JPH09161230A - 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法Info
- Publication number
- JPH09161230A JPH09161230A JP31517595A JP31517595A JPH09161230A JP H09161230 A JPH09161230 A JP H09161230A JP 31517595 A JP31517595 A JP 31517595A JP 31517595 A JP31517595 A JP 31517595A JP H09161230 A JPH09161230 A JP H09161230A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- magnetoresistive
- soft magnetic
- magnetic
- magnetoresistive effect
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 軟磁性膜の磁化が不安定となり、バルクハウ
ゼンジャンプノイズが発生したり、磁気抵抗効果膜と強
磁性膜との境界面の不整合により生じる接触抵抗によっ
て発熱が生じてしまう虞れがある。 【解決手段】 軟磁性膜３及び非磁性スペーサ膜４を磁
気抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる領域にパターン化し、
さらにその両端部をテーパ形状に加工し、それらにオー
バーレイするように磁気抵抗効果膜５を軟磁性膜３のテ
ーパ加工部との境界面において磁気的な連続性を有して
成膜し、磁気抵抗効果膜５上の磁気抵抗センサ作動領域
Ｔｗにならない部分に反強磁性膜６１，６２を積層、成
膜する。
ゼンジャンプノイズが発生したり、磁気抵抗効果膜と強
磁性膜との境界面の不整合により生じる接触抵抗によっ
て発熱が生じてしまう虞れがある。 【解決手段】 軟磁性膜３及び非磁性スペーサ膜４を磁
気抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる領域にパターン化し、
さらにその両端部をテーパ形状に加工し、それらにオー
バーレイするように磁気抵抗効果膜５を軟磁性膜３のテ
ーパ加工部との境界面において磁気的な連続性を有して
成膜し、磁気抵抗効果膜５上の磁気抵抗センサ作動領域
Ｔｗにならない部分に反強磁性膜６１，６２を積層、成
膜する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、磁気記録媒体から
情報を読み取るための磁気ヘッドに関し、特に、磁気抵
抗効果により情報を読み取る磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
情報を読み取るための磁気ヘッドに関し、特に、磁気抵
抗効果により情報を読み取る磁気抵抗効果ヘッドに関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来より、磁気的に記録された情報を検
出する方法として、磁気抵抗効果センサを用いる方法が
よく知られており、また、従来技術として、バルクハウ
ゼンジャンプノイズを抑止し、センサを線形動作領域内
で用いるために、縦方向および横方向の２つのバイアス
が必要であることも知られている。
出する方法として、磁気抵抗効果センサを用いる方法が
よく知られており、また、従来技術として、バルクハウ
ゼンジャンプノイズを抑止し、センサを線形動作領域内
で用いるために、縦方向および横方向の２つのバイアス
が必要であることも知られている。
【０００３】縦方向のバイアスは、センサとして機能す
る磁気抵抗効果膜を単多磁区構造化することによって、
バルクハウゼンジャンプノイズを抑止する機能を発揮す
る。
る磁気抵抗効果膜を単多磁区構造化することによって、
バルクハウゼンジャンプノイズを抑止する機能を発揮す
る。
【０００４】図５は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの一構
成例を示す図である。
成例を示す図である。
【０００５】図５に示すように本従来例においては、軟
磁性膜４１０上に非磁性スペーサ膜４２０が形成され、
非磁性スペーサ膜４２０上に磁気抵抗効果膜４３０が形
成され、磁気抵抗効果膜４３０上に反強磁性膜４４１，
４４２が一定の間隔を有して配設され、反強磁性膜４４
１，４４２上に電極膜４５１，４５２がそれぞれ形成さ
れている。
磁性膜４１０上に非磁性スペーサ膜４２０が形成され、
非磁性スペーサ膜４２０上に磁気抵抗効果膜４３０が形
成され、磁気抵抗効果膜４３０上に反強磁性膜４４１，
４４２が一定の間隔を有して配設され、反強磁性膜４４
１，４４２上に電極膜４５１，４５２がそれぞれ形成さ
れている。
【０００６】上記のように構成された磁気抵抗効果ヘッ
ドにおいては、磁気抵抗効果膜４３０が、反強磁性膜４
４１，４４２に接する部分における交換結合力によって
単磁区化され、磁気抵抗効果膜４３０に沿った静磁気的
な結合によって、磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる中
央部領域においても単磁区状態が誘起される（特開昭６
２−４０６１０号公報参照）。
ドにおいては、磁気抵抗効果膜４３０が、反強磁性膜４
４１，４４２に接する部分における交換結合力によって
単磁区化され、磁気抵抗効果膜４３０に沿った静磁気的
な結合によって、磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる中
央部領域においても単磁区状態が誘起される（特開昭６
２−４０６１０号公報参照）。
【０００７】しかしながら、上述したような手法におい
ては、磁気抵抗効果膜４３０には縦方向のバイアスが印
加されるが、磁気抵抗効果膜４３０に横方向のバイアス
を印加するために設けられた軟磁性膜４１０には縦方向
のバイアスが印加されないため、軟磁性膜４１０の多磁
区化及び外部磁界による磁化の反転などの磁気的撹乱が
起きやすくなる。ここで、軟磁性膜４１０の磁気的撹乱
が起きた場合は、記録情報を再生する際のバルクハウゼ
ンジャンプノイズが誘発される虞れがある。
ては、磁気抵抗効果膜４３０には縦方向のバイアスが印
加されるが、磁気抵抗効果膜４３０に横方向のバイアス
を印加するために設けられた軟磁性膜４１０には縦方向
のバイアスが印加されないため、軟磁性膜４１０の多磁
区化及び外部磁界による磁化の反転などの磁気的撹乱が
起きやすくなる。ここで、軟磁性膜４１０の磁気的撹乱
が起きた場合は、記録情報を再生する際のバルクハウゼ
ンジャンプノイズが誘発される虞れがある。
【０００８】そこで、磁気抵抗効果膜４３０に縦方向の
バイアスを印加するとともに軟磁性膜４１０にも縦方向
のバイアスを印加することができる手法が考えられてい
る。
バイアスを印加するとともに軟磁性膜４１０にも縦方向
のバイアスを印加することができる手法が考えられてい
る。
【０００９】図６は、従来の磁気抵抗効果ヘッドの他の
構成例を示す図である。
構成例を示す図である。
【００１０】図６に示すように本従来例においては、軟
磁性膜５１０，非磁性スペーサ膜５２０及び磁気抵抗効
果膜５３０が実質的に磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗだけ
に積層されて設けられ、縦方向のバイアスとして強磁性
膜５６１，５６２と反強磁性膜５４１，５４２との２層
からなる強磁性／反強磁性交換バイアス膜が軟磁性膜５
１０，非磁性スペーサ膜５２０及び磁気抵抗効果膜５３
０のそれぞれの両端部を覆うように積層され、かつ、強
磁性膜５６１，５６２のそれぞれが磁気抵抗効果膜５３
０の一方の端部と磁気的及び電気的な連続性を有するよ
うに隣接、接合されて形成されている（特開平７−５７
２２３号公報参照）。
磁性膜５１０，非磁性スペーサ膜５２０及び磁気抵抗効
果膜５３０が実質的に磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗだけ
に積層されて設けられ、縦方向のバイアスとして強磁性
膜５６１，５６２と反強磁性膜５４１，５４２との２層
からなる強磁性／反強磁性交換バイアス膜が軟磁性膜５
１０，非磁性スペーサ膜５２０及び磁気抵抗効果膜５３
０のそれぞれの両端部を覆うように積層され、かつ、強
磁性膜５６１，５６２のそれぞれが磁気抵抗効果膜５３
０の一方の端部と磁気的及び電気的な連続性を有するよ
うに隣接、接合されて形成されている（特開平７−５７
２２３号公報参照）。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】上述したような従来の
磁気抵抗効果ヘッドにおいては、磁気抵抗効果膜と強磁
性膜とを磁気的及び電気的な連続性を有するように隣
接、接合させて形成する必要があるため、磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との接合面の汚染度を抑制し、かつ、整合
性を向上させなければならない。しかし、磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との境界面の制御においては、極めて困難
である。
磁気抵抗効果ヘッドにおいては、磁気抵抗効果膜と強磁
性膜とを磁気的及び電気的な連続性を有するように隣
接、接合させて形成する必要があるため、磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との接合面の汚染度を抑制し、かつ、整合
性を向上させなければならない。しかし、磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との境界面の制御においては、極めて困難
である。
【００１２】そのため、軟磁性膜の磁化が不安定とな
り、バルクハウゼンジャンプノイズが発生したり、磁気
抵抗効果膜と強磁性膜との境界面の不整合により生じる
接触抵抗によって発熱が生じてしまう虞れがある。
り、バルクハウゼンジャンプノイズが発生したり、磁気
抵抗効果膜と強磁性膜との境界面の不整合により生じる
接触抵抗によって発熱が生じてしまう虞れがある。
【００１３】本発明は、上述したような従来の技術が有
する問題点に鑑みてなされたものであって磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との境界面の制御を行うことなく、バルク
ハウゼンジャンプノイズ及び接触抵抗による発熱を抑制
することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供することを
目的とする。
する問題点に鑑みてなされたものであって磁気抵抗効果
膜と強磁性膜との境界面の制御を行うことなく、バルク
ハウゼンジャンプノイズ及び接触抵抗による発熱を抑制
することができる磁気抵抗効果ヘッドを提供することを
目的とする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上に形成された磁気抵抗センサ作動領
域において、磁気的に記録された情報を検出する磁気抵
抗効果ヘッドであって、前記基板上の前記磁気抵抗セン
サ作動領域となる部分に両端部がテーパ形状に加工され
て形成された軟磁性膜と、前記軟磁性膜上に両端部が前
記軟磁性膜のテーパ形状と同一のテーパ形状に加工され
て形成された非磁性スペーサ膜と、前記基板、前記軟磁
性膜及び前記非磁性スペーサ膜の全体を覆うように形成
された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上の前記磁
気抵抗センサ作動領域とならない部分に形成された反強
磁性膜とを有することを特徴とする。
に本発明は、基板上に形成された磁気抵抗センサ作動領
域において、磁気的に記録された情報を検出する磁気抵
抗効果ヘッドであって、前記基板上の前記磁気抵抗セン
サ作動領域となる部分に両端部がテーパ形状に加工され
て形成された軟磁性膜と、前記軟磁性膜上に両端部が前
記軟磁性膜のテーパ形状と同一のテーパ形状に加工され
て形成された非磁性スペーサ膜と、前記基板、前記軟磁
性膜及び前記非磁性スペーサ膜の全体を覆うように形成
された磁気抵抗効果膜と、該磁気抵抗効果膜上の前記磁
気抵抗センサ作動領域とならない部分に形成された反強
磁性膜とを有することを特徴とする。
【００１５】また、前記磁気抵抗効果膜は、前記反強磁
性膜と接する境界面において、前記反強磁性膜と交換結
合されていることを特徴とする。
性膜と接する境界面において、前記反強磁性膜と交換結
合されていることを特徴とする。
【００１６】また、前記軟磁性膜は、前記磁気抵抗効果
膜と接する境界面において、前記磁気抵抗効果膜と磁気
的な連続性を有することを特徴とする。
膜と接する境界面において、前記磁気抵抗効果膜と磁気
的な連続性を有することを特徴とする。
【００１７】また、基板上に形成された磁気抵抗センサ
作動領域において、磁気的に記録された情報を検出する
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であって、前記基板上
に、軟磁性膜及び非磁性スペーサ膜を形成する工程と、
前記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサ膜を前記磁気抵抗
センサ作動領域となる領域にパターン化するとともに前
記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサの両端部をテーパ形
状に加工する工程と、前記軟磁性膜及び前記非磁性スペ
ーサ膜の上に、前記軟磁性膜と接する境界面において磁
気的な連続性を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程
と、前記磁気抵抗効果膜上の前記磁気抵抗センサ作動領
域とならない部分に、前記磁気抵抗効果膜と接する境界
面において、前記磁気抵抗効果膜と交換結合する反強磁
性膜を形成する工程と、前記反強磁性膜上に電極膜を形
成する工程とを少なくとも順次行うことを特徴とする。
作動領域において、磁気的に記録された情報を検出する
磁気抵抗効果ヘッドの製造方法であって、前記基板上
に、軟磁性膜及び非磁性スペーサ膜を形成する工程と、
前記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサ膜を前記磁気抵抗
センサ作動領域となる領域にパターン化するとともに前
記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサの両端部をテーパ形
状に加工する工程と、前記軟磁性膜及び前記非磁性スペ
ーサ膜の上に、前記軟磁性膜と接する境界面において磁
気的な連続性を有する磁気抵抗効果膜を形成する工程
と、前記磁気抵抗効果膜上の前記磁気抵抗センサ作動領
域とならない部分に、前記磁気抵抗効果膜と接する境界
面において、前記磁気抵抗効果膜と交換結合する反強磁
性膜を形成する工程と、前記反強磁性膜上に電極膜を形
成する工程とを少なくとも順次行うことを特徴とする。
【００１８】（作用）上記のように構成された本発明に
おいては、軟磁性膜及び非磁性スペーサ膜が磁気抵抗セ
ンサ作動領域となる領域にパターン化され、さらにその
両端部がテーパ形状に加工された後、それらにオーバー
レイするように磁気抵抗効果膜が軟磁性膜のテーパ加工
部との境界面において磁気的な連続性を有して成膜さ
れ、磁気抵抗効果膜上の磁気抵抗センサ作動領域になら
ない部分に反強磁性膜が積層、成膜されているので、磁
気抵抗効果膜と反強磁性膜とが接している領域に交換結
合力が働き単磁区構造になる。
おいては、軟磁性膜及び非磁性スペーサ膜が磁気抵抗セ
ンサ作動領域となる領域にパターン化され、さらにその
両端部がテーパ形状に加工された後、それらにオーバー
レイするように磁気抵抗効果膜が軟磁性膜のテーパ加工
部との境界面において磁気的な連続性を有して成膜さ
れ、磁気抵抗効果膜上の磁気抵抗センサ作動領域になら
ない部分に反強磁性膜が積層、成膜されているので、磁
気抵抗効果膜と反強磁性膜とが接している領域に交換結
合力が働き単磁区構造になる。
【００１９】磁気抵抗センサ作動領域の磁気抵抗効果膜
においては、反強磁性膜から直接的に交換結合力は働か
ないが、反強磁性膜と接している領域の磁気抵抗効果膜
に沿って静磁結合し単一磁区化される。
においては、反強磁性膜から直接的に交換結合力は働か
ないが、反強磁性膜と接している領域の磁気抵抗効果膜
に沿って静磁結合し単一磁区化される。
【００２０】軟磁性膜においては、テーパ形状に加工さ
れた部分と磁気抵抗効果膜とが磁気的に連続性を保って
接しているので、磁気抵抗効果膜によって縦方向のバイ
アスが印加される。それによって、軟磁性膜の磁化は安
定化し、多磁区構造や外部磁界による磁化反転が抑制さ
れ、バルクハウゼンジャンプノイズが抑止される。
れた部分と磁気抵抗効果膜とが磁気的に連続性を保って
接しているので、磁気抵抗効果膜によって縦方向のバイ
アスが印加される。それによって、軟磁性膜の磁化は安
定化し、多磁区構造や外部磁界による磁化反転が抑制さ
れ、バルクハウゼンジャンプノイズが抑止される。
【００２１】また、磁気抵抗効果膜にセンサ作動膜と縦
バイアス膜の両機能を持たせ、一体形成により連続体を
形成しているので、縦バイアス膜とセンサ作動膜として
働く磁気抵抗効果膜との境界面不整合が存在することは
全くなく、磁気的および電気的に完全に連続であること
によって、縦方向のバイアスが整合性よく印加され、か
つ、接触抵抗を生じないので、センス電流がスムーズに
流れ、発熱が抑制される。
バイアス膜の両機能を持たせ、一体形成により連続体を
形成しているので、縦バイアス膜とセンサ作動膜として
働く磁気抵抗効果膜との境界面不整合が存在することは
全くなく、磁気的および電気的に完全に連続であること
によって、縦方向のバイアスが整合性よく印加され、か
つ、接触抵抗を生じないので、センス電流がスムーズに
流れ、発熱が抑制される。
【００２２】
【発明の実施の形態】以下に、本発明の実施の形態につ
いて図面を参照して説明する。
いて図面を参照して説明する。
【００２３】（第１の実施の形態）図１は、本発明の磁
気抵抗効果ヘッドの第１の実施の形態を示す図である。
気抵抗効果ヘッドの第１の実施の形態を示す図である。
【００２４】図１に示すように本形態においては、Ａｌ
2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミックが使用された基板１上に
０．１μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜２が形成され、
絶縁膜２上の一部に３００Å厚のコバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン非晶質合金からなる軟磁性膜３が両端部
にテーパ形状を有して形成され、軟磁性膜３上に２００
Å厚のタンタルからなる非磁性スペーサ膜４が軟磁性膜
３のテーパ形状と同一のテーパ形状を有して形成され、
絶縁膜２、軟磁性膜３及び非磁性スペーサ膜４を覆うよ
うに軟磁性膜３のテーパ形状部との境界面において磁気
的な連続性を有し、２００Å厚のニッケル・鉄合金から
なる磁気抵抗効果膜５が形成され、磁気抵抗効果膜５上
の非磁性スペーサ膜４が下層に存在しない部分に５００
Å厚のニッケル・マンガン合金からなる反強磁性膜６
１，６２が形成され、反強磁性膜６１，６２上に１５０
０Å厚の金からなる電極膜７１，７２がそれぞれ形成さ
れ、電極膜７１，７２上及び非磁性スペーサ膜４が下層
に存在する部分の磁気抵抗効果膜５上に０．１１μｍ厚
のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜８が形成されており、絶縁膜
８においては、電極膜７１，７２上と非磁性スペーサ４
が設けられた領域上とでは段差を有している。ここで、
非磁性スペーサ膜４が形成された領域が磁気抵抗センサ
作動領域Ｔｗとなる。
2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミックが使用された基板１上に
０．１μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜２が形成され、
絶縁膜２上の一部に３００Å厚のコバルト・ジルコニウ
ム・モリブデン非晶質合金からなる軟磁性膜３が両端部
にテーパ形状を有して形成され、軟磁性膜３上に２００
Å厚のタンタルからなる非磁性スペーサ膜４が軟磁性膜
３のテーパ形状と同一のテーパ形状を有して形成され、
絶縁膜２、軟磁性膜３及び非磁性スペーサ膜４を覆うよ
うに軟磁性膜３のテーパ形状部との境界面において磁気
的な連続性を有し、２００Å厚のニッケル・鉄合金から
なる磁気抵抗効果膜５が形成され、磁気抵抗効果膜５上
の非磁性スペーサ膜４が下層に存在しない部分に５００
Å厚のニッケル・マンガン合金からなる反強磁性膜６
１，６２が形成され、反強磁性膜６１，６２上に１５０
０Å厚の金からなる電極膜７１，７２がそれぞれ形成さ
れ、電極膜７１，７２上及び非磁性スペーサ膜４が下層
に存在する部分の磁気抵抗効果膜５上に０．１１μｍ厚
のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜８が形成されており、絶縁膜
８においては、電極膜７１，７２上と非磁性スペーサ４
が設けられた領域上とでは段差を有している。ここで、
非磁性スペーサ膜４が形成された領域が磁気抵抗センサ
作動領域Ｔｗとなる。
【００２５】なお、上述した各々の機能膜の材料におい
ては、一実施例にすぎず、各々の機能膜として適切な材
料を用いればよく、厚さについても機能を損なわない範
囲内で設定すればよい。
ては、一実施例にすぎず、各々の機能膜として適切な材
料を用いればよく、厚さについても機能を損なわない範
囲内で設定すればよい。
【００２６】ここで、図１には示されていないが、磁気
記録媒体に記録され、再生したい特定の信号磁界以外の
余分な磁界を遮蔽することを目的とした機能膜として、
基板１と絶縁膜２との間に強磁性膜材料からなる下シー
ルド膜や、絶縁膜８の上に強磁性材料からなる上シール
ド膜を積層して形成してもよく、強磁性膜材料として
は、ニッケル・鉄合金、鉄・アルミニウム・シリコン合
金あるいは鉄・タンタル・窒素合金などが好ましい。
記録媒体に記録され、再生したい特定の信号磁界以外の
余分な磁界を遮蔽することを目的とした機能膜として、
基板１と絶縁膜２との間に強磁性膜材料からなる下シー
ルド膜や、絶縁膜８の上に強磁性材料からなる上シール
ド膜を積層して形成してもよく、強磁性膜材料として
は、ニッケル・鉄合金、鉄・アルミニウム・シリコン合
金あるいは鉄・タンタル・窒素合金などが好ましい。
【００２７】以下に、図１に示した磁気抵抗効果ヘッド
の製造工程について説明する。
の製造工程について説明する。
【００２８】図２は、図１に示した磁気抵抗効果ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【００２９】まず、基板１上に絶縁膜２、軟磁性膜３及
び非磁性スペーサ膜４を順次スパッタ法を用いて積層、
成膜した（図２（ａ））。
び非磁性スペーサ膜４を順次スパッタ法を用いて積層、
成膜した（図２（ａ））。
【００３０】次に、ネガティブ型のフォトレジストを塗
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル９形状にパターン化した（図２（ｂ））。ここ
で、本形態においては、ステンシル９は、ネガティブ型
のフォトレジストから形成されているが、本形態に限ら
ずステンシル形状に加工されていればよい。
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル９形状にパターン化した（図２（ｂ））。ここ
で、本形態においては、ステンシル９は、ネガティブ型
のフォトレジストから形成されているが、本形態に限ら
ずステンシル形状に加工されていればよい。
【００３１】次に、イオンミリング法を用いて、軟磁性
膜３及び非磁性スペーサ膜４を同時にテーパ状に加工し
た（図２（ｃ））。
膜３及び非磁性スペーサ膜４を同時にテーパ状に加工し
た（図２（ｃ））。
【００３２】次に、アセトンまたは剥離剤などの有機溶
剤を用いて、ネガティブ型のフォトレジストからなるス
テンシル９を除去し、磁気抵抗効果膜５、反強磁性膜６
及び電極膜７を順次スパッタ法を用いて積層、成膜した
（図２（ｄ））。このとき、磁気抵抗効果膜５、反強磁
性膜６及び電極膜７を積層、成膜する前に、少なくとも
磁気抵抗効果膜５と隣接接合する軟磁性膜３のテーパ部
分をエッチング処理によってクリーニングしておくこと
が好ましい。これにより、磁気抵抗効果膜５が軟磁性膜
３と接する境界面において磁気的連続性を有することに
なる。また、反強磁性膜６の形成においては、磁気抵抗
効果膜５との境界面において交換結合するように形成さ
れる。
剤を用いて、ネガティブ型のフォトレジストからなるス
テンシル９を除去し、磁気抵抗効果膜５、反強磁性膜６
及び電極膜７を順次スパッタ法を用いて積層、成膜した
（図２（ｄ））。このとき、磁気抵抗効果膜５、反強磁
性膜６及び電極膜７を積層、成膜する前に、少なくとも
磁気抵抗効果膜５と隣接接合する軟磁性膜３のテーパ部
分をエッチング処理によってクリーニングしておくこと
が好ましい。これにより、磁気抵抗効果膜５が軟磁性膜
３と接する境界面において磁気的連続性を有することに
なる。また、反強磁性膜６の形成においては、磁気抵抗
効果膜５との境界面において交換結合するように形成さ
れる。
【００３３】次に、ポジティブ型のフォトレジスト１０
１，１０２を適当な条件で露光・現像し、最終的に磁気
抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる部分を覆わないようにパ
ターン化した（図２（ｅ））。ここで、本形態において
は、ポジティブ型のフォトレジスト１０１，１０２が、
テーパ加工が施された非磁性スペーサ膜４のテーパの２
つの上端の延長線上までを覆う形でパターン化されて、
それにより磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗが形成されてい
るが、本形態のみに限らずポジティブ型のフォトレジス
ト１０１，１０２は、テーパ加工が施された非磁性スぺ
ーサ膜４のテーパの２つの上端の延長線上までを完全に
覆う形でパターン化されていればよい。
１，１０２を適当な条件で露光・現像し、最終的に磁気
抵抗センサ作動領域Ｔｗとなる部分を覆わないようにパ
ターン化した（図２（ｅ））。ここで、本形態において
は、ポジティブ型のフォトレジスト１０１，１０２が、
テーパ加工が施された非磁性スペーサ膜４のテーパの２
つの上端の延長線上までを覆う形でパターン化されて、
それにより磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗが形成されてい
るが、本形態のみに限らずポジティブ型のフォトレジス
ト１０１，１０２は、テーパ加工が施された非磁性スぺ
ーサ膜４のテーパの２つの上端の延長線上までを完全に
覆う形でパターン化されていればよい。
【００３４】次に、イオンミリング法を用いて、反強磁
性膜５及び電極膜６の磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗ部分
を除去することによって、反強磁性膜６及び電極膜７を
磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗを挟んで反強磁性膜６１，
６２及び電極膜７１，７２にそれぞれ二分した（図２
（ｆ））。ここで、本形態においては、イオンミリング
法により反強磁性膜６及び電極膜７を二分したが、この
際、ケミカルエッチングを用いてもよく、または両者を
併用してもよい。また、本形態においては、反強磁性膜
６１，６２及び電極膜７１，７２が、テーパ加工が施さ
れた非磁性スペーサ膜４のテーパの２つの上端の延長線
上までを覆う形で二分されているが、本形態に限らず、
テーパ加工が施された非磁性スペーサ膜４のテーパの２
つの上端の延長線上までを完全に覆う形で二分されてい
ればよい。
性膜５及び電極膜６の磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗ部分
を除去することによって、反強磁性膜６及び電極膜７を
磁気抵抗センサ作動領域Ｔｗを挟んで反強磁性膜６１，
６２及び電極膜７１，７２にそれぞれ二分した（図２
（ｆ））。ここで、本形態においては、イオンミリング
法により反強磁性膜６及び電極膜７を二分したが、この
際、ケミカルエッチングを用いてもよく、または両者を
併用してもよい。また、本形態においては、反強磁性膜
６１，６２及び電極膜７１，７２が、テーパ加工が施さ
れた非磁性スペーサ膜４のテーパの２つの上端の延長線
上までを覆う形で二分されているが、本形態に限らず、
テーパ加工が施された非磁性スペーサ膜４のテーパの２
つの上端の延長線上までを完全に覆う形で二分されてい
ればよい。
【００３５】次に、ポジティブ型のフォトレジスト１０
１，１０２をアセトンまたは剥離剤などの有機溶剤を用
いて取り除き、その後、絶縁膜８をスパッタ法により積
層、成膜し、磁気抵抗効果ヘッド素子を作製した（図２
（ｇ））。
１，１０２をアセトンまたは剥離剤などの有機溶剤を用
いて取り除き、その後、絶縁膜８をスパッタ法により積
層、成膜し、磁気抵抗効果ヘッド素子を作製した（図２
（ｇ））。
【００３６】その後、上記工程において作製された磁気
抵抗効果ヘッド素子に対して、周知の技術によりスライ
ダ加工を施すとともに、加圧バネ、支持アーム等の取り
付け及び電極への配線等を行って磁気抵抗効果ヘッドを
作製した。
抵抗効果ヘッド素子に対して、周知の技術によりスライ
ダ加工を施すとともに、加圧バネ、支持アーム等の取り
付け及び電極への配線等を行って磁気抵抗効果ヘッドを
作製した。
【００３７】上記のように作製された磁気抵抗効果ヘッ
ドについて再生特性を調べたところ、軟磁性膜の多磁区
構造や磁化反転による再生波形の出力変動はみられず、
さらに、磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域に所
要の縦方向のバイアスが印加されており、それにより、
対称性が優れ、かつ、熱的ノイズのない良好な再生特性
が得られた。
ドについて再生特性を調べたところ、軟磁性膜の多磁区
構造や磁化反転による再生波形の出力変動はみられず、
さらに、磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域に所
要の縦方向のバイアスが印加されており、それにより、
対称性が優れ、かつ、熱的ノイズのない良好な再生特性
が得られた。
【００３８】（第２の実施の形態）図３は、本発明の磁
気抵抗効果ヘッドの第２の実施の形態を示す図である。
気抵抗効果ヘッドの第２の実施の形態を示す図である。
【００３９】図３に示すように本形態においては、Ａｌ
2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミックが使用された基板２１０上
に０．０８μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜２２０が形
成され、絶縁膜２２０上の一部に２５０Å厚のコバルト
・ジルコニウム・モリブデン非晶質合金からなる軟磁性
膜２３０が両端部にテーパ形状を有して形成され、軟磁
性膜２３０上に１００Å厚のタンタルからなる非磁性ス
ペーサ膜２４０が軟磁性膜２３０のテーパ形状と同一の
テーパ形状を有して形成され、絶縁膜２２０、軟磁性膜
２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を覆うように軟磁性
膜２３０のテーパ形状部との境界面において磁気的な連
続性を有し、２５０Å厚のニッケル・鉄合金からなる磁
気抵抗効果膜２５０が形成され、磁気抵抗効果膜２５０
上の非磁性スペーサ膜２４０が下層に存在しない部分に
４００Å厚のニッケル・マンガン合金からなる反強磁性
膜２６１，２６２が形成され、反強磁性膜２６１，２６
２上に１５００Å厚の金からなる電極膜２７１，２７２
がそれぞれ形成され、電極膜２７１，２７２上及び非磁
性スペーサ膜２４０が下層に存在する部分の磁気抵抗効
果膜２５０上に０．１μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜
２８０が形成されており、絶縁膜２８０においては、電
極膜２７１，２７２上と非磁性スペーサ２４０が設けら
れた領域上とでは段差を有している。ここで、非磁性ス
ペーサ膜２４０が形成された領域が磁気抵抗センサ作動
領域Ｔｗとなる。
2Ｏ3−ＴｉＣ系のセラミックが使用された基板２１０上
に０．０８μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜２２０が形
成され、絶縁膜２２０上の一部に２５０Å厚のコバルト
・ジルコニウム・モリブデン非晶質合金からなる軟磁性
膜２３０が両端部にテーパ形状を有して形成され、軟磁
性膜２３０上に１００Å厚のタンタルからなる非磁性ス
ペーサ膜２４０が軟磁性膜２３０のテーパ形状と同一の
テーパ形状を有して形成され、絶縁膜２２０、軟磁性膜
２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を覆うように軟磁性
膜２３０のテーパ形状部との境界面において磁気的な連
続性を有し、２５０Å厚のニッケル・鉄合金からなる磁
気抵抗効果膜２５０が形成され、磁気抵抗効果膜２５０
上の非磁性スペーサ膜２４０が下層に存在しない部分に
４００Å厚のニッケル・マンガン合金からなる反強磁性
膜２６１，２６２が形成され、反強磁性膜２６１，２６
２上に１５００Å厚の金からなる電極膜２７１，２７２
がそれぞれ形成され、電極膜２７１，２７２上及び非磁
性スペーサ膜２４０が下層に存在する部分の磁気抵抗効
果膜２５０上に０．１μｍ厚のＡｌ2Ｏ3からなる絶縁膜
２８０が形成されており、絶縁膜２８０においては、電
極膜２７１，２７２上と非磁性スペーサ２４０が設けら
れた領域上とでは段差を有している。ここで、非磁性ス
ペーサ膜２４０が形成された領域が磁気抵抗センサ作動
領域Ｔｗとなる。
【００４０】なお、上述した各々の機能膜の材料におい
ては、一実施例にすぎず、各々の機能膜として適切な材
料を用いればよく、厚さについても機能を損なわない範
囲内で設定すればよい。
ては、一実施例にすぎず、各々の機能膜として適切な材
料を用いればよく、厚さについても機能を損なわない範
囲内で設定すればよい。
【００４１】ここで、図３には示されていないが、磁気
記録媒体に記録され、再生したい特定の信号磁界以外の
余分な磁界を遮蔽することを目的とした機能膜として、
基板２１０と絶縁膜２２０との間に強磁性膜材料からな
る下シールド膜や、絶縁膜２８０の上に強磁性材料から
なる上シールド膜を積層して形成してもよく、強磁性膜
材料としては、ニッケル・鉄合金、鉄・アルミニウム・
シリコン合金あるいは鉄・タンタル・窒素合金などが好
ましい。
記録媒体に記録され、再生したい特定の信号磁界以外の
余分な磁界を遮蔽することを目的とした機能膜として、
基板２１０と絶縁膜２２０との間に強磁性膜材料からな
る下シールド膜や、絶縁膜２８０の上に強磁性材料から
なる上シールド膜を積層して形成してもよく、強磁性膜
材料としては、ニッケル・鉄合金、鉄・アルミニウム・
シリコン合金あるいは鉄・タンタル・窒素合金などが好
ましい。
【００４２】以下に、図３に示した磁気抵抗効果ヘッド
の製造工程について説明する。
の製造工程について説明する。
【００４３】図４は、図３に示した磁気抵抗効果ヘッド
の製造工程を示す図である。
の製造工程を示す図である。
【００４４】まず、基板２１０上に、絶縁膜２２０、軟
磁性膜２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を順次スパッ
タ法を用いて積層、成膜した（図４（ａ））。
磁性膜２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を順次スパッ
タ法を用いて積層、成膜した（図４（ａ））。
【００４５】次に、ネガティブ型のフォトレジストを塗
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル２９０形状にパターン化した（図４（ｂ））。こ
こで、本形態においては、ステンシル２９０は、ネガテ
ィブ型のフォトレジストから形成されているが、本形態
に限らずステンシル形状に加工されていればよい。
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル２９０形状にパターン化した（図４（ｂ））。こ
こで、本形態においては、ステンシル２９０は、ネガテ
ィブ型のフォトレジストから形成されているが、本形態
に限らずステンシル形状に加工されていればよい。
【００４６】次に、イオンミリング法を用いて、軟磁性
膜２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を同時にテーパ状
に加工した（図４（ｃ））。
膜２３０及び非磁性スペーサ膜２４０を同時にテーパ状
に加工した（図４（ｃ））。
【００４７】次に、アセトンまたは剥離剤などの有機溶
剤を用いて、ネガティブ型のフォトレジストからなるス
テンシル２９０を除去し、磁気抵抗効果膜２０５をスパ
ッタ法を用いて積層、成膜した（図４（ｄ））。ここ
で、磁気抵抗効果膜２５０を積層、成膜する前に、少な
くとも磁気抵抗効果膜２５０と隣接接合する軟磁性膜２
３０のテーパ部分をエッチング処理によってクリーニン
グしておくことが好ましい。これにより、磁気抵抗効果
膜２５０が軟磁性膜２３０と接する境界面において磁気
的連続性を有することになる。また、反強磁性膜２６０
の形成においては、磁気抵抗効果膜２５０との境界面に
おいて交換結合するように形成される。
剤を用いて、ネガティブ型のフォトレジストからなるス
テンシル２９０を除去し、磁気抵抗効果膜２０５をスパ
ッタ法を用いて積層、成膜した（図４（ｄ））。ここ
で、磁気抵抗効果膜２５０を積層、成膜する前に、少な
くとも磁気抵抗効果膜２５０と隣接接合する軟磁性膜２
３０のテーパ部分をエッチング処理によってクリーニン
グしておくことが好ましい。これにより、磁気抵抗効果
膜２５０が軟磁性膜２３０と接する境界面において磁気
的連続性を有することになる。また、反強磁性膜２６０
の形成においては、磁気抵抗効果膜２５０との境界面に
おいて交換結合するように形成される。
【００４８】次に、ネガティブ型のフォトレジストを塗
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル３００形状にパターン化し、その後、反強磁性膜
２６１，２６２，２６３及び電極２７１，２７２，２７
３を順次スッパタ法を用いて積層、成膜した（図４
（ｅ））。ここで、本形態においては、ステンシル３０
０は、ネガティブ型のフォトレジストから形成されてい
るが、本形態に限らずステンシル形状に加工されていれ
ばよい。また、本形態においては、反強磁性膜２６１，
２６２及び電極膜２７１，２７２が、テーパ加工が施さ
れた非磁性スペーサ膜２４０のテーパの２つの上端の延
長線上までを覆う形で形成されているが、本形態に限ら
ずテーパ加工が施された非磁性スペーサ膜２４０のテー
パの２つの上端の延長線上までを完全に覆う形でパター
ン化されていればよい。
布し、適当な条件で露光・現像することによって、ステ
ンシル３００形状にパターン化し、その後、反強磁性膜
２６１，２６２，２６３及び電極２７１，２７２，２７
３を順次スッパタ法を用いて積層、成膜した（図４
（ｅ））。ここで、本形態においては、ステンシル３０
０は、ネガティブ型のフォトレジストから形成されてい
るが、本形態に限らずステンシル形状に加工されていれ
ばよい。また、本形態においては、反強磁性膜２６１，
２６２及び電極膜２７１，２７２が、テーパ加工が施さ
れた非磁性スペーサ膜２４０のテーパの２つの上端の延
長線上までを覆う形で形成されているが、本形態に限ら
ずテーパ加工が施された非磁性スペーサ膜２４０のテー
パの２つの上端の延長線上までを完全に覆う形でパター
ン化されていればよい。
【００４９】次に、ステンシル３００、反強磁性膜２６
３及び電極膜２７３をアセトンまたは剥離剤などの有機
溶剤を用いて取り除き、その後、絶縁膜２８０をスパッ
タ法により積層、成膜し、磁気抵抗効果ヘッド素子を作
製した（図４（ｆ））。
３及び電極膜２７３をアセトンまたは剥離剤などの有機
溶剤を用いて取り除き、その後、絶縁膜２８０をスパッ
タ法により積層、成膜し、磁気抵抗効果ヘッド素子を作
製した（図４（ｆ））。
【００５０】その後、上記工程において作製された磁気
抵抗効果ヘッド素子に対して、周知の技術によりスライ
ダ加工を施すとともに、加圧バネ、支持アーム等の取り
付け及び電極への配線等を行って磁気抵抗効果ヘッドを
作製した。
抵抗効果ヘッド素子に対して、周知の技術によりスライ
ダ加工を施すとともに、加圧バネ、支持アーム等の取り
付け及び電極への配線等を行って磁気抵抗効果ヘッドを
作製した。
【００５１】上記のように作製された磁気抵抗効果ヘッ
ドについて再生特性を調べたところ、軟磁性膜の多磁区
構造や磁化反転による再生波形の出力変動はみられず、
さらに、磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域に所
要の縦方向のバイアスが印加されており、それにより対
称性が優れ、かつ、熱的ノイズのない良好な再生特性が
得られた。
ドについて再生特性を調べたところ、軟磁性膜の多磁区
構造や磁化反転による再生波形の出力変動はみられず、
さらに、磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域に所
要の縦方向のバイアスが印加されており、それにより対
称性が優れ、かつ、熱的ノイズのない良好な再生特性が
得られた。
【００５２】以上、本発明において適する２つの実施の
形態について記述してきたが、上述した形態以外におい
ても本発明に該当する範囲内で様々変更が可能であるこ
とはいうまでもないことである。
形態について記述してきたが、上述した形態以外におい
ても本発明に該当する範囲内で様々変更が可能であるこ
とはいうまでもないことである。
【００５３】
【発明の効果】以上説明したように本発明においては、
磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域だけでなく、
軟磁性膜にも磁気抵抗効果膜によって縦方向のバイアス
が印加される構成としたため、軟磁性膜の多磁区構造や
外部磁界による磁化反転を抑制することができ、ひいて
はバルクハウゼンジャンプノイズを抑制することができ
る。
磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作動領域だけでなく、
軟磁性膜にも磁気抵抗効果膜によって縦方向のバイアス
が印加される構成としたため、軟磁性膜の多磁区構造や
外部磁界による磁化反転を抑制することができ、ひいて
はバルクハウゼンジャンプノイズを抑制することができ
る。
【００５４】また、磁気抵抗効果膜の磁気抵抗センサ作
動領域に縦方向のバイアスを整合性よく印加することが
でき、かつ、抵抗変化を検知するためのセンス電流をス
ムーズに流すことができるため、発熱を最小限に抑える
ことができる。
動領域に縦方向のバイアスを整合性よく印加することが
でき、かつ、抵抗変化を検知するためのセンス電流をス
ムーズに流すことができるため、発熱を最小限に抑える
ことができる。
【図１】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの第１の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図２】図１に示した磁気抵抗効果ヘッドの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図３】本発明の磁気抵抗効果ヘッドの第２の実施の形
態を示す図である。
態を示す図である。
【図４】図３に示した磁気抵抗効果ヘッドの製造工程を
示す図である。
示す図である。
【図５】従来の磁気抵抗効果ヘッドの一構成例を示す図
である。
である。
【図６】従来の磁気抵抗効果ヘッドの他の構成例を示す
図である。
図である。
１，２１０ 基板 ２，８，２２０，２８０ 絶縁膜 ３，２３０，４１０ 軟磁性膜 ４，２４０ 非磁性スペーサ膜 ５，２５０ 磁気抵抗効果膜 ６，６１，６２，２６０，２６１，２６２，２６３
反強磁性膜 ７，７１，７２，２７０，２７１，２７２，２７３
電極膜 ９，２９０，３００ ステンシル １０１，１０２ フォトレジスト Ｔｗ 磁気抵抗効果センサ作動領域
反強磁性膜 ７，７１，７２，２７０，２７１，２７２，２７３
電極膜 ９，２９０，３００ ステンシル １０１，１０２ フォトレジスト Ｔｗ 磁気抵抗効果センサ作動領域
Claims (4)
- 【請求項１】 基板上に形成された磁気抵抗センサ作動
領域において、磁気的に記録された情報を検出する磁気
抵抗効果ヘッドであって、 前記基板上の前記磁気抵抗センサ作動領域となる部分に
両端部がテーパ形状に加工されて形成された軟磁性膜
と、 前記軟磁性膜上に両端部が前記軟磁性膜のテーパ形状と
同一のテーパ形状に加工されて形成された非磁性スペー
サ膜と、 前記基板、前記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサ膜の全
体を覆うように形成された磁気抵抗効果膜と、 該磁気抵抗効果膜上の前記磁気抵抗センサ作動領域とな
らない部分に形成された反強磁性膜とを有することを特
徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項２】 請求項１に記載の磁気抵抗効果ヘッドに
おいて、 前記磁気抵抗効果膜は、前記反強磁性膜と接する境界面
において、前記反強磁性膜と交換結合されていることを
特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項３】 請求項１または請求項２に記載の磁気抵
抗効果ヘッドにおいて、 前記軟磁性膜は、前記磁気抵抗効果膜と接する境界面に
おいて、前記磁気抵抗効果膜と磁気的な連続性を有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッド。 - 【請求項４】 基板上に形成された磁気抵抗センサ作動
領域において、磁気的に記録された情報を検出する磁気
抵抗効果ヘッドの製造方法であって、 前記基板上に、軟磁性膜及び非磁性スペーサ膜を形成す
る工程と、 前記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサ膜を前記磁気抵抗
センサ作動領域となる領域にパターン化するとともに前
記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサの両端部をテーパ形
状に加工する工程と、 前記軟磁性膜及び前記非磁性スペーサ膜の上に、前記軟
磁性膜と接する境界面において磁気的な連続性を有する
磁気抵抗効果膜を形成する工程と、 前記磁気抵抗効果膜上の前記磁気抵抗センサ作動領域と
ならない部分に、前記磁気抵抗効果膜と接する境界面に
おいて、前記磁気抵抗効果膜と交換結合する反強磁性膜
を形成する工程と、 前記反強磁性膜上に電極膜を形成する工程とを少なくと
も順次行うことを特徴とする磁気抵抗効果ヘッドの製造
方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517595A JPH09161230A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31517595A JPH09161230A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09161230A true JPH09161230A (ja) | 1997-06-20 |
Family
ID=18062330
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31517595A Pending JPH09161230A (ja) | 1995-12-04 | 1995-12-04 | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09161230A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6779248B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-08-24 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a lead overlay bottom spin valve with improved side reading |
| US7103963B2 (en) * | 2001-05-03 | 2006-09-12 | Hitachi Global Storage Technologies | Method for manufacturing a tunnel junction sensor with non-shunting stabilization |
| US7140093B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-11-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process for fabricating a magneto-resistive (MR) sensor |
| US7178222B2 (en) * | 2000-07-17 | 2007-02-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tunneling magnetoresistive element |
| US7227720B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-06-05 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same |
| US7284316B1 (en) * | 2004-11-17 | 2007-10-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for forming a hard bias structure in a magnetoresistive sensor |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111007A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
-
1995
- 1995-12-04 JP JP31517595A patent/JPH09161230A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH08111007A (ja) * | 1994-10-12 | 1996-04-30 | Hitachi Ltd | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド及びその製造方法 |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7178222B2 (en) * | 2000-07-17 | 2007-02-20 | Alps Electric Co., Ltd. | Method of manufacturing a tunneling magnetoresistive element |
| US7103963B2 (en) * | 2001-05-03 | 2006-09-12 | Hitachi Global Storage Technologies | Method for manufacturing a tunnel junction sensor with non-shunting stabilization |
| US6779248B2 (en) * | 2002-03-07 | 2004-08-24 | Headway Technologies, Inc. | Method of manufacturing a lead overlay bottom spin valve with improved side reading |
| US7116531B2 (en) * | 2002-03-07 | 2006-10-03 | Headway Technologies, Inc. | Lead overlay bottom spin valve with improved side reading |
| US7140093B2 (en) * | 2002-09-26 | 2006-11-28 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Process for fabricating a magneto-resistive (MR) sensor |
| US7227720B2 (en) * | 2004-06-21 | 2007-06-05 | Headway Technologies, Inc. | Magnetic head for perpendicular magnetic recording and method of manufacturing same |
| US7284316B1 (en) * | 2004-11-17 | 2007-10-23 | Western Digital (Fremont), Llc | Method for forming a hard bias structure in a magnetoresistive sensor |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US5721008A (en) | Method for controlling sensor-to-sensor alignment and material properties in a dual magnetoresistive sensor | |
| JP2000182223A (ja) | 薄膜磁気ヘッド及びその製造方法 | |
| EP0727773A1 (en) | Magnetoresistive head | |
| JPH09161230A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド及びその製造方法 | |
| JP4005356B2 (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド、磁気抵抗効果型ヘッド製造方法、および情報再生装置 | |
| US5896251A (en) | Magnetoresistance effect head with conductor film pair and magnetic field proving film pair disposed between substrate and magnetoresistance effect film | |
| JP2000113421A (ja) | 磁気トンネル接合磁気抵抗ヘッド | |
| JPH0845027A (ja) | 磁気抵抗効果素子及びその製造方法 | |
| JPH0668430A (ja) | 磁気抵抗効果型読み取り変換器 | |
| JPS63138513A (ja) | 薄膜磁気ヘツド及びその製造方法 | |
| JPH11232616A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 | |
| KR100234188B1 (ko) | 자기저항 박막자기헤드 및 그 제조방법 | |
| JPH0714125A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 | |
| JP2000182219A (ja) | 磁気抵抗効果素子を有する基板及びその製造方法、ならびに磁気抵抗効果素子を有する基板の加工方法 | |
| JPH0817019A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッド | |
| JP3164050B2 (ja) | 磁気抵抗効果型複合ヘッドの製造方法 | |
| JPH08235536A (ja) | 磁気抵抗効果ヘッドおよび磁気記録再生ヘッド | |
| JP2836571B2 (ja) | 磁気ヘッド | |
| JPH07105510A (ja) | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法 | |
| JPH07244821A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法 | |
| JPH09305922A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッドおよびその製造方法 | |
| JPH0863716A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH06333214A (ja) | 磁気抵抗効果型ヘッド | |
| JPH0744825A (ja) | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド | |
| JPH08255315A (ja) | 薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法 |