JPH0744825A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0744825A JPH0744825A JP18857493A JP18857493A JPH0744825A JP H0744825 A JPH0744825 A JP H0744825A JP 18857493 A JP18857493 A JP 18857493A JP 18857493 A JP18857493 A JP 18857493A JP H0744825 A JPH0744825 A JP H0744825A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 一対のシールド層２、７間に、ＭＲ素子層３
を形成すると共に、該ＭＲ素子層に重ねて反強磁性体層
４を形成したＭＲヘッドにおいて、製造工程が複雑とな
ることのない簡易な構成にて、反強磁性体層４へのセン
ス電流の分流を抑制することが出来るＭＲヘッドを提供
する。 【構成】 反強磁性体層４には、ＭＲ素子層３の感磁部
Ｗ上の領域に、非感磁部上の領域よりも薄い薄肉部41が
形成されている。
を形成すると共に、該ＭＲ素子層に重ねて反強磁性体層
４を形成したＭＲヘッドにおいて、製造工程が複雑とな
ることのない簡易な構成にて、反強磁性体層４へのセン
ス電流の分流を抑制することが出来るＭＲヘッドを提供
する。 【構成】 反強磁性体層４には、ＭＲ素子層３の感磁部
Ｗ上の領域に、非感磁部上の領域よりも薄い薄肉部41が
形成されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気ディスク装置等の
磁気記録再生装置、特に小型で、高信号密度の磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
磁気記録再生装置、特に小型で、高信号密度の磁気記録
装置に使用される磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関するも
のである。
【０００２】
【従来の技術】磁気抵抗効果型磁気ヘッド(以下、ＭＲ
ヘッドという)は、高い再生感度を有し、再生出力が記
録媒体−ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記
録装置の小型化、高信号密度化に好適である。ＭＲヘッ
ドにおいては、通常、再生時の分解能を高めるために、
磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子)を一対のシールド層
間に挟み込んだシールド構造が採用される。
ヘッドという)は、高い再生感度を有し、再生出力が記
録媒体−ヘッド間の相対速度に依存しないので、磁気記
録装置の小型化、高信号密度化に好適である。ＭＲヘッ
ドにおいては、通常、再生時の分解能を高めるために、
磁気抵抗効果素子(以下、ＭＲ素子)を一対のシールド層
間に挟み込んだシールド構造が採用される。
【０００３】ところで、ＭＲ素子の磁区構造に起因した
バルクハウゼンノイズの発生を低減させるため、図５に
示すＭＲヘッドが知られている。基板(１)上には、絶縁
層(８)(81)を介して下部シールド層(２)と上部シールド
層(７)が形成され、両シールド層間に、ＭＲ素子層
(３)、電極層(５)(５)及びシャント層(６)が形成される
と共に、ＭＲ素子層(３)の表面に重ねて反強磁性体層(4
0)が積層されている。該ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素
子層(３)と反強磁性体層(40)の界面における両層の交換
相互作用によって、ＭＲ素子層(３)の長手方向に交換バ
イアス磁界が印加される。該交換バイアス磁界は、ＭＲ
素子層(３)の長手方向の反磁界以上の強度があれば、Ｍ
Ｒ素子層(３)中の磁壁の形成を抑制し、ＭＲ素子層(３)
を単磁区化する様に働く。これによって、バルクハウゼ
ンノイズの発生が抑制されるのである。
バルクハウゼンノイズの発生を低減させるため、図５に
示すＭＲヘッドが知られている。基板(１)上には、絶縁
層(８)(81)を介して下部シールド層(２)と上部シールド
層(７)が形成され、両シールド層間に、ＭＲ素子層
(３)、電極層(５)(５)及びシャント層(６)が形成される
と共に、ＭＲ素子層(３)の表面に重ねて反強磁性体層(4
0)が積層されている。該ＭＲヘッドにおいては、ＭＲ素
子層(３)と反強磁性体層(40)の界面における両層の交換
相互作用によって、ＭＲ素子層(３)の長手方向に交換バ
イアス磁界が印加される。該交換バイアス磁界は、ＭＲ
素子層(３)の長手方向の反磁界以上の強度があれば、Ｍ
Ｒ素子層(３)中の磁壁の形成を抑制し、ＭＲ素子層(３)
を単磁区化する様に働く。これによって、バルクハウゼ
ンノイズの発生が抑制されるのである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記Ｍ
Ｒヘッドにおいては、ＭＲ素子層(３)を流れるセンス電
流が反強磁性体層(40)にも分流し、反強磁性体層(40)を
流れる電流は記録媒体からの信号再生には寄与せず、ヘ
ッドの再生出力が低下する問題があった。
Ｒヘッドにおいては、ＭＲ素子層(３)を流れるセンス電
流が反強磁性体層(40)にも分流し、反強磁性体層(40)を
流れる電流は記録媒体からの信号再生には寄与せず、ヘ
ッドの再生出力が低下する問題があった。
【０００５】上記問題点を解決するべく、特開昭６２−
４０６１０号公報には、図６に示す様にＭＲ素子層(９)
の内、一対の電極層(92)(92)によって挟まれた感磁部か
ら離して、両側の非感磁部のみに重ねて反強磁性体層(9
1)(91)を形成し、ＭＲ素子層(９)を単磁区化する方法が
提案されている。しかしながら、該方法においては、Ｍ
Ｒ層(９)と反強磁性体層(91)が何れも金属であることか
ら、ＭＲ層(９)の両端部のみに重ねて反強磁性体層(91)
を精度良く形成することが、通常のリソグラフィ技術で
は困難であり、ＭＲ素子層(９)がオーバエッチングされ
る等の問題がある。これを防止するには、製造工程が著
しく複雑となり、歩留りが低下する。
４０６１０号公報には、図６に示す様にＭＲ素子層(９)
の内、一対の電極層(92)(92)によって挟まれた感磁部か
ら離して、両側の非感磁部のみに重ねて反強磁性体層(9
1)(91)を形成し、ＭＲ素子層(９)を単磁区化する方法が
提案されている。しかしながら、該方法においては、Ｍ
Ｒ層(９)と反強磁性体層(91)が何れも金属であることか
ら、ＭＲ層(９)の両端部のみに重ねて反強磁性体層(91)
を精度良く形成することが、通常のリソグラフィ技術で
は困難であり、ＭＲ素子層(９)がオーバエッチングされ
る等の問題がある。これを防止するには、製造工程が著
しく複雑となり、歩留りが低下する。
【０００６】本発明の目的は、製造工程が複雑となるこ
とのない簡易な構成を有して、反強磁性体層へのセンス
電流の分流を効果的に抑制することが出来るＭＲヘッド
を提供することである。
とのない簡易な構成を有して、反強磁性体層へのセンス
電流の分流を効果的に抑制することが出来るＭＲヘッド
を提供することである。
【０００７】
【課題を解決する為の手段】本発明に係るＭＲヘッドお
いて、反強磁性体層(４)は、ＭＲ素子層(３)の感磁部上
の領域が、非感磁部上の領域よりも薄く形成されてい
る。
いて、反強磁性体層(４)は、ＭＲ素子層(３)の感磁部上
の領域が、非感磁部上の領域よりも薄く形成されてい
る。
【０００８】
【作用及び効果】本発明に係るＭＲヘッドにおいては、
反強磁性体層(４)が、ＭＲ素子層(３)の感磁部上の領域
にて薄く形成されているから、該領域の電気抵抗が高く
なり、ＭＲ素子層(３)を流れるセンス電流は、反強磁性
体層(４)へは殆ど分流しない。従って、ヘッドの再生出
力は高く維持される。尚、本発明に係るＭＲヘッドの製
造工程においては、反強磁性体層(４)はＭＲ素子層(３)
の全体を覆って形成されるから、通常のリソグラフィ技
術によって容易に形成することが出来る。
反強磁性体層(４)が、ＭＲ素子層(３)の感磁部上の領域
にて薄く形成されているから、該領域の電気抵抗が高く
なり、ＭＲ素子層(３)を流れるセンス電流は、反強磁性
体層(４)へは殆ど分流しない。従って、ヘッドの再生出
力は高く維持される。尚、本発明に係るＭＲヘッドの製
造工程においては、反強磁性体層(４)はＭＲ素子層(３)
の全体を覆って形成されるから、通常のリソグラフィ技
術によって容易に形成することが出来る。
【０００９】
【実施例】以下、本発明の一実施例につき、図面に沿っ
て詳述する。本発明に係るＭＲヘッドは図１に示す如
く、基板(１)上に、下部シールド層(２)及び上部シール
ド層(７)が絶縁層(８)(81)を介して形成され、両シール
ド層(２)(７)間には、ＭＲ素子層(３)、反強磁性体層
(４)、電極層(５)(５)及びシャント層(６)が順次積層さ
れている。電極層(５)(５)には、ターミナル部(図示省
略)を経て外部回路からセンス電流が供給される。
て詳述する。本発明に係るＭＲヘッドは図１に示す如
く、基板(１)上に、下部シールド層(２)及び上部シール
ド層(７)が絶縁層(８)(81)を介して形成され、両シール
ド層(２)(７)間には、ＭＲ素子層(３)、反強磁性体層
(４)、電極層(５)(５)及びシャント層(６)が順次積層さ
れている。電極層(５)(５)には、ターミナル部(図示省
略)を経て外部回路からセンス電流が供給される。
【００１０】反強磁性体層(４)はＦｅＭｎ(５０原子％
Ｆｅ−５０原子％Ｍｎ)製であって、ＭＲ素子層(３)上
に直接に連続して成膜されており、図２に示す如く一対
の電極層(５)(５)に挟まれたＭＲ素子層(３)の感磁部Ｗ
上の領域に、他の領域よりも薄い薄肉部(41)を有してい
る。例えば反強磁性体層(４)の全厚Ｔａは２００オング
ストローム、薄肉部(41)の厚さＴｂは５０オングストロ
ームである。
Ｆｅ−５０原子％Ｍｎ)製であって、ＭＲ素子層(３)上
に直接に連続して成膜されており、図２に示す如く一対
の電極層(５)(５)に挟まれたＭＲ素子層(３)の感磁部Ｗ
上の領域に、他の領域よりも薄い薄肉部(41)を有してい
る。例えば反強磁性体層(４)の全厚Ｔａは２００オング
ストローム、薄肉部(41)の厚さＴｂは５０オングストロ
ームである。
【００１１】従って、反強磁性体層(４)の感磁部上での
電気抵抗は、図５に示す従来のＭＲヘッドの反強磁性体
層(40)の４倍の大きさとなって、ＭＲ素子層(３)を流れ
るセンス電流が反強磁性体層(４)へ分流することを阻止
する。
電気抵抗は、図５に示す従来のＭＲヘッドの反強磁性体
層(40)の４倍の大きさとなって、ＭＲ素子層(３)を流れ
るセンス電流が反強磁性体層(４)へ分流することを阻止
する。
【００１２】又図２に示す如く、再生ギャップ長Ｔ
0は、下部絶縁層(８)から上部絶縁層(81)までの厚さで
あるが、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成されてい
ることから、再生ギャップ長Ｔ0が従来よりも小さくな
り、これによって高周波信号の再生特性が改善される。
更に又、ＭＲ素子層(３)と下部シールド層(２)の間隔Ｔ
1と、ＭＲ素子層(３)と上部シールド層(７)の間隔Ｔ2の
比はバイアス効率に影響を及ぼすが、図２のＭＲヘッド
においては、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成され
ていることから、ＭＲ素子層(３)と上部シールド層(７)
の間隔Ｔ2が従来よりも小さくなり、これによってバイ
アス効率が改善される効果が得られる。
0は、下部絶縁層(８)から上部絶縁層(81)までの厚さで
あるが、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成されてい
ることから、再生ギャップ長Ｔ0が従来よりも小さくな
り、これによって高周波信号の再生特性が改善される。
更に又、ＭＲ素子層(３)と下部シールド層(２)の間隔Ｔ
1と、ＭＲ素子層(３)と上部シールド層(７)の間隔Ｔ2の
比はバイアス効率に影響を及ぼすが、図２のＭＲヘッド
においては、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成され
ていることから、ＭＲ素子層(３)と上部シールド層(７)
の間隔Ｔ2が従来よりも小さくなり、これによってバイ
アス効率が改善される効果が得られる。
【００１３】図３及び図４は本発明に係るＭＲヘッドの
一連の製造工程を示している。先ず図３(ａ)の如く、厚
さ略２.６ｍｍのＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板(１)上に、Ａｌ2
Ｏ3の基板絶縁層(図示省略)をスパッタリングによって
厚さ１０μmに形成し、その上に、下部シールド層(２)
となる厚さ１μmのパーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０
重量％Ｆｅ)を基板温度２００℃にて形成する。このと
き、基板ホルダーに永久磁石を取り付けて、１００Ｏｅ
の磁場を基板の面内方向へ印加しながらスパッタリング
を行ない、これによってパーマロイ膜に一軸異方性を付
与する。
一連の製造工程を示している。先ず図３(ａ)の如く、厚
さ略２.６ｍｍのＡｌ2Ｏ3−ＴｉＣ基板(１)上に、Ａｌ2
Ｏ3の基板絶縁層(図示省略)をスパッタリングによって
厚さ１０μmに形成し、その上に、下部シールド層(２)
となる厚さ１μmのパーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０
重量％Ｆｅ)を基板温度２００℃にて形成する。このと
き、基板ホルダーに永久磁石を取り付けて、１００Ｏｅ
の磁場を基板の面内方向へ印加しながらスパッタリング
を行ない、これによってパーマロイ膜に一軸異方性を付
与する。
【００１４】その後、パーマロイ膜にイオンミリング法
等の周知のフォトリソグラフィー技術を適用して、所定
形状を有する下部シールド層(２)にエッチング整形す
る。この際、磁化容易軸の方向に留意する。そして、下
部絶縁層(図示省略)となるＡｌ2Ｏ3膜をスパッタリング
によって厚さ２０００オングストロームに形成する。
等の周知のフォトリソグラフィー技術を適用して、所定
形状を有する下部シールド層(２)にエッチング整形す
る。この際、磁化容易軸の方向に留意する。そして、下
部絶縁層(図示省略)となるＡｌ2Ｏ3膜をスパッタリング
によって厚さ２０００オングストロームに形成する。
【００１５】次に図３(ｂ)の如く、ＭＲ素子層(３)とな
る厚さ４００オングストロームのパーマロイ膜(８２重
量％Ｎｉ−１８重量％Ｆｅ)を磁場中スパッタ法によっ
て形成する。この際、ＭＲ素子の磁化容易軸を揃えるべ
く、１００Ｏｅの磁場を印加しながら基板温度２５０℃
にてスパッタリングを行なう。そして、そのまま真空を
破らずにパーマロイ膜の上に、ＭＲ素子の磁区安定化の
ためのＦｅＭｎ(５０原子％Ｆｅ−５０原子％Ｍｎ)から
なる反強磁性膜(42)を連続してスパッタリングする。
る厚さ４００オングストロームのパーマロイ膜(８２重
量％Ｎｉ−１８重量％Ｆｅ)を磁場中スパッタ法によっ
て形成する。この際、ＭＲ素子の磁化容易軸を揃えるべ
く、１００Ｏｅの磁場を印加しながら基板温度２５０℃
にてスパッタリングを行なう。そして、そのまま真空を
破らずにパーマロイ膜の上に、ＭＲ素子の磁区安定化の
ためのＦｅＭｎ(５０原子％Ｆｅ−５０原子％Ｍｎ)から
なる反強磁性膜(42)を連続してスパッタリングする。
【００１６】その後、イオンミリング法等の周知のフォ
トリスグラフィ技術を用いて、上記ＭＲ素子層及び反強
磁性膜(42)をパターニングする。この際、ＭＲ素子層の
長手方向が磁化容易軸となる様にパターニングする。本
実施例では、長手方向が１００μm、これと直交する方
向が５μmの矩形に整形する。
トリスグラフィ技術を用いて、上記ＭＲ素子層及び反強
磁性膜(42)をパターニングする。この際、ＭＲ素子層の
長手方向が磁化容易軸となる様にパターニングする。本
実施例では、長手方向が１００μm、これと直交する方
向が５μmの矩形に整形する。
【００１７】図３(ｃ)では、反強磁性膜(42)の表面の
内、ＭＲ素子層(３)の感磁部となる領域に重なる領域に
対し、周知のフォトリソグラフィ技術によってエッチン
グを施し、反強磁性体層(４)の薄肉部(41)を形成する。
本実施例では、薄肉部(41)の厚さが５０オングストロー
ムとなる様にエッチング時間を調節する。
内、ＭＲ素子層(３)の感磁部となる領域に重なる領域に
対し、周知のフォトリソグラフィ技術によってエッチン
グを施し、反強磁性体層(４)の薄肉部(41)を形成する。
本実施例では、薄肉部(41)の厚さが５０オングストロー
ムとなる様にエッチング時間を調節する。
【００１８】次に図４(ａ)において、反強磁性体層(４)
を覆って、ＴｉとＣｕの積層膜を形成し、該積層膜を周
知のフォトリソグラフィ技術によって所定形状に整形し
て、ＭＲ素子層にセンス電流を供給するための電極層
(５)(５)を形成する。尚、ＴｉとＣｕの膜厚は夫々２０
０オングストローム、１２００オングストロームとす
る。又、一対の電極層(５)(５)の間隔は５μmに設定し
て、トラック幅を規定する。
を覆って、ＴｉとＣｕの積層膜を形成し、該積層膜を周
知のフォトリソグラフィ技術によって所定形状に整形し
て、ＭＲ素子層にセンス電流を供給するための電極層
(５)(５)を形成する。尚、ＴｉとＣｕの膜厚は夫々２０
０オングストローム、１２００オングストロームとす
る。又、一対の電極層(５)(５)の間隔は５μmに設定し
て、トラック幅を規定する。
【００１９】更に図４(ｂ)において、電極層(５)(５)を
覆って、シャント層(６)となるＴｉ膜を厚さ１０００オ
ングストロームに形成した後、これを所定形状にエッチ
ングする。
覆って、シャント層(６)となるＴｉ膜を厚さ１０００オ
ングストロームに形成した後、これを所定形状にエッチ
ングする。
【００２０】その後、上部絶縁層となる厚さ２５００オ
ングストロームのＳｉＯ2膜をスパッタリング法によっ
て形成する。続いて、上部シールド層となる厚さ１μm
のパーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)を下
部シールド層と同様に形成し、イオンミリング法等の周
知のフォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状の上部
シールド層にエッチング整形する。
ングストロームのＳｉＯ2膜をスパッタリング法によっ
て形成する。続いて、上部シールド層となる厚さ１μm
のパーマロイ膜(８０重量％Ｎｉ−２０重量％Ｆｅ)を下
部シールド層と同様に形成し、イオンミリング法等の周
知のフォトリソグラフィ技術を用いて、所定形状の上部
シールド層にエッチング整形する。
【００２１】更にその後、上部絶縁層に対し、周知のフ
ォトリソグラフィ技術を用いて、ターミナル部のスルー
ホール加工を行ない、ターミナル部の構成材料であるＣ
ｕとＡｕの積層膜をスパッタリング法によって厚さ１μ
mに形成し、これを所定形状にエッチング整形する。そ
して最後に、保護層となる厚さ１０μmのＡｌ2Ｏ3膜を
リフトオフ法を用いて形成することによって、ターミナ
ル部のスルーホール加工を同時に行なう。これによって
本発明のＭＲヘッドが完成する。
ォトリソグラフィ技術を用いて、ターミナル部のスルー
ホール加工を行ない、ターミナル部の構成材料であるＣ
ｕとＡｕの積層膜をスパッタリング法によって厚さ１μ
mに形成し、これを所定形状にエッチング整形する。そ
して最後に、保護層となる厚さ１０μmのＡｌ2Ｏ3膜を
リフトオフ法を用いて形成することによって、ターミナ
ル部のスルーホール加工を同時に行なう。これによって
本発明のＭＲヘッドが完成する。
【００２２】尚、図３(ｃ)に示す工程を省略し、図４
(ａ)において電極層(５)(５)をエッチング整形する際
に、反強磁性体層(４)を連続的にエッチングして、薄肉
部(41)を形成する方法も採用可能である。
(ａ)において電極層(５)(５)をエッチング整形する際
に、反強磁性体層(４)を連続的にエッチングして、薄肉
部(41)を形成する方法も採用可能である。
【００２３】上記のごとく本発明のＭＲヘッドにおいて
は、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成されて、該薄
肉部(41)の電気抵抗が大きく形成されているから、ＭＲ
素子層(３)を流れるセンス電流の分流が効果的に抑制さ
れる。又、上記ＭＲヘッドの製造方法は、通常のフォト
リソグラフィ技術を用いた簡易な工程によって実施出来
るから、歩留りの低下やコストアップを招来することな
く、高性能のＭＲヘッドが得られる。
は、反強磁性体層(４)に薄肉部(41)が形成されて、該薄
肉部(41)の電気抵抗が大きく形成されているから、ＭＲ
素子層(３)を流れるセンス電流の分流が効果的に抑制さ
れる。又、上記ＭＲヘッドの製造方法は、通常のフォト
リソグラフィ技術を用いた簡易な工程によって実施出来
るから、歩留りの低下やコストアップを招来することな
く、高性能のＭＲヘッドが得られる。
【００２４】上記実施例の説明は、本発明を説明するた
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
めのものであって、特許請求の範囲に記載の発明を限定
し、或は範囲を減縮する様に解すべきではない。又、本
発明の各部構成は上記実施例に限らず、特許請求の範囲
に記載の技術的範囲内で種々の変形が可能であることは
勿論である。
【図１】本発明に係るＭＲヘッドの構造を示す断面図で
ある。
ある。
【図２】該ＭＲヘッドの要部を拡大して示す断面図であ
る。
る。
【図３】該ＭＲヘッドの製造方法の前半を示す工程図で
ある。
ある。
【図４】同上の後半の工程図である。
【図５】従来のＭＲヘッドの構造を示す断面図である。
【図６】他の従来例の要部を示す平面図である。
(１) 基板 (２) 下部シールド層 (３) ＭＲ素子層 (４) 反強磁性体層 (41) 薄肉部 (５) 電極層 (６) シャント層 (７) 上部シールド層 (８) 絶縁層 (81) 絶縁層
フロントページの続き (72)発明者 小林 伸二 大阪府守口市京阪本通２丁目18番地 三洋 電機株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 一対のシールド層(２)(７)間に、磁気抵
抗効果素子層(３)を形成すると共に、該磁気抵抗効果素
子層に重ねて反強磁性体層(４)を形成した磁気抵抗効果
型磁気ヘッドにおいて、反強磁性体層(４)は、磁気抵抗
効果素子層(３)の感磁部上の領域が、非感磁部上の領域
よりも薄く形成されていることを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18857493A JPH0744825A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP18857493A JPH0744825A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0744825A true JPH0744825A (ja) | 1995-02-14 |
Family
ID=16226070
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP18857493A Withdrawn JPH0744825A (ja) | 1993-07-30 | 1993-07-30 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0744825A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761010A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, manufacturing method of the head and magnetic recording/reproducing drive |
-
1993
- 1993-07-30 JP JP18857493A patent/JPH0744825A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5761010A (en) * | 1995-08-31 | 1998-06-02 | Fujitsu Limited | Magnetoresistive head, manufacturing method of the head and magnetic recording/reproducing drive |
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