JPH07169025A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
- Publication number
- JPH07169025A JPH07169025A JP31313093A JP31313093A JPH07169025A JP H07169025 A JPH07169025 A JP H07169025A JP 31313093 A JP31313093 A JP 31313093A JP 31313093 A JP31313093 A JP 31313093A JP H07169025 A JPH07169025 A JP H07169025A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 磁気抵抗効果型磁気ヘッドの実用化課題であ
るバルクハウゼンノイズを抑制することを目的とする。 【構成】 本発明のＭＲ型ヘッドは磁気抵抗効果膜１０
の端部領域に反強磁性膜１１を形成し、かつ、バイアス
用軟磁性膜１３の端部領域にも反強磁性膜１１を形成し
た。
るバルクハウゼンノイズを抑制することを目的とする。 【構成】 本発明のＭＲ型ヘッドは磁気抵抗効果膜１０
の端部領域に反強磁性膜１１を形成し、かつ、バイアス
用軟磁性膜１３の端部領域にも反強磁性膜１１を形成し
た。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等の磁
気記録装置等に用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関す
るものである。
気記録装置等に用いられる磁気抵抗効果型ヘッドに関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】以下、従来のシールド型の磁気抵抗効果
（以下ＭＲと略す）型ヘッドについて図９を参照しなが
ら説明する。
（以下ＭＲと略す）型ヘッドについて図９を参照しなが
ら説明する。
【０００３】図９は従来のＭＲ型ヘッドの斜視図であ
り、これはＭＲ型ヘッドを媒体対向面側から見たときの
ものである。図において、１はＮｉＦｅ等からなる磁気
抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と略す）、２はＦｅＭｎ等から
なる反強磁性膜、３はＭＲ膜１に電流を流すリード部、
４はＭＲ膜１にバイアス磁界を与えるためのバイアス用
軟磁性膜、５はＭＲ層１とバイアス用軟磁性膜４とを磁
気的に分離する中間層、６，７は磁気シールド材、８は
バイアス用軟磁性膜４と磁気シールド材６を絶縁する絶
縁層、９はリード部３と磁気シールド材６とを絶縁する
絶縁層である。
り、これはＭＲ型ヘッドを媒体対向面側から見たときの
ものである。図において、１はＮｉＦｅ等からなる磁気
抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と略す）、２はＦｅＭｎ等から
なる反強磁性膜、３はＭＲ膜１に電流を流すリード部、
４はＭＲ膜１にバイアス磁界を与えるためのバイアス用
軟磁性膜、５はＭＲ層１とバイアス用軟磁性膜４とを磁
気的に分離する中間層、６，７は磁気シールド材、８は
バイアス用軟磁性膜４と磁気シールド材６を絶縁する絶
縁層、９はリード部３と磁気シールド材６とを絶縁する
絶縁層である。
【０００４】上記膜構成はＳＡＬ（Ｓｏｆｔ，Ａｄｊａ
ｃｅｎｔ，Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれるバイア
ス印加手段であり、ＭＲ膜１に流れるセンス電流により
発生する磁界でバイアス用軟磁性膜４を磁化させ、バイ
アス用軟磁性膜４の磁化から発生する磁界によりＭＲ膜
１にバイアス磁界を印加するものである。また、反強磁
性膜２はＭＲ型ヘッド特有のバルクハウゼンノイズを抑
制するためのものであり、ＭＲ膜１との間に働く交換結
合磁界によりセンス電流方向（図中矢印で示す）に抑制
磁界を与えＭＲ膜１を単磁区化するものである。
ｃｅｎｔ，Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれるバイア
ス印加手段であり、ＭＲ膜１に流れるセンス電流により
発生する磁界でバイアス用軟磁性膜４を磁化させ、バイ
アス用軟磁性膜４の磁化から発生する磁界によりＭＲ膜
１にバイアス磁界を印加するものである。また、反強磁
性膜２はＭＲ型ヘッド特有のバルクハウゼンノイズを抑
制するためのものであり、ＭＲ膜１との間に働く交換結
合磁界によりセンス電流方向（図中矢印で示す）に抑制
磁界を与えＭＲ膜１を単磁区化するものである。
【０００５】このように構成したＭＲ型ヘッドの動作を
説明する。一方のリード部３よりセンス電流は反強磁性
膜２を介してＭＲ膜１に供給され他方のリード部３へと
流れる。この時、ＭＲ膜１に流れるセンス電流はＭＲ膜
１とバイアス用軟磁性膜４と中間層５との抵抗比によ
り、ＭＲ膜１とバイアス用軟磁性膜４と中間層５に分流
することになる。通常、バイアス用軟磁性膜４と中間層
５はＭＲ膜１に比べて比抵抗の大きな材料を選択するた
めセンス電流は概ねＭＲ膜１に流れることになる。
説明する。一方のリード部３よりセンス電流は反強磁性
膜２を介してＭＲ膜１に供給され他方のリード部３へと
流れる。この時、ＭＲ膜１に流れるセンス電流はＭＲ膜
１とバイアス用軟磁性膜４と中間層５との抵抗比によ
り、ＭＲ膜１とバイアス用軟磁性膜４と中間層５に分流
することになる。通常、バイアス用軟磁性膜４と中間層
５はＭＲ膜１に比べて比抵抗の大きな材料を選択するた
めセンス電流は概ねＭＲ膜１に流れることになる。
【０００６】ＭＲ膜１の端部と端部の再生部１ａの図中
矢印方向の磁化容易軸方向にセンス電流を流し、このセ
ンス電流により中間層５を介して配置されたバイアス用
軟磁性膜４が磁化される。そして磁化されたバイアス用
軟磁性膜４から発生する磁界によりＭＲ膜１にバイアス
磁界が印加される。一方、ＭＲ膜１の再生部１ａの磁化
容易軸方向に垂直な膜面内磁化困難軸方向に、磁気記録
媒体に記録された磁束の信号磁界を流入させると、流入
した磁束によってＭＲ膜１の抵抗が変化する。この抵抗
変化を再生出力として検出する。
矢印方向の磁化容易軸方向にセンス電流を流し、このセ
ンス電流により中間層５を介して配置されたバイアス用
軟磁性膜４が磁化される。そして磁化されたバイアス用
軟磁性膜４から発生する磁界によりＭＲ膜１にバイアス
磁界が印加される。一方、ＭＲ膜１の再生部１ａの磁化
容易軸方向に垂直な膜面内磁化困難軸方向に、磁気記録
媒体に記録された磁束の信号磁界を流入させると、流入
した磁束によってＭＲ膜１の抵抗が変化する。この抵抗
変化を再生出力として検出する。
【０００７】このように磁気記録媒体から発生する磁束
を電圧として検出するときに相対速度に依存せずに再生
出力電圧を得ることができる。
を電圧として検出するときに相対速度に依存せずに再生
出力電圧を得ることができる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら前記従来
の構成は、ＭＲ膜１のバルクハウゼンノイズ対策のみで
あり、ＭＲ型ヘッド全体のバルクハウゼンノイズ対策が
不十分で、再生波形にバルクハウゼンノイズが見られる
という問題点があった。
の構成は、ＭＲ膜１のバルクハウゼンノイズ対策のみで
あり、ＭＲ型ヘッド全体のバルクハウゼンノイズ対策が
不十分で、再生波形にバルクハウゼンノイズが見られる
という問題点があった。
【０００９】本発明は、前記従来の問題点を解決するも
のであり、ＭＲ膜以外部分で発生するバルクハウゼンノ
イズを抑制する事ができる磁気抵抗効果型ヘッドを提供
する事を目的としている。
のであり、ＭＲ膜以外部分で発生するバルクハウゼンノ
イズを抑制する事ができる磁気抵抗効果型ヘッドを提供
する事を目的としている。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明のＭＲ型ヘッドは磁気抵抗効果膜の端部領域
に反強磁性膜を形成し、かつ、バイアス用軟磁性膜の端
部領域にも反強磁性膜を形成した。
に、本発明のＭＲ型ヘッドは磁気抵抗効果膜の端部領域
に反強磁性膜を形成し、かつ、バイアス用軟磁性膜の端
部領域にも反強磁性膜を形成した。
【００１１】
【作用】本発明は上記の構成により、ＭＲ膜とバイアス
用軟磁性膜のバルクハウゼンノイズを抑制し、バルクハ
ウゼンノイズのない良好な磁気ヘッドを得ることができ
る。
用軟磁性膜のバルクハウゼンノイズを抑制し、バルクハ
ウゼンノイズのない良好な磁気ヘッドを得ることができ
る。
【００１２】
【実施例】以下、本発明の一実施例について図１を参照
にしながら説明する。
にしながら説明する。
【００１３】図１は本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘ
ッドの斜視図であり、これは媒体対向面から見たときの
ものである。図１において、１０はＮｉＦｅ等からなる
ＭＲ膜、１０ａはＭＲ膜１０の磁気記録媒体の磁束に感
応する再生部である。１１はＭＲ膜１０の両端部とバイ
アス用軟磁性膜１３の両端部に形成したＦｅＭｎ等から
なる反強磁性膜、１２はＭＲ膜１０にセンス電流を流す
Ａｕ，Ｗ等のリード部である。１３はバイアス磁界を発
生させるＮｉＦｅＲｈ等からなるバイアス用軟磁性膜で
センス電流方向（図中矢印で示す）の長さがＭＲ膜１０
より長くなっている。この形状は、反強磁性膜１１をＭ
Ｒ膜１０の両端部及びバイアス用軟磁性膜１３の両端部
に形成するのに適している。１４はＭＲ膜１０とバイア
ス用軟磁性膜１３とを磁気的に分離する中間層、１５，
１６は磁気シールド材、１７はバイアス用軟磁性膜１３
と磁気シールド材１５を絶縁する絶縁層、１８はリード
部１２と磁気シールド材１６を絶縁する絶縁層、１９は
磁気シールド材１５を保持するセラミック等で構成され
た基板である。
ッドの斜視図であり、これは媒体対向面から見たときの
ものである。図１において、１０はＮｉＦｅ等からなる
ＭＲ膜、１０ａはＭＲ膜１０の磁気記録媒体の磁束に感
応する再生部である。１１はＭＲ膜１０の両端部とバイ
アス用軟磁性膜１３の両端部に形成したＦｅＭｎ等から
なる反強磁性膜、１２はＭＲ膜１０にセンス電流を流す
Ａｕ，Ｗ等のリード部である。１３はバイアス磁界を発
生させるＮｉＦｅＲｈ等からなるバイアス用軟磁性膜で
センス電流方向（図中矢印で示す）の長さがＭＲ膜１０
より長くなっている。この形状は、反強磁性膜１１をＭ
Ｒ膜１０の両端部及びバイアス用軟磁性膜１３の両端部
に形成するのに適している。１４はＭＲ膜１０とバイア
ス用軟磁性膜１３とを磁気的に分離する中間層、１５，
１６は磁気シールド材、１７はバイアス用軟磁性膜１３
と磁気シールド材１５を絶縁する絶縁層、１８はリード
部１２と磁気シールド材１６を絶縁する絶縁層、１９は
磁気シールド材１５を保持するセラミック等で構成され
た基板である。
【００１４】以上のように構成されたＭＲ型ヘッドの動
作は、前述した従来技術と同じ動作をするので説明は省
略するが、本実施例の特徴は、反強磁性膜１１がＭＲ膜
１０とバイアス用軟磁性膜１３にセンス電流方向（図中
矢印で示す）に抑制磁界を与え、ＭＲ膜１０とバイアス
用軟磁性膜１３を単磁区化することにより、ＭＲ膜１０
とバイアス用軟磁性膜１３の両方のバルクハウゼンノイ
ズを抑制することである。
作は、前述した従来技術と同じ動作をするので説明は省
略するが、本実施例の特徴は、反強磁性膜１１がＭＲ膜
１０とバイアス用軟磁性膜１３にセンス電流方向（図中
矢印で示す）に抑制磁界を与え、ＭＲ膜１０とバイアス
用軟磁性膜１３を単磁区化することにより、ＭＲ膜１０
とバイアス用軟磁性膜１３の両方のバルクハウゼンノイ
ズを抑制することである。
【００１５】次に、本実施例のＭＲ型ヘッドの製造方法
について図２〜図８を用いて説明する。
について図２〜図８を用いて説明する。
【００１６】図２に示すように、セラミックス等の基板
１９の上に、スパッタリング或いはメッキ等によりＮｉ
ＦｅあるいはＦｅＡｌＳｉ等を磁気シールド材１５とし
て形成する。さらに、形成した磁気シールド材１５の上
にスパッタリング等によりＳｉＯ2或いはＡｌ2Ｏ3等か
らなる絶縁層１７を形成する。この絶縁層１７の上にス
パッタリング等によりＮｉＦｅＲｈ等からなるバイアス
用軟磁性膜１３を形成する。
１９の上に、スパッタリング或いはメッキ等によりＮｉ
ＦｅあるいはＦｅＡｌＳｉ等を磁気シールド材１５とし
て形成する。さらに、形成した磁気シールド材１５の上
にスパッタリング等によりＳｉＯ2或いはＡｌ2Ｏ3等か
らなる絶縁層１７を形成する。この絶縁層１７の上にス
パッタリング等によりＮｉＦｅＲｈ等からなるバイアス
用軟磁性膜１３を形成する。
【００１７】次に図３に示すようにバイアス用軟磁性膜
１３の上にレジスト等の保護材２０を被着させる。次に
この上にＳｉＯ2或いはＡｌ2Ｏ3，Ｔａ，Ｔｉ等からな
る中間層１４を形成する。さらに中間層１４の上にスパ
ッタリング等でＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜１０を形成す
る。次に図４に示すように保護材２０と保護材２０の上
に形成されたＭＲ膜１０を除去する。
１３の上にレジスト等の保護材２０を被着させる。次に
この上にＳｉＯ2或いはＡｌ2Ｏ3，Ｔａ，Ｔｉ等からな
る中間層１４を形成する。さらに中間層１４の上にスパ
ッタリング等でＮｉＦｅ等からなるＭＲ膜１０を形成す
る。次に図４に示すように保護材２０と保護材２０の上
に形成されたＭＲ膜１０を除去する。
【００１８】次に図５に示すようにＭＲ膜１０の再生部
１０ａにレジスト等の保護材２１を被着させる。次に図
６に示すように、この上にスパッタリング等でＦｅＭｎ
等からなる反強磁性膜１１を形成する。さらに反強磁性
膜１１の上にスパッタリング或いは真空蒸着等でＡｕ，
Ｗ等のリード部１２を形成する。
１０ａにレジスト等の保護材２１を被着させる。次に図
６に示すように、この上にスパッタリング等でＦｅＭｎ
等からなる反強磁性膜１１を形成する。さらに反強磁性
膜１１の上にスパッタリング或いは真空蒸着等でＡｕ，
Ｗ等のリード部１２を形成する。
【００１９】次に図７に示すようにＭＲ膜１０の再生部
１０ａの保護材２１と保護材２１の上に形成された反強
磁性膜１１とリード部１２とを除去する。次に図８に示
すように、リード部１２の上にスパッタリング等により
絶縁層１８を形成するとともに、絶縁層１８の上に磁気
シールド材１６を形成する。
１０ａの保護材２１と保護材２１の上に形成された反強
磁性膜１１とリード部１２とを除去する。次に図８に示
すように、リード部１２の上にスパッタリング等により
絶縁層１８を形成するとともに、絶縁層１８の上に磁気
シールド材１６を形成する。
【００２０】このように形成した本実施例のＭＲ型ヘッ
ドと従来例のＭＲ型ヘッドとの比較を行う。磁気記録媒
体への記録は別の記録ヘッドを用いて１．８インチのデ
ィスクに記録周波数４ＭＨｚで信号を記録する。記録し
た磁気記録媒体からの再生特性はＭＲ膜１０の再生部１
０ａをそれぞれ５μの幅で形成し、ディスク内周半径１
１．６ｍｍ，周速４．３７ｍ／ｓの条件で測定した。
叉、バルクハウゼンノイズについては孤立波を書き込み
その再生波形から判断した。
ドと従来例のＭＲ型ヘッドとの比較を行う。磁気記録媒
体への記録は別の記録ヘッドを用いて１．８インチのデ
ィスクに記録周波数４ＭＨｚで信号を記録する。記録し
た磁気記録媒体からの再生特性はＭＲ膜１０の再生部１
０ａをそれぞれ５μの幅で形成し、ディスク内周半径１
１．６ｍｍ，周速４．３７ｍ／ｓの条件で測定した。
叉、バルクハウゼンノイズについては孤立波を書き込み
その再生波形から判断した。
【００２１】本実施例のＭＲ型ヘッドを１００個測定し
た結果、バルクハウゼンノイズが発生したヘッドは５個
しかなく、良品率は９５％であった。一方、従来のＭＲ
型ヘッドを１００個測定した結果、バルクハウゼンノイ
ズが発生したＭＲ型ヘッドは２５個あり、良品率は７５
％であった。このように本実施例のＭＲ型ヘッドの場
合、バルクハウゼンノイズの発生頻度は従来例と比較し
て著しく減少していることがわかる。
た結果、バルクハウゼンノイズが発生したヘッドは５個
しかなく、良品率は９５％であった。一方、従来のＭＲ
型ヘッドを１００個測定した結果、バルクハウゼンノイ
ズが発生したＭＲ型ヘッドは２５個あり、良品率は７５
％であった。このように本実施例のＭＲ型ヘッドの場
合、バルクハウゼンノイズの発生頻度は従来例と比較し
て著しく減少していることがわかる。
【００２２】従来例の場合、ＭＲ膜のバルクハウゼンノ
イズ対策は施されていても、バイアス用軟磁性膜に起因
して発生するバルクハウゼンノイズ対策が施されていな
かった。そのため、バイアス用軟磁性膜に起因して発生
するバルクハウゼンノイズが再生波形に表れたものと考
えられ、発生原理としては下記の二つのことが考えられ
る。一つの考え方は、多磁区化されたバイアス用軟磁性
膜が信号磁界によって不規則な磁壁移動を起こし、磁気
抵抗効果が完全に０でないバイアス用軟磁性膜を使用し
たこともあって、再生波形にバルクハウゼンノイズが発
生した。もう一つ考え方は、バイアス用軟磁性膜の磁気
抵抗効果の大きさに関係なく、例えば完全に０であって
も、多磁区化されたバイアス用軟磁性膜が信号磁界によ
って不規則な磁壁移動を起こすため、バイアス用軟磁性
膜から発生する磁界が不規則になり、ＭＲ膜の動作点を
不安定にした。そのため、再生波形にバルクハウゼンノ
イズが発生したものと考えられる。
イズ対策は施されていても、バイアス用軟磁性膜に起因
して発生するバルクハウゼンノイズ対策が施されていな
かった。そのため、バイアス用軟磁性膜に起因して発生
するバルクハウゼンノイズが再生波形に表れたものと考
えられ、発生原理としては下記の二つのことが考えられ
る。一つの考え方は、多磁区化されたバイアス用軟磁性
膜が信号磁界によって不規則な磁壁移動を起こし、磁気
抵抗効果が完全に０でないバイアス用軟磁性膜を使用し
たこともあって、再生波形にバルクハウゼンノイズが発
生した。もう一つ考え方は、バイアス用軟磁性膜の磁気
抵抗効果の大きさに関係なく、例えば完全に０であって
も、多磁区化されたバイアス用軟磁性膜が信号磁界によ
って不規則な磁壁移動を起こすため、バイアス用軟磁性
膜から発生する磁界が不規則になり、ＭＲ膜の動作点を
不安定にした。そのため、再生波形にバルクハウゼンノ
イズが発生したものと考えられる。
【００２３】本実施例の場合、ＭＲ膜１０とバイアス用
軟磁性膜１３の両方のバルクハウゼンノイズを抑制した
ため、バルクハウゼンノイズのない良好な磁気ヘッドを
得ることができた。
軟磁性膜１３の両方のバルクハウゼンノイズを抑制した
ため、バルクハウゼンノイズのない良好な磁気ヘッドを
得ることができた。
【００２４】なお、本実施例ではＭＲ型ヘッドの膜構成
をＭＲ膜／中間層／バイアス用軟磁性膜としたが、バイ
アス用軟磁性膜とＭＲ膜を入れ換えてバイアス用軟磁性
膜／中間層／ＭＲ膜としても同様の結果が得られる。
をＭＲ膜／中間層／バイアス用軟磁性膜としたが、バイ
アス用軟磁性膜とＭＲ膜を入れ換えてバイアス用軟磁性
膜／中間層／ＭＲ膜としても同様の結果が得られる。
【００２５】
【発明の効果】以上のように本発明のＭＲ型ヘッドは、
磁気抵抗効果膜の端部領域に反強磁性膜を形成し、か
つ、バイアス用軟磁性膜の端部領域にも反強磁性膜を形
成することによりバルクハウゼンノイズの抑制をするこ
とができる。
磁気抵抗効果膜の端部領域に反強磁性膜を形成し、か
つ、バイアス用軟磁性膜の端部領域にも反強磁性膜を形
成することによりバルクハウゼンノイズの抑制をするこ
とができる。
【図１】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドを示す
斜視図
斜視図
【図２】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図３】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図４】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図５】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図６】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図７】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図８】本発明の一実施例におけるＭＲ型ヘッドの製造
方法を示す製造工程図
方法を示す製造工程図
【図９】従来のＭＲ型ヘッドの斜視図
【符号の説明】 １０ 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） １０ａ 再生部 １１ 反強磁性膜 １２ リード部 １３ バイアス用軟磁性膜 １４ 中間層 １５，１６ 磁気シールド材 １７，１８ 絶縁層 １９ 基板 ２０，２１ 保護材
Claims (2)
- 【請求項１】磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗効果膜の
近傍に設けられたバイアス用の軟磁性膜と、前記軟磁性
膜及び前記磁気抵抗効果膜上にそれぞれ設けられた反強
磁性膜と、前記反強磁性膜上に設けられたリード部を備
えた事を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】バイアス用の軟磁性膜と、前記軟磁性膜の
上に中間層を介して設けられ、前記軟磁性膜の両端より
も内側に端部を有する磁気抵抗効果膜と、前記磁気抵抗
効果膜の両端部及び前記軟磁性膜の両端部にそれぞれ設
けられた反強磁性膜と、前記反強磁性膜の上に設けら
れ、互いに接触しない様に配置された一対のリード部を
備えた事を特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31313093A JPH07169025A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31313093A JPH07169025A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07169025A true JPH07169025A (ja) | 1995-07-04 |
Family
ID=18037475
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31313093A Pending JPH07169025A (ja) | 1993-12-14 | 1993-12-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07169025A (ja) |
-
1993
- 1993-12-14 JP JP31313093A patent/JPH07169025A/ja active Pending
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