JPH10302230A - 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法Info
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- JPH10302230A JPH10302230A JP9120330A JP12033097A JPH10302230A JP H10302230 A JPH10302230 A JP H10302230A JP 9120330 A JP9120330 A JP 9120330A JP 12033097 A JP12033097 A JP 12033097A JP H10302230 A JPH10302230 A JP H10302230A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ばらつきのない特性の安定した磁気抵抗効果
型ヘッド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面に形成された絶縁膜１０上に、
軟磁性膜１２，磁気的分離膜１４，磁気抵抗効果膜１６
を、順次スパッタリングなどにより連続的に積層し、適
宜のマスクパターンによるイオンミリングによりパター
ニングを行って、磁気抵抗効果素子を形成する。次に、
マスクパターン２０を形成するとともに、縦バイアス膜
２２，第１の電極膜２４を、連続的に積層形成する。そ
の後、マスクパターン２０をリフトオフ法により剥離除
去すると、マスクパターン２０上の縦バイアス膜２２及
び第１の電極膜２４も除去され、縦バイアス膜２２及び
第１の電極膜２４が精度よく同一パターン形状で素子上
に形成される。
型ヘッド及びその製造方法を提供する。 【解決手段】 基板表面に形成された絶縁膜１０上に、
軟磁性膜１２，磁気的分離膜１４，磁気抵抗効果膜１６
を、順次スパッタリングなどにより連続的に積層し、適
宜のマスクパターンによるイオンミリングによりパター
ニングを行って、磁気抵抗効果素子を形成する。次に、
マスクパターン２０を形成するとともに、縦バイアス膜
２２，第１の電極膜２４を、連続的に積層形成する。そ
の後、マスクパターン２０をリフトオフ法により剥離除
去すると、マスクパターン２０上の縦バイアス膜２２及
び第１の電極膜２４も除去され、縦バイアス膜２２及び
第１の電極膜２４が精度よく同一パターン形状で素子上
に形成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ハードディスクな
どの磁気記録再生装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ド及びその製造方法に関するものである。
どの磁気記録再生装置に用いられる磁気抵抗効果型ヘッ
ド及びその製造方法に関するものである。
【０００２】
【背景技術】磁気記録再生装置，例えばハードディスク
では情報記録の高密度化が進み、１平方インチあたり１
ギガビット以上の記録密度が実用化されつつある。この
ような高密度を達成するためには、再生ヘッドとして、
従来の誘導型ヘッドに代わり、媒体の磁束を直接検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドの採用が必要不可欠となってき
ている。
では情報記録の高密度化が進み、１平方インチあたり１
ギガビット以上の記録密度が実用化されつつある。この
ような高密度を達成するためには、再生ヘッドとして、
従来の誘導型ヘッドに代わり、媒体の磁束を直接検出す
る磁気抵抗効果型ヘッドの採用が必要不可欠となってき
ている。
【０００３】磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵抗効果膜
に流れる電流の方向と磁化のなす角度をθとすると、抵
抗ＲがＲ＝Ｒ0＋ΔＲ(cosθ)2（ΔＲは最大抵抗変化
量）となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗変化として直接
検出するため、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない
高感度化が可能となる。
に流れる電流の方向と磁化のなす角度をθとすると、抵
抗ＲがＲ＝Ｒ0＋ΔＲ(cosθ)2（ΔＲは最大抵抗変化
量）となり、媒体からの漏れ磁界を抵抗変化として直接
検出するため、ヘッドと媒体間の相対速度に依存しない
高感度化が可能となる。
【０００４】代表的な磁気抵抗効果型ヘッドの構造を、
図１０及び図１１に示す。まず図１０に示す磁気抵抗効
果型ヘッドは、基板上の下部シールド膜（図示せず）表
面に形成された絶縁膜９００上に、磁気抵抗効果膜に横
バイアスを加えて素子出力の線形性を向上させる軟磁性
膜９０２，磁気抵抗効果膜９０６が、磁気的分離膜９０
４としての非磁性膜を介して積層されており、この上部
に、再生トラック幅分の間隔を隔てて反強磁性膜９０８
及び電極９１０を形成したものである。この反強磁性膜
９０８は、磁気抵抗効果膜９０６に縦バイアスを加えて
単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するためのも
のであり、電極９１０はこの反強磁性膜９０８の上層に
選択的に形成される。
図１０及び図１１に示す。まず図１０に示す磁気抵抗効
果型ヘッドは、基板上の下部シールド膜（図示せず）表
面に形成された絶縁膜９００上に、磁気抵抗効果膜に横
バイアスを加えて素子出力の線形性を向上させる軟磁性
膜９０２，磁気抵抗効果膜９０６が、磁気的分離膜９０
４としての非磁性膜を介して積層されており、この上部
に、再生トラック幅分の間隔を隔てて反強磁性膜９０８
及び電極９１０を形成したものである。この反強磁性膜
９０８は、磁気抵抗効果膜９０６に縦バイアスを加えて
単磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するためのも
のであり、電極９１０はこの反強磁性膜９０８の上層に
選択的に形成される。
【０００５】次に、図１１に示す例は、基板（図示せ
ず）表面に形成された絶縁膜９００上に、再生トラック
幅と同程度の幅をもつように、軟磁性膜９０２，磁気抵
抗効果膜９０６が、磁気的分離膜９０４としての非磁性
膜を介して積層されており、この積層パターンを幅方向
に囲むように、硬磁性膜９１２及び電極９１０を形成し
たものである。この硬磁性膜９１２は、磁気抵抗効果膜
９０６に静磁気的な作用により縦バイアスを印加して単
磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するためのもの
である。
ず）表面に形成された絶縁膜９００上に、再生トラック
幅と同程度の幅をもつように、軟磁性膜９０２，磁気抵
抗効果膜９０６が、磁気的分離膜９０４としての非磁性
膜を介して積層されており、この積層パターンを幅方向
に囲むように、硬磁性膜９１２及び電極９１０を形成し
たものである。この硬磁性膜９１２は、磁気抵抗効果膜
９０６に静磁気的な作用により縦バイアスを印加して単
磁区化し、バルクハウゼンノイズを抑制するためのもの
である。
【０００６】これらのいずれの構造を実現する場合に
も、縦バイアス印加による単磁区化のための反強磁性膜
９０８あるいは硬磁性膜９１２のパターン形状がその上
に形成される電極配線パターンのパターン形状と異なる
ために、同時にパターニングすることができず、一度こ
れら反強磁性膜９０８あるいは硬磁性膜９１２をリフト
オフによりパターニングした後に改めて電極配線用のパ
ターンを形成し、その後リフトオフを行うことにより電
極配線のパターニングを行っている。
も、縦バイアス印加による単磁区化のための反強磁性膜
９０８あるいは硬磁性膜９１２のパターン形状がその上
に形成される電極配線パターンのパターン形状と異なる
ために、同時にパターニングすることができず、一度こ
れら反強磁性膜９０８あるいは硬磁性膜９１２をリフト
オフによりパターニングした後に改めて電極配線用のパ
ターンを形成し、その後リフトオフを行うことにより電
極配線のパターニングを行っている。
【０００７】例えば前記図１０に示した構造のヘッド
は、通常図１２〜図１５に主要工程を示す方法によって
作製される。なお、それらの図中、（A）は主要断面，
（B）は主要平面を示す。まず、図１２に示すように、
基板上の下部シールド膜（図示せず）表面に形成された
絶縁膜９００上に、軟磁性膜９０２，磁気的分離膜９０
４，磁気抵抗効果膜９０６を、順次スパッタリングによ
り連続的に積層し、更に所定形状にパターニングする。
そして、第１のレジストパターンＲ９０を形成する。
は、通常図１２〜図１５に主要工程を示す方法によって
作製される。なお、それらの図中、（A）は主要断面，
（B）は主要平面を示す。まず、図１２に示すように、
基板上の下部シールド膜（図示せず）表面に形成された
絶縁膜９００上に、軟磁性膜９０２，磁気的分離膜９０
４，磁気抵抗効果膜９０６を、順次スパッタリングによ
り連続的に積層し、更に所定形状にパターニングする。
そして、第１のレジストパターンＲ９０を形成する。
【０００８】次に、図１２の主面全体に反強磁性層を形
成し、リフトオフ法により第１のレジストパターンＲ９
０とともに、この上に形成された反強磁性層を除去する
ことによって、再生ヘッド幅相当隔てたパターン形状の
反強磁性膜９０８を、図１３に示すように形成する。そ
の後、図１４に示すように、マスクパターンとして第２
のレジストパターンＲ９２を形成する。
成し、リフトオフ法により第１のレジストパターンＲ９
０とともに、この上に形成された反強磁性層を除去する
ことによって、再生ヘッド幅相当隔てたパターン形状の
反強磁性膜９０８を、図１３に示すように形成する。そ
の後、図１４に示すように、マスクパターンとして第２
のレジストパターンＲ９２を形成する。
【０００９】そして、図１４の主面全体に電極層をスパ
ッタリングするとともに、その後リフトオフによって、
図１５に示すように、電極９１０を形成する。電極９１
０は、図１５（B）に平面を示すように、図の上方に向
かって平行に形成されている。
ッタリングするとともに、その後リフトオフによって、
図１５に示すように、電極９１０を形成する。電極９１
０は、図１５（B）に平面を示すように、図の上方に向
かって平行に形成されている。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このよ
うな方法では、電極９１０のパターンを反強磁性膜９０
８（図１１の例では硬磁性膜９１２）のパターンと一致
させることが難しい。例えば図１６（A）に断面，（B）
に平面を示すように、レジストパターンＲ９２のエッジ
形成状況によっては、電極９１０の端部位置と縦バイア
ス印加用の反強磁性膜９０８のエッジ位置とが必ずしも
同一位置とならず、両パターンは一致しなくなってしま
う。すると、抵抗値や再生トラック幅がばらつくように
なり、磁気抵抗効果型ヘッドの特性としては重大な問題
となる。
うな方法では、電極９１０のパターンを反強磁性膜９０
８（図１１の例では硬磁性膜９１２）のパターンと一致
させることが難しい。例えば図１６（A）に断面，（B）
に平面を示すように、レジストパターンＲ９２のエッジ
形成状況によっては、電極９１０の端部位置と縦バイア
ス印加用の反強磁性膜９０８のエッジ位置とが必ずしも
同一位置とならず、両パターンは一致しなくなってしま
う。すると、抵抗値や再生トラック幅がばらつくように
なり、磁気抵抗効果型ヘッドの特性としては重大な問題
となる。
【００１１】本発明は、これらの点に着目したもので、
ばらつきのない特性の安定した磁気抵抗効果型ヘッド及
びその製造方法を提供することを、その目的とするもの
である。
ばらつきのない特性の安定した磁気抵抗効果型ヘッド及
びその製造方法を提供することを、その目的とするもの
である。
【００１２】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明のヘッド製造方法は、磁気抵抗効果素子の積
層体（）を形成する工程；この積層体に、縦バイアス膜
（22）及び第１の電極膜（24）の積層体に対するリフト
オフを行う工程；これによって形成された第１の電極膜
に接合する第２の電極膜（28）を形成する工程；を含む
ことを特徴とする。主要な形態によれば、前記リフトオ
フを行う工程は、リフトオフのためのマスクパターン
（20）を形成する工程；このマスクパターン上に、縦バ
イアス膜及び第１の電極膜を積層して形成する工程；前
記マスクパターンを剥離除去する工程；を含むことを特
徴とする。
め、本発明のヘッド製造方法は、磁気抵抗効果素子の積
層体（）を形成する工程；この積層体に、縦バイアス膜
（22）及び第１の電極膜（24）の積層体に対するリフト
オフを行う工程；これによって形成された第１の電極膜
に接合する第２の電極膜（28）を形成する工程；を含む
ことを特徴とする。主要な形態によれば、前記リフトオ
フを行う工程は、リフトオフのためのマスクパターン
（20）を形成する工程；このマスクパターン上に、縦バ
イアス膜及び第１の電極膜を積層して形成する工程；前
記マスクパターンを剥離除去する工程；を含むことを特
徴とする。
【００１３】本発明の磁気抵抗効果型ヘッドは、磁気抵
抗効果膜を含む磁気抵抗効果素子；この磁気抵抗効果素
子にリフトオフによって形成された、再生トラック幅を
規定する縦バイアス膜；前記縦バイアス膜と同一位置
に、前記リフトオフによって形成された第１の電極膜；
前記再生トラック幅より広く形成された第２の電極膜
（28）；を含むことを特徴とする。
抗効果膜を含む磁気抵抗効果素子；この磁気抵抗効果素
子にリフトオフによって形成された、再生トラック幅を
規定する縦バイアス膜；前記縦バイアス膜と同一位置
に、前記リフトオフによって形成された第１の電極膜；
前記再生トラック幅より広く形成された第２の電極膜
（28）；を含むことを特徴とする。
【００１４】主要な形態によれば、前記磁気抵抗効果素
子は、軟磁性膜，磁気的分離膜，磁気抵抗効果膜を含む
ことを特徴とする。
子は、軟磁性膜，磁気的分離膜，磁気抵抗効果膜を含む
ことを特徴とする。
【００１５】本発明によれば、反磁性膜などの縦バイア
ス膜と第１の電極膜とが、リフトオフ法によって同じパ
ターン形状となるように積層形成される。従って、縦バ
イアス膜と電極膜とにずれが生ずることはなく、再生ト
ラック幅や磁気抵抗値にばらつきは生じない。また、第
１の電極膜に更に幅広の第２の電極膜が形成され、これ
が引出用の配線パターンとなる。このため、コンタクト
部分のパターン形状の自由度が増大して面積を大きく取
ることができ、この点からも安定性が向上する。この発
明の前記及び他の目的、特徴、利点は、以下の詳細な説
明及び添付図面から明瞭になろう。
ス膜と第１の電極膜とが、リフトオフ法によって同じパ
ターン形状となるように積層形成される。従って、縦バ
イアス膜と電極膜とにずれが生ずることはなく、再生ト
ラック幅や磁気抵抗値にばらつきは生じない。また、第
１の電極膜に更に幅広の第２の電極膜が形成され、これ
が引出用の配線パターンとなる。このため、コンタクト
部分のパターン形状の自由度が増大して面積を大きく取
ることができ、この点からも安定性が向上する。この発
明の前記及び他の目的、特徴、利点は、以下の詳細な説
明及び添付図面から明瞭になろう。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図１〜図９を参照しながら詳細に説明する。なお、
それらの図中、（A）は主要工程の断面，（B）は対応す
る平面を示す。まず、図１に示すように、基板上の下部
シールド膜（図示せず）表面に形成された絶縁膜１０上
に、例えばＣｏＺｒＭｂ膜による軟磁性膜１２，例えば
タンタル膜による磁気的分離膜１４，例えばＮｉＦｅ膜
による磁気抵抗効果膜１６を、順次スパッタリングなど
により連続的に積層する。次に、図２に示すように、磁
気抵抗効果素子を形成するための第１のマスクパターン
１８を形成する。そして、この第１のマスクパターン１
８をマスクとして、イオンミリングにより磁気抵抗効果
膜１６，磁気的分離膜１４，軟磁性膜１２を、順次パタ
ーニングする。これによって、図３に示すように、磁気
抵抗効果素子が形成される。
て、図１〜図９を参照しながら詳細に説明する。なお、
それらの図中、（A）は主要工程の断面，（B）は対応す
る平面を示す。まず、図１に示すように、基板上の下部
シールド膜（図示せず）表面に形成された絶縁膜１０上
に、例えばＣｏＺｒＭｂ膜による軟磁性膜１２，例えば
タンタル膜による磁気的分離膜１４，例えばＮｉＦｅ膜
による磁気抵抗効果膜１６を、順次スパッタリングなど
により連続的に積層する。次に、図２に示すように、磁
気抵抗効果素子を形成するための第１のマスクパターン
１８を形成する。そして、この第１のマスクパターン１
８をマスクとして、イオンミリングにより磁気抵抗効果
膜１６，磁気的分離膜１４，軟磁性膜１２を、順次パタ
ーニングする。これによって、図３に示すように、磁気
抵抗効果素子が形成される。
【００１７】次に、図４に示すように、縦バイアス膜形
成用の第２のマスクパターン２０を形成する。更に、図
５に示すように、図４の主面全体に、例えばＦｅＭｎ膜
による縦バイアス膜２２，例えばＣｕによる第１の電極
膜２４を、順次スパッタリングなどによって連続的に積
層する。その後、第２のマスクパターン２０をリフトオ
フ，すなわち剥離除去すると、マスクパターン２０上の
縦バイアス膜２２及び第１の電極膜２４も除去され、図
６に示すように、縦バイアス膜２２及び第１の電極膜２
４が積層方向（図６（A）の上下方向）で位置精度よく
同一パターン形状で形成される。
成用の第２のマスクパターン２０を形成する。更に、図
５に示すように、図４の主面全体に、例えばＦｅＭｎ膜
による縦バイアス膜２２，例えばＣｕによる第１の電極
膜２４を、順次スパッタリングなどによって連続的に積
層する。その後、第２のマスクパターン２０をリフトオ
フ，すなわち剥離除去すると、マスクパターン２０上の
縦バイアス膜２２及び第１の電極膜２４も除去され、図
６に示すように、縦バイアス膜２２及び第１の電極膜２
４が積層方向（図６（A）の上下方向）で位置精度よく
同一パターン形状で形成される。
【００１８】次に、図７に示すように、前記第２のマス
クパターン２０よりも大きめの第３のマスクパターン２
６を形成する。そして、図８に示すように、主面全体に
例えばアルミニウム薄膜による第２の電極膜２８をスパ
ッタリングなどにより形成する。そして、第３のマスク
パターン２６を剥離除去することにより、この第３のマ
スクパターン２６上の第２の電極膜２８が除去され、図
９に示すように、第１の電極膜２４よりも間隔が大きく
幅が広い第２の電極膜２８が形成される。最後に、主面
全体に絶縁膜を介して上部シールド膜（図示せず）を形
成して、磁気抵抗効果型ヘッドが完成する。
クパターン２０よりも大きめの第３のマスクパターン２
６を形成する。そして、図８に示すように、主面全体に
例えばアルミニウム薄膜による第２の電極膜２８をスパ
ッタリングなどにより形成する。そして、第３のマスク
パターン２６を剥離除去することにより、この第３のマ
スクパターン２６上の第２の電極膜２８が除去され、図
９に示すように、第１の電極膜２４よりも間隔が大きく
幅が広い第２の電極膜２８が形成される。最後に、主面
全体に絶縁膜を介して上部シールド膜（図示せず）を形
成して、磁気抵抗効果型ヘッドが完成する。
【００１９】このように、磁気抵抗効果型ヘッドの再生
トラック幅は、第１の電極膜２４によって精度良く規制
され、配線パターンへの引き回しは第２の電極膜２８に
よって良好に行われる。この方法によれば、縦バイアス
膜２２と第１の電極膜２４とは、リフトオフによって同
じパターン形状に形成され、配線は第２の電極膜２８に
よって行われる。従って、図１６で説明したような反強
磁性膜９０８と電極９１０とのずれが生ずることもな
く、良好にエッジが一致したパターン形状を得ることが
でき、再生トラック幅のばらつきが低減されて安定した
特性を得ることができる。
トラック幅は、第１の電極膜２４によって精度良く規制
され、配線パターンへの引き回しは第２の電極膜２８に
よって良好に行われる。この方法によれば、縦バイアス
膜２２と第１の電極膜２４とは、リフトオフによって同
じパターン形状に形成され、配線は第２の電極膜２８に
よって行われる。従って、図１６で説明したような反強
磁性膜９０８と電極９１０とのずれが生ずることもな
く、良好にエッジが一致したパターン形状を得ることが
でき、再生トラック幅のばらつきが低減されて安定した
特性を得ることができる。
【００２０】この発明には数多くの実施の形態があり、
以上の開示に基づいて多様に改変することが可能であ
る。例えば、各部の材料や製造方法は、前記説明中で示
したものに限定されるものではない。
以上の開示に基づいて多様に改変することが可能であ
る。例えば、各部の材料や製造方法は、前記説明中で示
したものに限定されるものではない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
リフトオフ法により、縦バイアス膜と第１の電極膜を積
層形成することとしたので、縦バイアス膜のパターンが
良好に一致するようになり、再生トラック幅や抵抗値が
揃った特性の安定な磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが
できるという効果がある。
リフトオフ法により、縦バイアス膜と第１の電極膜を積
層形成することとしたので、縦バイアス膜のパターンが
良好に一致するようになり、再生トラック幅や抵抗値が
揃った特性の安定な磁気抵抗効果型ヘッドを得ることが
できるという効果がある。
【図１】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図２】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図３】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図４】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図５】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図６】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図７】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図８】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図９】本発明の一実施形態における主要製造工程を示
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
す図である。（A）は断面図、（B）は平面図である。
【図１０】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの一例を示す主
要断面図である。
要断面図である。
【図１１】従来の磁気抵抗効果型ヘッドの他の例を示す
主要断面図である。
主要断面図である。
【図１２】図１０の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製造工
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
【図１３】図１０の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製造工
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
【図１４】図１０の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製造工
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
【図１５】図１０の磁気抵抗効果型ヘッドの主要製造工
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
程を示す図である。（A）は断面図、（B）は平面図であ
る。
【図１６】従来の方法により製造したヘッドにおけるパ
ターンのずれを示す図である。（A）は断面図、（B）は
平面図である。
ターンのずれを示す図である。（A）は断面図、（B）は
平面図である。
１０…絶縁膜 １２…軟磁性膜 １４…磁気的分離膜 １６…磁気抵抗効果膜 １８，２０，２６…マスクパターン ２２…縦バイアス膜 ２４…電極膜（第１の電極膜） ２８…電極膜（第２の電極膜）
Claims (5)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子の積層体を形成する工
程；この積層体に、縦バイアス膜及び第１の電極膜の積
層膜に対するリフトオフを行う工程；これによって形成
された第１の電極膜に接合する第２の電極膜を形成する
工程；を含むことを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッドの
製造方法。 - 【請求項２】 前記リフトオフを行う工程が、 リフトオフのためのマスクパターンを形成する工程；こ
のマスクパターン上に、縦バイアス膜及び第１の電極膜
を積層して形成する工程；前記マスクパターンを剥離除
去する工程；を含むことを特徴とする請求項１記載の磁
気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 前記磁気抵抗効果素子が、軟磁性膜，磁
気的分離膜，磁気抵抗効果膜を含むことを特徴とする請
求項１又は２記載の磁気抵抗効果型ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 磁気抵抗効果膜を含む磁気抵抗効果素
子；この磁気抵抗効果素子にリフトオフによって形成さ
れた、再生トラック幅を規定する縦バイアス膜；前記縦
バイアス膜と同一位置に、前記リフトオフによって形成
された第１の電極膜；前記再生トラック幅より広く形成
された第２の電極膜；を含むことを特徴とする磁気抵抗
効果型ヘッド。 - 【請求項５】 前記磁気抵抗効果素子が、軟磁性膜，磁
気的分離膜を含む積層体であることを特徴とする請求項
４記載の磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120330A JPH10302230A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9120330A JPH10302230A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10302230A true JPH10302230A (ja) | 1998-11-13 |
Family
ID=14783598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9120330A Pending JPH10302230A (ja) | 1997-04-22 | 1997-04-22 | 磁気抵抗効果型ヘッド及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10302230A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580230B2 (en) | 2006-10-24 | 2009-08-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having shape enhanced pinning, a flux guide structure and damage free virtual edges |
-
1997
- 1997-04-22 JP JP9120330A patent/JPH10302230A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7580230B2 (en) | 2006-10-24 | 2009-08-25 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Magnetoresistive sensor having shape enhanced pinning, a flux guide structure and damage free virtual edges |
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