JP2007141394A - 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】下部メタル層の上に上部メタル層を精度良く形成でき、且つ、層間接続部の電気抵抗を低減できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得る。
【解決手段】薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層したメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、メタル積層部の下部メタル層と上部メタル層の層間接続面を、下部メタル層側に窪ませた凹面形状とした。
【選択図】図２

Description

本発明は、下部メタル層の上に上部メタル層を積層したメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッド及びその製造方法に関する。

薄膜磁気ヘッドの記録素子部は、周知のように、磁性材料からなる下部コア層及び上部コア層と、この両コア層に記録磁界を誘導するコイル層と、両コア層の間に介在する磁気ギャップ層とから構成され、記録媒体との対向面で磁気ギャップ層を介して両コア層から生じる漏れ磁界により、磁気情報を記録媒体に記録する。

近年では、両コア層の周囲の三次元空間を有効利用して記録素子部を小型化できるように、コア層の周りに巻回したソレノイドタイプのコイル構造が提案されている。ソレノイドタイプでは、コア層（例えば下部コア層）の下側に形成した下層コイル層と、同コア層の上側に形成した上層コイル層とをコンタクト部を介して電気的に接続することが必要である。

上記ソレノイドタイプのコイル層は、例えば、次のように形成する。先ず、コア層（例えば下部コア層）の下側にＣｕ等からなる下層コイル層を形成し、該下層コイル層及びその各ピッチ間を埋める絶縁層を形成して、この絶縁層の上面を平坦化する。次に、下層コイル層の上面に位置する絶縁層を除去し、その除去部分に、導電材料からなるコンタクト部をメッキにより形成する。続いて、フォトリソグラフィ技術を用いてコンタクト部の両側にフレームを形成し、このフレーム内に上層コイル層をメッキにより形成する。上層コイル層の形成後は、フレームを除去し、上層コイル層およびその各ピッチ間を埋める絶縁層を形成する。層間接続の電気抵抗を抑えるため下層コイル層と上層コイル層の配線長はできるだけ短いことが好ましく、コンタクト部は隣接して設けられる。
特開２００２−１５０５０９号公報 特開２００４−２９６０６２号公報

従来製法では、図１０（ａ）に示すように厳密にみると、メッキにより形成したコンタクト部３０の表面が凸形状をなしている。このため、フレームを形成する際のフォトリソグラフィ工程において、図１０（ｂ）に示すように露光時に光がコンタクト部の凸表面に当たって乱反射し、この反射した光が外側へ向かうことにより該凸表面近傍のフレーム１４０を側面側から削って細くしてしまうことが判明した。この結果、フレーム１４０で囲まれる領域に形成される上層コイル層はコンタクト部に接する側が幅広となり、設計寸法からずれてしまう。具体的には、上層コイル層のピッチ間隔にばらつきが生じ、最悪の場合にはコイル間がショートする虞がある。これを回避するため、フレームを一定以上に細くすることができず、隣接するコンタクト部の間隔を狭めることができなかった。

本発明は、上述の従来課題に鑑みてなされたもので、下部メタル層の上に上部メタル層を精度良く形成でき、且つ、層間接続部の電気抵抗を低減できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法を得ることを目的としている。

本発明は、下部メタル層と上部メタル層の層間接続面が凸形状であることがフォトリソグラフィ工程で形成される上部メタル層の大きさがばらつく要因であることを認識し、上記層間接続面を凹面とすることで、フォトリソグラフィ工程で生じる乱反射を内側（フレームとフレームの間）へ向かわせ、これにより上部メタル層を精度良く形成することを提案するものである。

すなわち、本発明は、薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層したメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、メタル積層部の下部メタル層と上部メタル層の層間接続面を、下部メタル層側に窪ませた凹面形状としたことを特徴としている。

凹面形状は、下部メタル層及び上部メタル層の長手方向と直交する方向に一様な断面を有していることが好ましい。

下部メタル層と上部メタル層は、コンタクト部を介して積層することができる。この場合には、コンタクト部の上部メタル層に接する面を凹面形状とする。

下部メタル層と上部メタル層は、直に積層することも可能である。この場合には、下部メタル層の上面を凹面形状とする。

また本発明は、方法の態様によれば、薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層してなるメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、下部メタル層の上面を平坦化する工程と、この下部メタル層の平坦面上に、導電材料からなるコンタクト部を形成する工程と、形成したコンタクト部の上面を凹面加工する工程と、このコンタクト部の凹面上に、フレームメッキ法を用いて上部メタル層を形成する工程とを有することを特徴としている。

さらに本発明は、方法の別態様によれば、薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層してなるメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、下部メタル層の上面を凹面加工する工程と、この下部メタル層の凹面上に、フレームメッキ法を用いて上部メタル層を形成する工程とを有することを特徴としている。

凹面加工では、下部メタル層の長手方向と直交する方向に一様な断面を有する凹面形状とすることが好ましい。この凹面加工は、ミリングまたは酸性スラリーを用いたＣＭＰ加工により実行することができる。

本発明によれば、下部メタル層と上部メタル層の層間接続面を下部メタル層側に窪ませた凹面形状としたので、下部メタル層の上に上部メタル層を精度良く形成でき、且つ、層間接続部の電気抵抗を低減できる薄膜磁気ヘッド及びその製造方法が得られる。

図１は、本発明の第１実施形態による薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す部分縦断面図である。図１において、Ｘ方向はトラック幅方向、Ｙ方向はデプス方向（ハイト方向）、Ｚ方向は薄膜磁気ヘッドを構成する各層の積層方向とそれぞれ定義する。

本薄膜磁気ヘッドＨは、スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂに薄膜を積層してなる再生素子部Ｒと記録素子部Ｗを有する垂直磁気記録ヘッドであり、記録媒体Ｍに垂直磁界Φを与え、記録媒体Ｍのハード膜Ｍａを垂直方向に磁化させることで記録動作する。記録媒体Ｍは、残留磁化の高いハード膜Ｍａを媒体表面側に、磁気透過率の高いソフト膜Ｍｂをハード膜Ｍａよりも内側に有している。この記録媒体Ｍは、例えばディスク状であり、ディスクの中心が回転軸中心となって回転させられる。スライダ１０１はＡｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣなどの非磁性材料で形成されており、スライダ１０１の媒体対向面１０１ａが記録媒体Ｍに対向し、記録媒体Ｍが回転すると、表面の空気流によりスライダ１０１が記録媒体Ｍの表面から浮上する。あるいは、スライダ１０１が記録媒体Ｍに摺動する。

スライダ１０１のトレーリング側端面１０１ｂには、Ａｌ₂Ｏ₃またはＳｉＯ₂などの無機材料による非磁性絶縁層１０２が形成されて、この非磁性絶縁層１０２の上に再生素子部Ｒが形成されている。再生素子部Ｒは、下部シールド層１０３と、上部シールド層１０６と、この下部シールド層１０３及び上部シールド層１０６の間を埋める無機絶縁層（ギャップ絶縁層）１０５と、この無機絶縁層１０５内に位置する再生素子１０４とを有している。再生素子１０４は、ＡＭＲ、ＧＭＲ、ＴＭＲなどの磁気抵抗効果素子である。

上部シールド層１０６の上には、コイル絶縁下地層１０７を介して、導電性材料で形成された複数本の下層コイル１０８が形成されている。下層コイル１０８は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０８の周囲は、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１０９が形成されている。

コイル絶縁層１０９の上面は平坦化されていて、この平坦面の上に図示しないメッキ下地層が形成され、さらにメッキ下地層の上に、主磁極層（下部コア層）１１０がメッキにより形成されている。主磁極層１１０は、記録媒体との対向面Ｆ（以下、単に対向面Ｆという）から図示Ｙ方向（ハイト方向）に所定長さを有し、且つ、対向面Ｆに露出する先端面１１０ａの図示Ｘ方向（トラック幅方向）の寸法がトラック幅に規定されている。この主磁極層１１０は、Ｎｉ−Ｆｅ、Ｃｏ−Ｆｅ、Ｎｉ−Ｆｅ−Ｃｏなどの飽和磁束密度の高い強磁性材料からなる。

主磁極層１１０の図示Ｘ方向の両側及び図示Ｙ方向の後方には、第１絶縁材料層１１１が形成されている。第１絶縁材料層１１１は、例えばＡｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂、Ａｌ−Ｓｉ−Ｏで形成することができる。この主磁極層１１０及び第１絶縁材料層１１１の上には、アルミナまたはＳｉＯ₂などの非磁性無機絶縁材料によって、ギャップ層１１３が形成されている。ギャップ層１１３上には、コイル絶縁下地層１１４を介して上層コイル１１５が形成されている。上層コイル１１５は下層コイル１０８と同様に、導電性材料によって複数本形成されている。上層コイル１１５は、例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなる。あるいはこれら非磁性金属材料が積層された積層構造であってもよい。下層コイル１０８と上層コイル１１５は、ソレノイドコイル状になるように、それぞれのトラック幅方向（図示Ｘ方向）における端部同士が電気的に接続されている（図２参照）。

上層コイル１１５の周囲は、Ａｌ₂Ｏ₃などの無機絶縁材料や、レジストなどの有機絶縁材料で形成されたコイル絶縁層１１６が形成され、このコイル絶縁層１１６の上からギャップ層１１３上にかけて、パーマロイなどの強磁性材料により、リターンパス層（上部コア層）１５０が形成されている。リターンパス層１５０は、対向面Ｆに露出する先端面１５０ａを有し、この対向面Ｆでギャップ間隔Ｇをあけて主磁極層１１０と対向している。リターンパス層１５０のハイト方向の最後端部は、主磁極層１１０と接続する接続部１５０ｂである。ギャップ層１１３上であって対向面Ｆから所定距離離れた位置には、無機または有機材料によってハイト決め層１１８が形成されている。この対向面Ｆからハイト決め層１１８の前端縁までの距離により、薄膜磁気ヘッドＨのスロートハイトが規定される。リターンパス層１５０のハイト方向の後方には、上層コイル１１５から延出されたコイルリード層１１９が、コイル絶縁下地層１１４を介して形成されている。リターンパス層１５０及びコイルリード層１１９は、無機非磁性絶縁材料などで形成された保護層１２０に覆われている。図示されていないが、保護層１２０上には、下層コイル１０８に接続したコイルリード層、上層コイル１１５に接続したコイルリード層１１９及び再生素子１０４の電極リード層にそれぞれ接続する電極パッドが形成されている。

上記薄膜積層構成を有する薄膜磁気ヘッドＨは、下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続に特徴を有している。以下では、図２〜図５を参照し、特徴部分である下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続について説明する。

図２は、下層コイル１０８と上層コイル１１５の接続部（トラック幅方向の端部）を拡大して示す模式断面図である。図２に示されるように下層コイル１０８の上面１０８ａは平坦化されており、この平坦面１０８ａ上に形成したコンタクト部１３０を介して、下層コイル１０８と上層コイル１１５が電気的に接続されている。コンタクト部１３０は、コイル絶縁層１０９の形成材料よりもミリングレート及びＣＭＰ加工レートが高く、且つ、下層コイル１０８及び上層コイル１１５の形成材料と密着性が良好な非磁性金属材料、具体的には例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｎｉ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料からなり、下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続面となる上面（上層コイル１１５に接する面）αが下層コイル１０８側に窪ませた凹面で形成されている。この凹面形状は、下層コイル１０８及び上層コイル１１５の延長方向（長手方向）と直交する方向に一様な断面をなす。このような凹面形状で下層コイル１０８と上層コイル１１５を接続すると、両コイルの層間接続面（コンタクト部１３０の上面α）を平坦面とする場合よりも下層コイル１０８と上層コイル１１５の接触面積が増大するので、両コイル間の接触抵抗を低減することができる。同時に、両コイルの層間接続面を平坦面とする場合よりも下層コイル１０８と上層コイル１１５の間に介在するコンタクト部１３０が減るので、コンタクト部１３０による層間接続部の抵抗増大を抑えることができる。

上記下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続は、次のように行なう。図３〜図５は、下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続方法の工程を示す断面図である。

先ず、コイル絶縁下地層１０７の上に下層コイル１０８をメッキにより形成し、下層コイル１０８の上面を平坦化してから、該下層コイル１０８及びそのピッチ間を埋めるコイル絶縁層１０９を形成する。次に、図３に示すように、コイル絶縁層１０９の一部を除去して下層コイル１０８の上面（平坦面）を露出させる開口部１０９ａを形成し、この開口部１０９ａ内にコンタクト部１３０を形成する。コンタクト部１３０は、開口部１０９ａから露出する下層コイル１０８の上にメッキ下地膜を形成し、このメッキ下地膜の上にメッキにより形成する。ここで、コンタクト部１３０は、コイル絶縁層１０９の形成材料よりもミリングレート及びＣＭＰ加工レートが高く、且つ、下層コイル１０８及び上層コイル１１５の形成材料と密着性が良好な非磁性金属材料で形成しておく。メッキ形成直後のコンタクト部１３０は、図３に示すように厳密に見ると、上方に突出した凸面となっている。

続いて、コンタクト部１３０の上面を、下層コイル１０８側に窪ませた凹面形状に加工する。この凹面加工は、ミリングまたはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により実現できる。

ミリングを利用する場合は、コンタクト部１３０の上面位置とコイル絶縁層１０９の上面位置が一致するように平坦化処理を実行した後、ミリングによってコンタクト部１３０の上面を、下層コイル１０８の延長方向（長手方向）と直交する方向（図４に示す面）で一様な断面となる凹面形状にする。コンタクト部１３０はコイル絶縁層１０９の形成材料よりもミリングレートの高い導電材料で形成されているので、ミリング時はコイル絶縁層１０９よりもコンタクト部１３０が多く削られる。このミリングによる凹面加工は、上層コイルのメッキ下地膜を形成する際の前処理として実行するミリングと一緒に実行してもよい。

一方、ＣＭＰを利用する場合は、酸性スラリーを用いて研磨し、コンタクト部１３０の上面位置とコイル絶縁層１０９の上面位置が一致した後もさらに研磨を継続する。コンタクト部１３０はコイル絶縁層１０９の形成材料のＣＭＰ加工レートよりもＣＭＰ加工レートが高い導電材料で形成されているので、コンタクト部１３０とコイル絶縁層１０９の上面位置が一致した後もＣＭＰを継続することによって、コイル絶縁層１０９よりもコンタクト部１３０が多く研磨される。この結果、コンタクト部１３０の上面は下層コイル１０８側に窪み、該下層コイル１０８の延長方向と直交する方向で一様な断面を有する凹面形状となる。

上記ミリングまたはＣＭＰにより、図４に示すように、コンタクト部１３０の上面は凹面形状をなす層間接続面αとなる。

層間接続面αを形成したら、図５に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、上層コイルを形成する領域を画成するフレーム１４０を形成する。このフォトリソグラフィ工程では具体的に、コイル絶縁層１０９及びコンタクト部１３０の上にフォトレジストを全面的に形成した後、露光現像する。露光時は、光がコンタクト部１３０の上面αに当たって乱反射を起こすが、上述したようにコンタクト部１３０の上面αは凹面形状をなしているので、図５に示すように乱反射した光は隣接するフレーム１４０の間の空間に向かうこととなる。これにより、コンタクト部１３０に当たって乱反射した光がフレーム１４０を必要以上に細らせることがなく、設計どおりの寸法及び形状のフレーム１４０が得られる。

続いて、フレーム１４０から露出しているコンタクト部１３０の上面αの上にメッキ下地膜を形成し、このメッキ下地膜の上に上層コイル１１５をメッキにより形成する。これにより、図２に示される上層コイル１１５層が得られ、この上層コイル１１５は、凹面形状を有するコンタクト部１３０の上面αを介して、下層コイル１０８に電気的に接続される。

上記第１実施形態によれば、コンタクト部１３０の上面αを凹面形状で形成し、これによりフォトリソグラフィ工程の露光時（フレーム形成時）に生じる乱反射をフレーム１４０の間の空間に向かわせるので、該乱反射でフレーム１４０が必要以上に細められることがなくなる。よって、フレーム１４０を精度良く形成でき、延いては上層コイル１１５を同一ピッチで精度良く形成でき、上層コイル１１５間のショートを回避できる。これにより、フレーム１４０を細く形成して下層コイル１０８及び上層コイル１１５を太くすることで、コイル層の低抵抗化を図れる。

また第１実施形態によれば、コンタクト部１３０の上面αを平坦面とした場合よりも下層コイル１０８と上層コイル１１５の接触面積が増大するので、両コイル１０８、１１５の接触抵抗を低減でき、層間接続部の電気抵抗を抑えられる。さらに第１実施形態によれば、コンタクト部１３０の上面αを平坦面とした場合よりも下層コイル１０８と上層コイル１１５の間に介在するコンタクト部１３０が減少するので、これによっても層間接続部の低抵抗化を図れる。

図６〜図８は、本発明の第２実施形態を示している。第２実施形態は、第１実施形態のコンタクト部１３０を介さずに、下層コイル１０８と上層コイル１１５を直接接続した実施形態であり、この層間接続以外の構成は第１実施形態と同一である。図６〜図８では、第１実施形態と同一機能を有する構成要素に対して図１と同一符号を付して示してある。

図６は、下層コイル１０８と上層コイル１１５の接続部（トラック幅方向の端部）を拡大して示す模式断面図である。図６に示されるように、下層コイル１０８の上面βは凹面形状で形成され、この凹面上に、上層コイル１１５が直接形成されている。下層コイル１０８の凹面形状は、該下層コイル１０８及び上層コイル１１５の延長方向（長手方向）と直交する方向に一様な断面を有している。このような凹面形状で下層コイル１０８と上層コイル１１５を直接接続すると、両コイルの層間接続面（下層コイル１０８の上面β）を平坦面とする場合よりも下層コイル１０８と上層コイル１１５の接触面積が増大するので、両コイル間の接触抵抗を低減することができる。

上記下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続は、次のように行なう。図７及び図８は、下層コイル１０８と上層コイル１１５の層間接続方法の工程を示す断面図である。

先ず、コイル絶縁下地層１０７の上に下層コイル１０８をメッキにより形成し、該下層コイル１０８及びそのピッチ間を埋めるコイル絶縁層１０９を形成する。下層コイル１０８は、具体的には例えばＡｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｃｕ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｔｉ，ＮｉＰ，Ｍｏ，Ｐｄ，Ｒｈから選ばれる１種、または２種以上の非磁性金属材料で形成し、コイル絶縁層１０９の形成材料（絶縁材料）よりもミリングレート及びＣＭＰ加工レートが高くなっている。

次に、下層コイル１０８の上面を凹面加工する。この凹面加工は、第１実施形態と同様、ミリングまたはＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）により実現できる。

ミリングを利用する場合は、先ず、下層コイル１０８の上面を平坦化し、後にミリングによって下層コイル１０８の上面を、下層コイル１０８の延長方向（長手方向）と直交する方向（図７に示す面）で一様な断面となる凹面形状にする。下層コイル１０８はコイル絶縁層１０９の形成材料よりもミリングレートの高い非磁性金属材料で形成されているので、コイル絶縁層１０９よりも下層コイル１０８が多く削られる。このミリングによる凹面加工は、上層コイルのメッキ下地膜を形成する際の前処理として実行するミリングと一緒に実行してもよい。

一方、ＣＭＰを利用する場合は、酸性スラリーを用いて研磨し、下層コイル１０８の上面位置とコイル絶縁層１０９の上面位置が一致した後もさらに研磨を継続する。下層コイル１０８の形成材料のＣＭＰ加工レートはコイル絶縁層１０９の形成材料のＣＭＰ加工レートよりも高く、下層コイル１０８とコイル絶縁層１０９の上面位置が一致した後もＣＭＰを継続することによって、コイル絶縁層１０９よりも下層コイル１０８が多く研磨される。この結果、下層コイル１０８の上面は、該下層コイル１０８側に窪み、該下層コイル１０８の延長方向と直交する方向で一様な断面を有する凹面形状となる。

上記ミリングまたはＣＭＰにより、図７に示すように、下層コイル１０８の上面は凹面形状をなす層間接続面βとなる。

層間接続面βを形成したら、図８に示すように、フォトリソグラフィ技術を用いて、上層コイルを形成する領域を画成するフレーム１４０を形成する。このフォトリソグラフィ工程では具体的に、コイル絶縁層１０９及び下層コイル１０８の上にフォトレジストを全面的に形成した後、露光現像する。露光時は、光が下層コイル１０８の上面βに当たって乱反射を起こすが、上述したように下層コイル１０８の上面βは凹面形状をなしているので、図５に示すように乱反射した光は隣接するフレーム１４０の間の空間に向かうこととなる。これにより、下層コイル１０８に当たって乱反射した光がフレーム１４０を必要以上に細らせることがなく、設計どおりの寸法及び形状のフレーム１４０が得られる。

続いて、フレーム１４０から露出している下層コイル１０８の上面βの上にメッキ下地膜を形成し、このメッキ下地膜の上に上層コイル１１５をメッキにより形成する。これにより、図６に示される上層コイル１１５層が得られ、この上層コイル１１５は、凹面形状を有する下層コイル１０８の上面βを介して、下層コイル１０８に接続する。

上記第２実施形態によっても、フォトリソグラフィ工程の露光時（フレーム形成時）に生じる乱反射でフレーム１４０が必要以上に細められることがなくなり、フレーム１４０を精度良く形成できる。延いては、上層コイル１１５を同一ピッチで精度良く形成でき、上層コイル１１５間のショートを回避できる。これにより、フレーム１４０を細く形成して下層コイル１０８及び上層コイル１１５を太くすることで、コイル層の低抵抗化を図れる。

以上では、垂直磁気記録ヘッドが備えたソレノイド状のコイル層の層間接続に本発明を適用した実施形態について説明したが、本発明は、図９に示すように、リターンパス層１５０の接続部１５０ｂを中心に巻回したスパイラル形状のコイル層を二層構造で形成し、その下層コイル１０８と上層コイル１１５を接続する層間接続にも適用可能である。また本発明は、コイル層の層間接続だけでなく、例えば再生素子１０４の電極リード層と電極パッドの配線接続やコイルリード層と電極パッドの配線接続など、他の層間接続に適用可能である。さらに本発明は、垂直磁気記録ヘッドに限らず、長手記録方式の薄膜磁気ヘッドにも適用可能である。

本発明の第１実施形態によるソレノイド状コイルの層間接続部を備えた薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す部分縦断面図である。 図１のソレノイド状コイルの層間接続部を拡大して示す模式断面図である。 同ソレノイド状コイルの層間接続方法の一工程を示す断面図である。 図３に示す工程の次工程を示す断面図である。 図４に示す工程の次工程を示す断面図である。 本発明の第２実施形態によるソレノイド状コイルの層間接続部を拡大して示す模式断面図である。 同ソレノイド状コイルの層間接続方法の一工程を示す断面図である。 図７に示す工程の次工程を示す断面図である。 本発明を適用可能なスパイラル形状のコイル層を備えた薄膜磁気ヘッドの積層構造を示す部分縦断面図である。 従来の層間接続方法を説明する模式断面図である。

符号の説明

１０７ コイル絶縁下地層
１０８ 下層コイル
１０９ コイル絶縁層
１０９ａ 開口部
１１５ 上層コイル
１３０ コンタクト部
１４０ フレーム
Ｈ 薄膜磁気ヘッド
α 層間接続面（コンタクト部の上面）
β 層間接続面（下層コイルの上面）

Claims (12)

1. 薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層したメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記メタル積層部の下部メタル層と上部メタル層の層間接続面を、下部メタル層側に窪ませた凹面形状としたことを特徴とする薄膜磁気ヘッド。
2. 請求項１記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記凹面形状は、前記下部メタル層及び前記上部メタル層の長手方向と直交する方向に一様な断面を有している薄膜磁気ヘッド。
3. 請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部メタル層と前記上部メタル層はコンタクト部を介して積層され、このコンタクト部の上部メタル層に接する面が前記凹面形状をなしている薄膜磁気ヘッド。
4. 請求項１または２記載の薄膜磁気ヘッドにおいて、前記下部メタル層と前記上部メタル層は直に積層され、該下部メタル層の上面が前記凹面形状をなしている薄膜磁気ヘッド。
5. 薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層してなるメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記下部メタル層の上面を平坦化する工程と、
   この下部メタル層の平坦面上に、導電材料からなるコンタクト部を形成する工程と、
   形成したコンタクト部の上面を凹面加工する工程と、
   このコンタクト部の凹面上に、フレームメッキ法を用いて前記上部メタル層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
6. 請求項５記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記凹面加工では、前記下部メタル層の長手方向と直交する方向に一様な断面を有する凹面形状とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
7. 請求項５または６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ミリングにより、前記コンタクト部の上面を凹面加工する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
8. 請求項５または６記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、酸性スラリーを用いたＣＭＰ加工により、前記コンタクト部の上面を凹面加工する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
9. 薄膜の積層構造からなり、この積層構造中に、下部メタル層の上に上部メタル層を積層してなるメタル積層部を有する薄膜磁気ヘッドにおいて、
   前記下部メタル層の上面を凹面加工する工程と、
   この下部メタル層の凹面上に、フレームメッキ法を用いて前記上部メタル層を形成する工程と、
   を有することを特徴とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
10. 請求項９記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、前記凹面加工では、前記下部メタル層の長手方向と直交する方向に一様な断面を有する凹面形状とする薄膜磁気ヘッドの製造方法。
11. 請求項９または１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、ミリングにより、前記下部メタル層の上面を凹面加工する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
12. 請求項９または１０記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法において、酸性スラリーを用いたＣＭＰ加工により、前記下部メタル層の上面を凹面加工する薄膜磁気ヘッドの製造方法。

Images