JP2008210481A - 磁気記録装置の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】主磁極の高さの精度向上が図られた磁気記録装置の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気記録装置の製造方法は、(a)下地層の上方に、下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、(b)磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、(c)頂部上にストッパ層が形成された磁性層を覆うように、下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、(d)頂部上のストッパ層が露出するまで、絶縁層を研磨する工程と、(e)露出した頂部上のストッパ層を除去する工程と、(f)絶縁層上に、磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、(g)犠牲層及び磁性層を同時に研磨する工程とを有する。
【選択図】図3
【解決手段】磁気記録装置の製造方法は、(a)下地層の上方に、下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、(b)磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、(c)頂部上にストッパ層が形成された磁性層を覆うように、下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、(d)頂部上のストッパ層が露出するまで、絶縁層を研磨する工程と、(e)露出した頂部上のストッパ層を除去する工程と、(f)絶縁層上に、磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、(g)犠牲層及び磁性層を同時に研磨する工程とを有する。
【選択図】図3
Description
本発明は、磁気記録装置の製造方法に関し、特に、垂直磁化を用いる磁気記録装置の製造方法に関する。
パーソナルコンピュータ等の記録装置として、ハードディスク磁気記録装置が用いられている。動画や音楽等大容量のデータを記録する要求が大きくなり、記録密度の向上が求められている。ハードディスク磁気記録装置の記録密度向上のため、従来の水平記録方式より密度向上に優れる垂直記録方式の実用化が進められている。
ハードディスク上の記録ビットの微細化に対応するために、書込みヘッドの主磁極の微細化が進められている。主磁極の端面形状が記録精度に大きく影響を及ぼすため、高精度な磁極形成技術が求められている。
図7を参照して、特許文献1が開示する主磁極の製造方法について説明する。読出しヘッドを形成した基板200の上に、主磁極となる磁性層201が形成される。磁性層201を覆って、基板上に絶縁層202が形成される。磁性層201の近傍の絶縁層202上に、ストッパ層203が形成される。さらに、ストッパ層203と絶縁層202とを覆って、絶縁層204が形成される。ストッパ層203の高さまで、絶縁層204、絶縁層202、及び磁性層201が化学機械研磨(CMP)される。特許文献1には、このようにして、主磁極(磁性層201)の高さをストッパ層203の高さに制御する技術が提案されている。
主磁極の高さを精度良く制御する様々な技術が望まれる。
本発明の一目的は、主磁極の高さの精度向上が図られた磁気記録装置の製造方法を提供することである。
本発明の一観点によれば、(a)下地層の上方に、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、(b)前記磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、(c)前記頂部上に前記ストッパ層が形成された前記磁性層を覆うように、前記下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、(d)前記頂部上の前記ストッパ層が露出するまで、前記絶縁層を研磨する工程と、(e)露出した前記頂部上の前記ストッパ層を除去する工程と、(f)前記絶縁層上に、前記磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、(g)前記犠牲層及び前記磁性層を同時に研磨する工程とを有する磁気記録装置の製造方法が提供される。
犠牲層と磁性層とを同時に研磨することにより、犠牲層なしで磁性層を研磨する場合に比べて、磁性層の高さ精度向上を図ることができる。また、犠牲層なしで磁性層を研磨する場合に比べて、研磨後の面の平坦性向上も図ることができる。
まず、図5を参照して、ハードディスク磁気記録装置の構成例を概略的に説明する。ハードディスク磁気記録装置100は、ハードディスク101の上に、書込み/読出しヘッド102を備えたアーム103を有する。ハードディスク101が回転するとともに、書込み/読出しヘッド102がトラックに連続的に磁気記録を行う。トラックの選択は、アーム103をディスク半径方向に移動させることによって行われる。
図6は、書込み/読出しヘッド102の構造を概略的に示す断面図である。セラミック層等を含む基板1の上方に、下部シールド層5が形成される。下部シールド層5の上に、磁気読出し素子6を埋め込んだ絶縁層4が形成され、絶縁層4の上に、上部シールド層7が形成される。
下部シールド層5、磁気読出し素子6、絶縁層4、及び、上部シールド層7を含んで、読出しヘッド8が構成される。読出しヘッド8の製造方法として、公知の適当な方法を用いることができる。下部シールド層5、磁気読出し素子6、絶縁層4、及び、上部シールド層7を、例えば、めっきやスパッタリング等の成膜技術や、各種パタニング技術等を用いて形成することができる。
上部シールド層7の上方に、絶縁層9が形成され、絶縁層9の上方に、主磁極12が形成されている。主磁極12の上方に、コイル15を埋め込んだ絶縁層11が形成され、絶縁層11を埋め込むように、リターンヨーク14が形成されている。リターンヨーク14は、補助的磁路を形成する。主磁極12とリターンヨーク14とに沿って、磁気閉回路が形成される。主磁極12側の磁極端とリターンヨーク14側の磁極端との間に、ギャップ層13が形成されている。
主磁極12、コイル15、絶縁層11、リターンヨーク14、及び、ギャップ層13を含んで、書込みヘッド10が構成される。書込みヘッド10の製造方法として、主磁極12の製造工程以外の工程について、公知の適当な方法を用いることができる。実施例による主磁極12の製造方法について後述する。コイル15、絶縁層11、リターンヨーク14、及び、ギャップ層13を、例えば、めっきやスパッタリング等の成膜技術や、各種パタニング技術等を用いて形成することができる。
読出しヘッド8の磁気読出し素子6、及び、書込みヘッド10の主磁極12の磁極端と向き合うように、ハードディスク101が配置される。ハードディスク101は、基板110の上に軟磁性の裏打ち層111が形成され、裏打ち層111の上に記録層112が形成されているものである。主磁極12から発する磁界が、記録層112に記録を行う。
図1(A)〜図3(E)は、ハードディスクに対向する書込みヘッドの端面に対応する概略断面図である。まず、図1(A)〜図3(A)を参照して、比較例による主磁極の製造方法について説明する。
読出しヘッドを構成する各層が形成され、主磁極形成の下地となる下地層が形成されたワークが準備されている。なお、1つのワークとなるウエハの面内に、多数の主磁極が作製される。1つの主磁極を代表として説明を続ける。
図1(A)に示すように、下地層20の表面に、例えばルテニウムをスパッタリングすることにより、めっきシード層22を形成する。下地層20は、例えばアルミナである。
次に、図1(B)に示すように、めっきシード層22の上にレジスト層を形成する。主磁極の平面パタンに合わせて開口24aが形成されるように、フォトリソグラフィでレジスト層をパタニングすることにより、レジストパタン24を形成する。主磁極の端面形状を、下から上に向かって幅が広がる逆台形状とするために、開口24aの側面は、上側が幅広となるテーパを有する。
なお、主磁極形状を逆台形状とすることにより、サイドイレーズと呼ばれる、意図しないデータの書込み(必要なデータの消去)の発生を抑制することができる。なお、サイドイレーズの抑制について、例えば、特開2004−94997号公報に説明されている。
次に、図1(C)に示すように、めっきシード層22を給電層とする電解めっきにより、レジストパタン24の開口24a内に、主磁極となる磁性層26を形成する。磁性層26は、例えば厚さ0.3μmである。磁性層26の上面は、やや丸みを帯びて形成される。
磁性層26は、軟磁気特性に優れるとともに、高密度記録を可能とするため高飽和磁束密度を備える磁性材料によって形成する。軟磁気特性にすぐれる磁性材料としては、例えばNiFe系の磁性材料があり、高飽和密度を備える磁気材料としては、例えばFeCo系の磁性材料がある。例えば、FeCoやFe90Niを用いることができる。
次に、図1(D)に示すように、レジストパタン24を除去すると、シード層22が露出する。次に、図1(E)に示すように、めっきシード層22の上に、磁性層26を覆ってストッパ層30を形成する。ストッパ層30は、例えば、タンタル(Ta)を厚さ50nm程度スパッタリングすることにより形成する。
次に、図2(A)に示すように、ストッパ層30の上にレジスト層を形成し、フォトリソグラフィでレジスト層をパタニングすることにより、磁性層26に対応する突出部とその近傍を覆うレジストパタン32を形成する。
次に、図2(B)に示すように、レジストパタン32で磁性層26を被覆した状態でイオンミリングを施すことにより、ストッパ層30及びめっきシード層22の不要部分を除去する。その後、レジストパタン32を除去する。
次に、図2(C)に示すように、ストッパ層30で覆われた磁性層26を覆って、下地層20の上に、電気的絶縁性材からなり、ストッパ層30よりも研磨レートの高い(研磨されやすい)絶縁層40を形成する。絶縁層40は、例えば、アルミナをスパッタリングして形成する。磁性層26は、下地層20から突出するように設けられているから、絶縁層40によりワークの表面を被覆すると、磁性層26が形成されている部位が上方に突出する。
次に、図2(D)に示すように、絶縁層40を化学機械研磨(CMP)により除去する(第1のCMP工程)。磁性層26の頂部上に形成されたストッパ層30が露出するまで、絶縁層40を研磨する。
次に、図3(A)に示すように、ストッパ層30の露出部分を除去する。これにより、磁性層26の上面が露出する。ストッパ層30は、例えば、反応性ガスを用いたプラズマエッチングにより除去することができる。
比較例では、次に、CMPにより、絶縁層40と磁性層26とを研磨する(第2のCMP工程)。第2のCMP工程により、磁性層26の上面を平坦にする。磁性層26の上面が所望の高さとなるまで、研磨が行われる。このようにして、比較例による主磁極が製造される。
第1のCMP工程では、ストッパ層30に保護されて、磁性層26の頂部が削られない。磁性層26上面のストッパ層30を除去した後に、第2のCMP工程で仕上げ研磨を行うことにより、ストッパ層30を用いない場合に比べると、主磁極の高さを制御しやすい。
絶縁層40の表面を平坦化する研磨工程の際に、磁性層26が研磨されないように保護していることは、研磨加工作業を効率的にかつ容易に行うことを可能にし、ワークの表面全体としての研磨量のばらつきを抑えることを可能にするという利点がある。
そして、磁性層26の頂部を被覆するストッパ層30を除去した後に仕上げ研磨する場合には、絶縁層40の表面と磁性層26の表面とが、ほぼ平坦面にまで研磨されている状態から所定の膜厚にまで研磨するから、仕上げ研磨での研磨量はわずかであり、またワークの表面全体がほぼ平坦面となっている状態から仕上げ位置まで研磨するから、高精度に研磨することができる。
1つのウエハ面内に、多数の主磁極が作製されるが、比較例の製造方法では、主磁極の高さにばらつきが生じやすいことがわかった。この原因は、以下のようなものであると考えられる。
第1のCMP工程(図2(D)参照)で、絶縁層40のうち、突出部分より低い部分も、CMPにより削られる。磁性層26及び絶縁層40の膜厚は、ウエハ面内でばらついている。さらに、第1のCMP工程で絶縁層40の研磨レートにウエハ面内ばらつきが生じるため、磁性層26頂部上のストッパ層30をウエハ全面にわたって完全に露出させるためには、磁性層26近傍の絶縁層40の上面が、磁性層26の頂部よりもやや低くなる領域が必然的に発生する。すなわち、第1のCMP工程終了時に、磁性層26近傍の絶縁層40の上面に対する磁性層26の頂部の突き出し高さDが、ウエハ面内で不均一な状態となっている。
第1のCMP工程で、磁性層26上面は、ストッパ層30の保護により研磨されないため、突き出し量Dは、主として研磨後の絶縁層40の膜厚によって決まる。突き出し量Dは、磁性層26近傍の絶縁層40膜厚の厚い部分では小さく、薄い部分では大きい。
第2のCMP工程で、磁性層26の突き出した頂部が削られる。この研磨レートが、突き出し量Dに応じて変化する。突き出し量Dの多い磁性層26ほど多く研磨され、突き出し量Dの少ない磁性層26ほど少なく研磨される。突き出し量Dのばらつきに起因して、主磁極の高さにばらつきが生じることとなる。
次に、高さのばらつきが抑制された、実施例による主磁極の製造方法について説明する。磁性層26の頂部上のストッパ層30を除去する工程(図3(A)参照)までは、比較例による製造工程と同様である。さらに、図3(B)〜図3(E)を参照して、以後の工程について説明する。
磁性層26の頂部上のストッパ層30を除去した後、図3(B)に示すように、絶縁層40及び磁性層26の上にレジスト層を形成する。フォトリソグラフィでレジスト層をパタニングすることにより、磁性層26の上面と、その近傍の絶縁層40とを覆うレジストパタン50を形成する。
次に、図3(C)に示すように、絶縁層40の上に、犠牲層60をスパッタリングで形成する。犠牲層60は、例えば、磁性層26と同一の材料(例えば、FeCoやFe90Niを用いることができる。)で形成される。
犠牲層60は、犠牲層60の上面が、磁性層26の頂部よりも高くなる厚さで形成されていることが好ましい。すなわち、犠牲層60の厚さは、磁性層26の頂部上面の突き出し量Dよりも厚いことが好ましい。
次に、図3(D)に示すように、リフトオフにより、レジストパタン50及びその上の犠牲層60を除去する。これにより、磁性層26の頂部上面が露出し、磁性層26の頂部の周りに犠牲層60が残る。
次に、図3(E)に示すように、CMPにより、犠牲層60と磁性層26とを同時に研磨する(第2のCMP工程)。なお、犠牲層60が除去されてその下の絶縁層40が露出したら、さらに、絶縁層40と磁性層26とが研磨される。磁性層26の上面が、平坦にされる。磁性層26の頂部上面が所望の高さとなるまで、研磨が行われる。例えば、磁性層26の厚さが0.25μmとなるまで研磨が行われる。このようにして、実施例による主磁極が製造される。
次に、図4を参照して、比較例に対する実施例の改善効果について説明する。図4の表に、比較例及び実施例について、ウエハ面内レンジにおける主磁極高さのばらつきの平均値及び最大値を示す。
犠牲層を設けずに第2のCMP工程を行った比較例では、主磁極高さのばらつきのレンジ平均及び最大値が、それぞれ52nm及び74nmであった。犠牲層を設けて第2のCMP工程を行った実施例では、主磁極高さのばらつきのレンジ平均及び最大値が、それぞれ30nm及び45nmに低減した。比較例に対する実施例の改善効果は、レンジ平均について42%となり、最大値について39%となった。このように、実施例の製造方法により、主磁極の高さを精度良く制御できることがわかった。
実施例による第2のCMP工程では、犠牲層と磁性層の頂部とが同時に研磨される。犠牲層とともに磁性層を研磨することにより、磁性層の突き出し量に依存する研磨レートのばらつきが緩和され、高さ精度が向上する。
犠牲層60と磁性層26とを同一の材料で形成することにより、両者の研磨レートが等しくなる。このため、研磨された面の平坦性を高めることが容易となる。なお、犠牲層60の材料は、磁性層26と同一の材料に制限されない。研磨レートが磁性層26と同等な材料であれば用いることができる。例えば、磁性層と組成比を適当に異ならせた材料を用いることができる。例えば、NiFe(Ni、Feとも50%のパーマロイ)を用いることができる。なお、磁性層の研磨レートに対して、犠牲層の研磨レートの差が5%以内であれば同等と考えてよい。
実施例の方法で作製した主磁極を含む構造体の特徴について説明する(図3(E)参照)。下地層20上方に、下地層20から突き出した形状を有する磁性層26(主磁極)が形成されている。磁性層26は、下方ほど幅が狭い。
また、下地層20の上に、磁性層26、ストッパ層30及び絶縁層40が共通の表面をなすように形成されている。前述した逆台形形状を呈する磁性層26の両側面に薄いストッパ層30が形成され、さらにストッパ層30の外側は絶縁層40で充たされている。磁性層26と絶縁層40とが形成する共通の表面が平坦化されている。
以上実施例に沿って本発明を説明したが、本発明はこれらに制限されるものではない。例えば、種々の変更、改良、組み合わせ等が可能なことは当業者に自明であろう。
以下、本発明の特徴を付記する。
(付記1)
(a)下地層の上方に、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、
(b)前記磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、
(c)前記頂部上に前記ストッパ層が形成された前記磁性層を覆うように、前記下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)前記頂部上の前記ストッパ層が露出するまで、前記絶縁層を研磨する工程と、
(e)露出した前記頂部上の前記ストッパ層を除去する工程と、
(f)前記絶縁層上に、前記磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、
(g)前記犠牲層及び前記磁性層を同時に研磨する工程と
を有する磁気記録装置の製造方法。
(付記2)
前記工程(f)は、前記犠牲層を、該犠牲層の上面が前記磁性層の頂部よりも高くなる厚さで形成する付記1に記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記3)
前記工程(f)は、前記犠牲層を、前記磁性層と同一の材料で形成する付記1または2に記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記4)
前記工程(f)で、前記磁性層の頂部上方にも前記犠牲層が形成され、前記工程(g)の前に、(h)前記磁性層の頂部上方に形成された前記犠牲層を除去する工程を有する付記1〜3のいずれか1つに記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記5)
前記工程(a)は、前記磁性層を、下方ほど幅が狭い形状に形成する付記1〜4のいずれか1つに記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記6)
下地層と、
前記下地層の上方に形成され、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層と、
前記磁性層外側の前記下地層の上方に形成され、前記磁性層と共通表面を形成する絶縁層と、
前記磁性層と前記絶縁層との間に介在するストッパ層と
を有し、前記共通表面が平坦化されている磁気記録装置。
(付記7)
前記絶縁層は、前記ストッパ層よりも化学機械研磨の研磨レートが高い付記6に記載の磁気記録装置。
(付記8)
前記磁性層は、下方ほど幅が狭い付記6または7に記載の磁気記録装置。
(付記1)
(a)下地層の上方に、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、
(b)前記磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、
(c)前記頂部上に前記ストッパ層が形成された前記磁性層を覆うように、前記下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)前記頂部上の前記ストッパ層が露出するまで、前記絶縁層を研磨する工程と、
(e)露出した前記頂部上の前記ストッパ層を除去する工程と、
(f)前記絶縁層上に、前記磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、
(g)前記犠牲層及び前記磁性層を同時に研磨する工程と
を有する磁気記録装置の製造方法。
(付記2)
前記工程(f)は、前記犠牲層を、該犠牲層の上面が前記磁性層の頂部よりも高くなる厚さで形成する付記1に記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記3)
前記工程(f)は、前記犠牲層を、前記磁性層と同一の材料で形成する付記1または2に記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記4)
前記工程(f)で、前記磁性層の頂部上方にも前記犠牲層が形成され、前記工程(g)の前に、(h)前記磁性層の頂部上方に形成された前記犠牲層を除去する工程を有する付記1〜3のいずれか1つに記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記5)
前記工程(a)は、前記磁性層を、下方ほど幅が狭い形状に形成する付記1〜4のいずれか1つに記載の磁気記録装置の製造方法。
(付記6)
下地層と、
前記下地層の上方に形成され、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層と、
前記磁性層外側の前記下地層の上方に形成され、前記磁性層と共通表面を形成する絶縁層と、
前記磁性層と前記絶縁層との間に介在するストッパ層と
を有し、前記共通表面が平坦化されている磁気記録装置。
(付記7)
前記絶縁層は、前記ストッパ層よりも化学機械研磨の研磨レートが高い付記6に記載の磁気記録装置。
(付記8)
前記磁性層は、下方ほど幅が狭い付記6または7に記載の磁気記録装置。
20 下地層
22 めっきシード層
24 レジストパタン
24a 開口
26 磁性層
30 ストッパ層
32 レジストパタン
40 絶縁層
50 レジストパタン
60 犠牲層
100 ハードディスク磁気記録装置
101 ハードディスク
102 書込み/読出しヘッド
103 アーム
1 基板
4、9、11 絶縁層
5 下部シールド層
6 磁気読出し素子
7 上部シールド層
8 読出しヘッド
10 書込みヘッド
12 主磁極
13 ギャップ層
14 リターンヨーク
15 コイル
110 基板
111 裏打ち層
112 記録層
22 めっきシード層
24 レジストパタン
24a 開口
26 磁性層
30 ストッパ層
32 レジストパタン
40 絶縁層
50 レジストパタン
60 犠牲層
100 ハードディスク磁気記録装置
101 ハードディスク
102 書込み/読出しヘッド
103 アーム
1 基板
4、9、11 絶縁層
5 下部シールド層
6 磁気読出し素子
7 上部シールド層
8 読出しヘッド
10 書込みヘッド
12 主磁極
13 ギャップ層
14 リターンヨーク
15 コイル
110 基板
111 裏打ち層
112 記録層
Claims (5)
- (a)下地層の上方に、該下地層から突き出した形状を有し、磁気記録装置のヘッドの磁極となる磁性層を形成する工程と、
(b)前記磁性層の少なくとも頂部の上に、ストッパ層を形成する工程と、
(c)前記頂部上に前記ストッパ層が形成された前記磁性層を覆うように、前記下地層の上方に絶縁層を形成する工程と、
(d)前記頂部上の前記ストッパ層が露出するまで、前記絶縁層を研磨する工程と、
(e)露出した前記頂部上の前記ストッパ層を除去する工程と、
(f)前記絶縁層上に、前記磁性層と同等な研磨レートを有する材料で犠牲層を形成する工程と、
(g)前記犠牲層及び前記磁性層を同時に研磨する工程と
を有する磁気記録装置の製造方法。 - 前記工程(f)は、前記犠牲層を、該犠牲層の上面が前記磁性層の頂部よりも高くなる厚さで形成する請求項1に記載の磁気記録装置の製造方法。
- 前記工程(f)は、前記犠牲層を、前記磁性層と同一の材料で形成する請求項1または2に記載の磁気記録装置の製造方法。
- 前記工程(f)で、前記磁性層の頂部上方にも前記犠牲層が形成され、前記工程(g)の前に、(h)前記磁性層の頂部上方に形成された前記犠牲層を除去する工程を有する請求項1〜3のいずれか1項に記載の磁気記録装置の製造方法。
- 前記工程(a)は、前記磁性層を、下方ほど幅が狭い形状に形成する請求項1〜4のいずれか1項に記載の磁気記録装置の製造方法。
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JP2011023101A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Seagate Technology Llc | トランスデューサおよびトランスデューサの製造方法 |
CN106989828A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 优利斯公司 | 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法 |
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2007
- 2007-02-27 JP JP2007048055A patent/JP2008210481A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011023101A (ja) * | 2009-07-13 | 2011-02-03 | Seagate Technology Llc | トランスデューサおよびトランスデューサの製造方法 |
JP2014238911A (ja) * | 2009-07-13 | 2014-12-18 | シーゲイト テクノロジー エルエルシー | トランスデューサおよびトランスデューサの製造方法 |
US9058823B2 (en) | 2009-07-13 | 2015-06-16 | Seagate Technology Llc | Protected transducer for dead layer reduction |
CN106989828A (zh) * | 2016-01-20 | 2017-07-28 | 优利斯公司 | 制造具有微囊的电磁辐射探测器的方法 |
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