JP2000285418A - 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

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JP2000285418A
JP2000285418A JP11092568A JP9256899A JP2000285418A JP 2000285418 A JP2000285418 A JP 2000285418A JP 11092568 A JP11092568 A JP 11092568A JP 9256899 A JP9256899 A JP 9256899A JP 2000285418 A JP2000285418 A JP 2000285418A
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forming
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JP11092568A
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English (en)
Inventor
Masaya Sakaguchi
昌也 坂口
Hiroyasu Tsuji
弘恭 辻
Satoru Mitani
覚 三谷
Toshio Fukazawa
利雄 深澤
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 磁気抵抗効果を用いた薄膜磁気ヘッドにおい
て、再生トラック幅を正確に規定し、ノイズを減らして
S/N比を向上させた薄膜磁気ヘッドを提供する。 【解決手段】 選択的に形成されている磁気抵抗効果層
4と、その両側面に高抵抗層6aを介在させて形成した
磁気バイアス層5と、所定の間隔を隔てて形成されてい
る一対のリード7とを有する構成により、磁気抵抗効果
層4の側面から流れる電流を減少させることができ、S
/N比を格段に向上させることができる。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
の再生ヘッドとして使用される磁気抵抗効果層を用いた
薄膜磁気ヘッドに関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、ハードディスク装置の面記録密度
の向上が要求されるようになり、従来の薄膜磁気ヘッド
よりさらに再生トラック幅が小さくてなおかつ再生出力
が大きい再生ヘッドが開発されている。その一つに外部
磁界の変化に従って電気抵抗が変化する磁気抵抗効果
(magnetoresistive膜)を利用したMRヘッド、さら
に大きい磁気抵抗効果を示す材料を用いたGMRヘッド
と呼ばれるものがある。
【0003】図11は従来の薄膜磁気ヘッドの構造を示
す要部断面図である。図11において、21はアルミナ
・チタンカーバイトなどからなる基板(省略)上に形成
されたアルミナなどからなる絶縁下地層、22はニッケ
ル・鉄などの軟磁性体材料からなる下部シールド磁性
層、23はアルミナなどの非磁性材料からなる第1の絶
縁層、24は磁気抵抗効果層、24aは正規の信号を発
生するための磁気応答領域、24bはその領域を電流が
流れることによって不用の信号が発生するノイズ発生領
域、25は硬磁性膜や反強磁性膜からなり磁気抵抗効果
層24に磁気バイアスを付与する磁気バイアス層、26
はリード、27はリード26などを覆って形成された第
2の絶縁層である。
【0004】リード26の先端の端面はテーパ状に形成
されており、磁気抵抗効果層24に近い第1のテーパは
より大きい角度θで形成され、遠い第2のテーパはより
緩やかな角度φで形成されている。なお、第2の絶縁層
27の上に形成される上部シールド磁性層は簡単のため
に図示していない。
【0005】なお、図11に示す従来例では、第1の絶
縁層23の上に間隔を設けて磁気バイアス層25が形成
されており、磁気バイアス層25および間隔の上に磁気
抵抗効果層24が形成されている。リード26の先端は
磁気バイアス層25の先端を越えて磁気抵抗効果層24
に接触している。
【0006】また一般に、磁気応答領域24aはリード
26の先端で挟まれた領域に略一致しているが、電気的
にはリード26からの電流はリード26の先端からだけ
でなくリード26の長さ方向に幅を持って流れることに
なるため厳密には一致しない。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】今後さらに厳しく要望
される高記録密度化に対して磁気ヘッドとしても感度、
S/N比を犠牲にすることなく磁気応答領域を狭くし、
より狭い再生トラック幅を精度よく実現する必要があ
る。そのためには、リードからの電流を効率よくトラッ
ク幅に相当する磁気応答領域すなわち磁気抵抗効果層の
リードで挟まれた領域に集中して流し、磁気抵抗効果層
の側面などから流れ込む電流を少なくする必要がある。
【0008】しかしながら上記の従来の構成ではノイズ
発生領域24bにも相当の電流が流れることによるノイ
ズが大きいためにS/N比が悪い。また、ノイズ発生領
域に電流が流れた場合は、その部分も外部磁界に対して
応答してしまうため、リードで挟まれた領域よりもさら
に再生トラック幅が広がってしまい、狭トラック化が困
難になってしまう。さらに、磁気抵抗効果層24が磁気
バイアス層25の先端の段差を横切って形成されている
ために新たな課題が生じている。すなわち上記の従来の
構成においては磁気応答層24aに対して効果的に磁気
バイアスをかけるためには磁気バイアス層25をできる
だけ磁気応答層24aに近づけなければならない。一方
磁気バイアス層25を磁気応答層24aに近づけると磁
気バイアス層24aの先端とリード26の先端とが近く
なり、この部分でのリード26の厚みを大きくしなけれ
ばならず、リード26の全体の厚みが増すことになる。
リード26の先端すなわち角度θを有するスロープの厚
みが大きくなるとリード26を覆って形成される第2の
絶縁層27の段差部におけるカバレッジの問題、クラッ
ク発生等の問題が生じる。
【0009】本発明は、磁気応答領域以外の磁気抵抗効
果層すなわちノイズ発生領域に流れる電流を低下させて
S/N比を向上させるとともに、磁気応答領域を正確に
規定でき、製造が容易な構造を有する薄膜磁気ヘッドお
よびその製造方法を提供することを目的とする。
【0010】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に本発明の薄膜磁気ヘッドは、絶縁層の上に選択的に形
成された磁気抵抗効果層の両側に高抵抗層を介して磁気
バイアス層が形成されており、その上に磁気抵抗効果層
の外部磁界による電気抵抗変化を検知するための一対の
リードが先端部を磁気抵抗効果層に接して形成されてい
る構成を有している。このような構成により、磁気バイ
アス層を流れてきた電流のうち直接磁気抵抗効果層に流
れる電流が減少し、その分リードの先端から磁気抵抗効
果層へ流れる電流が増加する。すなわちリードの先端と
磁気抵抗効果層の側面との間に存在するノイズ発生領域
を流れる電流が減少するためにノイズが減少し、S/N
比が向上しする。また、ノイズ発生領域を流れる電流が
減少するためにリードで挟まれた領域に対する再生トラ
ック幅の広がりを抑えることも可能となり狭トラック化
が実現できる。
【0011】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは、高抵
抗層が磁気抵抗効果層の側面から一部が磁気抵抗効果層
の主面にまで延在して形成された構成を有している。こ
のような構成では、磁気抵抗効果層の表面の一部に延在
する高抵抗層により磁気応答領域を厳密に決めることが
できる上、磁気抵抗効果層へ側面から流れる電流が減少
し、さらにリードから磁気抵抗効果層へ流れる電流がリ
ードの先端部分に集中することになるため、さらにS/
N比が向上する。
【0012】また上記の構成に加えて、磁気抵抗効果層
主面と磁気バイアス層の主面を略同一平面とすることに
よりリードが段差を越えることはなくなり、リードを薄
くできるため、第2の絶縁層の形成が容易になる。
【0013】また磁気抵抗効果層の側壁に高抵抗層を設
けているために、リードの先端が薄い場合、またリード
の先端のスロープを緩やかにした場合、いずれにおいて
も磁気抵抗効果層の磁界による電気抵抗変化を検知する
ための電流はほとんどがリードの先端から流れることに
なる。したがって、リードを薄くでき、またはリードの
先端のスロープを緩やかにできるため、リードの上に良
好な絶縁層を容易に形成することができる。
【0014】
【発明の実施の形態】請求項1に記載の発明は、絶縁下
地層と、絶縁下地層の上に形成されている下部シールド
磁性層と、下部シールド磁性層の上に形成されている第
1の絶縁層と、第1の絶縁層の上に選択的に形成されて
いる磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面に形成さ
れている高抵抗層と、磁気抵抗効果層に磁気バイアスを
与えるために磁気抵抗効果層および高抵抗層を挟んで形
成されている磁気バイアス層と、磁気抵抗効果層の外部
磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を
隔てて形成されている一対のリードと、磁気抵抗効果
層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形成さ
れている第2の絶縁層と、第2の絶縁層の上に形成され
ている上部シールド磁性層とを有する構成からなる。
【0015】この構成により、磁気バイアス層から直接
磁気抵抗効果層へ流れる電流が減少し、リードの先端か
ら磁気抵抗効果層へ流れる電流が増加するため、ノイズ
が減少しS/N比が向上し、また、リードで挟まれた領
域に対する再生トラック幅の広がりが抑えることも可能
となる。
【0016】請求項2に記載の発明は、請求項1に記載
の発明において、磁気抵抗効果層の側面に形成されてい
る高抵抗層が磁気抵抗効果層の主面の一部に延在して形
成された構成を有している。
【0017】この構成により、磁気抵抗効果層の側面か
ら流れる電流は減少し、磁気抵抗効果層の主面に接触し
ているリードの先端面積が磁気抵抗効果層の主面に延在
して形成されている高抵抗層により制限されるため電流
がさらにリードの先端に集中することになり、リードで
挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりを一段と
抑えることができる。
【0018】請求項3に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第1の絶
縁層と、第1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面から第1の絶縁
層の上にまで延在して形成されている高抵抗層と、磁気
抵抗効果層に磁気バイアスを与えるために磁気抵抗効果
層および高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス
層と、磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を
検知するために所定の間隔を隔てて形成されている一対
のリードと、磁気抵抗効果層、磁気バイアス層および一
対のリードを覆って形成されている第2の絶縁層と、第
2の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁性層と
を有する構成からなる。
【0019】この構成により、請求項1に記載の発明に
よる効果に加えて磁気バイアス層の下部に高抵抗層が存
在することによる磁気バイアス層と下部シールド磁性層
との絶縁性が向上する。
【0020】請求項4に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第1の絶
縁層と、第1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の側面、第1の絶縁層
の上および磁気抵抗効果層の主面の一部にまで延在して
形成されている高抵抗層と、磁気抵抗効果層に磁気バイ
アスを与えるために磁気抵抗効果層および高抵抗層を挟
んで形成されている磁気バイアス層と、磁気抵抗効果層
の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の
間隔を隔てて形成されている一対のリードと、磁気抵抗
効果層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形
成されている第2の絶縁層と、第2の絶縁層の上に形成
されている上部シールド磁性層とを有する構成からな
る。
【0021】この構成により、請求項1、2または3に
記載の発明により得られる効果が相乗して得られること
になる。
【0022】請求項5に記載の発明は、絶縁下地層と、
絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性層
と、下部シールド磁性層の上に形成されている第1の絶
縁層と、第1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁
気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層の主面と側面および第
1の絶縁層の上に形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に
達する一対の開口を有する高抵抗層と、磁気抵抗効果層
に磁気バイアスを与えるために磁気抵抗効果層および高
抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス層と、磁気
抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するた
めに所定の間隔を隔てて形成されかつ開口を通して磁気
抵抗効果層に接続されている一対のリードと、磁気抵抗
効果層、磁気バイアス層および一対のリードを覆って形
成されている第2の絶縁層と、第2の絶縁層の上に形成
されている上部シールド磁性層とを有する構成からな
る。
【0023】この構成により、請求項4に記載の発明に
より得られる効果とともに、磁気抵抗効果層の主面が完
全に高抵抗層で覆われるため信頼性が向上し、さらには
開口を通してリードが磁気抵抗効果層に接続されるため
磁気応答領域をより明確に規定することができる。
【0024】請求項6に記載の発明は、請求項1、2、
3、4または5に記載の発明において、高抵抗層が、窒
化膜、酸化膜および窒化酸化膜の一つまたはそれらの組
み合わせからなる絶縁層である構成を有している。
【0025】磁気抵抗効果層の側面の高抵抗層を絶縁層
とした場合、側面から流れる電流を遮断することができ
るためノイズが激減し、S/N比が向上する。また、電
流がさらにリードや開口の先端に集中することになり、
リードや開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の
広がりも抑えることができる。
【0026】請求項7に記載の発明は、請求項1、2、
3、4または5に記載の発明において、高抵抗層が、窒
化物磁性体、酸化物磁性体および窒化酸化物磁性体の一
つまたはそれらの組み合わせからなる構成を有してい
る。この構成により、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層
の境界領域における磁気的乱れによるノイズを低減する
ことができるとともに、磁気応答領域に一様な磁気バイ
アスをかけることができる。
【0027】請求項8に記載の発明は、請求項1、2、
3、4、5、6または7に記載の発明において、高抵抗
層の下および上の少なくともいずれかに密着性改善層が
形成されている構成を有している。高抵抗層の下に密着
性改善層を形成することにより高抵抗層と磁気抵抗効果
層、高抵抗層と第1の絶縁層の密着性を改善できるため
高抵抗層の材料を選択する範囲が広くなり高性能の薄膜
磁気ヘッドが得られる。また高抵抗層の上に密着性改善
層を形成することにより高抵抗層と磁気バイアス層の密
着性を改善することができるため磁気バイアス層の材料
選択が容易になる。
【0028】請求項9に記載の発明は、請求項1、2、
3、4、5、6または7に記載の発明において、高抵抗
層の下および上の少なくともいずれかに結晶性改善層が
形成されている構成を有している。高抵抗層の下に結晶
性改善層が形成されている場合は良質の高抵抗層が得ら
れることになり、高抵抗層の上に結晶性改善層が形成さ
れている場合には良質の磁気バイアス層が得られること
になるため、磁気抵抗効果層の側面近傍における磁気バ
イアス層の磁区の乱れおよび磁気特性の乱れを抑制する
ことができ、磁気抵抗効果層に一様な磁気バイアスをか
けることができる。高抵抗層の両面に結晶性改善層が形
成されている場合はさらに良好な磁気バイアス層が得ら
れることになる。
【0029】請求項10に記載の発明は、請求項1、
2、3、4、5または6に記載の発明において、高抵抗
層の上に磁性層が形成されている構成を有している。高
抵抗層として磁性材料以外の材料を用いた場合、この構
成により境界領域での磁区の乱れや磁気特性の乱れを抑
制することができ、磁気抵抗効果層に一様な磁気バイア
スをかけることができる。
【0030】請求項11に記載の発明は、請求項1、
2、3、4および5に記載の発明において、磁気抵抗効
果層の主面と磁気バイアス層の主面とが略同一平面にあ
る構成を有している。この構成により、リードが段差を
越える部分がなくなり、その分リードを薄くできるた
め、リードの上に形成される第2の絶縁膜のカバレッジ
やクラックの問題が軽減される。
【0031】請求項12に記載の発明は、請求項1、
2、3、4、5、6または7に記載の発明において、高
抵抗層の比抵抗が、磁気抵抗効果層の比抵抗、磁気バイ
アス層の比抵抗およびリードの比抵抗より大なる構成を
有しており、磁気バイアス層から直接磁気抵抗効果層へ
流れる電流を減少させることができるため、S/N比が
向上し、リードや開口で挟まれた領域に対する再生トラ
ック幅の広がりも抑えることができる。
【0032】請求項13に記載の発明は、絶縁下地層
と、絶縁下地層の上に形成されている下部シールド磁性
層と、下部シールド磁性層の上に形成されている第1の
絶縁層と、第1の絶縁層の上に選択的に形成されている
磁気抵抗効果層と、磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与
えるために磁気抵抗効果層を挟んで形成されている磁気
バイアス層と、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層の上に
形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に達する一対の開口
を有する高抵抗層と、磁気抵抗効果層の外部磁界による
電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を隔てて形成
されかつ開口を通して磁気抵抗効果層に接続されている
一対のリードと、磁気抵抗効果層、磁気バイアス層およ
び一対のリードを覆って形成されている第2の絶縁層
と、第2の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁
性層とを有する構成からなる。
【0033】このような構成により、磁気応答領域が開
口によって精度良く規定され、さらにはリードからの電
流が開口を通して磁気抵抗効果層に流れ、磁気抵抗効果
層の側面から流れる電流が減少することからS/N比が
向上し、開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の
広がりも抑えることができる。
【0034】請求項14に記載の発明は、請求項13に
記載の発明において、高抵抗層が、窒化膜、酸化膜およ
び窒化酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる
絶縁層である構成を有しており、電流が完全にリードの
みを流れることになり、S/N比が一段と向上し、開口
で挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりも抑え
ることができる。
【0035】請求項15に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光性
樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜をエッチン
グし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に高抵抗膜
を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性膜を形成
する工程と、感光性樹脂パターンを除去するとともに感
光性樹脂パターンの上の高抵抗膜および磁気バイアス用
磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側面および第1の絶
縁層の上に高抵抗層および磁気バイアス層を形成する工
程と、全面に導電体膜を形成した後選択的にエッチング
して先端部が磁気抵抗効果層に接続されたリードを形成
する工程と、リードを覆って第2の絶縁層を形成する工
程とを有し、工程を複雑化することなく磁気抵抗効果層
の側面に高抵抗層を備えた薄膜磁気ヘッドの製造方法を
実現できる。
【0036】請求項16に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
第1の高抵抗膜を形成する工程と、第1の高抵抗膜の上
に選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光
性樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜と第1の
高抵抗膜とを順次エッチングし主面に第1の高抵抗層を
備えた磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に第2の
高抵抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性
膜を形成する工程と、感光性樹脂パターンを除去すると
ともに感光性樹脂パターンの上の第2の高抵抗膜と磁気
バイアス用磁性膜とを除去して磁気抵抗効果層の側面お
よび第1の絶縁層の上に第2の高抵抗層と磁気バイアス
層を形成する工程と、第1の高抵抗層に磁気抵抗効果層
に達する一対の開口を形成する工程と、全面に導電体膜
を形成した後選択的にエッチングして先端部が開口を通
して磁気抵抗効果層に接続されたリードを形成する工程
と、全面に第2の絶縁層を形成する工程とを有してお
り、磁気抵抗効果層の主面、側面に高抵抗層が形成され
た形状を得ることができる。
【0037】請求項17に記載の発明は、基板上に絶縁
下地層を形成する工程と、絶縁下地層の上に下部シール
ド磁性層を形成する工程と、下部シールド磁性層の上に
第1の絶縁層を形成する工程と、第1の絶縁層の上に磁
気抵抗効果膜を形成する工程と、磁気抵抗効果膜の上に
選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、感光性
樹脂パターンをマスクとして磁気抵抗効果膜をエッチン
グし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に磁気バイ
アス用効果膜を形成する工程と、感光性樹脂パターンを
除去するとともに感光性樹脂パターンの上の磁気バイア
ス用効果膜を除去して磁気抵抗効果層の側面および第1
の絶縁層の上に磁気バイアス層を形成する工程と、磁気
抵抗効果層と磁気バイアス層の上に高抵抗層を形成する
工程と、高抵抗層に磁気抵抗効果層に達する一対の開口
を形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的
にエッチングして先端部が開口を通して磁気抵抗効果層
に接続されたリードを形成する工程と、全面に第2の絶
縁層を形成する工程とを有し、工程を複雑化することな
く、磁気抵抗効果層と磁気バイアス層にまたがる平坦面
を得ることができ、その上に厚さの薄いリードと薄い第
2の絶縁層を形成することができる。
【0038】請求項18に記載の発明は、請求項15、
16または17に記載の発明において、感光性樹脂パタ
ーンの底部周縁にアンダーカット部分が形成されている
構成を有しており、このような感光性樹脂パターンを用
いて磁気抵抗効果膜を加工することによりアンダーカッ
ト部分に磁気抵抗効果層の主面を露出させることができ
る。したがって高抵抗層を形成するとき磁気抵抗効果層
の側面のみならず主面の一部にも容易に高抵抗層を残す
ことができる。またこのような構造の感光性樹脂パター
ンの上に高抵抗膜、磁気バイアス用磁性膜を形成すると
き、感光性樹脂パターンの側面で高抵抗膜、磁気バイア
ス用磁性膜が分断されることになり、リフトオフが容易
に行える上、リフトオフ後にひげや突起が生じない。
【0039】以下本発明の実施の形態について、図1か
ら図10を用いて説明する。
【0040】(実施の形態1)図1は本発明の実施の形
態1における薄膜ヘッドの要部断面図である。図1に示
すように、アルミナ・チタンカーバイトなどからなる基
板(図示せず)の上にアルミナなどの非磁性材料からな
る絶縁下地層1、ニッケル・鉄などの軟磁性材料からな
る下部シールド磁性層2、アルミナなどの非磁性材料か
らなる第1の絶縁層3が形成されている。その上に選択
的に磁気抵抗効果層4が形成されており、その磁気抵抗
効果層4の側面に高抵抗層6aが形成されており、これ
らを挟んで磁気抵抗効果層4に磁気バイアスをかけるた
めの磁気バイアス層5が形成されている。その上に磁気
抵抗効果層4の外部磁界による電気抵抗の変化を検知す
るための一対のリード7および第2の絶縁層8が形成さ
れている。なお4aは一対のリード7の先端で挟まれ正
規の信号を発生する磁気応答領域で再生トラック幅に相
当するものであり、4bはこの領域を電流が流れること
により不用の信号が発生するノイズ発生領域である。
【0041】またθ1はリード7の先端部と磁気抵抗効
果層4とのなす角度であり、第2の絶縁層8のカバレッ
ジやクラックの問題を低減するためにリード7にスロー
プを設けている。
【0042】本実施の形態1の構成すなわち磁気抵抗効
果層4の側面に設けた高抵抗層6bにより磁気バイアス
層5から直接磁気抵抗効果層4へ流れる電流が減少する
ためノイズ発生領域4bを流れる電流が減少し、またリ
ード7からの電流は先端から有効に磁気応答領域4aへ
流れることになり、S/N比が向上し、リードで挟まれ
た領域に対する再生トラック幅の広がりも抑えることが
できる。
【0043】(実施の形態2)図2は本発明の実施の形
態2における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図2
において、図1に示す実施の形態1と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお6bは高抵抗層6aから延在して磁気抵抗
効果層4の主面の縁部に形成されている高抵抗層であ
る。
【0044】図2に示す実施の形態2が実施の形態1と
異なる点は、磁気抵抗効果層4の側面に形成された高抵
抗層6aが磁気抵抗効果層4の主面の一部にまで延在し
て形成されている(高抵抗層6b)点である。
【0045】したがって磁気抵抗効果層4の側面に設け
られた高抵抗層6aにより磁気バイアス層5から磁気抵
抗効果層4へ直接流れる電流が減少するためにノイズが
減少し、またリード7からの電流は先端から有効に磁気
応答領域4aへ流れることになり、S/N比が向上す
る。
【0046】またリード7と磁気抵抗効果層4との接触
面はリード7の先端と高抵抗層6bの先端で挟まれた領
域になるため、請求項1に記載の発明におけるよりさら
に厳密に磁気応答領域4aを規定することができる。
【0047】(実施の形態3)図3は本発明の実施の形
態3における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図3
において、図1に示す実施の形態1と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお6cは高抵抗層6aから延在して第1の絶
縁層3の上に形成されている高抵抗層である。
【0048】図3に示す実施の形態3が実施の形態1と
異なる点は、磁気抵抗効果層の側面に形成されている高
抵抗層6aの一端が第1の絶縁層の上にまでまで延在し
て形成されている(高抵抗層6c)点である。
【0049】このように構成することにより請求項1に
記載の発明において得られる効果とともに、磁気バイア
ス層5と下部磁気シールド層2との間の絶縁性がより確
実に保持される。
【0050】(実施の形態4)図4は本発明の実施の形
態4における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図4
において、図1に示す実施の形態1と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。
【0051】図4に示す実施の形態4が実施の形態1と
異なる点は、磁気抵抗効果層4の側面に形成されている
高抵抗層4aの一端が第1の絶縁層の上に(高抵抗層6
c)、他端が磁気抵抗効果層4の主面の一部に延在して
(高抵抗層6b)形成されている点である。このように
構成することにより、実施の形態1,2および3で得ら
れた効果をすべて実現することができる。
【0052】(実施の形態5)図5は本発明の実施の形
態5における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図5
において、図4に示す実施の形態4と同一個所には同一
符号を付して詳細説明を省略し、異なる個所について説
明する。なお6は高抵抗層、6dは磁気抵抗効果層4の
主面に形成されている高抵抗層、9は高抵抗層6dに形
成されている開口である。
【0053】図5に示す実施の形態5が実施の形態4と
異なる点は、磁気抵抗効果層4の主面が高抵抗層6dで
覆われており、かつ高抵抗層6dに一対の開口9が形成
されており、リード7が開口9を通して磁気抵抗効果層
4に接続されている点である。
【0054】このように構成することにより、実施の形
態1から4において得られた効果に加えて、磁気応答領
域4aが開口9で規定されることになり再生トラック幅
が厳密に規定されるためさらに高密度記録に対応できる
高精度の薄膜磁気ヘッドが得られる。
【0055】なお上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層として窒化膜、酸化膜および窒化酸
化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁層を
用いることにより磁気抵抗効果層4と磁気バイアス層5
との間の絶縁が完全になり、ノイズ発生領域4bを流れ
る電流が激減し、S/N比がいっそう向上し、リードや
開口で挟まれた領域に対する再生トラック幅の広がりも
抑えることができる。
【0056】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層として窒化物磁性体、酸化物磁性体
および窒化酸化物磁性体の一つまたはその組み合わせか
らなる磁性層を使用することによって、磁気抵抗効果層
4と磁気バイアス層5の境界領域における磁気的乱れに
よるノイズを低減することができるとともに、磁気応答
領域4aに一様な磁気バイアスをかけることができる。
これらの磁性層としては高抵抗硬質磁性材料や高抵抗軟
質磁性材料を使用することができる。
【0057】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に密着性改善層を形成することにより、膜厚を薄くして
も良好な膜を得ることができ、高性能の薄膜磁気ヘッド
が実現できる。
【0058】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に結晶性改善層を形成することにより、結晶性改善層の
上に薄くても良質の膜を形成することができ、高性能の
薄膜磁気ヘッドが実現できる。
【0059】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層の下および上の少なくともいずれか
に密着性改善層と結晶性改善層の組み合わせからなる層
を形成することにより、さらに良好な膜を得ることがで
き、高性能の薄膜磁気ヘッドが実現できる。
【0060】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層は複数層で形成してもよく、また絶
縁層と磁性層と金属層とを適切に組み合わせることも可
能である。
【0061】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、磁気抵抗効果層4と磁気バイアス層5の主面
を略一致させておくことによりリード7に段差が生じな
いため、第2の絶縁層8のカバレッジやクラックの問題
が解消される。
【0062】また上記の実施の形態1から実施の形態5
において、高抵抗層の比抵抗を他の層の比抵抗より大き
くすることによってノイズ発生領域4bを流れる電流を
減少させ、リード7や開口9の先端に電流を集中させる
ことができるため、S/N比を向上させることができ
る。
【0063】(実施の形態6)図6は本発明の実施の形
態6における薄膜磁気ヘッドの要部断面図である。図6
に示すように、アルミナ・チタンカーバイトなどからな
る基板(図示せず)の上にアルミナなどの非磁性材料か
らなる絶縁下地層1、ニッケル・鉄などの軟磁性材料か
らなる下部シールド磁性層2、アルミナなどの非磁性材
料からなる第1の絶縁層3が形成されている。その上に
選択的に磁気抵抗効果層4が形成されており、その磁気
抵抗効果層4を挟んで磁気抵抗効果層4に磁気バイアス
をかけるための磁気バイアス層5が形成されている。そ
の上に磁気抵抗効果層4および磁気バイアス層5を覆っ
て開口9を有する高抵抗層6が形成されている。なお6
eは磁気応答領域4aの上の高抵抗層、6fはそれ以外
の領域の上の高抵抗層として区別した。
【0064】このように構成することにり、磁気バイア
ス層5は直接磁気抵抗効果層4に接しているが、リード
7は高抵抗層6fを介して形成されているために、リー
ド7の電流は磁気バイアス層5に分流することは少な
い。したがって、リード7からの電流は開口9を介して
磁気応答領域4aへ直接流れるようになっている。その
結果トラック幅に相当する磁気応答領域4aは一対の開
口9で挟まれた領域によって規定され、大部分の電流が
開口9を通して流れるためノイズ発生領域4bを流れる
電流が減少し、高精度で高S/N比の薄膜磁気ヘッドを
実現することができる。
【0065】また本実施の形態6において、高抵抗層6
を窒化膜、酸化膜および窒化酸化膜の一つまたはそれら
の組み合わせからなる絶縁層で構成することにより磁気
抵抗効果層4と磁気バイアス層5との間の絶縁が完全に
なり、ノイズ発生領域4bを流れる電流が激減し、S/
N比がいっそう向上する。
【0066】また図6において、高抵抗層6を複数層で
構成することも可能である。
【0067】(実施の形態7)図7(a)〜(f)は本
発明の実施の形態7における薄膜磁気ヘッドの製造方法
を説明する工程断面図である。以降に説明する工程断面
図においては基板を省略した。
【0068】まず図7(a)に示すように、基板上に絶
縁下地層1、下部シールド磁性層2および第1の絶縁層
3を順次積層する。次に磁気抵抗効果膜14を全面に形
成した後、図7(b)に示すように、選択的に感光性樹
脂パターン10を形成する。次に感光性樹脂パターン1
0をマスクとしてイオンミリング法などにより磁気抵抗
効果膜14をエッチングし、図7(c)に示すように磁
気抵抗効果層4を形成する。次に図7(d)に示すよう
に、全面に高抵抗膜16と磁気バイアス用磁性膜15を
形成する。
【0069】次に図7(e)に示すように、リフトオフ
法により感光性樹脂パターン10を除去するとともに、
その上の高抵抗膜16および磁気バイアス用磁性膜15
を除去して高抵抗層6(第1の絶縁層3の上の高抵抗層
6cと磁気抵抗効果層4の側面の高抵抗層6aとして示
している)および磁気バイアス層5を形成する。この時
点で、磁気バイアス層5と磁気抵抗効果層4の主面は略
同一平面にすることができる。
【0070】次に図7(f)に示すように、全面に導電
体膜を形成した後フォトエッチングによりリード7を形
成し、その上に第2の絶縁膜を形成する。
【0071】なお、図7(c)の工程で全面に高抵抗膜
16を形成した後、高抵抗層の6c部分を除去すること
により磁気バイアス層5の下部に高抵抗層6cのない形
状として以降の工程を進めることもできる。
【0072】このようにして、少なくとも磁気抵抗効果
層4の側面に高抵抗層6aが形成された薄膜磁気ヘッド
を形成することができる。
【0073】(実施の形態8)図8(a)〜(f)は、
本発明の実施の形態8における薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明する工程断面図である。図8において、図7に
示す実施の形態7と同一個所には同一符号を付して詳細
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【0074】本実施の形態8が実施の形態7と異なる点
は、磁気抵抗効果層4の主面に高抵抗層6dを残すため
に、図8(b)に示すように全面に高抵抗膜17を形成
した後に感光性樹脂パターン10を形成する工程、およ
び図9(f)に示すように磁気抵抗効果層4の主面上の
高抵抗層6dに開口9を形成する工程である。
【0075】なお、図8(c)の工程で全面に高抵抗膜
16を形成した後、高抵抗層の6c部分を除去すること
により磁気バイアス層5の下部に高抵抗層6cのない形
状として以降の工程を進めることもできる。
【0076】このように高抵抗膜を2度形成し、磁気抵
抗効果層4の上の高抵抗膜6dに開口9を設けることに
より再生トラック幅が精度良く規定された薄膜磁気ヘッ
ドを製造することができる。
【0077】(実施の形態9)図9(a)〜(f)は、
本発明の実施の形態9における薄膜磁気ヘッドの製造方
法を説明する工程断面図である。図9において、図7に
示す実施の形態7と同一個所には同一符号を付して詳細
説明を省略し、異なる点についてのみ説明する。
【0078】図9(a)〜(c)までは実施の形態7と
同じ工程である。次に図9(d)に示すように、高抵抗
層を形成することなく全面に磁気バイアス用磁性膜15
を形成する。次に図9(e)に示すように、リフトオフ
法により感光性樹脂パターン10を除去するとともに、
その上の磁気バイアス用磁性膜15を除去する。この時
点で、磁気バイアス層5と磁気抵抗効果層4の主面は略
同一平面にすることができる。次に全面に高抵抗層18
を形成した後所定の位置に磁気抵抗効果層4に達する一
対の開口9を形成し、その上にリード7、第2の絶縁層
8を形成する。なお図10においては、高抵抗層6を開
口9で挟まれた部分6eと一対の開口9の外側の部分6
fに分けて示している。
【0079】このように磁気抵抗効果層4と磁気バイア
ス層5の表面に高抵抗層6を形成することにより平滑な
面を形成することができるため、その上に形成するリー
ド7を薄くすることができる上に第2の絶縁層8の形成
において段差部を考慮しなくてもよいことになる。
【0080】また磁気抵抗効果層4の上の高抵抗膜6に
開口9を設けることにより再生トラック幅が精度良く規
定された薄膜磁気ヘッドを製造することができる。
【0081】(実施の形態10)図10(a)〜(f)
は、本発明の実施の形態10における薄膜磁気ヘッドの
製造方法を説明する工程断面図である。図10におい
て、図7に示す実施の形態7と同一個所には同一符号を
付して詳細説明を省略し、異なる点についてのみ説明す
る。
【0082】本実施の形態10が実施の形態7と異なる
点は、図10(b)に示すように、感光性樹脂パターン
10の底部周縁にアンダーカット10aを設けたことで
ある。このようなパターン形状は特定の感光性樹脂を用
い特定の条件で露光現像することによって得られるが、
感光性樹脂を2層用いても同様の形状を得ることはでき
る。
【0083】次に図10(c)に示すように、イオンミ
リング法などにより磁気抵抗効果層4を選択的にエッチ
ングする。このとき、イオンの入射角または基板角度を
制御することにより磁気抵抗効果層4の主面をアンダー
カット10aの下に露出した状態で残すことは容易であ
る。
【0084】次に図10(d)に示すように、全面に高
抵抗膜16と磁気バイアス用磁性膜15を形成する。こ
のとき、アンダーカット10aの下の磁気抵抗効果層4
の主面には高抵抗層6bが形成され、磁気抵抗効果層4
のエッジ部がカバーされることになる。なおアンダーカ
ット10aの下の全面に均一な高抵抗層6bが形成され
るのではなく、アンダーカットの10aの奥に進むにつ
れて厚みが薄くなるように形成される。また、アンダー
カット長さやアンダーカット高さおよび成膜条件などを
変化させることにより、磁気抵抗効果層4の主面上の高
抵抗層6bの膜厚分布、高抵抗層6b上の磁気バイアス
層5の膜厚などを変化させることも可能である。
【0085】このようにアンダーカット10aを形成し
ておくことにより、高抵抗膜6および磁気バイアス用磁
性膜16を形成する際にアンダーカット10aによりそ
れぞれの膜が分断されるため、リフトオフが容易であ
り、境界に突起やひげが生じ難くできる。
【0086】以降の工程は実施の形態7と同様である
が、本実施の形態10においても、磁気バイアス層5の
下部の高抵抗層6cを残すことなく工程を実行すること
はできる。
【0087】このように磁気抵抗効果層4の主面の一部
に高抵抗層6bを形成することにより、再生トラック幅
を精度良く規定した薄膜磁気ヘッドを実現することがで
きる。
【0088】なお実施の形態7から実施の形態9におい
ても実施の形態10と同様に感光性樹脂パターン10の
底部周縁にアンダーカット10aを設けておくことによ
り、高抵抗膜15および磁気バイアス用磁性膜16を形
成する際にアンダーカット10aによりそれぞれの膜が
分断されるため、リフトオフが容易であり、境界に突起
やひげを生じ難くできる。
【0089】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の薄膜磁気
ヘッドは磁気抵抗効果を用いたもので、磁気抵抗効果層
と磁気バイアス層の間に高抵抗層を介在させた構成であ
る。
【0090】このように構成することにより、磁気バイ
アス層から磁気抵抗効果層へ流れる電流を減少させるこ
とができ、またリードの先端から磁気応答領域へ効果的
に電流を流すことができるため、従来よりS/N比を格
段に向上させることができる。
【0091】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは高抵抗
層を磁気抵抗効果層の側面からさらに磁気抵抗効果層の
主面の一部に延在させた構成であり、上記の効果に加え
て、再生トラック幅を明確に規定することができるた
め、従来より微細でS/N比の高い薄膜磁気ヘッドが実
現できる。
【0092】また本発明の他の薄膜磁気ヘッドは磁気抵
抗効果層の主面に高抵抗層を有し、その高抵抗層に設け
た開口を通してリードを磁気抵抗効果層に接続した構成
であり、上記の効果に加えて、開口によって電流が流れ
る領域が規定されるため、さらに精度良く再生トラック
幅を規定することができ優れた薄膜磁気ヘッドが実現で
きる。
【0093】また磁気抵抗効果層の側面に形成する高抵
抗層として、窒化膜、酸化膜、窒化酸化膜などの絶縁
層、または窒化物磁性体、酸化物磁性体、窒化酸化物磁
性体などの磁性層、密着性改善層および結晶性改善層な
ど、またはこれらを組み合わせた積層膜を使用すること
により、上記の効果に加えて、膜質の向上、磁気特性の
向上、信頼性の向上を図ることができる。
【0094】このように本発明の薄膜磁気ヘッドは、記
録密度がさらに向上してトラック幅が狭くなってきたと
きにいっそうの効果を発揮できるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態1における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図2】本発明の実施の形態2における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図3】本発明の実施の形態3における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図4】本発明の実施の形態4における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図5】本発明の実施の形態5における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図6】本発明の実施の形態6における薄膜ヘッドの要
部断面図
【図7】(a)〜(f)は、本発明の実施の形態7にお
ける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図
【図8】(a)〜(f)は、 本発明の実施の形態8に
おける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図
【図9】(a)〜(f)は、 本発明の実施の形態9に
おける薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図
【図10】(a)〜(f)は、 本発明の実施の形態1
0における薄膜ヘッドの製造方法を説明する工程断面図
【図11】従来の薄膜ヘッドの要部断面図
【符号の説明】
1 絶縁下地層 2 下部シールド磁性層 3 第1の絶縁層 4 磁気抵抗効果層 4a 磁気応答領域 4b ノイズ発生領域 5 磁気バイアス層 6 高抵抗層 7 リード 8 第2の絶縁層 θ1 リードの端面と磁気抵抗効果層とのなす角度
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 三谷 覚 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 (72)発明者 深澤 利雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電器 産業株式会社内 Fターム(参考) 5D034 BA03 BA06 BA15 BB08 CA04 DA07

Claims (18)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
    成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
    磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1
    の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
    と、前記磁気抵抗効果層の側面に形成されている高抵抗
    層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるため
    に前記磁気抵抗効果層および前記高抵抗層を挟んで形成
    されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効果層の外
    部磁界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔
    を隔てて形成されている一対のリードと、前記磁気抵抗
    効果層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを
    覆って形成されている第2の絶縁層と、前記第2の絶縁
    層の上に形成されている上部シールド磁性層とを有する
    薄膜磁気ヘッド。
  2. 【請求項2】 磁気抵抗効果層の側面に形成されている
    高抵抗層が前記磁気抵抗効果層の主面の一部に延在して
    形成されていることを特徴とする請求項1に記載の薄膜
    磁気ヘッド。
  3. 【請求項3】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
    成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
    磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1
    の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
    と、磁気抵抗効果層の側面から第1の絶縁層の上にまで
    延在して形成されている高抵抗層と、前記磁気抵抗効果
    層に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層お
    よび前記高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス
    層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変
    化を検知するために所定の間隔を隔てて形成されている
    一対のリードと、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイア
    ス層および前記一対のリードを覆って形成されている第
    2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成されている
    上部シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。
  4. 【請求項4】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
    成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
    磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1
    の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
    と、磁気抵抗効果層の側面、第1の絶縁層の上および磁
    気抵抗効果層の主面の一部にまで延在して形成されてい
    る高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与
    えるために前記磁気抵抗効果層および前記高抵抗層を挟
    んで形成されている磁気バイアス層と、前記磁気抵抗効
    果層の外部磁界による電気抵抗変化を検知するために所
    定の間隔を隔てて形成されている一対のリードと、前記
    磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層および前記一対の
    リードを覆って形成されている第2の絶縁層と、前記第
    2の絶縁層の上に形成されている上部シールド磁性層と
    を有する薄膜磁気ヘッド。
  5. 【請求項5】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に形
    成されている下部シールド磁性層と、前記下部シールド
    磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第1
    の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果層
    と、前記磁気抵抗効果層の主面と側面および第1の絶縁
    層の上に形成されかつ前記磁気抵抗効果層の主面に達す
    る一対の開口を有する高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層
    に磁気バイアスを与えるために前記磁気抵抗効果層およ
    び前記高抵抗層を挟んで形成されている磁気バイアス層
    と、前記磁気抵抗効果層の外部磁界による電気抵抗変化
    を検知するために所定の間隔を隔てて形成されかつ前記
    開口を通して前記磁気抵抗効果層に接続されている一対
    のリードと、前記磁気抵抗効果層、前記磁気バイアス層
    および前記一対のリードを覆って形成されている第2の
    絶縁層と、前記第2の絶縁層の上に形成されている上部
    シールド磁性層とを有する薄膜磁気ヘッド。
  6. 【請求項6】 高抵抗層が、窒化膜、酸化膜および窒化
    酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁層
    であることを特徴とする請求項1、2、3、4または5
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
  7. 【請求項7】 高抵抗層が、窒化物磁性体、酸化物磁性
    体および窒化酸化物磁性体の一つまたはそれらの組み合
    わせからなることを特徴とする請求項1、2、3、4ま
    たは5に記載の薄膜磁気ヘッド。
  8. 【請求項8】 高抵抗層の下および上の少なくともいず
    れかに密着性改善層が形成されていることを特徴とする
    請求項1、2、3、4、5、6または7に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  9. 【請求項9】 高抵抗層の下および上の少なくともいず
    れかに結晶性改善層が形成されていることを特徴とする
    請求項1、2、3、4、5、6または7に記載の薄膜磁
    気ヘッド。
  10. 【請求項10】 高抵抗層の上に磁性層が形成されてい
    ることを特徴とする請求項1、2、3、4、5または6
    に記載の薄膜磁気ヘッド。
  11. 【請求項11】 磁気抵抗効果層の主面と磁気バイアス
    層の主面とが略同一平面にあることを特徴とする請求項
    1、2、3、4および5に記載の薄膜磁気ヘッド。
  12. 【請求項12】 高抵抗層の比抵抗が、磁気抵抗効果層
    の比抵抗、磁気バイアス層の比抵抗およびリードの比抵
    抗より大なることを特徴とする請求項1、2、3、4、
    5、6または7に記載の薄膜磁気ヘッド。
  13. 【請求項13】 絶縁下地層と、前記絶縁下地層の上に
    形成されている下部シールド磁性層と、前記下部シール
    ド磁性層の上に形成されている第1の絶縁層と、前記第
    1の絶縁層の上に選択的に形成されている磁気抵抗効果
    層と、前記磁気抵抗効果層に磁気バイアスを与えるため
    に前記磁気抵抗効果層を挟んで形成されている磁気バイ
    アス層と、前記磁気抵抗効果層と前記磁気バイアス層の
    上に形成されかつ磁気抵抗効果層の主面に達する一対の
    開口を有する高抵抗層と、前記磁気抵抗効果層の外部磁
    界による電気抵抗変化を検知するために所定の間隔を隔
    てて形成されかつ前記開口を通して前記磁気抵抗効果層
    に接続されている一対のリードと、前記磁気抵抗効果
    層、前記磁気バイアス層および前記一対のリードを覆っ
    て形成されている第2の絶縁層と、前記第2の絶縁層の
    上に形成されている上部シールド磁性層とを有する薄膜
    磁気ヘッド。
  14. 【請求項14】 高抵抗層が、窒化膜、酸化膜および窒
    化酸化膜の一つまたはそれらの組み合わせからなる絶縁
    層であることを特徴とする請求項13に記載の薄膜磁気
    ヘッド。
  15. 【請求項15】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第1の絶縁層
    を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に選択
    的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記感光性
    樹脂パターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜をエッ
    チングし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に高抵
    抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイアス用磁性膜を
    形成する工程と、前記感光性樹脂パターンを除去すると
    ともに前記感光性樹脂パターンの上の高抵抗膜および磁
    気バイアス用磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側面お
    よび第1の絶縁層の上に高抵抗層および磁気バイアス層
    を形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的
    にエッチングして先端部が磁気抵抗効果層に接続された
    リードを形成する工程と、前記リードを覆って第2の絶
    縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層の上に上部シ
    ールド磁性層を形成する工程とを有する薄膜磁気ヘッド
    の製造方法。
  16. 【請求項16】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第1の絶縁層
    を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に第1
    の高抵抗膜を形成する工程と、前記第1の高抵抗膜の上
    に選択的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記
    感光性樹脂パターンをマスクとして第1の高抵抗膜と前
    記磁気抵抗効果膜とを順次エッチングし主面に第1の高
    抵抗層を備えた磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面
    に第2の高抵抗膜を形成する工程と、全面に磁気バイア
    ス用磁性膜を形成する工程と、前記感光性樹脂パターン
    を除去するとともに前記感光性樹脂パターンの上の第2
    の高抵抗膜および磁気バイアス用磁性膜を除去して磁気
    抵抗効果層の側面および第1の絶縁層の上に第2の高抵
    抗層および磁気バイアス層を形成する工程と、前記第1
    の高抵抗層に前記磁気抵抗効果層に達する一対の開口を
    形成する工程と、全面に導電体膜を形成した後選択的に
    エッチングして先端部が前記開口を通して前記磁気抵抗
    効果層に接続されたリードを形成する工程と、全面に第
    2の絶縁層を形成する工程と、前記第2の絶縁層の上に
    上部シールド磁性層を形成する工程とを有する薄膜磁気
    ヘッドの製造方法。
  17. 【請求項17】 基板上に絶縁下地層を形成する工程
    と、前記絶縁下地層の上に下部シールド磁性層を形成す
    る工程と、前記下部シールド磁性層の上に第1の絶縁層
    を形成する工程と、前記第1の絶縁層の上に磁気抵抗効
    果膜を形成する工程と、前記磁気抵抗効果膜の上に選択
    的に感光性樹脂パターンを形成する工程と、前記感光性
    樹脂パターンをマスクとして前記磁気抵抗効果膜をエッ
    チングし磁気抵抗効果層を形成する工程と、全面に磁気
    バイアス用磁性膜を形成する工程と、前記感光性樹脂パ
    ターンを除去するとともに前記感光性樹脂パターンの上
    の磁気バイアス用磁性膜を除去して磁気抵抗効果層の側
    面および第1の絶縁層の上に磁気バイアス層を形成する
    工程と、前記磁気抵抗効果層と前記磁気バイアス層の上
    に高抵抗層を形成する工程と、前記高抵抗層に磁気抵抗
    効果層に達する一対の開口を形成する工程と、全面に導
    電体膜を形成した後選択的にエッチングして先端部が前
    記開口を通して磁気抵抗効果層に接続されたリードを形
    成する工程と、全面に第2の絶縁層を形成する工程と、
    前記第2の絶縁層の上に上部シールド磁性層を形成する
    工程とを有する薄膜磁気ヘッドの製造方法。
  18. 【請求項18】 感光性樹脂パターンの断面形状が、底
    部周縁にアンダーカット部分を有する逆凸状に形成され
    ていることを特徴とする請求項15、16または17に
    記載の薄膜磁気ヘッドの製造方法。
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