０００７】
書込み用のインダクティブヘッドでは、コイル層４に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と上部コア層６の先端部６ａとの磁気ギャップ部分からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した薄膜磁気ヘッドの上部コア層６は、フレームメッキ法によって形成される。前記上部コア層６を形成する際の一工程を表したのが、図３１である。
【０００９】
図３１に示すように、コイル層４を形成し、前記コイル層４を絶縁層５で覆った後、先端付近に露出するギャップ層２上から前記絶縁層５上にかけて、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料の下地層７を形成する。
【００１０】
次に、前記下地層７上にレジスト層８を形成した後、露光現像によって、上部コア層６の形状パターンを前記レジスト層８に形成し、前記パターン内から露出する下地層７上に、磁性材料の層（上部コア層６）をメッキ形成する。そして、残されたレジスト層８を除去すると、図３０に示す上部コア層６が完成する。
【００１１】
しかしながら従来の薄膜磁気ヘッドでは、構造上、上部コア層６を形成する際に次のような問題点がある。
【００１２】
図３１に示すように、下部コア層上には、絶縁層９、コイル層４及び絶縁層５の積層により、前記積層膜が下部コア層１表面から厚さＨ３で盛り上がり、従って前記コイル層４等が形成されていない下部コア層１上、すなわち前記下部コア層１の先端付近上に形成されるレジスト層８の膜厚Ｈ１が非常に厚くなり、逆に、前記絶縁層５上に形成されるレジスト層８の膜厚Ｈ２は、薄く形成される。
【００１３】
このため前記レジスト層８を露光現像する際に、焦点深度を合わせにくく、前記レジスト層８に上部コア層６のパターンを所定形状に形成しづらく、パターン精度を低下させる原因となっている。
【００１４】
特に上記したように、上部コア層６の先端部６ａは、その幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され、今後の高記録密度化に伴い、前記トラック幅Ｔｗはより小さく形成されなければならない。
【００１５】
上記したように、前記上部コア層６の先端部６ａが形成されるべき部分のレジスト層８の膜厚Ｈ１は非常に厚いために、この膜厚Ｈ１のレジスト層８部分にパターンを形成するには、露光現像の際に、深い焦点深度を必要とするが、前記焦点深度を深くしようとすると、解像度を悪化させ、所定寸法のトラック幅Ｔｗより、前記上部コア層６の先端部６ａの幅は広がって形成されてしまう。
【００１６】
また下部コア層１上に形成される絶縁層５，９及びコイル層４の盛り上がりにより、レジスト層８の膜厚が、均一でないために、露光現像の際に乱反射が起こり易く、これにより前記上部コア層６を所定形状に、特に前記上部コア層６の先端部６ａの幅寸法を、所定寸法のトラック幅Ｔｗに形成できなくなる。
【００１７】
上記した問題を解決するため、例えば前記絶縁層５，９及びコイル層４の形成位置を、ハイト方向（図示Ｙ方向）にずらして形成し、前記コイル層４等が形成されていない下部コア層１上の先端付近の長さ寸法Ｔ１を延ばすことにより、前記長さ寸法Ｔ１上に形成されるレジスト層８の膜厚を、図３１に示す場合に比べ薄く形成でき、これにより上部コア層６の先端部６ａの幅寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで形成しようとする方法がある。
【００１８】
しかしながら上記の場合であっても、レジスト層８の膜厚が不均一になることに変わりはなく、依然として露光現像の際における乱反射等の影響で、上部コア層６を所定形状で形成しづらい。
【００１９】
また、コイル層４をハイト方向（図示Ｙ方向）にずらして形成すると、上部コア層６の先端部６ａは、長く形成されることになるが、前記先端部６ａはトラック幅Ｔｗの細長形状で形成されるので、前記先端部６ａにて磁気的飽和が起こり易くなり、ＯＷ（オーバーライト）特性を低下させる原因となる。
【００２０】
なおオーバーライトとは重ね書きのことであり、ＯＷ特性は、まず低周波で記録をし、さらに高周波で重ね書きをし、その状態で低周波での記録信号の残留出力が、高周波で重ね書きする前の前記低周波での記録信号の出力からどれほど低下したかで評価する。
【００２１】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、上部コア層を所定形状に形成することができると共に、ＯＷ特性を向上させ、さらにはライトフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層にトラック幅Ｔｗで形成された非磁性のギャップ層、上部コア層、及び前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層には記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法にて下部磁極層が形成され、前記下部磁極層にはギャップ層と接する部分において前記トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されてこの隆起部上にギャップ層が接しており、
前記下部磁極層と下部コア層との段差内には、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層が形成され、
下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面のハイト方向後方には平坦化面が広がっており、
前記ギャップ層上には、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と、前記先端部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成された上部磁極層が形成され、
前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層が形成され、
前記上部コア層は前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きく形成され、この上部コア層は前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらされて接合されることを特徴とするものである。
【００２３】
本発明は、上部コア層を所定形状に形成すべきことを主目的とし、その目的を達成するために、特にコイル層の形成位置を従来と変えている点に大きな特徴がある。
【００２４】
すなわち従来では、前記コイル層はギャップ層上に形成されていたが、この構造では、前記ギャップ層上からコイル層等の盛り上がりを小さく抑えることはできず、その結果、上部コア層を適切にパターン精度良く形成することは難しい。
【００２５】
これに対し本発明者らは、前記コイル層をギャップ層下に形成することを見出し、その結果、前記上部コア層をパターン精度良く形成できるようにしたのである。
【００２６】
本発明における薄膜磁気ヘッドの構造上の特徴は以下の通りである。すなわち本発明では、まず下部コア層上に、下部磁極層が形成されている。そして前記下部磁極層と下部コア層間に形成される段差内に、コイル層及びコイル絶縁層が形成される。
【００２７】
さらに本発明では、前記下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記段差内に形成されたコイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一面上に形成され、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広がって形成されている。
【００２８】
ギャップ層は平坦化された下部磁極層上からコイル絶縁層上にかけて、あるいは下部磁極層上からコイル絶縁層上及びコイル層上にかけて形成されるので、前記ギャップ層の上面もまた平坦化面となっている。
【００３１】
また本発明では、前記上部コア層と下部磁極層間に挟まれたギャップ層はトラック幅Ｔｗで形成され、前記下部磁極層には、ギャップ層と接する部分において、前記トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されていることが好ましい。またこの場合、前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面には、上部コア層から離れるに従って傾斜する傾斜面が形成されていることが好ましい。これによりライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【００３２】
また本発明では、前記下部磁極層は前記下部コア層と一体形成されていてもよい。
【００３３】
また本発明では、前記下部コア層には、後端部上に持上げ層が形成され、前記持上げ層の上面は前記基準平面と同一面上に位置し、前記持上げ層と上部コア層の基端部とが接して形成されていることが好ましい。前記持上げ層の形成により下部コア層と上部コア層間の磁気的な接合を容易に行うことができる。
【００３４】
なお本発明では、前記下部コア層と持上げ層とが一体形成されていてもよい。
また本発明では、前記コイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００３５】
また本発明では、前記基準平面と同一面上は削られた面である。これは後述する製造方法で詳述するように、例えばＣＭＰ技術を用いて前記基準平面と同一面上を研磨することにより達成される。
【００３６】
また本発明では、前記コイル層と下部コア層との間には、絶縁下地層が形成されていることが好ましい。これにより前記コイル層と下部コア層間の絶縁性耐圧を向上させることができる。
【００３７】
また本発明では、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と、前記先端部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成された上部磁極層が形成され、
前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層が形成され、
前記上部コア層は、前記上部磁極層上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらされて接合される形態である。
【００３８】
上記の構成は、コイル層が２層積層されたものであり、これにより、コイル層の幅寸法を小さくできるから、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３９】
また上記の構成では、ギャップ層上に上部磁極層が形成され、この上部磁極層の記録媒体との対向面に露出する部分における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。前記上部磁極層は、平坦化面のギャップ層上に直接されるので、パターン精度良く前記上部磁極層を所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成することができる。
【００４０】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層を、ハイト方向にずらして形成し、前記上部コア層は、記録媒体との対向面に露出しないようになっている。
【００４１】
このため、上部コア層にトラック幅Ｔｗの先端部を形成する必要はなく、前記上部コア層は、上部磁極層と下部コア層間の磁路を繋ぐ役割を果すのみとなるから、磁気飽和の抑制の点から、前記上部コア層の幅寸法を、トラック幅Ｔｗに比べて大きく形成することが好ましい。
【００４２】
よって、前記上部コア層が形成されるべき面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きな上部コア層をパターン精度良く形成でき、前記上部コア層を所定形状で形成することができる。
【００４３】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層を、ハイト方向にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制することも可能である。
【００４４】
また本発明では、前記上部磁極層は、トラック幅Ｔｗで形成された先端部と、前記細長部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成され、前記上部コア層は前記後端部上に接合されることが好ましい。
【００４５】
さらに本発明では、前記上部磁極層と上部コア層との接合面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル絶縁層の上面及び第２のコイル層の上面が前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広がっている形態であってもよい。
【００４６】
この場合、前記第２のコイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。また、前記基準平面と同一面上は削られた面である。
【００４７】
上記の構成により、上部磁極層上から、第２のコイル絶縁層上、あるいは第２のコイル絶縁層上及び第２のコイル絶縁層上にかけて形成される上部コア層を、よりパターン精度良く形成することが可能である。
【００４８】
さらに本発明では、前記第２のコイル絶縁層は有機絶縁材料で形成されていてもよい。この場合、前記第２のコイル絶縁層は、前記第２の基準平面上から多少盛り上がるため、前記上部コア層を完全な平坦化面上に形成することはできないが、上記したように、前記上部コア層はパターン精度が多少低くくても、所定形状に形成することができるので、第２の基準平面からの盛り上がりはそれほど問題とはならない。
【００４９】
また本発明では、下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には下部コア層上から、前記下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、第２の持上げ層が形成され、前記上部コア層の基端部が前記第２の持上げ層上に接して形成されることが好ましい。これにより下部コア層上部コア層間の磁気的な接続を行いやすくなる。
【００５０】
また本発明は、下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層に非磁性のギャップ層を介して対向する上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部コア層上に、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で、下部磁極層を形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層上に絶縁下地層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁下地層上に、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記下部磁極層の上面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいはコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面が前記基準平面と同一面上となるように、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を削り、前記基準平面からハイト方向後方に平坦化面を形成する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層の上面、及び平坦化面上にギャップ層を形成する工程と、
（ｆ）前記ギャップ層上に、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と前記先端部の基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端部とで構成される上部磁極層を形成する工程と、
（ｇ）トラック幅Ｔｗで形成された上部磁極層の先端部のギャップ層との接合面から両側に延びるギャップ層を除去する工程と、
（ｈ）除去された前記ギャップ層下に露出する下部磁極層の上面を削り、前記下部磁極層のギャップ層との接合面の幅寸法をトラック幅Ｔｗと一致させ、前記下部磁極層に上部磁極層方向に延びる隆起部を形成する工程と、
（ｉ）前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に、上部磁極層から離れるに従って傾斜する傾斜面を形成する工程、
（ｊ）前記ギャップ層上であって上部磁極層のハイト方向後方に、第２のコイル層と前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｋ）上部コア層を前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きくなるように形成し、この上部コア層を前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらして接合する工程、を有することを特徴とするものである。
上記のように本発明では、（ａ）工程にて、下部コア層上に下部磁極層を形成し、（ｃ）工程にて、前記下部コア層と下部磁極層間に形成された段差部内に、コイル層及びコイル絶縁層を形成している。
【００５１】
本発明では、さらに（ｄ）工程にて、例えばＣＭＰ技術等を使用し、コイル絶縁層の上面、あるいはコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を基準平面（下部磁極層の上面）と同一面上で形成し、前記基準平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成することで、前記基準平面及び平坦化面上にギャップ層を形成でき、従って、上部コア層を平坦化面のギャップ層上に形成することが可能である。よって上部コア層を形成する際に使用されるレジスト層を薄い膜厚で形成でき、しかも露光現像の際に乱反射等が発生せず、前記上部コア層をパターン精度良く形成できる。特に前記上部コア層の先端付近の幅寸法を所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成することができ、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００５２】
また本発明では、前記（ａ）工程において、下部コア層のハイト方向後方に磁性材料製の持上げ層を形成し、前記（ｄ）工程において、前記持上げ層の上面を前記基準平面と同一面上となるように削ることが好ましい。
【００５３】
前記持上げ層の形成により前記上部コア層と下部コア層間の磁気的な接続を行い易くすることができ、製造工程を容易化することが可能である。
【００５４】
また本発明では、前記（ａ）工程において、下部コア層上にフレームメッキ法にて下部磁極層を形成し、また持上げ層をも形成する場合には、前記持上げ層を下部磁極層と同時にフレームメッキ法で形成することが好ましい。
【００５５】
また上記の場合、前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【００５６】
あるいは本発明では、前記（ａ）工程において、下部磁極層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層を突出形成し、また持上げ層をも形成する場合には、下部磁極層及び持上げ層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層及び持上げ層を突出形成してもよい。
【００５７】
上記構成の場合、前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【００５８】
本発明では、前記（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）工程により、狭トラック化とさらには、ライトフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００５９】
また本発明では、前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を、無機絶縁材料で形成することが好ましい。これにより前記コイル絶縁層上面をＣＭＰ技術等を用いて適切に研磨加工することができる。
【００６０】
また本発明では、コイル層を２層構造で形成でき、よってコイル層の幅寸法を小さくでき、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長の短磁路化を実現することができる。
【００６１】
また本発明では、平坦化されたギャップ層上に上部磁極層を形成でき、よって前記上部磁極層に、トラック幅Ｔｗで形成される先端部を、所定寸法で高精度に形成することが可能である。
【００６２】
また上部コア層を上部磁極層上に、記録媒体との対向面からハイト方向にずらして形成することで、前記上部コア層を、トラック幅Ｔｗに比べ大きな幅寸法で形成することが可能であり、従って、前記上部コア層を形成すべき面に、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を、所定形状に形成しやすくできる。
【００６４】
また本発明では、前記（ｊ）工程において、前記上部磁極層の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル層及び第２のコイル絶縁層の上面が、前記第２の基準平面と同一面上に位置するように、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及び前記第２のコイル絶縁層の上面を削り、前記第２の基準平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成してもよい。この場合、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を無機絶縁材料で形成することが好ましい。
【００６５】
これはＣＭＰ技術等を用いることで実現でき、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を、第２の基準平面（上部磁極層の上面）と同一面上で形成することで、前記基準平面上に形成される上部コア層を、パターン精度良く所定形状に形成することができる。
【００６６】
また本発明では、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を有機絶縁材料で形成してもよい。
【００６７】
また本発明では、前記（ｆ）工程において、下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、前記下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には前記下部コア層上に、第２の持上げ層を形成し、前記（ｋ）工程において、上部コア層の基端部を、前記第２の持上げ層上に接合させることが好ましい。
【００６８】
上記工程では、下部コア層上に形成された持上げ層上、あるいは下部コア層上に、第２の持上げ層を形成している。これによりコイル層を２層構造にした場合において、下部コア層と上部コア層間の磁気的な製造を行いやすくなり、製造方法を容易化することが可能である。
【００６９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を、記録媒体との対向面から見た部分正面図、図２は、本発明における他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図３は、図１に示す３−３線を矢印方向から見た薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、図４は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、図５は、図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【００７０】
図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層された、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドであってもよい。
【００７１】
図１に示す符号３０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお前記下部コア層３０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層３０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層３０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００７２】
図１に示すように前記下部コア層３０の上には、下部磁極層１１が形成されている。前記下部磁極層１１は下部コア層３０と同様に、記録媒体との対向面に露出形成され、前記下部磁極層１１の下面は前記下部コア層３０と磁気的に接続された状態になっている。
【００７３】
前記下部磁極層１１は、下部コア層３０と同じ材質で形成されてもよいが、異なる材質で形成されても良い。ただし記録密度を向上させるためには、前記下部磁極層１１は下部コア層３０に比べて高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成されることが好ましい。
【００７４】
図１に示すように前記下部磁極層１１は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がＴ２で形成されている。この幅寸法Ｔ２は、少なくとも上部コア層１３の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）に比べて大きく形成される必要がある。
【００７５】
また図１に示すように、前記下部磁極層１１の高さ寸法はＨ４で形成されるが、この高さ寸法Ｈ４は、あまり小さすぎると、後述するコイル層１４の高さ寸法を稼ぐことができなくなり、前記コイル抵抗値の低減を図るために、コイル層１４の幅寸法Ｔ３（図３参照）を広げなければならず、長磁路長化を招く結果となる。
【００７６】
また前記下部磁極層１１の高さ寸法Ｈ４が、あまり大きくなりすぎても、前記下部磁極層１１を形成しづらくなり、また前記下部磁極層１１の部分で磁気飽和に達し易くなり、今後の高記録密度化に対応できないという問題がある。
【００７７】
前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２は、下部コア層３０の幅寸法以下であれば良く、具体的には、５μｍ〜１００μｍの範囲内、高さ寸法Ｈ４は、具体的には、１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７８】
また前記下部磁極層１１は図３に示すように、ハイト方向（図示Ｙ方向）に長さ寸法Ｌ２で形成され、前記下部磁極層１１は、下部コア層３０上に矩形状にて形成されることがわかる。この実施例においては前記下部磁極層１１の長さ寸法Ｌ２がギャップデプスＧｄとして規制され、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電磁変換に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００７９】
本発明では図３に示すように、前記下部磁極層１１と下部コア層３０との段差内には、コイル層１４が形成されている。
【００８０】
また図３に示すように前記下部コア層３０とコイル層１４との間には、絶縁下地層１５が形成されており、前記下部コア層３０とコイル層１４間の電気的な絶縁が図られている。図３に示す前記絶縁下地層１５は、無機絶縁材料で形成されている。
【００８１】
前記無機絶縁材料には、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上が選択される。
【００８２】
前記絶縁下地層１５に無機絶縁材料を使用する場合には、後で製造方法で説明するように、スパッタ法等の既存の方法で形成可能である。
【００８３】
ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料で形成される場合には、前記絶縁下地層１５にピンホール等の欠陥が発生しやすいために、前記絶縁下地層１５を、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層と、有機絶縁材料で形成された絶縁下地層の２層構造とするか、あるいは有機絶縁材料の絶縁下地層の一層で形成する方が好ましい。有機絶縁材料を使用することで、絶縁性耐圧を向上させることが可能である。なお前記有機絶縁材料には、例えばレジストやポリイミド等の周知な材質を使用することができる。
【００８４】
また図３に示すように、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間には、コイル絶縁層１６が埋められており、前記コイル絶縁層１６は、図１に示すように、記録媒体との対向面において、前記下部磁極層１１の両側に露出して形成されている。
【００８５】
ところで図３に示すように、本発明では、前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面が、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄと同一面上に位置していることがわかる。
【００８６】
従って本発明では、前記基準平面Ｄからハイト方向（図示Ｙ方向）後方には平坦化面が広がって形成されている。
【００８７】
このように前記基準平面Ｄと同じ面上に、コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面を揃えるには、後述するように、例えばＣＭＰ技術等を用い、前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面を、前記基準平面Ｄに合わせるべく研磨加工すればよく、これにより前記平坦化面は削られた面となっている。
【００８８】
なお図３に示す実施例では、前記コイル層１４の上面が前記基準平面Ｄと同一面上に位置しているが、これにより前記下部磁極層１１と下部コア層３０間に形成される段差内で、前記コイル層１４の高さ寸法も最大に大きくすることができ、よって前記コイル層１４の幅寸法Ｔ３を最小にすることができ、下部コア層３０から上部コア層１３を経て形成される磁路長の短磁路化を図ることができる。
【００８９】
ただし本発明では、前記コイル層１４の上面が、前記基準平面Ｄよりも高さが低く形成されてもよい。この場合、前記コイル層１４の上面は、コイル絶縁層１６により覆われ、前記コイル絶縁層１６の上面のみが前記基準平面Ｄと同一面上に揃えられることになる。
【００９０】
また本発明では、前記コイル絶縁層１６は、無機絶縁材料で形成されることが好ましい。上記したＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する際に、前記コイル絶縁層１６が無機絶縁材料で形成されていると、前記コイル絶縁層１６の上面を適切にしかも容易に研磨することができるからである。
【００９１】
一方、前記コイル絶縁層１６が有機絶縁材料で形成されていると、有機絶縁材料独特のねばりにより、前記コイル絶縁層１６の上面を適切に削ることができなくなり好ましくない。
【００９２】
ただしコイル絶縁層１６が無機絶縁材料で形成されると、前記コイル絶縁層１６をスパッタ等で形成する際に、コイル層１４の各導体部のピッチ間に無機絶縁材料が侵入しにくく、前記コイル絶縁層１６に空洞部等の欠陥が形成される虞がある。よって、基準平面Ｄよりも下側の位置で有機絶縁材料を、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間に埋めた後、前記有機絶縁材料層の上に、無機絶縁材料製のコイル絶縁層１６を形成することが上記欠陥が発生せず好ましい。
【００９３】
本発明では、上記したように、基準平面Ｄと同一面上にコイル絶縁層１６の上面及びコイル層１４の上面を位置させているので、前記基準平面Ｄのハイト方向後方には平坦化面が広がっている。
【００９４】
そして本発明では図３に示すように、平坦化された下部磁極層１１上、コイル層１４上、およびコイル絶縁層１６上に、ギャップ層１２が形成されるので、前記ギャップ層１２の表面もまた平坦化された面となっている。
【００９５】
なお前記ギャップ層１２は、無機絶縁材料で形成され、前記無機絶縁材料は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮのうち１種または２種以上から選択されることが好ましい。
【００９６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの構成によれば、ギャップ層１２の下側に、コイル層１４が既に形成されているため、図３０に示す従来の薄膜磁気ヘッドのように、ギャップ層１２の上にコイル層１４の形成は行われない。
【００９７】
よって本発明では、平坦化されたギャップ層１２の上に、上部コア層１３を形成することが可能である。
【００９８】
前記上部コア層１３は、いわゆるフレームメッキ法で形成される。フレームメッキ法では、まず上部コア層１３が形成される面上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に上部コア層１３のパターンを露光現像で形成する。そして前記パターン内に磁性材料の層をメッキ成長させ、前記レジスト層を除去して、上部コア層１３を形成する。
【００９９】
上記のように本発明では、上部コア層１３が形成されるべき面、すなわちギャップ層１２上面は、平坦化面となっているので、前記ギャップ層１２上にレジスト層を均一な膜厚で形成でき、しかも前記レジスト層を薄い膜厚で形成できるので、露光現像の際に乱反射等が起こりにくく、また解像度良く、上部コア層１３のパターンを形成でき、よって高精度に上部コア層１３を形成することができる。
【０１００】
ただし上部コア層１３とコイル層１４間の電気的な絶縁を適正に保つために、前記ギャップ層１２上あるいは下に膜厚の薄い無機絶縁材料製あるいは有機絶縁材料製の絶縁下地層を形成することができる。ただし前記絶縁下地層は、記録媒体との対向面にまで延びて露出形成されてはいけない。ギャップ長が大きくなるからである。前記絶縁下地層は、コイル層１４が形成されている、その上のギャップ層１２上にのみ部分的に形成されることが好ましい。
【０１０１】
ところで本発明では図１に示すように、記録媒体との対向面に露出する部分において、前記上部コア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。
【０１０２】
また前記上部コア層１３の形状は、上から見ると図４に示すようになっており、前記上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅと、この先端部Ｅからハイト方向にかけて漸次的に幅寸法が広がる後端部Ｆとで構成される。
【０１０３】
上部コア層１３の後端部Ｆは、幅寸法が大きく形成されるので、パターン精度がそれほど高くなくても、ほぼ所定形状で前記後端部Ｆをパターン形成することができるし、仮に所定形状と多少異なった形状で形成されても磁気的な特性に、さほどの影響を与えない。
【０１０４】
これに対し、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅは、非常に幅寸法が狭く形成され、具体的には、０．５μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好ましい。なお狙い寸法に対しては、±０．１μｍの誤差の範囲内であることが好ましい。
【０１０５】
上部コア層の形状において、前記先端部Ｅの形状は、最も高精度に形成されなければならない部分であり、今後の高記録密度化に伴って、前記先端部Ｅの幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）はますます小さく形成されるものと予想される。
【０１０６】
このように非常に小さい幅寸法を有する先端部Ｅを形成するには、露光現像の際のパターン精度を向上させて、高精度に前記先端部Ｅをパターン形成する必要がある。
【０１０７】
本発明では上記したように、上部コア層１３を平坦化面となるギャップ層１２上に形成することができるから、上部コア層１３の形成の際に使用されるレジスト層の膜厚を薄く形成でき、しかもその膜厚は均一であるから、解像度を向上させることができ、さらに露光現像の際に乱反射等が起こらず、従って前記上部コア層１３を所定形状に形成でき、特に最も高精度に形成されるべき、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定の寸法値内で形成することが可能である。
【０１０８】
また本発明では、上記のようにパターン精度良く上部コア層１３を形成することができるので、前記先端部Ｅのハイト方向への長さ寸法Ｌ３を短く形成することもできる。前記長さ寸法Ｌ３を短く形成できることで、磁束の飽和を緩和でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
【０１０９】
なお前記長さ寸法Ｌ３は、具体的には１．０μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１１０】
なお本発明では、図３に示すように、下部コア層３０と上部コア層１３間におけるハイト方向後方には持上げ層１７が形成されている。前記持上げ層１７は下部コア層３０及び／または上部コア層１３と同じ材質の磁性材料で形成されてもよいし、あるいは異なる材質で形成されてもよい。
【０１１１】
前記持上げ層１７の形成により、前記持上げ層１７上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合すれば、上部コア層１３−持上げ層１７−下部コア層３０を経る磁路長を形成でき、製造方法を容易化することができる。
【０１１２】
また図３に示すように前記持上げ層１７は、基準平面Ｄと同一面上で形成されることが好ましく、これは、コイル層１４及びコイル絶縁層１６を基準平面Ｄに合わせて研磨加工する際に、前記持上げ層１７の上面も同時に削ることで達成することが可能である。
【０１１３】
なお本発明では、前記持上げ層１７が形成されていなくてもよい。この場合は、コイル絶縁層１６に下部コア層３０上面にまで繋がる穴部を形成し、前記穴部内に上部コア層１３の基端部１３ａを形成して前記基端部１３ａを下部コア層３０上に接合することで、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長を形成することが可能である。
【０１１４】
次に本発明では、図２に示すような形状の薄膜磁気ヘッドを形成することも可能である。
【０１１５】
図２に示すように、下部磁極層１１と上部コア層１３との間に挟まれるギャップ層１２は、トラック幅Ｔｗで形成され、さらに下部コア層３０上に形成された下部磁極層１１は、ギャップ層１２との接合面では、トラック幅Ｔｗで形成される。
【０１１６】
さらに下部磁極層１１には、前記ギャップ層１２との接合面から、下部コア層３０方向に延びる隆起部１１ｂが形成されている。この構成により、ライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１１７】
また本発明では、前記隆起部１１ｂの基端から下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成されており、これにより、さらにライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１１８】
また本発明では図１及び図２に示すように、記録媒体との対向面に露出する上部コア層１３は、トラック幅Ｔｗで、ギャップ層１２との接合面から図示Ｚ方向に、ストレート形状で形成されているので、前記上部コア層１３の部分においてもライトフリンジングは発生しにくい構造となっている。
【０１１９】
また図２に示す構造では、図１に示す構造の薄膜磁気ヘッドに比べて、上部コア層１３の幅寸法で規制されるトラック幅Ｔｗを、より小さく形成することができ、今後の狭ギャップ化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１２０】
図５は図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図であるが、図５に示すように、上部コア層１３の先端部Ｅの両側には、下部磁極層１０及びコイル絶縁層１６が露出し、上部コア層１３の後端部Ｆの両側にはギャップ層１２が広がっていることがわかる。
【０１２１】
一方、図１に示す薄膜磁気ヘッドの平面図である図４では、上部コア層１３の両側には全面的にギャップ層１２が広がっていることがわかる。
【０１２２】
この違いは、図１及び図２に示す正面図の形状に起因するものであるが、図５に示すように、上部コア層１３の先端部Ｅの両側では、ギャップ層１２が削り取られ、前記ギャップ層１２は図２に示すように、トラック幅Ｔｗで形成された上部コア層１３と下部磁極層１１の隆起部１１ｂ間にのみ残される。このため、図５に示すように、先端部Ｅの両側にはギャップ層１２が形成されていないのである。
【０１２３】
そしてギャップ層１２が除去されたことにより露出する下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の上面が図２に示すように傾斜面上に削られている。
【０１２４】
なお図２に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図は、図３と同一である。
図６は、他の薄膜磁気ヘッドの形態を示す部分縦断面図であり、図７は図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１２５】
この薄膜磁気ヘッドでは、コイルが２層構造となっている。すなわち図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２の下側の構造は図３に示す薄膜磁気ヘッドとほとんど変わりがない。
【０１２６】
ただ、図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を向上させるべく、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層１５のみならず、前記絶縁下地層１５上にレジスト等の有機絶縁材料で形成された絶縁下地層１８も形成されている。形成パターンは、絶縁下地層１８が下で、その上に絶縁下地層１５が形成されていてもよい。
【０１２７】
図６に示すようにギャップ層１２上には、記録媒体との対向面からハイト方向にかけて所定の長さ寸法Ｌ４の上部磁極層１９が形成されている。前記上部磁極層１９は記録媒体との対向面では、トラック幅Ｔｗで露出形成されている。
【０１２８】
前記上部磁極層１９は上部コア層１３と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよい。
【０１２９】
このように記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法Ｌ４にて上部磁極層１９を形成する理由は、第２のコイル層２０を形成すべき段差を、ギャップ層１２との間で形成するためである。
【０１３０】
図６に示すように、ギャップ層１２と上部磁極層１９との間で形成される段差内には、第２のコイル層２０が形成されている。そして前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間には、第２のコイル絶縁層２１が形成されている。
【０１３１】
ところでこの実施例では、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたとき、前記コイル層２０の上面及び第２のコイル絶縁層２１の上面は前記第２の基準平面Ｇと同一面上に形成されている。これはＣＭＰ技術等を用い、前記コイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１を研磨加工することで達成することができる。
【０１３２】
これにより、ギャップ層１２と上部磁極層１９との段差内で、前記第２のコイル層２０を最大に高くして形成することができ、よって前記第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ５を短くすることができ、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長を短く形成することが可能になる。
【０１３３】
なお前記第２のコイル層２０は、前記第２の基準平面Ｇよりも高さが低く形成されていてもよい。この場合、前記第２のコイル層２０上面は第２のコイル絶縁層２１に覆われ、前記基準平面Ｇよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方には、第２のコイル絶縁層２１による平坦化面が広がって形成される。
【０１３４】
またこの場合、前記第２のコイル絶縁層２１は無機絶縁材料で形成されることが好ましい。これは前記第２のコイル絶縁層２１をＣＭＰ技術等を用い研磨加工するためで、前記第２のコイル絶縁層２１が有機絶縁材料で形成されると、前記有機絶縁材料独特のねばりにより、前記第２のコイル絶縁層２１を削りにくくなり、好ましくない。
【０１３５】
ただしコイルを２層構造とした場合、２層目となる第２のコイル層２０を覆う第２のコイル絶縁層２１は、必ずしも第２の基準平面Ｇと同一面上に形成されなければならないわけではない。
【０１３６】
図８は、図６に示す薄膜磁気ヘッドを変形した部分縦断面図である。
図８に示す薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２上に、上部磁極層１９が形成され、前記上部磁極層１９のハイト方向（図示Ｙ方向）後方であってギャップ層１２上に第２のコイル層２０が形成されている。
【０１３７】
前記第２のコイル層２０の高さは、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたときに、前記基準平面Ｇと同じ高さであってもよいが、前記基準平面Ｇよりも高く形成されても、低く形成されてもよい。
【０１３８】
この実施例では前記基準平面Ｇよりも第２のコイル層２０の高さを高く形成できるので、前記第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ６を、図６における第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ５に比べて、より小さく形成でき、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長の短磁路化を促進させることができる。
【０１３９】
この実施例では、前記第２のコイル層２０を覆う第２のコイル絶縁層２４は、レジストやポリイミド等の有機絶縁材料で形成されている。
【０１４０】
図８に示すように、前記第２のコイル絶縁層２４は、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたときに、前記第２の基準平面Ｇよりも高さ寸法Ｈ５だけ盛り上がっていることがわかる。
【０１４１】
そして前記第２のコイル絶縁層２４上に上部コア層１３が形成されるが、このように上部コア層１３は盛り上がりのある表面上にパターン形成されることになるために、完全な平坦面上にパターン形成する場合に比べ、パターン精度は低下する。
【０１４２】
しかしながら、上部コア層１３の形成は、図３に示す場合のように、コイル層を一層構造で形成した場合に比べ高精度に行う必要性は低い。その理由は、前記上部コア層１３の平面形状にある。
【０１４３】
図７に示すように、上部磁極層１９はその先端部Ｅが、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面に露出形成され、しかも記録媒体からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に、長さ寸法Ｌ５で形成されている。さらにトラック幅Ｔｗで形成された前記先端部Ｅの基端からハイト方向（図示Ｙ方向）後方には、漸次的に幅寸法が広がる後端部Ｆが形成されている。
【０１４４】
このように上部磁極層１９には、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅが形成されるので、前記先端部Ｅはパターン精度良く形成される必要性があることから、図６及び図８の実施例共に、前記上部磁極層１９は、平坦化面のギャップ層１２上にパターン形成されている。これにより前記上部磁極層１９を、高精度にパターン形成することができ、特に先端部Ｅを所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能になる。
【０１４５】
しかしながら、前記上部磁極層１９上に形成される上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向にずれて形成され、前記上部コア層１３は記録媒体との対向面に露出形成されていない。
【０１４６】
そして前記上部コア層１３は、上部磁極層１９の基端部付近に接合されて、上部磁極層１９と下部コア層３０間の磁路を繋げる役割を担うのみであるため、できる限り磁気的ボリュームを確保する方が、高記録密度化に対応できることから、前記上部コア層１３は、前端部から後端部にかけて非常に大きい幅寸法で形成されるのである。
【０１４７】
従って上部コア層１３が形成されるべき表面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きい前記上部コア層１３のパターン形成にさほどの支障を与えることなく、前記上部コア層１３を所定形状に形成することができるのである。
【０１４８】
また図６に示す実施例の場合では、第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１が第２の基準平面Ｇと同一面上で形成されるが、実際には、前記第２のコイル層２０と上部コア層１３間の電気的な絶縁を保つ必要があるために、前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１上には、絶縁層２２を形成する必要がある。前記絶縁層２２は、有機絶縁材料で形成されても無機絶縁材料で形成されてもどちらでもよいし、また前記有機絶縁材料と無機絶縁材料の積層構造であってもよいが、図６では、前記絶縁層２２は有機絶縁材料で形成されている。
【０１４９】
このため、図６に示す実施例の場合も、上部コア層１３が形成されるべき表面には多少盛り上がりが発生しているが、その高さは非常に小さく、前記上部コア層１３のパターン形成にほとんど影響を与えるものではない。
【０１５０】
上記したように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合されている。
【０１５１】
さらに図６及び図８に示すように、上部コア層１３の基端部１３ａでは、下部コア層３０上に形成された持上げ層１７上に、第２の持上げ層２３が形成され、この第２の持上げ層２３上面に前記上部コア層１３の基端部１３ａが接合された状態になっている。従って磁路長は、図６及び図８共に、上部磁極層１９−上部コア層１３−第２の持上げ層２３−持上げ層１７−下部コア層３０を経て形成されることになる。
【０１５２】
ただし前記第２の持上げ層２３は形成されていなくてもかまわない。この場合、前記上部コア層１３の基端部１３ａは、下部コア層３０上に形成された持上げ層１７上に直接接合されることになる。
【０１５３】
また下部コア層３０上に持上げ層１７も形成されていない場合には、前記上部コア層１３の基端部１３ａは、下部コア層３０上にまで延び前記下部コア層３０上に直接接合されることになる。
【０１５４】
さらに、前記下部コア層３０上に持上げ層１７が形成されていない場合に、前記下部コア層３０上から第２の持上げ層２３を形成して、前記第２の持上げ層２３上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合することも可能である。
【０１５５】
図６及び図８に示す実施例共に、持上げ層１７及び第２の持上げ層２３を形成した理由は、下部コア層３０と上部コア層１３間の磁気的な接合を容易にしかも確実に行うようにするためであり、持上げ層１７及び第２の持上げ層２３を形成する方が、薄膜磁気ヘッドの製造を容易化できる点からしても好ましい。
【０１５６】
図９は本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図１０は、図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図、図１１は、他の形態を示す薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【０１５７】
この実施例では図９に示すように下部コア層３０と下部磁極層１１とが一体形成されている。
【０１５８】
図９に示すように前記下部磁極層１１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には、記録媒体との対向面にコイル絶縁層１６が露出形成され、さらに前記下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６上には、ギャップ層１２が形成されている。そして前記ギャップ層１２上には上部コア層１３が形成されている。
【０１５９】
図９に示すように記録媒体との対向面に露出する前記上部コア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成されている。また下部磁極層１１の幅寸法は、前記トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ２で形成されている。前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２が、上部コア層１３の幅寸法（＝トラック幅Tｗ）よりも大きく形成されるのは、後述するように薄膜磁気ヘッドの製造を容易化するためである。
【０１６０】
また図９の点線で示すように、下部磁極層１１と上部コア層１３間に挟まれるギャップ層１２は、トラック幅Ｔｗで形成され、さらに下部磁極層１１のギャップ層１２との接合面の幅寸法は、トラック幅Ｔｗで形成され、前記ギャップ層１２との接合面から下部コア層３０方向にかけて、下部磁極層１１には隆起部１１ｂが形成されている。
【０１６１】
また前記隆起部１１ｂの基端から延びる前記下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成されている。
【０１６２】
図１０に示すように、下部磁極層１１と下部コア層３０間に形成される段差内にコイル層１４及びコイル絶縁層１６が形成され、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記基準平面Ｄと同一面上に位置している。
【０１６３】
また図１０に示すように、下部コア層３０の後端部上に形成される持上げ層１７もまた前記下部コア層３０と一体形成されている。
【０１６４】
図１０に示すように、下部磁極層１１上から、コイル層１４上さらにはコイル絶縁層１６上にかけてギャップ層１２が形成され、平坦化面の前記ギャップ層１２上に直接上部コア層１３がパターン形成されている。図１０に示すように前記上部コア層１３の基端部１３ａは前記下部コア層３０と一体形成された持上げ層１７上に接合されている。
【０１６５】
図１１に示す実施例もまた、下部コア層３０、下部磁極層１１、および持上げ層１７が一体形成されている。
【０１６６】
この実施例では図６に示す薄膜磁気ヘッドと同様のコイル層が二層形成された形態であり、図１１に示すように、ギャップ層１２上には、記録媒体との対向面からハイト方向にかけて所定の長さ寸法にて上部磁極層１９が形成されている。
【０１６７】
前記上部磁極層１９は、記録媒体との対向面付近では、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。
【０１６８】
図１１に示すように前記上部磁極層１９とギャップ層１２間の段差内には第２のコイル層２０と第２のコイル絶縁層２１が形成されており、前記上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を基準平面Ｇとした場合に、前記第２のコイル層２０の上面及び第２のコイル絶縁層２１の上面は、前記基準平面Ｇと同一面上に位置している。
【０１６９】
図１１に示すように、下部コア層３０と一体形成された持上げ層１７上には、第２の持上げ層２３が形成されている。
【０１７０】
そして前記コイル層２０上及び第２のコイル絶縁層２１上には絶縁層２２が形成され、さらに上部磁極層１９上から前記絶縁層２２上、さらには第２の持上げ層２３上にかけて上部コア層１３がパターン形成されている。
【０１７１】
図１１に示すように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合されており、前記上部コア層１３の前面は、記録媒体との対向面には露出形成されない。そして前記上部コア層１３は、図７に示すのと同様、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【０１７２】
以上詳述したように本発明では、いずれの実施例においてもギャップ層１２下にコイル層１４が形成されている。
【０１７３】
具体的には、下部コア層３０上に、下部磁極層１１が形成され、前記下部コア層３０と下部磁極層１１間の段差内にコイル層１４及びコイル絶縁層１６が形成されている。
【０１７４】
前記コイル絶縁層１６の上面、あるいは前記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄと同一面上で形成されており、前記基準平面Ｄのハイト方向後方には平坦化面が広がって形成されている。
【０１７５】
よって本発明では、前記下部磁極層１１、コイル層１４及びコイル絶縁層１６上に形成されるギャップ層１２もまた平坦化されて形成されることになる。
【０１７６】
上記のように本発明ではギャップ層１２下に既にコイル層１４が形成されているので、前記ギャップ層１２上に形成すべき層は、上部コア層１３のみであり、よって本発明では、前記上部コア層１３をギャップ層１２上に直接形成することが可能である。
【０１７７】
そして本発明では、前記ギャップ層１２は平坦化されて形成されているので、前記ギャップ層上に形成される上部コア層１３をパターン精度良く形成することが可能になる。
【０１７８】
特に本発明では、上部コア層１３の記録媒体との対向面付近のトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、高精度で形成することができ、今後の高記録密度化に対応可能な狭トラック化を実現することができる。
【０１７９】
また本発明では、前記トラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅの長さを、従来に比べ短く形成することができ、磁気的ボリュームの大きい後端部をより記録媒体との対向面方向に近づけて形成することができることで、前記先端部Ｅでの磁気飽和を抑え、従って磁束の減衰を抑えることができ、ＯＷ特性を向上させることが可能になっている。
【０１８０】
また本発明では、上記したように、コイル層を２層構造で形成する場合、トラック幅Ｔｗの先端部Ｅを有する上部磁極層１９上に、上部コア層１３をハイト方向にずらして形成し、よって、上部コア層１３の前面は記録媒体との対向面に露出形成されない。
【０１８１】
従って前記上部コア層１３にトラック幅Ｔｗの先端部Ｅを形成する必要は無くなり、よって磁気的ボリュームを稼ぐために、上部コア層１３の前端部から後端部にかけての幅寸法を大きく形成することができ、前記上部コア層が形成されるべき面に、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を所定形状にパターン形成することができる。
【０１８２】
また幅寸法の大きい前記上部コア層１３をハイト方向後方にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を適正に抑制できるという利点もある。
【０１８３】
例えば図７に示す上部磁極層１９の先端部Ｅ上に、上部コア層１３を重ね合わせた場合、先端部Ｅ上には、トラック幅Ｔｗよりも幅寸法の大きい上部コア層１３が存在することから、前記上部コア層１３と先端部Ｅとの間でライトフリンジングが発生し好ましくない。
【０１８４】
一方本発明では、図７に示すように、上部コア層１３を上部磁極層１９の先端部Ｅ上ではなく、幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも漸次的に広がる後端部Ｆ上に形成し、また前記後端部Ｆにおける幅寸法と、上部コア層１３の幅寸法はほぼ一致しているので、前記上部コア層１３から上部磁極層１９にかけて磁束が通る際に、磁束の減衰を起さず、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８５】
また本発明では、下部コア層３０上に形成される下部磁極層１１、あるいは前記下部コア層３０と一体形成される下部磁極層１１には、ギャップ層１２との接合面をトラック幅Ｔｗで形成し、前記接合面から下部コア層３０方向に延びる隆起部１１ｂを下部磁極層１１に形成し、さらに前記隆起部１１ｂの基端から延びる下部磁極層１１の両側上面に、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ、１１ａを形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制している。またこの実施形態では、さらなる狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８６】
また本発明では、コイル層を２層構造で形成することで、前記コイル層の幅寸法をより小さく形成することができ、前記下部コア層３０から上部コア層１３を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低下を図り、今後の高記録密度化に対向可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８７】
また本発明では、下部コア層３０の後端部上に、持上げ層１７、あるいは前記持上げ層１７上に第２の持上げ層２３を形成することで、上部コア層１３と下部コア層３０との磁気的な接合を行い易くなり、製造方法を容易化できて好ましい。
【０１８８】
図１２ないし図１９は、図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一連の工程図である。なお図１２ないし図１９に示す工程図は、薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で示している。
【０１８９】
図１２に示す工程では、下部コア層３０上にレジスト層５１を塗布した後、前記レジスト層５１に下部磁極層１１及び持上げ層１７が形成されるべき領域にパターン５１ａ，５１ａを形成し、前記パターン５１ａ，５１ａ内に磁性材料をメッキ形成する。これは、いわゆるフレームメッキ法と呼ばれる製法である。これにより前記下部コア層３０上に下部磁極層１１及び持上げ層１７をメッキ形成することができる。その状態は図１３に示されている。なお、下部コア層３０上にメッキ下地層を形成してもよいし、形成しなくてもよい。
【０１９０】
また本発明では前記下部コア層３０を形成後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さらに下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術を用いて、研磨加工することで、前記下部コア層３０及び絶縁層表面を同一平面状に平坦化することができる。これにより前記下部コア層３０上にパターン精度良くレジスト層５１を形成でき、また後の工程において前記下部コア層３０上にコイル層をパターン精度良く形成することができる。
【０１９１】
なお図１３に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に所定の長さ寸法Ｌ２を有する下部磁極層１１を形成する。前記長さ寸法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されるので、前記長さ寸法Ｌ２は、ある所定の寸法内に高精度に形成される必要性がある。
【０１９２】
また前記下部磁極層１１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、Ｔ２で形成され（図１参照）、この幅寸法Ｔ２は、トラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。このようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成する理由は、上部コア層１３を形成する際に、トラック幅Ｔｗで形成される上部コア層１３の先端部Ｅを、ギャップ層１２を介して下部磁極層１１に適切に対向させるためである。
【０１９３】
なお前記下部磁極層１１及び持上げ層１７の高さ寸法は、同じ高さ寸法で形成されても、異なる高さ寸法で形成されてもどちらでもよい。
【０１９４】
また前記下部コア層３０上に下部磁極層１１及び持上げ層１７を形成する方法は図１２に示す製造工程に限らず、例えば図１４に示す製造工程によっても形成することができる。
【０１９５】
すなわち、下部コア層３０を形成後、下部磁極層１１及び持上げ層５２が形成されるべき前記下部コア層３０の表面に保護層となるレジスト層５２，５２を形成し、前記レジスト層５２が形成されていない前記下部コア層３０表面を例えばエッチングで図に示す点線の位置まで削ることにより、下部コア層３０表面から突出する下部磁極層１１及び持上げ層１７を形成することができる。
【０１９６】
なおこの工程を用いる場合は、最初、下部磁極層１１及び持上げ層１７の高さ分だけ下部コア層３０の膜厚を厚く形成しておく必要性がある。
【０１９７】
また本発明では前記下部コア層３０を形成後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さらに下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨加工し、前記下部コア層３０及び絶縁層表面を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【０１９８】
次に図１５に示すように、前記下部磁極層１１上から下部コア層３０上、さらには持上げ層１７上にかけて絶縁下地層１５を形成する。この実施例では前記絶縁下地層１５は無機絶縁材料で形成される。
【０１９９】
ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料で形成された場合には、前記絶縁下地層１５にピンホール等の欠陥が発生しやすいので、前記絶縁下地層１５上あるいはその下に有機絶縁材料で形成された絶縁下地層を形成しておくことが好ましい。
【０２００】
また前記有機絶縁材料で形成された絶縁下地層を一層のみ形成してもかまわない。
【０２０１】
図１５に示すように前記絶縁下地層１５上にコイル層１４をパターン形成する。このコイル層１４の高さ寸法は、前記上部磁極層１１の上面を基準平面としたときに前記基準平面とほぼ同じくらいか、あるいは前記基準平面よりも高いことが好ましいが、低くてもかまわない。
【０２０２】
次に図１６に示す工程では、前記絶縁下地層１５上に形成されたコイル層１４の各導体部のピッチ間をコイル絶縁層１６によって埋める。前記コイル絶縁層１６はスパッタ法等の既存の方法で形成され、図１６に示すように前記コイル絶縁層１６は、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間のみならず、下部磁極層１１の上、持上げ層１７上にも形成され、前記コイル層１４が前記コイル絶縁層１６によって完全に覆われた状態にされる。
【０２０３】
この実施例においては、前記コイル絶縁層１６は無機絶縁材料で形成される。前記無機絶縁材料でコイル絶縁層１６を形成する理由は、次工程で説明するＣＭＰ技術を用いた研磨加工の際に、前記コイル絶縁層１６の上面を削りやすいからであるが、前記コイル絶縁層１６を無機絶縁材料で形成すると以下に説明する不具合が発生する可能性がある。
【０２０４】
すなわち、前記コイル絶縁層１６はスパッタ法等で形成されるので、前記コイル絶縁層１６がコイル層１４の各導体部のピッチ間に適切に侵入せず、前記各導体部のピッチ間に前記コイル絶縁層１６によって埋められない空洞部が形成される場合がある。
【０２０５】
磁気ヘッドの駆動時の高温な環境下では、形成された前記空洞部から薄膜磁気ヘッドの内部構造に変形をもたらす危険性があり好ましくない。
【０２０６】
このような不具合を無くす方法としては、例えば予め前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を、次工程で説明する研磨工程の際の、研磨ライン（Ａ−Ａ線）より低い位置にまで有機絶縁材料で埋めておき、前記有機絶縁材料層上にコイル絶縁層１６を形成する方法がある。
【０２０７】
これにより前記コイル層１４の各導体部のピッチ間には空洞部の形成は無くなり、高温下での磁気ヘッド駆動においても内部構造に変形をもたらすことがなくなる。
【０２０８】
次に図１６に示すように、前記コイル絶縁層１６上面をＡ−Ａ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨して削っていく。この研磨作業により、前記コイル絶縁層１６のみならず、下部磁極層１１の上面及び持上げ層１７の上面も一部研磨されていく。
【０２０９】
また前記コイル層１４が図１５に示す工程の段階で、前記下部磁極層１１と同程度の高さ位置で形成され、あるいは前記下部磁極層１１の高さよりも高い位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４の上面もＡ−Ａ線まで削られることになる。
【０２１０】
上記研磨加工後の状態を示したのが図１７である。前工程での研磨加工により、前記下部磁極層１１の上面を基準平面とした場合に、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６の上面が位置し、さらにコイル層１４の上面が図１５工程において基準平面よりも高い位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４上面も前記基準平面と同一面上に揃えられる。
【０２１１】
次に図１８に示す工程で、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面、コイル絶縁層１６上面、さらには持上げ層１７上面にかけて非磁性のギャップ層１２を形成する。
【０２１２】
そして図１８に示すように、前記ギャップ層１２のうち、持上げ層１７上に形成されたギャップ層１２をエッチング等の既存の方法により除去する。
【０２１３】
上記したように、下部磁極層１１の上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コイル層１４上面及びコイル絶縁層１６上面が位置するので、前記下部磁極層１１、コイル層１４さらにはコイル絶縁層１６上面に形成されるギャップ層１２上面もまた平坦化面となっている。
【０２１４】
そして図１９に示す工程で、前記ギャップ層１２上面に上部コア層１３を形成する。
【０２１５】
上部コア層１３は、例えばフレームメッキ法で形成される。前記フレームメッキ法は、まず前記ギャップ層１２上面にレジスト層を形成し、前記レジスト層に上部コア層１３と同一形状のパターンを露光現像により形成する。そして前記パターン内に、磁性材料層をメッキ成長させ、最後に前記レジスト層を除去して、上部コア層１３を完成させる。
【０２１６】
上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の長さ寸法にかけてトラック幅Ｔｗで形成されており、前記トラック幅Ｔｗは、今後の高記録密度化に伴い非常に小さく形成される必要性がある。
【０２１７】
ところで本発明では、上部コア層１３の形成に使用されるレジスト層を平坦化面のギャップ層１２上に形成できるので、前記レジスト層の膜厚を均一な膜厚で形成でき、しかも前記レジスト層の膜厚を薄く形成できる。よって前記レジスト層に露光現像の際に乱反射等が起こらず、また解像度を向上させることができ、所定形状の上部コア層１３のパターン精度良く形成することができる。従って本発明によれば、上部コア層１３の形状のうち最も高精度に形成されるべき、トラック幅Ｔｗの先端部Ｅを、適切に所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することができる。
【０２１８】
また本発明では、前記トラック幅Ｔｗの先端部Ｅの長さ寸法を短く形成することができるから、今後の高記録密度化においても磁気的飽和を抑制でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１９】
また上記したように、持上げ層１７上のギャップ層１２はエッチング等で除去され、前記持上げ層１７上面は、露出した状態になっており、図１９に示すように上部コア層１３の基端部１３ａは持上げ層１７上に接合される。
【０２２０】
これにより前記上部コア層１３から持上げ層１７を介して下部コア層３０を経る磁路長が形成される。持上げ層１７の形成により、前記上部コア層１３と下部コア層３０間の磁気的な接合を行い易くなり、製造工程を容易化することができる。
【０２２１】
図２０から図２２には、本発明の薄膜磁気ヘッドにおける他の製造方法の工程図が図示されている。
【０２２２】
まず図１３に示す工程と同様に、下部コア層３０上に、下部磁極層１１と持上げ層１７を形成した後、図２０に示すように、前記下部磁極層１１上から下部コア層３０上、さらには持上げ層１７上にかけて絶縁下地層１５を形成する。そして前記下部コア層３０上に形成された絶縁下地層１５上に、コイル絶縁層１６をスパッタ形成する。
【０２２３】
前記コイル絶縁層１６は無機絶縁材料で形成され、また図２０に示すように、前記コイル絶縁層１６は下部磁極層１１上面、および持上げ層１７上面にも形成される。
【０２２４】
次に図２０に示すように、前記コイル絶縁層１６をＢ−Ｂ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。なお前記Ｂ−Ｂ線までの研磨加工は行わなくてもよい。
【０２２５】
この際、前記下部磁極層１１上面及び持上げ層１７上面も同時に削られていき、前記下部磁極層１１上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６上面が位置する状態になる。また前記持上げ層１７上面も前記基準平面と同一面上に位置する。
【０２２６】
次に前記コイル絶縁層１６上に、レジスト層（図示しない）を形成し、前記レジスト層にコイル層１４と同一形状のパターンを露光現像により形成し、前記パターン内から露出するコイル絶縁層１６をエッチングで削って、前記パターンと同一形状のコイル形成溝をコイル絶縁層１６に形成する。その状態を示したのが図２１である。
【０２２７】
図２１に示すように、前記コイル絶縁層１６には、コイル層１４と同一なパターン形状となるコイル形成溝１６ａが形成された状態になっている。
【０２２８】
ところで、前記コイル形成溝１６ａの下には、絶縁下地層１５が残されているが、前記コイル形成溝１６ａの形成の際に、前記絶縁下地層１５まで削って下部コア層３０上面が露出した状態にされてはならない。
【０２２９】
それは前記コイル形成溝１６ａ内には、次工程で、コイル層１４が形成されるので、前記コイル層１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を良好に保つためである。
【０２３０】
図２２に示すように、前記コイル形成溝１６ａ内に導電性材料を充填し、前記コイル形成溝１６ａ内にコイル層１４を形成する。前記コイル層１４の形成は、金属メッキ法や、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法等の既存の方法が使用される。
【０２３１】
図２２に示すように、コイル層１４は、コイル形成溝１６ａ内のみならず、下部磁極層１１上、持上げ層１７上にも形成され、コイル形成溝１６ａ上で、コイル層１４の各導体部は繋がった状態にされているので、前記コイル形成溝１６ａ内にのみコイル層１４を収めるために、図２２に示すように、ＣＭＰ技術等を用いて前記コイル層１４をＣ−Ｃ線まで削っていく。
【０２３２】
この際、下部磁極層１１上面、コイル絶縁層１６上面、持上げ層１７上面も前記研磨加工により削られていき、前記下部磁極層１１上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６、およびコイル層１４の上面が位置した状態になる。
【０２３３】
そして図１８、１９に示す工程と同様に、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面及びコイル絶縁層１６上面に、ギャップ層１２を形成し、さらに前記ギャップ層１２上面に上部コア層１３をフレームメッキ法等により形成する。
【０２３４】
この製造方法においても、前記下部磁極層１１上面と同一面上に、コイル絶縁層１６及びコイル層１４の上面が位置し、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面、さらにはコイル絶縁層１６上に形成されるギャップ層１２の上面は、平坦化面となっているので、前記ギャップ層１２上に形成される上部コア層１３を、パターン精度良く形成でき、特に前記上部コア層１３のトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能である。
【０２３５】
図２３ないし図２５は、図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図が図示されている。
【０２３６】
図２３に示す工程図では、既に、下部コア層３０と、前記下部コア層３０上に、下部磁極層１１、持上げ層１７、コイル層１４、コイル絶縁層１６、およびギャップ層１２が形成されている。上記各層の製造方法は、図１２ないし図１９、あるいは図２０ないし図２２に示す工程で行なわれる。
【０２３７】
図２３では、前記ギャップ層１２上であって、記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の長さ寸法で上部磁極層１９を形成する。
【０２３８】
前記上部磁極層１９の製造方法は、上部コア層１３と同様にフレームメッキ法が使用され、まず前記ギャップ層１２上にレジスト層（図示しない）を形成した後、前記レジスト層に上部磁極層１９のパターンを露光現像により形成し、前記パターン内に磁性材料をメッキ成長させることで、上部磁極層１９を形成する。
【０２３９】
前記上部磁極層１９の平面形状は、図７に示す通り、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法を有するトラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅと前記先端部Ｅの基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端部Ｆとで構成される。
【０２４０】
図２３に示すように、前記上部磁極層１９は、平坦化されたギャップ層１２上に形成されるから、前記上部磁極層１９の形成に使用されるレジスト層を薄い膜厚で形成でき、しかも均一な膜厚で形成できる。よって、露光現像の際に、乱反射等は発生せず、また解像度を向上させることができ、前記上部磁極層１９をパターン精度良く形成できる。特にトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定のトラック幅Ｔｗ寸法内に高精度に形成することができる。
【０２４１】
前記上部磁極層１９の形成により、図２３に示すように、前記ギャップ層１２と上部磁極層１９間には段差が形成される。また図２３に示す実施例では、下部コア層３０の後端部上に形成された持上げ層１７上に、第２の持上げ層２３を形成している。
【０２４２】
次に図２４に示す工程では、前記上部磁極層１９のハイト方向後方であって、ギャップ層１２上に、第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１を形成する。
【０２４３】
前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１の形成方法は、第１層目となるコイル層１４及び前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層１６の形成方法と同様であり、具体的には図１５ないし図１７に示す工程と同様に、まずギャップ層１２上に第２のコイル層２０をパターン形成した後、前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間を第２のコイル絶縁層２１によって埋め、次にＣＭＰ技術等を用いて、前記第２のコイル絶縁層２１の上面及びコイル層２０の上面を、上部磁極層１９の上面を第２の基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上になるまで削ることで達成することができる。
【０２４４】
あるいは、図２０ないし図２２に示すように、ギャップ層１２上に第２のコイル絶縁層２１を形成し、次に前記第２のコイル絶縁層２１にコイル形成溝を形成した後、前記コイル形成溝内に第２のコイル層２０を埋め、ＣＭＰ技術等を用いて、前記上部磁極層１９の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２の基準平面と同一面上になるまで、前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１の上面を削ることで達成することができる。
【０２４５】
上記した製法を用いた場合には、第２のコイル絶縁層２１は無機絶縁材料で形成され、前記第２のコイル絶縁層２１の上面は、上部磁極層１９の上面（＝第２の基準平面）と同一面上に位置するが、本発明では、前記第２のコイル絶縁層２１の上面が前記第２の基準平面よりも多少盛り上がって形成されてもかまわない。それは第２のコイル絶縁層２１に有機絶縁材料を使用することで行なわれ、完成した薄膜磁気ヘッドは図８に示す形態になる。
【０２４６】
まずギャップ層１２と上部磁極層１９間の段差内に第２のコイル層２０をパターン形成する。この際の前記第２のコイル層２０の高さ寸法は、前記第２のコイル層２０の上面が上部磁極層１９の上面と同一高さであってもよいし、あるいは前記上部磁極層１９の上面より低く形成されても高く形成されてもかわない。
【０２４７】
次に前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間を有機絶縁材料で形成された第２のコイル絶縁層で埋める。この際、前記第２のコイル層２０上面も前記第２のコイル絶縁層により覆い、上から見た時に前記第２のコイル層２０がコイル絶縁層により完全に覆われた状態にされていなくてはならない。
【０２４８】
完成した薄膜磁気ヘッドの形態が図示されている図８を見ると、有機絶縁材料で形成された前記第２のコイル絶縁層２４は、上部磁極層１９の上面から高さＨ５だけ盛り上がって形成されるが、このような盛り上がりがあっても、次工程で形成される上部コア層１３のパターン形成に支障をきたさない。
【０２４９】
なぜなら前記上部コア層１３は、図７に示すように、上部磁極層１９の後端部Ｆ付近に接合されて形成され、前記上部コア層１３の幅寸法自体は、前端部から後端部にかけて一律にトラック幅Ｔｗに比べて大きな寸法で形成されるからである。
【０２５０】
このため前記上部コア層１３の形成を、トラック幅Ｔｗで形成された先端部の形成の時のように、高いパターン精度で形成しなくても、前記上部コア層１３を所定形状で形成し易く、従って図８に示すように、上部コア層１３が形成されるべき表面に多少の盛り上がりがあってもよいのである。
【０２５１】
図２４示すように、第２のコイル層２０が、上部磁極層１９上面と同一面上に位置し、前記第２のコイル層２０上面が露出した状態にあっては、前記上部コア層１３を形成する際には、図２５に示すように、第２のコイル絶縁層２１及びコイル層２０上に絶縁層２２を形成する。この際、前記絶縁層２２は第２の持上げ層２３上に形成されてはならない。前記第２の持上げ層２３上には、次工程で形成される上部コア層１３の基端部１３ａが接合されるからである。
【０２５２】
前記絶縁層２２は、第２のコイル層２０が、上部コア層１３が形成されるべき表面に露出していなければ形成する必要性はないが、仮に露出していなくても第２のコイル層２０と上部コア層１３間の絶縁性耐圧を向上させるために、前記絶縁層２２を形成する方が好ましい。
【０２５３】
前記絶縁層２２は、無機絶縁材料で形成されてもよいし、有機絶縁材料で形成されてもよいが、絶縁性耐圧を適切に向上させるには、有機絶縁材料で形成される方が好ましい。また無機絶縁材料で形成された絶縁層と有機絶縁材料で形成された絶縁層の積層構造で前記絶縁層２２を構成してもよい。
【０２５４】
図２５に示すように、前記上部磁極層１９上から絶縁層２２上、さらには第２の持上げ層２３上にかけて上部コア層１３をフレームメッキ法等で形成する。
【０２５５】
図２５に示すように、前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上に記録媒体との対向面からハイト方向にずれた位置で接合される。
【０２５６】
図８に示すように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９のうち、幅寸法がトラック幅Ｔｗから漸次的に広がる後端部Ｆ上に接合されることが好ましい。
【０２５７】
このように前記上部コア層１３を、上部磁極層１９の後端部Ｆ上に接合する理由は、前記上部コア層１３の幅寸法は前端部から後端部にかけて一律に、トラック幅Ｔｗに比して大きな幅寸法で形成されるからであり、このように幅寸法の大きい上部コア層１３が、仮に前記上部磁極層１９のうち、トラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅ上に形成された場合には、前記先端部Ｅと上部コア層１３との間で、トラック幅方向に段差が形成されてしまい、この部分でライトフリンジングが発生しやすくなる。
【０２５８】
このため前記上部コア層１３は、上部磁極層１９のうちでも、前記上部磁極層１９とほぼ同等な幅寸法を有する後端部Ｆ上に接合されることが、ライトフリンジングの発生の抑制には好ましい。
【０２５９】
また上記したように、前記上部コア層１３が形成されるべき表面には絶縁層２２の存在や、あるいは第２のコイル絶縁層２４の盛り上がり等により、前記上部コア層１３を完全な平坦化面上に形成することができないが、前記上部コア層１３は、その幅寸法が前端部から後端部にかけて非常に大きく形成されるので、完全な平坦化面上に形成されず、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層１３を所定形状で形成することは可能である。
【０２６０】
なお図２３ないし図２５に示す製造工程では、下部コア層３０上に持上げ層１７が形成されているが、前記持上げ層１７が形成されていない場合には、前記第２の持上げ層２３を下部コア層３０上から形成することが好ましい。
【０２６１】
また前記第２の持上げ層２３は形成されていなくてもよいが、この場合、第２のコイル層２０を覆うコイル絶縁層に穴を空けて、前記穴内に、上部コア層１３の基端部１３ａを形成して、前記基端部１３ａを持上げ層１７上、あるいは下部コア層３０上に接合させなければならない。
【０２６２】
図２６ないし図２９は、図２に示すように下部磁極層１１に傾斜面１１ａ，１１ａを形成するための製造方法が示されている。図２６ないし図２９に示す工程図は、既に上部コア層１３までが形成された後の状態が示されている。なお図２６に示す工程図は部分平面図であり、図２７ないし図２９に示す工程図は部分正面図である。
【０２６３】
図２６に示す工程では、上部コア層１３上、および前記上部コア層１３のトラック幅方向の両側からはみ出るギャップ層１２上にレジスト層４０を塗布形成する。
【０２６４】
前記レジスト層４０が形成されるべき部分は斜線で描かれているが、図２６に示すように、前記上部コア層１３のうち、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅ及びそのトラック幅Ｔｗの両側に形成されるギャップ層１２の部分には、前記レジスト層４０が形成されていない。
【０２６５】
また前記レジスト層４０の形成されない領域は、さらに上部コア層１３の後端部Ｆ上にまで延びていてもよいが、この場合、少なくともコイル層１４が形成されている上には、レジスト層４０が形成されていなければならない。前記コイル層１４を、後述するイオンミリング等から適切に保護するためである。
【０２６６】
次に図２７に示すように、前記レジスト層４０が形成されていない部分のギャップ層１２を矢印Ｒ方向（垂直方向）からのみ行なわれる異方性エッチングにより除去する。異方性エッチングとしては、例えばプラズマエッチングを使用する。
【０２６７】
この工程により図２７に示す点線部分のギャップ層１２が除去され、前記ギャップ層１２は、幅寸法が上部コア層１３の先端部Ｅの幅寸法と同様に、トラック幅Ｔｗとして上部コア層１３と下部コア層３０との間に残される。
【０２６８】
なおプラズマエッチングは、化学的作用により材料を選択的に除去するものであるため、このプラズマエッチングにより、下部コア層３０および上部コア層１３は、ダメージを受けることがない。
【０２６９】
前記ギャップ層１２が除去された部分では、下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の表面が露出した状態にされる。
【０２７０】
図２８に示す工程では、第１イオンミリングにより、ギャップ層１２の除去により露出した下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の上面を削る。
【０２７１】
前記第１イオンミリングには、中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。この第１イオンミリングでは、矢印Ｓ方向および矢印Ｔ方向からイオン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ１は０から３０°の範囲内であることが好ましい。つまり、この工程における第１イオンミリングでは、垂直に近い方向から、下部磁極層１１の上面に対してイオンが照射される。
【０２７２】
下部磁極層１１に、垂直に近い方向（矢印ＳおよびＴ）からイオンが照射されると、物理的作用により、前記下部磁極層１１のギャップ層１２との対向面の両側部分が、ほぼ矩形状に削られる。これにより、前記下部磁極層１１には、ほぼ直角に段差が形成され、前記ギャップ層１２の下には、上部コア層１３先端の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）とほぼ同じ幅寸法よる隆起部１１ｂが形成される。
【０２７３】
なお図示されていないが、前記第１イオンミリングにより削り取られた下部磁極層１１の磁粉が、上部コア層１３、ギャップ層１２及び隆起部１１ｂの両側に付着する。
【０２７４】
このような磁粉の付着は、記録特性を劣化させることから適切に除去しなければならず、さらにライトフリンジングの抑制に効果的な傾斜面１１ａ，１１ａを下部磁極層１１に形成すべく、第２次イオンミリングを行う。
【０２７５】
第２次イオンミリングでは、第１次イオンミリングと同様に中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。この第２次イオンミリングでは、図２９に示すように、矢印Ｕ方向および矢印Ｖ方向からイオン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ２は４５°から７０°の範囲内であることが好ましい。つまり、第１次イオンミリング（イオン照射角度θ１は０°から３０°）に比べて、より斜め方向からイオンが照射される。
【０２７６】
矢印Ｕおよび矢印Ｖ方向からイオンが照射されると、物理的作用により、隆起部１１ｂの両側の下部磁極層１１上面が、斜めに削り取られ、前記下部磁極層１１に傾斜面１１ａ，１１ａが形成される。なおこの際、コイル絶縁層１６の上面も削られていき、前記傾斜面１１ａ，１１ａと連続する傾斜面１６ｂ，１６ｂが形成される。
【０２７７】
また同時に、第２次イオンミリングでは、上部コア層１３、ギャップ層１２、および隆起部１１ｂの両側面に付着した磁粉が削り取られ、除去される。前記磁粉が除去されることにより、前記上部コア層１３と下部磁極層１１との間において、磁気的な短絡が発生しない。
【０２７８】
また本発明では、第１次イオンミリングや第２次イオンミリングにより、上部コア層１３の両側も削れ、前記上部コア層１３の幅寸法で規制されるトラック幅Ｔｗは、より小さくなり今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０２７９】
このように、下部磁極層１１に隆起部１１ｂ及び傾斜面１１ａの形成は、ライトフリンジングの発生の抑制に役立つ。
【０２８０】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、下部コア層上に、記録媒体からハイト方向後方に所定の長さ寸法で下部磁極層を形成し、前記下部磁極層と下部コア層間に形成される段差内に、コイル層及びコイル絶縁層を形成する。
【０２８１】
そして前記下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を前記基準平面と同一面上に位置させ、前記基準平面のハイト方向後方に平坦化面を形成することで、前記基準平面及び平坦化面上に形成されるギャップ層もまた平坦化して形成することができる。
【０２８２】
従って本発明では、前記ギャップ層上に形成される上部コア層を、平坦化された面上に形成することができ、よって前記上部コア層を形成する際に使用されるレジスト層の膜厚を薄く形成することができ、しかも均一に形成できるので、露光現像の際に乱反射等が発生せず、しかも解像度を向上させることができ、前記上部コア層をパターン精度良く形成することができる。
【０２８３】
特にトラック幅Ｔｗで形成される先端部を、高精度に形成することができ、また前記先端部の長さ寸法を短く適切に形成できることから、磁気飽和の発生を抑制でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２８４】
さらに本発明では、下部磁極層に、ギャップ層との接合の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された隆起部及び前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面を形成することで、ライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０２８５】
また本発明ではコイル層を２層構造で形成することができ、これによりコイル層の幅寸法を小さくして、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを形成することができる。
【０２８６】
さらにコイル層を２層構造にした場合において、本発明では、ギャップ層上にトラック幅Ｔｗで形成された先端部を有する上部磁極層を、パターン精度良く形成することができ、さらに、前記上部磁極層のハイト方向後方であってギャップ層上に第２のコイル層及び第２のコイル絶縁層を形成することができる。
【０２８７】
そして本発明では、上部コア層を、上部磁極層上にハイト方向後方にずらして接合することで、前記上部コア層にトラック幅Ｔｗで形成される先端部を形成する必要は無くなり、従って前記上部コア層の幅寸法を、トラック幅Ｔｗに比べて大きな幅寸法で形成することができる。
【０２８８】
従って前記上部コア層が形成されるべき面に多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を所定形状にパターン精度良く形成することができ、また上記のように幅寸法の大きい上部コア層を上部磁極層上にハイト方向後方にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【０２８９】
また本発明の製造方法によれば、ＣＭＰ技術等を用いれば、下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面を容易にしかも確実に位置させることが可能であり、前記基準平面のハイト方向後方に平坦化面を形成することができる。
【０２９０】
そして本発明における製造方法によれば、上部コア層を所定形状にパターン精度良く形成することが可能である。
【０２９１】
また本発明では、下部コア層上に持上げ層を形成することで、上部コア層と下部コア層間の磁気的な接合を行い易くなり、製造工程を容易化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分正面図、
【図３】図１に示す３−３線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図５】図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図６】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図７】図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図８】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図９】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分正面図、
【図１０】図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１１】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図１２】図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１３】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】他の製造工程を示す一工程図、
【図１５】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図３に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を示す一工程図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２３】図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２６】図２に示す下部磁極層の製造方法を示す一工程図、
【図２７】図２６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２８】図２７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２９】図２８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図３０】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図３１】従来における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【符号の説明】
１１ 下部磁極層
１２ ギャップ層
１３ 上部コア層
１４ コイル層
１５、１８ 絶縁下地層
１６ コイル絶縁層
１７ 持上げ層
１９ 上部磁極層
２０ 第２のコイル層
２１、２４ 第２のコイル絶縁層
２３ 第２の持上げ層
３０ 下部コア層
４０ レジスト層
【発明の属する技術分野】
本発明は、コア層間にコイル層が形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に上部コア層の形成を適正に行うことができ、狭トラック化と共に、オーバーライト特性を向上させることができ、しかもライトフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】
図３０は、従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示す縦断面図である。
この薄膜磁気ヘッドは、ハードディスクなどの記録媒体に対向する浮上式磁気ヘッドのスライダのトレーリング側端面に設けられており、記録用のインダクティブヘッドである。
【０００３】
符号１は、例えばＮｉＦｅ合金などの磁性材料で形成された下部コア層である。前記下部コア層１の上には、例えばＡｌ2Ｏ3（アルミナ）やＳｉＯ2などの非磁性材料で形成されたギャップ層２が設けられている。さらに前記ギャップ層２上には、レジスト材料やその他の有機材料で形成された絶縁層９が形成されている。
【０００４】
前記絶縁層９上には、Ｃｕなどの電気抵抗の低い導電性材料によりコイル層４が螺旋状に形成されている。なお前記コイル層４は、後述する上部コア層６の基端部６ｂの周囲を周回するように形成されているが、図３０では前記コイル層４の一部のみが現れている。
【０００５】
そして前記コイル層４は、有機材料などの絶縁層５によって覆われており、前記絶縁層５の上に、パーマロイなどの磁性材料によってメッキされて上部コア層６が形成されている。上部コア層６の先端部６ａは、記録媒体との対向部において、下部コア層１上に前記ギャップ層２を介して接合され、ギャップ長Ｇｌの磁気ギャップが形成されている。また上部コア層６の基端部６ｂは、ギャップ層２に形成された穴を介して、下部コア層１に磁気的に接続されている。
【０００６】
前記上部コア層６の先端部６ａのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成され、近年の高記録密度化に伴い、前記トラック幅Ｔｗはより小さく形成される必要性がある。
【０００７】
書込み用のインダクティブヘッドでは、コイル層４に記録電流が与えられると、下部コア層１及び上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と上部コア層６の先端部６ａとの磁気ギャップ部分からの洩れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信号が記録される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
上述した薄膜磁気ヘッドの上部コア層６は、フレームメッキ法によって形成される。前記上部コア層６を形成する際の一工程を表したのが、図３１である。
【０００９】
図３１に示すように、コイル層４を形成し、前記コイル層４を絶縁層５で覆った後、先端付近に露出するギャップ層２上から前記絶縁層５上にかけて、ＮｉＦｅ合金などの磁性材料の下地層７を形成する。
【００１０】
次に、前記下地層７上にレジスト層８を形成した後、露光現像によって、上部コア層６の形状パターンを前記レジスト層８に形成し、前記パターン内から露出する下地層７上に、磁性材料の層（上部コア層６）をメッキ形成する。そして、残されたレジスト層８を除去すると、図３０に示す上部コア層６が完成する。
【００１１】
しかしながら従来の薄膜磁気ヘッドでは、構造上、上部コア層６を形成する際に次のような問題点がある。
【００１２】
図３１に示すように、下部コア層上には、絶縁層９、コイル層４及び絶縁層５の積層により、前記積層膜が下部コア層１表面から厚さＨ３で盛り上がり、従って前記コイル層４等が形成されていない下部コア層１上、すなわち前記下部コア層１の先端付近上に形成されるレジスト層８の膜厚Ｈ１が非常に厚くなり、逆に、前記絶縁層５上に形成されるレジスト層８の膜厚Ｈ２は、薄く形成される。
【００１３】
このため前記レジスト層８を露光現像する際に、焦点深度を合わせにくく、前記レジスト層８に上部コア層６のパターンを所定形状に形成しづらく、パターン精度を低下させる原因となっている。
【００１４】
特に上記したように、上部コア層６の先端部６ａは、その幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され、今後の高記録密度化に伴い、前記トラック幅Ｔｗはより小さく形成されなければならない。
【００１５】
上記したように、前記上部コア層６の先端部６ａが形成されるべき部分のレジスト層８の膜厚Ｈ１は非常に厚いために、この膜厚Ｈ１のレジスト層８部分にパターンを形成するには、露光現像の際に、深い焦点深度を必要とするが、前記焦点深度を深くしようとすると、解像度を悪化させ、所定寸法のトラック幅Ｔｗより、前記上部コア層６の先端部６ａの幅は広がって形成されてしまう。
【００１６】
また下部コア層１上に形成される絶縁層５，９及びコイル層４の盛り上がりにより、レジスト層８の膜厚が、均一でないために、露光現像の際に乱反射が起こり易く、これにより前記上部コア層６を所定形状に、特に前記上部コア層６の先端部６ａの幅寸法を、所定寸法のトラック幅Ｔｗに形成できなくなる。
【００１７】
上記した問題を解決するため、例えば前記絶縁層５，９及びコイル層４の形成位置を、ハイト方向（図示Ｙ方向）にずらして形成し、前記コイル層４等が形成されていない下部コア層１上の先端付近の長さ寸法Ｔ１を延ばすことにより、前記長さ寸法Ｔ１上に形成されるレジスト層８の膜厚を、図３１に示す場合に比べ薄く形成でき、これにより上部コア層６の先端部６ａの幅寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで形成しようとする方法がある。
【００１８】
しかしながら上記の場合であっても、レジスト層８の膜厚が不均一になることに変わりはなく、依然として露光現像の際における乱反射等の影響で、上部コア層６を所定形状で形成しづらい。
【００１９】
また、コイル層４をハイト方向（図示Ｙ方向）にずらして形成すると、上部コア層６の先端部６ａは、長く形成されることになるが、前記先端部６ａはトラック幅Ｔｗの細長形状で形成されるので、前記先端部６ａにて磁気的飽和が起こり易くなり、ＯＷ（オーバーライト）特性を低下させる原因となる。
【００２０】
なおオーバーライトとは重ね書きのことであり、ＯＷ特性は、まず低周波で記録をし、さらに高周波で重ね書きをし、その状態で低周波での記録信号の残留出力が、高周波で重ね書きする前の前記低周波での記録信号の出力からどれほど低下したかで評価する。
【００２１】
本発明は上記従来の課題を解決するためのものであり、特に、上部コア層を所定形状に形成することができると共に、ＯＷ特性を向上させ、さらにはライトフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【００２２】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層にトラック幅Ｔｗで形成された非磁性のギャップ層、上部コア層、及び前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層には記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法にて下部磁極層が形成され、前記下部磁極層にはギャップ層と接する部分において前記トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されてこの隆起部上にギャップ層が接しており、
前記下部磁極層と下部コア層との段差内には、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層が形成され、
下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面のハイト方向後方には平坦化面が広がっており、
前記ギャップ層上には、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と、前記先端部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成された上部磁極層が形成され、
前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層が形成され、
前記上部コア層は前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きく形成され、この上部コア層は前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらされて接合されることを特徴とするものである。
【００２３】
本発明は、上部コア層を所定形状に形成すべきことを主目的とし、その目的を達成するために、特にコイル層の形成位置を従来と変えている点に大きな特徴がある。
【００２４】
すなわち従来では、前記コイル層はギャップ層上に形成されていたが、この構造では、前記ギャップ層上からコイル層等の盛り上がりを小さく抑えることはできず、その結果、上部コア層を適切にパターン精度良く形成することは難しい。
【００２５】
これに対し本発明者らは、前記コイル層をギャップ層下に形成することを見出し、その結果、前記上部コア層をパターン精度良く形成できるようにしたのである。
【００２６】
本発明における薄膜磁気ヘッドの構造上の特徴は以下の通りである。すなわち本発明では、まず下部コア層上に、下部磁極層が形成されている。そして前記下部磁極層と下部コア層間に形成される段差内に、コイル層及びコイル絶縁層が形成される。
【００２７】
さらに本発明では、前記下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記段差内に形成されたコイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一面上に形成され、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広がって形成されている。
【００２８】
ギャップ層は平坦化された下部磁極層上からコイル絶縁層上にかけて、あるいは下部磁極層上からコイル絶縁層上及びコイル層上にかけて形成されるので、前記ギャップ層の上面もまた平坦化面となっている。
【００３１】
また本発明では、前記上部コア層と下部磁極層間に挟まれたギャップ層はトラック幅Ｔｗで形成され、前記下部磁極層には、ギャップ層と接する部分において、前記トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されていることが好ましい。またこの場合、前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面には、上部コア層から離れるに従って傾斜する傾斜面が形成されていることが好ましい。これによりライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【００３２】
また本発明では、前記下部磁極層は前記下部コア層と一体形成されていてもよい。
【００３３】
また本発明では、前記下部コア層には、後端部上に持上げ層が形成され、前記持上げ層の上面は前記基準平面と同一面上に位置し、前記持上げ層と上部コア層の基端部とが接して形成されていることが好ましい。前記持上げ層の形成により下部コア層と上部コア層間の磁気的な接合を容易に行うことができる。
【００３４】
なお本発明では、前記下部コア層と持上げ層とが一体形成されていてもよい。
また本発明では、前記コイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。
【００３５】
また本発明では、前記基準平面と同一面上は削られた面である。これは後述する製造方法で詳述するように、例えばＣＭＰ技術を用いて前記基準平面と同一面上を研磨することにより達成される。
【００３６】
また本発明では、前記コイル層と下部コア層との間には、絶縁下地層が形成されていることが好ましい。これにより前記コイル層と下部コア層間の絶縁性耐圧を向上させることができる。
【００３７】
また本発明では、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と、前記先端部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成された上部磁極層が形成され、
前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層が形成され、
前記上部コア層は、前記上部磁極層上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらされて接合される形態である。
【００３８】
上記の構成は、コイル層が２層積層されたものであり、これにより、コイル層の幅寸法を小さくできるから、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００３９】
また上記の構成では、ギャップ層上に上部磁極層が形成され、この上部磁極層の記録媒体との対向面に露出する部分における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。前記上部磁極層は、平坦化面のギャップ層上に直接されるので、パターン精度良く前記上部磁極層を所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成することができる。
【００４０】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層を、ハイト方向にずらして形成し、前記上部コア層は、記録媒体との対向面に露出しないようになっている。
【００４１】
このため、上部コア層にトラック幅Ｔｗの先端部を形成する必要はなく、前記上部コア層は、上部磁極層と下部コア層間の磁路を繋ぐ役割を果すのみとなるから、磁気飽和の抑制の点から、前記上部コア層の幅寸法を、トラック幅Ｔｗに比べて大きく形成することが好ましい。
【００４２】
よって、前記上部コア層が形成されるべき面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きな上部コア層をパターン精度良く形成でき、前記上部コア層を所定形状で形成することができる。
【００４３】
また前記上部磁極層上に形成される上部コア層を、ハイト方向にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制することも可能である。
【００４４】
また本発明では、前記上部磁極層は、トラック幅Ｔｗで形成された先端部と、前記細長部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成され、前記上部コア層は前記後端部上に接合されることが好ましい。
【００４５】
さらに本発明では、前記上部磁極層と上部コア層との接合面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル絶縁層の上面及び第２のコイル層の上面が前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広がっている形態であってもよい。
【００４６】
この場合、前記第２のコイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されていることが好ましい。また、前記基準平面と同一面上は削られた面である。
【００４７】
上記の構成により、上部磁極層上から、第２のコイル絶縁層上、あるいは第２のコイル絶縁層上及び第２のコイル絶縁層上にかけて形成される上部コア層を、よりパターン精度良く形成することが可能である。
【００４８】
さらに本発明では、前記第２のコイル絶縁層は有機絶縁材料で形成されていてもよい。この場合、前記第２のコイル絶縁層は、前記第２の基準平面上から多少盛り上がるため、前記上部コア層を完全な平坦化面上に形成することはできないが、上記したように、前記上部コア層はパターン精度が多少低くくても、所定形状に形成することができるので、第２の基準平面からの盛り上がりはそれほど問題とはならない。
【００４９】
また本発明では、下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には下部コア層上から、前記下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、第２の持上げ層が形成され、前記上部コア層の基端部が前記第２の持上げ層上に接して形成されることが好ましい。これにより下部コア層上部コア層間の磁気的な接続を行いやすくなる。
【００５０】
また本発明は、下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層に非磁性のギャップ層を介して対向する上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部コア層上に、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で、下部磁極層を形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層上に絶縁下地層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁下地層上に、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記下部磁極層の上面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいはコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面が前記基準平面と同一面上となるように、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を削り、前記基準平面からハイト方向後方に平坦化面を形成する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層の上面、及び平坦化面上にギャップ層を形成する工程と、
（ｆ）前記ギャップ層上に、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と前記先端部の基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端部とで構成される上部磁極層を形成する工程と、
（ｇ）トラック幅Ｔｗで形成された上部磁極層の先端部のギャップ層との接合面から両側に延びるギャップ層を除去する工程と、
（ｈ）除去された前記ギャップ層下に露出する下部磁極層の上面を削り、前記下部磁極層のギャップ層との接合面の幅寸法をトラック幅Ｔｗと一致させ、前記下部磁極層に上部磁極層方向に延びる隆起部を形成する工程と、
（ｉ）前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に、上部磁極層から離れるに従って傾斜する傾斜面を形成する工程、
（ｊ）前記ギャップ層上であって上部磁極層のハイト方向後方に、第２のコイル層と前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｋ）上部コア層を前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きくなるように形成し、この上部コア層を前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらして接合する工程、を有することを特徴とするものである。
上記のように本発明では、（ａ）工程にて、下部コア層上に下部磁極層を形成し、（ｃ）工程にて、前記下部コア層と下部磁極層間に形成された段差部内に、コイル層及びコイル絶縁層を形成している。
【００５１】
本発明では、さらに（ｄ）工程にて、例えばＣＭＰ技術等を使用し、コイル絶縁層の上面、あるいはコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を基準平面（下部磁極層の上面）と同一面上で形成し、前記基準平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成することで、前記基準平面及び平坦化面上にギャップ層を形成でき、従って、上部コア層を平坦化面のギャップ層上に形成することが可能である。よって上部コア層を形成する際に使用されるレジスト層を薄い膜厚で形成でき、しかも露光現像の際に乱反射等が発生せず、前記上部コア層をパターン精度良く形成できる。特に前記上部コア層の先端付近の幅寸法を所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成することができ、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【００５２】
また本発明では、前記（ａ）工程において、下部コア層のハイト方向後方に磁性材料製の持上げ層を形成し、前記（ｄ）工程において、前記持上げ層の上面を前記基準平面と同一面上となるように削ることが好ましい。
【００５３】
前記持上げ層の形成により前記上部コア層と下部コア層間の磁気的な接続を行い易くすることができ、製造工程を容易化することが可能である。
【００５４】
また本発明では、前記（ａ）工程において、下部コア層上にフレームメッキ法にて下部磁極層を形成し、また持上げ層をも形成する場合には、前記持上げ層を下部磁極層と同時にフレームメッキ法で形成することが好ましい。
【００５５】
また上記の場合、前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【００５６】
あるいは本発明では、前記（ａ）工程において、下部磁極層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層を突出形成し、また持上げ層をも形成する場合には、下部磁極層及び持上げ層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層及び持上げ層を突出形成してもよい。
【００５７】
上記構成の場合、前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【００５８】
本発明では、前記（ｆ）、（ｇ）、（ｈ）工程により、狭トラック化とさらには、ライトフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【００５９】
また本発明では、前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を、無機絶縁材料で形成することが好ましい。これにより前記コイル絶縁層上面をＣＭＰ技術等を用いて適切に研磨加工することができる。
【００６０】
また本発明では、コイル層を２層構造で形成でき、よってコイル層の幅寸法を小さくでき、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長の短磁路化を実現することができる。
【００６１】
また本発明では、平坦化されたギャップ層上に上部磁極層を形成でき、よって前記上部磁極層に、トラック幅Ｔｗで形成される先端部を、所定寸法で高精度に形成することが可能である。
【００６２】
また上部コア層を上部磁極層上に、記録媒体との対向面からハイト方向にずらして形成することで、前記上部コア層を、トラック幅Ｔｗに比べ大きな幅寸法で形成することが可能であり、従って、前記上部コア層を形成すべき面に、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を、所定形状に形成しやすくできる。
【００６４】
また本発明では、前記（ｊ）工程において、前記上部磁極層の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル層及び第２のコイル絶縁層の上面が、前記第２の基準平面と同一面上に位置するように、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及び前記第２のコイル絶縁層の上面を削り、前記第２の基準平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成してもよい。この場合、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を無機絶縁材料で形成することが好ましい。
【００６５】
これはＣＭＰ技術等を用いることで実現でき、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を、第２の基準平面（上部磁極層の上面）と同一面上で形成することで、前記基準平面上に形成される上部コア層を、パターン精度良く所定形状に形成することができる。
【００６６】
また本発明では、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を有機絶縁材料で形成してもよい。
【００６７】
また本発明では、前記（ｆ）工程において、下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、前記下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には前記下部コア層上に、第２の持上げ層を形成し、前記（ｋ）工程において、上部コア層の基端部を、前記第２の持上げ層上に接合させることが好ましい。
【００６８】
上記工程では、下部コア層上に形成された持上げ層上、あるいは下部コア層上に、第２の持上げ層を形成している。これによりコイル層を２層構造にした場合において、下部コア層と上部コア層間の磁気的な製造を行いやすくなり、製造方法を容易化することが可能である。
【００６９】
【発明の実施の形態】
図１は、本発明における第１実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を、記録媒体との対向面から見た部分正面図、図２は、本発明における他の実施形態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図３は、図１に示す３−３線を矢印方向から見た薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、図４は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、図５は、図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【００７０】
図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッドは、記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層された、いわゆる複合型薄膜磁気ヘッドであってもよい。
【００７１】
図１に示す符号３０は、例えばパーマロイなどの磁性材料で形成された下部コア層である。なお前記下部コア層３０の下側に再生用ヘッドが積層される場合、前記下部コア層３０とは別個に、磁気抵抗効果素子をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あるいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層３０を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させてもよい。
【００７２】
図１に示すように前記下部コア層３０の上には、下部磁極層１１が形成されている。前記下部磁極層１１は下部コア層３０と同様に、記録媒体との対向面に露出形成され、前記下部磁極層１１の下面は前記下部コア層３０と磁気的に接続された状態になっている。
【００７３】
前記下部磁極層１１は、下部コア層３０と同じ材質で形成されてもよいが、異なる材質で形成されても良い。ただし記録密度を向上させるためには、前記下部磁極層１１は下部コア層３０に比べて高い飽和磁束密度を有する磁性材料で形成されることが好ましい。
【００７４】
図１に示すように前記下部磁極層１１は、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がＴ２で形成されている。この幅寸法Ｔ２は、少なくとも上部コア層１３の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）に比べて大きく形成される必要がある。
【００７５】
また図１に示すように、前記下部磁極層１１の高さ寸法はＨ４で形成されるが、この高さ寸法Ｈ４は、あまり小さすぎると、後述するコイル層１４の高さ寸法を稼ぐことができなくなり、前記コイル抵抗値の低減を図るために、コイル層１４の幅寸法Ｔ３（図３参照）を広げなければならず、長磁路長化を招く結果となる。
【００７６】
また前記下部磁極層１１の高さ寸法Ｈ４が、あまり大きくなりすぎても、前記下部磁極層１１を形成しづらくなり、また前記下部磁極層１１の部分で磁気飽和に達し易くなり、今後の高記録密度化に対応できないという問題がある。
【００７７】
前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２は、下部コア層３０の幅寸法以下であれば良く、具体的には、５μｍ〜１００μｍの範囲内、高さ寸法Ｈ４は、具体的には、１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。
【００７８】
また前記下部磁極層１１は図３に示すように、ハイト方向（図示Ｙ方向）に長さ寸法Ｌ２で形成され、前記下部磁極層１１は、下部コア層３０上に矩形状にて形成されることがわかる。この実施例においては前記下部磁極層１１の長さ寸法Ｌ２がギャップデプスＧｄとして規制され、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気ヘッドの電磁変換に多大な影響を与えることから、予め所定の長さに設定される。
【００７９】
本発明では図３に示すように、前記下部磁極層１１と下部コア層３０との段差内には、コイル層１４が形成されている。
【００８０】
また図３に示すように前記下部コア層３０とコイル層１４との間には、絶縁下地層１５が形成されており、前記下部コア層３０とコイル層１４間の電気的な絶縁が図られている。図３に示す前記絶縁下地層１５は、無機絶縁材料で形成されている。
【００８１】
前記無機絶縁材料には、ＡｌＯ、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ3Ｎ4、ＮｉＯ、ＷＯ、ＷＯ3、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以上が選択される。
【００８２】
前記絶縁下地層１５に無機絶縁材料を使用する場合には、後で製造方法で説明するように、スパッタ法等の既存の方法で形成可能である。
【００８３】
ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料で形成される場合には、前記絶縁下地層１５にピンホール等の欠陥が発生しやすいために、前記絶縁下地層１５を、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層と、有機絶縁材料で形成された絶縁下地層の２層構造とするか、あるいは有機絶縁材料の絶縁下地層の一層で形成する方が好ましい。有機絶縁材料を使用することで、絶縁性耐圧を向上させることが可能である。なお前記有機絶縁材料には、例えばレジストやポリイミド等の周知な材質を使用することができる。
【００８４】
また図３に示すように、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間には、コイル絶縁層１６が埋められており、前記コイル絶縁層１６は、図１に示すように、記録媒体との対向面において、前記下部磁極層１１の両側に露出して形成されている。
【００８５】
ところで図３に示すように、本発明では、前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面が、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄと同一面上に位置していることがわかる。
【００８６】
従って本発明では、前記基準平面Ｄからハイト方向（図示Ｙ方向）後方には平坦化面が広がって形成されている。
【００８７】
このように前記基準平面Ｄと同じ面上に、コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面を揃えるには、後述するように、例えばＣＭＰ技術等を用い、前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面を、前記基準平面Ｄに合わせるべく研磨加工すればよく、これにより前記平坦化面は削られた面となっている。
【００８８】
なお図３に示す実施例では、前記コイル層１４の上面が前記基準平面Ｄと同一面上に位置しているが、これにより前記下部磁極層１１と下部コア層３０間に形成される段差内で、前記コイル層１４の高さ寸法も最大に大きくすることができ、よって前記コイル層１４の幅寸法Ｔ３を最小にすることができ、下部コア層３０から上部コア層１３を経て形成される磁路長の短磁路化を図ることができる。
【００８９】
ただし本発明では、前記コイル層１４の上面が、前記基準平面Ｄよりも高さが低く形成されてもよい。この場合、前記コイル層１４の上面は、コイル絶縁層１６により覆われ、前記コイル絶縁層１６の上面のみが前記基準平面Ｄと同一面上に揃えられることになる。
【００９０】
また本発明では、前記コイル絶縁層１６は、無機絶縁材料で形成されることが好ましい。上記したＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する際に、前記コイル絶縁層１６が無機絶縁材料で形成されていると、前記コイル絶縁層１６の上面を適切にしかも容易に研磨することができるからである。
【００９１】
一方、前記コイル絶縁層１６が有機絶縁材料で形成されていると、有機絶縁材料独特のねばりにより、前記コイル絶縁層１６の上面を適切に削ることができなくなり好ましくない。
【００９２】
ただしコイル絶縁層１６が無機絶縁材料で形成されると、前記コイル絶縁層１６をスパッタ等で形成する際に、コイル層１４の各導体部のピッチ間に無機絶縁材料が侵入しにくく、前記コイル絶縁層１６に空洞部等の欠陥が形成される虞がある。よって、基準平面Ｄよりも下側の位置で有機絶縁材料を、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間に埋めた後、前記有機絶縁材料層の上に、無機絶縁材料製のコイル絶縁層１６を形成することが上記欠陥が発生せず好ましい。
【００９３】
本発明では、上記したように、基準平面Ｄと同一面上にコイル絶縁層１６の上面及びコイル層１４の上面を位置させているので、前記基準平面Ｄのハイト方向後方には平坦化面が広がっている。
【００９４】
そして本発明では図３に示すように、平坦化された下部磁極層１１上、コイル層１４上、およびコイル絶縁層１６上に、ギャップ層１２が形成されるので、前記ギャップ層１２の表面もまた平坦化された面となっている。
【００９５】
なお前記ギャップ層１２は、無機絶縁材料で形成され、前記無機絶縁材料は、具体的には、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮのうち１種または２種以上から選択されることが好ましい。
【００９６】
本発明の薄膜磁気ヘッドの構成によれば、ギャップ層１２の下側に、コイル層１４が既に形成されているため、図３０に示す従来の薄膜磁気ヘッドのように、ギャップ層１２の上にコイル層１４の形成は行われない。
【００９７】
よって本発明では、平坦化されたギャップ層１２の上に、上部コア層１３を形成することが可能である。
【００９８】
前記上部コア層１３は、いわゆるフレームメッキ法で形成される。フレームメッキ法では、まず上部コア層１３が形成される面上にレジスト層を形成し、前記レジスト層に上部コア層１３のパターンを露光現像で形成する。そして前記パターン内に磁性材料の層をメッキ成長させ、前記レジスト層を除去して、上部コア層１３を形成する。
【００９９】
上記のように本発明では、上部コア層１３が形成されるべき面、すなわちギャップ層１２上面は、平坦化面となっているので、前記ギャップ層１２上にレジスト層を均一な膜厚で形成でき、しかも前記レジスト層を薄い膜厚で形成できるので、露光現像の際に乱反射等が起こりにくく、また解像度良く、上部コア層１３のパターンを形成でき、よって高精度に上部コア層１３を形成することができる。
【０１００】
ただし上部コア層１３とコイル層１４間の電気的な絶縁を適正に保つために、前記ギャップ層１２上あるいは下に膜厚の薄い無機絶縁材料製あるいは有機絶縁材料製の絶縁下地層を形成することができる。ただし前記絶縁下地層は、記録媒体との対向面にまで延びて露出形成されてはいけない。ギャップ長が大きくなるからである。前記絶縁下地層は、コイル層１４が形成されている、その上のギャップ層１２上にのみ部分的に形成されることが好ましい。
【０１０１】
ところで本発明では図１に示すように、記録媒体との対向面に露出する部分において、前記上部コア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。
【０１０２】
また前記上部コア層１３の形状は、上から見ると図４に示すようになっており、前記上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけてトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅと、この先端部Ｅからハイト方向にかけて漸次的に幅寸法が広がる後端部Ｆとで構成される。
【０１０３】
上部コア層１３の後端部Ｆは、幅寸法が大きく形成されるので、パターン精度がそれほど高くなくても、ほぼ所定形状で前記後端部Ｆをパターン形成することができるし、仮に所定形状と多少異なった形状で形成されても磁気的な特性に、さほどの影響を与えない。
【０１０４】
これに対し、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅは、非常に幅寸法が狭く形成され、具体的には、０．５μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好ましい。なお狙い寸法に対しては、±０．１μｍの誤差の範囲内であることが好ましい。
【０１０５】
上部コア層の形状において、前記先端部Ｅの形状は、最も高精度に形成されなければならない部分であり、今後の高記録密度化に伴って、前記先端部Ｅの幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）はますます小さく形成されるものと予想される。
【０１０６】
このように非常に小さい幅寸法を有する先端部Ｅを形成するには、露光現像の際のパターン精度を向上させて、高精度に前記先端部Ｅをパターン形成する必要がある。
【０１０７】
本発明では上記したように、上部コア層１３を平坦化面となるギャップ層１２上に形成することができるから、上部コア層１３の形成の際に使用されるレジスト層の膜厚を薄く形成でき、しかもその膜厚は均一であるから、解像度を向上させることができ、さらに露光現像の際に乱反射等が起こらず、従って前記上部コア層１３を所定形状に形成でき、特に最も高精度に形成されるべき、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定の寸法値内で形成することが可能である。
【０１０８】
また本発明では、上記のようにパターン精度良く上部コア層１３を形成することができるので、前記先端部Ｅのハイト方向への長さ寸法Ｌ３を短く形成することもできる。前記長さ寸法Ｌ３を短く形成できることで、磁束の飽和を緩和でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能になる。
【０１０９】
なお前記長さ寸法Ｌ３は、具体的には１．０μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましい。
【０１１０】
なお本発明では、図３に示すように、下部コア層３０と上部コア層１３間におけるハイト方向後方には持上げ層１７が形成されている。前記持上げ層１７は下部コア層３０及び／または上部コア層１３と同じ材質の磁性材料で形成されてもよいし、あるいは異なる材質で形成されてもよい。
【０１１１】
前記持上げ層１７の形成により、前記持上げ層１７上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合すれば、上部コア層１３−持上げ層１７−下部コア層３０を経る磁路長を形成でき、製造方法を容易化することができる。
【０１１２】
また図３に示すように前記持上げ層１７は、基準平面Ｄと同一面上で形成されることが好ましく、これは、コイル層１４及びコイル絶縁層１６を基準平面Ｄに合わせて研磨加工する際に、前記持上げ層１７の上面も同時に削ることで達成することが可能である。
【０１１３】
なお本発明では、前記持上げ層１７が形成されていなくてもよい。この場合は、コイル絶縁層１６に下部コア層３０上面にまで繋がる穴部を形成し、前記穴部内に上部コア層１３の基端部１３ａを形成して前記基端部１３ａを下部コア層３０上に接合することで、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長を形成することが可能である。
【０１１４】
次に本発明では、図２に示すような形状の薄膜磁気ヘッドを形成することも可能である。
【０１１５】
図２に示すように、下部磁極層１１と上部コア層１３との間に挟まれるギャップ層１２は、トラック幅Ｔｗで形成され、さらに下部コア層３０上に形成された下部磁極層１１は、ギャップ層１２との接合面では、トラック幅Ｔｗで形成される。
【０１１６】
さらに下部磁極層１１には、前記ギャップ層１２との接合面から、下部コア層３０方向に延びる隆起部１１ｂが形成されている。この構成により、ライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１１７】
また本発明では、前記隆起部１１ｂの基端から下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成されており、これにより、さらにライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０１１８】
また本発明では図１及び図２に示すように、記録媒体との対向面に露出する上部コア層１３は、トラック幅Ｔｗで、ギャップ層１２との接合面から図示Ｚ方向に、ストレート形状で形成されているので、前記上部コア層１３の部分においてもライトフリンジングは発生しにくい構造となっている。
【０１１９】
また図２に示す構造では、図１に示す構造の薄膜磁気ヘッドに比べて、上部コア層１３の幅寸法で規制されるトラック幅Ｔｗを、より小さく形成することができ、今後の狭ギャップ化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１２０】
図５は図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図であるが、図５に示すように、上部コア層１３の先端部Ｅの両側には、下部磁極層１０及びコイル絶縁層１６が露出し、上部コア層１３の後端部Ｆの両側にはギャップ層１２が広がっていることがわかる。
【０１２１】
一方、図１に示す薄膜磁気ヘッドの平面図である図４では、上部コア層１３の両側には全面的にギャップ層１２が広がっていることがわかる。
【０１２２】
この違いは、図１及び図２に示す正面図の形状に起因するものであるが、図５に示すように、上部コア層１３の先端部Ｅの両側では、ギャップ層１２が削り取られ、前記ギャップ層１２は図２に示すように、トラック幅Ｔｗで形成された上部コア層１３と下部磁極層１１の隆起部１１ｂ間にのみ残される。このため、図５に示すように、先端部Ｅの両側にはギャップ層１２が形成されていないのである。
【０１２３】
そしてギャップ層１２が除去されたことにより露出する下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の上面が図２に示すように傾斜面上に削られている。
【０１２４】
なお図２に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図は、図３と同一である。
図６は、他の薄膜磁気ヘッドの形態を示す部分縦断面図であり、図７は図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図である。
【０１２５】
この薄膜磁気ヘッドでは、コイルが２層構造となっている。すなわち図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２の下側の構造は図３に示す薄膜磁気ヘッドとほとんど変わりがない。
【０１２６】
ただ、図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、コイル層１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を向上させるべく、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層１５のみならず、前記絶縁下地層１５上にレジスト等の有機絶縁材料で形成された絶縁下地層１８も形成されている。形成パターンは、絶縁下地層１８が下で、その上に絶縁下地層１５が形成されていてもよい。
【０１２７】
図６に示すようにギャップ層１２上には、記録媒体との対向面からハイト方向にかけて所定の長さ寸法Ｌ４の上部磁極層１９が形成されている。前記上部磁極層１９は記録媒体との対向面では、トラック幅Ｔｗで露出形成されている。
【０１２８】
前記上部磁極層１９は上部コア層１３と同じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよい。
【０１２９】
このように記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法Ｌ４にて上部磁極層１９を形成する理由は、第２のコイル層２０を形成すべき段差を、ギャップ層１２との間で形成するためである。
【０１３０】
図６に示すように、ギャップ層１２と上部磁極層１９との間で形成される段差内には、第２のコイル層２０が形成されている。そして前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間には、第２のコイル絶縁層２１が形成されている。
【０１３１】
ところでこの実施例では、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたとき、前記コイル層２０の上面及び第２のコイル絶縁層２１の上面は前記第２の基準平面Ｇと同一面上に形成されている。これはＣＭＰ技術等を用い、前記コイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１を研磨加工することで達成することができる。
【０１３２】
これにより、ギャップ層１２と上部磁極層１９との段差内で、前記第２のコイル層２０を最大に高くして形成することができ、よって前記第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ５を短くすることができ、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長を短く形成することが可能になる。
【０１３３】
なお前記第２のコイル層２０は、前記第２の基準平面Ｇよりも高さが低く形成されていてもよい。この場合、前記第２のコイル層２０上面は第２のコイル絶縁層２１に覆われ、前記基準平面Ｇよりもハイト方向（図示Ｙ方向）後方には、第２のコイル絶縁層２１による平坦化面が広がって形成される。
【０１３４】
またこの場合、前記第２のコイル絶縁層２１は無機絶縁材料で形成されることが好ましい。これは前記第２のコイル絶縁層２１をＣＭＰ技術等を用い研磨加工するためで、前記第２のコイル絶縁層２１が有機絶縁材料で形成されると、前記有機絶縁材料独特のねばりにより、前記第２のコイル絶縁層２１を削りにくくなり、好ましくない。
【０１３５】
ただしコイルを２層構造とした場合、２層目となる第２のコイル層２０を覆う第２のコイル絶縁層２１は、必ずしも第２の基準平面Ｇと同一面上に形成されなければならないわけではない。
【０１３６】
図８は、図６に示す薄膜磁気ヘッドを変形した部分縦断面図である。
図８に示す薄膜磁気ヘッドでは、ギャップ層１２上に、上部磁極層１９が形成され、前記上部磁極層１９のハイト方向（図示Ｙ方向）後方であってギャップ層１２上に第２のコイル層２０が形成されている。
【０１３７】
前記第２のコイル層２０の高さは、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたときに、前記基準平面Ｇと同じ高さであってもよいが、前記基準平面Ｇよりも高く形成されても、低く形成されてもよい。
【０１３８】
この実施例では前記基準平面Ｇよりも第２のコイル層２０の高さを高く形成できるので、前記第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ６を、図６における第２のコイル層２０の幅寸法Ｔ５に比べて、より小さく形成でき、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路長の短磁路化を促進させることができる。
【０１３９】
この実施例では、前記第２のコイル層２０を覆う第２のコイル絶縁層２４は、レジストやポリイミド等の有機絶縁材料で形成されている。
【０１４０】
図８に示すように、前記第２のコイル絶縁層２４は、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとしたときに、前記第２の基準平面Ｇよりも高さ寸法Ｈ５だけ盛り上がっていることがわかる。
【０１４１】
そして前記第２のコイル絶縁層２４上に上部コア層１３が形成されるが、このように上部コア層１３は盛り上がりのある表面上にパターン形成されることになるために、完全な平坦面上にパターン形成する場合に比べ、パターン精度は低下する。
【０１４２】
しかしながら、上部コア層１３の形成は、図３に示す場合のように、コイル層を一層構造で形成した場合に比べ高精度に行う必要性は低い。その理由は、前記上部コア層１３の平面形状にある。
【０１４３】
図７に示すように、上部磁極層１９はその先端部Ｅが、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面に露出形成され、しかも記録媒体からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に、長さ寸法Ｌ５で形成されている。さらにトラック幅Ｔｗで形成された前記先端部Ｅの基端からハイト方向（図示Ｙ方向）後方には、漸次的に幅寸法が広がる後端部Ｆが形成されている。
【０１４４】
このように上部磁極層１９には、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅが形成されるので、前記先端部Ｅはパターン精度良く形成される必要性があることから、図６及び図８の実施例共に、前記上部磁極層１９は、平坦化面のギャップ層１２上にパターン形成されている。これにより前記上部磁極層１９を、高精度にパターン形成することができ、特に先端部Ｅを所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能になる。
【０１４５】
しかしながら、前記上部磁極層１９上に形成される上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向にずれて形成され、前記上部コア層１３は記録媒体との対向面に露出形成されていない。
【０１４６】
そして前記上部コア層１３は、上部磁極層１９の基端部付近に接合されて、上部磁極層１９と下部コア層３０間の磁路を繋げる役割を担うのみであるため、できる限り磁気的ボリュームを確保する方が、高記録密度化に対応できることから、前記上部コア層１３は、前端部から後端部にかけて非常に大きい幅寸法で形成されるのである。
【０１４７】
従って上部コア層１３が形成されるべき表面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きい前記上部コア層１３のパターン形成にさほどの支障を与えることなく、前記上部コア層１３を所定形状に形成することができるのである。
【０１４８】
また図６に示す実施例の場合では、第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１が第２の基準平面Ｇと同一面上で形成されるが、実際には、前記第２のコイル層２０と上部コア層１３間の電気的な絶縁を保つ必要があるために、前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１上には、絶縁層２２を形成する必要がある。前記絶縁層２２は、有機絶縁材料で形成されても無機絶縁材料で形成されてもどちらでもよいし、また前記有機絶縁材料と無機絶縁材料の積層構造であってもよいが、図６では、前記絶縁層２２は有機絶縁材料で形成されている。
【０１４９】
このため、図６に示す実施例の場合も、上部コア層１３が形成されるべき表面には多少盛り上がりが発生しているが、その高さは非常に小さく、前記上部コア層１３のパターン形成にほとんど影響を与えるものではない。
【０１５０】
上記したように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合されている。
【０１５１】
さらに図６及び図８に示すように、上部コア層１３の基端部１３ａでは、下部コア層３０上に形成された持上げ層１７上に、第２の持上げ層２３が形成され、この第２の持上げ層２３上面に前記上部コア層１３の基端部１３ａが接合された状態になっている。従って磁路長は、図６及び図８共に、上部磁極層１９−上部コア層１３−第２の持上げ層２３−持上げ層１７−下部コア層３０を経て形成されることになる。
【０１５２】
ただし前記第２の持上げ層２３は形成されていなくてもかまわない。この場合、前記上部コア層１３の基端部１３ａは、下部コア層３０上に形成された持上げ層１７上に直接接合されることになる。
【０１５３】
また下部コア層３０上に持上げ層１７も形成されていない場合には、前記上部コア層１３の基端部１３ａは、下部コア層３０上にまで延び前記下部コア層３０上に直接接合されることになる。
【０１５４】
さらに、前記下部コア層３０上に持上げ層１７が形成されていない場合に、前記下部コア層３０上から第２の持上げ層２３を形成して、前記第２の持上げ層２３上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合することも可能である。
【０１５５】
図６及び図８に示す実施例共に、持上げ層１７及び第２の持上げ層２３を形成した理由は、下部コア層３０と上部コア層１３間の磁気的な接合を容易にしかも確実に行うようにするためであり、持上げ層１７及び第２の持上げ層２３を形成する方が、薄膜磁気ヘッドの製造を容易化できる点からしても好ましい。
【０１５６】
図９は本発明における他の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図１０は、図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た部分縦断面図、図１１は、他の形態を示す薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図である。
【０１５７】
この実施例では図９に示すように下部コア層３０と下部磁極層１１とが一体形成されている。
【０１５８】
図９に示すように前記下部磁極層１１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には、記録媒体との対向面にコイル絶縁層１６が露出形成され、さらに前記下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６上には、ギャップ層１２が形成されている。そして前記ギャップ層１２上には上部コア層１３が形成されている。
【０１５９】
図９に示すように記録媒体との対向面に露出する前記上部コア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成されている。また下部磁極層１１の幅寸法は、前記トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ２で形成されている。前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２が、上部コア層１３の幅寸法（＝トラック幅Tｗ）よりも大きく形成されるのは、後述するように薄膜磁気ヘッドの製造を容易化するためである。
【０１６０】
また図９の点線で示すように、下部磁極層１１と上部コア層１３間に挟まれるギャップ層１２は、トラック幅Ｔｗで形成され、さらに下部磁極層１１のギャップ層１２との接合面の幅寸法は、トラック幅Ｔｗで形成され、前記ギャップ層１２との接合面から下部コア層３０方向にかけて、下部磁極層１１には隆起部１１ｂが形成されている。
【０１６１】
また前記隆起部１１ｂの基端から延びる前記下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成されている。
【０１６２】
図１０に示すように、下部磁極層１１と下部コア層３０間に形成される段差内にコイル層１４及びコイル絶縁層１６が形成され、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記基準平面Ｄと同一面上に位置している。
【０１６３】
また図１０に示すように、下部コア層３０の後端部上に形成される持上げ層１７もまた前記下部コア層３０と一体形成されている。
【０１６４】
図１０に示すように、下部磁極層１１上から、コイル層１４上さらにはコイル絶縁層１６上にかけてギャップ層１２が形成され、平坦化面の前記ギャップ層１２上に直接上部コア層１３がパターン形成されている。図１０に示すように前記上部コア層１３の基端部１３ａは前記下部コア層３０と一体形成された持上げ層１７上に接合されている。
【０１６５】
図１１に示す実施例もまた、下部コア層３０、下部磁極層１１、および持上げ層１７が一体形成されている。
【０１６６】
この実施例では図６に示す薄膜磁気ヘッドと同様のコイル層が二層形成された形態であり、図１１に示すように、ギャップ層１２上には、記録媒体との対向面からハイト方向にかけて所定の長さ寸法にて上部磁極層１９が形成されている。
【０１６７】
前記上部磁極層１９は、記録媒体との対向面付近では、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。
【０１６８】
図１１に示すように前記上部磁極層１９とギャップ層１２間の段差内には第２のコイル層２０と第２のコイル絶縁層２１が形成されており、前記上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面を基準平面Ｇとした場合に、前記第２のコイル層２０の上面及び第２のコイル絶縁層２１の上面は、前記基準平面Ｇと同一面上に位置している。
【０１６９】
図１１に示すように、下部コア層３０と一体形成された持上げ層１７上には、第２の持上げ層２３が形成されている。
【０１７０】
そして前記コイル層２０上及び第２のコイル絶縁層２１上には絶縁層２２が形成され、さらに上部磁極層１９上から前記絶縁層２２上、さらには第２の持上げ層２３上にかけて上部コア層１３がパターン形成されている。
【０１７１】
図１１に示すように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合されており、前記上部コア層１３の前面は、記録媒体との対向面には露出形成されない。そして前記上部コア層１３は、図７に示すのと同様、その幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも大きく形成されている。
【０１７２】
以上詳述したように本発明では、いずれの実施例においてもギャップ層１２下にコイル層１４が形成されている。
【０１７３】
具体的には、下部コア層３０上に、下部磁極層１１が形成され、前記下部コア層３０と下部磁極層１１間の段差内にコイル層１４及びコイル絶縁層１６が形成されている。
【０１７４】
前記コイル絶縁層１６の上面、あるいは前記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄと同一面上で形成されており、前記基準平面Ｄのハイト方向後方には平坦化面が広がって形成されている。
【０１７５】
よって本発明では、前記下部磁極層１１、コイル層１４及びコイル絶縁層１６上に形成されるギャップ層１２もまた平坦化されて形成されることになる。
【０１７６】
上記のように本発明ではギャップ層１２下に既にコイル層１４が形成されているので、前記ギャップ層１２上に形成すべき層は、上部コア層１３のみであり、よって本発明では、前記上部コア層１３をギャップ層１２上に直接形成することが可能である。
【０１７７】
そして本発明では、前記ギャップ層１２は平坦化されて形成されているので、前記ギャップ層上に形成される上部コア層１３をパターン精度良く形成することが可能になる。
【０１７８】
特に本発明では、上部コア層１３の記録媒体との対向面付近のトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、高精度で形成することができ、今後の高記録密度化に対応可能な狭トラック化を実現することができる。
【０１７９】
また本発明では、前記トラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅの長さを、従来に比べ短く形成することができ、磁気的ボリュームの大きい後端部をより記録媒体との対向面方向に近づけて形成することができることで、前記先端部Ｅでの磁気飽和を抑え、従って磁束の減衰を抑えることができ、ＯＷ特性を向上させることが可能になっている。
【０１８０】
また本発明では、上記したように、コイル層を２層構造で形成する場合、トラック幅Ｔｗの先端部Ｅを有する上部磁極層１９上に、上部コア層１３をハイト方向にずらして形成し、よって、上部コア層１３の前面は記録媒体との対向面に露出形成されない。
【０１８１】
従って前記上部コア層１３にトラック幅Ｔｗの先端部Ｅを形成する必要は無くなり、よって磁気的ボリュームを稼ぐために、上部コア層１３の前端部から後端部にかけての幅寸法を大きく形成することができ、前記上部コア層が形成されるべき面に、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を所定形状にパターン形成することができる。
【０１８２】
また幅寸法の大きい前記上部コア層１３をハイト方向後方にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を適正に抑制できるという利点もある。
【０１８３】
例えば図７に示す上部磁極層１９の先端部Ｅ上に、上部コア層１３を重ね合わせた場合、先端部Ｅ上には、トラック幅Ｔｗよりも幅寸法の大きい上部コア層１３が存在することから、前記上部コア層１３と先端部Ｅとの間でライトフリンジングが発生し好ましくない。
【０１８４】
一方本発明では、図７に示すように、上部コア層１３を上部磁極層１９の先端部Ｅ上ではなく、幅寸法がトラック幅Ｔｗよりも漸次的に広がる後端部Ｆ上に形成し、また前記後端部Ｆにおける幅寸法と、上部コア層１３の幅寸法はほぼ一致しているので、前記上部コア層１３から上部磁極層１９にかけて磁束が通る際に、磁束の減衰を起さず、今後の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８５】
また本発明では、下部コア層３０上に形成される下部磁極層１１、あるいは前記下部コア層３０と一体形成される下部磁極層１１には、ギャップ層１２との接合面をトラック幅Ｔｗで形成し、前記接合面から下部コア層３０方向に延びる隆起部１１ｂを下部磁極層１１に形成し、さらに前記隆起部１１ｂの基端から延びる下部磁極層１１の両側上面に、上部コア層１３から離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ、１１ａを形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制している。またこの実施形態では、さらなる狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８６】
また本発明では、コイル層を２層構造で形成することで、前記コイル層の幅寸法をより小さく形成することができ、前記下部コア層３０から上部コア層１３を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低下を図り、今後の高記録密度化に対向可能な薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０１８７】
また本発明では、下部コア層３０の後端部上に、持上げ層１７、あるいは前記持上げ層１７上に第２の持上げ層２３を形成することで、上部コア層１３と下部コア層３０との磁気的な接合を行い易くなり、製造方法を容易化できて好ましい。
【０１８８】
図１２ないし図１９は、図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一連の工程図である。なお図１２ないし図１９に示す工程図は、薄膜磁気ヘッドを部分縦断面図で示している。
【０１８９】
図１２に示す工程では、下部コア層３０上にレジスト層５１を塗布した後、前記レジスト層５１に下部磁極層１１及び持上げ層１７が形成されるべき領域にパターン５１ａ，５１ａを形成し、前記パターン５１ａ，５１ａ内に磁性材料をメッキ形成する。これは、いわゆるフレームメッキ法と呼ばれる製法である。これにより前記下部コア層３０上に下部磁極層１１及び持上げ層１７をメッキ形成することができる。その状態は図１３に示されている。なお、下部コア層３０上にメッキ下地層を形成してもよいし、形成しなくてもよい。
【０１９０】
また本発明では前記下部コア層３０を形成後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さらに下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術を用いて、研磨加工することで、前記下部コア層３０及び絶縁層表面を同一平面状に平坦化することができる。これにより前記下部コア層３０上にパターン精度良くレジスト層５１を形成でき、また後の工程において前記下部コア層３０上にコイル層をパターン精度良く形成することができる。
【０１９１】
なお図１３に示すように、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に所定の長さ寸法Ｌ２を有する下部磁極層１１を形成する。前記長さ寸法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されるので、前記長さ寸法Ｌ２は、ある所定の寸法内に高精度に形成される必要性がある。
【０１９２】
また前記下部磁極層１１のトラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法は、Ｔ２で形成され（図１参照）、この幅寸法Ｔ２は、トラック幅Ｔｗよりも大きく形成される。このようにトラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法で形成する理由は、上部コア層１３を形成する際に、トラック幅Ｔｗで形成される上部コア層１３の先端部Ｅを、ギャップ層１２を介して下部磁極層１１に適切に対向させるためである。
【０１９３】
なお前記下部磁極層１１及び持上げ層１７の高さ寸法は、同じ高さ寸法で形成されても、異なる高さ寸法で形成されてもどちらでもよい。
【０１９４】
また前記下部コア層３０上に下部磁極層１１及び持上げ層１７を形成する方法は図１２に示す製造工程に限らず、例えば図１４に示す製造工程によっても形成することができる。
【０１９５】
すなわち、下部コア層３０を形成後、下部磁極層１１及び持上げ層５２が形成されるべき前記下部コア層３０の表面に保護層となるレジスト層５２，５２を形成し、前記レジスト層５２が形成されていない前記下部コア層３０表面を例えばエッチングで図に示す点線の位置まで削ることにより、下部コア層３０表面から突出する下部磁極層１１及び持上げ層１７を形成することができる。
【０１９６】
なおこの工程を用いる場合は、最初、下部磁極層１１及び持上げ層１７の高さ分だけ下部コア層３０の膜厚を厚く形成しておく必要性がある。
【０１９７】
また本発明では前記下部コア層３０を形成後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さらに下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨加工し、前記下部コア層３０及び絶縁層表面を同一平面状に平坦化することが好ましい。
【０１９８】
次に図１５に示すように、前記下部磁極層１１上から下部コア層３０上、さらには持上げ層１７上にかけて絶縁下地層１５を形成する。この実施例では前記絶縁下地層１５は無機絶縁材料で形成される。
【０１９９】
ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料で形成された場合には、前記絶縁下地層１５にピンホール等の欠陥が発生しやすいので、前記絶縁下地層１５上あるいはその下に有機絶縁材料で形成された絶縁下地層を形成しておくことが好ましい。
【０２００】
また前記有機絶縁材料で形成された絶縁下地層を一層のみ形成してもかまわない。
【０２０１】
図１５に示すように前記絶縁下地層１５上にコイル層１４をパターン形成する。このコイル層１４の高さ寸法は、前記上部磁極層１１の上面を基準平面としたときに前記基準平面とほぼ同じくらいか、あるいは前記基準平面よりも高いことが好ましいが、低くてもかまわない。
【０２０２】
次に図１６に示す工程では、前記絶縁下地層１５上に形成されたコイル層１４の各導体部のピッチ間をコイル絶縁層１６によって埋める。前記コイル絶縁層１６はスパッタ法等の既存の方法で形成され、図１６に示すように前記コイル絶縁層１６は、前記コイル層１４の各導体部のピッチ間のみならず、下部磁極層１１の上、持上げ層１７上にも形成され、前記コイル層１４が前記コイル絶縁層１６によって完全に覆われた状態にされる。
【０２０３】
この実施例においては、前記コイル絶縁層１６は無機絶縁材料で形成される。前記無機絶縁材料でコイル絶縁層１６を形成する理由は、次工程で説明するＣＭＰ技術を用いた研磨加工の際に、前記コイル絶縁層１６の上面を削りやすいからであるが、前記コイル絶縁層１６を無機絶縁材料で形成すると以下に説明する不具合が発生する可能性がある。
【０２０４】
すなわち、前記コイル絶縁層１６はスパッタ法等で形成されるので、前記コイル絶縁層１６がコイル層１４の各導体部のピッチ間に適切に侵入せず、前記各導体部のピッチ間に前記コイル絶縁層１６によって埋められない空洞部が形成される場合がある。
【０２０５】
磁気ヘッドの駆動時の高温な環境下では、形成された前記空洞部から薄膜磁気ヘッドの内部構造に変形をもたらす危険性があり好ましくない。
【０２０６】
このような不具合を無くす方法としては、例えば予め前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を、次工程で説明する研磨工程の際の、研磨ライン（Ａ−Ａ線）より低い位置にまで有機絶縁材料で埋めておき、前記有機絶縁材料層上にコイル絶縁層１６を形成する方法がある。
【０２０７】
これにより前記コイル層１４の各導体部のピッチ間には空洞部の形成は無くなり、高温下での磁気ヘッド駆動においても内部構造に変形をもたらすことがなくなる。
【０２０８】
次に図１６に示すように、前記コイル絶縁層１６上面をＡ−Ａ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨して削っていく。この研磨作業により、前記コイル絶縁層１６のみならず、下部磁極層１１の上面及び持上げ層１７の上面も一部研磨されていく。
【０２０９】
また前記コイル層１４が図１５に示す工程の段階で、前記下部磁極層１１と同程度の高さ位置で形成され、あるいは前記下部磁極層１１の高さよりも高い位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４の上面もＡ−Ａ線まで削られることになる。
【０２１０】
上記研磨加工後の状態を示したのが図１７である。前工程での研磨加工により、前記下部磁極層１１の上面を基準平面とした場合に、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６の上面が位置し、さらにコイル層１４の上面が図１５工程において基準平面よりも高い位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４上面も前記基準平面と同一面上に揃えられる。
【０２１１】
次に図１８に示す工程で、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面、コイル絶縁層１６上面、さらには持上げ層１７上面にかけて非磁性のギャップ層１２を形成する。
【０２１２】
そして図１８に示すように、前記ギャップ層１２のうち、持上げ層１７上に形成されたギャップ層１２をエッチング等の既存の方法により除去する。
【０２１３】
上記したように、下部磁極層１１の上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コイル層１４上面及びコイル絶縁層１６上面が位置するので、前記下部磁極層１１、コイル層１４さらにはコイル絶縁層１６上面に形成されるギャップ層１２上面もまた平坦化面となっている。
【０２１４】
そして図１９に示す工程で、前記ギャップ層１２上面に上部コア層１３を形成する。
【０２１５】
上部コア層１３は、例えばフレームメッキ法で形成される。前記フレームメッキ法は、まず前記ギャップ層１２上面にレジスト層を形成し、前記レジスト層に上部コア層１３と同一形状のパターンを露光現像により形成する。そして前記パターン内に、磁性材料層をメッキ成長させ、最後に前記レジスト層を除去して、上部コア層１３を完成させる。
【０２１６】
上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の長さ寸法にかけてトラック幅Ｔｗで形成されており、前記トラック幅Ｔｗは、今後の高記録密度化に伴い非常に小さく形成される必要性がある。
【０２１７】
ところで本発明では、上部コア層１３の形成に使用されるレジスト層を平坦化面のギャップ層１２上に形成できるので、前記レジスト層の膜厚を均一な膜厚で形成でき、しかも前記レジスト層の膜厚を薄く形成できる。よって前記レジスト層に露光現像の際に乱反射等が起こらず、また解像度を向上させることができ、所定形状の上部コア層１３のパターン精度良く形成することができる。従って本発明によれば、上部コア層１３の形状のうち最も高精度に形成されるべき、トラック幅Ｔｗの先端部Ｅを、適切に所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することができる。
【０２１８】
また本発明では、前記トラック幅Ｔｗの先端部Ｅの長さ寸法を短く形成することができるから、今後の高記録密度化においても磁気的飽和を抑制でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２１９】
また上記したように、持上げ層１７上のギャップ層１２はエッチング等で除去され、前記持上げ層１７上面は、露出した状態になっており、図１９に示すように上部コア層１３の基端部１３ａは持上げ層１７上に接合される。
【０２２０】
これにより前記上部コア層１３から持上げ層１７を介して下部コア層３０を経る磁路長が形成される。持上げ層１７の形成により、前記上部コア層１３と下部コア層３０間の磁気的な接合を行い易くなり、製造工程を容易化することができる。
【０２２１】
図２０から図２２には、本発明の薄膜磁気ヘッドにおける他の製造方法の工程図が図示されている。
【０２２２】
まず図１３に示す工程と同様に、下部コア層３０上に、下部磁極層１１と持上げ層１７を形成した後、図２０に示すように、前記下部磁極層１１上から下部コア層３０上、さらには持上げ層１７上にかけて絶縁下地層１５を形成する。そして前記下部コア層３０上に形成された絶縁下地層１５上に、コイル絶縁層１６をスパッタ形成する。
【０２２３】
前記コイル絶縁層１６は無機絶縁材料で形成され、また図２０に示すように、前記コイル絶縁層１６は下部磁極層１１上面、および持上げ層１７上面にも形成される。
【０２２４】
次に図２０に示すように、前記コイル絶縁層１６をＢ−Ｂ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨加工する。なお前記Ｂ−Ｂ線までの研磨加工は行わなくてもよい。
【０２２５】
この際、前記下部磁極層１１上面及び持上げ層１７上面も同時に削られていき、前記下部磁極層１１上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６上面が位置する状態になる。また前記持上げ層１７上面も前記基準平面と同一面上に位置する。
【０２２６】
次に前記コイル絶縁層１６上に、レジスト層（図示しない）を形成し、前記レジスト層にコイル層１４と同一形状のパターンを露光現像により形成し、前記パターン内から露出するコイル絶縁層１６をエッチングで削って、前記パターンと同一形状のコイル形成溝をコイル絶縁層１６に形成する。その状態を示したのが図２１である。
【０２２７】
図２１に示すように、前記コイル絶縁層１６には、コイル層１４と同一なパターン形状となるコイル形成溝１６ａが形成された状態になっている。
【０２２８】
ところで、前記コイル形成溝１６ａの下には、絶縁下地層１５が残されているが、前記コイル形成溝１６ａの形成の際に、前記絶縁下地層１５まで削って下部コア層３０上面が露出した状態にされてはならない。
【０２２９】
それは前記コイル形成溝１６ａ内には、次工程で、コイル層１４が形成されるので、前記コイル層１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を良好に保つためである。
【０２３０】
図２２に示すように、前記コイル形成溝１６ａ内に導電性材料を充填し、前記コイル形成溝１６ａ内にコイル層１４を形成する。前記コイル層１４の形成は、金属メッキ法や、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法等の既存の方法が使用される。
【０２３１】
図２２に示すように、コイル層１４は、コイル形成溝１６ａ内のみならず、下部磁極層１１上、持上げ層１７上にも形成され、コイル形成溝１６ａ上で、コイル層１４の各導体部は繋がった状態にされているので、前記コイル形成溝１６ａ内にのみコイル層１４を収めるために、図２２に示すように、ＣＭＰ技術等を用いて前記コイル層１４をＣ−Ｃ線まで削っていく。
【０２３２】
この際、下部磁極層１１上面、コイル絶縁層１６上面、持上げ層１７上面も前記研磨加工により削られていき、前記下部磁極層１１上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６、およびコイル層１４の上面が位置した状態になる。
【０２３３】
そして図１８、１９に示す工程と同様に、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面及びコイル絶縁層１６上面に、ギャップ層１２を形成し、さらに前記ギャップ層１２上面に上部コア層１３をフレームメッキ法等により形成する。
【０２３４】
この製造方法においても、前記下部磁極層１１上面と同一面上に、コイル絶縁層１６及びコイル層１４の上面が位置し、前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面、さらにはコイル絶縁層１６上に形成されるギャップ層１２の上面は、平坦化面となっているので、前記ギャップ層１２上に形成される上部コア層１３を、パターン精度良く形成でき、特に前記上部コア層１３のトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能である。
【０２３５】
図２３ないし図２５は、図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法の工程図が図示されている。
【０２３６】
図２３に示す工程図では、既に、下部コア層３０と、前記下部コア層３０上に、下部磁極層１１、持上げ層１７、コイル層１４、コイル絶縁層１６、およびギャップ層１２が形成されている。上記各層の製造方法は、図１２ないし図１９、あるいは図２０ないし図２２に示す工程で行なわれる。
【０２３７】
図２３では、前記ギャップ層１２上であって、記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の長さ寸法で上部磁極層１９を形成する。
【０２３８】
前記上部磁極層１９の製造方法は、上部コア層１３と同様にフレームメッキ法が使用され、まず前記ギャップ層１２上にレジスト層（図示しない）を形成した後、前記レジスト層に上部磁極層１９のパターンを露光現像により形成し、前記パターン内に磁性材料をメッキ成長させることで、上部磁極層１９を形成する。
【０２３９】
前記上部磁極層１９の平面形状は、図７に示す通り、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法を有するトラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅと前記先端部Ｅの基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端部Ｆとで構成される。
【０２４０】
図２３に示すように、前記上部磁極層１９は、平坦化されたギャップ層１２上に形成されるから、前記上部磁極層１９の形成に使用されるレジスト層を薄い膜厚で形成でき、しかも均一な膜厚で形成できる。よって、露光現像の際に、乱反射等は発生せず、また解像度を向上させることができ、前記上部磁極層１９をパターン精度良く形成できる。特にトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定のトラック幅Ｔｗ寸法内に高精度に形成することができる。
【０２４１】
前記上部磁極層１９の形成により、図２３に示すように、前記ギャップ層１２と上部磁極層１９間には段差が形成される。また図２３に示す実施例では、下部コア層３０の後端部上に形成された持上げ層１７上に、第２の持上げ層２３を形成している。
【０２４２】
次に図２４に示す工程では、前記上部磁極層１９のハイト方向後方であって、ギャップ層１２上に、第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１を形成する。
【０２４３】
前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１の形成方法は、第１層目となるコイル層１４及び前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層１６の形成方法と同様であり、具体的には図１５ないし図１７に示す工程と同様に、まずギャップ層１２上に第２のコイル層２０をパターン形成した後、前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間を第２のコイル絶縁層２１によって埋め、次にＣＭＰ技術等を用いて、前記第２のコイル絶縁層２１の上面及びコイル層２０の上面を、上部磁極層１９の上面を第２の基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上になるまで削ることで達成することができる。
【０２４４】
あるいは、図２０ないし図２２に示すように、ギャップ層１２上に第２のコイル絶縁層２１を形成し、次に前記第２のコイル絶縁層２１にコイル形成溝を形成した後、前記コイル形成溝内に第２のコイル層２０を埋め、ＣＭＰ技術等を用いて、前記上部磁極層１９の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２の基準平面と同一面上になるまで、前記第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１の上面を削ることで達成することができる。
【０２４５】
上記した製法を用いた場合には、第２のコイル絶縁層２１は無機絶縁材料で形成され、前記第２のコイル絶縁層２１の上面は、上部磁極層１９の上面（＝第２の基準平面）と同一面上に位置するが、本発明では、前記第２のコイル絶縁層２１の上面が前記第２の基準平面よりも多少盛り上がって形成されてもかまわない。それは第２のコイル絶縁層２１に有機絶縁材料を使用することで行なわれ、完成した薄膜磁気ヘッドは図８に示す形態になる。
【０２４６】
まずギャップ層１２と上部磁極層１９間の段差内に第２のコイル層２０をパターン形成する。この際の前記第２のコイル層２０の高さ寸法は、前記第２のコイル層２０の上面が上部磁極層１９の上面と同一高さであってもよいし、あるいは前記上部磁極層１９の上面より低く形成されても高く形成されてもかわない。
【０２４７】
次に前記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間を有機絶縁材料で形成された第２のコイル絶縁層で埋める。この際、前記第２のコイル層２０上面も前記第２のコイル絶縁層により覆い、上から見た時に前記第２のコイル層２０がコイル絶縁層により完全に覆われた状態にされていなくてはならない。
【０２４８】
完成した薄膜磁気ヘッドの形態が図示されている図８を見ると、有機絶縁材料で形成された前記第２のコイル絶縁層２４は、上部磁極層１９の上面から高さＨ５だけ盛り上がって形成されるが、このような盛り上がりがあっても、次工程で形成される上部コア層１３のパターン形成に支障をきたさない。
【０２４９】
なぜなら前記上部コア層１３は、図７に示すように、上部磁極層１９の後端部Ｆ付近に接合されて形成され、前記上部コア層１３の幅寸法自体は、前端部から後端部にかけて一律にトラック幅Ｔｗに比べて大きな寸法で形成されるからである。
【０２５０】
このため前記上部コア層１３の形成を、トラック幅Ｔｗで形成された先端部の形成の時のように、高いパターン精度で形成しなくても、前記上部コア層１３を所定形状で形成し易く、従って図８に示すように、上部コア層１３が形成されるべき表面に多少の盛り上がりがあってもよいのである。
【０２５１】
図２４示すように、第２のコイル層２０が、上部磁極層１９上面と同一面上に位置し、前記第２のコイル層２０上面が露出した状態にあっては、前記上部コア層１３を形成する際には、図２５に示すように、第２のコイル絶縁層２１及びコイル層２０上に絶縁層２２を形成する。この際、前記絶縁層２２は第２の持上げ層２３上に形成されてはならない。前記第２の持上げ層２３上には、次工程で形成される上部コア層１３の基端部１３ａが接合されるからである。
【０２５２】
前記絶縁層２２は、第２のコイル層２０が、上部コア層１３が形成されるべき表面に露出していなければ形成する必要性はないが、仮に露出していなくても第２のコイル層２０と上部コア層１３間の絶縁性耐圧を向上させるために、前記絶縁層２２を形成する方が好ましい。
【０２５３】
前記絶縁層２２は、無機絶縁材料で形成されてもよいし、有機絶縁材料で形成されてもよいが、絶縁性耐圧を適切に向上させるには、有機絶縁材料で形成される方が好ましい。また無機絶縁材料で形成された絶縁層と有機絶縁材料で形成された絶縁層の積層構造で前記絶縁層２２を構成してもよい。
【０２５４】
図２５に示すように、前記上部磁極層１９上から絶縁層２２上、さらには第２の持上げ層２３上にかけて上部コア層１３をフレームメッキ法等で形成する。
【０２５５】
図２５に示すように、前記上部コア層１３は、上部磁極層１９上に記録媒体との対向面からハイト方向にずれた位置で接合される。
【０２５６】
図８に示すように前記上部コア層１３は、上部磁極層１９のうち、幅寸法がトラック幅Ｔｗから漸次的に広がる後端部Ｆ上に接合されることが好ましい。
【０２５７】
このように前記上部コア層１３を、上部磁極層１９の後端部Ｆ上に接合する理由は、前記上部コア層１３の幅寸法は前端部から後端部にかけて一律に、トラック幅Ｔｗに比して大きな幅寸法で形成されるからであり、このように幅寸法の大きい上部コア層１３が、仮に前記上部磁極層１９のうち、トラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅ上に形成された場合には、前記先端部Ｅと上部コア層１３との間で、トラック幅方向に段差が形成されてしまい、この部分でライトフリンジングが発生しやすくなる。
【０２５８】
このため前記上部コア層１３は、上部磁極層１９のうちでも、前記上部磁極層１９とほぼ同等な幅寸法を有する後端部Ｆ上に接合されることが、ライトフリンジングの発生の抑制には好ましい。
【０２５９】
また上記したように、前記上部コア層１３が形成されるべき表面には絶縁層２２の存在や、あるいは第２のコイル絶縁層２４の盛り上がり等により、前記上部コア層１３を完全な平坦化面上に形成することができないが、前記上部コア層１３は、その幅寸法が前端部から後端部にかけて非常に大きく形成されるので、完全な平坦化面上に形成されず、多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層１３を所定形状で形成することは可能である。
【０２６０】
なお図２３ないし図２５に示す製造工程では、下部コア層３０上に持上げ層１７が形成されているが、前記持上げ層１７が形成されていない場合には、前記第２の持上げ層２３を下部コア層３０上から形成することが好ましい。
【０２６１】
また前記第２の持上げ層２３は形成されていなくてもよいが、この場合、第２のコイル層２０を覆うコイル絶縁層に穴を空けて、前記穴内に、上部コア層１３の基端部１３ａを形成して、前記基端部１３ａを持上げ層１７上、あるいは下部コア層３０上に接合させなければならない。
【０２６２】
図２６ないし図２９は、図２に示すように下部磁極層１１に傾斜面１１ａ，１１ａを形成するための製造方法が示されている。図２６ないし図２９に示す工程図は、既に上部コア層１３までが形成された後の状態が示されている。なお図２６に示す工程図は部分平面図であり、図２７ないし図２９に示す工程図は部分正面図である。
【０２６３】
図２６に示す工程では、上部コア層１３上、および前記上部コア層１３のトラック幅方向の両側からはみ出るギャップ層１２上にレジスト層４０を塗布形成する。
【０２６４】
前記レジスト層４０が形成されるべき部分は斜線で描かれているが、図２６に示すように、前記上部コア層１３のうち、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅ及びそのトラック幅Ｔｗの両側に形成されるギャップ層１２の部分には、前記レジスト層４０が形成されていない。
【０２６５】
また前記レジスト層４０の形成されない領域は、さらに上部コア層１３の後端部Ｆ上にまで延びていてもよいが、この場合、少なくともコイル層１４が形成されている上には、レジスト層４０が形成されていなければならない。前記コイル層１４を、後述するイオンミリング等から適切に保護するためである。
【０２６６】
次に図２７に示すように、前記レジスト層４０が形成されていない部分のギャップ層１２を矢印Ｒ方向（垂直方向）からのみ行なわれる異方性エッチングにより除去する。異方性エッチングとしては、例えばプラズマエッチングを使用する。
【０２６７】
この工程により図２７に示す点線部分のギャップ層１２が除去され、前記ギャップ層１２は、幅寸法が上部コア層１３の先端部Ｅの幅寸法と同様に、トラック幅Ｔｗとして上部コア層１３と下部コア層３０との間に残される。
【０２６８】
なおプラズマエッチングは、化学的作用により材料を選択的に除去するものであるため、このプラズマエッチングにより、下部コア層３０および上部コア層１３は、ダメージを受けることがない。
【０２６９】
前記ギャップ層１２が除去された部分では、下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の表面が露出した状態にされる。
【０２７０】
図２８に示す工程では、第１イオンミリングにより、ギャップ層１２の除去により露出した下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の上面を削る。
【０２７１】
前記第１イオンミリングには、中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。この第１イオンミリングでは、矢印Ｓ方向および矢印Ｔ方向からイオン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ１は０から３０°の範囲内であることが好ましい。つまり、この工程における第１イオンミリングでは、垂直に近い方向から、下部磁極層１１の上面に対してイオンが照射される。
【０２７２】
下部磁極層１１に、垂直に近い方向（矢印ＳおよびＴ）からイオンが照射されると、物理的作用により、前記下部磁極層１１のギャップ層１２との対向面の両側部分が、ほぼ矩形状に削られる。これにより、前記下部磁極層１１には、ほぼ直角に段差が形成され、前記ギャップ層１２の下には、上部コア層１３先端の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）とほぼ同じ幅寸法よる隆起部１１ｂが形成される。
【０２７３】
なお図示されていないが、前記第１イオンミリングにより削り取られた下部磁極層１１の磁粉が、上部コア層１３、ギャップ層１２及び隆起部１１ｂの両側に付着する。
【０２７４】
このような磁粉の付着は、記録特性を劣化させることから適切に除去しなければならず、さらにライトフリンジングの抑制に効果的な傾斜面１１ａ，１１ａを下部磁極層１１に形成すべく、第２次イオンミリングを行う。
【０２７５】
第２次イオンミリングでは、第１次イオンミリングと同様に中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。この第２次イオンミリングでは、図２９に示すように、矢印Ｕ方向および矢印Ｖ方向からイオン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ２は４５°から７０°の範囲内であることが好ましい。つまり、第１次イオンミリング（イオン照射角度θ１は０°から３０°）に比べて、より斜め方向からイオンが照射される。
【０２７６】
矢印Ｕおよび矢印Ｖ方向からイオンが照射されると、物理的作用により、隆起部１１ｂの両側の下部磁極層１１上面が、斜めに削り取られ、前記下部磁極層１１に傾斜面１１ａ，１１ａが形成される。なおこの際、コイル絶縁層１６の上面も削られていき、前記傾斜面１１ａ，１１ａと連続する傾斜面１６ｂ，１６ｂが形成される。
【０２７７】
また同時に、第２次イオンミリングでは、上部コア層１３、ギャップ層１２、および隆起部１１ｂの両側面に付着した磁粉が削り取られ、除去される。前記磁粉が除去されることにより、前記上部コア層１３と下部磁極層１１との間において、磁気的な短絡が発生しない。
【０２７８】
また本発明では、第１次イオンミリングや第２次イオンミリングにより、上部コア層１３の両側も削れ、前記上部コア層１３の幅寸法で規制されるトラック幅Ｔｗは、より小さくなり今後の高記録密度化における狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造することが可能である。
【０２７９】
このように、下部磁極層１１に隆起部１１ｂ及び傾斜面１１ａの形成は、ライトフリンジングの発生の抑制に役立つ。
【０２８０】
【発明の効果】
以上詳述した本発明によれば、下部コア層上に、記録媒体からハイト方向後方に所定の長さ寸法で下部磁極層を形成し、前記下部磁極層と下部コア層間に形成される段差内に、コイル層及びコイル絶縁層を形成する。
【０２８１】
そして前記下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を前記基準平面と同一面上に位置させ、前記基準平面のハイト方向後方に平坦化面を形成することで、前記基準平面及び平坦化面上に形成されるギャップ層もまた平坦化して形成することができる。
【０２８２】
従って本発明では、前記ギャップ層上に形成される上部コア層を、平坦化された面上に形成することができ、よって前記上部コア層を形成する際に使用されるレジスト層の膜厚を薄く形成することができ、しかも均一に形成できるので、露光現像の際に乱反射等が発生せず、しかも解像度を向上させることができ、前記上部コア層をパターン精度良く形成することができる。
【０２８３】
特にトラック幅Ｔｗで形成される先端部を、高精度に形成することができ、また前記先端部の長さ寸法を短く適切に形成できることから、磁気飽和の発生を抑制でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【０２８４】
さらに本発明では、下部磁極層に、ギャップ層との接合の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された隆起部及び前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面を形成することで、ライトフリンジングの発生を適切に抑制することができる。
【０２８５】
また本発明ではコイル層を２層構造で形成することができ、これによりコイル層の幅寸法を小さくして、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを形成することができる。
【０２８６】
さらにコイル層を２層構造にした場合において、本発明では、ギャップ層上にトラック幅Ｔｗで形成された先端部を有する上部磁極層を、パターン精度良く形成することができ、さらに、前記上部磁極層のハイト方向後方であってギャップ層上に第２のコイル層及び第２のコイル絶縁層を形成することができる。
【０２８７】
そして本発明では、上部コア層を、上部磁極層上にハイト方向後方にずらして接合することで、前記上部コア層にトラック幅Ｔｗで形成される先端部を形成する必要は無くなり、従って前記上部コア層の幅寸法を、トラック幅Ｔｗに比べて大きな幅寸法で形成することができる。
【０２８８】
従って前記上部コア層が形成されるべき面に多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を所定形状にパターン精度良く形成することができ、また上記のように幅寸法の大きい上部コア層を上部磁極層上にハイト方向後方にずらして形成することで、ライトフリンジングの発生を抑制することができる。
【０２８９】
また本発明の製造方法によれば、ＣＭＰ技術等を用いれば、下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面を容易にしかも確実に位置させることが可能であり、前記基準平面のハイト方向後方に平坦化面を形成することができる。
【０２９０】
そして本発明における製造方法によれば、上部コア層を所定形状にパターン精度良く形成することが可能である。
【０２９１】
また本発明では、下部コア層上に持上げ層を形成することで、上部コア層と下部コア層間の磁気的な接合を行い易くなり、製造工程を容易化できる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、
【図２】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分正面図、
【図３】図１に示す３−３線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図５】図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図６】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図７】図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、
【図８】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図９】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分正面図、
【図１０】図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁気ヘッドの部分縦断面図、
【図１１】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示す部分縦断面図、
【図１２】図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【図１３】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１４】他の製造工程を示す一工程図、
【図１５】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２０】図３に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を示す一工程図、
【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２３】図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す一工程図、
【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２６】図２に示す下部磁極層の製造方法を示す一工程図、
【図２７】図２６に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２８】図２７に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図２９】図２８に示す工程の次に行なわれる一工程図、
【図３０】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分縦断面図、
【図３１】従来における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す一工程図、
【符号の説明】
１１ 下部磁極層
１２ ギャップ層
１３ 上部コア層
１４ コイル層
１５、１８ 絶縁下地層
１６ コイル絶縁層
１７ 持上げ層
１９ 上部磁極層
２０ 第２のコイル層
２１、２４ 第２のコイル絶縁層
２３ 第２の持上げ層
３０ 下部コア層
４０ レジスト層
Claims (24)
- 下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層にトラック幅Ｔｗで形成された非磁性のギャップ層、上部コア層、及び前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドにおいて、
前記下部コア層には記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法にて下部磁極層が形成され、前記下部磁極層にはギャップ層と接する部分においてトラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されてこの隆起部上にギャップ層が接しており、
前記下部磁極層と下部コア層との段差内には、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層が形成され、
下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面のハイト方向後方には平坦化面が広がっており、
前記ギャップ層上には、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と、前記先端部の基端からハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成された上部磁極層が形成され、
前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層が形成され、
前記上部コア層は前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きく形成され、この上部コア層は前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらされて接合されることを特徴とする薄膜磁気ヘッド。 - 前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面には、上部コア層から離れるに従って傾斜する傾斜面が形成されている請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記下部磁極層は前記下部コア層と一体形成されている請求項１または２に記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記下部コア層には、後端部上に持上げ層が形成され、前記持上げ層の上面は前記基準平面と同一面上に位置し、前記持上げ層と上部コア層の基端部とが接して形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記下部コア層と持上げ層とが一体形成されている請求項４記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記コイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されている請求項１ないし５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記基準平面と同一面上は削られた面である請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記コイル層と下部コア層との間には、絶縁下地層が形成されている請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記上部磁極層と上部コア層との接合面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル絶縁層の上面及び第２のコイル層の上面が前記基準平面と同一面上に位置し、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広がっている請求項１ないし８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記第２のコイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記基準平面と同一面上は削られた面である請求項１０記載の薄膜磁気ヘッド。
- 前記第２のコイル絶縁層は有機絶縁材料で形成されている請求項１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には下部コア層上から、前記下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、第２の持上げ層が形成され、前記上部コア層の基端部が前記第２の持上げ層上に接して形成される請求項１ないし１２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
- 下部コア層と、記録媒体との対向面で前記下部コア層に非磁性のギャップ層を介して対向する上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドの製造方法において、
（ａ）下部コア層上に、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で、下部磁極層を形成する工程と、
（ｂ）前記下部コア層上に絶縁下地層を形成する工程と、
（ｃ）前記絶縁下地層上に、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｄ）前記下部磁極層の上面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上面、あるいはコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面が前記基準平面と同一面上となるように、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を削り、前記基準平面からハイト方向後方に平坦化面を形成する工程と、
（ｅ）前記下部磁極層の上面、及び平坦化面上にギャップ層を形成する工程と、
（ｆ）前記ギャップ層上に、トラック幅Ｔｗで形成され前面が記録媒体との対向面に露出する先端部と前記先端部の基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端部とで構成される上部磁極層を形成する工程と、
（ｇ）トラック幅Ｔｗで形成された上部磁極層の先端部のギャップ層との接合面から両側に延びるギャップ層を除去する工程と、
（ｈ）除去された前記ギャップ層下に露出する下部磁極層の上面を削り、前記下部磁極層のギャップ層との接合面の幅寸法をトラック幅Ｔｗと一致させ、前記下部磁極層に上部磁極層方向に延びる隆起部を形成する工程と、
（ｉ）前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に、上部磁極層から離れるに従って傾斜する傾斜面を形成する工程、
（ｊ）前記ギャップ層上であって上部磁極層のハイト方向後方に、第２のコイル層と前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を形成する工程と、
（ｋ）上部コア層を前記上部磁極層と重なる部分の前面全体が曲面であって幅寸法がトラック幅Ｔｗより大きくなるように形成し、この上部コア層を前記上部磁極層の前記後端部上に記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらして接合する工程、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。 - 前記（ａ）工程において、下部コア層のハイト方向後方に磁性材料製の持上げ層を形成し、前記（ｄ）工程において、前記持上げ層の上面を前記基準平面と同一面上となるように削り、さらに前記（ｋ）において、上部コア層の基端部を、前記持上げ層の上面に接合させる請求項１４記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記（ａ）工程において、下部コア層上にフレームメッキ法にて下部磁極層を形成し、また持上げ層をも形成する場合には、前記持上げ層を下部磁極層と同時にフレームメッキ法で形成する請求項１４または１５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化する請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記（ａ）工程において、下部磁極層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層を突出形成し、また持上げ層をも形成する場合には、下部磁極層及び持上げ層が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下部磁極層及び持上げ層を突出形成する請求項１４または１５に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記下部磁極層、または下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上を同一平面状に平坦化する請求項１８記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を、無機絶縁材料で形成する請求項１４ないし１９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記（ｊ）工程において、前記上部磁極層の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル層及び第２のコイル絶縁層の上面が、前記第２の基準平面と同一面上に位置するように、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及び前記第２のコイル絶縁層の上面を削り、前記第２の基準平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成する請求項１４ないし２０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を無機絶縁材料で形成する請求項１４ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を有機絶縁材料で形成する請求項１４ないし２１のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
- 前記（ｆ）工程において、下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、前記下部コア層上に持上げ層が形成されていない場合には前記下部コア層上に、第２の持上げ層を形成し、前記（ｋ）工程において、上部コア層の基端部を、前記第２の持上げ層上に接合させる請求項１４ないし２３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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