JPH08235536A

JPH08235536A - 磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生ヘッド

Info

Publication number: JPH08235536A
Application number: JP33673595A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Osawa; 裕一大沢; Hiroaki Yoda; 博明與田; Reiko Kondo; 玲子近藤
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1994-12-26
Filing date: 1995-12-25
Publication date: 1996-09-13

Abstract

(57)【要約】【課題】特に狭ギャップ対応のシールド型磁気抵抗効
果ヘッドにおいて、形状精度や歩留りの向上、さらには
製造コストの低減を図る。【解決手段】一対の良導体膜２５からなる電極と、こ
れら電極から電流が供給されると共に、これら電極間に
位置する部分が磁界応答部２８となる磁気抵抗効果膜２
３との間に、磁気抵抗効果膜２３にバイアス磁界を付与
する磁界付与膜２４をそれぞれ介在させる。良導体膜２
５、磁界付与膜２４および磁気抵抗効果膜２３は、この
順で基板側から積層形成される。あるいは、磁界応答部
以外の受動領域に、磁界付与膜および良導体膜の順に積
層され、かつ磁界付与膜の磁界応答部側の端部表面が露
出された積層膜を形成する。磁気抵抗効果膜は、磁界付
与膜の露出された端部表面と一部が重なるようにほぼ磁
界応答部のみに形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気ディスク装置
の再生ヘッド等として利用される磁気抵抗効果ヘッドと
それを用いた磁気記録再生ヘッドに関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、磁気記録の高密度化が進み、ＶＴ
Ｒでは500Mb/inch²、ＨＤＤでは 200Mb/inch²という
ような高記録密度のシステムが実用化されている。磁気
記録においては、さらなる高密度化が要求されている。
このような高記録密度システムにおける再生ヘッドとし
ては、ある種の磁性薄膜や磁性多層薄膜等の電気抵抗が
外部磁界によって変化するという、磁気抵抗効果を用い
た磁気抵抗効果ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）が注
目されている。

【０００３】従来、異方性磁気抵抗効果（以下、ＡＭＲ
と記す）を利用したＭＲ素子においては、単層で厚さ約
30nm程度のNiFe合金膜等のＡＭＲ膜が使用されている。
このようなＡＭＲ膜に動作点バイアスを付与するため
に、ＳＡＬバイアス膜等が積層される。このバイアス膜
も20〜30nm程度の厚さで形成されている。一方、縦バイ
アスを付与する方法としては、例えばトラック部以外の
受動領域にFeMn膜のような反強磁性膜等を形成すること
が行われている。

【０００４】図１５に、従来の一般的なＡＭＲ膜を用い
たＭＲヘッドの要部構造を示す。図示される通り、従来
の一般的なＡＭＲヘッドにおけるＡＭＲ素子部では、動
作点にバイアスを付与するための軟磁性膜１と非磁性膜
２との積層膜、すなわちＳＡＬバイアス膜上にＡＭＲ膜
３が形成されている。このＡＭＲ膜３上には、トラック
部３ａを除く受動領域に、上述した縦バイアスを付与す
る磁界付与膜としての反強磁性膜４、４と、ＡＭＲ膜３
に電流を供給するCu膜等の良導体膜からなるリード膜
５、５が形成されている。言い換えると、リード膜５の
パターニング形状（リード形状）により、トラック部３
ａの幅が規定されている。

【０００５】ここで、上述したリード膜５のパターニン
グ方法としては、リフトオフ法やイオンミリング法が用
いられている。リフトオフ法では、レジストをリード形
状の逆パターン状にパターニングした後、スパッタ法や
蒸着法等でリード膜５の成膜が行われる。この場合、コ
ストや付着力を考えると、スパッタ法で成膜することが
望ましい。しかし、スパッタ法を適用した場合には、ア
セトン等の有機溶剤に浸してレジストを剥離する際に、
リード膜５のパターンエッジ部にバリが発生しやすいと
いう問題があった。例えば、シールドタイプのＡＭＲヘ
ッドの場合、リード膜５のエッジ部に生じるバリは上側
シールド層との絶縁不良の原因になる。特に、記録媒体
の線記録密度の増大に対応するために、線分解能を向上
させたＡＭＲヘッド、すなわちＡＭＲ膜３と上側シール
ド層間に介在させるギャップ形成用絶縁膜の厚さを薄く
したＡＭＲヘッドでは、上側シールド層との絶縁不良が
生じやすい。

【０００６】一方、イオンミリング法では、厚さ 100〜
200nm程度のCu膜等からなるリード膜５をパターニング
して、ＡＭＲ膜３表面もしくは若干のオーバーミリング
でミリングを止める必要がある。ここで、Cu膜の膜厚分
布や表面酸化状態、さらにイオンビームの強度分布等を
考慮した場合、イオンミリングのエンドポイントを決め
ることが難しく、量産性に問題を有していた。

【０００７】ところで、近年、巨大磁気抵抗効果（以
下、ＧＭＲと記す）が発見されて以来、さらなる高記録
密度化への対応を図るために、ＧＭＲ素子をＭＲヘッド
に適用することが試みられている。一般に、ＧＭＲ膜は
磁性膜／非磁性中間膜／磁性膜のサンドイッチ構造や磁
性膜／非磁性膜を繰り返し積層した多層構造を有してい
る。これらの膜厚はそれぞれが数nmのレベルであり、従
来の単層のＡＭＲ膜に比べて多層となり、さらに 1層の
膜厚が薄いことが特徴的である。

【０００８】図１６に、スピンバルブ膜と呼ばれるＧＭ
Ｒ膜を用いた従来のＧＭＲヘッドの要部構造を示す(J.A
ppl.Phys.VOL.75,6385(1994)等参照）。図１６に示すよ
うに、スピンバルブ膜６は一対の強磁性膜７、８間に非
磁性中間膜９を介在させた構造を有している。一方の強
磁性膜８上には、それと直接接触させてFeMn合金膜のよ
うな反強磁性膜１０が形成されている。反強磁性膜１０
上には、ＡＭＲヘッドの場合と同様に、パターニングさ
れたCu膜等からなるリード膜５、５が形成されている。

【０００９】強磁性膜８は、反強磁性膜１０により媒体
からの信号磁界方向と平行に磁化が固定されている。外
部磁界（信号磁界）により磁化が回転する他方の強磁性
膜７は、磁化がセンス電流方向と平行に向けられてい
る。さらに、信号磁界により磁化回転する強磁性膜７に
磁壁が発生するのを防ぐために、スピンバルブ膜６のス
トライプ両端下部には、反強磁性膜や硬磁性膜１１、１
１が設けられており、これによりバイアス磁界を付与し
ている（特開昭62-40610号公報、特開昭60-59518号公報
等参照）。

【００１０】このようなスピンバルブ膜６を用いたＧＭ
Ｒヘッドにおいては、図１７に示すように、信号磁界が
0の場合には抵抗はHIGHと LOWの中間にあり、信号磁界
の正負により抵抗値はHIGH〜 LOWと変化する。すなわ
ち、それぞれの磁化方向を90度変えて設定することによ
り、動作点バイアスが不要となる。

【００１１】上述したようなスピンバルブ膜６等の多層
構造のＧＭＲ膜上に、パターニングしたリード膜５を形
成する場合、スピンバルブ膜６中の各層（７、８、９）
の厚さが数nm程度であるために、イオンミリング法では
ミリング停止のタイミングがさらに分かりづらくなる。
従って、基板全体を一様にミリングすることがＡＭＲ膜
の場合に増して困難であった。また前述したように、リ
フトオフ法ではバリ発生の問題があり、さらなる高記録
密度対応のシールドタイプのＭＲヘッドでは上側シール
ド層との絶縁不良が大きな問題となる。

【００１２】さらに、図１６に示したようなＧＭＲヘッ
ドの一般的な作製プロセスでは、まずバイアス磁界を付
与する硬磁性膜１１を成膜してパターニングする。次い
で、スピンバルブ膜６等の多層構造のＧＭＲ膜を順に成
膜し、これらをパターニングすることによりストライプ
化する。この後、さらにリード膜５の形成とパターニン
グを行う。このように、従来のＧＭＲヘッドの作製プロ
セスにおいては、ＰＥＰ(Photo Engraving Procese) 工
程が 3工程必要であることから、作製工程が繁雑である
と共に、製造コストが増大するという問題があった。

【００１３】

【発明が解決しようとする課題】上述したように、従来
のＭＲヘッド構造においては、狭ギャップ対応のシール
ドタイプヘッドの製造において、ＭＲ素子部のパターニ
ングをリフトオフ法で行うと、パターンエッジにバリが
発生して絶縁不良を起こしやすいという問題があった。
一方、イオンミリング法では、特に多層構造のＧＭＲ膜
を用いる場合に、ミリング停止の制御が難しく、高精度
のＭＲ素子部を歩留りよく得ることが困難であった。さ
らに、ＧＭＲ膜等を用いたＭＲ素子部の作製には、 3回
のＰＥＰ工程が必要となるため、製造コストの増大を招
くという問題があった。

【００１４】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、形状精度や歩留りの向上、さらには製
造コストの低減を図ることを可能にした磁気抵抗効果ヘ
ッド、および高記録密度システムへの対応を図った磁気
記録再生ヘッドを提供することを目的としている。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明における第１の磁
気抵抗効果ヘッドは、請求項１に記載したように、一対
の電極と、前記一対の電極から電流が供給され、前記一
対の電極間に位置する部分が磁界応答部となる磁気抵抗
効果膜と、前記磁気抵抗効果膜と前記一対の電極との間
にそれぞれ介在され、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁
界を付与する磁界付与膜とを有する磁気抵抗効果素子部
を具備することを特徴としている。

【００１６】さらには、請求項８に記載したように、磁
界応答部を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果
膜にバイアス磁界を付与する磁界付与膜と、前記磁気抵
抗効果膜に電流を供給する良導体膜とを有する磁気抵抗
効果素子部を具備する磁気抵抗効果ヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子部は前記磁界応答部以外の部分に、
少なくとも前記良導体膜、磁界付与膜および磁気抵抗効
果膜の順に積層形成された積層構造部を有することを特
徴としている。

【００１７】本発明における第２の磁気抵抗効果ヘッド
は、請求項９に記載したように、磁界応答部を有する磁
気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を
付与し、かつ導電性を有する磁界付与膜と、前記磁気抵
抗効果膜に電流を供給する良導体膜とを有する磁気抵抗
効果素子部を具備する磁気抵抗効果ヘッドであって、前
記磁気抵抗効果素子部は前記磁界付与膜および良導体膜
の順に積層形成され、かつ前記磁界付与膜の前記磁界応
答部側の端部表面が露出された積層膜を有し、前記磁気
抵抗効果膜は前記磁界付与膜の露出された前記端部表面
と重なるように、前記磁界付与膜の前記磁界応答部側の
端部間に形成されていることを特徴としている。

【００１８】これら本発明の磁気抵抗効果ヘッドは、例
えばシールドタイプの磁気抵抗効果ヘッドとして用いら
れる。シールドタイプの磁気抵抗効果ヘッドとして用い
る場合には、磁気ギャップ形成用絶縁膜を介して設けら
れた下側シールド層と、他の磁気ギャップ形成用絶縁膜
を介して設けられた上側シールド層との間に磁気抵抗効
果素子部を配置する。

【００１９】本発明における第１の磁気記録再生ヘッド
は、請求項１１に記載したように、上述した本発明の第
１の磁気抵抗効果ヘッドをシールドタイプに適用した磁
気抵抗効果ヘッドを有する再生ヘッドと、磁気ギャップ
を介して配置された下側磁気コアおよび上側磁気コアを
有し、前記下側磁気コアが前記磁気抵抗効果ヘッドの上
側シールド層と共通の磁性体層により構成された誘導型
磁気ヘッドを有する記録ヘッドとを具備することを特徴
としている。

【００２０】本発明における第２の磁気記録再生ヘッド
は、請求項１２に記載したように、上述した第２の磁気
抵抗効果ヘッドをシールドタイプに適用した磁気抵抗効
果ヘッドを有する再生ヘッドと、磁気ギャップを介して
配置された下側磁気コアおよび上側磁気コアを有し、前
記下側磁気コアが前記磁気抵抗効果ヘッドの上側シール
ド層と共通の磁性体層により構成された誘導型磁気ヘッ
ドを有する記録ヘッドとを具備することを特徴としてい
る。

【００２１】本発明の第１の磁気抵抗効果ヘッドにおい
ては、良導体膜（電極）と磁気抵抗効果膜との間に磁界
付与膜を介在させている。特に、良導体膜、磁界付与膜
および磁気抵抗効果膜を下からこの順で積層した積層構
造部で、磁気抵抗効果素子部の受動領域の一部を構成し
ている。すなわち、リード部分については、磁気抵抗効
果膜の下側に良導体膜と磁界付与膜とを設けている。こ
のため、予め良導体膜と磁界付与膜をリード形状にパタ
ーニングすることができる。このパターニングは、例え
ばイオンミリングを利用して基板全体を均一にミリング
することが可能となる。これによって、まずリード形状
およびトラック部形状の精度および歩留りの向上を図る
ことができると共に、パターンエッジのバリ発生が防止
できる。また、磁気抵抗効果膜については、例えばリー
ド形状に合せてパターニングすることにより、同様に基
板全体を均一にミリングすることが可能となる。従っ
て、オーバーミリングによる形状不良や特性低下等が防
止できる。

【００２２】上述した第１の磁気抵抗効果ヘッドは、例
えば磁気抵抗効果膜に電流を供給する良導体膜と、磁気
抵抗効果膜にバイアス磁界を付与する磁界付与膜とを、
少なくとも順に積層形成する工程と、これら良導体膜と
磁界付与膜との積層膜を、磁気抵抗効果膜の磁界応答部
を規定するリード形状に応じてパターニングする工程
と、パターニングされた積層膜上および磁界応答部に磁
気抵抗効果膜を成膜する工程と、磁気抵抗効果膜をリー
ド形状および磁界応答部形状に応じてパターニングする
工程とを有する製造方法に基いて作製することができ
る。

【００２３】このように、 2回のＰＥＰ工程で磁気抵抗
効果素子部を形成することが可能となるため、製造工程
の簡略化および製造コストの低減が達成できる。また、
リード部分に対応する積層膜のパターニングは、磁気抵
抗効果膜を考慮することなく実施できるため、形状精度
および歩留りの向上を図ることができると共に、パター
ンエッジのバリ発生が防止できる。例えば、パターニン
グにイオンミリングを利用した場合、基板全体を均一に
ミリングすることが可能となる。

【００２４】本発明の第２の磁気抵抗効果ヘッドにおい
ては、磁界付与膜および良導体膜の順に積層した積層膜
でリード部分を形成し、磁気抵抗効果膜は磁界付与膜の
露出された端部表面と重なり合うように、磁界付与膜の
磁界応答部側端部間に形成している。従って、予め磁界
付与膜と良導体膜との積層膜をリード形状にパターニン
グすることができるため、リード形状およびトラック部
形状の精度および歩留りの向上を図ることができ、さら
にパターンエッジのバリ発生が防止できる。磁気抵抗効
果膜は、磁界付与膜の露出された端部表面と重なる部分
を除いて、ほぼ磁界応答部のみに形成している。磁気抵
抗効果膜には、重ねて形成した磁界付与膜から良好にバ
イアス磁界が付与される。また、磁気抵抗効果膜への電
流供給も磁界付与膜を介して良好に行われる。そして、
磁気抵抗効果膜をほぼ磁界応答部のみに形成することに
よって、受動領域における磁化固着不良等の発生を抑制
することができる。これはノイズ発生の抑制に大きな効
果を示す。

【００２５】上述した第２の磁気抵抗効果ヘッドは、例
えば磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を付与し、かつ導電
性を有する磁界付与膜と、磁気抵抗効果膜に電流を供給
する良導体膜とを、少なくとも順に積層形成する工程
と、これら磁界付与膜と良導体膜との積層膜を、磁気抵
抗効果膜の磁界応答部を規定するリード形状に応じて、
磁界付与膜の磁界応答部側の端部表面が露出するように
パターニングする工程と、磁気抵抗効果膜を、磁界付与
膜の表面が露出された端部間に、露出された端部表面と
重なるように成膜する工程とを有する製造方法に基いて
作製することができる。このような 2回のＰＥＰ工程で
磁気抵抗効果素子部を形成することができ、製造工程の
簡略化および製造コストの低減が達成できる。また、リ
ード部分のパターニングは、磁気抵抗効果膜を考慮する
ことなく実施できるため、形状精度および歩留りの向上
を図ることができる。

【００２６】

【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。

【００２７】図１は、本発明の第１の実施形態による磁
気抵抗効果（ＭＲ）ヘッドの要部構成を示す斜視図であ
る。同図において、２１はSi基板やAl₂O ₃・TiC 基板
等の基板であり、この基板２１上には下地膜２２として
厚さ 200nm程度のアルミナ膜が設けられている。この下
地膜２２上に、磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）２３と、この
ＭＲ膜２３にバイアス磁界を付与する厚さ20〜40nm程度
の磁界付与膜２４と、ＭＲ膜２３に電流を供給するリー
ド膜（電極）として機能する厚さ50〜 300nm程度の良導
体膜２５とを有するＭＲ素子部２６が設けられている。

【００２８】ＭＲ素子部２６の具体的な構成としては、
まず下地膜２２上に例えば膜厚 100nmのCu膜等からなる
良導体膜２５が設けられている。この良導体膜２５は、
後述するＭＲ膜２３のトラック部（磁界応答部）２８の
幅を規定するように、すなわち媒体対向面側に所定の間
隙を有するリード形状にパターニングされている。これ
ら良導体膜２５上には、それぞれＭＲ膜２３にバイアス
磁界を付与する磁界付与膜２４として、例えば膜厚40nm
のCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜等の硬磁性膜が形成されている。こ
の磁界付与膜２５は、パターニングされた良導体膜２５
の上面全面を覆うように形成されている。

【００２９】良導体膜２５と磁界付与膜２４との積層膜
２７のトラック部側側壁部には、それぞれ10〜60°程度
の所望の角度θが付与されている。角度θのより好まし
い範囲は20〜30°である。この角度θが小さすぎると、
トラック部２８の幅を正確に規定することが困難とな
る。逆に、角度θが大きすぎると、ＭＲ膜２３にトラッ
ク部２８と積層膜２７上に形成された部分との段差に基
く磁化の不連続が発生し易くなって、ノイズが大きくな
るおそれが生じる。積層膜２７のトラック部側側壁部
は、多段に形成された角度を有していてもよい。具体的
には、良導体膜２５のトラック部側側壁部の角度を20〜
30°とし、磁界付与膜２４のトラック部側側壁部の角度
を10〜20°とするような構成である。

【００３０】なお、良導体膜２５には MoW合金膜等を適
用することもできる。また、磁界付与膜２４は反強磁性
膜により構成することも可能である。さらにこのとき、
磁界付与膜２４と良導体膜２５との界面にアモルファス
膜を介在させることで、磁界付与膜２４の特性を向上さ
せることができる。例えばこの実施形態のCo₈₀Pt₂₀膜の
場合、良導体膜２５としてのCu膜との間に、厚さ 2nm程
度のCoZrNb系アモルファス膜を介在させることでCo₈₀Pt
₂₀膜の結晶性が向上する。この結晶性の向上に伴ってCo
₈₀Pt₂₀膜は保磁力が上昇し、磁界付与膜２４としての特
性が向上する。ＭＲ膜２３は、上記した積層膜２７上お
よび積層膜２７のトラック部側側壁部の間に形成されて
いる。積層膜２７のトラック部側側壁部間に位置するＭ
Ｒ膜２３のストライプ部分は磁界応答部、すなわちトラ
ック部２８を構成している。本発明で用いられるＭＲ膜
２３としては、例えば電流の方向と磁性層の磁化モーメ
ントの成す角度に依存して電気抵抗が変化するNi₈₀Fe₂₀
等からなる異方性磁気抵抗効果膜、あるいは強磁性膜と
非磁性中間膜との多層膜を有し、巨大磁気抵抗効果（Ｇ
ＭＲ）を示すスピンバルブ膜や人工格子膜が挙げられ
る。

【００３１】図１に示したＭＲ素子部２６において、ト
ラック部２８はＭＲ膜２３単層により構成されている。
そして、トラック部２８以外の受動領域は、良導体膜２
５、磁界付与膜２４およびＭＲ膜２３が順に積層された
積層構造部２９により構成されている。ＭＲ膜２３のト
ラック部２８と積層膜２７上に形成された部分との間に
は、積層膜２７のトラック部側側壁部に付与された角度
に応じて、積層膜２７のトラック部側側壁部を被覆する
テーパー部２３ａが設けられている。さらに、このＭＲ
素子部２６においては、媒体対向面に対して後方に位置
する部分の積層構造部２９が一対のリード３０、３０と
して機能する。

【００３２】次に、上記第１の実施形態によるＭＲヘッ
ドの製造工程について、図２を参照して述べる。なお図
２は、パターニング後の積層膜２７、次工程で成膜され
るＭＲ膜２３、およびそのミリング用マスク３１を示し
ている。

【００３３】まず、基板２１上に設けられた下地膜２２
上に、良導体膜２５として例えば膜厚 100nmのCu膜と、
バイアス磁界を付与する磁界付与膜２４として例えば膜
厚40nmのCo₈₀Pt₂₀膜を連続して成膜して、積層膜２７を
形成する。次いで、この積層膜２７を前述したリード形
状に、例えばイオンミリングによりパターニングする。
この際、イオンビームを垂直から60°程度の範囲で斜め
に入射させる。積層膜２７のトラック部側側壁部を、角
度θが20〜30°程度となるようにテーパー加工する。な
お、磁界付与膜２４としてのCo₈₀Pt₂₀膜は、10〜20°程
度のテーパー角となる。このパターニング工程が第１の
ＰＥＰ工程となる。また、積層膜２７のトラック部側側
壁部の角度は、423K以上の比較的高温ベークにより予め
レジストに角度を形成しておくことによっても付与する
ことができる。この第１の工程においては、下地膜２２
上に設けられた積層膜２７をイオンミリングによりパタ
ーニングしている。従って、基板全体を均一にミリング
することができる。

【００３４】次に、図２に示すように、上記パターニン
グした積層膜２７上に、例えば厚さ30nm程度のNi₈₀Fe₂₀
合金膜等からなるＭＲ膜２３を、例えばスパッタ法によ
り成膜する。次いで、このＭＲ膜２３をパターニングす
る。このＭＲ膜２３のパターニングに用いるマスク３１
は、図２に示したように、左右のリード３０、３０をト
ラック部２８で繋いだような形状を有するものである。
すなわち、ＭＲ膜２３をリード形状およびトラック部２
８形状に応じてパターニングする。ただし、ＭＲ膜２３
は積層膜２７よりも小さくパターニングされていてもよ
い。このパターニング工程が第２のＰＥＰ工程となる。
上記したような形状のマスク３１を用いることで、過剰
なイオンミリングにより磁界付与膜２４や良導体膜２５
が削られることがない。従って、基板全体を均一にミリ
ングした上で、ＭＲ素子部２６を高精度に形成すること
ができる。

【００３５】上述した第１の実施形態のＭＲヘッドにお
いては、リード３０、３０部分でCo₈₀Pt₂₀膜等からなる
磁界付与膜２４とＭＲ膜２３とが直接接触することで交
換結合している。磁界付与膜２４は、ＭＲ膜２３へのバ
イアス膜として機能する。すなわち、ＭＲ膜２３のトラ
ック部２８が単磁区化されると同時に、トラック部２８
以外の部分のＭＲ膜２３は磁化回転が抑制される。トラ
ック部２８以外の部分のＭＲ膜２３の磁化は、バイアス
用磁界付与膜２４により固着されている。従って、外部
から磁界が深く侵入してきても、トラック部２８以外の
部分においては信号として検出されない。また、ＭＲ膜
２３のトラック部２８と積層膜２７上に形成された部分
との間には、テーパー部２３ａが設けられている。この
テーパー部２３ａにより、ＭＲ膜２３のトラック部２８
と積層膜２７上に形成された部分との段差に基く磁化の
不連続が緩和される。このため、ノイズの発生が抑制さ
れる。

【００３６】第１の実施形態によるＭＲ素子部２６の構
造およびその製造工程においては、リード３０、３０部
分を良導体膜２５、磁界付与膜２４およびＭＲ膜２３の
順に積層して構成している。そして、良導体膜２５と磁
界付与膜２４との積層膜２７を予めイオンミリングによ
りリード形状にパターニングしている。このため、積層
膜２７のパターニング工程を、基板全体を均一にミリン
グすることで実施できる。さらに、ＭＲ膜２３のパター
ニング工程についても、ＭＲ膜２３をリード形状および
トラック部２８形状に応じてパターニングしているた
め、基板全体を均一にミリングすることで実施できる。

【００３７】従って、ＭＲ素子部２６を 2回のパターニ
ング工程すなわちＰＥＰ工程で、かつ全工程をイオンミ
リングで基板全体を均一にミリングして形成することが
できる。これによって、オーバーエッチによるＭＲ膜２
３特にトラック部２８の形状不良やそれによる歩留りの
低下を防止することが可能となる。さらに、製造工程の
簡略化および製造コストの低減が達成できる。加えて、
パターンエッジにバリが発生するようなこともないた
め、狭ギャップへの対応が可能なシールドタイプのＭＲ
ヘッドを良好に作製することが可能となる。

【００３８】なお、シールドタイプのＭＲヘッドは、以
下のようにして構成することができる。まず、例えば下
地膜２２を下側ギャップ形成用絶縁膜とする。この下側
ギャップ形成用絶縁膜と基板２１との間に軟磁性体から
なる下側シールド層を形成する。また、ＭＲ素子部２６
上に上側ギャップ形成用絶縁膜を介して軟磁性体からな
る上側シールド層を形成する。

【００３９】また、上述した実施形態の製造方法は、積
層膜２７やＭＲ膜２３のパターニングをイオンミリング
で行った例である。本発明のＭＲヘッドの製造にはこれ
に限らず、他の物理的パターニング法、リアクティブイ
オンエッチング（ＲＩＥ）法やケミカルドライエッチン
グ（ＣＤＥ）等の化学的反応によるパターニング法、さ
らにはリフトオフ法等を適用することも可能である。こ
れら他のパターニング法においても、製造工程の簡略化
や製造コストの低減を図ることができる。ただし、パタ
ーン精度を確保したり、パターンエッジのバリ発生を防
止する上で、リフトオフ法以外のパターニング法を適用
することが好ましい。

【００４０】図３は、上記第１の実施例のＭＲヘッドの
ＭＲ膜に、ＧＭＲ多層膜３２を適用した一構成例を示す
ものであり、その要部を媒体対向面から見た断面図であ
る。ＧＭＲ多層膜３２は、例えば膜厚10nmのCo₈₆Zr₆Nb
₈アモルファス膜からなる軟磁性膜３３、膜厚 4nmのCo
₉₀Fe₁₀合金膜からなる第１の強磁性膜３４、膜厚 3nmの
Cu膜からなる非磁性中間膜３５、膜厚 3nmのCo₉₀Fe₁₀合
金膜からなる第２の強磁性膜３６および膜厚10nmのFeMn
合金膜からなる反強磁性膜３７が順に積層されて構成さ
れている。なお、反強磁性膜３７上には保護膜３８とし
て膜厚10nmのTi膜が形成されている。

【００４１】上記ＧＭＲ多層膜３２においては、非磁性
中間膜３５を介して配置された第１および第２の強磁性
膜３４、３６がいわゆるスピンバルブ膜を構成してい
る。上側の第２の強磁性膜３６は、反強磁性膜３７によ
り磁化固着されている。一方、下側の第１の強磁性膜３
４および軟磁性膜３３は、外部磁界（信号磁界）により
磁化が回転する。このため、第１および第２の強磁性膜
３４、３６の磁化の成す角度に依存して電気抵抗が変化
し、いわゆるスピンバルブ効果が得られる。

【００４２】上述したＧＭＲ多層膜３２を用いたＭＲヘ
ッドは、前述したＭＲヘッドの製造工程と同様にして作
製される。すなわち、良導体膜２５と磁界付与膜２４と
の積層膜２７をパターニングした後、ＧＭＲ多層膜３２
を構成する各層３３、３４、３５、３６、３７および保
護膜３８を順に、例えばスパッタ法で成膜する。次い
で、この多層構造膜を左右のリードをトラック部２８で
繋いだような形状のマスクを用いてパターニングする。
これら 2回のパターニング工程によって、ＧＭＲ多層膜
３２を用いたＭＲヘッドを作製することができる。

【００４３】上述したようなＧＭＲ多層膜３２を用いた
ＭＲヘッドにおいては、リード形状にパターニングされ
た良導体膜２５と磁界付与膜２４との積層膜２７と、そ
の上に存在するＧＭＲ多層膜３２とがリードとして機能
する。トラック部２８側側壁部がテーパー状に形成され
た積層膜２７中の硬磁性膜等からなる磁界付与膜２４
は、CoZrNbアモルファス膜等からなる軟磁性膜３３と直
接接触することで交換結合する。従って、磁界付与膜２
４はバイアス磁界付与膜として機能する。これと同時
に、トラック部２８以外の部分の第１の強磁性膜３４お
よび軟磁性膜３３の磁化回転を抑制する。従って、外部
から磁界が深く侵入してきても、トラック部２８以外の
部分のＧＭＲ多層膜３２においては、外部磁界が信号と
して検出されることはない。

【００４４】従来のリード（良導体膜）がＭＲ膜上（基
板と逆側）にあるＧＭＲ多層膜を用いたＭＲヘッドにお
いては、ＭＲ素子部中の各層の厚さが薄いために、特に
オーバーミリング等を考慮する必要がある。これに対し
て、図３に示したＧＭＲ多層膜３２を用いたＭＲヘッド
では、基板全体を均一にミリングして、ＭＲ素子部２６
を形成することができる。従って、形状精度や歩留りが
大幅に向上する。さらに、スピンバルブ膜中の一方の磁
性膜の磁区を固定するFeMn膜等の反強磁性膜３７は、結
晶性等の点から磁性膜上に形成することが好ましい。こ
のため、通常上側の第２の強磁性膜３６上に形成され
る。外部磁界（信号磁界）は、下側の第１の強磁性膜３
４の磁化を回転させることになる。従って、ＧＭＲ多層
膜３２の下側に磁界付与膜２４を形成することによっ
て、形状精度や歩留りを大幅に向上させた上で、磁化回
転する第１の強磁性膜３４に良好にバイアス磁界を付与
することができる。

【００４５】なお、上述した実施形態においては、磁界
付与膜２４と接する膜としてCoZrNb系アモルファス膜か
らなる軟磁性膜３３を用いたが、これ以外の軟磁性体膜
３３でも同様に機能する。また軟磁性膜３３がなく、直
接第１の強磁性膜３４と磁界付与膜２４が接する構造と
した場合においても同様な機能が得られる。

【００４６】次に、本発明の第２の実施形態について図
４および図５を参照して説明する。なお、図４は第２の
実施形態によるＭＲヘッドの要部構成を示す斜視図であ
る。図５は第２の実施形態のＭＲヘッドにＭＲ膜として
ＧＭＲ多層膜３２を適用した一構成例を示すものであっ
て、その要部を媒体対向面から見た断面図である。

【００４７】図４および図５に示すように、第２の実施
形態のＭＲヘッドにおけるＭＲ素子部２６は、Cu膜等の
良導体膜２５の下側にも磁界付与膜３９が設けられてい
る。すなわち、磁界付与膜３９、良導体膜２５および磁
界付与膜２４による積層膜４０がリード形状にパターニ
ングされている。そしてこの積層膜４０上および積層膜
４０のトラック部２８側側壁部間にＭＲ膜２３が形成さ
れている。言い換えると、ＭＲ素子部２６のトラック部
２８以外の受動領域は、磁界付与膜３９、良導体膜２
５、磁界付与膜２４およびＭＲ膜２３が順に積層された
積層構造部４１を有している。この積層構造部４１の後
方側が一対のリード３０、３０として機能する。なお、
これら以外の構成は、前述した第１の実施形態と同一構
造とされており、同一部分には同一符号を付して説明を
省略する。

【００４８】ここで、前述した第１の実施形態のＭＲヘ
ッド、特にＧＭＲ多層膜３２を用いたＭＲヘッドでは、
トラック部２８から積層膜２７上へとＧＭＲ多層膜３２
が伸びている。このため、ＧＭＲ多層膜３２には磁化の
不連続が発生するおそれがある。特に、トラック部２８
において、磁化固着されていない軟磁性膜３３は、積層
膜２７のテーパー形状によってはトラック部２８の両端
から磁区が発生する可能性がある。これはバルクハウゼ
ンノイズの原因となる。

【００４９】第２の実施形態では、図４および図５に示
したように、良導体膜２５の下側に例えば膜厚15nmのCo
₈₀Pt₂₀(at.%)膜からなる磁界付与膜３９を形成してい
る。さらに、良導体膜２５の上側にも例えば膜厚30nmの
Co₈₀Pt₂₀(at.%)膜からなる磁界付与膜２４を形成してい
る。このため、ＧＭＲ多層膜３２の最下層の軟磁性膜３
３は、トラック部２８の両端で磁界付与膜３９と直接的
に接触する。従って、ＧＭＲ多層膜３２の折れ曲りによ
る磁化の不連続は、トラック部２８の両端で接触する磁
界付与膜３９により緩和されて、トラックエッジからの
磁区の発生が抑制される。

【００５０】なお、ＧＭＲ多層膜３２に代えてＡＭＲ膜
を用いる場合においても、下側の磁界付与膜３９はＡＭ
Ｒ膜の単磁区化に寄与し、かつ上側の磁界付与膜２４は
トラック部２８以外のＡＭＲ膜の磁化固着に寄与する。
このため、ノイズ発生の抑制等に効果を示す。さらに、
第２の実施形態においても第１の実施形態の場合と同様
に、磁界付与膜２４と良導体膜２５との間にアモルファ
ス膜を介在させることで、磁界付与膜２４の特性を向上
させることができる。

【００５１】上述した第２の実施形態のＭＲヘッドは、
例えば前述した第１の実施形態のＭＲヘッドの製造工程
と同様にして作製することができる。すなわち、磁界付
与膜３９、良導体膜２５および磁界付与膜２４を順に成
膜して積層膜４０を形成し、この積層膜４０をリード形
状に例えばイオンミリングでパターニングする。例え
ば、Cu膜とCoPt膜とでは、CoPt膜がより低テーパー角と
なる。そして、このパターニングした積層膜４０上にＭ
Ｒ膜２３（例えばＧＭＲ多層膜３２）を成膜し、このＭ
Ｒ膜２３を左右のリードをトラック部２８で繋いだよう
な形状のマスクを用いてパターニングする。これら 2回
のパターニング工程によって、ＭＲヘッドを高パターン
精度で作製することができ、かつ高歩留りが達成でき
る。また、パターンエッジにバリが発生すること等を防
止することができる。

【００５２】第２の実施形態のＭＲヘッド構造は、図６
および図７に示す製造工程によっても作製することがで
きる。図６および図７は、第２の実施形態のＭＲヘッド
構造をシールドタイプのＭＲヘッドに適用した例を示し
ている。

【００５３】すなわち、まず図６（ａ）に示すように、
表面にアルミナ膜を有するアルチック（Al₂O ₃・TiC)
基板等からなる基板２１上に、下側シールド層４２とし
て膜厚 1μm 程度のCoZrNb系アモルファス軟磁性膜、お
よび下側ギャップ形成用絶縁膜として機能する下地膜２
２を順に形成する。下地膜２２は、例えば膜厚 100nmの
アルミナ膜からなる。次いで、下地膜２２上に磁界付与
膜３９、良導体膜２５および磁界付与膜２４を順に成膜
して積層膜４０を形成する。具体的には、例えば下地膜
２２上に、膜厚40nmのCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜／膜厚 100nmの
Mo₇₀ W₃₀(at.%)膜／膜厚40nmのCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜からな
る積層膜４０を形成する。この積層膜４０上にリード形
状に応じたレジスト４３を形成する。

【００５４】次に、図６（ｂ）に示すように、リード形
状のレジスト４３をマスクとして、イオンミリングによ
りCoPt膜等からなる上側の磁界付与膜２４をパターニン
グする。次いで、図６（ｃ）に示すように、CF₄と O₂
との混合ガス等を用いて、MoW合金膜等からなる良導体
膜２５をケミカルドライエッチング（ＣＤＥ）によりパ
ターニングする。この際、レジスト４３も後退するよう
な O₂／CF₄比（例えば O₂／CF₄=3）を選択する。Ｃ
ＤＥの条件は、CoPt膜等からなる磁界付与膜２４、３９
がエッチングされない条件とする。このようなＣＤＥに
よって、上側の磁界付与膜２４を挟んで、その上下に位
置するレジスト４３と良導体膜２５とが後退する。この
際良導体膜２５は、下側の磁界付与膜３９のトラック側
端部の上面が例えば 0.2μm 程度露出するようにパター
ニングする。

【００５５】次に、図７（ａ）に示すように、上側の磁
界付与膜２４をマスクとして利用して、イオンミリング
によりCoPt膜等からなる下側の磁界付与膜３９をパター
ニングする。この際、トラック部２８に相当する部分
は、下側の磁界付与膜３９が除去され、それ以外の部分
については上側の磁界付与膜２４が除去される。従っ
て、レジスト４３を用いて形成した上側の磁界付与膜２
４の形状、すなわちトラック部形状が下側の磁界付与膜
３９に転写される。レジスト４３を除去することによっ
て、リード形状にパターニングされた積層膜４０が得ら
れる。

【００５６】この後、図７（ｂ）に示すように、上記パ
ターニングした積層膜４０上に、ＭＲ膜２３（例えばＧ
ＭＲ多層膜３２）を成膜する。このＭＲ膜２３を左右の
リードをトラック部２８で繋いだような形状のマスクを
用いて、イオンミリングによりパターニングする。さら
に、図７（ｃ）に示すように、パターニングしたＭＲ膜
２３上に、上側ギャップ形成用絶縁膜４４として膜厚 1
00nmのアルミナ膜、および上側シールド層４５として膜
厚 1μm 程度のCoZrNb系アモルファス軟磁性膜を形成す
ることによって、シールド型ＭＲヘッドが完成する。

【００５７】上述したような製造方法を適用することに
よって、ＭＲ膜２３は露出された下側の磁界付与膜３９
のトラック側端部上面と直接接触する。下側の磁界付与
膜３９の露出表面は、その厚さより十分に大きい。従っ
て、下側の磁界付与膜３９でＭＲ膜２３のトラック部２
８の両端外側に確実に交換結合を付与することが可能と
なる。すなわち、トラック部２８の幅をより正確に規定
することができる。

【００５８】さらに、ＣＤＥを適用することによって、
良導体膜２５のトラック側側壁部をよりなだらかに加工
することができる。これは、リードと上側シールド層４
５との間の絶縁を確実にする。また、トラック部の幅
は、上記条件のＣＤＥではエッチングされない下側の磁
界付与膜３９のエッジ部分で決まる。従って、トラック
幅についても良好な制御性が得られる。

【００５９】なお、下側ギャップ形成用絶縁膜２２と下
側の磁界付与膜３９との間に、厚さ5nm程度のTi膜等を
下地膜として形成することによって、付着強度の向上を
図ることができる。

【００６０】図８は、第２の実施形態のＭＲヘッドの変
形例を示す図である。図８に示すＭＲ素子部２６におい
ては、リード部に対応する積層膜４６が第１の磁界付与
膜３９、第１の良導体膜４７、第２の磁界付与膜４８、
第２の良導体膜４９および第３の磁界付与膜２４により
構成されている。積層膜４６の具体的な構成は、例えば
膜厚20nmのCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜３９／膜厚40nmのCu膜４７
／膜厚20nmのCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜４８／膜厚40nmのCu膜４
９／膜厚20nmのCo₈₀Pt₂₀(at.%)膜２４である。すなわ
ち、積層膜４６は図５に示した第２の実施形態のＭＲヘ
ッドにおいて、良導体膜２５の中間にさらに磁界付与膜
４８を設けた構造を有している。

【００６１】上述したような積層膜４６を用いることに
よって、ＧＭＲ多層膜３２のテーパー部３２ａの磁化固
着をより確実に行うことができる。なお、ここでは 3層
の磁界付与膜を用いた例について説明したが、磁界付与
膜をさらに増やした多層構造の積層膜を使用することも
できる。

【００６２】次に、上述したような本発明のＭＲヘッド
を磁気記録再生ヘッドに組み込んだ実施形態について、
図９を参照して説明する。

【００６３】図９において、２１はAl₂O ₃付きAl₂O
₃・TiC 基板等からなる基板である。この基板２１上に
は、NiFe合金やCoZrNbアモルファス合金等の軟磁性材料
からなる下側シールド層４２が形成されている。下側シ
ールド層４２上には、Al₂O₃等の絶縁膜からなる下側
再生磁気ギャップ膜２２を介して、例えば図４や図５に
示したＭＲ素子部２６が形成されている。図９には図４
や図５に示したＭＲ素子部２６を示したが、図１や図３
に示したＭＲ素子部２６、あるいは図８に示したＭＲ素
子部２６が適用できることは言うまでもない。

【００６４】ＭＲ素子部２６上には、Al₂O ₃等の絶縁
膜からなる上側再生磁気ギャップ膜４４が形成されてい
る。さらにその上には、下側シールド層４２と同様な軟
磁性材料からなる上側シールド層４５が形成されてい
る。これらにより、再生ヘッドとして機能するシールド
型ＭＲヘッド５０が構成されている。

【００６５】このシールド型ＭＲヘッド５０からなる再
生ヘッド上には、誘導型薄膜磁気ヘッド５１からなる記
録ヘッドが形成されている。シールド型ＭＲヘッド５０
の上側シールド層４５は、誘導型薄膜磁気ヘッド５１の
下側磁気コアを兼ねるものである。この下側磁気コア４
５上には、Al₂O ₃等の記録磁気ギャップ膜５２を介し
て、上側磁気コア５３が形成されている。これらによっ
て、誘導型薄膜磁気ヘッド５１が構成されている。そし
て、この誘導型薄膜磁気ヘッド５１からなる記録ヘッド
と、上述したシールド型ＭＲヘッド５０からなる再生ヘ
ッドとによって、磁気記録再生ヘッド５４が構成されて
いる。

【００６６】このような磁気記録再生ヘッド５４におい
ては、再生ヘッドとして機能するシールド型ＭＲヘッド
５０が形状精度に優れ、良好な再生特性が得られること
から、記録・再生特性の向上を図ることができる。さら
に、リード部分のエッジ部にバリ等が生じることもない
ため、線分解能を向上させるために上側再生磁気ギャッ
プ層４４の厚さを薄くした場合においても、絶縁不良等
を招くことがない。すなわち、磁気記録再生ヘッド５４
は、高記録密度システムに対して十分に対応することが
できる。

【００６７】次に、本発明の他のＭＲヘッドの実施形態
について、図１０および図１１を参照して説明する。な
お、図１０はこの実施形態のＭＲヘッドの要部を媒体対
向面から見た断面図であり、図１１はその要部平面図で
ある。

【００６８】これらの図に示すように、Al₂O ₃付きAl
₂O ₃・TiC 基板等からなる基板６１上には、NiFe合金
やCoZrNbアモルファス合金等の軟磁性材料からなる下側
シールド層６２が形成されている。下側シールド層６２
上には、厚さ 100nm程度のAl₂O ₃膜等からなる下側ギ
ャップ膜６３を介して、ＭＲ素子部６４が形成されてい
る。ＭＲ素子部６４は、ＭＲ膜６５と、このＭＲ膜６５
にバイアス磁界を付与する磁界付与膜６６と、ＭＲ膜６
５に電流を供給するリード膜として機能する良導体膜６
７とを有する。

【００６９】ＭＲ素子部６４の具体的な構成としては、
まず下側ギャップ膜６３上にＭＲ膜６５にバイアス磁界
を付与する磁界付与膜６６として、例えば膜厚20nmのCo
₈₀Pt₂₀(at.%)膜等の硬磁性膜が形成されている。磁界付
与膜６６には導電性を有する硬磁性膜や反強磁性膜等が
用いられる。この磁界付与膜６６は、ＭＲ膜６５の磁界
応答部、すなわちトラック部６８の幅を規定するように
パターニングされている。すなわち、磁界付与膜６６は
媒体対向面側に所定の間隙を有するリード形状にパター
ニングされている。

【００７０】これら磁界付与膜６６上には、それぞれ磁
界付与膜６６のトラック部６８側端部の上面が例えば
0.2μm 程度露出するように、膜厚 100nmのMo₇₀ W₃₀(a
t.%)膜等からなる良導体膜６７が積層形成されている。
これら磁界付与膜６６と良導体膜６７とは積層膜６９を
構成しており、これら積層膜６９が一対のリード７０、
７０として機能する。

【００７１】ＭＲ膜６５は、露出された磁界付与膜６６
の端部上面と重なるように、磁界付与膜６６のトラック
部６８側の端部間に形成されている。すなわち、ＭＲ膜
６５は、露出された磁界付与膜６６の端部上面と重なっ
た部分を除いて、能動領域のみに形成されている。ＭＲ
膜６５には、ＭＲ膜６５が重なって形成された磁界付与
膜６６からバイアス磁界が付与される。さらに、この磁
界付与膜６６を介して良導体膜６７からＭＲ膜６５に電
流が供給される。ＭＲ膜６５には、前述した各実施形態
と同様な異方性磁気抵抗効果膜やＧＭＲ多層膜が用いら
れる。

【００７２】上述したようなＭＲ素子部６４上には、厚
さ 100nm程度のAl₂O ₃膜等からなる上側ギャップ膜７
１を介して、下側シールド層６２と同様な軟磁性材料か
らなる上側シールド層７２が形成されている。これらに
よって、シールド型ＭＲヘッド７３が構成されている。

【００７３】次に、上記実施形態のシールド型ＭＲヘッ
ド７３の製造工程について、図１２、図１３および図１
４を参照して述べる。

【００７４】まず、図１２（ａ）に示すように、表面に
アルミナ膜を有するアルチック（Al₂O ₃・TiC)基板等
からなる基板６１上に、下側シールド層６２と下側ギャ
ップ膜６３を順に形成する。次いで、下側ギャップ膜６
３上に磁界付与膜６６および良導体膜６７を順に成膜し
て積層膜６９を形成する。この積層膜６９上にリード形
状およびトラック部６８の形状に応じたレジスト７４を
形成する。

【００７５】次に、図１２（ｂ）に示すように、CF₄と
O₂との混合ガス等を用いて、レジスト７４をマスクと
して MoW合金膜等からなる良導体膜６７をケミカルドラ
イエッチング（ＣＤＥ）する。この際、レジスト７４は
後退せず、良導体膜６７のみが後退するような O₂／CF
₄比（例えば O₂／CF₄=1）を選択する。ＣＤＥの条件
は、CoPt膜等からなる磁界付与膜６６がエッチングされ
ない条件とする。このようなＣＤＥによって、レジスト
７４はトラック部６８の形状を保持したまま、その下の
良導体膜６７のみがパターニングされる。この際良導体
膜６７は、磁界付与膜６６のトラック側端部の上面が例
えば 0.2μm 程度露出するようにパターニングする。

【００７６】次に、図１２（ｃ）に示すように、レジス
ト７４をマスクとして、イオンミリングによりCoPt膜等
からなる磁界付与膜６６をパターニングする。このイオ
ンミリングによって、トラック部６８に相当する部分が
形成される。レジスト７３はそのままで、図１３（ａ）
に示すようにＭＲ膜６５を成膜する。この際、ＭＲ膜６
５は回り込みによって、露出された磁界付与膜６６の端
部上面と一部が重なって形成される。

【００７７】この後、図１４に示すように、ＭＲ膜６５
のデプスエンドラインに対応させたレジスト７５を形成
し、このレジスト７５をマスクとしてＭＲ膜６５のデプ
スエンドとなる部分をイオンミリングで除去する。図１
３（ｂ）に示すように、レジスト７４、７５を除去する
ことによって、ほぼトラック部６８のみにＭＲ膜６５を
形成することができる。これによってＭＲ素子部６４が
完成する。そして、ＭＲ素子部６４上に上側ギャップ膜
７１および上側シールド層７２を順に形成することによ
って、図１０および図１１に示したようにシールド型Ｍ
Ｒヘッド７３が完成する。

【００７８】上述した実施形態のシールド型ＭＲヘッド
７３においては、ほぼトラック部（能動領域）６８のみ
にＭＲ膜６５を形成することで、受動領域での磁化固着
不良等の発生を抑制することが可能となる。これはノイ
ズ発生の抑制に大きな効果を示す。ＭＲ膜６５へのバイ
アス磁界は、ＭＲ膜６５を重ねて形成した磁界付与膜６
６から良好に付与することができる。また、ＭＲ膜６５
への電流供給も磁界付与膜６５を介して良好に行われ
る。これは、トラック部分にのみＭＲ膜が存在するアバ
ットジャンクションタイプと比較して、ＭＲ膜６５への
バイアス磁界の付与および電流供給共に良好となる。さ
らに、磁界付与膜６６は平面上に形成されているため、
十分な特性が得られる。

【００７９】リード形状およびトラック部６８形状は、
ＭＲ膜６５を成膜する前に、通常のＰＥＰ工程 1回で形
成することができる。従って、形状精度と歩留りの向上
を図ることができる。また、ＭＲ膜６５のデプスエンド
を決定した後のレジスト７４、７５の除去工程は、不要
なＭＲ膜６５が除去されているために、基本的にレジス
トのみの除去となる。従って、リフトオフ特有のリムー
ブされた物質が溶解液中で再付着して引起こす絶縁不良
を生じることがない。リード形状は予め設定されてお
り、その上にレジスト７４を介してＭＲ膜６５を形成し
ているため、ＭＲ膜６５がレジスト７４の裏側に回り込
まない限り、原理的にバリが発生することはありえな
い。これは上側シールド層７２との絶縁に大きな効果を
発揮し、狭ギャップへの対応が可能なシールドタイプの
ＭＲヘッドを良好に作製することが可能となる。

【００８０】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
パターンエッジにバリ等を発生させることなく、形状精
度に優れた磁気抵抗効果型ヘッドを高歩留りで提供する
ことが可能となる。また、本発明の磁気記録再生ヘッド
によれば、高記録密度システムへの対応が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態による磁気抵抗効果
ヘッドの要部を示す斜視図である。

【図２】図１に示す磁気抵抗効果ヘッドの製造工程の
要部を示す斜視図である。

【図３】図１に示す磁気抵抗効果ヘッドにＧＭＲ膜を
適用した一構成例を示す断面図である。

【図４】本発明の第２の実施形態による磁気抵抗効果
ヘッドの要部を示す斜視図である。

【図５】図４に示す磁気抵抗効果ヘッドにＧＭＲ膜を
適用した一構成例を示す断面図である。

【図６】図４に示す磁気抵抗効果ヘッドの他の製造工
程の前半部を示す断面図である。

【図７】図４に示す磁気抵抗効果ヘッドの他の製造工
程の図６以降の後半部を示す断面図である。

【図８】図５に示す磁気抵抗効果ヘッドの変形例を示
す断面図である。

【図９】本発明の一実施形態による磁気記録再生ヘッ
ドの構成を示す断面図である。

【図１０】本発明の他の磁気抵抗効果ヘッドの実施形
態の要部を示す断面図である。

【図１１】図１０に示す磁気抵抗効果ヘッドの要部平
面図である。

【図１２】図１０に示す磁気抵抗効果ヘッドの製造工
程の前半部を示す断面図である。

【図１３】図１０に示す磁気抵抗効果ヘッドの製造工
程の図１２以降の後半部を示す断面図である。

【図１４】図１０に示す磁気抵抗効果ヘッドの製造工
程の一工程を示す斜視図である。

【図１５】従来のＡＭＲ膜を用いた磁気抵抗効果ヘッ
ドの要部を示す断面図である。

【図１６】従来のスピンバルブ膜を用いた磁気抵抗効
果ヘッドの要部を示す断面図である。

【図１７】磁化直交バイアスによるスピンバルブ膜を
用いたＧＭＲヘッドの抵抗変化曲線を示す特性図であ
る。

【符号の説明】

２３、６５……ＭＲ膜２４、３９、４８、６６……磁界付与膜２５、４７、４９、６７……良導体膜２６……ＭＲ素子部２８、６８……トラック部３２……ＧＭＲ多層膜３４、３６……強磁性膜３５……非磁性中間膜５０、７３……シールド型ＭＲヘッド５１……誘導型薄膜磁気ヘッド５４……磁気記録再生ヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】一対の電極と、前記一対の電極から電流が供給され、前記一対の電極間
に位置する部分が磁界応答部となる磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜と前記一対の電極との間にそれぞれ
介在され、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を付与す
る磁界付与膜とを有する磁気抵抗効果素子部を具備する
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項２】請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記電極、磁界付与膜および磁気抵抗効果膜は、この順
で基板側から順に積層形成されていることを特徴とする
磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項３】請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記磁気抵抗効果素子部は、磁気ギャップ形成用絶縁膜
を介して設けられた下側シールド層と、他の磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜を介して設けられた上側シールド層との
間に配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。
【請求項４】請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記磁気抵抗効果膜は、一対の強磁性膜と、前記一対の
強磁性膜間に介在された非磁性中間膜とを含む多層膜を
有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項５】請求項１記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記電極と磁界付与膜との積層膜は、前記磁界応答部側
の側壁部がテーパー加工されており、かつ前記磁気抵抗
効果膜は、前記積層膜上と前記磁界応答部との間に、前
記積層膜の前記磁界応答部側の側壁部を被覆するテーパ
ー部を有することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項６】請求項２記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記磁気抵抗効果素子部は、さらに前記電極の下側に設
けられた磁界付与膜を有することを特徴とする磁気抵抗
効果ヘッド。
【請求項７】請求項６記載の磁気抵抗効果ヘッドにお
いて、前記下側の磁界付与膜は、前記磁界応答部側の端部表面
が露出されており、前記磁気抵抗効果膜は、前記磁界付
与膜の露出された前記端部表面と接するように形成され
ていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項８】磁界応答部を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を付与する磁界付与
膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する良導体膜とを有す
る磁気抵抗効果素子部を具備する磁気抵抗効果ヘッドで
あって、前記磁気抵抗効果素子部は、前記磁界応答部以外の部分
に、少なくとも前記良導体膜、前記磁界付与膜および前
記磁気抵抗効果膜の順に積層形成された積層構造部を有
することを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。
【請求項９】磁界応答部を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜にバイアス磁界を付与し、かつ導電
性を有する磁界付与膜と、前記磁気抵抗効果膜に電流を供給する良導体膜とを有す
る磁気抵抗効果素子部を具備する磁気抵抗効果ヘッドで
あって、前記磁気抵抗効果素子部は、前記磁界付与膜および良導
体膜の順に積層形成され、かつ前記磁界付与膜の前記磁
界応答部側の端部表面が露出された積層膜を有し、前記
磁気抵抗効果膜は、前記磁界付与膜の露出された前記端
部表面と重なるように、前記磁界付与膜の前記磁界応答
部側の端部間に形成されていることを特徴とする磁気抵
抗効果ヘッド。
【請求項１０】請求項９記載の磁気抵抗効果ヘッドに
おいて、前記磁気抵抗効果素子部は、磁気ギャップ形成用絶縁膜
を介して設けられた下側シールド層と、他の磁気ギャッ
プ形成用絶縁膜を介して設けられた上側シールド層との
間に配置されていることを特徴とする磁気抵抗効果ヘッ
ド。
【請求項１１】請求項３記載の磁気抵抗効果ヘッドを
有する再生ヘッドと、磁気ギャップを介して配置された
下側磁気コアおよび上側磁気コアを有し、前記下側磁気
コアが前記磁気抵抗効果ヘッドの上側シールド層と共通
の磁性体層により構成された誘導型磁気ヘッドを有する
記録ヘッドとを具備することを特徴とする磁気記録再生
ヘッド。
【請求項１２】請求項１０記載の磁気抵抗効果ヘッド
を有する再生ヘッドと、磁気ギャップを介して配置された下側磁気コアおよび上
側磁気コアを有し、前記下側磁気コアが前記磁気抵抗効
果ヘッドの上側シールド層と共通の磁性体層により構成
された誘導型磁気ヘッドを有する記録ヘッドとを具備す
ることを特徴とする磁気記録再生ヘッド。
【請求項１３】請求項１１または請求項１２記載の磁
気記録再生ヘッドにおいて、前記磁気抵抗効果膜は、一対の強磁性膜と、前記一対の
強磁性膜間に介在された非磁性中間膜とを含む多層膜を
有することを特徴とする磁気記録再生ヘッド。