JP5718384B2 - 主磁極とシールドを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドに関し、特に、主磁極とシールドとを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドに関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッド部と、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッド部とを、基板の上面上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッド部は、記録媒体の面に対して垂直な方向の記録磁界を発生する主磁極を備えている。主磁極は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッド部には、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端（リーディング端）と空気流出端（トレーリング端）とを有している。そして、空気流入端から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。

ここで、基準の位置に対して、よりリーディング端に近い位置をリーディング側と定義し、基準の位置に対して、よりトレーリング端に近い位置をトレーリング側と定義する。リーディング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の後側である。トレーリング側は、スライダに対する記録媒体の進行方向の前側である。

スライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面におけるトレーリング端近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの信号の記録時に、記録対象のトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が消去されたり減衰したりする現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じる場合がある。高記録密度化のためには、隣接トラック消去の発生を抑制する必要がある。

上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制すると共に記録密度を向上させる技術としては、主磁極の近傍に記録シールドを設ける技術が有効である。例えば、特許文献１や、特許文献２には、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有する記録シールドを備えた磁気ヘッドが開示されている。

一般的に、記録シールドを備えた磁気ヘッドでは、主磁極のうちの媒体対向面から離れた部分と記録シールドとを接続する１つ以上の帰磁路部が設けられる。記録シールドと１つ以上の帰磁路部は、主磁極の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。また、記録シールドと１つ以上の帰磁路部は、主磁極の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を、主磁極に還流させる機能も有している。記録シールドを備えた磁気ヘッドによれば、隣接トラック消去の発生を抑制することが可能になると共に、記録密度のより一層の向上が可能になる。

特許文献１や、特許文献２には、上記１つ以上の帰磁路部として、主磁極のリーディング側に配置された帰磁路部と、主磁極のトレーリング側に配置された帰磁路部とを備えた磁気ヘッドが記載されている。

特開２００５−１８２９８７号公報 特開２０１０−１５７３０３号公報

一般的に、記録シールドおよび１つ以上の帰磁路部を含む磁路は、複数の磁性層を含む磁気構造体として構成される。以下、この磁気構造体を構成する複数の磁性層の形成方法について考える。磁気構造体を構成する複数の磁性層のうちの少なくとも１つは、記録シールドを構成する。複数の磁性層の各々は、例えば電気めっき法によって形成される。電気めっき法を用いた磁性層の一般的な形成方法では、まず、後に磁性層が形成される予定の構造物の表面に、導電性のシード層を形成する。このシード層は、電気めっきを行う際の陰極としての役割と、電気めっき法によって形成される磁性層のシードとしての役割を有する。次に、陽極が配置されている電解液に、シード層が形成された構造物を浸漬する。次に、陰極であるシード層と、陽極とを用いて、電解液に通電して、シード層上に、磁性層となるめっき膜を形成する。

上記の方法で磁性層を形成する際のシード層は、前記磁気構造体の一部となる。シード層の材料は、磁性材料であることが好ましい。特に、第１の磁性層の上にシード層を介して第２の磁性層を形成する場合におけるシード層の材料は、磁性材料であることが好ましい。

前記磁気構造体を構成する複数の磁性層のうち、記録シールドを構成する少なくとも１つの磁性層は、媒体対向面に配置された端面を有している。更に、１つ以上の帰磁路部を構成する少なくとも１つの磁性層も、媒体対向面に配置された端面を有する場合もある。

ここで、第１の磁性層と、その上にシード層を介して形成された第２の磁性層が、いずれも、媒体対向面に配置された端面を有している場合について考える。この場合、前述の電気めっき法を用いた磁性層の一般的な形成方法によれば、第１の磁性層と第２の磁性層の間に介在するシード層は、媒体対向面に露出した端部を有することになる。

以下、上述のように、第１の磁性層と第２の磁性層が、いずれも、媒体対向面に配置された端面を有し、第１の磁性層と第２の磁性層の間に介在するシード層が媒体対向面に露出した端部を有する場合の問題点について説明する。シード層の材料が第１および第２の磁性層の材料と異なる場合には、当然、シード層は、第１および第２の磁性層とは異質な層となる。シード層の材料が第１および第２の磁性層の材料と同じであっても、シード層の形成方法が第１および第２の磁性層とは異なることにより、シード層は、膜質、結晶粒の大きさ、結晶の構造等の点で、第１および第２の磁性層とは異質な層となる。このように、媒体対向面において、第１および第２の磁性層の端面の間に、第１および第２の磁性層とは異質なシード層の端部が存在していると、シード層の端部の近傍において、磁気構造体の内部から外部へ磁界が漏れやすくなる。その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

また、上記の場合に限らず、媒体対向面において磁性層の端面とシード層の端部が隣接している場合において、シード層の厚みが比較的大きいと、磁性層の端面とシード層の端部の境界の近傍において、磁気構造体の内部から外部へ磁界が漏れやすくなる。その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、磁気構造体に含まれるシード層に起因する隣接トラック消去の発生を防止できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の第１および第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面と、コイルと、主磁極と、磁性材料よりなる磁気構造体と、ギャップ部とを備えている。コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極は、媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。磁気構造体は、記録シールドを有している。ギャップ部は、非磁性材料よりなり、主磁極と記録シールドとの間に設けられている。記録シールドは、媒体対向面に配置された端面を有している。

本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、磁気構造体は、第１の磁性層と、第１の磁性層の上に積層された第２の磁性層と、シード層とを含むように構成されている。第１の磁性層は、媒体対向面に配置された前端面と、第２の磁性層に向いた上面とを有している。第２の磁性層は、媒体対向面に配置された前端面と、第１の磁性層に向いた下面とを有している。

第１の磁性層の上面は、媒体対向面に位置する端部を含む第１の領域と、第１の領域よりも媒体対向面からより遠い位置にある第２の領域とを含んでいる。シード層は、第１の磁性層の上面の第１の領域上には存在しないが、第１の磁性層の上面の第２の領域上には存在する。第２の磁性層の下面は、第１の磁性層の上面の第１の領域に接する第１の領域と、シード層に接する第２の領域とを含んでいる。

本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、コイルを形成する工程と、主磁極を形成する工程と、磁気構造体を形成する工程と、ギャップ部を形成する工程とを備えている。磁気構造体を形成する工程は、第１の磁性層を形成する工程と、シード層を形成する工程と、シード層および第１の磁性層をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、第２の磁性層を形成する工程とを含んでいる。

本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁気構造体を形成する工程は、更に、第２の磁性層の形成後、シード層の一部を除去する工程を含んでいてもよい。

本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法において、第１の磁性層と第２の磁性層は、いずれも、記録シールドを構成するものであってもよい。

また、本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法において、磁気構造体は、更に、主磁極のうちの媒体対向面から離れた部分と記録シールドとを接続する帰磁路部を有していてもよい。この場合、第１の磁性層は、帰磁路部を構成するものであり、第２の磁性層は、記録シールドを構成するものであってもよい。あるいは、第１の磁性層は、記録シールドを構成するものであり、第２の磁性層は、帰磁路部を構成するものであってもよい。

本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、磁気構造体は、シード層と、シード層の上に形成された磁性層とを含むように構成されている。シード層は、第１の部分と第２の部分とを有し、第２の部分は、媒体対向面から離れた位置にあり、第１の部分は、第２の部分と媒体対向面との間に位置している。第１の部分の厚みは、第２の部分の厚みよりも小さい。

磁性層は、媒体対向面に配置された前端面と、下面とを有している。磁性層の下面は、シード層の第１の部分に接する第１の領域と、シード層の第２の部分に接する第２の領域とを含んでいる。

本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、コイルを形成する工程と、主磁極を形成する工程と、磁気構造体を形成する工程と、ギャップ部を形成する工程とを備えている。磁気構造体を形成する工程は、シード層を形成する工程と、シード層をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、磁性層を形成する工程とを含んでいる。

本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法において、磁気構造体を形成する工程は、更に、磁性層の形成後、シード層の一部を除去する工程を含んでいてもよい。

本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法において、磁性層は、記録シールドを構成するものであってもよい。

また、本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法において、磁気構造体は、更に、主磁極のうちの媒体対向面から離れた部分と記録シールドとを接続する帰磁路部を有していてもよい。この場合、磁性層は、帰磁路部を構成するものであってもよい。

本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法では、第１の磁性層の上面は、媒体対向面に位置する端部を含む第１の領域と、第１の領域よりも媒体対向面からより遠い位置にある第２の領域とを含み、シード層は、第１の磁性層の上面の第２の領域上には存在するが、第１の磁性層の上面の第１の領域上には存在しない。これにより、本発明の第１の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法によれば、シード層に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができるという効果を奏する。

また、本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法では、シード層は、第１の部分と第２の部分とを有し、第２の部分は、媒体対向面から離れた位置にあり、第１の部分は、第２の部分と媒体対向面との間に位置し、第１の部分の厚みは、第２の部分の厚みよりも小さい。これにより、本発明の第２の態様の垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法によれば、シード層に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができるという効果を奏する。

本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁気構造体を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける要部を示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のシールドと２つのサイドシールドを示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第２の部分を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分の第１層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分の第２層を示す平面図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における第２の帰磁路部の磁性層を形成する工程を示す斜視図である。 図９に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における第１の帰磁路部の磁性層のために用いられるシード層を形成する工程を示す斜視図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。 本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分を示す平面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁気構造体を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける要部を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のシールドと２つのサイドシールドを示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における第２のシールドのために用いられるシード層を形成する工程を示す斜視図である。 図２６に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法におけるサイドシールドのために用いられるシード層を形成する工程を示す斜視図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における第１のシールドのために用いられるシード層を形成する工程を示す平面図である。 図３０に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図３１に示した工程に続く工程を示す断面図である。 本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における第１の帰磁路部の磁性層のために用いられるシード層を形成する工程を示す斜視図である。 図３３に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。

［第１の実施の形態］
以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図８を参照して、本発明の第１の実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。図１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁気構造体を示す断面図である。図２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける要部を示す断面図である。図３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のシールドと２つのサイドシールドを示す斜視図である。図４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。図５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図６は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第２の部分を示す平面図である。図７は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分の第１層を示す平面図である。図８は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分の第２層を示す平面図である。なお、図１、図２および図４は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。図２および図４において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。図３、図５ないし図８において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。図３および図４において白抜きの矢印は、磁性層を構成するめっき膜の成長方向を表している。

図４および図５に示したように、本実施の形態に係る垂直磁気記録用磁気ヘッド（以下、単に磁気ヘッドと記す。）は、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなり、上面１ａを有する基板１と、この基板１の上面１ａ上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる第１の再生シールド層３と、第１の再生シールド層３を覆うように配置された絶縁膜である第１の再生シールドギャップ膜４と、この第１の再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である第２の再生シールドギャップ膜６と、この第２の再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる第２の再生シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面８０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

第１の再生シールド層３から第２の再生シールド層７までの部分は、再生ヘッド部８を構成する。磁気ヘッドは、更に、第２の再生シールド層７の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層７１と、非磁性層７１の上に配置された磁性材料よりなる中間シールド層７２と、中間シールド層７２の上に配置された非磁性材料よりなる非磁性層７３と、非磁性層７３の上に配置された記録ヘッド部９とを備えている。中間シールド層７２は、記録ヘッド部９で発生する磁界からＭＲ素子５をシールドする機能を有している。非磁性層７１，７３は、例えばアルミナによって形成されている。記録ヘッド部９は、コイルと、主磁極１５と、磁気構造体ＭＳ（図１参照）と、ギャップ部１７とを有している。

コイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイルは、第１の部分２０と第２の部分１０とを含んでいる。第１の部分２０と第２の部分１０は、いずれも、銅等の導電材料によって形成されている。第１の部分２０と第２の部分１０は、直列または並列に接続されている。主磁極１５は、媒体対向面８０に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。図１、図２および図４は、媒体対向面８０に配置された主磁極１５の端面と交差し、媒体対向面８０および基板１の上面１ａに垂直な断面（以下、主断面と言う。）を示している。

図１に示したように、磁気構造体ＭＳは、記録シールド１６と、第１の帰磁路部４０と、第２の帰磁路部３０とを有している。記録シールド１６は、媒体対向面８０に配置された端面を有している。図５に示したように、記録シールド１６の端面は、第１ないし第４の端面部分１６Ａａ，１６Ｂａ，１６Ｃａ，１６Ｄａを含んでいる。第１の端面部分１６Ａａは、主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。第２の端面部分１６Ｂａは、主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。第３および第４の端面部分１６Ｃａ，１６Ｄａは、主磁極１５の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。媒体対向面８０において、第１ないし第４の端面部分１６Ａａ，１６Ｂａ，１６Ｃａ，１６Ｄａは、主磁極１５の端面の周りを囲むように配置されている。

図４に示したように、第１の帰磁路部４０と第２の帰磁路部３０は、主磁極１５を挟むように基板１の上面１ａに垂直な方向に沿って並んでいる。第１の帰磁路部４０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されて、主磁極１５のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続し、これにより、主磁極１５と記録シールド１６とを磁気的に連結している。第２の帰磁路部３０は、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されて、主磁極１５のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続し、これにより、主磁極１５と記録シールド１６とを磁気的に連結している。

磁気構造体ＭＳ（記録シールド１６、第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０）は、磁性材料によって形成されている。磁気構造体ＭＳの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

第２の帰磁路部３０は、導電性を有する磁性層３１，３２，３３，３４，３５，３６を含んでいる。磁性層３１は、非磁性層７３の上に配置されている。磁性層３２，３３は、いずれも磁性層３１の上に配置されている。磁性層３２は、媒体対向面８０の近傍に配置されている。磁性層３３は、磁性層３２に対して、媒体対向面８０からより遠い位置に配置されている。磁性層３１，３２は、それぞれ、媒体対向面８０に向いた端面を有し、これらの端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。図６に示したように、コイルの第２の部分１０は、磁性層３３の周りに約４回巻かれている。

磁気ヘッドは、更に、磁性層３１の周囲において非磁性層７３の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５１と、磁性層３１〜３３と第２の部分１０との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜５２と、第２の部分１０の巻線間に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５３と、第２の部分１０および磁性層３２の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５４とを備えている。第２の部分１０、磁性層３２，３３、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面は平坦化されている。絶縁層５１，５４および絶縁膜５２は、例えばアルミナによって形成されている。絶縁層５３は、例えばフォトレジストによって形成されている。

磁性層３４は、磁性層３２および絶縁層５４の上に配置されている。図２に示したように、磁性層３４は、媒体対向面８０に配置された前端面３４ａと、上面３４ｂとを有している。磁性層３５は、磁性層３３の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、絶縁材料よりなる絶縁層５５，５６を備えている。絶縁層５５は、第２の部分１０、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４の上面の上に配置されている。絶縁層５６は、磁性層３４，３５の周囲において絶縁層５５の上に配置されている。磁性層３４，３５および絶縁層５６の上面は平坦化されている。絶縁層５５，５６は、例えばアルミナによって形成されている。

図５に示したように、記録シールド１６は、導電性を有する磁性層である第１のシールド１６Ａ、第２のシールド１６Ｂおよび２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを含んでいる。２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、主磁極１５のトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。第１のシールド１６Ａは、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。第２のシールド１６Ｂは、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、第１のシールド１６Ａと第２のシールド１６Ｂを磁気的に連結している。

図２に示したように、第１のシールド１６Ａは、媒体対向面８０に配置された前端面である第１の端面部分１６Ａａと、上面１６Ａｂと、下面１６Ａｃとを有している。下面１６Ａｃにおける任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面８０から離れるに従って大きくなっている。第２のシールド１６Ｂは、媒体対向面８０に配置された前端面である第２の端面部分１６Ｂａと、上面１６Ｂｂと、下面１６Ｂｃとを有している。上面１６Ｂｂにおける任意の位置の基板１の上面１ａからの距離は、任意の位置が媒体対向面８０から離れるに従って小さくなっている。図３に示したように、サイドシールド１６Ｃは、媒体対向面８０に配置された前端面である第３の端面部分１６Ｃａと、上面１６Ｃｂと、下面１６Ｃｃとを有している。サイドシールド１６Ｄは、媒体対向面８０に配置された前端面である第４の端面部分１６Ｄａと、上面１６Ｄｂと、下面１６Ｄｃとを有している。

記録シールド１６は、更に、導電性を有するシード層８１，８２，８３，８４を含んでいる。後で詳しく説明するが、シード層８１，８２，８３，８４は、それぞれ、シールド１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄをめっき法によって形成する際に用いられるものである。

第２のシールド１６Ｂは、磁性層３４の上に積層されている。シード層８２は、磁性層３４と第２のシールド１６Ｂとの間に部分的に介在している。なお、シード層８２の配置については、後で更に詳しく説明する。

磁性層３６は、磁性層３５の上方に配置されている。第２の帰磁路部３０は、更に、磁性層３５と磁性層３６との間に介在し、導電性を有するシード層８５を含んでいる。後で詳しく説明するが、シード層８５は、磁性層３６をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなる非磁性層５７を備えている。非磁性層５７は、第２のシールド１６Ｂ、磁性層３６およびシード層８２，８５の周囲において、磁性層３４の上面の一部の上および絶縁層５６の上面の上に配置されている。非磁性層５７は、例えばアルミナによって形成されている。

主磁極１５は、記録媒体の進行方向Ｔの前側の端に位置する面である上面１５Ｔ（図２参照）と、上面１５Ｔとは反対側の下端部１５Ｌ（図２参照）と、トラック幅方向ＴＷの両側に配置された第１および第２の側部（図５参照）とを有している。サイドシールド１６Ｃは、主磁極１５の第１の側部に対向する側壁１６Ｃｄ（図３参照）を有している。サイドシールド１６Ｄは、主磁極１５の第２の側部に対向する側壁１６Ｄｄ（図３参照）を有している。

ギャップ部１７は、主磁極１５と記録シールド１６との間に設けられている。磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、その一部がギャップ部１７の一部を構成する第１のギャップ層１９と、非磁性材料よりなり、その一部がギャップ部１７の他の一部を構成する第２のギャップ層１８とを備えている。第１のギャップ層１９のうち、ギャップ部１７の一部を構成する部分は、主磁極１５と第１のシールド１６Ａとの間に配置されている。第２のギャップ層１８のうち、ギャップ部１７の他の一部を構成する部分は、主磁極１５と第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間に配置されている。

サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、第２のシールド１６Ｂの上に積層されている。シード層８３は、第２のシールド１６Ｂとサイドシールド１６Ｃとの間に部分的に介在している。シード層８４は、第２のシールド１６Ｂとサイドシールド１６Ｄとの間に部分的に介在している。なお、シード層８３，８４の配置については、後で更に詳しく説明する。

第２のギャップ層１８は、サイドシールド１６Ｃの側壁１６Ｃｄ、サイドシールド１６Ｄの側壁１６Ｄｄ、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂおよび非磁性層５７の上面に沿って配置されている。第２のギャップ層１８を構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。第２のギャップ層１８を構成する絶縁材料としては、例えばアルミナが用いられる。第２のギャップ層１８を構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。

主磁極１５は、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂおよび非磁性層５７の上面と主磁極１５との間に第２のギャップ層１８が介在するように、第２のシールド１６Ｂおよび非磁性層５７の上に配置されている。また、図５に示したように、主磁極１５とサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとの間にも、第２のギャップ層１８が介在している。

媒体対向面８０から離れた位置において、主磁極１５の下端部１５Ｌは、磁性層３６の上面に接している。主磁極１５は、金属磁性材料によって形成されている。主磁極１５の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。主磁極１５の形状については、後で詳しく説明する。

磁気ヘッドは、更に、主磁極１５およびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの周囲に配置された非磁性材料よりなる図示しない第１の非磁性層を備えている。本実施の形態では、特に、第１の非磁性層は、アルミナ等の非磁性絶縁材料よりなる。

磁気ヘッドは、更に、媒体対向面８０から離れた位置において、主磁極１５の上面１５Ｔの一部の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。

第１のギャップ層１９は、主磁極１５、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置されている。第１のギャップ層１９の材料は、アルミナ等の非磁性絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。あるいは、第１のギャップ層１９は、非磁性絶縁材料よりなる第１層と、この第１層の上に積層された非磁性導電材料よりなる第２層とを含んでいてもよい。

第１のシールド１６Ａは、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上方に配置されている。シード層８１は、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９と第１のシールド１６Ａとの間に介在している。

媒体対向面８０において、第１のシールド１６Ａの第１の端面部分１６Ａａの一部は、主磁極１５の端面に対して、第１のギャップ層１９およびシード層８１の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。第１のギャップ層１９の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１５の端面は、第１のギャップ層１９に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

第１の帰磁路部４０は、導電性を有する磁性層４１，４２，４３，４４と、導電性を有するシード層８６，８７，８８，８９とを含んでいる。後で詳しく説明するが、シード層８６，８７，８８，８９は、それぞれ、磁性層４１，４２，４３，４４をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

磁性層４１は、媒体対向面８０から離れた位置において主磁極１５の上方に配置されている。シード層８６は、主磁極１５と磁性層４１との間に介在している。

コイルの第１の部分２０は、第１層２１および第２層２２を含んでいる。図７に示したように、第１層２１は、磁性層４１の周りに１回巻かれている。磁気ヘッドは、更に、第１のシールド１６Ａ、第１のギャップ層１９および磁性層４１と第１層２１との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜６１と、第１層２１、第１のシールド１６Ａおよびシード層８１の周囲に配置された非磁性材料よりなる図示しない第２の非磁性層とを備えている。絶縁膜６１は、例えばアルミナによって形成されている。第２の非磁性層は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。第１のシールド１６Ａ、第１層２１、磁性層４１、絶縁膜６１および第２の非磁性層の上面は平坦化されている。

磁気ヘッドは、更に、第１層２１および絶縁膜６１の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６２を備えている。絶縁層６２は、例えばアルミナによって形成されている。

磁性層４２は、第１のシールド１６Ａの上に積層されている。シード層８７は、第１のシールド１６Ａと磁性層４２との間に部分的に介在していると共に、絶縁層６２と磁性層４２との間に介在している。なお、シード層８７の配置については、後で更に詳しく説明する。

図２に示したように、磁性層４２は、媒体対向面８０に配置された前端面４２ａと、上面と、下面４２ｃと、前端面４２ａと上面とを接続する第１および第２の接続面とを有している。磁性層４２において、第１の接続面の一端は媒体対向面８０に位置し、第１の接続面の他端は第２の接続面の一端に接続され、第２の接続面の他端は上面に接続されている。第１および第２の接続面における任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。媒体対向面８０に垂直な方向に対する第２の接続面の傾斜角度は、媒体対向面８０に垂直な方向に対する第１の接続面の傾斜角度よりも大きい。

磁性層４３は、磁性層４１の上方に配置されている。シード層８８は、磁性層４１と磁性層４３との間に介在している。図８に示したように、第２層２２は、磁性層４３の周りに約１回巻かれている。磁気ヘッドは、更に、磁性層４２，４３および絶縁層６２と第２層２２との間に介在する絶縁材料よりなる絶縁膜６３と、第２層２２および磁性層４２の周囲に配置された図示しない絶縁層とを備えている。第２層２２、磁性層４２，４３、絶縁膜６３および図示しない絶縁層の上面は平坦化されている。磁気ヘッドは、更に、第２層２２および絶縁膜６３の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６４を備えている。絶縁膜６３、絶縁層６４および図示しない絶縁層は、例えばアルミナによって形成されている。

磁性層４４は、磁性層４２，４３および絶縁層６４の上方に配置され、磁性層４２と磁性層４３とを磁気的に接続している。シード層８９は、磁性層４２，４３および絶縁層６４と磁性層４４との間に介在している。また、磁性層４４は、媒体対向面８０に向いた端面を有し、この端面は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されている。磁性層４４の端面における任意の位置の媒体対向面８０からの距離は、任意の位置が基板１の上面１ａから離れるに従って大きくなっている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、記録ヘッド部９を覆うように配置された保護層７０を備えている。保護層７０は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面８０と再生ヘッド部８と記録ヘッド部９とを備えている。再生ヘッド部８と記録ヘッド部９は、基板１の上に積層されている。再生ヘッド部８は、記録ヘッド部９に対して、記録媒体の進行方向Ｔの後側（リーディング側）に配置されている。

再生ヘッド部８は、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面８０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための第１の再生シールド層３および第２の再生シールド層７と、ＭＲ素子５と第１の再生シールド層３との間に配置された第１の再生シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と第２の再生シールド層７との間に配置された第２の再生シールドギャップ膜６とを有している。

記録ヘッド部９は、第１の部分２０および第２の部分１０を含むコイルと、主磁極１５と、記録シールド１６、第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０を有する磁気構造体ＭＳと、ギャップ部１７とを有している。記録シールド１６は、第１のシールド１６Ａと、第２のシールド１６Ｂと、２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄと、シード層８１〜８４とを含んでいる。ギャップ部１７は、第１のギャップ層１９の一部および第２のギャップ層１８の一部によって構成されている。第１の帰磁路部４０と第２の帰磁路部３０は、主磁極１５を挟むように基板１の上面１ａに垂直な方向に沿って並んでいる。

第１の帰磁路部４０は、磁性層４１〜４４とシード層８６〜８９とを含み、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。図４に示したように、第１の帰磁路部４０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ層１９の一部）、記録シールド１６および第１の帰磁路部４０（磁性層４１〜４４およびシード層８６〜８９）によって囲まれた第１の空間Ｓ１が形成されるように、主磁極１５のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。

第２の帰磁路部３０は、磁性層３１〜３６とシード層８５とを含み、主磁極１５に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。図４に示したように、第２の帰磁路部３０は、主磁極１５、ギャップ部１７（ギャップ層１８の一部）、記録シールド１６および第２の帰磁路部３０（磁性層３１〜３６およびシード層８５）によって囲まれた第２の空間Ｓ２が形成されるように、主磁極１５のうちの媒体対向面８０から離れた部分と記録シールド１６とを接続している。

以下、図１ないし図３、図５を参照して、シード層８２〜８４，８７の配置を含めて、磁気構造体ＭＳの構成について詳しく説明する。始めに、磁気構造体ＭＳにおける磁性層３４、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８２からなる部分について説明する。磁気構造体ＭＳは、磁性層３４と、磁性層３４の上に積層された第２のシールド１６Ｂと、シード層８２とを含むように構成されている。磁性層３４は、第２のシールド１６Ｂに向いた上面３４ｂを有している。第２のシールド１６Ｂは、磁性層３４に向いた下面１６Ｂｃを有している。

図２に示したように、磁性層３４の上面３４ｂは、媒体対向面８０に位置する端部を含む第１の領域３４ｂ１と、第１の領域３４ｂ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域３４ｂ２とを含んでいる。シード層８２は、第１の領域３４ｂ１上には存在しないが、第２の領域３４ｂ２上には存在する（図３、図５参照）。

図２および図３に示したように、第２のシールド１６Ｂの下面１６Ｂｃは、磁性層３４の上面３４ｂの第１の領域３４ｂ１に接する第１の領域１６Ｂｃ１と、シード層８２に接する第２の領域１６Ｂｃ２とを含んでいる。シード層８２から見て、磁性層３４は本発明における「第１の磁性層」に対応し、第２のシールド１６Ｂは本発明における「第２の磁性層」に対応する。

次に、磁気構造体ＭＳにおける第２のシールド１６Ｂ、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよびシード層８３，８４からなる部分について説明する。磁気構造体ＭＳは、第２のシールド１６Ｂと、第２のシールド１６Ｂの上に積層されたサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄと、シード層８３，８４とを含むように構成されている。第２のシールド１６Ｂは、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄに向いた上面１６Ｂｂを有している。サイドシールド１６Ｃは、第２のシールド１６Ｂに向いた下面１６Ｃｃを有している。サイドシールド１６Ｄは、第２のシールド１６Ｂに向いた下面１６Ｄｃを有している。

図２および図３に示したように、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂは、媒体対向面８０に位置する端部を含む第１の領域１６Ｂｂ１と、第１の領域１６Ｂｂ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域１６Ｂｂ２とを含んでいる。シード層８３，８４は、第１の領域１６Ｂｂ１上には存在しないが、第２の領域１６Ｂｂ２上には存在する。なお、第２の領域１６Ｂｂ２は、シード層８３の下に位置する部分と、シード層８４の下に位置する部分とを含んでいる。

図３に示したように、サイドシールド１６Ｃの下面１６Ｃｃは、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第１の領域１６Ｂｂ１に接する第１の領域１６Ｃｃ１と、シード層８３に接する第２の領域１６Ｃｃ２とを含んでいる。サイドシールド１６Ｄの下面１６Ｄｃは、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第１の領域１６Ｂｂ１に接する第１の領域１６Ｄｃ１と、シード層８４に接する第２の領域１６Ｄｃ２とを含んでいる。シード層８３，８４から見て、第２のシールド１６Ｂは本発明における「第１の磁性層」に対応し、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは本発明における「第２の磁性層」に対応する。

次に、磁気構造体ＭＳにおける第１のシールド１６Ａ、磁性層４２およびシード層８７からなる部分について説明する。磁気構造体ＭＳは、第１のシールド１６Ａと、第１のシールド１６Ａの上に積層された磁性層４２と、シード層８７とを含むように構成されている。第１のシールド１６Ａは、磁性層４２に向いた上面１６Ａｂを有している。磁性層４２は、第１のシールド１６Ａに向いた下面４２ｃを有している。

図２に示したように、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂは、媒体対向面８０に位置する端部を含む第１の領域１６Ａｂ１と、第１の領域１６Ａｂ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域１６Ａｂ２とを含んでいる。シード層８７は、第１の領域１６Ａｂ１上には存在しないが、第２の領域１６Ａｂ２上には存在する。なお、シード層８７は、絶縁層６２の上面上にも存在する。

図２に示したように、磁性層４２の下面４２ｃは、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１に接する第１の領域４２ｃ１と、シード層８７に接する第２の領域４２ｃ２とを含んでいる。シード層８７から見て、第１のシールド１６Ａは本発明における「第１の磁性層」に対応し、磁性層４２は本発明における「第２の磁性層」に対応する。

以上説明したように、磁気構造体ＭＳは、第１の磁性層と、第１の磁性層の上に積層された第２の磁性層と、シード層とを含むように構成されている。磁気構造体ＭＳにおける磁性層３４、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８２からなる部分では、第１の磁性層（磁性層３４）は、帰磁路部３０を構成するものであり、第２の磁性層（第２のシールド１６Ｂ）は、記録シールド１６を構成するものである。

また、磁気構造体ＭＳにおける第２のシールド１６Ｂ、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよびシード層８３，８４からなる部分では、第１の磁性層（第２のシールド１６Ｂ）と第２の磁性層（サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄ）は、いずれも、記録シールド１６を構成するものである。

また、磁気構造体ＭＳにおける第１のシールド１６Ａ、磁性層４２およびシード層８７からなる部分では、第１の磁性層（第１のシールド１６Ａ）は、記録シールド１６を構成するものであり、第２の磁性層（磁性層４２）は、帰磁路部４０を構成するものである。

次に、図６ないし図８を参照して、コイルの第１の部分２０および第２の部分１０について詳しく説明する。図６は、第２の部分１０を示す平面図である。前述のように、第２の部分１０は、第２の帰磁路部３０の一部である磁性層３３の周りに約４回巻かれている。第２の部分１０は、第２の空間Ｓ２内のうち特に磁性層３２と磁性層３３との間を通過するように延びる４つのコイル要素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄを含んでいる。なお、コイル要素とは、コイルの巻線の一部である。コイル要素１０Ａ，１０Ｂ，１０Ｃ，１０Ｄは、媒体対向面８０側からこの順に、媒体対向面８０に垂直な方向に並んでいる。また、第２の部分１０は、第１の部分２０に電気的に接続されたコイル接続部１０Ｅを有している。

図７は、第１の部分２０の第１層２１を示す平面図である。前述のように、第１層２１は、第１の帰磁路部４０の一部である磁性層４１の周りに１回巻かれている。第１層２１は、第１の空間Ｓ１内のうち特に第１のシールド１６Ａと磁性層４１との間を通過するように延びるコイル要素２１Ａを含んでいる。また、第１層２１は、第２の部分１０のコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されたコイル接続部２１Ｓと、第２層２２に電気的に接続されたコイル接続部２１Ｅとを有している。コイル接続部２１Ｓは、第１層２１と第２の部分１０との間の複数の層を貫通する図示しない柱状の第１ないし第３の接続層を介してコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されている。第１ないし第３の接続層は、コイル接続部１０Ｅの上に順に積層されている。コイル接続部２１Ｓは、第３の接続層の上に配置されている。第１ないし第３の接続層は、銅等の導電材料によって形成されている。

図８は、第１の部分２０の第２層２２を示す平面図である。前述のように、第２層２２は、第１の帰磁路部４０の一部である磁性層４３の周りに約１回巻かれている。第２層２２は、第１の空間Ｓ１内のうち特に磁性層４２と磁性層４３との間を通過するように延びるコイル要素２２Ａを含んでいる。また、第２層２２は、絶縁層６２および絶縁膜６３を貫通して第１層２１のコイル接続部２１Ｅに電気的に接続されたコイル接続部２２Ｓを有している。図６ないし図８に示した例では、第１の部分２０と第２の部分１０は、直列に接続されている。

次に、図２、図６ないし図８を参照して、主磁極１５の形状について詳しく説明する。図６ないし図８に示したように、主磁極１５は、媒体対向面８０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部１５Ａと、トラック幅規定部１５Ａの端部に接続された幅広部１５Ｂとを含んでいる。また、図２に示したように、主磁極１５は、記録媒体の進行方向Ｔの前側の端に位置する面である上面１５Ｔと、上面１５Ｔとは反対側の下端部１５Ｌと、第１の側部と、第２の側部とを有している。幅広部１５Ｂにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、トラック幅規定部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅よりも大きい。

トラック幅規定部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、媒体対向面８０からの距離によらずにほぼ一定である。幅広部１５Ｂにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、例えば、トラック幅規定部１５Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１５Ａにおける上面１５Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅と等しく、媒体対向面８０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面８０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１５Ａの長さをネックハイトと呼ぶ。ネックハイトは、例えば０〜０．３μｍの範囲内である。ネックハイトが０の場合は、トラック幅規定部１５Ａがなく、幅広部１５Ｂの端面が媒体対向面８０に配置される。

上面１５Ｔは、媒体対向面８０に近い順に、連続するように配置された第１の部分、第２の部分、第３の部分および第４の部分を含んでいる。第１の部分は、媒体対向面８０に配置された第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。第２の部分は、第１の部分の第２の端部に接続されている。第３の部分は、第２の部分に接続された第１の端部と、第１の端部よりも媒体対向面８０からより遠い位置に配置された第２の端部とを有している。第４の部分は、第３の部分の第２の端部に接続されている。第１および第３の部分は、それぞれ、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されるように傾斜している。第２および第４の部分は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

前述のように、第１のシールド１６Ａは、下面１６Ａｃを有している。下面１６Ａｃは、ギャップ部１７の一部を構成する第１のギャップ層１９を介して上面１５Ｔの第１の部分に対向する部分を含んでいる。

下端部１５Ｌは、媒体対向面８０に近い順に、連続するように配置された第１の部分、第２の部分、第３の部分および第４の部分を含んでいる。第１の部分は、媒体対向面８０に配置された第１の端部と、その反対側の第２の端部とを有している。第２の部分は、第１の部分の第２の端部に接続されている。第３の部分は、第２の部分に接続された第１の端部と、第１の端部よりも媒体対向面８０からより遠い位置に配置された第２の端部とを有している。第１ないし第３の部分は、２つの面が交わってできるエッジでもよいし、２つの面を連結する面でもよい。第４の部分は、第３の部分の第２の端部に接続された面である。第１および第３の部分は、それぞれ、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されるように傾斜している。第２および第４の部分は、実質的に媒体対向面８０に垂直な方向に延在している。

媒体対向面８０に配置された主磁極１５の端面は、第１のギャップ層１９に隣接する第１の辺と、第１の辺の一端部に接続された第２の辺と、第１の辺の他端部に接続された第３の辺とを有している。第１の辺はトラック幅を規定する。記録媒体に記録される記録ビットの端部の位置は、第１の辺の位置によって決まる。媒体対向面８０に配置された主磁極１５の端面のトラック幅方向ＴＷの幅は、第１の辺から離れるに従って、すなわち基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。第２の辺と第３の辺がそれぞれ基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第１の辺の長さは、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッド部９によって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッド部８によって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッド部９において、第１の部分２０および第２の部分１０を含むコイルは、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。第１の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束は、第１の帰磁路部４０と主磁極１５を通過する。第２の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束は、第２の帰磁路部３０と主磁極１５を通過する。従って、主磁極１５は、第１の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させる。

なお、第１の部分２０および第２の部分１０は、直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。いずれにしても、主磁極１５において、第１の部分２０によって発生された磁界に対応する磁束と第２の部分１０によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、第１の部分２０および第２の部分１０は接続される。

主磁極１５は、上述のようにコイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

記録シールド１６は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１５に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、記録シールド１６は、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。

また、記録シールド１６と第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０は、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能を有している。具体的に説明すると、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の一部は、記録シールド１６と第１の帰磁路部４０を通過して主磁極１５に還流する。また、主磁極１５の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束の他の一部は、記録シールド１６と第２の帰磁路部３０を通過して主磁極１５に還流する。

記録シールド１６は、第１のシールド１６Ａと、第２のシールド１６Ｂと、２つのサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとを含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、主磁極１５の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向ＴＷの両側において、主磁極１５の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。第１および第２のシールド１６Ａ，１６Ｂは、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することに寄与する他に、記録磁界の勾配を大きくすることに寄与する。サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、特に隣接トラック消去を抑制することへの寄与が大きい。このような記録シールド１６の機能により、本実施の形態によれば、記録密度を高めることができる。

また、本実施の形態では、図５に示したように、媒体対向面８０において、トラック幅方向ＴＷにおける主磁極１５の第１および第２の側部の間隔すなわち主磁極１５の端面の幅は、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。本実施の形態によれば、この特徴によっても、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、媒体対向面８０において、トラック幅方向ＴＷにおけるサイドシールド１６Ｃの側壁１６Ｃｄとサイドシールド１６Ｄの側壁１６Ｄｄとの間隔は、主磁極１５の第１および第２の側部の間隔と同様に、基板１の上面１ａに近づくに従って小さくなっている。従って、本実施の形態によれば、媒体対向面８０において、第１の側部と側壁１６Ｃｄとの間隔、ならびに第２の側部と側壁１６Ｄｄとの間隔を、小さく、且つ均一にすることが可能になる。これにより、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄによって、主磁極１５の端面より発生されてトラック幅方向ＴＷの両側に広がる磁束を、効果的に取り込むことができる。その結果、本実施の形態によれば、特にサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの機能を高めることが可能になり、スキューに起因した隣接トラック消去の発生をより効果的に抑制することが可能になる。

ところで、記録シールド１６で取り込んだ磁束を吸収できるような、体積が大きい磁性層が記録シールド１６に磁気的に接続されていないと、記録シールド１６によって多くの磁束を取り込むことはできない。本実施の形態では、記録シールド１６の第１のシールド１６Ａと主磁極１５とを磁気的に連結する第１の帰磁路部４０と、記録シールド１６の第２のシールド１６Ｂと主磁極１５とを磁気的に連結する第２の帰磁路部３０を備えている。このような構成により、記録シールド１６で取り込んだ磁束は、第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０を経由して主磁極１５に流れ込む。本実施の形態では、記録シールド１６に対して、体積が大きい磁性層である第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０と主磁極１５が磁気的に接続されている。従って、本実施の形態によれば、記録シールド１６によって多くの磁束を取り込むことが可能になり、その結果、前述の記録シールド１６の効果を効果的に発揮させることができる。

また、本実施の形態では、主磁極１５の上面１５Ｔは、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されるように傾斜した第１および第３の部分を含み、主磁極１５の下端部１５Ｌは、その第２の端部がその第１の端部に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されるように傾斜した第１および第３の部分を含んでいる。これにより、本実施の形態によれば、媒体対向面８０における主磁極１５の厚みを小さくすることができることから、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。また、媒体対向面８０から離れた位置では主磁極１５の厚みを大きくすることができることから、主磁極１５によって多くの磁束を媒体対向面８０まで導くことができ、その結果、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。

次に、シード層８２〜８４，８７の配置の特徴と、それによる効果について詳しく説明する。本実施の形態では、第２のシールド１６Ｂは、シード層８２を介して磁性層３４の上に積層される。シード層８２の材料は、磁性層３４および第２のシールド１６Ｂの材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。シード層８２の材料が磁性層３４および第２のシールド１６Ｂの材料と異なる場合には、当然、シード層８２は、磁性層３４および第２のシールド１６Ｂとは異質な層となる。シード層８２の材料が磁性層３４および第２のシールド１６Ｂの材料と同じであっても、シード層８２の形成方法が磁性層３４および第２のシールド１６Ｂとは異なることにより、シード層８２は、膜質、結晶粒の大きさ、結晶の構造等の点で、磁性層３４および第２のシールド１６Ｂとは異質な層となる。このように、磁性層３４と第２のシールド１６Ｂの間にこれらとは異質なシード層８２が介在している場合において、シード層８２が、磁性層３４の上面３４ｂ全体の上に存在する場合について考える。この場合、媒体対向面８０において、磁性層３４の前端面３４ａと第２のシールド１６Ｂの第２の端面部分１６Ｂａとの間に、シード層８２の端部が存在するため、シード層８２の端部の近傍において、磁気構造体ＭＳの内部から外部へ磁界が漏れやすくなる。その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

これに対し、本実施の形態では、シード層８２の端部が媒体対向面８０に露出しないように、シード層８２を媒体対向面８０から離れた位置に配置している。すなわち、本実施の形態では、前述のように、磁性層３４の上面３４ｂは、媒体対向面８０に位置する端部を含む第１の領域３４ｂ１と、第１の領域３４ｂ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域３４ｂ２とを含み、シード層８２は、第２の領域３４ｂ２上には存在するが、第１の領域３４ｂ１上には存在しない。これにより、本実施の形態によれば、シード層８２に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。

上記の説明は、シード層８３，８４，８７にも当てはまる。すなわち、本実施の形態では、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄは、シード層８３，８４を介して、第１の領域１６Ｂｂ１と第２の領域１６Ｂｂ２とを含む上面１６Ｂｂを有する第２のシールド１６Ｂの上に積層される。シード層８３，８４は、第２の領域１６Ｂｂ２上には存在するが、第１の領域１６Ｂｂ１上には存在しない。これにより、本実施の形態によれば、シード層８３，８４に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。

同様に、本実施の形態では、磁性層４２は、シード層８７を介して、第１の領域１６Ａｂ１と第２の領域１６Ａｂ２とを含む上面１６Ａｂを有する第１のシールド１６Ａの上に積層される。シード層８７は、第２の領域１６Ａｂ２上には存在するが、第１の領域１６Ａｂ１上には存在しない。これにより、本実施の形態によれば、シード層８７に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。

なお、シード層８３，８４の材料は、第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、シード層８７の材料は、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４２の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図４および図５に示したように、基板１の上に、絶縁層２、第１の再生シールド層３、第１の再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、第１の再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、第２の再生シールドギャップ膜６で覆う。次に、第２の再生シールドギャップ膜６の上に、第２の再生シールド層７、非磁性層７１、中間シールド層７２、非磁性層７３を順に形成する。

次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層７３の上に磁性層３１を形成する。図４に示したように、磁性層３１となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。次に、積層体の上面全体の上に絶縁層５１を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、磁性層３１が露出するまで、絶縁層５１を研磨して、磁性層３１および絶縁層５１の上面を平坦化する。

次に、例えばフレームめっき法によって、磁性層３１の上に磁性層３２，３３を形成する。図４に示したように、磁性層３２となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁膜５２を形成する。絶縁膜５２の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（以下、ＡＬＤと記す。）によって、絶縁膜５２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第２の部分１０を形成する。次に、第２の部分１０の巻線間に絶縁層５３を形成する。第２の部分１０および絶縁層５３は、その上面が絶縁膜５２のうち磁性層３２，３３の上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層３２，３３が露出するまで、第２の部分１０、絶縁膜５２および絶縁層５３，５４を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５５を形成する。次に、例えばイオンビームエッチング（以下、ＩＢＥと記す。）によって、磁性層３２，３３の上面および第２の部分１０のコイル接続部１０Ｅ（図６参照）が露出するように、絶縁層５５を選択的にエッチングする。

次に、図９ないし図１５を参照して、上記の工程の後、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成するまでの一連の工程について説明する。図９ないし図１５は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図９ないし図１５において、記号“ＡＢＳ”は、積層体のうち、最も上に位置する層の上面における媒体対向面８０が形成される予定の位置を表している。

図９は、磁性層３４を形成する工程を示している。この工程では、例えばフレームめっき法によって、磁性層３２および絶縁層５４の上に磁性層３４を形成し、磁性層３３の上に磁性層３５（図４参照）を形成し、第２の部分１０のコイル接続部１０Ｅの上に図示しない第１の接続層を形成する。図４に示したように、磁性層３４となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層５６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層３４，３５および第１の接続層が露出するまで、絶縁層５６を研磨する。

次に、磁性層３４の上に、シード層８２，８５と第２のシールド１６Ｂを形成する。以下、この工程について詳しく説明する。まず、図１０に示したように、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、磁性層３４，３５および絶縁層５６の上に、シード層８２，８５を含むシード層１１１を形成する。次に、シード層１１１を選択的にエッチングして、シード層１１１に、磁性層３４の上面３４ｂの第１の領域３４ｂ１を露出させる開口部１１１ａを形成する。磁性層３４の上面３４ｂの第２の領域３４ｂ２は、シード層１１１によって覆われている。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、まず、シード層１１１および磁性層３４をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１１および磁性層３４の上に、後に第２のシールド１６Ｂとなる第２の予備シールド１６ＢＰを形成する。具体的には、陽極が配置されている電解液に、図１０に示した積層体を浸漬し、次に、陰極であるシード層１１１および磁性層３４と、陽極とを用いて、電解液に通電して、シード層１１１の上面の上および磁性層３４の上面３４ｂの第１の領域３４ｂ１の上に、第２の予備シールド１６ＢＰとなるめっき膜を形成する。なお、これ以降の工程におけるシード層および磁性層をシードおよび陰極として用いためっき法、ならびに、シード層をシードおよび陰極として用いためっき法も、上記の方法と同様である。図３および図４に示したように、第２の予備シールド１６ＢＰ（第２のシールド１６Ｂ）となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

次に、シード層１１１をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１１の上に磁性層３６（図４参照）を形成する。なお、第２の予備シールド１６ＢＰを形成するのと同時に、磁性層３６を形成してもよい。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、第２の予備シールド１６ＢＰおよび磁性層３６をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１１１のうち、第２の予備シールド１６ＢＰおよび磁性層３６の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１１１は、シード層８２とシード層８５（図４参照）に分離される。

次に、例えばフレームめっき法によって、第１の接続層の上に図示しない第２の接続層を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、非磁性層５７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２の予備シールド１６ＢＰ、磁性層３６および第２の接続層が露出するまで非磁性層５７を研磨する。次に、例えば反応性イオンエッチングによって、磁性層３６の一部と非磁性層５７の一部をエッチングする。次に、第２の予備シールド１６ＢＰに上面１６Ｂｂが形成されるように、例えばＩＢＥを用いて、第２の予備シールド１６ＢＰと非磁性層５７の一部をテーパーエッチングする。これにより、第２の予備シールド１６ＢＰは第２のシールド１６Ｂとなる。

次に、第２のシールド１６Ｂの上に、シード層８３，８４とサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する。以下、この工程について詳しく説明する。まず、図１３に示したように、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、第２のシールド１６Ｂ、磁性層３６および非磁性層５７の上に、シード層８３，８４を含むシード層１１２を形成する。次に、シード層１１２を選択的にエッチングして、シード層１１２に、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第１の領域１６Ｂｂ１を露出させる開口部１１２ａを形成する。第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第２の領域１６Ｂｂ２は、シード層１１２によって覆われている。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、シード層１１２および第２のシールド１６Ｂをシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１２および第２のシールド１６Ｂの上に、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する。図３に示したように、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとなるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

図１５は、次の工程を示す。この工程では、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄをエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１１２のうち、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１１２は、シード層８３（図３および図５参照）とシード層８４に分離される。

以下、図４および図５を参照して、シード層８３，８４を分離した後の工程について説明する。まず、第２のシールド１６Ｂおよびサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを覆うように、第２のギャップ層１８を形成する。第２のギャップ層１８の材料としてアルミナを用いる場合には、例えばＡＬＤによって、第２のギャップ層１８を形成する。第２のギャップ層１８の材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法によって、第２のギャップ層１８を形成する。

次に、第２のギャップ層１８を選択的にエッチングして、第２のギャップ層１８に、磁性層３６の上面を露出させる開口部と、図示しない第２の接続層の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、主磁極１５と図示しない第３の接続層を形成する。主磁極１５および第３の接続層は、その上面が第２のギャップ層１８のうちサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に、図示しない第１の非磁性層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第２のギャップ層１８が露出するまで、主磁極１５、第３の接続層および第１の非磁性層を研磨する。

次に、媒体対向面８０が形成される予定の位置の近傍において、主磁極１５、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第２のギャップ層１８のそれぞれの一部をエッチングする。このエッチングは、主磁極１５に、傾斜面である上面１５Ｔの第３の部分が形成されるように行う。次に、主磁極１５の上に、非磁性金属層５８および絶縁層５９を形成する。次に、非磁性金属層５８および絶縁層５９をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、主磁極１５、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第２のギャップ層１８のそれぞれの一部をエッチングする。

ＩＢＥによって主磁極１５、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第２のギャップ層１８のそれぞれの一部をエッチングする場合には、イオンビームの進行方向が基板１の上面１ａに垂直な方向に対してなす角度が４０°〜７５°の範囲内となり、且つ基板１の上面１ａに垂直な方向に見たときにイオンビームの進行方向が回転するようにする。このようなＩＢＥを行うことにより、上面１５Ｔの第１および第２の部分が形成される。

次に、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、第１のギャップ層１９を形成する。次に、例えばＩＢＥによって、主磁極１５の上面１５Ｔの一部、サイドシールド１６Ｃの上面１６Ｃｂの一部、サイドシールド１６Ｄの上面１６Ｄｂの一部および第３の接続層の上面が露出するように、第１のギャップ層１９、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングする。

次に、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、主磁極１５、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上に、シード層８１，８６を含むシード層を形成する。次に、このシード層をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、このシード層の上に、第１のシールド１６Ａと磁性層４１を形成する。図４に示したように、第１のシールド１６Ａとなるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。次に、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、上記シード層のうち、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、上記シード層は、シード層８１，８６に分離される。

次に、積層体の上面全体の上に、絶縁膜６１を形成する。絶縁膜６１の材料としてアルミナを用いる場合には、例えばＡＬＤによって、絶縁膜６１を形成する。次に、例えばＩＢＥによって、第３の接続層の上面が露出するように、絶縁膜６１を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第１の部分２０の第１層２１を形成する。第１層２１は、その上面が絶縁膜６１のうち第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１の上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に、図示しない第２の非磁性層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１が露出するまで、第１層２１、絶縁膜６１および第２の非磁性層を研磨する。次に、第１層２１および絶縁膜６１の上に、絶縁層６２を形成する。

次に、第１のシールド１６Ａの上に、シード層８７と磁性層４２を形成する。以下、この工程について、図１６ないし図１８を参照して詳しく説明する。図１６ないし図１８は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図１６ないし図１８において、記号“ＡＢＳ”は、積層体のうち、最も上に位置する層の上面における媒体対向面８０が形成される予定の位置を表している。

図１６は、磁性層４２のために用いられるシード層を形成する工程を示している。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１および絶縁層６２の上に、シード層８７，８８を含むシード層１１４を形成する。次に、シード層１１４を選択的にエッチングして、シード層１１４に、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１を露出させる開口部１１４ａを形成する。第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第２の領域１６Ａｂ２は、シード層１１４によって覆われている。

図１７は、次の工程を示す。この工程では、シード層１１４および第１のシールド１６Ａをシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１４および第１のシールド１６Ａの上に、磁性層４２を形成する。図４に示したように、磁性層４２となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。また、シード層１１４をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１４の上に磁性層４３（図４参照）を形成する。

図１８は、次の工程を示す。この工程では、磁性層４２，４３をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１１４のうち、磁性層４２，４３の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１１４は、シード層８７とシード層８８（図４参照）に分離される。

以下、図４および図５を参照して、シード層８７，８８を分離した後の工程について説明する。まず、積層体の上面全体の上に、絶縁膜６３を形成する。次に、例えばＩＢＥによって、第１層２１のコイル接続部２１Ｅ（図７参照）が露出するように、絶縁層６２および絶縁膜６３を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第１の部分２０の第２層２２を形成する。第２層２２は、その上面が絶縁膜６３のうち磁性層４２，４３の上に配置された部分よりも上方に配置されるように形成される。次に、積層体の上面全体の上に、図示しない絶縁層を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、磁性層４２，４３が露出するまで、第２層２２、絶縁膜６３および図示しない絶縁層を研磨する。

次に、第２層２２および絶縁膜６３の上に絶縁層６４を形成する。次に、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、磁性層４２，４３および絶縁層６４の上にシード層８９を形成する。次に、シード層８９をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層８９の上に磁性層４４を形成する。図４に示したように、磁性層４４となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。次に、磁性層４４をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層８９のうち、磁性層４４の下に存在する部分以外の部分を除去する。

次に、積層体の上面の上に図示しないフォトレジストマスクを形成する。このフォトレジストマスクは、フォトレジスト層をパターニングして形成される。このフォトレジストマスクは、媒体対向面８０が形成される予定の位置には存在せず、積層体のうち磁気ヘッドとして残る部分の上に存在して磁性層４４の一部を覆う。このフォトレジストマスクは、媒体対向面８０が形成される予定の位置に最も近い端部を有している。この端部と媒体対向面８０が形成される予定の位置との間の距離は、例えば０．２〜０．５μｍである。

次に、フォトレジストマスクをエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、磁性層４２に前記第１および第２の接続面が形成されるように、磁性層４２，４４およびシード層８９のそれぞれの一部をエッチングする。次に、フォトレジストマスクを除去する。

次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。次に、保護層７０の上に配線や端子等を形成し、媒体対向面８０が形成される予定の位置の近傍で基板１を切断し、この切断によって形成された面を研磨して媒体対向面８０を形成し、更に浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、コイルの第１の部分２０および第２の部分１０を形成する工程と、主磁極１５を形成する工程と、磁気構造体ＭＳを形成する工程と、ギャップ部１７を構成する第１のギャップ層１９および第２のギャップ層１８を形成する工程とを備えている。磁気構造体ＭＳを形成する工程は、第１のシールド１６Ａを形成する工程と、第２のシールド１６Ｂを形成する工程と、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する工程と、磁性層３４を形成する工程と、磁性層４２を形成する工程と、シード層８２を含むシード層１１１を形成する工程と、シード層８３，８４を含むシード層１１２を形成する工程と、シード層８７を含むシード層１１４を形成する工程とを含んでいる。

本実施の形態では、シード層１１１（シード層８２）および磁性層３４をシードおよび陰極として用いて、第２のシールド１６Ｂ（第２の予備シールド１６ＢＰ）を形成する。シード層１１１には、磁性層３４の上面３４ｂの第１の領域３４ｂ１を露出させる開口部１１１ａが形成されている。これにより、本実施の形態によれば、磁性層３４、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８２を前述の位置関係で形成することができる。

また、本実施の形態では、シード層１１１（シード層８２）および磁性層３４をシードおよび陰極として用いることから、第２のシールド１６Ｂのうち、シード層１１１（シード層８２）の上に形成される部分となるめっき膜の成長方向と、磁性層３４の上に形成される部分となるめっき膜の成長方向を揃えることができる。これにより、本実施の形態によれば、均質な第２のシールド１６Ｂを形成することができる。

同様に、本実施の形態では、シード層１１２（シード層８３，８４）および第２のシールド１６Ｂをシードおよび陰極として用いて、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する。シード層１１２には、第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第１の領域１６Ｂｂ１を露出させる開口部１１２ａが形成されている。これにより、本実施の形態によれば、第２のシールド１６Ｂ、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよびシード層８３，８４を前述の位置関係で形成することができる。また、本実施の形態によれば、均質なサイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成することができる。

同様に、本実施の形態では、シード層１１４（シード層８７）および第１のシールド１６Ａをシードおよび陰極として用いて、磁性層４２を形成する。シード層１１４には、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１を露出させる開口部１１４ａが形成されている。これにより、本実施の形態によれば、第１のシールド１６Ａ、磁性層４２およびシード層８７を前述の位置関係で形成することができる。また、本実施の形態によれば、均質な磁性層４２を形成することができる。

［第２の実施の形態］
次に、図１９および図２０を参照して、本発明の第２の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図１９は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。なお、図１９は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面、特に前記主断面を示している。また、図１９では、第１の実施の形態で説明した第２の非磁性層を符号６６で示している。図２０は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおけるコイルの第１の部分を示す平面図である。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、絶縁膜６１，６３、絶縁層６２，６４およびシード層８７，８８，８９が設けられていない。また、本実施の形態における第１の帰磁路部４０は、第１の実施の形態における磁性層４２〜４４の代わりに、導電性を有する磁性層４５を含んでいる。磁性層４５は、第１のシールド１６Ａと磁性層４１とを磁気的に接続している。また、磁性層４５は、媒体対向面８０に配置された前端面４５ａと、第１のシールド１６Ａに向いた下面４５ｃとを有している。

また、本実施の形態におけるコイルは、第１の実施の形態における第１の部分２０の代わりに、第１の部分１２０を含んでいる。図２０に示したように、第１の部分１２０は、第１の帰磁路部４０の一部である磁性層４５のうち、磁性層４１の上に配置された部分の周りに約２回巻かれている。

また、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、磁性層４１および第２の非磁性層６６の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層６７を備えている。第１の部分１２０は、絶縁層６７の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、第１の部分１２０を覆うように配置された絶縁材料よりなる絶縁層６８を備えている。絶縁層６７，６８は、例えばアルミナによって形成されている。

また、本実施の形態における第１の帰磁路部４０は、更に、導電性を有するシード層９０を含んでいる。シード層９０は、第１のシールド１６Ａと磁性層４５との間に部分的に介在していると共に、磁性層４１および絶縁層６７，６８と磁性層４５との間に介在している。後で詳しく説明するが、シード層９０は、磁性層４５をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

ここで、図２０を参照して、第１の部分１２０について更に説明する。図２０に示したように、第１の部分１２０は、第１の空間Ｓ１内のうち特に磁性層４５の第１のシールド１６Ａの上に配置された部分と磁性層４１の上に配置された部分との間を通過するように延びる２つのコイル要素１２０Ａ，１２０Ｂを含んでいる。コイル要素１２０Ａ，１２０Ｂは、媒体対向面８０側からこの順に、媒体対向面８０に垂直な方向に並んでいる。また、第１の部分１２０は、第１の実施の形態における図６に示した第２の部分１０のコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されたコイル接続部１２０Ｓを有している。コイル接続部１２０Ｓは、第１の実施の形態で説明した第１ないし第３の接続層と、第３の接続層の上に配置された図示しない柱状の第４の接続層を介してコイル接続部１０Ｅに電気的に接続されている。コイル接続部１２０Ｓは、第４の接続層の上に配置されている。第４の接続層は、銅等の導電材料によって形成されている。

次に、図１９を参照して、磁気構造体ＭＳにおける第１のシールド１６Ａ、磁性層４５およびシード層９０からなる部分について詳しく説明する。本実施の形態における磁気構造体ＭＳは、第１のシールド１６Ａと、第１のシールド１６Ａの上に積層された磁性層４５と、シード層９０とを含むように構成されている。第１のシールド１６Ａは、磁性層４５に向いた上面１６Ａｂを有している。磁性層４５は、第１のシールド１６Ａに向いた下面４５ｃを有している。

第１の実施の形態で説明したように、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂは、媒体対向面８０に位置する端部を含む第１の領域１６Ａｂ１と、第１の領域１６Ａｂ１よりも媒体対向面８０からより遠い位置にある第２の領域１６Ａｂ２とを含んでいる。シード層９０は、第１の領域１６Ａｂ１上には存在しないが、第２の領域１６Ａｂ２上には存在する。なお、シード層９０は、絶縁層６７，６８および磁性層４１の上面上にも存在する。

図１９に示したように、磁性層４５の下面４５ｃは、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１に接する第１の領域４５ｃ１と、シード層９０に接する第２の領域４５ｃ２とを含んでいる。シード層９０から見て、第１のシールド１６Ａは本発明における「第１の磁性層」に対応し、磁性層４５は本発明における「第２の磁性層」に対応する。

本実施の形態では、磁性層４５は、シード層９０を介して第１のシールド１６Ａの上に積層される。シード層９０は、第１の領域１６Ａｂ１上には存在しないが、第２の領域１６Ａｂ２上には存在する。すなわち、シード層９０は、媒体対向面８０から離れた位置に配置されており、シード層９０の端部は、媒体対向面８０には露出しない。これにより、本実施の形態によれば、シード層９０に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。なお、シード層９０の材料は、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４５の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

次に、図１９を参照して、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１を形成する工程までは、第１の実施の形態と同様である。本実施の形態では、次に、例えばフレームめっき法によって、第３の接続層の上に、図示しない第４の接続層を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、第２の非磁性層６６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１および第４の接続層が露出するまで、第２の非磁性層６６を研磨する。

次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層６７を形成する。次に、例えばＩＢＥによって、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂ、磁性層４１の上面の一部および第４の接続層の上面が露出するように、絶縁層６７を選択的にエッチングする。次に、例えばフレームめっき法によって、コイルの第１の部分１２０を形成する。次に、第１の部分１２０を覆うように絶縁層６８を形成する。

次に、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、第１のシールド１６Ａ、磁性層４１および絶縁層６７，６８の上に、シード層９０を形成する。次に、シード層９０を選択的にエッチングして、シード層９０に、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１を露出させる開口部を形成する。第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第２の領域１６Ａｂ２は、シード層９０によって覆われている。次に、シード層９０および第１のシールド１６Ａをシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層９０および第１のシールド１６Ａの上に磁性層４５を形成する。次に、磁性層４５をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層９０のうち、磁性層４５の下に存在する部分以外の部分を除去する。次に、積層体の上面全体を覆うように保護層７０を形成する。その後の工程は、第１の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、シード層９０および第１のシールド１６Ａをシードおよび陰極として用いて、磁性層４５を形成する。シード層９０には、第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１を露出させる開口部が形成されている。これにより、本実施の形態によれば、第１のシールド１６Ａ、磁性層４５およびシード層９０を前述の位置関係で形成することができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第３の実施の形態］
次に、図２１ないし図２５を参照して、本発明の第３の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図２１は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける磁気構造体を示す断面図である。図２２は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける要部を示す断面図である。図２３は、本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける第２のシールドと２つのサイドシールドを示す斜視図である。図２４は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。図２５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。なお、図２１、図２２および図２４は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面、特に前記主断面を示している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、以下の点で第１の実施の形態と異なっている。本実施の形態におけるシード層８１は、媒体対向面８０から離れた位置において、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよび第１のギャップ層１９の上に配置されている。また、本実施の形態における記録シールド１６は、導電性を有するシード層９１，９２，９３，９４を含んでいる。シード層９１は、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄ、第１のギャップ層１９およびシード層８１と第１のシールド１６Ａとの間に介在している。シード層９２は、磁性層３４およびシード層８２と第２のシールド１６Ｂとの間に介在している。シード層９３は、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８３とサイドシールド１６Ｃとの間に介在している。シード層９４は、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８４とサイドシールド１６Ｄとの間に介在している。以下、シード層８１，９１を合わせたものをシード層１０１と呼び、シード層８２，９２を合わせたものをシード層１０２と呼び、シード層８３，９３を合わせたものをシード層１０３と呼び、シード層８４，９４を合わせたものをシード層１０４と呼ぶ。後で詳しく説明するが、シード層１０１，１０２，１０３，１０４は、それぞれ、シールド１６Ａ，１６Ｂ，１６Ｃ，１６Ｄをめっき法によって形成する際に用いられるものである。

また、本実施の形態における第１の帰磁路部４０は、導電性を有するシード層９６，９７，９８を含んでいる。シード層９６は、シード層８６と磁性層４１との間に介在している。シード層９７は、第１のシールド１６Ａおよびシード層８７と磁性層４２との間に介在している。シード層９８は、シード層８８と磁性層４３との間に介在している。以下、シード層８６，９６を合わせたものをシード層１０６と呼び、シード層８７，９７を合わせたものをシード層１０７と呼び、シード層８８，９８を合わせたものをシード層１０８と呼ぶ。後で詳しく説明するが、シード層１０６，１０７，１０８は、それぞれ、磁性層４１，４２，４３をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

また、本実施の形態における第２の帰磁路部３０は、導電性を有するシード層９５を含んでいる。シード層９５は、シード層８５と磁性層３６との間に介在している。以下、シード層８５，９５を合わせたものをシード層１０５と呼ぶ。後で詳しく説明するが、シード層１０５は、磁性層３６をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

以下、シード層１０１〜１０４，１０７について更に詳しく説明する。シード層１０１〜１０４，１０７は、それぞれ、第１の部分と第２の部分とを有している。第２の部分は、媒体対向面８０から離れた位置にある。第１の部分は、第２の部分と媒体対向面８０との間に位置する。以下、シード層１０１，１０２，１０３，１０４，１０７のそれぞれの第１の部分を記号１０１Ａ，１０２Ａ，１０３Ａ，１０４Ａ，１０７Ａで表し、シード層１０１，１０２，１０３，１０４，１０７のそれぞれの第２の部分を記号１０１Ｂ，１０２Ｂ，１０３Ｂ，１０４Ｂ，１０７Ｂで表す。

シード層９１のうち、シード層８１よりも媒体対向面８０に近い一部は、シード層１０１の第１の部分１０１Ａを構成し、他の部分は、シード層８１と共に第２の部分１０１Ｂを構成する。第１の部分１０１Ａの厚みは、第２の部分１０１Ｂの厚みよりも小さい。本実施の形態では、第１のシールド１６Ａの下面１６Ａｃは、第１の部分１０１Ａに接する第１の領域１６Ａｃ１と、第２の部分１０１Ｂに接する第２の領域１６Ａｃ２とを含んでいる。

シード層９２のうち、シード層８２よりも媒体対向面８０に近い一部は、シード層１０２の第１の部分１０２Ａを構成し、他の部分は、シード層８２と共に第２の部分１０２Ｂを構成する。第１の部分１０２Ａの厚みは、第２の部分１０２Ｂの厚みよりも小さい。第２のシールド１６Ｂの下面１６Ｂｃの第１の領域１６Ｂｃ１は、第１の部分１０２Ａに接し、第２の領域１６Ｂｃ２は、第２の部分１０２Ｂに接する。

シード層９３のうち、シード層８３よりも媒体対向面８０に近い一部は、シード層１０３の第１の部分１０３Ａを構成し、他の部分は、シード層８３と共に第２の部分１０３Ｂを構成する。第１の部分１０３Ａの厚みは、第２の部分１０３Ｂの厚みよりも小さい。サイドシールド１６Ｃの下面１６Ｃｃの第１の領域１６Ｃｃ１は、第１の部分１０３Ａに接し、第２の領域１６Ｃｃ２は、第２の部分１０３Ｂに接する。

シード層９４のうち、シード層８４よりも媒体対向面８０に近い一部は、シード層１０４の第１の部分１０４Ａを構成し、他の部分は、シード層８４と共に第２の部分１０４Ｂを構成する。第１の部分１０４Ａの厚みは、第２の部分１０４Ｂの厚みよりも小さい。サイドシールド１６Ｄの下面１６Ｄｃの第１の領域１６Ｄｃ１は、第１の部分１０４Ａに接し、第２の領域１６Ｄｃ２は、第２の部分１０４Ｂに接する。

シード層９７のうち、シード層８７よりも媒体対向面８０に近い一部は、シード層１０７の第１の部分１０７Ａを構成し、他の部分は、シード層８７と共に第２の部分１０７Ｂを構成する。第１の部分１０７Ａの厚みは、第２の部分１０７Ｂの厚みよりも小さい。磁性層４２の下面４２ｃの第１の領域４２ｃ１は、第１の部分１０７Ａに接し、第２の領域４２ｃ２は、第２の部分１０７Ｂに接する。

第１の部分１０１Ａ〜１０４Ａ，１０７Ａの厚みは、それぞれシード層９１〜９４，９７の厚みと等しい。シード層９１〜９４，９７の厚みは、１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３〜６ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

次に、本実施の形態の効果について説明する。本実施の形態では、シード層１０１は、第１のシールド１６Ａの下面１６Ａｃ全体の下に存在し、媒体対向面８０において第１のシールド１６Ａの第１の端面部分１６Ａａとシード層１０１の端部が隣接する。この場合、シード層１０１の厚みが比較的大きいと、第１のシールド１６Ａの第１の端面部分１６Ａａとシード層１０１の端部の境界の近傍において、磁気構造体ＭＳの内部から外部へ磁界が漏れやすくなる。その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

これに対し、本実施の形態では、媒体対向面８０の近傍におけるシード層１０１の厚みを小さくしている。すなわち、本実施の形態では、シード層１０１は、第１の部分１０１Ａと第２の部分１０１Ｂとを有し、第２の部分１０１Ｂは、媒体対向面８０から離れた位置にあり、第１の部分１０１Ａは、第２の部分１０１Ｂと媒体対向面８０との間に位置し、第１の部分１０１Ａの厚みは、第２の部分１０１Ｂの厚みよりも小さい。これにより、本実施の形態によれば、シード層１０１に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。

上記の説明は、シード層１０２〜１０４，１０７にも当てはまる。すなわち、本実施の形態では、シード層１０２〜１０４，１０７は、それぞれ、第１の部分と第２の部分とを有し、第２の部分は、媒体対向面８０から離れた位置にあり、第１の部分は、第２の部分と媒体対向面８０との間に位置し、第１の部分の厚みは、第２の部分の厚みよりも小さい。これにより、本実施の形態によれば、シード層１０２〜１０４，１０７に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。

なお、シード層９１の材料は、第１のシールド１６Ａおよびシード層８１の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、シード層９２の材料は、第２のシールド１６Ｂおよびシード層８２の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、シード層９３，９４の材料は、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄおよびシード層８３，８４の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。また、シード層９７の材料は、磁性層４２およびシード層８７の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、シード層１０１〜１０８を形成する点が、第１の実施の形態と異なっている。以下、図２６ないし図３４を参照して、シード層１０１〜１０８に関する工程について説明する。図２６ないし図３４は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２６ないし図３４において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面８０が形成される予定の位置を表している。なお、図２６ないし図２９、図３３、図３４では、特に、記号“ＡＢＳ”は、積層体のうち、最も上に位置する層の上面における媒体対向面８０が形成される予定の位置を表している。

始めに、図２６および図２７を参照して、シード層１０２，１０５に関する工程について説明する。図２６は、第２のシールド１６Ｂ（第２の予備シールド１６ＢＰ）のために用いられるシード層を形成する工程を示している。この工程は、第１の実施の形態における図１０に示した工程の後の工程である。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、シード層１１１の開口部１１１ａから露出した磁性層３４の上面３４ｂの第１の領域３４ｂ１（図１０参照）と、シード層１１１の上面を覆うように、シード層９２，９５を含むシード層１２１を形成する。以下、シード層１１１，１２１を合わせたものをシード層１３１と呼ぶ。シード層１３１は、シード層１０２，１０５を含んでいる。次に、シード層１３１をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１３１の上に、後に第２のシールド１６Ｂとなる第２の予備シールド１６ＢＰと、磁性層３６（図２４参照）を形成する。図２３および図２４に示したように、第２の予備シールド１６ＢＰ（第２のシールド１６Ｂ）となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

図２７は、次の工程を示す。この工程では、第２の予備シールド１６ＢＰおよび磁性層３６をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１３１のうち、第２の予備シールド１６ＢＰおよび磁性層３６の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１３１は、シード層１０２とシード層１０５（図２４参照）に分離される。

次に、図２８および図２９を参照して、シード層１０３，１０４に関する工程について説明する。図２８は、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄのために用いられるシード層を形成する工程を示している。この工程は、第１の実施の形態における図１３に示した工程の後の工程である。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、シード層１１２の開口部１１２ａから露出した第２のシールド１６Ｂの上面１６Ｂｂの第１の領域１６Ｂｂ１（図１３参照）と、シード層１１２の上面を覆うように、シード層９３，９４を含むシード層１２２を形成する。以下、シード層１１２，１２２を合わせたものをシード層１３２と呼ぶ。シード層１３２は、シード層１０３，１０４を含んでいる。次に、シード層１３２をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１３２の上に、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄを形成する。図２３に示したように、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄとなるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

図２９は、次の工程を示す。この工程では、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄをエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１３２のうち、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄの下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１３２は、シード層１０３（図２３および図２５参照）とシード層１０４に分離される。

次に、図３０ないし図３２を参照して、シード層１０１，１０６に関する工程について説明する。図３０は、第１のシールド１６Ａのために用いられるシード層を形成する工程を示している。この工程は、第１のギャップ層１９、非磁性金属層５８および絶縁層５９を選択的にエッチングした後の工程である。なお、図３０では、第１のギャップ層１９、非磁性金属層５８および絶縁層５９の図示を省略している。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、主磁極１５、サイドシールド１６Ｃ，１６Ｄ、第１のギャップ層１９および第１の非磁性層（図示せず）の上に、シード層８１，８６を含むシード層１１３を形成する。次に、シード層１１３を選択的にエッチングして、シード層１１３に、サイドシールド１６Ｃの上面１６Ｃｂ、サイドシールド１６Ｄの上面１６Ｄｂおよび第１のギャップ層１９の上面のうち、媒体対向面８０が形成される予定の位置ＡＢＳの近傍の部分を露出させる開口部１１３ａを形成する。

図３１は、次の工程を示す。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、サイドシールド１６Ｃの上面１６Ｃｂ、サイドシールド１６Ｄの上面１６Ｄｂおよび第１のギャップ層１９の上面のうち、開口部１１３ａから露出した部分と、シード層１１３の上面を覆うように、シード層９１，９６を含むシード層１２３を形成する。以下、シード層１１３，１２３を合わせたものをシード層１３３と呼ぶ。シード層１３３は、シード層１０１，１０６を含んでいる。次に、シード層１３３をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１３３の上に、第１のシールド１６Ａと磁性層４１を形成する。図２４に示したように、第１のシールド１６Ａとなるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

図３２は、次の工程を示す。この工程では、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１３３のうち、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１３３は、シード層１０１，１０６に分離される。なお、第１のギャップ層１９がＲｕ等の非磁性導電材料によって形成されている場合には、シード層１３３をエッチングするのと同時に、第１のギャップ層１９をエッチングしてもよい。また、第１のギャップ層１９が非磁性絶縁材料よりなる第１層と、この第１層の上に積層された非磁性導電材料よりなる第２層とを含んでいる場合には、シード層１３３をエッチングするのと同時に、第２層のみをエッチングしてもよい。

次に、図３３および図３４を参照して、シード層１０７，１０８に関する工程について説明する。図３３は、磁性層４２のために用いられるシード層を形成する工程を示している。この工程は、第１の実施の形態における図１６に示した工程の後の工程である。この工程では、まず、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、シード層１１４の開口部１１４ａから露出した第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１（図１６参照）と、シード層１１４の上面を覆うように、シード層９７，９８を含むシード層１２４を形成する。以下、シード層１１４，１２４を合わせたものをシード層１３４と呼ぶ。シード層１３４は、シード層１０７，１０８を含んでいる。次に、シード層１３４をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１３４の上に、磁性層４２と磁性層４３（図２４参照）を形成する。図２４に示したように、磁性層４２となるめっき膜は、基板１の上面１ａに垂直な方向に成長する。

図３４は、次の工程を示す。この工程では、磁性層４２，４３をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１３４のうち、磁性層４２，４３の下に存在する部分以外の部分を除去する。これにより、シード層１３４は、シード層１０７とシード層１０８（図２４参照）に分離される。

本実施の形態によれば、シード層８１を含むシード層１１３を形成した後に、シード層９１を含むシード層１２３を形成することにより、前述の形状を有するシード層１０１を形成することができる。また、シード層８２を含むシード層１１１を形成した後に、シード層９２を含むシード層１２１を形成することにより、前述の形状を有するシード層１０２を形成することができる。また、シード層８３，８４を含むシード層１１２を形成した後に、シード層９３，９４を含むシード層１２２を形成することにより、前述の形状を有するシード層１０３，１０４を形成することができる。また、シード層８７を含むシード層１１４を形成した後に、シード層９７を含むシード層１２４を形成することにより、前述の形状を有するシード層１０７を形成することができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第１の実施の形態と同様である。

［第４の実施の形態］
次に、図３５を参照して、本発明の第４の実施の形態に係る磁気ヘッドについて説明する。図３５は、本実施の形態に係る磁気ヘッドを示す断面図である。なお、図３５は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面、特に前記主断面を示している。

本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成は、以下の点で第３の実施の形態と異なっている。本実施の形態に係る磁気ヘッドでは、絶縁膜６１，６３、絶縁層６２，６４、シード層８９、シード層１０７（シード層８７，９７）およびシード層１０８（シード層８８，９８）が設けられておらず、コイルの第１の部分１２０、磁性層４５、絶縁層６７，６８およびシード層９０が設けられている。磁性層４５、第１の部分１２０、絶縁層６７，６８およびシード層９０の形状および配置は、第２の実施の形態と同様である。

また、本実施の形態における第１の帰磁路部４０は、導電性を有するシード層１００を含んでいる。シード層１００は、第１のシールド１６Ａおよびシード層９０と磁性層４５との間に介在している。以下、シード層９０，１００を合わせたものをシード層１１０と呼ぶ。後で詳しく説明するが、シード層１１０は、磁性層４５をめっき法によって形成する際に用いられるものである。

シード層１１０は、第１の部分１１０Ａと第２の部分１１０Ｂとを有している。第２の部分１１０Ｂは、媒体対向面８０から離れた位置にある。第１の部分１１０Ａは、第２の部分１１０Ｂと媒体対向面８０との間に位置する。シード層１００のうち、シード層９０よりも媒体対向面８０に近い一部は、第１の部分１１０Ａを構成し、他の部分は、シード層９０と共に第２の部分１１０Ｂを構成する。第１の部分１１０Ａの厚みは、第２の部分１１０Ｂの厚みよりも小さい。磁性層４５の下面４５ｃの第１の領域４５ｃ１は、第１の部分１１０Ａに接し、第２の領域４５ｃ２は、第２の部分１１０Ｂに接する。

第１の部分１１０Ａの厚みは、シード層１００の厚みと等しい。シード層１００の厚みは、１〜１０ｎｍの範囲内であることが好ましく、３〜６ｎｍの範囲内であることがより好ましい。

本実施の形態によれば、媒体対向面８０の近傍におけるシード層１１０の厚みを小さくして、シード層１１０に起因する隣接トラック消去の発生を防止することができる。なお、シード層１００の材料は、磁性層４５およびシード層９０の材料と同じでもよいし、異なっていてもよい。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、第１のシールド１６Ａおよび磁性層４１を形成する工程までは、第３の実施の形態と同様である。また、シード層９０に開口部を形成する工程までは、第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態では、次に、スパッタ法等の物理的気相成長法によって、シード層９０の開口部から露出した第１のシールド１６Ａの上面１６Ａｂの第１の領域１６Ａｂ１（図１９参照）と、シード層９０の上面を覆うように、シード層１００を形成する。これにより、シード層１１０が形成される。次に、シード層１１０をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、シード層１１０の上に磁性層４５を形成する。次に、磁性層４５をエッチングマスクとして用いて、例えばＩＢＥによって、シード層１１０のうち、磁性層４５の下に存在する部分以外の部分を除去する。その後の工程は、第２の実施の形態と同様である。

本実施の形態によれば、シード層９０を形成した後に、シード層１００を形成することにより、前述の形状を有するシード層１１０を形成することができる。

本実施の形態におけるその他の構成、作用および効果は、第２または第３の実施の形態と同様である。

なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、第１の実施の形態において、シード層８１の代わりに、第３の実施の形態におけるシード層１０１を設けてもよい。

また、磁気構造体ＭＳは、記録シールド１６、第１の帰磁路部４０および第２の帰磁路部３０のうち、記録シールド１６のみを有していてもよい。

また、主磁極１５の上面１５Ｔは、第２の部分と第３の部分を含んでいなくてもよい。また、主磁極１５の下端部１５Ｌは、第２の部分と第３の部分を含んでいなくてもよい。

１５…主磁極、１６…記録シールド、１６Ａ…第１のシールド、１６Ａｂ…上面、１６Ａｂ１…第１の領域、１６Ａｂ２…第２の領域、４２…磁性層、４２ｃ…下面、４２ｃ１…第１の領域、４２ｃ２…第２の領域、８７…シード層。

Claims (9)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   記録シールドを有し、磁性材料よりなる磁気構造体と、
   非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記記録シールドとの間に設けられたギャップ部とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
   前記記録シールドは、前記媒体対向面に配置された端面を有し、
   前記磁気構造体は、第１の磁性層と、前記第１の磁性層の上に積層された第２の磁性層と、シード層とを含むように構成され、
   前記第１の磁性層は、前記媒体対向面に配置された前端面と、前記第２の磁性層に向いた上面とを有し、
   前記第２の磁性層は、前記媒体対向面に配置された前端面と、前記第１の磁性層に向いた下面とを有し、
   前記第１の磁性層の上面は、前記媒体対向面に位置する端部を含む第１の領域と、前記第１の領域よりも前記媒体対向面からより遠い位置にある第２の領域とを含み、
   前記シード層は、前記第１の磁性層の上面の前記第１の領域上には存在しないが、前記第１の磁性層の上面の前記第２の領域上には存在し、
   前記第２の磁性層の下面は、前記第１の磁性層の上面の第１の領域に接する第１の領域と、前記シード層に接する第２の領域とを含み、
   前記第１の磁性層と前記第２の磁性層は、同じ材料よりなり、且ついずれもめっき法によって形成されたものであり、
   前記シード層は、材料、膜質、結晶粒の大きさ、結晶の構造のうちの少なくとも１つの点で、前記第１の磁性層および前記第２の磁性層とは異質な層であることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
2. 前記第１の磁性層と第２の磁性層は、いずれも、前記記録シールドを構成するものであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
3. 前記磁気構造体は、更に、前記主磁極のうちの前記媒体対向面から離れた部分と前記記録シールドとを接続する帰磁路部を有し、
   前記第１の磁性層は、前記帰磁路部を構成するものであり、
   前記第２の磁性層は、前記記録シールドを構成するものであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
4. 前記磁気構造体は、更に、前記主磁極のうちの前記媒体対向面から離れた部分と前記記録シールドとを接続する帰磁路部を有し、
   前記第１の磁性層は、前記記録シールドを構成するものであり、
   前記第２の磁性層は、前記帰磁路部を構成するものであることを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。
5. 請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
   前記コイルを形成する工程と、
   前記主磁極を形成する工程と、
   前記磁気構造体を形成する工程と、
   前記ギャップ部を形成する工程とを備え、
   前記磁気構造体を形成する工程は、
   めっき法によって前記第１の磁性層を形成する工程と、
   前記シード層を形成する工程と、
   前記シード層および前記第１の磁性層をシードおよび陰極として用いて、めっき法によって、前記第２の磁性層を形成する工程とを含むことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記磁気構造体を形成する工程は、更に、前記第２の磁性層の形成後、前記シード層の一部を除去する工程を含むことを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記第１の磁性層と第２の磁性層は、いずれも、前記記録シールドを構成するものであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
8. 前記磁気構造体は、更に、前記主磁極のうちの前記媒体対向面から離れた部分と前記記録シールドとを接続する帰磁路部を有し、
   前記第１の磁性層は、前記帰磁路部を構成するものであり、
   前記第２の磁性層は、前記記録シールドを構成するものであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
9. 前記磁気構造体は、更に、前記主磁極のうちの前記媒体対向面から離れた部分と前記記録シールドとを接続する帰磁路部を有し、
   前記第１の磁性層は、前記記録シールドを構成するものであり、
   前記第２の磁性層は、前記帰磁路部を構成するものであることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。

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