JP3790356B2 - Ｇｍｒヘッド、ｇｍｒヘッドの製造方法及び磁気ディスク駆動装置 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、ＧＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドの製造方法及び磁気デュスク駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１９９０年代に入ってから、磁気ディスク駆動装置の上記機種の面記録密度は、１０年間で１００倍のペースで拡大してきた。このペースが続けば、２０００〜２００１年頃に、１０Ｇビット／（インチ）２になる。最近になって、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ giant magnetoresistive ）効果を利用したＧＭＲヘッドの試作によって、この目標に向けて大きく前進した。
【０００３】
図１３は、GMR ヘッド１００を磁気ディスク駆動装置に使用した場合の複合型磁気ヘッド１１２全体の構成と、この複合型磁気ヘッド１１２に対面して位置決めされた、例えば磁気ディスクのような記録媒体１１４とを示している。複合型磁気ヘッド１１２は、大別して、再生ヘッド１１６と記録ヘッド１１８とから構成され、再生ヘッド１１６の再生上部シールド１２０が記録ヘッド１１８の記録下部磁極（下部コア）１２０を兼用するマージ型で、再生ヘッド１１６の背部に記録ヘッド１１８を付加するピギーパック構造となっている。ここで、GMR ヘッド１００は、複合型磁気ヘッド１１２の内の再生ヘッド１１６として使用されている。
【０００４】
即ち、図１３に示すように、再生ヘッド１１６は、GMR 素子１００を利用しており、GMR 膜１２２及び電極端子１２４ａ，１２４ｂ並びにその両側に配置された再生下部シールド１０２及び再生上部シールド１２０から成る。
記録ヘッド１１８は、記録コイル１２８及びこの記録コイルの周囲を包囲する有機絶縁層１３０と、この有機絶縁層１３０と磁極ギャップ膜１３２の両側に配置された、記録下部磁極１２０と記録上部磁極１３４とを有している。
【０００５】
図１４は、一般的なＧＭＲヘッド１００の構成を示す図である。ＧＭＲヘッド１００は、再生下部シールド１０２に形成された下部ギャップ膜（図示せず。）から成る基板１０１と、この基板の上に形成された自由側磁性層１０２と、この自由側磁性層の上に形成された中間層１０３と、この中間層の上に形成された固定側磁性層１０４と、この固定側磁性層の上に形成された反強磁性層１０５と、好ましくは自由側磁性層，中間層及び固定側磁性層の両側端に夫々接続された電極端子１２４ａ，１２４ｂ（図１３参照）とを有している。これら自由側磁性層１０２、中間層１０３，固定側磁性層１０４及び反強磁性層１０５を、スピンバルブ膜１２２とも称している。
【０００６】
図１５（Ａ）〜（Ｄ）は、磁化方向によるスピンバルブ膜の抵抗変化を説明する図である。図１５に示すように、スピンバルブ膜１２２は４層構造を採る。２層の（自由側、固定側）磁性層１０２，１０４を、薄い中間層（非磁性中間層）１０３で分離し、片方の（固定側）磁性層１０４の上に反強磁性層１０５を設ける。こうすることで、反強磁性層１０５と接した固定側磁性層１０４は、反強磁性層の固定側磁性層側の界面部分反強磁性の磁化方向と同方向に磁化Ｍｐされた状態になる。
【０００７】
一方、中間層１０３で分離された（自由側）磁性層１０２は、決まった磁化方向を採らない。図１５（Ｃ）に示すように、固定側磁性層１０４は、一度決まった磁化方向を保つ力（固定力）が大きく、自由側磁性層１０２は固定力が小さくなる。
ここに、外部磁界をかけると、自由側磁性層１０２が磁化Ｍｆされ、磁化方向が決まる。自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向が、角度１８０度（逆方向）のとき（図１５（Ａ）参照）、スピンバルブ膜の電気抵抗は最大になる。 図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、GMR 効果の発生原理を説明する図である。図１６（Ａ）に示すように、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向が逆方向のときは、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の一方から他方に移動しようとする電子が、中間層（非磁性層）／磁性層界面で高い確率で散乱するからである。
【０００８】
ここで、図１５（Ｂ）に示すように、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向を角度ゼロ（同一）にすると、図１６（Ｂ）に示すように、中間層（非磁性層）／磁性層界面での散乱が起きにくくなり、電気抵抗が最小となる。更に説明すると、移動しようとする電子には、アップスピンとダウンスピンの２種類があり、磁化方向に対して何れか一方に散乱現象が生じる。図１６（Ａ）と（Ｂ）の何れの場合も、電子の散乱は発生しているが、図１６（Ａ）に比較して、図１６（Ｂ）の方が、その発生する確率が低くなっている。
【０００９】
角度０〜１８０度の範囲では、図１５（Ｄ）に示すように、、スピンバルブ膜１２２の電気抵抗は、固定側磁性層１０４の磁化Ｍｐの方向に対する自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの相対的角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。このように、スピンバルブ構造のＧＭＲ素子では、自由側磁性層の磁化方向が磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇにより変化し、ＧＭＲ素子の抵抗は固定側磁性層の磁化方向との相対角度θに比例して変化する。
【００１０】
従って、このようなＧＭＲ膜１２２を磁気ヘッドとして用いる場合には、固定側磁性層１０４の磁化Ｍｐの方向を一定の方向に固定し、外部信号磁界が印加されていない状態における自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向を固定側磁性層１０４と直交する方向（角度９０度）に設定することにより、外部磁界に対して、抵抗値がθ＝９０度の抵抗値を中心にしたゼロ〜±最大値の対称的な線形出力として得られることになる。このような対称的な抵抗変化は、磁気ディスク駆動装置の再生信号処理を容易にする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際のスピンバルブ素子においては、自由側磁性層１０２にかかる磁界には、磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇの他に、主に、固定側磁性層１０４と自由側磁性層１０２との間に働く交換結合磁界、固定側磁性層１０４の端面に生じる磁荷により発生する磁界、ＧＭＲ素子に流れるセンス電流が発生するセンス電流磁界、等のノイズ磁界が存在して、図で見てＹ軸方向（素子高さ方向）にかかっている。従って、これらのノイズ磁界によって、外部信号磁界Ｈｓｉｇが存在しない場合でも、自由側磁性層１０２の磁化方向がＸ軸方向（素子幅方向）以外の方向を向き、この結果、外部信号磁化により素子抵抗が非線形的に変化する傾向にある。
【００１２】
自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向をＸ軸方向（素子幅方向）に向けるためには、Ｙ軸方向（素子高さ方向）又はＸ軸方向（素子幅方向）に向かう新たな磁界を印加して、上述のノイズ磁界をうち消す必要がある。これら印加される磁界の内、上述のＹ軸方向にかかるノイズ磁界をうち消すに必要な磁界を、一般に、バイアス磁界と呼んでいる。
【００１３】
バイアス磁界は、原理的には、上述の交換結合磁界、固定側磁性層からの磁界及びセンス電流磁界の総和の大きさ及び方向を考慮する必要がある。そして、実際の磁気ヘッドの設計に於いては、このバイアス磁界をゼロにするように、ＧＭＲ素子の設計をする必要がある。
一方、ＧＭＲヘッドの寸法は、磁気記録媒体の記録密度に依存して決定される。磁気記録媒体の記録の高密度化によって、磁気記録媒体に記録された磁化情報の幅方向寸法（図１３のトラック幅）が極めて小さくなるにつれ、このような磁化情報を正確に読み取るため、素子の幅方向（Ｙ軸方向）寸法ｗを極めて小さくする必要がある。
【００１４】
この場合、素子高さ方向（Ｘ軸方法）寸法ｈが、素子幅方向寸法ｗに比較して極端に長い場合には、このような細長い素子形状から自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向が長手方向（Ｘ軸方法）に固定されやすくなる。
従って、スピンバルブ素子の素子高さ方向寸法ｈは、素子幅方向寸法ｗと比較して、同一か又はそれ以下であることが望ましい。同様に、外部信号磁界は、素子高さ方向には侵入しにくくなるため、素子高さ寸法ｈは、素子幅寸法寸法ｗに比較して、それ以下であることが望ましい。
【００１５】
実際に使用される素子寸法数μｍ×数μｍのオーダのスピンバルブ素子に於いては、磁気記録媒体の記録の高密度化に伴って素子高さｈが減少した場合には、固定側磁性層１０４から自由側磁性１０２に対する静磁気的な結合（交換相互作用）が相対的に強くなり、自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向は固定側磁性層１０４の磁化方向に対して反平行状態に成り易く、適当なバイアス点を実現することが困難となる。
【００１６】
一方、ＧＭＲ素子の素子高さ方向寸法ｈを維持しながら素子幅方向寸法ｗのみを小さくした場合には、磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇによって自由側磁性層１０２の磁化は、磁気記録媒体に比較的近い部分では外部信号磁界の変化に対応して回転するものの、比較的遠い部分では外部信号磁界が変化してもほとんど変化しなく、抵抗変化として現れない。この結果、ＧＭＲ素子の磁気記録媒体に比較的遠い部分は、再生出力に寄与することが少なく、全体として再生感度は低下する。
【００１７】
高密度磁気記録の要請の観点からはＧＭＲ素子の寸法は小さくせねばならず、一方、適正なバイアス点を確保する観点からは、素子高さｈを余り小さくすることは出来ない。この相反条件を解決するため、次善の策として、ＧＭＲ素子の素子高さｈは比較的小さくし、この条件下でバイアス点を適正位置に確保するため、バイアス磁界を打ち消す方向にセンス電流磁界が発生するように電流方向を設定する方法も考えられる。しかし、許容センス電流には一定の限度があり、センス電流の方向の設定によるバイアス磁界の改善では大きな効果は望めない。
【００１８】
或いは、固定側磁性層１０４の磁化の量を減らして、自由側磁性層に対する影響を減少する方策も考えられるが、固定側磁性層は一定膜厚以上が必要であり、磁化量の減少には限界がある。
或いは、固定側磁性層１０４と自由側磁性層１０２との間の中間層（非磁性層）１０３の厚さを相対的に薄くして、両層間に働く強磁性的な磁気結合力を強くして、静磁性的な結合を補償（compensate）する方策も考えられるが、中間層の膜厚を１０数オングストロームのオーダで成膜しなければならず、実用的でない。
【００１９】
更に、後で第３実施形態に関連して記載するデュアル型スピンバルブ構造を用いる場合には、磁気抵抗変化が相対的に大きく再生感度が向上する反面、固定側磁性層が二層となっているため、これらの固定側磁性層からの漏れ磁界が一層増加し、上述のような方策では対応することが出来ず、バイアス磁化を実質的に減少させる新たな方策が必要となる。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明は、新規なＧＭＲヘッドを提供することを目的とする。
更に、本発明は、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させて、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドを提供することを目的とする。
【００２１】
更に、本発明は、新規なＧＭＲヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
更に、本発明は、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
更に、本発明は、これらＧＭＲヘッドを利用した磁気ディスク駆動装置を提供することを目的とする。
上記問題点に鑑みて、本発明に係るＧＭＲヘッドは、センサ部と該センサ部から素子高さ方向に並列関係で独立した磁界補正部とを備え、前記センサ部は、少なくとも、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層を有し、前記磁界補正部は、前記センサ部と実質的に同じ層構成を有している。このような構成を採択することにより、上述した課題であるバイアス磁界の減少、即ち、主たる要因である固定側磁性層から自由側磁性層にかかる漏洩磁界を減少させている。
【００２４】
このように、センサ部と磁界補正部とを素子高さ方向に並列関係で独立して形成することにより、磁界補正部は、センサ部と同じ工程により同時に容易に形成できる。
【００２５】
また、上述した課題であるバイアス磁界の減少、即ち、主たる要因である固定側磁性層からの磁界を減少させるため、本発明は、固定側磁性層の素子高さ寸法を自由側磁性層及び中間層の素子高さ寸法と異なる寸法とすることで、固定側磁性層からの磁界を減少させている。
本発明は、スピンバルブ構造を構成する固定側磁性層が自由側磁性層に対して作る磁界を弱めることにより、自由側磁性層が固定側磁性層と反平行状態になることを抑制している。この結果、外部信号磁界が存在しない状態で、自由側磁性層の磁化方向と固定側磁性層の磁化方向を実質的に直交にすることが出来る。
【００２６】
このような発明の原理は、以下の述べるＧＭＲヘッドの各種の形態に適用し得る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、少なくとも前記自由側磁性層、中間層，固定側磁性層に加えて、反強磁性層をもつスピンバルブ膜を有している。
【００２７】
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、前記自由側磁性層、前記中間層、前記固定側磁性層及び反強磁性層がこの順序で形成されたシングル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、反強磁性層、前記固定側磁性層、前記中間層及び前記自由側磁性層がこの順序で形成された層構成反転型シングル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
【００２８】
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、第一反強磁性層、第一固定側磁性層、第一中間層、自由側磁性層、第二固定側磁性層及び第二反強磁性層がこの順序で形成されたデュアル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層から成る組を、非磁性層を介して、複数組設けた超格子ＧＭＲ構造を採ることが出来る。
【００２９】
これらＧＭＲヘッドに於いて、磁界補正部の機能を十分発揮するためには、前記センサ部と前記磁界補正部は、素子高さ方向に０．１μｍ以下の素子間隔を有して離れていることが好ましい。理想的には、この素子間隔は、約０．０１μｍの素子間隔を隔てて離れていることが好ましい。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドの製造方法は、基板上に、少なくとも自由側磁性層を積層し、該自由側磁性層の上に中間層を積層し、該中間層の上に固定側磁性層を積層し、該固定側磁性層の上に反強磁性層を積層してスピンバルブ膜を形成し、前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する、諸工程を含んでいる。この場合、前記前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する工程は、イオンミル法によって行われることが好ましい。
【００３０】
更に本発明に係る磁気ディスク駆動装置は、少なくとも、上述した何れかのＧＭＲヘッドと、前記ＧＭＲヘッドに対向して配置された磁気ディスクと、前記ＧＭＲヘッド及び前記磁気ディスクを制御する制御機構とを備えている。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るＧＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドの製造方法及び磁気デュスク駆動装置の第１〜４の実施形態に関し、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
以下に説明する実施形態の原理は、ＧＭＲ素子のセンサ部の固定側磁性層と同一方向に磁化を固定した磁性層を、素子高さ方向に並列関係でこの固定側磁性層と独立に配置することにより、センサ部の固定側磁性層からこの磁性層に対する漏洩磁界の影響を減少させていることにある。この結果、バイアス点の改善が達成される。以下、この原理が、ＧＭＲ素子の諸形態に対応して、どのように実現されているかを第１〜第４の実施形態に沿って説明する。
【００３２】
なお、図面中、同一の要素に対しては、同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
［ＧＭＲヘッド］
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。このＧＭＲ素子は、そのセンサ部１０の構造から、図６に示すＧＭＲ素子との対比において、「シングル・スピンバルブ構造」とも呼ばれている。
【００３３】
図１に示すシングル・スピンバルブ構造は、基板１１上に、概略的に、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。従来のスピンバルブ構造と比較して、磁界補正部２０が追加的に設けられている点で相違する。
センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された自由側磁性層（「フリー層」とも言う。）１２と、この自由側磁性層の上に形成された中間層（非磁性金属層）１３と、この中間層の上に形成された固定側磁性層（「ピンド層」ともいう。）１４と、この固定側磁性層の上に形成された反強磁性層（「ピニング層」とも言う。）１５とが、この順序で積層されている。
【００３４】
反強磁性層１５は隣接する固定側磁性層１４の磁化方向を固定する機能を担っている。そのため、これを取り去ると、固定側磁性層１４の磁化方向が外部磁界によって変わり易くなる。しかし、固定側磁性層１４に硬質磁性層を使用すれば磁化方向は固定されるので、その場合は反強磁性層１５を省略することができる。しかし、現時点においては、ＧＭＲ素子に反強磁性層１５を設けた方が、一層良好なＧＭＲ特性を示している。
【００３５】
ＧＭＲ素子の外形寸法を特定するため、磁気記録媒体である磁気ディスク（図示せず。）に対向する面であるＡＢＳ面（Air Bearing surface ）から見て、幅方向の長さを素子幅ｗと称し、センサ部１０の奥行き方向の長さを素子高さｈと称し、センサ部１０と磁界補正部２０の間隔を素子間隔ｇ称する。このセンサ部１０の物理的な外形寸法は、公称値で、ｗ＝０．３μｍ、ｈ＝０．３μｍ、ｇ＝０．０１μｍである。
【００３６】
なお、本明細書では、説明上、ＧＭＲ素子の磁化方向を容易に特定するため、素子幅ｗ方向をＸ軸方向、素子高さｈ方向をＹ軸方向、各層の膜厚方向又は積層方向をＺ軸方向と規定する。
これら各要素は、本実施形態では、次のような膜厚及び組成から成っている。基板１１は、再生下部シールド層（図１１参照）の上に下部ギャップ膜として設けられた絶縁膜から成り、この絶縁膜には、表面を平坦化するために膜厚約５０オングストローム〔Å〕のタンタル（Ｔａ）からなる薄膜が下地層として被覆されている。
【００３７】
自由側磁性層１２は、図では一層に描かれているが、実際には、膜厚約４０Åの鉄ニッケル（ＦｅＮｉ）から成る薄膜と膜厚約２５Åの鉄コバルト（ＣｏＦｅ）から成る薄膜の２層構造となっている。
中間層１３は、非磁性金属層であり、膜厚約２４Åの銅（Ｃｕ）の薄膜から成る。
【００３８】
固定側磁性層１４は、自由側磁性層１２と同じコバルト鉄（ＣｏＦｅ）の薄膜からなり、膜厚は約２２Åとなっている。
反強磁性層１５は、膜厚約２５０Åのパラジウム白金マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）の薄膜から成っている。
一方、磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成にすることが出来る。しかし、磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は、センサ部１０の固定側磁性層１４に対応する磁性層２４であり、他の各層は必ずしも必須なものではない。磁界補正部２０をセンサ部１１と同一の層構成とした理由は、このシングル・スピンバルブ構造の製造上、磁界補正部２０をセンサ部１０と同一工程により容易に製造し得るという理由に過ぎない。
【００３９】
従って、図１に示す磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成を有している。しかし、センサ部１０の各層に関する命名の「自由側」，「固定側」は各々の機能を表す部分であり、磁界補正部２０では夫々そのような機能を期待し又は十分発揮されている訳でないので、これら機能表示部分は省略されている。
即ち、磁界補正部２０は、センサ部１０と同一基板１１の上に形成された磁性層２２と、この磁性層の上に形成された中間層（非磁性金属層）２３と、この中間層の上に形成された磁性層２４と、この磁性層の上に形成された反強磁性層２５とが、この順序で積層されている。各層を形成する薄膜の組成、膜厚、物理的外形寸法は、センサ部１０の対応する各層のそれらと夫々同一でよい。
【００４０】
図２は、図１のセンサ部１０内にある固定側磁性層１４の磁化Ｍｐの方向を説明する図である。固定側磁性層１４は、図中、実線の矢印で示されるように、素子高さ方向（Ｙ軸方向）に固定的に磁化されている。この磁化方向の固定は、先ず、製造工程の最終段階で、反強磁性層１５が、磁界中熱処理される。反強磁性層１５の下地層として隣接している固定側磁性層１４は、反強磁性層の固定側磁性層側の界面部分の磁化の交換相互作用によって、この界面部分の磁化方向と同方向に固定的に磁化された状態になる。
【００４１】
また、磁界補正部２０はセンサ部１０と同一構成を有し、同一処理工程を経て製造されるため、この固定側磁性層１４に対応する磁界補正部２０内の磁性層２４も図に示すように磁化Ｍｐの方向と同一方向に磁化Ｍｐ′されている。但し、予め磁性層２４の磁化方向を固定することは必須なものでなく、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐが固定されることにより、固定側磁性層１４の漏洩磁界中にある磁性層２４も必然的に図示のように磁化さることは容易に理解される。
【００４２】
センサ部１０の自由側磁性層１２は、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対して角度約９０度を成すようにＸ軸方向に磁区制御されている（図中、破線の矢印で示す。）。しかし、自由側磁性層１２の磁区制御は非常に弱く、磁化Ｍｆの方向は固定的なものでない。即ち、固定側磁性層１４は一度決まった磁化方向を保つ力（固定力）が非常に大きく、一方、自由側磁性層１２の固定力は非常に小さくなっている。
【００４３】
このような状態で、外部磁界、即ち磁気ディスク（図示せず。）からの信号磁界Ｈｓｉｇがかかるると、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの方向が回転して変化する。固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対し、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの相対的方向が角度１８０度と逆方向のとき、スピンバルブ膜の電気抵抗は最大となる。また、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対し、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの相対的方向が角度ゼロと同一方向のとき、スピンバルブ膜の電気抵抗は最小となる。これら角度０〜１８０度の間では、スピンバルブ素子の電気抵抗は、固定側磁性層１４の磁化方向に対して自由側磁性層１２の磁化方向の成す相対的な角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。
【００４４】
従って、スピンバルブ素子の両端に形成された一対の電極膜（図１１参照）の間に一定電流（センス電流）を流すことにより、外部信号磁界Ｈｓｉｇによるスピンバルブ素子の抵抗変化は、電圧変化として検出できる。
図３は、図１のシングル・スピンバルブ構造の特徴及び効果を説明するため用いたモデルであり、このシングル・スピンバルブ素子は、Ｘ軸方向から見て表されている。発明者等は、自由側磁性層１２が固定側磁性層１４から受ける磁界の影響を、自由側磁性層１２の膜厚方向（Ｚ軸方向）中心部において素子幅方向（Ｙ軸方向）に沿って求めるため、図中、×印で示す箇所の磁界分布を算出している。
【００４５】
図４は、図３のシングル・スピンバルブ構造のモデルに基づき計算された、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向（Ｙ軸方向）成分を示すグラフである。この計算は、市販のアプリケーション・ソフトを使用し、積分要素法によって行われた。
グラフの横軸は、センサ部１０の素子高さ寸法（Ｙ軸方向）が０．３μｍであることよりＡＢＳ面を基準にして、この基準からの距離、即ちＡＢＳ面をゼロ、ＡＢＳ面の反対側（磁界補正部対向面）を０．３μｍとなるように目盛ってある。縦軸は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向成分（Ｙ軸方向成分）をエルステッド（Ｏｅ）単位で示している。また、図中の特性曲線は、素子間隔ｇをパラメータとしている。
【００４６】
実線で示す特性曲線は、従来技術の磁界補正部２０を設けていない場合、即ち素子間隔ｇ＝∞の場合を示す。磁界補正部２０を設けた場合、素子間隔ｇを変化させて、自由側磁性層１２にかかる磁界の大きさを求めている。素子間隔ｇ＝０．１μｍのときを破線で示し、ｇ＝０．０５μｍのときを点線で示し、ｇ＝０．０１μｍのときを一点鎖線で、夫々示している。
【００４７】
このグラフより、従来技術の磁界補正部２０が存在しない場合（実線）に比較して、磁界補正部２０を設けた方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が抑制されていることが分かる。更に、素子間隔ｇが小さい方が、即ちセンサ部１０と磁界補正部２０がより接近している方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が一層抑制されていることが分かる。例えば、素子高さｈの中間位置ｈ＝０．１５μｍの位置で、従来技術の磁界補正部２０が存在しないとき（ｇ＝∞）、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２に対して磁界が５８ Ｏｅ程度かかっている。これに対し、本実施形態の磁界補正部２０を設けたとき、素子間隔ｇ＝０．１μｍでは磁界が５４ Ｏｅであり、ｇ＝０．０５μｍでは磁界が５０ Ｏｅであり、ｇ＝０．０１μｍでは磁界が４３ Ｏｅと減少している。即ち、素子間隔ｇは小さければ小さいほど、自由側磁性層１２にかかる磁界は一層減少している。
【００４８】
この結果、代表的には、固定側磁性層１５が作る磁場は、素子間隔ｇ＝０．０１μｍのとき自由側磁性層１２のＹ軸方向中間位置で、従来技術の５８ Ｏｅから４３ Ｏｅに減少する。
ここで、図３に示すシングル・スピンバルブ構造では、自由側磁性層１２と固定側磁性層１４とは、中間層１３を介して積層状態にある。このような薄い中間層を介した構成では、自由側磁性層１２と固定側磁性層１４との交換相互作用により結合（interlayer coupling ）され、この交換結合磁界の大きさは中間層１３の膜厚が約２４Åの場合で約２０ Ｏｅとなる。この交換結合磁界は、これら自由側磁性層１２，固定側中間層１３及び固定側磁性層１４の構成が同一である限り、磁界補正部２０又は磁性層２４の存在の有無に拘わらず、同一である。
【００４９】
従って、これら代表的な計算値からこの交換結合磁界分を夫々差し引くと、結局、バイアス磁界分は３８ Ｏｅから２３ Ｏｅへと、約４０％減少する。この減少分は、ＧＭＲ素子のセンサ部１０に対して並列関係にこれと独立に配置された磁界補正部２０の磁性層２４の存在によって相殺された結果と考えられる。
なお、本実施形態において、磁界補正部２０の磁性層２４が予め磁化方向が固定されていない場合でも、センサ部１０の固定側磁性層１４からの漏洩磁界によってこの磁性層２４は磁化させることより、同一の効果が得られると考えられる。
【００５０】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、上述の作用・効果を単純化して定性的に説明する図である。図８では、図を見易くするために、センサ部１０の自由側磁性層１２と固定側磁性層１４及び磁界補正部２０の磁性層２４以外の各要素は全て省略している。図８（Ａ）に示すように、固定側磁性層１４はＹ軸正方向に固定的に磁化されている。固定側磁性層１４の周囲には磁界の場が形成され、従来の磁界補正部が存在しない場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束Ｂ１の大部分は自由側磁性層１２に到達し、また、自由側磁性層１２から発生する漏れ磁束Ｂ１の大部分は固定側磁性層１４に到達する。従って、自由側磁性層１２は、理想的には、Ｘ軸方向に磁化されている必要があるにかかわらず、Ｙ軸負の方向に磁化される傾向にある。
【００５１】
図８（Ｂ）は、このような状況下に於いて、固定側磁性層１４に素子高さ方向（Ｙ軸方向）に並列関係で、僅かな間隔を空けて独立して、磁性層２４を設けた場合を示す。磁性層２４は、原則として、固定側磁性層２４と同一製造工程を経て同一構成に形成されている。従って、磁性層２４も、固定側磁性層２４と同じようにＹ軸正方向に固定的に磁化されている。このような場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束の大部分Ｂ２は磁性層２４に到達し、僅かな漏れ磁束部分Ｂ３のみが自由側磁性層１２の一端に到達する。
【００５２】
磁性層２４の他端から発生する磁束Ｂ４は、自由側磁性層１２に到達するが、この間の距離は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２までの距離に比較して、概して２倍以上に離れている。磁束密度は距離ｒの自乗に反比例するため、磁性層２４の他端から自由側磁性層１２に到達する磁束密度は１／４以下に減少している。
【００５３】
この結果、磁性層２４により、自由側磁性層１２が固定側磁性層１４から受ける漏れ磁界の影響は大幅に減少し、自由側磁性層１２がＹ軸負方向に磁化される程度は大幅に減少する。自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すように磁区制御されていることが望ましい。本実施形態では、磁界補正部の磁性層２４を設けることにより、自由側磁性層１２に対する固定側磁性層１４の影響を大幅に減少し、シングル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子をこの理想状態に近づけることが出来る。
【００５４】
なお、上述したように、磁性層２４は、前もって磁化されていなくてもよい。磁性層２４を固定側磁性層１４の磁界の場に配置することにより、Ｙ軸正方向に容易に磁化されるからである。
更に、図８（Ｂ）から、センサ部１０と磁界補正部２０の間、即ち固定側磁性層１４と磁性層２４の間の間隔ｇが存在しない場合でも同一効果を奏することが分かり、素子間隔ｇは必ずしも必要がないことが分かる。従って、本発明は、シングル・スピンバルブ構造に於いて、自由側磁性層１２に対し、固定側磁性層１４を素子高さ方向（Ｙ軸方向）に相対的に長くしたことを特徴とする発明として把握し得る。
【００５５】
この間隔ｇは、磁性層２４を固定側磁性層１４に対しＹ軸方向に並列関係で設けることを可能とするＧＭＲ素子の製造上の要請から設けられている。しかし、次ぎに説明する第２実施形態では、磁性層２４を基板上に形成すればよいので、素子間隔ｇは必ずしも必要でない。
【００５６】
本実施形態によれば、ＧＭＲヘッドにおいて、センサ部に対して並列に配置された磁界補正部を設け、この磁界補正部にセンサ部の固定側磁性層と同一磁化方向を有する磁性層を形成することにより、センサ部の作る漏洩磁界を弱めることが出来る。この結果、適当なバイアス設計が可能となる。
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。第２実施形態に係るＧＭＲ素子は、第１実施形態に係るＧＭＲ素子の構成（図３参照）と比較して、基板上の各層の積層順序が反転している点で相違する。本明細書では、このスピンバルブ素子を「層構成反転型シングル・スピンバルブ構造」とも呼んでいる。
【００５７】
図５に示すＧＭＲ素子は、基板１上に、概略的に、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された反強磁性層１５と、この反強磁性層の上に形成された固定側磁性１４と、この固定側磁性層の上に形成された中間層１３と、この中間層の上に形成された自由側磁性層１２とが、この順序で積層されている。なお、固定側磁性層１４に硬質磁性層を使用すれば、反強磁性層１５を省略することもできる。
【００５８】
磁界補正部２０は、センサ部１０と同一構成にすることが出来る。即ち、磁界補正部２０は、基板１１の上に形成された反強磁性層２５と、この反強磁性層の上に形成された磁性層２４と、この磁性層の上に形成された中間層２３と、この中間層の上に形成された磁性層２２とが、この順序で積層されている。磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は磁性層２４であり、他の各層は必ずしも必須なものではない。
【００５９】
図５に示す層構成反転型シングル・スピンバルブ構造を有するＧＭＲ素子は、基板１上のセンサ部１０及び磁界補正部２０の各層の積層順序が逆になっていることを除いて、図１に示すＧＭＲ素子と同じである。従って、図５に示すＧＭＲ素子の動作は、図１に示すＧＭＲ素子のそれと同じである。
同様に、図５に示すＧＭＲ素子は、例えば、図４及び図８に関連して説明したような図１のＧＭＲ素子の有する特徴・効果を有している。更に、磁界補正部２０では、反強磁性層２５の上に磁性層２４を形成すればよく、その後の工程でこの磁性層２４より上方の中間層２３と磁性層２２の形成を省略することが出来る。
（第３実施形態）
図６は、第３実施形態のＧＭＲ素子の構成を示し、図１のシングル・スピンバルブ構造との対比から、「デュアル・スピンバルブ構造」を呼ばれている。即ち、図５に示す層構成反転シングル・スピンバルブ構造の上に図３のシングル・スピンバルブ構造の基板を除いた各層を重ね、両素子の自由側磁性層１２及び磁性層２２を共通化した構成を有する。観点を変えれば、自由側磁性層１２を中心に、膜厚方向（Ｚ軸方向）に線対称の層構成を有している。
【００６０】
図６に示すデュアル・スピンバルブ構造は、基板１上に、大別して、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された第一反強磁性層１５−１と、この第一反強磁性層の上に形成された第一固定側磁性層１４−１と、この第一固定側磁性層の上に形成された第一中間層１３−１と、この第一中間層の上に形成された自由側磁性層１２と、この自由側磁性層の上に形成された第二中間層１３−２と、この第二中間層の上に形成された第二固定側磁性層１４−２と、この第二固定側磁性層の上に形成された第二反強磁性層１５−２とが、この順序で積層されている。
【００６１】
なお、このＧＭＲ素子の第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２の双方又は何れか一方に硬質磁性層を使用すれば、それに対応して第一及び第二反強磁性層１５−１，１５−２を省略することもできる。
図６のデュアル・スピンバルブ構造は、Ｚ軸方向の膜厚方向の長さが異なるだけで、素子幅ｗ、素子高さｈ及び素子間隔ｇは、第１図のシングル・スピンバルブ構造のそれらと同一であってよい。同様に、このデュアル・スピンバルブ構造の各要素は、図１のシングル・スピンバルブ構造の対応する各要素の膜厚及び組成と夫々同じであってよい。
【００６２】
同様に、磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成にすることが出来る。しかし、磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は、センサ部１０の第一及び第二の磁性層１４−１，１４−２に対応する磁性層２４−１，２４−２だけであり、他の各層は必ずしも必須なものではない。磁界補正部２０をセンサ部１１と同一の層構成とした理由は、このスピンバルブ素子の製造上、容易に製造し得るという理由に過ぎない。
【００６３】
第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２は、図中、実線の矢印で示されるように、Ｙ軸方向に固定的に磁化Ｍｐ１，Ｍｐ２されている。また、磁界補正部２０はセンサ部１０と同一構成を有し、同一処理工程を経て製造されるため、この固定側磁性層１４−１，１４−２に対応する磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２も夫々同一方向に磁化Ｍｐ１′，Ｍｐ２′されている。但し、磁性層２４の磁化方向を予め固定することは、必須なものでなく、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐ１，Ｍｐ２が固定されることにより、磁性層２４も必然的に図示のように磁化さることは容易に理解される。
【００６４】
なお、センサ部１０の自由側磁性層１２は、固定側磁性層１４−１，１４−２の磁化方向に対して角度約９０度を成して、非常に弱く磁区制御されている。
このような状態で、外部磁界、即ち磁気ディスク（図示せず。）からの信号磁界Ｈｓｉｇがかかるると、自由側磁性層１２の磁化の方向が回転して変化する。スピンバルブ素子の電気抵抗は、第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２の磁化方向に対する、自由側磁性層１２の磁化の相対的な角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。デュアル・スピンバルブ構造では、図１のシングル・スピンバルブ構造に比較して、磁性層／非磁性層の界面数が多いため相対的に高い抵抗変化が期待できる特徴を有している。
【００６５】
ＧＭＲ素子の両端に形成された一対の電極膜（図１１参照）の間に一定電流（センス電流）を流すことにより、外部信号磁界によるＧＭＲ素子の抵抗変化は、電圧変化として検出できる。
図７は、図６のデュアル構造のＧＭＲ素子のモデルに基づき計算された自由側磁性層にかかる磁界のＹ軸（素子高さｈ）方向成分を示すグラフであり、図４のグラフに対応している。グラフの横軸は、図４と同じスケールに目盛ってある。縦軸は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向成分をエルステッド単位で示している。しかし、固定側磁性層が二層有ることより、フルスケールは二倍の３００ Ｏｅに目盛られている。
【００６６】
実線で示す特性曲線は、同様に従来技術の磁界補正部２０を設けていない場合を示す。このグラフより、従来技術の磁界補正部２０が存在しない場合に比較して、磁界補正部２０を設けた方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が抑制されていることが分かる。
更に、素子間隔ｇが小さい方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が一層抑制されていることが分かる。例えば、素子高さｈの中間位置ｈ＝０．１５μｍの位置では、従来技術の磁界補正部２０が存在しないとき、磁界は１０７ Ｏｅ程度かかっている。これに対し、本実施形態の磁界補正部２０を設けたとき、素子間隔ｇ＝０．１μｍでは磁界が１０２ Ｏｅであり、ｇ＝０．０５μｍでは磁界が９６ Ｏｅであり、ｇ＝０．０１μｍでは磁界が８２ Ｏｅとなっている。即ち、素子間隔ｇは小さければ小さいほど、固定側磁性層１４−１，１４−２から自由側磁性層１２にかかる磁界は一層減少していることが分かる。
【００６７】
この結果、代表的には、固定側磁性層１５が作る磁場は、素子間隔ｇ＝０．０１μｍのときに自由側磁性層１２のＹ軸方向中間位置（０．１５ｍｍの位置）で、従来技術の１０７ Ｏｅから８２ Ｏｅに減少している。
図６に示すデュアル構造のＧＭＲ素子では、自由側磁性層１２と第一固定側磁性層１４−１が第一中間層１３−１を介して積層状態にあり、同様に、自由側磁性層１２と第二固定側磁性層１４−２が第二中間層１３−２を介して積層状態にある。このような構成では、自由側磁性層１２と第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２とが夫々交換相互作用により結合（interlayer coupling ）し、この結合の大きさは、第一及び第二中間層１３−１，１３−２の膜厚が夫々約２４Åの場合に各々約２０ Ｏｅ、合計で約４０ Ｏｅとなる。
【００６８】
従って、これら代表的な計算値からこの合計の結合分を夫々差し引くと、結局、バイアス磁界分は６７ Ｏｅから４２ Ｏｅへと約３７％減少する。この減少分は、デュアル・スピンバルブ構造のセンサ部に対して並列関係に独立に配置された磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２の存在によって相殺された結果と思われる。
【００６９】
また、本実施形態においては、磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２の両方又はいずれか一方が磁化固定されていない場合でも、センサ部１０の固定側磁性層１４−１，１４−２からの漏洩磁界によってこれら磁性層２４−１，２４−２は夫々磁化させることより、同一の効果が得られると考えられる。
図９（Ａ）及び（Ｂ）は、上述の効果を単純化して定性的に説明する図であり、図１５に対応するものである。図９では、図を見易くするために、センサ部１０の自由側磁性層１２，第一及び第二の固定側磁性層１４−１，１４−２及び磁界補正部２０の磁性層２４以外の各要素は全て省略している。図９（Ａ）に示すように、両固定側磁性層１４−１，１４−２は、各々、Ｙ軸正方向に固定的に磁化されている。各固定側磁性層１４−１，１４−２の周囲には磁界の場が形成され、磁界補正部が存在しない場合、固定側磁性層１４−１，１４−２の各Ｎ極から発生する漏れ磁束Ｂ１−１，Ｂ１−２の大部分は自由側磁性層１２に到達し、また、自由側磁性層１２から発生する漏れ磁束Ｂ１−１，Ｂ１−２の大部分は固定側磁性層１４に到達する。従って、自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すようにＸ軸方向に磁区制御されていることが望ましいに拘わらず、Ｙ軸負の方向に磁化される傾向にある。
【００７０】
図９（Ｂ）は、このような状況下に於いて、各固定側磁性層１４−１，１４−２に素子高さ方向（Ｙ軸方向）に並列関係で、僅かな間隔を空けて独立して、磁性層２４−１，２４−２を夫々設けた場合を示す。これら磁性層２４−１，２４−２は、原則として、固定側磁性層１４−１，１４−２と同一製造工程を経て同一構成に形成されている。従って、これら磁性層も、固定側磁性層と同じようにＹ軸正方向に固定的に磁化Ｍｐ１′，Ｍｐ２′されている。このような場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束の大部分Ｂ２−１，Ｂ２−２は磁性層２４−１，２４−２に夫々到達し、僅かな漏れ磁束部分Ｂ３−１，Ｂ３−２のみが自由側磁性層１２の一端に到達する。
【００７１】
磁性層２４−１、２４−２の他端から発生する磁束Ｂ４−１，Ｂ４−２は、自由側磁性層１２に夫々到達するが、この間の距離は、相対的に長い。磁束密度は距離ｒの自乗に反比例するため、各各磁性層２４の他端から自由側磁性層１２に到達する磁束密度は１／４以下に減少している。なお、上述したように間隔ｇは必ずしも必要はない。
【００７２】
この結果、磁性層２４−１，２４−２により、固定側磁性層１４−１，１４−２が自由側磁性層１２に対して与える漏れ磁界の影響は大幅に減少し、自由側磁性層１２がＹ軸負方向に磁化される程度は大幅に減少する。自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すように磁区制御されていることが望ましい。本実施形態では、磁界補正部の磁性層２４を設けることにより、自由側磁性層１２に対する固定側磁性層１４の影響を大幅に減少し、デュアル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子をこの理想状態に近づけることが出来る。
【００７３】
本実施形態によれば、ＧＭＲヘッドにおいて、センサ部に対して並列に配置された磁界補正部を設け、この磁界補正部にセンサ部の固定側磁性層と同一磁化方向を有する磁性層を形成することにより、センサ部の作る漏洩磁界を弱めることが出来る。この結果、適当なバイアス設計が可能となる。
（第４実施形態）
図１０は、第４実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。第４の実施形態に係るＧＭＲ素子は超格子ＧＭＲと称せられている。超格子ＧＭＲは、自由側磁性層１２と中間層１３から成る組を多数組積み重ねた多層構造、又は自由側磁性層１２，中間層１３及び固定側磁性層１４からなる組を、非磁性層１６を介して、多数組積み重ねた多層構造をとる。固定側磁性層１４は硬質磁性膜から成り、このため反強磁性層を必要としない。
【００７４】
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、センサ部１０として、基板１の上に、１番目の組として第一自由側磁性層１２−１，中間層１３−１及び固定側磁性層１４−１の組、２番目の組として第二自由側磁性層１２−２，中間層１３−２及び固定側磁性層１４−２の組、……、ｎ番目の組として第ｎ自由側磁性層１２−ｎ，中間層１３−ｎ及び固定側磁性層１４−ｎの組が順次積層されている。各組の間には、非磁性層１６が夫々介在配置されている。
【００７５】
更に、超格子ＧＭＲ素子は、センサ部１０と同一構成の磁界補正部２０を有する。しかし、この磁界補正部２０の内、必須の部材は、磁性層２４−１，磁性層２４−２，……，磁性層２４−ｎであることを承知されたい。
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子に外部磁界を加えると、保磁力の弱い自由側磁性層１２の磁化方向が回転し、固定側磁性層１４の磁化方向と一致したとき（即ち、θ＝０度）、電気抵抗は最小となり、逆になったとき（即ち、θ＝１８０度）、電気抵抗は最大となる。超格子ＧＭＲ素子は、界面の数がスピンバルブ構造に比較して多いので、抵抗変化を大きくすることが出来る特徴を有する。しかし、層構成が複雑になり、製造面において低価格化は期待できない。
【００７６】
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、基板１上のセンサ部１０及び磁界補正部２０が、各々、反強磁性層を除くシングル・スピンバルブ構造が多数組み積層された特徴を有している。従って、図１０に示す超格子ＧＭＲ素子の動作は、図１に示すＧＭＲ素子のそれと同様に理解できる。同様に、図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、磁性層と非磁性層の界面の面数が多いことを除き、例えば図４及び図８に関連して説明したような図１のＧＭＲ素子と同じであり、図１のＧＭＲ素子の有する特徴・効果を有している。
［ＧＭＲヘッドの製造方法］
次ぎに、第１〜第４の実施形態のＧＭＲ素子の製造方法について簡単に説明する。
【００７７】
図１１は、第１実施形態（図１参照）のシングル・スピンバルブ構造をもつＧＭＲ素子の製造工程フローを説明する図である。
図１１（Ａ）に示すように、基板１上に、センサ部１０及び磁界補正部２０の各層（スピンバルブ膜）が一体にスパッタリング法により成膜される。即ち、センサ部１０の自由側磁性層１２、中間層１３、固定側磁性層１４、反強磁性層１５及びこれらに対応する磁界補正部２０の各層が、順次、同時に成膜される。その上に、この後のイオンミルに耐え得るように、レジストとアルミナから成るオーバハング形状の二層構造レジスト１７が形成される。
【００７８】
図１１（Ｂ）に示すように、スパッタリングにより積層された部分は、イオンミルにより、センサ部１０、間隔部分ｇ及び磁界補正部２０の全体に相当する矩形形状にパターニングされる。
図１１（Ｃ）に示すように、下地層としてのハード膜１８及びその上に電極膜１９を成膜する。この際、ハード膜１８及び電極膜１９は、センサ部１０の素子幅方向両端部にのみ配置することが好ましい。センサ部１０と磁界補正部２０の両方にセンス電流が流れる場合に比較して、センサ部１０の自由側磁性層１２に選択的にセンス電流が流れた方が、抵抗変化率が大きく、効率的であるからである。
【００７９】
反対に、センサ部１０と磁界補正部２０の両方にセンス電流が流れた場合、ＧＭＲヘッド全体として、総合的な抵抗変化率は低下してしまう。その理由は、磁気ディスク（図示せず。）を基準にして磁界補正部２０はセンサ部１０より遠方にあるため、外部信号磁界Ｈｓｉｇによる磁化方向の変化が小さく、抵抗変化率は相対的に小さいからである。しかし、ＧＭＲヘッドの製造上の観点からは、センサ部１０と磁界補正部２０の両方の幅方向両端部に対して、ハード膜１８及び電極膜１９を成膜するする方が、製造工程が複雑にならず、効率的である。結局、得られるＧＭＲヘッドの特性と、余分にかかる製造コストとの兼ね合いから、何れかが選択される。
【００８０】
図１１（Ｄ）に示すように、二層構造レジスト１７をリフトオフする。
図１１（Ｅ）に示すように、センサ部１０と磁界補正部２０の間の間隔ｇ（図１参照）に相当する部分を溝とした二層構造レジスト１７ｇが形成される。その後、イオンミルによって、素子間隔ｇに相当する溝を形成し、その後この二重構造レジストをリフトオフする。
【００８１】
以上の工程により、図１に示すＧＭＲ素子が製造される。なお、製造方法はこれに限定されず、各種の選択性エッチング，リフトオフ，イオンミル，写真製版技術を応用して任意に採用し得る。
第２実施形態の層構成反転型シングル・スピンバルブ構造（図５参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜順序を逆にすることを除き、第１実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
【００８２】
第３実施形態のデュアル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子（図６参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜時に第二中間層１３−２，第二固定側磁性層１４−２，第二反強磁性層１５−２を追加的に成膜することを除き、第２実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
第４実施形態の超格子ＧＭＲ素子（図１０参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜時に図１０に示すように各層を成膜することを除き、第１実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
［磁気ディスク駆動装置］
図１２は、本実施形態に係る磁気ディスク駆動装置の要部を示す図である。上述した構成を有し、上述した製造工程で製造されたＧＭＲヘッドを用いた磁気ディスク駆動装置を簡単に説明する。この磁気ディスク駆動装置は、磁気記録媒体として磁気ディスク３０が搭載され、回転駆動される。この磁気ディスク３０の表面に対向し、約２０ｎｍ程度の浮上量でGMR ヘッド３２が配置され、記録再生動作が行われる。ヘッド３２の位置決めは、通常のアクチュエータと電磁式微動アクチュエータを組み合わせた２段式アクチュエータ３４を採用している。更に、吸着フリー・スライダ３６を採用してスライダと磁気ディスクの吸着を防いでいる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、新規なＧＭＲヘッドを提供することが出来る。
更に本発明によれば、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドを提供することが出来る。
【００８４】
更に本発明によれば、新規なＧＭＲヘッドの製造方法を提供することが出来る。
更に本発明によれば、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドの製造方法を提供することが出来る。
【００８５】
更に本発明によれば、これらＧＭＲヘッドを利用した磁気ディスク駆動装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 シングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図２】 図１のＧＭＲ素子の固定側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図３】 図１のＧＭＲ素子の自由側磁性層の磁界分布を計算するために用いたシングル・スピン構造のモデルを説明する図である。
【図４】 図１のＧＭＲ素子の自由側磁性層の磁界分布の計算結果を示すグラフである。
【図５】 層構成反転型シングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図６】 デュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図７】 図６のデュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁界分布の計算結果を示すグラフである。
【図８】 図３のシングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図９】 図６のデュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図１０】 超格子ＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図１１】 図１のシングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の製造工程フローを示す図である。
【図１２】 図１，図５，図６又は図１０に示すＧＭＲ素子を用いた磁気ディスク駆動装置の要部を示す図である。
【図１３】 ＧＭＲヘッドが用いられる複合型磁気ヘッドと磁気ディスクの要部を示す図である。
【図１４】 スピンバルブ素子を説明する図である。
【図１５】 スピンバルブ素子の動作を説明する図である。
【図１６】 スピンバルブ素子のＧＭＲ効果を説明する図である。
【符号の説明】
１０：センサ部、 １１：基板、 １２：自由側磁性層（フリー層）、 １３，２３：中間層（非磁性金属層）、 １４：固定側磁性層（ピンド層）、 １５，２５：反強磁性層（ピニング層）、 １６：非磁性層、 １７：オーバハング形状レジスト、 １８：ハード膜、 １９：電極膜、 ２０：磁界補正部、 ２２，２４：磁性層、
ｗ：素子幅、 ｈ：素子高さ、 ｇ：素子間隔、 Ｍｐ：固定側磁性層の磁化、 Ｍｐ′：磁性層の磁化、 Ｍｆ：自由側磁性層の磁化、
【発明の属する技術分野】
本発明は、一般に、ＧＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドの製造方法及び磁気デュスク駆動装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】
１９９０年代に入ってから、磁気ディスク駆動装置の上記機種の面記録密度は、１０年間で１００倍のペースで拡大してきた。このペースが続けば、２０００〜２００１年頃に、１０Ｇビット／（インチ）２になる。最近になって、巨大磁気抵抗（ＧＭＲ giant magnetoresistive ）効果を利用したＧＭＲヘッドの試作によって、この目標に向けて大きく前進した。
【０００３】
図１３は、GMR ヘッド１００を磁気ディスク駆動装置に使用した場合の複合型磁気ヘッド１１２全体の構成と、この複合型磁気ヘッド１１２に対面して位置決めされた、例えば磁気ディスクのような記録媒体１１４とを示している。複合型磁気ヘッド１１２は、大別して、再生ヘッド１１６と記録ヘッド１１８とから構成され、再生ヘッド１１６の再生上部シールド１２０が記録ヘッド１１８の記録下部磁極（下部コア）１２０を兼用するマージ型で、再生ヘッド１１６の背部に記録ヘッド１１８を付加するピギーパック構造となっている。ここで、GMR ヘッド１００は、複合型磁気ヘッド１１２の内の再生ヘッド１１６として使用されている。
【０００４】
即ち、図１３に示すように、再生ヘッド１１６は、GMR 素子１００を利用しており、GMR 膜１２２及び電極端子１２４ａ，１２４ｂ並びにその両側に配置された再生下部シールド１０２及び再生上部シールド１２０から成る。
記録ヘッド１１８は、記録コイル１２８及びこの記録コイルの周囲を包囲する有機絶縁層１３０と、この有機絶縁層１３０と磁極ギャップ膜１３２の両側に配置された、記録下部磁極１２０と記録上部磁極１３４とを有している。
【０００５】
図１４は、一般的なＧＭＲヘッド１００の構成を示す図である。ＧＭＲヘッド１００は、再生下部シールド１０２に形成された下部ギャップ膜（図示せず。）から成る基板１０１と、この基板の上に形成された自由側磁性層１０２と、この自由側磁性層の上に形成された中間層１０３と、この中間層の上に形成された固定側磁性層１０４と、この固定側磁性層の上に形成された反強磁性層１０５と、好ましくは自由側磁性層，中間層及び固定側磁性層の両側端に夫々接続された電極端子１２４ａ，１２４ｂ（図１３参照）とを有している。これら自由側磁性層１０２、中間層１０３，固定側磁性層１０４及び反強磁性層１０５を、スピンバルブ膜１２２とも称している。
【０００６】
図１５（Ａ）〜（Ｄ）は、磁化方向によるスピンバルブ膜の抵抗変化を説明する図である。図１５に示すように、スピンバルブ膜１２２は４層構造を採る。２層の（自由側、固定側）磁性層１０２，１０４を、薄い中間層（非磁性中間層）１０３で分離し、片方の（固定側）磁性層１０４の上に反強磁性層１０５を設ける。こうすることで、反強磁性層１０５と接した固定側磁性層１０４は、反強磁性層の固定側磁性層側の界面部分反強磁性の磁化方向と同方向に磁化Ｍｐされた状態になる。
【０００７】
一方、中間層１０３で分離された（自由側）磁性層１０２は、決まった磁化方向を採らない。図１５（Ｃ）に示すように、固定側磁性層１０４は、一度決まった磁化方向を保つ力（固定力）が大きく、自由側磁性層１０２は固定力が小さくなる。
ここに、外部磁界をかけると、自由側磁性層１０２が磁化Ｍｆされ、磁化方向が決まる。自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向が、角度１８０度（逆方向）のとき（図１５（Ａ）参照）、スピンバルブ膜の電気抵抗は最大になる。 図１６（Ａ）及び（Ｂ）は、GMR 効果の発生原理を説明する図である。図１６（Ａ）に示すように、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向が逆方向のときは、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の一方から他方に移動しようとする電子が、中間層（非磁性層）／磁性層界面で高い確率で散乱するからである。
【０００８】
ここで、図１５（Ｂ）に示すように、自由側磁性層１０２と固定側磁性層１０４の磁化方向を角度ゼロ（同一）にすると、図１６（Ｂ）に示すように、中間層（非磁性層）／磁性層界面での散乱が起きにくくなり、電気抵抗が最小となる。更に説明すると、移動しようとする電子には、アップスピンとダウンスピンの２種類があり、磁化方向に対して何れか一方に散乱現象が生じる。図１６（Ａ）と（Ｂ）の何れの場合も、電子の散乱は発生しているが、図１６（Ａ）に比較して、図１６（Ｂ）の方が、その発生する確率が低くなっている。
【０００９】
角度０〜１８０度の範囲では、図１５（Ｄ）に示すように、、スピンバルブ膜１２２の電気抵抗は、固定側磁性層１０４の磁化Ｍｐの方向に対する自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの相対的角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。このように、スピンバルブ構造のＧＭＲ素子では、自由側磁性層の磁化方向が磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇにより変化し、ＧＭＲ素子の抵抗は固定側磁性層の磁化方向との相対角度θに比例して変化する。
【００１０】
従って、このようなＧＭＲ膜１２２を磁気ヘッドとして用いる場合には、固定側磁性層１０４の磁化Ｍｐの方向を一定の方向に固定し、外部信号磁界が印加されていない状態における自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向を固定側磁性層１０４と直交する方向（角度９０度）に設定することにより、外部磁界に対して、抵抗値がθ＝９０度の抵抗値を中心にしたゼロ〜±最大値の対称的な線形出力として得られることになる。このような対称的な抵抗変化は、磁気ディスク駆動装置の再生信号処理を容易にする。
【００１１】
【発明が解決しようとする課題】
しかし、実際のスピンバルブ素子においては、自由側磁性層１０２にかかる磁界には、磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇの他に、主に、固定側磁性層１０４と自由側磁性層１０２との間に働く交換結合磁界、固定側磁性層１０４の端面に生じる磁荷により発生する磁界、ＧＭＲ素子に流れるセンス電流が発生するセンス電流磁界、等のノイズ磁界が存在して、図で見てＹ軸方向（素子高さ方向）にかかっている。従って、これらのノイズ磁界によって、外部信号磁界Ｈｓｉｇが存在しない場合でも、自由側磁性層１０２の磁化方向がＸ軸方向（素子幅方向）以外の方向を向き、この結果、外部信号磁化により素子抵抗が非線形的に変化する傾向にある。
【００１２】
自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向をＸ軸方向（素子幅方向）に向けるためには、Ｙ軸方向（素子高さ方向）又はＸ軸方向（素子幅方向）に向かう新たな磁界を印加して、上述のノイズ磁界をうち消す必要がある。これら印加される磁界の内、上述のＹ軸方向にかかるノイズ磁界をうち消すに必要な磁界を、一般に、バイアス磁界と呼んでいる。
【００１３】
バイアス磁界は、原理的には、上述の交換結合磁界、固定側磁性層からの磁界及びセンス電流磁界の総和の大きさ及び方向を考慮する必要がある。そして、実際の磁気ヘッドの設計に於いては、このバイアス磁界をゼロにするように、ＧＭＲ素子の設計をする必要がある。
一方、ＧＭＲヘッドの寸法は、磁気記録媒体の記録密度に依存して決定される。磁気記録媒体の記録の高密度化によって、磁気記録媒体に記録された磁化情報の幅方向寸法（図１３のトラック幅）が極めて小さくなるにつれ、このような磁化情報を正確に読み取るため、素子の幅方向（Ｙ軸方向）寸法ｗを極めて小さくする必要がある。
【００１４】
この場合、素子高さ方向（Ｘ軸方法）寸法ｈが、素子幅方向寸法ｗに比較して極端に長い場合には、このような細長い素子形状から自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向が長手方向（Ｘ軸方法）に固定されやすくなる。
従って、スピンバルブ素子の素子高さ方向寸法ｈは、素子幅方向寸法ｗと比較して、同一か又はそれ以下であることが望ましい。同様に、外部信号磁界は、素子高さ方向には侵入しにくくなるため、素子高さ寸法ｈは、素子幅寸法寸法ｗに比較して、それ以下であることが望ましい。
【００１５】
実際に使用される素子寸法数μｍ×数μｍのオーダのスピンバルブ素子に於いては、磁気記録媒体の記録の高密度化に伴って素子高さｈが減少した場合には、固定側磁性層１０４から自由側磁性１０２に対する静磁気的な結合（交換相互作用）が相対的に強くなり、自由側磁性層１０２の磁化Ｍｆの方向は固定側磁性層１０４の磁化方向に対して反平行状態に成り易く、適当なバイアス点を実現することが困難となる。
【００１６】
一方、ＧＭＲ素子の素子高さ方向寸法ｈを維持しながら素子幅方向寸法ｗのみを小さくした場合には、磁気記録媒体からの外部信号磁界Ｈｓｉｇによって自由側磁性層１０２の磁化は、磁気記録媒体に比較的近い部分では外部信号磁界の変化に対応して回転するものの、比較的遠い部分では外部信号磁界が変化してもほとんど変化しなく、抵抗変化として現れない。この結果、ＧＭＲ素子の磁気記録媒体に比較的遠い部分は、再生出力に寄与することが少なく、全体として再生感度は低下する。
【００１７】
高密度磁気記録の要請の観点からはＧＭＲ素子の寸法は小さくせねばならず、一方、適正なバイアス点を確保する観点からは、素子高さｈを余り小さくすることは出来ない。この相反条件を解決するため、次善の策として、ＧＭＲ素子の素子高さｈは比較的小さくし、この条件下でバイアス点を適正位置に確保するため、バイアス磁界を打ち消す方向にセンス電流磁界が発生するように電流方向を設定する方法も考えられる。しかし、許容センス電流には一定の限度があり、センス電流の方向の設定によるバイアス磁界の改善では大きな効果は望めない。
【００１８】
或いは、固定側磁性層１０４の磁化の量を減らして、自由側磁性層に対する影響を減少する方策も考えられるが、固定側磁性層は一定膜厚以上が必要であり、磁化量の減少には限界がある。
或いは、固定側磁性層１０４と自由側磁性層１０２との間の中間層（非磁性層）１０３の厚さを相対的に薄くして、両層間に働く強磁性的な磁気結合力を強くして、静磁性的な結合を補償（compensate）する方策も考えられるが、中間層の膜厚を１０数オングストロームのオーダで成膜しなければならず、実用的でない。
【００１９】
更に、後で第３実施形態に関連して記載するデュアル型スピンバルブ構造を用いる場合には、磁気抵抗変化が相対的に大きく再生感度が向上する反面、固定側磁性層が二層となっているため、これらの固定側磁性層からの漏れ磁界が一層増加し、上述のような方策では対応することが出来ず、バイアス磁化を実質的に減少させる新たな方策が必要となる。
【００２０】
【課題を解決するための手段】
従って、本発明は、新規なＧＭＲヘッドを提供することを目的とする。
更に、本発明は、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させて、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドを提供することを目的とする。
【００２１】
更に、本発明は、新規なＧＭＲヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
更に、本発明は、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドの製造方法を提供することを目的とする。
【００２２】
更に、本発明は、これらＧＭＲヘッドを利用した磁気ディスク駆動装置を提供することを目的とする。
上記問題点に鑑みて、本発明に係るＧＭＲヘッドは、センサ部と該センサ部から素子高さ方向に並列関係で独立した磁界補正部とを備え、前記センサ部は、少なくとも、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層を有し、前記磁界補正部は、前記センサ部と実質的に同じ層構成を有している。このような構成を採択することにより、上述した課題であるバイアス磁界の減少、即ち、主たる要因である固定側磁性層から自由側磁性層にかかる漏洩磁界を減少させている。
【００２４】
このように、センサ部と磁界補正部とを素子高さ方向に並列関係で独立して形成することにより、磁界補正部は、センサ部と同じ工程により同時に容易に形成できる。
【００２５】
また、上述した課題であるバイアス磁界の減少、即ち、主たる要因である固定側磁性層からの磁界を減少させるため、本発明は、固定側磁性層の素子高さ寸法を自由側磁性層及び中間層の素子高さ寸法と異なる寸法とすることで、固定側磁性層からの磁界を減少させている。
本発明は、スピンバルブ構造を構成する固定側磁性層が自由側磁性層に対して作る磁界を弱めることにより、自由側磁性層が固定側磁性層と反平行状態になることを抑制している。この結果、外部信号磁界が存在しない状態で、自由側磁性層の磁化方向と固定側磁性層の磁化方向を実質的に直交にすることが出来る。
【００２６】
このような発明の原理は、以下の述べるＧＭＲヘッドの各種の形態に適用し得る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、少なくとも前記自由側磁性層、中間層，固定側磁性層に加えて、反強磁性層をもつスピンバルブ膜を有している。
【００２７】
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、前記自由側磁性層、前記中間層、前記固定側磁性層及び反強磁性層がこの順序で形成されたシングル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、反強磁性層、前記固定側磁性層、前記中間層及び前記自由側磁性層がこの順序で形成された層構成反転型シングル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
【００２８】
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、第一反強磁性層、第一固定側磁性層、第一中間層、自由側磁性層、第二固定側磁性層及び第二反強磁性層がこの順序で形成されたデュアル・スピンバルブ構造を採ることが出来る。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドは、上述のＧＭＲヘッドに於いて、前記センサ部が、基板の上に、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層から成る組を、非磁性層を介して、複数組設けた超格子ＧＭＲ構造を採ることが出来る。
【００２９】
これらＧＭＲヘッドに於いて、磁界補正部の機能を十分発揮するためには、前記センサ部と前記磁界補正部は、素子高さ方向に０．１μｍ以下の素子間隔を有して離れていることが好ましい。理想的には、この素子間隔は、約０．０１μｍの素子間隔を隔てて離れていることが好ましい。
更に本発明に係るＧＭＲヘッドの製造方法は、基板上に、少なくとも自由側磁性層を積層し、該自由側磁性層の上に中間層を積層し、該中間層の上に固定側磁性層を積層し、該固定側磁性層の上に反強磁性層を積層してスピンバルブ膜を形成し、前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する、諸工程を含んでいる。この場合、前記前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する工程は、イオンミル法によって行われることが好ましい。
【００３０】
更に本発明に係る磁気ディスク駆動装置は、少なくとも、上述した何れかのＧＭＲヘッドと、前記ＧＭＲヘッドに対向して配置された磁気ディスクと、前記ＧＭＲヘッド及び前記磁気ディスクを制御する制御機構とを備えている。
【００３１】
【発明の実施の形態】
以下、本発明に係るＧＭＲヘッド、ＧＭＲヘッドの製造方法及び磁気デュスク駆動装置の第１〜４の実施形態に関し、添付の図面を参照しながら詳細に説明する。
以下に説明する実施形態の原理は、ＧＭＲ素子のセンサ部の固定側磁性層と同一方向に磁化を固定した磁性層を、素子高さ方向に並列関係でこの固定側磁性層と独立に配置することにより、センサ部の固定側磁性層からこの磁性層に対する漏洩磁界の影響を減少させていることにある。この結果、バイアス点の改善が達成される。以下、この原理が、ＧＭＲ素子の諸形態に対応して、どのように実現されているかを第１〜第４の実施形態に沿って説明する。
【００３２】
なお、図面中、同一の要素に対しては、同一の符号を付して、重複した説明を省略する。
［ＧＭＲヘッド］
（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。このＧＭＲ素子は、そのセンサ部１０の構造から、図６に示すＧＭＲ素子との対比において、「シングル・スピンバルブ構造」とも呼ばれている。
【００３３】
図１に示すシングル・スピンバルブ構造は、基板１１上に、概略的に、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。従来のスピンバルブ構造と比較して、磁界補正部２０が追加的に設けられている点で相違する。
センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された自由側磁性層（「フリー層」とも言う。）１２と、この自由側磁性層の上に形成された中間層（非磁性金属層）１３と、この中間層の上に形成された固定側磁性層（「ピンド層」ともいう。）１４と、この固定側磁性層の上に形成された反強磁性層（「ピニング層」とも言う。）１５とが、この順序で積層されている。
【００３４】
反強磁性層１５は隣接する固定側磁性層１４の磁化方向を固定する機能を担っている。そのため、これを取り去ると、固定側磁性層１４の磁化方向が外部磁界によって変わり易くなる。しかし、固定側磁性層１４に硬質磁性層を使用すれば磁化方向は固定されるので、その場合は反強磁性層１５を省略することができる。しかし、現時点においては、ＧＭＲ素子に反強磁性層１５を設けた方が、一層良好なＧＭＲ特性を示している。
【００３５】
ＧＭＲ素子の外形寸法を特定するため、磁気記録媒体である磁気ディスク（図示せず。）に対向する面であるＡＢＳ面（Air Bearing surface ）から見て、幅方向の長さを素子幅ｗと称し、センサ部１０の奥行き方向の長さを素子高さｈと称し、センサ部１０と磁界補正部２０の間隔を素子間隔ｇ称する。このセンサ部１０の物理的な外形寸法は、公称値で、ｗ＝０．３μｍ、ｈ＝０．３μｍ、ｇ＝０．０１μｍである。
【００３６】
なお、本明細書では、説明上、ＧＭＲ素子の磁化方向を容易に特定するため、素子幅ｗ方向をＸ軸方向、素子高さｈ方向をＹ軸方向、各層の膜厚方向又は積層方向をＺ軸方向と規定する。
これら各要素は、本実施形態では、次のような膜厚及び組成から成っている。基板１１は、再生下部シールド層（図１１参照）の上に下部ギャップ膜として設けられた絶縁膜から成り、この絶縁膜には、表面を平坦化するために膜厚約５０オングストローム〔Å〕のタンタル（Ｔａ）からなる薄膜が下地層として被覆されている。
【００３７】
自由側磁性層１２は、図では一層に描かれているが、実際には、膜厚約４０Åの鉄ニッケル（ＦｅＮｉ）から成る薄膜と膜厚約２５Åの鉄コバルト（ＣｏＦｅ）から成る薄膜の２層構造となっている。
中間層１３は、非磁性金属層であり、膜厚約２４Åの銅（Ｃｕ）の薄膜から成る。
【００３８】
固定側磁性層１４は、自由側磁性層１２と同じコバルト鉄（ＣｏＦｅ）の薄膜からなり、膜厚は約２２Åとなっている。
反強磁性層１５は、膜厚約２５０Åのパラジウム白金マンガン（ＰｄＰｔＭｎ）の薄膜から成っている。
一方、磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成にすることが出来る。しかし、磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は、センサ部１０の固定側磁性層１４に対応する磁性層２４であり、他の各層は必ずしも必須なものではない。磁界補正部２０をセンサ部１１と同一の層構成とした理由は、このシングル・スピンバルブ構造の製造上、磁界補正部２０をセンサ部１０と同一工程により容易に製造し得るという理由に過ぎない。
【００３９】
従って、図１に示す磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成を有している。しかし、センサ部１０の各層に関する命名の「自由側」，「固定側」は各々の機能を表す部分であり、磁界補正部２０では夫々そのような機能を期待し又は十分発揮されている訳でないので、これら機能表示部分は省略されている。
即ち、磁界補正部２０は、センサ部１０と同一基板１１の上に形成された磁性層２２と、この磁性層の上に形成された中間層（非磁性金属層）２３と、この中間層の上に形成された磁性層２４と、この磁性層の上に形成された反強磁性層２５とが、この順序で積層されている。各層を形成する薄膜の組成、膜厚、物理的外形寸法は、センサ部１０の対応する各層のそれらと夫々同一でよい。
【００４０】
図２は、図１のセンサ部１０内にある固定側磁性層１４の磁化Ｍｐの方向を説明する図である。固定側磁性層１４は、図中、実線の矢印で示されるように、素子高さ方向（Ｙ軸方向）に固定的に磁化されている。この磁化方向の固定は、先ず、製造工程の最終段階で、反強磁性層１５が、磁界中熱処理される。反強磁性層１５の下地層として隣接している固定側磁性層１４は、反強磁性層の固定側磁性層側の界面部分の磁化の交換相互作用によって、この界面部分の磁化方向と同方向に固定的に磁化された状態になる。
【００４１】
また、磁界補正部２０はセンサ部１０と同一構成を有し、同一処理工程を経て製造されるため、この固定側磁性層１４に対応する磁界補正部２０内の磁性層２４も図に示すように磁化Ｍｐの方向と同一方向に磁化Ｍｐ′されている。但し、予め磁性層２４の磁化方向を固定することは必須なものでなく、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐが固定されることにより、固定側磁性層１４の漏洩磁界中にある磁性層２４も必然的に図示のように磁化さることは容易に理解される。
【００４２】
センサ部１０の自由側磁性層１２は、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対して角度約９０度を成すようにＸ軸方向に磁区制御されている（図中、破線の矢印で示す。）。しかし、自由側磁性層１２の磁区制御は非常に弱く、磁化Ｍｆの方向は固定的なものでない。即ち、固定側磁性層１４は一度決まった磁化方向を保つ力（固定力）が非常に大きく、一方、自由側磁性層１２の固定力は非常に小さくなっている。
【００４３】
このような状態で、外部磁界、即ち磁気ディスク（図示せず。）からの信号磁界Ｈｓｉｇがかかるると、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの方向が回転して変化する。固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対し、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの相対的方向が角度１８０度と逆方向のとき、スピンバルブ膜の電気抵抗は最大となる。また、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐに対し、自由側磁性層１２の磁化Ｍｆの相対的方向が角度ゼロと同一方向のとき、スピンバルブ膜の電気抵抗は最小となる。これら角度０〜１８０度の間では、スピンバルブ素子の電気抵抗は、固定側磁性層１４の磁化方向に対して自由側磁性層１２の磁化方向の成す相対的な角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。
【００４４】
従って、スピンバルブ素子の両端に形成された一対の電極膜（図１１参照）の間に一定電流（センス電流）を流すことにより、外部信号磁界Ｈｓｉｇによるスピンバルブ素子の抵抗変化は、電圧変化として検出できる。
図３は、図１のシングル・スピンバルブ構造の特徴及び効果を説明するため用いたモデルであり、このシングル・スピンバルブ素子は、Ｘ軸方向から見て表されている。発明者等は、自由側磁性層１２が固定側磁性層１４から受ける磁界の影響を、自由側磁性層１２の膜厚方向（Ｚ軸方向）中心部において素子幅方向（Ｙ軸方向）に沿って求めるため、図中、×印で示す箇所の磁界分布を算出している。
【００４５】
図４は、図３のシングル・スピンバルブ構造のモデルに基づき計算された、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向（Ｙ軸方向）成分を示すグラフである。この計算は、市販のアプリケーション・ソフトを使用し、積分要素法によって行われた。
グラフの横軸は、センサ部１０の素子高さ寸法（Ｙ軸方向）が０．３μｍであることよりＡＢＳ面を基準にして、この基準からの距離、即ちＡＢＳ面をゼロ、ＡＢＳ面の反対側（磁界補正部対向面）を０．３μｍとなるように目盛ってある。縦軸は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向成分（Ｙ軸方向成分）をエルステッド（Ｏｅ）単位で示している。また、図中の特性曲線は、素子間隔ｇをパラメータとしている。
【００４６】
実線で示す特性曲線は、従来技術の磁界補正部２０を設けていない場合、即ち素子間隔ｇ＝∞の場合を示す。磁界補正部２０を設けた場合、素子間隔ｇを変化させて、自由側磁性層１２にかかる磁界の大きさを求めている。素子間隔ｇ＝０．１μｍのときを破線で示し、ｇ＝０．０５μｍのときを点線で示し、ｇ＝０．０１μｍのときを一点鎖線で、夫々示している。
【００４７】
このグラフより、従来技術の磁界補正部２０が存在しない場合（実線）に比較して、磁界補正部２０を設けた方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が抑制されていることが分かる。更に、素子間隔ｇが小さい方が、即ちセンサ部１０と磁界補正部２０がより接近している方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が一層抑制されていることが分かる。例えば、素子高さｈの中間位置ｈ＝０．１５μｍの位置で、従来技術の磁界補正部２０が存在しないとき（ｇ＝∞）、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２に対して磁界が５８ Ｏｅ程度かかっている。これに対し、本実施形態の磁界補正部２０を設けたとき、素子間隔ｇ＝０．１μｍでは磁界が５４ Ｏｅであり、ｇ＝０．０５μｍでは磁界が５０ Ｏｅであり、ｇ＝０．０１μｍでは磁界が４３ Ｏｅと減少している。即ち、素子間隔ｇは小さければ小さいほど、自由側磁性層１２にかかる磁界は一層減少している。
【００４８】
この結果、代表的には、固定側磁性層１５が作る磁場は、素子間隔ｇ＝０．０１μｍのとき自由側磁性層１２のＹ軸方向中間位置で、従来技術の５８ Ｏｅから４３ Ｏｅに減少する。
ここで、図３に示すシングル・スピンバルブ構造では、自由側磁性層１２と固定側磁性層１４とは、中間層１３を介して積層状態にある。このような薄い中間層を介した構成では、自由側磁性層１２と固定側磁性層１４との交換相互作用により結合（interlayer coupling ）され、この交換結合磁界の大きさは中間層１３の膜厚が約２４Åの場合で約２０ Ｏｅとなる。この交換結合磁界は、これら自由側磁性層１２，固定側中間層１３及び固定側磁性層１４の構成が同一である限り、磁界補正部２０又は磁性層２４の存在の有無に拘わらず、同一である。
【００４９】
従って、これら代表的な計算値からこの交換結合磁界分を夫々差し引くと、結局、バイアス磁界分は３８ Ｏｅから２３ Ｏｅへと、約４０％減少する。この減少分は、ＧＭＲ素子のセンサ部１０に対して並列関係にこれと独立に配置された磁界補正部２０の磁性層２４の存在によって相殺された結果と考えられる。
なお、本実施形態において、磁界補正部２０の磁性層２４が予め磁化方向が固定されていない場合でも、センサ部１０の固定側磁性層１４からの漏洩磁界によってこの磁性層２４は磁化させることより、同一の効果が得られると考えられる。
【００５０】
図８（Ａ）及び（Ｂ）は、上述の作用・効果を単純化して定性的に説明する図である。図８では、図を見易くするために、センサ部１０の自由側磁性層１２と固定側磁性層１４及び磁界補正部２０の磁性層２４以外の各要素は全て省略している。図８（Ａ）に示すように、固定側磁性層１４はＹ軸正方向に固定的に磁化されている。固定側磁性層１４の周囲には磁界の場が形成され、従来の磁界補正部が存在しない場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束Ｂ１の大部分は自由側磁性層１２に到達し、また、自由側磁性層１２から発生する漏れ磁束Ｂ１の大部分は固定側磁性層１４に到達する。従って、自由側磁性層１２は、理想的には、Ｘ軸方向に磁化されている必要があるにかかわらず、Ｙ軸負の方向に磁化される傾向にある。
【００５１】
図８（Ｂ）は、このような状況下に於いて、固定側磁性層１４に素子高さ方向（Ｙ軸方向）に並列関係で、僅かな間隔を空けて独立して、磁性層２４を設けた場合を示す。磁性層２４は、原則として、固定側磁性層２４と同一製造工程を経て同一構成に形成されている。従って、磁性層２４も、固定側磁性層２４と同じようにＹ軸正方向に固定的に磁化されている。このような場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束の大部分Ｂ２は磁性層２４に到達し、僅かな漏れ磁束部分Ｂ３のみが自由側磁性層１２の一端に到達する。
【００５２】
磁性層２４の他端から発生する磁束Ｂ４は、自由側磁性層１２に到達するが、この間の距離は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２までの距離に比較して、概して２倍以上に離れている。磁束密度は距離ｒの自乗に反比例するため、磁性層２４の他端から自由側磁性層１２に到達する磁束密度は１／４以下に減少している。
【００５３】
この結果、磁性層２４により、自由側磁性層１２が固定側磁性層１４から受ける漏れ磁界の影響は大幅に減少し、自由側磁性層１２がＹ軸負方向に磁化される程度は大幅に減少する。自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すように磁区制御されていることが望ましい。本実施形態では、磁界補正部の磁性層２４を設けることにより、自由側磁性層１２に対する固定側磁性層１４の影響を大幅に減少し、シングル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子をこの理想状態に近づけることが出来る。
【００５４】
なお、上述したように、磁性層２４は、前もって磁化されていなくてもよい。磁性層２４を固定側磁性層１４の磁界の場に配置することにより、Ｙ軸正方向に容易に磁化されるからである。
更に、図８（Ｂ）から、センサ部１０と磁界補正部２０の間、即ち固定側磁性層１４と磁性層２４の間の間隔ｇが存在しない場合でも同一効果を奏することが分かり、素子間隔ｇは必ずしも必要がないことが分かる。従って、本発明は、シングル・スピンバルブ構造に於いて、自由側磁性層１２に対し、固定側磁性層１４を素子高さ方向（Ｙ軸方向）に相対的に長くしたことを特徴とする発明として把握し得る。
【００５５】
この間隔ｇは、磁性層２４を固定側磁性層１４に対しＹ軸方向に並列関係で設けることを可能とするＧＭＲ素子の製造上の要請から設けられている。しかし、次ぎに説明する第２実施形態では、磁性層２４を基板上に形成すればよいので、素子間隔ｇは必ずしも必要でない。
【００５６】
本実施形態によれば、ＧＭＲヘッドにおいて、センサ部に対して並列に配置された磁界補正部を設け、この磁界補正部にセンサ部の固定側磁性層と同一磁化方向を有する磁性層を形成することにより、センサ部の作る漏洩磁界を弱めることが出来る。この結果、適当なバイアス設計が可能となる。
（第２実施形態）
図５は、第２実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。第２実施形態に係るＧＭＲ素子は、第１実施形態に係るＧＭＲ素子の構成（図３参照）と比較して、基板上の各層の積層順序が反転している点で相違する。本明細書では、このスピンバルブ素子を「層構成反転型シングル・スピンバルブ構造」とも呼んでいる。
【００５７】
図５に示すＧＭＲ素子は、基板１上に、概略的に、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された反強磁性層１５と、この反強磁性層の上に形成された固定側磁性１４と、この固定側磁性層の上に形成された中間層１３と、この中間層の上に形成された自由側磁性層１２とが、この順序で積層されている。なお、固定側磁性層１４に硬質磁性層を使用すれば、反強磁性層１５を省略することもできる。
【００５８】
磁界補正部２０は、センサ部１０と同一構成にすることが出来る。即ち、磁界補正部２０は、基板１１の上に形成された反強磁性層２５と、この反強磁性層の上に形成された磁性層２４と、この磁性層の上に形成された中間層２３と、この中間層の上に形成された磁性層２２とが、この順序で積層されている。磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は磁性層２４であり、他の各層は必ずしも必須なものではない。
【００５９】
図５に示す層構成反転型シングル・スピンバルブ構造を有するＧＭＲ素子は、基板１上のセンサ部１０及び磁界補正部２０の各層の積層順序が逆になっていることを除いて、図１に示すＧＭＲ素子と同じである。従って、図５に示すＧＭＲ素子の動作は、図１に示すＧＭＲ素子のそれと同じである。
同様に、図５に示すＧＭＲ素子は、例えば、図４及び図８に関連して説明したような図１のＧＭＲ素子の有する特徴・効果を有している。更に、磁界補正部２０では、反強磁性層２５の上に磁性層２４を形成すればよく、その後の工程でこの磁性層２４より上方の中間層２３と磁性層２２の形成を省略することが出来る。
（第３実施形態）
図６は、第３実施形態のＧＭＲ素子の構成を示し、図１のシングル・スピンバルブ構造との対比から、「デュアル・スピンバルブ構造」を呼ばれている。即ち、図５に示す層構成反転シングル・スピンバルブ構造の上に図３のシングル・スピンバルブ構造の基板を除いた各層を重ね、両素子の自由側磁性層１２及び磁性層２２を共通化した構成を有する。観点を変えれば、自由側磁性層１２を中心に、膜厚方向（Ｚ軸方向）に線対称の層構成を有している。
【００６０】
図６に示すデュアル・スピンバルブ構造は、基板１上に、大別して、センサ部１０と磁界補正部２０が設けられている。センサ部１０として、基板１１と、この基板の上に形成された第一反強磁性層１５−１と、この第一反強磁性層の上に形成された第一固定側磁性層１４−１と、この第一固定側磁性層の上に形成された第一中間層１３−１と、この第一中間層の上に形成された自由側磁性層１２と、この自由側磁性層の上に形成された第二中間層１３−２と、この第二中間層の上に形成された第二固定側磁性層１４−２と、この第二固定側磁性層の上に形成された第二反強磁性層１５−２とが、この順序で積層されている。
【００６１】
なお、このＧＭＲ素子の第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２の双方又は何れか一方に硬質磁性層を使用すれば、それに対応して第一及び第二反強磁性層１５−１，１５−２を省略することもできる。
図６のデュアル・スピンバルブ構造は、Ｚ軸方向の膜厚方向の長さが異なるだけで、素子幅ｗ、素子高さｈ及び素子間隔ｇは、第１図のシングル・スピンバルブ構造のそれらと同一であってよい。同様に、このデュアル・スピンバルブ構造の各要素は、図１のシングル・スピンバルブ構造の対応する各要素の膜厚及び組成と夫々同じであってよい。
【００６２】
同様に、磁界補正部２０は、センサ部１１と同一の層構成にすることが出来る。しかし、磁界補正部２０の各層のなかで本発明を実現するに必須な部材は、センサ部１０の第一及び第二の磁性層１４−１，１４−２に対応する磁性層２４−１，２４−２だけであり、他の各層は必ずしも必須なものではない。磁界補正部２０をセンサ部１１と同一の層構成とした理由は、このスピンバルブ素子の製造上、容易に製造し得るという理由に過ぎない。
【００６３】
第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２は、図中、実線の矢印で示されるように、Ｙ軸方向に固定的に磁化Ｍｐ１，Ｍｐ２されている。また、磁界補正部２０はセンサ部１０と同一構成を有し、同一処理工程を経て製造されるため、この固定側磁性層１４−１，１４−２に対応する磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２も夫々同一方向に磁化Ｍｐ１′，Ｍｐ２′されている。但し、磁性層２４の磁化方向を予め固定することは、必須なものでなく、固定側磁性層１４の磁化Ｍｐ１，Ｍｐ２が固定されることにより、磁性層２４も必然的に図示のように磁化さることは容易に理解される。
【００６４】
なお、センサ部１０の自由側磁性層１２は、固定側磁性層１４−１，１４−２の磁化方向に対して角度約９０度を成して、非常に弱く磁区制御されている。
このような状態で、外部磁界、即ち磁気ディスク（図示せず。）からの信号磁界Ｈｓｉｇがかかるると、自由側磁性層１２の磁化の方向が回転して変化する。スピンバルブ素子の電気抵抗は、第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２の磁化方向に対する、自由側磁性層１２の磁化の相対的な角度θの余弦（ｃｏｓθ）に比例する。デュアル・スピンバルブ構造では、図１のシングル・スピンバルブ構造に比較して、磁性層／非磁性層の界面数が多いため相対的に高い抵抗変化が期待できる特徴を有している。
【００６５】
ＧＭＲ素子の両端に形成された一対の電極膜（図１１参照）の間に一定電流（センス電流）を流すことにより、外部信号磁界によるＧＭＲ素子の抵抗変化は、電圧変化として検出できる。
図７は、図６のデュアル構造のＧＭＲ素子のモデルに基づき計算された自由側磁性層にかかる磁界のＹ軸（素子高さｈ）方向成分を示すグラフであり、図４のグラフに対応している。グラフの横軸は、図４と同じスケールに目盛ってある。縦軸は、固定側磁性層１４から自由側磁性層１２にかかる磁界の素子高さｈ方向成分をエルステッド単位で示している。しかし、固定側磁性層が二層有ることより、フルスケールは二倍の３００ Ｏｅに目盛られている。
【００６６】
実線で示す特性曲線は、同様に従来技術の磁界補正部２０を設けていない場合を示す。このグラフより、従来技術の磁界補正部２０が存在しない場合に比較して、磁界補正部２０を設けた方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が抑制されていることが分かる。
更に、素子間隔ｇが小さい方が、自由側磁性層１２にかかる磁界が一層抑制されていることが分かる。例えば、素子高さｈの中間位置ｈ＝０．１５μｍの位置では、従来技術の磁界補正部２０が存在しないとき、磁界は１０７ Ｏｅ程度かかっている。これに対し、本実施形態の磁界補正部２０を設けたとき、素子間隔ｇ＝０．１μｍでは磁界が１０２ Ｏｅであり、ｇ＝０．０５μｍでは磁界が９６ Ｏｅであり、ｇ＝０．０１μｍでは磁界が８２ Ｏｅとなっている。即ち、素子間隔ｇは小さければ小さいほど、固定側磁性層１４−１，１４−２から自由側磁性層１２にかかる磁界は一層減少していることが分かる。
【００６７】
この結果、代表的には、固定側磁性層１５が作る磁場は、素子間隔ｇ＝０．０１μｍのときに自由側磁性層１２のＹ軸方向中間位置（０．１５ｍｍの位置）で、従来技術の１０７ Ｏｅから８２ Ｏｅに減少している。
図６に示すデュアル構造のＧＭＲ素子では、自由側磁性層１２と第一固定側磁性層１４−１が第一中間層１３−１を介して積層状態にあり、同様に、自由側磁性層１２と第二固定側磁性層１４−２が第二中間層１３−２を介して積層状態にある。このような構成では、自由側磁性層１２と第一及び第二固定側磁性層１４−１，１４−２とが夫々交換相互作用により結合（interlayer coupling ）し、この結合の大きさは、第一及び第二中間層１３−１，１３−２の膜厚が夫々約２４Åの場合に各々約２０ Ｏｅ、合計で約４０ Ｏｅとなる。
【００６８】
従って、これら代表的な計算値からこの合計の結合分を夫々差し引くと、結局、バイアス磁界分は６７ Ｏｅから４２ Ｏｅへと約３７％減少する。この減少分は、デュアル・スピンバルブ構造のセンサ部に対して並列関係に独立に配置された磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２の存在によって相殺された結果と思われる。
【００６９】
また、本実施形態においては、磁界補正部２０の磁性層２４−１，２４−２の両方又はいずれか一方が磁化固定されていない場合でも、センサ部１０の固定側磁性層１４−１，１４−２からの漏洩磁界によってこれら磁性層２４−１，２４−２は夫々磁化させることより、同一の効果が得られると考えられる。
図９（Ａ）及び（Ｂ）は、上述の効果を単純化して定性的に説明する図であり、図１５に対応するものである。図９では、図を見易くするために、センサ部１０の自由側磁性層１２，第一及び第二の固定側磁性層１４−１，１４−２及び磁界補正部２０の磁性層２４以外の各要素は全て省略している。図９（Ａ）に示すように、両固定側磁性層１４−１，１４−２は、各々、Ｙ軸正方向に固定的に磁化されている。各固定側磁性層１４−１，１４−２の周囲には磁界の場が形成され、磁界補正部が存在しない場合、固定側磁性層１４−１，１４−２の各Ｎ極から発生する漏れ磁束Ｂ１−１，Ｂ１−２の大部分は自由側磁性層１２に到達し、また、自由側磁性層１２から発生する漏れ磁束Ｂ１−１，Ｂ１−２の大部分は固定側磁性層１４に到達する。従って、自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すようにＸ軸方向に磁区制御されていることが望ましいに拘わらず、Ｙ軸負の方向に磁化される傾向にある。
【００７０】
図９（Ｂ）は、このような状況下に於いて、各固定側磁性層１４−１，１４−２に素子高さ方向（Ｙ軸方向）に並列関係で、僅かな間隔を空けて独立して、磁性層２４−１，２４−２を夫々設けた場合を示す。これら磁性層２４−１，２４−２は、原則として、固定側磁性層１４−１，１４−２と同一製造工程を経て同一構成に形成されている。従って、これら磁性層も、固定側磁性層と同じようにＹ軸正方向に固定的に磁化Ｍｐ１′，Ｍｐ２′されている。このような場合、固定側磁性層１４のＮ極から発生する漏れ磁束の大部分Ｂ２−１，Ｂ２−２は磁性層２４−１，２４−２に夫々到達し、僅かな漏れ磁束部分Ｂ３−１，Ｂ３−２のみが自由側磁性層１２の一端に到達する。
【００７１】
磁性層２４−１、２４−２の他端から発生する磁束Ｂ４−１，Ｂ４−２は、自由側磁性層１２に夫々到達するが、この間の距離は、相対的に長い。磁束密度は距離ｒの自乗に反比例するため、各各磁性層２４の他端から自由側磁性層１２に到達する磁束密度は１／４以下に減少している。なお、上述したように間隔ｇは必ずしも必要はない。
【００７２】
この結果、磁性層２４−１，２４−２により、固定側磁性層１４−１，１４−２が自由側磁性層１２に対して与える漏れ磁界の影響は大幅に減少し、自由側磁性層１２がＹ軸負方向に磁化される程度は大幅に減少する。自由側磁性層１２は、理想的には、固定側磁性層１４の磁化方向に対して角度約９０度を成すように磁区制御されていることが望ましい。本実施形態では、磁界補正部の磁性層２４を設けることにより、自由側磁性層１２に対する固定側磁性層１４の影響を大幅に減少し、デュアル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子をこの理想状態に近づけることが出来る。
【００７３】
本実施形態によれば、ＧＭＲヘッドにおいて、センサ部に対して並列に配置された磁界補正部を設け、この磁界補正部にセンサ部の固定側磁性層と同一磁化方向を有する磁性層を形成することにより、センサ部の作る漏洩磁界を弱めることが出来る。この結果、適当なバイアス設計が可能となる。
（第４実施形態）
図１０は、第４実施形態に係るＧＭＲ素子の構成を示す図である。第４の実施形態に係るＧＭＲ素子は超格子ＧＭＲと称せられている。超格子ＧＭＲは、自由側磁性層１２と中間層１３から成る組を多数組積み重ねた多層構造、又は自由側磁性層１２，中間層１３及び固定側磁性層１４からなる組を、非磁性層１６を介して、多数組積み重ねた多層構造をとる。固定側磁性層１４は硬質磁性膜から成り、このため反強磁性層を必要としない。
【００７４】
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、センサ部１０として、基板１の上に、１番目の組として第一自由側磁性層１２−１，中間層１３−１及び固定側磁性層１４−１の組、２番目の組として第二自由側磁性層１２−２，中間層１３−２及び固定側磁性層１４−２の組、……、ｎ番目の組として第ｎ自由側磁性層１２−ｎ，中間層１３−ｎ及び固定側磁性層１４−ｎの組が順次積層されている。各組の間には、非磁性層１６が夫々介在配置されている。
【００７５】
更に、超格子ＧＭＲ素子は、センサ部１０と同一構成の磁界補正部２０を有する。しかし、この磁界補正部２０の内、必須の部材は、磁性層２４−１，磁性層２４−２，……，磁性層２４−ｎであることを承知されたい。
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子に外部磁界を加えると、保磁力の弱い自由側磁性層１２の磁化方向が回転し、固定側磁性層１４の磁化方向と一致したとき（即ち、θ＝０度）、電気抵抗は最小となり、逆になったとき（即ち、θ＝１８０度）、電気抵抗は最大となる。超格子ＧＭＲ素子は、界面の数がスピンバルブ構造に比較して多いので、抵抗変化を大きくすることが出来る特徴を有する。しかし、層構成が複雑になり、製造面において低価格化は期待できない。
【００７６】
図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、基板１上のセンサ部１０及び磁界補正部２０が、各々、反強磁性層を除くシングル・スピンバルブ構造が多数組み積層された特徴を有している。従って、図１０に示す超格子ＧＭＲ素子の動作は、図１に示すＧＭＲ素子のそれと同様に理解できる。同様に、図１０に示す超格子ＧＭＲ素子は、磁性層と非磁性層の界面の面数が多いことを除き、例えば図４及び図８に関連して説明したような図１のＧＭＲ素子と同じであり、図１のＧＭＲ素子の有する特徴・効果を有している。
［ＧＭＲヘッドの製造方法］
次ぎに、第１〜第４の実施形態のＧＭＲ素子の製造方法について簡単に説明する。
【００７７】
図１１は、第１実施形態（図１参照）のシングル・スピンバルブ構造をもつＧＭＲ素子の製造工程フローを説明する図である。
図１１（Ａ）に示すように、基板１上に、センサ部１０及び磁界補正部２０の各層（スピンバルブ膜）が一体にスパッタリング法により成膜される。即ち、センサ部１０の自由側磁性層１２、中間層１３、固定側磁性層１４、反強磁性層１５及びこれらに対応する磁界補正部２０の各層が、順次、同時に成膜される。その上に、この後のイオンミルに耐え得るように、レジストとアルミナから成るオーバハング形状の二層構造レジスト１７が形成される。
【００７８】
図１１（Ｂ）に示すように、スパッタリングにより積層された部分は、イオンミルにより、センサ部１０、間隔部分ｇ及び磁界補正部２０の全体に相当する矩形形状にパターニングされる。
図１１（Ｃ）に示すように、下地層としてのハード膜１８及びその上に電極膜１９を成膜する。この際、ハード膜１８及び電極膜１９は、センサ部１０の素子幅方向両端部にのみ配置することが好ましい。センサ部１０と磁界補正部２０の両方にセンス電流が流れる場合に比較して、センサ部１０の自由側磁性層１２に選択的にセンス電流が流れた方が、抵抗変化率が大きく、効率的であるからである。
【００７９】
反対に、センサ部１０と磁界補正部２０の両方にセンス電流が流れた場合、ＧＭＲヘッド全体として、総合的な抵抗変化率は低下してしまう。その理由は、磁気ディスク（図示せず。）を基準にして磁界補正部２０はセンサ部１０より遠方にあるため、外部信号磁界Ｈｓｉｇによる磁化方向の変化が小さく、抵抗変化率は相対的に小さいからである。しかし、ＧＭＲヘッドの製造上の観点からは、センサ部１０と磁界補正部２０の両方の幅方向両端部に対して、ハード膜１８及び電極膜１９を成膜するする方が、製造工程が複雑にならず、効率的である。結局、得られるＧＭＲヘッドの特性と、余分にかかる製造コストとの兼ね合いから、何れかが選択される。
【００８０】
図１１（Ｄ）に示すように、二層構造レジスト１７をリフトオフする。
図１１（Ｅ）に示すように、センサ部１０と磁界補正部２０の間の間隔ｇ（図１参照）に相当する部分を溝とした二層構造レジスト１７ｇが形成される。その後、イオンミルによって、素子間隔ｇに相当する溝を形成し、その後この二重構造レジストをリフトオフする。
【００８１】
以上の工程により、図１に示すＧＭＲ素子が製造される。なお、製造方法はこれに限定されず、各種の選択性エッチング，リフトオフ，イオンミル，写真製版技術を応用して任意に採用し得る。
第２実施形態の層構成反転型シングル・スピンバルブ構造（図５参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜順序を逆にすることを除き、第１実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
【００８２】
第３実施形態のデュアル・スピンバルブ構造のＧＭＲ素子（図６参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜時に第二中間層１３−２，第二固定側磁性層１４−２，第二反強磁性層１５−２を追加的に成膜することを除き、第２実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
第４実施形態の超格子ＧＭＲ素子（図１０参照）の製造法は、図１１（Ａ）の各層の成膜時に図１０に示すように各層を成膜することを除き、第１実施形態のＧＭＲ素子のそれと同じである。
［磁気ディスク駆動装置］
図１２は、本実施形態に係る磁気ディスク駆動装置の要部を示す図である。上述した構成を有し、上述した製造工程で製造されたＧＭＲヘッドを用いた磁気ディスク駆動装置を簡単に説明する。この磁気ディスク駆動装置は、磁気記録媒体として磁気ディスク３０が搭載され、回転駆動される。この磁気ディスク３０の表面に対向し、約２０ｎｍ程度の浮上量でGMR ヘッド３２が配置され、記録再生動作が行われる。ヘッド３２の位置決めは、通常のアクチュエータと電磁式微動アクチュエータを組み合わせた２段式アクチュエータ３４を採用している。更に、吸着フリー・スライダ３６を採用してスライダと磁気ディスクの吸着を防いでいる。
【００８３】
【発明の効果】
本発明によれば、新規なＧＭＲヘッドを提供することが出来る。
更に本発明によれば、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドを提供することが出来る。
【００８４】
更に本発明によれば、新規なＧＭＲヘッドの製造方法を提供することが出来る。
更に本発明によれば、固定側磁性層から自由側磁性層にかかる静磁気的な磁界を減少させ、動作点を適正なバイアス点に位置させるＧＭＲヘッドの製造方法を提供することが出来る。
【００８５】
更に本発明によれば、これらＧＭＲヘッドを利用した磁気ディスク駆動装置を提供することが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図１】 シングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図２】 図１のＧＭＲ素子の固定側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図３】 図１のＧＭＲ素子の自由側磁性層の磁界分布を計算するために用いたシングル・スピン構造のモデルを説明する図である。
【図４】 図１のＧＭＲ素子の自由側磁性層の磁界分布の計算結果を示すグラフである。
【図５】 層構成反転型シングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図６】 デュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図７】 図６のデュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁界分布の計算結果を示すグラフである。
【図８】 図３のシングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図９】 図６のデュアル・スピン構造を有するＧＭＲ素子における自由側磁性層の磁化方向を説明する図である。
【図１０】 超格子ＧＭＲ素子の構成を示す図である。
【図１１】 図１のシングル・スピン構造を有するＧＭＲ素子の製造工程フローを示す図である。
【図１２】 図１，図５，図６又は図１０に示すＧＭＲ素子を用いた磁気ディスク駆動装置の要部を示す図である。
【図１３】 ＧＭＲヘッドが用いられる複合型磁気ヘッドと磁気ディスクの要部を示す図である。
【図１４】 スピンバルブ素子を説明する図である。
【図１５】 スピンバルブ素子の動作を説明する図である。
【図１６】 スピンバルブ素子のＧＭＲ効果を説明する図である。
【符号の説明】
１０：センサ部、 １１：基板、 １２：自由側磁性層（フリー層）、 １３，２３：中間層（非磁性金属層）、 １４：固定側磁性層（ピンド層）、 １５，２５：反強磁性層（ピニング層）、 １６：非磁性層、 １７：オーバハング形状レジスト、 １８：ハード膜、 １９：電極膜、 ２０：磁界補正部、 ２２，２４：磁性層、
ｗ：素子幅、 ｈ：素子高さ、 ｇ：素子間隔、 Ｍｐ：固定側磁性層の磁化、 Ｍｐ′：磁性層の磁化、 Ｍｆ：自由側磁性層の磁化、
Claims (17)
- ＧＭＲヘッドに於いて、
センサ部と該センサ部から素子高さ方向に並列関係で独立した磁界補正部とを備え、
前記センサ部は、少なくとも、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層を有し、
前記磁界補正部は、前記センサ部と実質的に同じ層構成を有している、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、少なくとも前記自由側磁性層、中間層，固定側磁性層に加えて、反強磁性層をもつスピンバルブ膜を有している、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、基板の上に、前記自由側磁性層、前記中間層、前記固定側磁性層及び反強磁性層がこの順序で形成されたシングル・スピンバルブ構造を採る、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、基板の上に、反強磁性層、前記固定側磁性層、前記中間層及び前記自由側磁性層がこの順序で形成された層構成反転型シングル・スピンバルブ構造を採る、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、基板の上に、少なくとも、第一固定側磁性層、第一中間層、自由側磁性層及び第二固定側磁性層がこの順序で形成されたデュアル・スピンバルブ構造を採る、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、基板の上に、第一反強磁性層、第一固定側磁性層、第一中間層、自由側磁性層、第二固定側磁性層及び第二反強磁性層がこの順序で形成されたデュアル・スピンバルブ構造を採る、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部が、基板の上に、自由側磁性層、中間層及び固定側磁性層から成る組を、非磁性層を介して、複数組設けた超格子ＧＭＲ構造を採る、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１に記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部と前記磁界補正部は、素子高さ方向に０．１μｍ以下の素子間隔を有して離れている、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１に記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記センサ部と前記磁界補正部は、素子高さ方向に０．０１μｍの素子間隔を隔てて離れている、ＧＭＲヘッド。 - 基板上に、少なくとも自由側磁性層を積層し、該自由側磁性層の上に中間層を積層し、該中間層の上に固定側磁性層を積層し、該固定側磁性層の上に反強磁性層を積層してスピンバルブ膜を形成し、
前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する、諸工程を含む、ＧＭＲヘッドの製造方法。 - 請求項１０に記載のＧＭＲヘッドの製造方法において、
前記スピンバルブ膜を、素子高さ方向中間部で分離する工程は、イオンミル法によって行われる、ＧＭＲヘッドの製造方法。 - 少なくとも、請求項１乃至９の何れか１項に記載のＧＭＲヘッドと、
前記ＧＭＲヘッドに対向して配置された磁気ディスクと、
前記ＧＭＲヘッド及び前記磁気ディスクを制御する制御機構と
を備えた磁気記録装置。 - ＧＭＲヘッドに於いて、
外部信号磁界の変化を検出するセンサ部内の固定側磁性層の磁化方向に対して実質的に同一方向に磁化を固定した磁性層を、該センサ部内の該固定側磁性層と並列関係に素子高さ方向に独立して配置したことを特徴とする、ＧＭＲヘッド。 - ＧＭＲヘッドに於いて、
外部信号磁界の変化を検出するセンサ部と同一構成の積層膜を、該センサ部と並列関係で該センサ部と独立に配置された磁界補正部を設け、該センサ部の固定側磁性層及び該磁界補正部の磁性層の向きを実質的に同一方向とすることを特徴とする、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１３及び請求項１４の何れか一項に記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記磁界補正部の磁性層の幅寸法が、前記センサ部の固定側磁性層の幅寸法と実質的に同一である、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１３及び請求項１４の何れか一項に記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記磁界補正部の磁性層と前記センサ部の固定側磁性層との素子高さ方向の間隔が０．０１μｍ以下である、ＧＭＲヘッド。 - 請求項１３及び請求項１４の何れか一項に記載のＧＭＲヘッドに於いて、
前記スピンバルブのセンサ部はデュアル・スピンバルブであることを特徴とする、ＧＭＲヘッド。
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