JP5551109B2 - 主磁極の周りに設けられたシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッド - Google Patents

Description

本発明は、垂直磁気記録方式によって記録媒体に情報を記録するために用いられる垂直磁気記録用磁気ヘッドに関し、特に、主磁極の周りに設けられたシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法に関する。

磁気記録再生装置における記録方式には、信号磁化の向きを記録媒体の面内方向（長手方向）とする長手磁気記録方式と、信号磁化の向きを記録媒体の面に対して垂直な方向とする垂直磁気記録方式とがある。垂直磁気記録方式は、長手磁気記録方式に比べて、記録媒体の熱揺らぎの影響を受けにくく、高い線記録密度を実現することが可能であると言われている。

一般的に、垂直磁気記録用の磁気ヘッドとしては、長手磁気記録用の磁気ヘッドと同様に、読み出し用の磁気抵抗効果素子（以下、ＭＲ（Magnetoresistive）素子とも記す。）を有する再生ヘッドと、書き込み用の誘導型電磁変換素子を有する記録ヘッドとを、基板上に積層した構造のものが用いられる。記録ヘッドは、記録媒体の面に対して垂直な方向の磁界を発生する主磁極を備えている。主磁極は、例えば、一端部が記録媒体に対向する媒体対向面に配置されたトラック幅規定部と、このトラック幅規定部の他端部に連結され、トラック幅規定部よりも大きな幅を有する幅広部とを有している。トラック幅規定部は、ほぼ一定の幅を有している。垂直磁気記録方式の記録ヘッドには、高記録密度化のために、トラック幅の縮小と、記録特性、例えば重ね書きの性能を表わすオーバーライト特性の向上が求められる。

ところで、ハードディスク装置等の磁気ディスク装置に用いられる磁気ヘッドは、一般的に、スライダに設けられる。スライダは、上記媒体対向面を有している。この媒体対向面は、空気流入端と空気流出端とを有している。そして、空気流入端から媒体対向面と記録媒体との間に流入する空気流によって、スライダは記録媒体の表面からわずかに浮上するようになっている。このスライダにおいて、一般的に、磁気ヘッドは媒体対向面における空気流出端近傍に配置される。磁気ディスク装置において、磁気ヘッドの位置決めは、例えばロータリーアクチュエータによって行なわれる。この場合、磁気ヘッドは、ロータリーアクチュエータの回転中心を中心とした円軌道に沿って記録媒体上を移動する。このような磁気ディスク装置では、磁気ヘッドのトラック横断方向の位置に応じて、スキューと呼ばれる、円形のトラックの接線に対する磁気ヘッドの傾きが生じる。

特に、長手磁気記録方式に比べて記録媒体への書き込み能力が高い垂直磁気記録方式の磁気ディスク装置では、上述のスキューが生じると、あるトラックへの信号の記録時に、記録対象のトラックに隣接する１以上のトラックに記録された信号が消去されたり減衰したりする現象（以下、隣接トラック消去と言う。）が生じる場合がある。高記録密度化のためには、隣接トラック消去の発生を抑制する必要がある。

上述のようなスキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する技術としては、例えば、特許文献１や、特許文献２に記載されているように、媒体対向面における主磁極の端面の幅を、基板の上面に近づくに従って小さくする技術が知られている。

スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制する他の技術としては、特許文献１に記載されているように、主磁極のトラック幅方向の両側に２つのサイドシールドを設ける技術が有効である。また、特許文献２に記載されているように、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールド（以下、ラップアラウンドシールドと言う。）を設ける技術も有効である。ラップアラウンドシールドは、主磁極に対して空気流入端側に配置された下部シールドと、主磁極に対して空気流出端側に配置された上部シールドと、主磁極のトラック幅方向の両側に配置された２つのサイドシールドとを含んでいる。これらの技術によれば、主磁極の端面より発生されてトラック幅方向に広がる磁束を取り込むことができることから、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、特許文献３には、主磁極の形状を以下のような形状とする技術が開示されている。この技術による主磁極は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置された第１および第２の側面と、第１の領域以外の第２の領域に配置された第３および第４の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続する第５の側面と、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続する第６の側面とを有している。トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、基板の上面に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も基板の上面に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、基板の上面に近づくに従って大きくなっている。

特開２００７−２０７４１９号公報 米国特許第６，９５４，３４０Ｂ２号明細書 特開２００９−２４３３５０号公報

ここで、主磁極と２つのサイドシールドの形成方法について考える。主磁極と２つのサイドシールドの形成方法には、大きく分けて、主磁極の形成後に２つのサイドシールドを形成する方法と、２つのサイドシールドの形成後に主磁極を形成する方法とがある。

主磁極の形成後に２つのサイドシールドを形成する方法としては、例えば、以下のような方法がある。この方法では、まず、主磁極と、主磁極を収容する非磁性層とを形成する。次に、非磁性層の一部をエッチングして、非磁性層に、２つのサイドシールドを収容するための２つの溝部を形成する。次に、例えばめっき法によって、２つの溝部内に収容されるように２つのサイドシールドを形成する。めっき法によって２つのサイドシールドを形成する場合には、めっきを行う前に、シード層を形成する。以下、この方法を、第１の方法と言う。

２つのサイドシールドの形成後に主磁極を形成する方法としては、例えば、特許文献１に記載されている方法がある。この方法では、まず、例えばめっき法によって、後に２つのサイドシールドとなるシールド層を形成する。次に、このシールド層の一部をエッチングして、シールド層を貫通するトレンチを形成する。これにより、シールド層は２つのサイドシールドになる。次に、トレンチ内に収容されるように主磁極を形成する。以下、この方法を第２の方法と言う。

第１の方法において、めっき法によって２つのサイドシールドを形成する場合には、以下のような問題が発生する。この場合、シード層は、２つの溝部の底部および壁面に沿って形成される。めっき膜は、シード層の表面から成長する。このめっき膜中には、溝部の底部に沿ったシード層の部分から成長しためっき膜の部分と、溝部の壁面に沿ったシード層の部分から成長しためっき膜の部分とが合わさることによって２つの部分の繋ぎ目が形成される。この繋ぎ目は、大きな結晶粒界である。この繋ぎ目には不純物が偏析しやすい。そのため、繋ぎ目は、めっき膜中の他の部分に比べて磁気的特性が劣った磁気的欠陥になりやすい。めっき膜すなわちサイドシールド内において、上記の磁気的欠陥の近傍では、磁束が乱れたり磁化の方向が固定されたりしやすく、それに起因して、サイドシールドにおいて局所的に大きな磁界が発生し、その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

また、第１の方法では、エッチングによって形成された溝部の底部上に、エッチングの際の反応生成物や被エッチング材料に起因したエッチング残渣が残る場合がある。このエッチング残渣の上にシード層を形成すると、エッチング残渣の上の部分においてシード層に突起が発生する。めっき膜すなわちサイドシールド内において、上記のシード層の突起の近傍では、前述の繋ぎ目による磁気的欠陥と同様に、磁束が乱れたり磁化の方向が固定されたりしやすい。従って、めっき膜内の上記のシード層の突起の近傍の部分も、磁気的欠陥と言える。そして、この磁気的欠陥に起因して、サイドシールドにおいて局所的に大きな磁界が発生し、その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

また、第１の方法では、エッチングによって、２つのサイドシールドを収容するための２つの溝部を形成する。これにより、２つのサイドシールドの形状が決定される。一般的に、エッチングを用いて層をパターニングする場合には、フォトリソグラフィのみを用いて層をパターニングする場合に比べて、多くの工程および時間を要する。そのため、第１の方法では、２つのサイドシールドの形状を決定するために多くの工程と時間が必要になり、磁気ヘッドの製造コストが高くなるという問題がある。

第２の方法では、エッチングによって２つのサイドシールドの形状を決定する。従って、第２の方法でも、２つのサイドシールドの形状を決定するために多くの工程と時間が必要になり、磁気ヘッドの製造コストが高くなるという問題点がある。

一方、媒体対向面における端面の幅が基板の上面に近づくに従って小さくなる形状の主磁極に関しては、以下のような問題点がある。従来の主磁極の形成方法では、上記の形状の主磁極を形成すると、主磁極の側面の大部分が、主磁極の全周にわたって、基板の上面に垂直な方向に対して傾いた面となる。このような形状の主磁極では、主磁極の側面全体が基板の上面に対して垂直な場合に比べて、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が小さくなる。この形状の主磁極では、特にトラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。

上記の問題点に対しては、前述の特許文献３に開示された技術が有効である。この技術によれば、トラック幅規定部と幅広部との境界の近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極の断面積が大きくなるため、多くの磁束を通過させることができる。これにより、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。

しかし、ラップアラウンドシールドと上記の形状の主磁極とを有する磁気ヘッドを製造する場合、従来の製造方法では、２つのサイドシールドと主磁極の形状を決定するために多くの工程と時間が必要になり、磁気ヘッドの製造コストが高くなるという問題点がある。

本発明はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その第１の目的は、主磁極の周りに設けられたシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法であって、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、２つのサイドシールドの形状を容易に決定できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法を提供することにある。

本発明の第２の目的は、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できる主磁極と、主磁極の周りに設けられたシールドとを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極と２つのサイドシールドの形状を容易に決定できるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の第３の目的は、主磁極の周りに設けられたシールドを有する垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極と２つのサイドシールドの形状を容易に決定でき、且つ主磁極から２つのサイドシールドへの磁束の漏れを抑制することができるようにした垂直磁気記録用磁気ヘッドおよびその製造方法を提供することにある。

本発明の製造方法によって製造される垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなり、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールドと、
非磁性材料よりなり、主磁極とシールドとの間に設けられたギャップ部とを備えている。

シールドは、下部シールドと、第１および第２のサイドシールドと、上部シールドとを含んでいる。下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面と、上面とを有している。第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有している。上部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有している。ギャップ部は、主磁極と下部シールドとの間ならびに主磁極と第１および第２のサイドシールドとの間に配置された第１のギャップ層と、主磁極と上部シールドとの間に配置された第２のギャップ層とを含んでいる。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法は、
下部シールドを形成する工程と、
下部シールドの上面上であって、後に第１および第２のサイドシールドが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型を形成する工程と、
型の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールドの上面上に第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドの形成後、型を除去する工程と、
型の除去後、第１のギャップ層を形成する工程と、
第１のギャップ層の形成後、主磁極を形成する工程と、
主磁極の形成後、第２のギャップ層を形成する工程と、
第２のギャップ層の形成後、上部シールドを形成する工程と、
コイルを形成する工程とを備えている。

本発明の磁気ヘッドの製造方法において、主磁極は、下部シールドの上面からより遠い上面と、主磁極の上面とは反対側の下端と、第１ないし第６の側面とを有していてもよい。主磁極の端面のトラック幅方向の幅は、主磁極の下端に近づくに従って小さくなっている。第１および第２の側面は、媒体対向面から５０〜５００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置されている。第３および第４の側面は、第１の領域以外の第２の領域に配置されている。第５の側面は、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続している。第６の側面は、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続している。

トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、主磁極の下端に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、主磁極の下端に近づくに従って大きくなっている。第１のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第１および第３の側面に対向する２つの壁面を有している。第２のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第２および第４の側面に対向する２つの壁面を有している。

本発明の磁気ヘッドの製造方法において、下部シールドを形成する工程は、第１層を形成する工程と、第１層の上ならびに第１層の周囲に第２層を形成する工程とを含み、第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、第２層をシード層として用いてめっきを行って第１および第２のサイドシールドを形成してもよい。この場合、磁気ヘッドの製造方法は、更に、型を除去する工程と第１のギャップ層を形成する工程との間において、エッチングによって、第２層のうち第１層の上に位置する部分以外の部分を除去するエッチング工程を備えていてもよい。そして、エッチング工程において、第１および第２のサイドシールドの各々の一部がエッチングされて、主磁極の第３の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面と、主磁極の第４の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面とが形成されてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、型を形成する工程は、
ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、下部シールドの上面上であって、後に第１および第２のサイドシールドが形成される領域に、第１のレジスト層を形成する工程と、
第１のレジスト層を覆うように、分離膜を形成する工程と、
ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜の上に、後に型となる第２のレジスト層を形成する工程と、
下部シールドの上面上に第２のレジスト層が残って型となるように、第１のレジスト層と分離膜を除去する工程とを含んでいてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、主磁極を形成する工程は、
後に主磁極となる磁性層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールド、第１のギャップ層および磁性層を覆うように、非磁性材料よりなる非磁性層を形成する工程と、
第１および第２のサイドシールドおよび磁性層が露出するまで非磁性層を研磨する工程とを含んでいてもよい。

主磁極を形成する工程が上記の複数の工程を含む場合、研磨前の非磁性層は、第１および第２のサイドシールドおよび磁性層の上方に位置する凸面部分と、第１および第２のサイドシールドの周辺に位置して凸面部分よりも低い周辺部分とを含む上面を有していてもよい。この場合、主磁極を形成する工程は、更に、研磨前の非磁性層の上に研磨停止層を形成する工程と、研磨停止層の上に、後に研磨される被研磨層を形成する工程とを含み、非磁性層を研磨する工程は、研磨停止層のうち、非磁性層の上面の周辺部分の上方に位置する部分が露出するまで、被研磨層、研磨停止層および非磁性層を研磨してもよい。

また、研磨後の非磁性層は、媒体対向面から離れた位置で、第１および第２のサイドシールドと主磁極との間に配置された第１および第２の部分を有していてもよい。

また、主磁極は、下部シールドの上面からより遠い上面と、主磁極の上面とは反対側の下端と、第１および第２の側部とを有していてもよい。第１のサイドシールドは、主磁極の第１の側部に対向する第１の側壁を有し、第２のサイドシールドは、主磁極の第２の側部に対向する第２の側壁を有していてもよい。第１の側部は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた第１の位置において、第１の角が形成されるように屈曲していてもよい。第２の側部は、媒体対向面から前記所定の距離だけ離れた第２の位置において、第２の角が形成されるように屈曲していてもよい。そして、第１の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第１の側部と第１の側壁の間隔が徐々に大きくなっていてもよい。また、第２の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第２の側部と第２の側壁の間隔が徐々に大きくなっていてもよい。前記非磁性層の第１の部分は、第１の位置に対して媒体対向面から遠い位置において第１の側部と第１の側壁との間に配置され、前記非磁性層の第２の部分は、第２の位置に対して媒体対向面から遠い位置において第２の側部と第２の側壁との間に配置されていてもよい。

また、本発明の磁気ヘッドの製造方法において、主磁極は、媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有していてもよい。第１の部分における任意の位置の下部シールドの上面からの距離は、任意の位置が媒体対向面に近づくに従って小さくなっている。この場合、主磁極を形成する工程は、後に主磁極となる磁性層を形成する工程と、主磁極の上面における第１の部分が形成されるように、磁性層の一部をエッチングする工程を備えていてもよい。

本発明の第１および第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、
記録媒体に対向する媒体対向面と、
記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
媒体対向面に配置された端面を有し、コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
磁性材料よりなり、媒体対向面において主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールドと、
非磁性材料よりなり、主磁極とシールドとの間に設けられたギャップ部とを備えている。

シールドは、下部シールドと、第１および第２のサイドシールドと、上部シールドとを含んでいる。下部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面と、上面とを有している。第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有している。上部シールドは、媒体対向面において主磁極の端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有している。ギャップ部は、主磁極と下部シールドの間ならびに主磁極と第１および第２のサイドシールドとの間に配置された第１のギャップ層と、主磁極と上部シールドとの間に配置された第２のギャップ層とを含んでいる。

本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、主磁極は、下部シールドの上面からより遠い上面と、主磁極の上面とは反対側の下端と、第１ないし第６の側面とを有している。主磁極の端面のトラック幅方向の幅は、主磁極の下端に近づくに従って小さくなっている。第１および第２の側面は、媒体対向面から５０〜５００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置されている。第３および第４の側面は、第１の領域以外の第２の領域に配置されている。第５の側面は、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第１の側面と第３の側面とを接続している。第６の側面は、第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、第２の側面と第４の側面とを接続している。

トラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔は、主磁極の下端に近づくに従って小さくなっている。第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての第３の側面と第４の側面の間隔は、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きい。第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、主磁極の下端に近づくに従って大きくなっている。第１のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第１および第３の側面に対向する２つの壁面を有している。第２のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第２および第４の側面に対向する２つの壁面を有している。

また、本発明の第１の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、主磁極の上面は、媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、第１の部分よりも媒体対向面から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分に接続された第２の部分とを含んでいる。第１の部分における任意の位置の下部シールドの上面からの距離は、任意の位置が媒体対向面に近づくに従って小さくなっている。

本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドにおいて、主磁極は、下部シールドの上面からより遠い上面と、主磁極の上面とは反対側の下端と、第１および第２の側部とを有している。第１のサイドシールドは、主磁極の第１の側部に対向する第１の側壁を有している。第２のサイドシールドは、主磁極の第２の側部に対向する第２の側壁を有している。第１の側部は、媒体対向面から所定の距離だけ離れた第１の位置において、第１の角が形成されるように屈曲している。第２の側部は、媒体対向面から前記所定の距離だけ離れた第２の位置において、第２の角が形成されるように屈曲している。第１の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第１の側部と第１の側壁の間隔が徐々に大きくなっている。また、第２の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第２の側部と第２の側壁の間隔が徐々に大きくなっている。

本発明の第２の垂直磁気記録用磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなる非磁性層を備え、非磁性層は、第１の位置に対して媒体対向面から遠い位置において第１の側部と第１の側壁との間に配置された第１の部分と、第２の位置に対して媒体対向面から遠い位置において第２の側部と第２の側壁との間に配置された第２の部分とを有していてもよい。

本発明の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法では、下部シールドの上面上であって、後に第１および第２のサイドシールドが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型を形成した後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールドの上面上に第１および第２のサイドシールドを形成する。本発明によれば、エッチングされていない下部シールドの上面上に第１および第２のサイドシールドを形成することから、第１および第２のサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制することができるという効果を奏する。また、本発明では、フォトリソグラフィによって形状が決定された型によって、第１および第２のサイドシールドの形状が決定されることから、第１および第２のサイドシールドの形状を容易に決定することができるという効果を奏する。

本発明の第１の磁気ヘッドでは、主磁極は、下部シールドの上面からより遠い上面と、主磁極の上面とは反対側の下端と、前述のように規定された第１ないし第６の側面とを有している。第１のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第１および第３の側面に対向する２つ壁面を有し、第２のサイドシールドは、それぞれ主磁極の第２および第４の側面に対向する２つの壁面を有している。本発明の第１の磁気ヘッドは、型の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールドの上面上に第１および第２のサイドシールドを形成し、その後、第１のギャップ層および主磁極を形成するという、本発明の磁気ヘッドの製造方法によって製造することができる。従って、本発明によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できる主磁極と、主磁極の周りに設けられたシールドとを有し、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極と２つのサイドシールドの形状を容易に決定することの可能な垂直磁気記録用磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。

本発明の第１の磁気ヘッドは、特に、以下のような本発明の磁気ヘッドの製造方法の一態様によって製造することができる。この一態様では、下部シールドを形成する工程は、第１層を形成する工程と、第１層の上ならびに第１層の周囲に第２層を形成する工程とを含み、第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、第２層をシード層として用いてめっきを行って第１および第２のサイドシールドを形成する。一態様は、更に、型を除去する工程と第１のギャップ層を形成する工程との間において、エッチングによって、第２層のうち第１層の上に位置する部分以外の部分を除去するエッチング工程を備えている。そして、エッチング工程において、第１および第２のサイドシールドの各々の一部がエッチングされて、主磁極の第３の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面と、主磁極の第４の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面とが形成される。この磁気ヘッドの製造方法の一態様によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できる主磁極と、主磁極の周りに設けられたシールドとを有し、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極と２つのサイドシールドの形状を容易に決定することの可能な垂直磁気記録用磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。

本発明の第２の磁気ヘッドでは、第１のサイドシールドの第１の側部は、第１の位置において、第１の角が形成されるように屈曲し、第２のサイドシールドの第２の側部は、第２の位置において、第２の角が形成されるように屈曲している。そして、第１の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第１の側部と第１の側壁の間隔が徐々に大きくなっている。また、第２の位置を始点として、媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての第２の側部と第２の側壁の間隔が徐々に大きくなっている。これにより、主磁極から第１および第２のサイドシールドへの磁束の漏れを抑制することができ、その結果、磁気ヘッドの記録特性を向上させることができる。本発明の第２の磁気ヘッドは、型の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールドの上面上に第１および第２のサイドシールドを形成し、その後、第１のギャップ層および主磁極を形成するという、本発明の磁気ヘッドの製造方法によって製造することができる。従って、本発明によれば、主磁極と、主磁極の周りに設けられたシールドとを有し、シールドのうちの２つのサイドシールドにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極と２つのサイドシールドの形状を容易に決定することが可能で、且つ主磁極から２つのサイドシールドへの磁束の漏れを抑制することが可能な垂直磁気記録用磁気ヘッドを実現することができるという効果を奏する。

本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールドおよび下部シールドの媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。 本発明の一実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。 本発明の一実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。 図３の５−５線で示す位置における主磁極および２つのサイドシールドの断面を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す説明図である。 図８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１０に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１４に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１５に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１６に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１７に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図１９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２０に示した工程に続く工程を示す斜視図である。 図２１に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２２に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２３に示した工程の変形例を示す断面図である。 図２３に示した工程に続く工程を示す説明図である。 本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における２つのサイドシールドとなるめっき膜の成長方向を示す斜視図である。 比較例の磁気ヘッドの製造方法における一工程を示す断面図である。 図２７に示した工程に続く工程を示す断面図である。 図２８に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図２９に示した工程に続く工程を示す説明図である。 図３０に示した工程に続く工程を示す説明図である。

以下、本発明の実施の形態について図面を参照して詳細に説明する。始めに、図１ないし図７を参照して、本発明の一実施の形態に係る磁気ヘッドの構成について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、垂直磁気記録用の磁気ヘッドである。図１は本実施の形態に係る磁気ヘッドにおける主磁極、２つのサイドシールドおよび下部シールドの媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図２は、本実施の形態における主磁極の媒体対向面の近傍の部分を示す斜視図である。図３は、本実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面の近傍の部分を示す平面図である。図４は、本実施の形態における主磁極および２つのサイドシールドの媒体対向面に配置された端面を示す正面図である。図５は、図３の５−５線で示す位置における主磁極および２つのサイドシールドの断面を示す断面図である。図６は本実施の形態に係る磁気ヘッドの構成を示す断面図である。図７は本実施の形態に係る磁気ヘッドの媒体対向面を示す正面図である。図１ないし図５において記号ＴＷで示す矢印は、トラック幅方向を表している。図６は媒体対向面および基板の上面に垂直な断面を示している。また、図６において記号Ｔで示す矢印は、記録媒体の進行方向を表している。

図６および図７に示したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、アルミニウムオキサイド・チタニウムカーバイド（Ａｌ₂Ｏ₃・ＴｉＣ）等のセラミック材料よりなる基板１と、この基板１の上に配置されたアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等の絶縁材料よりなる絶縁層２と、この絶縁層２の上に配置された磁性材料よりなる下部再生シールド層３と、この下部再生シールド層３の上に配置された絶縁膜である下部再生シールドギャップ膜４と、この下部再生シールドギャップ膜４の上に配置された再生素子としてのＭＲ（磁気抵抗効果）素子５と、このＭＲ素子５の上に配置された絶縁膜である上部再生シールドギャップ膜６と、この上部再生シールドギャップ膜６の上に配置された磁性材料よりなる上部再生シールド層７とを備えている。

ＭＲ素子５の一端部は、記録媒体に対向する媒体対向面３０に配置されている。ＭＲ素子５には、ＡＭＲ（異方性磁気抵抗効果）素子、ＧＭＲ（巨大磁気抵抗効果）素子あるいはＴＭＲ（トンネル磁気抵抗効果）素子等の磁気抵抗効果を示す感磁膜を用いた素子を用いることができる。ＧＭＲ素子としては、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ平行な方向に流すＣＩＰ（Current In Plane）タイプでもよいし、磁気的信号検出用の電流を、ＧＭＲ素子を構成する各層の面に対してほぼ垂直な方向に流すＣＰＰ（Current Perpendicular to Plane）タイプでもよい。

下部再生シールド層３から上部再生シールド層７までの部分は、再生ヘッドを構成する。磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、上部再生シールド層７の上に配置された非磁性層８と、非磁性層８の上に配置された記録ヘッドとを備えている。非磁性層８は、例えばアルミナによって形成されている。記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、主磁極１２と、シールド１３と、ギャップ部とを備えている。

第１のコイル１１と第２のコイル１８は、いずれも平面渦巻き形状をなしている。また、第１のコイル１１と第２のコイル１８は、直列または並列に接続されている。図６において、符号１１ａは、第１のコイル１１のうち、第２のコイル１８に接続される接続部を示し、符号１８ａは、第２のコイル１８のうち、第１のコイル１１に接続される接続部を示している。磁気ヘッドは、更に、それぞれ導電材料よりなり、接続部１１ａの上に順に積層された接続層５１，５２，５３，５４を備えている。接続部１８ａは、接続層５４の上に配置されている。

第１のコイル１１および第２のコイル１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。主磁極１２は、媒体対向面３０に配置された端面を有し、コイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド１３は、媒体対向面３０において主磁極１２の端面の周りを囲むように配置された端面を有している。シールド１３は、磁性材料によって形成されている。シールド１３の材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、主磁極１２およびシールド１３に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された第１のリターンヨーク層２１と、主磁極１２およびシールド１３に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された第２のリターンヨーク層２９と、媒体対向面３０から離れた位置において主磁極１２の上に配置された上部ヨーク層１６とを備えている。第１および第２のリターンヨーク層２１，２９ならびに上部ヨーク層１６は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

磁気ヘッドは、更に、主磁極１２と第１のリターンヨーク層２１とを磁気的に連結する連結層６１，６２と、上部ヨーク層１６と第２のリターンヨーク層２９とを磁気的に連結する連結層６３，６４と、シールド１３と第２のリターンヨーク層２９とを磁気的に連結する連結層６５，６６とを備えている。連結層６１〜６６は、いずれも磁性材料によって形成されている。これらの材料としては、例えばＣｏＦｅＮ、ＣｏＮｉＦｅ、ＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

第１のリターンヨーク層２１は、非磁性層８の上に配置されている。第１のリターンヨーク層２１は、媒体対向面３０において主磁極１２の端面およびシールド１３の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面を有している。磁気ヘッドは、更に、第１のリターンヨーク層２１の周囲において非磁性層８の上に配置された絶縁材料よりなる図示しない絶縁層と、第１のリターンヨーク層２１の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２２とを備えている。第１のリターンヨーク層２１の周囲に配置された絶縁層と、絶縁層２２は、例えばアルミナによって形成されている。第１のコイル１１は、絶縁層２２の上に配置されている。

連結層６１は、媒体対向面３０から離れた位置において、第１のリターンヨーク層２１の上に配置されている。コイル１１は、連結層６１を中心として巻回されている。

磁気ヘッドは、更に、コイル１１の巻線間および周囲ならびに連結層６１の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２３と、絶縁層２３および連結層６１の周囲に配置された絶縁層２４とを備えている。コイル１１、連結層６１および絶縁層２３，２４の上面は平坦化されている。絶縁層２３は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２４は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１１は、銅等の導電材料によって形成されている。連結層６２は、連結層６１の上に配置されている。接続層５１は、コイル１１の接続部１１ａの上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、接続層５１および連結層６２の周囲においてコイル１１および絶縁層２３，２４の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層２５を備えている。接続層５１、連結層６２および絶縁層２５の上面は平坦化されている。絶縁層２５は、例えばアルミナによって形成されている。

シールド１３は、磁気的に連結された下部シールド１３Ａ、第１のサイドシールド１３Ｂ、第２のサイドシールド１３Ｃおよび上部シールド１３Ｄを有している。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、主磁極１２のトラック幅方向ＴＷの両側に配置されている。下部シールド１３Ａは、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置されている。上部シールド１３Ｄは、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置されている。

下部シールド１３Ａは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面と、基板１の上面からより遠い上面とを有している。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置された２つの端面を有している。上部シールド１３Ｄは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。図２に示したように、主磁極１２は、下部シールド１３Ａの上面からより遠い上面１２Ｔと、主磁極１２の上面１２Ｔとは反対側の下端１２Ｌと、第１の側部ＳＰ１と、第２の側部ＳＰ２とを有している。第１のサイドシールド１３Ｂは、主磁極１２の第１の側部ＳＰ１に対向する第１の側壁ＳＷ１を有している。第２のサイドシールド１３Ｃは、主磁極１２の第２の側部ＳＰ２に対向する第２の側壁ＳＷ２を有している。

ギャップ部は、非磁性材料よりなり、主磁極１２とシールド１３との間に設けられている。ギャップ部は、主磁極１２と下部シールド１３Ａおよびサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとの間に配置された第１のギャップ層２７と、主磁極１２と上部シールド１３Ｄとの間に配置された第２のギャップ層１４とを含んでいる。

下部シールド１３Ａは、絶縁層２５の上に配置されている。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、下部シールド１３Ａの上に配置され、下部シールド１３Ａの上面に接している。第１のギャップ層２７は、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２、下部シールド１３Ａの上面および絶縁層２５の上面に沿って配置されている。第１のギャップ層２７は、非磁性材料によって形成されている。第１のギャップ層２７を構成する非磁性材料は、絶縁材料でもよいし、非磁性金属材料でもよい。第１のギャップ層２７を構成する絶縁材料としては、例えばアルミナが用いられる。第１のギャップ層２７を構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。第１のギャップ層２７の厚みは、例えば４０〜１００ｎｍの範囲内である。

磁気ヘッドは、更に、第１のギャップ層２７の表面に沿って配置されたシード層２８を備えている。シード層２８は、金属材料によって形成されている。シード層２８を構成する金属材料は、非磁性金属材料でもよいし、金属磁性材料でもよい。シード層２８を構成する非磁性金属材料としては、例えばＲｕが用いられる。シード層２８を構成する金属磁性材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。シード層２８は、主磁極１２をめっき法で形成する際に電極およびシード層として用いられる。シード層２８の厚みは、例えば４０〜６０ｎｍの範囲内である。第１のギャップ層２７およびシード層２８には、接続層５１の上面を露出させる開口部と、連結層６２の上面を露出させる開口部とが形成されている。接続層５２は、接続層５１の上に配置されている。

主磁極１２は、下部シールド１３Ａおよび絶縁層２５の上面と主磁極１２との間に第１のギャップ層２７およびシード層２８が介在するように、下部シールド１３Ａおよび絶縁層２５の上に配置されている。また、図１および図４に示したように、主磁極１２と第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとの間にも、第１のギャップ層２７およびシード層２８が介在している。

主磁極１２の下端１２Ｌは、連結層６２の上面に接している。主磁極１２は、金属磁性材料によって形成されている。主磁極１２の材料としては、例えば、ＮｉＦｅ、ＣｏＮｉＦｅ、ＣｏＦｅのいずれかを用いることができる。

主磁極１２の下端１２Ｌは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｌ１と、この第１の部分１２Ｌ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｌ１に接続された第２の部分１２Ｌ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って大きくなっている。図２には、第１の部分１２Ｌ１の全体における任意の位置の基板１の上面からの距離が、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って大きくなる例を示している。第１の部分１２Ｌ１は、図２に示したように、２つの面が交わってできるエッジでもよいし、２つの面を連結する面でもよい。第２の部分１２Ｌ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在する面になっている。第１の部分１２Ｌ１は、第１のギャップ層２７およびシード層２８を介して、下部シールド１３Ａに対向している。下部シールド１３Ａのうち、第１の部分１２Ｌ１の少なくとも一部に対向する部分の厚み（基板１の上面に垂直な方向の寸法）は、媒体対向面３０に近づくに従って大きくなっている。

主磁極１２の上面１２Ｔは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。

磁気ヘッドは、更に、主磁極１２、下部シールド１３Ａ、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃおよび接続層５２の周囲に配置された非磁性材料よりなる非磁性層２６を備えている。本実施の形態では、特に、非磁性層２６は、アルミナ等の非磁性絶縁材料よりなる。

磁気ヘッドは、更に、主磁極１２の上面１２Ｔのうち第２の部分１２Ｔ２の一部の上に配置された非磁性金属材料よりなる非磁性金属層５８と、この非磁性金属層５８の上面の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層５９とを備えている。非磁性金属層５８は、例えばＲｕ、ＮｉＣｒまたはＮｉＣｕによって形成されている。絶縁層５９は、例えばアルミナによって形成されている。

第２のギャップ層１４は、主磁極１２の上面１２Ｔのうちの第１の部分１２Ｔ１と、非磁性金属層５８および絶縁層５９を覆うように配置されている。第２のギャップ層１４は、非磁性材料によって形成されている。第２のギャップ層１４の材料は、アルミナ等の非磁性絶縁材料でもよいし、Ｒｕ、ＮｉＣｕ、Ｔａ、Ｗ、ＮｉＢ、ＮｉＰ等の非磁性導電材料でもよい。

上部シールド１３Ｄは、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃおよび第２のギャップ層１４の上に配置され、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃおよび第２のギャップ層１４の上面に接している。媒体対向面３０において、上部シールド１３Ｄの端面の一部は、主磁極１２の端面に対して、第２のギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。第２のギャップ層１４の厚みは、５〜６０ｎｍの範囲内であることが好ましく、例えば３０〜６０ｎｍの範囲内である。主磁極１２の端面は、第２のギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

上部ヨーク層１６は、媒体対向面３０から離れた位置において主磁極１２の上に配置されている。接続層５３は接続層５２の上に配置されている。磁気ヘッドは、更に、上部シールド１３Ｄ、上部ヨーク層１６および接続層５３の周囲に配置された非磁性層４６を備えている。非磁性層４６は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。上部シールド１３Ｄ、上部ヨーク層１６、接続層５３および非磁性層４６の上面は平坦化されている。

連結層６５は、上部シールド１３Ｄの上に配置され、上部シールド１３Ｄの上面に接している。連結層６５は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。連結層６３は上部ヨーク層１６の上に配置されている。接続層５４は接続層５３の上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、接続層５４および連結層６３，６５の周囲に配置された非磁性層４７を備えている。非磁性層４７の一部は、連結層６５の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。非磁性層４７は、例えば無機絶縁材料によって形成されている。この無機絶縁材料としては、例えばアルミナまたはシリコン酸化物が用いられる。接続層５４、連結層６３，６５および非磁性層４７の上面は平坦化されている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性層４７の上面の一部の上に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１７を備えている。絶縁層１７は、例えばアルミナによって形成されている。第２のコイル１８は、絶縁層１７の上に配置されている。

連結層６６は連結層６５の上に配置されている。連結層６６は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。連結層６４は連結層６３の上に配置されている。第２のコイル１８は、連結層６４を中心として巻回されている。第２のコイル１８の接続部１８ａは、接続層５４の上に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、コイル１８の巻線間および周囲ならびに連結層６４の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層１９と、絶縁層１９および連結層６４，６６の周囲に配置された絶縁材料よりなる絶縁層４１とを備えている。絶縁層４１の一部は、連結層６６の媒体対向面３０により近い端面を覆っている。コイル１８、連結層６４，６６および絶縁層１９，４１の上面は平坦化されている。磁気ヘッドは、更に、コイル１８および絶縁層１９を覆うように配置された絶縁層２０を備えている。絶縁層１９は、例えばフォトレジストによって形成されている。絶縁層２０，４１は、例えばアルミナによって形成されている。コイル１８は、銅等の導電材料によって形成されている。

第２のリターンヨーク層２９は、連結層６６と連結層６４とを連結するように配置されている。第２のリターンヨーク層２９は、媒体対向面３０により近い端面を有し、この端面は媒体対向面３０から離れた位置に配置されている。

磁気ヘッドは、更に、非磁性材料よりなり、第２のリターンヨーク層２９を覆うように配置された保護層４２を備えている。保護層４２は、例えば、アルミナ等の無機絶縁材料によって形成されている。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドは、記録媒体に対向する媒体対向面３０と再生ヘッドと記録ヘッドとを備えている。再生ヘッドと記録ヘッドは、基板１の上に積層されている。再生ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの後側（スライダにおける空気流入端側）に配置され、記録ヘッドは記録媒体の進行方向Ｔの前側（スライダにおける空気流出端側）に配置されている。

再生ヘッドは、再生素子としてのＭＲ素子５と、媒体対向面３０側の一部がＭＲ素子５を挟んで対向するように配置された、ＭＲ素子５をシールドするための下部再生シールド層３および上部再生シールド層７と、ＭＲ素子５と下部再生シールド層３との間に配置された下部再生シールドギャップ膜４と、ＭＲ素子５と上部再生シールド層７との間に配置された上部再生シールドギャップ膜６とを備えている。

記録ヘッドは、第１のコイル１１と、第２のコイル１８と、主磁極１２と、シールド１３と、ギャップ部と、上部ヨーク層１６と、第１のリターンヨーク層２１と、第２のリターンヨーク層２９とを備えている。

第１のリターンヨーク層２１は、媒体対向面３０から離れた位置において、連結層６１，６２を介して主磁極１２に接続されている。第２のリターンヨーク層２９は、媒体対向面３０から離れた位置において、上部ヨーク層１６および連結層６３，６４を介して主磁極１２に接続されている。第１のコイル１１の一部は、主磁極１２、第１のリターンヨーク層２１および連結層６１，６２によって囲まれた空間を通過している。第２のコイル１８の一部は、主磁極１２、上部ヨーク層１６、第２のリターンヨーク層２９および連結層６３，６４，６５，６６によって囲まれた空間を通過している。

シールド１３は、主磁極１２のトラック幅方向ＴＷの両側に配置された第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃと、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された下部シールド１３Ａと、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃに対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された上部シールド１３Ｄとを有している。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、媒体対向面３０の近傍において、主磁極１２のトラック幅方向ＴＷの中心に対して対称な位置に配置されている。

下部シールド１３Ａは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面と、基板１の上面からより遠い上面とを有している。また、図１に示したように、下部シールド１３Ａは、第１層１３Ａ１と、第１層１３Ａ１の上に配置された第２層１３Ａ２とを有している。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置された２つの端面を有している。上部シールド１３Ｄは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。媒体対向面３０において、上部シールド１３Ｄの端面の一部は、主磁極１２の端面に対して、第２のギャップ層１４の厚みによる所定の間隔を開けて配置されている。主磁極１２の端面は、第２のギャップ層１４に隣接する辺を有し、この辺はトラック幅を規定している。

次に、主磁極１２の形状について詳しく説明する。図２に示したように、主磁極１２は、媒体対向面３０に配置された端面とその反対側の端部とを有するトラック幅規定部１２Ａと、トラック幅規定部１２Ａの端部に接続された幅広部１２Ｂとを含んでいる。また、主磁極１２は、下部シールド１３Ａの上面からより遠い上面１２Ｔと、主磁極１２の上面１２Ｔとは反対側の下端１２Ｌと、第１および第２の側部ＳＰ１，ＳＰ２とを有している。第１の側部ＳＰ１は、第１の側面Ｓ１、第３の側面Ｓ３および第５の側面Ｓ５を含んでいる。第２の側部ＳＰ２は、第２の側面Ｓ２、第４の側面Ｓ４および第６の側面Ｓ６を含んでいる。幅広部１２Ｂにおける上面１２Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、トラック幅規定部１２Ａにおける上面１２Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅よりも大きい。トラック幅規定部１２Ａにおける上面１２Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、媒体対向面３０からの距離によらずにほぼ一定である。幅広部１２Ｂにおける上面１２Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅は、例えば、トラック幅規定部１２Ａとの境界位置ではトラック幅規定部１２Ａにおける上面１２Ｔのトラック幅方向ＴＷの幅と等しく、媒体対向面３０から離れるに従って、徐々に大きくなった後、一定の大きさになっている。ここで、媒体対向面３０に垂直な方向についてのトラック幅規定部１２Ａの長さをネックハイトと呼ぶ。ネックハイトは、例えば０〜０．３μｍの範囲内である。ネックハイトが０の場合は、トラック幅規定部１２Ａがなく、幅広部１２Ｂの端面が媒体対向面３０に配置される。

図４に示したように、媒体対向面３０に配置された主磁極１２の端面すなわちトラック幅規定部１２Ａの端面は、第２のギャップ層１４に隣接する第１の辺Ａ１と、第１の辺Ａ１の一端部に接続された第２の辺Ａ２と、第１の辺Ａ１の他端部に接続された第３の辺Ａ３とを有している。第１の辺Ａ１はトラック幅を規定する。主磁極１２の端面すなわちトラック幅規定部１２Ａの端面のトラック幅方向ＴＷの幅は、主磁極１２の下端１２Ｌに近づくに従って小さくなっている。また、第２の辺Ａ２と第３の辺Ａ３がそれぞれ基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。第１の辺Ａ１の長さは、例えば０．０５〜０．２０μｍの範囲内である。

媒体対向面３０に配置されたシード層２８の端面は、第２のギャップ層１４に隣接する２つの辺を有している。シード層２８が金属磁性材料によって構成されている場合には、トラック幅は、第１の辺Ａ１の長さと、シード層２８の端面の上記２つの辺の長さとを合わせた長さと等しい。シード層２８が非磁性金属材料によって構成されている場合には、トラック幅は、第１の辺Ａ１の長さと等しい。

本実施の形態において、スロートハイトは、媒体対向面３０から見て主磁極１２と上部シールド１３Ｄとの間隔が大きくなり始める位置から媒体対向面３０までの距離となる。本実施の形態では、スロートハイトは、非磁性金属層５８の下面における媒体対向面３０に最も近い端縁と媒体対向面３０との間の距離と等しい。スロートハイトは、例えば０．０５〜０．３μｍの範囲内である。

図２に示したように、主磁極１２の下端１２Ｌは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｌ１と、この第１の部分１２Ｌ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｌ１に接続された第２の部分１２Ｌ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って大きくなっている。第２の部分１２Ｌ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｌ１の少なくとも一部が媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。

図１および図２に示したように、主磁極１２の上面１２Ｔは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。第２の部分１２Ｔ２は、実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｔ１が媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。なお、第１の部分１２Ｔ１は、媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる２つの平面部分を有していてもよい。

なお、図２には、第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離と、第１の部分１２Ｌ１と第２の部分１２Ｌ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離が、いずれも、トラック幅規定部１２Ａと幅広部１２Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトと等しい例を示している。しかし、第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離と、第１の部分１２Ｌ１と第２の部分１２Ｌ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離は、それぞれ、ネックハイトよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。

また、図２に示したように、第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、媒体対向面３０から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面３０までの第１の領域Ｒ１において互いに反対側に配置されている。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４は、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置されている。上記の所定の距離は、５０〜５００ｎｍの範囲内であり、１００〜２００ｎｍの範囲内であることが好ましい。第５の側面Ｓ５は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続している。第６の側面Ｓ６は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続している。

トラック幅方向ＴＷについての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、主磁極１２の下端１２Ｌに近づくに従って小さくなっている。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も主磁極１２の下端１２Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、最も主磁極１２の下端１２Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔よりも大きい。第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、主磁極１２の下端１２Ｌに近づくに従って大きくなっている。

第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１と、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２は、例えば７°〜１７°の範囲内であり、１０°〜１５°の範囲内であることが好ましい。

トラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、基板１の上面からの距離に関わらずに一定であってもよいし、基板１の上面に近づくに従って小さくなってもよいし、基板１の上面に近づくに従って大きくなってもよい。

トラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面からの距離に関わらずに一定である場合には、第３の面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度と第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、いずれも０°である。

トラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔が、基板１の上面に近づくに従って小さくなる場合には、第３の面Ｓ３の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第１の側面Ｓ１の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ１よりも小さく、第４の側面Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、第２の側面Ｓ２の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度θ２よりも小さい。ここで、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面に近づくに従って小さくなる場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を正の値で表し、トラック幅方向ＴＷについての側面Ｓ３，Ｓ４の間隔が基板１の上面に近づくに従って大きく場合には、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度を負の値で表す。この場合、側面Ｓ３，Ｓ４の各々が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、例えば−７°〜７°の範囲内であり、−７°〜０°の範囲内であることが好ましい。

なお、図２には、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離が、トラック幅規定部１２Ａと幅広部１２Ｂとの境界位置と媒体対向面３０との間の距離すなわちネックハイトと等しい例を示している。しかし、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置と媒体対向面３０との間の距離は、ネックハイトよりも小さくてもよいし、大きくてもよい。また、本実施の形態では、ネックハイトが０の場合であっても、媒体対向面３０から所定の距離だけ離れた位置に、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界が存在する。

図１ないし図３に示したように、主磁極１２の第１の側部ＳＰ１は、媒体対向面３０から所定の距離ＳＨ（図３参照）だけ離れた第１の位置Ｐ１において、第１の角Ｃ１が形成されるように屈曲している。主磁極１２の第２の側部ＳＰ２は、媒体対向面３０から上記の距離ＳＨだけ離れた第２の位置Ｐ２において、第２の角Ｃ２が形成されるように屈曲している。距離ＳＨは、０．１〜０．５μｍの範囲内であることが好ましく、０．１〜０．３μｍの範囲内であることがより好ましい。

第１のサイドシールド１３Ｂの第１の側壁ＳＷ１は、主磁極１２の第１の側面Ｓ１に対向する壁面１３Ｂ１と、主磁極１２の第３の側面Ｓ３に対向する壁面とを有している。第２のサイドシールド１３Ｃの第２の側壁ＳＷ２は、主磁極１２の第２の側面Ｓ２に対向する壁面１３Ｃ１と、主磁極１２の第４の側面Ｓ４に対向する壁面とを有している。壁面１３Ｂ１，１３Ｃ１は、互いに向き合っている。主磁極１２の第３の側面Ｓ３に対向する第１のサイドシールド１３Ｂの壁面と、主磁極１２の第４の側面Ｓ４に対向する第２のサイドシールド１３Ｃの壁面については、後で説明する。

図１および図３に示したように、第１の位置Ｐ１を始点として、媒体対向面３０から離れるに従って、トラック幅方向ＴＷについての第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔ＳＷＧ１が徐々に大きくなっている。同様に、第２の位置Ｐ２を始点として、媒体対向面３０から離れるに従って、トラック幅方向ＴＷについての第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔ＳＷＧ２が徐々に大きくなっている。

非磁性層２６は、媒体対向面３０から離れた位置で、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃと、主磁極１２の幅広部１２Ｂとの間に配置された第１および第２の部分２６Ｂ，２６Ｃを有している。第１の部分２６Ｂは、第１の位置Ｐ１に対して媒体対向面３０から遠い位置において第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１との間に配置されている。第２の部分２６Ｃは、第２の位置Ｐ２に対して媒体対向面３０から遠い位置において第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２との間に配置されている。位置Ｐ１，Ｐ２に対して媒体対向面３０に近い位置では、第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１との間、および第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２との間には、第１のギャップ層２７およびシード層２８は存在しているが、非磁性層２６は存在していない。位置Ｐ１に対して媒体対向面３０から遠い位置では、第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１との間に、第１のギャップ層２７、シード層２８および第１の部分２６Ｂが存在している。位置Ｐ２に対して媒体対向面３０から遠い位置では、第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２との間に、第１のギャップ層２７、シード層２８および第２の部分２６Ｃが存在している。媒体対向面３０から離れるに従って、トラック幅方向ＴＷについての第１および第２の部分２６Ｂ，２６Ｃの幅が徐々に大きくなっている。これにより、前述のように、それぞれ位置Ｐ１，Ｐ２を始点として、媒体対向面３０から離れるに従って、間隔ＳＷＧ１，ＳＷＧ２が徐々に大きくなっている。２つの部分２６Ｂ，２６Ｃは、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃと主磁極１２の幅広部１２Ｂとを磁気的に分離する機能を有する。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの作用および効果について説明する。この磁気ヘッドでは、記録ヘッドによって記録媒体に情報を記録し、再生ヘッドによって、記録媒体に記録されている情報を再生する。記録ヘッドにおいて、コイル１１，１８は、記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生する。コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束は、連結層６１，６２および主磁極１２を通過する。コイル１８によって発生された磁界に対応する磁束は、連結層６４，６３、上部ヨーク層１６および主磁極１２を通過する。従って、主磁極１２は、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束とを通過させる。

なお、コイル１１，１８は、直列に接続されていてもよいし、並列に接続されていてもよい。いずれにしても、主磁極１２において、コイル１１によって発生された磁界に対応する磁束とコイル１８によって発生された磁界に対応する磁束が同じ方向に流れるように、コイル１１，１８は接続される。

主磁極１２は、上述のようにコイル１１，１８によって発生された磁界に対応する磁束を通過させて、垂直磁気記録方式によって情報を記録媒体に記録するための記録磁界を発生する。

シールド１３は、磁気ヘッドの外部から磁気ヘッドに印加された外乱磁界を取り込む。これにより、外乱磁界が主磁極１２に集中して取り込まれることによって記録媒体に対して誤った記録が行なわれることを防止することができる。また、シールド１３は、主磁極１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを阻止する機能を有している。また、シールド１３、第１のリターンヨーク層２１および第２のリターンヨーク層２９は、主磁極１２の端面より発生されて、記録媒体を磁化した磁束を還流させる機能を有している。

シールド１３は、下部シールド１３Ａ、第１のサイドシールド１３Ｂ、第２のサイドシールド１３Ｃおよび上部シールド１３Ｄを有している。下部シールド１３Ａは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの後側に配置された端面を有している。第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対してトラック幅方向ＴＷの両側に配置された２つの端面を有している。上部シールド１３Ｄは、媒体対向面３０において主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側に配置された端面を有している。従って、本実施の形態によれば、主磁極１２の端面に対して記録媒体の進行方向Ｔの前側および後側ならびにトラック幅方向ＴＷの両側において、主磁極１２の端面より発生されて記録媒体の面に垂直な方向以外の方向に広がる磁束を取り込んで、この磁束が記録媒体に達することを抑制することができる。これにより、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、図４に示したように、媒体対向面３０に配置された主磁極１２の端面のトラック幅方向の幅は、基板１の上面に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、主磁極１２の下端１２Ｌは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｌ１と、この第１の部分１２Ｌ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｌ１に接続された第２の部分１２Ｌ２とを含んでいる。主磁極１２の上面１２Ｔは、媒体対向面３０に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分１２Ｔ１と、この第１の部分１２Ｔ１よりも媒体対向面３０から遠い位置に配置され、第２の端縁において第１の部分１２Ｔ１に接続された第２の部分１２Ｔ２とを含んでいる。第１の部分１２Ｌ１の少なくとも一部における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って大きくなっていると共に、第１の部分１２Ｔ１における任意の位置の基板１の上面からの距離は、この任意の位置が媒体対向面３０に近づくに従って小さくなっている。これにより、本実施の形態によれば、スキューに起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができ、且つ主磁極１２によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。

また、本実施の形態では、主磁極１２は、第１ないし第６の側面Ｓ１〜Ｓ６を有している。第１および第２の側面Ｓ１，Ｓ２は、媒体対向面３０から所定の距離だけ離れた位置から媒体対向面３０までの第１の領域Ｒ１において互いに反対側に配置されている。第３および第４の側面Ｓ３，Ｓ４は、第１の領域Ｒ１以外の第２の領域Ｒ２に配置されている。第５の側面Ｓ５は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第１の側面Ｓ１と第３の側面Ｓ３とを接続している。第６の側面Ｓ６は、第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置に配置され、第２の側面Ｓ２と第４の側面Ｓ４とを接続している。トラック幅方向ＴＷについての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔は、主磁極１２の下端１２Ｌに近づくに従って小さくなっている。第１の領域Ｒ１と第２の領域Ｒ２との境界位置において、最も主磁極１２の下端１２Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４の間隔は、最も主磁極１２の下端１２Ｌに近い位置におけるトラック幅方向ＴＷについての第１の側面Ｓ１と第２の側面Ｓ２の間隔よりも大きい。第５の側面Ｓ５の幅と第６の側面Ｓ６の幅は、いずれも、主磁極１２の下端１２Ｌに近づくに従って大きくなっている。

ここで、本実施の形態に対する比較例の磁気ヘッドとして、以下のような形状の主磁極を有する磁気ヘッドについて考える。この比較例における主磁極では、トラック幅方向についての第３の側面Ｓ３と第４の側面Ｓ４との間の距離は基板１の上面に近づくに従って小さくなり、且つ第３および第４の面Ｓ３，Ｓ４の基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、それぞれ角度θ１，θ２と等しい。この比較例における主磁極では、特にトラック幅規定部１２Ａと幅広部１２Ｂとの境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができなくなり、その結果、オーバーライト特性等の記録特性が低下してしまう。

これに対し、本実施の形態における主磁極１２では、比較例に比べて、トラック幅規定部１２Ａと幅広部１２Ｂとの境界の近傍の部分において、磁束の流れる方向に対して垂直な主磁極１２の断面積が大きくなる。そのため、本実施の形態における主磁極１２では、比較例に比べて、トラック幅規定部１２Ａと幅広部１２Ｂとの境界の近傍の部分において多くの磁束を通過させることができる。これにより、本実施の形態によれば、比較例に比べて、オーバーライト特性等の記録特性を向上させることができる。

このように、本実施の形態における主磁極１２によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立することができる。

次に、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法では、まず、図６および図７に示したように、基板１の上に、絶縁層２、下部再生シールド層３、下部再生シールドギャップ膜４を順に形成する。次に、下部再生シールドギャップ膜４の上にＭＲ素子５と、このＭＲ素子５に接続される図示しないリードとを形成する。次に、ＭＲ素子５およびリードを、上部再生シールドギャップ膜６で覆う。次に、上部再生シールドギャップ膜６の上に上部再生シールド層７、非磁性層８を順に形成する。

次に、例えばフレームめっき法によって、非磁性層８の上に第１のリターンヨーク層２１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に図示しない絶縁層を形成する。次に、例えば化学機械研磨（以下、ＣＭＰと記す。）によって、第１のリターンヨーク層２１が露出するまで、絶縁層を研磨して、第１のリターンヨーク層２１およびその周囲の絶縁層の上面を平坦化する。

次に、第１のリターンヨーク層２１およびその周囲の絶縁層の上面のうち、後にコイル１１が配置される領域の上に絶縁層２２を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層２２の上にコイル１１を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第１のリターンヨーク層２１の上に連結層６１を形成する。なお、連結層６１を形成した後に、コイル１１を形成してもよい。

次に、コイル１１の巻線間および周囲ならびに連結層６１の周囲に絶縁層２３を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２４を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コイル１１および連結層６１が露出するまで絶縁層２４を研磨して、コイル１１、連結層６１および絶縁層２３，２４の上面を平坦化する。

次に、例えばフレームめっき法によって、連結層６１の上に連結層６２を形成し、コイル１１の接続部１１ａの上に接続層５１を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層２５を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接続層５１および連結層６２が露出するまで絶縁層２５を研磨して、接続層５１、連結層６２および絶縁層２５の上面を平坦化する。

次に、図８ないし図２５を参照して、上記の工程の後、上部シールド１３Ｄ、上部ヨーク層１６、接続層５３および非磁性層４６の形成までの一連の工程について説明する。図８ないし図２５は、磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図８ないし図２０および図２２における（ａ）は、それぞれ、積層体の一部の上面を示している。図８ないし図２０および図２２における（ｂ）、図２３および図２５における（ａ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図８および図２２における（ｃ）、図２３および図２５における（ｂ）および図２４は、それぞれ、媒体対向面３０および基板１の上面に垂直な断面を表している。図１５ないし図２０における（ｃ）は、それぞれ、媒体対向面３０が形成される予定の位置に平行な断面を表している。図２１は、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置の近傍の部分を示している。なお、図８ないし図２５では、絶縁層２５よりも基板１側の部分を省略している。また、図８ないし図２５において、記号“ＡＢＳ”は、媒体対向面３０が形成される予定の位置を表している。

図８は、接続層５１、連結層６２および絶縁層２５の上面を平坦化した後の工程を示している。図８（ｃ）は、図８（ａ）において、８Ｃ−８Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、まず、例えばフレームめっき法によって、後に下部シールド１３Ａの第１層１３Ａ１となる磁性層を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層の上面に、後に形成される主磁極１２の下端１２Ｌにおける第１の部分１２Ｌ１に対向する部分が形成されるように、磁性層の一部をテーパーエッチングする。これにより、磁性層は第１層１３Ａ１となる。次に、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって、第１層１３Ａ１の上ならびに第１層１３Ａ１の周囲すなわち絶縁層２５上に、下部シールド１３Ａの第２層１３Ａ２を形成する。第２層１３Ａ２は、後に、めっき法によって下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとなる磁性層を形成する際のシード層となる。また、後に、第２層１３Ａ２のうち、第１層１３Ａ１の上に位置する部分以外の部分は、エッチングによって除去される。下部シールド１３Ａは、第１層１３Ａ１と、エッチング後の第２層１３Ａ２によって構成される。以下の説明では、便宜上、第２層１３Ａ２のエッチング前においても、第１層１３Ａ１と第２層１３Ａ２の積層部分を下部シールド１３Ａと呼ぶ。

次に、図９ないし図１３に示した一連の工程によって、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型を形成する。

図９は、図８に示した工程に続く工程を示している。この工程では、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域に、第１のレジスト層３１を形成する。第１のレジスト層３１は、後に形成される第１のサイドシールド１３Ｂの形状に対応した形状を有する部分３１ａと、後に形成される第２のサイドシールド１３Ｃの形状に対応した形状を有する部分３１ｂとを有している。より詳しく説明すると、この工程では、まず、積層体の上面全体の上にポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層は、その上面が後に形成される第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。このフォトマスクは、露光用の光を通過させる透光部と、露光用の光を遮断する遮光部とを有している。フォトマスクの遮光部は、後に形成される第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの平面形状に対応した形状を有する部分を含んでいる。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。露光後は、フォトレジスト層のうち、フォトマスクの透光部を通過した光が照射された部分は現像液に対して可溶性となり、他の部分は現像液に対して不溶性のままである。現像後に残ったフォトレジスト層が第１のレジスト層３１となる。

第１のレジスト層３１の部分３１ａ，３１ｂは、後に形成されるサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの壁面１３Ｂ１，１３Ｃ１に対応する壁面３１ａ１，３１ｂ１を有している。この工程では、壁面３１ａ１，３１ｂ１が、それぞれ基板１の上面に垂直な方向に対して傾き、下部シールド１３Ａの上面に近づくに従って壁面３１ａ１，３１ｂ１間の距離が小さくなるように、フォトレジスト層をパターニングする。このようなパターニングは、例えば、感度の低い下層と感度の高い上層からなるフォトレジスト層を用いることで実現することができる。壁面３１ａ１，３１ｂ１の間には、後に型の一部が収容される空間が形成されている。

図１０は、次の工程を示す。この工程では、第１のレジスト層３１を覆うように、非磁性材料よりなる分離膜３２を形成する。分離膜３２は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層３１と、後に形成されるネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層とが混合されることを防止するためのものである。分離膜３２の厚みは、例えば５〜２０ｎｍの範囲内である。分離膜３２の材料としては、例えばアルミナまたは合成樹脂が用いられる。分離膜３２の材料としてアルミナを用いる場合には、例えばイオンビームデポジション法によって、分離膜３２を形成する。

図１１は、次の工程を示す。この工程では、ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜３２の上に、後に型３３となる第２のレジスト層３３Ｐを形成する。第２のレジスト層３３Ｐ（型３３）は、後に形成される第１のサイドシールド１３Ｂの形状に対応した形状の開口部３３ａと、後に形成される第２のサイドシールド１３Ｃの形状に対応した形状の開口部３３ｂとを有している。より詳しく説明すると、この工程では、まず、積層体の上面全体の上にネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層を形成する。このフォトレジスト層は、その上面が分離膜３２のうち第１のレジスト層３１の上に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、フォトマスクを用いて、フォトレジスト層を選択的に露光する。このフォトマスクは、第１のレジスト層３１を形成する際に用いたフォトマスクと同様に、露光用の光を通過させる透光部と、露光用の光を遮断する遮光部とを有している。フォトマスクの遮光部は、後に形成される第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの平面形状に対応した形状を有する部分を含んでいる。次に、露光後のフォトレジスト層を現像する。露光後は、フォトレジスト層のうち、フォトマスクの透光部を通過した光が照射された部分は現像液に対して不溶性となり、他の部分は現像液に対して可溶性のままである。現像後に残ったフォトレジスト層が第２のレジスト層３３Ｐとなる。

図１２は、次の工程を示す。この工程では、例えばウェットエッチングによって、分離膜３２のうち、第２のレジスト層３３Ｐによって覆われていない部分を除去する。

図１３は、次の工程を示す。この工程では、第１および第２のレジスト層３１，３３Ｐを露光した後、第２のレジスト層３３Ｐの開口部３３ａ，３３ｂから、第１のレジスト層３１を除去する。具体的には、まず、積層体の上面全体を露光する。露光後は、ポジ型のフォトレジストよりなる第１のレジスト層３１は現像液に対して可溶性になり、ネガ型のフォトレジストよりなる第２のレジスト層３３Ｐは現像液に対して不溶性のままである。次に、例えばアルカリ性の現像液を用いて、第１のレジスト層３１を除去する。また、この工程では、第１のレジスト層３１を除去する際または第１のレジスト層３１を除去した後に、分離膜３２のうち、第２のレジスト層３３Ｐの開口部３３ａ，３３ｂの壁面に沿った部分を除去する。この工程により、第２のレジスト層３３Ｐは型３３となる。この工程において、図１３（ｂ）に示したように、分離膜３２のうち型３３の細い部分の下に存在していた部分は除去されてもよい。この場合でも、分離膜３２のうち型３３の太い部分の下に存在している部分は除去されないため、型３３が剥離することはない。

図１４は、次の工程を示す。この工程では、第１のレジスト層３１を除去した後に、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１３Ａの上面上に、第１のサイドシールド１３Ｂと第２のサイドシールド１３Ｃとを形成する。サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する際、下部シールド１３Ａの第２層１３Ａ２がシード層および電極として用いられる。サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃは、それぞれ、型３３の開口部３３ａ，３３ｂ内に形成される。図１３（ｂ）に示した工程において、分離膜３２のうち型３３の細い部分の下に存在していた部分が除去された場合には、図１４（ｂ）に示したように、型３３の細い部分の下の位置でサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが繋がってもよい。

図１５は、次の工程を示す。図１５（ｃ）は、図１５（ａ）において、１５Ｃ−１５Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、型３３と分離膜３２を除去する。

図１６は、次の工程を示す。図１６（ｃ）は、図１６（ａ）において、１６Ｃ−１６Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。この工程では、下部シールド１３Ａおよびサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上に、マスク３４を形成する。このマスク３４は、フォトレジスト層をパターニングして形成される。図１６に示したように、マスク３４は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの各上面のうち、媒体対向面３０が形成される予定の位置ＡＢＳからより遠い端縁の近傍の一部を覆っていない。

図１７は、次の工程を示す。図１７（ｃ）は、図１７（ａ）における１７Ｃ−１７Ｃ線で示す位置における積層体の断面を表している。この工程では、マスク３４とサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃをエッチングマスクとして用いて、エッチングによって、第２層１３Ａ２のうち第１層１３Ａ１の上に位置する部分以外の部分を除去する。このエッチングは、例えば、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４５°〜７５°の範囲内となり、且つイオンビームの進行方向のうちの基板１の上面に平行な成分の方向が回転または揺動するように、イオンビームエッチングを用いて行われる。このエッチングによって、第１層１３Ａ１と、その上に配置された第２層１３Ａ２よりなる下部シールド１３Ａが完成する。次に、マスク３４を除去する。

この工程において、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの各々の一部がエッチングされて、図１７（ｃ）に示したように、後に形成される主磁極１２の第３の側面Ｓ３に対向する第１のサイドシールド１３Ｂの壁面１３Ｂ２と、主磁極１２の第４の側面Ｓ４に対向する第２のサイドシールド１３Ｃの壁面１３Ｃ２とが形成される。図１７（ｂ）は、主磁極１２の第１の側面Ｓ１に対向する第１のサイドシールド１３Ｂの壁面１３Ｂ１と、主磁極１２の第２の側面Ｓ２に対向する第２のサイドシールド１３Ｃの壁面１３Ｃ１とを示している。図１７（ｂ）および（ｃ）に示したように、壁面１３Ｂ２が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、壁面１３Ｂ１が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。また、壁面１３Ｃ２が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度は、壁面１３Ｃ１が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい。

図１８は、次の工程を示す。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）における１８Ｃ−１８Ｃ線で示す位置における積層体の断面を表している。この工程では、積層体の上面全体の上に、第１のギャップ層２７を形成する。第１のギャップ層２７の材料としてアルミナを用いる場合には、例えば原子層堆積法（ＡＬＤ）によって、第１のギャップ層２７を形成する。第１のギャップ層２７の材料としてＲｕを用いる場合には、例えば化学的気相成長法（ＣＶＤ）によって、第１のギャップ層２７を形成する。

図１９は、次の工程を示す。図１９（ｃ）は、図１９（ａ）における１９Ｃ−１９Ｃ線で示す位置における積層体の断面を表している。この工程では、まず、例えばスパッタ法またはイオンビームデポジション法によって、積層体の上面全体の上にシード層２８を形成する。次に、第１のギャップ層２７およびシード層２８を選択的にエッチングして、第１のギャップ層２７およびシード層２８に、連結層６２の上面を露出させる開口部と、接続層５１の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、積層体の上面全体の上にフォトレジスト層を形成し、これをフォトリソグラフィによってパターニングして、第３のレジスト層３５を形成する。第３のレジスト層３５は、その上面がシード層２８のうちサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。第３のレジスト層３５は、後に形成される主磁極１２の形状に対応した形状の開口部３５ａと、接続層５２の形状に対応した形状の開口部を有している。

次に、シード層２８を電極およびシード層として用いて、めっき法によって、第３のレジスト層３５の開口部３５ａ内に、後に主磁極１２となる磁性層１２Ｐを形成する。また、例えばめっき法によって、接続層５１の上に接続層５２を形成する。磁性層１２Ｐおよび接続層５２は、その上面がシード層２８のうちサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。図１９（ａ）に示したように、磁性層１２Ｐは、上方から見たときに、磁性層１２Ｐのトラック幅方向の両側の２つの側部１２Ｐ１，１２Ｐ２が、それぞれサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２と交差する形状に形成される。これにより、後に、主磁極１２の側部ＳＰ１，ＳＰ２に角Ｃ１，Ｃ２が形成されることになる。

図２０は、次の工程を示す。図２０（ｃ）は、図２０（ａ）における２０Ｃ−２０Ｃ線で示す位置における積層体の断面を表している。この工程では、第３のレジスト層３５を除去する。

図２１は、次の工程を示す。なお、図２１では、シード層２８の図示を省略している。この工程では、まず、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ、第１のギャップ層２７および磁性層１２Ｐを覆うように、非磁性材料よりなる研磨前の非磁性層２６を形成する。研磨前の非磁性層２６の厚みは、例えば０．３〜０．５μｍの範囲内である。研磨前の非磁性層２６は、例えば、全体を原子層堆積法によって形成してもよい。あるいは、研磨前の非磁性層２６を第１層と第２層とで構成し、原子層堆積法によって第１層を形成した後にスパッタ法によって第２層を形成してもよい。研磨前の非磁性層２６は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃおよび磁性層１２Ｐの上方に位置する凸面部分２６Ｔ１と、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの周辺に位置して凸面部分２６Ｔ１よりも低い周辺部分２６Ｔ２とを含む上面を有している。

次に、例えばスパッタ法によって、研磨前の非磁性層２６の上に、非磁性金属材料よりなる研磨停止層３６を形成する。研磨停止層３６のうち、非磁性層２６の上面の周辺部分２６Ｔ２の上方に位置する部分の上面の高さは、後に形成される主磁極１２の上面１２Ｔにおける第２の部分１２Ｔ２の高さを規定する。研磨停止層３６の材料としては、例えばＲｕが用いられる。次に、例えばスパッタ法によって、後に研磨される被研磨層３７を形成する。被研磨層３７の材料としては、例えばアルミナが用いられる。

図２２は、次の工程を示す。図２２（ｃ）は、図２２（ａ）において、２２Ｃ−２２Ｃ線で示す位置における積層体の断面を示している。なお、図２２（ａ）では、シード層２８の図示を省略している。この工程では、例えばＣＭＰによって、研磨停止層３６のうち、非磁性層２６の上面の周辺部分２６Ｔ２の上方に位置する部分が露出するまで、被研磨層３７、研磨停止層３６および非磁性層２６を研磨する。この研磨工程において、研磨停止層３６のうち、非磁性層２６の上面の周辺部分２６Ｔ２の上方に位置する部分は、研磨を停止させる研磨ストッパとして機能する。図２１において記号“ＣＭＰ”は、研磨が停止する位置を表している。この研磨工程により、磁性層１２Ｐ、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ、接続層５２、非磁性層２６および研磨停止層３６の上面が平坦化される。図２２（ａ）に示したように、研磨後の非磁性層２６は、２つの部分２６Ｂ，２６Ｃを有している。

図２３は、次の工程を示す。この工程では、まず、磁性層１２Ｐおよびサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上に、積層されたマスク層５８Ｐ，５９Ｐを形成する。マスク層５８Ｐは後に非磁性金属層５８となるものであり、マスク層５９Ｐは後に絶縁層５９となるものである。これらマスク層５８Ｐ，５９Ｐは、例えば、スパッタ法によって形成された積層膜をエッチングによってパターニングして形成される。マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、磁性層１２Ｐの上面のうち、後に主磁極１２の上面１２Ｔの第２の部分１２Ｔ２となる部分を覆っている。媒体対向面３０が形成される予定の位置ＡＢＳにより近いマスク層５８Ｐの端縁は、主磁極１２の上面１２Ｔの第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２の境界の位置を規定する。次に、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを用いて、例えばイオンビームエッチングによって、磁性層１２Ｐ、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ、非磁性層２６および研磨停止層３６の一部をエッチングする。これにより、磁性層１２Ｐは主磁極１２となる。

イオンビームエッチングによって磁性層１２Ｐ、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ、非磁性層２６および研磨停止層３６の一部をエッチングする場合には、イオンビームの進行方向が基板１の上面に垂直な方向に対してなす角度が４０°〜７５°の範囲内となり、且つ基板１の上面に垂直な方向に見たときにイオンビームの進行方向が回転するようにする。このようなイオンビームエッチングを行うことにより、磁性層１２Ｐの上面１２Ｔには、第１の部分１２Ｔ１、第２の部分１２Ｔ２および第３の部分１２Ｔ３が形成される。第２の部分１２Ｔ２は、マスク層５８Ｐ，５９Ｐによって覆われている部分であり、実質的に後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｔ１と第３の部分１２Ｔ３は、マスク層５８Ｐ，５９Ｐによって覆われていない部分である。第３の部分１２Ｔ３は、第２の部分１２Ｔ２よりも基板１に近い位置に配置され、実質的に後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に延在している。第１の部分１２Ｔ１は、第２の部分１２Ｔ２と第３の部分１２Ｔ３とを連結する。後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に対して第１の部分１２Ｔ１がなす傾斜角度は、例えば１２°〜４５°の範囲内である。

図２４は、図２３に示した工程の変形例を示している。変形例では、第１の部分１２Ｔ１は、後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に対してなす角度が互いに異なる第１の平面部分Ｓ１１および第２の平面部分Ｓ１２を有している。第１の平面部分Ｓ１１は第３の部分１２Ｔ３に接続され、第２の平面部分Ｓ１２は第２の部分１２Ｔ２に接続されている。後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に対して第２の平面部分Ｓ１２がなす第２の傾斜角度は、後に形成される媒体対向面３０に垂直な方向に対して第１の平面部分Ｓ１１がなす第１の傾斜角度よりも大きい。第１の傾斜角度は、例えば１５°〜４０°の範囲内である。第２の傾斜角度は、例えば４０°〜９０°の範囲内である。

図２５は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、例えばスパッタ法または化学的気相成長法によって、第２のギャップ層１４を形成する。次に、例えばイオンビームエッチングによって、主磁極１２の上面１２Ｔの一部、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの上面の一部および接続層５２の上面が露出するように、第２のギャップ層１４、マスク層５８Ｐ，５９Ｐを選択的にエッチングする。これにより、マスク層５８Ｐ，５９Ｐは、それぞれ非磁性金属層５８、絶縁層５９となる。次に、例えばフレームめっき法によって、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃおよび第２のギャップ層１４の上に上部シールド１３Ｄを形成し、主磁極１２の上に上部ヨーク層１６を形成し、接続層５２の上に接続層５３を形成する。

次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４６を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、上部シールド１３Ｄ、上部ヨーク層１６および接続層５３が露出するまで、非磁性層４６を研磨して、上部シールド１３Ｄ、上部ヨーク層１６、接続層５３および非磁性層４６の上面を平坦化する。

次に、図６に示したように、例えばフレームめっき法によって、上部シールド１３Ｄの上に連結層６５を形成し、上部ヨーク層１６の上に連結層６３を形成し、接続層５３の上に接続層５４を形成する。次に、積層体の上面全体の上に非磁性層４７を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、接続層５４および連結層６３，６５が露出するまで、非磁性層４７を研磨する。

次に、非磁性層４７の上面のうち、コイル１８が配置される領域の上に絶縁層１７を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、絶縁層１７の上にコイル１８を形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、連結層６３の上に連結層６４を形成し、連結層６５の上に連結層６６を形成する。なお、連結層６４，６６を形成した後に、コイル１８を形成してもよい。

次に、コイル１８の巻線間および周囲ならびに連結層６４の周囲に絶縁層１９を形成する。次に、積層体の上面全体の上に、絶縁層４１を形成する。次に、例えばＣＭＰによって、コイル１８および連結層６４，６６が露出するまで絶縁層４１を研磨して、コイル１８、連結層６４，６６および絶縁層１９，４１の上面を平坦化する。

次に、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に絶縁層２０を形成する。次に、絶縁層２０を選択的にエッチングすることによって、絶縁層２０に、連結層６４の上面を露出させる開口部と連結層６６の上面を露出させる開口部とを形成する。次に、例えばフレームめっき法によって、第２のリターンヨーク層２９を形成する。

次に、積層体の上面全体を覆うように保護層４２を形成する。次に、保護層４２の上に配線や端子等を形成し、スライダ単位で基板を切断し、媒体対向面３０の研磨、浮上用レールの作製等を行って、磁気ヘッドが完成する。

以上説明したように、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法は、下部シールド１３Ａを形成する工程と、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型３３を形成する工程と、型３３の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する工程とを備えている。

磁気ヘッドの製造方法は、更に、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形成後、型３３を除去する工程と、型３３の除去後、第１のギャップ層２７を形成する工程と、第１のギャップ層２７の形成後、主磁極１２を形成する工程と、主磁極１２の形成後、第２のギャップ層１４を形成する工程と、第２のギャップ層１４の形成後、上部シールド１３Ｄを形成する工程とを備えている。

型３３を形成する工程は、ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域に、第１のレジスト層３１を形成する工程と、第１のレジスト層３１を覆うように、分離膜３２を形成する工程と、ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、分離膜３２の上に、後に型３３となる第２のレジスト層３３Ｐを形成する工程と、下部シールド１３Ａの上面上に第２のレジスト層３３Ｐが残って型３３となるように、第１のレジスト層３１と分離膜３２を除去する工程とを含んでいる。

本実施の形態では、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型３３を形成した後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する。本実施の形態によれば、エッチングされていない下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成することから、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制することができる。また、本実施の形態では、フォトリソグラフィによって形状が決定された型３３によって、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状が決定されることから、エッチングによってサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を決定する場合に比べて、少ない工程および時間で、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を容易に決定することができる。

図２６は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとなるめっき膜の成長方向を説明する斜視図である。図２６（ａ）は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形成後の状態を表している。なお、図２６（ａ）では、型３３の図示を省略している。図２６（ｂ）は、磁性層１２Ｐの上面を研磨した後の状態を表している。図２６において、めっき膜の成長方向を矢印で示している。図２６（ａ）に示したように、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとなるめっき膜は、下部シールド１３Ａの上面から、この上面に垂直な方向に成長する。このように、本実施の形態によれば、成長方向が均一なめっき膜によって、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、後で詳しく説明するように、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制することができる。

次に、比較例の磁気ヘッドの製造方法と比較しながら、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法の効果について更に詳しく説明する。まず、図２７ないし図３１を参照して、比較例の磁気ヘッドの製造方法を説明する。図２７ないし図３１は、比較例の磁気ヘッドの製造過程における積層体を示している。図２７、図２８、図２９ないし図３１における（ａ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置における断面を示している。図２９ないし図３１における（ｂ）は、それぞれ、積層体における媒体対向面３０が形成される予定の位置の近傍の部分を示している。なお、図２７ないし図３１では、下部シールド１３Ａよりも基板１側の部分を省略している。

図２７は、比較例において、下部シールド１３Ａを形成した後の工程を示している。この工程では、まず、例えばスパッタ法によって、積層体の上面全体の上に収容層１２６を形成する。収容層１２６の材料は、例えば、本実施の形態における非磁性層２６と同じである。次に、この収容層１２６を選択的にエッチングして、収容層１２６に、主磁極１２の一部を収容するための溝部１２６ａを形成する。

図２８は、次の工程を示す。この工程では、まず、積層体の上面全体の上に、非磁性材料よりなる第１のギャップ層１２７を形成する。第１のギャップ層１２７の材料は、例えば、本実施の形態における第１のギャップ層２７と同じである。第１のギャップ層１２７は、溝部１２６ａ内にも形成される。図示しないが、この時点では、第１のギャップ層１２７は、収容層１２６の上に配置された部分を有している。次に、例えばめっき法によって、後に主磁極１２となる磁性層１２Ｐを形成する。この磁性層１２Ｐは、溝部１２６ａを埋め、且つその上面が第１のギャップ層１２７のうち収容層１２６の上に配置された部分の上面よりも上方に配置されるように形成される。次に、例えばＣＭＰによって、収容層１２６が露出するまで磁性層１２Ｐおよび第１のギャップ層１２７を研磨して、磁性層１２Ｐおよび収容層１２６の上面を平坦化する。

図２９は、次の工程を示す。この工程では、収容層１２６を選択的にエッチングして、収容層１２６に、第１のサイドシールド１３Ｂを収容する溝部１２６ｂと、第２のサイドシールド１３Ｃを収容する溝部１２６ｃとを形成する。溝部１２６ｂ，１２６ｃは、収容層１２６を貫通している。

図３０は、次の工程を示す。この工程では、積層体の上面全体の上に、シード層１２８を形成する。シード層１２８の材料は、例えば、本実施の形態におけるシード層２８と同じである。シード層１２８は、溝部１２６ｂ，１２６ｃ内にも形成される。具体的には、溝部１２６ｂ，１２６ｃでは、下部シールド１３Ａの上面、収容層１２６の壁面、第１のギャップ層１２７の表面に沿って、シード層１２８が形成される。

図３１は、次の工程を示す。この工程では、めっき法によって、溝部１２６ｂ内に収容されるように第１のサイドシールド１３Ｂを形成し、溝部１２６ｃ内に収容されるように第２のサイドシールド１３Ｃを形成する。図３１（ｂ）には、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとなるめっき膜の成長方向を矢印で示している。次に、図３１（ｂ）に示したように、例えばＣＭＰによって、磁性層１２Ｐの上面が露出するまで、シード層１２８およびサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを研磨する。その後の工程は、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法における図２３に示した工程以降の工程と同じである。

比較例では、エッチングによって形成された収容層１２６の溝部１２６ｂ，１２６ｃ内にシード層１２８を形成した後、めっき法によって、溝部１２６ｂ，１２６ｃ内にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する。このとき、めっき膜は、シード層１２８の表面から成長する。図３１（ｂ）に示したように、このめっき膜中には、溝部１２６ｂ，１２６ｃの底部に沿ったシード層１２８の部分から上方に成長しためっき膜の部分と、溝部１２６ｂ，１２６ｃの壁面に沿ったシード層１２８の部分から水平方向に成長しためっき膜の部分とが合わさることによって２つの部分の繋ぎ目１３１が形成される。この繋ぎ目１３１は、大きな結晶粒界である。この繋ぎ目１３１には不純物が偏析しやすい。そのため、繋ぎ目１３１は、めっき膜中の他の部分に比べて磁気的特性が劣った磁気的欠陥になりやすい。めっき膜すなわちサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ内において、上記の磁気的欠陥の近傍では、磁束が乱れたり磁化の方向が固定されたりしやすく、それに起因して、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおいて局所的に大きな磁界が発生し、その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

また、比較例では、図３１（ｂ）に示したように、エッチングによって形成された溝部１２６ｂ，１２６ｃの底部上に、エッチングの際の反応生成物や被エッチング材料に起因したエッチング残渣１３２が残る場合がある。このエッチング残渣１３２の上にシード層１２８を形成すると、エッチング残渣１３２の上の部分においてシード層１２８に突起が発生する。めっき膜すなわちサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃ内において、上記のシード層１２８の突起の近傍では、前述の繋ぎ目１３１による磁気的欠陥と同様に、磁束が乱れたり磁化の方向が固定されたりしやすい。従って、めっき膜内の上記のシード層１２８の突起の近傍の部分も、磁気的欠陥と言える。そして、この磁気的欠陥に起因して、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおいて局所的に大きな磁界が発生し、その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。

これに対し、本実施の形態によれば、前述のように、下部シールド１３Ａの上面上であって、後にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型３３を形成した後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する。そのため、本実施の形態では、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃとなるめっき膜は、下部シールド１３Ａの上面から、この上面に垂直な方向に成長する。このように、本実施の形態によれば、成長方向が均一なめっき膜によって、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成することができる。これにより、本実施の形態によれば、めっき膜中に、比較例における繋ぎ目１３１が形成されない。また、本実施の形態では、エッチングされていない下部シールド１３Ａの上面上にサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成することから、比較例におけるエッチング残渣１３２が発生しない。これらのことから、本実施の形態によれば、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制することができる。その結果、本実施の形態によれば、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥に起因した隣接トラック消去の発生を抑制することができる。

また、本実施の形態では、フォトリソグラフィによって形状が決定された型３３によって、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状が決定されることから、エッチングによってサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を決定する場合に比べて、少ない工程および時間で、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を容易に決定することができる。

また、比較例では、エッチングによって収容層１２６に溝部１２６ａを形成し、溝部１２６ａ内に、後に主磁極１２となる磁性層１２Ｐを形成する。従って、主磁極１２（磁性層１２Ｐ）の厚みは、溝部１２６ａの深さ、すなわちエッチングによって収容層１２６に対して形成可能な溝部１２６ａの深さによって制限される。これに対し、本実施の形態では、めっき法によって形成されたサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの互いに向き合う壁面１３Ｂ１，１３Ｃ１の間に、第１のギャップ層２７とシード層２８を形成した後、後に主磁極１２となる磁性層１２Ｐを形成する。そのため、本実施の形態では、主磁極１２（磁性層１２Ｐ）の厚みは、エッチングによって形成可能な溝部の深さによって制限されることがない。従って、本実施の形態によれば、比較例に比べて、主磁極１２の厚みを大きくすることができ、その結果、主磁極１２によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。

また、本実施の形態では、図２２に示したように、被研磨層３７、研磨停止層３６および非磁性層２６を研磨する工程の後で、非磁性層２６は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃと主磁極１２の幅広部１２Ｂとの間に配置された２つの部分２６Ｂ，２６Ｃを有することになる。この２つの部分２６Ｂ，２６Ｃは、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃと主磁極１２の幅広部１２Ｂとを磁気的に分離する機能を有する。これにより、主磁極１２の幅広部１２Ｂからサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃへの磁束の漏れを抑制することができる。その結果、主磁極１２によって多くの磁束を媒体対向面３０まで導くことにより記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。

本実施の形態では、特に、主磁極１２の第１の側部ＳＰ１は、第１の位置Ｐ１において、第１の角Ｃ１が形成されるように屈曲し、主磁極１２の第２の側部ＳＰ２は、第２の位置Ｐ２において、第２の角Ｃ２が形成されるように屈曲している。そして、第１の位置Ｐ１を始点として、媒体対向面３０から離れるに従って、トラック幅方向ＴＷについての第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１の間隔ＳＳＷＧ１が徐々に大きくなり、第２の位置Ｐ２を始点として、媒体対向面３０から離れるに従って、トラック幅方向ＴＷについての第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２の間隔ＳＷＧ２が徐々に大きくなっている。部分２６Ｂは、第１の位置Ｐ１に対して媒体対向面３０から遠い位置において第１の側部ＳＰ１と第１の側壁ＳＷ１との間に配置され、部分２６Ｃは、第２の位置Ｐ２に対して媒体対向面３０から遠い位置において第２の側部ＳＰ２と第２の側壁ＳＷ２との間に配置されている。このような構成により、本実施の形態によれば、主磁極１２の側部ＳＰ１，ＳＰ２と、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの側壁ＳＷ１，ＳＷ２とが、第１のギャップ層２７およびシード層２８の厚みによる小さな間隔を開けて対向する領域の面積を小さくすることができる。その結果、主磁極１２の幅広部１２Ｂからサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃへの磁束の漏れを効果的に抑制することができ、記録特性（オーバーライト特性）を向上させることができる。

上記の構成は、サイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成した後に主磁極１２を形成するという本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によって実現することができる。従って、本実施の形態によれば、主磁極１２の周りに設けられたシールド１３を有し、シールド１３のうちの２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極１２と２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を容易に決定することが可能で、且つ主磁極１２からサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃへの磁束の漏れを抑制することが可能な磁気ヘッドを実現することができる。

また、本実施の形態では、ポジ型のフォトレジストを用いて第１のレジスト層３１を形成し、分離膜３２を形成した後、ネガ型のフォトレジストを用いて型３３を形成している。第１のレジスト層３１は、壁面３１ａ１，３１ｂ１の間に、後に型３３の一部が収容される空間を形成する。この空間に収容される型３３の一部の形状は、主磁極１２のトラック幅規定部１２Ａの形状に対応する。一般的に、ネガ型のフォトレジストよりもポジ型のフォトレジストの方が解像度の高いパターニングが可能である。そのため、本実施の形態のように、ポジ型のフォトレジストを用いて第１のレジスト層３１を形成することにより、上記空間に収容される型３３の一部の形状を精度よく規定でき、その結果、主磁極１２のトラック幅規定部１２Ａの形状を精度よく規定することが可能になる。

また、本実施の形態における主磁極１２は、前述のように規定された第１ないし第６の側面Ｓ１〜Ｓ６を有している。これにより、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立することができる。本実施の形態に係る磁気ヘッドは、型３３の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、下部シールド１３Ａの上面上に第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成し、その後、第１のギャップ層２７および主磁極１２を形成するという、本実施の形態に係る磁気ヘッドの製造方法によって製造することができる。従って、本実施の形態によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できる主磁極１２と、主磁極１２の周りに設けられたシールド１３とを有し、シールド１３のうちの２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極１２と２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を容易に決定することの可能な磁気ヘッドを実現することができる。

本実施の形態に係る磁気ヘッドは、特に、以下のような本実施の形態に係る製造方法よって製造することができる。本実施の形態に係る製造方法では、下部シールド１３Ａを形成する工程は、第１層１３Ａ１を形成する工程と、第１層１３Ａ１の上ならびに第１層１３Ａ１の周囲に第２層１３Ａ２を形成する工程とを含み、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する工程は、第２層１３Ａ２をシード層として用いてめっきを行って第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃを形成する。本実施の形態では、更に、型３３を除去する工程と第１のギャップ層２７を形成する工程との間において、エッチングによって、第２層１３Ａ２のうち第１層１３Ａ１の上に位置する部分以外の部分を除去するエッチング工程を備えている。そして、エッチング工程において、第１および第２のサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの各々の一部がエッチングされて、主磁極１２の第３の側面Ｓ３に対向する第１のサイドシールド１３Ｂの壁面１３Ｂ２と、主磁極１２の第４の側面Ｓ４に対向する第２のサイドシールド１３Ｃの壁面１３Ｃ２とが形成される。この製造方法によれば、隣接トラック消去の発生の抑制と記録特性の向上を両立できる主磁極１２と、主磁極１２の周りに設けられたシールド１３とを有し、シールド１３のうちの２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃにおける磁気的欠陥の発生を抑制できると共に、主磁極１２と２つのサイドシールド１３Ｂ，１３Ｃの形状を容易に決定することの可能な磁気ヘッドを実現することができる。

なお、第２層１３Ａ２のうち第１層１３Ａ１の上に位置する部分以外の部分を除去しないと、以下のような問題が生じる。すなわち、この場合、広い領域に配置された第２層１３Ａ２に磁束が漏れ、それに起因して、下部シールド１３Ａにおいて意図しない磁界の変動が生じ、その結果、隣接トラック消去が発生するおそれがある。そのため、第２層１３Ａ２のうち第１層１３Ａ１の上に位置する部分以外の部分は除去する必要がある。

なお、本発明は、上記実施の形態に限定されず、種々の変更が可能である。例えば、型３３の形成方法は、実施の形態で用いたポジ型のフォトレジストとネガ型のフォトレジストとを用いた方法に限定されない。型３３は、例えば、ポジ型またはネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって形成してもよい。あるいは、図１０に示した分離膜３２の形成後、フォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、型３３を収容するための開口部を有するフレームを形成し、このフレームの開口部内に型３３を形成してもよい。この場合、型３３の材料には、アルミナ等の種々の材料を用いることができる。このように、本発明において、型３３は、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去されるものであればよく、フォトレジストによって形成されたものに限定されない。

また、実施の形態では、主磁極１２の下端１２Ｌが第１の部分１２Ｌ１と第２の部分１２Ｌ２とを含み、主磁極１２の上面１２Ｔが第１の部分１２Ｔ１と第２の部分１２Ｔ２とを含んでいるが、主磁極１２の下端１２Ｌおよび上面１２Ｔは、それぞれ、それらの全体が実質的に媒体対向面３０に垂直な方向に延びていてもよい。

また、実施の形態では、基体側に再生ヘッドを形成し、その上に、記録ヘッドを積層した構造の磁気ヘッドについて説明したが、この積層順序を逆にしてもよい。

１２…主磁極、１３…シールド、１３Ａ…下部シールド、１３Ｂ，１３Ｃ…サイドシールド、１３Ｄ…上部シールド、１４…第２のギャップ層、２７…第１のギャップ層、２８…シード層、３１…第１のレジスト層、３２…分離膜、３３…型、３３Ｐ…第２のレジスト層。

Claims (9)

1. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールドと、
   非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記シールドとの間に設けられたギャップ部と、
   上面を有する基板とを備え、
   前記コイル、主磁極、シールドおよびギャップ部は、前記基板の上面の上方に配置され、
   前記シールドは、下部シールドと、第１および第２のサイドシールドと、上部シールドとを含み、
   前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面と、上面とを有し、
   前記第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有し、
   前記上部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、
   前記ギャップ部は、前記主磁極と下部シールドとの間ならびに前記主磁極と第１および第２のサイドシールドとの間に配置された第１のギャップ層と、前記主磁極と上部シールドとの間に配置された第２のギャップ層とを含み、
   前記主磁極は、前記下部シールドの上面からより遠い上面と、前記主磁極の上面とは反対側の下端と、第１ないし第６の側面とを有し、
   前記主磁極の端面のトラック幅方向の幅は、前記主磁極の下端に近づくに従って小さくなり、
   前記第１および第２の側面は、前記媒体対向面から５０〜５００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から前記媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置され、
   前記第３および第４の側面は、前記第１の領域以外の第２の領域に配置され、
   前記第５の側面は、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第１の側面と第３の側面とを接続し、
   前記第６の側面は、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第２の側面と第４の側面とを接続し、
   トラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記主磁極の下端に近づくに従って小さくなり、
   前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きく、
   第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、主磁極の下端に近づくに従って大きくなり、
   前記第１のサイドシールドは、それぞれ前記主磁極の第１および第３の側面に対向する２つの壁面を有し、
   前記第２のサイドシールドは、それぞれ前記主磁極の第２および第４の側面に対向する２つの壁面を有し、
   前記主磁極の第３の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記主磁極の第１の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
   前記主磁極の第４の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記主磁極の第２の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さい垂直磁気記録用磁気ヘッドを製造する方法であって、
   前記下部シールドを形成する工程と、
   前記下部シールドの上面上であって、後に前記第１および第２のサイドシールドが形成される領域を除く領域に、フォトリソグラフィによって形状が決定され後に除去される型であって、前記第１および第２のサイドシールドの形状に対応した形状の第１および第２の開口部を有する型を形成する工程と、
   前記型の形成後、シード層を形成することなくめっきを行って、前記下部シールドの上面上であって前記第１および第２の開口部内に前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程と、
   前記第１および第２のサイドシールドの形成後、前記型を除去する工程と、
   前記型の除去後、前記第１のギャップ層を形成する工程と、
   前記第１のギャップ層の形成後、前記主磁極を形成する工程と、
   前記主磁極の形成後、前記第２のギャップ層を形成する工程と、
   前記第２のギャップ層の形成後、前記上部シールドを形成する工程と、
   前記コイルを形成する工程とを備え、
   前記下部シールドを形成する工程は、第１層を形成する工程と、前記第１層の上ならびに第１層の周囲に第２層を形成する工程とを含み、
   前記第１および第２のサイドシールドを形成する工程は、前記第２層をシード層として用いてめっきを行って前記第１および第２のサイドシールドを形成し、
   磁気ヘッドの製造方法は、更に、前記型を除去する工程と第１のギャップ層を形成する工程との間において、エッチングによって、前記第２層のうち前記第１層の上に位置する部分以外の部分を除去するエッチング工程を備え、
   前記エッチング工程において、前記第１および第２のサイドシールドの各々の一部がエッチングされて、前記主磁極の第３の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面と、前記主磁極の第４の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面とが形成されることを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記型を形成する工程は、
   ポジ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、前記下部シールドの上面上であって、後に前記第１および第２のサイドシールドが形成される領域に、第１のレジスト層を形成する工程と、
   前記第１のレジスト層を覆うように、分離膜を形成する工程と、
   ネガ型のフォトレジストよりなるフォトレジスト層をフォトリソグラフィによってパターニングすることによって、前記分離膜の上に、後に前記型となる第２のレジスト層を形成する工程と、
   前記下部シールドの上面上に前記第２のレジスト層が残って前記型となるように、前記第１のレジスト層と分離膜を除去する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
3. 前記主磁極を形成する工程は、
   後に前記主磁極となる磁性層を形成する工程と、
   前記第１および第２のサイドシールド、第１のギャップ層および磁性層を覆うように、非磁性材料よりなる非磁性層を形成する工程と、
   前記第１および第２のサイドシールドおよび磁性層が露出するまで前記非磁性層を研磨する工程とを含むことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
4. 研磨前の前記非磁性層は、前記第１および第２のサイドシールドおよび磁性層の上方に位置する凸面部分と、第１および第２のサイドシールドの周辺に位置して前記凸面部分よりも低い周辺部分とを含む上面を有し、
   前記主磁極を形成する工程は、更に、
   前記研磨前の非磁性層の上に研磨停止層を形成する工程と、
   前記研磨停止層の上に、後に研磨される被研磨層を形成する工程とを含み、
   前記非磁性層を研磨する工程は、前記研磨停止層のうち、前記非磁性層の上面の周辺部分の上方に位置する部分が露出するまで、前記被研磨層、研磨停止層および非磁性層を研磨することを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
5. 研磨後の前記非磁性層は、前記媒体対向面から離れた位置で、前記第１および第２のサイドシールドと前記主磁極との間に配置された第１および第２の部分を有することを特徴とする請求項３記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
6. 前記主磁極は、前記下部シールドの上面からより遠い上面と、前記主磁極の上面とは反対側の下端と、第１および第２の側部とを有し、
   前記第１のサイドシールドは、前記主磁極の第１の側部に対向する第１の側壁を有し、
   前記第２のサイドシールドは、前記主磁極の第２の側部に対向する第２の側壁を有し、
   前記第１の側部は、前記媒体対向面から所定の距離だけ離れた第１の位置において、第１の角が形成されるように屈曲し、
   前記第２の側部は、前記媒体対向面から所定の距離だけ離れた第２の位置において、第２の角が形成されるように屈曲し、
   前記第１の位置を始点として、前記媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての前記第１の側部と第１の側壁の間隔が徐々に大きくなり、
   前記第２の位置を始点として、前記媒体対向面から離れるに従って、トラック幅方向についての前記第２の側部と第２の側壁の間隔が徐々に大きくなり、
   前記非磁性層の第１の部分は、前記第１の位置に対して前記媒体対向面から遠い位置において前記第１の側部と第１の側壁との間に配置され、前記非磁性層の第２の部分は、前記第２の位置に対して前記媒体対向面から遠い位置において前記第２の側部と第２の側壁との間に配置されていることを特徴とする請求項５記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
7. 前記主磁極は、前記媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、前記第１の部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第２の端縁において前記第１の部分に接続された第２の部分とを含む上面を有し、前記第１の部分における任意の位置の前記下部シールドの上面からの距離は、前記任意の位置が前記媒体対向面に近づくに従って小さくなり、
   前記主磁極を形成する工程は、
   後に前記主磁極となる磁性層を形成する工程と、
   前記主磁極の上面における前記第１の部分が形成されるように、前記磁性層の一部をエッチングする工程を備えたことを特徴とする請求項１記載の垂直磁気記録用磁気ヘッドの製造方法。
8. 記録媒体に対向する媒体対向面と、
   前記記録媒体に記録する情報に応じた磁界を発生するコイルと、
   前記媒体対向面に配置された端面を有し、前記コイルによって発生された磁界に対応する磁束を通過させると共に、垂直磁気記録方式によって前記情報を前記記録媒体に記録するための記録磁界を発生する主磁極と、
   磁性材料よりなり、前記媒体対向面において前記主磁極の端面の周りを囲むように配置された端面を有するシールドと、
   非磁性材料よりなり、前記主磁極と前記シールドとの間に設けられたギャップ部と、
   上面を有する基板とを備えた垂直磁気記録用磁気ヘッドであって、
   前記コイル、主磁極、シールドおよびギャップ部は、前記基板の上面の上方に配置され、
   前記シールドは、下部シールドと、第１および第２のサイドシールドと、上部シールドとを含み、
   前記下部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の後側に配置された端面と、上面とを有し、
   前記第１および第２のサイドシールドは、媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対してトラック幅方向の両側に配置された２つの端面を有し、
   前記上部シールドは、前記媒体対向面において前記主磁極の前記端面に対して記録媒体の進行方向の前側に配置された端面を有し、
   前記ギャップ部は、前記主磁極と下部シールドの間ならびに前記主磁極と第１および第２のサイドシールドとの間に配置された第１のギャップ層と、前記主磁極と上部シールドとの間に配置された第２のギャップ層とを含み、
   前記主磁極は、前記下部シールドの上面からより遠い上面と、前記主磁極の上面とは反対側の下端と、第１ないし第６の側面とを有し、
   前記主磁極の端面のトラック幅方向の幅は、前記主磁極の下端に近づくに従って小さくなり、
   前記第１および第２の側面は、前記媒体対向面から５０〜５００ｎｍの範囲内の距離だけ離れた位置から前記媒体対向面までの第１の領域において互いに反対側に配置され、
   前記第３および第４の側面は、前記第１の領域以外の第２の領域に配置され、
   前記第５の側面は、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第１の側面と第３の側面とを接続し、
   前記第６の側面は、前記第１の領域と第２の領域との境界位置に配置され、前記第２の側面と第４の側面とを接続し、
   トラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔は、前記主磁極の下端に近づくに従って小さくなり、
   前記第１の領域と第２の領域との境界位置において、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第３の側面と第４の側面の間隔は、最も主磁極の下端に近い位置におけるトラック幅方向についての前記第１の側面と第２の側面の間隔よりも大きく、
   第５の側面の幅と第６の側面の幅は、いずれも、主磁極の下端に近づくに従って大きくなり、
   前記第１のサイドシールドは、それぞれ前記主磁極の第１および第３の側面に対向する２つの壁面を有し、
   前記第２のサイドシールドは、それぞれ前記主磁極の第２および第４の側面に対向する２つの壁面を有し、
   前記主磁極の第３の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記主磁極の第１の側面に対向する第１のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さく、
   前記主磁極の第４の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度は、前記主磁極の第２の側面に対向する第２のサイドシールドの壁面が前記基板の上面に垂直な方向に対してなす角度よりも小さいことを特徴とする垂直磁気記録用磁気ヘッド。
9. 前記主磁極の上面は、前記媒体対向面に配置された第１の端縁とその反対側の第２の端縁とを有する第１の部分と、前記第１の部分よりも前記媒体対向面から遠い位置に配置され、前記第２の端縁において前記第１の部分に接続された第２の部分とを含み、前記第１の部分における任意の位置の前記下部シールドの上面からの距離は、前記任意の位置が前記媒体対向面に近づくに従って小さくなることを特徴とする請求項８記載の垂直磁気記録用磁気ヘッド。

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