JPH07105510A - 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法 - Google Patents
磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法Info
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- JPH07105510A JPH07105510A JP27623193A JP27623193A JPH07105510A JP H07105510 A JPH07105510 A JP H07105510A JP 27623193 A JP27623193 A JP 27623193A JP 27623193 A JP27623193 A JP 27623193A JP H07105510 A JPH07105510 A JP H07105510A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 工程数短縮に有効な構造を持つＭＲ型磁気変
換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】 磁気検出膜１はＭＲ膜１１を含んでいる。磁
区制御膜２１、２２のそれぞれは、磁気検出膜１の相対
する両側に互いに間隔を隔てて積層され、磁気検出膜１
の領域外に延長されている。リード電極膜３１，３２の
それぞれは、磁気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制
御膜２１、２２に重なるパターンを有して磁区制御膜２
１，２２上に付着されている。
換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提
供する。 【構成】 磁気検出膜１はＭＲ膜１１を含んでいる。磁
区制御膜２１、２２のそれぞれは、磁気検出膜１の相対
する両側に互いに間隔を隔てて積層され、磁気検出膜１
の領域外に延長されている。リード電極膜３１，３２の
それぞれは、磁気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制
御膜２１、２２に重なるパターンを有して磁区制御膜２
１，２２上に付着されている。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を用いた
磁気変換素子、この磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッド
及び磁気変換素子の製造方法に関する。
磁気変換素子、この磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッド
及び磁気変換素子の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクドライブ装置が小型化され
る傾向の中で、磁気抵抗効果素子を読み出し素子として
用いた薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の
相対速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体
に記憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換器
として従来より知られている。
る傾向の中で、磁気抵抗効果素子を読み出し素子として
用いた薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の
相対速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体
に記憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換器
として従来より知られている。
【０００３】薄膜磁気ヘッドに用いられる磁気変換素子
は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一対のリード
電極膜とを含み、これらを支持体によって支持した構造
を有する。磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでい
る。磁区制御膜のそれぞれは、磁気検出膜の相対する両
側に互いに間隔を隔てて積層されている。リード電極膜
のそれぞれは、磁気検出膜上では相互に電極間隔を有し
て磁区制御膜の表面に付着され、磁気抵抗効果膜の領域
外では支持体上に付着されている。磁区制御膜は反強磁
性膜である。そして、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気
抵抗効果膜に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動
きに起因するバルクハウゼンノイズを防止するようにな
っている。このような技術は例えば米国特許第4,103,31
5号に開示されている。
は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一対のリード
電極膜とを含み、これらを支持体によって支持した構造
を有する。磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでい
る。磁区制御膜のそれぞれは、磁気検出膜の相対する両
側に互いに間隔を隔てて積層されている。リード電極膜
のそれぞれは、磁気検出膜上では相互に電極間隔を有し
て磁区制御膜の表面に付着され、磁気抵抗効果膜の領域
外では支持体上に付着されている。磁区制御膜は反強磁
性膜である。そして、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気
抵抗効果膜に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動
きに起因するバルクハウゼンノイズを防止するようにな
っている。このような技術は例えば米国特許第4,103,31
5号に開示されている。
【０００４】また、上述したＭＲ型磁気変換素子を用い
た薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば特開平4ー341909
号公報に記載されている。この公知文献に記載された製
造方法は、支持体に形成された矩形状の磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）の中央部分に所定幅のレジストパターン
を形成し、その後、スパッタによって反強磁性膜を形成
する。次に、リフトオフ法等によってレジストパターン
を、その上に付着した反強磁性膜とともに除去する。次
に、必要領域にレジストパターンを形成して、イオンミ
ーリングにより、不必要な反強磁性膜を除去する。これ
により、ＭＲ素子の両端部に反強磁性膜が形成される。
た薄膜磁気ヘッドの製造方法は、例えば特開平4ー341909
号公報に記載されている。この公知文献に記載された製
造方法は、支持体に形成された矩形状の磁気抵抗効果素
子（ＭＲ素子）の中央部分に所定幅のレジストパターン
を形成し、その後、スパッタによって反強磁性膜を形成
する。次に、リフトオフ法等によってレジストパターン
を、その上に付着した反強磁性膜とともに除去する。次
に、必要領域にレジストパターンを形成して、イオンミ
ーリングにより、不必要な反強磁性膜を除去する。これ
により、ＭＲ素子の両端部に反強磁性膜が形成される。
【０００５】この後、リード電極膜が形成される。リー
ド電極膜は、反強磁性膜間に露出するＭＲ素子の表面に
レジストパターンを形成し、次に電極膜をスパッタ成膜
し、次にレジストパターンを、その上に付着している不
要な電極膜とともに、リフトオフ法によって除去するこ
とによって形成される。
ド電極膜は、反強磁性膜間に露出するＭＲ素子の表面に
レジストパターンを形成し、次に電極膜をスパッタ成膜
し、次にレジストパターンを、その上に付着している不
要な電極膜とともに、リフトオフ法によって除去するこ
とによって形成される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】特開平4ー341909号公報
に記載されている製造方法によって得られる薄膜磁気ヘ
ッドは、反強磁性膜とリード電極膜のパターンが全く異
なっている。反強磁性膜はＭＲ素子上の限られた領域に
形成され、リード電極膜は反強磁性膜の全体を覆うと共
に、反強磁性膜の存在しない領域では、支持体の上に付
着されている。このため、反強磁性膜形成のためのフォ
トプロセス及びリフトオフ等の工程と、これに続くリー
ド電極膜形成のためのフォトプロセス及びリフトオフ等
の工程が必要である。
に記載されている製造方法によって得られる薄膜磁気ヘ
ッドは、反強磁性膜とリード電極膜のパターンが全く異
なっている。反強磁性膜はＭＲ素子上の限られた領域に
形成され、リード電極膜は反強磁性膜の全体を覆うと共
に、反強磁性膜の存在しない領域では、支持体の上に付
着されている。このため、反強磁性膜形成のためのフォ
トプロセス及びリフトオフ等の工程と、これに続くリー
ド電極膜形成のためのフォトプロセス及びリフトオフ等
の工程が必要である。
【０００７】本発明の課題は、磁区の動きに起因するバ
ルクハウゼンノイズを防止し得る磁気変換素子及びこの
磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
ルクハウゼンノイズを防止し得る磁気変換素子及びこの
磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することであ
る。
【０００８】本発明のもう一つの課題は、磁気検出膜の
両側からセンス電流を供給し得る構造を持つ磁気変換素
子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供す
ることである。
両側からセンス電流を供給し得る構造を持つ磁気変換素
子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供す
ることである。
【０００９】本発明のもう一つの課題は、工程数短縮に
有効な構造を持つＭＲ型磁気変換素子及びこの磁気変換
素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することである。
有効な構造を持つＭＲ型磁気変換素子及びこの磁気変換
素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することである。
【００１０】本発明のもう一つの課題は、磁気検出幅及
び流れるセンス電流値を安定に保つことができ、従って
安定した磁気検出動作を確保し得る磁気変換素子及びこ
の磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することで
ある。
び流れるセンス電流値を安定に保つことができ、従って
安定した磁気検出動作を確保し得る磁気変換素子及びこ
の磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供することで
ある。
【００１１】本発明のもう一つの課題は、上述した磁気
変換素子を得るのに好適な製造方法を提供することであ
る。
変換素子を得るのに好適な製造方法を提供することであ
る。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一
対のリード電極膜とを含み、支持体によって支持されて
いる磁気変換素子であって、前記磁気検出膜は、磁気抵
抗効果膜を含んでおり、前記磁区制御膜のそれぞれは、
前記磁気検出膜の相対する両側に互いに間隔を隔てて積
層され、前記磁気検出膜の領域外に延長されており、前
記リード電極膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の領域上
及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して
前記磁区制御膜上に付着されている。
め、本発明は、磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一
対のリード電極膜とを含み、支持体によって支持されて
いる磁気変換素子であって、前記磁気検出膜は、磁気抵
抗効果膜を含んでおり、前記磁区制御膜のそれぞれは、
前記磁気検出膜の相対する両側に互いに間隔を隔てて積
層され、前記磁気検出膜の領域外に延長されており、前
記リード電極膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の領域上
及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有して
前記磁区制御膜上に付着されている。
【００１３】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ
と、ＭＲ型磁気変換素子とを有しており、前記ＭＲ型磁
気変換素子は、上述した本発明に係る磁気変換素子でな
る。
と、ＭＲ型磁気変換素子とを有しており、前記ＭＲ型磁
気変換素子は、上述した本発明に係る磁気変換素子でな
る。
【００１４】ＭＲ型磁気変換素子を製造する本発明に係
る製造方法において、第１の工程は、磁気抵抗効果膜の
表面に磁気検出部形成のためのレジストを形成する工程
であり、第２の工程は、前記レジストの上から磁区制御
膜を形成する工程であり、第３の工程は、前記第２の工
程に続いて前記レジストの上からリード電極膜を形成す
る工程であり、第４の工程は、前記レジストをその上の
付着膜とともに除去する工程である。
る製造方法において、第１の工程は、磁気抵抗効果膜の
表面に磁気検出部形成のためのレジストを形成する工程
であり、第２の工程は、前記レジストの上から磁区制御
膜を形成する工程であり、第３の工程は、前記第２の工
程に続いて前記レジストの上からリード電極膜を形成す
る工程であり、第４の工程は、前記レジストをその上の
付着膜とともに除去する工程である。
【００１５】
【作用】磁気検出膜は磁気抵抗効果膜を含んでおり、磁
区制御膜のそれぞれは磁気検出膜の相対する両側に互い
に間隔を隔てて積層されているから、磁気抵抗効果膜に
長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルク
ハウゼンノイズを防止できる。
区制御膜のそれぞれは磁気検出膜の相対する両側に互い
に間隔を隔てて積層されているから、磁気抵抗効果膜に
長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルク
ハウゼンノイズを防止できる。
【００１６】リード電極膜のそれぞれは、磁気検出膜の
領域上で磁区制御膜に重なるパターンを有して磁区制御
膜上に付着されているから、磁気検出膜の両側におい
て、センス電流を磁気検出膜に供給することができる。
領域上で磁区制御膜に重なるパターンを有して磁区制御
膜上に付着されているから、磁気検出膜の両側におい
て、センス電流を磁気検出膜に供給することができる。
【００１７】リード電極膜のそれぞれは、磁気検出膜の
領域上及び領域外で磁区制御膜に重なるパターンを有し
て磁区制御膜上に付着されている。従って、磁区制御膜
とリード電極膜とを、同一工程に属するフォトリソグラ
フィプロセス及び成膜工程等によって形成することが可
能である。
領域上及び領域外で磁区制御膜に重なるパターンを有し
て磁区制御膜上に付着されている。従って、磁区制御膜
とリード電極膜とを、同一工程に属するフォトリソグラ
フィプロセス及び成膜工程等によって形成することが可
能である。
【００１８】磁区制御膜は反強磁性膜によって構成でき
る。磁区制御膜が反強磁性膜によって構成された場合に
は、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との間に生じる反強磁
性ー強磁性交換結合を利用して、磁気抵抗効果膜に均一
な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバル
クハウゼンノイズを防止できる。
る。磁区制御膜が反強磁性膜によって構成された場合に
は、反強磁性層と磁気抵抗効果膜との間に生じる反強磁
性ー強磁性交換結合を利用して、磁気抵抗効果膜に均一
な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバル
クハウゼンノイズを防止できる。
【００１９】磁気検出膜は、横方向バイアス層と、磁気
分離層とを含むことができる。この構造の場合は、横方
向バイアス層が支持体の上に付着され、磁気分離層が横
方向バイアス層の上に付着さ、磁気抵抗効果膜は磁気分
離層の上に付着される。
分離層とを含むことができる。この構造の場合は、横方
向バイアス層が支持体の上に付着され、磁気分離層が横
方向バイアス層の上に付着さ、磁気抵抗効果膜は磁気分
離層の上に付着される。
【００２０】リード電極膜は、磁気検出膜上で電極間隔
を画定する端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているこ
とが望ましい。この構造により、磁気検出幅及び流れる
センス電流値が、電気抵抗の高い磁区制御膜の影響を受
けることなく、リード電極膜の電極間隔によって定まる
一定した値になり、磁気検出動作が安定する。
を画定する端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているこ
とが望ましい。この構造により、磁気検出幅及び流れる
センス電流値が、電気抵抗の高い磁区制御膜の影響を受
けることなく、リード電極膜の電極間隔によって定まる
一定した値になり、磁気検出動作が安定する。
【００２１】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ
によって支持されたＭＲ型磁気変換素子が前述した本発
明に係る磁気変換素子で構成されている。このため、本
発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用がそのまま
発揮される。
によって支持されたＭＲ型磁気変換素子が前述した本発
明に係る磁気変換素子で構成されている。このため、本
発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用がそのまま
発揮される。
【００２２】上述の磁気変換素子を製造するに当り、第
１の工程で、磁気抵抗効果膜の表面に磁気検出部形成の
ためのレジストを形成する。次に、第２の工程で、レジ
ストの上から磁区制御膜を形成する。次に、第３の工程
では、第２の工程に続いてレジストの上からリード電極
膜を形成する。従って、同一のレジストマスクを、磁区
制御膜成膜工程とリード電極膜成膜工程の両工程におい
て共用することになる。このため、工程が短縮される。
１の工程で、磁気抵抗効果膜の表面に磁気検出部形成の
ためのレジストを形成する。次に、第２の工程で、レジ
ストの上から磁区制御膜を形成する。次に、第３の工程
では、第２の工程に続いてレジストの上からリード電極
膜を形成する。従って、同一のレジストマスクを、磁区
制御膜成膜工程とリード電極膜成膜工程の両工程におい
て共用することになる。このため、工程が短縮される。
【００２３】次に、第４の工程において、レジストをそ
の上の付着膜とともに除去する。この工程は、磁区制御
膜成膜及びリード電極膜成膜の工程後に一工程として行
われるものであって、磁区制御膜成膜工程及びリード電
極膜成膜工程毎の工程ではない。このため、工程数が減
少する。
の上の付着膜とともに除去する。この工程は、磁区制御
膜成膜及びリード電極膜成膜の工程後に一工程として行
われるものであって、磁区制御膜成膜工程及びリード電
極膜成膜工程毎の工程ではない。このため、工程数が減
少する。
【００２４】第２の工程では、望ましくは、付着粒子の
付着方向性の高い成膜手段にって磁区制御膜を形成す
る。このような成膜手段の例はイオンビームスパッタ或
いは蒸着等である。また、第３の工程では、望ましく
は、付着粒子の付着方向性の低い成膜手段によってリー
ド電極膜を形成する。このような成膜手段の例はスパッ
タである。この成膜方法によると、電極間隔を画定する
端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているリード電極膜
構造を容易に得ることができる。第４の工程は一般には
リフトオフ工程である。
付着方向性の高い成膜手段にって磁区制御膜を形成す
る。このような成膜手段の例はイオンビームスパッタ或
いは蒸着等である。また、第３の工程では、望ましく
は、付着粒子の付着方向性の低い成膜手段によってリー
ド電極膜を形成する。このような成膜手段の例はスパッ
タである。この成膜方法によると、電極間隔を画定する
端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているリード電極膜
構造を容易に得ることができる。第４の工程は一般には
リフトオフ工程である。
【００２５】また、上述したスパッタ成膜手段をとる場
合、第１の工程では、望ましくは、側壁面が逆テーパを
有するレジストを塗布する。側壁面が逆テーパを有する
レジストを塗布しておくと、第２の工程及び第３の工程
において、スッパタ時に発生した成膜成分粒子がレジス
トの側面に付着したとしても、側壁面からスパッタ成膜
面に連続するようには成長しない。このため、第４の工
程において、レジストに側壁面に付着した成膜成分粒子
をレジストと一緒に除去し、本来のスパッタ成膜面に痕
跡が残るのを回避することができる。
合、第１の工程では、望ましくは、側壁面が逆テーパを
有するレジストを塗布する。側壁面が逆テーパを有する
レジストを塗布しておくと、第２の工程及び第３の工程
において、スッパタ時に発生した成膜成分粒子がレジス
トの側面に付着したとしても、側壁面からスパッタ成膜
面に連続するようには成長しない。このため、第４の工
程において、レジストに側壁面に付着した成膜成分粒子
をレジストと一緒に除去し、本来のスパッタ成膜面に痕
跡が残るのを回避することができる。
【００２６】
【実施例】図１は本発明に係る磁気変換素子の平面図、
図２は図１のＡ２−Ａ２線上における断面図、図３は図
１のＡ３−Ａ３線上における断面図、図４は図１〜図３
に示した磁気変換素子の部分拡大断面図である。本発明
に係る磁気変換素子は、磁気検出膜１１と、一対の磁区
制御膜２１、２２と、一対のリード電極膜３１、３２と
を含み、支持体４によって支持されている。磁気検出膜
１は磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１１を含んでいる。磁区
制御膜２１、２２のそれぞれは、磁気検出膜１の相対す
る両側に互いに間隔を隔てて積層され、磁気検出膜１の
領域外に延長されている。
図２は図１のＡ２−Ａ２線上における断面図、図３は図
１のＡ３−Ａ３線上における断面図、図４は図１〜図３
に示した磁気変換素子の部分拡大断面図である。本発明
に係る磁気変換素子は、磁気検出膜１１と、一対の磁区
制御膜２１、２２と、一対のリード電極膜３１、３２と
を含み、支持体４によって支持されている。磁気検出膜
１は磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜）１１を含んでいる。磁区
制御膜２１、２２のそれぞれは、磁気検出膜１の相対す
る両側に互いに間隔を隔てて積層され、磁気検出膜１の
領域外に延長されている。
【００２７】リード電極膜３１，３２のそれぞれは、磁
気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２
に重なるパターンを有して磁区制御膜２１，２２上に付
着されている。
気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２
に重なるパターンを有して磁区制御膜２１，２２上に付
着されている。
【００２８】上述のように、磁気検出膜１はＭＲ膜１１
を含んでおり、磁区制御膜２１、２２のそれぞれは磁気
検出膜１の相対する両側に互いに間隔を隔てて積層され
ているから、磁区制御膜２１、２２によりＭＲ膜１１に
バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルクハウゼン
ノイズを防止できる。
を含んでおり、磁区制御膜２１、２２のそれぞれは磁気
検出膜１の相対する両側に互いに間隔を隔てて積層され
ているから、磁区制御膜２１、２２によりＭＲ膜１１に
バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルクハウゼン
ノイズを防止できる。
【００２９】リード電極膜３１、３２のそれぞれは、磁
気検出膜１の領域上で磁区制御膜２１、２２に重なるパ
ターンを有して磁区制御膜２１、２２上に付着されてい
る。この構造により、磁気検出膜１の両側において、磁
区制御膜２１、２２を介してセンス電流を磁気検出膜１
に供給することができる。
気検出膜１の領域上で磁区制御膜２１、２２に重なるパ
ターンを有して磁区制御膜２１、２２上に付着されてい
る。この構造により、磁気検出膜１の両側において、磁
区制御膜２１、２２を介してセンス電流を磁気検出膜１
に供給することができる。
【００３０】リード電極膜３１、３２のそれぞれは、磁
気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２
に重なるパターンを有して、磁区制御膜２１、２２上に
付着されている。従って、磁区制御膜２１、２２とリー
ド電極膜３１、３２とを、同一工程に属するフォトリソ
グラフィプロセス及び成膜工程等によって形成すること
が可能である。
気検出膜１の領域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２
に重なるパターンを有して、磁区制御膜２１、２２上に
付着されている。従って、磁区制御膜２１、２２とリー
ド電極膜３１、３２とを、同一工程に属するフォトリソ
グラフィプロセス及び成膜工程等によって形成すること
が可能である。
【００３１】磁区制御膜２１、２２は反強磁性膜によっ
て構成できる。磁区制御膜２１、２２が反強磁性膜によ
って構成された場合には、反強磁性層とＭＲ膜１１との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、ＭＲ
膜１１に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに
起因するバルクハウゼンノイズを防止できる。反強磁性
膜の例はＦｅ−Ｍｎであり、例えば３００オングストロ
ーム前後の膜厚として形成される。
て構成できる。磁区制御膜２１、２２が反強磁性膜によ
って構成された場合には、反強磁性層とＭＲ膜１１との
間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、ＭＲ
膜１１に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに
起因するバルクハウゼンノイズを防止できる。反強磁性
膜の例はＦｅ−Ｍｎであり、例えば３００オングストロ
ーム前後の膜厚として形成される。
【００３２】磁気検出膜１は、横方向バイアス層１３
と、磁気分離層１２とを含むことができる。この構造の
場合は、横方向バイアス層１３が支持体４の上に付着さ
れ、磁気分離層１２が横方向バイアス層１３の上に付着
され、ＭＲ膜１１は磁気分離層１２の上に付着される。
ＭＲ膜１１は例えばパーマロイによって形成される。そ
の組成、厚み及び製造方法等は、当該技術分野の通常の
知識を有するものにとって周知である。横方向バイアス
層１３は例えばNi-Fe-Rh、Ni-Fe-Crまたはアモルファス
によって構成された磁気抵抗効果のない磁性膜であり、
例えば２００〜３００オングストロームの膜厚となるよ
うに形成されている。磁気分離層１２は例えば１００〜
２００オングストロームの膜厚を有するＴａ膜によって
構成される。この積層構造は、この種のＭＲ型磁気変換
素子で通常用いられる構造である。
と、磁気分離層１２とを含むことができる。この構造の
場合は、横方向バイアス層１３が支持体４の上に付着さ
れ、磁気分離層１２が横方向バイアス層１３の上に付着
され、ＭＲ膜１１は磁気分離層１２の上に付着される。
ＭＲ膜１１は例えばパーマロイによって形成される。そ
の組成、厚み及び製造方法等は、当該技術分野の通常の
知識を有するものにとって周知である。横方向バイアス
層１３は例えばNi-Fe-Rh、Ni-Fe-Crまたはアモルファス
によって構成された磁気抵抗効果のない磁性膜であり、
例えば２００〜３００オングストロームの膜厚となるよ
うに形成されている。磁気分離層１２は例えば１００〜
２００オングストロームの膜厚を有するＴａ膜によって
構成される。この積層構造は、この種のＭＲ型磁気変換
素子で通常用いられる構造である。
【００３３】リード電極膜３１、３２は、磁気検出膜１
上で電極間隔△ｄ１を画定する端縁３１１、３２１がＭ
Ｒ膜１１に直接接触していることが望ましい。この構造
により、磁気検出幅及び流れるセンス電流値が、電気抵
抗の高い磁区制御膜２１、２２の影響を受けることな
く、リード電極膜３１、３２の電極間隔△ｄ１によって
定まる一定した値になり、磁気検出動作が安定する。リ
ード導電層３２、４２は例えばTa/W/Taの積層膜よりな
る。
上で電極間隔△ｄ１を画定する端縁３１１、３２１がＭ
Ｒ膜１１に直接接触していることが望ましい。この構造
により、磁気検出幅及び流れるセンス電流値が、電気抵
抗の高い磁区制御膜２１、２２の影響を受けることな
く、リード電極膜３１、３２の電極間隔△ｄ１によって
定まる一定した値になり、磁気検出動作が安定する。リ
ード導電層３２、４２は例えばTa/W/Taの積層膜よりな
る。
【００３４】図５は本発明に係る磁気変換素子の他の実
施例を示す平面図、図６は図５のＡ６ーＡ６線上におけ
る断面図である。図において、図１〜図４における参照
符号と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。この実施例では、磁区制御膜２１、２２のそれぞれ
は、磁気検出膜１の相対する両側に互いに間隔を隔てて
積層され、磁気検出膜１の領域外に延長されている。リ
ード電極膜３１，３２のそれぞれは、磁気検出膜１の領
域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２に重なるパター
ンを有して磁区制御膜２１，２２上に付着されている。
従って、磁区制御膜２１、２２とリード電極膜３１、３
２とを、同一工程に属するフォトリソグラフィプロセス
及び成膜工程等によって形成することができる。
施例を示す平面図、図６は図５のＡ６ーＡ６線上におけ
る断面図である。図において、図１〜図４における参照
符号と同一の参照符号は同一性ある構成部分を示してい
る。この実施例では、磁区制御膜２１、２２のそれぞれ
は、磁気検出膜１の相対する両側に互いに間隔を隔てて
積層され、磁気検出膜１の領域外に延長されている。リ
ード電極膜３１，３２のそれぞれは、磁気検出膜１の領
域上及び領域外で磁区制御膜２１、２２に重なるパター
ンを有して磁区制御膜２１，２２上に付着されている。
従って、磁区制御膜２１、２２とリード電極膜３１、３
２とを、同一工程に属するフォトリソグラフィプロセス
及び成膜工程等によって形成することができる。
【００３５】図７は上述した磁気変換素子を読み出し素
子として用い、誘導型磁気変換素子を書き込み素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図を示している。図
示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００の上にＭＲ型磁
気変換素子で構成された読み出し素子１１０及び誘導型
磁気変換素子でなる書き込み素子１２０を有する。
子として用い、誘導型磁気変換素子を書き込み素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図を示している。図
示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００の上にＭＲ型磁
気変換素子で構成された読み出し素子１１０及び誘導型
磁気変換素子でなる書き込み素子１２０を有する。
【００３６】スライダ１００はセラミック構造体で構成
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
【００３７】読み出し素子１１０はＭＲ型磁気変換素子
１１１を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設されている。
参照符号１１２はＭＲ型磁気変換素子１１１に給電する
リード電極膜である。リード電極膜１１２は図１〜図６
のリード電極膜３１、３２に対応している。ＭＲ型磁気
変換素子１１１及びリード電極膜１１２は、スライダ１
００のＡＢＳ面１０３に現れており、これにより、スペ
ーシングロスをできるだけ減少させるようにしてある。
参照符号１１３は下部シールド膜であり、パーマロイな
どの磁性膜によって構成されている。
１１１を絶縁膜１０２の内部に層状に埋設されている。
参照符号１１２はＭＲ型磁気変換素子１１１に給電する
リード電極膜である。リード電極膜１１２は図１〜図６
のリード電極膜３１、３２に対応している。ＭＲ型磁気
変換素子１１１及びリード電極膜１１２は、スライダ１
００のＡＢＳ面１０３に現れており、これにより、スペ
ーシングロスをできるだけ減少させるようにしてある。
参照符号１１３は下部シールド膜であり、パーマロイな
どの磁性膜によって構成されている。
【００３８】読み出し素子１１０は、前述した本発明に
係るＭＲ型磁気変換素子１１１で構成されている。この
ため、本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用、
効果がそのまま発揮される。
係るＭＲ型磁気変換素子１１１で構成されている。この
ため、本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用、
効果がそのまま発揮される。
【００３９】書き込み素子１２０は、下部磁性膜１２
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
１、上部磁性膜１２２、コイル膜１２３、アルミナ等で
なるギャップ膜１２４、ノボラック樹脂等の有機樹脂で
構成された絶縁膜１２５及び保護膜１２６などを有し
て、絶縁膜１０２の上に積層されている。下部磁性膜１
２１及び上部磁性膜１２２の先端部は微小厚みのギャッ
プ膜１２４を隔てて対向するポール部Ｐ１、Ｐ２となっ
ており、ポール部Ｐ１、Ｐ２において書き込みを行な
う。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２のヨーク部
であり、ポール部Ｐ１、Ｐ２とは反対側にあるバックギ
ャップ部において、磁気回路を完成するように互いに結
合されている。絶縁膜１２５の上に、ヨーク部の結合部
のまわりを渦巻状にまわるように、コイル膜１２３を形
成してある。図示は、面内記録再生用磁気ヘッドである
が、垂直磁気記録再生用磁気ヘッド等であってもよい。
【００４０】次に、本発明に係る磁気変換素子の製造方
法について、図８〜図１５を参照して説明する。まず、
図８及び図９に示すように、第１の工程において、磁気
抵抗効果膜１の表面に磁気検出部形成のためのレジスト
５を形成する。レジスト５は周知のフォトリソグラフィ
プロセスに従って形成される。レジスト５は磁気検出幅
を考慮した幅をもって、磁気検出膜１の中央部に形成す
る。
法について、図８〜図１５を参照して説明する。まず、
図８及び図９に示すように、第１の工程において、磁気
抵抗効果膜１の表面に磁気検出部形成のためのレジスト
５を形成する。レジスト５は周知のフォトリソグラフィ
プロセスに従って形成される。レジスト５は磁気検出幅
を考慮した幅をもって、磁気検出膜１の中央部に形成す
る。
【００４１】次に、図１０及び図１１に示すように、第
２の工程において、レジスト５の上から、磁区制御膜２
１〜２５を全面にわたって成膜する。磁区制御膜２１〜
２５は、望ましくは、付着粒子の付着方向性の高い成膜
手段にって形成する。このような成膜手段の例はイオン
ビームスパッタ或いは蒸着等である。
２の工程において、レジスト５の上から、磁区制御膜２
１〜２５を全面にわたって成膜する。磁区制御膜２１〜
２５は、望ましくは、付着粒子の付着方向性の高い成膜
手段にって形成する。このような成膜手段の例はイオン
ビームスパッタ或いは蒸着等である。
【００４２】次に、図１２及び図１３に示すように、第
３の工程においては、レジスト５の上からリード電極膜
３１〜３５を形成する。従って、同一のレジスト５をマ
スクとして、磁区制御膜成膜工程とリード電極膜成膜工
程の両工程において共用することになる。このため、工
程が短縮される。第３の工程では、望ましくは、付着粒
子の付着方向性の低い成膜手段によってリード電極膜３
１〜３５を形成する。このような成膜手段の例はスパッ
タである。この成膜方法によると、電極間隔を画定する
端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているリード電極膜
構造（図１〜図４参照）を容易に得ることができる。
３の工程においては、レジスト５の上からリード電極膜
３１〜３５を形成する。従って、同一のレジスト５をマ
スクとして、磁区制御膜成膜工程とリード電極膜成膜工
程の両工程において共用することになる。このため、工
程が短縮される。第３の工程では、望ましくは、付着粒
子の付着方向性の低い成膜手段によってリード電極膜３
１〜３５を形成する。このような成膜手段の例はスパッ
タである。この成膜方法によると、電極間隔を画定する
端縁が磁気抵抗効果膜に直接接触しているリード電極膜
構造（図１〜図４参照）を容易に得ることができる。
【００４３】次に、図１４及び図１５に示すように、第
４の工程において、レジスト５をその上の付着膜（２
３、３３）〜（２５、３５）ともに除去する。この工程
は、磁区制御膜成膜及びリード電極膜成膜の工程後に一
工程として行われるものであって、磁区制御膜成膜工程
及びリード電極膜成膜工程毎の工程ではない。このた
め、工程数が減少する。第４の工程は一般にはリフト．
オフ工程である。
４の工程において、レジスト５をその上の付着膜（２
３、３３）〜（２５、３５）ともに除去する。この工程
は、磁区制御膜成膜及びリード電極膜成膜の工程後に一
工程として行われるものであって、磁区制御膜成膜工程
及びリード電極膜成膜工程毎の工程ではない。このた
め、工程数が減少する。第４の工程は一般にはリフト．
オフ工程である。
【００４４】第２の工程及び第３の工程が、スパッタ成
膜手段をとる場合、第１の工程では、図示するように、
側壁面が逆テーパを有するレジスト５を形成する。側壁
面が逆テーパを有するレジスト５を形成しておくと、第
２の工程及び第３の工程において、スッパタ時に発生し
た成膜成分粒子がレジスト５の側面に付着したとして
も、側壁面５からスパッタ成膜面に連続するようには成
長しない。このため、第４の工程において、レジスト５
の側壁面に付着した成膜成分粒子をレジスト５と一緒に
除去し、本来のスパッタ成膜面に痕跡が残るのを回避す
ることができる。
膜手段をとる場合、第１の工程では、図示するように、
側壁面が逆テーパを有するレジスト５を形成する。側壁
面が逆テーパを有するレジスト５を形成しておくと、第
２の工程及び第３の工程において、スッパタ時に発生し
た成膜成分粒子がレジスト５の側面に付着したとして
も、側壁面５からスパッタ成膜面に連続するようには成
長しない。このため、第４の工程において、レジスト５
の側壁面に付着した成膜成分粒子をレジスト５と一緒に
除去し、本来のスパッタ成膜面に痕跡が残るのを回避す
ることができる。
【００４５】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、次
のような効果を得ることができる。 （ａ）磁区の動きに起因するバルクハウゼンノイズを防
止し得る磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜
磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）磁気検出膜の両側からセンス電流を供給し得る構
造を持つ磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜
磁気ヘッドを提供できる。 （ｃ）工程数短縮に有効な構造を持つＭＲ型磁気変換素
子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。 （ｄ）磁気検出幅及び流れるセンス電流値を安定に保つ
ことができ、従って安定した磁気検出動作を確保し得る
磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。 （ｅ）上述した磁気変換素子を得るのに好適な製造方法
を提供できる。
のような効果を得ることができる。 （ａ）磁区の動きに起因するバルクハウゼンノイズを防
止し得る磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜
磁気ヘッドを提供できる。 （ｂ）磁気検出膜の両側からセンス電流を供給し得る構
造を持つ磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜
磁気ヘッドを提供できる。 （ｃ）工程数短縮に有効な構造を持つＭＲ型磁気変換素
子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッドを提供で
きる。 （ｄ）磁気検出幅及び流れるセンス電流値を安定に保つ
ことができ、従って安定した磁気検出動作を確保し得る
磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッ
ドを提供できる。 （ｅ）上述した磁気変換素子を得るのに好適な製造方法
を提供できる。
【図１】本発明に係る磁気変換素子の平面図である。
【図２】図１のＡ２−Ａ２線上における断面図である。
【図３】図１のＡ３−Ａ３線上における断面図である。
【図４】図１〜図３に示した磁気変換素子の部分拡大断
面図である。
面図である。
【図５】本発明に係る磁気変換素子の他の実施例を示す
平面図である。
平面図である。
【図６】図５のＡ６ーＡ６線上における断面図である。
【図７】本発明に係る磁気変換素子を読み出し素子とし
て用い薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
て用い薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【図８】本発明に係る磁気変換素子の製造方法を示す図
である。
である。
【図９】図８に示した工程を上側から見た図である。
【図１０】本発明に係る磁気変換素子の製造方法を示す
図である。
図である。
【図１１】図１０に示した工程を上側から見た図であ
る。
る。
【図１２】本発明に係る磁気変換素子の製造方法を示す
図である。
図である。
【図１３】図１２に示した工程を上側から見た図であ
る。
る。
【図１４】本発明に係る磁気変換素子の製造方法を示す
図である。
図である。
【図１５】図１４に示した工程を上側から見た図であ
る。
る。
１ 磁気検出膜 ２１、２２ 磁区制御膜 ３１、３２ リード電極膜
Claims (8)
- 【請求項１】 磁気検出膜と、一対の磁区制御膜と、一
対のリード電極膜とを含み、支持体によって支持されて
いる磁気変換素子であって、 前記磁気検出膜は、磁気抵抗効果膜を含んでおり、 前記磁区制御膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の相対す
る両側に互いに間隔を隔てて積層され、前記磁気検出膜
の領域外に延長されており、 前記リード電極膜のそれぞれは、前記磁気検出膜の領域
上及び領域外で前記磁区制御膜に重なるパターンを有し
て前記磁区制御膜上に付着されている磁気変換素子。 - 【請求項２】 前記リード電極膜は、電極間隔を画定す
る端縁が前記磁気抵抗効果膜に直接接触している請求項
１に記載の磁気変換素子。 - 【請求項３】 前記磁区制御膜は、反強磁性膜である請
求項１に記載の磁気変換素子。 - 【請求項４】 前記磁気検出膜は、横方向バイアス層
と、磁気分離層とを含み、前記横方向バイアス層が前記
支持体の上に付着され、前記磁気分離層が前記横方向バ
イアス層の上に付着されており、 前記磁気抵抗効果膜は前記磁気分離層の上に付着されて
いる請求項１に記載の磁気変換素子。 - 【請求項５】 スライダと、前記スライダによって支持
された磁気変換素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気変換素子は、請求項１乃至４に記載された何れ
かである薄膜磁気ヘッド。 - 【請求項６】 請求項１乃至４に記載された磁気変換素
子の何れかを製造するための方法であって、 第１の工程は、磁気抵抗効果膜の表面に磁気検出部形成
のためのレジストを形成する工程であり、 第２の工程は、前記レジストの上から磁区制御膜を形成
する工程であり、 第３の工程は、前記第２の工程に続いて前記レジストの
上からリード電極膜を形成する工程であり、 第４の工程は、前記レジストをその上の付着膜とともに
除去する工程である磁気変換素子の製造方法。 - 【請求項７】 第２の工程は、付着粒子の付着方向性の
高い成膜手段によって前記磁区制御膜を形成する工程で
あり、 第３の工程は、付着粒子の付着方向性の低い成膜手段に
よって前記リード電極膜を形成する工程である請求項６
に記載された磁気変換素子の製造方法。 - 【請求項８】 前記第１の工程は、側壁面が逆テーパを
有するレジストを塗布する工程である請求項７に記載の
磁気変換素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27623193A JPH07105510A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP27623193A JPH07105510A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07105510A true JPH07105510A (ja) | 1995-04-21 |
Family
ID=17566527
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP27623193A Pending JPH07105510A (ja) | 1993-10-07 | 1993-10-07 | 磁気変換素子、薄膜磁気ヘッド及び磁気変換素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07105510A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0778563A3 (en) * | 1995-12-08 | 1998-12-30 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability |
-
1993
- 1993-10-07 JP JP27623193A patent/JPH07105510A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0778563A3 (en) * | 1995-12-08 | 1998-12-30 | Quantum Peripherals Colorado, Inc. | Magnetoresistive device incorporating conductor geometry providing substantially uniform current flow for improved magnetic stability |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20020605 |