JP2010061715A - 磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置 - Google Patents

Abstract

【課題】主磁極の絞り部形状を高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、基板１１上に薄膜を順次積層して形成した基体６上に、磁気シールド１８および補助磁極１９を形成する工程と、前記磁気シールド１８および前記補助磁極１９が被覆されるように、絶縁層３６を形成する工程と、少なくとも前記磁気シールド１８と前記補助磁極１９との間に位置する絶縁層３６を、該絶縁層３６の上面が該磁気シールド１８および該補助磁極１９の上面よりも低くなるまでウェットエッチングする工程と、前記磁気シールド１８、前記補助磁極１９および前記絶縁層３６上に、鍍金ベース２０を介して主磁極２１を形成する工程とを備える。
【選択図】図１

Description

本発明は、磁気ヘッドの製造方法および情報記憶装置に関し、特に、磁気ディスク装置に用いられる垂直磁気記録方式の磁気ヘッドの製造方法、および当該磁気ヘッドを備える情報記憶装置に関する。

近年、磁気ディスク装置等の情報記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。

このような背景の下、垂直磁気記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気記録ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の情報記憶装置において、高記録密度化を目的とする狭トラック化を図るため、隣接トラックへの漏れ磁界を防いで、隣接トラックへのはみ出し記録（サイドイレーズ）を防ぐことが課題となっている。この課題に対して、非特許文献１、特許文献１において、垂直磁気記録ヘッドの主磁極のリーディング側に配置されるシールド（以下、「リーディングシールド」という）を設け、サイドイレーズを抑制する構造が提案されている。

第３１回日本応用磁気学会学術講演概要集（２００７）、１４ｐＥ−２、ｐ３９１ 特開２００５−３１０３６３号公報

その一方で、リーディングシールドによる記録磁界低下の影響も指摘されており、記録特性に優れる主磁極を高精度に形成することが求められている。

本発明は、主磁極の絞り部形状を高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。

この磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、磁気シールドおよび補助磁極を形成する工程と、前記磁気シールドおよび前記補助磁極が被覆されるように、絶縁層を形成する工程と、少なくとも前記磁気シールドと前記補助磁極との間に位置する絶縁層を、該絶縁層の上面が該磁気シールドおよび該補助磁極の上面よりも低くなるまでウェットエッチングする工程と、前記磁気シールド、前記補助磁極および前記絶縁層上に、鍍金ベースを介して主磁極を形成する工程と、を備えることを要件とする。

本発明によれば、特に、主磁極先端部下面の絞り部形状を高精度に形成することが可能となる。

以下、図面を参照して、本発明の実施の形態について詳しく説明する。図１は、本発明の実施の形態に係る磁気記録ヘッド１の例を示す概略図（コア幅方向に垂直な断面図）である。図２〜図１３は、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１の製造方法の例を説明するための説明図である。図１４は、図１の磁気記録ヘッド１の主磁極２１の先端部近傍の拡大図である。図１５は、本発明の実施の形態に係る情報記憶装置５０の例を示す概略図である。

本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する磁気ヘッドである。
記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド１として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。

図１に示すように、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図１はコア幅方向に垂直な方向の断面図として図示している。なお、図中の符合５は浮上面（媒体対向面）を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。

先ず、再生ヘッド部２の構成例を説明する。ベースとなるウエハ基板１１上に、再生ヘッド部２の下部シールド層１２が形成される。
下部シールド層１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果型再生素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符号３０は、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層である。

再生素子１３および絶縁層３０上に、上部シールド層１４が形成される。なお、上部シールド層１４、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。

次に、記録ヘッド部３の構成例を説明する。前記上部シールド層１４上に絶縁層３１が形成される。絶縁層３１上に、磁性材料からなる第１リターンヨーク１５が形成される。
第１リターンヨーク１５上にＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３２が形成され、絶縁層３２上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１６が形成され、さらに、第１コイル１６を覆うように、レジスト等からなる絶縁層３４が形成される。なお、符号３３は、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層である。

第１コイル１６、絶縁層３３、絶縁層３４の上には、同図のようにＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料からなる絶縁層３５を一部に介しつつ、補助磁極１９が設けられる。なお、一例として、補助磁極１９は磁性材料（後述）によって構成される。
また、絶縁層３５上の浮上面５寄りには、補助磁極１９と連続するように絶縁層３６が形成され、さらに同図のように、絶縁層３５上の浮上面５寄りの先端部には、磁性材料からなるリーディングシールド１８が形成される。
ここで、符号１７は、補助磁極１９およびリーディングシールド１８を鍍金プロセスによって形成する場合の鍍金ベースであり、当該鍍金ベース１７は一例として、下層から順にＴｉ（チタン）層１７Ａ、ＮｉＦｅ層１７Ｂの２層構造が用いられる。
なお、本実施の形態においては、基板１１から鍍金ベース１７に至るまでの積層構造を「基体」という（図中、符号６）。ただし、基体６については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。

また、リーディングシールド１８、補助磁極１９、絶縁層３６の上には、磁性材料からなる主磁極２１が形成される。なお、主磁極２１を形成する方法は複数考えられるが、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベース２０を形成し、その上に主磁極２１を形成することとなる。一例として、鍍金ベース２０には、下層から順にＴｉ層２１Ａ、Ｒｕ（ルテニウム）層２１Ｂ、ＮｉＦｅ層２１Ｃの３層構造が用いられる。
なお、主磁極２１は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。

また、主磁極２１の上には、トレーリングギャップ３７およびバックギャップ２２が設けられ、トレーリングギャップ３７の一部の上に、トレーリングシールド２４が設けられる。一例として、トレーリングギャップ３７はＡｌ_２Ｏ_３等の絶縁材料により形成され、トレーリングシールド２４およびバックギャップ２２は磁性材料により形成される。
なお、トレーリングシールド２４およびバックギャップ２２の周囲は、Ａｌ_２Ｏ_３等を用いた絶縁層３８が積層される。本実施の形態においては、この段階で、バックギャップ２２、トレーリングシールド２４、絶縁層３８の上面が同一平面に平坦化されて形成される。

さらに、その上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に第２コイル２３が形成される。
また、第２コイル２３の巻線間および巻線上に絶縁層３９が設けられる。絶縁層３９は、一例として、レジスト等の絶縁材料により形成される。

絶縁層３９の上には、第２リターンヨーク２６が設けられる。一例として、第２リターンヨーク２６は磁性材料により形成される。なお、符号２５は、第２リターンヨーク２６を鍍金プロセスによって形成する場合の鍍金ベースである。
また、第２リターンヨーク２６の上には、Ａｌ_２Ｏ_３等を用いた絶縁層４０が積層される。

なお、第１リターンヨーク１５、リーディングシールド１８、補助磁極１９、主磁極２１、バックギャップ２２、トレーリングシールド２４、第２リターンヨーク２６を構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高く且つμ（透磁率）が低い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。

ここで、リーディングシールドの作用と従来の課題について説明する。
従来、リーディングシールドは、磁気ヘッド（磁気記録ヘッド）のライトイレーズ改善のために提案された技術であり、主磁極下部（リーディング側）にリーディングシールドを設ける構造とすることによって、トラック幅方向の磁界広がりを抑制し、サイドイレーズを防止することが可能となる。しかし、それと同時に、記録能力自体の低下（記録磁界強度の低下）を招いてしまうという課題が指摘されていた。
この点、記録能力向上のためには主磁極の浮上面寄り先端部に絞り部を設ける構造が効果的であるが、主磁極下部に絞り形状を持たせた構造を上記のリーディングシールド構造と組み合わせる場合、パターニング工程やイオンミル工程等を追加しなければならず、工程増加（小工程で２０工程前後の増加）が課題となる。
さらに、リーディングシールドのハイトコントロールに加えて、主磁極の絞り部のハイトコントロールが必要となるため、管理が複雑化・高度化してしまうという課題が生じる。

続いて、本実施の形態に係る磁気ヘッド１の製造方法について説明する（図２〜図１３参照）。
当該製造方法の概要として、再生ヘッド部２を形成した後、記録ヘッド部３を形成することとなるが、本実施の形態に特徴的な工程から説明を行う。
先ず、ウエハ基板１１上に薄膜を順次積層し、第１コイル１６、絶縁層３３、絶縁層３４で構成される層に至るまでの積層構造を形成する。一例として、それらの上面が連続する同一平面となるようにＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ：化学的機械的研磨）プロセス（第１のＣＭＰプロセス）によって平坦化し、次いで、レジスト材料によるマスク（不図示）を形成した後、スパッタリングにより絶縁層３５の形成を行い、当該マスクをリフトオフプロセスにより除去する。
ここまでの形成が完了した状態を図２（ａ）、（ｂ）に示す。ここで、図２（ａ）は積層体を浮上面５側から視た端面図（断面図）であり、図２（ｂ）は、積層体のコア幅方向に垂直な断面図であり、いずれも絶縁層３５よりも下層は図示を省略している。なお、この図示方法は、図２〜図１３までの各図における（ａ）、（ｂ）について共通である。

次いで、図３（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層３４、絶縁層３５の上に鍍金ベース１７をスパッタリングによって形成する。なお、本実施の形態では、Ｔｉ層１７Ａ、ＮｉＦｅ層１７Ｂの順に（図１参照）、それぞれスパッタリングを行う。

次いで、鍍金ベース１７上にリーディングシールドおよび補助磁極を形成する。
一例として、フォトリソグラフィプロセスが用いられ、より具体的には、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、鍍金ベース１７上に、レジスト材料４１を塗布し、露光・現像によるパターン形成が行われる。
次いで、図５（ａ）、（ｂ）に示すように、鍍金プロセスによって、当該パターン内にリーディングシールド１８および補助磁極１９が形成される。このとき、補助磁極１９は、鍍金ベース１７を介して絶縁層３４と絶縁層３５とに跨るようにそれらの上層に形成される。
ここで、上記のパターン（レジスト材料４１）の形成およびリーディングシールド１８の形成に関して、リーディングシールド１８の浮上面５位置からの素子高さ方向の長さが、後工程において形成されることとなる主磁極２１の浮上面５寄り先端部下面に設けられる絞り部２１Ａの長さと同一長さに設定する。当該構成によって、本実施の形態に特徴的な作用効果が奏されることとなる（詳細は後述）。

次いで、図６（ａ）、（ｂ）に示すように、リーディングシールド１８および補助磁極１９が形成されていない領域の鍍金ベース１７を、ドライエッチング（例えばイオンミルプロセス）によって除去したうえで、リーディングシールド１８および補助磁極１９が被覆されるように、絶縁層３６をスパッタリングによって形成する。当該絶縁層３６は、絶縁材料（例えばＡｌ_２Ｏ_３等）を用いて形成する。

次いで、図７（ａ）、（ｂ）に示すように、ＣＭＰプロセス（第２のＣＭＰプロセス）によって、リーディングシールド１８、補助磁極１９および絶縁層３６の上面が連続する平坦面となるように平坦化を行う。

次いで、図８（ａ）、（ｂ）に示すように、絶縁層３６の上面が、リーディングシールド１８および補助磁極１９の上面よりも低くなるまでウェットエッチングを行って、絶縁層３６の一部（上部）を除去する。本実施の形態では、絶縁層３６の上面が、リーディングシールド１８の上面よりも３０［ｎｍ］低くなる位置までウェットエッチングを行う。一例として、当該ウェットエッチングは、エッチング液としてアルカリ性エッチング液を用いてエッチングが行われる。なお、当該アルカリ性エッチング液として、前工程のＣＭＰプロセスで洗浄に用いられるアルカリ洗浄液、あるいは前記フォトリソグラフィプロセスにおけるフォトレジスト用現像液を使用すれば、あらためて専用のエッチング液を用意する必要がなく、生産コストの面で有利である。
この工程によって、リーディングシールド１８と絶縁層３６との境界を、なだらかに連続するスロープ状に形成することが可能となる。その結果、後工程で形成される主磁極２１において、絞り部（絞り部２１Ａ）と非絞り部とがなだらかに連続するスロープ状となるように形成される効果が得られる（図１４参照）。すなわち、主磁極は、角部を有する段差部があると記録特性に悪影響を与えてしまうが、本実施の形態の主磁極２１では、絞り部にそのような段差部が生じず、なだらかなスロープ状に形成されるため、記録特性を向上させることが可能となる。

次いで、図９（ａ）、（ｂ）に示すように、全面に鍍金ベース２０をスパッタリングによって形成する。なお、本実施の形態では、Ｔｉ層２０Ａ、Ｒｕ層２０Ｂ、ＮｉＦｅ層２０Ｃの順に（図１参照）、それぞれスパッタリングを行う。
当該鍍金ベース２０は、後工程で形成される主磁極２１の鍍金プロセス用の下地として機能すると共に、当該主磁極２１とリーディングシールド１８との間のギャップ（「リーディングシールドギャップ」という）としても機能する。

次いで、図１０（ａ）、（ｂ）に示すように、鍍金ベース２０上に主磁極２１を形成する。ここで、主磁極２１の形成は、レジスト塗布 − パターニング − ポストベーク − 現像 − 電解鍍金 − レジスト除去、のいわゆるレジストリフロープロセスによって行う。より具体的には、浮上面５位置における断面形状が逆台形状の溝を有するレジスト層（不図示）を形成し、鍍金プロセスによって、当該溝内に主磁極となる磁性層を形成し、リフトオフプロセスによって、当該レジスト層を除去する。
このようにして、浮上面５位置における形状が下層側から上層側に向かって逆台形状を有し、サイドイレーズ防止に効果的な主磁極が形成される。

このとき、図１０（ｂ）に示すように、主磁極２１の浮上面５寄りの先端部下面に絞り部２１Ａが形成される。
仮に、絞り部２１Ａをパターニングおよびイオンミルによって形成位置のコントロールをしようとすると、追加工程が大幅に増加してしまい（小工程で２０工程前後増加）、加えて、パターニングおよびイオンミルそれぞれにおいて複雑で高度なハイトコントロール管理が必要となってしまうのに対し、本実施の形態によれば、たった１工程程度の工程増加で済み、且つ、絞り部２１Ａの形成位置はおのずと、リーディングシールド１８と絶縁層３６との境界位置に定まるため、形成位置をコントロールするための複雑・高度な管理が不要となるという顕著な効果が奏される。
逆に言えば、絞り部２１Ａを所望の長さに形成するためには、リーディングシールド１８の浮上面５位置からの素子高さ方向の長さを、その絞り部２１Ａの長さと同一に形成するだけで、絞り部２１Ａを高精度に所望の長さに形成することが可能となる。

次いで、図１１（ａ）、（ｂ）に示すように、主磁極２１が被覆されるように、ストッパ層４２をスパッタリングによって形成する。なお、本実施形態では、主磁極２１の上方のストッパ層４２が、後工程（図１２で示される工程）において、ＣＭＰプロセスのストッパとしての機能も果たす。これらを踏まえて、ストッパ層４２を構成する材料の例としては、非磁性の金属材料であるタンタル（Ｔａ）、ルテニウム（Ｒｕ）等を用いることが考えられる。

次いで、図１２（ａ）、（ｂ）に示すように、まずＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層４３を全面に形成したうえで、ＣＭＰプロセス（第３のＣＭＰプロセス）によって、ストッパ層４２の上面が表出するまで、絶縁層４３の研磨（除去）を行う。このとき、ストッパ層４２（一例としてＴａ層）が、当該ＣＭＰプロセスではほとんど膜減りしないため、ストッパとして機能する。
次いで、反応性ガスを用いるドライエッチング（例えばＲＩＥ：Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）によって、主磁極２１の上面が表出するまでストッパ層４２を除去する。ここで、反応性ガスとしては、フッ素系反応性ガス（例えばＣＦ４）等の使用が考えられる。なお、他の例として、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ Ｃｏｕｐｌｅｄ Ｐｌａｓｍａ）によりドライエッチングを行ってもよい。
さらに、ＣＭＰプロセス（第４のＣＭＰプロセス）により、主磁極２１の上面が平坦化されるまで研磨する工程を実施する。このとき、絶縁層４３についても、当該主磁極２１の上面と連続する平面となるように研磨される。一例として、主磁極２１の膜厚方向高さを１６０［ｎｍ］程度に形成する。
ここで、当該主磁極２１上面の平坦化工程を、ＣＭＰプロセスに代えて、ドライエッチング（例えば「イオンミリング」）によって行う方法も考えられるが、平坦化精度を向上させる観点においては、ＣＭＰプロセスが好適である。

次いで、図１３（ａ）、（ｂ）に示すように、主磁極２１上に、レジスト材料（不図示）を塗布し、露光・現像によりパターン形成を行った後、ドライエッチング（例えばイオンミルプロセス）を行い、主磁極２１の浮上面５寄りの先端部上面に絞り部２１Ｂを形成する。
このようにして、主磁極２１浮上面５寄りの先端部下面および上面に、それぞれ絞り部２１Ａ、２１Ｂを形成することができ、記録磁界強度を増加させることが可能となる。

その後、トレーリングギャップ３７、トレーリングシールド２４等、前述の所定層を上層に積層する工程（不図示）を実施して、最終的に図１に示す磁気ヘッド１として形成される。
ここで、磁気ヘッド１の主磁極２１先端部近傍の拡大図を図１４に示す（図１４（ａ）はコア幅方向に垂直な断面図であり、図１４（ｂ）は、浮上面５側から視た端面図である）。一例として、絞り部２１Ａは、長さ２００［ｎｍ］前後が好適であり、絞り部２１Ｂは、長さ１００［ｎｍ］前後が好適である。

続いて、本発明の実施形態に係る情報記憶装置について説明する。
上記の構成を備える磁気ヘッド１を用いて、磁気ディスク装置等を構成することにより、サイドイレーズの防止が可能で、且つより高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。

当該情報記憶装置の一例として、図１５に磁気ディスク装置５０の構成を示す。前記の磁気ヘッド１は、磁気記録媒体（磁気記録ディスク）５１との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ５２に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ５２は、ヘッドサスペンション５３のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション５３の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム５４と、該サスペンション５３および該アクチュエータアーム５４上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子１３に電気的に接続され、磁気記録ディスク５１との間で情報の読取および情報の記録を行うための電気信号を検出・送信する回路とを有する情報記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク５１が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ５２がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク５１との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。

本実施形態に係る情報記憶装置によれば、サイドイレーズ磁界の増加を抑制しつつ、記録磁界を増加させることが可能な磁気ヘッドを備えて、サイドイレーズの防止が可能となり、且つより高密度の記録が可能となる。また主磁極が高精度に形成されており、記録特性のバラツキを防止することが可能となる。

以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極の浮上面寄りの先端部下面および上面のそれぞれに絞り部を形成することができ、当該磁気ヘッドの記録磁界強度を増加させることが可能となる。なお、当該下面および上面の絞り部は、磁気ヘッドの膜構成、主磁極の全体形状等に応じて、それぞれ最適な設計値があるが、本実施の形態によれば、特に主磁極先端部下面の絞り部の長さを高精度且つ容易に形成することが可能となる。すなわち、当該下面の絞り部の形成に際し、たった１工程程度の工程増加で済み、且つ、形成位置をコントロールするための複雑・高度な管理が不要となる。
また、当該製造方法によって形成される磁気ヘッドによれば、主磁極下部にリーディングシールドを備えてサイドイレーズ磁界の増加を抑制しつつ、主磁極先端部の下面および上面に絞り部を備えて記録磁界を増加させることが可能となる。さらに、絞り部の形状精度を高精度に形成することが可能となるため、記録特性にバラツキが生じることを防止でき、信頼性に優れた情報記憶装置の実現が可能となる。

本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図（断面図）である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。 図１の磁気記録ヘッドの主磁極先端部近傍の拡大図である。 本発明の実施形態に係る磁気記録装置の例を示す概略図である。

符号の説明

１ 磁気ヘッド
２ 再生ヘッド部
３ 記録ヘッド部
５ 浮上面
６ 基体
１１ ウエハ基板
１２ 下部シールド層
１３ 再生素子
１４ 上部シールド層
１５ 第１リターンヨーク
１６ 第１コイル
１７、２０、２５ 鍍金ベース
１８ リーディングシールド
１９ 補助磁極
２１ 主磁極
２２ バックギャップ
２３ 第２コイル
２４ トレーリングシールド
２６ 第２リターンヨーク
３０〜３６、３８〜４０、４３ 絶縁層
３７ トレーリングギャップ
５０ 情報記憶装置（磁気ディスク装置）

Claims (6)

1. 基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、磁気シールドおよび補助磁極を形成する工程と、
   前記磁気シールドおよび前記補助磁極が被覆されるように、絶縁層を形成する工程と、
   少なくとも前記磁気シールドと前記補助磁極との間に位置する絶縁層を、該絶縁層の上面が該磁気シールドおよび該補助磁極の上面よりも低くなるまでウェットエッチングする工程と、
   前記磁気シールド、前記補助磁極および前記絶縁層上に、鍍金ベースを介して主磁極を形成する工程と、を備えること
   を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記磁気シールドを形成する工程は、該磁気シールドの浮上面位置からの素子高さ方向の長さが、前記主磁極の浮上面寄り先端部下面に設けられる絞り部の長さと同一長さに設定されて、該磁気シールドが形成されること
   を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記絶縁層を形成する工程と、該絶縁層をウェットエッチングする工程との間に、
   前記磁気シールド、前記補助磁極および前記絶縁層の上面が連続する平坦面となるように平坦化を行う工程を備えること
   を特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気ヘッドの製造方法。
4. 前記ウェットエッチングする工程は、エッチング液として、アルカリ性エッチング液が用いられること
   を特徴とする請求項１〜３のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記主磁極を形成する工程は、浮上面位置における端面形状が、下層から上層に向かって逆台形状となるように形成する工程と、コア幅方向に垂直な断面形状が、浮上面寄り先端部の上面に絞り部を有する形状となるように形成する工程と、を備えること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一項記載の磁気ヘッドの製造方法。
6. 請求項１〜５のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
   前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
   前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
   前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、磁気記録媒体に情報を記録するための電気信号を前記磁気ヘッドに送信する回路と、を備えること
   を特徴とする情報記憶装置。

Images