JP2001216609A

JP2001216609A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法

Info

Publication number: JP2001216609A
Application number: JP2000019927A
Authority: JP
Inventors: Hisayuki Yazawa; 久幸矢澤; Tokuaki Oki; 徳昭沖
Original assignee: Alps Electric Co Ltd
Current assignee: Alps Alpine Co Ltd
Priority date: 2000-01-28
Filing date: 2000-01-28
Publication date: 2001-08-10
Anticipated expiration: 2020-01-28
Also published as: US20010010611A1; US6650502B2; JP3866472B2

Abstract

(57)【要約】【課題】従来における薄膜磁気ヘッドでは、下部コア
層上から盛り上がるコイル層等の存在により、上部コア
層を所定形状に形成できず、特に今後の狭トラック化に
対応することができなかった。【解決手段】下部コア層３０上に下部磁極層１１を形
成し、下部磁極層１１と下部コア層３０の段差内にコイ
ル層１４及びコイル絶縁層１６を形成する。コイル層１
４及びコイル絶縁層１６は基準平面Ｄと同一面上に位置
し、下部磁極層１１上、コイル層１４上、コイル絶縁層
１６上のギャップ層１２を平坦化して形成できる。従っ
て本発明では、ギャップ層１２上に直接上部コア層を形
成でき、しかも前記上部コア層を平坦化面上に形成でき
るから、パターン精度良く所定形状に形成でき、今後の
狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造でき
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、コア層間にコイル
層が形成された薄膜磁気ヘッドに係わり、特に上部コア
層の形成を適正に行うことができ、狭トラック化と共
に、オーバーライト特性を向上させることができ、しか
もライトフリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッ
ド及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】図３０は、従来の薄膜磁気ヘッドの構造
を示す縦断面図である。この薄膜磁気ヘッドは、ハード
ディスクなどの記録媒体に対向する浮上式磁気ヘッドの
スライダのトレーリング側端面に設けられており、記録
用のインダクティブヘッドである。

【０００３】符号１は、例えばＮｉＦｅ合金などの磁性
材料で形成された下部コア層である。前記下部コア層１
の上には、例えばＡｌ₂Ｏ₃（アルミナ）やＳｉＯ₂など
の非磁性材料で形成されたギャップ層２が設けられてい
る。さらに前記ギャップ層２上には、レジスト材料やそ
の他の有機材料で形成された絶縁層９が形成されてい
る。

【０００４】前記絶縁層９上には、Ｃｕなどの電気抵抗
の低い導電性材料によりコイル層４が螺旋状に形成され
ている。なお前記コイル層４は、後述する上部コア層６
の基端部６ｂの周囲を周回するように形成されている
が、図３０では前記コイル層４の一部のみが現れてい
る。

【０００５】そして前記コイル層４は、有機材料などの
絶縁層５によって覆われており、前記絶縁層５の上に、
パーマロイなどの磁性材料によってメッキされて上部コ
ア層６が形成されている。上部コア層６の先端部６ａ
は、記録媒体との対向部において、下部コア層１上に前
記ギャップ層２を介して接合され、ギャップ長Ｇｌの磁
気ギャップが形成されている。また上部コア層６の基端
部６ｂは、ギャップ層２に形成された穴を介して、下部
コア層１に磁気的に接続されている。

【０００６】前記上部コア層６の先端部６ａのトラック
幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法はトラック幅Ｔｗ
で形成され、近年の高記録密度化に伴い、前記トラック
幅Ｔｗはより小さく形成される必要性がある。

【０００７】書込み用のインダクティブヘッドでは、コ
イル層４に記録電流が与えられると、下部コア層１及び
上部コア層６に記録磁界が誘導され、下部コア層１と上
部コア層６の先端部６ａとの磁気ギャップ部分からの洩
れ磁界により、ハードディスクなどの記録媒体に磁気信
号が記録される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】上述した薄膜磁気ヘッ
ドの上部コア層６は、フレームメッキ法によって形成さ
れる。前記上部コア層６を形成する際の一工程を表した
のが、図３１である。

【０００９】図３１に示すように、コイル層４を形成
し、前記コイル層４を絶縁層５で覆った後、先端付近に
露出するギャップ層２上から前記絶縁層５上にかけて、
ＮｉＦｅ合金などの磁性材料の下地層７を形成する。

【００１０】次に、前記下地層７上にレジスト層８を形
成した後、露光現像によって、上部コア層６の形状パタ
ーンを前記レジスト層８に形成し、前記パターン内から
露出する下地層７上に、磁性材料の層（上部コア層６）
をメッキ形成する。そして、残されたレジスト層８を除
去すると、図３０に示す上部コア層６が完成する。

【００１１】しかしながら従来の薄膜磁気ヘッドでは、
構造上、上部コア層６を形成する際に次のような問題点
がある。

【００１２】図３１に示すように、下部コア層上には、
絶縁層９、コイル層４及び絶縁層５の積層により、前記
積層膜が下部コア層１表面から厚さＨ３で盛り上がり、
従って前記コイル層４等が形成されていない下部コア層
１上、すなわち前記下部コア層１の先端付近上に形成さ
れるレジスト層８の膜厚Ｈ１が非常に厚くなり、逆に、
前記絶縁層５上に形成されるレジスト層８の膜厚Ｈ２
は、薄く形成される。

【００１３】このため前記レジスト層８を露光現像する
際に、焦点深度を合わせにくく、前記レジスト層８に上
部コア層６のパターンを所定形状に形成しづらく、パタ
ーン精度を低下させる原因となっている。

【００１４】特に上記したように、上部コア層６の先端
部６ａは、その幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成され、今
後の高記録密度化に伴い、前記トラック幅Ｔｗはより小
さく形成されなければならない。

【００１５】上記したように、前記上部コア層６の先端
部６ａが形成されるべき部分のレジスト層８の膜厚Ｈ１
は非常に厚いために、この膜厚Ｈ１のレジスト層８部分
にパターンを形成するには、露光現像の際に、深い焦点
深度を必要とするが、前記焦点深度を深くしようとする
と、解像度を悪化させ、所定寸法のトラック幅Ｔｗよ
り、前記上部コア層６の先端部６ａの幅は広がって形成
されてしまう。

【００１６】また下部コア層１上に形成される絶縁層
５，９及びコイル層４の盛り上がりにより、レジスト層
８の膜厚が、均一でないために、露光現像の際に乱反射
が起こり易く、これにより前記上部コア層６を所定形状
に、特に前記上部コア層６の先端部６ａの幅寸法を、所
定寸法のトラック幅Ｔｗに形成できなくなる。

【００１７】上記した問題を解決するため、例えば前記
絶縁層５，９及びコイル層４の形成位置を、ハイト方向
（図示Ｙ方向）にずらして形成し、前記コイル層４等が
形成されていない下部コア層１上の先端付近の長さ寸法
Ｔ１を延ばすことにより、前記長さ寸法Ｔ１上に形成さ
れるレジスト層８の膜厚を、図３１に示す場合に比べ薄
く形成でき、これにより上部コア層６の先端部６ａの幅
寸法を、所定のトラック幅Ｔｗで形成しようとする方法
がある。

【００１８】しかしながら上記の場合であっても、レジ
スト層８の膜厚が不均一になることに変わりはなく、依
然として露光現像の際における乱反射等の影響で、上部
コア層６を所定形状で形成しづらい。

【００１９】また、コイル層４をハイト方向（図示Ｙ方
向）にずらして形成すると、上部コア層６の先端部６ａ
は、長く形成されることになるが、前記先端部６ａはト
ラック幅Ｔｗの細長形状で形成されるので、前記先端部
６ａにて磁気的飽和が起こり易くなり、ＯＷ（オーバー
ライト）特性を低下させる原因となる。

【００２０】なおオーバーライトとは重ね書きのことで
あり、ＯＷ特性は、まず低周波で記録をし、さらに高周
波で重ね書きをし、その状態で低周波での記録信号の残
留出力が、高周波で重ね書きする前の前記低周波での記
録信号の出力からどれほど低下したかで評価する。

【００２１】本発明は上記従来の課題を解決するための
ものであり、特に、上部コア層を所定形状に形成するこ
とができると共に、ＯＷ特性を向上させ、さらにはライ
トフリンジングの発生を抑制することが可能な薄膜磁気
ヘッド及びその製造方法に関する。

【００２２】

【課題を解決するための手段】本発明は、下部コア層
と、記録媒体との対向面で前記下部コア層に非磁性のギ
ャップ層を介して対向する上部コア層と、前記下部コア
層と上部コア層に記録磁界を誘導するコイル層とが設け
られた薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部コア層には、
記録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法に
て下部磁極層が形成され、前記下部磁極層上にギャップ
層が接し、前記下部磁極層と下部コア層との段差内に
は、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を
埋めるコイル絶縁層が形成され、下部磁極層とギャップ
層との接合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁
層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及びコイル
層の上面が、前記基準平面と同一面上に位置し、前記基
準平面のハイト方向後方には平坦化面が広がっており、
前記上部コア層は、記録媒体との対向面に露出する部分
では、前記ギャップ層にトラック幅Ｔｗで接することを
特徴とするものである。

【００２３】本発明は、上部コア層を所定形状に形成す
べきことを主目的とし、その目的を達成するために、特
にコイル層の形成位置を従来と変えている点に大きな特
徴がある。

【００２４】すなわち従来では、前記コイル層はギャッ
プ層上に形成されていたが、この構造では、前記ギャッ
プ層上からコイル層等の盛り上がりを小さく抑えること
はできず、その結果、上部コア層を適切にパターン精度
良く形成することは難しい。

【００２５】これに対し本発明者らは、前記コイル層を
ギャップ層下に形成することを見出し、その結果、前記
上部コア層をパターン精度良く形成できるようにしたの
である。

【００２６】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造上の
特徴は以下の通りである。すなわち本発明では、まず下
部コア層上に、下部磁極層が形成されている。そして前
記下部磁極層と下部コア層間に形成される段差内に、コ
イル層及びコイル絶縁層が形成される。

【００２７】さらに本発明では、前記下部磁極層とギャ
ップ層との接合面を基準平面としたときに、前記段差内
に形成されたコイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル
絶縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同
一面上に形成され、前記基準平面からハイト方向後方に
は平坦化面が広がって形成されている。

【００２８】ギャップ層は平坦化された下部磁極層上か
らコイル絶縁層上にかけて、あるいは下部磁極層上から
コイル絶縁層上及びコイル層上にかけて形成されるの
で、前記ギャップ層の上面もまた平坦化面となってい
る。

【００２９】そして本発明では、このように平坦化され
たギャップ層上に直接、上部コア層を形成することが可
能であるので、従来のように、上部コア層を形成すべき
面に全く凹凸が無く、上部コア層の形成の際に使用され
るレジスト層の膜厚を薄く、しかも露光現像の際に乱反
射等が無く、よって前記上部コア層を、パターン精度良
く形成でき、特に、前記上部コア層の先端部の幅寸法
を、所定寸法のトラック幅Ｔｗで高精度に形成すること
が可能である。

【００３０】また本発明では、上部コア層を平坦化面上
に形成できることで、トラック幅Ｔｗで形成される先端
部の長さを、短く形成することも可能であり、よって前
記上部コア層の先端付近での磁気飽和を抑え、磁束密度
の減衰を抑えることができ、ＯＷ特性を向上させること
が可能になっている。

【００３１】また本発明では、前記上部コア層と下部磁
極層間に挟まれたギャップ層はトラック幅Ｔｗで形成さ
れ、前記下部磁極層には、ギャップ層と接する部分にお
いて、前記トラック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部
が形成されていることが好ましい。またこの場合、前記
隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面には、上
部コア層から離れるに従って傾斜する傾斜面が形成され
ていることが好ましい。これによりライトフリンジング
の発生を抑制することができる。

【００３２】また本発明では、前記下部磁極層は前記下
部コア層と一体形成されていてもよい。

【００３３】また本発明では、前記下部コア層には、後
端部上に持上げ層が形成され、前記持上げ層の上面は前
記基準平面と同一面上に位置し、前記持上げ層と上部コ
ア層の基端部とが接して形成されていることが好まし
い。前記持上げ層の形成により下部コア層と上部コア層
間の磁気的な接合を容易に行うことができる。

【００３４】なお本発明では、前記下部コア層と持上げ
層とが一体形成されていてもよい。また本発明では、前
記コイル絶縁層は無機絶縁材料で形成されていることが
好ましい。

【００３５】また本発明では、前記基準平面と同一面上
は削られた面である。これは後述する製造方法で詳述す
るように、例えばＣＭＰ技術を用いて前記基準平面と同
一面上を研磨することにより達成される。

【００３６】また本発明では、前記コイル層と下部コア
層との間には、絶縁下地層が形成されていることが好ま
しい。これにより前記コイル層と下部コア層間の絶縁性
耐圧を向上させることができる。

【００３７】また本発明では、ギャップ層上には、記録
媒体との対向面からハイト方向後方にかけて所定の長さ
寸法で、且つ記録媒体との対向面に露出する部分ではト
ラック幅Ｔｗで形成された上部磁極層が形成され、前記
ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向後方
には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部コア
層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコイル
層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を埋め
る第２のコイル絶縁層が形成され、前記上部コア層は、
前記上部磁極層上に記録媒体との対向面からハイト方向
後方にずらされて接合される形態であってもよい。

【００３８】上記の構成は、コイル層が２層積層された
ものであり、これにより、コイル層の幅寸法を小さくで
きるから、下部コア層から上部コア層を経て形成される
磁路長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、今後
の高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造する
ことができる。

【００３９】また上記の構成では、ギャップ層上に上部
磁極層が形成され、この上部磁極層の記録媒体との対向
面に露出する部分における幅寸法はトラック幅Ｔｗで形
成される。前記上部磁極層は、平坦化面のギャップ層上
に直接されるので、パターン精度良く前記上部磁極層を
所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成することができる。

【００４０】また前記上部磁極層上に形成される上部コ
ア層を、ハイト方向にずらして形成し、前記上部コア層
は、記録媒体との対向面に露出しないようになってい
る。

【００４１】このため、上部コア層にトラック幅Ｔｗの
先端部を形成する必要はなく、前記上部コア層は、上部
磁極層と下部コア層間の磁路を繋ぐ役割を果すのみとな
るから、磁気飽和の抑制の点から、前記上部コア層の幅
寸法を、トラック幅Ｔｗに比べて大きく形成することが
好ましい。

【００４２】よって、前記上部コア層が形成されるべき
面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きな上部
コア層をパターン精度良く形成でき、前記上部コア層を
所定形状で形成することができる。

【００４３】また前記上部磁極層上に形成される上部コ
ア層を、ハイト方向にずらして形成することで、ライト
フリンジングの発生を抑制することも可能である。

【００４４】また本発明では、前記上部磁極層は、トラ
ック幅Ｔｗで形成された先端部と、前記細長部の基端か
らハイト方向に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成
され、前記上部コア層は前記後端部上に接合されること
が好ましい。

【００４５】さらに本発明では、前記上部磁極層と上部
コア層との接合面を第２の基準平面としたときに、前記
第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル絶縁
層の上面及び第２のコイル層の上面が前記基準平面と同
一面上に位置し、前記基準平面からハイト方向後方には
平坦化面が広がっている形態であってもよい。

【００４６】この場合、前記第２のコイル絶縁層は無機
絶縁材料で形成されていることが好ましい。また、前記
基準平面と同一面上は削られた面である。

【００４７】上記の構成により、上部磁極層上から、第
２のコイル絶縁層上、あるいは第２のコイル絶縁層上及
び第２のコイル絶縁層上にかけて形成される上部コア層
を、よりパターン精度良く形成することが可能である。

【００４８】さらに本発明では、前記第２のコイル絶縁
層は有機絶縁材料で形成されていてもよい。この場合、
前記第２のコイル絶縁層は、前記第２の基準平面上から
多少盛り上がるため、前記上部コア層を完全な平坦化面
上に形成することはできないが、上記したように、前記
上部コア層はパターン精度が多少低くくても、所定形状
に形成することができるので、第２の基準平面からの盛
り上がりはそれほど問題とはならない。

【００４９】また本発明では、下部コア層上に持上げ層
が形成されていない場合には下部コア層上から、前記下
部コア層上に持上げ層が形成されている場合には前記持
上げ層上に、第２の持上げ層が形成され、前記上部コア
層の基端部が前記第２の持上げ層上に接して形成される
ことが好ましい。これにより下部コア層上部コア層間の
磁気的な接続を行いやすくなる。

【００５０】また本発明は、下部コア層と、記録媒体と
の対向面で前記下部コア層に非磁性のギャップ層を介し
て対向する上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層
に記録磁界を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気
ヘッドの製造方法において、（ａ）下部コア層上に、記
録媒体との対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で、
下部磁極層を形成する工程と、（ｂ）前記下部コア層上
に絶縁下地層を形成する工程と、（ｃ）前記絶縁下地層
上に、コイル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間
を埋めるコイル絶縁層を形成する工程と、（ｄ）前記下
部磁極層の上面を基準平面としたときに、前記コイル絶
縁層の上面、あるいはコイル層の上面及コイル絶縁層の
上面が前記基準平面と同一面上となるように、前記コイ
ル絶縁層の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイ
ル絶縁層の上面を削り、前記基準平面からハイト方向後
方に平坦化面を形成する工程と、（ｅ）前記下部磁極層
の上面、及び平坦化面上にギャップ層を形成する工程
と、（ｆ）記録媒体との対向面に露出する部分で幅寸法
がトラック幅Ｔｗで形成される上部コア層を、ギャップ
層上にパターン形成する工程と、を有することを特徴と
するものである。上記のように本発明では、（ａ）工程
にて、下部コア層上に下部磁極層を形成し、（ｃ）工程
にて、前記下部コア層と下部磁極層間に形成された段差
部内に、コイル層及びコイル絶縁層を形成している。

【００５１】本発明では、さらに（ｄ）工程にて、例え
ばＣＭＰ技術等を使用し、コイル絶縁層の上面、あるい
はコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を基準平面
（下部磁極層の上面）と同一面上で形成し、前記基準平
面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成すること
で、前記基準平面及び平坦化面上にギャップ層を形成で
き、従って、上部コア層を平坦化面のギャップ層上に形
成することが可能である。よって上部コア層を形成する
際に使用されるレジスト層を薄い膜厚で形成でき、しか
も露光現像の際に乱反射等が発生せず、前記上部コア層
をパターン精度良く形成できる。特に前記上部コア層の
先端付近の幅寸法を所定寸法のトラック幅Ｔｗで形成す
ることができ、狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。

【００５２】また本発明では、前記（ａ）工程におい
て、下部コア層のハイト方向後方に磁性材料製の持上げ
層を形成し、前記（ｄ）工程において、前記持上げ層の
上面を前記基準平面と同一面上となるように削り、さら
に前記（ｆ）において、上部コア層の基端部を、前記持
上げ層の上面に接合させることが好ましい。

【００５３】前記持上げ層の形成により前記上部コア層
と下部コア層間の磁気的な接続を行い易くすることがで
き、製造工程を容易化することが可能である。

【００５４】また本発明では、前記（ａ）工程におい
て、下部コア層上にフレームメッキ法にて下部磁極層を
形成し、また持上げ層をも形成する場合には、前記持上
げ層を下部磁極層と同時にフレームメッキ法で形成する
ことが好ましい。

【００５５】また上記の場合、前記下部磁極層、または
下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の
周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び
前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好まし
い。

【００５６】あるいは本発明では、前記（ａ）工程にお
いて、下部磁極層が形成されるべき下部コア層表面を保
護し、その他の部分の下部コア層表面を削ることによ
り、下部コア層から下部磁極層を突出形成し、また持上
げ層をも形成する場合には、下部磁極層及び持上げ層が
形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部分
の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から下
部磁極層及び持上げ層を突出形成してもよい。

【００５７】上記構成の場合、前記下部磁極層、または
下部磁極層及び持上げ層を形成する前に、下部コア層の
周囲を絶縁層によって埋めた後、前記下部コア層上及び
前記絶縁層上を同一平面状に平坦化することが好まし
い。

【００５８】また本発明では、前記（ｆ）工程後、以下
の工程を有することが好ましい。（ｇ）トラック幅Ｔｗ
で形成された上部コア層のギャップ層との接合面から両
側に延びるギャップ層を除去する工程と、（ｈ）除去さ
れた前記ギャップ層下に露出する下部磁極層の上面を削
り、前記下部磁極層のギャップ層との接合面の幅寸法を
トラック幅Ｔｗと一致させ、前記下部磁極層に上部コア
層方向に延びる隆起部を形成する工程と、（ｉ）前記隆
起部の基端から延びる下部磁極層の両側上面に、上部コ
ア層から離れるに従って傾斜する傾斜面を形成する工
程、上記工程により、狭トラック化とさらには、ライト
フリンジングの発生を抑制できる薄膜磁気ヘッドを製造
することが可能である。

【００５９】また本発明では、前記コイル層の各導体部
のピッチ間を埋めるコイル絶縁層を、無機絶縁材料で形
成することが好ましい。これにより前記コイル絶縁層上
面をＣＭＰ技術等を用いて適切に研磨加工することがで
きる。

【００６０】さらに本発明では、前記（ｆ）工程に代え
て以下の工程を有することが好ましい。（ｊ）ギャップ
層上に記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の
長さで、且つ記録媒体との対向面に露出する部分ではト
ラック幅Ｔｗで形成される上部磁極層を形成する工程
と、（ｋ）前記ギャップ層上であって上部磁極層のハイ
ト方向後方に、第２のコイル層と前記第２のコイル層の
各導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を形成
する工程と、（ｌ）上部コア層を、前記上部磁極層上に
記録媒体との対向面からハイト方向後方にずらして接合
する工程、上記製造工程により、コイル層を２層構造で
形成でき、よってコイル層の幅寸法を小さくでき、下部
コア層から上部コア層を経て形成される磁路長の短磁路
化を実現することができる。

【００６１】また本発明では、平坦化されたギャップ層
上に上部磁極層を形成でき、よって前記上部磁極層に、
トラック幅Ｔｗで形成される先端部を、所定寸法で高精
度に形成することが可能である。

【００６２】また上部コア層を上部磁極層上に、記録媒
体との対向面からハイト方向にずらして形成すること
で、前記上部コア層を、トラック幅Ｔｗに比べ大きな幅
寸法で形成することが可能であり、従って、前記上部コ
ア層を形成すべき面に、多少の盛り上がりがあっても、
前記上部コア層を、所定形状に形成しやすくできる。

【００６３】また本発明では、前記（ｊ）工程におい
て、前記上部磁極層をトラック幅Ｔｗで形成された先端
部と、前記先端部の基端からハイト方向に幅寸法が漸次
的に広がる後端部とで構成し、前記（ｌ）工程におい
て、前記上部コア層を、上部磁極層の後端部上に接合さ
せることが好ましい。

【００６４】また本発明では、前記（ｋ）工程におい
て、前記上部磁極層の上面を第２の基準平面としたとき
に、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは第２のコ
イル層及び第２のコイル絶縁層の上面が、前記第２の基
準平面と同一面上に位置するように、前記第２のコイル
絶縁層の上面、あるいは前記第２のコイル層の上面及び
前記第２のコイル絶縁層の上面を削り、前記第２の基準
平面からハイト方向後方に広がる平坦化面を形成しても
よい。この場合、前記第２のコイル層の各導体部のピッ
チ間を埋める第２のコイル絶縁層を無機絶縁材料で形成
することが好ましい。

【００６５】これはＣＭＰ技術等を用いることで実現で
き、前記第２のコイル絶縁層の上面、あるいは前記第２
のコイル層の上面及びコイル絶縁層の上面を、第２の基
準平面（上部磁極層の上面）と同一面上で形成すること
で、前記基準平面上に形成される上部コア層を、パター
ン精度良く所定形状に形成することができる。

【００６６】また本発明では、前記第２のコイル層の各
導体部のピッチ間を埋める第２のコイル絶縁層を有機絶
縁材料で形成してもよい。

【００６７】また本発明では、前記（ｊ）工程におい
て、下部コア層上に持上げ層が形成されている場合には
前記持上げ層上に、前記下部コア層上に持上げ層が形成
されていない場合には前記下部コア層上に、第２の持上
げ層を形成し、前記（ｌ）工程において、上部コア層の
基端部を、前記第２の持上げ層上に接合させることが好
ましい。

【００６８】上記工程では、下部コア層上に形成された
持上げ層上、あるいは下部コア層上に、第２の持上げ層
を形成している。これによりコイル層を２層構造にした
場合において、下部コア層と上部コア層間の磁気的な製
造を行いやすくなり、製造方法を容易化することが可能
である。

【００６９】

【発明の実施の形態】図１は、本発明における第１実施
形態の薄膜磁気ヘッドの構造を、記録媒体との対向面か
ら見た部分正面図、図２は、本発明における他の実施形
態の薄膜磁気ヘッドの構造を示す部分正面図、図３は、
図１に示す３−３線を矢印方向から見た薄膜磁気ヘッド
の部分縦断面図、図４は、図１に示す薄膜磁気ヘッドの
部分平面図、図５は、図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分
平面図である。

【００７０】図１ないし図５に示す薄膜磁気ヘッドは、
記録用のインダクティブヘッドであるが、本発明では、
このインダクティブヘッドの下に、磁気抵抗効果を利用
した再生用ヘッド（ＭＲヘッド）が積層された、いわゆ
る複合型薄膜磁気ヘッドであってもよい。

【００７１】図１に示す符号３０は、例えばパーマロイ
などの磁性材料で形成された下部コア層である。なお前
記下部コア層３０の下側に再生用ヘッドが積層される場
合、前記下部コア層３０とは別個に、磁気抵抗効果素子
をノイズから保護するシールド層を設けてもよいし、あ
るいは、前記シールド層を設けず、前記下部コア層３０
を、前記再生用ヘッドの上部シールド層として機能させ
てもよい。

【００７２】図１に示すように前記下部コア層３０の上
には、下部磁極層１１が形成されている。前記下部磁極
層１１は下部コア層３０と同様に、記録媒体との対向面
に露出形成され、前記下部磁極層１１の下面は前記下部
コア層３０と磁気的に接続された状態になっている。

【００７３】前記下部磁極層１１は、下部コア層３０と
同じ材質で形成されてもよいが、異なる材質で形成され
ても良い。ただし記録密度を向上させるためには、前記
下部磁極層１１は下部コア層３０に比べて高い飽和磁束
密度を有する磁性材料で形成されることが好ましい。

【００７４】図１に示すように前記下部磁極層１１は、
トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅寸法がＴ２で
形成されている。この幅寸法Ｔ２は、少なくとも上部コ
ア層１３の幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）に比べて大きく
形成される必要がある。

【００７５】また図１に示すように、前記下部磁極層１
１の高さ寸法はＨ４で形成されるが、この高さ寸法Ｈ４
は、あまり小さすぎると、後述するコイル層１４の高さ
寸法を稼ぐことができなくなり、前記コイル抵抗値の低
減を図るために、コイル層１４の幅寸法Ｔ３（図３参
照）を広げなければならず、長磁路長化を招く結果とな
る。

【００７６】また前記下部磁極層１１の高さ寸法Ｈ４
が、あまり大きくなりすぎても、前記下部磁極層１１を
形成しづらくなり、また前記下部磁極層１１の部分で磁
気飽和に達し易くなり、今後の高記録密度化に対応でき
ないという問題がある。

【００７７】前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２は、下部
コア層３０の幅寸法以下であれば良く、具体的には、５
μｍ〜１００μｍの範囲内、高さ寸法Ｈ４は、具体的に
は、１μｍ〜５μｍの範囲内であることが好ましい。

【００７８】また前記下部磁極層１１は図３に示すよう
に、ハイト方向（図示Ｙ方向）に長さ寸法Ｌ２で形成さ
れ、前記下部磁極層１１は、下部コア層３０上に矩形状
にて形成されることがわかる。この実施例においては前
記下部磁極層１１の長さ寸法Ｌ２がギャップデプスＧｄ
として規制され、前記ギャップデプスＧｄは、薄膜磁気
ヘッドの電磁変換に多大な影響を与えることから、予め
所定の長さに設定される。

【００７９】本発明では図３に示すように、前記下部磁
極層１１と下部コア層３０との段差内には、コイル層１
４が形成されている。

【００８０】また図３に示すように前記下部コア層３０
とコイル層１４との間には、絶縁下地層１５が形成され
ており、前記下部コア層３０とコイル層１４間の電気的
な絶縁が図られている。図３に示す前記絶縁下地層１５
は、無機絶縁材料で形成されている。

【００８１】前記無機絶縁材料には、ＡｌＯ、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ｔａ₂Ｏ₅、ＴｉＯ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉ
Ｎ、ＴｉＮ、ＳｉＮ、Ｓｉ₃Ｎ₄、ＮｉＯ、ＷＯ、Ｗ
Ｏ₃、ＢＮ、ＣｒＮ、ＳｉＯＮのうち少なくとも１種以
上が選択される。

【００８２】前記絶縁下地層１５に無機絶縁材料を使用
する場合には、後で製造方法で説明するように、スパッ
タ法等の既存の方法で形成可能である。

【００８３】ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料
で形成される場合には、前記絶縁下地層１５にピンホー
ル等の欠陥が発生しやすいために、前記絶縁下地層１５
を、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層と、有機絶縁
材料で形成された絶縁下地層の２層構造とするか、ある
いは有機絶縁材料の絶縁下地層の一層で形成する方が好
ましい。有機絶縁材料を使用することで、絶縁性耐圧を
向上させることが可能である。なお前記有機絶縁材料に
は、例えばレジストやポリイミド等の周知な材質を使用
することができる。

【００８４】また図３に示すように、前記コイル層１４
の各導体部のピッチ間には、コイル絶縁層１６が埋めら
れており、前記コイル絶縁層１６は、図１に示すよう
に、記録媒体との対向面において、前記下部磁極層１１
の両側に露出して形成されている。

【００８５】ところで図３に示すように、本発明では、
前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面
が、前記下部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を
基準平面Ｄとしたときに、前記基準平面Ｄと同一面上に
位置していることがわかる。

【００８６】従って本発明では、前記基準平面Ｄからハ
イト方向（図示Ｙ方向）後方には平坦化面が広がって形
成されている。

【００８７】このように前記基準平面Ｄと同じ面上に、
コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面を揃え
るには、後述するように、例えばＣＭＰ技術等を用い、
前記コイル層１４の上面及びコイル絶縁層１６の上面
を、前記基準平面Ｄに合わせるべく研磨加工すればよ
く、これにより前記平坦化面は削られた面となってい
る。

【００８８】なお図３に示す実施例では、前記コイル層
１４の上面が前記基準平面Ｄと同一面上に位置している
が、これにより前記下部磁極層１１と下部コア層３０間
に形成される段差内で、前記コイル層１４の高さ寸法も
最大に大きくすることができ、よって前記コイル層１４
の幅寸法Ｔ３を最小にすることができ、下部コア層３０
から上部コア層１３を経て形成される磁路長の短磁路化
を図ることができる。

【００８９】ただし本発明では、前記コイル層１４の上
面が、前記基準平面Ｄよりも高さが低く形成されてもよ
い。この場合、前記コイル層１４の上面は、コイル絶縁
層１６により覆われ、前記コイル絶縁層１６の上面のみ
が前記基準平面Ｄと同一面上に揃えられることになる。

【００９０】また本発明では、前記コイル絶縁層１６
は、無機絶縁材料で形成されることが好ましい。上記し
たＣＭＰ技術等を用いて研磨加工する際に、前記コイル
絶縁層１６が無機絶縁材料で形成されていると、前記コ
イル絶縁層１６の上面を適切にしかも容易に研磨するこ
とができるからである。

【００９１】一方、前記コイル絶縁層１６が有機絶縁材
料で形成されていると、有機絶縁材料独特のねばりによ
り、前記コイル絶縁層１６の上面を適切に削ることがで
きなくなり好ましくない。

【００９２】ただしコイル絶縁層１６が無機絶縁材料で
形成されると、前記コイル絶縁層１６をスパッタ等で形
成する際に、コイル層１４の各導体部のピッチ間に無機
絶縁材料が侵入しにくく、前記コイル絶縁層１６に空洞
部等の欠陥が形成される虞がある。よって、基準平面Ｄ
よりも下側の位置で有機絶縁材料を、前記コイル層１４
の各導体部のピッチ間に埋めた後、前記有機絶縁材料層
の上に、無機絶縁材料製のコイル絶縁層１６を形成する
ことが上記欠陥が発生せず好ましい。

【００９３】本発明では、上記したように、基準平面Ｄ
と同一面上にコイル絶縁層１６の上面及びコイル層１４
の上面を位置させているので、前記基準平面Ｄのハイト
方向後方には平坦化面が広がっている。

【００９４】そして本発明では図３に示すように、平坦
化された下部磁極層１１上、コイル層１４上、およびコ
イル絶縁層１６上に、ギャップ層１２が形成されるの
で、前記ギャップ層１２の表面もまた平坦化された面と
なっている。

【００９５】なお前記ギャップ層１２は、無機絶縁材料
で形成され、前記無機絶縁材料は、具体的には、Ａｌ₂
Ｏ₃、ＳｉＯ₂、ＳｉＯＮ、ＡｌＮ、ＡｌＳｉＮのうち１
種または２種以上から選択されることが好ましい。

【００９６】本発明の薄膜磁気ヘッドの構成によれば、
ギャップ層１２の下側に、コイル層１４が既に形成され
ているため、図３０に示す従来の薄膜磁気ヘッドのよう
に、ギャップ層１２の上にコイル層１４の形成は行われ
ない。

【００９７】よって本発明では、平坦化されたギャップ
層１２の上に、上部コア層１３を形成することが可能で
ある。

【００９８】前記上部コア層１３は、いわゆるフレーム
メッキ法で形成される。フレームメッキ法では、まず上
部コア層１３が形成される面上にレジスト層を形成し、
前記レジスト層に上部コア層１３のパターンを露光現像
で形成する。そして前記パターン内に磁性材料の層をメ
ッキ成長させ、前記レジスト層を除去して、上部コア層
１３を形成する。

【００９９】上記のように本発明では、上部コア層１３
が形成されるべき面、すなわちギャップ層１２上面は、
平坦化面となっているので、前記ギャップ層１２上にレ
ジスト層を均一な膜厚で形成でき、しかも前記レジスト
層を薄い膜厚で形成できるので、露光現像の際に乱反射
等が起こりにくく、また解像度良く、上部コア層１３の
パターンを形成でき、よって高精度に上部コア層１３を
形成することができる。

【０１００】ただし上部コア層１３とコイル層１４間の
電気的な絶縁を適正に保つために、前記ギャップ層１２
上あるいは下に膜厚の薄い無機絶縁材料製あるいは有機
絶縁材料製の絶縁下地層を形成することができる。ただ
し前記絶縁下地層は、記録媒体との対向面にまで延びて
露出形成されてはいけない。ギャップ長が大きくなるか
らである。前記絶縁下地層は、コイル層１４が形成され
ている、その上のギャップ層１２上にのみ部分的に形成
されることが好ましい。

【０１０１】ところで本発明では図１に示すように、記
録媒体との対向面に露出する部分において、前記上部コ
ア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで形成される。

【０１０２】また前記上部コア層１３の形状は、上から
見ると図４に示すようになっており、前記上部コア層１
３は、記録媒体との対向面からハイト方向（図示Ｙ方
向）にかけてトラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅと、
この先端部Ｅからハイト方向にかけて漸次的に幅寸法が
広がる後端部Ｆとで構成される。

【０１０３】上部コア層１３の後端部Ｆは、幅寸法が大
きく形成されるので、パターン精度がそれほど高くなく
ても、ほぼ所定形状で前記後端部Ｆをパターン形成する
ことができるし、仮に所定形状と多少異なった形状で形
成されても磁気的な特性に、さほどの影響を与えない。

【０１０４】これに対し、トラック幅Ｔｗで形成される
先端部Ｅは、非常に幅寸法が狭く形成され、具体的に
は、０．５μｍ〜１．０μｍの範囲内であることが好ま
しい。なお狙い寸法に対しては、±０．１μｍの誤差の
範囲内であることが好ましい。

【０１０５】上部コア層の形状において、前記先端部Ｅ
の形状は、最も高精度に形成されなければならない部分
であり、今後の高記録密度化に伴って、前記先端部Ｅの
幅寸法（＝トラック幅Ｔｗ）はますます小さく形成され
るものと予想される。

【０１０６】このように非常に小さい幅寸法を有する先
端部Ｅを形成するには、露光現像の際のパターン精度を
向上させて、高精度に前記先端部Ｅをパターン形成する
必要がある。

【０１０７】本発明では上記したように、上部コア層１
３を平坦化面となるギャップ層１２上に形成することが
できるから、上部コア層１３の形成の際に使用されるレ
ジスト層の膜厚を薄く形成でき、しかもその膜厚は均一
であるから、解像度を向上させることができ、さらに露
光現像の際に乱反射等が起こらず、従って前記上部コア
層１３を所定形状に形成でき、特に最も高精度に形成さ
れるべき、トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所
定の寸法値内で形成することが可能である。

【０１０８】また本発明では、上記のようにパターン精
度良く上部コア層１３を形成することができるので、前
記先端部Ｅのハイト方向への長さ寸法Ｌ３を短く形成す
ることもできる。前記長さ寸法Ｌ３を短く形成できるこ
とで、磁束の飽和を緩和でき、ＯＷ（オーバーライト）
特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製造することが可能にな
る。

【０１０９】なお前記長さ寸法Ｌ３は、具体的には１．
０μｍ〜５．０μｍの範囲内であることが好ましい。

【０１１０】なお本発明では、図３に示すように、下部
コア層３０と上部コア層１３間におけるハイト方向後方
には持上げ層１７が形成されている。前記持上げ層１７
は下部コア層３０及び／または上部コア層１３と同じ材
質の磁性材料で形成されてもよいし、あるいは異なる材
質で形成されてもよい。

【０１１１】前記持上げ層１７の形成により、前記持上
げ層１７上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合すれ
ば、上部コア層１３−持上げ層１７−下部コア層３０を
経る磁路長を形成でき、製造方法を容易化することがで
きる。

【０１１２】また図３に示すように前記持上げ層１７
は、基準平面Ｄと同一面上で形成されることが好まし
く、これは、コイル層１４及びコイル絶縁層１６を基準
平面Ｄに合わせて研磨加工する際に、前記持上げ層１７
の上面も同時に削ることで達成することが可能である。

【０１１３】なお本発明では、前記持上げ層１７が形成
されていなくてもよい。この場合は、コイル絶縁層１６
に下部コア層３０上面にまで繋がる穴部を形成し、前記
穴部内に上部コア層１３の基端部１３ａを形成して前記
基端部１３ａを下部コア層３０上に接合することで、上
部コア層１３から下部コア層３０を経て形成される磁路
長を形成することが可能である。

【０１１４】次に本発明では、図２に示すような形状の
薄膜磁気ヘッドを形成することも可能である。

【０１１５】図２に示すように、下部磁極層１１と上部
コア層１３との間に挟まれるギャップ層１２は、トラッ
ク幅Ｔｗで形成され、さらに下部コア層３０上に形成さ
れた下部磁極層１１は、ギャップ層１２との接合面で
は、トラック幅Ｔｗで形成される。

【０１１６】さらに下部磁極層１１には、前記ギャップ
層１２との接合面から、下部コア層３０方向に延びる隆
起部１１ｂが形成されている。この構成により、ライト
フリンジングの発生を適切に抑制することができる。

【０１１７】また本発明では、前記隆起部１１ｂの基端
から下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３か
ら離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成さ
れており、これにより、さらにライトフリンジングの発
生を適切に抑制することができる。

【０１１８】また本発明では図１及び図２に示すよう
に、記録媒体との対向面に露出する上部コア層１３は、
トラック幅Ｔｗで、ギャップ層１２との接合面から図示
Ｚ方向に、ストレート形状で形成されているので、前記
上部コア層１３の部分においてもライトフリンジングは
発生しにくい構造となっている。

【０１１９】また図２に示す構造では、図１に示す構造
の薄膜磁気ヘッドに比べて、上部コア層１３の幅寸法で
規制されるトラック幅Ｔｗを、より小さく形成すること
ができ、今後の狭ギャップ化に対応可能な薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。

【０１２０】図５は図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平
面図であるが、図５に示すように、上部コア層１３の先
端部Ｅの両側には、下部磁極層１０及びコイル絶縁層１
６が露出し、上部コア層１３の後端部Ｆの両側にはギャ
ップ層１２が広がっていることがわかる。

【０１２１】一方、図１に示す薄膜磁気ヘッドの平面図
である図４では、上部コア層１３の両側には全面的にギ
ャップ層１２が広がっていることがわかる。

【０１２２】この違いは、図１及び図２に示す正面図の
形状に起因するものであるが、図５に示すように、上部
コア層１３の先端部Ｅの両側では、ギャップ層１２が削
り取られ、前記ギャップ層１２は図２に示すように、ト
ラック幅Ｔｗで形成された上部コア層１３と下部磁極層
１１の隆起部１１ｂ間にのみ残される。このため、図５
に示すように、先端部Ｅの両側にはギャップ層１２が形
成されていないのである。

【０１２３】そしてギャップ層１２が除去されたことに
より露出する下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の上
面が図２に示すように傾斜面上に削られている。

【０１２４】なお図２に示す薄膜磁気ヘッドの縦断面図
は、図３と同一である。図６は、他の薄膜磁気ヘッドの
形態を示す部分縦断面図であり、図７は図６に示す薄膜
磁気ヘッドの部分平面図である。

【０１２５】この薄膜磁気ヘッドでは、コイルが２層構
造となっている。すなわち図６に示す薄膜磁気ヘッドで
は、ギャップ層１２の下側の構造は図３に示す薄膜磁気
ヘッドとほとんど変わりがない。

【０１２６】ただ、図６に示す薄膜磁気ヘッドでは、コ
イル層１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を向上させ
るべく、無機絶縁材料で形成された絶縁下地層１５のみ
ならず、前記絶縁下地層１５上にレジスト等の有機絶縁
材料で形成された絶縁下地層１８も形成されている。形
成パターンは、絶縁下地層１８が下で、その上に絶縁下
地層１５が形成されていてもよい。

【０１２７】図６に示すようにギャップ層１２上には、
記録媒体との対向面からハイト方向にかけて所定の長さ
寸法Ｌ４の上部磁極層１９が形成されている。前記上部
磁極層１９は記録媒体との対向面では、トラック幅Ｔｗ
で露出形成されている。

【０１２８】前記上部磁極層１９は上部コア層１３と同
じ材質でも異なる材質で形成されてもどちらでもよい。

【０１２９】このように記録媒体との対向面からハイト
方向（図示Ｙ方向）にかけて所定の長さ寸法Ｌ４にて上
部磁極層１９を形成する理由は、第２のコイル層２０を
形成すべき段差を、ギャップ層１２との間で形成するた
めである。

【０１３０】図６に示すように、ギャップ層１２と上部
磁極層１９との間で形成される段差内には、第２のコイ
ル層２０が形成されている。そして前記第２のコイル層
２０の各導体部のピッチ間には、第２のコイル絶縁層２
１が形成されている。

【０１３１】ところでこの実施例では、上部磁極層１９
と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面Ｇとした
とき、前記コイル層２０の上面及び第２のコイル絶縁層
２１の上面は前記第２の基準平面Ｇと同一面上に形成さ
れている。これはＣＭＰ技術等を用い、前記コイル層２
０及び第２のコイル絶縁層２１を研磨加工することで達
成することができる。

【０１３２】これにより、ギャップ層１２と上部磁極層
１９との段差内で、前記第２のコイル層２０を最大に高
くして形成することができ、よって前記第２のコイル層
２０の幅寸法Ｔ５を短くすることができ、上部コア層１
３から下部コア層３０を経て形成される磁路長を短く形
成することが可能になる。

【０１３３】なお前記第２のコイル層２０は、前記第２
の基準平面Ｇよりも高さが低く形成されていてもよい。
この場合、前記第２のコイル層２０上面は第２のコイル
絶縁層２１に覆われ、前記基準平面Ｇよりもハイト方向
（図示Ｙ方向）後方には、第２のコイル絶縁層２１によ
る平坦化面が広がって形成される。

【０１３４】またこの場合、前記第２のコイル絶縁層２
１は無機絶縁材料で形成されることが好ましい。これは
前記第２のコイル絶縁層２１をＣＭＰ技術等を用い研磨
加工するためで、前記第２のコイル絶縁層２１が有機絶
縁材料で形成されると、前記有機絶縁材料独特のねばり
により、前記第２のコイル絶縁層２１を削りにくくな
り、好ましくない。

【０１３５】ただしコイルを２層構造とした場合、２層
目となる第２のコイル層２０を覆う第２のコイル絶縁層
２１は、必ずしも第２の基準平面Ｇと同一面上に形成さ
れなければならないわけではない。

【０１３６】図８は、図６に示す薄膜磁気ヘッドを変形
した部分縦断面図である。図８に示す薄膜磁気ヘッドで
は、ギャップ層１２上に、上部磁極層１９が形成され、
前記上部磁極層１９のハイト方向（図示Ｙ方向）後方で
あってギャップ層１２上に第２のコイル層２０が形成さ
れている。

【０１３７】前記第２のコイル層２０の高さは、上部磁
極層１９と上部コア層１３との接合面を第２の基準平面
Ｇとしたときに、前記基準平面Ｇと同じ高さであっても
よいが、前記基準平面Ｇよりも高く形成されても、低く
形成されてもよい。

【０１３８】この実施例では前記基準平面Ｇよりも第２
のコイル層２０の高さを高く形成できるので、前記第２
のコイル層２０の幅寸法Ｔ６を、図６における第２のコ
イル層２０の幅寸法Ｔ５に比べて、より小さく形成で
き、上部コア層１３から下部コア層３０を経て形成され
る磁路長の短磁路化を促進させることができる。

【０１３９】この実施例では、前記第２のコイル層２０
を覆う第２のコイル絶縁層２４は、レジストやポリイミ
ド等の有機絶縁材料で形成されている。

【０１４０】図８に示すように、前記第２のコイル絶縁
層２４は、上部磁極層１９と上部コア層１３との接合面
を第２の基準平面Ｇとしたときに、前記第２の基準平面
Ｇよりも高さ寸法Ｈ５だけ盛り上がっていることがわか
る。

【０１４１】そして前記第２のコイル絶縁層２４上に上
部コア層１３が形成されるが、このように上部コア層１
３は盛り上がりのある表面上にパターン形成されること
になるために、完全な平坦面上にパターン形成する場合
に比べ、パターン精度は低下する。

【０１４２】しかしながら、上部コア層１３の形成は、
図３に示す場合のように、コイル層を一層構造で形成し
た場合に比べ高精度に行う必要性は低い。その理由は、
前記上部コア層１３の平面形状にある。

【０１４３】図７に示すように、上部磁極層１９はその
先端部Ｅが、トラック幅Ｔｗで記録媒体との対向面に露
出形成され、しかも記録媒体からハイト方向（図示Ｙ方
向）後方に、長さ寸法Ｌ５で形成されている。さらにト
ラック幅Ｔｗで形成された前記先端部Ｅの基端からハイ
ト方向（図示Ｙ方向）後方には、漸次的に幅寸法が広が
る後端部Ｆが形成されている。

【０１４４】このように上部磁極層１９には、トラック
幅Ｔｗで形成される先端部Ｅが形成されるので、前記先
端部Ｅはパターン精度良く形成される必要性があること
から、図６及び図８の実施例共に、前記上部磁極層１９
は、平坦化面のギャップ層１２上にパターン形成されて
いる。これにより前記上部磁極層１９を、高精度にパタ
ーン形成することができ、特に先端部Ｅを所定のトラッ
ク幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能になる。

【０１４５】しかしながら、前記上部磁極層１９上に形
成される上部コア層１３は、記録媒体との対向面からハ
イト方向にずれて形成され、前記上部コア層１３は記録
媒体との対向面に露出形成されていない。

【０１４６】そして前記上部コア層１３は、上部磁極層
１９の基端部付近に接合されて、上部磁極層１９と下部
コア層３０間の磁路を繋げる役割を担うのみであるた
め、できる限り磁気的ボリュームを確保する方が、高記
録密度化に対応できることから、前記上部コア層１３
は、前端部から後端部にかけて非常に大きい幅寸法で形
成されるのである。

【０１４７】従って上部コア層１３が形成されるべき表
面に多少の盛り上がりがあっても、幅寸法の大きい前記
上部コア層１３のパターン形成にさほどの支障を与える
ことなく、前記上部コア層１３を所定形状に形成するこ
とができるのである。

【０１４８】また図６に示す実施例の場合では、第２の
コイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１が第２の基準
平面Ｇと同一面上で形成されるが、実際には、前記第２
のコイル層２０と上部コア層１３間の電気的な絶縁を保
つ必要があるために、前記第２のコイル層２０及び第２
のコイル絶縁層２１上には、絶縁層２２を形成する必要
がある。前記絶縁層２２は、有機絶縁材料で形成されて
も無機絶縁材料で形成されてもどちらでもよいし、また
前記有機絶縁材料と無機絶縁材料の積層構造であっても
よいが、図６では、前記絶縁層２２は有機絶縁材料で形
成されている。

【０１４９】このため、図６に示す実施例の場合も、上
部コア層１３が形成されるべき表面には多少盛り上がり
が発生しているが、その高さは非常に小さく、前記上部
コア層１３のパターン形成にほとんど影響を与えるもの
ではない。

【０１５０】上記したように前記上部コア層１３は、上
部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合されてい
る。

【０１５１】さらに図６及び図８に示すように、上部コ
ア層１３の基端部１３ａでは、下部コア層３０上に形成
された持上げ層１７上に、第２の持上げ層２３が形成さ
れ、この第２の持上げ層２３上面に前記上部コア層１３
の基端部１３ａが接合された状態になっている。従って
磁路長は、図６及び図８共に、上部磁極層１９−上部コ
ア層１３−第２の持上げ層２３−持上げ層１７−下部コ
ア層３０を経て形成されることになる。

【０１５２】ただし前記第２の持上げ層２３は形成され
ていなくてもかまわない。この場合、前記上部コア層１
３の基端部１３ａは、下部コア層３０上に形成された持
上げ層１７上に直接接合されることになる。

【０１５３】また下部コア層３０上に持上げ層１７も形
成されていない場合には、前記上部コア層１３の基端部
１３ａは、下部コア層３０上にまで延び前記下部コア層
３０上に直接接合されることになる。

【０１５４】さらに、前記下部コア層３０上に持上げ層
１７が形成されていない場合に、前記下部コア層３０上
から第２の持上げ層２３を形成して、前記第２の持上げ
層２３上に上部コア層１３の基端部１３ａを接合するこ
とも可能である。

【０１５５】図６及び図８に示す実施例共に、持上げ層
１７及び第２の持上げ層２３を形成した理由は、下部コ
ア層３０と上部コア層１３間の磁気的な接合を容易にし
かも確実に行うようにするためであり、持上げ層１７及
び第２の持上げ層２３を形成する方が、薄膜磁気ヘッド
の製造を容易化できる点からしても好ましい。

【０１５６】図９は本発明における他の薄膜磁気ヘッド
の構造を示す部分正面図、図１０は、図９に示す１０−
１０線から切断した薄膜磁気ヘッドを矢印方向から見た
部分縦断面図、図１１は、他の形態を示す薄膜磁気ヘッ
ドの部分縦断面図である。

【０１５７】この実施例では図９に示すように下部コア
層３０と下部磁極層１１とが一体形成されている。

【０１５８】図９に示すように前記下部磁極層１１のト
ラック幅方向（図示Ｘ方向）の両側には、記録媒体との
対向面にコイル絶縁層１６が露出形成され、さらに前記
下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６上には、ギャップ
層１２が形成されている。そして前記ギャップ層１２上
には上部コア層１３が形成されている。

【０１５９】図９に示すように記録媒体との対向面に露
出する前記上部コア層１３の幅寸法はトラック幅Ｔｗで
形成されている。また下部磁極層１１の幅寸法は、前記
トラック幅Ｔｗよりも大きい幅寸法Ｔ２で形成されてい
る。前記下部磁極層１１の幅寸法Ｔ２が、上部コア層１
３の幅寸法（＝トラック幅Tｗ）よりも大きく形成され
るのは、後述するように薄膜磁気ヘッドの製造を容易化
するためである。

【０１６０】また図９の点線で示すように、下部磁極層
１１と上部コア層１３間に挟まれるギャップ層１２は、
トラック幅Ｔｗで形成され、さらに下部磁極層１１のギ
ャップ層１２との接合面の幅寸法は、トラック幅Ｔｗで
形成され、前記ギャップ層１２との接合面から下部コア
層３０方向にかけて、下部磁極層１１には隆起部１１ｂ
が形成されている。

【０１６１】また前記隆起部１１ｂの基端から延びる前
記下部磁極層１１の両側上面には、上部コア層１３から
離れる方向に傾斜する傾斜面１１ａ，１１ａが形成され
ている。

【０１６２】図１０に示すように、下部磁極層１１と下
部コア層３０間に形成される段差内にコイル層１４及び
コイル絶縁層１６が形成され、前記下部磁極層１１とギ
ャップ層１２との接合面を基準平面Ｄとしたときに、前
記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記基
準平面Ｄと同一面上に位置している。

【０１６３】また図１０に示すように、下部コア層３０
の後端部上に形成される持上げ層１７もまた前記下部コ
ア層３０と一体形成されている。

【０１６４】図１０に示すように、下部磁極層１１上か
ら、コイル層１４上さらにはコイル絶縁層１６上にかけ
てギャップ層１２が形成され、平坦化面の前記ギャップ
層１２上に直接上部コア層１３がパターン形成されてい
る。図１０に示すように前記上部コア層１３の基端部１
３ａは前記下部コア層３０と一体形成された持上げ層１
７上に接合されている。

【０１６５】図１１に示す実施例もまた、下部コア層３
０、下部磁極層１１、および持上げ層１７が一体形成さ
れている。

【０１６６】この実施例では図６に示す薄膜磁気ヘッド
と同様のコイル層が二層形成された形態であり、図１１
に示すように、ギャップ層１２上には、記録媒体との対
向面からハイト方向にかけて所定の長さ寸法にて上部磁
極層１９が形成されている。

【０１６７】前記上部磁極層１９は、記録媒体との対向
面付近では、トラック幅方向（図示Ｘ方向）における幅
寸法がトラック幅Ｔｗで形成されている。

【０１６８】図１１に示すように前記上部磁極層１９と
ギャップ層１２間の段差内には第２のコイル層２０と第
２のコイル絶縁層２１が形成されており、前記上部磁極
層１９と上部コア層１３との接合面を基準平面Ｇとした
場合に、前記第２のコイル層２０の上面及び第２のコイ
ル絶縁層２１の上面は、前記基準平面Ｇと同一面上に位
置している。

【０１６９】図１１に示すように、下部コア層３０と一
体形成された持上げ層１７上には、第２の持上げ層２３
が形成されている。

【０１７０】そして前記コイル層２０上及び第２のコイ
ル絶縁層２１上には絶縁層２２が形成され、さらに上部
磁極層１９上から前記絶縁層２２上、さらには第２の持
上げ層２３上にかけて上部コア層１３がパターン形成さ
れている。

【０１７１】図１１に示すように前記上部コア層１３
は、上部磁極層１９上にハイト方向後方にずれて接合さ
れており、前記上部コア層１３の前面は、記録媒体との
対向面には露出形成されない。そして前記上部コア層１
３は、図７に示すのと同様、その幅寸法がトラック幅Ｔ
ｗよりも大きく形成されている。

【０１７２】以上詳述したように本発明では、いずれの
実施例においてもギャップ層１２下にコイル層１４が形
成されている。

【０１７３】具体的には、下部コア層３０上に、下部磁
極層１１が形成され、前記下部コア層３０と下部磁極層
１１間の段差内にコイル層１４及びコイル絶縁層１６が
形成されている。

【０１７４】前記コイル絶縁層１６の上面、あるいは前
記コイル層１４及びコイル絶縁層１６の上面は、前記下
部磁極層１１とギャップ層１２との接合面を基準平面Ｄ
としたときに、前記基準平面Ｄと同一面上で形成されて
おり、前記基準平面Ｄのハイト方向後方には平坦化面が
広がって形成されている。

【０１７５】よって本発明では、前記下部磁極層１１、
コイル層１４及びコイル絶縁層１６上に形成されるギャ
ップ層１２もまた平坦化されて形成されることになる。

【０１７６】上記のように本発明ではギャップ層１２下
に既にコイル層１４が形成されているので、前記ギャッ
プ層１２上に形成すべき層は、上部コア層１３のみであ
り、よって本発明では、前記上部コア層１３をギャップ
層１２上に直接形成することが可能である。

【０１７７】そして本発明では、前記ギャップ層１２は
平坦化されて形成されているので、前記ギャップ層上に
形成される上部コア層１３をパターン精度良く形成する
ことが可能になる。

【０１７８】特に本発明では、上部コア層１３の記録媒
体との対向面付近のトラック幅Ｔｗで形成される先端部
Ｅを、高精度で形成することができ、今後の高記録密度
化に対応可能な狭トラック化を実現することができる。

【０１７９】また本発明では、前記トラック幅Ｔｗで形
成された先端部Ｅの長さを、従来に比べ短く形成するこ
とができ、磁気的ボリュームの大きい後端部をより記録
媒体との対向面方向に近づけて形成することができるこ
とで、前記先端部Ｅでの磁気飽和を抑え、従って磁束の
減衰を抑えることができ、ＯＷ特性を向上させることが
可能になっている。

【０１８０】また本発明では、上記したように、コイル
層を２層構造で形成する場合、トラック幅Ｔｗの先端部
Ｅを有する上部磁極層１９上に、上部コア層１３をハイ
ト方向にずらして形成し、よって、上部コア層１３の前
面は記録媒体との対向面に露出形成されない。

【０１８１】従って前記上部コア層１３にトラック幅Ｔ
ｗの先端部Ｅを形成する必要は無くなり、よって磁気的
ボリュームを稼ぐために、上部コア層１３の前端部から
後端部にかけての幅寸法を大きく形成することができ、
前記上部コア層が形成されるべき面に、多少の盛り上が
りがあっても、前記上部コア層を所定形状にパターン形
成することができる。

【０１８２】また幅寸法の大きい前記上部コア層１３を
ハイト方向後方にずらして形成することで、ライトフリ
ンジングの発生を適正に抑制できるという利点もある。

【０１８３】例えば図７に示す上部磁極層１９の先端部
Ｅ上に、上部コア層１３を重ね合わせた場合、先端部Ｅ
上には、トラック幅Ｔｗよりも幅寸法の大きい上部コア
層１３が存在することから、前記上部コア層１３と先端
部Ｅとの間でライトフリンジングが発生し好ましくな
い。

【０１８４】一方本発明では、図７に示すように、上部
コア層１３を上部磁極層１９の先端部Ｅ上ではなく、幅
寸法がトラック幅Ｔｗよりも漸次的に広がる後端部Ｆ上
に形成し、また前記後端部Ｆにおける幅寸法と、上部コ
ア層１３の幅寸法はほぼ一致しているので、前記上部コ
ア層１３から上部磁極層１９にかけて磁束が通る際に、
磁束の減衰を起さず、今後の高記録密度化に対応可能な
薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０１８５】また本発明では、下部コア層３０上に形成
される下部磁極層１１、あるいは前記下部コア層３０と
一体形成される下部磁極層１１には、ギャップ層１２と
の接合面をトラック幅Ｔｗで形成し、前記接合面から下
部コア層３０方向に延びる隆起部１１ｂを下部磁極層１
１に形成し、さらに前記隆起部１１ｂの基端から延びる
下部磁極層１１の両側上面に、上部コア層１３から離れ
る方向に傾斜する傾斜面１１ａ、１１ａを形成すること
で、ライトフリンジングの発生を抑制している。またこ
の実施形態では、さらなる狭トラック化に対応可能な薄
膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０１８６】また本発明では、コイル層を２層構造で形
成することで、前記コイル層の幅寸法をより小さく形成
することができ、前記下部コア層３０から上部コア層１
３を経て形成される磁路長を短くでき、インダクタンス
の低下を図り、今後の高記録密度化に対向可能な薄膜磁
気ヘッドを製造することができる。

【０１８７】また本発明では、下部コア層３０の後端部
上に、持上げ層１７、あるいは前記持上げ層１７上に第
２の持上げ層２３を形成することで、上部コア層１３と
下部コア層３０との磁気的な接合を行い易くなり、製造
方法を容易化できて好ましい。

【０１８８】図１２ないし図１９は、図３に示す薄膜磁
気ヘッドの製造方法を示す一連の工程図である。なお図
１２ないし図１９に示す工程図は、薄膜磁気ヘッドを部
分縦断面図で示している。

【０１８９】図１２に示す工程では、下部コア層３０上
にレジスト層５１を塗布した後、前記レジスト層５１に
下部磁極層１１及び持上げ層１７が形成されるべき領域
にパターン５１ａ，５１ａを形成し、前記パターン５１
ａ，５１ａ内に磁性材料をメッキ形成する。これは、い
わゆるフレームメッキ法と呼ばれる製法である。これに
より前記下部コア層３０上に下部磁極層１１及び持上げ
層１７をメッキ形成することができる。その状態は図１
３に示されている。なお、下部コア層３０上にメッキ下
地層を形成してもよいし、形成しなくてもよい。

【０１９０】また本発明では前記下部コア層３０を形成
後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さら
に下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術
を用いて、研磨加工することで、前記下部コア層３０及
び絶縁層表面を同一平面状に平坦化することができる。
これにより前記下部コア層３０上にパターン精度良くレ
ジスト層５１を形成でき、また後の工程において前記下
部コア層３０上にコイル層をパターン精度良く形成する
ことができる。

【０１９１】なお図１３に示すように、記録媒体との対
向面からハイト方向（図示Ｙ方向）後方に所定の長さ寸
法Ｌ２を有する下部磁極層１１を形成する。前記長さ寸
法Ｌ２は、ギャップデプスＧｄとして規制されるので、
前記長さ寸法Ｌ２は、ある所定の寸法内に高精度に形成
される必要性がある。

【０１９２】また前記下部磁極層１１のトラック幅方向
（図示Ｘ方向）における幅寸法は、Ｔ２で形成され（図
１参照）、この幅寸法Ｔ２は、トラック幅Ｔｗよりも大
きく形成される。このようにトラック幅Ｔｗよりも大き
い幅寸法で形成する理由は、上部コア層１３を形成する
際に、トラック幅Ｔｗで形成される上部コア層１３の先
端部Ｅを、ギャップ層１２を介して下部磁極層１１に適
切に対向させるためである。

【０１９３】なお前記下部磁極層１１及び持上げ層１７
の高さ寸法は、同じ高さ寸法で形成されても、異なる高
さ寸法で形成されてもどちらでもよい。

【０１９４】また前記下部コア層３０上に下部磁極層１
１及び持上げ層１７を形成する方法は図１２に示す製造
工程に限らず、例えば図１４に示す製造工程によっても
形成することができる。

【０１９５】すなわち、下部コア層３０を形成後、下部
磁極層１１及び持上げ層５２が形成されるべき前記下部
コア層３０の表面に保護層となるレジスト層５２，５２
を形成し、前記レジスト層５２が形成されていない前記
下部コア層３０表面を例えばエッチングで図に示す点線
の位置まで削ることにより、下部コア層３０表面から突
出する下部磁極層１１及び持上げ層１７を形成すること
ができる。

【０１９６】なおこの工程を用いる場合は、最初、下部
磁極層１１及び持上げ層１７の高さ分だけ下部コア層３
０の膜厚を厚く形成しておく必要性がある。

【０１９７】また本発明では前記下部コア層３０を形成
後、前記下部コア層３０の周囲に絶縁層を形成し、さら
に下部コア層３０及び絶縁層表面を、例えばＣＭＰ技術
を用いて研磨加工し、前記下部コア層３０及び絶縁層表
面を同一平面状に平坦化することが好ましい。

【０１９８】次に図１５に示すように、前記下部磁極層
１１上から下部コア層３０上、さらには持上げ層１７上
にかけて絶縁下地層１５を形成する。この実施例では前
記絶縁下地層１５は無機絶縁材料で形成される。

【０１９９】ただし前記絶縁下地層１５が無機絶縁材料
で形成された場合には、前記絶縁下地層１５にピンホー
ル等の欠陥が発生しやすいので、前記絶縁下地層１５上
あるいはその下に有機絶縁材料で形成された絶縁下地層
を形成しておくことが好ましい。

【０２００】また前記有機絶縁材料で形成された絶縁下
地層を一層のみ形成してもかまわない。

【０２０１】図１５に示すように前記絶縁下地層１５上
にコイル層１４をパターン形成する。このコイル層１４
の高さ寸法は、前記上部磁極層１１の上面を基準平面と
したときに前記基準平面とほぼ同じくらいか、あるいは
前記基準平面よりも高いことが好ましいが、低くてもか
まわない。

【０２０２】次に図１６に示す工程では、前記絶縁下地
層１５上に形成されたコイル層１４の各導体部のピッチ
間をコイル絶縁層１６によって埋める。前記コイル絶縁
層１６はスパッタ法等の既存の方法で形成され、図１６
に示すように前記コイル絶縁層１６は、前記コイル層１
４の各導体部のピッチ間のみならず、下部磁極層１１の
上、持上げ層１７上にも形成され、前記コイル層１４が
前記コイル絶縁層１６によって完全に覆われた状態にさ
れる。

【０２０３】この実施例においては、前記コイル絶縁層
１６は無機絶縁材料で形成される。前記無機絶縁材料で
コイル絶縁層１６を形成する理由は、次工程で説明する
ＣＭＰ技術を用いた研磨加工の際に、前記コイル絶縁層
１６の上面を削りやすいからであるが、前記コイル絶縁
層１６を無機絶縁材料で形成すると以下に説明する不具
合が発生する可能性がある。

【０２０４】すなわち、前記コイル絶縁層１６はスパッ
タ法等で形成されるので、前記コイル絶縁層１６がコイ
ル層１４の各導体部のピッチ間に適切に侵入せず、前記
各導体部のピッチ間に前記コイル絶縁層１６によって埋
められない空洞部が形成される場合がある。

【０２０５】磁気ヘッドの駆動時の高温な環境下では、
形成された前記空洞部から薄膜磁気ヘッドの内部構造に
変形をもたらす危険性があり好ましくない。

【０２０６】このような不具合を無くす方法としては、
例えば予め前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を、
次工程で説明する研磨工程の際の、研磨ライン（Ａ−Ａ
線）より低い位置にまで有機絶縁材料で埋めておき、前
記有機絶縁材料層上にコイル絶縁層１６を形成する方法
がある。

【０２０７】これにより前記コイル層１４の各導体部の
ピッチ間には空洞部の形成は無くなり、高温下での磁気
ヘッド駆動においても内部構造に変形をもたらすことが
なくなる。

【０２０８】次に図１６に示すように、前記コイル絶縁
層１６上面をＡ−Ａ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて
研磨して削っていく。この研磨作業により、前記コイル
絶縁層１６のみならず、下部磁極層１１の上面及び持上
げ層１７の上面も一部研磨されていく。

【０２０９】また前記コイル層１４が図１５に示す工程
の段階で、前記下部磁極層１１と同程度の高さ位置で形
成され、あるいは前記下部磁極層１１の高さよりも高い
位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４
の上面もＡ−Ａ線まで削られることになる。

【０２１０】上記研磨加工後の状態を示したのが図１７
である。前工程での研磨加工により、前記下部磁極層１
１の上面を基準平面とした場合に、前記基準平面と同一
面上にコイル絶縁層１６の上面が位置し、さらにコイル
層１４の上面が図１５工程において基準平面よりも高い
位置にまで形成されている場合には、前記コイル層１４
上面も前記基準平面と同一面上に揃えられる。

【０２１１】次に図１８に示す工程で、前記下部磁極層
１１上面、コイル層１４上面、コイル絶縁層１６上面、
さらには持上げ層１７上面にかけて非磁性のギャップ層
１２を形成する。

【０２１２】そして図１８に示すように、前記ギャップ
層１２のうち、持上げ層１７上に形成されたギャップ層
１２をエッチング等の既存の方法により除去する。

【０２１３】上記したように、下部磁極層１１の上面を
基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コ
イル層１４上面及びコイル絶縁層１６上面が位置するの
で、前記下部磁極層１１、コイル層１４さらにはコイル
絶縁層１６上面に形成されるギャップ層１２上面もまた
平坦化面となっている。

【０２１４】そして図１９に示す工程で、前記ギャップ
層１２上面に上部コア層１３を形成する。

【０２１５】上部コア層１３は、例えばフレームメッキ
法で形成される。前記フレームメッキ法は、まず前記ギ
ャップ層１２上面にレジスト層を形成し、前記レジスト
層に上部コア層１３と同一形状のパターンを露光現像に
より形成する。そして前記パターン内に、磁性材料層を
メッキ成長させ、最後に前記レジスト層を除去して、上
部コア層１３を完成させる。

【０２１６】上部コア層１３は、記録媒体との対向面か
らハイト方向後方に所定の長さ寸法にかけてトラック幅
Ｔｗで形成されており、前記トラック幅Ｔｗは、今後の
高記録密度化に伴い非常に小さく形成される必要性があ
る。

【０２１７】ところで本発明では、上部コア層１３の形
成に使用されるレジスト層を平坦化面のギャップ層１２
上に形成できるので、前記レジスト層の膜厚を均一な膜
厚で形成でき、しかも前記レジスト層の膜厚を薄く形成
できる。よって前記レジスト層に露光現像の際に乱反射
等が起こらず、また解像度を向上させることができ、所
定形状の上部コア層１３のパターン精度良く形成するこ
とができる。従って本発明によれば、上部コア層１３の
形状のうち最も高精度に形成されるべき、トラック幅Ｔ
ｗの先端部Ｅを、適切に所定のトラック幅Ｔｗ寸法内で
形成することができる。

【０２１８】また本発明では、前記トラック幅Ｔｗの先
端部Ｅの長さ寸法を短く形成することができるから、今
後の高記録密度化においても磁気的飽和を抑制でき、Ｏ
Ｗ（オーバーライト）特性に優れた薄膜磁気ヘッドを製
造することができる。

【０２１９】また上記したように、持上げ層１７上のギ
ャップ層１２はエッチング等で除去され、前記持上げ層
１７上面は、露出した状態になっており、図１９に示す
ように上部コア層１３の基端部１３ａは持上げ層１７上
に接合される。

【０２２０】これにより前記上部コア層１３から持上げ
層１７を介して下部コア層３０を経る磁路長が形成され
る。持上げ層１７の形成により、前記上部コア層１３と
下部コア層３０間の磁気的な接合を行い易くなり、製造
工程を容易化することができる。

【０２２１】図２０から図２２には、本発明の薄膜磁気
ヘッドにおける他の製造方法の工程図が図示されてい
る。

【０２２２】まず図１３に示す工程と同様に、下部コア
層３０上に、下部磁極層１１と持上げ層１７を形成した
後、図２０に示すように、前記下部磁極層１１上から下
部コア層３０上、さらには持上げ層１７上にかけて絶縁
下地層１５を形成する。そして前記下部コア層３０上に
形成された絶縁下地層１５上に、コイル絶縁層１６をス
パッタ形成する。

【０２２３】前記コイル絶縁層１６は無機絶縁材料で形
成され、また図２０に示すように、前記コイル絶縁層１
６は下部磁極層１１上面、および持上げ層１７上面にも
形成される。

【０２２４】次に図２０に示すように、前記コイル絶縁
層１６をＢ−Ｂ線まで、例えばＣＭＰ技術を用いて研磨
加工する。なお前記Ｂ−Ｂ線までの研磨加工は行わなく
てもよい。

【０２２５】この際、前記下部磁極層１１上面及び持上
げ層１７上面も同時に削られていき、前記下部磁極層１
１上面を基準平面としたときに、前記基準平面と同一面
上にコイル絶縁層１６上面が位置する状態になる。また
前記持上げ層１７上面も前記基準平面と同一面上に位置
する。

【０２２６】次に前記コイル絶縁層１６上に、レジスト
層（図示しない）を形成し、前記レジスト層にコイル層
１４と同一形状のパターンを露光現像により形成し、前
記パターン内から露出するコイル絶縁層１６をエッチン
グで削って、前記パターンと同一形状のコイル形成溝を
コイル絶縁層１６に形成する。その状態を示したのが図
２１である。

【０２２７】図２１に示すように、前記コイル絶縁層１
６には、コイル層１４と同一なパターン形状となるコイ
ル形成溝１６ａが形成された状態になっている。

【０２２８】ところで、前記コイル形成溝１６ａの下に
は、絶縁下地層１５が残されているが、前記コイル形成
溝１６ａの形成の際に、前記絶縁下地層１５まで削って
下部コア層３０上面が露出した状態にされてはならな
い。

【０２２９】それは前記コイル形成溝１６ａ内には、次
工程で、コイル層１４が形成されるので、前記コイル層
１４と下部コア層３０間の絶縁性耐圧を良好に保つため
である。

【０２３０】図２２に示すように、前記コイル形成溝１
６ａ内に導電性材料を充填し、前記コイル形成溝１６ａ
内にコイル層１４を形成する。前記コイル層１４の形成
は、金属メッキ法や、スパッタ法、あるいはＣＶＤ法等
の既存の方法が使用される。

【０２３１】図２２に示すように、コイル層１４は、コ
イル形成溝１６ａ内のみならず、下部磁極層１１上、持
上げ層１７上にも形成され、コイル形成溝１６ａ上で、
コイル層１４の各導体部は繋がった状態にされているの
で、前記コイル形成溝１６ａ内にのみコイル層１４を収
めるために、図２２に示すように、ＣＭＰ技術等を用い
て前記コイル層１４をＣ−Ｃ線まで削っていく。

【０２３２】この際、下部磁極層１１上面、コイル絶縁
層１６上面、持上げ層１７上面も前記研磨加工により削
られていき、前記下部磁極層１１上面を基準平面とした
ときに、前記基準平面と同一面上にコイル絶縁層１６、
およびコイル層１４の上面が位置した状態になる。

【０２３３】そして図１８、１９に示す工程と同様に、
前記下部磁極層１１上面、コイル層１４上面及びコイル
絶縁層１６上面に、ギャップ層１２を形成し、さらに前
記ギャップ層１２上面に上部コア層１３をフレームメッ
キ法等により形成する。

【０２３４】この製造方法においても、前記下部磁極層
１１上面と同一面上に、コイル絶縁層１６及びコイル層
１４の上面が位置し、前記下部磁極層１１上面、コイル
層１４上面、さらにはコイル絶縁層１６上に形成される
ギャップ層１２の上面は、平坦化面となっているので、
前記ギャップ層１２上に形成される上部コア層１３を、
パターン精度良く形成でき、特に前記上部コア層１３の
トラック幅Ｔｗで形成される先端部Ｅを、所定のトラッ
ク幅Ｔｗ寸法内で形成することが可能である。

【０２３５】図２３ないし図２５は、図６に示す薄膜磁
気ヘッドの製造方法の工程図が図示されている。

【０２３６】図２３に示す工程図では、既に、下部コア
層３０と、前記下部コア層３０上に、下部磁極層１１、
持上げ層１７、コイル層１４、コイル絶縁層１６、およ
びギャップ層１２が形成されている。上記各層の製造方
法は、図１２ないし図１９、あるいは図２０ないし図２
２に示す工程で行なわれる。

【０２３７】図２３では、前記ギャップ層１２上であっ
て、記録媒体との対向面からハイト方向後方に所定の長
さ寸法で上部磁極層１９を形成する。

【０２３８】前記上部磁極層１９の製造方法は、上部コ
ア層１３と同様にフレームメッキ法が使用され、まず前
記ギャップ層１２上にレジスト層（図示しない）を形成
した後、前記レジスト層に上部磁極層１９のパターンを
露光現像により形成し、前記パターン内に磁性材料をメ
ッキ成長させることで、上部磁極層１９を形成する。

【０２３９】前記上部磁極層１９の平面形状は、図７に
示す通り、記録媒体との対向面からハイト方向に所定の
長さ寸法を有するトラック幅Ｔｗで形成された先端部Ｅ
と前記先端部Ｅの基端からハイト方向に幅寸法が漸次的
に広がる後端部Ｆとで構成される。

【０２４０】図２３に示すように、前記上部磁極層１９
は、平坦化されたギャップ層１２上に形成されるから、
前記上部磁極層１９の形成に使用されるレジスト層を薄
い膜厚で形成でき、しかも均一な膜厚で形成できる。よ
って、露光現像の際に、乱反射等は発生せず、また解像
度を向上させることができ、前記上部磁極層１９をパタ
ーン精度良く形成できる。特にトラック幅Ｔｗで形成さ
れる先端部Ｅを、所定のトラック幅Ｔｗ寸法内に高精度
に形成することができる。

【０２４１】前記上部磁極層１９の形成により、図２３
に示すように、前記ギャップ層１２と上部磁極層１９間
には段差が形成される。また図２３に示す実施例では、
下部コア層３０の後端部上に形成された持上げ層１７上
に、第２の持上げ層２３を形成している。

【０２４２】次に図２４に示す工程では、前記上部磁極
層１９のハイト方向後方であって、ギャップ層１２上
に、第２のコイル層２０及び第２のコイル絶縁層２１を
形成する。

【０２４３】前記第２のコイル層２０及び第２のコイル
絶縁層２１の形成方法は、第１層目となるコイル層１４
及び前記コイル層１４の各導体部のピッチ間を埋めるコ
イル絶縁層１６の形成方法と同様であり、具体的には図
１５ないし図１７に示す工程と同様に、まずギャップ層
１２上に第２のコイル層２０をパターン形成した後、前
記第２のコイル層２０の各導体部のピッチ間を第２のコ
イル絶縁層２１によって埋め、次にＣＭＰ技術等を用い
て、前記第２のコイル絶縁層２１の上面及びコイル層２
０の上面を、上部磁極層１９の上面を第２の基準平面と
したときに、前記基準平面と同一面上になるまで削るこ
とで達成することができる。

【０２４４】あるいは、図２０ないし図２２に示すよう
に、ギャップ層１２上に第２のコイル絶縁層２１を形成
し、次に前記第２のコイル絶縁層２１にコイル形成溝を
形成した後、前記コイル形成溝内に第２のコイル層２０
を埋め、ＣＭＰ技術等を用いて、前記上部磁極層１９の
上面を第２の基準平面としたときに、前記第２の基準平
面と同一面上になるまで、前記第２のコイル層２０及び
第２のコイル絶縁層２１の上面を削ることで達成するこ
とができる。

【０２４５】上記した製法を用いた場合には、第２のコ
イル絶縁層２１は無機絶縁材料で形成され、前記第２の
コイル絶縁層２１の上面は、上部磁極層１９の上面（＝
第２の基準平面）と同一面上に位置するが、本発明で
は、前記第２のコイル絶縁層２１の上面が前記第２の基
準平面よりも多少盛り上がって形成されてもかまわな
い。それは第２のコイル絶縁層２１に有機絶縁材料を使
用することで行なわれ、完成した薄膜磁気ヘッドは図８
に示す形態になる。

【０２４６】まずギャップ層１２と上部磁極層１９間の
段差内に第２のコイル層２０をパターン形成する。この
際の前記第２のコイル層２０の高さ寸法は、前記第２の
コイル層２０の上面が上部磁極層１９の上面と同一高さ
であってもよいし、あるいは前記上部磁極層１９の上面
より低く形成されても高く形成されてもかわない。

【０２４７】次に前記第２のコイル層２０の各導体部の
ピッチ間を有機絶縁材料で形成された第２のコイル絶縁
層で埋める。この際、前記第２のコイル層２０上面も前
記第２のコイル絶縁層により覆い、上から見た時に前記
第２のコイル層２０がコイル絶縁層により完全に覆われ
た状態にされていなくてはならない。

【０２４８】完成した薄膜磁気ヘッドの形態が図示され
ている図８を見ると、有機絶縁材料で形成された前記第
２のコイル絶縁層２４は、上部磁極層１９の上面から高
さＨ５だけ盛り上がって形成されるが、このような盛り
上がりがあっても、次工程で形成される上部コア層１３
のパターン形成に支障をきたさない。

【０２４９】なぜなら前記上部コア層１３は、図７に示
すように、上部磁極層１９の後端部Ｆ付近に接合されて
形成され、前記上部コア層１３の幅寸法自体は、前端部
から後端部にかけて一律にトラック幅Ｔｗに比べて大き
な寸法で形成されるからである。

【０２５０】このため前記上部コア層１３の形成を、ト
ラック幅Ｔｗで形成された先端部の形成の時のように、
高いパターン精度で形成しなくても、前記上部コア層１
３を所定形状で形成し易く、従って図８に示すように、
上部コア層１３が形成されるべき表面に多少の盛り上が
りがあってもよいのである。

【０２５１】図２４示すように、第２のコイル層２０
が、上部磁極層１９上面と同一面上に位置し、前記第２
のコイル層２０上面が露出した状態にあっては、前記上
部コア層１３を形成する際には、図２５に示すように、
第２のコイル絶縁層２１及びコイル層２０上に絶縁層２
２を形成する。この際、前記絶縁層２２は第２の持上げ
層２３上に形成されてはならない。前記第２の持上げ層
２３上には、次工程で形成される上部コア層１３の基端
部１３ａが接合されるからである。

【０２５２】前記絶縁層２２は、第２のコイル層２０
が、上部コア層１３が形成されるべき表面に露出してい
なければ形成する必要性はないが、仮に露出していなく
ても第２のコイル層２０と上部コア層１３間の絶縁性耐
圧を向上させるために、前記絶縁層２２を形成する方が
好ましい。

【０２５３】前記絶縁層２２は、無機絶縁材料で形成さ
れてもよいし、有機絶縁材料で形成されてもよいが、絶
縁性耐圧を適切に向上させるには、有機絶縁材料で形成
される方が好ましい。また無機絶縁材料で形成された絶
縁層と有機絶縁材料で形成された絶縁層の積層構造で前
記絶縁層２２を構成してもよい。

【０２５４】図２５に示すように、前記上部磁極層１９
上から絶縁層２２上、さらには第２の持上げ層２３上に
かけて上部コア層１３をフレームメッキ法等で形成す
る。

【０２５５】図２５に示すように、前記上部コア層１３
は、上部磁極層１９上に記録媒体との対向面からハイト
方向にずれた位置で接合される。

【０２５６】図８に示すように前記上部コア層１３は、
上部磁極層１９のうち、幅寸法がトラック幅Ｔｗから漸
次的に広がる後端部Ｆ上に接合されることが好ましい。

【０２５７】このように前記上部コア層１３を、上部磁
極層１９の後端部Ｆ上に接合する理由は、前記上部コア
層１３の幅寸法は前端部から後端部にかけて一律に、ト
ラック幅Ｔｗに比して大きな幅寸法で形成されるからで
あり、このように幅寸法の大きい上部コア層１３が、仮
に前記上部磁極層１９のうち、トラック幅Ｔｗで形成さ
れた先端部Ｅ上に形成された場合には、前記先端部Ｅと
上部コア層１３との間で、トラック幅方向に段差が形成
されてしまい、この部分でライトフリンジングが発生し
やすくなる。

【０２５８】このため前記上部コア層１３は、上部磁極
層１９のうちでも、前記上部磁極層１９とほぼ同等な幅
寸法を有する後端部Ｆ上に接合されることが、ライトフ
リンジングの発生の抑制には好ましい。

【０２５９】また上記したように、前記上部コア層１３
が形成されるべき表面には絶縁層２２の存在や、あるい
は第２のコイル絶縁層２４の盛り上がり等により、前記
上部コア層１３を完全な平坦化面上に形成することがで
きないが、前記上部コア層１３は、その幅寸法が前端部
から後端部にかけて非常に大きく形成されるので、完全
な平坦化面上に形成されず、多少の盛り上がりがあって
も、前記上部コア層１３を所定形状で形成することは可
能である。

【０２６０】なお図２３ないし図２５に示す製造工程で
は、下部コア層３０上に持上げ層１７が形成されている
が、前記持上げ層１７が形成されていない場合には、前
記第２の持上げ層２３を下部コア層３０上から形成する
ことが好ましい。

【０２６１】また前記第２の持上げ層２３は形成されて
いなくてもよいが、この場合、第２のコイル層２０を覆
うコイル絶縁層に穴を空けて、前記穴内に、上部コア層
１３の基端部１３ａを形成して、前記基端部１３ａを持
上げ層１７上、あるいは下部コア層３０上に接合させな
ければならない。

【０２６２】図２６ないし図２９は、図２に示すように
下部磁極層１１に傾斜面１１ａ，１１ａを形成するため
の製造方法が示されている。図２６ないし図２９に示す
工程図は、既に上部コア層１３までが形成された後の状
態が示されている。なお図２６に示す工程図は部分平面
図であり、図２７ないし図２９に示す工程図は部分正面
図である。

【０２６３】図２６に示す工程では、上部コア層１３
上、および前記上部コア層１３のトラック幅方向の両側
からはみ出るギャップ層１２上にレジスト層４０を塗布
形成する。

【０２６４】前記レジスト層４０が形成されるべき部分
は斜線で描かれているが、図２６に示すように、前記上
部コア層１３のうち、トラック幅Ｔｗで形成される先端
部Ｅ及びそのトラック幅Ｔｗの両側に形成されるギャッ
プ層１２の部分には、前記レジスト層４０が形成されて
いない。

【０２６５】また前記レジスト層４０の形成されない領
域は、さらに上部コア層１３の後端部Ｆ上にまで延びて
いてもよいが、この場合、少なくともコイル層１４が形
成されている上には、レジスト層４０が形成されていな
ければならない。前記コイル層１４を、後述するイオン
ミリング等から適切に保護するためである。

【０２６６】次に図２７に示すように、前記レジスト層
４０が形成されていない部分のギャップ層１２を矢印Ｒ
方向（垂直方向）からのみ行なわれる異方性エッチング
により除去する。異方性エッチングとしては、例えばプ
ラズマエッチングを使用する。

【０２６７】この工程により図２７に示す点線部分のギ
ャップ層１２が除去され、前記ギャップ層１２は、幅寸
法が上部コア層１３の先端部Ｅの幅寸法と同様に、トラ
ック幅Ｔｗとして上部コア層１３と下部コア層３０との
間に残される。

【０２６８】なおプラズマエッチングは、化学的作用に
より材料を選択的に除去するものであるため、このプラ
ズマエッチングにより、下部コア層３０および上部コア
層１３は、ダメージを受けることがない。

【０２６９】前記ギャップ層１２が除去された部分で
は、下部磁極層１１及びコイル絶縁層１６の表面が露出
した状態にされる。

【０２７０】図２８に示す工程では、第１イオンミリン
グにより、ギャップ層１２の除去により露出した下部磁
極層１１及びコイル絶縁層１６の上面を削る。

【０２７１】前記第１イオンミリングには、中性イオン
化されたＡｒ（アルゴン）ガスが使用される。この第１
イオンミリングでは、矢印Ｓ方向および矢印Ｔ方向から
イオン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ１は
０から３０°の範囲内であることが好ましい。つまり、
この工程における第１イオンミリングでは、垂直に近い
方向から、下部磁極層１１の上面に対してイオンが照射
される。

【０２７２】下部磁極層１１に、垂直に近い方向（矢印
ＳおよびＴ）からイオンが照射されると、物理的作用に
より、前記下部磁極層１１のギャップ層１２との対向面
の両側部分が、ほぼ矩形状に削られる。これにより、前
記下部磁極層１１には、ほぼ直角に段差が形成され、前
記ギャップ層１２の下には、上部コア層１３先端の幅寸
法（＝トラック幅Ｔｗ）とほぼ同じ幅寸法よる隆起部１
１ｂが形成される。

【０２７３】なお図示されていないが、前記第１イオン
ミリングにより削り取られた下部磁極層１１の磁粉が、
上部コア層１３、ギャップ層１２及び隆起部１１ｂの両
側に付着する。

【０２７４】このような磁粉の付着は、記録特性を劣化
させることから適切に除去しなければならず、さらにラ
イトフリンジングの抑制に効果的な傾斜面１１ａ，１１
ａを下部磁極層１１に形成すべく、第２次イオンミリン
グを行う。

【０２７５】第２次イオンミリングでは、第１次イオン
ミリングと同様に中性イオン化されたＡｒ（アルゴン）
ガスが使用される。この第２次イオンミリングでは、図
２９に示すように、矢印Ｕ方向および矢印Ｖ方向からイ
オン照射が行われるが、このイオン照射の角度θ２は４
５°から７０°の範囲内であることが好ましい。つま
り、第１次イオンミリング（イオン照射角度θ１は０°
から３０°）に比べて、より斜め方向からイオンが照射
される。

【０２７６】矢印Ｕおよび矢印Ｖ方向からイオンが照射
されると、物理的作用により、隆起部１１ｂの両側の下
部磁極層１１上面が、斜めに削り取られ、前記下部磁極
層１１に傾斜面１１ａ，１１ａが形成される。なおこの
際、コイル絶縁層１６の上面も削られていき、前記傾斜
面１１ａ，１１ａと連続する傾斜面１６ｂ，１６ｂが形
成される。

【０２７７】また同時に、第２次イオンミリングでは、
上部コア層１３、ギャップ層１２、および隆起部１１ｂ
の両側面に付着した磁粉が削り取られ、除去される。前
記磁粉が除去されることにより、前記上部コア層１３と
下部磁極層１１との間において、磁気的な短絡が発生し
ない。

【０２７８】また本発明では、第１次イオンミリングや
第２次イオンミリングにより、上部コア層１３の両側も
削れ、前記上部コア層１３の幅寸法で規制されるトラッ
ク幅Ｔｗは、より小さくなり今後の高記録密度化におけ
る狭トラック化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを製造する
ことが可能である。

【０２７９】このように、下部磁極層１１に隆起部１１
ｂ及び傾斜面１１ａの形成は、ライトフリンジングの発
生の抑制に役立つ。

【０２８０】

【発明の効果】以上詳述した本発明によれば、下部コア
層上に、記録媒体からハイト方向後方に所定の長さ寸法
で下部磁極層を形成し、前記下部磁極層と下部コア層間
に形成される段差内に、コイル層及びコイル絶縁層を形
成する。

【０２８１】そして前記下部磁極層とギャップ層との接
合面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上
面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層の上
面を前記基準平面と同一面上に位置させ、前記基準平面
のハイト方向後方に平坦化面を形成することで、前記基
準平面及び平坦化面上に形成されるギャップ層もまた平
坦化して形成することができる。

【０２８２】従って本発明では、前記ギャップ層上に形
成される上部コア層を、平坦化された面上に形成するこ
とができ、よって前記上部コア層を形成する際に使用さ
れるレジスト層の膜厚を薄く形成することができ、しか
も均一に形成できるので、露光現像の際に乱反射等が発
生せず、しかも解像度を向上させることができ、前記上
部コア層をパターン精度良く形成することができる。

【０２８３】特にトラック幅Ｔｗで形成される先端部
を、高精度に形成することができ、また前記先端部の長
さ寸法を短く適切に形成できることから、磁気飽和の発
生を抑制でき、ＯＷ（オーバーライト）特性に優れた薄
膜磁気ヘッドを製造することができる。

【０２８４】さらに本発明では、下部磁極層に、ギャッ
プ層との接合の幅寸法がトラック幅Ｔｗで形成された隆
起部及び前記隆起部の基端から延びる下部磁極層の両側
上面に上部コア層から離れる方向に傾斜する傾斜面を形
成することで、ライトフリンジングの発生を適切に抑制
することができる。

【０２８５】また本発明ではコイル層を２層構造で形成
することができ、これによりコイル層の幅寸法を小さく
して、下部コア層から上部コア層を経て形成される磁路
長を短くでき、インダクタンスの低減を図り、高記録密
度化に対応可能な薄膜磁気ヘッドを形成することができ
る。

【０２８６】さらにコイル層を２層構造にした場合にお
いて、本発明では、ギャップ層上にトラック幅Ｔｗで形
成された先端部を有する上部磁極層を、パターン精度良
く形成することができ、さらに、前記上部磁極層のハイ
ト方向後方であってギャップ層上に第２のコイル層及び
第２のコイル絶縁層を形成することができる。

【０２８７】そして本発明では、上部コア層を、上部磁
極層上にハイト方向後方にずらして接合することで、前
記上部コア層にトラック幅Ｔｗで形成される先端部を形
成する必要は無くなり、従って前記上部コア層の幅寸法
を、トラック幅Ｔｗに比べて大きな幅寸法で形成するこ
とができる。

【０２８８】従って前記上部コア層が形成されるべき面
に多少の盛り上がりがあっても、前記上部コア層を所定
形状にパターン精度良く形成することができ、また上記
のように幅寸法の大きい上部コア層を上部磁極層上にハ
イト方向後方にずらして形成することで、ライトフリン
ジングの発生を抑制することができる。

【０２８９】また本発明の製造方法によれば、ＣＭＰ技
術等を用いれば、下部磁極層とギャップ層との接合面を
基準平面としたときに、前記基準平面と同一面上に、コ
イル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶縁層の上面及
びコイル層の上面を容易にしかも確実に位置させること
が可能であり、前記基準平面のハイト方向後方に平坦化
面を形成することができる。

【０２９０】そして本発明における製造方法によれば、
上部コア層を所定形状にパターン精度良く形成すること
が可能である。

【０２９１】また本発明では、下部コア層上に持上げ層
を形成することで、上部コア層と下部コア層間の磁気的
な接合を行い易くなり、製造工程を容易化できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分正面図、

【図２】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示
す部分正面図、

【図３】図１に示す３−３線から切断した薄膜磁気ヘッ
ドの部分縦断面図、

【図４】図１に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、

【図５】図２に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、

【図６】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示
す部分縦断面図、

【図７】図６に示す薄膜磁気ヘッドの部分平面図、

【図８】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示
す部分縦断面図、

【図９】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を示
す部分正面図、

【図１０】図９に示す１０−１０線から切断した薄膜磁
気ヘッドの部分縦断面図、

【図１１】本発明における薄膜磁気ヘッドの他の構造を
示す部分縦断面図、

【図１２】図３に示す薄膜磁気ヘッドの製造工程を示す
一工程図、

【図１３】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１４】他の製造工程を示す一工程図、

【図１５】図１３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１６】図１５に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１７】図１６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１８】図１７に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図１９】図１８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２０】図３に示す薄膜磁気ヘッドの他の製造方法を
示す一工程図、

【図２１】図２０に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２２】図２１に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２３】図６に示す薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す
一工程図、

【図２４】図２３に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２５】図２４に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２６】図２に示す下部磁極層の製造方法を示す一工
程図、

【図２７】図２６に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２８】図２７に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図２９】図２８に示す工程の次に行なわれる一工程
図、

【図３０】従来における薄膜磁気ヘッドの構造を示す部
分縦断面図、

【図３１】従来における薄膜磁気ヘッドの製造工程を示
す一工程図、

【符号の説明】

１１下部磁極層１２ギャップ層１３上部コア層１４コイル層１５、１８絶縁下地層１６コイル絶縁層１７持上げ層１９上部磁極層２０第２のコイル層２１、２４第２のコイル絶縁層２３第２の持上げ層３０下部コア層４０レジスト層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】下部コア層と、記録媒体との対向面で前
記下部コア層に非磁性のギャップ層を介して対向する上
部コア層と、前記下部コア層と上部コア層に記録磁界を
誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドにおい
て、前記下部コア層には、記録媒体との対向面からハイト方
向に所定の長さ寸法にて下部磁極層が形成され、前記下
部磁極層上にギャップ層が接し、前記下部磁極層と下部コア層との段差内には、コイル層
及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコイル
絶縁層が形成され、下部磁極層とギャップ層との接合面を基準平面としたと
きに、前記コイル絶縁層の上面、あるいは前記コイル絶
縁層の上面及びコイル層の上面が、前記基準平面と同一
面上に位置し、前記基準平面のハイト方向後方には平坦
化面が広がっており、前記上部コア層は、記録媒体との対向面に露出する部分
では、前記ギャップ層にトラック幅Ｔｗで接することを
特徴とする薄膜磁気ヘッド。
【請求項２】前記上部コア層と下部磁極層間に挟まれ
たギャップ層はトラック幅Ｔｗで形成され、前記下部磁
極層には、ギャップ層と接する部分において、前記トラ
ック幅Ｔｗと同じ幅寸法を有する隆起部が形成されてい
る請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項３】前記隆起部の基端から延びる下部磁極層
の両側上面には、上部コア層から離れるに従って傾斜す
る傾斜面が形成されている請求項２記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項４】前記下部磁極層は前記下部コア層と一体
形成されている請求項１ないし３のいずれかに記載の薄
膜磁気ヘッド。
【請求項５】前記下部コア層には、後端部上に持上げ
層が形成され、前記持上げ層の上面は前記基準平面と同
一面上に位置し、前記持上げ層と上部コア層の基端部と
が接して形成されている請求項１ないし４のいずれかに
記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項６】前記下部コア層と持上げ層とが一体形成
されている請求項５記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項７】前記コイル絶縁層は無機絶縁材料で形成
されている請求項１ないし６のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッド。
【請求項８】前記基準平面と同一面上は削られた面で
ある請求項１ないし７のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項９】前記コイル層と下部コア層との間には、
絶縁下地層が形成されている請求項１ないし８のいずれ
かに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１０】ギャップ層上には、記録媒体との対向
面からハイト方向後方にかけて所定の長さ寸法で、且つ
記録媒体との対向面に露出する部分ではトラック幅Ｔｗ
で形成された上部磁極層が形成され、前記ギャップ層上であって前記上部磁極層のハイト方向
後方には、前記コイル層と電気的に接続されて前記下部
コア層および上部コア層に記録磁界を誘導する第２のコ
イル層と、前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間を
埋める第２のコイル絶縁層が形成され、前記上部コア層は、前記上部磁極層上に記録媒体との対
向面からハイト方向後方にずらされて接合される請求項
１ないし９のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１１】前記上部磁極層は、トラック幅Ｔｗで
形成された先端部と、前記細長部の基端からハイト方向
に漸次的に幅寸法が広がる後端部とで構成され、前記上
部コア層は前記後端部上に接合される請求項１０記載の
薄膜磁気ヘッド。
【請求項１２】前記上部磁極層と上部コア層との接合
面を第２の基準平面としたときに、前記第２のコイル絶
縁層の上面、あるいは第２のコイル絶縁層の上面及び第
２のコイル層の上面が前記基準平面と同一面上に位置
し、前記基準平面からハイト方向後方には平坦化面が広
がっている請求項１０または１１に記載の薄膜磁気ヘッ
ド。
【請求項１３】前記第２のコイル絶縁層は無機絶縁材
料で形成されている請求項１２記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１４】前記基準平面と同一面上は削られた面
である請求項１３記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１５】前記第２のコイル絶縁層は有機絶縁材
料で形成されている請求項１０または１１に記載の薄膜
磁気ヘッド。
【請求項１６】下部コア層上に持上げ層が形成されて
いない場合には下部コア層上から、前記下部コア層上に
持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上に、
第２の持上げ層が形成され、前記上部コア層の基端部が
前記第２の持上げ層上に接して形成される請求項１０な
いし１５のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
【請求項１７】下部コア層と、記録媒体との対向面で
前記下部コア層に非磁性のギャップ層を介して対向する
上部コア層と、前記下部コア層と上部コア層に記録磁界
を誘導するコイル層とが設けられた薄膜磁気ヘッドの製
造方法において、（ａ）下部コア層上に、記録媒体との
対向面からハイト方向に所定の長さ寸法で、下部磁極層
を形成する工程と、（ｂ）前記下部コア層上に絶縁下地
層を形成する工程と、（ｃ）前記絶縁下地層上に、コイ
ル層及び前記コイル層の各導体部のピッチ間を埋めるコ
イル絶縁層を形成する工程と、（ｄ）前記下部磁極層の
上面を基準平面としたときに、前記コイル絶縁層の上
面、あるいはコイル層の上面及コイル絶縁層の上面が前
記基準平面と同一面上となるように、前記コイル絶縁層
の上面、あるいは前記コイル層の上面及びコイル絶縁層
の上面を削り、前記基準平面からハイト方向後方に平坦
化面を形成する工程と、（ｅ）前記下部磁極層の上面、
及び平坦化面上にギャップ層を形成する工程と、（ｆ）
記録媒体との対向面に露出する部分で幅寸法がトラック
幅Ｔｗで形成される上部コア層を、ギャップ層上にパタ
ーン形成する工程と、を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項１８】前記（ａ）工程において、下部コア層
のハイト方向後方に磁性材料製の持上げ層を形成し、前
記（ｄ）工程において、前記持上げ層の上面を前記基準
平面と同一面上となるように削り、さらに前記（ｆ）に
おいて、上部コア層の基端部を、前記持上げ層の上面に
接合させる請求項１７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
法。
【請求項１９】前記（ａ）工程において、下部コア層
上にフレームメッキ法にて下部磁極層を形成し、また持
上げ層をも形成する場合には、前記持上げ層を下部磁極
層と同時にフレームメッキ法で形成する請求項１７また
は１８に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２０】前記下部磁極層、または下部磁極層及
び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層
によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上
を同一平面状に平坦化する請求項１９記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項２１】前記（ａ）工程において、下部磁極層
が形成されるべき下部コア層表面を保護し、その他の部
分の下部コア層表面を削ることにより、下部コア層から
下部磁極層を突出形成し、また持上げ層をも形成する場
合には、下部磁極層及び持上げ層が形成されるべき下部
コア層表面を保護し、その他の部分の下部コア層表面を
削ることにより、下部コア層から下部磁極層及び持上げ
層を突出形成する請求項１７または１８に記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。
【請求項２２】前記下部磁極層、または下部磁極層及
び持上げ層を形成する前に、下部コア層の周囲を絶縁層
によって埋めた後、前記下部コア層上及び前記絶縁層上
を同一平面状に平坦化する請求項２１記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。
【請求項２３】前記（ｆ）工程後、以下の工程を有す
る請求項１７ないし２２のいずれかに記載の薄膜磁気ヘ
ッドの製造方法。（ｇ）トラック幅Ｔｗで形成された上
部コア層のギャップ層との接合面から両側に延びるギャ
ップ層を除去する工程と、（ｈ）除去された前記ギャッ
プ層下に露出する下部磁極層の上面を削り、前記下部磁
極層のギャップ層との接合面の幅寸法をトラック幅Ｔｗ
と一致させ、前記下部磁極層に上部コア層方向に延びる
隆起部を形成する工程と、（ｉ）前記隆起部の基端から
延びる下部磁極層の両側上面に、上部コア層から離れる
に従って傾斜する傾斜面を形成する工程、
【請求項２４】前記コイル層の各導体部のピッチ間を
埋めるコイル絶縁層を、無機絶縁材料で形成する請求項
１７ないし２３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項２５】前記（ｆ）工程に代えて以下の工程を
有する請求項１７ないし２４のいずれかに記載の薄膜磁
気ヘッドの製造方法。（ｊ）ギャップ層上に記録媒体と
の対向面からハイト方向後方に所定の長さで、且つ記録
媒体との対向面に露出する部分ではトラック幅Ｔｗで形
成される上部磁極層を形成する工程と、（ｋ）前記ギャ
ップ層上であって上部磁極層のハイト方向後方に、第２
のコイル層と前記第２のコイル層の各導体部のピッチ間
を埋める第２のコイル絶縁層を形成する工程と、（ｌ）
上部コア層を、前記上部磁極層上に記録媒体との対向面
からハイト方向後方にずらして接合する工程、
【請求項２６】前記（ｊ）工程において、前記上部磁
極層をトラック幅Ｔｗで形成された先端部と、前記先端
部の基端からハイト方向に幅寸法が漸次的に広がる後端
部とで構成し、前記（ｌ）工程において、前記上部コア
層を、上部磁極層の後端部上に接合させる請求項２５記
載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２７】前記（ｋ）工程において、前記上部磁
極層の上面を第２の基準平面としたときに、前記第２の
コイル絶縁層の上面、あるいは第２のコイル層及び第２
のコイル絶縁層の上面が、前記第２の基準平面と同一面
上に位置するように、前記第２のコイル絶縁層の上面、
あるいは前記第２のコイル層の上面及び前記第２のコイ
ル絶縁層の上面を削り、前記第２の基準平面からハイト
方向後方に広がる平坦化面を形成する請求項２５または
２６に記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２８】前記第２のコイル層の各導体部のピッ
チ間を埋める第２のコイル絶縁層を無機絶縁材料で形成
する請求項２７記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
【請求項２９】前記第２のコイル層の各導体部のピッ
チ間を埋める第２のコイル絶縁層を有機絶縁材料で形成
する請求項２５または２６に記載の薄膜磁気ヘッドの製
造方法。
【請求項３０】前記（ｊ）工程において、下部コア層
上に持上げ層が形成されている場合には前記持上げ層上
に、前記下部コア層上に持上げ層が形成されていない場
合には前記下部コア層上に、第２の持上げ層を形成し、
前記（ｌ）工程において、上部コア層の基端部を、前記
第２の持上げ層上に接合させる請求項２５ないし２９の
いずれかに記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。