JPH011112A - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は磁気記録再生装置用の再生専用ヘッドに係り、
特にトクラック両端から発生しやすい微細磁区の発生を
防止し、バルクハウゼンノイズの発生しない磁気抵抗効
果型ヘッドに関する。

〔従来の技術〕

第５図は典型的な磁気抵抗効果型ヘッドの一例でシャン
トバイアス型ヘッドである。（ａ）はヘッドの概略図、
（ｂ）はヘッド先端感磁部の磁区構造ａ察結果である。

ヘッドはシールド膜を兼ねた磁性基板１０上に絶、９層
３を形成した後、電子ビーム蒸着法あるいはスパッタ法
を用いて、磁気抵抗効果膜１およびバイアス膜２を連続
的に形成した後、パターニングを行ない作製する。磁気
抵抗効果膜１としては１通常、磁歪定数λ８が０に近い
組成の膜であることが望ましい。これは、磁歪定数が大
きな膜ではパターニングした際に数多くの磁壁が発生し
、これがバルクハウゼンノイズの原因となるためである
。しかし、一般には磁歪定数が０に近い膜を用いた場合
でも、第５図（ｂ）に示されるようにパターン端部に磁
区が発生することが多く、バルクハウゼンノイズが発生
し易かった・ 〔発明が解決しようとする問題点〕 上記従来技術はバルクハウゼンノイズの原因となる感磁
部での磁区の発生という問題があった。

本発明の目的は感磁部トラック幅方向の両端から発生し
易い微細磁区の発生を防止することにある。

〔問題点を解決するための手段〕

上記目的は、感磁部トラックの幅方向の両端の近傍ある
いは両端に接するように硬磁性材料を設けることにより
、達成される。

〔作用〕

感磁部トラック幅方向の両端に設けた硬磁性材料からの
漏れ磁界によって、トラック両端近傍での反磁界が減少
し、微細磁区の発生を防止出来る。

そのため、ヘッド特性としてバルクハウゼンノイズの無
い、良好な特性を示す。また、素子長手方向に磁化容易
軸が向き易くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッ
ド特性のばらつきも小さくなる。

〔実施例〕

第・１図は、本発明による一実施例である。シールド膜
を兼ねた磁性基板１０上に下部絶縁層３を形成（膜厚：
０．６μｍ）した後、磁気抵抗効果”膜１（例えば、Ｎ
ｉ−Ｆｅ合金膜やＣｏ　−Ｎ　ｉ合金膜など、膜厚：５
０．ｎｍ、バイアス膜２（例えば、Ｔ”ｉｌＭｏ、ＡＱ
、Ｃｒ、Ｔａなど、膜厚：１５０ｎｍ）を連続的に形成
し、パターニングを行なう。その後、硬磁性膜４（例え
ば、Ｃｏ−Ｐｔ、Ｇｏ−Ｎｉ、Ｓｍ−Ｇｏなど、膜厚：
１０１００ｎを形成し、パターニングする。ここで、６
膜の膜厚は典型的な値を示したもので、ヘッド出力、バ
イアス磁界強度など、ヘッド特性に応じて最適な膜厚を
選ぶことは言うまでもない。

例えば、硬磁性膜４の膜厚は、膜の自己エネルギーの大
きさや、ヘッド形状により異なるが、およそ２０〜２０
０ｎｍの範囲内が一般的である。本実施例では、磁気抵
抗効果膜１、バイアス膜２を形成した後、硬磁性膜４を
形成したが、順番は特に問題でなく、硬磁性膜４を先に
形成してももちろん良い。また、本実施例ではヘッドト
ラック両端から距＠Ｕだけ離、して硬磁性膜４を形成し
た。

この距ＭＱは先はど述べた硬磁性膜４の膜Ｈと同様に膜
の自己エネルギーの大きさやヘッド形状により最適な値
が異なるが１通常は１０μｍ以内であることが望ましい
。但し、次の実施例にもあるように接していても特に問
題はない。（０≦悲≦１０μｍ）このようなヘッド構成
にすると、トラック両端近傍での反磁界が減少し、微細
磁区の発生を防止出来る。また、素子長手方向（図中右
下に示したＸ軸方向）の異方性が強まるために磁化容易
軸が素子長手方向を向き易くなり、異方性のばらつきが
原因のヘッド特性のばらづきも小さくなる。本実施例で
は、基板に磁性基板１０を用いたが、非磁性基板を用い
て、パーマロイ係脱などの簿膜シールド構造にしても良
いことは言うまでもない。上部シールドについても同様
である。

第２図は、本発明による他の実施例である。本実施例で
は、硬磁性膜４が直接、磁気抵抗効果膜１と接している
。全体の構成および動作は第１図の実施例と同様である
。

第３図は、さらに他の実施例である。第１図の実施例と
同様に硬磁性膜４をトラック両端から離した構成である
。但し、硬磁性膜４はヘッド先端摺動面から深さ方向の
距離ｄ　（図中右下に示したＹ　１ｌｉｌ１１方向）離
れた所が先端となるような構成で、摺動面上には硬磁性
膜４は現われない。全体の構成および動作も第１図およ
び第２図の実施例とほぼ同等であるが、硬磁性膜４が摺
動面上に現われないため、硬磁性膜４からの漏れ磁界に
よる記録媒体への影響（減磁など）が少ないヘッド構造
である。深さ方向の距＃ｉｄは硬磁性膜の自己エネルギ
ーの大きさ、ヘッド形状さらには媒体の保磁力などによ
り最適な位置が異なるが、通常はｄが０．５〜５μｍで
ある。

第１図から第３図に示したような、本発明のヘッド構造
にすると、磁区構造は第４図に示すようにヘッドトラッ
ク先端近傍では弔磁区となった。

このように、本発明を用いることによりバルクハウゼン
ノイズの無い良好な再生特性を示すヘッドが得られるこ
とが、明らかとなった。

以上述べた実施例でき、硬磁性膜が磁気抵抗効果膜と同
一面上の場合について示したが、もちろん硬磁性膜が磁
気抵抗効果膜の下、絶縁層の下。

さらにはバイアス膜の上などいろいろな場合について本
発明を適用することが出来ることは言うまでもない。ま
た、バイアス方式についても本実施例ではシャントバイ
アス方式についてだけ述べたが、電流バイアス、バーバ
ーポールバイアス、ソフトフィルムバイアスなど各種バ
イアス方式に本発明には適用出来ることも言うまでもな
い。さらに、実施例中では特に触れなかったが、あらか
じめ素子長手方向（Ｘ軸方向）に着磁を行なうと、硬磁
性膜の特性は安定し、良好な再生特性を示す。

〔発明の効果〕

本発明によれば、感磁膜トラック幅方向両端に発生し易
い微細磁区の発生を防止し、バルクハウゼンノイズを低
減することができる。また、素子長手方向の異方性が強
くなるため、異方性のばらつきが原因のヘッド特性のば
らつきも小さくなる。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図および第３図は、それぞれ本発明の実施
例のヘッド概略図、第４図は本発明によるヘッドの先端
部近傍の磁区構造観察結果を示す図、第５図は従来から
知られている典型的なヘッドを示す図で、（ａ）はその
概略図（ｂ）はヘッド先端近傍の磁区構造観察結果であ
る。 １・・・・・・磁気抵抗効果膜、２・・・・・・バイア
ス膜、３・・・・・・絶縁層、４・・・・・・硬磁性膜
、１０・・・・・・基板茗３１￥１ 筈４圓 槃

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １、感磁膜のトラック幅方向の両端の近傍あるいは両端
   に接するように硬磁性材料を設けたことを特徴とする磁
   気抵抗効果型ヘッド。 ２、自己エネルギー（１／２・（ＢＨ）＿ｍ＿ａ＿ｘ）
   が１ＫＪ／ｍ＾３以上の硬磁性材料を用いたことを特徴
   とする特許請求の範囲第１項記載の磁気抵抗効果型ヘッ
   ド。 ３、当該硬磁性材料を磁気抵抗効果型素子のトラック幅
   方向に平行に着磁したことを特徴とする特許請求の範囲
   第１項または第２項記載の磁気抵抗効果型ヘッド。