JPH07121837A - シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド - Google Patents
シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドInfo
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- JPH07121837A JPH07121837A JP27154693A JP27154693A JPH07121837A JP H07121837 A JPH07121837 A JP H07121837A JP 27154693 A JP27154693 A JP 27154693A JP 27154693 A JP27154693 A JP 27154693A JP H07121837 A JPH07121837 A JP H07121837A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの電極
の断線等を防止する。 【構成】 基板１上に形成された第１シールド２が第１
シールドギャップ３で覆われ、この第１シールドギャッ
プ３に磁気抵抗効果素子４及び電極５が形成され、これ
らを第２シールドギャップ６で覆い、この第２シールド
ギャップ６上に第２シールド７を形成し、第２シールド
ギャップ６から露出する電極５の一部に電極パッド８が
コンタクトしている。そして電極５と電極パッド８との
コンタクト部は第１シールド２によって形成される段差
部を避け、第１シールド上となっている。
の断線等を防止する。 【構成】 基板１上に形成された第１シールド２が第１
シールドギャップ３で覆われ、この第１シールドギャッ
プ３に磁気抵抗効果素子４及び電極５が形成され、これ
らを第２シールドギャップ６で覆い、この第２シールド
ギャップ６上に第２シールド７を形成し、第２シールド
ギャップ６から露出する電極５の一部に電極パッド８が
コンタクトしている。そして電極５と電極パッド８との
コンタクト部は第１シールド２によって形成される段差
部を避け、第１シールド上となっている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は媒体と接触しないタイプ
のシールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関する。
のシールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの
構造は、第１シールドの上に第１シールドギャップを介
して磁気抵抗効果素子及びこの磁気抵抗効果素子に対し
て通電と出力の取り出しを行う電極を形成し、磁気抵抗
効果素子上に第２シールドギャップを介して第２シール
ドを設けるとともに第２シールドギャップから露出した
電極に電極パッドをコンタクトするようにしている。
構造は、第１シールドの上に第１シールドギャップを介
して磁気抵抗効果素子及びこの磁気抵抗効果素子に対し
て通電と出力の取り出しを行う電極を形成し、磁気抵抗
効果素子上に第２シールドギャップを介して第２シール
ドを設けるとともに第２シールドギャップから露出した
電極に電極パッドをコンタクトするようにしている。
【０００３】上記のシールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッ
ドの製作手順の一例を図１３〜図１９に従って以下に説
明する。尚各図において（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂーｂ方向断面図である。先ず、図１３に示す
ようにスパッタリングや蒸着などの薄膜形成技術、更に
はホトリソグラフィ技術を用いて、基板１０１上にパー
マロイやアモルファスからなる第１シールド１０２を形
成する。次いで、図１４に示すように第１シールド１０
２を非磁性絶縁膜よりなる第１シールドギャップ１０３
で覆い、更に図１５に示すように第１シールドギャップ
１０３上に磁気抵抗効果素子１０４を形成し、また図１
６に示すように磁気抵抗効果素子１０４に一端が重なる
ように電極１０５を形成する。この電極１０５は磁気抵
抗効果素子１０４にセンス電流を通電するとともに磁気
抵抗効果素子１０４から出力を取り出すためのものであ
る。また、一対の電極１０５，１０５間の間隔がトラッ
ク幅となる。この後、図１７に示すように磁気抵抗効果
素子１０４及び電極１０５上を第２シールドギャップ１
０６で覆い、更に図１８に示すように第２シールドギャ
ップ１０６上に第２シールド１０７を形成するとともに
第２シールドギャップ１０６から露出している電極１０
５に電極パッド１０８をコンタクトし、この後、図１９
に示すように研磨ラインに沿って切断研磨することでシ
ールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが得られる。
ドの製作手順の一例を図１３〜図１９に従って以下に説
明する。尚各図において（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂーｂ方向断面図である。先ず、図１３に示す
ようにスパッタリングや蒸着などの薄膜形成技術、更に
はホトリソグラフィ技術を用いて、基板１０１上にパー
マロイやアモルファスからなる第１シールド１０２を形
成する。次いで、図１４に示すように第１シールド１０
２を非磁性絶縁膜よりなる第１シールドギャップ１０３
で覆い、更に図１５に示すように第１シールドギャップ
１０３上に磁気抵抗効果素子１０４を形成し、また図１
６に示すように磁気抵抗効果素子１０４に一端が重なる
ように電極１０５を形成する。この電極１０５は磁気抵
抗効果素子１０４にセンス電流を通電するとともに磁気
抵抗効果素子１０４から出力を取り出すためのものであ
る。また、一対の電極１０５，１０５間の間隔がトラッ
ク幅となる。この後、図１７に示すように磁気抵抗効果
素子１０４及び電極１０５上を第２シールドギャップ１
０６で覆い、更に図１８に示すように第２シールドギャ
ップ１０６上に第２シールド１０７を形成するとともに
第２シールドギャップ１０６から露出している電極１０
５に電極パッド１０８をコンタクトし、この後、図１９
に示すように研磨ラインに沿って切断研磨することでシ
ールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが得られる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、シールド型
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにあっては、線密度記録の向
上に対応するためシールドギャップ１０３，１０６間の
間隔を狭小（０．３μｍ以下）にする傾向にあり、この
ため電極とギャップ外に形成されるシールドとの短絡を
防止するため電極も信頼性を確保できる範囲でできるだ
け薄く（０．２〜０．３μｍ）形成している。
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにあっては、線密度記録の向
上に対応するためシールドギャップ１０３，１０６間の
間隔を狭小（０．３μｍ以下）にする傾向にあり、この
ため電極とギャップ外に形成されるシールドとの短絡を
防止するため電極も信頼性を確保できる範囲でできるだ
け薄く（０．２〜０．３μｍ）形成している。
【０００５】図２０はシールドギャップ上に形成した電
極の断面図であり、第１シールド１０２の厚さは１μｍ
程度であり、この第１シールド１０２によって形成され
る１μｍ程度の段差に厚さ０．２〜０．３μｍの電極１
０５が形成されることになる。その結果、段差のエッジ
部において、図に示すように電極を構成する膜が極度に
薄くなったり、最悪の場合には断線を生じることがあ
る。
極の断面図であり、第１シールド１０２の厚さは１μｍ
程度であり、この第１シールド１０２によって形成され
る１μｍ程度の段差に厚さ０．２〜０．３μｍの電極１
０５が形成されることになる。その結果、段差のエッジ
部において、図に示すように電極を構成する膜が極度に
薄くなったり、最悪の場合には断線を生じることがあ
る。
【０００６】現状のプロセスでは、段差部に形成する材
料の膜厚は、段差以上の膜厚を必要とする。したがっ
て、シールド厚をＴｓ、シールドギャップ厚をＴｇ、電
極材の厚をＴｅとすると、Ｔｅ≧Ｔｇの関係が必要とな
る。電極材厚Ｔｅやシールドギャップ厚Ｔｇは、ヘッド
の性能に応じて設計されるため、シールド厚Ｔｓをこの
関係に応じて薄くするとシールド厚Ｔｓは非常に薄くな
ってしまい、シールドを形成する磁性材の磁気特性を良
好に保てない。そして、線記録密度向上に対応するため
には、シールドギャップ厚Ｔｇが薄くなる傾向にあり、
シールドギャップ厚Ｔｇを薄くすると、絶縁性が悪くな
るためシールドギャップ内の電極材とシールドとのショ
ートが起こらないように電極材厚Ｔｅを薄くする傾向が
出てくる。しかしながら、シールドの磁気特性確保のた
めには、シールド厚Ｔｓは小さくできないので、現状で
はＴｅ≧Ｔｇの関係を保ちながらヘッドの設計を行うこ
とは不可能といえる。従って、できるだけ信頼性が高く
なるように、各数値をできるだけ上式に近づけるような
設計が行われるが、このような現状では電極の抵抗値の
安定化や断線防止など信頼性の向上は望めなかった。ま
た、第１シールドギャップは第１シールドの膜厚よりも
小さいため、エッジ部での絶縁性が確保できない問題が
あるが、絶縁膜のような無機材料の成膜にはＣＶＤのよ
うな比較的被膜性のよい成膜方法があり、更に１μｍ程
度の段差部はテーパ形状にプロファイルコントロールが
可能であるため、両者の効果により０．２μｍ程度の膜
厚で１μｍ程度の段差部を絶縁性を確保して乗り越える
成膜は不可能ではない。しかし、導体はスパッタ、蒸着
のような成膜方法で形成されており、現状のプロファイ
ルコントロールではテーパ形状コントロール可能な範囲
内で図２０のような問題を解決することはできない。
料の膜厚は、段差以上の膜厚を必要とする。したがっ
て、シールド厚をＴｓ、シールドギャップ厚をＴｇ、電
極材の厚をＴｅとすると、Ｔｅ≧Ｔｇの関係が必要とな
る。電極材厚Ｔｅやシールドギャップ厚Ｔｇは、ヘッド
の性能に応じて設計されるため、シールド厚Ｔｓをこの
関係に応じて薄くするとシールド厚Ｔｓは非常に薄くな
ってしまい、シールドを形成する磁性材の磁気特性を良
好に保てない。そして、線記録密度向上に対応するため
には、シールドギャップ厚Ｔｇが薄くなる傾向にあり、
シールドギャップ厚Ｔｇを薄くすると、絶縁性が悪くな
るためシールドギャップ内の電極材とシールドとのショ
ートが起こらないように電極材厚Ｔｅを薄くする傾向が
出てくる。しかしながら、シールドの磁気特性確保のた
めには、シールド厚Ｔｓは小さくできないので、現状で
はＴｅ≧Ｔｇの関係を保ちながらヘッドの設計を行うこ
とは不可能といえる。従って、できるだけ信頼性が高く
なるように、各数値をできるだけ上式に近づけるような
設計が行われるが、このような現状では電極の抵抗値の
安定化や断線防止など信頼性の向上は望めなかった。ま
た、第１シールドギャップは第１シールドの膜厚よりも
小さいため、エッジ部での絶縁性が確保できない問題が
あるが、絶縁膜のような無機材料の成膜にはＣＶＤのよ
うな比較的被膜性のよい成膜方法があり、更に１μｍ程
度の段差部はテーパ形状にプロファイルコントロールが
可能であるため、両者の効果により０．２μｍ程度の膜
厚で１μｍ程度の段差部を絶縁性を確保して乗り越える
成膜は不可能ではない。しかし、導体はスパッタ、蒸着
のような成膜方法で形成されており、現状のプロファイ
ルコントロールではテーパ形状コントロール可能な範囲
内で図２０のような問題を解決することはできない。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決すべく本
発明は、基板上に軟磁性材よりなる第１シールドが形成
され、この第１シールドを覆うように基板上に非磁性絶
縁膜よりなる第１シールドギャップが形成され、この第
１シールドギャップに磁気抵抗効果素子及びこの磁気抵
抗効果素子とコンタクトする電極が形成され、これら磁
気抵抗効果素子及び電極を覆うように非磁性絶縁膜より
なる第２シールドギャップが形成され、この第２シール
ドギャップ上に軟磁性材よりなる第２シールドが形成さ
れ、第２シールドギャップから露出する電極の一部に電
極パッドがコンタクトするように形成されたシールド型
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記電極と電極パ
ッドとがコンタクトする部分は第１シールドによって形
成される段差部を避け、第１シールド上とした。
発明は、基板上に軟磁性材よりなる第１シールドが形成
され、この第１シールドを覆うように基板上に非磁性絶
縁膜よりなる第１シールドギャップが形成され、この第
１シールドギャップに磁気抵抗効果素子及びこの磁気抵
抗効果素子とコンタクトする電極が形成され、これら磁
気抵抗効果素子及び電極を覆うように非磁性絶縁膜より
なる第２シールドギャップが形成され、この第２シール
ドギャップ上に軟磁性材よりなる第２シールドが形成さ
れ、第２シールドギャップから露出する電極の一部に電
極パッドがコンタクトするように形成されたシールド型
磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記電極と電極パ
ッドとがコンタクトする部分は第１シールドによって形
成される段差部を避け、第１シールド上とした。
【０００８】
【作用】電極と電極パッドとのコンタクト部を厚み方向
において第１シールドと重なる位置にすることで、シー
ルドギャップ内の電極を薄くし、シールドの段差部では
電極膜厚を厚くすることが可能となり、断線等のおそれ
はなくなる。
において第１シールドと重なる位置にすることで、シー
ルドギャップ内の電極を薄くし、シールドの段差部では
電極膜厚を厚くすることが可能となり、断線等のおそれ
はなくなる。
【０００９】
【実施例】以下に本発明の実施例を添付図面に基づいて
説明する。ここで、図１乃至図１２は第１実施例に係る
シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製作工程を示す
図であり、図４を除き各図の（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂーｂ線断面図である。
説明する。ここで、図１乃至図１２は第１実施例に係る
シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドの製作工程を示す
図であり、図４を除き各図の（ａ）は平面図、（ｂ）は
（ａ）のｂーｂ線断面図である。
【００１０】図１から図５までは従来と同様であり、基
板１上にパーマロイやアモルファスからなる第１シール
ド２を形成し、この第１シールド２を非磁性絶縁膜より
なる第１シールドギャップ３で覆い、次いで、第１シー
ルドギャップ３上に磁気抵抗効果素子４を形成し、この
磁気抵抗効果素子４に一端が重なるように電極５を形成
する。
板１上にパーマロイやアモルファスからなる第１シール
ド２を形成し、この第１シールド２を非磁性絶縁膜より
なる第１シールドギャップ３で覆い、次いで、第１シー
ルドギャップ３上に磁気抵抗効果素子４を形成し、この
磁気抵抗効果素子４に一端が重なるように電極５を形成
する。
【００１１】ここで、磁気抵抗効果素子４はＮiＦeやＮ
iＣo等の強磁性材４ａ上に、ＦeＭn等の反強磁性材４ｂ
を形成し、この反強磁性材４ｂにＴi、Ｗ、Ｎb等の導体
４ｃを形成してなる。ここで、反強磁性材４ｂは素子に
異方性磁界を付与して磁気抵抗効果素子特有のバルクハ
ウゼンノイズの発生を防止するためであり、導体４ｃは
シャントバイアス法を用いる際、素子に最適なバイアス
磁界を印加するためである。これらの各材料は形成順序
を異ならせてもよい。
iＣo等の強磁性材４ａ上に、ＦeＭn等の反強磁性材４ｂ
を形成し、この反強磁性材４ｂにＴi、Ｗ、Ｎb等の導体
４ｃを形成してなる。ここで、反強磁性材４ｂは素子に
異方性磁界を付与して磁気抵抗効果素子特有のバルクハ
ウゼンノイズの発生を防止するためであり、導体４ｃは
シャントバイアス法を用いる際、素子に最適なバイアス
磁界を印加するためである。これらの各材料は形成順序
を異ならせてもよい。
【００１２】以上のように、第１シールドギャップ３上
に磁気抵抗効果素子４と電極５を形成した後、図６に示
すように磁気抵抗効果素子４及び電極５を第２シールド
ギャップ６で覆い、次いで、図７に示すように第２シー
ルドギャップ６の一部をエッチングによって除去する。
エッチングによって除去する部分は、その一部が厚み方
向（平面視）において第１シールド２に重なるようにす
る。
に磁気抵抗効果素子４と電極５を形成した後、図６に示
すように磁気抵抗効果素子４及び電極５を第２シールド
ギャップ６で覆い、次いで、図７に示すように第２シー
ルドギャップ６の一部をエッチングによって除去する。
エッチングによって除去する部分は、その一部が厚み方
向（平面視）において第１シールド２に重なるようにす
る。
【００１３】この後、図８に示すように第２シールドギ
ャップ６上に第２シールド７を形成する。この第２シー
ルド７は第１シールド２と形状を異ならせている。即
ち、第２シールド７の媒体対向面からの寸法は第１シー
ルド２の媒体対向面からの寸法よりも小さくされ、媒体
対向面を基準として第２シールド７の後方に電極と電極
パッドとがコンタクトする部分が設けられる。
ャップ６上に第２シールド７を形成する。この第２シー
ルド７は第１シールド２と形状を異ならせている。即
ち、第２シールド７の媒体対向面からの寸法は第１シー
ルド２の媒体対向面からの寸法よりも小さくされ、媒体
対向面を基準として第２シールド７の後方に電極と電極
パッドとがコンタクトする部分が設けられる。
【００１４】そして図９に示すように、第２シールドギ
ャップ６から露出している電極５に電極パッド８をコン
タクトし、更に研磨ラインに沿って切断研磨することで
シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが得られる。ここ
で、電極５と電極パッド８とのコンタクト部は第１シー
ルド２によって形成される段差部を避け、厚み方向にお
いて第１シールド２と重なる位置となる。また、電極パ
ッド８の厚みは第１シールド２の厚みより大きくする。
このようにすることで、段差を乗り越える部分の厚みを
厚くすることができる。
ャップ６から露出している電極５に電極パッド８をコン
タクトし、更に研磨ラインに沿って切断研磨することで
シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドが得られる。ここ
で、電極５と電極パッド８とのコンタクト部は第１シー
ルド２によって形成される段差部を避け、厚み方向にお
いて第１シールド２と重なる位置となる。また、電極パ
ッド８の厚みは第１シールド２の厚みより大きくする。
このようにすることで、段差を乗り越える部分の厚みを
厚くすることができる。
【００１５】図１０〜図１２は別実施例を示し、この実
施例にあっては電極形成以降の工程が異なっている。即
ち、図１０に示すように、この実施例にあっては電極５
は第１シールド２と重なる位置の第１シールドギャップ
３上に形成し、段差部には形成しない。
施例にあっては電極形成以降の工程が異なっている。即
ち、図１０に示すように、この実施例にあっては電極５
は第１シールド２と重なる位置の第１シールドギャップ
３上に形成し、段差部には形成しない。
【００１６】そして、図１１に示すように電極５を第２
シールドギャップ６で覆い、この第２シールドギャップ
６の厚み方向において第１シールド２と重なる位置にス
ルーホール６ａを形成し、次いで、図１２に示すように
第２シールドギャップ６に第２シールド７を形成すると
ともに、前記スルーホール６ａをコンタクト部として電
極パッド８を形成する。
シールドギャップ６で覆い、この第２シールドギャップ
６の厚み方向において第１シールド２と重なる位置にス
ルーホール６ａを形成し、次いで、図１２に示すように
第２シールドギャップ６に第２シールド７を形成すると
ともに、前記スルーホール６ａをコンタクト部として電
極パッド８を形成する。
【００１７】尚、電極パッド８の厚みは第１シールド２
よりも大で、第１シールド２より第２シールド７の寸法
を小さくしているのは第１実施例と同様である。
よりも大で、第１シールド２より第２シールド７の寸法
を小さくしているのは第１実施例と同様である。
【００１８】
【発明の効果】以上に説明したように本発明に係るシー
ルド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、電極と電極パッド
とのコンタクト部を、第１シールドによって形成される
段差部を避けて厚み方向において第１シールドと重なる
位置としたので、第１シールドの段差を超えて薄い電極
を形成する必要がなくなる。したがって、線密度記録の
向上に対応するためシールドギャップ間隔を小さくし、
その結果電極を薄くしても極端に薄くなったり断線する
おそれがなくなる。特に、電極パッドの厚みを第１シー
ルドの厚みより大きいすれば、更に電気抵抗を下げるこ
とができ、第２シールドの媒体対向面からの寸法を第１
シールドの媒体対向面からの寸法よりも小さくすること
で、厚み方向において第１シールドと重なる位置に電極
パッドを設ける箇所を確保できる。
ルド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドは、電極と電極パッド
とのコンタクト部を、第１シールドによって形成される
段差部を避けて厚み方向において第１シールドと重なる
位置としたので、第１シールドの段差を超えて薄い電極
を形成する必要がなくなる。したがって、線密度記録の
向上に対応するためシールドギャップ間隔を小さくし、
その結果電極を薄くしても極端に薄くなったり断線する
おそれがなくなる。特に、電極パッドの厚みを第１シー
ルドの厚みより大きいすれば、更に電気抵抗を下げるこ
とができ、第２シールドの媒体対向面からの寸法を第１
シールドの媒体対向面からの寸法よりも小さくすること
で、厚み方向において第１シールドと重なる位置に電極
パッドを設ける箇所を確保できる。
【図１】（ａ）は本発明に係るシールド型磁気抵抗効果
型薄膜ヘッドを構成する基板に第１シールドを形成した
状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
型薄膜ヘッドを構成する基板に第１シールドを形成した
状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図２】（ａ）は第１シールドを第１シールドギャップ
で覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
で覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図３】（ａ）は第１シールドギャップ上に磁気抵抗効
果素子を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
果素子を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図４】磁気抵抗効果素子の拡大断面図
【図５】（ａ）は第１シールドギャップ上に電極を形成
した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図６】（ａ）は磁気抵抗効果素子及び電極を第２シー
ルドギャップで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
ルドギャップで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図７】（ａ）は第２シールドギャップの一部をエッチ
ングした状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
ングした状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図８】（ａ）は第２シールドギャップ上に第２シール
ドを形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
ドを形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図９】（ａ）は電極に電極パッドコンタクトした状態
の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１０】（ａ）は別実施例に係るシールド型磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドの電極を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
効果型薄膜ヘッドの電極を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１１】（ａ）は別実施例に係るシールド型磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドの第２シールドギャップにスルーホー
ルを形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
効果型薄膜ヘッドの第２シールドギャップにスルーホー
ルを形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１２】（ａ）は別実施例に係るシールド型磁気抵抗
効果型薄膜ヘッドの電極に電極パッドをコンタクトした
状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
効果型薄膜ヘッドの電極に電極パッドをコンタクトした
状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１３】（ａ）は従来のシールド型磁気抵抗効果型薄
膜ヘッドを構成する基板に第１シールドを形成した状態
の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
膜ヘッドを構成する基板に第１シールドを形成した状態
の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１４】（ａ）は第１シールドを第１シールドギャッ
プで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
プで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１５】（ａ）は第１シールドギャップ上に磁気抵抗
効果素子を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
効果素子を形成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１６】（ａ）は第１シールドギャップ上に電極を形
成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
成した状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１７】（ａ）は磁気抵抗効果素子及び電極を第２シ
ールドギャップで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
ールドギャップで覆った状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１８】（ａ）は第２シールドと電極パッドを形成し
た状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
た状態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図１９】（ａ）は研磨ラインに沿って切断研磨した状
態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
態の平面図 （ｂ）は（ａ）のｂーｂ線断面図
【図２０】従来のシールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド
の電極部分の拡大断面図
の電極部分の拡大断面図
１…基板、２…第１シールド、３…第１シールドギャッ
プ、４…磁気抵抗効果素子、５…電極、６…第２シール
ドギャップ、７…第２シールド、８…電極パッド。
プ、４…磁気抵抗効果素子、５…電極、６…第２シール
ドギャップ、７…第２シールド、８…電極パッド。
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上に軟磁性材よりなる第１シールド
が形成され、この第１シールドを覆うように基板上に非
磁性絶縁膜よりなる第１シールドギャップが形成され、
この第１シールドギャップに磁気抵抗効果素子及びこの
磁気抵抗効果素子とコンタクトする電極が形成され、こ
れら磁気抵抗効果素子及び電極を覆うように非磁性絶縁
膜よりなる第２シールドギャップが形成され、この第２
シールドギャップ上に軟磁性材よりなる第２シールドが
形成され、第２シールドギャップから露出する電極の一
部に電極パッドがコンタクトするように形成されたシー
ルド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッドにおいて、前記電極と
電極パッドとがコンタクトする部分は第１シールドによ
って形成される段差部を避け、第１シールド上としたこ
とを特徴とするシールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項２】 前記電極パッドの厚みは第１シールドの
厚みより大きいことを特徴とする請求項１に記載のシー
ルド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。 - 【請求項３】 前記第２シールドの媒体対向面からの寸
法は前記第１シールドの媒体対向面からの寸法よりも小
さくされ、媒体対向面を基準として第２シールドの後方
に電極と電極パッドとがコンタクトする部分が設けられ
ていることを特徴とする請求項１または２に記載のシー
ルド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27154693A JPH07121837A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27154693A JPH07121837A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07121837A true JPH07121837A (ja) | 1995-05-12 |
Family
ID=17501578
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27154693A Pending JPH07121837A (ja) | 1993-10-29 | 1993-10-29 | シールド型磁気抵抗効果型薄膜ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07121837A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11161981B2 (en) | 2015-12-03 | 2021-11-02 | Elantas Beck Gmbh | One-component, storage-stable, UV-crosslinkable organosiloxane composition |
-
1993
- 1993-10-29 JP JP27154693A patent/JPH07121837A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11161981B2 (en) | 2015-12-03 | 2021-11-02 | Elantas Beck Gmbh | One-component, storage-stable, UV-crosslinkable organosiloxane composition |
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