JP3208906B2 - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- Magnetic Heads (AREA)
Description
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
するものである。
残留磁束密度、低ノイズの特徴を有する金属薄膜ディス
クが開発され、磁気ヘッドとしてメタルインギャップヘ
ッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性膜を積層した積層
型磁気ヘッド等が開発されてきている。しかし、これ等
の磁気ヘッドは全て電磁誘導現象を利用したものであ
り、その再生出力は磁気ヘッドと磁気ディスクとの相対
速度に比例する。磁気ディスクの径が小さくなると、十
分な再生出力を得ることができなくなってくる。そのた
め、磁気抵抗効果(以下MR効果と略す)を利用して磁
気ディスクからの磁束を感磁する磁気抵抗効果型磁気ヘ
ッド(以下MRヘッドと略す)が使用されている。
いて図8を参照しながら説明する。図8は従来のMRヘ
ッドの斜視図であり、これはMRヘッドを媒体対向面側
から見たときのものである。図において、1はNiFe
等からなる磁気抵抗効果素子(以下MR素子と略す)、
2はFeMn等からなる反強磁性膜、3はMR素子1に
電流を流すリ−ド部、4はMR素子1にバイアス磁界を
発生させる軟磁性膜、5はMR素子1と軟磁性膜4とを
磁気的に分離する中間層、6、7は磁気シ−ルド材、8
は軟磁性膜4と磁気シ−ルド材6とを絶縁する絶縁層、
9はリ−ド部3と磁気シ−ルド材6とを絶縁する絶縁層
である。
明する。一方のリ−ド部3よりセンス電流は反強磁性膜
2を介してMR素子1に供給され他方のリ−ド部3へと
流れる。この時、MR素子1に流れるセンス電流はMR
素子1と軟磁性膜4と中間層5との抵抗比により、MR
素子1と軟磁性膜4と中間層5とに分流することにな
る。通常、軟磁性膜4と中間層5はMR素子1に比べて
比抵抗の大きな材料を選択するためセンス電流は概ねM
R素子1に流れることになる。
の図中矢印方向の磁化容易軸方向にセンス電流を流し、
このセンス電流により中間層5を介して配置された軟磁
性膜4が磁化される。そして磁化された軟磁性膜4から
発生する磁界によりMR素子1にバイアス磁界が印加さ
れる。一方、MR素子1の再生部1aの磁化容易軸方向
に垂直な膜面内磁化困難軸方向に、磁気記録媒体に記録
された磁束の信号磁界を流入させると、流入した磁束に
よってMR素子1の抵抗が変化する。この抵抗変化を再
生出力電圧として検出する。
を電圧として検出するときに相対速度に依存せずに再生
出力電圧を得ることができる。
は、図9に示すようにMR素子1の膜厚が厚いと再生部
1aが多磁区化され易く信号磁界によって不規則な磁壁
移動が起こり、再生波形にバルクハウゼンノイズが生じ
その発生頻度が増加するが、膜厚を薄くすると発生頻度
は少なくなる。しかし、その反面、図10に示すように
MR素子1の膜厚を薄くするとMR比が悪化し、再生出
力電圧が低下するという問題点を有していた。
に本発明の磁気抵抗効果型磁気ヘッドは、磁気抵抗効果
素子と、前記磁気抵抗効果素子に接合されるリード部と
を備え、前記磁気抵抗効果素子は、両端部の膜厚が薄く
形成されて、略凸型形状であり、前記磁気抵抗効果素子
の両端部でリードとの接合部をなす構成とした。
制し、かつ、十分な再生出力電圧を高めたMRヘッドを
得ることができる。
ながら説明する。図1は本発明の一実施例におけるMR
ヘッドの斜視図であり、これはMRヘッドを媒体対向面
側から見たときのものである。図において、10はNi
Fe等からなるMR素子、10aはMR素子10の磁気
記録媒体の磁束に感応する再生部、MR素子10の厚み
は再生部10aよりも両端部を薄く形成している。11
はMR素子10の両端部に形成したFeMn等からなる
反強磁性膜、12はMR素子10にセンス電流を印加す
るAu、W等からなるリ−ド部、13はバイアス磁界を
発生させる軟磁性膜、14はMR層10と軟磁性膜13
とを磁気的に分離する中間層、15、16は磁気シ−ル
ド材、17は軟磁性膜13と磁気シ−ルド材15を絶縁
する絶縁層、18はリ−ド部12と磁気シ−ルド材16
を絶縁する絶縁層、19は磁気シ−ルド材15を保持す
るセラミックの基板である。
は、前述した従来技術と同じ動作をするので説明は省略
する。
ついて図2〜図7を用いて説明する。図2に示すよう
に、セラミック等の基板19の上に、スパッタリング或
いはメッキ等によりNiFe或いはFeAlSi等を磁
気シ−ルド材15として形成する。さらに、形成した磁
気シ−ルド材15の上にスパッタリング等によりSiO
2 或いはAl2 O3 等からなる絶縁層17を形成する。
この絶縁層17の上にスパッタリング等により軟磁性膜
13を形成する。この軟磁性膜13の上にSiO 2 或い
はAl2 O3 、Ta、Ti等からなる中間層14を形成
する。さらに、中間層14の上にスパッタリング等でN
iFe等からなるMR素子10を形成する。
生部10aにレジスト等の保護材20を被着させる。次
に図4に示すように、MR素子10の両端部はエッチン
グ等により厚みを減少させる。次に図5に示すように、
MR素子10の両端部の厚みを減少させた部分に、スパ
ッタリング或いは真空蒸着等でFeMn等からなる反強
磁性膜11を形成する。さらに、反強磁性膜11の上に
スパッタリング或いは真空蒸着等でAu、W等のリ−ド
部12を形成する。次に図6に示すように、MR素子1
0の再生部10aの保護材20と、保護材20の上に形
成された反強磁性膜11とリ−ド部12とを除去する。
次に図7に示すように、リ−ド部12の上にスパッタリ
ング等により絶縁層18を形成すると共に、絶縁層18
の上に磁気シ−ルド材16を形成する。
と従来のMRヘッドとの特性の比較を行う。磁気記録媒
体への記録は別の記録ヘッドを用いて1.8インチのデ
ィスクに記録周波数4MHzで信号を記録する。記録し
た磁気記録媒体からの再生特性はMR素子10の再生部
10aをそれぞれ5μmの幅で形成し、ディスクの内周
半径11.6mmの位置で周速4.37m/sの条件で
測定した。又、バルクハウゼンノイズについては孤立波
を書き込みその再生波形から判断した。
ッド(図8参照)としてMR素子1の膜厚を300Åで
形成した場合、バルクハウゼンノイズの抑制効果として
は十分であるが、再生出力電圧は低く0.23mVであ
る。さらに、MR素子1の膜厚を増して、MR素子1の
膜厚を500Åで形成した場合、バルクハウゼンノイズ
の発生が顕著に認められ、再生出力電圧は0.25〜
0.30mVとばらつきが生じている。本実施例のMR
ヘッド(図1参照)の場合、MR素子10の再生部10
aの膜厚を500Åに形成し、両端部を300Åと薄く
形成すると、バルクハウゼンノイズの発生頻度は少な
く、かつ、再生出力電圧が0.30mVと安定した出力
特性が得られる。
てセラミック等の基板19の上にNiFe或いはFeA
lSi等からなる磁性膜を形成したが、NiZnフェラ
イト等を用いることにより基板19と磁気シ−ルド材1
5とを兼用させてもよい。又、バイアス方式としてSA
L(Soft Adjacent Layer)バイア
ス方式のMRヘッドを示したが、SALバイアス方式に
限定さるものではなくシャントバイアス等、他のバイア
ス方式においても同じ効果が得られる。
R素子の再生部と両端部との間で膜厚を変え両端部を薄
くすることにより、バルクハウゼンノイズを抑制すると
共に十分な再生出力電圧を得ることができる。
法を示す製造工程図
法を示す製造工程図
法を示す製造工程図
法を示す製造工程図
法を示す製造工程図
法を示す製造工程図
ウゼンノイズの発生頻度を示す図
との関係を示す図
Claims (1)
- 【請求項1】 磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果
素子に接合されるリード部とを備えた磁気抵抗効果型磁
気ヘッドであって、前記磁気抵抗効果素子は、両端部の膜厚が薄く形成され
て、略凸型形状であり、 前記磁気抵抗効果素子の両端部で前記リード部との接合
部をなす ことを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06493793A JP3208906B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
US08/216,387 US5600518A (en) | 1993-03-24 | 1994-03-23 | Magnetoresistive head having a stepped magnetoresistive film element |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP06493793A JP3208906B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH06274833A JPH06274833A (ja) | 1994-09-30 |
JP3208906B2 true JP3208906B2 (ja) | 2001-09-17 |
Family
ID=13272448
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP06493793A Expired - Lifetime JP3208906B2 (ja) | 1993-03-24 | 1993-03-24 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US5600518A (ja) |
JP (1) | JP3208906B2 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0887721A (ja) * | 1994-09-16 | 1996-04-02 | Tdk Corp | 磁気変換素子及び薄膜磁気ヘッド |
JPH097122A (ja) * | 1995-06-22 | 1997-01-10 | Toshiba Corp | 磁気抵抗効果ヘッドおよびそれを用いた磁気記録再生ヘッド |
KR100234176B1 (ko) * | 1995-06-30 | 1999-12-15 | 이형도 | 자기 저항소자 및 그 제조방법 |
JPH1196513A (ja) * | 1997-09-17 | 1999-04-09 | Fujitsu Ltd | 磁気ヘッド及びこれを有する磁気記憶装置 |
KR100434484B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2004-07-16 | 삼성전자주식회사 | 소프트 어제이션트 레이어로 바이어스된 자기 저항 헤드 |
JP3790356B2 (ja) * | 1998-03-19 | 2006-06-28 | 富士通株式会社 | Gmrヘッド、gmrヘッドの製造方法及び磁気ディスク駆動装置 |
US6785101B2 (en) | 2001-07-12 | 2004-08-31 | Hitachi Global Storage Technologies Netherlands B.V. | Overlaid lead giant magnetoresistive head with side reading reduction |
JP3984839B2 (ja) * | 2002-02-26 | 2007-10-03 | 株式会社日立グローバルストレージテクノロジーズ | 磁気抵抗効果ヘッド |
Family Cites Families (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4967298A (en) * | 1987-02-17 | 1990-10-30 | Mowry Greg S | Magnetic head with magnetoresistive sensor, inductive write head, and shield |
US5325253A (en) * | 1993-02-17 | 1994-06-28 | International Business Machines Corporation | Stabilization of magnetoresistive transducer using canted exchange bias |
-
1993
- 1993-03-24 JP JP06493793A patent/JP3208906B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1994
- 1994-03-23 US US08/216,387 patent/US5600518A/en not_active Expired - Fee Related
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Publication number | Publication date |
---|---|
JPH06274833A (ja) | 1994-09-30 |
US5600518A (en) | 1997-02-04 |
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