JPH0887721A - 磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド - Google Patents

磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド

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JPH0887721A
JPH0887721A JP6222121A JP22212194A JPH0887721A JP H0887721 A JPH0887721 A JP H0887721A JP 6222121 A JP6222121 A JP 6222121A JP 22212194 A JP22212194 A JP 22212194A JP H0887721 A JPH0887721 A JP H0887721A
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film
magnetic
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magnetoresistive
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Yasushi Uno
泰史 宇野
Kiyosumi Kanazawa
潔澄 金沢
Masato Takahashi
正人 高橋
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TDK Corp
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 オフトラック特性におけるメインピークの幅
を拡大し、マージンを大きくし得る磁気変換素子及び薄
膜磁気ヘッドを提供する。 【構成】 中心能動領域１は、ＭＲ膜１１、非磁性スペ
ーサ膜１２及び軟磁性膜１３を含み、ＭＲ膜１１が支持
体の上において最下層を構成し、非磁性スペーサ膜１２
がＭＲ膜１１の上に積層され、軟磁性膜１３が非磁性ス
ペーサ膜１２の上に積層されてＭＲ膜１１に横バイアス
を加える。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、磁気抵抗効果を用いた
磁気変換素子及びこの磁気変換素子を含む薄膜磁気ヘッ
ドに関する。
【０００２】
【従来の技術】磁気ディスクドライブ装置が小型化され
る傾向の中で、磁気抵抗効果素子を読み出し素子として
用いた薄膜磁気ヘッドは、出力が磁気ディスクとの間の
相対速度に関係しないため、高記録密度で磁気記録媒体
に記憶されている情報を読み取るのに適した磁気変換器
として従来より知られている。
【０００３】薄膜磁気ヘッドに用いられる磁気変換素子
は、例えば、特開平３ー１２５３１１号公報等で知られ
ている。この文献に開示された磁気抵抗読み取り器は、
中心能動領域と、一対の端部受動領域とを有する。中心
能動領域は、磁気抵抗効果膜、非磁性スペーサ膜及び軟
磁性膜を含み、軟磁性膜が磁気抵抗効果膜に横バイアス
を加える。上記各膜は、軟磁性膜が最下層を構成し、非
磁性スペーサ膜が中間層を構成し、磁気抵抗効果膜が最
上層を構成するように成膜される。一対の端部受動領域
は、磁区制御膜と、リード導電膜とを含む。磁区制御膜
のそれぞれは、中心能動領域の相対する両側に互いに間
隔を隔てて積層され、リード導電膜は磁区制御膜の上に
付着される。
【０００４】中心能動領域に含まれる軟磁性膜は、磁気
抵抗効果膜に横バイアスを加え、それによって、磁気的
に記録されたデータを読み取る際の線形動作を確保す
る。磁気記録媒体上の磁気記録データから生じる磁界
が、磁気抵抗効果膜に対し、磁気抵抗効果膜の磁化の方
向と交叉する方向に加わると、磁気抵抗効果膜の磁化の
方向が変化する。そして磁化の方向に応じて磁気抵抗効
果膜の抵抗値が変化し、それに対応したセンス電流が流
れる。磁気記録媒体上の磁気記録データから生じる磁界
が磁気抵抗効果膜の磁化の方向と一致するときは、磁化
の方向が変化しないので、磁気抵抗効果膜の抵抗値は殆
ど変化しない。
【０００５】磁区制御膜は、磁気抵抗効果膜に縦バイア
スを加え、バルクハウゼンノイズを防止するために備え
られる。米国特許４，０２４，４８９号明細書は、磁区
制御膜として、硬磁性バイアス膜を用いたＭＲセンサを
開示している。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】上述したように、この
種の磁気変換素子は、磁気記録媒体上の磁気記録データ
から生じる磁界が、磁気抵抗効果膜の磁化の方向に一致
するときは、磁気抵抗効果膜の磁化の方向が変化しない
ので、磁気抵抗効果膜の抵抗値は殆ど変化しない。今、
オフトラック特性を考慮すると、磁気記録媒体上の磁気
記録データから生じる磁界は全方向に発散するから、磁
気変換素子がトラック方向に相対的に高速移動しなが
ら、一つのトラック上の磁気記録情報を読み取る時、磁
気記録媒体上の磁気記録データから生じる磁界の方向が
磁気抵抗効果膜の磁化の方向と一致し、出力が極小とな
る位置が存在する。この極小点は、磁気抵抗効果膜の磁
化の方向によって定まり、横バイアスの磁場が強くなる
（バイアス角が大きくなる）ほど、メインの出力ピーク
点に近づき、反対に、横バイアスの磁場が小さくなる
（バイアス角が小さくなる）程、メインの出力ピーク点
から遠ざかる。極小点がメインの出力ピーク点から離れ
る程、メインの出力パルス幅が拡がり、大きなオフトラ
ックマージンが確保でき、信号処理回路の設計が容易に
なる。
【０００７】横バイアスのかかり易さは、軟磁性膜の飽
和磁化Ｍ０及び体積Ｖ０の積と、磁気抵抗効果膜の飽和
磁化Ｍ１及び体積Ｖ１の積との比、 （Ｍ０・Ｖ０）／（Ｍ１・Ｖ１） によって定まり、比（Ｍ０・Ｖ０）／（Ｍ１・Ｖ１）が
大きくなるほど、横バイアスが強くなる。
【０００８】この種の磁気変換素子において、中心能動
領域は、通常、フォトリソグラフィやイオンミリングを
用いた高精度パターン形成技術によって形成される。こ
のプロセスによって積層膜をパターンニングする場合の
一般的傾向として、下層の膜程、平面積が大きくなる。
従来の磁気変換素子は、前述したように、軟磁性膜が最
下層を構成し、非磁性スペーサ膜が中間層を構成し、磁
気抵抗効果膜が最上層を構成するように積層されるか
ら、下層の軟磁性膜の平面積Ｓ０が最上層の磁気抵抗効
果膜の平面積Ｓ１よりも大きくなる。即ち、Ｓ０＞Ｓ１
である。また、軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜の膜厚はほ
ぼ等しい。
【０００９】このため、軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０が磁気
抵抗効果膜の飽和磁化Ｍ１の１〜０．６倍程度である通
常の条件のもとでは、比（Ｍ０・Ｖ０）／（Ｍ１・Ｖ
１）が大きくなる。これはオーバーバイアスの状態であ
り、オフトラック特性を考慮すると、磁気記録媒体上の
磁気記録データから生じる磁界の方向が磁気抵抗効果膜
の磁化の方向と一致する極小点を、メインの出力ピーク
点から離れた点に設定することが困難になることを意味
する。このため、従来の磁気変換素子では、メインの出
力パスルの幅を拡大して、オフトラックマージンを大き
くすることが困難であった。
【００１０】また、若干のオーバーバイアスの場合、セ
ンス電流を減らせば、バイアスを適当な状態に調整する
ことが可能であるが、出力が低下してしまう。
【００１１】本発明の課題は、メイン出力パルスの幅を
拡大し、マージンを大きくし、信号処理回路設計の容易
化を図り得るようにした磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッ
ドを提供することである。
【００１２】本発明のもう一つの課題は、センス電流を
調整することにより、出力を低下させることなく、バイ
アスを適当な状態に設定し得る磁気変換素子及び薄膜磁
気ヘッドを提供することである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上述した課題解決のた
め、本発明に係る磁気変換素子は、中心能動領域と、端
部受動領域とを含み、支持体によって支持されている。
前記中心能動領域は、磁気抵抗効果膜と、非磁性スペー
サ膜と、軟磁性膜とを含み、前記磁気抵抗効果膜が支持
体の上において最下層を構成し、前記非磁性スペーサ膜
が前記磁気抵抗効果膜の上に積層され、前記軟磁性膜が
前記非磁性スペーサ膜の上に積層されて前記磁気抵抗効
果膜に横バイアスを加える。前記端部受動領域は、前記
中心能動領域の両側面に接続されている。
【００１４】一般的には、前記磁気抵抗効果膜は、平面
積が前記軟磁性膜の平面積よりも大きい。
【００１５】前記端部受動領域は、磁区制御膜を含み、
前記磁区制御膜が少なくとも前記磁気抵抗効果膜に電気
的、かつ、磁気的連続性を有している。磁区制御膜は硬
磁性膜または反強磁性膜によって構成できる。
【００１６】前記端部受動領域は、更に、リード導電膜
を含み、前記リード導電膜が前記磁区制御膜の上に積層
されている。
【００１７】本発明にかかる薄膜磁気ヘッドは、スライ
ダと、前記スライダによって支持された磁気変換素子と
を含み、前記磁気変換素子が前述したもので構成され
る。
【００１８】
【作用】中心能動領域は、磁気抵抗効果膜、非磁性スペ
ーサ膜及び軟磁性膜とを含み、これらが積層され、非磁
性スペーサ膜が磁気抵抗効果膜に横バイアスを加える構
成であるから、磁気記録媒体上の磁気記録データから生
じる磁界により、磁気抵抗効果膜の磁化の方向を変化さ
せ、それに応じて磁気抵抗効果膜の抵抗値を変化させ、
磁気記録データを出力電圧の変化として読み取ることが
できる。
【００１９】中心能動領域は、磁気抵抗効果膜が支持体
の上において最下層を構成し、非磁性スペーサ膜が磁気
抵抗効果膜の上に積層され、軟磁性膜が非磁性スペーサ
膜の上に積層されているから、これらの膜をフォトリソ
グラフィやイオンミリングを主とし用いる高精度パター
ン形成技術によって形成する場合、最下層の磁気抵抗効
果膜の平面積Ｓ１が最上層にある軟磁性膜の平面積Ｓ０
に対して、 Ｓ１＞Ｓ０ となる。また、軟磁性膜及び磁気抵抗効果膜の膜厚はほ
ぼ等しい。
【００２０】軟磁性膜の飽和磁化Ｍ０は磁気抵抗効果膜
の飽和磁化Ｍ１の１〜０．６倍程度であり、Ｍ１≧Ｍ０
を満たす。Ｓ１＞Ｓ０及びＭ１≧Ｍ０の条件から、必
ず、 （Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０） となる。これにより、軟磁性膜から磁気抵抗効果膜へ横
バイアス磁場がかかりにくくなり（アンダーバイア
ス）、オフトラック特性について考えると、磁気記録媒
体上の磁気記録データから生じる磁界が磁気抵抗効果膜
の磁化の方向と一致する点が、メイン出力パルスのピー
ク点から離れた位置に移る。このため、メイン出力パル
スの幅を大きくし、オフトラックマージンを増大させ、
信号処理回路の設計を容易化することができる。
【００２１】しかも、アンダーバイアス状態であるか
ら、センス電流を調整してバイアスを適当な状態に設定
し、出力の低下を招くことなく、適正バイアスの状態に
調整できる可能性がある。
【００２２】端部受動領域は、中心能動領域の両側面に
接続されているから、端部受動領域を介して中心能動領
域にセンス電流を流し、また、必要な磁気バイアスを加
えることができる。一般的構成として、端部受動領域
は、磁区制御膜を含み、磁区制御膜が少なくとも磁気抵
抗効果膜に電気的、かつ、磁気的連続性を有しており、
これにより、前述のセンス電流を流すとともに、磁気抵
抗効果膜に磁区制御膜に応じた磁気バイアスを加えるこ
とができる。
【００２３】磁区制御膜が硬磁性膜によって構成された
場合には、着磁された硬磁性膜によって生じる磁場を利
用して、磁気抵抗効果膜に均一な長手方向バイアスを加
え、磁区の動きに起因するバルクハウゼンノイズが発生
するのを阻止できる。
【００２４】磁区制御膜が反強磁性膜によって構成され
た場合には、反強磁性膜と磁気抵抗効果膜との間に生じ
る反強磁性ー強磁性交換結合を利用して、磁気抵抗効果
膜に均一な長手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因
するバルクハウゼンノイズを防止できる。
【００２５】端部受動領域は、磁区制御膜の他に、リー
ド導電膜を含む。リード導電膜のそれぞれは、中心能動
領域の領域上で磁区制御膜に重なるパターンを有して磁
区制御膜上に付着されている。このため、中心能動領域
の両側において、主として、リード導電膜を通して、セ
ンス電流を中心能動領域に供給することができる。
【００２６】リード導電膜のそれぞれは、中心能動領域
の領域上及び領域外で磁区制御膜に重なるパターンを有
して磁区制御膜上に付着されている。従って、磁区制御
膜とリード導電膜とを、同一工程に属するフォトリソグ
ラフィプロセス、イオンミリング及び成膜工程等によっ
て形成することが可能である。
【００２７】本発明に係る薄膜磁気ヘッドは、スライダ
によって支持されたＭＲ型磁気変換素子が前述した本発
明に係る磁気変換素子で構成されている。このため、本
発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用がそのまま
発揮される。
【００２８】
【実施例】図１は本発明にかかる磁気変換素子の平面
図、図２は図１のＡ２ーＡ２線上における拡大断面図で
ある。本発明に係る磁気変換素子は、中心能動領域１
と、端部受動領域２、３とを含み、支持体４によって支
持されている。中心能動領域１は、磁気抵抗効果膜（以
下ＭＲ膜と称する）１１、非磁性スペーサ膜１２及び軟
磁性膜１３とを含み、ＭＲ膜１１が支持体の上において
最下層を構成し、非磁性スペーサ膜１２がＭＲ膜１１の
上に積層され、軟磁性膜１３が非磁性スペーサ膜１２の
上に積層されてＭＲ膜１１に横バイアスを加える。ＭＲ
膜１１は、例えばパーマロイによって形成される。その
組成、厚み及び製造方法等は、当該技術分野の通常の知
識を有するものにとって周知である。軟磁性膜１３は、
例えばNi-Fe-Rh、Ni-Fe-Crまたはアモルファスによって
構成された磁気抵抗効果のない、または小さい磁性膜で
あり、例えば２００〜３００オングストロームの膜厚と
なるように形成されている。非磁性スペーサ膜１２は例
えば１００〜２００オングストロームの膜厚を有するＴ
ａ膜によって構成される。この積層構造は、この種のＭ
Ｒ型磁気変換素子で通常用いられる構造である。
【００２９】端部受動領域２、３は、中心能動領域１の
両側面に接続されている。
【００３０】中心能動領域１は、ＭＲ膜１１、非磁性ス
ペーサ膜１２及び軟磁性膜１３とを含み、ＭＲ膜１１、
非磁性スペーサ膜１２及び軟磁性膜１３が積層され、軟
磁性膜１３がＭＲ膜１１に横バイアスを加える構成であ
るから、磁気記録媒体上の磁気記録データから生じる磁
界により、ＭＲ膜１１の磁化の方向を変化させ、それに
応じて、センス電流の流れているＭＲ膜１１の抵抗値を
変化させ、データを読み取ることができる。
【００３１】中心能動領域１は、ＭＲ膜１１が支持体の
上において最下層を構成し、非磁性スペーサ膜１２がＭ
Ｒ膜１１の上に積層され、軟磁性膜１３が非磁性スペー
サ膜１２の上に積層されているから、これらの膜をフォ
トリソグラフィやイオンミリングを用いた高精度パター
ン形成技術によって形成する通常の製造条件下では、最
下層のＭＲ膜１１の平面積Ｓ１が最上層にある軟磁性膜
１３の平面積Ｓ０に対して、 Ｓ１＞Ｓ０ となる。また、軟磁性膜１３及びＭＲ膜１１の膜厚はほ
ぼ等しい。軟磁性膜１３の飽和磁化Ｍ０はＭＲ膜１１の
飽和磁化Ｍ１の１〜０．６倍程度であり、Ｍ１≧Ｍ０を
満たす。従って、 （Ｍ１・Ｖ１）＞（Ｍ０・Ｖ０） となる。これにより、軟磁性膜１３からＭＲ膜１１への
横バイアスがかかりにくくなり、磁気記録媒体上の磁気
記録データから生じる磁界が横バイアスがかかった状態
でのＭＲ膜１１の磁化の方向と一致する点が、オフトラ
ック特性のメイン出力のピーク点から離れた位置に移
る。このため、メイン出力パルスの幅を大きくし、オフ
トラックマージンを増大させることができる。この点に
つき、図３を参照して更に詳しく説明する。図３におい
て、横軸にトラック方向をとり、縦軸にＭＲ出力をとっ
てある。横軸の下側には、図示しない磁気記録媒体のト
ラックＤ１と、そこから生じる読み取り磁界Ｆ０〜Ｆ２
とが図示されている。「バイアス大」と表示された部分
は、軟磁性膜１３からＭＲ膜１１に強い横バイアスが加
わっている状態を模式的に示している。横バイアス磁化
Ｍ１１は水平方向（図において）に対して、角度θ１で
傾斜する方向にバイアスされている。
【００３２】「バイアス小」と表示された部分は、軟磁
性膜１３からＭＲ膜１１に弱い横バイアスが加わってい
る状態を模式的に示している。横バイアス磁化Ｍ２１は
水平方向（図において）に対して、角度θ２で傾斜する
方向にバイアスされている。角度θ１及び角度θ２は、
θ１＞θ２の関係にある。
【００３３】まず、バイアス大の場合について説明す
る。トラックＤ１からは磁気記録媒体上の磁気記録デー
タから生じる磁界が全方向に発散するから、磁気変換素
子がトラック方向に高速移動しながら一つのトラックＤ
１を読み取る時、オフトラック位置に、磁気記録媒体上
の磁気記録データから生じる磁界Ｆ１の方向と横バイア
ス磁化Ｍ１１の方向と一致する点が存在する。この位置
は、ＭＲ膜１１に抵抗値変化を殆ど生じさせないから、
極小のＭＲ出力を与える極小点DIP1となる。トラック内
では、横バイアス磁化Ｍ１１の方向に対する読み取り磁
界Ｆ０の交叉角度が深く、横バイアス磁化Ｍ１１が読み
取り磁界Ｆ０の方向に回転する。横バイアス磁化Ｍ１１
は読み取り磁界Ｆ０の作用を受けて角度β１だけ回転
し、ＭＲ膜１１に大きな抵抗値変化が発生する。このよ
うにして、メイン出力パルスＬ１が形成される。
【００３４】バイアス小の場合も、基本的には、同一の
動作となるが、横バイアスが弱く、横バイアス磁化Ｍ２
１の角度θ２が小さいから、横バイアス磁化Ｍ１１の方
向と読み取り磁界Ｆ２の方向とが一致する極小点DIP2
が、バイアス大の場合の極小点DIP1よりも、メイン出力
パルスＬ２のピーク値ＶＰから離れた位置に発生する。
このため、バイアス小の場合のメイン出力パルス幅Ｗ２
は、バイアス大の場合のメイン出力パルス幅Ｗ１よりも
広くなり、大きなマージンが確保できる。
【００３５】上述したように、本発明によれば、横バイ
アス磁化が、従来との比較において、アンダーバイアス
状態となる。従って、メイン出力パルスの幅を大きく
し、マージンを増大させることができる。
【００３６】また、アンダーバイアス状態であるから、
センス電流を増加させてバイアスを適当な状態に調整し
た場合でも、出力の低下を押さえることができる。
【００３７】端部受動領域２、３は、中心能動領域１の
両側面に接続されているから、端部受動領域２、３を介
して中心能動領域１にセンス電流を流し、または、必要
な磁気バイアスを加えることができる。一般的構成とし
て、端部受動領域２、３は、磁区制御膜２１、３１を含
む。磁区制御膜２１、３１は少なくともＭＲ膜１１に電
気的、かつ、磁気的連続性を有しており、これにより、
前述のセンス電流を流すとともに、ＭＲ膜１１に磁区制
御膜２１、３１に応じた磁気バイアスを加えることがで
きる。
【００３８】磁区制御膜２１、３１は硬磁性膜によって
構成できる。この場合には、着磁された硬磁性膜２１、
３１より生じる磁場を利用して、ＭＲ膜１１に均一な長
手方向バイアスを加え、磁区の動きに起因するバルクハ
ウゼンノイズの発生を阻止できる。硬磁性膜の例はCoPt
Crであり、例えば２００オングストローム前後の膜厚と
して形成される。磁区制御膜２１、３１は反強磁性膜に
よって構成できる。この場合には、反強磁性膜とＭＲ膜
１１との間に生じる反強磁性ー強磁性交換結合を利用し
て、ＭＲ膜１１に均一な長手方向バイアスを加え、磁区
の動きに起因するバルクハウゼンノイズを防止できる。
反強磁性膜の例はFe-Mnであり、例えば２００オングス
トローム前後の膜厚として形成される。
【００３９】端部受動領域２、３は、磁区制御膜２１、
３１の他に、リード導電膜２２、３２を含む。リード導
電膜２２、３２のそれぞれは、中心能動領域１の領域上
で磁区制御膜２１、３１に重なるパターンを有して磁区
制御膜２１、３１上に付着されている。このため、中心
能動領域１の両側において、主として、リード導電膜２
２、３２を通して、センス電流を中心能動領域１に供給
することができる。
【００４０】リード導電膜２２、３２のそれぞれは、中
心能動領域１の領域上及び領域外で磁区制御膜２１、３
１に重なるパターンを有して磁区制御膜２１、３１上に
付着されている。従って、磁区制御膜２１、３１とリー
ド導電膜２２、３２とを、同一工程に属するフォトリソ
グラフィプロセス、イオンミリングを主とした高精度パ
ターン形成技術及び成膜工程等によって形成することが
可能である。リード導電膜２２、３２は例えばTiW/Taの
積層膜よりなる。
【００４１】図４は上述した磁気変換素子を読み出し素
子として用い、誘導型磁気変換素子を書き込み素子とし
て用いた薄膜磁気ヘッドの拡大断面図を示している。図
示の薄膜磁気ヘッドは、スライダ１００の上にＭＲ型磁
気変換素子で構成された読み出し素子１１０及び誘導型
磁気変換素子でなる書き込み素子１２０を有する。
【００４２】スライダ１００はセラミック構造体で構成
され、Al2O3-TiC等でなる基体の上にAl2O3またはSiO2等
でなる絶縁膜１０１が設けられている。スライダ１００
は磁気ディスクと対向する一面側に空気ベアリング面
（以下ＡＢＳ面と称する）１０３を有する。スライダ１
００としては、磁気ディスクと対向する面側にレール部
を設け、レール部の表面をＡＢＳ面として利用するタイ
プの外に、磁気ディスクと対向する面側がレール部を持
たない平面状であって、平面のほぼ全面をＡＢＳ面とし
て利用するタイプ等も知られている。
【００４３】読み出し素子１１０はＭＲ型磁気変換素子
１１１を絶縁膜１０２の内部に膜状に埋設されている。
参照符号１１２はＭＲ型磁気変換素子１１１に給電する
リード導電膜である。リード導電膜１１２は図１〜図６
のリード導電膜２２、３２に対応している。ＭＲ型磁気
変換素子１１１及びリード導電膜１１２は、スライダ１
００のＡＢＳ面１０３に現れており、これにより、スペ
ーシングロスをできるだけ減少させるようにしてある。
参照符号１１３は下部シールド膜であり、センダスト、
パーマロイまたは窒化鉄などの磁性膜によって構成され
ている。参照符号１２１は上部シールド膜（下部磁性膜
を兼ねている）であり、パーマロイまたは窒化鉄などの
磁性膜によって構成されている。
【００４４】読み出し素子１１０は、前述した本発明に
係るＭＲ型磁気変換素子１１１で構成されている。この
ため、本発明に係るＭＲ型磁気変換素子の有する作用、
効果がそのまま発揮される。
【００４５】書き込み素子１２０は、上部シールド膜を
兼ねている下部磁性膜１２１、上部磁性膜１２２、コイ
ル膜１２３、アルミナ等でなるギャップ膜１２４、ノボ
ラック樹脂等の有機樹脂で構成された絶縁膜１２５及び
保護膜１２６などを有して、絶縁膜１０２の上に積層さ
れている。下部磁性膜１２１及び上部磁性膜１２２の先
端部は微小厚みのギャップ膜１２４を隔てて対向するポ
ール部Ｐ１、Ｐ２となっており、ポール部Ｐ１、Ｐ２に
おいて書き込みを行なう。下部磁性膜１２１及び上部磁
性膜１２２は、そのヨーク部がポール部Ｐ１、Ｐ２とは
反対側にあるバックギャップ部において、磁気回路を完
成するように互いに結合されている。絶縁膜１２５の上
に、ヨーク部の結合部のまわりを渦巻状にまわるよう
に、コイル膜１２３を形成してある。図示は、面内記録
再生用磁気ヘッドであるが、垂直磁気記録再生用磁気ヘ
ッド等であってもよい。
【００４６】
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば次の
ような効果を得ることができる。 （ａ）オフトラック特性のメイン出力ピークの幅を拡大
し、マージンを大きくし、信号処理回路設計の容易化を
図り得るようにした磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッドを
提供することができる。 （ｂ）センス電流を調整することにより、出力を低下さ
せることなく、バイアスを適当な状態に設定し得る磁気
変換素子及び薄膜磁気ヘッドを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明に係る磁気変換素子の平面図である。
【図２】図１のＡ２−Ａ２線上における断面図である。
【図３】磁気変換素子による磁気記録読み取り作用を説
明する図である。
【図４】本発明に係る磁気変換素子を読み出し素子とし
て用い薄膜磁気ヘッドの拡大断面図である。
【符号の説明】
１ 中心能動領域 １１ ＭＲ膜 １２ 非磁性スペーサ膜 １３ 軟磁性膜 ２、３ 端部受動領域 ２１、３１ 磁区制御膜 ２２、３２ リード導電膜
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｌ 43/08 Ｚ

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 中心能動領域と、端部受動領域とを含
    み、支持体によって支持されている磁気変換素子であっ
    て、 前記中心能動領域は、磁気抵抗効果膜と、非磁性スペー
    サ膜と、軟磁性膜とを含み、前記磁気抵抗効果膜が支持
    体の上において最下層を構成し、前記非磁性スペーサ膜
    が前記磁気抵抗効果膜の上に積層され、前記軟磁性膜が
    前記非磁性スペーサ膜の上に積層され、それによって前
    記磁気抵抗効果膜に横バイアスを加えるものであり、 前記端部受動領域は、前記中心能動領域の両側面に接続
    されている磁気変換素子。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載の磁気変換素子であっ
    て、前記磁気抵抗効果膜は、平面積が前記軟磁性膜の平
    面積よりも大きい磁気変換素子。
  3. 【請求項３】 請求項１に記載の磁気変換素子であっ
    て、 前記端部受動領域は、磁区制御膜を含み、前記磁区制御
    膜が少なくとも前記磁気抵抗効果膜に電気的、かつ、磁
    気的連続性を有している磁気変換素子。
  4. 【請求項４】 請求項３に記載の磁気変換素子であっ
    て、前記磁区制御膜は、硬磁性膜でなる磁気変換素子。
  5. 【請求項５】 請求項３に記載の磁気変換素子であっ
    て、前記磁区制御膜は、反強磁性膜でなる磁気変換素
    子。
  6. 【請求項６】 請求項３に記載された磁気変換素子であ
    って、 前記端部受動領域は、更に、リード導電膜を含み、前記
    リード導電膜が前記磁区制御膜の上に積層されている磁
    気変換素子。
  7. 【請求項７】 スライダと、前記スライダによって支持
    された磁気変換素子とを含む薄膜磁気ヘッドであって、 前記磁気変換素子は、請求項１乃至６に記載された何れ
    かである薄膜磁気ヘッド。
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