JPH07272222A - 磁気抵抗読み取りトランスジューサ - Google Patents
磁気抵抗読み取りトランスジューサInfo
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- JPH07272222A JPH07272222A JP32760594A JP32760594A JPH07272222A JP H07272222 A JPH07272222 A JP H07272222A JP 32760594 A JP32760594 A JP 32760594A JP 32760594 A JP32760594 A JP 32760594A JP H07272222 A JPH07272222 A JP H07272222A
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- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/127—Structure or manufacture of heads, e.g. inductive
- G11B5/33—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only
- G11B5/39—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects
- G11B5/3903—Structure or manufacture of flux-sensitive heads, i.e. for reproduction only; Combination of such heads with means for recording or erasing only using magneto-resistive devices or effects using magnetic thin film layers or their effects, the films being part of integrated structures
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- G11B5/3967—Composite structural arrangements of transducers, e.g. inductive write and magnetoresistive read
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗読み取りトランスジューサのリード
抵抗を低下させる。 【構成】 中央活性領域に対して分離された不活性な端
部領域を持つ磁気抵抗センサと、実質的に該中央活性領
域のみを占める、磁性材料で形成された磁気抵抗導電層
の薄膜と、それぞれ該磁気抵抗導電層の一端および他端
と電気的磁気的に連続した境界接合面を構成し、それぞ
れ該不活性な端部領域の一方および他方を実質的に占め
て該磁気抵抗センサ内に長手方向バイアスを生成する第
１および第２の硬質磁性材料の薄膜と、該第１および第
２の薄膜上に積層され、該磁気抵抗導電層の該中央活性
領域と磁気的に結合している第１の導電性リード部材
と、該第１の導電性リード部材上に積層されると共にこ
れと電気的に接続された第２の導電性リード部材とを含
む。
抵抗を低下させる。 【構成】 中央活性領域に対して分離された不活性な端
部領域を持つ磁気抵抗センサと、実質的に該中央活性領
域のみを占める、磁性材料で形成された磁気抵抗導電層
の薄膜と、それぞれ該磁気抵抗導電層の一端および他端
と電気的磁気的に連続した境界接合面を構成し、それぞ
れ該不活性な端部領域の一方および他方を実質的に占め
て該磁気抵抗センサ内に長手方向バイアスを生成する第
１および第２の硬質磁性材料の薄膜と、該第１および第
２の薄膜上に積層され、該磁気抵抗導電層の該中央活性
領域と磁気的に結合している第１の導電性リード部材
と、該第１の導電性リード部材上に積層されると共にこ
れと電気的に接続された第２の導電性リード部材とを含
む。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、薄膜磁気ヘッドに関
し、詳しくは磁気抵抗（magnetoresistive：ＭＲ）読み
取りトランスジューサを備えた磁気ヘッドに関する。
し、詳しくは磁気抵抗（magnetoresistive：ＭＲ）読み
取りトランスジューサを備えた磁気ヘッドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気的に記録されたデータの検出にＭＲ
トランスジューサを用いることは何年も前から知られて
いる。また、この種のヘッドは、バルクハウゼン・ノイ
ズを解消し、そのセンサの線型性が最良の作動範囲に維
持するために、長手方向および幅方向にバイアスを与え
なければならないことも知られている。本発明者等によ
る米国特許第 4,024,489号には、硬質磁性バイアス層を
設けたＭＲセンサが記載されている。このセンサは、Ｍ
Ｒ層と硬質磁性バイアス層とを両方ともセンサの幅全体
に設けて幅方向バイアスを生成させている。
トランスジューサを用いることは何年も前から知られて
いる。また、この種のヘッドは、バルクハウゼン・ノイ
ズを解消し、そのセンサの線型性が最良の作動範囲に維
持するために、長手方向および幅方向にバイアスを与え
なければならないことも知られている。本発明者等によ
る米国特許第 4,024,489号には、硬質磁性バイアス層を
設けたＭＲセンサが記載されている。このセンサは、Ｍ
Ｒ層と硬質磁性バイアス層とを両方ともセンサの幅全体
に設けて幅方向バイアスを生成させている。
【０００３】データ記録のトラック幅が小さくなり、記
録密度が大きくなってくると、それを読み取るのに必要
な小型のＭＲ読み取りトランスジューサを製造すること
が困難になってくる。この要請に応える一つの回答とし
て米国特許第 4,663,685号には、幅方向バイアスはセン
サの活性領域の中央部のみに生成させ、長手方向バイア
スは不活性な端部領域に生成させており、これは端部領
域内にまで延びた強磁性ＭＲ層と端部領域にのみ存在す
る反強磁性層との間の結合を交換する（exchange coupl
ing ）ことにより行っている。米国特許第 4,639,806号
に示されているＭＲセンサは、ＭＲ層と端部領域のみの
硬質磁性層との間の結合を交換することにより長手方向
バイアスを生成させている。
録密度が大きくなってくると、それを読み取るのに必要
な小型のＭＲ読み取りトランスジューサを製造すること
が困難になってくる。この要請に応える一つの回答とし
て米国特許第 4,663,685号には、幅方向バイアスはセン
サの活性領域の中央部のみに生成させ、長手方向バイア
スは不活性な端部領域に生成させており、これは端部領
域内にまで延びた強磁性ＭＲ層と端部領域にのみ存在す
る反強磁性層との間の結合を交換する（exchange coupl
ing ）ことにより行っている。米国特許第 4,639,806号
に示されているＭＲセンサは、ＭＲ層と端部領域のみの
硬質磁性層との間の結合を交換することにより長手方向
バイアスを生成させている。
【０００４】これらのセンサは現在の要請には対応でき
ることが分かっている。しかし、将来の設計上の要請に
対応するには、上記の構造を経済的に且つ十分な精度で
作ることに、必要な寸法精度の面から限界がある。現在
のＭＲトランスジューサ生産プロセスでは、リード部分
の抵抗が非常に大きくなるが、そのことはトラック幅が
小さくなるにつれて大きい問題となる。現在の設計が高
抵抗になる原因は幾つかある。
ることが分かっている。しかし、将来の設計上の要請に
対応するには、上記の構造を経済的に且つ十分な精度で
作ることに、必要な寸法精度の面から限界がある。現在
のＭＲトランスジューサ生産プロセスでは、リード部分
の抵抗が非常に大きくなるが、そのことはトラック幅が
小さくなるにつれて大きい問題となる。現在の設計が高
抵抗になる原因は幾つかある。
【０００５】（１）ＦｅＭｎの大きな部分を空気に触れ
る面に露出することは望ましくないので、センサ部から
テーパ状の形にするため、マスク上の枡目が多くなる。 （２）活性領域上では、シールドによる規制があるた
め、リード厚さが制限される。シールド下のリードが厚
くなると、ギャップが薄くなり、ショートを起こすの
で、厚いリードは敬遠される。
る面に露出することは望ましくないので、センサ部から
テーパ状の形にするため、マスク上の枡目が多くなる。 （２）活性領域上では、シールドによる規制があるた
め、リード厚さが制限される。シールド下のリードが厚
くなると、ギャップが薄くなり、ショートを起こすの
で、厚いリードは敬遠される。
【０００６】（３）活性領域の外部でシールドを取り除
くと、ＭＲストライプの不活性無シールド部分（典型的
には全長の約７０％）が迷走磁界による側面読み取り
（sidereading）や不安定挙動を起こす危険がある。長
手方向バイアス構造として、例えばクロンビら（Krounb
i et al.）の米国特許第 5,018,057号に記載されたもの
はＦｅＭｎを用いず、上記の問題点（１）〜（３）を解
消したもので、第２のリード部マスキングが可能である
ため空気に触れる面でのリードの厚さを増加させ、リー
ド抵抗を低下させたものである。
くと、ＭＲストライプの不活性無シールド部分（典型的
には全長の約７０％）が迷走磁界による側面読み取り
（sidereading）や不安定挙動を起こす危険がある。長
手方向バイアス構造として、例えばクロンビら（Krounb
i et al.）の米国特許第 5,018,057号に記載されたもの
はＦｅＭｎを用いず、上記の問題点（１）〜（３）を解
消したもので、第２のリード部マスキングが可能である
ため空気に触れる面でのリードの厚さを増加させ、リー
ド抵抗を低下させたものである。
【０００７】リード厚さを増加させ、ギャップ厚さは増
加させないでそのままにしておくと、２つ問題が生ず
る。まず一点は、表面の凹凸が拡大されて書き込みギャ
ップに反映するので、磁極後端が曲線を描くため、トラ
ック横断方向に非線型な形で遷移（transition）を書き
込むことになることである。このような曲線状の遷移は
ディスクドライブ内でのトラック外性能を低下させる。
シールドで挟まれたリードが厚いことによるもう一つの
問題は、リード領域においてシールド同士の間隔が実質
的に広がるので、トラック外の情報に対する感度が高ま
り、システムの性能が低下する。
加させないでそのままにしておくと、２つ問題が生ず
る。まず一点は、表面の凹凸が拡大されて書き込みギャ
ップに反映するので、磁極後端が曲線を描くため、トラ
ック横断方向に非線型な形で遷移（transition）を書き
込むことになることである。このような曲線状の遷移は
ディスクドライブ内でのトラック外性能を低下させる。
シールドで挟まれたリードが厚いことによるもう一つの
問題は、リード領域においてシールド同士の間隔が実質
的に広がるので、トラック外の情報に対する感度が高ま
り、システムの性能が低下する。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、上記従来技
術の問題を解消し、リード抵抗を低下した磁気抵抗読み
取りトランスジューサを提供することを目的とする。
術の問題を解消し、リード抵抗を低下した磁気抵抗読み
取りトランスジューサを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、中央活性領域に対して分離された不活性な端部領
域を持つ磁気抵抗センサ、実質的に該中央活性領域のみ
を占める、磁性材料で形成された磁気抵抗導電層の薄
膜、それぞれ該磁気抵抗導電層の一端および他端と電気
的磁気的に連続した境界接合面を構成し、それぞれ該不
活性な端部領域の一方および他方を実質的に占めて該磁
気抵抗センサ内に長手方向バイアスを生成する第１およ
び第２の硬質磁性材料の薄膜、該第１および第２の薄膜
上に積層され、該磁気抵抗導電層の該中央活性領域と磁
気的に結合している第１の導電性リード部材、および該
第１の導電性リード部材上に積層されると共にこれと電
気的に接続された第２の導電性リード部材を含む磁気抵
抗読み取りトランスジューサによって達成される。
れば、中央活性領域に対して分離された不活性な端部領
域を持つ磁気抵抗センサ、実質的に該中央活性領域のみ
を占める、磁性材料で形成された磁気抵抗導電層の薄
膜、それぞれ該磁気抵抗導電層の一端および他端と電気
的磁気的に連続した境界接合面を構成し、それぞれ該不
活性な端部領域の一方および他方を実質的に占めて該磁
気抵抗センサ内に長手方向バイアスを生成する第１およ
び第２の硬質磁性材料の薄膜、該第１および第２の薄膜
上に積層され、該磁気抵抗導電層の該中央活性領域と磁
気的に結合している第１の導電性リード部材、および該
第１の導電性リード部材上に積層されると共にこれと電
気的に接続された第２の導電性リード部材を含む磁気抵
抗読み取りトランスジューサによって達成される。
【００１０】
【実施例】図１に、前記従来のクロンビの構造による連
続的な接続部（junction）の形成過程を示す。硬質バイ
アス層を形成するためのクロンビの方法は、本発明を実
施するために用いることができる唯一の方法ではない
が、効果的に用いることができるので例として示した。
ステンシル３２は、薄い下層３３と厚い画像形成層３４
とで構成される２層構造のレジスト層である。１回の露
光と１回の現像でこのレジスト層の刃状の輪郭ができ
る。適当な現像剤を用いると下層３３が溶解してアンダ
ーカットが形成される。その際、アンダーカットの距離
は現像時間で決まる。
続的な接続部（junction）の形成過程を示す。硬質バイ
アス層を形成するためのクロンビの方法は、本発明を実
施するために用いることができる唯一の方法ではない
が、効果的に用いることができるので例として示した。
ステンシル３２は、薄い下層３３と厚い画像形成層３４
とで構成される２層構造のレジスト層である。１回の露
光と１回の現像でこのレジスト層の刃状の輪郭ができ
る。適当な現像剤を用いると下層３３が溶解してアンダ
ーカットが形成される。その際、アンダーカットの距離
は現像時間で決まる。
【００１１】次に、ＭＲ材料３５の層のマスクされてい
ない範囲を、イオンエッチング等の異方性処理によって
除去する。入射角Φは、入射ビームに対して基板を傾け
ることで制御する。更に、円形対象の状態が得られる。
基板を回転させる。この回転は、基板上から見て入射ビ
ームが円錐状の方位角回転をするように行う。ただし、
ステンシル３５の近くでは、その刃状輪郭部が回転の一
部区間でＭＲ膜３５を隠す。図１に示したように、方位
角０°では膜３５は点ｃのところまでイオン照射され、
この照射限界の点が左に移動して方位角が１８０°にな
ると照射限界点は点ａまで移動する。このようにしてエ
ッチングを続けると、膜３５の破線部分３７がエッチン
グにより除去されて曲面のテーパ部３６が形成される。
ない範囲を、イオンエッチング等の異方性処理によって
除去する。入射角Φは、入射ビームに対して基板を傾け
ることで制御する。更に、円形対象の状態が得られる。
基板を回転させる。この回転は、基板上から見て入射ビ
ームが円錐状の方位角回転をするように行う。ただし、
ステンシル３５の近くでは、その刃状輪郭部が回転の一
部区間でＭＲ膜３５を隠す。図１に示したように、方位
角０°では膜３５は点ｃのところまでイオン照射され、
この照射限界の点が左に移動して方位角が１８０°にな
ると照射限界点は点ａまで移動する。このようにしてエ
ッチングを続けると、膜３５の破線部分３７がエッチン
グにより除去されて曲面のテーパ部３６が形成される。
【００１２】次に、基板を同様の方位で回転させながら
スパッタ等により硬質磁性バイアス層３８を堆積させ、
破線３９で示したような堆積プロファイルにする。バイ
アス層３８の堆積で得られる層間接合プロファイルを実
線で示した。図１ではＭＲ材料層３５を単一の層として
示したが、ＭＲ素子は他の層、例えば幅方向バイアス層
等を含んで形成されてもよい。
スパッタ等により硬質磁性バイアス層３８を堆積させ、
破線３９で示したような堆積プロファイルにする。バイ
アス層３８の堆積で得られる層間接合プロファイルを実
線で示した。図１ではＭＲ材料層３５を単一の層として
示したが、ＭＲ素子は他の層、例えば幅方向バイアス層
等を含んで形成されてもよい。
【００１３】この接合プロファイルは２つのテーパ部が
オーバラップしたものである。このテーパのプロファイ
ルはステンシル３２の厚さと用いる入射角Φとで決ま
る。一例としては、ステンシルの厚さは約１μｍ、入射
角は７０〜８０°の範囲内である。この組み合わせの場
合には、テーパ部の長さがセンサの厚さの約５倍にな
る。電気的な信頼性を得るには接合面は長くすべきであ
るが、磁気的な信頼性を得るには接合面は短くすべきで
ある。一例として、接合面の長さをセンサの厚さの３倍
から５倍の範囲内にするのが適当であることが分かって
いる。
オーバラップしたものである。このテーパのプロファイ
ルはステンシル３２の厚さと用いる入射角Φとで決ま
る。一例としては、ステンシルの厚さは約１μｍ、入射
角は７０〜８０°の範囲内である。この組み合わせの場
合には、テーパ部の長さがセンサの厚さの約５倍にな
る。電気的な信頼性を得るには接合面は長くすべきであ
るが、磁気的な信頼性を得るには接合面は短くすべきで
ある。一例として、接合面の長さをセンサの厚さの３倍
から５倍の範囲内にするのが適当であることが分かって
いる。
【００１４】上記の方法で作製した磁気抵抗読み取りト
ランスジューサを図２に示す。同図はセンサのエッジ部
の状態を示したもので、記録されたデータがそこかる読
み取られる磁気記録媒体に近接した表面を示した。トラ
ンスジューサは、トランスジューサの中央活性領域の全
域を占めるＭＲ素子４２と、このＭＲ素子４２との境界
が接合面４８を形成している硬質磁性バイアス層４６と
で構成される。硬質磁性バイアス層４６はトランスジュ
ーサの端部領域５０の全域を占めており、トランスジュ
ーサの端部領域のみで長手方向バイアスが生成するよう
になっている。
ランスジューサを図２に示す。同図はセンサのエッジ部
の状態を示したもので、記録されたデータがそこかる読
み取られる磁気記録媒体に近接した表面を示した。トラ
ンスジューサは、トランスジューサの中央活性領域の全
域を占めるＭＲ素子４２と、このＭＲ素子４２との境界
が接合面４８を形成している硬質磁性バイアス層４６と
で構成される。硬質磁性バイアス層４６はトランスジュ
ーサの端部領域５０の全域を占めており、トランスジュ
ーサの端部領域のみで長手方向バイアスが生成するよう
になっている。
【００１５】図３には、クロンビ特許に対する改良を表
す本発明の一実施態様を示す。この改良した実施態様
は、クロンビ特許と同様に２つの硬質磁性バイアス部１
２の間にＭＲ層１１を配置したものである。硬質磁性バ
イアス部１２上には、第１の導電性リード部材１３が積
層されている。図４に詳細に示したように、この構造の
ＭＲ部分は３層から成っていて、そのうち磁気抵抗層１
４はＮｉＦｅであるが望ましい。ＭＲ層１４上には層１
７、望ましくはＴａが積層されている。そして層１７上
に積層されている層１８は望ましくは軟質隣接層（soft
adjacent layer:ＳＡＬ）、望ましくはＮｉ、Ｆｅ、お
よびＲｈを含み、幅方向バイアスを生成する。ＭＲ部分
１４の下には第１のギャップ部分２１であり、ＳＡＬ層
１８上には第２のギャップ部分２２がある。これらのギ
ャップ２１、２２は望ましくはＡｌ2 Ｏ3 で形成されて
いる。ギャップ２１の下にはシールド材２６がある。図
３に示したように、部材Ｐ１は第２のシールド層を含
み、トランスジューサ全体のうちの誘導書き込み（indu
ctive writing)部の先端部を成す。部材Ｐ２は誘導書き
込み部の後端を成す。
す本発明の一実施態様を示す。この改良した実施態様
は、クロンビ特許と同様に２つの硬質磁性バイアス部１
２の間にＭＲ層１１を配置したものである。硬質磁性バ
イアス部１２上には、第１の導電性リード部材１３が積
層されている。図４に詳細に示したように、この構造の
ＭＲ部分は３層から成っていて、そのうち磁気抵抗層１
４はＮｉＦｅであるが望ましい。ＭＲ層１４上には層１
７、望ましくはＴａが積層されている。そして層１７上
に積層されている層１８は望ましくは軟質隣接層（soft
adjacent layer:ＳＡＬ）、望ましくはＮｉ、Ｆｅ、お
よびＲｈを含み、幅方向バイアスを生成する。ＭＲ部分
１４の下には第１のギャップ部分２１であり、ＳＡＬ層
１８上には第２のギャップ部分２２がある。これらのギ
ャップ２１、２２は望ましくはＡｌ2 Ｏ3 で形成されて
いる。ギャップ２１の下にはシールド材２６がある。図
３に示したように、部材Ｐ１は第２のシールド層を含
み、トランスジューサ全体のうちの誘導書き込み（indu
ctive writing)部の先端部を成す。部材Ｐ２は誘導書き
込み部の後端を成す。
【００１６】本発明によれば、第１の導電性リード部材
１３上に第２の導電性リード部材が堆積されている。図
３に示したように、第２の導電性リード部材２７は第１
の導電性リード部材１３よりも厚くして、リード全体と
しての抵抗を低下させることが望ましい。この第２の導
電性リード層２７は、層Ｐ２の堆積前に堆積させる。
１３上に第２の導電性リード部材が堆積されている。図
３に示したように、第２の導電性リード部材２７は第１
の導電性リード部材１３よりも厚くして、リード全体と
しての抵抗を低下させることが望ましい。この第２の導
電性リード層２７は、層Ｐ２の堆積前に堆積させる。
【図１】図１は、従来の磁気抵抗読み取りトランスジュ
ーサの製造過程を示す模式図である。
ーサの製造過程を示す模式図である。
【図２】図２は、図１の製造過程により作製された従来
の磁気抵抗読み取りトランスジューサを示す断面図であ
る。
の磁気抵抗読み取りトランスジューサを示す断面図であ
る。
【図３】図３は、本発明の磁気抵抗読み取りトランスジ
ューサを示す断面図である。
ューサを示す断面図である。
【図４】図４は、図３の本発明の磁気抵抗読み取りトラ
ンスジューサの一部を拡大してしめす断面図である。
ンスジューサの一部を拡大してしめす断面図である。
１１…磁気抵抗（ＭＲ）層 １２…硬質磁性バイアス部 １３…第１の導電性リード部材 １４…ＭＲ部分 １８…ＳＡＬ（軟質磁性隣接層） ２１…ＭＲ部分１４下の第１のギャップ部分 ２２…ＳＡＬ１８上の第２のギャップ部分 ２７…第２の導電性リード層 ３２…ステンシル（レジスト） ３５…ＭＲ材料の層 ４２…ＭＲ素子 ４８…境界接合面 ４６…硬質磁性バイアス層
Claims (8)
- 【請求項１】 中央活性領域に対して分離された不活性
な端部領域を持つ磁気抵抗センサ、 実質的に該中央活性領域のみを占める、磁性材料で形成
された磁気抵抗導電層の薄膜、 それぞれ該磁気抵抗導電層の一端および他端と電気的磁
気的に連続した境界接合面を構成し、それぞれ該不活性
な端部領域の一方および他方を実質的に占めて該磁気抵
抗センサ内に長手方向バイアスを生成する第１および第
２の硬質磁性材料の薄膜、 該第１および第２の薄膜上に積層され、該磁気抵抗導電
層の該中央活性領域と磁気的に結合している第１の導電
性リード部材、および該第１の導電性リード部材上に積
層されると共にこれと電気的に接続された第２の導電性
リード部材を含む磁気抵抗読み取りトランスジューサ。 - 【請求項２】 該第２の導電性リード部材が該第１の導
電性リード部材よりも厚い請求項１記載の読み取りトラ
ンスジューサ。 - 【請求項３】 該硬質磁性材料の該第１および第２の薄
膜の間に軟質磁性バイアス構造を有する請求項２記載の
読み取りトランスジューサ。 - 【請求項４】 該軟質磁性バイアス構造が磁気抵抗材料
の層を含む請求項３記載の読み取りトランスジューサ。 - 【請求項５】 該磁気抵抗材料の層上にＴａの層が積層
されている請求項４記載の読み取りトランスジューサ。 - 【請求項６】 該Ｔａの層上にＮｉ、Ｆｅ、およびＲｈ
の層が積層されている請求項５記載の読み取りトランス
ジューサ。 - 【請求項７】 該磁気抵抗材料の層の下に第１の非磁性
ギャップを有する請求項４記載の読み取りトランスジュ
ーサ。 - 【請求項８】 該Ｎｉ、Ｆｅ、およびＲｈの層上に第２
の非磁性ギャップを有する請求項６記載の読み取りトラ
ンスジューサ。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US17619394A | 1994-01-03 | 1994-01-03 | |
| US176193 | 1994-01-03 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07272222A true JPH07272222A (ja) | 1995-10-20 |
Family
ID=22643377
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32760594A Pending JPH07272222A (ja) | 1994-01-03 | 1994-12-28 | 磁気抵抗読み取りトランスジューサ |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP0661692A1 (ja) |
| JP (1) | JPH07272222A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376744B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2003-03-19 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 저응력 및 저저항인 로듐(Ｒｈ)리드 제조방법 |
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Family Cites Families (3)
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| US5268806A (en) * | 1992-01-21 | 1993-12-07 | International Business Machines Corporation | Magnetoresistive transducer having tantalum lead conductors |
| JP2620500B2 (ja) * | 1992-10-02 | 1997-06-11 | インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション | 磁気抵抗センサ及びその製造方法 |
-
1994
- 1994-12-28 JP JP32760594A patent/JPH07272222A/ja active Pending
-
1995
- 1995-01-03 EP EP95100054A patent/EP0661692A1/en not_active Withdrawn
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100376744B1 (ko) * | 1999-11-22 | 2003-03-19 | 인터내셔널 비지네스 머신즈 코포레이션 | 저응력 및 저저항인 로듐(Ｒｈ)리드 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP0661692A1 (en) | 1995-07-05 |
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