WO2009147729A1

WO2009147729A1 - 磁気ヘッドおよびその製造方法

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Publication number: WO2009147729A1
Application number: PCT/JP2008/060221
Authority: WO
Inventors: 均金井; 秀行秋元
Original assignee: 富士通株式会社
Priority date: 2008-06-03
Filing date: 2008-06-03
Publication date: 2009-12-10

Abstract

　記録磁界の減少を最小限に抑えつつ、サイドイレーズ磁界を抑制することが可能であり、それにより、高記録密度化を達成することが可能な磁気ヘッドを提供することを目的とする。　本発明に係る磁気ヘッドは、記録媒体に記録用磁界を印加する主磁極と、前記主磁極のリーディング側に絶縁層を介して配置されるシールドと、を備え、前記シールドは、媒体対向面側の端面の形状が、リーディング側からトレーリング側に向かう方向において台形状に形成される。

Description

磁気ヘッドおよびその製造方法

　本発明は、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドおよびその製造方法に関し、特に、記録媒体に高密度の磁気情報を記録するのに好適な垂直磁気記録方式の磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

　近年、磁気ディスク装置等の記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるＧＭＲ（Ｇｉａｎｔ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子、あるいは、より高い再生感度の得られるＴＭＲ（Ｔｕｎｎｅｌｉｎｇ　Ｍａｇｎｅｔｏｒｅｓｉｓｔａｎｃｅ）素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
　このような背景の下、垂直磁気記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気記録ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の記憶装置において、高記録密度化を目的とする狭トラック化を図るため、隣接トラックへの漏れ磁界を防いで、隣接トラックへのはみ出し記録（サイドイレーズ）を防ぐことが課題となっている。この課題に対して、非特許文献１において、垂直磁気記録ヘッドの主磁極のリーディング側に配置されるシールド（以下、「ボトムシールド」という）を設け、サイドイレーズを抑制する構造が提案されている。
　当該構造の例として、図５に示すように、媒体対向面側からみた端面形状が、絶縁層１３４の媒体対向面の上に、所定幅（図５中の左右方向）を有する層状のボトムシールド１１７が形成され、絶縁層１３５を介して、逆台形状の主磁極１１９が形成され、絶縁層１３６により被覆されて、さらに、トレーリングシールド１２１、リターンヨーク１２３が形成される構成である。ここで、ボトムシールド１１７の媒体対向面と垂直方向の奥行長さは、トレーリングシールド１２１の奥行長さあるいはリターンヨーク１２３の先端部の奥行長さと同程度の寸法に形成される（不図示）。
第３１回日本応用磁気学会学術講演概要集（２００７）、１４ｐＥ－２、ｐ３９１

　図６に示すグラフは、比較を行うため、構成の相違する各垂直磁気記録ヘッドについて、横軸を記録磁界強度、縦軸を記録磁界強度に対するサイドイレーズ磁界強度の比とした測定データである。グラフの右下が好適な領域であり、左上が不適な領域である。
　図６の測定データから明らかなように、図５に示す構成すなわち従来のボトムシールドを設けた垂直磁気記録ヘッド（図６中のプロットＢ）は、ボトムシールドを設けない構造のもの（図６中のプロットＡ）と比較して、確かに、サイドイレーズ磁界を抑制できる効果は認められるものの、記録媒体に記録を行うために必要となる記録磁界の強度も同時に減少させてしまい、記録性能が低下してしまうという課題が生じていた（ちなみに、図６中のプロットＣは、以下に説明する本発明に係る磁気ヘッドのデータである）。
　本発明は、記録磁界の減少を最小限に抑えつつ、サイドイレーズ磁界を抑制することが可能であり、それにより、高記録密度化を達成することが可能な磁気ヘッドを提供することを目的とする。
　本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
　この磁気ヘッドは、記録媒体に記録用磁界を印加する主磁極と、前記主磁極のリーディング側に絶縁層を介して配置されるシールドと、を備え、前記シールドは、媒体対向面側の端面の形状が、リーディング側からトレーリング側に向かう方向において台形状に形成されることを要件とする。
　これによれば、単にシールド（ボトムシールド）を設けただけの従来の磁気ヘッドと比較して、記録磁界の強度が低下してしまうことを最小限に抑えつつ、サイドイレーズ磁界の強度を低下させることが可能となる。
　また、前記シールドの媒体対向面側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、前記主磁極の媒体対向面側の端面におけるリーディング側端部の幅と同じもしくは若干大きいことを要件とする。
　これによれば、記録特性を向上させることができると共に、逆台形状の主磁極の下側に台形状のボトムシールドを備える構成を実際に形成することが可能となる。
　また、前記主磁極は、媒体対向面側の端面の形状が、リーディング側からトレーリング側に向かう方向において逆台形状に形成されることを要件とする。
　これによれば、磁気ヘッドによる記録媒体への記録時におけるサイドイレーズ防止に効果的である。
　この磁気ヘッドの製造方法は、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、シールドとなる磁性層を形成する工程と、前記の磁性層の上に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、逆台形状に主磁極を形成する工程と、前記逆台形状に形成された主磁極をマスクとして、ドライエッチングによって、前記磁性層および前記絶縁層を、共に媒体対向面と平行な断面が台形状となるように形成する工程と、を備えることを要件とする。
　これによれば、逆台形状に形成される主磁極の下側（リーディング側）に設けられる磁性層を台形状のシールドに形成することが可能となる。
　また、前記主磁極を形成する工程は、前記絶縁層の上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、鍍金プロセスによって、前記溝内に前記主磁極となる磁性層を形成する工程と、リフトオフプロセスによって、前記レジスト層を除去する工程と、を備えることを要件とする。
　これによれば、絶縁層の上に、逆台形状の主磁極を形成することが可能となる。
　また、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、シールドとなる第１の磁性層を形成する工程と、前記第１の磁性層の上に、絶縁層を形成する工程と、前記絶縁層の上に、主磁極となる第２の磁性層を形成する工程と、前記第２の磁性層の上に、第１のマスク層を形成する工程と、前記第１のマスク層の上に、第２のマスク層を形成する工程と、前記第２のマスク層の上に、第３のマスク層を所定形状に形成する工程と、前記第３のマスク層をマスクとして、第１のドライエッチングによって、前記第２のマスク層の所定領域を除去する工程と、前記所定領域が除去された第２のマスク層をマスクとして、第２のドライエッチングによって、前記第１のマスク層の所定領域を除去する工程と、前記所定領域が除去された第１のマスク層をマスクとして、第３のドライエッチングによって、前記第２の磁性層を、媒体対向面と平行な断面が逆台形状となるように形成する工程と、前記逆台形状に形成された第２の磁性層をマスクとして、第４のドライエッチングによって、前記第１の磁性層および前記絶縁層を、共に媒体対向面と平行な断面が台形状となるように形成する工程と、を備えることを要件とする。
　これによれば、主磁極を所定の傾斜角を有する逆台形状に形成でき、且つ、ボトムシールドを、媒体対向面側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、主磁極の媒体対向面側の端面におけるリーディング側端部の幅とほぼ同じ程度の形状で、所定の傾斜角を有する台形状に形成することが可能となる。
　また、前記第１のマスク層は、カーボンを用いて構成されることを要件とする。
　金属材料からなる磁性層を加工するイオンミルプロセスにおいて、当該材料が選択比の観点から好適である。
　また、前記第３のドライエッチングおよび前記第４のドライエッチングとして、イオンミルプロセスが用いられることを要件とする。
　これによれば、主磁極の傾斜角形成と、ボトムシールドの傾斜角形成とを、同一装置内における、連続工程として実施することが可能となる。
　また、前記第３のドライエッチングと前記第４のドライエッチングとは、イオンビームの照射角度を変えて実施することを要件とする。
　これによれば、イオンビームの照射角度を変えることによって、エッチング対象を主磁極から磁性層へ移行することが可能となる。

発明の効果
　本発明によれば、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドに関して、記録磁界の減少を最小限に抑え、且つサイドイレーズを抑制することが可能となる。

本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの例を示す概略図（断面図）である。図１の磁気ヘッドの主磁極およびボトムシールドの構成を示す拡大図である。図３Ａ～図３Ｅは、本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。図４Ａ～図４Ｅは本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の他の例を説明するための説明図である。従来の実施の形態に係る磁気ヘッドのボトムシールドの構成を示す概略図である。本発明の実施の形態に係る磁気ヘッドおよび従来の実施の形態に係る磁気ヘッドについて、横軸を記録磁界強度、縦軸を記録磁界強度に対するサイドイレーズ磁界強度の比とした測定データである。

　本発明の実施の形態に係る磁気ヘッド１は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部３を有する磁気ヘッドである。
　記録ヘッド部３が積層され、その積層面に直交する面に浮上面５が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面５によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
　以下、磁気ヘッド１として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。
　図１に示すように、磁気ヘッド１は、一つの実施形態として、再生ヘッド部２と記録ヘッド部３とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
　ここで、図１は媒体対向面に垂直な方向の断面図として図示している。また、図中のＴで示す側をトレーリング側、Ｒで示す側をリーディング側と呼ぶ。なお、図中の符合５は媒体対向面すなわち浮上面を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
　先ず、再生ヘッド部２の構成例を説明する。ベースとなるウエハ基板１１上に、再生ヘッド部２の下部シールド層１２が形成される。
　下部シールド層１２の上層には、再生素子１３が形成される。ここで、再生素子１３には、例えば、ＴＭＲ素子もしくはＧＭＲ素子等の磁気抵抗効果型再生素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。
　再生素子１３の両側（図１中の手前側と奥側）に、ハードバイアス膜（図示せず）が形成され、また、再生素子１３の後方には、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３１が形成される。
　再生素子１３、絶縁層３１、およびハードバイアス膜上に、上部シールド層１４が形成される。なお、上部シールド層１４、下部シールド層１２共に、ＮｉＦｅ等の磁性材料（軟磁性材）を用いて構成される。
　次に、記録ヘッド部３の構成例を説明する。前記上部シールド層１４上に絶縁層３２が形成される。
　絶縁層３２上に、磁性材料からなる第１リターンヨーク１５が形成される。
　第１リターンヨーク１５上にＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３３が形成され、絶縁層３３上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第１コイル１６が形成され、さらに、第１コイル１６を覆うように、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３４が形成される。
　また、絶縁層３４の媒体対向面５側に設けられる先端部３４ａの上に、ボトムシールド１７が形成される。ここで、磁気ヘッド１のボトムシールド１７近傍における媒体対向面５側の端面形状を図２に示す。本実施の形態においては、このボトムシールド１７の構成に特徴を有する。当該構成の詳細については製造方法と共に後述する。なお、本実施の形態においては、ウエハ基板１１から、絶縁層３４の先端部３４ａで構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
　また、ボトムシールド１７および絶縁層３４（媒体対向面５寄りの一部）の上に、Ａｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３５が形成される。さらに、絶縁層３５に連続するように、絶縁層３４の上に、磁性材料からなる盛上層１８が形成される。なお、盛上層１８を設けない構成も考えられる。
　また、絶縁層３５および盛上層１８の上に、磁性材料からなる主磁極１９が形成される。なお、主磁極１９を形成する方法は複数考えられ（詳細は後述する）、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベース層を形成し、その上に主磁極１９を形成することとなるが、当該鍍金ベース層については、機能的に主磁極１９と同視できるものであり、図の簡素化のためにも図示を省略している（その他の鍍金ベース層についても同様に図示省略）。ちなみに、主磁極１９は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。
　主磁極１９の後端側には、磁性材料からなるバックギャップ２２が形成されると共に、主磁極１９上にＡｌ_２Ｏ_３等からなる絶縁層３６が形成され、さらに絶縁層３６上に、バックギャップ２２を取り巻くように導電材料からなる第２コイル２０が形成される。また、主磁極１９の先端部の上方には、主磁極１９と間隔（トレーリングギャップと呼ばれる）を空けて、磁性材料からなるトレーリングシールド２１が形成される。さらに、第２コイル２０の層間および上層にレジスト等の絶縁材料からなる絶縁層３７が形成されると共に、さらにその上層に、バックギャップ２２およびトレーリングシールド２１に連結する磁性材料からなる第２リターンヨーク２３が形成される。
　さらに、第２リターンヨーク２３上に保護層（不図示）が形成される等して、磁気ヘッド１が所定の積層構造として完成される。
　なお、第１リターンヨーク１５、ボトムシールド１７、盛上層１８、主磁極１９、トレーリングシールド２１、バックギャップ２２、第２リターンヨーク２３を構成する磁性材料としては、ＢＳ（飽和磁束密度）が高く且つμ（透磁率）が低い磁性材料（軟磁性材）を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ等が挙げられる。
　続いて、本実施の形態に係る磁気ヘッド１の製造方法について説明する。
　当該製造方法の概要として、再生ヘッド部２を形成した後、記録ヘッド部３を形成することとなるが、本実施の形態に特徴的な工程から説明を行う。
　先ず、図３Ａで示される形状に至るまでの工程を説明する。ウエハ基板１１上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層３４の先端部３４ａで構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体を形成した後、当該基体の上に、後の工程で所定形状のボトムシールド１７に加工されることとなる磁性層（第１の磁性層）１７’を形成する。一例として、磁性層１７’は、磁性材料であるＣｏＮｉＦｅを用いて、鍍金プロセスにより、厚さ６００［ｎｍ］程度に形成する。
　次いで、磁性層１７’の上に、絶縁層３５’を形成する。一例として、絶縁層３５’は、絶縁材料であるＡｌ_２Ｏ_３を用いて、スパッタリングにより、厚さ５０［ｎｍ］程度に形成する。
　次いで、絶縁層３５’の上に、後の工程で所定形状の主磁極１９に加工されることとなる磁性層（第２の磁性層）１９’を形成する。一例として、磁性層１９’は、磁性材料であるＣｏＮｉＦｅを用いて、鍍金プロセスにより、厚さ２００［ｎｍ］程度に形成する。
　次いで、磁性層１９’の上に、後のエッチング工程でマスクとして機能することとなるマスク層（第１のマスク層）４０’を形成する。一例として、マスク層４０’は、カーボンを用いて、スパッタリングにより形成する。
　次いで、マスク層４０’の上に、後のエッチング工程でマスクとして機能することとなるマスク層（第２のマスク層）４１’を形成する。一例として、マスク層４１’は、ＮｉＦｅを用いて、スパッタリングにより形成する。
　次いで、マスク層４１’の上に、後のエッチング工程でマスクとして機能することとなるマスク層（第３のマスク層）４２を形成する。一例として、マスク層４２は、レジスト材料を用いて、フォトリソグラフィプロセスにより所定形状に形成する。ここで、所定形状とは、下層のマスク層４１’においてエッチングによる除去を行わない領域に対応させた形状である。
　ここまでの形成が完了した状態を図３Ａに示す。この図は、媒体対向面５側から視た端面図（断面図）であって、基体よりも下層は図示を省略している（図３Ｂ～４Ｅにおいて同じ）。
　次いで、図３Ｂに示すように、所定形状に形成されたマスク層４２をマスクとして、ドライエッチング（第１のドライエッチング）プロセスによって（図中の矢印方向）、マスク層４１’の所定領域を除去する。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、金属材料（ここではＮｉＦｅ）からなるマスク層４１’の除去に好適なイオンミルプロセスを用いる。なお、そのために、マスク層４２にはレジスト材料が用いられることが選択比の観点から好適である。
　次いで、図３Ｃに示すように、所定領域が除去されることによって所定形状に形成されたマスク層４１をマスクとして、ドライエッチング（第２のドライエッチング）プロセスによって（図中の矢印方向）、マスク層４０’の所定領域を除去する。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、カーボンからなるマスク層４０’の除去に好適なＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ　Ｉｏｎ　Ｅｔｃｈｉｎｇ）プロセスを用いる。なお、そのために、マスク層４１には金属材料が用いられることが選択比の観点から好適である。ここで、ＲＩＥプロセス以外に、ＩＣＰ（Ｉｎｄｕｃｔｉｖｅｌｙ　Ｃｏｕｐｌｅｄ　Ｐｌａｓｍａ）プロセスを用いることも考えられる。
　次いで、図３Ｄに示すように、所定領域が除去されることによって所定形状に形成されたマスク層４０をマスクとして、ドライエッチング（第３のドライエッチング）プロセスによって、磁性層１９’を、媒体対向面５と平行な断面（少なくとも媒体対向面側の端面）がリーディング側からトレーリング側に向かう方向において逆台形状（傾斜角αは８０［°］程度）となるようにエッチングして、主磁極１９を形成する。この時点で、マスク層４０は、主磁極１９の上面（トレーリング側の端面）の上に所定厚さで残存している。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、金属材料（ここではＣｏＮｉＦｅ）からなる磁性層１９’の加工（除去）に好適なイオンミルプロセスを用いる。なお、そのために、マスク層４０にはカーボンが用いられることが選択比の観点から好適である。
　次いで、図３Ｅに示すように、上面にマスク層４０が残存している主磁極１９をマスクとして、ドライエッチング（第４のドライエッチング）プロセスによって、磁性層１７’を、媒体対向面５と平行な断面（少なくとも媒体対向面側の端面）がリーディング側からトレーリング側に向かう方向において台形状（傾斜角βは６０［°］程度）となるようにエッチングして、ボトムシールド１７を形成する。
　一例として、当該ドライエッチングプロセスには、金属材料（ここではＣｏＮｉＦｅ）からなる磁性層１７’の加工（除去）に好適なイオンミルプロセスを用いる。
　ここで、当該第４のドライエッチングは、前記第３のドライエッチングと同じイオンミルプロセスが採用可能なように、イオンビームの照射角度（図中の矢印方向）を変えることによって、エッチング対象を主磁極１９から磁性層１７’への移行を図っている（ただし、主磁極１９も若干エッチングされることとなる）。その結果、同一装置内における、連続工程として実施することが可能となり、非常に効率的な製造が可能となる。
　また、この工程において、絶縁層３５’も磁性層１７’と同様にエッチングされるため、媒体対向面５と平行な断面（少なくとも媒体対向面側の端面）がリーディング側からトレーリング側に向かう方向において台形状となる。ちなみに、本実施の形態では、ボトムシールド１７の媒体対向面５側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、絶縁層３５の媒体対向面５側の端面におけるリーディング側端部の幅と同じとなり（図中ｄ１）、且つ、絶縁層３５の媒体対向面５側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、主磁極１９の媒体対向面５側の端面におけるリーディング側端部の幅と同じとなる（図中ｄ２）。
　上記のようにして、主磁極１９を所定の傾斜角αを有する逆台形状に形成でき、且つ、ボトムシールド１７を、媒体対向面５側の端面におけるトレーリング側端部の幅ｄ１が、主磁極１９の媒体対向面５側の端面におけるリーディング側端部の幅ｄ２とほぼ同じ程度、より具体的には若干大きい程度の形状を有すると共に、所定の傾斜角βを有する台形状に形成することが可能となる。
　なお、この後の工程としては、主磁極１９の上面（トレーリング側の端面）の上に所定厚さで残存しているマスク層４０を、酸素ガスを用いたドライエッチング等によって除去し、その後、ボトムシールド１７および主磁極１９の周囲を絶縁層３４、３６で覆い、前述の膜構成となる積層を行い、最終的に図２で示される構成の磁気ヘッド１として完成に至る。
　続いて、他の実施の形態に係る製造方法について説明する。
　この製造方法は、第一の実施の形態に係る製造方法と比較して、逆台形状の主磁極１９を形成する工程すなわち前述の図３Ａ～３Ｄまでの工程が相違する。
　より詳しくは、図４Ａに示すように、先ず、ウエハ基板１１上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層３４の先端部３４ａで構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体を形成した後、当該基体の上に、後の工程で所定形状のボトムシールド１７に加工されることとなる磁性層（第１の磁性層）１７’を形成する。一例として、磁性層１７’は、磁性材料であるＣｏＮｉＦｅを用いて、鍍金プロセスにより、厚さ６００［ｎｍ］程度に形成する。
　次いで、磁性層１７’の上に、絶縁層３５’を形成する。一例として、絶縁層３５’は、絶縁材料であるＡｌ_２Ｏ_３を用いて、スパッタリングにより、厚さ５０［ｎｍ］程度に形成する。
　次いで、図４Ｂに示すように、絶縁層３５’の上に、逆台形状の溝４３ａを有するレジスト層４３を形成する。一例として、レジスト層４３は、フォトリソグラフィプロセスによって形成する。なお、溝４３ａは、開口部の幅（図中の左右方向）が１００～１５０［ｎｍ］程度、深さ（図中の上下方向）が２００［ｎｍ］程度、傾斜角γが８０［°］程度に形成する。
　次いで、図４Ｃに示すように、レジスト層４３の溝４３ａ内に主磁極１９を形成する。一例として、磁性層１９は、磁性材料であるＣｏＮｉＦｅを用いて、鍍金プロセスにより形成する。
　次いで、図４Ｄに示すように、主磁極１９上にカーボンからなるマスク層４０を形成する。一例として、マスク層４０は、レジスト層４３上および主磁極１９上にスパッタリングによってカーボン層を形成した後、ＲＩＥプロセスによって当該カーボン層の主磁極１９上部領域以外を除去することによって形成する。
　次いで、図４Ｅに示すように、リフトオフプロセスによって、レジスト層４３を除去することによって、前記図３Ｄと同様の形状が完成する。
　以上説明した通り、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極を所定の傾斜角を有する逆台形状に形成でき、且つ、ボトムシールドを、媒体対向面側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、主磁極の媒体対向面側の端面におけるリーディング側端部の幅とほぼ同じ程度の形状で、所定の傾斜角を有する台形状に形成することが可能となる。特に、主磁極の傾斜角形成と、ボトムシールドの傾斜角形成とを、同一装置内における、連続工程として実施することが可能であり、製造コストを抑えた効率的な製造が可能となる。
　また、このようにして、形成される本実施の形態に係る磁気ヘッドは、主磁極が逆台形状を備えることによって、サイドイレーズ防止効果を奏することに加えて、ボトムシールドが台形状を備えることによって、単に層状のボトムシールドを設けただけの従来の磁気ヘッド（図６中プロットＢ）と比較して、記録磁界の強度が低下してしまうことを最小限に抑えつつ、サイドイレーズ磁界の強度を低下させることが可能となる（図６中プロットＣ）。これにより、記録特性に非常に優れる磁気ヘッドが提供され、垂直磁気記録方式の記憶装置における高記録密度化の達成が可能となる。

Claims

　記録媒体に記録用磁界を印加する主磁極と、
前記主磁極のリーディング側に絶縁層を介して配置されるシールドと、を備え、
　前記シールドは、媒体対向面側の端面の形状が、リーディング側からトレーリング側に向かう方向において台形状に形成されること
を特徴とする磁気ヘッド。
前記シールドの媒体対向面側の端面におけるトレーリング側端部の幅が、前記主磁極の媒体対向面側の端面におけるリーディング側端部の幅と同じもしくは若干大きいこと
を特徴とする請求項１記載の磁気ヘッド。
前記主磁極は、媒体対向面側の端面の形状が、リーディング側からトレーリング側に向かう方向において逆台形状に形成されること
を特徴とする請求項１または請求項２記載の磁気ヘッド。
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、シールドとなる磁性層を形成する工程と、
　前記の磁性層の上に、絶縁層を形成する工程と、
　前記絶縁層の上に、逆台形状に主磁極を形成する工程と、
　前記逆台形状に形成された主磁極をマスクとして、ドライエッチングによって、前記磁性層および前記絶縁層を、共に媒体対向面と平行な断面が台形状となるように形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
　前記主磁極を形成する工程は、
　前記絶縁層の上に、逆台形状の溝を有するレジスト層を形成する工程と、
　鍍金プロセスによって、前記溝内に前記主磁極となる磁性層を形成する工程と、
　リフトオフプロセスによって、前記レジスト層を除去する工程と、を備えること
を特徴とする請求項４記載の磁気ヘッドの製造方法。
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、シールドとなる第１の磁性層を形成する工程と、
　前記第１の磁性層の上に、絶縁層を形成する工程と、
　前記絶縁層の上に、主磁極となる第２の磁性層を形成する工程と、
　前記第２の磁性層の上に、第１のマスク層を形成する工程と、
　前記第１のマスク層の上に、第２のマスク層を形成する工程と、
　前記第２のマスク層の上に、第３のマスク層を所定形状に形成する工程と、
前記第３のマスク層をマスクとして、第１のドライエッチングによって、前記第２のマスク層の所定領域を除去する工程と、
前記所定領域が除去された第２のマスク層をマスクとして、第２のドライエッチングによって、前記第１のマスク層の所定領域を除去する工程と、
前記所定領域が除去された第１のマスク層をマスクとして、第３のドライエッチングによって、前記第２の磁性層を、媒体対向面と平行な断面が逆台形状となるように形成する工程と、
　前記逆台形状に形成された第２の磁性層をマスクとして、第４のドライエッチングによって、前記第１の磁性層および前記絶縁層を、共に媒体対向面と平行な断面が台形状となるように形成する工程と、を備えること
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
　前記第１のマスク層は、カーボンを用いて構成されること
を特徴とする請求項６記載の磁気ヘッドの製造方法。
　前記第３のドライエッチングおよび前記第４のドライエッチングとして、イオンミルプロセスが用いられること
を特徴とする請求項６または請求項７記載の磁気ヘッドの製造方法。
　前記第３のドライエッチングと前記第４のドライエッチングとは、イオンビームの照射角度を変えて実施すること
を特徴とする請求項８記載の磁気ヘッドの製造方法。