JP2010129127A - 磁気ヘッドの製造方法、情報記憶装置、およびエッチング方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】磁気ヘッドの製造工程で用いられるドライエッチング用マスクを、高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、所定形状の第3のマスク層43が形成された積層体をチャンバ62内に収容して、第1の反応性イオンエッチングプロセスを実施し、第2のマスク層の所定領域を除去する工程と、チャンバ62内のガス置換を行う工程と、第2のマスク層42が形成された積層体に対して第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施し、第1のマスク層の所定領域を除去する工程と、積層体をチャンバから取り出して、第1のマスク層41が形成された積層体に対してイオンミルプロセスを実施し、ストッパ層17および磁性層19の所定領域を除去する工程とを備える。
【選択図】図7
【解決手段】本発明に係る磁気ヘッドの製造方法は、所定形状の第3のマスク層43が形成された積層体をチャンバ62内に収容して、第1の反応性イオンエッチングプロセスを実施し、第2のマスク層の所定領域を除去する工程と、チャンバ62内のガス置換を行う工程と、第2のマスク層42が形成された積層体に対して第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施し、第1のマスク層の所定領域を除去する工程と、積層体をチャンバから取り出して、第1のマスク層41が形成された積層体に対してイオンミルプロセスを実施し、ストッパ層17および磁性層19の所定領域を除去する工程とを備える。
【選択図】図7
Description
本発明は、磁気ヘッドの製造方法、情報記憶装置、およびエッチング方法に関し、さらに詳細には反応性イオンエッチングプロセスを用いた垂直磁気記録方式の磁気ヘッドの製造方法、および当該磁気ヘッドを備える情報記憶装置、ならびに当該反応性イオンエッチングプロセスに用いられるエッチング方法に関する。
近年、磁気ディスク装置等の情報記憶装置における記憶容量は顕著に増大する傾向にある。これに伴い、記録媒体の高記録密度化と共に、磁気ヘッドの記録再生特性のさらなる性能向上が要請されている。例えば、再生ヘッドとして、高い再生出力を得ることができるGMR(Giant Magnetoresistance)素子、あるいは、より高い再生感度の得られるTMR(Tunneling Magnetoresistance)素子等の磁気抵抗効果型再生素子を用いたヘッドが開発されている。一方、記録ヘッドとして、電磁誘導を利用した誘導型のヘッドが開発されている。
このような背景の下、垂直磁気記録方式、すなわち垂直磁気記録媒体と垂直磁気記録ヘッドとを組み合わせて使用する記録方式の情報記憶装置において、高記録密度化を目的とする記録磁界強度の向上を図るため、主磁極の浮上面寄り先端部を、ダウントラック方向に絞る形状(以下、「絞り部」という)に形成する構造の例が開示されている(非特許文献1、2参照)。
しかし、主磁極の先端部に上記絞り部を設ける場合には、記録特性にばらつきが生じないように、絞り部のヘッドハイト方向の長さ寸法を高精度に形成する必要がある。したがって、当該絞り部をドライエッチング加工によって形成する際に設けられるエッチングマスクの位置制御を、いかに高精度に行うかが課題となっている。
ここで、基板をドライエッチングによって加工する際に、エッチングコンディションを整えて、加工ばらつきの低減が可能となる方法が開示されている(特許文献1、2参照)。
Y.Kanai et al.,IEEE Trans.Magn.,VOL.39,NO.4,pp.1955−1960,Jul.2003
Y.Kanai et al.,IEEE Trans.Magn.,VOL.39,NO.5,pp.2405−2407,Sep.2003
特開2002−319571号公報
特表2001−523044号公報
本発明は、磁気ヘッドを製造する工程で実施されるドライエッチングにおいて用いられるエッチングマスクを、形成位置のばらつきがなく、高精度に形成することが可能な磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
本発明は、以下に記載するような解決手段により、前記課題を解決する。
この磁気ヘッドの製造方法は、磁気ヘッドに加工される所定の薄膜が積層された積層体を、イオンミルプロセスによって所定形状に加工する磁気ヘッドの製造方法であって、基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、主磁極となる磁性層を形成する工程と、前記磁性層が形成された積層体の上に、ストッパ層を形成する工程と、前記ストッパ層が形成された積層体の上に、第1のマスク層を形成する工程と、前記第1のマスク層が形成された積層体の上に、第2のマスク層を形成する工程と、前記第2のマスク層が形成された積層体の上に、第3のマスク層を所定形状に形成する工程と、前記所定形状の第3のマスク層が形成された積層体をチャンバ内に収容して、該積層体に対して第1の反応性イオンエッチングプロセスを実施して、該第3のマスク層をマスクとして、前記第2のマスク層の所定領域を除去する工程と、前記チャンバ内のガス置換を行う工程と、前記チャンバ内で、前記所定領域が除去された第2のマスク層が形成された積層体に対して第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施して、該第2のマスク層をマスクとして、前記第1のマスク層の所定領域を除去する工程と、前記所定領域が除去された第1のマスク層が形成された積層体を前記チャンバから取り出して、該積層体に対してイオンミルプロセスを実施して、該第1のマスク層をマスクとして、前記ストッパ層および前記磁性層の所定領域を除去する工程と、を備え、前記ストッパ層の第2の反応性イオンエッチングプロセスに対するエッチングレートは、前記第1のマスク層の該エッチングレートよりも低いことを要件とする。
本発明によれば、特に、主磁極をドライエッチング加工する際に用いられるエッチングマスクを、形成位置のばらつきがなく、高精度に形成することが可能となる。
以下、図面を参照して、本発明の実施形態について詳しく説明する。図1は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッド1の構成例を示す概略図(クロストラック方向に垂直な断面図)である。図2〜図6は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法と本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法とに共通の工程を説明するための説明図である。図7は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法の例を説明するための説明図である。図8は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法の変形例を説明するための説明図である。図9は、本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法の他の変形例を説明するための説明図である。図10は、従来の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法における課題を説明するための説明図である。図11は、主磁極10をエッチング加工する際に用いられるマスク層41の形成精度に関する測定データである。図12は、本発明の実施形態に係る情報記憶装置50の例を示す概略図である。なお、図中、Xがクロストラック方向、Yがダウントラック方向、Zがヘッドハイト方向をそれぞれ示す(各図共通)。
本発明の実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法によって製造される磁気ヘッド1は、ハードディスク等の磁気記録媒体へ磁気信号を書き込む記録ヘッド部3を有する磁気ヘッドである。
記録ヘッド部3が積層され、その積層面に直交する面に浮上面5が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面5によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド1として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。
記録ヘッド部3が積層され、その積層面に直交する面に浮上面5が設けられて、ヘッドスライダとして構成された後、当該浮上面5によって回転する磁気記録媒体上を浮上して記録を行うものである。
以下、磁気ヘッド1として、垂直磁気記録方式の磁気ヘッドについて説明する。
図1に示すように、磁気ヘッド1は、一つの実施形態として、再生ヘッド部2と記録ヘッド部3とを備える複合型磁気ヘッドとして構成される。なお、本発明の適用を当該複合型磁気ヘッドに限定するものではない。
ここで、図1はクロストラック方向に垂直な方向の断面図として図示している。なお、図中の符合5が浮上面を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
ここで、図1はクロストラック方向に垂直な方向の断面図として図示している。なお、図中の符合5が浮上面を表すが、本来、浮上面は、積層工程が完了した後に、研磨工程を経て形成されるものであるため、途中工程においては、浮上面形成予定位置と考えるべきものである。
先ず、再生ヘッド部2の構成例を説明する。ベースとなるウエハ基板11上に、再生ヘッド部2の下部シールド層12が形成される。
下部シールド層12の上層には、再生素子13が形成される。ここで、再生素子13には、例えば、TMR素子もしくはGMR素子等の磁気抵抗効果型再生素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符号31は、Al2O3等からなる絶縁層である。
下部シールド層12の上層には、再生素子13が形成される。ここで、再生素子13には、例えば、TMR素子もしくはGMR素子等の磁気抵抗効果型再生素子が用いられるが、その膜構成としては、種々の構成を採用することができる。なお、符号31は、Al2O3等からなる絶縁層である。
再生素子13および絶縁層31上に、上部シールド層14が形成される。なお、上部シールド層14、下部シールド層12共に、NiFe等の磁性材料(軟磁性材)を用いて構成される。
次に、記録ヘッド部3の構成例を説明する。前記上部シールド層14上に絶縁層32が形成される。
絶縁層32上に、磁性材料からなる第1リターンヨーク15が形成される。
第1リターンヨーク15上にAl2O3等からなる絶縁層33が形成され、絶縁層33上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第1コイル16が形成され、さらに、第1コイル16を覆うように、Al2O3等からなる絶縁層34が形成される。
また、同図のように、絶縁層34の上に、磁性材料からなる盛上層18が形成される。なお、盛上層18を設けない構成も考えられる。
なお、本実施形態においては、ウエハ基板11から、絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という(図中、符号6)。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
絶縁層32上に、磁性材料からなる第1リターンヨーク15が形成される。
第1リターンヨーク15上にAl2O3等からなる絶縁層33が形成され、絶縁層33上には導電材料を用いて、平面螺旋状に第1コイル16が形成され、さらに、第1コイル16を覆うように、Al2O3等からなる絶縁層34が形成される。
また、同図のように、絶縁層34の上に、磁性材料からなる盛上層18が形成される。なお、盛上層18を設けない構成も考えられる。
なお、本実施形態においては、ウエハ基板11から、絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造を「基体」という(図中、符号6)。ただし、基体については種々の構成を採用することができ、上記構成はあくまでも一例示に過ぎない。
また、基体6上、すなわち絶縁層34および盛上層18の上に、磁性材料からなる主磁極19が形成される。なお、主磁極19を形成する方法(詳細は後述する)は複数考えられ、例えば、鍍金プロセスを用いて形成する場合は、一旦、先に鍍金ベースを形成し、その上に主磁極19を形成することとなるが、当該鍍金ベースについては、機能的に主磁極19と同視できるものであり、図の簡素化のために図示を省略している(その他の鍍金ベースについても同様に図示省略)。ちなみに、主磁極19は単層構造に限られず、異なる磁性材料を積層させる多層構造を採用することも考えられる。
本実施形態に特徴的な構成として、主磁極19の先端部に絞り部19aが設けられるが、詳細については製造方法と共に後述する。
また、主磁極19の上には、トレーリングギャップ35およびバックギャップ25が設けられ、トレーリングギャップ35の一部の上に、トレーリングシールド26が設けられる。一例として、トレーリングギャップ35はAl2O3等の絶縁材料により形成され、バックギャップ25およびトレーリングシールド26は磁性材料により形成される。なお、符号36は、Al2O3等からなる絶縁層である。
さらに、その上には、一例として、導電性材料である銅を用いて、平面螺旋状に第2コイル24が形成される。
また、第2コイル24の巻線間および巻線上に絶縁層37が設けられる。絶縁層37は、一例として、レジスト等の絶縁材料により形成される。
また、第2コイル24の巻線間および巻線上に絶縁層37が設けられる。絶縁層37は、一例として、レジスト等の絶縁材料により形成される。
絶縁層37の上には、バックギャップ25およびトレーリングシールド26に連結する磁性材料からなる第2リターンヨーク27が形成される。
さらに、第2リターンヨーク27上に保護層(不図示)等の形成が行われて、磁気ヘッド1が所定の積層構造として完成される。
なお、第1リターンヨーク15、盛上層18、主磁極19、サイドシールド20、バックギャップ25、トレーリングシールド26、第2リターンヨーク27を構成する磁性材料としては、飽和磁束密度(BS)が高い磁性材料(軟磁性材)を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、NiFe、CoNiFe等が挙げられる。特に、主磁極19には、FeCoを用いることによって、記録磁界強度を向上させることができる。
さらに、第2リターンヨーク27上に保護層(不図示)等の形成が行われて、磁気ヘッド1が所定の積層構造として完成される。
なお、第1リターンヨーク15、盛上層18、主磁極19、サイドシールド20、バックギャップ25、トレーリングシールド26、第2リターンヨーク27を構成する磁性材料としては、飽和磁束密度(BS)が高い磁性材料(軟磁性材)を用いることが記録特性向上の観点から好適であり、一例として、NiFe、CoNiFe等が挙げられる。特に、主磁極19には、FeCoを用いることによって、記録磁界強度を向上させることができる。
続いて、本実施形態に係る磁気ヘッド1の製造方法について説明する。
当該製造方法の概要として、公知の成膜工程によって、再生ヘッド部2を形成した後、記録ヘッド部3を形成することとなるが、本実施形態に特徴的な、主磁極19に絞り部19aを形成する工程を中心に説明を行う。なお、初めに、従来の実施形態に係る製造方法と本発明の実施形態に係る製造方法とに共通の工程について説明する。
当該製造方法の概要として、公知の成膜工程によって、再生ヘッド部2を形成した後、記録ヘッド部3を形成することとなるが、本実施形態に特徴的な、主磁極19に絞り部19aを形成する工程を中心に説明を行う。なお、初めに、従来の実施形態に係る製造方法と本発明の実施形態に係る製造方法とに共通の工程について説明する。
先ず、ウエハ基板11上に薄膜を順次積層し、前記絶縁層34および盛上層18で構成される層に至るまでの積層構造、すなわち基体6を形成した後、一例として、それらの上面が連続する同一平面となるようにラッピングによって平坦化し、当該基体6上に鍍金ベース(不図示)を介して磁性層19’を鍍金プロセスによって形成する。なお、スパッタリングによって形成してもよい。当該磁性層19’は後の工程において加工されて主磁極19となるものであって、軟磁性材料(ここではFeCo)を用いて形成される。
次いで、磁性層19’上に、例えばレジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセス等によって所定形状のマスク層40を形成する。
ここまでの形成が完了した状態を図2(a)に示す。なお、この図は、積層体を浮上面5側から視た端面図(断面図)である(図2(b)において同じ)。
次いで、磁性層19’上に、例えばレジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセス等によって所定形状のマスク層40を形成する。
ここまでの形成が完了した状態を図2(a)に示す。なお、この図は、積層体を浮上面5側から視た端面図(断面図)である(図2(b)において同じ)。
次いで、図2(b)に示すように、マスク層40をエッチングマスクとして、ドライエッチングプロセスによって、磁性層19’を、浮上面5と平行な断面(少なくとも浮上面側の端面)がダウントラック方向に逆台形状(傾斜角は80[°]程度)となるようにエッチングして、主磁極19を形成する。一例として、当該ドライエッチングプロセスには、イオンミルプロセスを用いる。
このようにして、浮上面5位置における形状がダウントラック方向に逆台形状を有する主磁極19が形成され、サイドイレーズ防止に効果を発揮する。
このようにして、浮上面5位置における形状がダウントラック方向に逆台形状を有する主磁極19が形成され、サイドイレーズ防止に効果を発揮する。
次の工程を、図3(a)に示す。なお、この図は、積層体のクロストラック方向に垂直な断面図である(図3(b)〜図10において同じ)。
この図3(a)に示すように、マスク層40を公知のリフトオフプロセス等によって除去した後、主磁極19が被覆されるように、ストッパ層17をスパッタリングによって形成する。本実施形態では、主磁極19の上方のストッパ層17が、後工程(図5(b)で示される工程)において、反応性イオンエッチングプロセスのエッチングストッパとしての機能も果たす。これを踏まえて、ストッパ層17を構成する材料の例としては、非磁性の金属材料であるRu(ルテニウム)、Ta(タンタル)等を用いることが考えられる。なお、ストッパ層17の膜厚(ダウントラック方向)は、一例として、100〜150[nm]程度に形成する。
この図3(a)に示すように、マスク層40を公知のリフトオフプロセス等によって除去した後、主磁極19が被覆されるように、ストッパ層17をスパッタリングによって形成する。本実施形態では、主磁極19の上方のストッパ層17が、後工程(図5(b)で示される工程)において、反応性イオンエッチングプロセスのエッチングストッパとしての機能も果たす。これを踏まえて、ストッパ層17を構成する材料の例としては、非磁性の金属材料であるRu(ルテニウム)、Ta(タンタル)等を用いることが考えられる。なお、ストッパ層17の膜厚(ダウントラック方向)は、一例として、100〜150[nm]程度に形成する。
次いで、ストッパ層17が形成された積層体の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第1のマスク層)41’を形成する。一例として、マスク層41’は、Al2O3(アルミナ)を用いて、スパッタリングにより形成する。なお、マスク層41’の膜厚(ダウントラック方向)は、一例として、200[nm]程度に形成する。
次いで、マスク層41’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第2のマスク層)42’を形成する。一例として、マスク層42’は、Cr(クロム)を用いて、スパッタリングにより形成する。
次いで、マスク層42’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第3のマスク層)43’を形成する。一例として、マスク層43’は、SiO2を用いて、スパッタリングにより形成する。
次いで、マスク層43’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第4のマスク層)44を形成する。一例として、マスク層44は、レジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスにより所定形状に形成する。ここで、所定形状とは、下層のマスク層43’においてドライエッチング工程(図4(a)で示される工程)による除去を行わない領域に対応させた形状である。なお、本実施形態のように、マスク層44を形成するためのレジスト材料を塗布する前に、露光光の反射を防止する反射防止膜としてBARC(Bottom Anti Reflective Coating)層45をマスク層43’の上に予め形成してもよい。ここまでの形成が完了した状態を図3(b)に示す。
次いで、マスク層41’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第2のマスク層)42’を形成する。一例として、マスク層42’は、Cr(クロム)を用いて、スパッタリングにより形成する。
次いで、マスク層42’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第3のマスク層)43’を形成する。一例として、マスク層43’は、SiO2を用いて、スパッタリングにより形成する。
次いで、マスク層43’の上に、後のドライエッチング工程でエッチングマスクとして機能することとなるマスク層(第4のマスク層)44を形成する。一例として、マスク層44は、レジスト材料を用いて、公知のフォトリソグラフィプロセスにより所定形状に形成する。ここで、所定形状とは、下層のマスク層43’においてドライエッチング工程(図4(a)で示される工程)による除去を行わない領域に対応させた形状である。なお、本実施形態のように、マスク層44を形成するためのレジスト材料を塗布する前に、露光光の反射を防止する反射防止膜としてBARC(Bottom Anti Reflective Coating)層45をマスク層43’の上に予め形成してもよい。ここまでの形成が完了した状態を図3(b)に示す。
次いで、図4(a)に示すように、所定形状のマスク層44が形成された積層体を第1のチャンバ61内に収容して、当該マスク層44をエッチングマスクとするドライエッチングプロセスによって(図中の破線矢印方向)、マスク層43’における所定領域すなわちマスク層44で覆われていない領域を除去して、所定形状のマスク層43を形成する。ここで、所定形状とは、下層のマスク層42’においてドライエッチング工程(図5(a)で示される工程)による除去を行わない領域に対応させた形状である。なお、BARC層45もマスク層43’と同様に除去される。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、SiO2からなるマスク層43’の除去に好適な、CF4ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)プロセスを用いる。なお、そのために、マスク層44にはレジスト材料が用いられることが選択比の観点から好適である。ここで、符号60は、チャンバ内の真空引きが可能な排気装置である。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、SiO2からなるマスク層43’の除去に好適な、CF4ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチング(RIE:Reactive Ion Etching)プロセスを用いる。なお、そのために、マスク層44にはレジスト材料が用いられることが選択比の観点から好適である。ここで、符号60は、チャンバ内の真空引きが可能な排気装置である。
次いで、図4(b)に示すように、引き続き第1のチャンバ61内において、ドライエッチングプロセスを実施して(図中の破線矢印方向)、マスク層43の上層に残っているマスク層44およびBARC層45を除去する。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、レジスト材料からなるマスク層44、およびBARC層45の除去に好適な、O2ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセスを用いる。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、レジスト材料からなるマスク層44、およびBARC層45の除去に好適な、O2ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセスを用いる。
次いで、図5(a)に示すように、マスク層44およびBARC層45が除去されることによってマスク層43が最上層に表出した積層体を、第2のチャンバ62内に収容して、当該マスク層43をエッチングマスクとするドライエッチングプロセスによって(図中の破線矢印方向)、マスク層42’における所定領域すなわちマスク層43で覆われていない領域を除去して、所定形状のマスク層42を形成する。ここで、所定形状とは、下層のマスク層41’においてドライエッチング工程(図5(b)で示される工程)による除去を行わない領域に対応させた形状である。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、Crからなるマスク層42’の除去に好適な、Cl2とO2との混合ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセス(「第1の反応性イオンエッチングプロセス」と称する)を用いる。なお、そのために、マスク層43にはSiO2が用いられることが選択比の観点から好適である。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、Crからなるマスク層42’の除去に好適な、Cl2とO2との混合ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセス(「第1の反応性イオンエッチングプロセス」と称する)を用いる。なお、そのために、マスク層43にはSiO2が用いられることが選択比の観点から好適である。
次いで、図5(b)に示すように、引き続き第2のチャンバ62内において、上記工程により形成されたマスク層42をエッチングマスクとするドライエッチングプロセスによって(図中の破線矢印方向)、マスク層41’における所定領域すなわちマスク層42で覆われていない領域を除去して、所定形状のマスク層41を形成する。ここで、所定形状とは、下層の主磁極19(およびストッパ層17)においてドライエッチング工程(図6で示される工程)による除去を行わない領域に対応させた形状である。つまり、ドライエッチング工程(図6で示される工程)による除去が行われる領域は、主磁極19上でみれば、絞り部19aの形成領域となる。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、Al2O3からなるマスク層41’の除去に好適な、BCl3(三塩化ホウ素)ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセス(「第2の反応性イオンエッチングプロセス」と称する)を用いる。なお、そのために、マスク層42にはCrが用いられることが選択比の観点から好適である。
また、マスク層41’の下層に設けられているストッパ層17は、第2の反応性イオンエッチングプロセスに対するエッチングレートが、マスク層41’の同エッチングレートよりも低い材料(ここではRu)を選択することによって、当該第2の反応性イオンエッチングプロセスではほとんど膜減りせず、エッチングストッパとして機能させることが可能となる。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、Al2O3からなるマスク層41’の除去に好適な、BCl3(三塩化ホウ素)ガスをエッチングガスとする反応性イオンエッチングプロセス(「第2の反応性イオンエッチングプロセス」と称する)を用いる。なお、そのために、マスク層42にはCrが用いられることが選択比の観点から好適である。
また、マスク層41’の下層に設けられているストッパ層17は、第2の反応性イオンエッチングプロセスに対するエッチングレートが、マスク層41’の同エッチングレートよりも低い材料(ここではRu)を選択することによって、当該第2の反応性イオンエッチングプロセスではほとんど膜減りせず、エッチングストッパとして機能させることが可能となる。
次いで、図6に示すように、所定領域が除去されることによって所定形状に形成されたマスク層41を備える積層体を、第2のチャンバ62から取り出して、イオンミル装置63内に収容して、当該マスク層41をエッチングマスクとするドライエッチングプロセスによって、ストッパ層17および主磁極19をエッチングして、主磁極19の先端部に絞り部19aを形成する。ちなみに、この時点で、マスク層41は、主磁極19のダウントラック方向の上面の上に所定厚さで残存している。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、金属材料(ここではRu)からなるストッパ層17および金属材料(ここではFeCo)からなる主磁極19の加工(除去)に好適なイオンミルプロセスを用いる。なお、そのために、マスク層41にはAl2O3(アルミナ)が用いられることが選択比の観点から好適である。
加えて、マスク層41が、Al2O3で形成されていることによって、例えばレジスト材料を用いてマスク層を形成した場合と比較して、エッジ部(マスク層の端部)の形状精度すなわちヘッドハイト方向の寸法精度を、より高精度に形成することが可能となる。一例として、絞り部19aのヘッドハイト方向長さdは、100[nm]程度に設定する。
このようにして、主磁極19の浮上面5寄りの先端部におけるダウントラック方向の上面に、絞り部19aを形成することができ、記録磁界強度を増加させることが可能となる。
一例として、当該ドライエッチングプロセスには、金属材料(ここではRu)からなるストッパ層17および金属材料(ここではFeCo)からなる主磁極19の加工(除去)に好適なイオンミルプロセスを用いる。なお、そのために、マスク層41にはAl2O3(アルミナ)が用いられることが選択比の観点から好適である。
加えて、マスク層41が、Al2O3で形成されていることによって、例えばレジスト材料を用いてマスク層を形成した場合と比較して、エッジ部(マスク層の端部)の形状精度すなわちヘッドハイト方向の寸法精度を、より高精度に形成することが可能となる。一例として、絞り部19aのヘッドハイト方向長さdは、100[nm]程度に設定する。
このようにして、主磁極19の浮上面5寄りの先端部におけるダウントラック方向の上面に、絞り部19aを形成することができ、記録磁界強度を増加させることが可能となる。
その後、上記によって絞り部19aが形成された積層体に対して、トレーリングギャップ37、トレーリングシールド24等、前述の所定層を上層に積層する公知の成膜工程(不図示)を実施して、最終的に図1に示す磁気ヘッド1として形成される。
以上、説明した工程は、従来の実施形態に係る製造方法と本発明の実施形態に係る製造方法とに共通の工程である。
ここで、従来の実施形態に係る工程における課題について説明する。
従来の実施形態では、第2の反応性イオンエッチングプロセスによって、Al2O3からなるマスク層41’の所定領域を除去してマスク層41を形成する際に、第2のチャンバ62内に残留しているガスあるいは反応生成物の影響によって、本来高精度の加工が可能であるはずの反応性イオンエッチングプロセスにおいても、マスク層41の形状精度のばらつきが発生してしまう課題が生じていた。
当該マスク層41は、後工程(図6で示される工程)のイオンミルプロセスによって主磁極19の先端部に絞り部19aを形成する際のエッチングマスクとなるものであるため、その形状精度のばらつきは、当該絞り部19aの形状精度にばらつきを発生させることとなり、主磁極19の記録特性がばらつく原因となってしまう。
この課題に対して、従来は、(1)第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施する前に、第2のチャンバ62内にダミーウエハを収容して空エッチングを行う方法、(2)多層膜の連続エッチングをやめて、単層膜の1枚処理に変更する、(3)エッチング処理の間隔を1時間以上あけて実施する、という3つの対策を組み合わせて実施することにより、第2の反応性イオンエッチングプロセスで形成されるAl2O3からなるマスク層41の形状ばらつきを低減することが可能ではあった。しかし、その解決方法を採用すると、第2の反応性イオンエッチングプロセスのエッチング処理時間が約10倍に増加してしまうため、それら3つの対策を全て組み合わせて実施することは製造工程上、困難であった。
従来の実施形態では、第2の反応性イオンエッチングプロセスによって、Al2O3からなるマスク層41’の所定領域を除去してマスク層41を形成する際に、第2のチャンバ62内に残留しているガスあるいは反応生成物の影響によって、本来高精度の加工が可能であるはずの反応性イオンエッチングプロセスにおいても、マスク層41の形状精度のばらつきが発生してしまう課題が生じていた。
当該マスク層41は、後工程(図6で示される工程)のイオンミルプロセスによって主磁極19の先端部に絞り部19aを形成する際のエッチングマスクとなるものであるため、その形状精度のばらつきは、当該絞り部19aの形状精度にばらつきを発生させることとなり、主磁極19の記録特性がばらつく原因となってしまう。
この課題に対して、従来は、(1)第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施する前に、第2のチャンバ62内にダミーウエハを収容して空エッチングを行う方法、(2)多層膜の連続エッチングをやめて、単層膜の1枚処理に変更する、(3)エッチング処理の間隔を1時間以上あけて実施する、という3つの対策を組み合わせて実施することにより、第2の反応性イオンエッチングプロセスで形成されるAl2O3からなるマスク層41の形状ばらつきを低減することが可能ではあった。しかし、その解決方法を採用すると、第2の反応性イオンエッチングプロセスのエッチング処理時間が約10倍に増加してしまうため、それら3つの対策を全て組み合わせて実施することは製造工程上、困難であった。
これに対して、上記課題の解決を可能とする本実施形態は、その特徴的な構成として、前記第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施する前に、第2のチャンバ62内にガスを導入してガス置換を行う工程を備える。つまり、前述の図5(a)と図5(b)とで示される工程の間に、図7で示される工程が追加される。より具体的には、第2のチャンバ62内へ、第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガス(ここでは、Cl2とO2との混合ガス)を導入することによってガス置換を実施する。
これによれば、第2のチャンバ62内に残留しているガスおよび反応生成物を除去することが可能となり、当該第2のチャンバ62内のコンディションを常に一定の状態に保つことが可能となる。すなわち、当該コンディションが安定するため、第2の反応性イオンエッチングプロセスによって、エッチング形成されるマスク層41の形状寸法のばらつきを抑制して、高精度に形成することが可能となる。その結果、後工程で実施されるマスク層41をエッチングマスクとするドライエッチング工程によって形成される主磁極19の先端部の絞り部19aの形状を高精度に形成することが可能となる。
また、前述した従来の課題解決方法のように、例えばダミーウエハを用いる必要が無く、第1の反応性イオンエッチングプロセスから第2の反応性イオンエッチングプロセスまで、積層体を第2のチャンバ62内に収容したままでよい。つまり、積層体の入れ換え作業が必要無いため、工程時間の増加が発生しない。また、エッチング処理間隔を1時間以上あける必要が無く、このことも工程時間を増加させない点で非常に有利である。特に、複数個の積層体の連続処理が可能となるため、製品(磁気ヘッド)の量産を行う観点から必須且つ非常に有利な効果が奏される。
これによれば、第2のチャンバ62内に残留しているガスおよび反応生成物を除去することが可能となり、当該第2のチャンバ62内のコンディションを常に一定の状態に保つことが可能となる。すなわち、当該コンディションが安定するため、第2の反応性イオンエッチングプロセスによって、エッチング形成されるマスク層41の形状寸法のばらつきを抑制して、高精度に形成することが可能となる。その結果、後工程で実施されるマスク層41をエッチングマスクとするドライエッチング工程によって形成される主磁極19の先端部の絞り部19aの形状を高精度に形成することが可能となる。
また、前述した従来の課題解決方法のように、例えばダミーウエハを用いる必要が無く、第1の反応性イオンエッチングプロセスから第2の反応性イオンエッチングプロセスまで、積層体を第2のチャンバ62内に収容したままでよい。つまり、積層体の入れ換え作業が必要無いため、工程時間の増加が発生しない。また、エッチング処理間隔を1時間以上あける必要が無く、このことも工程時間を増加させない点で非常に有利である。特に、複数個の積層体の連続処理が可能となるため、製品(磁気ヘッド)の量産を行う観点から必須且つ非常に有利な効果が奏される。
なお、上記のガス置換を行う工程は、あらかじめ第2のチャンバ62内を真空引きした後でエッチングガスを導入してもよく、あるいは第2のチャンバ62内を真空引きしながらエッチングガスを導入してもよい。真空引きを併用することによって、ガス置換を短時間に且つより完全に実施することが可能となる。
ここで、上記のガス置換を行う工程において、第2のチャンバ62内へ導入するガスとして、第2の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガス(BCl3)ではなく、第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガス(Cl2とO2との混合ガス)を用いるのは以下の理由による。
すなわち、BCl3を導入して第2のチャンバ62内に当該ガスを充填させた状態とすると、第2の反応性イオンエッチングプロセスが開始され、放電が行われたときに反射波が生じ、エッチングが安定しない現象が生じ得るため、これを解決するためである。つまり、エッチングの安定化が可能となるためである。
すなわち、BCl3を導入して第2のチャンバ62内に当該ガスを充填させた状態とすると、第2の反応性イオンエッチングプロセスが開始され、放電が行われたときに反射波が生じ、エッチングが安定しない現象が生じ得るため、これを解決するためである。つまり、エッチングの安定化が可能となるためである。
なお、マスク層41の形状精度は、図10に示すように、本来の形成予定位置P1から実際の形成位置P2がヘッドハイト方向にどの位ずれているか(シフト量s[nm])で判定され、当該シフト量sが小さい方が高精度であるといえる。
ここで、図11に、マスク層41形成時のシフト量s[nm]を測定したデータを示す。図11の領域Aは従来の製造方法によってマスク層41を形成した場合のシフト量sである(なお、複数個の積層体を連続してエッチング処理を行った際の2枚目、3枚目を図示している)。一方、図11の領域Bは、上記において説明した本実施形態に係る第2のチャンバ62内のガス置換工程を実施した場合(すなわち、図5(a)の工程と図5(b)の工程との間に図7の工程を追加した場合)の製造方法によってマスク層41を形成した場合のシフト量sである(なお、複数個の積層体を連続してエッチング処理を行った際の2枚目、3枚目を図示している)。
この比較結果から明らかなように、当該ガス置換工程を実施することにより、マスク層41の形状ばらつきが低減されていることが判る。
ここで、図11に、マスク層41形成時のシフト量s[nm]を測定したデータを示す。図11の領域Aは従来の製造方法によってマスク層41を形成した場合のシフト量sである(なお、複数個の積層体を連続してエッチング処理を行った際の2枚目、3枚目を図示している)。一方、図11の領域Bは、上記において説明した本実施形態に係る第2のチャンバ62内のガス置換工程を実施した場合(すなわち、図5(a)の工程と図5(b)の工程との間に図7の工程を追加した場合)の製造方法によってマスク層41を形成した場合のシフト量sである(なお、複数個の積層体を連続してエッチング処理を行った際の2枚目、3枚目を図示している)。
この比較結果から明らかなように、当該ガス置換工程を実施することにより、マスク層41の形状ばらつきが低減されていることが判る。
以上と同様の考え方によって、本実施形態の変形例として、第1の反応性イオンエッチングプロセス実施前に、第2のチャンバ62内にガスを導入してガス置換を行う工程を追加することが考えられる。つまり、前述の図4(b)と図5(a)とで示される工程の間に、図8で示される工程が追加される。なお、第2のチャンバ62内へ導入するガスとして、第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガス(Cl2とO2との混合ガス)を用いる。
この工程を備えることによって、前述の効果と同様の効果、すなわち、Crからなるマスク層42の形状精度をより高精度に形成することが可能となる。
この工程を備えることによって、前述の効果と同様の効果、すなわち、Crからなるマスク層42の形状精度をより高精度に形成することが可能となる。
さらに、同様の考え方によって、本実施形態の他の変形例として、レジスト層44を除去するための反応性イオンエッチングプロセス実施前に、第1のチャンバ61内にガスを導入してガス置換を行う工程を追加することが考えられる。つまり、前述の図3(b)と図4(a)とで示される工程の間に、図9で示される工程が追加される。なお、第1のチャンバ61内へ導入するガスとして、レジスト層44を除去するための反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガス(CF4)を用いる。
この工程を備えることによって、前述の効果と同様の効果、すなわち、SiO2からなるマスク層43の形状精度をより高精度に形成することが可能となる。
この工程を備えることによって、前述の効果と同様の効果、すなわち、SiO2からなるマスク層43の形状精度をより高精度に形成することが可能となる。
ところで、上記の第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施する前の第2のチャンバ62内のガス置換を行う工程を実施すると、複数個の積層体の連続処理を行う場合に、新たな課題が生じ得ることが、本願発明者の調査研究により判明した。
より具体的には、前述の図11のグラフで示した領域Bの2枚目、3枚目のように、複数個の積層体を連続的に処理する際に、その順番に応じて、Al2O3からなるマスク層41の形状ばらつき(シフト量s)が増加・減少する等して変化してしまう現象が生じる場合がある。
より具体的には、前述の図11のグラフで示した領域Bの2枚目、3枚目のように、複数個の積層体を連続的に処理する際に、その順番に応じて、Al2O3からなるマスク層41の形状ばらつき(シフト量s)が増加・減少する等して変化してしまう現象が生じる場合がある。
この課題を解決すべく、本実施形態では、その特徴的な構成として、複数個の積層体のエッチング加工(第2の反応性イオンエッチングプロセス)を連続して実施する場合に、加工される積層体の順番に応じて、前記の第2のチャンバ62内のガス置換を行う工程におけるガス導入時間を、あらかじめ設定しておいた最適時間となるように調節する。
一例として、1枚目を処理する前のガス導入時間を0[秒]、2枚目を処理する前のガス導入時間を60[秒]、3枚目を処理する前のガス導入時間を120[秒]、等のように、あらかじめ、積層体の状態(材質、膜厚等)に応じて調査し、設定しておいた最適時間となるように、その処理枚数(順番)に応じて、ガス導入時間を変化させる。
これによれば、図11のグラフの領域C(レジスト層44の除去時以外のRIEに上記時間調節を一律に適用した測定結果)に示すように、複数の積層体を連続的に処理する場合であっても、エッチング形成されるAl2O3からなるマスク層41の形状ばらつきを抑制して、高精度に形成することが可能となる。その結果、複数個の積層体を連続的に加工処理する磁気ヘッドの製造工程においても、主磁極19の先端部の絞り部19aの形状を処理個数に関わらず高精度に形成することが可能となる。つまり、製品の品質すなわち磁気ヘッド1の記録特性を安定させることが可能となる。
一例として、1枚目を処理する前のガス導入時間を0[秒]、2枚目を処理する前のガス導入時間を60[秒]、3枚目を処理する前のガス導入時間を120[秒]、等のように、あらかじめ、積層体の状態(材質、膜厚等)に応じて調査し、設定しておいた最適時間となるように、その処理枚数(順番)に応じて、ガス導入時間を変化させる。
これによれば、図11のグラフの領域C(レジスト層44の除去時以外のRIEに上記時間調節を一律に適用した測定結果)に示すように、複数の積層体を連続的に処理する場合であっても、エッチング形成されるAl2O3からなるマスク層41の形状ばらつきを抑制して、高精度に形成することが可能となる。その結果、複数個の積層体を連続的に加工処理する磁気ヘッドの製造工程においても、主磁極19の先端部の絞り部19aの形状を処理個数に関わらず高精度に形成することが可能となる。つまり、製品の品質すなわち磁気ヘッド1の記録特性を安定させることが可能となる。
続いて、本発明の実施形態に係る情報記憶装置について説明する。
上記の製造方法により製造される磁気ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置等を構成することにより、記録特性にばらつきがなく且つ高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。
上記の製造方法により製造される磁気ヘッド1を用いて、磁気ディスク装置等を構成することにより、記録特性にばらつきがなく且つ高密度の記録が可能な情報記憶装置が実現される。
当該情報記憶装置の一例として、図12に磁気ディスク装置50の構成を示す。前記の磁気ヘッド1は、磁気記録媒体(磁気記録ディスク)51との間で情報を記録し、情報を再生するヘッドスライダ52に組み込まれる。さらに、ヘッドスライダ52は、ヘッドサスペンション53のディスク面に対向する面に取り付けられ、該サスペンション53の端部を固定し、回動自在なアクチュエータアーム54と、該サスペンション53および該アクチュエータアーム54上の絶縁された導電線を通じて、前記磁気抵抗効果素子13に電気的に接続され、磁気記録ディスク51との間で情報の読取および情報の記録を行うための電気信号を検出・送信する回路(不図示)とを有する情報記憶装置として構成される。その作用として、磁気記録ディスク51が回転駆動されることにより、ヘッドスライダ52がディスク面から浮上し、磁気記録ディスク51との間で情報を記録し、情報を再生する操作がなされる。
本実施形態に係る情報記憶装置によれば、主磁極(特に絞り部)が高精度に形成された磁気ヘッドを備えて、記録特性のばらつきを防止することが可能となり、且つより高密度の記録が可能となる。
以上説明した通り、本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、従来の方法のように多大な作業および時間を必要とせずに、チャンバ内のコンディションを常に一定の安定状態に保つことが可能となり、反応性イオンエッチングプロセスによってエッチング形成されるマスク層の形状寸法のばらつきを抑制して、高精度に形成することが可能となる。その結果、当該マスク層をエッチングマスクとするドライエッチング工程によって形成される主磁極(特に、先端部の絞り部)の形状をばらつきなく、高精度に形成することが可能となる。
また、当該製造方法によって形成される磁気ヘッドによれば、主磁極先端部の上面に絞り部を備えて記録磁界を増加させることが可能となる。さらに、絞り部の形状精度を高精度に形成することが可能となるため、記録特性にばらつきが生じることを防止でき、信頼性に優れた情報記憶装置の実現が可能となる。
また、当該製造方法によって形成される磁気ヘッドによれば、主磁極先端部の上面に絞り部を備えて記録磁界を増加させることが可能となる。さらに、絞り部の形状精度を高精度に形成することが可能となるため、記録特性にばらつきが生じることを防止でき、信頼性に優れた情報記憶装置の実現が可能となる。
1 磁気ヘッド
2 再生ヘッド部
3 記録ヘッド部
5 浮上面
6 基体
17 ストッパ層
19 主磁極
22 バックギャップ
35 トレーリングギャップ
41、41’ マスク層(第1のマスク層)
42、42’ マスク層(第2のマスク層)
43、43’ マスク層(第3のマスク層)
44 レジスト層
50 情報記憶装置(磁気ディスク装置)
61 チャンバ(第1のチャンバ)
62 チャンバ(第2のチャンバ)
2 再生ヘッド部
3 記録ヘッド部
5 浮上面
6 基体
17 ストッパ層
19 主磁極
22 バックギャップ
35 トレーリングギャップ
41、41’ マスク層(第1のマスク層)
42、42’ マスク層(第2のマスク層)
43、43’ マスク層(第3のマスク層)
44 レジスト層
50 情報記憶装置(磁気ディスク装置)
61 チャンバ(第1のチャンバ)
62 チャンバ(第2のチャンバ)
Claims (7)
- 磁気ヘッドに加工される所定の薄膜が積層された積層体を、イオンミルプロセスによって所定形状に加工する磁気ヘッドの製造方法であって、
基板上に薄膜を順次積層して形成した基体上に、主磁極となる磁性層を形成する工程と、
前記磁性層が形成された積層体の上に、ストッパ層を形成する工程と、
前記ストッパ層が形成された積層体の上に、第1のマスク層を形成する工程と、
前記第1のマスク層が形成された積層体の上に、第2のマスク層を形成する工程と、
前記第2のマスク層が形成された積層体の上に、第3のマスク層を所定形状に形成する工程と、
前記所定形状の第3のマスク層が形成された積層体をチャンバ内に収容して、該積層体に対して第1の反応性イオンエッチングプロセスを実施して、該第3のマスク層をマスクとして、前記第2のマスク層の所定領域を除去する工程と、
前記チャンバ内のガス置換を行う工程と、
前記チャンバ内で、前記所定領域が除去された第2のマスク層が形成された積層体に対して第2の反応性イオンエッチングプロセスを実施して、該第2のマスク層をマスクとして、前記第1のマスク層の所定領域を除去する工程と、
前記所定領域が除去された第1のマスク層が形成された積層体を前記チャンバから取り出して、該積層体に対してイオンミルプロセスを実施して、該第1のマスク層をマスクとして、前記ストッパ層および前記磁性層の所定領域を除去する工程と、を備え、
前記ストッパ層の第2の反応性イオンエッチングプロセスに対するエッチングレートは、前記第1のマスク層の該エッチングレートよりも低いこと
を特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 前記チャンバ内のガス置換を行う工程は、前記第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガスを該チャンバ内へ導入することによって、もしくは該チャンバ内の真空引きを併用して該エッチングガスを該チャンバ内へ導入することによって実施すること
を特徴とする請求項1記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 複数個の積層体の加工を連続して実施する場合に、加工される該積層体の順番に応じて、前記チャンバ内のガス置換を行う工程における前記エッチング用ガスを該チャンバ内へ導入する時間を、あらかじめ設定しておいた最適時間となるように調節すること
を特徴とする請求項2記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1のマスク層は、アルミナを用いて形成され、
前記第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガスと、前記第2の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガスとは、異なるガスであること
を特徴とする請求項3記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 前記第1の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガスとして、塩素ガスと酸素ガスとの混合ガスが用いられ、
前記第2の反応性イオンエッチングプロセスで用いられるエッチングガスとして、三塩化ホウ素が用いられること
を特徴とする請求項4記載の磁気ヘッドの製造方法。 - 請求項1〜5のいずれか一項に記載の磁気ヘッドの製造方法により製造される磁気ヘッドを備えたヘッドスライダと、
前記ヘッドスライダを支持するサスペンションと、
前記サスペンションの端部を固定し、回動自在なアクチュエータアームと、
前記サスペンションおよび前記アクチュエータアーム上の絶縁された導電線を通じて、磁気記録媒体に情報を記録するための電気信号を前記磁気ヘッドに送信する回路と、を備えること
を特徴とする情報記憶装置。 - 複数個の被対象物を順番にチャンバ内に収容して、各被対象物に対して反応性イオンエッチングプロセスによる加工を行うエッチング方法であって、
前記反応性イオンエッチングプロセスは、各被対象物に対して異なるエッチングガスを用いて複数のエッチング加工を行う工程を備えると共に、
所定の前記エッチング加工を実施する前に、所定の前記エッチングガスを該チャンバ内へ導入することによって、もしくは該チャンバ内の真空引きを併用して該エッチングガスを該チャンバ内へ導入することによって、該チャンバ内の気体を置換する工程を備え、
加工される前記被対象物の順番に応じて、前記エッチング用ガスを導入する時間を、あらかじめ設定しておいた最適時間となるように調節すること
を特徴とするエッチング方法。
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Cited By (2)
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JP2013073668A (ja) * | 2011-09-27 | 2013-04-22 | Headway Technologies Inc | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法並びにヘッドジンバルアセンブリおよびハードディスク装置 |
JP2015146441A (ja) * | 2015-03-23 | 2015-08-13 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | プラズマ処理方法 |
-
2008
- 2008-11-27 JP JP2008302898A patent/JP2010129127A/ja not_active Withdrawn
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