JP2000285418A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおい
て、再生トラック幅を正確に規定し、ノイズを減らして
Ｓ／Ｎ比を向上させた薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 選択的に形成されている磁気抵抗効果層
４と、その両側面に高抵抗層６ａを介在させて形成した
磁気バイアス層５と、所定の間隔を隔てて形成されてい
る一対のリード７とを有する構成により、磁気抵抗効果
層４の側面から流れる電流を減少させることができ、Ｓ
／Ｎ比を格段に向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
の再生ヘッドとして使用される磁気抵抗効果層を用いた
薄膜磁気ヘッドに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上が要求されるようになり、従来の薄膜磁気ヘッド
よりさらに再生トラック幅が小さくてなおかつ再生出力
が大きい再生ヘッドが開発されている。その一つに外部
磁界の変化に従って電気抵抗が変化する磁気抵抗効果
（ｍagnetoresistive膜）を利用したＭＲヘッド、さら
に大きい磁気抵抗効果を示す材料を用いたＧＭＲヘッド
と呼ばれるものがある。

【０００３】図１１は従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す要部断面図である。図１１において、２１はアルミナ
・チタンカーバイトなどからなる基板（省略）上に形成
されたアルミナなどからなる絶縁下地層、２２はニッケ
ル・鉄などの軟磁性体材料からなる下部シールド磁性
層、２３はアルミナなどの非磁性材料からなる第１の絶
縁層、２４は磁気抵抗効果層、２４ａは正規の信号を発
生するための磁気応答領域、２４ｂはその領域を電流が
流れることによって不用の信号が発生するノイズ発生領
域、２５は硬磁性膜や反強磁性膜からなり磁気抵抗効果
層２４に磁気バイアスを付与する磁気バイアス層、２６
はリード、２７はリード２６などを覆って形成された第
２の絶縁層である。

【０００４】リード２６の先端の端面はテーパ状に形成
されており、磁気抵抗効果層２４に近い第１のテーパは
より大きい角度θで形成され、遠い第２のテーパはより
緩やかな角度φで形成されている。なお、第２の絶縁層
２７の上に形成される上部シールド磁性層は簡単のため
に図示していない。

【０００５】なお、図１１に示す従来例では、第１の絶
縁層２３の上に間隔を設けて磁気バイアス層２５が形成
されており、磁気バイアス層２５および間隔の上に磁気
抵抗効果層２４が形成されている。リード２６の先端は
磁気バイアス層２５の先端を越えて磁気抵抗効果層２４
に接触している。

【０００６】また一般に、磁気応答領域２４ａはリード
２６の先端で挟まれた領域に略一致しているが、電気的
にはリード２６からの電流はリード２６の先端からだけ
でなくリード２６の長さ方向に幅を持って流れることに
なるため厳密には一致しない。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】今後さらに厳しく要望
される高記録密度化に対して磁気ヘッドとしても感度、
Ｓ／Ｎ比を犠牲にすることなく磁気応答領域を狭くし、
より狭い再生トラック幅を精度よく実現する必要があ
る。そのためには、リードからの電流を効率よくトラッ
ク幅に相当する磁気応答領域すなわち磁気抵抗効果層の
リードで挟まれた領域に集中して流し、磁気抵抗効果層
の側面などから流れ込む電流を少なくする必要がある。

【０００８】しかしながら上記の従来の構成ではノイズ
発生領域２４ｂにも相当の電流が流れることによるノイ
ズが大きいためにＳ／Ｎ比が悪い。また、ノイズ発生領
域に電流が流れた場合は、その部分も外部磁界に対して
応答してしまうため、リードで挟まれた領域よりもさら
に再生トラック幅が広がってしまい、狭トラック化が困
難になってしまう。さらに、磁気抵抗効果層２４が磁気
バイアス層２５の先端の段差を横切って形成されている
ために新たな課題が生じている。すなわち上記の従来の
構成においては磁気応答層２４ａに対して効果的に磁気
バイアスをかけるためには磁気バイアス層２５をできる
だけ磁気応答層２４ａに近づけなければならない。一方
磁気バイアス層２５を磁気応答層２４ａに近づけると磁
気バイアス層２４ａの先端とリード２６の先端とが近く
なり、この部分でのリード２６の厚みを大きくしなけれ
ばならず、リード２６の全体の厚みが増すことになる。
リード２６の先端すなわち角度θを有するスロープの厚
みが大きくなるとリード２６を覆って形成される第２の
絶縁層２７の段差部におけるカバレッジの問題、クラッ
ク発生等の問題が生じる。

【０００９】本発明は、磁気応答領域以外の磁気抵抗効
果層すなわちノイズ発生領域に流れる電流を低下させて
Ｓ／Ｎ比を向上させるとともに、磁気応答領域を正確に
規定でき、製造が容易な構造を有する薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層の上に選択的に形
成された磁気抵抗効果層の両側に高抵抗層を介して磁気
バイアス層が形成されており、その上に磁気抵抗効果層
の外部磁界による電気抵抗変化を検知するための一対の
リードが先端部を磁気抵抗効果層に接して形成されてい
る構成を有している。このような構成により、磁気バイ
アス層を流れてきた電流のうち直接磁気抵抗効果層に流
れる電流が減少し、その分リードの先端から磁気抵抗効
果層へ流れる電流が増加する。すなわちリードの先端と
磁気抵抗効果層の側面との間に存在するノイズ発生領域
を流れる電流が減少するためにノイズが減少し、Ｓ／Ｎ
比が向上しする。また、ノイズ発生領域を流れる電流が
減少するためにリードで挟まれた領域に対する再生トラ
ック幅の広がりを抑えることも可能となり狭トラック化
が実現できる。

【００１１】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは、高抵
抗層が磁気抵抗効果層の側面から一部が磁気抵抗効果層
の主面にまで延在して形成された構成を有している。こ
のような構成では、磁気抵抗効果層の表面の一部に延在
する高抵抗層により磁気応答領域を厳密に決めることが
できる上、磁気抵抗効果層へ側面から流れる電流が減少
し、さらにリードから磁気抵抗効果層へ流れる電流がリ
ードの先端部分に集中することになるため、さらにＳ／
Ｎ比が向上する。

【００１２】また上記の構成に加えて、磁気抵抗効果層
主面と磁気バイアス層の主面を略同一平面とすることに
よりリードが段差を越えることはなくなり、リードを薄
くできるため、第２の絶縁層の形成が容易になる。

【００１３】また磁気抵抗効果層の側壁に高抵抗層を設
けているために、リードの先端が薄い場合、またリード
の先端のスロープを緩やかにした場合、いずれにおいて
も磁気抵抗効果層の磁界による電気抵抗変化を検知する
ための電流はほとんどがリードの先端から流れることに
なる。したがって、リードを薄くでき、またはリードの
先端のスロープを緩やかにできるため、リードの上に良
好な絶縁層を容易に形成することができる。

【００１４】

【発明の実施の形態】請求項１に記載の発明は、絶縁下
地層と、絶縁下地層の上に形成されている下部シールド
磁性層と、下部シールド磁性層の上に形成されている第
１の絶縁層と、第１の絶縁層の上に選択的に形成されて
いる磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面に形成さ
れている高抵抗層と、磁気抵抗効果層に磁気バイアスを
与えるために磁気抵抗効果層および高抵抗層を挟んで形
成されている磁気バイアス層と、磁気抵抗効果層の外部
磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を
隔てて形成されている一対のリードと、磁気抵抗効果
層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形成さ
れている第２の絶縁層と、第２の絶縁層の上に形成され
ている上部シールド磁性層とを有する構成からなる。

【００１５】この構成により、磁気バイアス層から直接
磁気抵抗効果層へ流れる電流が減少し、リードの先端か
ら磁気抵抗効果層へ流れる電流が増加するため、ノイズ
が減少しＳ／Ｎ比が向上し、また、リードで挟まれた領
域に対する再生トラック幅の広がりが抑えることも可能
となる。

【００１６】請求項２に記載の発明は、請求項１に記載
の発明において、磁気抵抗効果層の側面に形成されてい
る高抵抗層が磁気抵抗効果層の主面の一部に延在して形
成された構成を有している。

【００１７】この構成により、磁気抵抗効果層の側面か
ら流れる電流は減少し、磁気抵抗効果層の主面に接触し
ているリードの先端面積が磁気抵抗効果層の主面に延在
して形成されている高抵抗層により制限されるため電流
がさらにリードの先端に集中することになり、リードで
挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりを一段と
抑えることができる。

【００１８】請求項３に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第１の絶
縁層と、第１の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面から第１の絶縁
層の上にまで延在して形成されている高抵抗層と、磁気
抵抗効果層に磁気バイアスを与えるために磁気抵抗効果
層および高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス
層と、磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を
検知するために所定の間隔を隔てて形成されている一対
のリードと、磁気抵抗効果層、磁気バイアス層および一
対のリードを覆って形成されている第２の絶縁層と、第
２の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁性層と
を有する構成からなる。

【００１９】この構成により、請求項１に記載の発明に
よる効果に加えて磁気バイアス層の下部に高抵抗層が存
在することによる磁気バイアス層と下部シールド磁性層
との絶縁性が向上する。

【００２０】請求項４に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第１の絶
縁層と、第１の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面、第１の絶縁層
の上および磁気抵抗効果層の主面の一部にまで延在して
形成されている高抵抗層と、磁気抵抗効果層に磁気バイ
アスを与えるために磁気抵抗効果層および高抵抗層を挟
んで形成されている磁気バイアス層と、磁気抵抗効果層
の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の
間隔を隔てて形成されている一対のリードと、磁気抵抗
効果層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形
成されている第２の絶縁層と、第２の絶縁層の上に形成
されている上部シールド磁性層とを有する構成からな
る。

【００２１】この構成により、請求項１、２または３に
記載の発明により得られる効果が相乗して得られること
になる。

【００２２】請求項５に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第１の絶
縁層と、第１の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の主面と側面および第
１の絶縁層の上に形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に
達する一対の開口を有する高抵抗層と、磁気抵抗効果層
に磁気バイアスを与えるために磁気抵抗効果層および高
抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス層と、磁気
抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するた
めに所定の間隔を隔てて形成されかつ開口を通して磁気
抵抗効果層に接続されている一対のリードと、磁気抵抗
効果層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形
成されている第２の絶縁層と、第２の絶縁層の上に形成
されている上部シールド磁性層とを有する構成からな
る。

【００２３】この構成により、請求項４に記載の発明に
より得られる効果とともに、磁気抵抗効果層の主面が完
全に高抵抗層で覆われるため信頼性が向上し、さらには
開口を通してリードが磁気抵抗効果層に接続されるため
磁気応答領域をより明確に規定することができる。

【００２４】請求項６に記載の発明は、請求項１、２、
３、４または５に記載の発明において、高抵抗層が、窒
化膜、酸化膜および窒化酸化膜の一つまたはそれらの組
み合わせからなる絶縁層である構成を有している。

【００２５】磁気抵抗効果層の側面の高抵抗層を絶縁層
とした場合、側面から流れる電流を遮断することができ
るためノイズが激減し、Ｓ／Ｎ比が向上する。また、電
流がさらにリードや開口の先端に集中することになり、
リードや開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の
広がりも抑えることができる。

【００２６】請求項７に記載の発明は、請求項１、２、
３、４または５に記載の発明において、高抵抗層が、窒
化物磁性体、酸化物磁性体および窒化酸化物磁性体の一
つまたはそれらの組み合わせからなる構成を有してい
る。この構成により、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層
の境界領域における磁気的乱れによるノイズを低減する
ことができるとともに、磁気応答領域に一様な磁気バイ
アスをかけることができる。

【００２７】請求項８に記載の発明は、請求項１、２、
３、４、５、６または７に記載の発明において、高抵抗
層の下および上の少なくともいずれかに密着性改善層が
形成されている構成を有している。高抵抗層の下に密着
性改善層を形成することにより高抵抗層と磁気抵抗効果
層、高抵抗層と第１の絶縁層の密着性を改善できるため
高抵抗層の材料を選択する範囲が広くなり高性能の薄膜
磁気ヘッドが得られる。また高抵抗層の上に密着性改善
層を形成することにより高抵抗層と磁気バイアス層の密
着性を改善することができるため磁気バイアス層の材料
選択が容易になる。

【００２８】請求項９に記載の発明は、請求項１、２、
３、４、５、６または７に記載の発明において、高抵抗
層の下および上の少なくともいずれかに結晶性改善層が
形成されている構成を有している。高抵抗層の下に結晶
性改善層が形成されている場合は良質の高抵抗層が得ら
れることになり、高抵抗層の上に結晶性改善層が形成さ
れている場合には良質の磁気バイアス層が得られること
になるため、磁気抵抗効果層の側面近傍における磁気バ
イアス層の磁区の乱れおよび磁気特性の乱れを抑制する
ことができ、磁気抵抗効果層に一様な磁気バイアスをか
けることができる。高抵抗層の両面に結晶性改善層が形
成されている場合はさらに良好な磁気バイアス層が得ら
れることになる。

【００２９】請求項１０に記載の発明は、請求項１、
２、３、４、５または６に記載の発明において、高抵抗
層の上に磁性層が形成されている構成を有している。高
抵抗層として磁性材料以外の材料を用いた場合、この構
成により境界領域での磁区の乱れや磁気特性の乱れを抑
制することができ、磁気抵抗効果層に一様な磁気バイア
スをかけることができる。

【００３０】請求項１１に記載の発明は、請求項１、
２、３、４および５に記載の発明において、磁気抵抗効
果層の主面と磁気バイアス層の主面とが略同一平面にあ
る構成を有している。この構成により、リードが段差を
越える部分がなくなり、その分リードを薄くできるた
め、リードの上に形成される第２の絶縁膜のカバレッジ
やクラックの問題が軽減される。

【００３１】請求項１２に記載の発明は、請求項１、
２、３、４、５、６または７に記載の発明において、高
抵抗層の比抵抗が、磁気抵抗効果層の比抵抗、磁気バイ
アス層の比抵抗およびリードの比抵抗より大なる構成を
有しており、磁気バイアス層から直接磁気抵抗効果層へ
流れる電流を減少させることができるため、Ｓ／Ｎ比が
向上し、リードや開口で挟まれた領域に対する再生トラ
ック幅の広がりも抑えることができる。

【００３２】請求項１３に記載の発明は、絶縁下地層
と、絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性
層と、下部シールド磁性層の上に形成されている第１の
絶縁層と、第１の絶縁層の上に選択的に形成されている
磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与
えるために磁気抵抗効果層を挟んで形成されている磁気
バイアス層と、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層の上に
形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に達する一対の開口
を有する高抵抗層と、磁気抵抗効果層の外部磁界による
電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を隔てて形成
されかつ開口を通して磁気抵抗効果層に接続されている
一対のリードと、磁気抵抗効果層、磁気バイアス層およ
び一対のリードを覆って形成されている第２の絶縁層
と、第２の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁
性層とを有する構成からなる。

【００３３】このような構成により、磁気応答領域が開
口によって精度良く規定され、さらにはリードからの電
流が開口を通して磁気抵抗効果層に流れ、磁気抵抗効果
層の側面から流れる電流が減少することからＳ／Ｎ比が
向上し、開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の
広がりも抑えることができる。

【００３４】請求項１４に記載の発明は、請求項１３に
記載の発明において、高抵抗層が、窒化膜、酸化膜およ
び窒化酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる
絶縁層である構成を有しており、電流が完全にリードの
みを流れることになり、Ｓ／Ｎ比が一段と向上し、開口
で挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりも抑え
ることができる。

【００３５】請求項１５に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光性
樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜をエッチン
グし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に高抵抗膜
を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性膜を形成
する工程と、感光性樹脂パターンを除去するとともに感
光性樹脂パターンの上の高抵抗膜および磁気バイアス用
磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側面および第１の絶
縁層の上に高抵抗層および磁気バイアス層を形成する工
程と、全面に導電体膜を形成した後選択的にエッチング
して先端部が磁気抵抗効果層に接続されたリードを形成
する工程と、リードを覆って第２の絶縁層を形成する工
程とを有し、工程を複雑化することなく磁気抵抗効果層
の側面に高抵抗層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を
実現できる。

【００３６】請求項１６に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
第１の高抵抗膜を形成する工程と、第１の高抵抗膜の上
に選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光
性樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜と第１の
高抵抗膜とを順次エッチングし主面に第１の高抵抗層を
備えた磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に第２の
高抵抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性
膜を形成する工程と、感光性樹脂パターンを除去すると
ともに感光性樹脂パターンの上の第２の高抵抗膜と磁気
バイアス用磁性膜とを除去して磁気抵抗効果層の側面お
よび第１の絶縁層の上に第２の高抵抗層と磁気バイアス
層を形成する工程と、第１の高抵抗層に磁気抵抗効果層
に達する一対の開口を形成する工程と、全面に導電体膜
を形成した後選択的にエッチングして先端部が開口を通
して磁気抵抗効果層に接続されたリードを形成する工程
と、全面に第２の絶縁層を形成する工程とを有してお
り、磁気抵抗効果層の主面、側面に高抵抗層が形成され
た形状を得ることができる。

【００３７】請求項１７に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第１の絶縁層を形成する工程と、第１の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光性
樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜をエッチン
グし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に磁気バイ
アス用効果膜を形成する工程と、感光性樹脂パターンを
除去するとともに感光性樹脂パターンの上の磁気バイア
ス用効果膜を除去して磁気抵抗効果層の側面および第１
の絶縁層の上に磁気バイアス層を形成する工程と、磁気
抵抗効果層と磁気バイアス層の上に高抵抗層を形成する
工程と、高抵抗層に磁気抵抗効果層に達する一対の開口
を形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的
にエッチングして先端部が開口を通して磁気抵抗効果層
に接続されたリードを形成する工程と、全面に第２の絶
縁層を形成する工程とを有し、工程を複雑化することな
く、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層にまたがる平坦面
を得ることができ、その上に厚さの薄いリードと薄い第
２の絶縁層を形成することができる。

【００３８】請求項１８に記載の発明は、請求項１５、
１６または１７に記載の発明において、感光性樹脂パタ
ーンの底部周縁にアンダーカット部分が形成されている
構成を有しており、このような感光性樹脂パターンを用
いて磁気抵抗効果膜を加工することによりアンダーカッ
ト部分に磁気抵抗効果層の主面を露出させることができ
る。したがって高抵抗層を形成するとき磁気抵抗効果層
の側面のみならず主面の一部にも容易に高抵抗層を残す
ことができる。またこのような構造の感光性樹脂パター
ンの上に高抵抗膜、磁気バイアス用磁性膜を形成すると
き、感光性樹脂パターンの側面で高抵抗膜、磁気バイア
ス用磁性膜が分断されることになり、リフトオフが容易
に行える上、リフトオフ後にひげや突起が生じない。

【００３９】以下本発明の実施の形態について、図１か
ら図１０を用いて説明する。

【００４０】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１における薄膜ヘッドの要部断面図である。図１に示
すように、アルミナ・チタンカーバイトなどからなる基
板（図示せず）の上にアルミナなどの非磁性材料からな
る絶縁下地層１、ニッケル・鉄などの軟磁性材料からな
る下部シールド磁性層２、アルミナなどの非磁性材料か
らなる第１の絶縁層３が形成されている。その上に選択
的に磁気抵抗効果層４が形成されており、その磁気抵抗
効果層４の側面に高抵抗層６ａが形成されており、これ
らを挟んで磁気抵抗効果層４に磁気バイアスをかけるた
めの磁気バイアス層５が形成されている。その上に磁気
抵抗効果層４の外部磁界による電気抵抗の変化を検知す
るための一対のリード７および第２の絶縁層８が形成さ
れている。なお４ａは一対のリード７の先端で挟まれ正
規の信号を発生する磁気応答領域で再生トラック幅に相
当するものであり、４ｂはこの領域を電流が流れること
により不用の信号が発生するノイズ発生領域である。

【００４１】またθ１はリード７の先端部と磁気抵抗効
果層４とのなす角度であり、第２の絶縁層８のカバレッ
ジやクラックの問題を低減するためにリード７にスロー
プを設けている。

【００４２】本実施の形態１の構成すなわち磁気抵抗効
果層４の側面に設けた高抵抗層６ｂにより磁気バイアス
層５から直接磁気抵抗効果層４へ流れる電流が減少する
ためノイズ発生領域４ｂを流れる電流が減少し、またリ
ード７からの電流は先端から有効に磁気応答領域４ａへ
流れることになり、Ｓ／Ｎ比が向上し、リードで挟まれ
た領域に対する再生トラック幅の広がりも抑えることが
できる。

【００４３】（実施の形態２）図２は本発明の実施の形
態２における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図２
において、図１に示す実施の形態１と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお６ｂは高抵抗層６ａから延在して磁気抵抗
効果層４の主面の縁部に形成されている高抵抗層であ
る。

【００４４】図２に示す実施の形態２が実施の形態１と
異なる点は、磁気抵抗効果層４の側面に形成された高抵
抗層６ａが磁気抵抗効果層４の主面の一部にまで延在し
て形成されている（高抵抗層６ｂ）点である。

【００４５】したがって磁気抵抗効果層４の側面に設け
られた高抵抗層６ａにより磁気バイアス層５から磁気抵
抗効果層４へ直接流れる電流が減少するためにノイズが
減少し、またリード７からの電流は先端から有効に磁気
応答領域４ａへ流れることになり、Ｓ／Ｎ比が向上す
る。

【００４６】またリード７と磁気抵抗効果層４との接触
面はリード７の先端と高抵抗層６ｂの先端で挟まれた領
域になるため、請求項１に記載の発明におけるよりさら
に厳密に磁気応答領域４ａを規定することができる。

【００４７】（実施の形態３）図３は本発明の実施の形
態３における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図３
において、図１に示す実施の形態１と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお６ｃは高抵抗層６ａから延在して第１の絶
縁層３の上に形成されている高抵抗層である。

【００４８】図３に示す実施の形態３が実施の形態１と
異なる点は、磁気抵抗効果層の側面に形成されている高
抵抗層６ａの一端が第１の絶縁層の上にまでまで延在し
て形成されている（高抵抗層６ｃ）点である。

【００４９】このように構成することにより請求項１に
記載の発明において得られる効果とともに、磁気バイア
ス層５と下部磁気シールド層２との間の絶縁性がより確
実に保持される。

【００５０】（実施の形態４）図４は本発明の実施の形
態４における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図４
において、図１に示す実施の形態１と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。

【００５１】図４に示す実施の形態４が実施の形態１と
異なる点は、磁気抵抗効果層４の側面に形成されている
高抵抗層４ａの一端が第１の絶縁層の上に（高抵抗層６
ｃ）、他端が磁気抵抗効果層４の主面の一部に延在して
（高抵抗層６ｂ）形成されている点である。このように
構成することにより、実施の形態１，２および３で得ら
れた効果をすべて実現することができる。

【００５２】（実施の形態５）図５は本発明の実施の形
態５における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図５
において、図４に示す実施の形態４と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお６は高抵抗層、６ｄは磁気抵抗効果層４の
主面に形成されている高抵抗層、９は高抵抗層６ｄに形
成されている開口である。

【００５３】図５に示す実施の形態５が実施の形態４と
異なる点は、磁気抵抗効果層４の主面が高抵抗層６ｄで
覆われており、かつ高抵抗層６ｄに一対の開口９が形成
されており、リード７が開口９を通して磁気抵抗効果層
４に接続されている点である。

【００５４】このように構成することにより、実施の形
態１から４において得られた効果に加えて、磁気応答領
域４ａが開口９で規定されることになり再生トラック幅
が厳密に規定されるためさらに高密度記録に対応できる
高精度の薄膜磁気ヘッドが得られる。

【００５５】なお上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層として窒化膜、酸化膜および窒化酸
化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁層を
用いることにより磁気抵抗効果層４と磁気バイアス層５
との間の絶縁が完全になり、ノイズ発生領域４ｂを流れ
る電流が激減し、Ｓ／Ｎ比がいっそう向上し、リードや
開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりも
抑えることができる。

【００５６】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層として窒化物磁性体、酸化物磁性体
および窒化酸化物磁性体の一つまたはその組み合わせか
らなる磁性層を使用することによって、磁気抵抗効果層
４と磁気バイアス層５の境界領域における磁気的乱れに
よるノイズを低減することができるとともに、磁気応答
領域４ａに一様な磁気バイアスをかけることができる。
これらの磁性層としては高抵抗硬質磁性材料や高抵抗軟
質磁性材料を使用することができる。

【００５７】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に密着性改善層を形成することにより、膜厚を薄くして
も良好な膜を得ることができ、高性能の薄膜磁気ヘッド
が実現できる。

【００５８】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に結晶性改善層を形成することにより、結晶性改善層の
上に薄くても良質の膜を形成することができ、高性能の
薄膜磁気ヘッドが実現できる。

【００５９】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に密着性改善層と結晶性改善層の組み合わせからなる層
を形成することにより、さらに良好な膜を得ることがで
き、高性能の薄膜磁気ヘッドが実現できる。

【００６０】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層は複数層で形成してもよく、また絶
縁層と磁性層と金属層とを適切に組み合わせることも可
能である。

【００６１】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、磁気抵抗効果層４と磁気バイアス層５の主面
を略一致させておくことによりリード７に段差が生じな
いため、第２の絶縁層８のカバレッジやクラックの問題
が解消される。

【００６２】また上記の実施の形態１から実施の形態５
において、高抵抗層の比抵抗を他の層の比抵抗より大き
くすることによってノイズ発生領域４ｂを流れる電流を
減少させ、リード７や開口９の先端に電流を集中させる
ことができるため、Ｓ／Ｎ比を向上させることができ
る。

【００６３】（実施の形態６）図６は本発明の実施の形
態６における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図６
に示すように、アルミナ・チタンカーバイトなどからな
る基板（図示せず）の上にアルミナなどの非磁性材料か
らなる絶縁下地層１、ニッケル・鉄などの軟磁性材料か
らなる下部シールド磁性層２、アルミナなどの非磁性材
料からなる第１の絶縁層３が形成されている。その上に
選択的に磁気抵抗効果層４が形成されており、その磁気
抵抗効果層４を挟んで磁気抵抗効果層４に磁気バイアス
をかけるための磁気バイアス層５が形成されている。そ
の上に磁気抵抗効果層４および磁気バイアス層５を覆っ
て開口９を有する高抵抗層６が形成されている。なお６
ｅは磁気応答領域４ａの上の高抵抗層、６ｆはそれ以外
の領域の上の高抵抗層として区別した。

【００６４】このように構成することにり、磁気バイア
ス層５は直接磁気抵抗効果層４に接しているが、リード
７は高抵抗層６ｆを介して形成されているために、リー
ド７の電流は磁気バイアス層５に分流することは少な
い。したがって、リード７からの電流は開口９を介して
磁気応答領域４ａへ直接流れるようになっている。その
結果トラック幅に相当する磁気応答領域４ａは一対の開
口９で挟まれた領域によって規定され、大部分の電流が
開口９を通して流れるためノイズ発生領域４ｂを流れる
電流が減少し、高精度で高Ｓ／Ｎ比の薄膜磁気ヘッドを
実現することができる。

【００６５】また本実施の形態６において、高抵抗層６
を窒化膜、酸化膜および窒化酸化膜の一つまたはそれら
の組み合わせからなる絶縁層で構成することにより磁気
抵抗効果層４と磁気バイアス層５との間の絶縁が完全に
なり、ノイズ発生領域４ｂを流れる電流が激減し、Ｓ／
Ｎ比がいっそう向上する。

【００６６】また図６において、高抵抗層６を複数層で
構成することも可能である。

【００６７】（実施の形態７）図７（ａ）〜（ｆ）は本
発明の実施の形態７における薄膜磁気ヘッドの製造方法
を説明する工程断面図である。以降に説明する工程断面
図においては基板を省略した。

【００６８】まず図７（ａ）に示すように、基板上に絶
縁下地層１、下部シールド磁性層２および第１の絶縁層
３を順次積層する。次に磁気抵抗効果膜１４を全面に形
成した後、図７（ｂ）に示すように、選択的に感光性樹
脂パターン１０を形成する。次に感光性樹脂パターン１
０をマスクとしてイオンミリング法などにより磁気抵抗
効果膜１４をエッチングし、図７（ｃ）に示すように磁
気抵抗効果層４を形成する。次に図７（ｄ）に示すよう
に、全面に高抵抗膜１６と磁気バイアス用磁性膜１５を
形成する。

【００６９】次に図７（ｅ）に示すように、リフトオフ
法により感光性樹脂パターン１０を除去するとともに、
その上の高抵抗膜１６および磁気バイアス用磁性膜１５
を除去して高抵抗層６（第１の絶縁層３の上の高抵抗層
６ｃと磁気抵抗効果層４の側面の高抵抗層６ａとして示
している）および磁気バイアス層５を形成する。この時
点で、磁気バイアス層５と磁気抵抗効果層４の主面は略
同一平面にすることができる。

【００７０】次に図７（ｆ）に示すように、全面に導電
体膜を形成した後フォトエッチングによりリード７を形
成し、その上に第２の絶縁膜を形成する。

【００７１】なお、図７（ｃ）の工程で全面に高抵抗膜
１６を形成した後、高抵抗層の６ｃ部分を除去すること
により磁気バイアス層５の下部に高抵抗層６ｃのない形
状として以降の工程を進めることもできる。

【００７２】このようにして、少なくとも磁気抵抗効果
層４の側面に高抵抗層６ａが形成された薄膜磁気ヘッド
を形成することができる。

【００７３】（実施の形態８）図８（ａ）〜（ｆ）は、
本発明の実施の形態８における薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明する工程断面図である。図８において、図７に
示す実施の形態７と同一個所には同一符号を付して詳細
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。

【００７４】本実施の形態８が実施の形態７と異なる点
は、磁気抵抗効果層４の主面に高抵抗層６ｄを残すため
に、図８（ｂ）に示すように全面に高抵抗膜１７を形成
した後に感光性樹脂パターン１０を形成する工程、およ
び図９（ｆ）に示すように磁気抵抗効果層４の主面上の
高抵抗層６ｄに開口９を形成する工程である。

【００７５】なお、図８（ｃ）の工程で全面に高抵抗膜
１６を形成した後、高抵抗層の６ｃ部分を除去すること
により磁気バイアス層５の下部に高抵抗層６ｃのない形
状として以降の工程を進めることもできる。

【００７６】このように高抵抗膜を２度形成し、磁気抵
抗効果層４の上の高抵抗膜６ｄに開口９を設けることに
より再生トラック幅が精度良く規定された薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。

【００７７】（実施の形態９）図９（ａ）〜（ｆ）は、
本発明の実施の形態９における薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明する工程断面図である。図９において、図７に
示す実施の形態７と同一個所には同一符号を付して詳細
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。

【００７８】図９（ａ）〜（ｃ）までは実施の形態７と
同じ工程である。次に図９（ｄ）に示すように、高抵抗
層を形成することなく全面に磁気バイアス用磁性膜１５
を形成する。次に図９（ｅ）に示すように、リフトオフ
法により感光性樹脂パターン１０を除去するとともに、
その上の磁気バイアス用磁性膜１５を除去する。この時
点で、磁気バイアス層５と磁気抵抗効果層４の主面は略
同一平面にすることができる。次に全面に高抵抗層１８
を形成した後所定の位置に磁気抵抗効果層４に達する一
対の開口９を形成し、その上にリード７、第２の絶縁層
８を形成する。なお図１０においては、高抵抗層６を開
口９で挟まれた部分６ｅと一対の開口９の外側の部分６
ｆに分けて示している。

【００７９】このように磁気抵抗効果層４と磁気バイア
ス層５の表面に高抵抗層６を形成することにより平滑な
面を形成することができるため、その上に形成するリー
ド７を薄くすることができる上に第２の絶縁層８の形成
において段差部を考慮しなくてもよいことになる。

【００８０】また磁気抵抗効果層４の上の高抵抗膜６に
開口９を設けることにより再生トラック幅が精度良く規
定された薄膜磁気ヘッドを製造することができる。

【００８１】（実施の形態１０）図１０（ａ）〜（ｆ）
は、本発明の実施の形態１０における薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明する工程断面図である。図１０におい
て、図７に示す実施の形態７と同一個所には同一符号を
付して詳細説明を省略し、異なる点についてのみ説明す
る。

【００８２】本実施の形態１０が実施の形態７と異なる
点は、図１０（ｂ）に示すように、感光性樹脂パターン
１０の底部周縁にアンダーカット１０ａを設けたことで
ある。このようなパターン形状は特定の感光性樹脂を用
い特定の条件で露光現像することによって得られるが、
感光性樹脂を２層用いても同様の形状を得ることはでき
る。

【００８３】次に図１０（ｃ）に示すように、イオンミ
リング法などにより磁気抵抗効果層４を選択的にエッチ
ングする。このとき、イオンの入射角または基板角度を
制御することにより磁気抵抗効果層４の主面をアンダー
カット１０ａの下に露出した状態で残すことは容易であ
る。

【００８４】次に図１０（ｄ）に示すように、全面に高
抵抗膜１６と磁気バイアス用磁性膜１５を形成する。こ
のとき、アンダーカット１０ａの下の磁気抵抗効果層４
の主面には高抵抗層６ｂが形成され、磁気抵抗効果層４
のエッジ部がカバーされることになる。なおアンダーカ
ット１０ａの下の全面に均一な高抵抗層６ｂが形成され
るのではなく、アンダーカットの１０ａの奥に進むにつ
れて厚みが薄くなるように形成される。また、アンダー
カット長さやアンダーカット高さおよび成膜条件などを
変化させることにより、磁気抵抗効果層４の主面上の高
抵抗層６ｂの膜厚分布、高抵抗層６ｂ上の磁気バイアス
層５の膜厚などを変化させることも可能である。

【００８５】このようにアンダーカット１０ａを形成し
ておくことにより、高抵抗膜６および磁気バイアス用磁
性膜１６を形成する際にアンダーカット１０ａによりそ
れぞれの膜が分断されるため、リフトオフが容易であ
り、境界に突起やひげが生じ難くできる。

【００８６】以降の工程は実施の形態７と同様である
が、本実施の形態１０においても、磁気バイアス層５の
下部の高抵抗層６ｃを残すことなく工程を実行すること
はできる。

【００８７】このように磁気抵抗効果層４の主面の一部
に高抵抗層６ｂを形成することにより、再生トラック幅
を精度良く規定した薄膜磁気ヘッドを実現することがで
きる。

【００８８】なお実施の形態７から実施の形態９におい
ても実施の形態１０と同様に感光性樹脂パターン１０の
底部周縁にアンダーカット１０ａを設けておくことによ
り、高抵抗膜１５および磁気バイアス用磁性膜１６を形
成する際にアンダーカット１０ａによりそれぞれの膜が
分断されるため、リフトオフが容易であり、境界に突起
やひげを生じ難くできる。

【００８９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは磁気抵抗効果を用いたもので、磁気抵抗効果層
と磁気バイアス層の間に高抵抗層を介在させた構成であ
る。

【００９０】このように構成することにより、磁気バイ
アス層から磁気抵抗効果層へ流れる電流を減少させるこ
とができ、またリードの先端から磁気応答領域へ効果的
に電流を流すことができるため、従来よりＳ／Ｎ比を格
段に向上させることができる。

【００９１】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは高抵抗
層を磁気抵抗効果層の側面からさらに磁気抵抗効果層の
主面の一部に延在させた構成であり、上記の効果に加え
て、再生トラック幅を明確に規定することができるた
め、従来より微細でＳ／Ｎ比の高い薄膜磁気ヘッドが実
現できる。

【００９２】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは磁気抵
抗効果層の主面に高抵抗層を有し、その高抵抗層に設け
た開口を通してリードを磁気抵抗効果層に接続した構成
であり、上記の効果に加えて、開口によって電流が流れ
る領域が規定されるため、さらに精度良く再生トラック
幅を規定することができ優れた薄膜磁気ヘッドが実現で
きる。

【００９３】また磁気抵抗効果層の側面に形成する高抵
抗層として、窒化膜、酸化膜、窒化酸化膜などの絶縁
層、または窒化物磁性体、酸化物磁性体、窒化酸化物磁
性体などの磁性層、密着性改善層および結晶性改善層な
ど、またはこれらを組み合わせた積層膜を使用すること
により、上記の効果に加えて、膜質の向上、磁気特性の
向上、信頼性の向上を図ることができる。

【００９４】このように本発明の薄膜磁気ヘッドは、記
録密度がさらに向上してトラック幅が狭くなってきたと
きにいっそうの効果を発揮できるものである。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施の形態１における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図２】本発明の実施の形態２における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図３】本発明の実施の形態３における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図４】本発明の実施の形態４における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図５】本発明の実施の形態５における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図６】本発明の実施の形態６における薄膜ヘッドの要
部断面図

【図７】（ａ）〜（ｆ）は、本発明の実施の形態７にお
ける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図

【図８】（ａ）〜（ｆ）は、 本発明の実施の形態８に
おける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図

【図９】（ａ）〜（ｆ）は、 本発明の実施の形態９に
おける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図

【図１０】（ａ）〜（ｆ）は、 本発明の実施の形態１
０における薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図

【図１１】従来の薄膜ヘッドの要部断面図

【符号の説明】

１ 絶縁下地層 ２ 下部シールド磁性層 ３ 第１の絶縁層 ４ 磁気抵抗効果層 ４ａ 磁気応答領域 ４ｂ ノイズ発生領域 ５ 磁気バイアス層 ６ 高抵抗層 ７ リード ８ 第２の絶縁層 θ１ リードの端面と磁気抵抗効果層とのなす角度

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 覚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 深澤 利雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Ｆターム(参考） 5D034 BA03 BA06 BA15 BB08 CA04 DA07

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
   成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
   磁性層の上に形成されている第１の絶縁層と、前記第１
   の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
   と、前記磁気抵抗効果層の側面に形成されている高抵抗
   層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるため
   に前記磁気抵抗効果層および前記高抵抗層を挟んで形成
   されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効果層の外
   部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔
   を隔てて形成されている一対のリードと、前記磁気抵抗
   効果層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを
   覆って形成されている第２の絶縁層と、前記第２の絶縁
   層の上に形成されている上部シールド磁性層とを有する
   薄膜磁気ヘッド。
2. 【請求項２】 磁気抵抗効果層の側面に形成されている
   高抵抗層が前記磁気抵抗効果層の主面の一部に延在して
   形成されていることを特徴とする請求項１に記載の薄膜
   磁気ヘッド。
3. 【請求項３】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
   成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
   磁性層の上に形成されている第１の絶縁層と、前記第１
   の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
   と、磁気抵抗効果層の側面から第１の絶縁層の上にまで
   延在して形成されている高抵抗層と、前記磁気抵抗効果
   層に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層お
   よび前記高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス
   層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変
   化を検知するために所定の間隔を隔てて形成されている
   一対のリードと、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイア
   ス層および前記一対のリードを覆って形成されている第
   ２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の上に形成されている
   上部シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。
4. 【請求項４】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
   成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
   磁性層の上に形成されている第１の絶縁層と、前記第１
   の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
   と、磁気抵抗効果層の側面、第１の絶縁層の上および磁
   気抵抗効果層の主面の一部にまで延在して形成されてい
   る高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与
   えるために前記磁気抵抗効果層および前記高抵抗層を挟
   んで形成されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効
   果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所
   定の間隔を隔てて形成されている一対のリードと、前記
   磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層および前記一対の
   リードを覆って形成されている第２の絶縁層と、前記第
   ２の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁性層と
   を有する薄膜磁気ヘッド。
5. 【請求項５】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
   成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
   磁性層の上に形成されている第１の絶縁層と、前記第１
   の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
   と、前記磁気抵抗効果層の主面と側面および第１の絶縁
   層の上に形成されかつ前記磁気抵抗効果層の主面に達す
   る一対の開口を有する高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層
   に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層およ
   び前記高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス層
   と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化
   を検知するために所定の間隔を隔てて形成されかつ前記
   開口を通して前記磁気抵抗効果層に接続されている一対
   のリードと、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層
   および前記一対のリードを覆って形成されている第２の
   絶縁層と、前記第２の絶縁層の上に形成されている上部
   シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。
6. 【請求項６】 高抵抗層が、窒化膜、酸化膜および窒化
   酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁層
   であることを特徴とする請求項１、２、３、４または５
   に記載の薄膜磁気ヘッド。
7. 【請求項７】 高抵抗層が、窒化物磁性体、酸化物磁性
   体および窒化酸化物磁性体の一つまたはそれらの組み合
   わせからなることを特徴とする請求項１、２、３、４ま
   たは５に記載の薄膜磁気ヘッド。
8. 【請求項８】 高抵抗層の下および上の少なくともいず
   れかに密着性改善層が形成されていることを特徴とする
   請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の薄膜磁
   気ヘッド。
9. 【請求項９】 高抵抗層の下および上の少なくともいず
   れかに結晶性改善層が形成されていることを特徴とする
   請求項１、２、３、４、５、６または７に記載の薄膜磁
   気ヘッド。
10. 【請求項１０】 高抵抗層の上に磁性層が形成されてい
    ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５または６
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
11. 【請求項１１】 磁気抵抗効果層の主面と磁気バイアス
    層の主面とが略同一平面にあることを特徴とする請求項
    １、２、３、４および５に記載の薄膜磁気ヘッド。
12. 【請求項１２】 高抵抗層の比抵抗が、磁気抵抗効果層
    の比抵抗、磁気バイアス層の比抵抗およびリードの比抵
    抗より大なることを特徴とする請求項１、２、３、４、
    ５、６または７に記載の薄膜磁気ヘッド。
13. 【請求項１３】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に
    形成されている下部シールド磁性層と、前記下部シール
    ド磁性層の上に形成されている第１の絶縁層と、前記第
    １の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果
    層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるため
    に前記磁気抵抗効果層を挟んで形成されている磁気バイ
    アス層と、前記磁気抵抗効果層と前記磁気バイアス層の
    上に形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に達する一対の
    開口を有する高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁
    界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を隔
    てて形成されかつ前記開口を通して前記磁気抵抗効果層
    に接続されている一対のリードと、前記磁気抵抗効果
    層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを覆っ
    て形成されている第２の絶縁層と、前記第２の絶縁層の
    上に形成されている上部シールド磁性層とを有する薄膜
    磁気ヘッド。
14. 【請求項１４】 高抵抗層が、窒化膜、酸化膜および窒
    化酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁
    層であることを特徴とする請求項１３に記載の薄膜磁気
    ヘッド。
15. 【請求項１５】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第１の絶縁層
    を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に選択
    的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記感光性
    樹脂パターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜をエッ
    チングし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に高抵
    抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性膜を
    形成する工程と、前記感光性樹脂パターンを除去すると
    ともに前記感光性樹脂パターンの上の高抵抗膜および磁
    気バイアス用磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側面お
    よび第１の絶縁層の上に高抵抗層および磁気バイアス層
    を形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的
    にエッチングして先端部が磁気抵抗効果層に接続された
    リードを形成する工程と、前記リードを覆って第２の絶
    縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の上に上部シ
    ールド磁性層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
16. 【請求項１６】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第１の絶縁層
    を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に第１
    の高抵抗膜を形成する工程と、前記第１の高抵抗膜の上
    に選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記
    感光性樹脂パターンをマスクとして第１の高抵抗膜と前
    記磁気抵抗効果膜とを順次エッチングし主面に第１の高
    抵抗層を備えた磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面
    に第２の高抵抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイア
    ス用磁性膜を形成する工程と、前記感光性樹脂パターン
    を除去するとともに前記感光性樹脂パターンの上の第２
    の高抵抗膜および磁気バイアス用磁性膜を除去して磁気
    抵抗効果層の側面および第１の絶縁層の上に第２の高抵
    抗層および磁気バイアス層を形成する工程と、前記第１
    の高抵抗層に前記磁気抵抗効果層に達する一対の開口を
    形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的に
    エッチングして先端部が前記開口を通して前記磁気抵抗
    効果層に接続されたリードを形成する工程と、全面に第
    ２の絶縁層を形成する工程と、前記第２の絶縁層の上に
    上部シールド磁性層を形成する工程とを有する薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
17. 【請求項１７】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第１の絶縁層
    を形成する工程と、前記第１の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に選択
    的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記感光性
    樹脂パターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜をエッ
    チングし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に磁気
    バイアス用磁性膜を形成する工程と、前記感光性樹脂パ
    ターンを除去するとともに前記感光性樹脂パターンの上
    の磁気バイアス用磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側
    面および第１の絶縁層の上に磁気バイアス層を形成する
    工程と、前記磁気抵抗効果層と前記磁気バイアス層の上
    に高抵抗層を形成する工程と、前記高抵抗層に磁気抵抗
    効果層に達する一対の開口を形成する工程と、全面に導
    電体膜を形成した後選択的にエッチングして先端部が前
    記開口を通して磁気抵抗効果層に接続されたリードを形
    成する工程と、全面に第２の絶縁層を形成する工程と、
    前記第２の絶縁層の上に上部シールド磁性層を形成する
    工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
18. 【請求項１８】 感光性樹脂パターンの断面形状が、底
    部周縁にアンダーカット部分を有する逆凸状に形成され
    ていることを特徴とする請求項１５、１６または１７に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。