JPH04341909A - 磁気ヘッドの製造方法 - Google Patents
磁気ヘッドの製造方法Info
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- JPH04341909A JPH04341909A JP11348991A JP11348991A JPH04341909A JP H04341909 A JPH04341909 A JP H04341909A JP 11348991 A JP11348991 A JP 11348991A JP 11348991 A JP11348991 A JP 11348991A JP H04341909 A JPH04341909 A JP H04341909A
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- 230000005291 magnetic effect Effects 0.000 title claims abstract description 91
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 18
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 21
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims abstract description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 10
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 5
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims 1
- 238000000992 sputter etching Methods 0.000 abstract description 13
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 abstract description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 25
- 230000005290 antiferromagnetic effect Effects 0.000 description 15
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 229910015136 FeMn Inorganic materials 0.000 description 5
- 229910000889 permalloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008569 process Effects 0.000 description 4
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 230000003993 interaction Effects 0.000 description 3
- 230000005381 magnetic domain Effects 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 230000005330 Barkhausen effect Effects 0.000 description 2
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N Manganese Chemical compound [Mn] PWHULOQIROXLJO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 230000008859 change Effects 0.000 description 1
- 230000005293 ferrimagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 230000005294 ferromagnetic effect Effects 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- 229910000859 α-Fe Inorganic materials 0.000 description 1
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- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気テープ装置や磁気
ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドに関する。
ディスク装置等に用いられる磁気抵抗効果型の磁気ヘッ
ドに関する。
【０００２】近年、磁気ディスク装置等の小型化、大容
量化に伴い磁気ヘッドの高性能化が進んでおり、記録媒
体の速度に依存せずに小径ディスクに対しても利用でき
、高い出力が得られる磁気抵抗効果型の磁気ヘッド（以
下「ＭＲヘッド」という）が注目されている。
量化に伴い磁気ヘッドの高性能化が進んでおり、記録媒
体の速度に依存せずに小径ディスクに対しても利用でき
、高い出力が得られる磁気抵抗効果型の磁気ヘッド（以
下「ＭＲヘッド」という）が注目されている。
【０００３】
【従来の技術】図５に、従来の磁気ヘッド（ＭＲヘッド
）の構成図を示す。図５（Ａ）はＭＲヘッドの断面部分
図を示したもので、図５（Ｂ）はＭＲ素子の磁区構造を
示したものである。図５（Ａ）において、ＭＲヘッド１
は、薄膜に形成された矩形パターンの磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）２の両端に、反強磁性膜等の磁性層３ａ，
３ｂが形成されている。また、ＭＲ素子２の磁性層３ａ
，３ｂ以外の部分に２本の引出し導体細片４ａ，４ｂが
接合され、これに囲まれた部分が出力検知領域ＰＱＲＳ
となる。そして、その両側よりシールド部材５ａ，５ｂ
によりシールドされたものである。
）の構成図を示す。図５（Ａ）はＭＲヘッドの断面部分
図を示したもので、図５（Ｂ）はＭＲ素子の磁区構造を
示したものである。図５（Ａ）において、ＭＲヘッド１
は、薄膜に形成された矩形パターンの磁気抵抗効果素子
（ＭＲ素子）２の両端に、反強磁性膜等の磁性層３ａ，
３ｂが形成されている。また、ＭＲ素子２の磁性層３ａ
，３ｂ以外の部分に２本の引出し導体細片４ａ，４ｂが
接合され、これに囲まれた部分が出力検知領域ＰＱＲＳ
となる。そして、その両側よりシールド部材５ａ，５ｂ
によりシールドされたものである。
【０００４】このＭＲヘッド１は、ＭＲ素子２に引出し
導体細片４ａ，４ｂによりセンス電流が流れており、こ
の状態で記録媒体上をＸ方向に移動した場合に、出力検
知領域ＰＱＲＳに該媒体からの信号磁界が印加される。 このとき、ＭＲ素子２の出力検知領域ＰＱＲＳ部分の電
気抵抗が変化して該ＭＲ素子２の電圧が変化し、この電
圧変化を出力として検知するものである。
導体細片４ａ，４ｂによりセンス電流が流れており、こ
の状態で記録媒体上をＸ方向に移動した場合に、出力検
知領域ＰＱＲＳに該媒体からの信号磁界が印加される。 このとき、ＭＲ素子２の出力検知領域ＰＱＲＳ部分の電
気抵抗が変化して該ＭＲ素子２の電圧が変化し、この電
圧変化を出力として検知するものである。
【０００５】ところで、ＭＲ素子２は強磁性薄膜である
ことから、図５（Ｂ）に示すように磁区が発生しており
、信号磁界により薄膜内の磁壁２ａ（破線部分）が移動
し、それに伴い出力にバルクハウゼン雑音が生じる。 上記反強磁性膜の磁性層３ａ，３ｂは、ＭＲ素子２と交
換結合（交換バイアス磁界）を発生させて磁区を制御し
、バルクハウゼン雑音を抑制するものである。
ことから、図５（Ｂ）に示すように磁区が発生しており
、信号磁界により薄膜内の磁壁２ａ（破線部分）が移動
し、それに伴い出力にバルクハウゼン雑音が生じる。 上記反強磁性膜の磁性層３ａ，３ｂは、ＭＲ素子２と交
換結合（交換バイアス磁界）を発生させて磁区を制御し
、バルクハウゼン雑音を抑制するものである。
【０００６】次に、図６に、従来の磁気ヘッドの製造工
程図を示す。図７において、まず、基板１０上に、パー
マロイ（ＮｉＦｅ）等のＭＲ素子２が蒸着され、エッチ
ングにより矩形状に形成された後、レジスト１１が塗布
される（図６（Ａ））。つぎに、矩形状のＭＲ素子１１
上に、エッチングにより数十μｍ角の開口部１２ａ，１
２ｂを設けたレジストパターンを形成する（図６（Ｂ）
）。続いて、ＭＲ素子２表面には酸化膜が形成されてお
り、例えばイオンミリング等により該酸化膜を除去して
清浄化し、全表面にＦｅＭｎ（フェライト・マンガン）
の反強磁性膜１３をスパッタリングにより約２００Åの
厚さで成膜する（図６（Ｃ））。そこで、レジスト１１
を除却することにより、ＭＲ素子２の両端部に反強磁性
膜のパターンニングを行い磁性層３ａ，３ｂを形成する
（図６（Ｄ））。そして、図５（Ａ）に示すように引出
し導体細片４ａ，４ｂをＭＲ素子２上に接合するもので
ある。
程図を示す。図７において、まず、基板１０上に、パー
マロイ（ＮｉＦｅ）等のＭＲ素子２が蒸着され、エッチ
ングにより矩形状に形成された後、レジスト１１が塗布
される（図６（Ａ））。つぎに、矩形状のＭＲ素子１１
上に、エッチングにより数十μｍ角の開口部１２ａ，１
２ｂを設けたレジストパターンを形成する（図６（Ｂ）
）。続いて、ＭＲ素子２表面には酸化膜が形成されてお
り、例えばイオンミリング等により該酸化膜を除去して
清浄化し、全表面にＦｅＭｎ（フェライト・マンガン）
の反強磁性膜１３をスパッタリングにより約２００Åの
厚さで成膜する（図６（Ｃ））。そこで、レジスト１１
を除却することにより、ＭＲ素子２の両端部に反強磁性
膜のパターンニングを行い磁性層３ａ，３ｂを形成する
（図６（Ｄ））。そして、図５（Ａ）に示すように引出
し導体細片４ａ，４ｂをＭＲ素子２上に接合するもので
ある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】ここで、図７に、従来
の磁気ヘッドの製造状態を説明するための図を示す。図
７（Ａ）に示すように、図６（Ｃ）におけるＭＲ素子２
のイオンミリング行う場合、レジスト１１の開口部１２
ａ，１２ｂの面積が小さく、基板１０上の殆どの部分が
レジスト１１で占められていることから、レジスト１１
をもイオンミリングしてしまいレジスト塵がＭＲ素子２
上に再付着する。これにより、図７（Ｂ）に示すように
、ＭＲ素子２と反強磁性膜１３との交換相互作用を阻害
して交換バイアス磁界が発生しないという問題がある。
の磁気ヘッドの製造状態を説明するための図を示す。図
７（Ａ）に示すように、図６（Ｃ）におけるＭＲ素子２
のイオンミリング行う場合、レジスト１１の開口部１２
ａ，１２ｂの面積が小さく、基板１０上の殆どの部分が
レジスト１１で占められていることから、レジスト１１
をもイオンミリングしてしまいレジスト塵がＭＲ素子２
上に再付着する。これにより、図７（Ｂ）に示すように
、ＭＲ素子２と反強磁性膜１３との交換相互作用を阻害
して交換バイアス磁界が発生しないという問題がある。
【０００８】そこで、本発明は上記課題に鑑みなされた
もので、ＭＲ素子表面を汚染させずに磁性層との交換バ
イアス磁界の劣化を防止する磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
もので、ＭＲ素子表面を汚染させずに磁性層との交換バ
イアス磁界の劣化を防止する磁気ヘッドの製造方法を提
供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】図１に、本発明方法の原
理説明図を示す。図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ第１〜
第３の発明方法の説明図を示したものである。図１にお
いて、第１の発明方法は、磁気抵抗効果素子（以下「Ｍ
Ｒ素子」という）の両端部にそれぞれバイアス磁界を印
加する磁性層が配置される磁気ヘッドの製造方法におい
て、工程１では、基板上に所定形状の前記ＭＲ素子を形
成する。工程２では、該ＭＲ素子の中央部分を覆う所定
幅のレジストパターンを形成して、該レジストパターン
以外の該ＭＲ素子を清浄処理する。工程３では、該ＭＲ
素子及び該レジストパターン上の全面に前記磁性層を形
成し、該レジストパターンを除去する。工程４では、該
磁性層の必要領域にレジストを形成し、該レジスト以外
の該磁性層を除去する。そして、工程５では、該レジス
トを除去することにより該ＭＲ素子の両端部に磁性層を
形成する。
理説明図を示す。図１（Ａ）〜（Ｃ）はそれぞれ第１〜
第３の発明方法の説明図を示したものである。図１にお
いて、第１の発明方法は、磁気抵抗効果素子（以下「Ｍ
Ｒ素子」という）の両端部にそれぞれバイアス磁界を印
加する磁性層が配置される磁気ヘッドの製造方法におい
て、工程１では、基板上に所定形状の前記ＭＲ素子を形
成する。工程２では、該ＭＲ素子の中央部分を覆う所定
幅のレジストパターンを形成して、該レジストパターン
以外の該ＭＲ素子を清浄処理する。工程３では、該ＭＲ
素子及び該レジストパターン上の全面に前記磁性層を形
成し、該レジストパターンを除去する。工程４では、該
磁性層の必要領域にレジストを形成し、該レジスト以外
の該磁性層を除去する。そして、工程５では、該レジス
トを除去することにより該ＭＲ素子の両端部に磁性層を
形成する。
【００１０】また、図１（Ｂ）において、第２の発明は
、工程１では、基板上に所定形状の前記ＭＲ素子を形成
する。工程２では、該基板上の該ＭＲ素子の前記両端部
以外の部分にレジストパターンを形成して、該両端部を
清浄処理する。工程３では、該基板上に該ＭＲ素子と同
一な材料の再積層を該清浄処理により除去された分の厚
さで形成する。工程４では、該再積層上に前記磁性層を
形成する。そして、工程５では、前記レジストパターン
を除去することにより該ＭＲ素子の両端部に磁性層を形
成する。
、工程１では、基板上に所定形状の前記ＭＲ素子を形成
する。工程２では、該基板上の該ＭＲ素子の前記両端部
以外の部分にレジストパターンを形成して、該両端部を
清浄処理する。工程３では、該基板上に該ＭＲ素子と同
一な材料の再積層を該清浄処理により除去された分の厚
さで形成する。工程４では、該再積層上に前記磁性層を
形成する。そして、工程５では、前記レジストパターン
を除去することにより該ＭＲ素子の両端部に磁性層を形
成する。
【００１１】さらに、図１（Ｃ）において、第３の発明
は、工程１では、基板上にＭＲ素子層を形成する。工程
２では、該ＭＲ素子層のうち所定形状の前記ＭＲ素子と
なる中央領域部分上に絶縁層を形成する。工程３では、
該ＭＲ素子層を清浄処理する。工程４では、該ＭＲ素子
層及び該絶縁層上に、該ＭＲ素子層と同一な材料の再積
層を該清浄処理により除去された分の厚さで形成する。 工程５では、該再積層上に前記磁性層を形成する。そし
て、工程６では、該ＭＲ素子層を所定形状にパターンニ
ングして両端に磁性層が形成された前記ＭＲ素子を形成
する。ここで、第３の発明では、前記ＭＲ素子層をパタ
ーンニングして、所定形状のＭＲ素子とする工程を、前
記基板上に該ＭＲ素子層を形成した後（工程１）、前記
絶縁層の形成前に行うこともできる。
は、工程１では、基板上にＭＲ素子層を形成する。工程
２では、該ＭＲ素子層のうち所定形状の前記ＭＲ素子と
なる中央領域部分上に絶縁層を形成する。工程３では、
該ＭＲ素子層を清浄処理する。工程４では、該ＭＲ素子
層及び該絶縁層上に、該ＭＲ素子層と同一な材料の再積
層を該清浄処理により除去された分の厚さで形成する。 工程５では、該再積層上に前記磁性層を形成する。そし
て、工程６では、該ＭＲ素子層を所定形状にパターンニ
ングして両端に磁性層が形成された前記ＭＲ素子を形成
する。ここで、第３の発明では、前記ＭＲ素子層をパタ
ーンニングして、所定形状のＭＲ素子とする工程を、前
記基板上に該ＭＲ素子層を形成した後（工程１）、前記
絶縁層の形成前に行うこともできる。
【００１２】
【作用】図１に示すように、第１の発明（図１（Ａ））
では、ＭＲ素子の清浄処理を、レジストをＭＲ素子の中
央部分のみを覆い、周囲にレジストが存在しない状態で
行う（工程２）。すなわち、清浄処理時にレジスト塵が
ＭＲ素子上に再付着するのが減少する。
では、ＭＲ素子の清浄処理を、レジストをＭＲ素子の中
央部分のみを覆い、周囲にレジストが存在しない状態で
行う（工程２）。すなわち、清浄処理時にレジスト塵が
ＭＲ素子上に再付着するのが減少する。
【００１３】また、第２の発明（図１（Ｂ））では、Ｍ
Ｒ素子の清浄処理後に（工程２）、その処理面にＭＲ素
子材料の再積層を形成し（工程３）、再積層上に磁性層
を形成する（工程４）。すなわち、ＭＲ素子と磁性層と
の間にレジスト塵を介在させないようにしている。
Ｒ素子の清浄処理後に（工程２）、その処理面にＭＲ素
子材料の再積層を形成し（工程３）、再積層上に磁性層
を形成する（工程４）。すなわち、ＭＲ素子と磁性層と
の間にレジスト塵を介在させないようにしている。
【００１４】さらに、第３の発明（図１（Ｃ））では、
ＭＲ素子層又は所定形状にパターンニングされたＭＲ素
子の中央領域部分に絶縁層を形成した後に清浄処理を行
い（工程１〜３）、上述と同様に再積層を形成して（工
程４）、磁性層を形成する（工程５）。すなわち、ＭＲ
素子の両端部は第２の発明と同様に、ＭＲ素子と磁性層
との間にレジスト塵を介在させないようにしている。
ＭＲ素子層又は所定形状にパターンニングされたＭＲ素
子の中央領域部分に絶縁層を形成した後に清浄処理を行
い（工程１〜３）、上述と同様に再積層を形成して（工
程４）、磁性層を形成する（工程５）。すなわち、ＭＲ
素子の両端部は第２の発明と同様に、ＭＲ素子と磁性層
との間にレジスト塵を介在させないようにしている。
【００１５】このように、第１〜第３の発明のように、
ＭＲ素子と磁性層の間にレジスト塵の存在を減少させ、
又は介在させないことから、交換相互作用が阻害されず
検出する信号磁界の交換バイアス磁界の劣化を防止する
ことが可能となる。
ＭＲ素子と磁性層の間にレジスト塵の存在を減少させ、
又は介在させないことから、交換相互作用が阻害されず
検出する信号磁界の交換バイアス磁界の劣化を防止する
ことが可能となる。
【００１６】
【実施例】図２に、本発明の第１の実施例の製造工程図
を示す。なお、図６と同一構成部分には同一の符号を付
す（以下、図３及び図４において同じ）。図２において
、まず、基板１０上にエッチングにより矩形状のＭＲ素
子２を例えばパーマロイで形成する（図２（Ａ））。 このＭＲ素子の中央部分、すなわち、後述する磁性層（
３ａ，３ｂ）を形成する間隔の幅でレジストパターン２
０を形成し、レジストパターン２０以外のＭＲ素子２を
例えばイオンミリングにより清浄処理する（図２（Ｂ）
）。そこで、ＭＲ素子２及びレジストパターン２０の全
面に、磁性層（３ａ，３ｂ）を構成する反強磁性膜１３
であるＦｅＭｎを蒸着法又はスパッタリング法で厚さ２
００Åに成膜形成する（図２（Ｃ））。ここで、磁性層
はＭＲ素子２にバイアス磁界を印加するもので、反強磁
性膜に限らずフェリ磁性膜や永久磁石膜を使用してもよ
い（図３及び図４において同様）。
を示す。なお、図６と同一構成部分には同一の符号を付
す（以下、図３及び図４において同じ）。図２において
、まず、基板１０上にエッチングにより矩形状のＭＲ素
子２を例えばパーマロイで形成する（図２（Ａ））。 このＭＲ素子の中央部分、すなわち、後述する磁性層（
３ａ，３ｂ）を形成する間隔の幅でレジストパターン２
０を形成し、レジストパターン２０以外のＭＲ素子２を
例えばイオンミリングにより清浄処理する（図２（Ｂ）
）。そこで、ＭＲ素子２及びレジストパターン２０の全
面に、磁性層（３ａ，３ｂ）を構成する反強磁性膜１３
であるＦｅＭｎを蒸着法又はスパッタリング法で厚さ２
００Åに成膜形成する（図２（Ｃ））。ここで、磁性層
はＭＲ素子２にバイアス磁界を印加するもので、反強磁
性膜に限らずフェリ磁性膜や永久磁石膜を使用してもよ
い（図３及び図４において同様）。
【００１７】続いて、レジストパターン２０と所定の溶
液中で溶解させることにより、該レジストパターン２０
上に形成されたＦｅＭｎ膜を除去する（図２（Ｄ））。 また、ＭＲ素子２の露出部分及びＦｅＭｎ膜１３の必要
領域にパターンニングしたレジスト２１を形成する（図
２（Ｆ））。そこで、例えばイオンミリングにより表出
しているＦｅＭｎ膜１３をエッチング除去し、レジスト
２２を所定溶液中で溶融させて、ＭＲ素子２の両端部に
磁性層３ａ，３ｂを形成するものである（図２（Ｆ））
。
液中で溶解させることにより、該レジストパターン２０
上に形成されたＦｅＭｎ膜を除去する（図２（Ｄ））。 また、ＭＲ素子２の露出部分及びＦｅＭｎ膜１３の必要
領域にパターンニングしたレジスト２１を形成する（図
２（Ｆ））。そこで、例えばイオンミリングにより表出
しているＦｅＭｎ膜１３をエッチング除去し、レジスト
２２を所定溶液中で溶融させて、ＭＲ素子２の両端部に
磁性層３ａ，３ｂを形成するものである（図２（Ｆ））
。
【００１８】そして、図５（Ａ）に示すよう、ＭＲ素子
２の表出部分に引出し導体細片を接合し、シールド部材
５ａ，５ｂによってシールドすることにより、ＭＲヘッ
ド１を作成するものである。
２の表出部分に引出し導体細片を接合し、シールド部材
５ａ，５ｂによってシールドすることにより、ＭＲヘッ
ド１を作成するものである。
【００１９】このように、周囲にレジストパターンを設
けずに中央部分のみに設けることから、ＭＲ素子２上の
磁性層３ａ，３ｂが形成する部分をイオンミリングする
場合に、レジスト塵がＭＲ素子２上に再付着することを
防止することができる。これにより、ＭＲ素子２と磁性
層３ａ，３ｂとの間にレジスト塵を介在させずに該磁性
層３ａ，３ｂを形成することができる。すなわち、ＭＲ
素子２が信号磁界を受けた場合に、ＭＲ素子２と磁性層
３ａ，３ｂとの交換相互作用が阻害されることが防止さ
れ、交換バイアス磁界の未発生及び劣化を防止すること
ができるものである。
けずに中央部分のみに設けることから、ＭＲ素子２上の
磁性層３ａ，３ｂが形成する部分をイオンミリングする
場合に、レジスト塵がＭＲ素子２上に再付着することを
防止することができる。これにより、ＭＲ素子２と磁性
層３ａ，３ｂとの間にレジスト塵を介在させずに該磁性
層３ａ，３ｂを形成することができる。すなわち、ＭＲ
素子２が信号磁界を受けた場合に、ＭＲ素子２と磁性層
３ａ，３ｂとの交換相互作用が阻害されることが防止さ
れ、交換バイアス磁界の未発生及び劣化を防止すること
ができるものである。
【００２０】次に、図３に、本発明の第２の実施例の製
造工程図を示す。図３において、まず、基板１０上にエ
ッチングにより矩形状のＭＲ素子２を形成し、ＭＲ素子
上にレジスト２２を塗布する（図３（Ａ））。続いて、
レジスト２２をエッチングにより該ＭＲ素子２の両端部
以外の部分にレジストパターン２３を形成する（図３（
Ｂ））。そして、ＭＲ素子２の両端部を例えばイオンミ
リングにより清浄処理、すなわちＭＲ素子２上の酸化膜
を除去する（図３（Ｃ））。
造工程図を示す。図３において、まず、基板１０上にエ
ッチングにより矩形状のＭＲ素子２を形成し、ＭＲ素子
上にレジスト２２を塗布する（図３（Ａ））。続いて、
レジスト２２をエッチングにより該ＭＲ素子２の両端部
以外の部分にレジストパターン２３を形成する（図３（
Ｂ））。そして、ＭＲ素子２の両端部を例えばイオンミ
リングにより清浄処理、すなわちＭＲ素子２上の酸化膜
を除去する（図３（Ｃ））。
【００２１】そこで、基板１０上全面に、ＭＲ素子と同
一な材料（例えばパーマロイ）の再積層２４をイオンミ
リングにより膜減りした分の厚さで形成し、さらに再積
層２４上に磁性層を構成する反強磁性膜１３を形成する
（図３（Ｄ））。そして、レジストパターン２３を除去
することにより、ＭＲ素子２の両端部に磁性層３ａ，３
ｂを形成するものである。また、図５（Ａ）に示すよう
に、ＭＲ素子２の表出部分に引出し導体細片（４ａ，４
ｂ）を接合するものである。
一な材料（例えばパーマロイ）の再積層２４をイオンミ
リングにより膜減りした分の厚さで形成し、さらに再積
層２４上に磁性層を構成する反強磁性膜１３を形成する
（図３（Ｄ））。そして、レジストパターン２３を除去
することにより、ＭＲ素子２の両端部に磁性層３ａ，３
ｂを形成するものである。また、図５（Ａ）に示すよう
に、ＭＲ素子２の表出部分に引出し導体細片（４ａ，４
ｂ）を接合するものである。
【００２２】これにより形成される磁気ヘッドは、ＭＲ
素子２と再積層２４とは同材質であり、中間にレジスト
塵が存在しても影響はなく、再積層２４と磁性層３ａ，
３ｂとの接合が十分に図られて、交換バイアス磁界の劣
化を防止することができるものである。
素子２と再積層２４とは同材質であり、中間にレジスト
塵が存在しても影響はなく、再積層２４と磁性層３ａ，
３ｂとの接合が十分に図られて、交換バイアス磁界の劣
化を防止することができるものである。
【００２３】次に、図４に、本発明の第３の実施例の製
造工程図を示す。図４において、まず、基板１０上にＭ
Ｒ素子層２５が形成され、矩形状のＭＲ素子２となる中
央領域部分上にスパッタリング、エッチングにより絶縁
層２４（例えばアルミナ、酸化シリコン）を１μｍ 以
下の厚さで形成する（図４（Ａ））。この絶縁層２６の
膜厚は、その後再び積層するＭＲ素子材料間及びＭＲ素
子２との絶縁が図られる範囲で決定される。
造工程図を示す。図４において、まず、基板１０上にＭ
Ｒ素子層２５が形成され、矩形状のＭＲ素子２となる中
央領域部分上にスパッタリング、エッチングにより絶縁
層２４（例えばアルミナ、酸化シリコン）を１μｍ 以
下の厚さで形成する（図４（Ａ））。この絶縁層２６の
膜厚は、その後再び積層するＭＲ素子材料間及びＭＲ素
子２との絶縁が図られる範囲で決定される。
【００２４】そこで、ＭＲ素子層２５を例えばイオンミ
リングにより清浄処理を行う（図４（Ｂ））。続いて、
ＭＲ素子層２５及び絶縁層２６上にＭＲ素子層２５と同
材質（例えばパーマロイ）の再積層２４をイオンミリン
グにより膜減りした分の厚さで形成し、さらに再積層２
４上に磁性層を構成する反強磁性膜１３を形成する（図
４（Ｃ））。そして、ＭＲ素子層２５，再積層２４及び
反強磁性膜１３をエッチングにより矩形状にパターンニ
ングして両端部に磁性層３ａ，３ｂが形成されたＭＲ素
子２を形成するものである。この場合、図５（Ａ）に示
す引出し導体細片（４ａ，４ｂ）は、ＭＲ素子２上に絶
縁層２６が形成されていることから、磁性層３ａ，３ｂ
上に接合される。
リングにより清浄処理を行う（図４（Ｂ））。続いて、
ＭＲ素子層２５及び絶縁層２６上にＭＲ素子層２５と同
材質（例えばパーマロイ）の再積層２４をイオンミリン
グにより膜減りした分の厚さで形成し、さらに再積層２
４上に磁性層を構成する反強磁性膜１３を形成する（図
４（Ｃ））。そして、ＭＲ素子層２５，再積層２４及び
反強磁性膜１３をエッチングにより矩形状にパターンニ
ングして両端部に磁性層３ａ，３ｂが形成されたＭＲ素
子２を形成するものである。この場合、図５（Ａ）に示
す引出し導体細片（４ａ，４ｂ）は、ＭＲ素子２上に絶
縁層２６が形成されていることから、磁性層３ａ，３ｂ
上に接合される。
【００２５】このように形成される磁気ヘッド１は、Ｍ
Ｒ素子２の中央領域部分と反強磁性膜１３は絶縁層２６
により絶縁されており、ＭＲ素子２の両端部は図３と同
様に磁性層３ａ，３ｂとの界面に十分な交換結合を発生
させるものである。
Ｒ素子２の中央領域部分と反強磁性膜１３は絶縁層２６
により絶縁されており、ＭＲ素子２の両端部は図３と同
様に磁性層３ａ，３ｂとの界面に十分な交換結合を発生
させるものである。
【００２６】ここで、ＭＲ素子層２５のパターンニング
による矩形状のＭＲ素子２の形成を、基板１０上にＭＲ
素子層２５を形成した後に予め行っておいてもよい。こ
の場合、図４（Ｂ）に示すイオンミリング後、再積層２
４及び反強磁性膜１３形成後に、再度パターンニングを
行うものである。
による矩形状のＭＲ素子２の形成を、基板１０上にＭＲ
素子層２５を形成した後に予め行っておいてもよい。こ
の場合、図４（Ｂ）に示すイオンミリング後、再積層２
４及び反強磁性膜１３形成後に、再度パターンニングを
行うものである。
【００２７】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ＭＲ素子
の周囲にレジストを存在させずに清浄処理をし、又は、
清浄処理後に膜減りした分のＭＲ素子材料の再積層を形
成することにより、ＭＲ素子と磁性層との界面を汚染さ
せずに交換結合させることができ、すなわち交換バイア
ス磁界の劣化を防止させることができる。
の周囲にレジストを存在させずに清浄処理をし、又は、
清浄処理後に膜減りした分のＭＲ素子材料の再積層を形
成することにより、ＭＲ素子と磁性層との界面を汚染さ
せずに交換結合させることができ、すなわち交換バイア
ス磁界の劣化を防止させることができる。
【図１】本発明の原理説明図である。
【図２】本発明の第１の実施例の製造工程図である。
【図３】本発明の第２の実施例の製造工程図である。
【図４】本発明の第３の実施例の製造工程図である。
【図５】従来の磁気ヘッドの構成図である。
【図６】従来の磁気ヘッドの製造工程図である。
【図７】従来の磁気ヘッドの製造状態を説明するための
図である。
図である。
１ ＭＲヘッド
２ ＭＲ素子
３ａ，３ｂ 磁性層
１０ 基板
１３ 反強磁性膜
２０，２３ レジストパターン
２１，２２ レジスト
２４ 再積層
２５ ＭＲ素子層
２６ 絶縁層
Claims (4)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子（２）の両端部にそ
れぞれバイアス磁界を印加する磁性層（３ａ，３ｂ）が
配置される磁気ヘッドの製造方法において、基板（１０
）上に所定形状の前記磁気抵抗効果素子（２）を形成す
る工程と、該磁気抵抗効果素子（２）の中央部分を覆う
所定幅のレジストパターン（２０）を形成して、該レジ
ストパターン（２０）以外の該磁気抵抗効果素子（２）
を清浄処理する工程と、該磁気抵抗効果素子（２）及び
該レジストパターン（２０）上の全面に前記磁性層（１
３，３ａ，３ｂ）を形成し、該レジストパターン（２０
）を除去する工程と、該磁性層（１３）の必要領域にレ
ジスト（２１）を形成し、該レジスト（２１）以外の該
磁性層（１３）を除去する工程と、該レジスト（２１）
を除去することにより該磁気抵抗効果素子（２）の両端
部に磁性層（３ａ，３ｂ）を形成する工程と、を含むこ
とを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項２】 磁気抵抗効果素子（２）の両端部にそ
れぞれバイアス磁界を印加する磁性層（３ａ，３ｂ）が
配置される磁気ヘッドの製造方法において、基板（１０
）上に所定形状の前記磁気抵抗効果素子（２）を形成す
る工程と、該基板（１０）上の磁気抵抗効果素子（２）
の前記両端部以外の部分にレジストパターン（２３）を
形成して、該両端部を清浄処理する工程と、該基板上に
該磁気抵抗効果素子（２）と同一な材料の再積層（２４
）を該清浄処理により除去された分の厚さで形成する工
程と、該再積層（２４）上に前記磁性層（１３，３ａ，
３ｂ）を形成する工程と、前記レジストパターン（２３
）を除去することにより該磁気抵抗効果素子（２）の両
端部に磁性層（３ａ，３ｂ）を形成する工程と、を含む
ことを特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果素子（２）の両端部にそ
れぞれバイアス磁界を印加する磁性層（３ａ，３ｂ）が
配置される磁気ヘッドの製造方法において、基板上に磁
気抵抗効果素子層（２５）を形成する工程と、該磁気抵
抗効果素子層（２５）のうち所定形状の前記磁気抵抗効
果素子（２）となる中央領域部分上に絶縁層（２６）を
形成する工程と、該磁気抵抗効果素子層（２５）を清浄
処理する工程と、該磁気抵抗効果素子層（２５）及び該
絶縁層（２６）上に、該磁気抵抗効果素子層（２５）と
同一な材料の再積層（２４）を該清浄処理により除去さ
れた分の厚さで形成する工程と、該再積層（２４）上に
前記磁性層（１３，３ａ，３ｂ）を形成する工程と、該
磁気抵抗効果素子層（２５）を所定形状にパターンニン
グして両端に磁性層（３ａ，３ｂ）が形成された前記磁
気抵抗効果素子（２）を形成する工程と、を含むことを
特徴とする磁気ヘッドの製造方法。 - 【請求項４】 前記磁気抵抗効果素子層（２５）をパ
ターンニングして所定形状の磁気抵抗効果素子（２）と
する工程を、前記基板（１０）上に該磁気抵抗効果素子
層（２５）を形成した後、前記絶縁層（２６）の形成前
に行うことを特徴とする請求項３記載の磁気ヘッドの製
造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03113489A JP3105569B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03113489A JP3105569B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04341909A true JPH04341909A (ja) | 1992-11-27 |
| JP3105569B2 JP3105569B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=14613598
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03113489A Expired - Fee Related JP3105569B2 (ja) | 1991-05-17 | 1991-05-17 | 磁気ヘッドの製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3105569B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06274838A (ja) * | 1993-02-17 | 1994-09-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取り変換器及びそのアセンブリの形成方法 |
-
1991
- 1991-05-17 JP JP03113489A patent/JP3105569B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH06274838A (ja) * | 1993-02-17 | 1994-09-30 | Internatl Business Mach Corp <Ibm> | 磁気抵抗読取り変換器及びそのアセンブリの形成方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3105569B2 (ja) | 2000-11-06 |
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