JP2002123910A - 薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッド及び薄膜磁気ヘッドの製造方法

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JP2002123910A
JP2002123910A JP2000319615A JP2000319615A JP2002123910A JP 2002123910 A JP2002123910 A JP 2002123910A JP 2000319615 A JP2000319615 A JP 2000319615A JP 2000319615 A JP2000319615 A JP 2000319615A JP 2002123910 A JP2002123910 A JP 2002123910A
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layer
coil
thin
insulating layer
magnetic head
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JP2000319615A
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Kiyoshi Kobayashi
潔 小林
Hidenori Gocho
英紀 牛膓
Hisayuki Yazawa
久幸 矢澤
Toru Takahashi
亨 高橋
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Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
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    • G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read

Abstract

(57)【要約】 【課題】 高記録密度化に対応して、且つ、信頼性の高
い薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 上部コア層６と上部磁極層２３の接合面
よりも下部コア層６側に位置する第１のコイル層９のコ
イル導体厚さ寸法を、上部コア層６と上部磁極層２３の
接合面よりも上部コア層６側に位置する第２のコイル層
１０のコイル導体厚さ寸法よりも薄く形成した。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばハード磁気
ディスク等に用いられる磁気記録用の薄膜磁気ヘッドに
係わり、特に、高記録密度化と高記録周波数化に対応し
た薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の薄膜磁気ヘッドは、図１に示すよ
うに、非磁性材料からなる略矩形状のスライダ６１上に
形成されており、記録ヘッド部は、図２０に示すよう
に、２層の積層構造である第１、第２のコイル層５９、
６０が、互いに対向する上部コア層５６、下部コア層５
７の間に介在している。
【０００３】上部コア層５６、下部コア層５７の先端部
間において、それぞれ、上部、下部コア層５６、５７と
磁気的に接続する上部磁極層６３、下部磁極層５１が磁
気ギャップ層６２を挟持している。
【０００４】上部磁極層６３と上部コア層５６の接合面
高さの平面を基準面Ｓ５としたとき、第１のコイル層５
９は、基準面Ｓ５高さよりも下部コア層５７側に形成さ
れている。第１のコイル層５９は、絶縁層６４に覆われ
ており、絶縁層６４の表面は、基準面Ｓ５と一致してい
る。
【０００５】第２のコイル層６０は、基準面Ｓ５とする
絶縁層６４表面に形成されている。
【０００６】第２のコイル層６０のコイル導体幅、コイ
ル導体厚さは、それぞれ、第１のコイル層５９のコイル
導体幅、コイル導体厚さと同等に形成されている。
【０００７】第２のコイル層６０を覆う第１の有機絶縁
層５８は、スライダ６１の磁気ディスク対向面６１ｂ側
に、基準面Ｓ５から膜厚方向に向かって、磁気ディスク
対向面６１ｂから離れるような傾斜面５８ａが形成され
ている。
【０００８】上部コア層５６は、第１の有機絶縁層５８
を介して第２のコイル層６０を覆っている。このような
上部コア層５６は、先端部が第１の有機絶縁層５８の傾
斜面５８ａから上部磁極層６３の上面に至っている。
【０００９】上部コア層５６の形成は、図２１に示すよ
うに、第１の有機絶縁層５８の表面に導電性のめっき下
地膜７０をスパッタ成膜してから、めっき下地膜７０上
にレジスト７１を塗布して、レジスト７１を、フォトリ
ソグラフィにより、上部コア層５６の形状に対応したレ
ジストフレームに形成する。
【００１０】レジストフレームを形成するフォトリソグ
ラフィの露光工程において、照射光は、第１の有機絶縁
層５８の傾斜面５８ａ上に形成されためっき下地層７０
により乱反射される。
【００１１】このとき、第１の有機絶縁層５８の傾斜面
５８ａと基準面Ｓ５の成す角が大きいと、乱反射された
照射光が磁気ディスク対向面６１ｂ側に広く漏れ出し
て、遮光されるべきレジスト７０の部分が露光される場
合がある。
【００１２】よって、第１の有機絶縁層５８の傾斜面５
８ａと基準面Ｓ５の成す角が大きいと、レジストフレー
ムを所望の形状に形成することができず、上部コア層５
６の位置、形状を、正確に形成することは困難である。
【００１３】また、第１の有機絶縁層５８の傾斜面５８
ａと基準面Ｓ５の成す角が大きいと、第２のコイル層６
０の外周、内周の角部を覆う第１の有機絶縁層５８の膜
厚が極端に薄くなって、第２のコイル層６０と上部コア
層５６がショートする可能性もある。第２のコイル層６
０と上部コア層５６のショートを防ぐために、第２のコ
イル層６０の形状を変えないまま、第２のコイル層６０
と上部コア層５６の間隔を広くすると、上部コア層５６
における磁路長が長くなり、高周波記録に対応すること
が困難となる。
【００１４】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜磁気ヘッド
では、第１のコイル層５９のコイル導体厚さは、第２の
コイル層６０のコイル導体厚さと同等に形成されている
ので、第２のコイル層６０のコイル導体厚さが厚いと
き、第１のコイル層５９のコイル導体厚さも厚くなる。
このような場合、第１のコイル層５９を覆う絶縁層６４
の膜厚が薄いと、絶縁層６４の表面を研磨する工程にお
ける精度のばらつきにより、絶縁層６４から第１のコイ
ル層５９が露出する可能性があり、第１のコイル層５９
と第２のコイル層６０がショートする原因になるという
問題があった。本発明は、信頼性の高い薄膜磁気ヘッド
を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の薄膜磁気ヘッド
は、下部コア層と、前記下部コア層に対向する上部コア
層と、前記上下コア層間に設けられて、前記上部コア層
に接合する上部磁極層と、該上部磁極層と前記下部コア
層間に介在する磁気ギャップ層と、前記上部コア層と前
記上部磁極層の接合面高さよりも前記下部コア層側に位
置する第１のコイル層と、前記接合面よりも前記上部コ
ア層側に位置する第２のコイル層とを有し、前記第１の
コイル層は、コイル導体厚さが、第２のコイル層のコイ
ル導体厚さよりも薄い。このような薄膜磁気ヘッドで
は、第１のコイル層のコイル導体厚さを薄くすることに
より、第１のコイル層を、上部磁極層と上部コア層との
接合面高さから十分な間隔をあけて形成することができ
るので、第１、第２のコイル層間の絶縁性を確保して信
頼性が高くなる。さらに、本発明の薄膜磁気ヘッドで
は、第１のコイル層が、上部磁極層と上部コア層との接
合面高さから十分な間隔を有しているので、接合面高さ
を低くすることが可能となり、上部磁極層を薄くするこ
とができる。上部磁極層を薄くすることにより、上部コ
ア層からの磁束を、効率良く磁気ギャップ層に流すこと
が可能となり、高い記録密度化に対応することができ
る。
【００１６】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２のコ
イル層のコイル導体幅が、前記第１のコイル層のコイル
導体幅よりも小さい。このような薄膜磁気ヘッドでは、
第２のコイル層は、第２のコイル層のコイル導体厚さを
厚くして、コイル導体幅を狭くすることにより、直流抵
抗を増大させることなく、適切な巻き数をより狭い領域
に形成することが可能である。よって、上部コア層が、
第２のコイル層の巻き中心部近傍から第２のコイル層の
外周に至るまでの長さを短縮して、短磁路長とすること
により、低インダクタンスであり、高周波記録に対応し
た薄膜磁気ヘッドとすることができる。
【００１７】また、第１のコイル層の導体幅を大きくす
ることにより、高記録密度化に伴い薄型化した上部磁極
層に対応して第１のコイル層の厚さを薄くしても、第１
のコイル層の直流抵抗が増大することがない。よって、
第１のコイル層による電力損失を抑制した薄膜磁気ヘッ
ドとすることができる。
【００１８】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第
２のコイル層のコイル導体間隔が、前記第１のコイル層
のコイル導体間隔よりも狭い。このような薄膜磁気ヘッ
ドでは、上部コア層が、第２のコイル層の巻き中心部近
傍から第２のコイル層の外周に至るまでの長さを、さら
に短縮して、より短磁路長とすることにより、低インダ
クタンスであり、高周波記録に対応した薄膜磁気ヘッド
とすることができる。
【００１９】また、本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第
１のコイル層の導体厚さの前記第２のコイル層の導体厚
さに対する比が、０．８以下である。このような薄膜磁
気ヘッドでは、第２のコイル層を低直流抵抗とするよう
に第２のコイル層のコイル導体厚さを保持したまま、第
１のコイル層のコイル導体厚さを薄くして、第１と第２
のコイル層の間に、十分な間隔を設けることができる効
果が明確に現れる。
【００２０】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第１のコ
イル層の導体幅の第２のコイル層の導体幅に対する比
が、１．２以上である。このような薄膜磁気ヘッドで
は、第１のコイル層のコイル導体厚さを薄くしても、第
１のコイル層を低直流抵抗とするように第１のコイル層
のコイル導体幅を保持したまま、第２のコイル層のコイ
ル導体幅を狭くして、第２のコイル層を狭い領域に形成
できる効果が明確に現れる。
【００２１】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第１のコ
イル層の導体間隔の第２のコイル層の導体間隔に対する
比は、１．２以上である。このような薄膜磁気ヘッドで
は、第２のコイル層が形成される領域をさらに小さくす
ることができる効果が、より明確に現れる。
【００２２】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２のコ
イル層を覆う第１の有機絶縁層が、前記磁気ディスク対
向面側に、膜厚方向に従って、漸次、磁気ディスク対向
面から離れるような傾斜面が形成されており、該傾斜面
と、前記第２のコイル層が形成された平面の交差する角
度が６０°以下である。このような薄膜磁気ヘッドで
は、第１の有機絶縁層上に塗布したレジスト膜を露光、
現像して、上部コア層の外縁を囲むレジストフレームを
形成する工程において、レジストフレームを所定の形
状、位置に形成することができるので、このレジストフ
レームに囲まれた領域に形成された上部コア層は、所定
の形状、位置となる。
【００２３】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記下部コア
層の先端部には、前記上部磁極層に向かって突出した下
部磁極層が形成され、前記磁気ギャップ層は、前記上部
磁極層と前記下部磁極層との間に形成されている。この
ような薄膜磁気ヘッドでは、磁気ギャップ間に生じる洩
れ磁界が、上部磁極層と下部磁極層との間に生じて、上
部、下部磁極層間から外れた位置には発生しにくいの
で、ライトフリンジングを抑制して、より高記録密度化
に適した薄膜磁気ヘッドとすることができる。
【００２４】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記上部コア
層の磁気媒体側の端面が、前記上部磁極層から膜厚方向
に、漸次、磁気媒体から離れるような傾斜面である。こ
のような薄膜磁気ヘッドでは、上部コア層が上部磁極層
から露出することなく、上部コア層と上部磁極層の接合
面の面積を広くすることができるので、上部コア層に誘
導された記録磁界を、効率良く、洩れ磁界として磁気媒
体に付与することができる。
【００２５】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記下部コア
層上には、ギャップ深さ決め絶縁部が形成されており、
前記磁気ギャップ層の後端部は、前記ギャップ深さ決め
絶縁部に接触している。このような薄膜磁気ヘッドで
は、ギャップ深さ決め絶縁層によって、ギャップ幅や磁
気ギャップ層の形状に応じて、磁気ギャップ層を適切な
ギャップ深さに形成することができる。
【００２６】本発明の薄膜磁気ヘッドは、第２の有機絶
縁層が、前記第１のコイル層のコイル導体間隔を埋め
て、第２の無機絶縁層は、前記第２の有機絶縁層の表面
全面を覆い、表面が平坦化されて、前記第２の無機絶縁
層の平坦な表面に前記第２のコイル層が形成されてい
る。このような薄膜磁気ヘッドでは、第１のコイル層の
コイル導体間隔を、第２の有機絶縁層を用いて埋めるこ
とにより、第２の無機絶縁層の内部に空隙が生じること
を抑制できるので、空隙中のガスの膨張による変形がな
く、信頼性の高い薄膜磁気ヘッドを形成することができ
る。
【００２７】また、第２の無機絶縁層の表面は、研磨に
より平坦化することができるので、第２の無機絶縁層上
に、第２のコイル層の形状、位置を精度良く形成するこ
とができる。
【００２８】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第１のコ
イル層は、第１の無機絶縁層表面に形成されており、前
記第１のコイル層のコイル導体間での前記第２の無機絶
縁層は、前記第１の無機絶縁層との間隔が、前記第１の
コイル層のコイル導体間隔幅寸法よりも大きい。このよ
うな薄膜磁気ヘッドでは、第２の無機絶縁層に空隙が生
じることを、より確実に抑制することができる。
【００２９】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記第２の無
機絶縁層が、Ａｌ2Ｏ3、またはＳｉＯ3前記第２の有機
絶縁層は、ノボラック樹脂、またはポリイミドである。
このような薄膜磁気ヘッドでは、第２の有機絶縁層と第
２の無機絶縁層とにより、第１のコイル層のコイル導体
間を空隙なく埋めて、第２の無機絶縁層の表面を研磨し
て平滑にすることが容易である。
【００３０】本発明の薄膜磁気ヘッドは、前記磁気ギャ
ップ層が、電解めっきにより形成可能な非磁性金属材料
である。このような薄膜磁気ヘッドでは、少なくとも磁
気ギャップ層と上部磁極層とを連続してめっき形成する
ことができるので、製造工程を簡略化することができ
る。電解めっき可能な非磁性金属として、ＮｉＰ、Ｎｉ
Ｗ、ＮｉＭｏ、Ａｕ、Ｐｔ、Ｒｈ、Ｐｄ、Ｒｕ、Ｃｒの
うち１種または２種以上から選択することができる。
【００３１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、下
部コア層上に、磁気ギャップ層と上部磁極層を電解めっ
き法により順次形成する工程と、前記下部コア層上に形
成した第１のコイル層を覆う第２の無機絶縁層を形成す
る工程と、前記第２の無機絶縁層と前記上部磁極層の上
面を、平坦な同一面とする研磨工程と、該研磨工程の
後、前記第２の無機絶縁層上に、前記第１のコイル層よ
りもコイル導体厚さ寸法が大きい第２のコイル層を形成
する工程と、前記第２のコイル層を覆う第１の有機絶縁
層を形成する工程と、該第１の有機絶縁層上に上部コア
層の外縁を囲むレジストフレームを形成する工程と、該
レジストフレームが囲む領域に前記上部コア層を形成す
る工程とを有し、前記レジストフレームは、前記第１の
有機絶縁層上に塗布されたレジストを、前記レジストフ
レームの形状に露光して形成する。このような薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、上部コア層の磁気ディスク対向
面側の端面が、膜厚方向に、漸次、磁気媒体から離れる
ような傾斜面であるように形成することができる。
【００３２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前
記第１のコイル層を形成した後、前記第１のコイル層の
コイル導体間を埋める第２の有機絶縁層を形成する工程
と、前記第２の有機絶縁層の表面に、スパッタ法により
前記第２の無機絶縁層を形成する。このような薄膜磁気
ヘッドの製造方法では、第２の無機絶縁層を空隙なく形
成することができる。
【００３３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前
記下部コア層上にギャップ深さ決め絶縁層を形成した
後、前記磁気ギャップ層を形成する。このような薄膜磁
気ヘッドの製造方法では、磁気ギャップ層のギャップ深
さを適切に形成することができる。
【００３４】
【発明の実施の形態】本発明の薄膜磁気ヘッドの構造
を、図１から図３を用いて説明する。本発明の薄膜磁気
ヘッドは、再生ヘッド部ｈ１上に記録ヘッド部ｈ２が形
成された複合型薄膜磁気ヘッドであり、スライダ６１の
ヘッド形成面６１ａ上に形成されている。
【００３５】図１に示すように、スライダ６１はセラミ
ック等の非磁性材料からなる略矩形状であり、ヘッド形
成面６１ａが、磁気ディスク等の磁気媒体と対向する磁
気ディスク対向面６１ｂと隣り合う面であるとともに、
磁気ディスク対向面６１ｂと略垂直である。
【００３６】再生ヘッド部ｈ１は、図２に示すように、
パーマロイ等の軟磁性材料からなる上部、下部シールド
層２、３が、互いに対向しており、上部、下部シールド
層２、３間には、上部、下部シールド層２、３から絶縁
層４を介して、ＡＭＲ（Anisotopic Magnetoresistanc
e）素子、或いはＧＭＲ（Giant Magnetoresistance）素
子である磁気抵抗効果素子１が形成されている。
【００３７】記録ヘッド部ｈ２は、分離層５を介して再
生ヘッド部ｈ１の上部シールド層２上に形成されてい
る。記録ヘッド部ｈ２は、パーマロイ等の軟磁性材料か
らなる上部、下部コア層６、７の間に、上部、下部コア
層６、７に記録磁界を誘導するための第１、第２のコイ
ル層９、１０が介在したインダクティブヘッドである。
【００３８】下部コア層７は、分離層５上に形成され
て、先端部７ａがスライダ６１の磁気ディスク対向面６
１ｂまで延出されている。
【００３９】このような下部コア層７の表面には、パー
マロイ等の軟磁性材料からなる接続部２０が下部コア層
７と磁気的に接続して形成されている。接続部２０から
磁気ディスク対向面６１ｂまで、ハイト方向（磁気ディ
スク対向面６１ｂを垂直に貫く方向）の間隔は、第１の
所定寸法（Ｌ１）となっている。第１の所定寸法（Ｌ
１）は、高周波記録化に伴って短縮され、例えば、１８
μｍ以下に設定される。
【００４０】また、下部コア層７上には、レジスト等の
有機絶縁材料からなるギャップ深さ決め絶縁部（以後、
Ｇｄ決め絶縁部）２７が形成されている。このようなＧ
ｄ決め絶縁部２７は、接続部２０よりも磁気ディスク対
向面６１ｂ側に位置しており、Ｇｄ決め絶縁部２７と接
続部２０は、ハイト方向に、ほぼ一列に並んでいる。
【００４１】また、Ｇｄ決め絶縁部２７から磁気ディス
ク対向面６１ｂまでのハイト方向の間隔は、所定のギャ
ップ深さ（Gap depth)Ｇｄとなっており、このようなギ
ャップ深さＧｄは、磁気ギャップ幅や磁気ギャップ近傍
の形状により設定されて、例えば、０．５μｍ程度であ
る。
【００４２】下部コア層７の先端部７ａには、図３に示
すように、パーマロイ等の軟磁性材料からなる下部磁極
層２１と、ＮｉＰ等の非磁性材料からなる磁気ギャップ
層２２と、パーマロイ等の軟磁性材料からなる上部磁極
層２３が順次積層されている。
【００４３】このような下部磁極層２１、磁気ギャップ
層２２、上部磁極層２３は、磁気ディスク対向面６１ｂ
内の幅方向（以後、トラック方向）の幅寸法が所定のト
ラック幅ＴWに揃えられて、磁気ディスク対向面６１ｂ
に露出している。
【００４４】トラック幅ＴWは、高記録密度化に対応す
るため、０．７μｍ以下で形成されることが好ましく
（より好ましくは、０．５μｍ以下）、下部磁極層２
１、磁気ギャップ層２２、上部磁極層２３からなる積層
体は、下部コア層７の表面から上部磁極層２３上面まで
の高さが、例えば、２．３μｍ程度である。
【００４５】下部コア層７の先端部７ａには、下部磁極
層２１の形成位置からトラック方向の両側に向かって、
膜厚が薄くなるような傾斜面７ｂが形成されていても良
い。
【００４６】下部磁極層２１と磁気ギャップ層２２の後
端部は、Ｇｄ決め絶縁部２７に接触している。このよう
にして、磁気ギャップ層２２は、ハイト方向寸法が、所
定のギャップ深さＧｄに規定される。
【００４７】下部コア層７の表面から上部磁極層２３上
面までの高さは、従来、３．０μｍ程度とされていた
が、高記録密度化に対応するとき、上部磁極層２３を薄
型化して、２．５μｍ以下とすることが好ましい。
【００４８】また、後述するように、上部磁極層２３の
上面には上部コア層６が接合されるので、上部磁極層２
３のハイト方向寸法は、上部コア層６との十分な接合面
積を確保するために、０．８μｍ以上であることが好ま
しい。
【００４９】上部磁極層２３の上面の高さは、接続部２
０の上面の高さと一致しており、上部磁極層２３の上
面、及び接続部２０の上面を含む平面を、基準面Ｓとす
る。
【００５０】下部コア層７は、Ａｌ2Ｏ3等からなる第１
の無機絶縁層８に覆われており、第１の無機絶縁層８の
表面には、Ｃｕ等の良導電材料からなる第１のコイル層
９が形成されている。
【００５１】第１のコイル層９は、平面スパイラル形状
であり、巻き中心９ａが、接続部２０に近接して、ほぼ
接続部２０を中心として巻回されている。また、第１の
コイル層９は、外周がＧｄ決め絶縁部２７と近接するよ
うに形成されて、接続部２０とＧｄ決め絶縁部２７との
間隔が、ほぼ、第１のコイル層９の半径寸法となってい
る。
【００５２】第１のコイル層９のコイル導体幅（第１の
無機絶縁層８の面内におけるコイル導体の幅寸法）とコ
イル導体間隔は、接続部２０からＧｄ決め絶縁部２７の
間に、第１のコイル層９が適切な巻き数をもって形成さ
れるように設定され、第１のコイル層９のコイル導体厚
さ（コイル導体の膜厚方向寸法）は、第１のコイル層９
が基準面Ｓから十分な間隔をあけて形成されるように薄
く設定される。
【００５３】一方、第１のコイル層９は、コイル導体幅
寸法、及びコイル導体厚さ寸法が小さすぎると、直流抵
抗が増大する。よって、第１のコイル層９のコイル導体
幅寸法とコイル導体厚さは適切に設定されなければなら
ず、例えば、コイル導体幅寸法が１．７μｍ程度、コイ
ル導体厚さ寸法が１．５μｍ程度に設定される。また、
コイル導体間隔は、１．２μｍ程度に設定されている。
このような０．７μｍ以上のコイル導体間隔であれば、
フォトリソグラフィにより、正確にパターン形成を行う
ことができる。
【００５４】ノボラック樹脂、或いはポリイミドからな
る第２の有機絶縁層２５は、第１のコイル層９を覆って
いる。このとき、第２の有機絶縁層２５の表面には、第
１のコイル層９のコイル導体間において、凹部２５ａが
形成される。
【００５５】第２の有機絶縁層２５は凹部２５ａが浅く
なるように形成されて、第２の有機絶縁層２５の第１の
コイル導体間における厚さは、第１のコイル層９のコイ
ル導体間隔寸法以上となっている。また、第１のコイル
層９のコイル導体上に形成された第２の有機絶縁層２５
の表面は、基準面Ｓとの十分な間隔を保持している。
【００５６】第２の有機絶縁層２５は、第１のコイル層
９の巻き中心部９ａの位置に窓部２５ｂを有し、巻き中
心部９ａは、第２の有機絶縁層２５の窓部２５ｂから露
出している。
【００５７】Ａｌ2Ｏ3等からなる第２の無機絶縁層１５
は、スパッタ法により成膜されて、第２の有機絶縁層２
５の表面の全面を覆っている。第２の無機絶縁層１５
は、第１のコイル層９のコイル導体間において、第２の
有機絶縁層２５の凹部２５ａを埋めるように形成され
る。
【００５８】このとき、第２の有機絶縁層２５の凹部２
５ａが浅く、第１のコイル層９のコイル導体間におい
て、第２の無機絶縁層１５と第１の無機絶縁層８との間
隔寸法は、第１のコイル層９のコイル導体間隔寸法より
も大きい。このような第２の無機絶縁層１５は、第１の
コイル層９のコイル導体間においても、空隙なく形成さ
れる。第２の無機絶縁層１５内部の空隙は、空隙内のガ
スが膨張して、薄膜磁気ヘッドが変形する原因となる。
【００５９】また、第２の無機絶縁層１５の上面は、基
準面Ｓと一致して平坦に形成されて、第２の無機絶縁層
１５の膜厚は、第２の有機絶縁層２５の表面が基準面Ｓ
と十分離れているので、十分厚いものとなっている。
【００６０】このように、膜厚の厚い第２の無機絶縁層
１５では、第２の無機絶縁層１５の上面を研磨して、基
準面Ｓと一致するように平坦化するとき、精度のバラツ
キにより第２の有機絶縁層２５が第２の無機絶縁層１５
の表面に露出することがなく、第２の無機絶縁層１５の
平坦な上面が損なわれることがない。
【００６１】また、第２の無機絶縁層１５は、第１のコ
イル層９の巻き中心部９ａの位置に窓部１５ａを有し、
第１のコイル層９の巻き中心部９ａは、第２の無機絶縁
層１５の窓部１５ａから露出している。
【００６２】基準面Ｓである第２の無機絶縁層１５の表
面には、Ｃｕ等の良導電材料からなる第２のコイル層１
０が形成されている。第２のコイル層１０は、平面スパ
イラル形状であり、巻き中心１０ａが接続部２０の直上
に近接して、ほぼ接続部２０の直上を巻き中心部１０ａ
として巻回されている。
【００６３】第２のコイル層１０の巻き中心部１０ａ
は、第２の無機絶縁層１５の窓部１５ａ、第２の有機絶
縁層２５の窓部２５ｂを介して、第１のコイル層９の巻
き中心９ａと接続されて、第１と第２のコイル層９、１
０は、直列に接続されている。
【００６４】このような第２のコイル層１０は、磁気デ
ィスク対向面６１ｂから所定間隔を隔てて形成されい
る。第２のコイル層１０の外周から磁気ディスク対向面
６１ｂまでのハイト方向の間隔は、第２の所定寸法（Ｌ
２）となっている。後述するように、第２の所定寸法
（Ｌ２）をある程度以上とすることにより、上部コア層
６の形状、位置を正確に形成して、且つ、上部コア層６
と第２のコイル層１０間を、確実に絶縁することができ
る。第２の所定寸法（Ｌ２）は、例えば、１０μｍ程度
に設定される。
【００６５】第２のコイル層１０の外周から磁気ディス
ク対向面６１ｂまでのハイト方向の第２の所定間隔（Ｌ
２）は、第１のコイル層９の外周から磁気ディスク対向
面６１ｂまでのハイト方向間隔よりも大きく設定され
る。第１、第２のコイル層９、１０の巻き中心９ａ、１
０ａは一致しているから、第２のコイル層１０の径は、
第１のコイル層９の径よりも小さくする必要がある。
【００６６】よって、第２のコイル層１０は、第１のコ
イル層９よりも狭い範囲に適切な巻き数を形成しなけれ
ばならず、第２のコイル層１０のコイル導体幅（第２の
無機絶縁層１５の面内におけるコイル導体の幅寸法）
幅、コイル導体間隔は、第１のコイル層９のコイル導体
幅、コイル導体間隔よりも狭く設定されている。
【００６７】このように、第２のコイル層１０のコイル
導体幅とコイル導体寸法を狭くすると、第２のコイル層
１０の径を小さく形成することができる。よって、第２
のコイル層１０の巻き中心部１０ａから外周に至って形
成される上部コア層６の長さが短縮されて、また接続部
２０から磁気ディスク対向面６１ｂまでのハイト方向間
隔（Ｌ１）が短いので、短磁路長であり、低インダクタ
ンスであり、高周波記録に対応することができる。
【００６８】一方、第２のコイル層１０は、コイル導体
厚さ（コイル導体の膜厚方向寸法）が、第１のコイル層
９のコイル導体厚さよりも厚く形成されており、コイル
導体幅が狭幅であっても、低い直流抵抗を維持してい
る。
【００６９】第２のコイル層は、例えば、コイル導体幅
が１μｍ程度、コイル導体間隔が１μｍ程度であり、コ
イル導体厚さが２．６μｍ程度となっている。
【００７０】また、第２のコイル層１０が形成された基
準面Ｓからは、第１のコイル層９は十分離れて形成され
ているので、第１のコイル層９と第２のコイル層１０と
の間隔は、巻き中心部９ａ、１０ａ以外では確実に絶縁
されて、信頼性の高いものとなっている。
【００７１】このような第１、第２のコイル層９、１０
は、第１のコイル層９のコイル導体厚さの第２のコイル
層１０のコイル導体厚さに対する比が０．８以下であれ
ば、第２のコイル層１０を低直流抵抗とするように第２
のコイル層１０のコイル導体厚さを保持したまま、第１
のコイル層９のコイル導体厚さを薄くして、第１と第２
のコイル層９、１０の間に、十分な間隔を設けることが
できる効果が明確に現れる。
【００７２】また、第１、第２のコイル層９、１０は、
第１のコイル層９のコイル導体幅の第２のコイル層１０
のコイル導体幅に対する比が１．２以上であれば、第１
のコイル層９のコイル導体厚さを薄くしても、第１のコ
イル層９を低直流抵抗とするように第１のコイル層９の
コイル導体幅を保持したまま、第２のコイル層１０のコ
イル導体幅を狭くして、第２のコイル層１０の径を小さ
くすることができる効果が明確に現れる。
【００７３】ノボラック樹脂系やポリイミド樹脂系のレ
ジストから第１の有機絶縁層１７は、第２の無機絶縁層
１５の表面において、第２のコイル層１０を覆ってお
り、第２のコイル層１０のコイル導体間を埋めている。
第１の有機絶縁層１７は、上部磁極層２３の上面と接続
部２０の上面には形成されておらず、第１の有機絶縁層
１７の磁気ディスク対向面６１ｂ側の先端は、上部磁極
層２３の近傍まで延出されている。
【００７４】また、第１の有機絶縁層１７の磁気ディス
ク対向面６１ｂ側は、膜厚方向にしたがって、漸次、磁
気ディスク対向面６１ｂから離れるような傾斜面１７ａ
が形成されている。
【００７５】このような傾斜面１７ａが、基準面Ｓであ
る第２の無機絶縁層１５の表面と成す角度θを緩やかに
形成するためには、第２のコイル層１０の外周から上部
磁極層２３までの間隔を大きくして、即ち、第２のコイ
ル層１０の外周から磁気ディスク対向面６１ｂまでの第
２の所定寸法（Ｌ２）を大きくして、第２のコイル層１
０の外周から第１の有機絶縁層１７の上部磁極層２３に
近接する先端部までの距離を長くする。
【００７６】傾斜面１７ａが、基準面Ｓである第２の無
機絶縁層１５の表面と成す角度θは、６０°以下である
ことが好ましい。後の製造方法の説明において述べるよ
うに、傾斜面１７ａの基準面Ｓと成す角度θが小さいほ
ど、上部コア層６の位置、形状を正確に形成することが
できる。
【００７７】傾斜面１７ａが、基準面Ｓである第２の無
機絶縁層１５の表面と成す角度θを緩やかにすると、第
２のコイル層１０の外周角部１０ｂを覆う第２の有機絶
縁層１７の厚さが極端に薄くなることがなく、第１の有
機絶縁層１７上に形成された上部コア層１７と第２のコ
イル層１０の間を、確実に絶縁することができる。
【００７８】また、第２のコイル層１０のコイル導体
幅、コイル導体間隔を狭くすることにより、第２のコイ
ル層１０内周部を接続部２０から離して形成することが
できる。このように、第２のコイル層１０内周部を接続
部２０から離すと、第２のコイル層１０の内周角部１０
ｃを覆う第１の絶縁層１７の膜厚が極端に薄くなること
なく、第１の絶縁層１７上に形成された上部コア層６と
第２のコイル層１０を、確実に絶縁することができる。
【００７９】上部コア層６は、第１の有機絶縁層１７上
に形成されて、後端部６ａ側が接続部２０の上面に接合
されるとともに、先端部６ｂが、磁気ディスク対向面６
１ｂに露出することなく、上部磁極層２３の上面に接合
されている。このような上部磁極層２３と上部コア層６
の接合面は、基準面Ｓの高さに形成される。
【００８０】上部コア層６は、接続部２０を介して下部
コア層７と磁気的に接続されるとともに、上部磁極層２
３と磁気的に接続されており、上部コア層６からの磁束
は、上部磁極層２３へと流れた後、下部コア層７に至
り、接続部２０から上部コア層６に戻るようになってい
る。
【００８１】高周波記録のためには、上部コア層６から
下部コア層７に至り、上部コア層６に戻る磁束の経路長
さ（磁路長）を短くして、低インダクタンスとすること
が望ましい。
【００８２】本実施の形態において、第２のコイル層１
０の巻き中心部１０ａから外周に至って形成される上部
コア層６の長さが短縮されて、また、接続部２０から磁
気ディスク対向面６１ｂまでのハイト方向間隔（Ｌ１）
が短いので、短磁路長となっている。
【００８３】上部コア層６の先端部６ｂは、磁気ディス
ク対向面６１ｂ側の端面６ｃが、上部磁極層２３から膜
厚方向に、漸次、磁気ディスク対向面６１ｂから離れる
ような傾斜面となっている。このような上部コア層６の
先端部６ｂは、磁気ディスク対向面６１ｂに露出するこ
となく、上部磁極層２３との接合面積を広くすることが
できる。このように上部コア層６と上部磁極層２３との
接合面積が広いと、上部コア層６の磁束は、上部磁極層
２３側へと効率よく流れる。
【００８４】また、上部コア層６の先端部６ｂは、端面
６ｃと上部磁極層２３の上面との成す角度φが、第１の
有機絶縁層１７の傾斜面１７ａと第２の無機絶縁層１５
表面との成す角度θ以上であることが好ましい。第１の
有機絶縁層１７の傾斜面１７ａと第２の無機絶縁層１５
表面との成す角度θが６０°であるとき、上部コア層６
の端面６ｃと上部磁極層２３の上面の成す角度φが６０
°よりも小さく形成されると、上部コア層６の先端部６
ｂの体積が小さくなるので、上部コア層６から上部磁極
層２３への磁束伝達効率が悪化する。
【００８５】また、上部コア層６の先端部６ｂのトラッ
ク方向の幅寸法は、上部磁極層２３のトラック幅Ｔwの
２〜２．５倍程度であることが好ましい。この範囲であ
れば、上部コア層６を上部磁極層２３の上面に形成する
とき、上部磁極層２３の上面を、上部コア層６の幅寸法
内に確実に重ねることが容易であり、また、上部コア層
６からの磁束を、上部磁極層２３側に効率よく流すこと
ができる。
【００８６】なお、さらに好ましくは、下部磁極層２１
や上部磁極層２３が、下部コア層７や上部コア層６より
も高い飽和磁束密度を有していれば、磁束が、磁気ギャ
ップ層２１の近傍に集中する。
【００８７】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方
法、特に、記録ヘッド部ｈ２の製造方法を、図４から図
１９を用いて説明する。再生ヘッド部ｈ１を形成後、分
離層５を成膜して、分離層５の表面に、下部コア層７を
形成する。
【００８８】次に、図４のように、下部コア層７の表面
の所定位置にＧｄ決め絶縁部２７を形成した後、図５の
ように、下部コア層７上に、第１のレジストフレーム３
０を形成する。
【００８９】第１のレジストフレーム３０は、磁気ディ
スク対向面６１ｂ側に開放された窓部３０ａを有してお
り、窓部３０ａのトラック方向の幅寸法は、ほぼ、所定
のトラック幅Ｔwとなっている。また、Ｇｄ決め絶縁部
２７は、磁気ディスク対向面６１ｂ側の部分が、第１の
レジストフレーム３０の窓部３０ａから露出している。
【００９０】続いて、第１のレジストフレーム３０が形
成された下部コア層７上に、下部磁極層２１、磁気ギャ
ップ層２２、上部磁極層２３を、電解めっき法により順
次形成する。
【００９１】このとき、磁気ギャップ層２２は、ＮｉＰ
ｄ等の電解めっき法により成膜可能な非磁性金属である
から、下部磁極層２１、磁気ギャップ層２２、上部磁極
層２３を、電解めっき法により連続して形成することが
できるので、製造工程が簡略になる。
【００９２】下部磁極層２１、磁気ギャップ層２２、上
部磁極層２３を形成した後、図６のように、第１のレジ
ストフレーム３０を剥離する。
【００９３】第１のレジストフレーム３０を剥離した
後、イオンミリング工程により、下部磁極層２１、磁気
ギャップ層２２、上部磁極層２３のトラック方向の幅を
削り取って所定のトラック幅ＴWに形成する。このと
き、イオン照射角は、上部、下部磁極層２３、２１の膜
厚方向に対しておよそ７０°である。
【００９４】次に、下部コア層７表面の所定位置に接続
部２０を形成して、図７のように、下部コア層７、Ｇｄ
決め絶縁部２７、接続部２０及び上部磁極層２３の上面
までを覆う第１の無機絶縁層８を形成する。
【００９５】そして、図８のように、第１の無機絶縁層
８の表面に、第１のコイル層９を電解めっき法により形
成するためのＣｕ下地膜３１をスパッタ成膜する。
【００９６】続いて、Ｃｕ下地膜３１の表面に、第２の
レジストフレーム３２とするレジスト膜を塗布して、こ
のレジスト膜を、第１のコイル層９の形状に露光、現像
により露光部分を除去して、第２のレジストフレーム３
２を形成する。
【００９７】そして、第２のレジストフレーム３２が形
成されたＣｕ下地膜３１上にＣｕめっき膜を成膜して、
第２のレジストフレーム３２に囲まれた領域内に、第１
のコイル層９を形成する。
【００９８】続いて、図９のように、第１のコイル層９
以外の余分なＣｕめっき膜、及び余分なＣｕ下地膜を除
去して、第１のコイル層９が完成する。
【００９９】第１のコイル層９を形成した後、図１０の
ように、第１のコイル層９を覆う第２の有機絶縁層２５
を、スピンコート法により塗布する。このとき、第２の
有機絶縁層２５は、第１のコイル層９のコイル導体間の
間隙に入り込んで、コイル導体間の間隙の幅寸法に同等
な厚さ寸法を、確実に埋める。よって、第１のコイル層
９の導体間に形成される第２の有機絶縁層２５表面の凹
部２５ａは、浅いものとなる。
【０１００】第２の有機絶縁層２５を形成した後、図１
１のように、第２の無機絶縁層１５をスパッタ法により
成膜する。このとき、第２の無機絶縁層１５は、第２の
有機絶縁層２５を覆って、第２の有機絶縁層２５の凹部
２５ａを埋めるとともに、上部磁極層２３、接続部２０
を覆う。
【０１０１】第２の無機絶縁層１５が第２の有機絶縁層
２５の凹部２５ａを埋めるとき、凹部２５ａが浅く形成
されているので、第２の無機絶縁層１５は、凹部２５ａ
内に空隙なく形成される。
【０１０２】仮に、第２の有機絶縁層２５の表面の凹部
２５ａが深い場合、第２の無機絶縁層１５をスパッタに
より形成するとき、第１のコイル層９の影になった部分
には、第２の無機絶縁層１５が形成されにくく（シャド
ー効果）、第２の無機絶縁層１５に空隙が生じることが
ある。
【０１０３】第２の無機絶縁層１５を成膜後、第２の無
機絶縁層１５、上部磁極部２３、接続部２０の上面にＣ
ＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）加工を行い、
図１２のように、第２の無機絶縁層１５、上部磁極部２
３、接続部２０の表面を、平坦な同一平面に加工して基
準面Ｓとする。
【０１０４】このとき、第２の無機絶縁層１５は十分厚
く形成されているので、ＣＭＰ加工により、第１のコイ
ル層９が第２の無機絶縁層１５から露出することがな
い。
【０１０５】ＣＭＰ加工の後、図１３のように、第２の
無機絶縁層１５の表面に、第２のコイル層１０を電解め
っき法により形成するためのＣｕ下地膜３３をスパッタ
成膜する。
【０１０６】続いて、Ｃｕ下地膜３３の表面に、第３の
レジストフレーム３４とするレジスト膜を塗布した後、
このレジスト膜を、第２のコイル層１０の形状に露光、
現像により露光部分を除去して、第３のレジストフレー
ム３４を形成する。このとき、第３のレジストフレーム
３４を形成する第２の無機絶縁層１５の表面が平坦であ
るから、第３のレジストフレーム３４を正確な形状にパ
ターニングすることができる。
【０１０７】そして、図１４のように、第３のレジスト
フレーム３４が形成されたＣｕ下地膜３３上にＣｕめっ
き膜を成膜して、第３のレジストフレーム３４に囲まれ
た領域内には、第２のコイル層１０を形成する。
【０１０８】続いて、図１５のように、第２のコイル層
１０以外の余分なＣｕめっき膜、及び余分なＣｕ下地膜
を除去して、第２のコイル層１０が完成する。
【０１０９】第２のコイル層１０を形成した後、図１６
のように、第２のコイル層１０を覆う第１の有機絶縁層
１７を、スピンコート法により塗布して、上部磁極層２
３、及び接続部２０の上面が第１の有機絶縁層１７から
露出するように、第１の有機絶縁層１７をフォトリソグ
ラフィにより露光・現像してパターニングする。そし
て、第１の有機絶縁層１７には、磁気ディスク対向面側
６１ｂに傾斜面１７ａが形成される。
【０１１０】第１の有機絶縁層１７を形成した後、上部
コア層６を電解めっき法により形成するために、第１の
有機絶縁層１７、上部磁極層２３、及び接続部２０の上
面に、パーマロイ下地膜３５をスパッタ形成する。
【０１１１】続いて、図１９に示すような、上部コア層
６の外縁を囲むような第４のレジストフレーム３８を形
成する。第４のレジストフレームをフォトリソグラフィ
により形成するためのマスク３７は、図１８に示すよう
に、第４のレジストフレームとして残すべき部分が露光
部分３７ａ、上部コア層６の形状に対応した部分が遮光
部分３７ｂとなっている。
【０１１２】フォトリソグラフィの露光工程において、
パーマロイ下地膜３５上に形成したレジスト膜３６上に
マスク３７を載置して、マスク３７上からレジスト膜３
６に光照射する。このとき、図１８に示すように、マス
ク３７の露光部分３７ａ下には、第１の有機絶縁層１７
の傾斜面１７ａがあり、レジスト膜３６への入射光は、
図１７に示すように、第１の有機絶縁層１７の傾斜面１
７ａ上に形成されたパーマロイ下地膜３５により磁気デ
ィスク対向面６１ｂ側に乱反射される。
【０１１３】乱反射された入射光は、マスク３７の遮光
部分３７ｂ下のレジスト膜３６へも洩れるが、第１の有
機絶縁層１７の傾斜面１７ａの傾斜角θが小さいほど、
入射光の洩れる範囲は少なく、傾斜角θが６０°以下で
あれば、レジスト膜３６は、ほぼマスク３７の露光部分
３７ａのパターン通りに露光される。
【０１１４】そして、露光したレジスト膜３６を現像し
て、レジスト膜３６の遮光した部分を除去すると、レジ
スト膜３６の露光した部分が、上部コア層６の外縁を囲
む第４のレジストフレーム３８となる。
【０１１５】このように、露光した部分を残して、遮光
した部分を除去すると、第４のレジストフレーム３８の
断面は、図１９に示すように、根元部が幅狭であるよう
な形状となり、第４のレジストフレーム３８は、磁気デ
ィスク対向面６１ｂ側の内壁が、上部磁極層２３から膜
厚方向に、漸次、磁気ディスク対向面６１ｂから離れる
傾斜面となっている。
【０１１６】このような第４のレジストフレーム３８が
形成されたパーマロイ下地膜３５上にパーマロイめっき
膜を成膜して、第４のレジストフレーム３８に囲まれた
内側に、上部コア層６を形成する。
【０１１７】このとき、上部コア層６の先端部６ｂの端
面６ｃは、第４のレジストフレーム３８の内壁に沿っ
て、上部磁極層２３から膜厚方向に、漸次、磁気ディス
ク対向面６１ｂから離れる傾斜面となる。
【０１１８】そして、第４のレジストフレーム３８を剥
離して、余分なパーマロイめっき膜、及び余分なパーマ
ロイ下地膜を除去する。このようにして、記録ヘッド部
ｈ２の製造を終了する。
【０１１９】次に、本発明の薄膜磁気ヘッドの、特に、
記録ヘッド部ｈ２の駆動について説明する。記録ヘッド
部ｈ２の駆動時には、第１、第２のコイル層９、１０に
記録電流が印加されて、コイル電流により、上部、下部
コア層６、７に記録磁界が誘導される。
【０１２０】このとき、第１、第２のコイル層９、１０
の直流抵抗が低いので、第１、第２のコイル層９、１０
による電力の損失が少なく、上部、下部コア層６、７に
効率良く記録磁界を誘導することができる。
【０１２１】上部コア層６に誘導された記録磁界は、上
部磁極層２３に流れる。そして、記録磁界は、上部磁極
層２３と下部磁極層２１間の磁気ギャップ層２２におい
て洩れ磁界となり、トラック幅Ｔwをもって、磁気ディ
スクに付与される。
【０１２２】このとき、磁気ギャップ層２２の後端部
は、Ｇｄ決め絶縁部２７と接触しているので、上部磁極
層２３と下部磁極層２１間の洩れ磁界は、磁気ギャップ
層２２の後端部側に生じることなく、記録磁界は、効率
良く磁気ディスクへと付与される。
【０１２３】このとき、上部磁極層２３の厚さを薄く形
成することができれば、上部コア層６から磁気ギャップ
層２２までの距離が短く、上部コア層６から磁気ギャッ
プ層２２まで、磁束を効率良く流すことができる。
【０１２４】また、下部磁極層２１は、下部コア層７か
ら上部磁極層２３側に突出して設けられているので、上
部、下部磁極層２３、２１間の磁気ギャップ層２２にお
いて洩れ磁界が発生して、下部磁極層２１の形成位置か
ら外れた下部コア層７においては、上部磁極層２３との
間に洩れ磁界が発生しにくい。よって、ライトフリンジ
ングを抑制して、より高記録密度化に適した薄膜磁気ヘ
ッドとすることができる。
【０１２５】また、下部磁極層２１の位置から外れた下
部コア層７に傾斜面７ｂを形成すると、このような下部
コア層７の傾斜面７ｂは、下部磁極層２１から離れるに
したがって上部磁極層２３との間隔が広がる。よって、
上部磁極層２３と傾斜面７ｂ間には、洩れ磁界が生じに
くく、ライトフリンジングが抑制される。
【０１２６】一方、上部コア層６は、磁気ディスク対向
面６１ｂに露出していないので、上部コア層６からの磁
束が、磁気ディスクに付与されることがなく、磁気ディ
スクに付与される記録磁界の幅は、トラック幅Ｔwとな
る。
【０１２７】高記録密度化に対応可能な薄膜磁気ヘッド
では、このように、ライトフリンジングが抑制されて、
磁気ディスクに付与される記録磁界の幅がトラック幅Ｔ
wであることが望まれる。
【０１２８】また、上部コア層６からの磁束が、上部磁
極層２３へと流れた後、下部コア層７に至り、接続部２
０から上部コア層６に戻るとき、第２のコイル層１０の
径が小さいので、第２のコイル層１０の巻き中心部１０
ａから外周に至って形成される上部コア層６の長さが短
く、また、接続部２０から磁気ディスク対向面６１ｂま
でのハイト方向間隔（Ｌ１）が短いので、短磁路長であ
り、低インダクタンスであり、高周波記録に対応するこ
とができる。
【０１２９】なお、上記実施の形態では、下部磁極層２
１を形成して、ライトフリンジングを抑制したが、下部
磁極層２１を形成することなく、下部コア層７の表面に
直接磁気ギャップ層２２を形成しても良い。
【０１３０】なお、上記実施の形態では、再生ヘッド部
ｈ１上に記録ヘッド部ｈ２を備えた複合ヘッドを説明し
たが、記録用ヘッド部ｈ２のみの薄膜磁気ヘッドでも良
い。
【０１３１】
【発明の効果】本発明の薄膜磁気ヘッドは、下部コア層
と、前記下部コア層に対向する上部コア層と、前記上下
コア層間に設けられて、前記上部コア層と接合する上部
磁極層と、該上部磁極層と前記下部コア層間に介在する
磁気ギャップ層と、前記上部コア層と前記上部磁極層の
接合面高さよりも前記下部コア層側に位置する第１のコ
イル層と、前記接合面よりも前記上部コア層側に位置す
る第２のコイル層とを有し、前記第１のコイル層は、コ
イル導体厚さが、第２のコイル層のコイル導体厚さより
も薄い。このような薄膜磁気ヘッドでは、第１のコイル
層のコイル導体厚さを薄くすることにより、第１のコイ
ル層を、上部磁極層と上部コア層との接合面高さから十
分な間隔をあけて形成することができるので、第１、第
２のコイル層間の絶縁性を確保して信頼性が高く、且
つ、上部磁極層を薄くすることにより、高記録密度化に
対応することができる。
【０１３２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法は、前
記第２のコイル層を覆う第１の有機絶縁層を形成する工
程と、該第１の有機絶縁層上に上部コア層の外縁を囲む
レジストフレームを形成する工程と、該レジストフレー
ムが囲む領域に前記上部コア層を形成する工程とを有
し、前記レジストフレームは、前記第１の有機絶縁層上
に塗布されたレジストを、前記レジストフレームの形状
に露光して形成する。このような薄膜磁気ヘッドの製造
方法では、上部コア層の磁気ディスク対向面側の端面
が、膜厚方向に、漸次、磁気ディスク対向面から離れる
ような傾斜面であるように形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の薄膜磁気ヘッドが形成されたスライダ
の全体斜視図
【図２】本発明の薄膜磁気ヘッドの断面図
【図３】図２を矢印３方向から見た平面図
【図４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【図１０】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１１】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１２】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１３】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１４】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１５】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１６】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１７】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１８】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図１９】本発明の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説
明図
【図２０】従来の薄膜磁気ヘッドの断面図
【図２１】従来の薄膜磁気ヘッドの製造方法を示す説明
図
【符号の説明】
Ｓ 基準面 Ｇｄ ギャップ深さ ６ 上部コア層 ６ａ 後端部 ６ｂ 先端部 ６ｃ 端面 ７ 下部コア層 ７ａ 先端部 ８ 第１の無機絶縁層 ９ 第１のコイル層 ９ａ 巻き中心部 １０ 第２のコイル層 １０ａ 巻き中心部 １５ 第２の無機絶縁層 １５ａ 窓部 １７ 第１の有機絶縁層 １７ａ 傾斜面 ２０ 接続部 ２１ 下部磁極層 ２２ 磁気ギャップ層 ２３ 上部磁極層 ２５ 第２の有機絶縁層 ２５ａ 凹部 ２５ｂ 窓部 ２７ ギャップ深さ決め絶縁部（Ｇｄ決め絶縁部） ３６ レジスト ３８ 第４のレジストフレーム ６１ スライダ ６１ａ ヘッド形成面 ６１ｂ 磁気ディスク対向面
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 亨 東京都大田区雪谷大塚町１番７号 アルプ ス電気株式会社内 Ｆターム(参考） 5D033 BA08 BA21 BA36 BA41 BA42 DA03 DA07 DA31

Claims (17)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 下部コア層と、前記下部コア層に対向す
    る上部コア層と、前記上下コア層間に設けられて、前記
    上部コア層に接合する上部磁極層と、該上部磁極層と前
    記下部コア層間に介在する磁気ギャップ層と、前記上部
    コア層と前記上部磁極層の接合面高さよりも前記下部コ
    ア層側に位置する第１のコイル層と、前記接合面よりも
    前記上部コア層側に位置する第２のコイル層とを有し、
    前記第１のコイル層は、コイル導体厚さが、第２のコイ
    ル層のコイル導体厚さよりも薄いことを特徴とする薄膜
    磁気ヘッド。
  2. 【請求項２】 前記第２のコイル層のコイル導体幅は、
    前記第１のコイル層のコイル導体幅よりも小さいことを
    特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  3. 【請求項３】 前記第２のコイル層のコイル導体間隔
    は、前記第１のコイル層のコイル導体間隔よりも狭いこ
    とを特徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項４】前記第１のコイル層の導体厚さの前記第２
    のコイル層の導体厚さに対する比は、０．８以下である
    ことを特徴とする請求項１記載の薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項５】前記第１のコイル層の導体幅の第２のコイ
    ル層の導体幅に対する比は、１．２以上であることを特
    徴とする請求項２記載の薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項６】前記第１のコイル層のコイル導体間隔の第
    ２のコイル層のコイル導体間隔に対する比は、１．２以
    上であることを特徴とする請求項３記載の薄膜磁気ヘッ
    ド。
  7. 【請求項７】前記第２のコイル層を覆う第１の有機絶縁
    層は、磁気媒体対向面側に、膜厚方向に従って、漸次、
    前記磁気媒体から離れるような傾斜面が形成されてお
    り、該傾斜面と、前記第２のコイル層が形成された平面
    の交差する角度が６０°以下であることを特徴とする請
    求項２、３または５、６記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項８】前記下部コア層の先端部には、前記上部磁
    極層に向かって突出した下部磁極層が形成され、前記磁
    気ギャップ層は、前記上部磁極層と前記下部磁極層との
    間に形成されていることを特徴とする請求項１乃至７の
    いずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  9. 【請求項９】前記上部コア層の前記磁気媒体側の端面
    は、前記上部磁極層から膜厚方向に、漸次、前記磁気媒
    体から離れるような傾斜面であることを特徴とする請求
    項１乃至８のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  10. 【請求項１０】前記下部コア層上には、ギャップ深さ決
    め絶縁部が形成されており、前記磁気ギャップ層の後端
    部は、前記ギャップ深さ決め絶縁部に接触していること
    を特徴とする請求項１乃至９のいずれかに記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  11. 【請求項１１】第２の有機絶縁層は、前記第１のコイル
    層のコイル導体間隔を埋めて、第２の無機絶縁層は、前
    記第２の有機絶縁層の表面全面を覆い、表面が平坦化さ
    れて、前記第２の無機絶縁層の平坦な表面に前記第２の
    コイル層が形成されていることを特徴とする請求項１乃
    至１０のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項１２】前記第１のコイル層は、第１の無機絶縁
    層表面に形成されており、前記第１のコイル層のコイル
    導体間での前記第２の無機絶縁層は、前記第１の無機絶
    縁層との間隔が、前記第１のコイル層のコイル導体間隔
    幅寸法よりも大きいことを特徴とする請求項１１記載の
    薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項１３】前記第２の無機絶縁層は、Ａｌ2Ｏ3、ま
    たはＳｉＯ3、前記第２の有機絶縁層は、ノボラック樹
    脂、またはポリイミドであることを特徴とする請求項１
    １または１２記載の薄膜磁気ヘッド。
  14. 【請求項１４】前記磁気ギャップ層が、電解めっきによ
    る形成が可能な非磁性金属材料であることを特徴とする
    請求項１乃至１３のいずれかに記載の薄膜磁気ヘッド。
  15. 【請求項１５】下部コア層上に、磁気ギャップ層と上部
    磁極層を電解めっき法により順次形成する工程と、前記
    下部コア層上に形成した第１のコイル層を覆う第２の無
    機絶縁層を形成する工程と、前記第２の無機絶縁層と前
    記上部磁極層の上面を、平坦な同一面とする研磨工程
    と、該研磨工程の後、前記第２の無機絶縁層上に、前記
    第１のコイル層よりもコイル導体厚さ寸法が大きい第２
    のコイル層を形成する工程と、前記第２のコイル層を覆
    う第１の有機絶縁層を形成する工程と、該第１の有機絶
    縁層上に上部コア層の外縁を囲む第４のレジストフレー
    ムを形成する工程と、該第４のレジストフレームが囲む
    領域に前記上部コア層を形成する工程とを有し、前記第
    ４のレジストフレームは、前記第１の有機絶縁層上に塗
    布されたレジストを、前記第４のレジストフレームの形
    状に露光して形成することを特徴とする薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  16. 【請求項１６】前記第１のコイル層を形成した後、前記
    第１のコイル層のコイル導体間を埋める第２の有機絶縁
    層を形成する工程と、前記第２の有機絶縁層の表面に、
    スパッタ法により前記第２の無機絶縁層を形成すること
    を特徴とする請求項１５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
  17. 【請求項１７】前記下部コア層上にギャップ深さ決め絶
    縁層を形成した後、前記磁気ギャップ層を形成すること
    を特徴とする請求項１６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方
    法。
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