JP2897725B2 - 磁気抵抗効果型ヘッド - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッドInfo
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は磁気記録媒体に書き
込まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を利用して読み出す
磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と記す）を具備した磁気
抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）に関す
る。
込まれた磁気的情報を磁気抵抗効果を利用して読み出す
磁気抵抗素子（以下、ＭＲ素子と記す）を具備した磁気
抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと記す）に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】ＭＲヘッドは高い出力が得られ、出力が
ヘッドと記録媒体との相対速度に依存しないため、小型
高密度の磁気記録装置の再生用ヘッドとしての研究開発
が盛んに行われている。ＭＲヘッドを高トラック密度の
磁気記録の信号再生用ヘッドとして用いるためには、Ｍ
Ｒヘッドのトラック幅を精度よく定める必要がある。ま
た、トラック幅が狭い場合に特に顕著になるバルクハウ
ゼンノイズを抑制するために、ＭＲ素子の単磁区化を実
現させるための構造を付加しセンス電流方向にバイアス
磁界（以下、縦バイアス磁界と記す）を加える必要があ
る。
ヘッドと記録媒体との相対速度に依存しないため、小型
高密度の磁気記録装置の再生用ヘッドとしての研究開発
が盛んに行われている。ＭＲヘッドを高トラック密度の
磁気記録の信号再生用ヘッドとして用いるためには、Ｍ
Ｒヘッドのトラック幅を精度よく定める必要がある。ま
た、トラック幅が狭い場合に特に顕著になるバルクハウ
ゼンノイズを抑制するために、ＭＲ素子の単磁区化を実
現させるための構造を付加しセンス電流方向にバイアス
磁界（以下、縦バイアス磁界と記す）を加える必要があ
る。
【０００３】図４は従来のＭＲヘッドのディスク対抗面
から見た断面図である。
から見た断面図である。
【０００４】図４のＭＲヘッドは特開平３−１２５３１
１に開示されているものであり、ＭＲ素子の幅そのもの
でトラック幅が規定されている。また、このＭＲヘッド
では縦方向バイアス磁界はＭＲ素子の両側に成膜された
永久磁石膜により加えられている。次に、この従来のＭ
Ｒヘッドの作成法について説明する。
１に開示されているものであり、ＭＲ素子の幅そのもの
でトラック幅が規定されている。また、このＭＲヘッド
では縦方向バイアス磁界はＭＲ素子の両側に成膜された
永久磁石膜により加えられている。次に、この従来のＭ
Ｒヘッドの作成法について説明する。
【０００５】図４に示すように、下シールド１、下ギャ
ップ２が後述する実施例１と同様に作成される。
ップ２が後述する実施例１と同様に作成される。
【０００６】次に、軟磁性補助バイアス層としての厚さ
２０ｎｍのCoZrMo、分離層としてのTa膜１０ｎｍ、磁気
抵抗効果層としてのNiFe膜１５ｎｍからなるＭＲ素子層
４がスパッタリング法により成膜される。
２０ｎｍのCoZrMo、分離層としてのTa膜１０ｎｍ、磁気
抵抗効果層としてのNiFe膜１５ｎｍからなるＭＲ素子層
４がスパッタリング法により成膜される。
【０００７】ＭＲ素子層４がステンシル型のレジストを
付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパターン化
される。この際、ＭＲ素子層４は次に成膜する永久磁石
層との電気的な結合を保証するために約１０度のテーパ
に加工されている。
付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパターン化
される。この際、ＭＲ素子層４は次に成膜する永久磁石
層との電気的な結合を保証するために約１０度のテーパ
に加工されている。
【０００８】その後、パターン化されたＭＲ素子層の両
側に、次に成膜する永久磁石膜が面内に配向するための
下地（図示せず）として厚さ１０ｎｍのCr膜がスパッタ
リング法により成膜される。
側に、次に成膜する永久磁石膜が面内に配向するための
下地（図示せず）として厚さ１０ｎｍのCr膜がスパッタ
リング法により成膜される。
【０００９】さらに、CoCrPt膜からなる厚さ２０ｎｍの
永久磁石層５およびAuからなる厚さ０．２μｍの電極層
６がスバッタリングされ、レジストが除去される。
永久磁石層５およびAuからなる厚さ０．２μｍの電極層
６がスバッタリングされ、レジストが除去される。
【００１０】その後、実施例１と同様なプロセスにより
上ギャップ７、上シールド８、が作成される。
上ギャップ７、上シールド８、が作成される。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来のＭ
Ｒヘッドの構成においてはＭＲ素子層４と永久磁石膜５
を磁気的および電気的に結合する必要があるために、Ｍ
Ｒ素子層４を緩やかなテーパに加工する必要があり、プ
ロセスが困難であるという問題があった。さらに、トラ
ック幅の精度はこの緩やかなテーパ加工の精度に依存す
るため、狭トラックのヘッドの製造においては歩留まり
が悪くなるという問題があった。また、ＭＲ素子層４と
永久磁石膜５の接触状態に依存して素子抵抗のばらつき
や、バルクハウゼンノイズの有無にばらつきを生じると
いう問題もあった。
Ｒヘッドの構成においてはＭＲ素子層４と永久磁石膜５
を磁気的および電気的に結合する必要があるために、Ｍ
Ｒ素子層４を緩やかなテーパに加工する必要があり、プ
ロセスが困難であるという問題があった。さらに、トラ
ック幅の精度はこの緩やかなテーパ加工の精度に依存す
るため、狭トラックのヘッドの製造においては歩留まり
が悪くなるという問題があった。また、ＭＲ素子層４と
永久磁石膜５の接触状態に依存して素子抵抗のばらつき
や、バルクハウゼンノイズの有無にばらつきを生じると
いう問題もあった。
【００１２】本発明は上述の点にかんがみてなされたも
ので、トラック幅を精度よく決定でき、再生出力、素子
抵抗、バルクハウゼンノイズの有無のばらつきの少ない
磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供することを
目的とする。
ので、トラック幅を精度よく決定でき、再生出力、素子
抵抗、バルクハウゼンノイズの有無のばらつきの少ない
磁気抵抗効果型ヘッド（ＭＲヘッド）を提供することを
目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、本発明のＭＲヘッドではＭＲ素子、縦バイアス磁
界を加えるための構造および電極のうち少なくとも２つ
以上を導電性の下地層の上に作成する。さらに、第１の
構成ではＭＲ素子が単独でパターン化され、その両側に
縦バイアス磁界を加えるための構造が磁気的な結合を保
って配置される。第２の構成ではＭＲ素子と縦バイアス
磁界を加えるための構造が同一形状にパターン化され、
その両側に電極に直接あるいはある間隔をもって配置さ
れる。
めに、本発明のＭＲヘッドではＭＲ素子、縦バイアス磁
界を加えるための構造および電極のうち少なくとも２つ
以上を導電性の下地層の上に作成する。さらに、第１の
構成ではＭＲ素子が単独でパターン化され、その両側に
縦バイアス磁界を加えるための構造が磁気的な結合を保
って配置される。第２の構成ではＭＲ素子と縦バイアス
磁界を加えるための構造が同一形状にパターン化され、
その両側に電極に直接あるいはある間隔をもって配置さ
れる。
【００１４】いずれの構成においても、縦バイアス磁界
を加えるための構造として永久磁石膜を用いることがで
きる。この場合、導電性の下地層として永久磁石膜の下
地となる材料を用いることができる。ＭＲ素子としては
強磁性磁気抵抗効果膜と横バイアス磁界を加えるための
構造からなる構成、あるいは、反強磁性層によりピンニ
ングされた第１の強磁性層、導電性の中間層、第２の強
磁性層からなる構成をとることができる。
を加えるための構造として永久磁石膜を用いることがで
きる。この場合、導電性の下地層として永久磁石膜の下
地となる材料を用いることができる。ＭＲ素子としては
強磁性磁気抵抗効果膜と横バイアス磁界を加えるための
構造からなる構成、あるいは、反強磁性層によりピンニ
ングされた第１の強磁性層、導電性の中間層、第２の強
磁性層からなる構成をとることができる。
【００１５】第２の構成においては、ＭＲ素子と縦バイ
アス磁界を加えるための構造が強磁性磁気抵抗効果膜、
永久磁石膜、および強磁性磁気抵抗効果膜と永久磁石膜
を磁気的に分離するための膜からなり、上記永久磁石膜
により強磁性磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界および縦
バイアス磁界の両方を加えることができる。また、導電
性の下地層としては磁性層をピンニングするための反強
磁性層を用いることもできる。この場合、ＭＲ素子とし
て第１の強磁性層、導電性の中間層、第２の強磁性層か
らなる構造、あるいは、縦バイアス磁界を加えるための
構造として反強磁性層と結合した軟磁性膜を用いること
ができる。
アス磁界を加えるための構造が強磁性磁気抵抗効果膜、
永久磁石膜、および強磁性磁気抵抗効果膜と永久磁石膜
を磁気的に分離するための膜からなり、上記永久磁石膜
により強磁性磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界および縦
バイアス磁界の両方を加えることができる。また、導電
性の下地層としては磁性層をピンニングするための反強
磁性層を用いることもできる。この場合、ＭＲ素子とし
て第１の強磁性層、導電性の中間層、第２の強磁性層か
らなる構造、あるいは、縦バイアス磁界を加えるための
構造として反強磁性層と結合した軟磁性膜を用いること
ができる。
【００１６】本発明のＭＲヘッドでは電気的な結合が導
電性の下地によって保証されるため、ＭＲ素子と電極あ
るいは永久磁石膜などの縦バイアス磁界を加えるための
構造の間の電気的な結合を考慮することなくヘッド構造
を設計することができる。そのため、ＭＲ素子を緩い角
度のテーパに加工する必要がなく、トラック幅を精度よ
く決定することができる。また、素子の抵抗のばらつき
は下地層経由の電流経路が確保されるため小さくなる。
縦バイアス磁界を加えるための構造として永久磁石膜を
用い、導電性の下地層として永久磁石の下地となる材料
を用いた場合、永久磁石の磁化方向がＭＲ素子と同一面
内になるため、安定した縦バイアスをＭＲ素子に供給す
ることができる。
電性の下地によって保証されるため、ＭＲ素子と電極あ
るいは永久磁石膜などの縦バイアス磁界を加えるための
構造の間の電気的な結合を考慮することなくヘッド構造
を設計することができる。そのため、ＭＲ素子を緩い角
度のテーパに加工する必要がなく、トラック幅を精度よ
く決定することができる。また、素子の抵抗のばらつき
は下地層経由の電流経路が確保されるため小さくなる。
縦バイアス磁界を加えるための構造として永久磁石膜を
用い、導電性の下地層として永久磁石の下地となる材料
を用いた場合、永久磁石の磁化方向がＭＲ素子と同一面
内になるため、安定した縦バイアスをＭＲ素子に供給す
ることができる。
【００１７】本発明のＭＲヘッドでは導電性の下地層に
よる電流分流効果により、下地層がない場合と比較し
て、再生出力が低下する。この再生出力が低下は、ＭＲ
素子でのパワ−（抵抗×電流2 ）を一定とした時、 Ｖｕ／Ｖｍ＝（１＋Ｒｍ／Ｒｕ）-3/2 （２） とあらわせる。ここでＲｕ、Ｒｍは下地層とＭＲ素子の
シ−ト抵抗、Ｖｕ、Ｖｍは下地層のある場合とない場合
の出力である。従って磁気記録システムにおいて許容さ
れる出力低下に応じて下地層のシ−ト抵抗を選ぶことに
より、再生出力低下の影響の少ないＭＲヘッド提供する
ことができた。
よる電流分流効果により、下地層がない場合と比較し
て、再生出力が低下する。この再生出力が低下は、ＭＲ
素子でのパワ−（抵抗×電流2 ）を一定とした時、 Ｖｕ／Ｖｍ＝（１＋Ｒｍ／Ｒｕ）-3/2 （２） とあらわせる。ここでＲｕ、Ｒｍは下地層とＭＲ素子の
シ−ト抵抗、Ｖｕ、Ｖｍは下地層のある場合とない場合
の出力である。従って磁気記録システムにおいて許容さ
れる出力低下に応じて下地層のシ−ト抵抗を選ぶことに
より、再生出力低下の影響の少ないＭＲヘッド提供する
ことができた。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、本発明によるＭＲヘッドを
図面にもとづいて説明する。
図面にもとづいて説明する。
【００１９】図１は本発明の実施例１によるＭＲヘッド
のディスク対抗面から見た断面図である。
のディスク対抗面から見た断面図である。
【００２０】図に示すように、セラミックの非磁性基板
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
【００２１】さらに導電性の下地層３として厚さ１０ｎ
ｍのCr膜がスパッタリング法により成膜される。このCr
膜は後で成膜されるCoCrPt膜が面内に配向するための下
地の役割も果たしている。
ｍのCr膜がスパッタリング法により成膜される。このCr
膜は後で成膜されるCoCrPt膜が面内に配向するための下
地の役割も果たしている。
【００２２】次に、軟磁性補助バイアス層としての厚さ
２０ｎｍのCoZrMo、中間層としてのTa膜１０ｎｍ、強磁
性磁気抵抗効果層としてのNiFe膜１５ｎｍからなるＭＲ
素子層４がスパッタリング法により成膜される。
２０ｎｍのCoZrMo、中間層としてのTa膜１０ｎｍ、強磁
性磁気抵抗効果層としてのNiFe膜１５ｎｍからなるＭＲ
素子層４がスパッタリング法により成膜される。
【００２３】そして、ＭＲ素子層４はステンシル型のレ
ジストを付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパ
ターン化される。
ジストを付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパ
ターン化される。
【００２４】その後、パターン化された磁性膜の両側に
CoCrPt膜からなる厚さ５０ｎｍの永久磁石層５およびAu
からなる０．２μｍの電極層６がスバッタリングされ、
レジストが除去される。
CoCrPt膜からなる厚さ５０ｎｍの永久磁石層５およびAu
からなる０．２μｍの電極層６がスバッタリングされ、
レジストが除去される。
【００２５】次に、この上に厚さ０．２４μｍのAl2O3
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
【００２６】その上に厚さ２μｍのNiFeを用いた上シー
ルド８がメッキ法により成膜され、イオンミリングによ
り幅６０μｍにパターン化される。
ルド８がメッキ法により成膜され、イオンミリングによ
り幅６０μｍにパターン化される。
【００２７】図２は本発明の実施例２によるＭＲヘッド
のディスク対抗面から見た断面図である。
のディスク対抗面から見た断面図である。
【００２８】図に示すように、セラミックの非磁性基板
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
【００２９】さらに導電性の下地層３として厚さ１０ｎ
ｍのCr膜が成膜される。
ｍのCr膜が成膜される。
【００３０】次に永久磁石膜５として厚さ２０ｎｍのCo
CrPt膜をスパッタリング法により成膜する。この永久磁
石膜５はトラック幅方向に対して４５度に着磁されるこ
とにより、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界と縦バイア
ス磁界の両方が加わる。
CrPt膜をスパッタリング法により成膜する。この永久磁
石膜５はトラック幅方向に対して４５度に着磁されるこ
とにより、磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界と縦バイア
ス磁界の両方が加わる。
【００３１】次に、中間層としてのTi膜１０ｎｍ、強磁
性磁気抵抗効果層１０としてのNiFe膜１５ｎｍがスパッ
タリング法により成膜される。そして永久磁石膜５、中
間層９、強磁性磁気抵抗効果層１０はステンシル型のレ
ジストを付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパ
ターン化される。
性磁気抵抗効果層１０としてのNiFe膜１５ｎｍがスパッ
タリング法により成膜される。そして永久磁石膜５、中
間層９、強磁性磁気抵抗効果層１０はステンシル型のレ
ジストを付けた後、イオンミリングにより幅２μｍにパ
ターン化される。
【００３２】その後、パターン化された磁性膜の両側に
Auからなる０．２μｍの電極層６がスバッタリングさ
れ、レジストが除去される。
Auからなる０．２μｍの電極層６がスバッタリングさ
れ、レジストが除去される。
【００３３】次に、この上に厚さ０．２４μｍのAl2O3
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
【００３４】そして、その上に厚さ２μｍのNiFeを用い
た上シールド８がメッキ法により成膜され、イオンミリ
ングにより幅６０μｍにパターン化される。
た上シールド８がメッキ法により成膜され、イオンミリ
ングにより幅６０μｍにパターン化される。
【００３５】図３は本発明の実施例３によるＭＲヘッド
のディスク対抗面から見た断面図である。
のディスク対抗面から見た断面図である。
【００３６】図に示すように、セラミックの非磁性基板
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
上（図示せず）に厚さ２μｍのNiFeを用いた下シールド
１がメッキ法により成膜され、イオンミリングにより幅
６０μｍにパターン化される。その上に、厚さ０．２μ
ｍのAl2O3 を用いた下ギャップ２がスパッタリング法に
より成膜される。
【００３７】さらに導電性の下地層３として厚さ１０ｎ
ｍのNiMn膜がスパッタリング法により成膜される。
ｍのNiMn膜がスパッタリング法により成膜される。
【００３８】次に、第１の強磁性層１１としての厚さ１
０ｎｍのNiFe、中間層１２としての厚さ５ｎｍのCu層、
第２の強磁性層１３としての厚さ１０ｎｍのNiFeがスパ
ッタリング法により成膜される。ここで第１の強磁性層
１１は下地のNiMn層によりＭＲ高さ方向にピンニングさ
れる。
０ｎｍのNiFe、中間層１２としての厚さ５ｎｍのCu層、
第２の強磁性層１３としての厚さ１０ｎｍのNiFeがスパ
ッタリング法により成膜される。ここで第１の強磁性層
１１は下地のNiMn層によりＭＲ高さ方向にピンニングさ
れる。
【００３９】その後、ステンシル型のレジストを付けた
後、第１の強磁性層１１、中間層１２、第２の強磁性層
１３はイオンミリングにより幅２μｍにパターン化され
る。さらに永久磁石膜の下地層（図示せず）として厚さ
１０ｎｍのCr膜と横バイアスを加えるための永久磁石膜
５として厚さ１０ｎｍのCoCrPt膜、およびAuからなる厚
さ０．２μｍの電極層６がスバッタリングされ、レジス
トが除去される。
後、第１の強磁性層１１、中間層１２、第２の強磁性層
１３はイオンミリングにより幅２μｍにパターン化され
る。さらに永久磁石膜の下地層（図示せず）として厚さ
１０ｎｍのCr膜と横バイアスを加えるための永久磁石膜
５として厚さ１０ｎｍのCoCrPt膜、およびAuからなる厚
さ０．２μｍの電極層６がスバッタリングされ、レジス
トが除去される。
【００４０】次に、この上に厚さ０．２４μｍのAl2O3
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
を用いた上ギャップ７がスパッタリング法により成膜さ
れる。
【００４１】その上に厚さ２μｍのNiFeを用いた上シー
ルド８がメッキ法により成膜され、イオンミリングによ
り幅６０μｍにパターン化される。
ルド８がメッキ法により成膜され、イオンミリングによ
り幅６０μｍにパターン化される。
【００４２】
【実施例】実施例１、２においては導電層の下地層とし
て、永久磁石の下地層としての効果もあるCr層を用い
た。また、実施例３においては導電性の下地層として、
反強磁性膜であるNiMnを用いた。しかしながら、導電性
の膜であれば、この下地層に他の膜、たとえばTa、Ti、
Cu等を用いることができるのは言うまでもない。
て、永久磁石の下地層としての効果もあるCr層を用い
た。また、実施例３においては導電性の下地層として、
反強磁性膜であるNiMnを用いた。しかしながら、導電性
の膜であれば、この下地層に他の膜、たとえばTa、Ti、
Cu等を用いることができるのは言うまでもない。
【００４３】ただし、再生出力の低下を避けるために、
下地層のシ−ト抵抗は（２）式で定まるものより大きい
必要がある。ＭＲ素子のシ−ト抵抗が１５Ωであり、許
容される出力低下が７０％である場合、下地層のシ−ト
抵抗は５６Ω以上である必要がある。これを名材料の比
低抗を用いて、膜厚に換算すると下地層の膜厚の上限は
表１のようになる。
下地層のシ−ト抵抗は（２）式で定まるものより大きい
必要がある。ＭＲ素子のシ−ト抵抗が１５Ωであり、許
容される出力低下が７０％である場合、下地層のシ−ト
抵抗は５６Ω以上である必要がある。これを名材料の比
低抗を用いて、膜厚に換算すると下地層の膜厚の上限は
表１のようになる。
【００４４】
【表１】 下地層の膜厚の上限（出力低下７
０％） 材料 比低抗（μΩｃｍ） 膜厚上限（ｎｍ） Ｃｒ ６０ １０．７ ＮｉＭｎ ７０ １２．５ Ｔａ ２００ ３５．８ Ｔｉ ５０ ８．９ Ｃｕ ２０ ３．６ 実施例２において、電極とＭＲ素子は接触しているが、
接触していなくても再生特性に影響を与えない。ただ
し、この場合、電流が下地層だけに流れる部分が生じる
ので、素子抵抗が大きくなる。実施例１、３においては
永久磁石膜とＭＲ素子は電気的に接触する必要はない
が、磁気的には接触していなくはならない。実施例にお
いて、評価は記録と再生を別のヘッドによっておこなっ
たが、本発明が上シールドの上に記録ヘッドを積層させ
た磁気ヘッドに応用可能であることは勿論である。
０％） 材料 比低抗（μΩｃｍ） 膜厚上限（ｎｍ） Ｃｒ ６０ １０．７ ＮｉＭｎ ７０ １２．５ Ｔａ ２００ ３５．８ Ｔｉ ５０ ８．９ Ｃｕ ２０ ３．６ 実施例２において、電極とＭＲ素子は接触しているが、
接触していなくても再生特性に影響を与えない。ただ
し、この場合、電流が下地層だけに流れる部分が生じる
ので、素子抵抗が大きくなる。実施例１、３においては
永久磁石膜とＭＲ素子は電気的に接触する必要はない
が、磁気的には接触していなくはならない。実施例にお
いて、評価は記録と再生を別のヘッドによっておこなっ
たが、本発明が上シールドの上に記録ヘッドを積層させ
た磁気ヘッドに応用可能であることは勿論である。
【００４５】実施例においては、縦バイアス磁界を加え
るための構造として、永久磁石膜を用いたが、これは軟
磁性材料を反強磁性材料でピンニングしたものに置き換
えることができる。
るための構造として、永久磁石膜を用いたが、これは軟
磁性材料を反強磁性材料でピンニングしたものに置き換
えることができる。
【００４６】
【発明の効果】以上のように作成した本発明の実施例お
よび従来例のＭＲヘッドをそれぞれ１００個ずつスライ
ダー加工し、再生出力およびオフトラック特性を測定し
た。媒体には保磁力２０００Ｏｅ、飽和磁束密度５００
０Ｇａｕｓｓ、厚さ３０ｎｍのCoCrPt薄膜長手媒体を用
い、浮上量は０．０８μｍとした。また、記録は同一の
薄膜ヘッドによって行った。表２に再生出力、および実
行トラック幅（オフトラック特性の半値値で定義した）
の平均値と偏差σの測定結果を示した。
よび従来例のＭＲヘッドをそれぞれ１００個ずつスライ
ダー加工し、再生出力およびオフトラック特性を測定し
た。媒体には保磁力２０００Ｏｅ、飽和磁束密度５００
０Ｇａｕｓｓ、厚さ３０ｎｍのCoCrPt薄膜長手媒体を用
い、浮上量は０．０８μｍとした。また、記録は同一の
薄膜ヘッドによって行った。表２に再生出力、および実
行トラック幅（オフトラック特性の半値値で定義した）
の平均値と偏差σの測定結果を示した。
【００４７】
【表２】 表２において、実施例のヘッドではいずれも再生出力お
よび実行トラック幅の偏差が小さく、歩留まりよくＭＲ
ヘッドを生産することができる。一方、従来例では再生
出力および実効トラック幅のばらつきが大きくなってい
る。これは、永久磁石層とＭＲ素子の接触部の形状や抵
抗値のばらつきを反映していると考えられる。また、バ
ルクハウゼンノイズは実施例のヘッドでは全く観察され
なかったのに対し、従来例のヘッドでは１０％の割合で
観察された。
よび実行トラック幅の偏差が小さく、歩留まりよくＭＲ
ヘッドを生産することができる。一方、従来例では再生
出力および実効トラック幅のばらつきが大きくなってい
る。これは、永久磁石層とＭＲ素子の接触部の形状や抵
抗値のばらつきを反映していると考えられる。また、バ
ルクハウゼンノイズは実施例のヘッドでは全く観察され
なかったのに対し、従来例のヘッドでは１０％の割合で
観察された。
【００４８】このように、本発明のＭＲヘッドはＭＲ素
子、縦バイアス磁界を加えるための構造および電極が導
電性の下地層の上に配置されているので、ＭＲ素子と電
極あるいは縦バイアス磁界を加えるための構造が電気的
に接触しているかどうかに依らず、ＭＲ素子に電流を流
すことができる。そのため、ＭＲ素子と電極あるいは縦
バイアス磁界を加えるための構造の間の構造をシンプル
にすることができ、歩留まりのよいＭＲヘッドを生産す
ることができる。
子、縦バイアス磁界を加えるための構造および電極が導
電性の下地層の上に配置されているので、ＭＲ素子と電
極あるいは縦バイアス磁界を加えるための構造が電気的
に接触しているかどうかに依らず、ＭＲ素子に電流を流
すことができる。そのため、ＭＲ素子と電極あるいは縦
バイアス磁界を加えるための構造の間の構造をシンプル
にすることができ、歩留まりのよいＭＲヘッドを生産す
ることができる。
【図１】本発明の実施例１によるＭＲヘッドのディスク
対抗面から見た断面図である。
対抗面から見た断面図である。
【図２】本発明の実施例２によるＭＲヘッドのディスク
対抗面から見た断面図である。
対抗面から見た断面図である。
【図３】本発明の実施例３によるＭＲヘッドのディスク
対抗面から見た断面図である。
対抗面から見た断面図である。
【図４】従来のＭＲヘッドのディスク対抗面から見た断
面図である。
面図である。
１ 下シールド ２ 下ギャップ ３ 下地層 ４ ＭＲ素子層 ５ 永久磁石膜 ６ 電極層 ７ 上ギャップ ８ 上シールド ９ 中間層 １０ 強磁性磁気抵抗効果層 １１ 第１の強磁性層 １２ 中間層 １３ 第２の強磁性層 １４ 下地層（反強磁性層）
Claims (12)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子層、縦バイアス磁界を
加えるための構造および電極からなる磁気抵抗効果型ヘ
ッドにおいて、上記磁気抵抗効果素子層、縦バイアス磁
界を加えるための構造、電極のうち少なくとも２つ以上
が導電性の下地層の上に配置されていることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項２】 縦バイアス磁界を加えるための構造が磁
気抵抗効果素子の両側に磁気的な結合を保って配置され
ていることを特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項３】 磁気抵抗効果素子層と縦バイアス磁界を
加えるための構造が同一形状にパターン化され、その両
側に電極が接触あるいは間隔をもって配置されることを
特徴とする請求項１に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項４】 縦バイアス磁界を加えるための構造が主
に永久磁石膜よりなることを特徴とする請求項１〜３に
記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項５】 導電性の下地層として永久磁石膜の下地
となる材料を用いたことを特徴とする請求項４に記載の
磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項６】 磁気抵抗効果素子層と縦バイアス磁界を
加えるための構造が強磁性磁気抵抗効果膜、永久磁石
膜、および強磁性磁気抵抗効果膜と永久磁石膜を磁気的
に分離するための膜からなり、上記永久磁石膜により強
磁性磁気抵抗効果膜に横バイアス磁界および縦バイアス
磁界が加わることを特徴とする請求項３に記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。 - 【請求項７】 磁気抵抗効果素子層が強磁性磁気抵抗効
果膜と横バイアス磁界を加えるための構造からなること
を特徴とする請求項１〜５に記載の磁気抵抗効果型ヘッ
ド。 - 【請求項８】 磁気抵抗効果素子が反強磁性層によりピ
ンニングされた第１の強磁性層、導電性の中間層、第２
の強磁性層からなることを特徴とする請求項１〜５に記
載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項９】 導電性の下地層として反強磁性膜を用い
たことを特徴とする請求項１〜３に記載の磁気抵抗効果
型ヘッド。 - 【請求項１０】 磁気抵抗効果素子が第１の強磁性層、
導電性の中間層、第２の強磁性層からなることを特徴と
する請求項９に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１１】 縦バイアス磁界を加えるための構造が
反強磁性層と結合した軟磁性膜からなることを特徴とす
る請求項９に記載の磁気抵抗効果型ヘッド。 - 【請求項１２】 導電性の下地層のシ−ト抵抗をＲｕ、
ＭＲ素子のシ−ト抵抗をＲｍ、下地層のある場合とない
場合の出力をＶｕ、Ｖｍとした時、導電性の下地層の抵
抗が であることを特徴とする請求項１〜１１に記載の磁気抵
抗効果型ヘッド。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15952796A JP2897725B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-06-20 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7-171716 | 1995-07-07 | ||
| JP17171695 | 1995-07-07 | ||
| JP15952796A JP2897725B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-06-20 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0981916A JPH0981916A (ja) | 1997-03-28 |
| JP2897725B2 true JP2897725B2 (ja) | 1999-05-31 |
Family
ID=26486300
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP15952796A Expired - Fee Related JP2897725B2 (ja) | 1995-07-07 | 1996-06-20 | 磁気抵抗効果型ヘッド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2897725B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3366298B2 (ja) | 1999-10-19 | 2003-01-14 | 松下電器産業株式会社 | 磁気記録装置、磁気ヘッドの調節方法、および磁気記録媒体 |
| KR102272636B1 (ko) | 2013-03-12 | 2021-07-02 | 후지세유 그룹 혼샤 가부시키가이샤 | 소성용 초콜릿류 식품 및 그 제조법 |
-
1996
- 1996-06-20 JP JP15952796A patent/JP2897725B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0981916A (ja) | 1997-03-28 |
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