JPH0714125A - 磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】磁気抵抗効果素子膜と、その両端部に重なって
設けられた反強磁性層との間に交換結合を有効に生じさ
せ、その結果バルクハウゼンノイズを有効に抑制した磁
気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方法を提供する。 【構成】軟磁性体層（ＮｉＦｅＮｂ）２２、スペーサ層
（ＴａまたはＴｉ）２４、磁気抵抗効果素子層（ＮｉＦ
ｅ）２６を連続的に形成する。フォトレジスト層３２を
形成する（工程Ａ）。フォトレジスト層３２をマスクと
して、磁気抵抗効果素子２７をパターニングする（工程
Ｂ）。フォトレジスト層３４を形成する。軟磁性体層
（ＮｉＦｅ）５２、反強磁性層（ＦｅＭｎ）５４を連続
的に形成する（工程Ｃ）。リフトオフにより、軟磁性体
層５２および反強磁性層５４を磁気抵抗効果素子２７の
両端部上に選択的に形成する（工程Ｄ）。導体（Ｗ）５
６を形成する（工程Ｅ）。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果
素子を用いた再生専用ヘッドであり、その再生出力が磁
気記録媒体と磁気ヘッドとの間の相対速度に依存しな
い、高い再生出力が得られる、という優れた特性を有し
ているので、磁気ディスク装置や磁気テープ装置を高密
度記録化または小型化する上で有利なヘッドである。

【０００３】しかしながら、高密度化や小型化するため
に、磁気抵抗効果素子の素子長を小さくすると、バルク
ハウゼンノイズが顕著になり、実用化する上で問題とな
る。

【０００４】このバルクハウゼンノイズを抑制するため
に、図５に示す構造の磁気抵抗効果型ヘッド５００が提
案されている（特開昭６２−４０６１０号公報参照）。

【０００５】図５を参照すれば、基板１１０上に軟磁性
体層１２２が設けられ、軟磁性体層１２２上にスペーサ
層１２４が設けられ、スペーサ層１２４上には磁気抵抗
効果素子１２７が設けられ、磁気抵抗効果素子１２７の
両端部上には非強磁性体層１５４が設けられ、非強磁性
体層１５４上には、導体層１５６が設けられている。

【０００６】非強磁性体層１５４と、磁気抵抗効果素子
１２７との交換結合によって、磁気抵抗効果素子１２７
の長手方向にバイアス磁界（縦方向バイアス：図６参
照）を生じさせ、素子全体の単磁区化を図ることによっ
てバルクハウゼンノイズを抑制している。そして、この
非強磁性体層１５４を磁気抵抗効果素子１２７の全面上
に設けて、磁気抵抗効果素子１２７の全領域で非強磁性
体層１５４と結合すると、磁気抵抗効果素子１２７の感
度が低下するので、非強磁性体層１５４は磁気抵抗効果
素子１２７の両端部上にのみ設けている。

【０００７】軟磁性体層１２２は、磁気抵抗効果素子１
２７に横方向バイアス（図６参照）を与えるために設け
られており、スペーサ層１２４は磁気抵抗効果素子１２
７と軟磁性体層１２２とを磁気的に分離するために設け
られている。

【０００８】このような構成とすることによって、図６
に示すように、磁気抵抗効果素子１２７の両端部におい
ては、磁気抵抗効果素子１２７と非強磁性体層１５４と
の交換結合によって縦方向バイアスが作用し、たとえ横
方向バイアスが働いても磁化が固定されたままである
（ピンニング効果）。一方、磁気抵抗効果素子１２７の
中央部においては、非強磁性体層１５４が設けられてい
ないから、軟磁性体層１２２によって与えられる横方向
バイアスによって磁化が変化し、磁気抵抗効果素子１２
７のバイアス磁界−抵抗変化曲線におけるリニアリティ
の良い領域を使用することができる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図５に
示す従来の磁気抵抗効果型ヘッド５００においては、ま
ず、磁気抵抗効果素子１２７をパターニング形成し、そ
の後非強磁性体層１５４を形成する必要がある。この磁
気抵抗効果素子１２７のパターニング形成に際しては、
磁気抵抗効果素子１２７形成用の磁気抵抗効果素子層を
スパッタリング等により形成した後、スパッタリング装
置から空気中に取り出し、その後フォトレジスト層を選
択的に形成し、フォトレジスト層をマスクとして磁気抵
抗効果素子膜を選択的に除去して、磁気抵抗効果素子１
２７を形成する。

【００１０】このように、従来の磁気抵抗効果型ヘッド
５００においては、一度磁気抵抗効果素子１２７を空気
中に取り出す必要があるから、その際に磁気抵抗効果素
子１２７の表面には酸化膜が形成されてしまう。従っ
て、その後、磁気抵抗効果素子１２７上に非強磁性体層
１５４を直接形成しても、磁気抵抗効果素子１２７と非
強磁性体層１５４との間には酸化膜が介在してしまい、
磁気抵抗効果素子１２７と非強磁性体層１５４との間に
は交換結合が生じなくなり、その結果バルクハウゼンノ
イズを抑制することも困難となる。

【００１１】従って、本発明の目的は、磁気抵抗効果素
子膜と、その両端部に重なって設けられた反強磁性層と
の間に交換結合を有効に生じさせ、その結果バルクハウ
ゼンノイズを有効に抑制した磁気抵抗効果型ヘッドおよ
びその製造方法を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明によれば、磁気抵
抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部にそれぞ
れ重なって設けられた第１および第２の反強磁性層と、
前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
接続されて設けられた第１および第２の導体層と、を有
する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、第１および第２の
軟磁性体層を、前記第１および第２の反強磁性層と前記
磁気抵抗効果素子の前記両端部との間にそれぞれ設けた
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドが得られる。

【００１３】また、本発明によれば、磁気抵抗効果素子
を選択的に形成する工程と、前記磁気抵抗効果素子の少
なくとも両端部上に軟磁性体層を形成する工程と、その
後連続して、前記軟磁性体層上に反強磁性層を形成する
工程と、前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ
電気的に接続する第１および第２の導体層を形成する工
程と、を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド
の製造方法が得られる。

【００１４】さらに、また、本発明によれば、反強磁性
層を形成する工程と、その後連続して、前記反強磁性層
上に軟磁性体層を形成する工程と、前記反強磁性層およ
び前記軟磁性体層を選択的に除去して、前記反強磁性層
と前記軟磁性体層とからなり所定の間隔離間した第１お
よび第２の積層体を形成する工程と、前記第１および第
２の積層体上にその両端部がそれぞれ重なる磁気抵抗効
果素子を選択的に形成する工程と、前記磁気抵抗効果素
子の前記両端部にそれぞれ電気的に接続する第１および
第２の導体層を形成する工程と、を有することを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法が得られる。

【００１５】さらに、また、本発明によれば、磁気抵抗
効果素子層を形成する工程と、その後連続して、前記磁
気抵抗効果素子層上に第１の反強磁性層を形成する工程
と、前記第１の反強磁性層および前記磁気抵抗効果素子
層を選択的に除去して、前記磁気抵抗効果素子層からな
る磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部
上にそれぞれ重なり前記第１の反強磁性層からなる第２
および第３の反強磁性層と、を形成する工程と、前記磁
気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に接続す
る第１および第２の導体層を形成する工程と、を有する
ことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法が得
られる。

【００１６】

【作用】本発明においては、磁気抵抗効果素子の両端に
反強磁性層を重ねて設けることにより、反強磁性層と磁
気抵抗効果素子との交換結合によって磁気抵抗効果素子
の長手方向にバイアス磁界が生じ、磁気抵抗効果素子全
体が単磁区化してバルクハウゼンノイズが抑制される。

【００１７】この場合に、反強磁性層と磁気抵抗効果素
子との間に軟磁性体層を設けることによって、磁気抵抗
効果素子層と反強磁性層とを連続的に形成せずに、磁気
抵抗効果素子をパターニング形成した後に反強磁性層を
形成しても、または、反強磁性層をパターニング形成し
た後に磁気抵抗効果素子を形成しても、これらの間に設
けられた軟磁性体層を介して反強磁性層と磁気抵抗効果
素子との間には交換結合が生じ、その結果バルクハウゼ
ンノイズが抑制される。

【００１８】この軟磁性体層と反強磁性層とを連続的に
設けることによって、軟磁性体層と反強磁性層との間に
交換結合が有効に生じ、その結果、軟磁性体層を介して
反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合が有効
に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制される。

【００１９】また、まず、磁気抵抗効果素子層上に連続
して反強磁性層を形成し、その後、反強磁性層および磁
気抵抗効果素子層を選択的に除去して、磁気抵抗効果素
子と、磁気抵抗効果素子の両端部上にそれぞれ重なる反
強磁性層とを形成することにより、磁気抵抗効果素子と
反強磁性層との間に酸化膜等を介在させることなく磁気
抵抗効果素子の両端上に反強磁性層を直接に形成できる
ので、反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合
が有効に生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制さ
れる。

【００２０】

【実施例】次に、本発明の実施例を添付の図面を参照し
て説明する。

【００２１】図１は、本発明の第１の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド２００およびその製造方法を説明するため
の断面図である。

【００２２】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層（図示せず）とその上に設けられＡｌ₂ Ｏ₃ から
なる電気的絶縁層（図示せず）とを備える基板１０を準
備する。

【００２３】その後、基板１０上に、厚さ０．０３μｍ
のＮｉＦｅＮｂからなる軟磁性体層２２、厚さ０．０２
μｍのＴａまたはＴｉからなるスペーサ層２４、および
厚さ０．０４μｍのＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果素子
層２６を順次スパッタリング法により連続的に（すなわ
ち、空気中に取り出すことなく）形成する。次に、磁気
抵抗効果素子層２６上にフォトレジスト層３２を選択的
に形成する（工程Ａ）。

【００２４】次に、フォトレジスト層３２をマスクとし
て、磁気抵抗効果素子層２６、スペーサ層２４および軟
磁性体層２２をイオンミリング法によってエッチング除
去して、幅３μｍ、長さ１５μｍの磁気抵抗効果素子２
７をパターニング形成する（工程Ｂ）。

【００２５】次に、磁気抵抗効果素子２７の両端部を露
出するようにフォトレジスト層３４を選択的に形成す
る。この際、フォトレジスト層３４の端部は逆テーパ状
となるようにする。フォトレジスト層３４の表面をまず
難溶化処理し、その後フォトレジスト層３４を選択的に
除去することにより、フォトレジスト層３４の端部を逆
テーパ状にすることができる。その後、厚さ０．０２μ
ｍのＮｉＦｅからなる軟磁性体層５２、厚さ０．０３μ
ｍのＦｅＭｎからなる反強磁性層５４を連続的にスパッ
タリング法により形成する。このスパッタリングの際、
磁界中でＮｉＦｅおよびＦｅＭｎを膜形成することによ
って、交換結合、すなわち、縦方向の強い誘導磁気異方
性が生じる（工程Ｃ）。

【００２６】その後、フォトレジスト層３４を剥離する
ことにより、軟磁性体層５２および反強磁性層５４を選
択的に除去する（工程Ｄ）。この場合に、フォトレジス
ト層３４の端部が逆テーパ状となっているから、フォト
レジスト層３４の端部で軟磁性体層５２および反強磁性
層５４の膜がほぼ分断される。従って、リフトオフ時に
フォトレジスト層３４上の膜のみを容易に除去できる。

【００２７】次に、厚さ０．２μｍのＷからなる導体層
５６を、工程ＣおよびＤと同様な方法で、反強磁性層５
４上に選択的に形成して、本実施例の磁気抵抗効果型ヘ
ッド２００を形成する（工程Ｅ）。

【００２８】本実施例においては、磁気抵抗効果素子２
７の両端上に反強磁性層５４を重ねて設けることによ
り、反強磁性層５４と磁気抵抗効果素子２７との交換結
合によって磁気抵抗効果素子２７の長手方向にバイアス
磁界が生じ、磁気抵抗効果素子２７全体が単磁区化して
バルクハウゼンノイズが抑制される。

【００２９】この場合に、反強磁性層５４と磁気抵抗効
果素子２７との間に磁気抵抗効果素子２７と同じ材料で
あるＮｉＦｅ層からなる軟磁性体層５２を設けることに
よって、磁気抵抗効果素子層２６と反強磁性層５４とを
連続的に形成せずに、磁気抵抗効果素子２７をパターニ
ング形成した後に反強磁性層５４を形成しても、これら
の間に設けられたＮｉＦｅからなる軟磁性体層５２を介
して反強磁性層５４と磁気抵抗効果素子２７との間には
交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制
される。

【００３０】この場合、このＮｉＦｅからなる軟磁性体
層５２と反強磁性層５４とを連続的に設けることによっ
て、ＮｉＦｅからなる軟磁性体層５２と反強磁性層５４
との間には交換結合が有効に生じ、その結果、ＮｉＦｅ
からなる軟磁性体層５２を介して反強磁性層５４と磁気
抵抗効果素子２７との間に交換結合が有効に生じて、バ
ルクハウゼンノイズが抑制される。なお、工程Ｃにおい
て、フォトレジスト層３４を選択的に設けた後であっ
て、ＮｉＦｅからなる軟磁性体層５２を形成する前に、
ＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果素子２７の表面を軽くイ
オンミリングして磁気抵抗効果素子２７の表面の酸化膜
を除去しておくことが好ましい。

【００３１】なお、このＮｉＦｅからなる軟磁性体層５
２を設けずに、磁気抵抗効果素子２７の表面を軽くイオ
ンミリングでエッチングして表面の酸化膜を除去し、そ
の後、ＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果素子２７上に直接
にＦｅＭｎからなる反強磁性層５４を形成した場合にお
いては、磁気抵抗効果素子２７と反強磁性層５４との間
には所望の交換結合が生じない。反強磁性層５４を構成
するＦｅＭｎと磁気抵抗効果素子２７との間に交換結合
が有効に生じるためには、ＦｅＭｎの結晶構造が面心立
方である必要があるが、その下地となるＮｉＦｅからな
る磁気抵抗効果素子２７の表面を軽くイオンミリングし
た後においては、その表面の結晶構造が乱れているから
その上に形成したＦｅＭｎの結晶構造も乱れているから
である。

【００３２】これに対して、本実施例においては、Ｆｅ
Ｍｎからなる反強磁性層５４はＮｉＦｅからなる軟磁性
体層５２上に連続して形成するから、ＦｅＭｎの結晶構
造は面心立方となり、ＦｅＭｎからなる反強磁性層５４
とＮｉＦｅからなる軟磁性体層５２との間、ひいてはＦ
ｅＭｎからなる反強磁性層５４とＮｉＦｅからなる磁気
抵抗効果素子２７との間に交換結合が有効に生じる。

【００３３】図２は、本発明の第２の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド２００およびその製造方法を説明するため
の断面図である。

【００３４】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層（図示せず）とその上に設けられＡｌ₂ Ｏ₃ から
なる電気的絶縁層（図示せず）とを備える基板１０を準
備する。

【００３５】その後、基板１０上に、磁気抵抗効果素子
６９の両端部に相当する部分以外にフォトレジスト層３
６を選択的に形成する。この際、フォトレジスト層３６
の端部は逆テーパ状となるようにする。その後、厚さ
０．０２μｍのＣｕからなる下地層６２、厚さ０．０２
μｍのＦｅＭｎからなる反強磁性層６４、および厚さ
０．０２μｍのＮｉＦｅからなる軟磁性体層６６を連続
的にスパッタリング法により形成する（工程Ａ）。な
お、下地層６２を構成するＣｕは面心立方構造であるか
ら、その上に形成されるＦｅＭｎからなる反強磁性層６
４も面心立方構造となる。

【００３６】その後、フォトレジスト層３６を剥離する
ことにより、フォトレジスト層３６上の下地層６２、反
強磁性層６４および軟磁性体層６６を選択的に除去し
て、下地層６２、反強磁性層６４および軟磁性体層６６
からなり所定の間隔離間した積層体３００を形成する
（工程Ｂ）。

【００３７】その後、厚さ０．０４μｍのＮｉＦｅから
なる磁気抵抗効果素子層６８、厚さ０．０２μｍのＴａ
またはＴｉからなるスペーサ層７０、および厚さ０．０
３μｍのＮｉＦｅＮｂからなる軟磁性体層７２を順次ス
パッタリング法により連続的に形成する。次に、軟磁性
体層７２上にフォトレジスト層３８を選択的に形成する
（工程Ｃ）。

【００３８】次に、フォトレジスト層３８をマスクとし
て、軟磁性体層７２、スペーサ層７０および磁気抵抗効
果素子層６８をイオンミリング法によってエッチング除
去して、磁気抵抗効果素子６９をパターニング形成する
（工程Ｄ）。

【００３９】次に、導体層７４を形成する部分以外の部
分をフォトレジスト層（図示せず）でマスキングし、そ
の後、スパッタリング法により、厚さ０．２μｍのＷか
らなる導体層を全面に形成し、その後フォトレジスト層
上の導体層をフォトレジスト層と一緒に剥がすことによ
り、導体層７４を選択的に形成して、本実施例の磁気抵
抗効果型ヘッド２００を形成する（工程Ｅ）。

【００４０】本実施例においても、磁気抵抗効果素子６
９の両端に反強磁性層６４を重ねて設けることにより、
反強磁性層６４と磁気抵抗効果素子６９との交換結合に
よって磁気抵抗効果素子６９の長手方向にバイアス磁界
が生じ、磁気抵抗効果素子６９全体が単磁区化してバル
クハウゼンノイズが抑制される。

【００４１】この場合に、反強磁性層６４と磁気抵抗効
果素子６９との間に磁気抵抗効果素子６９と同じ材料で
あるＮｉＦｅ層からなる軟磁性体層６６を設けることに
よって、磁気抵抗効果素子層６８と反強磁性層６４とを
連続的に形成せずに、反強磁性層６４をパターニング形
成した後に磁気抵抗効果素子６９を形成しても、これら
の間に設けられたＮｉＦｅからなる軟磁性体層６６を介
して反強磁性層６４と磁気抵抗効果素子６９との間には
交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑制
される。

【００４２】この場合、このＮｉＦｅからなる軟磁性体
層６６と反強磁性層６４とを連続的に設けることによっ
て、ＮｉＦｅからなる軟磁性体層６６と反強磁性層６４
との間には交換結合が有効に生じ、その結果、ＮｉＦｅ
からなる軟磁性体層６６を介して反強磁性層６４と磁気
抵抗効果素子６９との間に交換結合が有効に生じて、バ
ルクハウゼンノイズが抑制される。なお、工程Ｃにおい
て、ＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果素子層６８を形成す
る前に、ＮｉＦｅからなる軟磁性体層６６の表面を軽く
イオンミリングでエッチングして軟磁性体層６６の表面
の酸化膜を除去しておくことが好ましい。

【００４３】図３は、本発明の第３の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッドおよびその製造方法を説明するための断面
図である。

【００４４】上述した第１の実施例においては、軟磁性
体層２２と磁気抵抗効果素子２７とがスペーサ層２４に
よって全体が分離されており、また、軟磁性体層５２お
よび反強磁性層５４が、磁気抵抗効果素子２７の両端部
上から基板１０上にまで延在していたが、本実施例にお
いては、スペーサ層２４を磁気抵抗効果素子２７の中央
部にのみ設け、磁気抵抗効果素子２７の両端部と軟磁性
体層５２の両端部を接触させるとともに、軟磁性体層５
２および反強磁性層５４を、磁気抵抗効果素子２７の両
端部上にのみ設けている点が第１の実施例と異なるが、
他の構成は同一であり、製造方法も同様である。

【００４５】本実施例のように、磁気抵抗効果素子２７
の両端部と軟磁性体層５２の両端部とを接触させること
により、磁気抵抗効果素子２７のみならず軟磁性体層５
２にも、ＦｅＭｎとの間で交換結合が作用し、より有効
にバルクハウゼンノイズを抑制することができる。

【００４６】図４は、本発明の第４の実施例の磁気抵抗
効果型ヘッド２００およびその製造方法を説明するため
の断面図である。

【００４７】まず、軟磁性フェライトからなる磁気シー
ルド層（図示せず）とその上に設けられＡｌ₂ Ｏ₃ から
なる電気的絶縁層（図示せず）とを備える基板１０を準
備する。

【００４８】その後、基板１０上に、厚さ０．０３μｍ
のＮｉＦｅＮｂからなる軟磁性体層２２、厚さ０．０２
μｍのＴａまたはＴｉからなるスペーサ層２４、厚さ
０．０５μｍのＮｉＦｅからなる磁気抵抗効果素子層２
６、および厚さ０．０２μｍのＦｅＭｎからなる反強磁
性層８２を、順次スパッタリング法により連続的に形成
する。なお、この場合には、少なくとも、磁気抵抗効果
素子膜２６および反強磁性層８２は連続成膜することが
必要である。次に、反強磁性層８２上にフォトレジスト
層４２を選択的に形成する（工程Ａ）。

【００４９】次に、フォトレジスト層４２をマスクとし
て、反強磁性層８２、磁気抵抗効果素子層２６、スペー
サ層２４および軟磁性体層２２をイオンミリング法によ
ってエッチング除去して、磁気抵抗効果素子２７をパタ
ーニング形成する（工程Ｂ）。

【００５０】次に、磁気抵抗効果素子２７の両端部、す
なわち反強磁性層８２の両端部を覆うようにフォトレジ
スト層４４を選択的に形成する（工程Ｃ）。

【００５１】次に、フォトレジスト層４４をマスクとし
てイオンミリング法によって反強磁性層８２の中央部を
全部除去するとともに、磁気抵抗効果素子２７の中央部
の表面部分も除去する（工程Ｄ）。この工程によって、
磁気抵抗効果素子２７の両端部のみが反強磁性層８２に
覆われた構造となる。

【００５２】次に、第２の実施例の工程Ｅと同様にして
リフトオフ法により、導体層８４を選択的に形成して、
本実施例の磁気抵抗効果型ヘッド２００を形成する（工
程Ｅ）。なお、導体層８４をパターニング形成した後
に、導体層８４をマスクにして、反強磁性層８２をイオ
ンミリング法により選択的に除去してもよい。

【００５３】本実施例においては、磁気抵抗効果素子層
２６上に連続して反強磁性層８２を形成し、その後、反
強磁性層８２および磁気抵抗効果素子層２６を選択的に
除去して、磁気抵抗効果素子２７と、磁気抵抗効果素子
２７の両端部上にそれぞれ重なる反強磁性層８２とを形
成しているから、磁気抵抗効果素子２７と反強磁性層８
２との間に酸化膜等を介在させることなく磁気抵抗効果
素子２７の両端上に反強磁性層８２を直接に形成でき
る。従って、反強磁性層８２と磁気抵抗効果素子２７と
の間に交換結合が有効に生じ、その結果バルクハウゼン
ノイズが抑制される。

【００５４】

【発明の効果】本発明においては、磁気抵抗効果素子の
両端に反強磁性層を重ねて設けることにより、反強磁性
層と磁気抵抗効果素子との交換結合によって磁気抵抗効
果素子の長手方向にバイアス磁界が生じ、磁気抵抗効果
素子全体が単磁区化してバルクハウゼンノイズが抑制さ
れる。

【００５５】反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に軟
磁性体層を設けることによって、磁気抵抗効果素子層と
反強磁性層とを連続的に形成せずに、磁気抵抗効果素子
をパターニング形成した後に反強磁性層を形成しても、
または、反強磁性層をパターニング形成した後に磁気抵
抗効果素子を形成しても、これらの間に設けられた軟磁
性体層を介して反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に
は交換結合が生じ、その結果バルクハウゼンノイズが抑
制される。

【００５６】この軟磁性体層と反強磁性層とを連続的に
設けることによって、軟磁性体層と反強磁性層との間に
交換結合が有効に生じ、その結果、軟磁性体層を介して
反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に交換結合が有効
に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制される。

【００５７】また、まず、磁気抵抗効果素子層上に連続
して反強磁性層を形成し、その後、反強磁性層および磁
気抵抗効果素子層を選択的に除去して、磁気抵抗効果素
子と、磁気抵抗効果素子の両端部上にそれぞれ重なる反
強磁性層とを形成することによって、磁気抵抗効果素子
と反強磁性層との間に酸化膜等を介在させることなく磁
気抵抗効果素子の両端上に反強磁性層を直接に形成で
き、その結果、反強磁性層と磁気抵抗効果素子との間に
交換結合が有効に生じて、バルクハウゼンノイズが抑制
される。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。

【図２】本発明の第２の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。

【図３】本発明の第３の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。

【図４】本発明の第４の実施例の磁気抵抗効果型ヘッド
およびその製造方法を説明するための断面図である。

【図５】従来の磁気抵抗効果型ヘッドおよびその製造方
法を説明するための断面図である。

【図６】磁気抵抗効果素子のバイアス状態を説明するた
めの平面図である。

【符号の説明】

１０…基板、２２…軟磁性体層、２４…スペーサ層、２
６…磁気抵抗効果素子層、２７…磁気抵抗効果素子、３
２、３４、３６、３８、４２、４４…フォトレジスト
層、５２…軟磁性体層、５４…反強磁性層、５６…導体
層 ６２…下地層、６４…反強磁性層、６６…軟磁性体
層、６８…磁気抵抗効果素子層、６９…磁気抵抗効果素
子、７０…スペーサ層、７２…軟磁性体層、７４…導体
層、８２…反強磁性層、８４…導体層、１１０…基板、
１２２…軟磁性体層、１２４…スペーサ層、１２７…磁
気抵抗効果素子、１５４…非強磁性体層、１５６…導体
層、２００…磁気抵抗効果型ヘッド、３００…積層体、
５００…磁気抵抗効果型ヘッド

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】磁気抵抗効果素子と、 前記磁気抵抗効果素子の両端部にそれぞれ重なって設け
   られた第１および第２の反強磁性層と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
   接続されて設けられた第１および第２の導体層と、 を有する磁気抵抗効果型ヘッドにおいて、 第１および第２の軟磁性体層を、前記第１および第２の
   反強磁性層と前記磁気抵抗効果素子の前記両端部との間
   にそれぞれ設けたことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。
2. 【請求項２】磁気抵抗効果素子を選択的に形成する工程
   と、 前記磁気抵抗効果素子の少なくとも両端部上に軟磁性体
   層を形成する工程と、 その後連続して、前記軟磁性体層上に反強磁性層を形成
   する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
   接続する第１および第２の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
   方法。
3. 【請求項３】反強磁性層を形成する工程と、 その後連続して、前記反強磁性層上に軟磁性体層を形成
   する工程と、 前記反強磁性層および前記軟磁性体層を選択的に除去し
   て、前記反強磁性層と前記軟磁性体層とからなり所定の
   間隔離間した第１および第２の積層体を形成する工程
   と、 前記第１および第２の積層体上にその両端部がそれぞれ
   重なる磁気抵抗効果素子を選択的に形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
   接続する第１および第２の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
   方法。
4. 【請求項４】磁気抵抗効果素子層を形成する工程と、 その後連続して、前記磁気抵抗効果素子層上に第１の反
   強磁性層を形成する工程と、 前記第１の反強磁性層および前記磁気抵抗効果素子層を
   選択的に除去して、前記磁気抵抗効果素子層からなる磁
   気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の両端部上に
   それぞれ重なり前記第１の反強磁性層からなる第２およ
   び第３の反強磁性層と、を形成する工程と、 前記磁気抵抗効果素子の前記両端部にそれぞれ電気的に
   接続する第１および第２の導体層を形成する工程と、 を有することを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの製造
   方法。