JP2010152971A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】ウエハ間での主磁極のコア幅のばらつきを抑制することができる磁気ヘッドの製造方法を提供する。
【解決手段】磁性材料層上にハードマスクを形成し、斜め方向からイオンビームを照射するイオンミリングで逆台形状の主磁極を形成する磁気ヘッドの製造方法に関し、イオンミリングの前のハードマスクの幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αを測定する。そして、磁性材料層をイオンミリングする際のビーム照射角θを、ハードマスクの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）と、ハードマスクの側壁傾斜角αとに応じて決定する。なお、シフト量Ｓはハードマスクの幅Ｗの実測値から主磁極のコア幅の目標値（設計値）Ｄを減算して得られる。
【選択図】図３

Description

本発明は、磁気ディスク装置等の磁気記録媒体（磁気ディスク）に情報を記録するための磁場を印加する主磁極を備えた磁気ヘッドの製造方法に関する。

近年、磁気ディスク装置（ＨＤＤ：Hard Disc Drive）は、コンピュータの他、ビデオレコーダ等の映像記録機器や携帯型音楽再生装置等にも使用されるようになり、より一層の小型化及び大容量化が求められている。このような要求の下、磁気ディスク装置の磁気記録媒体として、高記録密度化が可能な垂直磁気記録方式の磁気記録媒体（磁気ディスク）が開発され、実用化されている。

今後、更なる記録密度向上のためには、磁気ヘッドの主磁極のコア幅の縮小化や記録磁界分布の先鋭化等が求められている。

磁気ディスク装置において、磁気ヘッドが磁気ディスクの半径方向に移動するとスキュー角が発生し、主磁極形状によっては隣接トラックへの誤書き込み（サイドライト）の問題が生じる。この問題を回避すべく、主磁極の先端部は、記録媒体対向面（Air Bearing Surface：ＡＢＳ面ともいう）に平行な断面が逆台形状となるように形成される。尚、本明細書において、逆台形状の主磁極で最も幅広の部分の幅（上端部のトラック幅方向の長さ）を主磁極のコア幅と呼ぶ。

図１（ａ）〜（ｃ）は、従来の主磁極の形成工程の一例を示す断面図である。

まず、図１（ａ）に示すように、磁気ヘッドのスライダーとなる基板（ウエハ）４０の上方に、分離絶縁層１９、磁性材料層３０、アルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）層３１及びマスク３５ａを順に形成する。

続いて、図１（ｂ）に示すように、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching：ＲＩＥともいう）によりアルミナ層３１をエッチングして、マスク３５ａの下にアルミナ層からなるハードマスク３１ａを形成する。

次に、図１（ｃ）に示すように、ウエハ４０に対して一定のビーム照射角θでイオンビームを照射してイオンミリングを行い、ハードマスク３１ａの下に主磁極２０を形成する。このイオンミリングでは、ウエハ４０に対して斜め方向からイオンビームを照射することにより、主磁極２０の断面を逆台形状にすることができる。なお、このイオンミリングにおいて磁性材料層３０とともにハードマスク３１ａもエッチングされる。
特開平９−６３０１７号公報 特開２０００−１１３２０号公報 特開２００１−３４４７１６号公報

しかし、上述の工程で形成される主磁極のコア幅は、ウエハ間で比較的大きなばらつきが生じるという問題がある。

そこで、ウエハ間での主磁極のコア幅のばらつきを抑制することができる磁気ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。

一観点によれば、基板の上方に磁性材料層を形成する工程と、前記磁性材料層の上にハードマスクを形成する工程と、前記ハードマスクの断面形状を観察して、前記ハードマスクの側壁傾斜角と幅とを測定する工程と、前記ハードマスクの側壁傾斜角と幅とに応じて、前記磁性材料層のイオンミリングの際のビーム照射角を決定する工程と、前記ビーム照射角で前記磁性材料層をイオンミリングして主磁極を形成する工程と、を有する磁気ヘッドの製造方法が提供される。

上記一観点では、イオンミリングを行う前にハードマスクの幅及び側壁の傾斜角を測定し、これに応じてイオンミリングの際のビーム照射角を決定する。このため、ハードマスクの形状がウエハ間でばらついていても、イオンミリングの条件の調整でハードマスクのばらつきの影響を回避でき、主磁極のコア幅のばらつきの少ない磁気ヘッドを製造することができる。

以下、実施形態について、添付の図面を参照して説明する。

本願発明者は、主磁極のコア幅にばらつきが発生する原因を探るべく、図１（ａ）〜（ｃ）で説明したのと同様の手順で主磁極を形成し、イオンミリングの前後において、断面構造の観察を行った。なお、本願発明者が行った実験において、磁性材料層３０は厚さ１５０〜２００ｎｍ程度の鉄コバルト合金層、ハードマスク３１ａは厚さ７００ｎｍ程度のアルミナ層、マスク３５ａは厚さ５０ｎｍ程度のクロム層及び厚さ５０ｎｍ程度の酸化シリコン層の積層膜とした。その結果、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角α（ウエハ４０の上面の法線方向とハードマスク３１の側壁との角度）がウエハ毎にばらついていることが判明した。

図２は、ハードマスクの側壁傾斜角αとハードマスクの側壁に対するビーム照射角φとの関係を示す模式図である。本願発明者は、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αのばらつきが主磁極２０のコア幅のばらつきの原因と考える。すなわち、図２に示すように、ウエハ４０に対するビーム照射角θを一定としても、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角が小さい場合（α₁）には側壁に対するビーム照射角φ₁が大きくなる。また、図２において破線で示すように、側壁傾斜角が大きな場合（α₂）には側壁に対するビーム照射角φ₂が小さくなる。

ハードマスク３１ａの幅方向のエッチングレートは側壁に対するビーム照射角φに依存するので、ビーム照射角φがウエハ４０間で異なると、ハードマスク３１ａの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）もウエハ４０間で異なってしまう。このため、ハードマスク３１ａの下に形成される主磁極２０のコア幅もばらつくものと考えられる。

ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αのばらつきは、ハードマスク３１ａを反応性イオンエッチングにより形成するときのわずかな条件の違いにより発生する。このため、側壁傾斜角αのばらつきをある程度以上小さくはできない。そこで、本願発明者らは、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αがウエハ間でばらついていても、主磁極２０のコア幅のばらつきを抑制できるイオンミリング条件について検討を行った。

すなわち、本願発明者らは、主磁極２０のコア幅のバラツキを抑制できるイオンミリング条件を探るべく、磁性材料層３０上のハードマスク３１ａの側壁傾斜角αを様々に変えた試料を作製した。そして、イオンミリングの際のビーム照射角θを４５°〜６０°の範囲で変化させて逆台形状の主磁極２０を形成し、主磁極２０の側壁傾斜角が１０〜１２°となる条件の下で、ハードマスク３１ａの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）の変化を調べた。

図３は、横軸にハードマスクの側壁傾斜角αをとり、縦軸にハードマスクのシフト量Ｓをとって、ハードマスクの側壁傾斜角αとビーム照射角θとハードマスクのシフト量Ｓとの関係を示す図である。

図３に示すように、ビーム照射角θが一定の場合にはハードマスク３１ａの側壁傾斜角αとシフト量Ｓとは直線的な相関関係を示す。また、ビーム照射角θの変化に対して、側壁傾斜角α及びシフト量Ｓも一定の割合で変化する。

図３から、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角α、シフト量Ｓ及びビーム照射角θの関係として、以下の関係式（１）が求まる。

θ＝（Ｓ［ｎｍ］＋ａ）／ｂ−α［ｄｅｇ］ …（１）
なお、関係式（１）のａ、ｂは、ハードマスク３１ａの材料及び膜厚と、主磁極の側壁傾斜角とによって実験的に求まるパラメータである。ここでは、図３のデータからａ＝３７４、ｂ＝８．５となる。

次に、図３に示す関係を利用して、所望のコア幅を有する主磁極を形成するためイオンミリング条件を求める方法について説明する。

まず、イオンミリングを行う前のハードマスク３１ａの断面観察を行って、ハードマスク３１ａの幅（底部の幅）Ｗと側壁傾斜角αを測定する。シフト量Ｓは、ハードマスク３１ａの幅（底部の幅）Ｗと主磁極２０のコア幅の目標値（設計値）Ｄとの差（Ｓ＝Ｗ−Ｄ）として求まる。したがって、関係式（１）に基づいて（又は図３を参照して）、ビーム照射角θが求まる。

一方、ビーム照射時間Ｔは、ハードマスク３１ａのシフト量Ｓをハードマスク３１ａの幅方向のエッチングレートＫで除算（Ｔ＝Ｓ／Ｋ）して求まる。このエッチングレートＫは、ハードマスク３１ａの側壁に対するビーム照射角φでのハードマスク材料（例えばアルミナ）のエッチングレートのデータを参照することで得られる。

本願発明者らは、上述の手順により、ビーム照射角θ及びビーム照射角Ｔを求め、その条件でイオンミリングを行って主磁極２０を形成した。なお、主磁極２０のコア幅の目標値は１００ｎｍとした。

実験例１では、イオンミリングを行う前のハードマスク３１ａの幅Ｗは２７５ｎｍであり、側壁傾斜角αは５°であった。主磁極２０のコア幅の目標値は１００ｎｍであるので、ハードマスク３１ａのシフト量Ｓは１７５ｎｍ（＝２７５ｎｍ−１００ｎｍ）となる。したがって、関係式（１）により、ビーム照射角θは６０°となる。

ハードマスク３１ａの側壁に対するビーム照射角φは２５°（＝９０°−６０°−５°）となる。ビーム照射角φ（＝２５°）におけるアルミナ層のエッチングレートＫ₂₅°と、シフト量Ｓ（１７５ｎｍ）とからビーム照射時間Ｔが５６４秒と求まる。

次に、ビーム照射角６０°及びビーム照射時間５６４秒の条件で鉄コバルト合金からなる磁性材料層３０をイオンミリングして、主磁極２０を形成した。この結果、実験例１の主磁極２０のコア幅は９６ｎｍとなった。

実験例２では、断面観察の結果、ハードマスク３１ａの幅Ｗは２９０ｎｍであり、側壁傾斜角αは１２°であった。主磁極２０のコア幅の目標値Ｄは１００ｎｍなので、ハードマスク３１ａのシフト量Ｓは１９０ｎｍ（＝２９０ｎｍ−１００ｎｍ）となる。したがって、関係式（１）により、ビーム照射角θは５４°となる。

このとき、ハードマスク３１ａの側壁に対するビーム照射角φは２４°（＝９０°−５４°−１２°）となる。したがって、ビーム照射角φ（＝２４°）におけるアルミナ層のエッチングレートＫ₂₄°と、シフト量Ｓ（１９０ｎｍ）とからビーム照射時間Ｔが６２９秒となる。

次に、ビーム照射角５４°及びビーム照射時間６２９秒の条件で鉄コバルト合金からなる磁性材料層３０をイオンミリングして主磁極２０を形成した。この結果、実験例２の主磁極２０のコア幅は９７ｎｍとなった。

本願発明者は、上述の実験例と同様の手順で主磁極２０を形成する実験を繰り返し行った。その結果、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αはウエハ間で５°程度のばらつきが生じたのに対し、主磁極２０のコア幅のばらつきは１１ｎｍ程度となった。

一方、比較例として、イオンミリングの際のビーム照射角θ（５１°）及びビーム照射時間Ｔ（６００秒）を一定として主磁極２０を形成する実験を行った。その結果、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αはウエハ間で５°程度ばらつきが生じたのに対し、主磁極２０のコア幅のばらつきは２２ｎｍ程度となった。

以上のように、イオンミリング前のハードマスク３１ａの側壁傾斜角α及び幅Ｗの測定結果に応じて、イオンミリングの際のビーム照射角θ及びビーム照射時間Ｔを決めることにより、主磁極２０のコア幅のばらつきを抑制できることが確認できた。

なお、ハードマスク３１ａの材質及び膜厚（厚さ７００ｎｍのアルミナ層）や主磁極２０の側壁傾斜角（１０°〜１２°）が上述の例と異なる場合は、図３に示す関係や関係式（１）のパラメータａ、ｂを改めて求める必要がある。

この場合には、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αを様々に変えた試料を用意し、これらの試料に様々なビーム照射角θでイオンミリングを行って主磁極２０を形成する。そして、主磁極２０の側壁傾斜角αが所定の値となる条件の下で、ハードマスク３１ａの幅方向のエッチング量（シフト量Ｓ）の変化を測定すればよい。これにより、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角αと、シフト量Ｓと、ビーム照射角θとの関係が求まり、関係式（１）のパラメータａ、ｂを決定することができる。

図４は、磁気ヘッドの構造を示す断面図であり、図５は磁気ヘッドの主磁極の形状を示す斜視図である。

図４に示すように、磁気ヘッド１０のスライダー１１は、後述するウエハ４０を所定の形状に加工して形成されたものであり、例えばアルチック（Ａｌ₂Ｏ₃−ＴｉＣ）等のセラミックからなる。なお、スライダー１１の上端の面（絶縁層１４と接する面）は、ウエハ４０の上面に対応している。スライダー１１は、記録媒体対向面（ＡＢＳ面）１１ａで磁気ディスク９０と対向する。スライダー１１の上端の面上には、例えばアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等からなる絶縁層１４が形成されており、この絶縁層１４の上に再生ヘッド１２が形成されている。

再生ヘッド１２は、下部シールド層１５、再生素子１６、絶縁層１７及び、上部シールド層１８を備えている。再生素子１６は、例えばＴＭＲ（Tunneling Magneto Resistive）素子やＣＰＰ型ＧＭＲ（Current Perpendicular to Plane-Giant Magneto Resistive）素子等からなり、ＡＢＳ面１１ａ側に配置されている。上下のシールド層１５、１８は、例えば鉄ニッケル合金等の磁性材料からなり再生素子１６の電極を兼ねる。絶縁層１７は、上下のシールド層１５、１８の間であって再生素子１６の周囲に配置されている。

再生ヘッド１２の上には、再生ヘッド１２と記録ヘッド１３とを分離する分離絶縁層１９が形成され、その分離絶縁膜１９の上に記録ヘッド１３が形成されている。記録ヘッド１３は、主磁極２０、平坦化絶縁層２１、ギャップ絶縁層２２、下地絶縁層２３、励磁コイル２４、被覆絶縁層２５、及びリターンヨーク２６を備えている。リターンヨーク２６のＡＢＳ面１１ａ側の端部は主磁極２０側に伸びており、この部分がトレーリングシールド２６ａとなっている。

分離絶縁層１９、平坦化絶縁層２１、ギャップ絶縁層２２、下地絶縁層２３及び被覆絶縁層２５は、例えばアルミナ等の非磁性の絶縁材料からなる。また、主磁極２０及びリターンヨーク２６は、例えば鉄コバルト（ＦｅＣｏ）合金等の鉄を含む磁性材料からなる。

主磁極２０及びリターンヨーク２６は、ギャップ絶縁層２２の部分を挟んで磁気回路を形成する。励磁コイル２４で発生した磁力線は、主磁極２０の端部（ＡＢＳ面１１ａ側の端部）から磁気ディスク９０側に放出される。この磁力線は、磁気ディスク９０の記録層（図示せず）を通った後、記録ヘッド１３のトレーリングシールド２６ａに戻る。

図５に示すように、主磁極２０の端部の幅は磁気ディスク９０のトラック幅と同程度の幅になるように設定される。主磁極２０のコア幅は、例えば１００ｎｍ程度である。

主磁極２０の端部は、隣接するトラックへの誤書き込み（サイドライト）を防ぐために、下側（スライダー１１側）が細くなった逆台形状に形成されている。この逆台形状の主磁極２０の側壁とスライダー１１の上面の法線方向との成す角（主磁極の側壁の傾斜角ともいう）は、例えば１０〜１２°程度である。

以下、図６及び図７を参照しつつ本実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法について説明する。図６（ａ）〜（ｃ）は実施形態に係る磁気ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その１）。図７（ａ）〜（ｃ）は、実施形態に係る磁気ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その２）。なお、図６及び図７に示す断面は磁気ヘッド２０のＡＢＳ面１１ａに平行な断面に対応し、分離絶縁層１９とウエハ４０との間の再生ヘッド等の構造体の図示は省略している。また、以下の説明ではウエハ４０上の特定の１箇所（チップ形成領域）の断面を例に磁気ヘッドの製造工程を説明するが、ウエハ４０上の他の複数の箇所（チップ形成領域）にも同一工程により同一の構造体が同時に形成されるものとする。

まず、スライダー１１となるウエハ４０を用意する。このウエハ４０は、例えばアルチック等のセラミックからなる。次に、ウエハ４０の上に、公知の手法により絶縁層１４、下部シールド層１５、再生素子１６、絶縁層１７、及び上部シールド層１８を所定の形状に形成して再生ヘッド１２を形成する（図４参照）。そして、上部シールド層１８の上に分離絶縁層１９としてアルミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）を例えば厚さ２μｍ程度堆積させる。

次に、図６（ａ）に示すように、分離絶縁層１９の上に例えば鉄コバルト（ＦｅＣｏ）合金を厚さ１５０ｎｍ〜２００ｎｍ程度堆積させて、主磁極２０となる磁性材料層３０を形成する。

次に、図６（ｂ）に示すように、磁性材料層３０の上に、ハードマスクとなるアルミナ層３１を例えば厚さ７００ｎｍ程度に形成し、その上にクロム（Ｃｒ）層３２を例えば厚さ５０ｎｍ程度に形成する。さらに、クロム層３２の上に酸化シリコン（ＳｉＯ₂）層３３を、例えば厚さ５０ｎｍ程度に形成する。尚、ハードマスク材料は、アルミナに限定されるものではなく、炭化ケイ素（ＳｉＣ）やダイヤモンドライクカーボン（Diamond Like Carbon; ＤＬＣ）等を用いてもよい。

次に、図６（ｃ）に示すように、酸化シリコン層３３の上にフォトレジストマスク３４を所定の形状に形成する。続いて、このフォトレジストマスク３４に覆われていない部分の酸化シリコン層３３をエッチングにより除去する。さらに、残った酸化シリコン層３３をマスクにしてクロム層３２をエッチングして、クロムからなるマスク３２ａを形成する。さらに、マスク３２ａに覆われていない部分のアルミナ層３１をエッチングして、ハードマスク３１ａを形成する。なお、酸化シリコン層３３、クロム層３２、及びアルミナ層３１のエッチングは、反応性イオンエッチング等で行うことができる。以上の工程により図７（ａ）に示す断面を有する構造体が完成する。

本実施形態では、図７（ａ）に示す構造体が完成した段階で、ウエハ４０の各チップ形成領域のうちから例えば５箇所程度のチップ形成領域を適宜選んで、それらのチップ形成領域に形成されたハードマスク３１ａの断面観察を行なう。この断面観察により、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角α及び幅（底部の幅）Ｗの平均値を求める。

次に、ハードマスク３１ａの幅（底部の幅）Ｗの実測値（平均値）と形成すべき主磁極２０のコア幅の目標値Ｄとからハードマスク３１ａのシフト量Ｓを求める。そして、ハードマスク３１ａの側壁傾斜角α及びシフト量Ｓから関係式（１）に基づいてイオンミリングの際のビーム照射角θを決定する。また、ハードマスク３１ａの側壁方向のエッチングレートＫ及びシフト量Ｓからビーム照射時間Ｔを決定する。

次に、上記の工程で決定したビーム照射角θ及びビーム照射時間Ｔでイオンミリングを行って、図７（ｂ）に示すようにハードマスク３１ａの下に逆台形状の主磁極２０を形成する。

以後、公知の手法により、主磁極２０及びハードマスク３１ａを覆うようにアルミナを堆積させて平坦化絶縁層２１を形成し、この平坦化絶縁層２１の上面を研磨して平坦化すると同時にハードマスク３１ａを除去して主磁極２０の上面を露出させる。続いて、主磁極２０及び平坦化絶縁層２１の上にギャップ絶縁層２２を形成する（図４参照）。

さらに、下地絶縁層２３、励磁コイル２４、被覆絶縁層２５、リターンヨーク２６を形成して記録ヘッド１３を完成させる。その後、保護層２７を形成した後、ウエハ４０を切り分けて所定の加工を行うことで、図４に示す磁気ヘッド１０が完成する。

以上のように、実施形態に係る磁気ヘッドの製造方法によれば、主磁極のイオンミリングの前にハードマスク３１ａの断面観察を行い、その幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αを測定する。そして、ハードマスク３１ａの幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αの実測値から、主磁極２０のコア幅を目的の値とするためのイオンミリング条件（ビーム照射角θ及びビーム照射時間Ｔ）を求める。このイオンミリング条件に基づいて磁性材料層３０をイオンミリングすることで、所定のコア幅を有する主磁極２０を精度よく形成することができる。このため、ハードマスク３１ａの幅（底部の幅）Ｗ及び側壁傾斜角αがウエハ４０毎にばらついていても、主磁極２０のコア幅のばらつきを抑制できる。

図１（ａ）〜（ｃ）は、従来の主磁極の形成工程の一例を示す断面図である。 図２は、ハードマスクの側壁傾斜角αとハードマスクの側壁に対するビーム照射角φとの関係を示す模式図である。 図３は、横軸にハードマスクの側壁傾斜角をとり、縦軸にハードマスクのシフト量をとって、ハードマスクの側壁傾斜角αとビーム照射角θとハードマスクのシフト量Ｓとの変化を示す図である。 図４は、磁気ヘッドの構造を示す断面図である。 図５は、磁気ヘッドの主磁極の形状を示す斜視図である。 図６（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その１）。 図７（ａ）〜（ｃ）は、磁気ヘッドの主磁極の形成工程を示す断面図である（その２）。

符号の説明

１０…磁気ヘッド、１１…スライダー、１１ａ…ＡＢＳ面、１２…再生ヘッド、１３…記録ヘッド、１４…絶縁層、１５…下部シールド層、１６…再生素子、１７…絶縁層、１８…上部シールド層、１９…分離絶縁層、２０…主磁極、２１…平坦化絶縁層、２２…ギャップ絶縁層、２３…下地絶縁層、２４…励磁コイル、２５…被覆絶縁層、２６…リターンヨーク、２６ａ…トレーリングシールド、２７…保護層、３０…磁性材料層、３１…アルミナ層、３１ａ…ハードマスク、３２…クロム層、３２ａ、３５ａ…マスク、３３…酸化シリコン層、３４…レジストマスク、４０…ウエハ、９０…磁気ディスク。

Claims (5)

1. 基板の上方に磁性材料層を形成する工程と、
   前記磁性材料層の上にハードマスクを形成する工程と、
   前記ハードマスクの側壁傾斜角と幅とを測定する工程と、
   前記ハードマスクの側壁傾斜角と幅とに応じて、前記磁性材料層のイオンミリングの際のビーム照射角を決定する工程と、
   前記ビーム照射角で前記磁性材料層をイオンミリングして主磁極を形成する工程と、
   を有することを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。
2. 前記主磁極は逆台形状に形成されることを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
3. イオンミリング前の前記ハードマスクの幅と主磁極のコア幅の目標値との差をシフト量Ｓとし、前記ハードマスクの側壁の傾斜角を側壁傾斜角αとしたときに、前記ビーム照射角θを、関係式θ＝（Ｓ［ｎｍ］+ａ）／ｂ−α［ｄｅｇ］（但し、ａ及びｂはハードマスクの材料及び膜厚によって定まるパラメータ）により算出することを特徴とする請求項１に記載の磁気ヘッドの製造方法。
4. 前記磁性材料層のイオンミリングの際のビーム照射時間を、前記シフト量Ｓを前記ハードマスクの幅方向のエッチングレートで除算して求めること特徴とする請求項３に記載の磁気ヘッドの製造方法。
5. 前記ハードマスクは、アルミナ、炭化ケイ素及びＤＬＣ（Diamond Like Carbon）のいずれか１種からなることを特徴とする請求項１乃至４のいずれか１項に記載の磁気ヘッドの製造方法。

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