JPH0714125A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法

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JPH0714125A
JPH0714125A JP15241493A JP15241493A JPH0714125A JP H0714125 A JPH0714125 A JP H0714125A JP 15241493 A JP15241493 A JP 15241493A JP 15241493 A JP15241493 A JP 15241493A JP H0714125 A JPH0714125 A JP H0714125A
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JP
Japan
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layer
magnetoresistive effect
antiferromagnetic
soft magnetic
magnetoresistive
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Application number
JP15241493A
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English (en)
Inventor
Yukinari Shibagaki
行成 柴垣
Takeya Miyashita
武也 宮下
Nobuhiro Terada
伸大 寺田
Original Assignee
Ngk Insulators Ltd
日本碍子株式会社
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Publication date
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Publication of JPH0714125A publication Critical patent/JPH0714125A/ja
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Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気抵抗効果素子膜と、その両端部に重なって
設けられた反強磁性層との間に交換結合を有効に生じさ
せ、その結果バルクハウゼンノイズを有効に抑制した磁
気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法を提供する。 【構成】軟磁性体層(NiFeNb)22、スペーサ層
(TaまたはTi)24、磁気抵抗効果素子層(NiF
e)26を連続的に形成する。フォトレジスト層32を
形成する(工程A)。フォトレジスト層32をマスクと
して、磁気抵抗効果素子27をパターニングする(工程
B)。フォトレジスト層34を形成する。軟磁性体層
(NiFe)52、反強磁性層(FeMn)54を連続
的に形成する(工程C)。リフトオフにより、軟磁性体
層52および反強磁性層54を磁気抵抗効果素子27の
両端部上に選択的に形成する(工程D)。導体(W)5
6を形成する(工程E)。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果
素子を用いた再生専用ヘッドであり、その再生出力が磁
気記録媒体と磁気ヘッドとの間の相対速度に依存しな
い、高い再生出力が得られる、という優れた特性を有し
ているので、磁気ディスク装置や磁気テープ装置を高密
度記録化または小型化する上で有利なヘッドである。
【0003】しかしながら、高密度化や小型化するため
に、磁気抵抗効果素子の素子長を小さくすると、バルク
ハウゼンノイズが顕著になり、実用化する上で問題とな
る。
【0004】このバルクハウゼンノイズを抑制するため
に、図5に示す構造の磁気抵抗効果型ヘッド500が提
案されている(特開昭62−40610号公報参照)。
【0005】図5を参照すれば、基板110上に軟磁性
体層122が設けられ、軟磁性体層122上にスペーサ
層124が設けられ、スペーサ層124上には磁気抵抗
効果素子127が設けられ、磁気抵抗効果素子127の
両端部上には非強磁性体層154が設けられ、非強磁性
体層154上には、導体層156が設けられている。
【0006】非強磁性体層154と、磁気抵抗効果素子
127との交換結合によって、磁気抵抗効果素子127
の長手方向にバイアス磁界(縦方向バイアス:図6参
照)を生じさせ、素子全体の単磁区化を図ることによっ
てバルクハウゼンノイズを抑制している。そして、この
非強磁性体層154を磁気抵抗効果素子127の全面上
に設けて、磁気抵抗効果素子127の全領域で非強磁性
体層154と結合すると、磁気抵抗効果素子127の感
度が低下するので、非強磁性体層154は磁気抵抗効果
素子127の両端部上にのみ設けている。
【0007】軟磁性体層122は、磁気抵抗効果素子1
27に横方向バイアス(図6参照)を与えるために設け
られており、スペーサ層124は磁気抵抗効果素子12
7と軟磁性体層122とを磁気的に分離するために設け
られている。
【0008】このような構成とすることによって、図6
に示すように、磁気抵抗効果素子127の両端部におい
ては、磁気抵抗効果素子127と非強磁性体層154と
の交換結合によって縦方向バイアスが作用し、たとえ横
方向バイアスが働いても磁化が固定されたままである
(ピンニング効果)。一方、磁気抵抗効果素子127の
中央部においては、非強磁性体層154が設けられてい
ないから、軟磁性体層122によって与えられる横方向
バイアスによって磁化が変化し、磁気抵抗効果素子12
7のバイアス磁界−抵抗変化曲線におけるリニアリティ
の良い領域を使用することができる。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図5に
示す従来の磁気抵抗効果型ヘッド500においては、ま
ず、磁気抵抗効果素子127をパターニング形成し、そ
の後非強磁性体層154を形成する必要がある。この磁
気抵抗効果素子127のパターニング形成に際しては、
磁気抵抗効果素子127形成用の磁気抵抗効果素子層を
スパッタリング等により形成した後、スパッタリング装
置から空気中に取り出し、その後フォトレジスト層を選
択的に形成し、フォトレジスト層をマスクとして磁気抵
抗効果素子膜を選択的に除去して、磁気抵抗効果素子1
27を形成する。
【0010】このように、従来の磁気抵抗効果型ヘッド
500においては、一度磁気抵抗効果素子127を空気
中に取り出す必要があるから、その際に磁気抵抗効果素
子127の表面には酸化膜が形成されてしまう。従っ
て、その後、磁気抵抗効果素子127上に非強磁性体層
154を直接形成しても、磁気抵抗効果素子127と非
強磁性体層154との間には酸化膜が介在してしまい、
磁気抵抗効果素子127と非強磁性体層154との間に
は交換結合が生じなくなり、その結果バルクハウゼンノ
イズを抑制することも困難となる。
【0011】従って、本発明の目的は、磁気抵抗効果素
子膜と、その両端部に重なって設けられた反強磁性層と
の間に交換結合を有効に生じさせ、その結果バルクハウ
ゼンノイズを有効に抑制した磁気抵抗効果型ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気抵
抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部にそれぞ
れ重なって設けられた第1および第2の反強磁性層と、
前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
接続されて設けられた第1および第2の導体層と、を有
する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、第1および第2の
軟磁性体層を、前記第1および第2の反強磁性層と前記
磁気抵抗効果素子の前記両端部との間にそれぞれ設けた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。
【0013】また、本発明によれば、磁気抵抗効果素子
を選択的に形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子の少
なくとも両端部上に軟磁性体層を形成する工程と、その
後連続して、前記軟磁性体層上に反強磁性層を形成する
工程と、前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ
電気的に接続する第1および第2の導体層を形成する工
程と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法が得られる。
【0014】さらに、また、本発明によれば、反強磁性
層を形成する工程と、その後連続して、前記反強磁性層
上に軟磁性体層を形成する工程と、前記反強磁性層およ
び前記軟磁性体層を選択的に除去して、前記反強磁性層
と前記軟磁性体層とからなり所定の間隔離間した第1お
よび第2の積層体を形成する工程と、前記第1および第
2の積層体上にその両端部がそれぞれ重なる磁気抵抗効
果素子を選択的に形成する工程と、前記磁気抵抗効果素
子の前記両端部にそれぞれ電気的に接続する第1および
第2の導体層を形成する工程と、を有することを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法が得られる。
【0015】さらに、また、本発明によれば、磁気抵抗
効果素子層を形成する工程と、その後連続して、前記磁
気抵抗効果素子層上に第1の反強磁性層を形成する工程
と、前記第1の反強磁性層および前記磁気抵抗効果素子
層を選択的に除去して、前記磁気抵抗効果素子層からな
る磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部
上にそれぞれ重なり前記第1の反強磁性層からなる第2
および第3の反強磁性層と、を形成する工程と、前記磁
気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に接続す
る第1および第2の導体層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法が得
られる。
【0016】
【作用】本発明においては、磁気抵抗効果素子の両端に
反強磁性層を重ねて設けることにより、反強磁性層と磁
気抵抗効果素子との交換結合によって磁気抵抗効果素子
の長手方向にバイアス磁界が生じ、磁気抵抗効果素子全
体が単磁区化してバルクハウゼンノイズが抑制される。
【0017】この場合に、反強磁性層と磁気抵抗効果素
子との間に軟磁性体層を設けることによって、磁気抵抗
効果素子層と反強磁性層とを連続的に形成せずに、磁気
抵抗効果素子をパターニング形成した後に反強磁性層を
形成しても、または、反強磁性層をパターニング形成し
た後に磁気抵抗効果素子を形成しても、これらの間に設
けられた軟磁性体層を介して反強磁性層と磁気抵抗効果
素子との間には交換結合が生じ、その結果バルクハウゼ
ンノイズが抑制される。
【0018】この軟磁性体層と反強磁性層とを連続的に
設けることによって、軟磁性体層と反強磁性層との間に
交換結合が有効に生じ、その結果、軟磁性体層を介して
反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合が有効
に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制される。
【0019】また、まず、磁気抵抗効果素子層上に連続
して反強磁性層を形成し、その後、反強磁性層および磁
気抵抗効果素子層を選択的に除去して、磁気抵抗効果素
子と、磁気抵抗効果素子の両端部上にそれぞれ重なる反
強磁性層とを形成することにより、磁気抵抗効果素子と
反強磁性層との間に酸化膜等を介在させることなく磁気
抵抗効果素子の両端上に反強磁性層を直接に形成できる
ので、反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合
が有効に生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制さ
れる。
【0020】
【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。
【0021】図1は、本発明の第1の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド200およびその製造方法を説明するため
の断面図である。
【0022】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層(図示せず)とその上に設けられAl2 3 から
なる電気的絶縁層(図示せず)とを備える基板10を準
備する。
【0023】その後、基板10上に、厚さ0.03μm
のNiFeNbからなる軟磁性体層22、厚さ0.02
μmのTaまたはTiからなるスペーサ層24、および
厚さ0.04μmのNiFeからなる磁気抵抗効果素子
層26を順次スパッタリング法により連続的に(すなわ
ち、空気中に取り出すことなく)形成する。次に、磁気
抵抗効果素子層26上にフォトレジスト層32を選択的
に形成する(工程A)。
【0024】次に、フォトレジスト層32をマスクとし
て、磁気抵抗効果素子層26、スペーサ層24および軟
磁性体層22をイオンミリング法によってエッチング除
去して、幅3μm、長さ15μmの磁気抵抗効果素子2
7をパターニング形成する(工程B)。
【0025】次に、磁気抵抗効果素子27の両端部を露
出するようにフォトレジスト層34を選択的に形成す
る。この際、フォトレジスト層34の端部は逆テーパ状
となるようにする。フォトレジスト層34の表面をまず
難溶化処理し、その後フォトレジスト層34を選択的に
除去することにより、フォトレジスト層34の端部を逆
テーパ状にすることができる。その後、厚さ0.02μ
mのNiFeからなる軟磁性体層52、厚さ0.03μ
mのFeMnからなる反強磁性層54を連続的にスパッ
タリング法により形成する。このスパッタリングの際、
磁界中でNiFeおよびFeMnを膜形成することによ
って、交換結合、すなわち、縦方向の強い誘導磁気異方
性が生じる(工程C)。
【0026】その後、フォトレジスト層34を剥離する
ことにより、軟磁性体層52および反強磁性層54を選
択的に除去する(工程D)。この場合に、フォトレジス
ト層34の端部が逆テーパ状となっているから、フォト
レジスト層34の端部で軟磁性体層52および反強磁性
層54の膜がほぼ分断される。従って、リフトオフ時に
フォトレジスト層34上の膜のみを容易に除去できる。
【0027】次に、厚さ0.2μmのWからなる導体層
56を、工程CおよびDと同様な方法で、反強磁性層5
4上に選択的に形成して、本実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッド200を形成する(工程E)。
【0028】本実施例においては、磁気抵抗効果素子2
7の両端上に反強磁性層54を重ねて設けることによ
り、反強磁性層54と磁気抵抗効果素子27との交換結
合によって磁気抵抗効果素子27の長手方向にバイアス
磁界が生じ、磁気抵抗効果素子27全体が単磁区化して
バルクハウゼンノイズが抑制される。
【0029】この場合に、反強磁性層54と磁気抵抗効
果素子27との間に磁気抵抗効果素子27と同じ材料で
あるNiFe層からなる軟磁性体層52を設けることに
よって、磁気抵抗効果素子層26と反強磁性層54とを
連続的に形成せずに、磁気抵抗効果素子27をパターニ
ング形成した後に反強磁性層54を形成しても、これら
の間に設けられたNiFeからなる軟磁性体層52を介
して反強磁性層54と磁気抵抗効果素子27との間には
交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制
される。
【0030】この場合、このNiFeからなる軟磁性体
層52と反強磁性層54とを連続的に設けることによっ
て、NiFeからなる軟磁性体層52と反強磁性層54
との間には交換結合が有効に生じ、その結果、NiFe
からなる軟磁性体層52を介して反強磁性層54と磁気
抵抗効果素子27との間に交換結合が有効に生じて、バ
ルクハウゼンノイズが抑制される。なお、工程Cにおい
て、フォトレジスト層34を選択的に設けた後であっ
て、NiFeからなる軟磁性体層52を形成する前に、
NiFeからなる磁気抵抗効果素子27の表面を軽くイ
オンミリングして磁気抵抗効果素子27の表面の酸化膜
を除去しておくことが好ましい。
【0031】なお、このNiFeからなる軟磁性体層5
2を設けずに、磁気抵抗効果素子27の表面を軽くイオ
ンミリングでエッチングして表面の酸化膜を除去し、そ
の後、NiFeからなる磁気抵抗効果素子27上に直接
にFeMnからなる反強磁性層54を形成した場合にお
いては、磁気抵抗効果素子27と反強磁性層54との間
には所望の交換結合が生じない。反強磁性層54を構成
するFeMnと磁気抵抗効果素子27との間に交換結合
が有効に生じるためには、FeMnの結晶構造が面心立
方である必要があるが、その下地となるNiFeからな
る磁気抵抗効果素子27の表面を軽くイオンミリングし
た後においては、その表面の結晶構造が乱れているから
その上に形成したFeMnの結晶構造も乱れているから
である。
【0032】これに対して、本実施例においては、Fe
Mnからなる反強磁性層54はNiFeからなる軟磁性
体層52上に連続して形成するから、FeMnの結晶構
造は面心立方となり、FeMnからなる反強磁性層54
とNiFeからなる軟磁性体層52との間、ひいてはF
eMnからなる反強磁性層54とNiFeからなる磁気
抵抗効果素子27との間に交換結合が有効に生じる。
【0033】図2は、本発明の第2の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド200およびその製造方法を説明するため
の断面図である。
【0034】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層(図示せず)とその上に設けられAl2 3 から
なる電気的絶縁層(図示せず)とを備える基板10を準
備する。
【0035】その後、基板10上に、磁気抵抗効果素子
69の両端部に相当する部分以外にフォトレジスト層3
6を選択的に形成する。この際、フォトレジスト層36
の端部は逆テーパ状となるようにする。その後、厚さ
0.02μmのCuからなる下地層62、厚さ0.02
μmのFeMnからなる反強磁性層64、および厚さ
0.02μmのNiFeからなる軟磁性体層66を連続
的にスパッタリング法により形成する(工程A)。な
お、下地層62を構成するCuは面心立方構造であるか
ら、その上に形成されるFeMnからなる反強磁性層6
4も面心立方構造となる。
【0036】その後、フォトレジスト層36を剥離する
ことにより、フォトレジスト層36上の下地層62、反
強磁性層64および軟磁性体層66を選択的に除去し
て、下地層62、反強磁性層64および軟磁性体層66
からなり所定の間隔離間した積層体300を形成する
(工程B)。
【0037】その後、厚さ0.04μmのNiFeから
なる磁気抵抗効果素子層68、厚さ0.02μmのTa
またはTiからなるスペーサ層70、および厚さ0.0
3μmのNiFeNbからなる軟磁性体層72を順次ス
パッタリング法により連続的に形成する。次に、軟磁性
体層72上にフォトレジスト層38を選択的に形成する
(工程C)。
【0038】次に、フォトレジスト層38をマスクとし
て、軟磁性体層72、スペーサ層70および磁気抵抗効
果素子層68をイオンミリング法によってエッチング除
去して、磁気抵抗効果素子69をパターニング形成する
(工程D)。
【0039】次に、導体層74を形成する部分以外の部
分をフォトレジスト層(図示せず)でマスキングし、そ
の後、スパッタリング法により、厚さ0.2μmのWか
らなる導体層を全面に形成し、その後フォトレジスト層
上の導体層をフォトレジスト層と一緒に剥がすことによ
り、導体層74を選択的に形成して、本実施例の磁気抵
抗効果型ヘッド200を形成する(工程E)。
【0040】本実施例においても、磁気抵抗効果素子6
9の両端に反強磁性層64を重ねて設けることにより、
反強磁性層64と磁気抵抗効果素子69との交換結合に
よって磁気抵抗効果素子69の長手方向にバイアス磁界
が生じ、磁気抵抗効果素子69全体が単磁区化してバル
クハウゼンノイズが抑制される。
【0041】この場合に、反強磁性層64と磁気抵抗効
果素子69との間に磁気抵抗効果素子69と同じ材料で
あるNiFe層からなる軟磁性体層66を設けることに
よって、磁気抵抗効果素子層68と反強磁性層64とを
連続的に形成せずに、反強磁性層64をパターニング形
成した後に磁気抵抗効果素子69を形成しても、これら
の間に設けられたNiFeからなる軟磁性体層66を介
して反強磁性層64と磁気抵抗効果素子69との間には
交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制
される。
【0042】この場合、このNiFeからなる軟磁性体
層66と反強磁性層64とを連続的に設けることによっ
て、NiFeからなる軟磁性体層66と反強磁性層64
との間には交換結合が有効に生じ、その結果、NiFe
からなる軟磁性体層66を介して反強磁性層64と磁気
抵抗効果素子69との間に交換結合が有効に生じて、バ
ルクハウゼンノイズが抑制される。なお、工程Cにおい
て、NiFeからなる磁気抵抗効果素子層68を形成す
る前に、NiFeからなる軟磁性体層66の表面を軽く
イオンミリングでエッチングして軟磁性体層66の表面
の酸化膜を除去しておくことが好ましい。
【0043】図3は、本発明の第3の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドおよびその製造方法を説明するための断面
図である。
【0044】上述した第1の実施例においては、軟磁性
体層22と磁気抵抗効果素子27とがスペーサ層24に
よって全体が分離されており、また、軟磁性体層52お
よび反強磁性層54が、磁気抵抗効果素子27の両端部
上から基板10上にまで延在していたが、本実施例にお
いては、スペーサ層24を磁気抵抗効果素子27の中央
部にのみ設け、磁気抵抗効果素子27の両端部と軟磁性
体層52の両端部を接触させるとともに、軟磁性体層5
2および反強磁性層54を、磁気抵抗効果素子27の両
端部上にのみ設けている点が第1の実施例と異なるが、
他の構成は同一であり、製造方法も同様である。
【0045】本実施例のように、磁気抵抗効果素子27
の両端部と軟磁性体層52の両端部とを接触させること
により、磁気抵抗効果素子27のみならず軟磁性体層5
2にも、FeMnとの間で交換結合が作用し、より有効
にバルクハウゼンノイズを抑制することができる。
【0046】図4は、本発明の第4の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド200およびその製造方法を説明するため
の断面図である。
【0047】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層(図示せず)とその上に設けられAl2 3 から
なる電気的絶縁層(図示せず)とを備える基板10を準
備する。
【0048】その後、基板10上に、厚さ0.03μm
のNiFeNbからなる軟磁性体層22、厚さ0.02
μmのTaまたはTiからなるスペーサ層24、厚さ
0.05μmのNiFeからなる磁気抵抗効果素子層2
6、および厚さ0.02μmのFeMnからなる反強磁
性層82を、順次スパッタリング法により連続的に形成
する。なお、この場合には、少なくとも、磁気抵抗効果
素子膜26および反強磁性層82は連続成膜することが
必要である。次に、反強磁性層82上にフォトレジスト
層42を選択的に形成する(工程A)。
【0049】次に、フォトレジスト層42をマスクとし
て、反強磁性層82、磁気抵抗効果素子層26、スペー
サ層24および軟磁性体層22をイオンミリング法によ
ってエッチング除去して、磁気抵抗効果素子27をパタ
ーニング形成する(工程B)。
【0050】次に、磁気抵抗効果素子27の両端部、す
なわち反強磁性層82の両端部を覆うようにフォトレジ
スト層44を選択的に形成する(工程C)。
【0051】次に、フォトレジスト層44をマスクとし
てイオンミリング法によって反強磁性層82の中央部を
全部除去するとともに、磁気抵抗効果素子27の中央部
の表面部分も除去する(工程D)。この工程によって、
磁気抵抗効果素子27の両端部のみが反強磁性層82に
覆われた構造となる。
【0052】次に、第2の実施例の工程Eと同様にして
リフトオフ法により、導体層84を選択的に形成して、
本実施例の磁気抵抗効果型ヘッド200を形成する(工
程E)。なお、導体層84をパターニング形成した後
に、導体層84をマスクにして、反強磁性層82をイオ
ンミリング法により選択的に除去してもよい。
【0053】本実施例においては、磁気抵抗効果素子層
26上に連続して反強磁性層82を形成し、その後、反
強磁性層82および磁気抵抗効果素子層26を選択的に
除去して、磁気抵抗効果素子27と、磁気抵抗効果素子
27の両端部上にそれぞれ重なる反強磁性層82とを形
成しているから、磁気抵抗効果素子27と反強磁性層8
2との間に酸化膜等を介在させることなく磁気抵抗効果
素子27の両端上に反強磁性層82を直接に形成でき
る。従って、反強磁性層82と磁気抵抗効果素子27と
の間に交換結合が有効に生じ、その結果バルクハウゼン
ノイズが抑制される。
【0054】
【発明の効果】本発明においては、磁気抵抗効果素子の
両端に反強磁性層を重ねて設けることにより、反強磁性
層と磁気抵抗効果素子との交換結合によって磁気抵抗効
果素子の長手方向にバイアス磁界が生じ、磁気抵抗効果
素子全体が単磁区化してバルクハウゼンノイズが抑制さ
れる。
【0055】反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に軟
磁性体層を設けることによって、磁気抵抗効果素子層と
反強磁性層とを連続的に形成せずに、磁気抵抗効果素子
をパターニング形成した後に反強磁性層を形成しても、
または、反強磁性層をパターニング形成した後に磁気抵
抗効果素子を形成しても、これらの間に設けられた軟磁
性体層を介して反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に
は交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑
制される。
【0056】この軟磁性体層と反強磁性層とを連続的に
設けることによって、軟磁性体層と反強磁性層との間に
交換結合が有効に生じ、その結果、軟磁性体層を介して
反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合が有効
に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制される。
【0057】また、まず、磁気抵抗効果素子層上に連続
して反強磁性層を形成し、その後、反強磁性層および磁
気抵抗効果素子層を選択的に除去して、磁気抵抗効果素
子と、磁気抵抗効果素子の両端部上にそれぞれ重なる反
強磁性層とを形成することによって、磁気抵抗効果素子
と反強磁性層との間に酸化膜等を介在させることなく磁
気抵抗効果素子の両端上に反強磁性層を直接に形成で
き、その結果、反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に
交換結合が有効に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制
される。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。
【図2】本発明の第2の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。
【図3】本発明の第3の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。
【図4】本発明の第4の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。
【図5】従来の磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方
法を説明するための断面図である。
【図6】磁気抵抗効果素子のバイアス状態を説明するた
めの平面図である。
【符号の説明】
10…基板、22…軟磁性体層、24…スペーサ層、2
6…磁気抵抗効果素子層、27…磁気抵抗効果素子、3
2、34、36、38、42、44…フォトレジスト
層、52…軟磁性体層、54…反強磁性層、56…導体
層 62…下地層、64…反強磁性層、66…軟磁性体
層、68…磁気抵抗効果素子層、69…磁気抵抗効果素
子、70…スペーサ層、72…軟磁性体層、74…導体
層、82…反強磁性層、84…導体層、110…基板、
122…軟磁性体層、124…スペーサ層、127…磁
気抵抗効果素子、154…非強磁性体層、156…導体
層、200…磁気抵抗効果型ヘッド、300…積層体、
500…磁気抵抗効果型ヘッド

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の両端部にそれぞれ重なって設け
    られた第1および第2の反強磁性層と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
    接続されて設けられた第1および第2の導体層と、 を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 第1および第2の軟磁性体層を、前記第1および第2の
    反強磁性層と前記磁気抵抗効果素子の前記両端部との間
    にそれぞれ設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
    ド。
  2. 【請求項2】磁気抵抗効果素子を選択的に形成する工程
    と、 前記磁気抵抗効果素子の少なくとも両端部上に軟磁性体
    層を形成する工程と、 その後連続して、前記軟磁性体層上に反強磁性層を形成
    する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
    接続する第1および第2の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
    方法。
  3. 【請求項3】反強磁性層を形成する工程と、 その後連続して、前記反強磁性層上に軟磁性体層を形成
    する工程と、 前記反強磁性層および前記軟磁性体層を選択的に除去し
    て、前記反強磁性層と前記軟磁性体層とからなり所定の
    間隔離間した第1および第2の積層体を形成する工程
    と、 前記第1および第2の積層体上にその両端部がそれぞれ
    重なる磁気抵抗効果素子を選択的に形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
    接続する第1および第2の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
    方法。
  4. 【請求項4】磁気抵抗効果素子層を形成する工程と、 その後連続して、前記磁気抵抗効果素子層上に第1の反
    強磁性層を形成する工程と、 前記第1の反強磁性層および前記磁気抵抗効果素子層を
    選択的に除去して、前記磁気抵抗効果素子層からなる磁
    気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部上に
    それぞれ重なり前記第1の反強磁性層からなる第2およ
    び第3の反強磁性層と、を形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
    接続する第1および第2の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
    方法。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0762389A1 (en) * 1995-08-31 1997-03-12 Fujitsu Limited Magnetoresistive head, manufacturing method of the head and magnetic recording/reproducing drive
US5850323A (en) * 1995-06-29 1998-12-15 Fujitsu Limited Magnetoresistive head and magnetic recording drive
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