JPH0793724A - 磁気抵抗効果型磁気ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型磁気ヘッドInfo
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- JPH0793724A JPH0793724A JP23968593A JP23968593A JPH0793724A JP H0793724 A JPH0793724 A JP H0793724A JP 23968593 A JP23968593 A JP 23968593A JP 23968593 A JP23968593 A JP 23968593A JP H0793724 A JPH0793724 A JP H0793724A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 硬質磁性膜を用いたＭＲヘッドにおいて記録
磁界や外部磁界に対して強く、かつトラック部において
磁化の安定した磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることを
目的とする。 【構成】 ＭＲ膜７上に下地膜８を介してＭＲ膜７の磁
区を制御するために一対の硬質磁性膜９を設け、さらに
硬質磁性膜９上にＭＲ膜７にセンス電流を供給するため
の一対のリード層１０を設けるとともに一対の硬質磁性
膜９間の間隔Ｍを一対のリード層間１０の間隔Ｎよりも
広くなるようにした。
磁界や外部磁界に対して強く、かつトラック部において
磁化の安定した磁気抵抗効果型磁気ヘッドを得ることを
目的とする。 【構成】 ＭＲ膜７上に下地膜８を介してＭＲ膜７の磁
区を制御するために一対の硬質磁性膜９を設け、さらに
硬質磁性膜９上にＭＲ膜７にセンス電流を供給するため
の一対のリード層１０を設けるとともに一対の硬質磁性
膜９間の間隔Ｍを一対のリード層間１０の間隔Ｎよりも
広くなるようにした。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は磁気ディスク装置等の磁
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
するものである。
気記録装置に用いられる磁気抵抗効果型磁気ヘッドに関
するものである。
【０００２】
【従来の技術】磁気記録分野における小型化・大容量化
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、１．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１５０メガ
バイトと言われている。
の要求には目ざましいものがある。例えば、磁気ディス
ク装置を見てみるとディスク径は、３．５インチから
２．５インチ、１．８インチと小さくなってきており、
磁気ディスク一枚当りの容量も２．５インチ１５０メガ
バイトと言われている。
【０００３】これらの要求に応えるため磁気ディスクと
して高保磁力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有す
る金属薄膜ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタ
ルインギャップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性
膜を積層した積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
して高保磁力、高残留磁束密度、低ノイズの特徴を有す
る金属薄膜ディスクが開発され、磁気ヘッドとしてメタ
ルインギャップヘッドや薄膜ヘッド、さらに、金属磁性
膜を積層した積層型磁気ヘッド等が開発されてきた。
【０００４】しかし、これらの磁気ヘッドは全て電磁誘
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ド，磁気ディスク間相対速度に比例する。そのため、さ
らに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な再
生出力を得ることが出来なくなっている。そのため、現
在磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を感
磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッド）が
提案されている。
導現象を利用したものであり、その再生出力は磁気ヘッ
ド，磁気ディスク間相対速度に比例する。そのため、さ
らに磁気ディスクの径が小さくなると、もはや十分な再
生出力を得ることが出来なくなっている。そのため、現
在磁気抵抗効果を利用して磁気ディスクからの磁束を感
磁する磁気抵抗効果型磁気ヘッド（以下ＭＲヘッド）が
提案されている。
【０００５】図６は従来のＭＲヘッドを示す正面図であ
る。図中１はＡｌ2Ｏ3ＴｉＣ等のセラミック材からなる
基板であり、２はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなる絶縁
層、３はＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる下部シールド
層、４はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり下部再生ギャッ
プとなる絶縁層、７はＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果現象を
示す材料で構成された磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と略
す）、５はアモルファス合金，ＮｉＦｅ等からなりＭＲ
膜７に横バイアス磁界を与えるための軟磁性膜、６はＴ
ａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2等からなり軟磁性膜５とＭＲ膜７と
を磁気的に分離する中間層、８はＣｒ等からなる下地
膜、９はＣｏＮｉＣｒ等からなりＭＲ膜７の磁区を制御
するための硬質磁性膜、１０は例えばＡｕ、Ｗ等のリー
ド層、１１はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり上部再生ギ
ャップとなる絶縁層、１２はＮｉＦｅ等からなる上部シ
ールド層、１３はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり再生ヘ
ッドであるＭＲヘッドと記録ヘッドとを分離する絶縁
層、１４はＮｉＦｅ等の軟磁性層からなる記録ヘッドの
下部コア層、１５はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり記録
ギャップとなる絶縁層、１６はＮｉＦｅ等の軟磁性層か
らなる記録ヘッドの上部コア層、１７はＡｌ2Ｏ3等から
なり全体の保護層となる絶縁層である。
る。図中１はＡｌ2Ｏ3ＴｉＣ等のセラミック材からなる
基板であり、２はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなる絶縁
層、３はＮｉＦｅ等の軟磁性体からなる下部シールド
層、４はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり下部再生ギャッ
プとなる絶縁層、７はＮｉＦｅ等の磁気抵抗効果現象を
示す材料で構成された磁気抵抗効果膜（以下ＭＲ膜と略
す）、５はアモルファス合金，ＮｉＦｅ等からなりＭＲ
膜７に横バイアス磁界を与えるための軟磁性膜、６はＴ
ａ，Ｔｉ，ＳｉＯ2等からなり軟磁性膜５とＭＲ膜７と
を磁気的に分離する中間層、８はＣｒ等からなる下地
膜、９はＣｏＮｉＣｒ等からなりＭＲ膜７の磁区を制御
するための硬質磁性膜、１０は例えばＡｕ、Ｗ等のリー
ド層、１１はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり上部再生ギ
ャップとなる絶縁層、１２はＮｉＦｅ等からなる上部シ
ールド層、１３はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり再生ヘ
ッドであるＭＲヘッドと記録ヘッドとを分離する絶縁
層、１４はＮｉＦｅ等の軟磁性層からなる記録ヘッドの
下部コア層、１５はＡｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2等からなり記録
ギャップとなる絶縁層、１６はＮｉＦｅ等の軟磁性層か
らなる記録ヘッドの上部コア層、１７はＡｌ2Ｏ3等から
なり全体の保護層となる絶縁層である。
【０００６】このヘッドの場合、記録のトラック幅と再
生のトラック幅とを個別に設定できるため、ワイドライ
ト−ナローリード（広く記録して狭く再生する）が可能
となっている。また、出力の線形性を保つための横バイ
アス方式としてＳＡＬ（Ｓｏｆｔ−Ａｄｊａｃｅｎｔ−
Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれる方法を用いてお
り、ＭＲ膜７に流れるセンス電流により発生する磁界で
軟磁性膜５を磁化させ、軟磁性膜５の磁化から発生する
磁界によりＭＲ膜７にバイアス磁界を印加するものであ
る。また、硬質磁性膜９はＭＲヘッド特有のバルクハウ
ゼンノイズを抑制するためにＭＲ膜７の磁区を制御し単
磁区化するためのものである。
生のトラック幅とを個別に設定できるため、ワイドライ
ト−ナローリード（広く記録して狭く再生する）が可能
となっている。また、出力の線形性を保つための横バイ
アス方式としてＳＡＬ（Ｓｏｆｔ−Ａｄｊａｃｅｎｔ−
Ｌａｙｅｒ）バイアス方式と呼ばれる方法を用いてお
り、ＭＲ膜７に流れるセンス電流により発生する磁界で
軟磁性膜５を磁化させ、軟磁性膜５の磁化から発生する
磁界によりＭＲ膜７にバイアス磁界を印加するものであ
る。また、硬質磁性膜９はＭＲヘッド特有のバルクハウ
ゼンノイズを抑制するためにＭＲ膜７の磁区を制御し単
磁区化するためのものである。
【０００７】この公知例としては特開平２−２２０２１
３号公報に示されたものや、特開昭６０−５９５１８号
公報や特開平５−１３５３３２号公報等がある。
３号公報に示されたものや、特開昭６０−５９５１８号
公報や特開平５−１３５３３２号公報等がある。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、硬質磁
性膜とＭＲ膜との強磁性交換結合を用いてＭＲ膜の磁区
を制御する場合には硬質磁性膜自体の保磁力が事実上消
失することが知られている。保磁力が消失した膜では外
部磁界の影響やまた上述した従来例のように記録ヘッド
と再生ヘッドとを一体化した複合型ヘッドの場合には記
録時の記録磁界の影響により、もはやＭＲ膜の磁区を制
御することは困難である。
性膜とＭＲ膜との強磁性交換結合を用いてＭＲ膜の磁区
を制御する場合には硬質磁性膜自体の保磁力が事実上消
失することが知られている。保磁力が消失した膜では外
部磁界の影響やまた上述した従来例のように記録ヘッド
と再生ヘッドとを一体化した複合型ヘッドの場合には記
録時の記録磁界の影響により、もはやＭＲ膜の磁区を制
御することは困難である。
【０００９】従って、ＭＲ膜から隔離した位置に硬質磁
性膜を配することにより、その保磁力の制御性や永続性
が得られる。しかしながら、図７に示すようにＭＲ素子
部（ＭＲ膜７，軟磁性膜５，中間層６で構成される）に
おける磁化の方向を見てみると、リード層１０の下に設
けられた硬質磁性膜９から発生した磁束がＭＲ素子部を
通って環流するため、ＭＲ素子部の中央領域即ちトラッ
ク部の磁化の方向とＭＲ膜の磁化の方向とが逆向きにな
っている。つまり、トラック部の両端において磁化の方
向が逆向きになり、磁化状態としては非常に不安定にな
る。
性膜を配することにより、その保磁力の制御性や永続性
が得られる。しかしながら、図７に示すようにＭＲ素子
部（ＭＲ膜７，軟磁性膜５，中間層６で構成される）に
おける磁化の方向を見てみると、リード層１０の下に設
けられた硬質磁性膜９から発生した磁束がＭＲ素子部を
通って環流するため、ＭＲ素子部の中央領域即ちトラッ
ク部の磁化の方向とＭＲ膜の磁化の方向とが逆向きにな
っている。つまり、トラック部の両端において磁化の方
向が逆向きになり、磁化状態としては非常に不安定にな
る。
【００１０】通常ＭＲヘッドを用いる場合、記録トラッ
ク幅は再生トラック幅よりも広く設定されるため、上述
したように磁化状態として非常に不安定なトラック端部
においても再生動作が行われることになる。トラック端
部においては磁化状態が不安定であるが故にバルクハウ
ゼンノイズが発生し、トラック全体で再生した再生波形
に影響するという課題があった。また、小型の磁気ディ
スク装置では固有のサーボヘッドを持たないためＭＲヘ
ッド自身を用いてサーボを行う必要があった。しかし、
上述したようにトラック端部における磁化状態が不安定
なためオフトラックした場合（記録トラックからはずれ
た場合）の再生出力の直線性が悪くサーボ性能が悪化す
る。特に、トラック幅が狭くなってくるとトラック端部
の影響が相対的に大きくなるためトラック密度の向上が
できないという課題があった。
ク幅は再生トラック幅よりも広く設定されるため、上述
したように磁化状態として非常に不安定なトラック端部
においても再生動作が行われることになる。トラック端
部においては磁化状態が不安定であるが故にバルクハウ
ゼンノイズが発生し、トラック全体で再生した再生波形
に影響するという課題があった。また、小型の磁気ディ
スク装置では固有のサーボヘッドを持たないためＭＲヘ
ッド自身を用いてサーボを行う必要があった。しかし、
上述したようにトラック端部における磁化状態が不安定
なためオフトラックした場合（記録トラックからはずれ
た場合）の再生出力の直線性が悪くサーボ性能が悪化す
る。特に、トラック幅が狭くなってくるとトラック端部
の影響が相対的に大きくなるためトラック密度の向上が
できないという課題があった。
【００１１】従って、本発明は外部磁界や記録磁界に影
響されず、かつトラック幅方向の磁化状態を安定させ、
トラック密度の向上ができ記録密度を高くすることので
きる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
響されず、かつトラック幅方向の磁化状態を安定させ、
トラック密度の向上ができ記録密度を高くすることので
きる磁気抵抗効果型磁気ヘッドを提供することを目的と
している。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、磁気抵抗効果膜上に下地膜を介して前記磁気抵抗効
果膜の磁区を制御するために一対の硬質磁性膜を設け、
さらに前記硬質磁性膜上に前記磁気抵抗効果膜に電流を
供給するための一対のリード層を設けるとともに前記一
対の硬質磁性膜間の間隔が前記一対のリード層間の間隔
よりも広くなるようにした。
め、磁気抵抗効果膜上に下地膜を介して前記磁気抵抗効
果膜の磁区を制御するために一対の硬質磁性膜を設け、
さらに前記硬質磁性膜上に前記磁気抵抗効果膜に電流を
供給するための一対のリード層を設けるとともに前記一
対の硬質磁性膜間の間隔が前記一対のリード層間の間隔
よりも広くなるようにした。
【００１３】
【作用】本発明は上記構成により、外部磁界や記録磁界
に影響されず、かつトラック幅方向の磁化状態を安定す
ることができ、サーボ特性が安定化しかつトラック幅の
狭小化に対応することができる。
に影響されず、かつトラック幅方向の磁化状態を安定す
ることができ、サーボ特性が安定化しかつトラック幅の
狭小化に対応することができる。
【００１４】
【実施例】図１は本発明の一実施例における磁気抵抗効
果型磁気ヘッドを示す正面図である。図１においては、
１は基板であり、２は絶縁層、３は下部シールド層、４
は絶縁層、５は軟磁性膜、６は中間層、７はＭＲ膜、８
は下地膜、９は硬質磁性膜、１０はリード層、１１は絶
縁層、１２は上部シールド層、１３は絶縁層、１４は下
部コア層、１５は絶縁層、１６は上部コア層、１７は絶
縁層であり、これらは従来の構成と同じである。
果型磁気ヘッドを示す正面図である。図１においては、
１は基板であり、２は絶縁層、３は下部シールド層、４
は絶縁層、５は軟磁性膜、６は中間層、７はＭＲ膜、８
は下地膜、９は硬質磁性膜、１０はリード層、１１は絶
縁層、１２は上部シールド層、１３は絶縁層、１４は下
部コア層、１５は絶縁層、１６は上部コア層、１７は絶
縁層であり、これらは従来の構成と同じである。
【００１５】図２は本発明の一実施例における磁気抵抗
効果型磁気ヘッドを示す部分拡大図である。実施例にお
いて従来例と異なっているのは、硬質磁性膜９間のセン
ス電流が流れる方向に沿った間隔Ｍをリード層１０間の
間隔よりも広くしていることである。
効果型磁気ヘッドを示す部分拡大図である。実施例にお
いて従来例と異なっているのは、硬質磁性膜９間のセン
ス電流が流れる方向に沿った間隔Ｍをリード層１０間の
間隔よりも広くしていることである。
【００１６】本実施例の磁化の方向を見てみると従来例
と同様に硬質磁性膜９から発生した磁束は硬質磁性膜９
の下のＭＲ膜７の中を通って環流しているが、硬質磁性
膜９間の間隔Ｍをリード層１０間の間隔Ｎよりも広くな
るようにしているのでトラック端部においても磁化の方
向が逆向きになることがない。
と同様に硬質磁性膜９から発生した磁束は硬質磁性膜９
の下のＭＲ膜７の中を通って環流しているが、硬質磁性
膜９間の間隔Ｍをリード層１０間の間隔Ｎよりも広くな
るようにしているのでトラック端部においても磁化の方
向が逆向きになることがない。
【００１７】硬質磁性膜９としては耐食性に優れたＣｏ
系合金例えばＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃｏ
ＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種を用いることができ
る。また、下地膜８としてはＣｒを用いることが好まし
い。下地膜８としてＣｒを用いることにより硬質磁性膜
９の保磁力を高くすることができ、それだけ記録磁界や
外部磁界による影響を低減することができる。
系合金例えばＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰｔ，ＣｏＣｒＰｔ，
ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，ＣｏＮｉＣｒ，Ｃｏ
ＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種を用いることができ
る。また、下地膜８としてはＣｒを用いることが好まし
い。下地膜８としてＣｒを用いることにより硬質磁性膜
９の保磁力を高くすることができ、それだけ記録磁界や
外部磁界による影響を低減することができる。
【００１８】ここで本実施例のＭＲヘッドと従来例のＭ
Ｒヘッドのオフトラック特性の比較を行う。
Ｒヘッドのオフトラック特性の比較を行う。
【００１９】用いた膜の代表的な膜厚は軟磁性膜５とし
てＮｉＦｅＲｈを２２０Å，中間層６としてＴａを２０
０Å，ＭＲ膜７としてＮｉＦｅを３００Å，下地膜８と
してＣｒを４００Å，硬質磁性膜９としてＣｏＮｉＰｔ
を４００Åであり、記録トラック幅を５μm とし、再生
トラック幅を３μm とした。実施例では図２で示したｄ
の値を３μm として試作した。
てＮｉＦｅＲｈを２２０Å，中間層６としてＴａを２０
０Å，ＭＲ膜７としてＮｉＦｅを３００Å，下地膜８と
してＣｒを４００Å，硬質磁性膜９としてＣｏＮｉＰｔ
を４００Åであり、記録トラック幅を５μm とし、再生
トラック幅を３μm とした。実施例では図２で示したｄ
の値を３μm として試作した。
【００２０】測定は２．５インチ磁気ディスクを用い、
周速４．５ｍ／ｓ、周波数２ＭＨｚで行った。測定結果
を図３（ａ）（ｂ）に示す。従来例ではトラック端部付
近で磁化状態の不安定性に起因した再生波形の乱れが見
られるのに対し実施例では直線性の良いオフトラック特
性が得られている。
周速４．５ｍ／ｓ、周波数２ＭＨｚで行った。測定結果
を図３（ａ）（ｂ）に示す。従来例ではトラック端部付
近で磁化状態の不安定性に起因した再生波形の乱れが見
られるのに対し実施例では直線性の良いオフトラック特
性が得られている。
【００２１】次に再生トラック幅を種々変えその時の波
形歪を測定した。波形歪の定義として３２回の連続記録
再生を行い、その時の出力の平均値（Ｘ）と標準偏差
（σ）を求めσ／Ｘとした。測定結果を図４に示す。従
来例ではトラック幅が５μm よりも狭くなると徐々に波
形歪の値が大きくなってきているのに対し本実施例では
トラック幅が狭くなっても特に顕著な差は見られない。
このことから本発明はトラック幅が５μm 以下で特に有
効である。
形歪を測定した。波形歪の定義として３２回の連続記録
再生を行い、その時の出力の平均値（Ｘ）と標準偏差
（σ）を求めσ／Ｘとした。測定結果を図４に示す。従
来例ではトラック幅が５μm よりも狭くなると徐々に波
形歪の値が大きくなってきているのに対し本実施例では
トラック幅が狭くなっても特に顕著な差は見られない。
このことから本発明はトラック幅が５μm 以下で特に有
効である。
【００２２】ｄの値については硬質磁性膜９の厚みや長
さ及び用いる材料の残留磁束密度により最適化されなけ
ればならないが、本発明のＣｏ系合金を用いた場合には
２μm から５μm 程度の値が好ましい。
さ及び用いる材料の残留磁束密度により最適化されなけ
ればならないが、本発明のＣｏ系合金を用いた場合には
２μm から５μm 程度の値が好ましい。
【００２３】図５は本発明の他の実施例における磁気抵
抗効果型磁気ヘッドを示す正面図である。本実施例では
下地膜８及び硬質磁性膜９の長さをリード層１０の長さ
よりも長くしている。通常リード層１０にはＡｕが用い
られるが、Ａｕは柔らかい金属でありヘッド表面にはあ
まり露出させることは好ましくない。しかしながら硬質
磁性膜９から発生する磁束量は硬質磁性膜９の長さによ
り異なり、その長さが短くなる程、反磁界成分が大きく
なり磁束量は減少する。従って本実施例はヘッド表面に
露出しているリード層を必要最低限にするとともに硬質
磁性膜９の長さを長くすることができ、十分な磁束を発
生しＭＲ膜７の磁区を制御することができる。
抗効果型磁気ヘッドを示す正面図である。本実施例では
下地膜８及び硬質磁性膜９の長さをリード層１０の長さ
よりも長くしている。通常リード層１０にはＡｕが用い
られるが、Ａｕは柔らかい金属でありヘッド表面にはあ
まり露出させることは好ましくない。しかしながら硬質
磁性膜９から発生する磁束量は硬質磁性膜９の長さによ
り異なり、その長さが短くなる程、反磁界成分が大きく
なり磁束量は減少する。従って本実施例はヘッド表面に
露出しているリード層を必要最低限にするとともに硬質
磁性膜９の長さを長くすることができ、十分な磁束を発
生しＭＲ膜７の磁区を制御することができる。
【００２４】なお、本実施例ではＳＡＬバイアスを用い
たヘッドについて説明したが、特にバイアス法について
限定するものではなく電流バイアス法やシャントバイア
ス法等についても同様の効果が得られることは明らかで
ある。また、ここではＭＲヘッドと記録ヘッドを分離し
た構造のヘッドについて説明したが、構造についてもこ
れに限定されるものではなく例えば上部シールド層１２
と下部コア層１４が一体となったヘッドやＭＲヘッド単
体においても同様の効果が得られることは明らかであ
る。
たヘッドについて説明したが、特にバイアス法について
限定するものではなく電流バイアス法やシャントバイア
ス法等についても同様の効果が得られることは明らかで
ある。また、ここではＭＲヘッドと記録ヘッドを分離し
た構造のヘッドについて説明したが、構造についてもこ
れに限定されるものではなく例えば上部シールド層１２
と下部コア層１４が一体となったヘッドやＭＲヘッド単
体においても同様の効果が得られることは明らかであ
る。
【００２５】
【発明の効果】本発明は、上述した構成により、外部磁
界や記録磁界に影響されず、かつトラック幅方向の磁化
状態を安定することができ優れたオフトラック特性を得
ることができ、サーボ特性の安定化が図れる。また、特
にトラック幅が狭くなった時に再生出力の安定性に優れ
たＭＲヘッドを得ることができる。
界や記録磁界に影響されず、かつトラック幅方向の磁化
状態を安定することができ優れたオフトラック特性を得
ることができ、サーボ特性の安定化が図れる。また、特
にトラック幅が狭くなった時に再生出力の安定性に優れ
たＭＲヘッドを得ることができる。
【図１】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドを示す正面図
ヘッドを示す正面図
【図２】本発明の一実施例における磁気抵抗効果型磁気
ヘッドの部分拡大図
ヘッドの部分拡大図
【図３】（ａ）本実施例の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの
オフトラック特性を示すグラフ （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのオフトラック
特性を示すグラフ
オフトラック特性を示すグラフ （ｂ）従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドのオフトラック
特性を示すグラフ
【図４】本実施例と従来例のトラック幅と波形歪との関
係を示すグラフ
係を示すグラフ
【図５】本発明の他の実施例における磁気抵抗効果型磁
気ヘッドを示す正面図
気ヘッドを示す正面図
【図６】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドを示す正面図
【図７】従来の磁気抵抗効果型磁気ヘッドの部分拡大図
１ 基板 ２，４，１１，１３，１５，１７ 絶縁層 ３ 下部シールド層 ５ 軟磁性膜 ６ 中間層 ７ 磁気抵抗効果膜（ＭＲ膜） ８ 下地膜 ９ 硬質磁性膜 １０ リード層 １２ 上部シールド層 １４ 下部コア層 １６ 上部コア層
Claims (3)
- 【請求項１】基板と、前記基板上に設けられた磁気抵抗
効果膜と、前記磁気抵抗効果膜上に互いに接触しない様
に設けられた一対の硬質磁性膜と、前記一対の硬質磁性
膜上に設けられるとともに先端部を前記磁気抵抗効果膜
に接合させしかも互いに接触せずさらに前記磁気抵抗効
果膜にセンス電流を供給する一対のリード層とを備え、
前記一対のリード層の先端部の間隔が、前記硬質磁性膜
の先端部の間隔よりも狭いことを特徴とする磁気抵抗効
果型磁気ヘッド。 - 【請求項２】硬質磁性膜としてＣｏＮｉＰｔ，ＣｏＰ
ｔ，ＣｏＣｒＰｔ，ＣｏＣｒＴａ，ＣｏＣｒＴａＰｔ，
ＣｏＮｉＣｒ，ＣｏＮｉＣｒＰｔ，ＣｏＮｉのうち１種
を用いることを特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果
型磁気ヘッド。 - 【請求項３】リード層間の間隔が５μm 以下であること
を特徴とする請求項１記載の磁気抵抗効果型磁気ヘッ
ド。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23968593A JPH0793724A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
| US08/166,090 US5442507A (en) | 1993-09-24 | 1993-12-13 | Magnetoresistive magnetic head |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP23968593A JPH0793724A (ja) | 1993-09-27 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0793724A true JPH0793724A (ja) | 1995-04-07 |
Family
ID=17048394
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP23968593A Pending JPH0793724A (ja) | 1993-09-24 | 1993-09-27 | 磁気抵抗効果型磁気ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0793724A (ja) |
-
1993
- 1993-09-27 JP JP23968593A patent/JPH0793724A/ja active Pending
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