JP3575683B2 - 多素子型磁気抵抗素子 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、磁気ディスク、光磁気ディスク、テ−プ等の磁気メディアの再生ヘッド、また、自動車等で用いられる磁気センサ−、磁気ランダム・アクセス・メモリ(MRAM)等に広く使用される磁気抵抗素子に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
近年、磁気記録密度の向上に伴い、スピンバルブ型のGMR(巨大磁気抵抗効果)素子が実用化され始めている。スピンバルブ型GMR素子の原理は、自由層と固定層の磁化相対角度に応じて膜面内を流れる電子の平均自由工程が変化することとして説明されている。このスピンバルブ型GMR素子は、従来の異方性MR素子に比べ数倍高い10%程度のMR比(磁気抵抗比)を実現した。
【0003】
一方、さらに高いMR比が得られる材料として、TMR(トンネル磁気抵抗)効果を用いた磁気抵抗効果素子、あるいは磁性金属/遷移金属人工格子のCPP(カレント・パ−ペンディキュラ−・トゥ−・ザ・プレイン)方向のGMRが研究されている。CPP・GMRは先のスピンバルブ型GMRと基本原理は同様であるが、面に垂直方向に電流が流れる点で異なる。
【0004】
一方、TMRは、トンネル非磁性層を介した2つの強磁性層の磁化相対角に応じて変化するトンネル確率を利用した新しい磁気抵抗効果素子であり、やはり膜面に垂直方向に電流を流す。本特許では、これらを垂直電流型磁気抵抗素子と称することにする。このような垂直電流型磁気抵抗素子を磁気ヘッドとして使用するヘッド構成としては、従来GMRヘッドで用いられてきたシ−ルド型のMRヘッドのMR素子部をTMR素子で置き換え、フラックスガイドを備えた構成を持つ磁気ヘッド(特開閉11−213349)あるいは、基板面に垂直方向に形成されたヨ−ク内にTMR素子を配置した構成をもつ磁気ヘッド(特開平11−25425)が考案されている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、例えば磁気ヘッドとしてTMR素子を応用するときTMRが持つ本質的に高い接合インピ−ダンスにより、熱雑音や、電気回路部とのマッチングが課題となる。素子面積を大きく取ることで、素子抵抗を小さくすることは可能であるが、媒体面からの漏れ磁束は、記録密度の上昇とともに小さくなるために、単に素子面積を大きくすることはヘッドの高感度化、またヘッドの小型化が困難になるという別の課題を生じる。
【0006】
一方、接合抵抗を低下させるために、トンネル絶縁層を薄くしていくと、トンネル絶縁層を挟んだ磁性層同士の磁気的結合が強くなり、理想的な磁化回転角を実現しにくくなり高いMRが得られない。さらに高感度化のために媒体と素子のスペ−スを減少させると、ヘッドと媒体の接触による熱スパイクなどが重要な課題となると考えられる。また、従来の提案されたヘッド構成では、パルス振幅による非対称性や、サイドリ−ディングの非対称性等が生じる可能性がある。
【0007】
また素子の小型化が進むヘッド及びMRAMの共通課題として、高出力を得るために素子に流す電流量を増していくと、発生する電流磁界のために、自由磁性層(または磁気感知部)の磁化方向が影響を受けるという課題がある。さらにTMR素子自身の課題として素子にかかるバイアスが大きくなるとMR値が低下するというバイアス依存性の課題等もある。
【0008】
本発明は、従来の課題を解決する、垂直方向の電流を流すTMR素子あるいはCPP・GMR素子に使用する新しい素子構成を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
本発明に係る多素子型磁気抵抗素子は、特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置され(前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子が電気的に直列または並列に接続されているものを除く)、そのことにより上記目的が達成される。
【0021】
本発明に係る他の多素子型磁気抵抗素子は、特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置され、第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に電流を流入する第1導体と、第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子から電流を流出する第2導体とをさらに備えることにより上記目的が達成される。
【0030】
本発明に係る他の多素子型磁気抵抗素子は、特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置され、第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子の出力を加算して前記特定の外部磁界を検知する加算器を備えていることにより上記目的が達成される。
【0031】
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子の極性が互いに異なってもよい。
【0040】
【発明の実施の形態】
(実施の形態1)
図1は、実施の形態1に係る磁気抵抗素子100の断面図である。磁気抵抗素子100は、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101に電流を流入する導体102と垂直電流型磁気抵抗素子101から電流を流出する導体103とを備える。導体102と導体103とは同じ向きに配置される。導体102から導体103の方向に(図1に示す矢印106の方向)に電流を流すと、導体102および導体103は図1に示すように紙面の手前から奥に向かって合成磁界104を発生する。図1に示すように導体102および導体103は、合成磁界104と磁気抵抗素子100が検知すべき外部磁界108とが略90度の角度を成すように配置される。発生した合成磁界104は、垂直電流型磁気抵抗素子101のバイアス磁界として有効に作用する。
【0041】
但し発生する合成磁界104が外部磁界108よりも大きくなりすぎると外部磁界108による磁気抵抗素子100のMR変化が小さくなるという課題がある。また発生する磁界104の方向が外部磁界108の方向と平行となるように導体102および導体103が配置されると、外部磁界108の磁界変化がシフトする等の課題を生じる。
【0042】
図2は、実施の形態1に係る他の磁気抵抗素子200の断面図である。磁気抵抗素子200は、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101に電流を流入する導体102Aと垂直電流型磁気抵抗素子101から電流を流出する導体103Aとを備える。導体102Aと導体103Aとは図2に示すように互いにねじれの位置関係となる向きに配置される。導体102Aから導体103Aの方向に(図2に示す矢印106Aの方向)に電流を流すと、図2に示すように導体102Aおよび導体103Aはそれぞれの導体に対して略45度の方向に合成磁界104Aを生じる。図2に示すように導体102Aおよび導体103Aは、合成磁界104Aと磁気抵抗素子200が検知すべき外部磁界108Aとが略90度の角度を成すように配置される。発生した合成磁界104Aは、垂直電流型磁気抵抗素子101のバイアス磁界として有効に作用する。
【0043】
但し図1を参照して前述した磁気抵抗素子100と同様に、発生する合成磁界104Aが外部磁界108Aよりも大きくなりすぎると外部磁界108Aによる磁気抵抗素子200のMR変化が小さくなるという課題がある。また発生する合成磁界104Aの方向が外部磁界108Aの方向と平行となるように導体102Aおよび導体103Aが配置されると、外部磁界108Aの磁界変化がシフトする等の課題を生じる。
【0044】
図3は、実施の形態1に係るさらに他の磁気抵抗素子300の断面図である。磁気抵抗素子300は、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101に電流を流入する導体102Bと垂直電流型磁気抵抗素子101から電流を流出する導体103Bとを備える。導体102Aと導体103Aとは図3に示すように互いに平行に配置される。導体102Bから導体103Bの方向に(図3に示す矢印106Bの方向)に電流を流すと、導体102Aが生成する磁界と導体103Bが生成する磁界とは、互いにキャンセルする。
【0045】
垂直電流型磁気抵抗素子101のバイアス磁界を垂直電流型磁気抵抗素子101に流れる電流とは独立した電流により発生させると、垂直電流型磁気抵抗素子101に流れる電流の大きさに関わらず安定したバイアス磁界を得ることができる。垂直電流型磁気抵抗素子101の磁性体に磁場中での熱処理などにより異方性を付与することによっても、あるいは垂直電流型磁気抵抗素子101の磁性体に反強磁性体等を用いてバイアス磁界を発生させることによっても垂直電流型磁気抵抗素子101に流れる電流の大きさに関わらず安定したバイアス磁界を得ることができる。
【0046】
図1〜図3に示す構成は、垂直電流型磁気抵抗素子101に流す電流の大きさと外部磁界に基づいて選択することが好ましい。
【0047】
図4は、実施の形態1に係る多素子型磁気抵抗素子400の断面図である。図5は、実施の形態1に係る他の多素子型磁気抵抗素子500の断面図である。図6は、多素子型磁気抵抗素子に発生するバイアス磁界の説明図である。多素子型磁気抵抗素子400は、基板401と基板401上に配置された2個の磁気抵抗素子300とを備える。磁気抵抗素子300は、図3で前述した磁気抵抗素子300である。磁気抵抗素子300は、図3に示す矢印301の方向から図示されている。垂直電流型磁気抵抗素子101に電流を導入する導体102Bと導体103Bとは、独立して形成される。図4に示す2個の垂直電流型磁気抵抗素子101に垂直な向きに電流106Bが流れると、垂直電流型磁気抵抗素子101に図6に示すような2つのバイアス磁界604A、604Bがそれぞれ発生する。バイアス磁界が2つになるので、1つのバイアス磁界の場合に比べて外部磁界に対する磁化応答の線形性が向上する。
【0048】
図5を参照して、多素子型磁気抵抗素子500は、基板401と基板401上に配置された導体102Cと導体102C上に配置された2個の垂直電流型磁気抵抗素子101と2個の垂直電流型磁気抵抗素子101に対して共通に接続される導体103Cとを備える。このように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は、導体102Cおよび導体103Cを介して並列に接続される。導体102Cおよび導体103Cは、磁性導電層または非磁性導電層で形成される。図5に示すように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101に垂直な向き106Cに電流が流れると、図4を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子400と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101に図6に示すような2つのバイアス磁界604A、604Bがそれぞれ発生する。バイアス磁界が2つになるので、1つのバイアス磁界の場合に比べて外部磁界に対する磁化応答の線形性が向上する。
【0049】
図7は、実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続された多素子型磁気抵抗素子700の断面図である。図8は、図7に示す素子型磁気抵抗素子700の平面図である。図7を参照して、多素子型磁気抵抗素子700は、基板401と基板401上に配置された導体102Dと導体102D上に配置された2個の垂直電流型磁気抵抗素子101と2個の垂直電流型磁気抵抗素子101のそれぞれに対して接続される2個の導体103Dとを備える。このように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は、導体102Dおよび導体103Dを介して直列に接続される。導体102Dおよび導体103Dは、磁性導電層または非磁性導電層で形成される。図7に示すように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101に垂直な向き106Dに電流が流れると、図4を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子400と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101に図8に示すような2つのバイアス磁界804A、804Bがそれぞれ発生する。バイアス磁界が2つになるので、1つのバイアス磁界の場合に比べて外部磁界に対する磁化応答の線形性が向上する。
【0050】
図9は、実施の形態1に係るさらに他の多素子型磁気抵抗素子900の断面図である。多素子型磁気抵抗素子900は、基板401と基板401上に配置された2個の磁気抵抗素子300とを備える。磁気抵抗素子300は、図3で前述した磁気抵抗素子300である。磁気抵抗素子300は、図3に示す矢印301の方向から図示されている。右側の磁気抵抗素子300は、電流が上から下へ流れるように上下をひっくり返して配置されている。垂直電流型磁気抵抗素子101に電流を導入する導体102Eと導体103Eとは、独立して形成される。図8に示す2個の垂直電流型磁気抵抗素子101に垂直な向きに電流106Eが流れると、図7に示す多素子型磁気抵抗素子700と同様に垂直電流型磁気抵抗素子101に図8に示すような2つのバイアス磁界804A、804Bがそれぞれ発生する。バイアス磁界が2つになるので、1つのバイアス磁界の場合に比べて外部磁界に対する磁化応答の線形性が向上する。
【0051】
図10は、実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続されたさらに他の多素子型磁気抵抗素子1000の断面図である。多素子型磁気抵抗素子1000は、基板401と基板401上に配置された導体102Fと導体102F上に配置された垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101上に配置された導体103Fと導体103F上に配置された垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101上に配置された導体109Fとを備える。このように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は、導体102F。導体103Fおよび導体109Fを介して直列に接続される。導体102F、導体103Fおよび導体109Fは、磁性導電層または非磁性導電層で形成される。
【0052】
図11は、実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続されたさらに他の多素子型磁気抵抗素子1100の断面図である。図10に示す多素子型磁気抵抗素子1000の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素の詳細な説明は省略する。図11に示すように2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は互いにずれて配置されていてもよい。
【0053】
図7、図10および図11を参照して前述した、少なくとも2つの垂直電流型磁気抵抗素子が電気的に直列に接続された多素子型磁気抵抗素子700、1000および1100では、例えば垂直電流型磁気抵抗素子101にTMRを用いた場合には、1素子当たりにかかるバイアス磁界が多数の素子によって分担されるために、バイアス依存性の課題が緩和される。また素子そのものが低抵抗であるCPP・GMRを用いた場合においては素子が電気的に直列に接続されているので高抵抗化ができ、低電流で高出力を得ることができる。
【0054】
図12〜図16は、図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図である。特にCPP・GMRにおいては断面積を小さくし、さらに電流方向の高さを高くすれば高抵抗化は可能であるが、リソ加工技術の限界として、十分な高抵抗となる微細素子加工が困難である。このために図12〜図16に示すようなプロセス工程を用い、段階的に素子抵抗を向上させることが重要である。
【0055】
図17は、さらに他の多素子型磁気抵抗素子を用いたMRAMのメモリセルの断面図である。メモリセル1700は、多素子型磁気抵抗素子1710と書き込み線1704とビット線1705とを備える。多素子型磁気抵抗素子1710は、2個の垂直電流型磁気抵抗素子101(TMR素子)と非磁性導電層1702、1703および1709とを含む。2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は、図17に示すように非磁性導電層1702、1703および1709により直列に接続される。書き込み線1704とビット線1705とは、多素子型磁気抵抗素子1710を挟み込むように設けられる。実施の形態に係る多素子型磁気抵抗素子を用いたMRAMのメモリセルでは、バイアス依存性の課題、あるいは高抵抗化の課題が改善される。
【0056】
(実施の形態2)
図18は、実施の形態2に係るヨークに対して基板と反対側に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる多素子型磁気抵抗素子1800の斜視図である。図19は、図18に示される多素子型磁気抵抗素子1800の説明図である。図20は、図19に示す多素子型磁気抵抗素子1800の垂直電流型磁気抵抗素子101の接続方法を説明する断面図である。
【0057】
図18、図19および図20を参照して、多素子型磁気抵抗素子1800は、基板401と電極1902とヨーク1801と2個の垂直電流型磁気抵抗素子101と電極1903とを備える。ヨーク1801は、磁気ギャップ1801Aを有する。図18〜図20に示す多素子型磁気抵抗素子1800では、同一ヨ−ク180上に2個の垂直電流型磁気抵抗素子101が配置される。ヨ−ク180上の2個の垂直電流型磁気抵抗素子101は、極性が同じである。すなわち、非磁性層を挟んで隣り合う磁化状態と、磁気抵抗の増減の振る舞いが同じ、例えば、何れの素子も磁化が平行の時に抵抗が最低値をとる。図4または図5に示すように電極を配置して電流を流すと図6に示すようなバイアス磁界を得る事ができる。図7または図9に示すように電極を配置して電流を流すと図8に示すようなバイアス磁界を得る事ができる。垂直電流型磁気抵抗素子101のそれぞれの出力を加算すると、図23に示す1個の垂直電流型磁気抵抗素子101を設けた従来の磁気抵抗素子2300に比較して、出力の非対称性を改善することができる。
【0058】
図21は、図19に示す多素子型磁気抵抗素子1800の要部の構成を示す断面図である。図22は、図19に示す多素子型磁気抵抗素子1800の要部の他の構成を示す断面図である。図18および図19に示すヨ−ク1801上に形成された垂直電流型磁気抵抗素子101がTMRである場合には、図21に示すように、基板401上に電極1902を形成し、ヨ−ク1801とする単層、あるいは多層の軟磁性膜を形成し、トンネル層2203を形成した後、固定層2202(ピン層)を形成し、反強磁性層2201を形成後、電極1903を形成する。図22に示すように、電極1902を形成した後、リソ加工により硬質磁性膜2301、あるいは反強磁性膜を埋め込み、表面を平坦化後、ヨ−ク1801を形成しても良い。
【0059】
図24は、実施の形態2に係るヨークに対して基板と反対側に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる他の多素子型磁気抵抗素子2400の斜視図である。図25は、図24に示す他の多素子型磁気抵抗素子2400の説明図である。図26は、図25に示す多素子型磁気抵抗素子2400の垂直電流型磁気抵抗素子の接続方法を説明する断面図である。図18〜図20を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子1800の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は省略する。
【0060】
垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101Aとは極性が異なる。極性が異なる垂直電流型磁気抵抗素子101、101Aで構成されている多素子型磁気抵抗素子2400において、垂直電流型磁気抵抗素子101、101Aの2つの出力を加算すると、出力の非対称性が改善される。
【0061】
図27は、実施の形態2に係る異なる極性を有する2つの垂直電流型磁気抵抗素子の減算動作の説明図である。図28は、実施の形態2に係る同じ極性を有する2つの垂直電流型磁気抵抗素子の減算動作の説明図である。特定の外部磁界に対して応答する少なくとも2つの垂直電流型磁気抵抗素子の出力を減算して外部磁界を検知する多素子型磁気抵抗素子では、例えば極性が同じ磁気抵抗素子のみで構成されている場合には、例えば図18および図19に示すような同一ヨ−ク上にある極性が同じ2つの磁気抵抗素子101の出力を減算した場合、2つの磁気抵抗素子101で素子電流を流し始めたときに2つの磁気抵抗素子101でほぼ同時に生じる熱揺らぎ、狭フライングハイトにより接触時に発生する熱スパイクが相殺される。このため熱揺らぎ、狭フライングハイトの影響を改善することができる。極性が同じ2つの磁気抵抗素子101の出力の減算に差動増幅器を用いた場合には、2つの磁気抵抗素子101の基本出力が同じ場合であれば、静磁界状態では図28に示すような出力を得ることになる。
【0062】
互いに極性が異なる磁気抵抗素子同士で構成されている場合、例えば図24および図25に示される同一ヨ−ク上の2つの磁気抵抗素子101および101Aの出力を減算した場合、やはり熱揺らぎなどの影響が改善される。特に、この減算に差動増幅器を用いた場合、2つの磁気抵抗素子101および101Aの基本出力が同じ場合であれば、静磁界状態では図27に示すような出力を得ることになる。
【0063】
なお本明細書において磁気抵抗素子の極性は、以下に示すように定義される。TMR素子の場合、少なくとも非磁性層を介在させた2つの磁性層間にトンネル電流が流れる時にトンネルする伝導スピンが、何れもマジョリティスピン同士、あるいはマイノリティスピン同士の場合には極性は正を示し、マジョリティスピンとマイノリティスピン間でのスピン伝導である場合には極性は負を示すと定義する。また加算、減算は通常半導体で用いられる加算回路、加算素子、減算回路、減算素子を用いる。
【0064】
(実施の形態3)
図29は、実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる多素子型磁気抵抗素子2900の斜視図である。図30は、図29に示す多素子型磁気抵抗素子2900の断面図である。図31は、図29に示す多素子型磁気抵抗素子2900の他の断面図である。図32は、図29に示す多素子型磁気抵抗素子2900の垂直電流型磁気抵抗素子の接続方法を説明する断面図である。図24〜図26を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2400の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は省略する。
【0065】
垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aは、ヨーク1801と基板401との間に設けられる。図24〜図26を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2400と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101Aとは極性が異なる。
【0066】
図33は、図30に示す多素子型磁気抵抗素子2900の要部の構成を示す断面図である。図34は、図30に示す多素子型磁気抵抗素子2900の要部の構成を示す断面図である。図33に示すように、基板401上に電極1902を形成し、反強磁性層2201を形成後、固定層2202(ピン層)を形成し、トンネル層2203を形成した後、ヨ−ク1801とする単層、あるいは多層の軟磁性膜を形成し、電極1903を形成する。図34に示すように、電極1903を形成する後、リソ加工により硬質磁性膜3401、あるいは反強磁性膜を形成しても良い。
【0067】
図35は、実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子3500の断面図である。図29〜図32を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2900の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は省略する。
【0068】
垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aは、ヨーク1801と基板401との間に設けられる。図29〜図32を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2900と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101Aとは極性が異なる。
【0069】
図36は、実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子3600の斜視図である。図37は、図36に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子3600の説明図である。図29〜図32を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2900の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は省略する。
【0070】
前述した実施の形態に係る多素子型磁気抵抗素子は、横型のヨーク1801を備えていたが、図36および図37に示すように縦型のヨーク3601を備える多素子型磁気抵抗素子3600に対しても本発明を適用し得る。縦型のヨーク3601は、ギャップ3601Aを有する。垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aは、ヨーク3601と基板401との間に設けられる。図24〜図26を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2400と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101Aとは極性が異なる。
【0071】
図38は、実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子3800の斜視図である。図29〜図32を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2900の構成要素と同一の構成要素には同一の参照符号を付している。これらの構成要素についての詳細な説明は省略する。
【0072】
多素子型磁気抵抗素子3800は、ヨーク3801を備える。ヨーク3801は、ギャップ3801Aを有する。図38に示すようにギャップ3801Aは、基板401に対して平行な方向に形成される。垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aは、ヨーク3801と基板401との間に設けられる。図24〜図26を参照して前述した多素子型磁気抵抗素子2400と同様に、垂直電流型磁気抵抗素子101と垂直電流型磁気抵抗素子101Aとは極性が異なる。
【0073】
本発明の多素子型磁気抵抗素子を用いたヨ−ク構造を持つ磁気ヘッドでは熱スパイクの削減、出力の非対称性等の課題が改善される。
【0074】
実施の形態に係る垂直電流型磁気抵抗素子が、少なくとも2種の磁性体間の磁化相対角の変化を電子の平均自由工程の変化として検知する多素子型磁気抵抗素子では、直列化による高抵抗化や、あるいはこれを実施の形態に係るヘッドとして用いた場合、熱スパイク、熱揺らぎの削減、出力の非対称性等の課題が改善される。
【0075】
実施の形態に係る磁気抵抗素子の磁性層、電極はIBD(イオンビ−ムデポジション)、スパッタリング、MBE、イオンプレ−ティング法を始めとする真空蒸着法で容易に作成できる。また非磁性層が化合物である場合、化合物そのものをタ−ゲットにして成膜を行う、あるいは反応性蒸着法、反応性スパッタリング法、イオンアシスト、CVD、あるいは適当な分圧の反応ガス雰囲気に反応すべき元素を適当な温度と時間放置するなど、通常の化合物作製法で容易に作成できる。
【0076】
また実施の形態のヘッドあるいはMRAMは、通常の半導体プロセスで用いられるイオンミリング、RIE、EB、FIB、I/M等の物理的あるいは化学的エッチング法や、微細プロセス中に平坦化が必要であれば、CMP法、または必要な微細加工の応じた線幅を用いたフォトリソグラフィ−法を用いて作製することができる。また特に素子成膜時に、成膜した膜表面を平坦にするために真空中でクラスタ−イオンビ−ムエッチングを用い、引き続いて成膜を行うこともMR向上に効果的である。
【0077】
(実施例1)
実施の形態1に係る磁気抵抗素子の微細化した導体(電極)の形状と垂直電流型磁気抵抗素子の磁気特性とを調べるため、図1〜図3に示すように導体が配置されるTMR素子(磁気抵抗素子100、200および300)を作製した。素子加工には通常のフォトリソグラフィ技術を用い、素子面積を3×3μm2とした。
【0078】
TMR及び電極の構造はSi/SiO2/Ta3/Cu500(電極)/Ta3/PtMn30/CoFe3/Ru0.7/CoFe3/Al 0.4(200Torr 純酸素1min酸化)/Al0.3(200Torr純酸素1min酸化)/CoFe2/NiFe5/Ta3/Cu500(電極)とし、MRは25%、RAは25Ωμm2 である。PtMnの一軸異方性付与のために280℃3時間で真空中熱処理を行った。PtMnのピン磁界方向(図1で紙面の左右方向)に±1000(Oe)の磁場を印加し、素子電流を60mA流したとき、図1の磁気抵抗素子100及び図2の磁気抵抗素子200においてMR変化の磁場に対する傾きが大きくなる現象が観察された。一方図3の磁気抵抗素子300では低電流の時とほとんど同じであった。
【0079】
以上のことから、特に図1の磁気抵抗素子100および図2の磁気抵抗素子200においては、電流により発生する磁界が、TMR膜の内、特に自由層であるCoFe1/NiFe5の積層膜にバイアスをかけているものと考えられる。このように配線の仕方により、電流バイアス磁界による素子の磁場感度の線形性の制御、あるいはバイアス磁界を考慮せずに大電流を流す等の素子特性の制御ができることがわかる。
【0080】
(実施例2)
(実施例1)と同じ膜構造で図4及び図5及び図7に示す構成の多素子型磁気抵抗素子400,500および700を作製した。垂直電流型磁気抵抗素子101の接合面積は何れも3×3μm2で、垂直電流型磁気抵抗素子101間の互いの距離は2μmとした。MRは25%、RAは25Ωμm2 である。但し図4に示す各素子を紙面に平行な方向からみた構成は図3と同じである。図4に示す多素子型磁気抵抗素子400では電流と電圧はそれぞれ垂直電流型磁気抵抗素子101個別に測定し、図5に示す多素子型磁気抵抗素子500では2つの垂直電流型磁気抵抗素子101を並列に測定し、また図7に示す多素子型磁気抵抗素子700では2つの垂直電流型磁気抵抗素子101を直列に測定した。
【0081】
PtMnのピン磁界方向(図4および図5で紙面に平行な方向)に±1000(Oe)の外部磁場を印加し、まず図4に示す構成を有する多素子型磁気抵抗素子400の1対の垂直電流型磁気抵抗素子101のうち片方の素子のみに電流を60mA流し、電圧の変化を調べたところ、(実施例1)の図3に示す構成を有する多素子型磁気抵抗素子300のMR曲線とほぼ同じMR曲線を得た。このときのMRは19%であった。次に両方の垂直電流型磁気抵抗素子101にそれぞれ60mAの電流を膜面垂直方向(矢印106の方向)に流したところ、MRの磁場に対する傾きが片方の素子のみに電流を流した時よりも大きくなった。
【0082】
一方、図5の多素子型磁気抵抗素子500において120mAの電流を流したとき、先と同じようなMRの磁場に対する傾きが観察された。この素子500の電流を60mAに落としたとき、MR曲線の磁場に対する傾きは小さくなった。さらに図7の多素子型磁気抵抗素子700において電流を60mA流したとき、やはりMR曲線の磁場に対する傾きが観察され、同時に、1素子あたりに流れる電流が同じ60mAの時では、バイアス磁界によるMRの低下が少ないMR値(23)%を得た。
【0083】
以上のように、2つの垂直電流型磁気抵抗素子間に、素子電流によってバイアス磁界を発生させることができる。特に配線(導体)からの磁界の影響、電流方向、電流量、互いの素子間の距離を考慮することで、外部磁場方向に対して好ましい角度(例えば90度)に適度なバイアス磁界をかけることができ、多素子型磁気抵抗素子の外部磁界に対する磁化応答の線形性を向上することができる。さらに2つの垂直電流型磁気抵抗素子を直列に接続することでMRのバイアス磁界依存を抑制できる。
【0084】
直列に接続される垂直電流型磁気抵抗素子のさらなる例として、膜厚200nmのFe/Cr人工格子をステッパを用いて、直径0.3μmの円柱状に微細加工し図14に示すような形状の垂直電流型磁気抵抗素子101(GMR素子)を作製した。この垂直電流型磁気抵抗素子101(GMR素子)の膜面垂直方向のMRを最大印可磁界を±1000(Oe)として調べたところ58%のMRを得た。この垂直電流型磁気抵抗素子101と導体102F、103F、104F(電極層)としての膜厚200nmを有するCuとをCMPプロセスを用いて平坦化しながら積層するという、図12〜図16に示すプロセスを繰り返し、20個の垂直電流型磁気抵抗素子101を直列に接続し、直列に接続された垂直電流型磁気抵抗素子101の抵抗を測定したところ垂直電流型磁気抵抗素子101全体の抵抗として5Ωを得、さらにMR47%を得た。MRの減少の原因は、Cuと垂直電流型磁気抵抗素子101とを積層したことによる垂直電流型磁気抵抗素子101全体の抵抗の増大と考えられる。
【0085】
このような垂直電流型磁気抵抗素子101の直列配線に加え、図7に示すような面内直列配線を組み合わせて用いることで、素子抵抗が本質的に低いGMR膜を高抵抗化し、同一電流に対する電圧出力を増大させることができる。また図17に示すように、例えば2つの垂直電流型磁気抵抗素子101(TMR素子)を非磁性導電層1702、1703および1705で直列に接続し、この素子の上下に書き込み線1701とビット線1705を設けたMRAMのメモリセル1700に用いた場合、バイアス磁界の依存性が小さいメモリセル(記録セル)ができる。
【0086】
(実施例3)
磁気抵抗素子からみて基板側にヨ−クが構成された、図18および図19に示すような2つの垂直電流型磁気抵抗素子101を用いた多素子型磁気抵抗素子1800を作製した。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101の接続方法として、図7と同じ構成を有する図20に示す接続方法を用いた。垂直電流型磁気抵抗素子101のそれぞれの素子サイズは1×2μm2とし、図18および図19い示すようにヨ−ク1801の磁路方向と垂直電流型磁気抵抗素子101の長手方向とが垂直になるようにヨ−ク1801と垂直電流型磁気抵抗素子101とを形成した。垂直電流型磁気抵抗素子101の基本構成としては、図21に示す構成を用いた。具体的にはAlTiC(基板)/Ta3/Cu500(電極)/Ta3/NiFe30/CoFe2/Al 0.4(200Torr 純酸素1min酸化)/Al0.3(200Torr純酸素1min酸化)/CoFe3/Ru0.7/CoFe3/NiFe3/PtMn(30)/Ta3/Cu500(電極)とした。ここで、PtMnには図19における紙面右方向にピン磁界を付与した。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101を直列に接続したときの素子抵抗は20Ωで、電流を10mA流したとき約10(Oe)の異方性磁界がそれぞれの垂直電流型磁気抵抗素子101に付与された。
【0087】
比較のための従来例として、図23に示すように垂直電流型磁気抵抗素子101が1つで素子断面積を1×1μm2 とし、素子抵抗を20Ωとした磁気抵抗素子2300を作製した。多素子型磁気抵抗素子1800と従来例の磁気抵抗素子2300とのそれぞれに対して、トラック密度が90kTPI(tracksper inch),線記録密度は550kBPI(bits per inch)で記録されたHDD記録媒体をデータ転送速度211Mビット/秒で再生する再生実験を行った。記録媒体に対するヘッドの浮上量は20nmとした。多素子型磁気抵抗素子1800のビット誤り率は1×10−7。また、従来例の磁気抵抗素子2300のビット誤り率は1×10−5であった。このビット誤り率の差は、本実施例の多素子型磁気抵抗素子1800の垂直電流型磁気抵抗素子101(TMR素子)が、直列に接続されることでバイアス磁界依存性を有するMRの低下が軽減されたこと、素子電流によるバイアス磁界のために本実施例の多素子型磁気抵抗素子1800の応答波形が線形になったことなどによると思われる。
【0088】
以上の図19に示した多素子型磁気抵抗素子1800の構成は、2つの垂直電流型磁気抵抗素子101(TMR素子)に流れ込む外部磁束が同相であるという特徴を持つ。図30、図35、図37および図38に示すヨ−クと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子があるような構成を有する多素子型磁気抵抗素子2900、3500、3600および3800の基本動作も図19に示した多素子型磁気抵抗素子1800の基本的動作は同じである。また本実施例の多素子型磁気抵抗素子1800と同様優れたビット誤り率を得た。尚このようなヨ−クと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子がある多素子型磁気抵抗素子の基本構成は、図33に示す構成を用いた。
【0089】
(実施例4)
磁気抵抗素子からみて基板側にヨ−クが構成された、図24および図25に示す2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aを用いた多素子型磁気抵抗素子2400を作製した。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aの接続方法として、図4と同じ構成である図26に示す接続方法を用いた。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aのそれぞれの素子サイズは0.5×1μm2とし、図24に示すようにヨ−ク1802の磁路方向と垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aの長手方向とが垂直になるように垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aを配置した。1素子の基本構成としては、図22に示す構成を用いた。
【0090】
図22を参照して、基板401上に電極1902を形成後、電極1902上にレジストを形成し、硬質磁性膜、あるいは反強磁性膜2301を成膜後、素子部をリフトオフし、サイド電極を成膜した後、CMPにより電極1902および反強磁性膜2301の表面を平滑化する。次に真空中でクラスタイオンビ−ムエッチングにより表面をさらに平滑化、清浄化し作製している。具体的にはTMR膜にはAlTiC(基板)/Ta3/Cu500(電極)/Ta3/NiFe30/CoFe2/Al 0.4(200Torr 純酸素1min酸化)/Al0.25(200Torr純酸素1min酸化)/CoFe3/Ru0.7/CoFe3/NiFe3/PtMn(30)/Ta3/Cu500(電極)とした。PtMnは磁路方向にピン磁界を付与した。また硬質磁性層としてCoPtを用い、PtMnの異方性に対して直交バイアス磁界がかかるように異方性を付与した。それぞれの素子抵抗は20Ωである。
【0091】
2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aから得られる出力は、図28に示すように、同じ外部磁束に対して、反対の値を示す。この2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aから得られた出力e1およびe2を差動増幅器を用い、出力の差分を増幅する。このような多素子型磁気抵抗素子2400を用いて、トラック密度が90kTPI(tracks per inch),線記録密度は550kBPI(bits per inch)で記録されたHDD記録媒体からデータ転送速度211Mビット/秒で再生する再生実験を行った。ヘッドの浮上量は20nmとした。多素子型磁気抵抗素子のビット誤り率は1×10−8。(実施例3)に対して誤り率はさらに向上している理由は、差動出力を用いることで熱揺らぎ、狭フライングハイトにより接触時に発生する熱スパイクが相殺されたことにより優れた再生出力が得られたものと思われる。
【0092】
(実施例5)
図29および図30に示すような、垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aがヨ−ク1801と基板401とに挟まれた構成を持つ2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aを用いた多素子型磁気抵抗素子2900を作製した。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aの接続方法は図4と同じ構成である図32に示す接続方法を用いた。垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aのそれぞれの素子サイズは0.5×1μm2とし、ヨ−ク1801の磁路方向と垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aの長手方向とが垂直になるように垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aを配置した。1素子の基本構成としては、図34に示す構成を用いた。
【0093】
具体的にはTMR膜にはAlTiC/Ta3/Cu500(電極)/Ta3/PtMn30/CoFe3/Ru0.7/CoFe3/Al 0.4(200Torr 純酸素1min酸化)/Al0.25(200Torr純酸素1min酸化)/CoFe2/NiFe30/Ta3/Cu500(電極)とした。PtMnは磁路方向にピン磁界を付与した。また硬質磁性層としてCoPtを用い、PtMnの異方性に対して直交バイアス磁界がかかるように異方性を付与した。それぞれの素子抵抗は20Ωである。2つの垂直電流型磁気抵抗素子101および101Aから得られる出力は、図27に示すように、同じ外部磁束に対して、反対の値を示す。この2つの素子から得られた出力e1およびe2を差動増幅器を用い、出力の差分を増幅する。このような多素子型磁気抵抗素子2900を用いて、トラック密度が90kTPI(tracks per inch),線記録密度は550kBPI(bits per inch)で記録されたHDD記録媒体からデータ転送速度211Mビット/秒で再生する再生実験を行った。ヘッドの浮上量は20nmとした。多素子型磁気抵抗素子のビット誤り率は1×10−8であった。これは(実施例4)とほぼ同じ結果で、差動出力を用いることで熱揺らぎ、狭フライングハイトにより接触時に発生する熱スパイクが相殺されるたことにより優れた再生出力が得られたものと思われる。
【0094】
【発明の効果】
以上のように、垂直電流型磁気抵抗素子へ電流を供給する配線方法を考慮し、さらに少なくとも2つ以上の垂直電流型磁気抵抗素子を用いた多素子型磁気抵抗素子であることにより磁気再生ヘッド、MRAMセルを初めとするマイクロ磁気センサ−、メモリの特性を飛躍的に高めることが可能となった。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施の形態1に係る磁気抵抗素子の断面図
【図2】実施の形態1に係る他の磁気抵抗素子の断面図
【図3】実施の形態1に係るさらに他の磁気抵抗素子の断面図
【図4】実施の形態1に係る多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図5】実施の形態1に係る他の多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図6】多素子型磁気抵抗素子に発生するバイアス磁界の説明図
【図7】実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続された多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図8】図7に示す素子型磁気抵抗素子の平面図
【図9】実施の形態1に係るさらに他の多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図10】実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続されたさらに他の多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図11】実施の形態1に係る垂直電流型磁気抵抗素子が直列に接続されたさらに他の多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図12】図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図
【図13】図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図
【図14】図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図
【図15】図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図
【図16】図10に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の製造方法を示す断面図
【図17】さらに他の多素子型磁気抵抗素子を用いたMRAMのメモリセルの断面図
【図18】実施の形態2に係るヨークに対して基板と反対側に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる多素子型磁気抵抗素子の斜視図
【図19】実施の形態2に係るヨークに対して基板と反対側に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる多素子型磁気抵抗素子の説明図
【図20】図19に示す多素子型磁気抵抗素子の垂直電流型磁気抵抗素子の接続方法を説明する断面図
【図21】図19に示す多素子型磁気抵抗素子の要部の構成を示す断面図
【図22】図19に示す多素子型磁気抵抗素子の要部の他の構成を示す断面図
【図23】従来の磁気抵抗素子の説明図
【図24】実施の形態2に係るヨークに対して基板と反対側に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる他の多素子型磁気抵抗素子の斜視図
【図25】図24に示す他の多素子型磁気抵抗素子の説明図
【図26】図25に示す多素子型磁気抵抗素子の垂直電流型磁気抵抗素子の接続方法を説明する断面図
【図27】実施の形態2に係る異なる極性を有する2つの垂直電流型磁気抵抗素子の減算動作の説明図
【図28】実施の形態2に係る同じ極性を有する2つの垂直電流型磁気抵抗素子の減算動作の説明図
【図29】実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられる多素子型磁気抵抗素子の斜視図
【図30】図29に示す多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図31】図29に示す多素子型磁気抵抗素子の他の断面図
【図32】図29に示す他の多素子型磁気抵抗素子の垂直電流型磁気抵抗素子の接続方法を説明する断面図
【図33】図30に示す多素子型磁気抵抗素子の要部の構成を示す断面図
【図34】図30に示す多素子型磁気抵抗素子の要部の構成を示す断面図
【図35】実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子の断面図
【図36】実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子の斜視図
【図37】図36に示すさらに他の多素子型磁気抵抗素子の説明図
【図38】実施の形態3に係るヨークと基板との間に垂直電流型磁気抵抗素子が設けられるさらに他の多素子型磁気抵抗素子の斜視図
Claims (4)
- 特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置されており、
前記第1垂直電流型磁気抵抗素子に電流を導入する導体と、前記第2垂直電流型磁気抵抗素子に電流を導入する導体とが、それぞれ独立して形成されている、多素子型磁気抵抗素子。 - 特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置され、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に電流を流入する第1導体と、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子から電流を流出する第2導体とをさらに備える、多素子型磁気抵抗素子。 - 特定の外部磁界に対して応答する第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子を備える多素子型磁気抵抗素子であって、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子に流れる垂直電流に基づいて第1および第2磁界を発生し、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子は、前記第1および第2磁界が前記多素子型磁気抵抗素子のバイアス磁界として作用するように配置され、
前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子の出力を加算して前記特定の外部磁界を検知する加算器をさらに備える、多素子型磁気抵抗素子。 - 前記第1および第2垂直電流型磁気抵抗素子の極性が互いに異なる、請求項3記載の多素子型磁気抵抗素子。
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